CN1643443A - 阵列基板及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种平面显示装置用阵列基板及其制造方法，对于像素区域内的布线产生的断线，不论断线的种类，特别是不论成为断线的原因的异物的种类和尺寸、形状，都可确实地进行修复。因此，例如于信号线(31)产生有异物(8)造成的断线部(9)时，在除去异物(8)的后，藉激光CVD设置迂回绕过异物(8)的コ字形旁通布线(6)来进行修复。此时，预先藉照射激光，于相邻的一像素电极(51－1)设置矩形的缺口(51)，并且设置使被断线部(9)分隔的信号线(31)的两布线部分(31a、31b)的上表面露出的接触孔(41、42)。沿像素电极(5)的缺口(51)的边缘(51a)设置コ字形旁通布线(6)的后，藉激光CVD设置用以遮蔽コ字形旁通布线(6)的后，藉激光CVD设置用以遮蔽コ字形旁通布线(6)的内侧区域的光的遮光膜。

Description

阵列基板及其制造方法

技术领域

本发明系有关于一种以液晶显示装置为代表的平面显示装置等所用的阵列基板及其制造方法，特别系有关于一种为了防止像素区域中因断线而产生的像素显示不良(线缺陷)而完成矫正(修复)断线的阵列基板及其制造方法。

背景技术

近年来，液晶显示装置等平面显示装置的薄型、轻巧、低功耗的特征被充发发挥，在各种领域利用其作为个人计算机、文字处理机或电视等的显示装置，进而还用于投影型显示装置。

其中，开关元件电气连接于各像素电极而形成的有源矩阵型显示装置，由于可实现相邻像素间没有串扰的良好显示图像，所以其相关研究开发颇为盛行。

以下，举透射型的有源矩阵型液晶显示装置为例，简单说明其结构。

一般而言，有源矩阵型液晶显示装置系将矩阵阵列基板(以下称为阵列基板)和对向基板相隔预定间隔邻接配置，且于该间隔中，隔着设在两基板表层的取向膜来保持液晶层而形成。

在阵列基板中，于玻璃等透明绝缘基板上，隔着绝缘膜配置有例如多条信号线和多条扫描线，形成格子形状且于相当于格子的各四方格的区域设置有ITO(氧化铟锡)等透明导电材料构成的像素电极。然后，于格子的各交点部分设置有用以控制各像素电极的开关元件。若开关元件系薄膜晶体管(以下简称为TFT)时，则TFT的栅极分别与扫描线电气连接，漏极分别与信号线电气连接，此外，源极是与像素电极电气连接。

对向基板系于玻璃等透明绝缘基板上配置ITO等构成的对向电极、且若要实现彩色显示时还配置滤色层而构成。

在欲降低此种有源矩阵液晶显示装置的制造成本方面，考量到用以制造阵列基板的步骤多，因此阵列基板的成本比例高。

于是，日本专利公开公报特开平9-160076号(特愿平8-260572号)中揭示有一方法系：将像素电极配置于最上层，并且利用同一掩膜图形，集中形成信号线、源极、漏极与半导体覆膜的图形的后，制作用以连接源极和像素电极的源极用接触孔，并且同时制作用以露出信号线和扫描线的连接端的外周部接触孔。

另一方面，阵列基板的制造方法中，由于布线成膜时有异物附着，或者曝光时因异物等而于抗蚀图形造成小孔，所以信号线和扫描线有时会产生断线。此种断线将产生线状连续的显示缺陷，因此增加不能作为产品出厂的不合格品的比例，而成为使成本增加的主要原因。

因此，曾多方尝试利用某些方法来连接断线部分以进行修复。举例而言，日本专利公开公报特开平11-260819号中，揭示有经由形成绝缘膜、涂布正型和负型光刻胶、点曝光等步骤来形成修复布线图形的方法。

又，日本专利公开公报特开平2001-264788号中，揭示有一方法系：先设置延伸包围阵列基板边缘部的预备布线，且对检测出有断线部的布线的两端，照射电子束以静电破坏绝缘膜，藉此将其与预备布线连接。藉这种方法，通过环绕基板边缘部延伸的预备布线，从信号输入侧的对向边的侧，朝远离该断线部的侧输入信号。

然而，若是日本专利公开公报特开平11-260819号所揭示的方法，由于需要一连串的成膜和形成图形步骤，故修复的步骤复杂，无法充分地降低成本。

再者，日本专利公开公报特开平2001-264788号所揭示的方法中，选择性地进行静电破坏是很困难的，且可能产生新的不良处。又，除了额外需要用以设置预备布线的区域以外，由于藉预备布线迂回绕行的距离长，所以若没有给与充分的线宽，就会有导致信号延迟和减弱、无法充分地恢复显示性能等问题。

因此，本发明人利用最近正试图应用在制造阵列基板的激光CVD(化学气相沉积法)技术来尝试进行修复。

不过，布线的断线的中，有不少是布线中间有异物插入而造成的。例如，刺入层叠膜中的形状的异物形成断线部。

如果在这种异物存在的处以激光CVD形成布线时，因异物的形状和性质不同，很可能造成因高低差所致的布线的断线(断层)，或对布线产生各种不良影响。因此，宜藉照射激光除去异物的后，再于除去处以激光CVD形成修复用布线。

