CN1658332A - 导电糊和陶瓷电子元器件 - Google Patents

导电糊和陶瓷电子元器件 Download PDF

Info

Publication number
CN1658332A
CN1658332A CN2005100093789A CN200510009378A CN1658332A CN 1658332 A CN1658332 A CN 1658332A CN 2005100093789 A CN2005100093789 A CN 2005100093789A CN 200510009378 A CN200510009378 A CN 200510009378A CN 1658332 A CN1658332 A CN 1658332A
Authority
CN
China
Prior art keywords
outer conductor
coating
electronic component
ceramic electronic
conductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2005100093789A
Other languages
English (en)
Other versions
CN100358054C (zh
Inventor
三木武
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Publication of CN1658332A publication Critical patent/CN1658332A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100358054C publication Critical patent/CN100358054C/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/228—Terminals
    • H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
    • H01G4/2325—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor characterised by the material of the terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/14—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material
    • H01B1/16—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material the conductive material comprising metals or alloys

Abstract

导电糊包含导电粉末、玻璃粉末和有机载体。玻璃粉末包含按重量计约10％至31％的B2O3、约65％至86％的SiO2和大于约0.5％至小于约5％的M2O，其中M表示碱金属元素。陶瓷电子元器件包括陶瓷元件和安置在该组成元件上的外导体。外导体包含含按重量计约10％至31％的B2O3、约65％至86％的SiO2和大于约0.5％至小于约5％的M2O的玻璃成分，其中M表示碱金属元素。

