CN1268790C - 电解镀铜法、电解镀铜的磷铜阳极和利用所述方法及阳极镀铜的半导体晶片 - Google Patents

电解镀铜法、电解镀铜的磷铜阳极和利用所述方法及阳极镀铜的半导体晶片 Download PDF

Info

Publication number
CN1268790C
CN1268790C CNB028102045A CN02810204A CN1268790C CN 1268790 C CN1268790 C CN 1268790C CN B028102045 A CNB028102045 A CN B028102045A CN 02810204 A CN02810204 A CN 02810204A CN 1268790 C CN1268790 C CN 1268790C
Authority
CN
China
Prior art keywords
copper
anode
phosphor
semiconductor wafer
electroplating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
CNB028102045A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1509351A (zh
Inventor
相场玲宏
冈部岳夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JX Nippon Mining and Metals Corp
Original Assignee
Nikko Materials Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikko Materials Co Ltd filed Critical Nikko Materials Co Ltd
Publication of CN1509351A publication Critical patent/CN1509351A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1268790C publication Critical patent/CN1268790C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
    • C25D7/12—Semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/10—Electrodes, e.g. composition, counter electrode
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D21/00—Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
    • C25D21/12—Process control or regulation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/38—Electroplating: Baths therefor from solutions of copper

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

本发明涉及一种使用磷铜阳极的电解镀铜法，其特征在于，所使用的磷铜阳极具有大小为1500μm至20000μm的晶体颗粒。一种利用电解铜对被电镀物体例如半导体晶片进行电镀的方法，同时防止在电镀液中的阳极一侧上产生的微粒附着到物体上；一种用于电解镀铜的磷铜阳极；以及利用这种方法和阳极电镀的具有低微粒附着的半导体晶片。

