CN112631003A - 阵列基板及阵列基板的断线修复方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种阵列基板及阵列基板的断线修复方法，阵列基板包括衬底基板、设置在所述衬底基板上的信号线、修复线和绝缘层；所述绝缘层位于所述信号线的下方，所述信号线上具有断点，所述修复线的两端分别连接在所述信号线的断点的两侧，所述修复线由液态金属滴注成膜后形成，所述修复线包括多个相连的线段，所述绝缘层上设置有凹槽，所述凹槽位于相邻的两个所述线段的连接拐角的下方。本发明提供一种阵列基板及阵列基板的断线修复方法，可以改善阵列基板上信号线修补出现铜变色辉点的情况。
Description
技术领域
本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及阵列基板的断线修复方法。
背景技术
液晶显示面板一般由相对设置的阵列基板、彩膜基板以及夹持在阵列基板和彩膜基板之间的液晶分子层组成。阵列基板上设置有金属线、数据线等用来传输数据的信号线，对于金属氧化物阵列基板，在工艺流程中，信号线容易发生断线不良。
现有技术中，针对信号线发生的断线不良，修补时普遍采用六羰基钨W(CO)6的成膜方式，利用钨W原子堆积在断线的断口处，起到金属连接导通的作用。
但是，在金属氧化物阵列基板的断线修补过程中，六羰基钨W(CO)6容易扩散到断线周围的区域，包含薄膜晶体管TFT所在位置，导致TFT开关受损，外观上TFT区域的铜Cu出现变色，像素呈现辉点不良。
发明内容
本发明提供一种阵列基板及阵列基板的断线修复方法，可以改善阵列基板上信号线修补出现铜变色辉点的情况。
本发明一方面提供一种阵列基板，包括衬底基板、设置在所述衬底基板上的信号线、修复线和绝缘层；所述绝缘层位于所述信号线的下方，所述信号线上具有断点，所述修复线的两端分别连接在所述信号线的断点的两侧，所述修复线由液态金属滴注成膜后形成，所述修复线包括多个相连的线段，所述绝缘层上设置有凹槽，所述凹槽位于相邻的两个所述线段的连接拐角的下方。
如上所述的阵列基板，所述修复线包括依次连接的第一段、第二段和第三段，所述第一段和所述第三段垂直于所述信号线的延伸方向且分别与所述断点两侧的所述信号线连接，所述第二段平行于所述信号线的延伸方向。
如上所述的阵列基板，所述修复线的成膜线宽为8μm-10μm，所述修复线的膜厚为
如上所述的阵列基板，所述凹槽的深度小于所述绝缘层的厚度，所述凹槽的宽度大于所述修复线的成膜线宽，所述凹槽的开口为方形或圆形，所述凹槽的深度方向的截面为倒梯形。
如上所述的阵列基板，所述液态金属为银。
本发明另一方面提供一种阵列基板的断线修复方法，包括：
提供阵列基板，所述阵列基板包括衬底基板、设置在所述衬底基板上的信号线、修复线和绝缘层，所述绝缘层位于所述信号线的下方，所述信号线上具有断点；
在所述绝缘层上开设凹槽，所述凹槽与所述信号线不重合；
采用针头沿着滴注路径滴注液态金属，所述滴注路径的起始端和终止端分别经过所述信号线的断点的两侧，所述滴注路径经过所述凹槽并在所述凹槽处转折；
烘烤以使所述液态金属形成修复线。
如上所述的阵列基板的断线修复方法，所述滴注路径包括依次连接的第一段、第二段和第三段，所述第一段和所述第三段垂直于所述信号线的延伸方向，所述第二段平行于所述信号线的延伸方向，所述第一段和所述第二段、所述第二段和所述第三段在所述凹槽处形成连接拐角。
如上所述的阵列基板的断线修复方法，所述采用针头沿着滴注路径滴注液态金属，具体包括：所述针头保持预设移动速度和第一预设流量沿着所述滴注路径移动，且在所述凹槽的上方转向。
如上所述的阵列基板的断线修复方法，所述采用针头沿着滴注路径滴注液态金属，具体包括：所述针头保持预设移动速度和第一预设流量沿着所述滴注路径上除所述凹槽外的路径移动，在所述凹槽的上方静止后采用第二预设流量滴注预设时间并转向，所述第二预设流量小于所述第一预设流量。