Description

导电糊和陶瓷电子元器件
技术领域
本发明涉及导电糊和陶瓷电子元器件。本发明特别涉及一种用于制备陶瓷电子元器件的外导体的导电糊，并且还涉及一种陶瓷电子元器件例如单片陶瓷电容器。
背景技术
一般而言，通过这样一种程序来制备陶瓷电子元器件例如单片陶瓷电容器，在该程序中，在陶瓷元件的两端上涂布用于形成外导体的导电糊，干燥得到的陶瓷元件，然后烧成。为了改善焊料的可湿性和焊接的耐热性，用金属涂层例如Ni涂层、Sn涂层或焊料涂层涂布外导体。
导电糊的实例包括含有下列的分散液：有机载体；分散其中的导电粉末例如Ag粉末、Ag-Pd粉末或Cu粉末；和分散在其中的玻璃粉末(玻璃粉)。已知的包含硼硅酸锌的玻璃粉末公开于例如日本未审查专利申请公开59-184511和6-349313中。
因为硼硅酸锌玻璃通常具有低的软化点，所以在烧成期间玻璃熔化和流动。因此，存在这样一个问题，即熔融玻璃延伸至外导体的表面，覆盖电极表面，这导致外导体的可镀性的恶化。可镀性的恶化导致不良的焊料可湿性和焊接耐热性。
因为熔融玻璃从外导体泄漏出来流入陶瓷元件和外导体之间的界面，外导体变得多孔。因此，还存在这样一个问题，即电镀溶液在电镀期间渗透到外导体，这导致陶瓷元件和外导体之间粘合力降低。此外，存在这样一个问题，即当电镀溶液在外导体中存在时，在电镀溶液中包含的水在元器件安置期间向其施加的热量而蒸发和膨胀，迅速地出现，以致于在外导体中产生“爆炸”，影响了它们的完整性。软化点低的硼硅酸锌玻璃可溶于电镀溶液中，这促进了电镀溶液的渗透。
发明内容
发明概述
本发明是就上面所述问题而进行的。本发明的一个目的是提供一种用于形成具有优良可镀性和高密度的导体的导电糊和包含这种导体的陶瓷电子元器件。
本发明人为了达到上述目的而进行了深入细致的研究，然后发现由包含具有特定组成的硼硅酸锌玻璃粉末的导电糊制成的外导体，提供了具有优良可镀性和高密度的陶瓷电子元器件导体。
本发明是在上述发现的基础上进行的。本发明的导电糊包含导电粉末、玻璃粉末和有机载体。玻璃粉末包含按重量计约10％至31％的B2O3、约65％至86％的SiO2和大于约0.5％至小于约5％的M2O，其中M表示碱金属元素。
在导电糊中，优选导电粉末包含平均颗粒大小为约0.5至1.0μm的球型颗粒和平均颗粒大小为约1.5至5.0μm的扁平颗粒和纵横比为约5∶1至70∶1的扁平颗粒，所述纵横比被定义为最大直径与平均厚度的比率，优选球型颗粒的量与扁平颗粒的量的比率按重量计为约1∶4至4∶1。
在导电糊中，优选导电粉末包含选自Ag、Pd、Ag-Pd合金和Au中的至少一种。
本发明的陶瓷电子元器件包括陶瓷元件和安置在该构成元件上的外导体。外导体包括包含含按重量计约10％至31％的B2O3、约65％至86％的SiO2和大于约0.5％至小于约5％的M2O的玻璃成分，其中M表示碱金属元素。
在陶瓷元件中，优选外导体包含选自Ag，Pd，Ag-Pd合金和Au的至少一种。
优选陶瓷元件还包括安置在陶瓷元件中、与外导体电子连接的内导体。
优选内导体包含Ag和Pd中的至少一种。
优选陶瓷元件还包括安置在外导体的金属涂层。
优选金属涂层包括安置在外导体上的Ni亚涂层(sub-coating)和安置在Ni亚涂层上的Sn亚涂层。
本发明的导电糊包含具有特定组成和适度高软化点的碱性硼硅酸盐玻璃。因此，在烧成期间，玻璃几乎不熔化延伸至导体的表面；因此，使用所述的导电糊可以形成具有优良可镀性、高焊料可湿性和高耐热性的导体。
所述的导体在其中几乎没有小孔，因而致密。因此，可以防止下面的问题：导体的电镀溶液的渗透；导体对涂布构件例如陶瓷元件粘合力降低；和在元器件安置期间导体中的“爆炸”。
因为导电粉末包含按照预定比例混和的球型颗粒和扁平颗粒，所以导体与涂布构件的粘合力高；因而，可以使在导体中发生的任何“爆炸”的影响最小化。
本发明中的陶瓷电子元器件包括包含含具有特定组成的碱性硼硅酸盐的外导体，因此具有优良的可镀性、焊料可湿性和耐热性。因为外导体致密，所以外导体安全地连接到陶瓷元件和防止在元器件安置期间导体中发生“爆炸”。
虽然内导体安置在陶瓷元件中，因为电镀溶液不能通过外导体，所以可以防止电镀溶液进入陶瓷元件和内导体之间的界面，因此可以防止内导体与陶瓷元件的分离，即可以防止它们之间的分层。
附图说明
图1表示作为根据本发明的陶瓷电子元器件的一个实例的单片陶瓷电容器的剖面示意图。
优选实施方案描述
现在详细描述本发明的实施方案。
根据本发明的导电糊包含电粉末、由碱性硼硅酸盐玻璃制成的玻璃粉末和有机载体。
导电粉末可以包含选自Ag，Pd，Ag-Pd合金和Au的至少一种。
导电粉末包含平均颗粒大小为约0.5至1.0μm的球型颗粒和平均颗粒大小为约1.5至5.0μm且纵横比为约5∶1至70∶1的扁平颗粒，所述的纵横比被定义为最大直径与平均厚度的比率。优选球型颗粒的量与扁平颗粒的量的比率按重量计为约1∶4至4∶1。
当球型颗粒的平均颗粒直径小于约0.5μm或扁平颗粒的平均颗粒直径小于约1.5μm时，由导电粉末制成的导体在某些情况下遭受了裂纹，因为导电粉末被快速烧结，这导致可镀性恶化。此外，电镀溶液可以渗透导体，因为导体的致密性由于裂纹而恶化，这导致由于加热而在导体中的“爆炸”。相反，当球型颗粒的平均颗粒直径大于约1.0μm或扁平颗粒的平均颗粒直径大于约5.0μm时，导体的致密性在某些情况下恶化，因为导电粉末不能被充分地烧结，这也可以引起导体中的“爆炸”。
当扁平颗粒的纵横比小于约5∶1时，扁平颗粒的最大直径过小。因此，导体在某些情况下遭受裂纹，因为导电粉末被快速烧结，这导致可镀性的恶化。此外，电镀溶液渗透导体，因为导体的致密性由于裂纹而恶化，这可以引起导体中的“爆炸”。相反，当扁平颗粒的纵横比大于约70∶1时，扁平颗粒的最大直径过大。因此，导体的致密性在某些情况下恶化，因为导电粉末不能被充分地烧结，这可以引起导体中的“爆炸”。
当球型颗粒与扁平颗粒的比率按重量计小于1∶4时，扁平颗粒的含量过高。因此，导体的致密性在某些情况下恶化，因为导电粉末不能被充分烧结，这可以引起导体中的“爆炸”。相反，当球型颗粒的量与扁平颗粒的量的比率按重量计大于约4∶1时，导体在某些情况下遭受裂纹，因为导电粉末被快速烧结，这导致可镀性恶化。此外，电镀溶液渗透导体，因为导体的致密性由于裂纹而恶化，这可以引起导体中的“爆炸”。