Description

电解镀铜法、电解镀铜的磷铜阳极和 利用所述方法及阳极镀铜的半导体晶片
技术领域
本发明涉及一种能够防止微粒附着在电镀目标尤其是半导体晶片上的电解镀铜方法，一种用于这种电解镀铜的磷铜阳极，以及利用前述方法和阳极电解镀铜的具有低微粒附着的半导体晶片。
背景技术
一般的说，虽然电解镀铜已被用于形成PWB(印刷线路板)等上的铜布线，但近几年来它正在用于形成半导体的铜布线。电解镀铜有很长的历史，并积累了许多技术改进后已达到现在的形式。然而，当使用这种电解镀铜来形成半导体的铜布线时，产生了一个在PWB中不存在的新问题。
通常，当进行电解镀铜时，磷铜被用作阳极。这是因为当使用由铂、钛或铱的氧化物等形成的不溶性阳极时，电解液中的添加剂将受阳极氧化的影响而分解，从而会产生低质电镀。而且，当使用电解铜或无氧铜的可溶性阳极时，大量微粒，如残渣，由溶解过程中一价铜的歧化反应而引起的金属铜或铜的氧化物而产生，由此而污染电镀目标。
另一方面，当使用磷铜阳极时，由于电解，由磷铜或铜的氯化物组成的黑膜形成在阳极表面，因而可能抑制由一价铜的歧化反应而引起的金属铜或铜的氧化物的产生并控制微粒的产生。
然而，甚至当使用磷铜作为上述阳极时，也不可能完全控制微粒的产生，因为金属铜或铜的氧化物会产生在黑膜脱落或黑膜很薄的地方。
如上所述，称为阳极罩的滤布通常用来包裹阳极以阻止微粒进入电解液。
然而，当使用这种方法时，尤其在电镀半导体晶片中，问题在于细小的微粒触及半导体晶片，例如微粒附着在半导体上，从而引起低质电镀，这种问题在形成PWB等的布线时不存在。
发明内容
本发明的一个目的是提供一种能够防止微粒附着在电镀目标尤其是半导体晶片上的电解镀铜方法，一种用于这种电解镀铜的磷铜阳极和利用前述方法和阳极镀铜的具有低微粒附着的半导体晶片。
为了实现前述目的，作为深入研究的结果，本发明人发现，通过改进电极材料，对具有低微粒附着的半导体晶片等可以稳定地进行电解镀铜。
根据前述发现，本发明提供：
1.使用磷铜阳极的电解镀铜法，其中使用具有晶体颗粒大小为1500μm(或更大)至20000μm的磷铜阳极；
2.根据以上条款1的电解镀铜法，其中磷铜阳极的磷含量为50至2000wtppm；以及
3.根据以上条款1的电解镀铜法，其中磷铜阳极的磷含量为100至1000wtppm。
本发明还包括：
4.用于进行电解镀铜的磷铜阳极，其中磷铜阳极的晶体颗粒大小为1500μm(或更大)至20000μm；
5.根据以上条款4的用于进行电解镀铜的磷铜阳极，其中磷铜阳极的磷含量为50至2000wtppm；
6.根据以上条款4的用于进行电解镀铜的磷铜阳极，其中磷铜阳极的磷含量为100至1000wtppm；
7.根据以上条款1至6中每一款的电解镀铜法和用于进行电解镀铜的磷铜阳极，其中在半导体晶片上进行电解镀铜；以及
8.一种利用根据以上条款1至7的每一款的电解镀铜法和用于电解镀铜的磷铜阳极镀铜的具有低微粒附着的半导体晶片。
附图说明
图1是根据本发明用于半导体晶片的电解镀铜法的设备的设计图。
具体实施方式
图1是说明用于半导体晶片的电解镀铜法的设备的一个例子的示图。该电镀铜设备包括一个盛有硫酸铜电镀液2的槽1。使用由磷铜阳极组成的阳极4作为阳极，例如作为阴极的半导体晶片用作电镀目标。
如上所述，当进行电解电镀中使用磷铜作为阳极时，由磷铜或铜的氯化物组成的黑膜在表面形成，这可产生这样的作用，即抑制生成微粒，例如在阳极分解过程中由一价铜的歧化反应而产生的由金属铜或铜的氧化物组成的残渣。
然而，黑膜的生成速度很大地受阳极电流密度、晶体颗粒大小、磷含量等的影响，而且电流密度越高、晶体颗粒大小越小、磷含量越高，前述生成速度就变得越快，结果显然是由此黑膜倾向于变得越厚。
反之，电流密度越低、晶体颗粒大小越大、磷含量越低，前述生成速度就变得越慢，结果黑膜变得越薄。
如上所述，虽然当黑膜太厚时，黑膜产生抑制微粒例如金属铜或铜的氧化物的生成的作用，但是黑膜会分离并剥落，主要的问题在于这种分离本身将导致微粒的产生。反之，当黑膜太薄时，问题在于抑制金属铜或铜的氧化物生成的作用将会变差。
因此，为了抑制从阳极生成微粒，非常重要的是分别优化电流密度、晶体颗粒大小和磷含量并形成具有适当厚度的稳定黑膜。
如上所述，本发明人以前提出了使用磷铜阳极的电解镀铜法，其中晶体颗粒大小被调整为10至1500μm(日本专利申请2001-323265号)。
