CN1718867A - 电子元件及其电镀方法 - Google Patents

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余正富
陈嘉骏
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Abstract

一种电子元件，该电子元件在用于电连接的部位上设有富锡沉积层，所述富锡沉积层为一微晶粒富锡层，其中各晶粒在与沉积表面垂直的方向上的尺寸小于其在与上述沉积表面平行的方向上的尺寸。本发明还涉及一种电子元件的电镀方法，包括步骤：调节锡镀液成分，该锡镀液包括起始剂和光亮剂；使该电子元件通过该锡镀液，以在该电子元件的用于电连接的部位沉积一微晶粒富锡层的方式。与现有技术相比，本发明具有可有效防止晶须产生、制造成本低、性能可靠等优点。

Description

电子元件及其电镀方法
背景技术
本发明涉及一种电子元件及其电镀方法，特别是涉及一种在用于电连接的部位上具有富锡沉积层的电子元件及其电镀方法。
由于锡具有良好耐腐蚀性能，而且能够与焊料形成良好的结合，因此锡沉积层表面可以形成具有很好联接性的焊接头，而且锡沉积层还可以为金属或金属合金的表面提供了良好的耐腐蚀性。所以，在电器以及电子元件(或半导体元件)的制造中广泛地使用了锡或富锡材料镀层。通常，锡或富锡材料被沉积在电子元件(如半导体器件等)以及金属基底(如电子元件母板)等中用于电连接的部位(如引线)上，以确保优良的焊接性和可靠的电连接。
然而，众所周知，锡沉积层中很容易产生晶须。晶须产生的主要原因是由锡的金属间化合物(Inter-Metallic Compound，简称IMC，例如与铜形成的金属间化合物Cu6Sn5)在锡的晶界处生长所造成的。
图1A是现有技术中的在一个镀锡层上所作的一个切槽的电镜照片。如图所示，在基底10上沉积有锡镀层20。在锡镀层20中，锡晶粒40与基底10交界处形成金属间化合物30。图1B是图1A中锡镀层切槽的断面示意图。金属间化合物30的生长不但能够使金属体积产生变化带来应力，而且该金属间化合物30的不规则生长还能够在锡沉积层中产生局部应力并进而反过来会促使晶须的生长。这种晶须的存在和生长将对电子元件的电学性能造成一定的不利影响，因为当晶须生长到一定长度后，很容易造成电子元件的端子之间的低阻抗，甚至短路，而使元件甚至设备发生故障。尤其是随着集成电路内部元件封装密度不断提高，端子间隔和基底布线间隔变得更加狭窄，晶须对电子元件电学性能的不利影响就愈加凸显出来。
在现有技术中，为抑制晶须的产生或生长，通常采用的一种方式是在基片与锡镀层之间增加一层诸如镍等的阻挡层，但这种做法将使电子元件的制造工艺变得复杂，制造成本提高。还有一种防止和延缓晶须生长的技术是对电子元件进行热处理，这种技术可使锡镀层和被镀金属(基底)界面间的金属间化合物在更高的温度下块状地扩散，从而抑制晶须的产生，但同样这种技术工艺步骤也比较复杂，而且这种工艺处理有时会对电子元件带来某些副作用，甚至有时待处理的电子元件产品根本不适合在这种温度下进行处理。
因此，需要提供一种防止、至少延缓镀锡层中产生晶须的镀锡工艺。
发明内容
本发明的一个目的是提供一种在用于在电连接的部位上具有富锡沉积层的电学性能稳定、制造成本低廉的电子元件。
本发明的另一目的是提供一种上述电子元件的电镀方法，以在该电子元件中用于电连接的部位上形成上述富锡沉积层，且具有工艺简单、可靠性高以及成本低等优点。
为达到上述目的，本发明提出一种电子元件，该电子元件在用于电连接的部位上设有富锡沉积层，其中，所述富锡沉积层为一微晶粒富锡层，该富锡沉积层的晶粒在与沉积表面垂直的方向上的尺寸小于其在与上述沉积表面平行的方向上的尺寸。
通过上述方式，本发明通过在电子元件中用于电连接的部位上直接沉积一微晶粒富锡层(从而无需增设阻挡层或进行后继热处理)，并使其中的各晶粒按照如上所述的的特定结构或尺寸特征分布，这样，通过将晶粒控制为趋向于按照不利于晶须生长的理想方式分布，并由此控制金属间化合物的组织形态，从而很方便地实现有效消除或减少晶须生长的目的。
优选的是，所述各晶粒在与沉积表面垂直的方向上的尺寸不超过2μm。
