CN115440695A - 一种耐高温超薄半导体引线框架及其制备方法 - Google Patents

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CN115440695A CN202211077523.7A CN202211077523A CN115440695A CN 115440695 A CN115440695 A CN 115440695A CN 202211077523 A CN202211077523 A CN 202211077523A CN 115440695 A CN115440695 A CN 115440695A
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Abstract

本发明公开了一种耐高温超薄半导体引线框架及其制备方法，包括引线框架基体、预镀层、复合镀层。本发明具有良好的耐磨性能，同时镀层具备良好的附着力，保证其耐久性能；首先对引线框架基体进行预镀镍处理，可有效改善镀层的表面形貌、致密性和耐蚀性，使得后续复合镀层的表面更加平整、均匀、致密，孔隙率更低；在预镀镍处理之后，采用超声‑喷射电沉积方式在引线框架表面形成Ni‑W/SiC/Zn复合镀层，镀层孔隙率最低且表面平整光滑；在喷射电沉积过程施加超声场，超声搅拌作用可以抑制碳化硅纳米颗粒的过度团簇，有利于晶粒细化，使得引线框架磨痕深度更浅，磨痕轨迹更宽，展现出更好的耐磨损性能。

Description

一种耐高温超薄半导体引线框架及其制备方法
技术领域
本发明涉及引线框架技术领域，更具体地说，本发明涉及一种耐高温超薄半导体引线框架及其制备方法。
背景技术
半导体在集成电路、通信系统、消费电子、照明、光伏发电、大功率电源转换等领域都有应用。引线框架主要作为集成电路的芯片载体，起到了芯片和外部导线连接的桥梁作用，绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架，引线框架是电子信息产业中重要的基础材料。引线框架用铜合金大致分为铜一铁系、铜一铬系、铜一镍-硅系、铜一镍一锡系(JK--2合金)，三元、四元等多元系铜合金。引线框架材料向高强、低成本、高导电方向发展，在铜中加人少量的多种元素，在不明显降低导电率的原则下，提高合金强度(使引线框架不易发生变形)和综合性能；并且要求铜带材的厚度不断变薄，从0.25mm向0.15mm、0.1mm逐步减薄，0.07-0.1mm的超薄化和异型化。引线框架由于其工作环境要求其具备耐高温性能。
但是现有的耐高温超薄引线框架耐磨性能较差，在使用过程中容易发生磨损，影响半导体的性能。
发明内容
为了克服现有技术的上述缺陷，本发明的实施例提供一种耐高温超薄半导体引线框架及其制备方法。
一种耐高温超薄半导体引线框架，包括引线框架基体、预镀层、复合镀层，所述预镀层设于引线框架基体表面，所述复合镀层设于预镀层表面。
进一步的，所述预镀层的预镀液按照重量百分比计算包括：11～13％的六水硫酸镍、26～30％的一水合次磷酸钠、36～40％的二水合柠檬酸钠、26～30％的氯化铵，其余为去离子水；所述复合镀层的复合镀液按照重量百分比计算包括：23.6～24.6％的六水硫酸镍、2.6～3.6％的六水氯化镍、2.6～3.6％的二水钨酸钠、0.02～0.04％的硼酸、0.01～0.02％的十二烷基硫酸钠、0.01～0.03％的糖精钠、0.8～1.2％的纳米碳化硅、7.6～8.6％的氯化锌，其余去离子水。