这种方法对于抑制在电镀槽中的阳极一侧产生残渣的生成是很有效的。这里，受阳极的最大晶体颗粒大小为1500μm的限制，这是基于这样的前提：如果磷铜阳极的晶体颗粒大小超过这一值，则残渣倾向于增加。
然而，在充分观察了到电镀目标例如半导体晶片的微粒附着的情况后，甚至当阳极的晶体颗粒大小超过1500μm的限制时，不管在电镀槽中阳极一侧残渣增加到特定的程度，也已知未必增加微粒在电镀目标上的附着。
由于上述情况，本发明提出表示最优值的磷铜阳极。本发明的磷铜阳极使用晶体颗粒大小为1500μm(或更大)到20000μm的磷铜阳极。
当晶体颗粒大小超过20000μm时，因为已经证明电镀目标上的微粒附着倾向于增加，所以上限值设为20000μm。
而且，磷铜阳极的磷含量为50至2000wtppm，并优选为100至1000wtppm。
通过用本发明的磷铜阳极进行电解镀铜，可能防止微粒达到半导体晶片，附着在这种半导体晶片并引起低质电镀。
如上所述，不考虑在粗微粒直径一侧生成的残渣量很大，附着于半导体晶片上的微粒数量减少。原因被认为是因为残渣的成分在细小微粒直径一侧和粗微粒直径一侧变化并由此产生影响。
换句话说，在细小颗粒直径一侧产生的残渣经常为铜的氯化物和铜的磷化物，它们是黑膜的主要成分，而在粗微粒直径一侧产生的残渣的主要成分变为金属铜。
虽然铜的氯化物和铜的磷化物因为相对密度较轻而容易浮在电解槽中，但是由于金属铜的相对密度较重，所以它不常浮在槽中。于是，认为相反的现象发生，其中不考虑在粗微粒直径一侧产生的残渣量很大，附着在半导体晶片上的微粒减小。
如上所述，已知使用本发明具有粗微粒直径(1500μm(或更大)到20000μm)的磷铜阳极的电解镀铜特别在电镀半导体晶片方面是非常有效的。
使用这种磷铜阳极的电解镀铜作为一种减少由微粒引起的电镀缺陷部分的方法也是很有效的，甚至在其他领域提前进行稀释的电镀铜中。
如上所述，本发明的磷铜阳极产生显著减少由微粒附着而引起的电镀目标上的污染的作用，所产生的另一个作用是分解电镀槽中的添加剂，并且由此产生的低质电镀不会发生，该低质电镀通常发生在使用不溶性阳极时。
作为电镀液，可以使用的适当的量为：硫酸铜10至70g/L，硫酸10至300g/L，氯离子20至100mg/L，添加剂(CC-1220：1mL/L或类似量，由Nikko金属电镀制造)。而且，希望硫酸铜的纯度为99.9％或更高。
此外，希望电镀温度为15至35℃，阴极电流密度为0.5至10A/dm2，阳极电流密度为0.5至10A/dm2。虽然电镀条件的优选例如上所述，但不一定要求限制为前述例子的条件。
实施例和对比例
接下来将解释本发明的实施例。进一步的，这些实施例仅为说明性的，本发明决不会由此受限制。换句话说，本发明应该包括除了这些实施例的在本发明的技术要旨范围内的所有其他形式或修改。
(实施例1至3)
如表1所示，磷含量为500wtppm的磷铜被用作阳极，半导体晶片被用作阴极。这些磷铜阳极的晶体颗粒大小是1800μm、5000μm和18000μm。
作为电镀液，使用硫酸铜20g/L，硫酸200g/L，氯离子60mg/L，添加剂[光亮剂、表面活性剂](产品名称CC-1220：由Nikko金属电镀制造)1mL/L。电镀液中硫酸铜的纯度为99.99％。
电镀条件是电镀温度30℃，阴极电流密度3.0A/dm2，阳极电流密度3.0A/dm2和电镀时间120小时。
上述条件如表1所示。
电镀后，可以观察到微粒和镀层表面的生成。这些结果类似地如表1所示。关于微粒的数目，在前述电解条件下进行电解之后，半导体晶片被置换，电镀进行1分钟，用微粒计数器测量附着于半导体晶片(8英寸)上0.2μm或更大的微粒。
关于镀层表面，在前述电解条件下进行电解之后，半导体晶片被置换，电镀进行1分钟，视觉上可观察到灼伤、发白、溶胀、不正常的沉淀、外来物质附着等的出现。关于可嵌入性，用电子显微镜在它的横截面中可观察到经由长宽比为5(经由直径0.2μm)的半导体晶片的可嵌入性。
综上所述，实施例1至3中的微粒数目分别是非常小的3、4、7，并且镀层表面和可嵌入性也很理想。
表1
  实施例
  1   2   3
阳极   晶体颗粒直径(μm)   1800   5000   18000
  磷含量(ppm)   500   500   500
  电镀液   金属盐   硫酸铜：20g/L(铜)   硫酸铜：20g/L(铜)   硫酸铜：20g/L(铜)
  酸   硫酸：200g/L   硫酸：200g/L   硫酸：200g/L