玻璃粉末包含含按重量计约10％至31％的B2O3、约65％至86％的SiO2和大于约0.5％至小于约5％的M2O的碱性硼硅酸性玻璃，其中M表示碱金属元素例如K、Li或Na。
当B2O3的含量低于约10重量％时，在某些情况下在导体中发生“爆炸”，因为导体与陶瓷元件的粘合力低，所述的陶瓷元件可以称为涂布构件。相反，当B2O3的含量大于约31重量％时，导体与陶瓷元件的粘合力低，因为导体的可镀性差，这在某些情况下引起导体中的“爆炸”。
当SiO2的含量低于约65重量％时，导体与陶瓷元件的粘合力低，因为导体的可镀性差，这在某些情况下引起导体中的“爆炸”。相反，当SiO2的含量高于约86重量％时，导体与陶瓷元件的粘合力低，这在某些情况下引起导体中的“爆炸”。
当M2O的含量为约0.5重量％或更低时，导体与陶瓷元件的粘合力低，因为导体的可镀性差，这在某些情况下引起导体中的“爆炸”。相反，当M2O的含量高于为约0.5重量％或更多时，导体与陶瓷元件的粘合力低，因为导体的可镀性差，这在某些情况下引起导体中的“爆炸”。
有机载体包括有机粘合剂和溶剂。有机粘合剂的实例包括乙基纤维素、聚乙烯醇缩丁醛、丙烯酸类树脂和甲基丙烯酸类树脂。溶剂包括萜品醇、二甘醇一丁醚、二甘醇一丁醚乙酸酯和醇类。
优选导电糊包含按重量计约66％至78％导电粉末、约2％至8％的玻璃粉末和约18％至30％的有机载体。
当导电粉末含量低于约66重量％时，导电糊具有非常低的粘度，因此在某些情况下不容易处理。相反，当导电粉末含量高于约78重量％时，导电糊具有非常高的粘度，因此在某些情况下不容易处理。
当玻璃粉末低于约2重量％时，导体与陶瓷元件的粘合力在某些情况下低。相反，当玻璃粉末高于约8重量％时，导体在某些情况下具有不良的可镀性。
当有机载体含量低于约18重量％时，导电糊具有非常高的粘度，因此在某些情况下不容易处理。相反，当导电粉末含量高于约30重量％时，导电糊具有非常低的粘度，因此在某些情况下不容易处理。
通过例如下面的程序制备本发明的导电糊。在约1,000℃至1,600℃的温度下，熔化玻璃粉末的原料预定的时间，并且将熔融混合物倾倒入纯水中，因此冷却混合物。用球磨机或另外的磨机湿磨得到的混合物，然后干燥，因此制备玻璃粉末。用三辊滚轧机混和导电粉末、玻璃粉末和有机载体，因此制备导电糊。
现在使用单片陶瓷电容器作为实例，来描述根据本发明的陶瓷电子元器件。图1所示为根据本发明的一个实施方案的单片陶瓷电容器的剖面示意图。
单片陶瓷电容器包括陶瓷元件1、安置在陶瓷元件1中的第一内导体2a、2c和2e，安置在陶瓷元件1中的第二内导体2b、2d和2f，安置在陶瓷元件1的一端上的第一外导体3a，安置在其另一端上的第二外导体3b，安置在第一外导体3a上的第一下金属涂层4a，安置在第二外导体3b上的第二下金属涂层4b，安置在第一下金属涂层4a上的第一上金属涂层5a和安置在第一上金属涂层4a上的第二上金属涂层5b。
第一内导体2a、2c和2e与第一外导体3a电连接和第二内导体2b、2d和2f与第二外导体3b电连接。第一内导体2a、2c和2e和第二内导体2b、2d和2f被交替地安置在陶瓷元件1中，且第一内导体2a、2c和2e和第二内导体2b、2d和2f之间的部分具有电容。
第一内导体2a、2c和2e和第二内导体2b、2d和2f可以包含Ni和Cu中的至少一种或Ag和Pd中的至少一种。优选Ag和Pd，因为它们很难被氧化。第一和第二外导体3a和3b包含Ag、Pd、Ag-Pd合金和Au中的至少一种。第一和第二下金属涂层4a和4b可以包含Ni或Cu。第一和第二上金属涂层5a和5b可以包含焊料或Sn。
第一和第二外导体3a和3b包含玻璃成分，其包含按重量计约10％至31％的B2O3、约65％至86％的SiO2和大于约0.5％至小于约5％的M2O，其中M表示碱金属元素。可以通过烧成例如上述的本发明导电糊来制备第一和第二外导体3a和3b。
可以通过例如下面的程序来制备单片陶瓷电容器。
制备主要包含电介质化合物如钛酸钡的陶瓷生片(green sheet)。制备用于形成内导体的包含贵重金属例如Ag或Pd的普通导电糊，然后通过丝网印刷方法涂布到一些生片上，因此在生片上形成预定的电极图案。
层叠多个具有电极图案的生片，然后夹在无电极图案的生片之间。将得到的生片加压成为生陶瓷坯块，然后切割成片，由此制备具有预定尺寸的生陶瓷片。
将每个生陶瓷片加热至约500℃，因此从其中除存在的粘合剂。在空气中，在1,000℃至1,500℃的温度，烧成得到的陶瓷片预定长的时间，因此得到包括第一内导体2a、2c和2e和包括第二内导体2b、2d和2f的陶瓷元件1。
将本发明的导电糊涂布到陶瓷元件1的两端，将其干燥，在空气中、在800℃至900℃的温度下，烧成预定长的时间，由此在其两端分别形成第一和第二外导体3a和3b。
通过电镀方法，在第一和第二外导体3a和3b上分别形成第一和第二下金属涂层4a和4b。然后，在第一和第二下金属涂层4a和4b上分别形成第一和第二上金属涂层5a和5b，由此得到单片陶瓷电容器。
虽然，在上述实施方案中，将单片陶瓷电容器作为陶瓷电子元器件的一个实例描述，但是可以使用本发明的导电糊制备其他陶瓷电子元器件例如单片感应器。
现在详细描述本发明的实施例。
具体实施方式
实验1
为了得到表1所示的组成，称重用于制备玻璃的下列化合物：B2O3、SiO2和M2O(K2O、Li2O或Na2O)。将这些化合物送入铂坩锅中，然后在1,000℃至1,600℃的温度下加热60分钟，因此这些化合物熔化成为玻璃。从坩锅中将熔融玻璃倒入纯水中。用球磨机湿磨得到的玻璃，然后干燥，由此制备平均颗粒大小为0.5至2.0μm的玻璃粉末。根据这个程序，制备实施例1至8和比较例1至4中使用的多种类型的玻璃粉末。
用差热分析系统测量这些类型的玻璃粉末的软化点。X-射线衍射分析表明：这些类型的玻璃粉末是无定性的。
表1所示为在实施例和比较例中使用的玻璃粉末的组成和软化点。
表1