如上所述的阵列基板的断线修复方法，所述在所述绝缘层上开设凹槽，具体包括：采用固定波长的激光，在所述绝缘层上开设具有预设形状和尺寸的凹槽，所述凹槽的深度小于所述绝缘层的厚度，所述凹槽的宽度大于所述修复线的成膜线宽，所述凹槽的开口为方形或圆形，所述凹槽的深度方向的截面为倒梯形。
本申请实施例提供的阵列基板及阵列基板的断线修复方法，选用无成膜衍射类的材料代替现有技术中的W(CO)6，可以从根本上解决W(CO)6造成的铜变色和辉点问题；并且，通过预先在绝缘层上对应修复线拐角处的位置开槽，可以避免修复线在拐角处膜厚堆积，可以避免修复线成膜不均导致的线不良。
附图说明
为了更清楚地说明本发明或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术提供的阵列基板断线采用六羰基钨修复时发生热分解的结构示意图；
图2为现有技术提供的阵列基板断线采用六羰基钨修复时发生光分解的结构示意图；
图3为现有技术提供的采用六羰基钨修复断线的阵列基板上TFT区域出现Cu变色的示意图；
图4为现有技术提供的采用六羰基钨修复断线的阵列基板呈现辉点不良的示意图；
图5为现有技术提供的架桥耦合和Cu变色呈现辉点的示意图；
图6为图5对应的暗点化后的示意图；
图7为本申请一实施例提供的断线修复的原理示意图；
图8为本申请一实施例提供的针头的滴注速度对成膜厚度的影响示意图；
图9为本申请一实施例提供的针头的控制电流对成膜厚度的影响示意图；
图10为本申请一实施例提供的采用U型修复线的阵列基板的局部结构俯视示意图；
图11为图10中D-D对应的剖面示意图；
图12为图10对应的阵列基板的修复线的实际成型示意图；
图13为图12对应的修复线的膜厚与位置关系示意图；
图14为本申请又一实施例提供的阵列基板的局部结构俯视示意图；
图15为图14中E-E对应的剖面示意图；
图16为图14对应的修复线的膜厚与位置关系示意图。
附图标记：
100-衬底基板；200-信号线；21-断点；22-六羰基钨；23-钨；300-修复线；31-第一段；32-第二段；33-第三段；400-绝缘层；41-凹槽；500-金属线；600-金属氧化物半导体层。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明中的附图，对本发明中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要理解的是，在现有技术中，当金属氧化物阵列基板在工艺流程中发生信号线断线不良时，普遍采用六羰基钨W(CO)6的成膜方式，利用钨W原子堆积在断线的断口处以修补断线。
图1为现有技术提供的阵列基板断线采用六羰基钨修复时发生热分解的结构示意图，图2为现有技术提供的阵列基板断线采用六羰基钨修复时发生光分解的结构示意图，图1和图2中所示的箭头代表激光照射。阵列基板包括衬底基板100和信号线200，信号线200具有断点21，使用六羰基钨W(CO)6对断点21进行修复时，利用的是六羰基钨W(CO)6在激光照射下，可以发生图1所示的热分解和图2所示的光分解的现象。在将W(CO)6沉积在断点21处时，一部分W(CO)6首先发生热分解，产生W原子沉积到断点21内，另一部分已经沉积在断点21内的W(CO)6，在光分解作用下产生W原子，随之产生的CO等废气可以经过燃烧后排出。