  氯离子(ppm)   60   60   60
  添加剂   CC-1220：1mL/L(Nikko金属电镀)   CC-1220：1mL/L(Nikko金属电镀)   CC-1220：1mL/L(Nikko金属电镀)
  电解条件   槽温度(℃)   30   30   30
  阴极   半导体晶片   半导体晶片   半导体晶片
  阴极电流密度(A/dm2)   3.0   3.0   3.0
  阳极电流密度(A/dm2)   3.0   3.0   3.0
  时间(小时)   120   120   120
  评价结果   微粒数目   3   4   7
  镀层表面   理想   理想   理想
  可嵌入性   理想   理想   理想
关于微粒数目，在前述电解条件下进行电解之后，半导体晶片被置换，电镀进行1分钟，用微粒计数器测量附着于半导体晶片(8英寸)上0.2μm或更大的微粒。
关于镀层表面，在前述电解条件下进行电解之后，半导体晶片被置换，电镀进行1分钟，可观察到灼伤、发白、溶胀、不正常的沉淀等的出现。
关于可嵌入性，用电子显微镜在它的横截面中可观察到经由长宽比为5(经由直径0.2μm)的半导体晶片的可嵌入性。
(对比例1至3)
如表2所示，磷含量为500wtppm的磷铜被用作阳极，半导体晶片被用作阴极。这些磷铜阳极的晶体颗粒大小是3μm、800μm和30000μm。
作为电镀液，类似于实施例1至3，使用硫酸铜20g/L(铜)，硫酸200g/L，氯离子60mg/L，添加剂[光亮剂、表面活性剂](产品名称CC-1220：由Nikko金属电镀制造)1mL/L。电镀液中硫酸铜的纯度为99.99％。
类似于实施例1至3，电镀条件是电镀温度30℃，阴极电流密度3.0A/dm2，阳极电流密度3.0A/dm2和电镀时间120小时。上述条件如表2所示。
电镀后，可以观察到微粒和镀层表面的生成。这些结果如表2所示。微粒数目、镀层表面和可嵌入性也如实施例1至3被评价。
综上所述，虽然在对比例1至3中镀层表面和可嵌入性是理想的，但是微粒数目分别为256、29和97，该微粒数目显示了到半导体晶片的很显著附着并且结果是低质的。
表2
  对比例
  1   2   3
阳极   晶体颗粒直径(μm)   3   800   30000
  磷含量(ppm)   500   500   500
  电镀液   金属盐   硫酸铜：20g/L(铜)   硫酸铜：20g/L(铜)   硫酸铜：20g/L(铜)
  酸   硫酸：200g/L   硫酸：200g/L   硫酸：200g/L
  氯离子(ppm)   60   60   60
  添加剂   CC-1220：1mL/L(Nikko金属电镀)   CC-1220：1mL/L(Nikko金属电镀)   CC-1220：1mL/L(Nikko金属电镀)
  电解条件   槽温度(℃)   30   30   30
  阴极   半导体晶片   半导体晶片   半导体晶片
  阴极电流密度(A/dm2)   3.0   3.0   3.0
  阳极电流密度(A/dm2)   3.0   3.0   3.0
  时间(小时)   120   120   120
  评价结果   微粒数目   256   29   97
  镀层表面   理想   理想   理想
  可嵌入性   理想   理想   理想
关于微粒数目，在前述电解条件下进行电解之后，半导体晶片被置换，电镀进行1分钟，用微粒计数器测量附着于半导体晶片(8英寸)上0.2μm或更大的微粒。
关于镀层表面，在前述电解条件下进行电解之后，半导体晶片被置换，电镀进行1分钟，可观察到灼伤、发白、溶胀、不正常的沉淀等的出现。
关于可嵌入性，用电子显微镜在它的横截面中可观察到经由长宽比为5(经由直径0.2μm)的半导体晶片的可嵌入性。
本发明产生优越的作用，在于当进行电解镀铜时，能够对具有低微粒附着的半导体晶片的类似物稳定地进行这种电解镀铜。使用前述磷铜阳极的本发明的电解镀铜，作为一种减少由微粒引起的电镀缺陷部分的方法也是很有效的，甚至在其他领域提前进行稀释的电镀铜中。
而且，本发明的磷铜阳极产生显著减少微粒附着和电镀目标上的污染的作用，所产生的另一个作用是分解电镀槽中的添加剂，并且由此产生的低质电镀不会发生，该低质电镀通常发生在使用不溶性阳极时。

Claims (8)

1.一种使用磷铜阳极的电解镀铜法，其中使用具有晶体颗粒大小为超过1500μm，且在20000μm以下的磷铜阳极。
2.根据权利要求1的电解镀铜法，其中磷铜阳极的磷含量为50至2000wtppm。
3.根据权利要求1的电解镀铜法，其中磷铜阳极的磷含量为100至1000wtppm。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的电解镀铜法，其中在半导体晶片上进行电解镀铜。
5.一种用于进行电解镀铜的磷铜阳极，其中所述磷铜阳极的晶体颗粒大小为超过1500μm，且在20000μm以下。
6.根据权利要求5的用于进行电解镀铜的磷铜阳极，其中磷铜阳极的磷含量为50至2000wtppm。
7.根据权利要求5的用于进行电解镀铜的磷铜阳极，其中磷铜阳极的磷含量为100至1000wtppm。
8.根据权利要求5至7中任一项所述的用于进行电解镀铜的磷铜阳极，其中在半导体晶片上进行电解镀铜。
CNB028102045A 2002-03-18 2002-11-28 电解镀铜法、电解镀铜的磷铜阳极和利用所述方法及阳极镀铜的半导体晶片 Expired - Lifetime CN1268790C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP74659/2002 2002-03-18
JP2002074659A JP4034095B2 (ja) 2002-03-18 2002-03-18 電気銅めっき方法及び電気銅めっき用含リン銅アノード

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1509351A CN1509351A (zh) 2004-06-30
CN1268790C true CN1268790C (zh) 2006-08-09

Family

ID=28035319

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB028102045A Expired - Lifetime CN1268790C (zh) 2002-03-18 2002-11-28 电解镀铜法、电解镀铜的磷铜阳极和利用所述方法及阳极镀铜的半导体晶片

Country Status (7)

Country Link
US (2) US7374651B2 (zh)
EP (1) EP1489203A4 (zh)
JP (1) JP4034095B2 (zh)
KR (1) KR100682270B1 (zh)
CN (1) CN1268790C (zh)
TW (1) TWI227753B (zh)
WO (1) WO2003078698A1 (zh)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2450474A1 (en) * 2001-08-01 2012-05-09 JX Nippon Mining & Metals Corporation High purity nickel, sputtering target comprising the high purity nickel, and thin film formed by using said sputtering target
JP4076751B2 (ja) * 2001-10-22 2008-04-16 日鉱金属株式会社 電気銅めっき方法、電気銅めっき用含リン銅アノード及びこれらを用いてめっきされたパーティクル付着の少ない半導体ウエハ
JP4011336B2 (ja) * 2001-12-07 2007-11-21 日鉱金属株式会社 電気銅めっき方法、電気銅めっき用純銅アノード及びこれらを用いてめっきされたパーティクル付着の少ない半導体ウエハ
US7887603B2 (en) * 2002-09-05 2011-02-15 Jx Nippon Mining & Metals Corporation High purity copper sulfate and method for production thereof
US6982030B2 (en) * 2002-11-27 2006-01-03 Technic, Inc. Reduction of surface oxidation during electroplating
WO2006113816A2 (en) * 2005-04-20 2006-10-26 Technic, Inc. Underlayer for reducing surface oxidation of plated deposits
JP5119582B2 (ja) 2005-09-16 2013-01-16 住友電気工業株式会社 超電導線材の製造方法および超電導機器
JP2007262456A (ja) * 2006-03-27 2007-10-11 Hitachi Cable Ltd 銅めっきの陽電極用銅ボール、めっき装置、銅めっき方法、及びプリント基板の製造方法
WO2009057422A1 (ja) * 2007-11-01 2009-05-07 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. 銅アノード又は含燐銅アノード、半導体ウエハへの電気銅めっき方法及びパーティクル付着の少ない半導体ウエハ
CN102485924B (zh) * 2010-12-06 2013-12-11 有研亿金新材料股份有限公司 一种集成电路用磷铜阳极的制备方法
JP5590328B2 (ja) * 2011-01-14 2014-09-17 三菱マテリアル株式会社 電気銅めっき用含リン銅アノードおよびそれを用いた電解銅めっき方法
JP5626582B2 (ja) * 2011-01-21 2014-11-19 三菱マテリアル株式会社 電気銅めっき用含リン銅アノードおよびそれを用いた電気銅めっき方法
CN105586630A (zh) * 2015-12-23 2016-05-18 南通富士通微电子股份有限公司 半导体封装中提升铜磷阳极黑膜品质的方法
CN107641821B (zh) * 2017-09-14 2019-06-07 上海新阳半导体材料股份有限公司 一种硫酸铜电镀液、其制备方法和应用及电解槽

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2264287A (en) * 1939-01-18 1941-12-02 American Smelting Refining Metallurgical product and method of making same
US2923671A (en) * 1957-03-19 1960-02-02 American Metal Climax Inc Copper electrodeposition process and anode for use in same
US3708417A (en) * 1970-11-18 1973-01-02 Lavin R & Sons Inc Method of making a cast anode with hook
US4315538A (en) * 1980-03-31 1982-02-16 Nielsen Thomas D Method and apparatus to effect a fine grain size in continuous cast metals
US5151871A (en) * 1989-06-16 1992-09-29 Tokyo Electron Limited Method for heat-processing semiconductor device and apparatus for the same
US6113771A (en) * 1998-04-21 2000-09-05 Applied Materials, Inc. Electro deposition chemistry
JP3303778B2 (ja) 1998-06-16 2002-07-22 三菱マテリアル株式会社 ０．２％耐力および疲労強度の優れた熱交換器用継目無銅合金管
JP3053016B2 (ja) * 1998-10-15 2000-06-19 日本電気株式会社 銅のメッキ装置及びメッキ方法
JP2001069848A (ja) 1999-09-06 2001-03-21 Seirei Ind Co Ltd 穀粒収穫機における排塵ダクト付穀粒タンク
US6632335B2 (en) * 1999-12-24 2003-10-14 Ebara Corporation Plating apparatus
JP4394234B2 (ja) * 2000-01-20 2010-01-06 日鉱金属株式会社 銅電気めっき液及び銅電気めっき方法
US6527920B1 (en) 2000-05-10 2003-03-04 Novellus Systems, Inc. Copper electroplating apparatus
US6821407B1 (en) * 2000-05-10 2004-11-23 Novellus Systems, Inc. Anode and anode chamber for copper electroplating
JP2001323265A (ja) 2000-05-12 2001-11-22 Jiro Fujimasu 粘性土等の安定固化組成物
US6689257B2 (en) * 2000-05-26 2004-02-10 Ebara Corporation Substrate processing apparatus and substrate plating apparatus
US6531039B2 (en) * 2001-02-21 2003-03-11 Nikko Materials Usa, Inc. Anode for plating a semiconductor wafer
JP4076751B2 (ja) * 2001-10-22 2008-04-16 日鉱金属株式会社 電気銅めっき方法、電気銅めっき用含リン銅アノード及びこれらを用いてめっきされたパーティクル付着の少ない半導体ウエハ
JP4011336B2 (ja) * 2001-12-07 2007-11-21 日鉱金属株式会社 電気銅めっき方法、電気銅めっき用純銅アノード及びこれらを用いてめっきされたパーティクル付着の少ない半導体ウエハ
US6830673B2 (en) * 2002-01-04 2004-12-14 Applied Materials, Inc. Anode assembly and method of reducing sludge formation during electroplating
US20030188975A1 (en) * 2002-04-05 2003-10-09 Nielsen Thomas D. Copper anode for semiconductor interconnects

