CN110429044B - 切削装置 - Google Patents

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Abstract

提供切削装置，不仅对框架单元而且对单体状态的晶片也能够在切削加工后进行取出而容易地确认加工结果。该切削装置具有：盒载置机构(40)，其具有盒载置台，该盒载置台载置分别对多个单体状态的晶片(1)或框架单元(9)进行收纳的盒(30)；以及盒搬送部(60)，其对晶片或框架单元进行搬送，盒载置机构具有检查用收纳部，该检查用收纳部与盒载置台一起升降，对作为检查对象的晶片或框架单元进行收纳，检查用收纳部具有：导轨(114)，其在两侧对所收纳的框架单元(9)进行支承；以及支承托盘(113)，其支承于导轨(114)，具有与框架单元(9)同样的外径，支承托盘通过盒搬送部(60)而对作为检查对象的单体状态的晶片(1)进行载置。

Description

切削装置
技术领域
本发明涉及切削装置。
背景技术
已知有对半导体晶片或各种板状的被加工物进行切削的切削装置。在这种切削装置中，通常半导体晶片等晶片在利用划片带支承于环状框架的开口而成的框架单元的状态下被切断(全切割)。另一方面，在预切割加工的情况下，从晶片的正面形成半切割槽，因此晶片未被分割，并且在形成了半切割槽的晶片的正面上粘贴磨削用的保护带。因此，无需像框架单元那样将晶片固定于环状框架，而是在晶片单体的状态下执行晶片的加工(例如，参照专利文献1)。
另外，当对多张晶片进行自动地切削加工时，例如希望在对第一张晶片的加工结果进行确认之后再开始进行其他晶片的自动加工。因此，提出了具有检查用收纳部的切削装置，该检查用收纳部简单地取出一张加工后的晶片(例如，参照专利文献2)。
专利文献1：日本特开2005-11917号公报
专利文献2：日本特开2005-45134号公报
但是，以往的检查用收纳部与框架单元对应地设置，因此无法在切削加工后简单地取出一张未被支承于环状框架的单体状态的晶片。
发明内容
本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供切削装置，不仅对于框架单元而且对于单体状态的晶片也能够在切削加工后进行取出而容易地确认加工结果。
为了解决上述课题实现目的，本发明是切削装置，其具有：卡盘工作台，其对晶片进行保持，该晶片是晶片单体状态的晶片或者是利用划片带保持于环状框架的开口而构成框架单元的晶片；切削单元，其对该卡盘工作台所保持的晶片进行切削；盒机构，其具有盒载置台，该盒载置台载置对多个单体状态的晶片或框架单元进行收纳的盒；以及搬送单元，其在该盒与该卡盘工作台之间对该晶片或该框架单元进行搬送，其中，该盒机构具有检查晶片收纳部，该检查晶片收纳部在该盒载置台的下侧与该盒载置台一起升降，通过该搬送单元而对作为检查对象的该晶片或该框架单元进行收纳，该检查晶片收纳部具有：导轨，其在两侧对所收纳的该框架单元进行支承；以及支承托盘，其支承于该导轨，具有与该框架单元同样的外径，通过该搬送单元而对作为检查对象的单体状态的该晶片进行载置。
根据该结构，检查晶片收纳部具有：导轨，其在两侧对所收纳的该框架单元进行支承；以及支承托盘，其支承于该导轨，具有与该框架单元同样的外径，通过该搬送单元而对作为检查对象的单体状态的该晶片进行载置，因此通过将单体状态的该晶片载置于支承托盘，能够与框架单元同样地将支承托盘支承于检查晶片收纳部的导轨，能够将作为检查对象的单体状态的晶片取出而容易地确认加工结果。
另外，也可以是，该搬送单元具有：非接触式搬送部，其利用非接触吸引保持器对单体状态的该晶片的上表面进行吸引保持；以及接触式搬送部，其具有吸附垫、吸引路以及压力测量部，该吸附垫对该框架单元的该环状框架进行吸引保持，该吸引路对该吸附垫作用负压，该压力测量部对该吸引路内的压力进行测量，所述支承托盘具有连通路，该连通路连通至载置晶片的晶片载置区域和与该搬送单元的该吸附垫对应的吸附区域，在从该吸附垫对该支承托盘的该吸附区域作用负压并且通过载置于该晶片载置区域的该晶片使该吸引路的压力为阈值以下的情况下，判定为该晶片载置于该支承托盘上。
另外，也可以是，该切削装置还具有检测单元，该检测单元对表示晶片单体状态的晶片的晶体取向的切口的朝向进行检测，该检测单元具有：检测工作台，其对晶片进行保持，并且直径比该晶片小；传感器部，其设置于该检测工作台所保持的晶片的外周而对该切口进行检测；以及旋转控制部，其使该检测工作台旋转而使所检测到的该切口朝向规定的方向，该检测工作台设置于由该搬送单元将该晶片从该盒中搬出的搬送路径上。