优选的是，所述各晶粒趋向于沿一平行于沉积表面的方向呈一致的取向。
优选的是，所述各晶粒呈不规则形状。
优选的是，所述富锡沉积层的厚度至少为2μm。
优选的是，所述富锡沉积层上可另外附加有沉积层。
优选的是，所述附加沉积层与所述富锡沉积层可具有不同的晶粒结构。
优选的是，所述用于电连接的部位由铜或铜合金构成(该部位例如可为一铜或铜合金涂层)。
根据本发明的另一方面，提供一种上述电子元件的富锡沉积层的制造方法。更具体地说，本发明提供一种上述电子元件的电镀方法，其在该电子元件中用于电连接的部位上形成一富锡沉积层，该方法包括以下步骤：
调节锡镀液成分，该锡镀液中包括起始剂和光亮剂；
使所述电子元件通过所述锡镀液进行电镀，以在所述电子元件用于电连接的部位形成所述富锡沉积层，其中，所述富锡沉积层为一微晶粒富锡层，所述微晶粒富锡层中的晶粒在与沉积表面垂直的方向上的尺寸小于其在与上述沉积表面平行的方向上的尺寸。调节锡镀液的成分使锡镀液成份保持在一个大体上稳定的成份组成。
通过上述方式，本发明通过在镀液中添加一定量的有机物成分(至少包括起始剂和光亮剂)，并合理控制电镀过程中的各工艺参数，从而可以简便、可靠、低成本的方式形成上述富锡沉积层。
优选的是，所述起始剂包括水溶性非离子润湿剂，所述光亮剂选自乙氧基萘酚磺酸、α萘酚或α萘酚磺酸。
优选的是，所述起始剂的浓度为40-100克/升(g/l)；所述光亮剂的剂量为3-9毫升/升(ml/l)。
优选的是，所述光亮剂的溶剂包括异丙基乙二醇。
优选的是，所述镀液为甲磺酸基镀液。
电镀工艺条件优选的是电流密度为25-30安培/平方分米(ASD)，所述镀浴温度为18-45℃。或者，作为一种可选方案，所述电流密度为5-25安培/平方分米、镀浴温度为18-35℃。控制该电子元件的电镀时间，以使所述微晶粒锡层的厚度至少为2μm。
优选的是，该方法还包括在所述微晶粒锡层上再沉积一常规富锡层的步骤。
附图说明
为更清楚地理解本发明的上述目的、特征以及优点，下面结合附图并通过优选实施例对本发明进行更详细的描述。
图1A和图1B分别示出了现有技术中的一个镀锡层的切槽断面的电镜照片和示意图；
图2示出了根据本发明一实施例的电镀方法所采用的自动条带电镀生产线；
图3示出了规则改性纯锡A、不规则改性纯锡B以及规则纯锡C的表面组织形态以及切槽形貌；
图4A-9B分别示出了根据本发明的若干实施例和对比实施例在晶须测试后的晶粒结构的照片和示意图；
图10A和图10B分别示出了本发明的一个优选实施例中的“半块状扩散”金属间化合物IMC的电镜照片和示意图；以及
图11A和图11B分别示出了本发明另一个优选实施例中的“半块状扩散”金属间化合物IMC的电镜照片和示意图。
附图中相同的标号标识相同的、相近似的、或相对应的特征或功能。
具体实施方式
为方便起见，以下主要以电镀纯锡沉积层为例对本发明的方法及产品进行详细描述，但其并不意味着对本发明的具体应用进行任何限制。对于本领域的普通技术人员来讲，很容易理解的是，本发明不仅可以适用于纯锡沉积层，而且可以适用于锡铜(SnCu)、锡铋(SnBi)、锡银(SnAg)等多种富锡沉积层。
本发明选用一自动条带电镀生产线(Auto strip plating line)和一公知的霍尔槽(Hull cell)来完成本发明的优选实施例和对比例的制作。该自动条带电镀生产线可以从市场上获得，其结构如图2所示。
图2是根据本发明的一个实施例的电镀方法所采用的自动条带电镀生产线200。
生产线200包括5个镀槽11-15、将交流电整流为直流电供给相应镀槽的整流器21-25、镀浴51和52以及输送基底的钢带4。另外，生产线200还包括有用于从底部喷射镀液的喷嘴31-35等部件。
根据本发明，在盛有电镀液的镀槽中，以金属锡作为阳极电极。待镀件作为阴极电极，本实施例以收缩型双列直插式封装件(Shrink dual inline package)SDIP64/24作为待镀件为例，该封装件的引线框(lead frame)为合金194(一种铜合金，包括2.4％的Fe，0.1％的Zn和0.03％的P)。两电极分别与一直流电源的正极和负极相连。
电镀液采用可以在市场上购得的甲磺酸基锡镀液，它包括有40g/l的甲磺酸锡、150g/l的甲磺酸，并在其中加入浓度为40-100g/l(优选为40g/l)的起始剂和剂量为3-9ml/l(优选为4ml/l)的光亮剂，其中，该起始剂可采用水溶性非离子润湿剂(aqueous solution ofnonionic wetting agents)，该光亮剂可选自乙氧基萘酚磺酸(ethoxylated naphthol sulphonic acid)、α萘酚(α-naphthol)或α萘酚磺酸(α-naphthol sulphonic acid)，并可选择异丙基乙二醇基溶剂或其它适宜的溶液作为其溶剂。当然，本领域的普通技术人员还可根据特殊或实际需要在上述镀液中添加其它一些公知成分或替代物，其属于本领域的公知常识，故在这里不做详细描述。
其工艺参数按照如下取值范围进行选取：
输送带速度：4.0-8.0米/分；
喷嘴流速：0.5-7立方米/小时/槽((m3/hour/tank))；
电镀时间：10-100秒
当然，所述各工艺参数可根据电镀产品(如不同的电镀面积)而变化。
              表1：电镀条件的优化
电镀条件      镀浴温度
 35-45℃  18-35℃
  添加起始剂以及光亮剂   电流密度25-30ASD  B1  B2
  电流密度5-25ASD  A  B2
  无添加起始剂以及光亮剂   电流密度25ASD  C  C
  电流密度15ASD  C  C
注：ASD(Amp per square decometer)是电镀电流密度，单位为安培/平方分米；
A代表规则改性纯锡；
B1代表温度高时的不规则改性纯锡；
B2代表温度低时的不规则改性纯锡；
C代表规则纯锡。
通过调整电镀条件(如表1所示)，可获得如图3所示的三种晶粒结构的镀锡层。图3示出了规则改性纯锡(Modified Matte Tin)A、不规则改性纯锡(Modified Matte Tin)B以及规则纯锡(Matte Tin)C的表面组织形态以及切槽形貌的电镜像片。如图3所示，规则改性纯锡A和规则纯锡C与通常情况下的锡晶粒结构相同，即形成柱状晶粒(其在与沉积表面垂直的方向上的尺寸远大于其它方向的尺寸)；而不规则改性纯锡B则形成与上述柱状晶粒完全不同的晶粒结构(可称为非柱状晶粒)。其中，结合图3以及后面的描述可以看出，规则改性纯锡A和规则纯锡C均以垂直于底材的晶粒结构为主，不论晶粒大小如何或晶粒结构规则与否，规则改性纯锡A和规则纯锡C均会产生晶须，而不规则改性纯锡B主要为与底材平行的晶粒结构，由于室温下，底材中的铜原子由底材向镀层扩散时主要沿晶粒边界进行，因此在不规则改性纯锡B中，由于晶粒边界平行于底材，因而金属间化合物IMC有利于形成“半块状扩散”，而非形成楔形金属间化合物IMC。
结合表1，由图3可以得出，通过适当调整工艺条件，可以获得具有不同表面组织形态和切槽形貌的镀锡层。从后面将要描述的图4A-图11B中可以看出，在本发明所得到的上述不规则改性纯锡B的晶粒结构中，各晶粒在与沉积表面垂直的方向上的尺寸(图中的Z方向)小于其在与沉积表面平行的方向(图中的X、Y方向)上的尺寸。
试验证明，在如上所述的电镀条件下，锡镀液中没有添加起始剂合以及光亮剂只能获得规则纯锡C。在锡镀液中添加了起始剂和光亮剂，并且控制电流密度低并且镀浴温度高的情况下可获得规则改性纯锡A。在锡镀液中添加了起始剂和光亮剂和电流密度高的情况下可获得不规则改性纯锡B1(温度高时)和B2(温度低时)。
通过控制电镀条件获得所述三种镀锡层结构，并将镀膜的总厚度控制在2-10μm的范围内，由此可获得在待镀件(SDIP64/24)上沉积锡的具体实施例C1-C34和M1-M6(见表2)以及在另一种收缩型双列直插式封装件SDIP32上沉积锡的具体实施例R1-R11(见表3)。
图4A-9A分别示出了所述实施例C28、C33、C21、C15、C1和C32的晶粒结构的电镜照片，图4B-9B则分别示出了图4A-9A相对应的示意图。其中，在这些附图中，50代表基底(例如Cu L/F)，60代表沉积层，70代表锡晶粒，80代表金属间化合物。
将这些实施例最后获得的镀膜物在温度55℃、相对湿度85RH(relative humidity)的环境下放置2000小时(见表2)以及在室温下放置15个月(见表3)，以进行晶须测试，并判定晶须的有无，从而分析晶粒结构以及电镀条件对晶须生长的影响。
                   表2：晶须测试结果
(试样尺寸C1-C22，C29-C34及M1-M664引线×12产品＝768引线，C23-C28：24引线×12产品＝288引线，电镀面积13.39mm2/引线)
实施例         底层     顶层(即第二层) 总厚度 晶须(最大)
  厚度   结构   厚度   结构
  C1   2μm   B1 I   4μm   A I   6μm   无
  C2   2μm   B2   4μm   A   6μm   无
  C3   2μm   B1   8μm   A   10μm   无
  C4   2μm   B2   8μm   A   10μm   无
  C5   4μm   B1   2μm   A   6μm   无
  C6   4μm   B2   2μm   A   6μm   无
  C7   4μm   B1   6μm   A   10μm   无
  C8   4μm   B2   6μm   A   10μm   无
  C9   2μm   B1   6μm   C I   8μm   无
  C10   2μm   B2   6μm   C   8μm   无
  C11   4μm   B1   3μm   C   7μm   无
  C12   4μm   B2   3μm   C   7μm   无
  C13   2μm   B1   3μm   C   5μm   无
  C14   4μm   B1   4μm   无
  C15   2μm   B2   3μm   C   5μm   无
  C16   4μm   B2   4μm   无
  C17   2μm   B1   2μm   无
  C18   2μm   B2   2μm   无
  C19   4μm   B1   6μm   C   10μm   无
  C20   4μm   B2   6μm   C   10μm   无
  C21   6μm   C   6μm   有(30μm)II
  C22   10μm   C   10μm   有(23μm)
  C23   2μm   B2   4μm   A   6μm   无
  C24   4μm   B2   2μm   A   6μm   无
  C25   2μm   B2   8μm   A   10μm   无
  C26   2μm   B2   8μm   A   10μm   无
  C27   2μm   B2   2μm   无
  C28   4μm   B2   4μm   无
  C29   2μm   A   3μm   C   5μm   有(38μm)，小山丘状
  C30   4μm   A   3μm   C   7μm   有(26μm)小山丘状
  C31   2μm   A   6μm   C   8μm   有(24μm)小山丘状
  C32   4μm   A   6μm   C   10μm   有(21μm)小山丘状
  C33   2μm   A   2μm   有(55μm)
  C34   4μm   A   4μm   有(41μm)
  M1   4μm   C’I   4μm   有(43.5μm)
  M2   7.5μm   C’   7.5μm   有(39μm)
  M3   10μm   C’   10μm   有(44μm)
  M4   4.4μm   C’   2.85μm   A   7.25μm   有(18μm)
  M5   3.5μm   B2   4.4μm   C   7.9μm   无
  M6   3.5μm   B2   3.5μm   无
注：I)改性纯锡A和B利用自动条带电镀生产线沉积而成，纯锡C利用霍尔槽电镀获得，C’利用自动条带电镀生产线沉积而成；
II)晶须的最大长度。
                              表3：晶须测试结果