进一步的，所述预镀层的预镀液按照重量百分比计算包括：11～13％的六水硫酸镍、26～30％的一水合次磷酸钠、36～40％的二水合柠檬酸钠、26～30％的氯化铵，其余为去离子水；所述复合镀层的复合镀液按照重量百分比计算包括：23.6～24.6％的六水硫酸镍、2.6～3.6％的六水氯化镍、2.6～3.6％的二水钨酸钠、0.02～0.04％的硼酸、0.01～0.02％的十二烷基硫酸钠、0.01～0.03％的糖精钠、0.8～1.2％的纳米碳化硅、7.6～8.6％的氯化锌，其余去离子水。
进一步的，所述预镀层的预镀液按照重量百分比计算包括：11～13％的六水硫酸镍、26～30％的一水合次磷酸钠、36～40％的二水合柠檬酸钠、26～30％的氯化铵，其余为去离子水；所述复合镀层的复合镀液按照重量百分比计算包括：23.6～24.6％的六水硫酸镍、2.6～3.6％的六水氯化镍、2.6～3.6％的二水钨酸钠、0.02～0.04％的硼酸、0.01～0.02％的十二烷基硫酸钠、0.01～0.03％的糖精钠、0.8～1.2％的纳米碳化硅、7.6～8.6％的氯化锌，其余去离子水。
进一步的，所述预镀层的预镀液按照重量百分比计算包括：11～13％的六水硫酸镍、26～30％的一水合次磷酸钠、36～40％的二水合柠檬酸钠、26～30％的氯化铵，其余为去离子水；所述复合镀层的复合镀液按照重量百分比计算包括：23.6～24.6％的六水硫酸镍、2.6～3.6％的六水氯化镍、2.6～3.6％的二水钨酸钠、0.02～0.04％的硼酸、0.01～0.02％的十二烷基硫酸钠、0.01～0.03％的糖精钠、0.8～1.2％的纳米碳化硅、7.6～8.6％的氯化锌，其余去离子水。
一种耐高温超薄半导体引线框架的制备方法，具体制备步骤如下：
步骤一：称取预镀液原料中的六水硫酸镍、一水合次磷酸钠、二水合柠檬酸钠、氯化铵、去离子水和复合镀液原料中的六水硫酸镍、六水氯化镍、二水钨酸钠、硼酸、十二烷基硫酸钠、糖精钠、纳米碳化硅、氯化锌、去离子水；
步骤二：将步骤一中预镀液原料中的六水硫酸镍、一水合次磷酸钠、二水合柠檬酸钠、氯化铵、去离子水进行共混，水浴超声处理20～30分钟，得到预镀液；
步骤三：将步骤一中的复合镀液原料中的六水硫酸镍、六水氯化镍、二水钨酸钠、硼酸、十二烷基硫酸钠、糖精钠、纳米碳化硅、氯化锌、去离子水进行共混，水浴超声处理20～30分钟，得到复合镀液；
步骤四：使用步骤二中的预镀液对引线框架基体进行预镀处理，在引线框架基体表面形成预镀层，得到预镀镍引线框架基体；
步骤五：使用步骤三中的复合镀液对步骤四中的预镀镍引线框架基体进行超声-喷射电沉积处理，在预镀镍引线框架基体的预镀层表面形成复合镀层，得到耐高温超薄半导体引线框架。
进一步的，在步骤二中，水浴温度为40～50℃，超声频率为40～60KHz，超声功率为800～900W；在步骤三中，水浴温度为70～80℃，超声频率为60～80KHz，超声功率为1000～1200W；在步骤四中，以引线框架基体为阴极，以纯镍棒为阳极，预镀液温度为45～55℃，预镀时间为3～7min，阴极电流密度4.5～5.5A·dm-2；在步骤五中，超声-喷射电沉积占空比：35～45％、镀液pH＝4.0～5.0、镀液温度：45～55℃、沉积时间：40～50min、阴极电流密度：45～55A·dm-2、喷射速度：1.5～2.5m/s、超声波频率：30～40KHz、超声波功率：110～130W，以预镀镍引线框架基体为阴极，选用纯镍喷嘴为阳极。