根据本发明，检查晶片收纳部具有：导轨，其在两侧对所收纳的该框架单元进行支承；以及支承托盘，其支承于该导轨，具有与该框架单元同样的外径，通过该搬送单元而对作为检查对象的单体状态的该晶片进行载置，因此通过将单体状态的晶片载置于支承托盘，能够与框架单元同样地将支承托盘支承于检查晶片收纳部的导轨，能够将作为检查对象的单体状态的晶片取出而容易地确认加工结果。
附图说明
图1是示出本实施方式的切削装置的加工对象的晶片的一例的立体图。
图2是示出利用环状框架对图1所示的晶片进行支承而得的框架单元的一例的立体图。
图3是本实施方式的切削装置的立体图。
图4是示出切削装置所具有的盒载置机构以及盒搬送部和清洗搬送部的局部剖视图。
图5是盒搬送部的移动单元的立体图。
图6是从图5的移动单元去除了晶片搬送臂而得的表示主要部分的俯视图。
图7是示出检测工作台所保持的晶片的俯视图。
图8是示出盒搬送部将晶片向从检测工作台脱离的方向搬送的状态的图。
图9是示出清洗搬送部将晶片搬送至卡盘工作台的状态的图。
图10是示出将框架单元搬入至检查用收纳部的收纳箱主体的状态的图。
图11是示出将收纳箱主体从检查用收纳部取出的状态的图。
图12是对晶片进行支承的支承托盘的立体图。
图13是图12的局部剖视图。
图14是示出对晶片是否适当地支承于支承托盘进行判定的概略结构的图。
图15是示出盒搬送部使晶片从卡盘工作台脱离的状态的图。
图16是示出将支承托盘从检查用收纳部的收纳箱主体搬出的状态的图。
图17是示出将晶片载置于支承托盘上的状态的图。
图18是示出将载置着晶片的支承托盘搬入至检查用收纳部的收纳箱主体的状态的图。
标号说明
1：晶片；2：基板；2O：中心；7：框架(环状框架)；7a：开口；8：粘接带；9：框架单元；10：卡盘工作台；11A：保持面；13：暂放轨道(暂放区域)；20：切削单元(加工单元)；30：盒；30A：晶片盒；30B：框架盒；40：盒载置机构；41：检查用收纳部(检查用晶片收纳部)；41A：第1开口；41B：盒载置台；41D：第2开口；60：盒搬送部(搬送单元)；64：搬送臂；64A：外侧臂(接触式搬送部)；64A1：真空垫(吸附垫)；64B：内侧臂(非接触式搬送部)；64B1：吸引垫(非接触吸引保持器)；65：把持部；67：晶片搬送臂；68：驱动部；70：清洗搬送部(搬送单元)；75：保持部；75A：吸引垫(非接触吸引保持器)；75B：真空垫(吸附垫)；80：检测单元；82：检测工作台；82O：中心；83：传感器框架；84：发光部(传感器部)；85：受光部(传感器部)；86：间隙；90：控制单元；91：旋转控制部；92：计算部(计算单元)；93：判定部；100：切削装置；101：基台；101A：上表面；110：收纳箱主体；111：底板；113：支承托盘；114：导轨；115：滑动轨道(滑动器)；120：晶片载置区域；121：外周区域；122：吸附孔(吸附区域)；123：晶片吸附孔；124：连通路；130：吸引路；131：电磁阀；132：负压源；133：压力测量部。
具体实施方式
参照附图，对用于实施本发明的方式(实施方式)进行详细说明。本发明并不被以下实施方式所记载的内容限定。另外，在以下所记载的构成要素中包含本领域技术人员能够容易想到的内容、实质上相同的内容。另外，以下所记载的结构可以适当组合。另外，可以在不脱离本发明的主旨的范围内进行结构的各种省略、置换或变更。
图1是示出本实施方式的切削装置的加工对象的晶片的一例的立体图。图2是示出利用环状框架对图1所示的晶片进行支承的框架单元的一例的立体图。本实施方式的切削装置以图1所示的单体状态的晶片(也称为晶片单体)1以及图2所示的构成框架单元9的晶片1作为加工对象。晶片1是以硅、蓝宝石、砷化镓或SiC(碳化硅)等作为基板2的圆板状的半导体晶片或光器件晶片。如图1所示，晶片1在基板2的外周部设置有表示晶片1的晶体取向的朝向的切口2A。晶片1具有正面(上表面)5，在该正面(上表面)5上设定有相互交叉的多条直线状的分割预定线3，在由多条分割预定线3划分的各区域分别形成有器件4。另外，如图2所示，框架单元9是将上述的晶片1保持于框架7上而得，其构成为具有：呈圆环状形成的框架(环状框架)7；配置于该框架7的开口7a的晶片1；以及粘贴于该晶片1的背面6和框架7的背面上的粘接带(例如划片带)8。另外，单体状态的晶片1是指未保持于框架7的状态下的晶片1，包含有在晶片1的正面5或背面6上粘贴有保护带的状态。