Also Published As

Publication number Publication date
JP2003268595A (ja) 2003-09-25
KR100682270B1 (ko) 2007-02-15
KR20040093133A (ko) 2004-11-04
US20080210568A1 (en) 2008-09-04
US7374651B2 (en) 2008-05-20
CN1509351A (zh) 2004-06-30
US20040149588A1 (en) 2004-08-05
TW200304504A (en) 2003-10-01
EP1489203A1 (en) 2004-12-22
JP4034095B2 (ja) 2008-01-16
US8252157B2 (en) 2012-08-28
WO2003078698A1 (fr) 2003-09-25
EP1489203A4 (en) 2006-04-05
TWI227753B (en) 2005-02-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1268790C (zh) 电解镀铜法、电解镀铜的磷铜阳极和利用所述方法及阳极镀铜的半导体晶片
CN100343423C (zh) 电镀铜方法、用于电镀铜的含磷铜阳极、及用该方法和阳极电镀的粒子附着少的半导体晶片
CN1273648C (zh) 电镀铜方法、电镀铜用纯铜阳极以及由此得到的半导体晶片
CN1633519A (zh) 含有机酸配位剂的电镀溶液
CN1263570A (zh) 高质量型面很矮的铜箔制造工艺及由其制成的铜箔
US8216438B2 (en) Copper anode or phosphorous-containing copper anode, method of electroplating copper on semiconductor wafer, and semiconductor wafer with low particle adhesion
CN1057495A (zh) 稀土永磁体电镀镍溶液
JP4607165B2 (ja) 電気銅めっき方法
JP2005163096A (ja) 電解銅粉及びその製造方法
JP5234844B2 (ja) 電気銅めっき方法、電気銅めっき用含リン銅アノード及びこれらを用いてめっきされたパーティクル付着の少ない半導体ウエハ
JP5179549B2 (ja) 電気銅めっき方法
CN1257942A (zh) 免维护光亮电镀锡及铅锡合金电镀液

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C56 Change in the name or address of the patentee

Owner name: NIPPON MINING AND METALS CO., LTD.

Free format text: FORMER NAME OR ADDRESS: NIKKO MATERIALS CO. LTD

CP03 Change of name, title or address

Address after: Tokyo, Japan

Patentee after: Nippon Mining & Metals Co.,Ltd.

Address before: Tokyo, Japan

Patentee before: NIKKO MATERIALS Co.,Ltd.

C56 Change in the name or address of the patentee

Owner name: JX NIPPON MINING + METALS CORPORATION

Free format text: FORMER NAME: NIPPON MINING + METALS CO., LTD.

CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: Tokyo, Japan

Patentee after: JX Nippon Mining & Metals Corp.

Address before: Tokyo, Japan

Patentee before: Nippon Mining & Metals Co.,Ltd.

CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: Tokyo, Japan

Patentee after: JX NIPPON MINING & METALS Corp.

Address before: Tokyo, Japan

Patentee before: JX Nippon Mining & Metals Corp.

CP01 Change in the name or title of a patent holder
CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20060809

CX01 Expiry of patent term