                       组成(重量百分比)     软化点(℃)
    B2O3     SiO2     K2O   Li2O   Na2O
实施例1     31.0     65.0     4.0   -   -     710
实施例2     27.0     70.0     3.0   -   -     740
实施例3 18.0 80.0 2.0 - - 780
实施例4     10.0     86.0     4.0   -   -     818
实施例5     29.4     70.0     0.6   -   -     743
实施例6     26.7     68.5     4.8   -   -     735
实施例7     27.0     70.0     -   3.0   -     756
实施例8     27.0     70.0     -   -   3.0     748
比较例1     9.0     88.0     3.0   -   -     865
比较例2     32.0     64.0     4.0   -   -     645
比较例3     20.0     75.0     5.0   -   -     666
比较例4     17.5     82.0     0.5   -   -     875
制备含下列组分的混合物：按重量计，35.5％的平均颗粒大小为0.7μm的球型Ag粉末，35.5％的平均颗粒大小为3.5μm且纵横比为30∶1的扁平Ag粉末和5.0％的上述玻璃粉末中的一种和24.0％的有机载体。用三辊滚轧机捏和混合物，因此制备用于形成外电极的导电糊。有机载体包含乙基纤维素和萜品醇。在有机载体中的乙基纤维素的含量为20重量％。
制备主要包含钛酸钡的陶瓷生片。通过丝网印刷方法将主要包含Ag的普通导电糊涂布到一些生片上，因此在生片上形成用于形成内电极的电极图案。层叠多个具有电极图案的生片，然后夹在无电极图案的生片之间。将得到的生片加压成为生陶瓷坯块，然后切割成片，因此制备生陶瓷片。将每种生陶瓷片加热至约500℃，由此从其中去除存在的粘合剂。在空气中，在1,000℃至1,500℃的温度下烧成得到的陶瓷片，因此得到陶瓷元件。
通过浸渍方法，将根据上面所述制备的导电糊涂布到陶瓷元件的两端。干燥得到的陶瓷元件，然后在空气中，在850℃的温度下烧成20分钟，由此在其两端分别形成外导体。
通过电镀方法，在相应的外导体上分别形成Ni涂层和在相应的Ni涂层上分别形成Sn涂层。根据这种程序，制备长度为1.0mm、宽度为0.5mm和厚度为0.5mm的单片陶瓷电容器。使用单片陶瓷电容器作为实施例1至7和比较例1至4的样品。
测量这些样品的外导体的涂层厚度和粘合强度。此外，检查这些样品以确定焊料是否具有产生焊锡珠外观，因此评估外导体是否在其中发生了“爆炸”。
如下测量涂层厚度：用X线厚度量规测量每个实施例或比较例中的5个样品的涂层厚度，将得到的数据平均。
如下测量粘合强度：对于每个实施例或比较例中的10个样品，焊接引线至外导体，测量得到的外导体的抗张强度，将得到的数据平均。
如下测量焊料是否产生焊锡珠：对于每个实施例或比较例中的1,000个样品，将包含低共溶Sn-Pb合金的焊料膏涂布到外导体上，得到的外导体通过软熔(reflow)炉两次，然后对有焊锡珠(solder splashes)的样品数量进行计数。
对于实施例和比较例的样品，表2所示为涂层厚度、粘合强度和有焊锡珠的样品数量。
表2
        涂层厚度(μm)   粘合强度(N)  有焊锡珠的样品数量
    Ni涂层     Sn涂层
实施例1 2.05 3.82 13 0
实施例2 2.11 3.89 14 0
实施例3     2.24     3.77     14     0
实施例4     2.08     3.91     10     0
实施例5     2.16     3.88     13     0
实施例6     2.26     3.79     12     0
实施例7     2.19     3.96     13     0
实施例8     2.07     3.97     12     0
比较例1     2.07     3.77     2     150
比较例2     0.84     1.22     3     135
比较例3     0.95     1.35     2     153
比较例4     2.18     3.87     2     168
从表2中清楚地看出，对于比较例1的样品，外导体的粘合强度为2N和1,000个样品中的150个有焊锡珠，因为在玻璃粉末中B2O3含量为9.0重量％和SiO2含量为88重量％，即，B2O含量过分低和SiO2含量过分高。
对于比较例2的样品，Ni涂层的厚度为0.84μm，Sn涂层的厚度为1.22μm，外导体的粘合强度为3N，和1,000个中有135个有焊锡珠。这是因为在玻璃粉末中B2O3含量为32.0重量％，SiO2含量为64重量％，即，B2O含量过高和SiO2含量过低。
对于比较例3的样品，Ni涂层的厚度为0.95μm，Sn涂层的厚度为1.35μm，外导体的粘合强度为2N，和1,000个中有153个有焊锡珠。这是因为在玻璃粉末中K2O含量为5.0重量％，即K2O含量过高。
对于比较例4的样品，外导体的粘合强度为2N，和1,000个中有168个有焊锡珠，因为在玻璃粉末中K2O含量为0.5重量％，即K2O含量过低。
相反，对于实施例1至8的样品，Ni涂层的厚度为2.07至2.26μm，Sn涂层的厚度为3.77至3.97μm，和外导体具有较好的可镀性、高耐热性和优良的焊料可湿性。此外，外导体的粘合强度为10至14N，即，外导体具有优良的粘合强度。外导体还具有高的致密性并且没有焊锡珠，即防止在外导体中出现“爆炸”。
实验2
制备多种用作导电粉末的Ag粉末，以便具有表3所示的平均颗粒大小、纵横比和混和比。混和比定义为球型颗粒量与扁平颗粒量按重量计的比率，且可以称为球型颗粒与扁平颗粒之比。