接着，对切削装置100进行说明。图3是本实施方式的切削装置的立体图。图4是示出切削装置所具有的盒载置机构以及盒搬送部和清洗搬送部的局部剖视图。图5是盒搬送部的移动单元的立体图。图6是从图5的移动单元去除了晶片搬送臂而得的表示主要部分的俯视图。切削装置100是对上述的晶片1或构成框架单元9的晶片1进行切削加工的装置。如图3所示，切削装置100具有：卡盘工作台10，其配置在长方体状的基台101上，对晶片1或框架单元9进行保持；以及切削单元20，其对卡盘工作台10所保持的晶片1或框架单元9的晶片1进行切削加工。
另外，切削装置100具有盒载置机构(盒机构)40，该盒载置机构(盒机构)40载置对切削加工前后的晶片1进行收纳的晶片盒30A。也可以在盒载置机构40上载置对上述的框架单元9进行收纳的框架盒30B，将晶片盒30A和框架盒30B中的一方载置于盒载置机构40。另外，在无需区别晶片盒30A和框架盒30B的情况下，简称为盒30。另外，切削装置100具有：清洗部50，其对切削加工后的晶片1或框架单元9进行清洗；盒搬送部(搬送单元；第1搬送单元)60，其在盒30与卡盘工作台10之间对晶片1或框架单元9进行搬送；以及清洗搬送部(搬送单元；第2搬送单元)70，其在卡盘工作台10与清洗部50之间对晶片1或框架单元9进行搬送。另外，切削装置100具有：检测单元80，其对晶片盒30A所收纳的晶片1的切口2A的位置进行检测；以及控制单元90，其对切削装置100的动作进行控制。控制单元90具有旋转控制部91、计算部(计算单元)92、判定部93、以及未图示的输入输出接口装置。控制单元90具有CPU(central processing unit：中央处理器)那样的微处理器，执行存储于ROM的计算机程序而生成用于控制切削装置100的控制信号，所生成的控制信号经由输入输出接口装置而输出至切削装置100的各构成要素。
卡盘工作台10设置成能够通过设置于上述基台101内的未图示的加工进给单元而在X轴方向(加工进给方向；与保持面平行的方向)上移动。卡盘工作台10具有吸附卡盘11，在该吸附卡盘11的保持面11A上通过未图示的吸引单元对晶片1或框架单元9进行保持。加工进给单元将卡盘工作台10与保持面11A水平地在上述X轴方向上进行加工进给。另外，卡盘工作台10构成为能够通过未图示的旋转机构进行转动。
另外，在基台101的上表面101A上设置有门型的支承构造12、14，该门型的支承构造12、14分别沿着Y轴方向(分度方向)延伸，并且跨越卡盘工作台10而配置。在一方的支承构造14上设置有使切削单元20分别在Y轴方向(分度方向)和Z轴方向(铅垂方向)上移动的移动单元17。切削单元20具有切削刀具21，该切削刀具21安装在旋转驱动的未图示的旋转主轴上，该切削刀具21一边旋转一边向Z轴方向下降，从而对晶片1的正面进行切削加工。例如，对于在背面6侧粘贴有保护带(未图示)而被保持于卡盘工作台10上的单体状态的晶片1，执行切削至晶片1的厚度方向的中途的半切割，对于被保持于卡盘工作台10上的框架单元9的晶片1，执行将该晶片1沿着分割预定线3进行切削而分割的全切割。
如图4所示，晶片盒30A具有用于进行晶片1的搬入和搬出的开口30A1，该开口30A1与盒搬送部60对置地设置。另外，在晶片盒30A的两侧壁的内表面上沿Z轴方向(铅垂方向)隔开间隔且平行地设置有用于对所搬入的晶片1的外周缘的一部分进行支承的多层的导轨状的搁板(未图示)。另外，虽省略了图示，但框架盒30B与晶片盒30A同样地，具有用于进行框架单元9的搬入和搬出的开口，该开口与盒搬送部60对置地设置。另外，在框架盒30B的两侧壁的内表面上沿Z轴方向(铅垂方向)对置而设置有用于载置所搬入的框架单元9的多层的搁板(未图示)。
盒载置机构40具有：检查用收纳部(检查用晶片收纳部)41，其选择上述的晶片盒30A或框架盒30B而进行载置；以及升降部42，其用于使该检查用收纳部41在Z轴方向(铅垂方向)上上下移动。检查用收纳部41形成为方筒状，在盒搬送部60侧设置有第1开口41A，在该第1开口41A的相反侧设置有第2开口41D，在检查用收纳部41的内部以能够滑动移动的方式配置有收纳箱主体110。在本实施方式中，在检查用收纳部41上载置盒30，因此检查用收纳部41的上板部作为盒载置台41B发挥功能。另外，检查用收纳部41的下板部41C固定于能够通过升降部42进行升降的支承台43。