                      (试样尺寸32引线×12产品＝384引线
                         电镀面积：13.39mm2/每引线)
 实施例          底层     顶层(即第二层)  总厚度   晶须(最大)
厚度 结构 厚度 结构
  R1   10μm   A I   10μm   有(590μm)
  R2   5.9μm   A   5.9μm   有(752μm)
  R3   2.1μm   A   2.1μm   有(1050μm)
  R4   10μm   C’I   10μm   有(221μm)
  R5   6μm   C’   6μm   有(382μm)
  R6   10.7μm   B2 I   10.7μm   无
  R7   7.5μm   B1   2.3μm   A   9.8μm   无
  R8   6.0μm   B1   6.0μm   无
  R9   3.0μm   B1   3.0μm   C’   6.0μm   无
  R10   3.5μm   B1   3.5μm   无
  R11   3.0μm   B2   3.0μm   无
注：I)改性纯锡A和B利用自动条带电镀生产线沉积而成；C’利用自动条带电镀生产线沉积而成。
通过所述实施例并结合上述附图进行分析，可以得出以下结果。
晶须产生
在如表2所列实施例C1-C20中，在底层晶粒结构同为不规则改性纯锡B的情况下，在长达2000小时的晶须测试后都没有晶须产生。而在表2所列比较实施例C21-C22、C29-C34、M1-M4和表3所列比较实施例R1-R5中，当底层为规则晶粒结构(规则纯锡C和规则改性纯锡A)时，都有晶须产生。
如图4A-9B所示，具有相同底层晶粒结构B的镀膜物在晶须测试后都没有晶须产生；而在实施例C21和C33中，规则纯锡C以及改性的纯锡A仍然有晶须产生。
通过图4A、4B、7A、7B、8A、8B的实施例C28、C15、C1可以看出，通过在基底上直接沉积微晶粒锡层，并使该微晶粒锡镀层具有非柱状晶粒的不规则晶粒结构，其中，各晶粒在与沉积表面垂直的方向上的尺寸小于(最好是远小于)其在与沉积表面平行的方向上的尺寸。这样可使得锡和基底之间的金属间化合物比正常沉积情况下会彼此更加靠近地在晶粒边界处缓慢生长，因此在沉积层(镀锡层)上均匀分布，使金属间化合物更加横向地生长并且使内应力更均匀地分布，从而不会有晶须产生。
从图10A、10B、11A、11B所示出的本发明的两个优选实施例中可以更清楚地看出本发明中的这种金属间化合物IMC的生长，其中，相对于高温下锡的金属间化合物的“块状扩散”，本发明的金属间化合物以“半块状扩散”的方式生长。与之相反，如图1A、图1B、图5A、图5B、图6A、图6B、图9A、图9B所示，通常的锡沉积层具有柱状晶粒结构，该晶粒结构将导致楔形的金属间化合物(intermetallic compound，简称IMC，例如Cu6Sn5)沿垂直方向在晶界间生长，从而产生大量晶须。
另外，已经发现，在本发明中，所述各晶粒在与沉积表面垂直的方向上的尺寸最好不超过2μm。特别是，优选的是，各晶粒在与沉积表面垂直的方向(即图中的Z方向)上的尺寸为0.05-2μm，而在与沉积表面平行的方向(即图中的X、Y方向)上的尺寸为0.2-10μm。例如，当X或Y方向上的尺寸为2μm或更大时，Z方向的尺寸可优选为大约1μm；当X或Y方向上的尺寸为0.2μm或更大时，Z方向的尺寸可优选为大约0.05μm。而且，X、Y方向上的尺寸可以优选采用不等的尺寸，例如X＝0.5μm，Y＝0.2μm。此外，优选的是，所述各晶粒趋向于沿一平行于沉积表面的方向呈一致的取向，从而可更加高效地抑制晶须的产生。
镀层厚度
镀层的整个厚度与公知的范围一样。对于实施例C1-C20，镀层均为2-10μm厚。
在具有相同的镀锡底层晶粒结构(不规则改性纯锡B)时，甚至是在只有2μm厚的镀层(实施例C17和C18)的情况下，在长达2000小时的晶须测试后也没有晶须产生，而与顶层的结构和厚度无关，例如实施例C1-C20以及C23-C28。因此，如果镀锡底层中不会导致晶须生长，则顶层无论其厚度或结构如何均不会有晶须产生。
不规则晶粒(非柱状晶粒)结构在底层中的厚度
通过比较分析，可知2μm和4μm厚的镀层具有相同的效果，因此2μm的厚度已足以阻止晶须的生长。
电镀条件
高的镀浴温度和低的镀浴温度均可获得不规则晶粒(非柱状晶粒)结构，因此镀浴温度并非获得本发明所需镀锡的关键。
参看图11A、11B，可以根据需要(例如需要获得光洁度更高的镀锡层)在所述微晶粒锡层上另加有富含锡的镀锡层。可采用现有技术中的公知工艺来获得该镀锡层。
综上所述，本发明通过在基底上直接沉积一微晶粒锡层，并获得如前所述具有特定尺寸特性的不规则晶粒结构，可诱发金属间化合物以半块状扩散，从而可以有效地抑制晶须的生长。而且，如果镀层为两层结构，即包括底层和顶层，当底层内的金属间化合物以半块状扩散而抑制晶须的产生时，则顶层无论其结构和厚度如何都不会有晶须产生。更进一步地说，半块状扩散对晶须产生的影响要比电镀条件影响更大。事实证明，本发明的微晶粒锡层中的金属间化合物在任何情况下均以半块状扩散方式生长，而与存储温度无关。
很明显，除了本发明的待镀件SDIP64/32/24外，本发明的方法还可以应用在集成电路封装和分立元件(例如晶体管/二极管以及芯片电阻器/电容器等无源元件)的引线、连接器、基片(印刷电路板与载带)以及其它公知的电子元件上。本发明优选直接施加在需要富锡涂层并对晶须生长很敏感的铜基材料上。
以上虽然通过优选实施例的方式对本发明做了详细描述，但这些实施例仅仅用于解释的目的，其并不意味着对本发明的任何限制。事实上，对于本技术领域的技术人员来讲，还可以在本发明的精神和原理的基础上做出一些改进或变型，它们均不脱离本发明的范围。

Claims (19)

1.一种电子元件，该电子元件在用于电连接的部位上设有富锡沉积层，所述富锡沉积层为一微晶粒富锡层，所述微晶粒富锡层中的晶粒在与沉积表面垂直的方向上的尺寸小于其在与上述沉积表面平行的方向上的尺寸。
2.如权利要求1所述的电子元件，所述晶粒在与沉积表面垂直的方向上的尺寸不超过2μm。
3.如权利要求1或2所述的电子元件，所述各晶粒趋向于沿一平行于沉积表面的方向呈一致的取向。
4.如权利要求1或2所述的电子元件，所述各晶粒呈不规则形状。
5.如权利要求1或2所述的电子元件，所述富锡沉积层的厚度至少为2μm。
6.如权利要求1所述的电子元件，所述富锡沉积层上可另外附加有沉积层。
7.如权利要求5所述的电子元件，所述附加沉积层与所述富锡沉积层可具有不同的晶粒结构。
8.如权利要求1所述的电子元件，所述用于电连接的部位由铜或铜合金构成。
9.一种电子元件的电镀方法，用于在所述电子元件的用于电连接的部位上形成一富锡沉积层，该方法包括步骤：
调节锡镀液成分，该锡镀液中包括起始剂和光亮剂；
使所述电子元件通过所述锡镀液进行电镀，以在所述电子元件用于电连接的部位形成所述富锡沉积层，其中，所述富锡沉积层为一微晶粒富锡层，所述微晶粒富锡层中的晶粒在与沉积表面垂直的方向上的尺寸小于其在与上述沉积表面平行的方向上的尺寸。
10.如权利要求9所述的电镀方法，所述起始剂包括水溶性非离子润湿剂。
11.如权利要求9或10所述的电镀方法，所述光亮剂包括下面一种：乙氧基萘酚磺酸、α萘酚和α萘酚磺酸。
12.如权利要求10所述的电镀方法，所述起始剂的浓度约为40-100克/升和所述光亮剂的剂量约为3-9毫升/升。
13.如权利要求9所述的电镀方法，所述锡镀液为甲磺酸基锡镀液。
14.如权利要求9或11所述的方法，所述光亮剂的溶剂包括异丙基乙二醇。
15.如权利要求9所述的电镀方法，进一步包括：控制电镀工艺条件。
16.如权利要求15所述的电镀方法，所述的电镀工艺条件包括：电流密度约为25-30安培/平方分米和镀浴温度约为18-45℃。
17.如权利要求15所述的电镀方法，所述的电镀工艺条件包括：电流密度约为5-25安培/平方分米和镀浴温度约为18-35℃。
18.如权利要求15所述的电镀方法，控制电镀该电子元件的时间，以使所述微晶粒锡层的厚度至少为2μm。
19.如权利要求9所述的电镀方法，还包括在所述微晶粒锡层上再沉积一常规富锡层的步骤。
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