混和下列原料：按重量计，71％的每种Ag粉末、5.0％的玻璃粉末和24.0％的有机载体。玻璃粉末的类型与表2中所示的实施例2中使用的相同，且有机载体与实验1中使用的相同。用三辊滚轧机揉捏混合物，因此制备用于形成外电极的导电糊。
通过这种程序制备数种导电糊，使用导电糊，由实验1中描述的相同程序制备单片陶瓷电容器。将单片陶瓷电容器用作实施例11至27中的样品。
由与实验1中描述的那些相同的程序，评估样品的涂层厚度和粘合强度，并且对有焊锡珠的样品数量进行计数。
表3中所示为评估结果。
表3(续)
球型Ag颗粒的平均颗粒大小(μm)   扁平Ag颗粒的平均颗粒大小(μm)   扁平Ag颗粒的纵横比   球型Ag颗粒与扁平Ag颗粒的比率       涂层厚度(μm)  粘合强度(N)  有焊锡珠的样品数量
Ni涂层 Si涂层
实施例11   0.7     3.5   30∶1   1∶1     2.11   3.89     14     0
实施例12   0.7     3.5   30∶1   1∶4     2.15   3.97     12     0
实施例13   0.7     3.5   30∶1   4∶1     2.08   3.78     13     0
实施例14   0.5     3.5   30∶1   1∶1     2.08   3.88     12     0
实施例15   1.0     3.5   30∶1   1∶1     2.11   3.77     12     0
实施例16   0.7     3.5   5∶1   1∶1     2.06   3.85     14     0
实施例17   0.7     3.5   70∶1   1∶1     2.20   3.88     13     0
实施例18   0.7     1.5   30∶1   1∶1     2.12   3.96     11     0
实施例19   0.7     5.0   30∶1   1∶1     2.10   3.88     13     0
表3
 球型Ag颗粒的平均颗粒大小(μm) 扁平Ag颗粒的平均颗粒大小(μm) 扁平Ag颗粒的纵横比 球型Ag颗粒与扁平Ag颗粒的比率       涂层厚度(μm) 粘合强度(N)  有焊锡珠的样品数量
Ni涂层 Si涂层
比较例20 0.4 3.5 30∶1 1∶1 0.97 1.25 5 30
比较例21   1.1     3.5   30∶1   1∶1   2.10   3.79     9     41
比较例22   0.7     1.3   30∶1   1∶1   0.93   1.33     5     35
比较例23   0.7     5.5   30∶1   1∶1   2.05   3.67     8     66
比较例24   0.7     3.5   4∶1   1∶1   0.88   1.18     4     28
比较例25   0.7     3.5   75∶1   1∶1   2.11   3.88     8     58
比较例26   0.7     3.5   30∶1   1∶9   2.15   3.78     7     72
比较例27   0.7     3.5   30∶1   9∶1   0.98   1.25     5     42
从表2和表3清楚地看出，与比较例1至4的样品相比，实施例11至19和比较例20至27的样品具有优良的性能。实施例11至19的样品具有特别优良的性能，因为它们是通过在优选比率下混和具有优选性能的球型颗粒和扁平颗粒所制备的Ag型粉末而制备的。
对于比较例20的样品，Ni涂层的厚度为0.97μm，Sn涂层的厚度为1.25μm，外导体的粘合强度为5N，和1,000个样品中有30个有焊锡珠，因为球型Ag颗粒的平均颗粒大小为0.4μm，即，其平均颗粒大小过小。
对于比较例21的样品，外导体的粘合强度为9N，和1,000个样品中有41个有焊锡珠，因为球型Ag颗粒的平均颗粒大小为1.1μm，即，其平均颗粒大小过大。
对于比较例22的样品，Ni涂层的厚度为0.93μm，Sn涂层的厚度为1.33μm，外导体的粘合强度为5N，和1,000个样品中有35个有焊锡珠，因为扁平Ag颗粒的平均颗粒大小为1.3μm，即，其平均颗粒大小过小。
对于比较例23的样品，外导体的粘合强度为8N，和1,000个样品中有66个有焊锡珠，因为扁平Ag颗粒的平均颗粒大小为5.5μm，即，其平均颗粒大小过大。
对于比较例24的样品，Ni涂层的厚度为0.88μm，Sn涂层的厚度为1.18μm，外导体的粘合强度为4N，和1,000个样品中有28个有焊锡珠，因为扁平Ag颗粒的平均纵横比为4∶1，即，其纵横比过小。
对于比较例25的样品，外导体的粘合强度为8N，和1,000个样品中有58个有焊锡珠，因为扁平Ag颗粒的平均纵横比为75∶1，即，其纵横比过大。
对于比较例26的样品，外导体的粘合强度为7N和低致密性，和1,000个样品中有72个有焊锡珠，因为Ag粉末的球型颗粒与扁平颗粒按重量计的比率为1∶9，即，其混和比过小。
对于比较例27的样品，Ni涂层的厚度为0.98μm，Sn涂层的厚度为1.25μm，外导体的粘合强度为5N和低致密性，和1,000个样品中有42个有焊锡珠，因为混和比为9∶1，即，其混和比过大。
相反，对于实施例11至19的样品，Ni涂层的厚度为2.06至2.20μm，Sn涂层的厚度为3.77至3.97μm，外导体具有良好的可镀型、高耐热性和优良的焊料可湿性。这是因为使用上面所述类型的Ag粉末制备外导体，在Ag粉末中，球型颗粒的平均颗粒大小、扁平颗粒的平均颗粒大小和扁平颗粒的纵横比以及混和比在本发明的范围内。
此外，所述外导体的粘合强度为11至14N，即，外导体具有优良的粘合强度。外导体还具有高的机械强度、高致密性并且没有焊锡珠，即，防止在外导体中出现“爆炸”。