升降部42具有：外螺纹杆42A，其沿着基台101的侧壁沿上下方向配设，被支承为能够旋转；脉冲电动机42B，其使该外螺纹杆42A正转和反转；以及导轨42C，其平行地配设在外螺纹杆42A的两侧，沿上下方向延伸。在外螺纹杆42A上进退自如地安装有设置于支承台43的一个端部的内螺纹孔43A，并且被导轨43B与导轨42C卡合。由此，当使脉冲电动机42B向一个方向旋转驱动时，支承台43沿着外螺纹杆42A和导轨42C上升，当使脉冲电动机42B向另一方向旋转驱动时，支承台43沿着外螺纹杆42A和导轨42C下降。这样，通过支承台43进行升降，固定于支承台43的检查用收纳部41从收纳于基台101的内部的位置向该基台101的上部露出，能够将Z轴方向的高度位置调整至与盒搬送部60的把持部65对置的位置。另外，在检查用收纳部41收纳于基台101的内部的情况下，载置于检查用收纳部41上的盒30的开口与盒搬送部60对置。
如图3所示，盒搬送部60设置于另一方的支承构造12。该盒搬送部60将晶片1和框架单元9分别沿着与上述分度方向平行的Y轴方向(搬入搬出方向)相对于盒30进行搬送。盒搬送部60具有：与Y轴方向平行的导轨61，其配置在支承构造12的侧面上；以及移动单元62，其能够在该导轨61上滑动移动。移动单元62在与导轨61的对置面侧具有螺母部(未图示)，该螺母部进退自如地安装于导轨61上所设置的滚珠丝杠61A上。在滚珠丝杠61A的一个端部连结有脉冲电动机(未图示)，当利用脉冲电动机使滚珠丝杠61A旋转时，移动单元62沿着导轨61在Y轴方向上移动。
如图5所示，移动单元62具有：气缸部63，其向Z轴方向(铅垂方向)下方延伸；搬送臂64，其与该气缸部63的下端部连结；以及把持部65，其设置于该搬送臂64。另外，移动单元62具有：与Y轴方向平行的导轨66，其配置在搬送臂64的上部；晶片搬送臂67，其在该导轨66上沿着Y轴方向滑动移动；以及驱动部68，其对晶片搬送臂67进行驱动。
气缸部63在Z轴方向(铅垂方向)上伸缩，对搬送臂64和安装于搬送臂64的晶片搬送臂67的Z轴方向的高度位置进行调整。搬送臂64是对晶片1和框架单元9进行搬送的部件。如图6所示，搬送臂64具有沿Y轴方向延伸的一对外侧臂(接触式搬送部)64A、64A以及一对内侧臂(非接触式搬送部)64B、64B。一对内侧臂64B、64B配置在一对外侧臂64A、64A之间，一对内侧臂64B、64B的Y轴方向的长度形成得比一对外侧臂64A、64A短。在外侧臂64A的各前端的下部分别设置有真空垫(图4：吸附垫)64A1。如图6所示，该真空垫64A1形成于与框架单元9的框架7的外缘相对应的位置，对该框架7的正面进行吸引，从而对框架单元9进行保持。另外，在内侧臂64B的各前端的下部分别形成有多个吸引垫(非接触吸引保持器)64B1，该吸引垫(非接触吸引保持器)64B1对晶片1喷出空气(流体)而产生负压，从而以非接触状态对该晶片1进行吸引。该吸引垫64B1是形成于与晶片1的外缘相对应的位置的所谓伯努利垫，利用通过喷出空气而产生的伯努利效应所带来的负压以非接触状态对晶片1进行吸引保持。
如图3和图4所示，把持部65与盒30对置而设置于Y轴方向的前端部，对框架单元9(框架7)的缘部进行把持。框架单元9被把持部65把持而从框架盒30B中搬出至后述的暂放轨道(暂放区域)13上。另外，框架单元9被把持部65把持而从暂放轨道13搬入至框架盒30B或检查用收纳部41中。
另一方面，如图5所示，晶片搬送臂67形成为俯视大致C字形状，在晶片搬送臂67的上表面上形成有多个真空垫67A，该真空垫67A在与晶片1的背面(下表面)6接触的状态下对该晶片1的背面6进行吸引保持。驱动部68使晶片搬送臂67沿着导轨66移动而将晶片1从晶片盒30A中搬出或将晶片1搬入至晶片盒30A中。
清洗搬送部70与盒搬送部60同样地设置于支承构造12，将晶片1和框架单元9分别沿着与上述分度方向平行的Y轴方向(搬入搬出方向)相对于清洗部50进行搬送。清洗搬送部70具有：与Y轴方向平行的导轨71，其配置在支承构造12的侧面上；以及移动单元72，其能够在该导轨71上滑动移动。移动单元72在与导轨71的对置面侧具有螺母部(未图示)，该螺母部进退自如地安装于导轨71上所设置的滚珠丝杠71A上。在滚珠丝杠71A的一个端部连结有脉冲电动机(未图示)，当利用脉冲电动机使滚珠丝杠71A旋转时，移动单元72沿着导轨71在Y轴方向上移动。另外，移动单元72具有：臂部73，其从导轨71沿X轴方向延伸；气缸部74，其从该臂部73的前端向Z轴方向(铅垂方向)下方延伸；以及保持部75，其设置于该气缸部74的下端。气缸部74在Z轴方向(铅垂方向)上伸缩，调整保持部75的Z轴方向的高度位置。保持部75形成为圆板形状，在保持部75的下表面上具有：多个吸引垫(伯努利垫；非接触吸引保持器)75A(参照图8)，它们以非接触状态对晶片1进行吸引保持；以及多个真空垫(吸附垫)75B(参照图8)，它们对框架单元9进行吸引保持。真空垫75B对框架单元9的框架7进行吸引，设置于比吸引垫75A靠外缘侧的位置。