六羰基钨W(CO)6为粉末状气态金属，具有高熔点和良好的导热导电性，利用其成膜来修复断线，具有成本低，修补成功率较高，成膜工艺相对稳定的优点，但是，粉末状的W(CO)6在成膜过程中容易随着气流飞溅到断点21周围的像素区域，即发生成膜衍射现象。W(CO)6扩散到薄膜晶体管TFT位置，会导致TFT开关受损，外观上TFT区域Cu会出现变色。图3为现有技术提供的采用六羰基钨修复断线的阵列基板上TFT区域出现Cu变色的示意图，参考图3所示，左侧虚线框内为正常的Cu颜色，右侧虚线框内为发生变色的异常Cu颜色。并且，W(CO)6扩散到薄膜晶体管TFT位置，特性上会导致TFT内的金属氧化物半导体层，例如氧化铟锡IGZO的特性发生偏移，使得TFT的沟道处的电子迁移率发生明显异常。图4为现有技术提供的采用六羰基钨修复断线的阵列基板呈现辉点不良的示意图，参考图4所示，在点灯机上点灯观察阵列基板，可以看到该像素呈现辉点不良的情形。这一类辉点不良在各个不同的机种占比0.4％-8％左右不等，改善难度较高。
现有技术中，为了进行W(CO)6成膜衍射范围的控制，主要可以从硬件及工艺上调整：例如调整激光光路或者工艺条件参数优化，从而将成膜衍射控制在一定范围内，避免影响到其他像素，降低辉点发生比例。但是该种方案需要进行阶段性调整，耗费时间及人力，且无法彻底改善。
或者，也可以进行辉点像素追加暗点化的操作，从而将辉点变成暗点，改善产品质量。图5为现有技术提供的架桥耦合和Cu变色呈现辉点的示意图，参考图5所示，由于断线架桥成膜本身会产生寄生电容辉点，如图中上侧虚线框内所示，加上该类Cu变色辉点，如图中下侧虚线框所示，可能会形成2连辉甚至3连辉。图6为图5对应的暗点化后的示意图，参考图6所示，暗点化后为2连暗或者3连暗，产品质量仍然不能满足要求。
基于上述问题，本申请实施例提供一种阵列基板及阵列基板的断线修复方法，选用无成膜衍射类的材料银代替W(CO)6，可以从根本上解决W(CO)6造成的铜变色和辉点问题。
下面参考附图并结合具体的实施例来描述本发明实施例提供的阵列基板及阵列基板的断线修复方法。
图7为本申请一实施例提供的断线修复的原理示意图。参考图7所示，本申请实施例提供的阵列基板，包括衬底基板100和设置在衬底基板100上信号线200，信号线200上具有断点21，断点21两侧的信号线200通过修复线300连接，修复线300由液态金属银在常温环境下滴注成膜后形成。
液态的银材料呈乳白色，具有良好的导电和导热性，适用于修复信号线300，且银材料无成膜衍射特性，不会导致上述铜变色和辉点问题。
信号线200的断点21处往往伴随异物等杂质，直接将银材料堆积在断点21处来连通断掉的信号线200，修复的成功率会受到影响。因此，本申请实施例中，设置的修复线300非直接填充在断点21内，而是绕开断点21，形成U型结构，以避免断点21周围的其它结构。
修复线300通过成膜机构实现，成膜机构包括针头和控制机构，修复线300的成膜过程为，采用固定的针头，在针管内装满液态银材料，然后沿着预设的修复线300的U型轨迹进行移动，滴落后的银成膜后形成修复线300。
其中，银的成膜特性主要靠针头的移动速度和滴注流量确定，针头的滴注流量由控制机构对针头的控制电流控制，针头的移动速度可以控制成膜的厚度。图8为本申请一实施例提供的针头的滴注速度对成膜厚度的影响示意图，参考图8所示，针头的滴注速度越小，成膜厚度越大。图9为本申请一实施例提供的针头的控制电流对成膜厚度的影响示意图，参考图9所示，针头的控制电流越大，成膜厚度越大。
图10为本申请一实施例提供的采用U型修复线的阵列基板的局部结构俯视示意图，图11为图10中D-D对应的剖面示意图，图12为图10对应的阵列基板的修复线的实际成型示意图，图13为图12对应的修复线的膜厚与位置关系示意图。参考图10和图11所示，具体地，本申请实施例提供的阵列基板，包括衬底基板100、设置在衬底基板100上的金属线500、绝缘层400、金属氧化物半导体层600和信号线200，金属线500例如可以为扫描线或存储电容，信号线200例如可以为数据线，绝缘层400覆盖在金属线500的上方，用来隔开金属线500和金属氧化物半导体层600、信号线200。
采用针头滴注液态银时，针头的轨迹可以如图10中的箭头走向所示，针头采用固定的控制电流和移动速度，滴注后的液态金属经过烘烤后成膜。液态银的粘度较大，成膜后聚集不易散开，在U型修复线的拐角处，由于轨迹连续，且针头需要转换方向，不可避免地会在拐角处略作停顿，因此如图11中箭头指向的区域，容易形成膜厚的堆积，导致膜厚较厚。
图13中，横坐标指的是修复线300的位置，纵坐标指的是修复线300的膜厚，A、B、C对应图12中U型修复线300上的三个位置，参考图13可以得知，修复线300的膜厚在拐角A和C处的厚度明显大于非拐角位置B处的膜厚。在阵列基板后续和彩膜基板的组装过程中，修复线300的拐角处凸出的膜厚可能会顶到彩膜基板，该凸出的部分可能会形成牛顿环及按压线不良，从而导致阵列基板和彩膜基板受损，造成液晶显示面板损坏，损失极大。
基于上述问题，本申请提供一实施例，通过预先在绝缘层400上对应修复线300拐角处的位置开槽，从而可以避免修复线300在拐角处膜厚堆积。
图14为本申请又一实施例提供的阵列基板的局部结构俯视示意图，图15为图14中E-E对应的剖面示意图。参考图14和图15所示，本申请实施例提供的阵列基板，包括衬底基板100、设置在衬底基板100上的信号线200、修复线300和绝缘层400；绝缘层400位于信号线200的下方，信号线200上具有断点21，修复线300的两端分别连接在信号线200的断点21的两侧，修复线300由液态金属银滴注成膜后形成，修复线300包括多个相连的线段，绝缘层400上设置有凹槽41，凹槽41位于相邻的两个线段的连接拐角的下方。
其中，修复线300可以包括依次连接的第一段31、第二段32和第三段33，第一段31和第三段33可以垂直于信号线200的延伸方向且分别与断点21两侧的信号线200连接，第二段32可以平行于信号线200的延伸方向，修复线300整体呈U型，第一段31和第二段32的连接拐角、第二段32和第三段33的连接拐角的下方均设置有凹槽41。
在绝缘层400上对应修复线300的拐角位置设置凹槽41，可以使得滴注过程中多余的银沉积到凹槽41内，从而降低拐角膜厚，避免修复线300在拐角处膜厚不均的问题，改善成膜的均匀性。
具体地，凹槽41的深度小于绝缘层400的厚度，凹槽41下方的绝缘层400保留一定厚度，以避免产生其他不良缺陷。凹槽41的宽度可以大于修复线300的成膜线宽，以容纳足够多的液态金属，较大限度地降低拐角处膜厚。凹槽41的开口可以为方形或圆形，凹槽41的中心与拐角处成膜线宽的中心点重合，以保证拐角处滴注的均匀性，凹槽41的深度方向的截面为倒梯形，有利于液态银沉积并充满凹槽41。
在一种可能的实施方式中，修复线300的成膜线宽b可以为8μm-10μm，修复线300的膜厚可以为
凹槽41的宽度可以为15μm-25μm。
图16为图14对应的修复线的膜厚与位置关系示意图，图16中，横坐标指的是修复线300的位置，纵坐标指的是修复线300的膜厚，A、B、C对应图14中U型修复线300上的三个位置，参考图16并对比图13可以得知，修复线300的膜厚在拐角A和C处的厚度与非拐角位置B处的膜厚相差不大，修复线300的均匀性大大改善。
本申请实施例提供的阵列基板的断线修复方法，可以包括：
S101、提供阵列基板，阵列基板包括衬底基板100、设置在衬底基板100上的信号线200、修复线300和绝缘层400，绝缘层400位于信号线200的下方，信号线200上具有断点21。
S102、在绝缘层400上开设凹槽41，凹槽41与信号线200不重合。
在绝缘层400上开设凹槽41，具体包括：采用固定波长的激光，在绝缘层400上开设具有预设形状和尺寸的凹槽41。其中，可行地，波长可以为266mm，电流可以为1000A，频率可以为20HZ，凹槽41的深度可以为
绝缘层400厚度
左右，开设凹槽41后保留绝缘膜底层
S103、采用针头沿着滴注路径滴注液态金属，滴注路径的起始端和终止端分别经过信号线200的断点21的两侧，滴注路径经过凹槽41并在凹槽41处转折。
其中，滴注路径如图14中的箭头指向所示，包括依次连接的第一段31、第二段32和第三段33，第一段31和第三段33垂直于信号线200的延伸方向，第二段32平行于信号线200的延伸方向，第一段31和第二段32、第二段32和第三段33在凹槽41处形成连接拐角。
在一种可能的实施方式中，采用针头沿着滴注路径滴注液态金属，具体包括：针头保持预设移动速度和第一预设流量沿着滴注路径移动，且在凹槽41的上方转向。此时，针头的控制电流可以保持为265A，预设移动速度可以为75μm/s，阻抗可以为0.6Ω/μm，调整电流稳定不变的情况下孔径可以为1μm，液态银输出量恒定，第一预设流量为该控制电流和孔径对应的流量。针头可以沿着滴注路径进行来回移动，以使经过多次滴注后，成膜厚度可以满足在
的范围内，成膜线宽b可以在8μm-10μm的范围内。
本实施方式中，针头保持匀速滴注，转向时由于轨迹连续和不可避免地停顿，会滴落较多体积的液态银，多余的银沉积在凹槽41内，使得凹槽41处的修复线400不会凸出设置。
在另一种可能的实施方式中，采用针头沿着滴注路径滴注液态金属，具体包括：针头保持预设移动速度和第一预设流量沿着滴注路径上除凹槽41外的路径移动，在凹槽41的上方静止后采用第二预设流量滴注预设时间并转向，第二预设流量小于第一预设流量。
此时，在除凹槽41外的路径上，针头的控制电流可以保持为265A，预设移动速度可以为75μm/s，阻抗可以为0.6Ω/μm，调整电流稳定不变的情况下孔径可以为1μm，液态银输出量恒定，第一预设流量为该控制电流和孔径对应的流量。在凹槽41的上方，针头保持静止，即移动速度为零，针头的控制电流可以为180A，第二预设流量为该控制电流和孔径对应的流量。针头在凹槽41的上方滴注预设时间后，继续沿着滴注路径移动。针头可以沿着滴注路径进行来回移动，以使经过多次滴注后，成膜厚度可以满足在
的范围内，成膜线宽b可以在8μm-10μm的范围内。
本实施方式中，针头在凹槽上方即滴注路径的拐角位置处静止并以较小的流量滴注，使拐角位置处多余的银首先填充在凹槽41内，可以很好地控制拐角处的膜厚，在其它位置保持匀速滴注，使得修复线400整体膜厚均匀。
这里需要说明的是，本申请涉及的数值和数值范围为近似值，受制造工艺的影响，可能会存在一定范围的误差，这部分误差本领域技术人员可以认为忽略不计。
S104、烘烤以使液态金属形成修复线300。
需要说明的是，实际操作中，滴注和烘烤可以多次反复进行。例如，针头沿着滴注路径滴注一个来回后，可以使用UV(Ultraviolet Rays)光烘烤30s，然后再次滴注并烘烤，滴注和烘烤可以重复例如3次。重复滴注和烘烤，有利于成膜的均匀性和稳定性。
上述阵列基板的断线修复方法，通过在绝缘层上开设凹槽，然后采用针头沿着滴注路径进行液态银滴注形成修复线，滴注路径的拐角处对应凹槽设置，使得在拐角处滴注的多余的液态银沉积在凹槽中，从而可以降低修复线的拐角处的膜厚，有利于改善成膜不均导致的线不良，且整体工艺方法设备端可行性高。
本申请实施例提供的阵列基板及阵列基板的断线修复方法，选用无成膜衍射类的材料代替现有技术中的W(CO)6，可以从根本上解决W(CO)6造成的铜变色和辉点问题；并且，通过预先在绝缘层上对应修复线拐角处的位置开槽，可以避免修复线在拐角处膜厚堆积，可以避免修复线成膜不均导致的线不良。