进一步的，在步骤二中，水浴温度为40℃，超声频率为40KHz，超声功率为800W；在步骤三中，水浴温度为70℃，超声频率为60KHz，超声功率为1000W；在步骤四中，以引线框架基体为阴极，以纯镍棒为阳极，预镀液温度为45℃，预镀时间为3min，阴极电流密度4.5A·dm-2；在步骤五中，超声-喷射电沉积占空比：35％、镀液pH＝4.0、镀液温度：55℃、沉积时间：50min、阴极电流密度：55A·dm-2、喷射速度：2.5m/s、超声波频率：40KHz、超声波功率：130W，以预镀镍引线框架基体为阴极，选用纯镍喷嘴为阳极。
进一步的，在步骤二中，水浴温度为50℃，超声频率为60KHz，超声功率为900W；在步骤三中，水浴温度为80℃，超声频率为80KHz，超声功率为1200W；在步骤四中，以引线框架基体为阴极，以纯镍棒为阳极，预镀液温度为55℃，预镀时间为7min，阴极电流密度5.5A·dm-2；在步骤五中，超声-喷射电沉积占空比：45％、镀液pH＝5.0、镀液温度：55℃、沉积时间：50min、阴极电流密度：55A·dm-2、喷射速度：2.5m/s、超声波频率：40KHz、超声波功率：130W，以预镀镍引线框架基体为阴极，选用纯镍喷嘴为阳极。
进一步的，在步骤二中，水浴温度为45℃，超声频率为50KHz，超声功率为850W；在步骤三中，水浴温度为75℃，超声频率为70KHz，超声功率为1100W；在步骤四中，以引线框架基体为阴极，以纯镍棒为阳极，预镀液温度为50℃，预镀时间为5min，阴极电流密度5.0A·dm-2；在步骤五中，超声-喷射电沉积占空比：40％、镀液pH＝4.5、镀液温度：50℃、沉积时间：45min、阴极电流密度：50A·dm-2、喷射速度：2.0m/s、超声波频率：35KHz、超声波功率：120W，以预镀镍引线框架基体为阴极，选用纯镍喷嘴为阳极。
本发明的技术效果和优点：
1、采用本发明的原料配方所加工出的耐高温超薄半导体引线框架具有良好的耐磨性能，同时镀层具备良好的附着力，保证其耐久性能；首先对引线框架基体进行预镀镍处理，可有效改善镀层的表面形貌、致密性和耐蚀性，使得后续复合镀层的表面更加平整、均匀、致密，孔隙率更低，进而加强引线框架的耐磨性能；在预镀镍处理之后，采用超声-喷射电沉积方式在引线框架表面形成Ni-W/SiC/Zn复合镀层，镀层孔隙率最低且表面平整光滑；在喷射电沉积过程施加超声场，超声搅拌作用可以抑制碳化硅纳米颗粒的过度团簇，使得颗粒在镀层中弥散分布，为Ni－W晶粒的生长提供大量优质形核点，提高结晶的形核率，利于填补晶粒间的较大孔隙，有利于晶粒细化，使得引线框架磨痕深度更浅，磨痕轨迹更宽，展显出更好的耐磨损性能；
2、本发明在步骤二中，对预镀液原料进行水浴超声处理，可有效加强预镀液中原料混合均匀性和稳定性；在步骤三中，对复合镀液原料进行水浴超声处理，可有效加强复合镀液中原料混合均匀性和稳定性；在步骤四中，使用预镀液进行预镀处理，形成预镀层；在步骤五中，使用复合镀液进行超声-喷射电沉积处理，形成复合镀层，得到耐高温超薄半导体引线框架。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1：
本发明提供了一种耐高温超薄半导体引线框架，包括引线框架基体、预镀层、复合镀层，所述预镀层设于引线框架基体表面，所述复合镀层设于预镀层表面；所述预镀层的预镀液按照重量百分比计算包括：11～13％的六水硫酸镍、26～30％的一水合次磷酸钠、36～40％的二水合柠檬酸钠、26～30％的氯化铵，其余为去离子水；所述复合镀层的复合镀液按照重量百分比计算包括：23.6～24.6％的六水硫酸镍、2.6～3.6％的六水氯化镍、2.6～3.6％的二水钨酸钠、0.02～0.04％的硼酸、0.01～0.02％的十二烷基硫酸钠、0.01～0.03％的糖精钠、0.8～1.2％的纳米碳化硅、7.6～8.6％的氯化锌，其余去离子水；
本发明还提供一种耐高温超薄半导体引线框架的制备方法，具体制备步骤如下：
步骤一：称取预镀液原料中的六水硫酸镍、一水合次磷酸钠、二水合柠檬酸钠、氯化铵、去离子水和复合镀液原料中的六水硫酸镍、六水氯化镍、二水钨酸钠、硼酸、十二烷基硫酸钠、糖精钠、纳米碳化硅、氯化锌、去离子水；
步骤二：将步骤一中预镀液原料中的六水硫酸镍、一水合次磷酸钠、二水合柠檬酸钠、氯化铵、去离子水进行共混，水浴超声处理20～30分钟，得到预镀液；
步骤三：将步骤一中的复合镀液原料中的六水硫酸镍、六水氯化镍、二水钨酸钠、硼酸、十二烷基硫酸钠、糖精钠、纳米碳化硅、氯化锌、去离子水进行共混，水浴超声处理20～30分钟，得到复合镀液；
步骤四：使用步骤二中的预镀液对引线框架基体进行预镀处理，在引线框架基体表面形成预镀层，得到预镀镍引线框架基体；
步骤五：使用步骤三中的复合镀液对步骤四中的预镀镍引线框架基体进行超声-喷射电沉积处理，在预镀镍引线框架基体的预镀层表面形成复合镀层，得到耐高温超薄半导体引线框架。
在步骤二中，水浴温度为40℃，超声频率为40KHz，超声功率为800W；在步骤三中，水浴温度为70℃，超声频率为60KHz，超声功率为1000W；在步骤四中，以引线框架基体为阴极，以纯镍棒为阳极，预镀液温度为45℃，预镀时间为3min，阴极电流密度4.5A·dm-2；在步骤五中，超声-喷射电沉积占空比：35％、镀液pH＝4.0、镀液温度：55℃、沉积时间：50min、阴极电流密度：55A·dm-2、喷射速度：2.5m/s、超声波频率：40KHz、超声波功率：130W，以预镀镍引线框架基体为阴极，选用纯镍喷嘴为阳极。
实施例2：
与实施例1不同的是，所述预镀层的预镀液按照重量百分比计算包括：11～13％的六水硫酸镍、26～30％的一水合次磷酸钠、36～40％的二水合柠檬酸钠、26～30％的氯化铵，其余为去离子水；所述复合镀层的复合镀液按照重量百分比计算包括：23.6～24.6％的六水硫酸镍、2.6～3.6％的六水氯化镍、2.6～3.6％的二水钨酸钠、0.02～0.04％的硼酸、0.01～0.02％的十二烷基硫酸钠、0.01～0.03％的糖精钠、0.8～1.2％的纳米碳化硅、7.6～8.6％的氯化锌，其余去离子水。
实施例3：
与实施例1-2均不同的是，所述预镀层的预镀液按照重量百分比计算包括：11～13％的六水硫酸镍、26～30％的一水合次磷酸钠、36～40％的二水合柠檬酸钠、26～30％的氯化铵，其余为去离子水；所述复合镀层的复合镀液按照重量百分比计算包括：23.6～24.6％的六水硫酸镍、2.6～3.6％的六水氯化镍、2.6～3.6％的二水钨酸钠、0.02～0.04％的硼酸、0.01～0.02％的十二烷基硫酸钠、0.01～0.03％的糖精钠、0.8～1.2％的纳米碳化硅、7.6～8.6％的氯化锌，其余去离子水。
实施例4：
与实施例3不同的是，在步骤二中，水浴温度为50℃，超声频率为60KHz，超声功率为900W；在步骤三中，水浴温度为80℃，超声频率为80KHz，超声功率为1200W；在步骤四中，以引线框架基体为阴极，以纯镍棒为阳极，预镀液温度为55℃，预镀时间为7min，阴极电流密度5.5A·dm-2；在步骤五中，超声-喷射电沉积占空比：45％、镀液pH＝5.0、镀液温度：55℃、沉积时间：50min、阴极电流密度：55A·dm-2、喷射速度：2.5m/s、超声波频率：40KHz、超声波功率：130W，以预镀镍引线框架基体为阴极，选用纯镍喷嘴为阳极。
实施例5：
与实施例3不同的是，其特征在于：在步骤二中，水浴温度为45℃，超声频率为50KHz，超声功率为850W；在步骤三中，水浴温度为75℃，超声频率为70KHz，超声功率为1100W；在步骤四中，以引线框架基体为阴极，以纯镍棒为阳极，预镀液温度为50℃，预镀时间为5min，阴极电流密度5.0A·dm-2；在步骤五中，超声-喷射电沉积占空比：40％、镀液pH＝4.5、镀液温度：50℃、沉积时间：45min、阴极电流密度：50A·dm-2、喷射速度：2.0m/s、超声波频率：35KHz、超声波功率：120W，以预镀镍引线框架基体为阴极，选用纯镍喷嘴为阳极。
对比例1：
与实施例3不同的是：没有预镀层。
对比例2：
与实施例3不同的是：所述复合镀层的复合镀液按照重量百分比计算包括：23.6～24.6％的六水硫酸镍、2.6～3.6％的六水氯化镍、2.6～3.6％的二水钨酸钠、0.02～0.04％的硼酸、0.01～0.02％的十二烷基硫酸钠、0.01～0.03％的糖精钠、7.6～8.6％的氯化锌，其余去离子水。
对比例3：
与实施例3不同的是：所述复合镀层的复合镀液按照重量百分比计算包括：23.6～24.6％的六水硫酸镍、2.6～3.6％的六水氯化镍、2.6～3.6％的二水钨酸钠、0.02～0.04％的硼酸、0.01～0.02％的十二烷基硫酸钠、0.01～0.03％的糖精钠、0.8～1.2％的纳米碳化硅，其余去离子水。
对比例4：
与实施例5不同的是：在步骤五中采用电沉积处理，镀液温度：50℃、沉积时间：45min、阴极电流密度：50A·dm-2。
引线框架基体由C19400铜合金制成；六水硫酸镍采购自西格玛奥德里奇(上海)贸易有限公司、货号：N4882；一水合次磷酸钠采购自西格玛奥德里奇(上海)贸易有限公司、货号：S5012；二水合柠檬酸钠采购自西格玛奥德里奇(上海)贸易有限公司、货号：W302600；氯化铵采购自西格玛奥德里奇(上海)贸易有限公司、货号：V900222；六水氯化镍采购自西格玛奥德里奇(上海)贸易有限公司、货号：451193；二水钨酸钠采购自西格玛奥德里奇(上海)贸易有限公司、货号：T2629；硼酸采购自西格玛奥德里奇(上海)贸易有限公司、货号：NIST973；十二烷基硫酸钠采购自西格玛奥德里奇(上海)贸易有限公司、货号：Y0000620；糖精钠采购自西格玛奥德里奇(上海)贸易有限公司、货号：S0050000；纳米碳化硅采购自上海康朗生物科技有限公司、货号：KL817587；氯化锌采购自西格玛奥德里奇(上海)贸易有限公司、货号：Z0152；
对本发明中的对比例和实施例中的耐高温超薄半导体引线框架进行检测处理，采用UMT-3型摩擦磨损试验机，磨球材料为GCr15，干摩擦条件，加载载荷为15N，加载时间为10min，转速为800r/min，测量半径为5mm；采用FA1004T型电子分析天平测量镀层试样磨损失重；对铜合金半导体引线框架表面按照GB/T9286-1998标准中的划格法的检测附着力级别；结果如表一所示：
表一：
Figure BDA0003832217880000071
Figure BDA0003832217880000081
GB/T9286-1998划格法的附着力级别：
0级：切割边缘完全平滑，无一格脱落；
1级：在切口交叉处有少许涂层脱落，但交叉切割面积受影响不能明显大于5％；
2级：在切口交叉处和/或沿切口边缘有涂层脱落，受影响的交叉切割面积明显大于5％，但不能明显大于15％；
3级：涂层沿切割边缘部分或全部以大碎片脱落，和/或在格子不同部位上部分或全部剥落，受影响的交叉切割面积明显大于15％，但不能明显大于35％；
4级：涂层沿切割边缘大碎片脱落，和/或在格子不同部位上部分或全部剥落，受影响的交叉切割面积明显大于35％，但不能明显大于65％；
5级：剥落的程度超过4级。
由上表可知：本发明的耐高温超薄半导体引线框架具有良好的耐磨性能，同时镀层具备良好的附着力，保证其耐久性能。
本发明中首先对引线框架基体进行预镀镍处理，可有效改善镀层的表面形貌、致密性和耐蚀性，使得后续复合镀层的表面更加平整、均匀、致密，孔隙率更低，进而加强引线框架的耐磨性能；在预镀镍处理之后，采用超声-喷射电沉积方式在引线框架表面形成Ni-W/SiC/Zn复合镀层，镀层孔隙率最低且表面平整光滑；喷射电沉积允许更高的阴极过电势，较高的过电势可以降低临界晶核半径，使得镀层晶粒更为细小；高速液流以一定的压力和速度喷射到工件表面，可以降低浓差极化，抑制晶粒的垂直生长，减小扩散层的厚度，从而细化晶粒尺寸；超声场的存在可降低电解液的粘度系数，提升纳米颗粒与镀液的润湿性及导电性，加快离子传输速率。然而碳化硅纳米颗粒因具有高表面能而容易在镀液中发生大规模团簇影响镀层性能。在喷射电沉积过程施加超声场，超声搅拌作用可以抑制碳化硅纳米颗粒的过度团簇，使得颗粒在镀层中弥散分布，为Ni－W晶粒的生长提供大量优质形核点，提高结晶的形核率，利于填补晶粒间的较大孔隙；超声空化效应会造成局部温度过低，降低附近晶粒携带能量，减少Ni－W的临界晶核半径并抑制其过度生长，从而细化晶粒尺寸；超声场和喷射工艺协同促进碳化硅纳米颗粒在镀层中弥散分布，纳米颗粒为镍和钨晶粒的沉积提供大量异质形核点，增强晶面衍射峰强度，抑制Ni－W晶粒沿晶面的生长。随着镀层中碳化硅颗粒含量的增加，其作用程度更加明显；碳化硅纳米颗粒携带的高表面能促进镍和钨晶粒的形核，有利于晶粒细化，使得引线框架磨痕深度更浅，磨痕轨迹更宽，展显出更好的耐磨损性能；Zn、Ni元素的加入改变合金腐蚀后腐蚀产物的结构，提高抗变色能力；在步骤二中，对预镀液原料进行水浴超声处理，可有效加强预镀液中原料混合均匀性和稳定性；在步骤三中，对复合镀液原料进行水浴超声处理，可有效加强复合镀液中原料混合均匀性和稳定性；在步骤四中，使用预镀液进行预镀处理，形成预镀层；在步骤五中，使用复合镀液进行超声-喷射电沉积处理，形成复合镀层，得到耐高温超薄半导体引线框架。
最后应说明的是：以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种耐高温超薄半导体引线框架，其特征在于：包括引线框架基体、预镀层、复合镀层，所述预镀层设于引线框架基体表面，所述复合镀层设于预镀层表面。
2.根据权利要求1所述的一种耐高温超薄半导体引线框架，其特征在于：所述预镀层的预镀液按照重量百分比计算包括：11～13％的六水硫酸镍、26～30％的一水合次磷酸钠、36～40％的二水合柠檬酸钠、26～30％的氯化铵，其余为去离子水；所述复合镀层的复合镀液按照重量百分比计算包括：23.6～24.6％的六水硫酸镍、2.6～3.6％的六水氯化镍、2.6～3.6％的二水钨酸钠、0.02～0.04％的硼酸、0.01～0.02％的十二烷基硫酸钠、0.01～0.03％的糖精钠、0.8～1.2％的纳米碳化硅、7.6～8.6％的氯化锌，其余去离子水。
3.根据权利要求2所述的一种耐高温超薄半导体引线框架，其特征在于：所述预镀层的预镀液按照重量百分比计算包括：11～13％的六水硫酸镍、26～30％的一水合次磷酸钠、36～40％的二水合柠檬酸钠、26～30％的氯化铵，其余为去离子水；所述复合镀层的复合镀液按照重量百分比计算包括：23.6～24.6％的六水硫酸镍、2.6～3.6％的六水氯化镍、2.6～3.6％的二水钨酸钠、0.02～0.04％的硼酸、0.01～0.02％的十二烷基硫酸钠、0.01～0.03％的糖精钠、0.8～1.2％的纳米碳化硅、7.6～8.6％的氯化锌，其余去离子水。
4.根据权利要求2所述的一种耐高温超薄半导体引线框架，其特征在于：所述预镀层的预镀液按照重量百分比计算包括：11～13％的六水硫酸镍、26～30％的一水合次磷酸钠、36～40％的二水合柠檬酸钠、26～30％的氯化铵，其余为去离子水；所述复合镀层的复合镀液按照重量百分比计算包括：23.6～24.6％的六水硫酸镍、2.6～3.6％的六水氯化镍、2.6～3.6％的二水钨酸钠、0.02～0.04％的硼酸、0.01～0.02％的十二烷基硫酸钠、0.01～0.03％的糖精钠、0.8～1.2％的纳米碳化硅、7.6～8.6％的氯化锌，其余去离子水。
5.根据权利要求2所述的一种耐高温超薄半导体引线框架，其特征在于：所述预镀层的预镀液按照重量百分比计算包括：11～13％的六水硫酸镍、26～30％的一水合次磷酸钠、36～40％的二水合柠檬酸钠、26～30％的氯化铵，其余为去离子水；所述复合镀层的复合镀液按照重量百分比计算包括：23.6～24.6％的六水硫酸镍、2.6～3.6％的六水氯化镍、2.6～3.6％的二水钨酸钠、0.02～0.04％的硼酸、0.01～0.02％的十二烷基硫酸钠、0.01～0.03％的糖精钠、0.8～1.2％的纳米碳化硅、7.6～8.6％的氯化锌，其余去离子水。
6.一种耐高温超薄半导体引线框架的制备方法，其特征在于：具体制备步骤如下：
步骤一：称取预镀液原料中的六水硫酸镍、一水合次磷酸钠、二水合柠檬酸钠、氯化铵、去离子水和复合镀液原料中的六水硫酸镍、六水氯化镍、二水钨酸钠、硼酸、十二烷基硫酸钠、糖精钠、纳米碳化硅、氯化锌、去离子水；
步骤二：将步骤一中预镀液原料中的六水硫酸镍、一水合次磷酸钠、二水合柠檬酸钠、氯化铵、去离子水进行共混，水浴超声处理20～30分钟，得到预镀液；
步骤三：将步骤一中的复合镀液原料中的六水硫酸镍、六水氯化镍、二水钨酸钠、硼酸、十二烷基硫酸钠、糖精钠、纳米碳化硅、氯化锌、去离子水进行共混，水浴超声处理20～30分钟，得到复合镀液；
步骤四：使用步骤二中的预镀液对引线框架基体进行预镀处理，在引线框架基体表面形成预镀层，得到预镀镍引线框架基体；
步骤五：使用步骤三中的复合镀液对步骤四中的预镀镍引线框架基体进行超声-喷射电沉积处理，在预镀镍引线框架基体的预镀层表面形成复合镀层，得到耐高温超薄半导体引线框架。
7.根据权利要求6所述的一种耐高温超薄半导体引线框架的制备方法，其特征在于：在步骤二中，水浴温度为40～50℃，超声频率为40～60KHz，超声功率为800～900W；在步骤三中，水浴温度为70～80℃，超声频率为60～80KHz，超声功率为1000～1200W；在步骤四中，以引线框架基体为阴极，以纯镍棒为阳极，预镀液温度为45～55℃，预镀时间为3～7min，阴极电流密度4.5～5.5A·dm-2；在步骤五中，超声-喷射电沉积占空比：35～45％、镀液pH＝4.0～5.0、镀液温度：45～55℃、沉积时间：40～50min、阴极电流密度：45～55A·dm-2、喷射速度：1.5～2.5m/s、超声波频率：30～40KHz、超声波功率：110～130W，以预镀镍引线框架基体为阴极，选用纯镍喷嘴为阳极。
8.根据权利要求7所述的一种耐高温超薄半导体引线框架的制备方法，其特征在于：在步骤二中，水浴温度为40℃，超声频率为40KHz，超声功率为800W；在步骤三中，水浴温度为70℃，超声频率为60KHz，超声功率为1000W；在步骤四中，以引线框架基体为阴极，以纯镍棒为阳极，预镀液温度为45℃，预镀时间为3min，阴极电流密度4.5A·dm-2；在步骤五中，超声-喷射电沉积占空比：35％、镀液pH＝4.0、镀液温度：55℃、沉积时间：50min、阴极电流密度：55A·dm-2、喷射速度：2.5m/s、超声波频率：40KHz、超声波功率：130W，以预镀镍引线框架基体为阴极，选用纯镍喷嘴为阳极。
9.根据权利要求7所述的一种耐高温超薄半导体引线框架的制备方法，其特征在于：在步骤二中，水浴温度为50℃，超声频率为60KHz，超声功率为900W；在步骤三中，水浴温度为80℃，超声频率为80KHz，超声功率为1200W；在步骤四中，以引线框架基体为阴极，以纯镍棒为阳极，预镀液温度为55℃，预镀时间为7min，阴极电流密度5.5A·dm-2；在步骤五中，超声-喷射电沉积占空比：45％、镀液pH＝5.0、镀液温度：55℃、沉积时间：50min、阴极电流密度：55A·dm-2、喷射速度：2.5m/s、超声波频率：40KHz、超声波功率：130W，以预镀镍引线框架基体为阴极，选用纯镍喷嘴为阳极。
10.根据权利要求7所述的一种耐高温超薄半导体引线框架的制备方法，其特征在于：在步骤二中，水浴温度为45℃，超声频率为50KHz，超声功率为850W；在步骤三中，水浴温度为75℃，超声频率为70KHz，超声功率为1100W；在步骤四中，以引线框架基体为阴极，以纯镍棒为阳极，预镀液温度为50℃，预镀时间为5min，阴极电流密度5.0A·dm-2；在步骤五中，超声-喷射电沉积占空比：40％、镀液pH＝4.5、镀液温度：50℃、沉积时间：45min、阴极电流密度：50A·dm-2、喷射速度：2.0m/s、超声波频率：35KHz、超声波功率：120W，以预镀镍引线框架基体为阴极，选用纯镍喷嘴为阳极。
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