在本实施方式中，如图3和图4所示，盒30和清洗部50位于盒搬送部60和清洗搬送部70的搬送路径上，并且夹着卡盘工作台10能够在X轴方向上移动的区域而配置于基台101的两侧。另外，盒30形成为向盒搬送部60侧开口，清洗部50形成为上表面开口。在盒30与清洗部50之间设置有临时放置框架单元9的一对暂放轨道13、13。在该暂放轨道13、13上暂放通过盒搬送部60的把持部65从框架盒30B搬出的未加工的框架单元9、或者要搬入至框架盒30B或检查用收纳部41的加工后的框架单元9等。
暂放于暂放轨道13、13上的未加工的框架单元9被盒搬送部60的搬送臂64的真空垫64A1吸引保持而从暂放轨道13上搬送至卡盘工作台10。在卡盘工作台10上进行了切削加工的框架单元9被清洗搬送部70的保持部75的真空垫75B吸引保持而搬送至清洗部50。利用清洗部50进行了清洗的框架单元9被盒搬送部60的搬送臂64的真空垫64A1吸引保持而从清洗部50暂放于暂放轨道13上。另外，暂放轨道13、13构成为能够按照相互接近或远离的方式在X轴方向上移动。暂放轨道13、13在载置着框架单元9的状态下相互接近，从而将框架单元9的中心位置定位于规定的位置，在将框架单元9向卡盘工作台10搬送时，能够使卡盘工作台10的中心与框架单元9的中心对齐。同样地，暂放轨道13、13在载置着框架单元9的状态下相互接近，也能够使框架盒30B的中心与框架单元9的中心对齐。
但是，以往在对框架单元9的晶片1进行全切割的切削装置中，用于观察切削等加工后的状态的检查用收纳部配置在盒的下方区域(例如日本特开2009-105109号公报)。另一方面，在对单体状态的晶片1进行半切割的半切割专用机中，在盒的下方区域设置有对晶片1的切口位置进行检测的检测单元。因此，在能够对框架单元9和晶片1中的任意一方进行加工的兼用机的情况下，强烈要求使两个功能共存，需要确保配置检查用收纳部和检测单元的空间。
因此，在本实施方式中，如图3所示，检测单元80配置于晶片盒30A与卡盘工作台10之间的基台101的上表面101A上。即，检测单元80设置于由盒搬送部60从晶片盒30A中搬出晶片1的搬送路径上。检测单元80具有：支承框架81，其配置在基台101的上表面101A上；检测工作台82，其设置在该支承框架81上，对晶片1进行保持；“コ”字状的传感器框架83，其与检测工作台82并列配置在该支承框架81上；以及两个发光部84、84和两个受光部85、85(传感器部)，它们分别配置在该传感器框架83的对置的面上。
支承框架81与基台101的上表面101A隔开间隙而配置在该上表面101A上。在支承框架81与基台101的上表面101A之间形成有晶片1或框架单元9足以通过的程度的间隙86。在支承框架81的上表面81A上设置有对晶片1进行保持的检测工作台82。该检测工作台82构成为能够借助脉冲电动机等旋转驱动单元(未图示)而适当地旋转。另外，构成为通过负压控制单元(未图示)适当地对检测工作台82的保持面82A作用负压。如图4所示，检测工作台82形成为直径比晶片1小，并且检测工作台82的中心与晶片盒30A的开口30A1之间的距离小于晶片1的半径。因此，能够使用盒搬送部60的晶片搬送臂67将从晶片盒30A搬出的晶片1迅速地保持于检测工作台82上。
发光部84和受光部85相互对置而配置，对检测工作台82上所保持的晶片1的切口2A的位置进行检测。在本实施方式中，发光部84和受光部85例如按照8英寸晶片和12英寸晶片等与晶片1的大小相对应而设置。在该结构中，检测单元80配置成在基台101的上表面101A上露出，因此还能够容易地进行检测单元80的各结构部件的维护。
接着，说明检测单元80对切口2A的位置进行调整的动作。图7是示出检测工作台所保持的晶片的俯视图。首先，如图4所示，盒搬送部60的晶片搬送臂67对晶片1进行吸引，从而将晶片1从晶片盒30A中搬出，将该搬出的晶片1保持于检测工作台82上。接着，控制单元90的旋转控制部91使检测工作台82旋转，并且使发光部84和受光部85进行动作而对晶片1的切口2A的位置进行检测。
当检测到晶片1的切口2A的位置时，旋转控制部91根据切口2A的位置与脉冲电动机的旋转位置的关系，进行使晶片1的切口2A朝向规定的方向的控制。例如，如图7所示，旋转控制部91对切口2A的位置进行控制以使从旋转后的切口2A朝向晶片1(基板2)的中心2O的方向与Y轴方向(分度方向)一致。在该结构中，检测单元80设置于由盒搬送部60从晶片盒30A中搬出晶片1的搬送路径上，因此将晶片1搬送至检测单元的步骤简单化，能够在检测单元80的检测工作台82上容易地将晶片1的切口2A的位置调整为规定的朝向。
这里，在将晶片1的切口2A定位于规定的朝向的状态下，控制单元90的计算部(计算单元)92在X轴方向(加工进给方向)和Y轴方向(分度方向、搬入搬出方向)上分别计算从发光部84和受光部85所检测到的晶片1的外周缘的位置至晶片1(基板2)的中心2O的距离和至检测工作台82的中心82O的距离。然后，将所计算出的距离分别作为X轴方向和Y轴方向的偏移量，在将晶片1搬送至卡盘工作台10时对该偏移量进行校正。
接着，对将已调整了切口2A的位置的晶片1搬送至卡盘工作台10的动作进行说明。图8是示出盒搬送部将晶片向从检测工作台脱离的方向搬送的状态的图，图9是示出清洗搬送部将晶片搬送至卡盘工作台的状态的图。如图8所示，已利用检测工作台82调整了切口2A的位置的晶片1的背面(下表面)6再次被形成于盒搬送部60的晶片搬送臂67的上表面上的真空垫67A吸引，从而晶片1沿着Y轴方向从检测工作台82脱离。此时，盒搬送部60按照调整了上述的Y轴方向的偏移量而得到的移动距离将晶片1沿着Y轴方向搬送。由此，对晶片1的Y轴方向的偏移量进行校正。接着，将清洗搬送部70定位于晶片1的上方，并且使清洗搬送部70的保持部75下降，通过设置于该保持部75的下表面的吸引垫75A以非接触状态对晶片1的上表面进行吸引。此时，停止晶片搬送臂67的真空垫67A的吸引，从而晶片1能够顺利地进行从晶片搬送臂67向保持部75的移动。将卡盘工作台10定位于保持部75所吸引的晶片1的下方。此时，卡盘工作台10按照调整了上述的X轴方向的偏移量而得到的移动距离在X轴方向上移动。由此，也对晶片1的X轴方向的偏移量进行校正，因此如图9所示，使保持部75以非接触状态吸引的晶片1下降而搬送至卡盘工作台10上，从而能够将晶片1的中心2O定位于卡盘工作台10的中心。
接着，对将框架单元9收纳于检查用收纳部41的动作进行说明。图10是示出将框架单元搬入至检查用收纳部的收纳箱主体的状态的图，图11是示出将收纳箱主体从检查用收纳部取出的状态的图。检查用收纳部41用于观察加工后的框架单元9或晶片1的状态，具有暂放所选择的一张框架单元9或晶片1的收纳箱主体110。如图3所示，收纳箱主体110具有底板111和两方的侧板112、112，形成为上表面开放的托盘形状，在侧板112的内表面上沿Z轴方向(铅垂方向)对置设置有用于对载置着所搬入的框架单元9或晶片1的支承托盘113进行载置的多层的导轨114。另外，收纳箱主体110形成为能够沿着形成于检查用收纳部41的内侧面上的滑动轨道(滑动器)115(图11)在检查用收纳部41内滑动移动。
在将框架单元9搬入至检查用收纳部41的收纳箱主体110的情况下，如图10所示，检查用收纳部41的第1开口41A露出，调整盒载置机构40的高度位置以使收纳箱主体110的底板111与暂放轨道13的高度位置对齐。然后，使用形成于盒搬送部60的外侧臂64A的真空垫64A1将作为检查对象的框架单元9载置于暂放轨道13上。
载置于暂放轨道13上的框架单元9被盒搬送部60的把持部65对框架的缘部9A进行把持，如图10所示那样通过形成于支承框架81与基台101的上表面101A之间的间隙86而搬入至收纳箱主体110内。在该情况下，优选预先在检查用收纳部41的第2开口41D侧设置锁定单元(未图示)，以使得收纳箱主体110不在检查用收纳部41内移动。
当将框架单元9搬入至收纳箱主体110内时，自动或通过作业员解除锁定单元，收纳箱主体110如图11所示那样在检查用收纳部41内沿着滑动轨道115滑动移动而通过第2开口41D被拉出。据此，能够将框架单元9简单地搬入至设置于盒30的下方的检查用收纳部41内的收纳箱主体110中，并且能够简单地将该收纳箱主体110从检查用收纳部41拉出。
接着，对支承于收纳箱主体110的支承托盘113进行说明。图12是对晶片进行支承的支承托盘的立体图。图13是图12的局部剖视图。图14是示出对晶片是否适当地支承于支承托盘进行判定的概略结构的图。如图12所示，支承托盘113是用于将沿着分割预定线3形成有半切割槽3A的晶片1支承于收纳箱主体110内的板状体，形成为与上述的框架单元9的框架7同等的外形尺寸。支承托盘113具有在中央载置晶片1的晶片载置区域120以及位于该晶片载置区域120的外侧的外周区域121。如图13所示，支承托盘113具有：形成于外周区域121的吸附孔(吸附区域)122；形成于晶片载置区域120的晶片吸附孔123；以及将该晶片吸附孔123与吸附孔122连通的连通路124。
如图14所示，吸附孔(吸附区域)122形成于与盒搬送部60的搬送臂64中的外侧臂64A的真空垫64A1相对应的位置。另外，晶片吸附孔123形成于与晶片1对置的位置，在将晶片1载置于晶片载置区域120的情况下，晶片吸附孔123与晶片1紧贴。另外，搬送臂64的外侧臂64A具有对真空垫64A1作用负压的吸引路130，在该吸引路130上经由电磁阀131而连接有负压源132。另外，在吸引路130上，在真空垫64A1与电磁阀131之间具有对该吸引路130内的压力进行测量的压力测量部133，该压力测量部133与控制单元90(图1)的判定部93连接。
在本实施方式中，当将晶片1正常载置于支承托盘113的晶片载置区域120时，形成于晶片载置区域120的晶片吸附孔123与晶片1紧贴。在该状态下，当将外侧臂64A的真空垫64A1定位于形成在外周区域121的吸附孔122并对该吸附孔122作用负压时，吸引路130内的压力降低。因此，判定部93在压力测量部133所测量的吸引路130内的压力低至规定的阈值以下的情况下，判定为晶片1正常载置于晶片载置区域120。另外，在压力测量部133所测量的吸引路130内的压力未低至规定的阈值以下的情况下，判定部93判定为晶片1未载置于晶片载置区域120，或者晶片1以偏移的状态(非正常的状态)载置于晶片载置区域120。由此，根据压力测量部133所测量的吸引路130内的压力值，能够准确地判定晶片1是否正常载置于晶片载置区域120。
接着，对使用上述的支承托盘113将晶片1收纳于检查用收纳部41的动作进行说明。图15是示出盒搬送部使晶片从卡盘工作台脱离的状态的图。图16是示出将支承托盘从检查用收纳部的收纳箱主体搬出的状态的图。图17是示出将晶片载置于支承托盘上的状态的图。图18是示出将载置着晶片的支承托盘搬入至检查用收纳部的收纳箱主体的状态的图。
在将加工后的晶片1搬入至检查用收纳部41的收纳箱主体110的情况下，如图15所示，使用形成于盒搬送部60的内侧臂64B的吸引垫64B1以非接触状态对作为检查对象的晶片1进行吸引而使配置在卡盘工作台10上的晶片1从卡盘工作台10脱离。
接着，如图16所示，检查用收纳部41的第1开口41A露出，调整盒载置机构40的高度位置以使收纳箱主体110的底板111与暂放轨道13的高度位置对齐。然后，通过形成于支承框架81与基台101的上表面101A之间的间隙86而将盒搬送部60的把持部65插入至收纳箱主体110内。把持部65对配置在收纳箱主体110内的支承托盘113的缘部113A进行把持，将支承托盘113搬出至收纳箱主体110的外侧而载置于暂放轨道13上。
接着，如图17所示，将以非接触状态被盒搬送部60中的内侧臂64B的吸引垫64B1保持的作为检查对象的晶片1载置于支承托盘113，该支承托盘113载置于暂放轨道13上。此时，将盒搬送部60中的外侧臂64A的真空垫64A1定位于形成在支承托盘113的外周区域121的吸附孔122，并对该吸附孔122作用负压。然后，根据压力测量部133所测量的吸引路130内的压力是否低至规定的阈值以下，对晶片1是否正常载置于晶片载置区域120进行判定。在晶片1未正常载置于晶片载置区域120的情况下，可以使用内侧臂64B的吸引垫64B1再次将晶片1载置于晶片载置区域120，也可以直接将载置不良作为出错进行通知。
另一方面，在晶片1正常载置于晶片载置区域120的情况下，如图18所示，盒搬送部60的把持部65对支承托盘113的缘部113A进行把持，使载置着晶片1的支承托盘113在形成于支承框架81与基台101的上表面101A之间的间隙86中通过而搬入至收纳箱主体110内。在该情况下，也优选预先在检查用收纳部41的第2开口41D侧设置锁定单元(未图示)，以使得收纳箱主体110不在检查用收纳部41内移动。
当将支承托盘113搬入至收纳箱主体110内时，自动或通过作业员解除锁定单元，与框架单元9的情况同样地，收纳箱主体110在检查用收纳部41内沿着滑动轨道115滑动移动而通过第2开口41D被拉出。据此，能够将晶片1简单地搬入至设置于盒30的下方的检查用收纳部41内的收纳箱主体110中，并能够简单地将该收纳箱主体110从检查用收纳部41拉出。
如以上所说明的那样，本实施方式的切削装置100具有：卡盘工作台10，其对单体状态的晶片1或利用粘接带8而被保持于框架7的开口7a从而构成框架单元9的晶片1进行保持；切削单元20，其对卡盘工作台10所保持的晶片1进行切削；盒载置机构40，其具有对分别收纳多个单体状态的晶片1或框架单元9的盒30进行载置的盒载置台41B；以及盒搬送部60，其在盒30与卡盘工作台10之间对晶片1或框架单元9进行搬送，其中，盒载置机构40具有检查用收纳部41，该检查用收纳部41在盒载置台41B的下侧与盒载置台41B一起升降，并通过盒搬送部60而对作为检查对象的晶片1或框架单元9进行收纳，检查用收纳部41具有：导轨114，其利用两侧部对所收纳的框架单元9进行支承；以及支承托盘113，其支承于导轨114，具有与框架单元9同样的外径，通过盒搬送部60而对作为检查对象的单体状态的晶片1进行载置，因此通过将单体状态的晶片1载置于支承托盘113，从而与框架单元9同样地，能够将载置着晶片1的支承托盘113支承于检查用收纳部41的导轨114，能够将作为检查对象的单体状态的晶片1取出而容易地确认加工结果。
另外，根据本实施方式，盒搬送部60具有：内侧臂64B，其通过吸引垫64B1以非接触状态对单体状态的晶片1的正面5进行吸引保持；以及外侧臂64A，该外侧臂64A具有：真空垫64A1，其以接触状态对框架单元9的框架7进行吸引保持；吸引路130，其对真空垫64A1作用负压；以及压力测量部133，其对吸引路130内的压力进行测量，支承托盘113具有连通路124，该连通路124连通至形成于载置晶片1的晶片载置区域120的晶片吸附孔123和与盒搬送部60的外侧臂64A中的真空垫64A1对应的吸附孔122，在从真空垫64A1对支承托盘113的吸附孔122作用负压、因载置于晶片载置区域120的晶片1而使连通路124的压力为阈值以下的情况下，判定为晶片1载置于支承托盘113，因此能够准确地判定晶片1是否正常载置于晶片载置区域120。
另外，根据本实施方式，还具有检测单元80，其对表示单体状态的晶片1的晶体取向的切口2A的朝向进行检测，检测单元80具有：检测工作台82，其对晶片1进行保持，并且直径比晶片1小；发光部84和受光部85，它们设置于检测工作台82所保持的晶片1的外周，对切口2A进行检测；以及旋转控制部91，其使检测工作台82旋转而使所检测到的切口2A朝向规定的方向，检测工作台82设置于由盒搬送部60从晶片盒30A中搬出晶片1的搬送路径上。因此，能够抑制搬送晶片1的路径的繁杂化，能够简单地进行晶片1的切口2A的对位。另外，能够实现检测单元80的维护性的提高。
另外，本发明并不限于上述实施方式。即，可以在不脱离本发明的主旨的范围内进行各种变形并实施。

Claims (2)

1.一种切削装置，其具有：
卡盘工作台，其对晶片进行保持，该晶片是晶片单体状态的晶片或者是利用划片带保持于环状框架的开口而构成框架单元的晶片；
切削单元，其对该卡盘工作台所保持的晶片进行切削；
盒机构，其具有盒载置台，该盒载置台载置对多个单体状态的晶片或框架单元进行收纳的盒；以及
搬送单元，其在该盒与该卡盘工作台之间对该晶片或该框架单元进行搬送，
其中，
该盒机构具有检查晶片收纳部，该检查晶片收纳部在该盒载置台的下侧与该盒载置台一起升降，通过该搬送单元而对作为检查对象的该晶片或该框架单元进行收纳，
该检查晶片收纳部具有：
导轨，其在两侧对所收纳的该框架单元进行支承；以及
支承托盘，其支承于该导轨，具有与该框架单元同样的外径，通过该搬送单元而对作为检查对象的单体状态的该晶片进行载置，
该搬送单元具有：
非接触式搬送部，其利用非接触吸引保持器对单体状态的该晶片的上表面进行吸引保持；以及
接触式搬送部，其具有吸附垫、吸引路以及压力测量部，该吸附垫对该框架单元的该环状框架进行吸引保持，该吸引路对该吸附垫作用负压，该压力测量部对该吸引路内的压力进行测量，
所述支承托盘具有连通路，该连通路连通至载置晶片的晶片载置区域和与该搬送单元的该吸附垫对应的吸附区域，
在从该吸附垫对该支承托盘的该吸附区域作用负压并且通过载置于该晶片载置区域的该晶片使该吸引路的压力为阈值以下的情况下，判定为该晶片载置于该支承托盘上。
2.根据权利要求1所述的切削装置，其中，
该切削装置还具有检测单元，该检测单元对表示晶片单体状态的晶片的晶体取向的切口的朝向进行检测，
该检测单元具有：
检测工作台，其对晶片进行保持，并且直径比该晶片小；
传感器部，其设置于该检测工作台所保持的晶片的外周而对该切口进行检测；以及
旋转控制部，其使该检测工作台旋转而使所检测到的该切口朝向规定的方向，
该检测工作台设置于由该搬送单元将该晶片从该盒中搬出的搬送路径上。
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