Claims (20)

1.一种导电糊，其包含：
导电粉末；
玻璃粉末；和
有机载体，
其中，玻璃粉末包含按重量计约10％至31％的B2O3、约65％至86％的SiO2和大于约0.5％至小于约5％的M2O，其中M表示碱金属元素。
2.根据权利要求1的导电糊，其中导电粉末包含平均颗粒大小为约0.5至1.0μm的球型颗粒和平均颗粒大小为约1.5至5.0μm且纵横比为约5∶1至70∶1的扁平颗粒，所述纵横比被定义为最大直径与平均厚度的比率，其中球型颗粒的量与扁平颗粒的量的比率按重量计为约1∶4至4∶1。
3.根据权利要求2的导电糊，其中导电粉末包含选自Ag、Pd、Ag-Pd合金和Au中的至少一员。
4.根据权利要求3的导电糊，其中导电粉末的量为约66％至78％，玻璃粉末的量为约2％至8％，和载体的量为约18％至30％。
5.根据权利要求1的导电糊，其中导电粉末包含选自Ag、Pd、Ag-Pd合金和Au中的至少一员。
6.权利要求1的导电糊，其中导电粉末的量为约66％至78％，玻璃粉末的量为约2％至8％，和载体的量为约18％至30％。
7.一种陶瓷电子元器件，其包含：
陶瓷元件；和
在所述组成元件上的外导体，
其中外导体包含含按重量计约10％至31％的B2O3、约65％至86％的SiO2和大于约0.5％至小于约5％的M2O的玻璃成分，其中M表示碱金属元素。
8.根据权利要求7的陶瓷电子元器件，其中外导体包含选自Ag、Pd、Ag-Pd合金和Au中的至少一员。
9.根据权利要求8的陶瓷电子元器件，还包含在陶瓷元件中且与外导体电连接的内导体。
10.根据权利要求9的陶瓷电子元器件，其中内导体包含Ag和Pd中的至少一种。
11.根据权利要求10的陶瓷电子元器件，还包含在外导体上的金属涂层。
12.根据权利要求11的陶瓷电子元器件，其中金属涂层包含Ni、Cu、Sn或焊料。
13.根据权利要求12的陶瓷电子元器件，其中金属涂层包含在外导体上的Ni涂层和在Ni涂层上的Sn涂层。
14.根据权利要求13的陶瓷电子元器件，其中外导体包含平均颗粒大小为约0.5至1.0μm的球型颗粒和平均颗粒大小为约1.5至5.0μm且纵横比为约5∶1至70∶1的扁平颗粒，所述的纵横比被定义为最大直径与平均厚度的比率，其中球型颗粒的量与扁平颗粒的量的比率按重量计为约1∶4至4∶1。
15.根据权利要求7的陶瓷元件，其中外导体包含平均颗粒大小为约0.5至1.0μm的球型颗粒和平均颗粒大小为约1.5至5.0μm且纵横比为约5∶1至70∶1的扁平颗粒，所述的纵横比被定义为最大直径与平均厚度的比率，其中球型颗粒的量与扁平颗粒的量的比率按重量计为约1∶4至4∶1。
16.根据权利要求7的陶瓷电子元器件，还包含在陶瓷元件中且与外导体电连接的内导体。
17.根据权利要求16的陶瓷电子元器件，其中内导体包含Ag和Pd中的至少一种。
18.根据权利要求7的陶瓷电子元器件，还包含在外导体上的金属涂层。
19.根据权利要求18的陶瓷电子元器件，其中金属涂层包含Ni、Cu、Sn或焊料。
20.根据权利要求19的陶瓷电子元器件，其中金属涂层包含在外导体上的Ni涂层和在Ni涂层上的Sn涂层。
CNB2005100093789A 2004-02-19 2005-02-21 导电糊和陶瓷电子元器件 Active CN100358054C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004042274 2004-02-19
JP2004042274 2004-02-19