然而，实际尝试的结果得知，因异物种类不同，藉照射激光除去异物是非常困难的，尤其是高沸点的材料形成的异物，系难以完全地除去，而不会对周围造成不良影响。对难以除去的异物进行显微镜光谱分析的结果，得知含有形成透明绝缘基板的玻璃材料的碎片。

在没有充分地除去异物、异物仍残存的状态下，该异物所在处可能会产生断层。

又，即使当毫无问题地除去异物时，藉激光CVD形成修复用布线时，于该修复用布线有时会产生断线。研究其原因，结果可知在因除去异物而产生的凹部的倾斜面有时存在有悬伸和陡急倾斜部分，因此产生断层。

本发明系鉴于前述问题而进行的，系提供一种平面显示装置用阵列基板及其制造方法，其特征在于：对于像素区域内的布线等产生的断线，不论断线的种类，特别是不论成为断线的原因的异物的种类和尺寸、形状，都可确实地进行修复。

发明内容

本发明的阵列基板，典型地来说，是用于平面显示装置，包含：多条扫描线；隔着第1绝缘膜并大致与该扫描线垂直配置的多条信号线；分别配置于该扫描线和信号线形成的各交点附近、且一端与前述信号线电气连接的开关元件；用以覆盖含有该扫描线、信号线和开关元件的层叠布线图形的第2绝缘膜；于该第2绝缘膜上分别与前述各交点对应而配置成矩阵状的像素电极；及贯通该第2绝缘膜且使各前述开关元件的另一端与前述像素电极导通的像素电极导通的像素电极用接触孔，而该阵列基板的特征在于更包含：

因异物介于其间而产生于前述信号线或扫描线的断线部；

在该断线部的两侧、贯通前述第2绝缘膜而使前述信号线的上表面露出的一对接触孔；

迂回绕过该断线部并从前述一对接触孔的一方延伸至另一方且将该断线部的两侧电气连接的旁通布线；及

在由该断线部的附近到该旁通布线的配置处的区域中除去前述像素电极的像素电极缺口部。

依前述结构，对像素区域内的布线产生的断线，不论断线的种类，特别是不论成为断线的原因的异物的种类和尺寸、形状，都可确实地进行修复。

此外，本发明中所谓的「迂回」，系指以平面图来看时，较通过断线部上方，要通过更长的路径。即，不包含如重于断线部那样于层叠方向绕行的情形。

依其中一较佳形态，前述旁通布线系迂回绕过前述断线部的附近而沿着前述缺口的边缘延伸，又，被前述旁通布线和前述断线部包围的区域可获得遮光膜的图形。

若为此种结构，则尤其是在常亮模式的液晶显示装置中，可充分地防止因像素电极的缺口导致的漏光。

依另一较佳形态，前述旁通布线系延伸到前述断线部的附近而形成大致覆盖前述像素电极缺口部的内侧全体的完整图形。

若为此种结构，则不仅可充分地防止漏光，还可降低布线电阻。

本发明的阵列基板的制造方法，典型地来说，用以制造平面显示装置用的阵列基板，而该基板包含：多条扫描线；配置成大致与该扫描线垂直的多条信号线；配置成矩阵状并分别与前述扫描线和信号线形成的各交点对应的像素电极；及分别设置于前述各交点附近并将信号由前述信号线输入前述像素电极的开关元件，而该阵列基板的制造方法包含：

借助一连串的成膜和形成图形来完成前述扫描线、前述信号线、前述像素电极和前述开关元件的成膜和形成图形步骤；

在该成膜和形成图形步骤的后、检测出位于像素区域中的至少一布线的断线部和其位置的步骤；

于前述断线部的附近区域的中在藉前述一布线划分的其中一侧或两侧、藉照射激光除去形成前述像素电极的导电膜而于前述像素电极设置缺口的步骤；及

依次或连续地于前述缺口的内侧利用激光CVD沉积导电层、并藉此设置用以迂回绕过前述断线部附近而使前述断线部两侧的布线部分相互导通的旁通布线的步骤。

附图说明

图1表示实施例1的阵列基板中修复处的构造的主要部分截面立体示意图。

图2表示实施例1的阵列基板中包含修复处的像素点整体的主要部分平面示意图。

图3表示实施例1的阵列基板中TFT附近的构造的层叠截面图。

图4用以说明实施例1的阵列基板的制造方法中的激光蒸发加工并以主要部分截面立体图表示的步骤图。

图5表示实施例2的阵列基板中修复处的构造的主要部分截面立体示意图。

图6表示实施例2的阵列基板中包含修复处的像素点整体的主要部分平面示意图。

图7表示实施例2的阵列基板中TFT附近的构造的层叠截面图。

图8用以说明实施例3的阵列基板的制造方法中的激光蒸发加工并以主要部分截面立体图表示的步骤图。

图9表示实施例3的阵列基板中修复处的构造的主要部分截面立体示意图。

图10表示实施例3的阵列基板中包含修复处的边缘部的主要部分平面示意图。

标号说明

2...沟道保护膜

4...层间绝缘膜

5，5-1，5-2...像素电极

6，6’...旁通布线

6a，6b...由覆盖接触孔的处沿着与引出布线垂直的方向延伸的处

6c...沿信号线的方向延伸的矩形完整图形的处

7...TFT

8...异物

9...断线部

10，10’...阵列基板

10a...基板端

10b...密封材料配置区域

11，11-1...扫描线

11a...栅极

12-1，12-2，12-3...引出布线

12a，12b，31a，31b...布线部分

13...焊盘

15...栅极绝缘膜

18...玻璃基板

31，31-1...信号线

32...漏极

33...源极

34...半导体活性层

39...欧姆接触层

41，42，43...接触孔

41a，42a...底面

44...凹部

45...厚型树脂膜

46...树脂膜去除部

45a...树脂膜端面

51...缺口

51a...缺口的边缘

65...遮光膜；底面的金属层

65a...断层

66...金属遮光膜

67...壁面的金属层

71...沟道部

d...间隔

用以实施发明的最佳形态

<实施例1>

利用第1～4图说明实施例1的阵列基板及其制造方法。以下系举以TFT作为各像素的开关元件的常亮模式透射型液晶显示装置用阵列基板为例加以说明。又，系举于信号线产生因异物而断线时的矫正(修复)为例来作说明。

第1图的截面立体示意图表示已矫正信号线的断线的阵列基板10的主要部分分。更详细而言的，系在像素区域内(边缘部以外)，于信号线31产生断线部9时，设置コ字狀的旁通配线6等以进行修复。

又，第2图的部分平面图显示已进行矫正的阵列基板的像素点整体的状态，第3图的部分截面图表示TFT附近(沿第2图的III-III线截取的截面)的层叠构造。又，第4图表示修复前的异物8造成的信号线31的断线的状态(上图)、以及用以修复的激光蒸发加工后的状态(下图)。

实施例的阵列基板10中，系于玻璃基板18上将多条扫描线11(栅极线)和多条信号线31(漏极线，数据布线)隔着栅极绝缘膜15(第2图和第3图)而配置成大致相互垂直。又，像素电极5系与该扫描线11和信号线31形成的各交点对应而配置成矩阵状，使其大致覆盖藉该扫描线11和信号线31划分的各像素点整个开口。又，于扫描线11和信号线31形成的各交点附近，配置有利用施加于扫描线11的扫描脉冲而将信号由信号线31输入像素电极5的TFT7。在此，举底栅极构造的TFT为例来说明。

阵列基板10系由下层开始依次重叠配置有钼钨合金(MoW)膜或铝Al系金属膜等形成的包含扫描线11和TFT7的栅极11a的第1导电层图形，氧化硅层和氮化硅层形成的栅极绝缘膜15，铝系金属膜等形成的包含信号线31和TFT7的源极33及漏极32的第2导电层图形、氮化硅膜等形成的层间绝缘膜4、及ITO等透明导电材料形成的包含像素电极5的第3导电层图形。像素电极5系透过贯通层间绝缘膜4的接触孔43而与TFT7的源极33电气连接(第3图)。

因此，除了液晶取向膜(图中未显示)的外，像素电极5是位于阵列基板10的最上层。

更详细而言的，如第3图所示，TFT7系以扫描线11的延伸部11a作为栅极的底栅极构造，且系于与TFT7的沟道部对应的位置具有沟道保护膜的沟道截断环型。于覆盖该栅极11a的处，隔着栅极绝缘膜15而配置有非晶硅(a-Si:H)等的半导体活性层34。于该半导体活性层34上，位于大致中央的沟道部71配置有沟道保护膜2，于沟道部以外，层叠配置有由掺杂磷的非晶硅(n+a-Si:H)等形成的欧姆传导层39。于该欧姆传导层39的上更配置有源极33和漏极32。

形成阵列基板上的信号线、扫描线、TFT和像素电极等的成膜和形成图形的步骤系可按照例如日本专利公开公报特开平9-160076号和特开2000-267595号中所揭示的制造方法，集中形成包含信号线的布线层图形和TFT的半导体层图形，通过这样能够以少数的形成图形步骤高效率地进行。

如第1图表示，实施例的阵列基板中，在信号线31-1的异物8造成的断线部9附近，设有呈现回避该断线部9而迂回绕行的形状的旁通布线6。该旁通布线6的两端部系通过贯通层间绝缘膜4的接触孔41、42而与被异物9分断的信号线31-1的各布线部分31a和31b连接。图示的例中，除了用以覆盖接触孔41、42的宽幅的处，旁通布线6的宽度大致系一定的。

设置此种旁通布线6时，为了防止其与像素电极5的导通或漏电，由断线部9到旁通布线6的配置处的区域中，预先除去构成像素电极5的ITO膜。

再者，为了防止此种像素电极5的缺口51的处的背光外漏，故在被旁通布线6和断线部9及其两侧的布线部分31a和31b包围的区域，大致全面地藉金属制遮光膜65加以覆盖。特别是图示的例中，为了将漏光抑制到最小限度，遮光膜65系设成盖住旁通布线6的内缘。

利用第1图、第2图和第4图说明修复部分的制造步骤的概要。

当藉阵列基板的检查步骤，判定于信号线31-1有断线产生时，可使用例如X-Y可动放置平台和显微镜装置来正确地界定断线部9的位置，并且也判定是否为异物8造成的断线。

若系异物8造成的断线时，在更进一步还界定异物8的概略尺寸后，进行以下(1)～(4)的步骤。

(1)形成像素电极的缺口51(第4图)

首先，在与断线部9相邻的2个像素电极5-1和5-2的其中的一像素电极5-1设置缺口51。借着于断线部9附近的处照射激光，除去该处的构成像素电极5的ITO膜。即，藉激光蒸发加工法(切削法)，除去其中的一像素电极5-1中断线部9附近的处的ITO膜。

图示(第1图～第2图)的例中，系沿信号线的方向形成较断线部稍微细长的矩形的缺口51。

(2)形成接触孔41、42，及除去异物(第4图)

又，在位于断线部9的两侧的信号线31-1的布线部分31a、31b，分别设置使该布线部分上面露出的接触孔41、42。该接触孔41、42系于与断线部9相隔预定距离的处照射激光光、并藉相同的激光蒸发加工法(切削法)除去该处的绝缘膜4而设置。

更进一步，照射相同的激光光除去异物8。图示的例中，已除去异物8的断线部9的处形成有大致呈矩形的平底凹部44。特别系为了确实地除去异物8，连栅极绝缘膜15的上层部分也除去。

(3)形成コ字形的旁通布线6

接着，藉使用激光CVD沉积局部的金属层，形成沿像素电极5的缺口51的边缘51a延伸而由其中的一接触孔41至另一接触孔42的旁通布线6。旁通布线6亦覆盖接触孔41、42的底面41a、42a(第4图)，藉此，直接与两侧的布线部分31a、31b的上表面接触而电气连接。此时，激光CVD沉积的金属层的厚度，即旁通布线6的膜厚系较层间绝缘膜4的膜厚还厚，或者大致相同。举一具体的例而言，旁通布线6的厚度为300nm，而层间绝缘膜4的膜厚为230nm。因此，在接触孔41、42的边缘，金属层不会产生不连续部分(断层)。

又，旁通布线6系与像素电极5的缺口的边缘51a相隔有为了充分防止产生漏电流所必需的间隔。又，令该间隔为用以防止漏电流的最小所需间隔，使其充分地防止背光外漏。在此，该间隔系形成5μm。

通过前述金属层构成的旁通布线6，被断线部9隔开的两侧的布线部分31a和31b可相互导通。

(4)形成遮光膜图形65

藉激光CVD形成遮光膜图形65，使其全面地或大致地完全覆盖被旁通布线6以及断线部9和布线部分31a、31b包围的区域。另，在此系说明该遮光图形形成与旁通布线不连接的岛状的情形，不过如后将述，亦可与旁通布线形成一体。

借着配置此种遮光膜图形65，可防止旁通布线6的内侧的漏光。又，如前所述，令旁通布线6和像素电极5的缺口的边缘51a的间隔为最小所需，藉此也可将该处的漏光抑制至最小限度，也可将其抑制到实用上几乎不会成为问题的程度。

成为断线的原因的异物8含有来自构成阵列基板的玻璃基板18的碎片、和成膜或干法刻蚀步骤中由反应室壁剥离的无机材料的碎片。该异物8一般而言是稳定的，不会渗出影响液晶层的物质，即使该异物8刺入阵列基板上，藉由前述的修复后就不会造成任何问题。

以下，列举关于激光CVD和激光照射的条件的具体例。以激光CVD沉积导电层时，系使用Nd⁺³:YLF激光装置作为激光光源，且使用其的3次谐波(349nm)。

制造旁通布线6时，来源气体系使用例如W(CO)₆的含钨的羰基化合物，载体气体系使用氩气，使其局部沉积钨(W)。又，举例而言，使用连续振荡且能级为100mW(4kHz)以上的激光光，使其可沉积布线宽度约5μm、膜厚约0.3μm的布线层。

如前述具体例，当使用含钨的羰基化合物时，由于激光光的分解和沉积效率高，且成膜稳定性好，所以较为适宜。然而，依情况不同，亦可使用铬羰基等其它来源气体。因此，亦可藉铬(Cr)及其它金属形成旁通布线6。另一方面，载体气体宜为惰性气体的氩气，不过也可使用氮气等。

旁通布线6的宽度系可调整激光光的缝隙宽和能级而适当地选自于例如2～25μm的范围内。又，膜厚可适当地选自于例如1.0μm以下的范围内。

另一方面，为了除去构成像素电极5的ITO膜并设置缺口51，使用例如与前述相同的激光装置，且系使用藉超声波Q switch组件进行调制而振荡成脉冲状且刚经过激光振荡器的后的能级在0.4～0.6mJ(1～10Hz)的范围内的激光光。

又，为了形成接触孔41、42而以激光除去绝缘膜4时，也使用例如相同的激光光，且能级超过0.6mJ(2Hz)。

如前所述，可利用同一激光装置，高效率地利用激光CVD形成旁通布线6，以及利用激光形成缺口51和接触孔41、42。

在进行用以形成旁通布线6的激光CVD时，为了在与像素电极5接近的处形成布线，当像素电极为ITO等形成的透明电极时，宜使用YLF激光的3次谐波的紫外线区域的激光光。然而，当像素电极为铝系金属等金属膜形成的反射型电极时，可使用YLF激光的2次谐波。

由于激光光的光源使用如前述具体例的YLF激光或YAG激光，可轻易地获得前述范围的能级，所以较为适宜。然而，依情况不同，亦可使用二氧化碳激光及其它激光。

本实施例中，系说明旁通配线6为迂回绕过断线部9的コ字形配线，不过亦可为由平滑曲线形成的C字形，又，亦可为仅具有一弯曲部的L字形以取代コ字形者。

如前所述，借着在与信号线延伸方向不在平面上重叠的位置形成旁通布线，可抑制旁通布线的断线。

<实施例2>

接下来，利用第5～8图说明实施例2的阵列基板及其制造方法。

与实施例1的情形相同，在此的阵列基板系指以TFT作为各像素的开关元件的常亮模式的透射型液晶显示装置用阵列基板。然而，于像素区域内，设有作为TFT和布线层图形与像素电极的间的层的绝缘性厚型树脂膜45(第7图)。厚型树脂膜一般系由具有1～10μm、典型而言是2～4μm厚度的低介电常数的有机树脂所构成，可藉由该厚型树脂膜充分地减少重叠的像素电极与信号线等的间产生的电容或可能发生的短路。

厚型树脂膜45在第7图所示的例中，系层叠于层间绝缘膜4上，不过亦可设置其以取代层间绝缘膜4。

第5图的截面立体示意图表示已矫正信号线的断线的阵列基板10’的主要部分分。又，第6图的平面示意图表示矫正处和其周围的像素点的结构。

本实施例的阵列基板10’的结构除了修复部分多少有些差异，以及除存在厚型树脂膜45的外，其它与前述实施例1完全相同。

如第5～6图所示，修复部份中亦与实施例1相同，设有一种迂回绕过信号线31的断线部9延伸的旁通布线6，藉此信号线的两布线部分31a和31b可导通。又，图示的具体例中，断线部9藉修复形成有与实施例1的情形相同的矩形凹部44。

然而，本实施例的旁通配线6’不是コ字形，而是设成大致呈矩形的完整(块状)圖案。即，实施例1的コ字狀旁通配線6朝其内側延伸至斷線部9的凹部44的邊缘，且相當於实施例1中遮光膜65的部分包含於矩形的旁通配線6’，形成一体。

又，如第5图中所示，本实施例的旁通布线6’系设在除去厚型树脂膜45而使层间绝缘膜4露出的大致呈矩形的树脂膜去除部46中。包围该树脂膜去除部46的厚型树脂膜45的端面45a的上缘系与像素电极5的缺口51的边缘大致一致。然后，该厚型树脂膜45的端面45a系被由旁通布线6’的边缘延伸的金属遮光膜66覆盖。

更进一步，如第6图中所示，由断线部9来看，旁通布线6’的相反侧亦设有像素电极5的缺口51，藉此可防止旁边的像素电极5-2和旁通布线6’间的短路。

以下，通过修复部分的制造步骤，更详细地说明本实施例。

例如日本专利公开公报特开2000-29055(US Appln.No.09/349245)中所揭示的方法中，系制成阵列基板后，再进行检查步骤。藉阵列基板的检查步骤，得知信号线31-1有断线产生时，可使用例如X-Y可动放置平台和显微镜装置来界定断线部9的位置和断线部9的尺寸，即，界定两侧的布线部分31a、31b间的间隔d(第8图上图)。

(1)形成像素电极的缺口51和厚型树脂膜的去除部46(第8图中图)

藉与实施例1中说明的相同的激光蒸发加工法，在断线部9附近，除去矩形的像素电极5和厚型树脂膜45，使层间绝缘膜4露出。藉此，隔着断线部9的像素电极5-1的一侧，形成有像素电极的缺口51和树脂膜去除部46。

此时，第6图所示的例中，隔着断线部9的另一像素电极5-2亦设有缺口51-2。然而，切入的尺寸与设置树脂膜去除部46的侧相比，小得相当多。该切入尺寸系设定成能与接触孔41、42和断线部9的处隔开而可防止和沉积于该处的金属膜间的短路的程度。

(2)除去断线部(第8图中图)

于断线部9的处，藉相同的激光蒸发加工法设置到达栅极绝缘膜15的凹部44。此时，在图示的例中，凹部44的尺寸系与布线部分31a、31b间的间隔d大致一致。

(3)形成接触孔41、42(第8图下图)

更进一步，藉相同的激光蒸发加工法，于断线部9的两侧设置相同的接触孔41、42。即，分别使被断线部9分隔的信号线31-1的布线部分31a、31b的上表面露出。

图示的例中，接触孔41、42系设置在与设于断线部9的凹部44的边缘相隔预定距离的处，不过亦可设置成与凹部44连续。

图示的例中，异物8不存在，而若设置凹部44而不检测出有无异物残存，则可简化检测步骤，且藉一定的操作进行修复工程。

但是，亦可仅当除去厚型树脂膜45后得知于断线部9有异物残存时，再设置凹部44。另，不设凹部44时，修复用CVD布线会也包含断线部9形成。然而，为了确实地修复，所以系利用激光CVD设置迂回绕过断线部9的「旁通布线」部分和覆盖断线部9的部分合一的矩形等的图形。即，此时也依然是设置一种旁通布线。

(4)形成矩形完整图形状的旁通布线6’(第5～6图)

藉与实施例1中说明相同的激光蒸发加工法沉积金属层，使其大致全面地覆盖树脂膜去除部46。因此，除了覆盖接触孔41、42的处以外，在树脂膜去除部46内形成于层间绝缘膜4上的旁通布线6’系形成一个大致呈矩形的完整图形。

又，覆盖厚型树脂膜45的端面45a的金属遮光膜66形成为与旁通布线6’的边缘连续，可防止从该端面45a的漏光。由于厚型树脂膜45的厚度可达例如4～5μm，故常常需要防止从该端面45a的漏光。

图示的例中，以防止漏光为优先考虑，所以金属遮光膜66是达到树脂膜端面45a的上缘附近。然而，若以防止与像素电极5-1间的短路为优先考虑时，亦可在端面45a的上缘附近省略金属遮光膜66。

此外，图示的例中，也于设在断线部9的凹部44的底面和壁面，藉激光CVD同时沉积金属层65、67。然而，如第5图中所示，凹部44的底面的金属层65和壁面的金属层67的间产生有断层65a。因此，即使壁面的金属层67和旁通布线6’电气导通，在壁面的金属层67和凹部44的底面的金属层65的间还是完全没有进行电气导通，或者，仅部分地进行。

因此，被断线部9分隔的两布线部分31a和31b的间的电气导通系通过迂回绕过位于断线部9的凹部44延伸的大致呈矩形的完整图形的旁通布线6’来进行。

本实施例中，在配置旁通布线6’的处预先除去厚型树脂膜45系基于以下的理由。

(i)防止树脂膜的裂纹造成断线等

因为厚型树脂膜45通常是由丙烯酸系树脂的材料构成，所以一旦受到激光CVD时的高热，便会产生裂纹。因此，于厚型树脂膜45上直接设旁通布线6’时，会因衬底的裂纹而产生断线等。

(ii)防止在接触孔41、42的边缘产生断层

当接触孔41、42不只贯通层间绝缘膜4，还贯通厚型树脂膜45时，如果不使接触孔的壁面形成非常缓和的圆锥状，便可能产生导电层的断层。但是，因为是藉照射激光设置接触孔41、42，所以很难令其形成非常缓和的圆锥状。

因此，借着先除去厚型树脂膜45，可进行确实的修复。

在一尺寸结构的具体例中，除了覆盖接触孔41、42的处，旁通布线6’系形成20μm(沿信号线31的方向)×10μm(与信号线31垂直的方向)的矩形的完整图形。

藉以上所说明的各实施例，在修复信号线的断线时，不需要进行成膜、曝光等形成图形步骤，也不需要预先设置修复用备用布线，又，即使是异物造成的断线时，也不一定需要除去异物。因此，不用担心因用以修复的步骤造成新的不良处和不理想处，又，也不会增加边缘部非显示区域的宽度或对像素开口率其它方面有不良影响。

特别系若为异物造成的断线时，不论异物的种类和性质、尺寸形状，都可藉简便且低成本的方法确实地进行修复，而修复用布线不会产生断层等不良。

藉前述实施例，由于可由检测出有断线缺陷的不合格品阵列基板，确实获得完全正常地动作的阵列基板，故可提高阵列基板的产品合格率。此外，因为可藉几乎为最小限度的步骤和装置来确实地进行修复，所以可提高阵列基板制造效率，并且也可降低阵列基板整体上的制造成本。又，也可减少用以废弃不合格品的步骤和成本负担。

前述实施例中系说明信号线因异物而断线时的修复，以及不判定是否因异物造成而进行的修复。然而，在判定断线部是否为异物造成的后，对于不是异物造成的断线，可藉相同的激光CVD设置层叠信号线延伸的修复布线，而不设置像素的缺口。

又，对于可判断是异物造成的断线以外的断线，亦可与前述相同，以迂回绕过断线部的旁通布线进行修复。此时，虽然修复步骤有些复杂，但是可更减少产生断层等不良的担心，而更确实地修复线缺陷。

藉前述实施例，因为旁通布线6的长度较信号线31短得非常多，且其形成具有充分的宽度和厚度，所以修复后的信号线31的电阻几乎没有变大。因此，即使当驱动频率变高时，依然可防止产生写入不足等不良情况。

尤其如实施例2，若形成将旁通布线和其内侧的金属遮光膜一体化的矩形等完整图形时，可使布线电阻变得相当小。又，依情况不同，亦可将旁通布线设置于信号线的两侧。即，亦可对1个断线部设置2个旁通布线。

前述实施例1中，因为像素电极的缺口51设成矩形，且按此将旁通配线6设成コ字形，所以容易进行激光照射点的对位。又，由于旁通布线6的内侧区域相对应地形成矩形，故只要将使用激光CVD的遮光膜配置成矩形即可，也容易进行用以形成遮光膜的操作。

又，由于实施例2中，亦将像素电极的缺口51和树脂膜去除部46设成矩形，故当设置矩形完整图形的旁通布线6’时，将激光照射点沿着信号线方向扫描即可，所以对位和照射点移动的操作很容易。

前述实施例中系说明用以矫正信号线的断线的修复，不过扫描线的断线的修复也可完全一样地进行。又，即使TFT是顶栅极型亦完全一样。

前述各实施例中，是鉴于异物8可能在后续步骤中剥离而带来不良影响，故除去异物8而于层间绝缘膜形成凹部44，不过若没有这种可能性时，当然就不需要于断线部9设置凹部44。

前述各实施例中系说明信号线被层间绝缘膜覆盖的情形，不过信号线亦可与像素电极一起配置于同一绝缘膜上。此时，不需要在断线部的两侧设置使信号线露出的接触孔。又，若为隔着层间绝缘膜重叠金属层构成的信号线和ITO膜构成的冗余布线的构造，且因异物造成冗余布线亦断线时，也可藉旁通布线连接冗余布线的相互部分。

又，当信号线或扫描线在该信号线或扫描线交点附近产生有断线时，亦可跨越相邻的2个像素电极的角部设置用以放置旁通布线6的像素电极缺口部51，且使旁通布线6横越扫描线11而延伸。此时，若是因位于交点的处的异物造成扫描线11亦产生有断线，也可设置用以修复扫描线11的断线的旁通布线6等的修复部。

<实施例3>

接着，利用第9～10图说明实施例3的阵列基板及其制造方法。

第9图截面立体示意图表示已矫正引出布线12-1的断线的阵列基板10的主要部分分。又，第10图的部分平面示意图表示包含已进行矫正的部分的阵列基板10的边缘部的结构。

本实施例的阵列基板系在与实施例1相同的阵列基板10中，不是修复像素区域内的信号线，而是修复了边缘部的引出布线12的断线。

引出布线系从像素区域内的信号线或扫描线引出至基板端10a附近的区域的布线(第10图)。在此，从信号线引出的引出布线亦系由与扫描线同时形成的金属布线所构成，且通过接触孔而与信号线的端部连接。又，引出布线12的外侧端部设有来自外部的连接用或检查用的焊盘13。

图示的例中，在异物等造成的断线部9，藉与前述实施例相同的激光照射，于断线部9的处设有使玻璃基板18露出的凹部44。又，藉相同的操作，设有分别使断线部9的两侧的布线部分12a、12b的上表面露出的接触孔41、42、以及旁通布线6。

在此，旁通配线6系迂迴绕过断线部9的附近的コ字形或者帶有缺口的矩形完整图形。在此，旁通布线6的线宽系引出布线12的线宽的至少约2～3倍。更详细而言的，覆盖接触孔41、42的处，以及由该处沿着与引出布线12垂直的方向延伸的处6a、6b，系引出布线12的约2～3倍。又，沿信号线31的方向延伸的矩形完整图形的处6c，系引出布线12的宽度的约2～4倍。

第9～10图所示的具体例中，旁通布线6的矩形完整图形的处6c系延伸至相邻的引出布线12-2和再相邻的引出布线12-3的间。

又，第10图所示的具体例中，于相邻的2条引出布线12-1、12-2的同一处进行修复。因此，旁通布线6分别形成在相反一侧。另，图示的例中，由于旁通布线6系位于密封材料配置区域10b内，故组装显示面板后，旁通布线不会露出于外部。

依此种修复部分的结构，可与前述实施例1～2的情形一样，藉几乎为最小限度的步骤和装置来确实地进行断线部的修复。又，在本实施例中，亦不一定需要除去成为断线原因的异物。

前述各实施例中，系说明非晶硅(a-Si)TFT型的阵列基板，不过多晶硅(p-Si)TFT型等的阵列基板也是相同的。此时，对于利用例如日本专利公开公报特开2000-330484和特开2001-339070中所揭示的方法制成的阵列基板，可藉与前述相同的方法进行修复。

工业上的实用性

对于像素区域内的布线产生的断线，不论断线的种类，特别是不论成为断线的原因的异物的种类和尺寸、形状，都可确实地进行修复。

Claims (17)

1.一种阵列基板，包含：形成于基板上的第1布线；于该第1布线的延伸方向形成在与该第1布线同一平面层上、且在该平面层上形成与该第1布线不连续者的第2布线；及隔着绝缘膜而配置于该第1布线和该第2布线的上层、且将该第1布线和第2布线电气连接的导电部，其特征在于，

而该绝缘膜具有形成于该绝缘膜、使该第1布线的一部份露出的第1开口；及形成于该绝缘膜、使该第2布线的一部份露出的第2开口，

而该导电部由该第1开口和第2开口而与该第1布线和第2布线连接，且该导电部的用以连接该第1开口和该第2开口的布线的平面长度系设定成较用以于所述延伸方向连接该第1开口和第2开口的线段的长度还长。

2.一种阵列基板，是用于平面显示装置的阵列基板，包含：多条扫描线；隔着第1绝缘膜并配置成大致与该扫描线垂直的多条信号线；分别配置于该扫描线和信号线形成的各交点附近、且一端与所述信号线电气连接的开关元件；用以覆盖含有该扫描线、信号线和开关元件的层叠布线图形的第2绝缘膜；于该第2绝缘膜上分别与所述各交点对应而配置成矩阵状的像素电极；及贯通该第2绝缘膜且使各所述开关元件的另一端与所述像素电极导通的像素电极用接触孔，其特征在于，还包含

产生于所述信号线或扫描线的断线部；

在该断线部的两侧、贯通所述第2绝缘膜而使所述信号线或扫描线的上表面露出的一对接触孔；

迂回绕过该断线部并从所述一对接触孔的一方延伸至另一方且将该断线部的两侧电气连接的旁通布线；及

在由该断线部的附近到该旁通布线的配置处的区域中除去所述像素电极的像素电极缺口部。

3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，

所述旁通布线系迂回绕过所述断线部的附近而沿着所述缺口部的边缘延伸，

被所述旁通布线以及所述断线部和其两侧的布线部分包围的区域配置有遮光膜的图形。

4.如权利要求2或3所述的阵列基板，其特征在于，

所述述旁通布线和所述像素电极之间被隔开，以防止其间的电气接触。

5.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，

所述述旁通布线系延伸到所述断线部的附近而形成大致覆盖所述像素电极缺口部的整个内侧的完整图形。

6.如权利要求2或5所述的阵列基板，其特征在于，

所述述第2绝缘膜系厚度1μm以上的绝缘性树脂膜，或系包含该绝缘性树脂膜的层叠膜，而所述旁通布线系设在除去该树脂膜而使位于该树脂膜下层的非树脂材料的绝缘膜露出的区域。

7.一种阵列基板的制造方法，用以制造平面显示装置用的阵列基板，而该基板包含：多条扫描线；配置成大致与该扫描线垂直的多条信号线；配置成矩阵状并分别与所述扫描线和信号线形成的各交点对应的像素电极；分别设置于所述各交点附近并将信号由所述信号线输入所述像素电极的开关元件，其特征在于，包含

借助一连串的成膜和形成图形来完成所述扫描线、所述信号线、所述像素电极和所述开关元件的成膜和形成图形步骤；

在该成膜和形成图形步骤的后、检测出位于像素区域中的至少一布线的断线部和其位置的步骤；

于所述断线部的附近区域的中在藉所述一布线划分的其中一侧或两侧、藉照射激光除去形成所述像素电极的导电膜而于所述像素电极设置缺口的步骤；及

依次或连续地于所述缺口的内侧利用激光CVD沉积导电层、并藉此设置用以迂回绕过所述断线部而使所述断线部两侧的布线部分相互导通的旁通布线的步骤。

8.一种阵列基板的制造方法，是平面显示装置用的阵列基板的制造方法，包含：形成多条扫描线隔着第1绝缘膜配置成大致与该扫描线垂直的多条信号线、分别配置于该扫描线和信号线形成的各交点附近且分别以一端与所述信号线电气连接的开关元件、及含有该扫描线和信号线和开关元件的层叠布线图形的一连串步骤；形成用以覆盖所述部分的第2绝缘膜的步骤；于该第2绝缘膜上设置分别与所述各交点对应而成为矩阵状的像素电极的步骤；及形成贯通该第2绝缘膜且使各所述开关元件的另一端与所述像素电极导通的像素电极用接触孔的步骤，其特征在于，还包含

检测出位于像素区域中的一布线的断线部和其位置的步骤；

于所述断线部的附近区域的中、在藉所述一布线划分的其中一侧或两侧藉照射激光除去形成所述像素电极的导电膜而于所述像素电极设置缺口的步骤；

于所述一布线上的所述断线部的两侧藉照射激光除去用以覆盖所述一布线的绝缘膜、并藉此于所述断线部的两侧设置一对接触孔的步骤；及

依次或连续地于所述缺口内利用激光CVD沉积导电层、并藉此设置用以迂回绕过所述断线部而从该一对接触孔的一方延伸至另一方且将所述断线部的两侧的布线部分相互导通的旁通布线的步骤。

9.如权利要求7或8项的阵列基板的制造方法，其特征在于，

在旁通布线步骤中，形成有迂回绕过所述断线部的附近而沿着所述缺口的边缘延伸的旁通布线，

还包含：的后藉利用激光CVD沉积导电层、于被所述旁通布线以及所述断线部和其两侧的布线部分包围的区域形成覆盖该区域的遮光膜的图形的步骤。

10.如权利要求7或8所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，

设置厚度1μm以上的绝缘性树脂膜、或包含该绝缘性树脂膜的层叠膜作为所述第2绝缘膜，且藉照射激光，在设置所述像素电极的缺口的同时，在该缺口内的区域除去该树脂膜而使位于其下层的绝缘膜露出。

11.如权利要求7、8或10所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，

设置可填满所述缺口的内侧的完整图形作为所述旁通布线。

12.如权利要求7、8或10所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，

藉激光CVD，在设置所述旁通布线的同时，设置覆盖所述树脂膜的端面的金属遮光膜。

13.如权利要求7或8项的阵列基板的制造方法，其特征在于，

当判定所述断线部为异物介于其间的断线部时，进行所述设置缺口的步骤和所述设置旁通布线的步骤，且当判定为其它的断线部时，藉激光CVD设置沿所述一布线延伸的连接布线。

14.一种阵列基板，系用于平面显示装置的阵列基板，包含：多条扫描线；隔着第1绝缘膜并配置成大致与该扫描线垂直的多条信号线；分别配置于该扫描线和信号线形成的各交点附近、且一端与所述信号线电气连接的开关元件；用以覆盖含有该扫描线、信号线和开关元件的层叠布线图形的第2绝缘膜；于该第2绝缘膜上分别与所述各交点对应而配置成矩阵状的像素电极；贯通该第2绝缘膜且使各所述开关元件的另一端与该像素电极导通的像素电极用接触孔；及从所述扫描线和信号线引出至像素区域外的边缘部的引出布线，其特征在于，还包含

因异物介于其间而产生于所述引出布线的断线部；

在该断线部的两侧、并贯通所述第2绝缘膜而使所述信号线或扫描线的上表面露出的一对接触孔；及

在所述第2绝缘膜上迂回绕过该断线部并从所述一对接触孔的一方延伸至另一方且将该断线部的两侧电气连接的旁通布线，

该旁通布线的宽度系所述引出布线的宽度的2倍以上。

15.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包含

于基板上形成多条布线的步骤；

形成用以覆盖所述布线的绝缘膜的步骤；

检测出所述多条布线的断线部的步骤；

部分地除去所述绝缘膜、使得于隔着所述布线上的所述断线部的两侧形成开口的步骤；及

在与所述断线部不在平面上重叠的路径上、形成用以电气连接所述开口间的旁通布线的步骤。

16.如权利要求15所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，

还包含除去所述断线部上的所述绝缘膜的步骤。

17.如权利要求15所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，

还包含于所述绝缘膜上形成有机树脂膜的步骤，和除去形成所述旁通布线的部分的有机树脂膜的步骤。

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