在本发明的描述中，需要理解的是，所使用的术语“中心”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“顶端”、“底端”、“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”“轴向”、“周向”等指示方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的位置或原件必须具有特定的方位、以特定的构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个、三个等，除非另有明确具体的限定。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等应做广义理解，例如可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成为一体；可以是机械连接，也可以是电连接或者可以互相通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以使两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底基板、设置在所述衬底基板上的信号线、修复线和绝缘层；
所述绝缘层位于所述信号线的下方，所述信号线上具有断点，所述修复线的两端分别连接在所述信号线的断点的两侧，所述修复线由液态金属滴注成膜后形成，所述修复线包括多个相连的线段，所述绝缘层上设置有凹槽，所述凹槽位于相邻的两个所述线段的连接拐角的下方。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述修复线包括依次连接的第一段、第二段和第三段，所述第一段和所述第三段垂直于所述信号线的延伸方向且分别与所述断点两侧的所述信号线连接，所述第二段平行于所述信号线的延伸方向。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述修复线的成膜线宽为8μm-10μm，所述修复线的膜厚为
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述凹槽的深度小于所述绝缘层的厚度，所述凹槽的宽度大于所述修复线的成膜线宽，所述凹槽的开口为方形或圆形，所述凹槽的深度方向的截面为倒梯形。
5.根据权利要求1-4任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述液态金属为银。
6.一种阵列基板的断线修复方法，其特征在于，包括：
提供阵列基板，所述阵列基板包括衬底基板、设置在所述衬底基板上的信号线、修复线和绝缘层，所述绝缘层位于所述信号线的下方，所述信号线上具有断点；
在所述绝缘层上开设凹槽，所述凹槽与所述信号线不重合；
采用针头沿着滴注路径滴注液态金属，所述滴注路径的起始端和终止端分别经过所述信号线的断点的两侧，所述滴注路径经过所述凹槽并在所述凹槽处转折；
烘烤以使所述液态金属形成修复线。
7.根据权利要求6所述的断线修复方法，其特征在于，所述滴注路径包括依次连接的第一段、第二段和第三段，所述第一段和所述第三段垂直于所述信号线的延伸方向，所述第二段平行于所述信号线的延伸方向，所述第一段和所述第二段、所述第二段和所述第三段在所述凹槽处形成连接拐角。
8.根据权利要求6所述的断线修复方法，其特征在于，所述采用针头沿着滴注路径滴注液态金属，具体包括：
所述针头保持预设移动速度和第一预设流量沿着所述滴注路径移动，且在所述凹槽的上方转向。
9.根据权利要求6所述的断线修复方法，其特征在于，所述采用针头沿着滴注路径滴注液态金属，具体包括：
所述针头保持预设移动速度和第一预设流量沿着所述滴注路径上除所述凹槽外的路径移动，在所述凹槽的上方静止后采用第二预设流量滴注预设时间并转向，所述第二预设流量小于所述第一预设流量。
10.根据权利要求6-9任一项所述的断线修复方法，其特征在于，所述在所述绝缘层上开设凹槽，具体包括：
采用固定波长的激光，在所述绝缘层上开设具有预设形状和尺寸的凹槽，所述凹槽的深度小于所述绝缘层的厚度，所述凹槽的宽度大于所述修复线的成膜线宽，所述凹槽的开口为方形或圆形，所述凹槽的深度方向的截面为倒梯形。
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