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1658332A true CN1658332A (zh) 2005-08-24
CN100358054C CN100358054C (zh) 2007-12-26

Family

ID=34857969

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2005100093789A Active CN100358054C (zh) 2004-02-19 2005-02-21 导电糊和陶瓷电子元器件

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7285232B2 (zh)
CN (1) CN100358054C (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101527201B (zh) * 2008-03-04 2012-05-23 株式会社村田制作所 层叠型电子部件及其制造方法
CN101587775B (zh) * 2008-05-21 2012-06-27 株式会社村田制作所 层叠陶瓷电容器及其制造方法
CN102737837A (zh) * 2011-04-01 2012-10-17 徐孝华 一种单片陶瓷电容器
CN104137193A (zh) * 2012-02-29 2014-11-05 株式会社村田制作所 导电性膏以及电子部件、和电子部件的制造方法
CN104078235B (zh) * 2013-03-26 2017-06-27 株式会社村田制作所 陶瓷电子部件及玻璃糊剂
CN109243669A (zh) * 2018-09-28 2019-01-18 常州聚和新材料股份有限公司 一种导电正银浆料及其制备方法
CN110199363A (zh) * 2017-04-14 2019-09-03 松下知识产权经营株式会社 芯片电阻器

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100583328C (zh) * 2004-04-23 2010-01-20 株式会社村田制作所 电子元件及其制造方法
US20080016008A1 (en) * 2006-07-11 2008-01-17 Siegel Richard J Principal guaranteed savings and investment system and method
CN102066275A (zh) * 2008-09-04 2011-05-18 日本电气硝子株式会社 电极形成用玻璃组合物和电极形成材料
JP5794222B2 (ja) * 2012-02-03 2015-10-14 株式会社村田製作所 セラミック電子部品
JP6570478B2 (ja) * 2016-05-31 2019-09-04 太陽誘電株式会社 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法
JP7338554B2 (ja) 2020-05-20 2023-09-05 Tdk株式会社 セラミック電子部品
JP2022136771A (ja) * 2021-03-08 2022-09-21 Tdk株式会社 セラミック電子部品

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4029605A (en) * 1975-12-08 1977-06-14 Hercules Incorporated Metallizing compositions
US4369254A (en) * 1980-10-17 1983-01-18 Rca Corporation Crossover dielectric inks
GB2102026B (en) * 1981-06-05 1985-07-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd Conductive pastes
JPS59184511A (ja) * 1983-04-04 1984-10-19 株式会社村田製作所 セラミツク積層コンデンサ
US4812422A (en) * 1985-06-17 1989-03-14 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Dielectric paste and method of manufacturing the paste
US5206620A (en) * 1987-07-01 1993-04-27 Tdk Corporation Sintered ferrite body, chip inductor, and composite LC part
JPH01315903A (ja) 1988-06-14 1989-12-20 Tdk Corp 導電性ペーストおよびチップ部品
JP3463320B2 (ja) 1993-06-03 2003-11-05 株式会社村田製作所 積層セラミックコンデンサ
JP3324253B2 (ja) * 1994-01-19 2002-09-17 松下電器産業株式会社 電子部品の端子電極形成用導電性ペースト
US5714246A (en) * 1994-05-13 1998-02-03 Ferro Corporation Conductive silver low temperature cofired metallic green tape
JP3534684B2 (ja) * 2000-07-10 2004-06-07 Ｔｄｋ株式会社 導電ペーストおよび外部電極とその製造方法

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101527201B (zh) * 2008-03-04 2012-05-23 株式会社村田制作所 层叠型电子部件及其制造方法
US8240016B2 (en) 2008-03-04 2012-08-14 Murata Manufacturing Co., Ltd. Method for manufacturing multilayer electronic component
CN101587775B (zh) * 2008-05-21 2012-06-27 株式会社村田制作所 层叠陶瓷电容器及其制造方法
CN102737837A (zh) * 2011-04-01 2012-10-17 徐孝华 一种单片陶瓷电容器
CN104137193A (zh) * 2012-02-29 2014-11-05 株式会社村田制作所 导电性膏以及电子部件、和电子部件的制造方法
CN104137193B (zh) * 2012-02-29 2017-03-08 株式会社村田制作所 电子部件
CN104078235B (zh) * 2013-03-26 2017-06-27 株式会社村田制作所 陶瓷电子部件及玻璃糊剂
CN110199363A (zh) * 2017-04-14 2019-09-03 松下知识产权经营株式会社 芯片电阻器
CN109243669A (zh) * 2018-09-28 2019-01-18 常州聚和新材料股份有限公司 一种导电正银浆料及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20050184278A1 (en) 2005-08-25
US7285232B2 (en) 2007-10-23
CN100358054C (zh) 2007-12-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1658332A (zh) 导电糊和陶瓷电子元器件
CN1118073C (zh) 片式电阻器及其制造方法
CN1820333A (zh) 电子元件及其制造方法
EP2650263A1 (en) Low silver content paste composition and method of making a conductive film therefrom
JP2011501444A (ja) 太陽電池用電極ペーストおよびそれを用いた太陽電池電極
CN1723514A (zh) 具有外部电极的电子部件
CN1700361A (zh) 用于多层陶瓷电子零件端电极的导电膏
CN1847183A (zh) 用于电介质的玻璃粉、多层陶瓷电容器及其制造方法
CN1822240A (zh) 厚膜导体形成用组合物
CN1212996C (zh) 玻璃陶瓷组合物、玻璃陶瓷烧结体以及陶瓷多层基板
CN1056461C (zh) 陶瓷电容器
CN1317214C (zh) 导电糊及陶瓷电子部件
CN1075378A (zh) 厚膜铜浆组合物
JP3297531B2 (ja) 導電性ペースト
JP6737506B2 (ja) 導電性ペースト、チップ電子部品及びその製造方法
CN1192402C (zh) 具有导线端子的陶瓷电子部件
JP2005317432A (ja) 導電性ペースト及びガラスフリット
CN1311482C (zh) 负特性热敏电阻制造方法
JP2004228093A (ja) 多層セラミックキャパシタ用端子電極組成物
CN1744238A (zh) 厚膜电阻浆料用玻璃组成物、厚膜电阻浆料、厚膜电阻及电子部件
JP2003132735A (ja) 厚膜導体ペースト及びそれを用いてなる電子部品
CN1237554C (zh) 陶瓷电容器、导电性组合物及导电糊
CN1967734A (zh) 层叠型片状可变电阻的制作方法
TWI725600B (zh) 電極膏、電極、包含其之陶瓷電子元件及陶瓷電子元件之製法
CN112750551B (zh) 电极膏、电极、包含其的陶瓷电子元件及该元件的制法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant