CN111781766A - 显示面板及其制作方法 - Google Patents
显示面板及其制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111781766A CN111781766A CN202010648570.7A CN202010648570A CN111781766A CN 111781766 A CN111781766 A CN 111781766A CN 202010648570 A CN202010648570 A CN 202010648570A CN 111781766 A CN111781766 A CN 111781766A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- photoresist layer
- organic photoresist
- layer
- along
- organic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 114
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 85
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 85
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 55
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 48
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 48
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 46
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 60
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 15
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 6
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 5
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 3
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 5
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 2
- 241000561734 Celosia cristata Species 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 210000001520 comb Anatomy 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010023 transfer printing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136209—Light shielding layers, e.g. black matrix, incorporated in the active matrix substrate, e.g. structurally associated with the switching element
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
- H01L27/1244—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits for preventing breakage, peeling or short circuiting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
Abstract
一种显示面板及其制作方法，显示面板包括：显示区和非显示区，显示区沿第一方向设置有包括第二有机光阻层在内的多个膜层；非显示区沿第一方向设置有包括第一有机光阻层在内的多个膜层；第二有机光阻层沿第一方向的长度小于第二有机光阻层沿第一方向的长度，且第二有机光阻层沿第二方向的形状异于第一有机光阻层沿第二方向的形状；有益效果为：第一有机光阻层沿第二方向的形状为锯齿状，增加了氧化铟锡与金属银浆的接触面积，一方面可以防止金属银浆沿第二方向的延伸线断线，另一方面锯齿状的第一有机光阻层中凸起的结构增加了分子间的扩散阻力，进一步抑制了金属银浆沿第二方向向显示面板内扩散，减小了金属银浆沿第二方向断线的风险。
Description
技术领域
本申请涉及显示领域，特别是涉及一种显示面板及其制作方法。
背景技术
未来的商业显示领域，用于商业显示的拼接屏具有很大的市场价值。受到现阶段的技术限制，拼接屏会存在黑色的拼接黑缝，影响视觉体验。而通过侧向绑定技术能够将LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示面板)显示面板的边框变得更窄，从而从物理结构上缩减拼接黑缝，以提高拼接屏的视觉体验。在目前的商业显示应用中，金属银因具有超低电阻率和良好的延展性而作为侧向绑定技术的走线，然而目前银转印的侧向绑定在很大程度上受制于液晶盒的盒厚，使得金属银线断线的风险较高，对LCD显示面板的侧向绑定结构设计需求刻不容缓。
目前主流的侧向绑定技术，侧向绑定结构的LCD显示面板的驱动信号通过金属银线连通LCD显示面板内部的金属线灌输。在侧向绑定的金属银线印刷后会向显示面板内扩散，若上下基板之间的间隙过大，会导致金属银线往显示面板内扩散过多而导致阻抗过大或存在断线的风险，印刷金属银线与氧化铟锡本身的附着性较差，边框绑定区本身面积较小，导致金属银线与焊点之间易脱落而断线等风险。
因此，现有的液晶显示面板技术中，还存在着液晶显示面板侧向绑定的金属银线印刷后会向显示面板内扩散，若上下基板之间的间隙过大，会导致金属银线往显示面板内扩散过多二导致阻抗过大或存在断线的风险，且金属银线与氧化铟锡材料本身的附着性较差，边框绑定区本身的面积较小，导致金属银线与焊点之间易脱落而断线等的问题，急需改进。
发明内容
本申请涉及一种显示面板及其制作方法，用于解决现有技术中存在着液晶显示面板侧向绑定的金属银线印刷后会向显示面板内扩散，若上下基板之间的间隙过大，会导致金属银线往显示面板内扩散过多二导致阻抗过大或存在断线的风险，且金属银线与氧化铟锡材料本身的附着性较差，边框绑定区本身的面积较小，导致金属银线与焊点之间易脱落而断线等的问题。
为解决上述问题，本申请提供的技术方案如下：
本申请提供的一种显示面板，所述显示面板包括：显示区和非显示区，
所述显示区沿第一方向设置有包括所述第二有机光阻层在内的多个膜层；
所述非显示区沿所述第一方向设置有包括所述第一有机光阻层在内的多个膜层；
所述第二有机光阻层沿所述第一方向的长度小于所述第二有机光阻层沿所述第一方向的长度，且所述第二有机光阻层沿所述第二方向的形状异于所述第一有机光阻层沿所述第二方向的形状。
根据本申请提供的一种实施例，所述第二有机光阻层背离第一衬底基板一侧的表面形状为锯齿状，所述第一有机光阻层背离所述第一衬底基板一侧的表面形状为平面状。
根据本申请提供的一种实施例，所述第一有机光阻层沿所述第一方向的长度与所述第二有机光阻层沿所述第一方向的长度差为△H，△H具有一定的预设长度。
根据本申请提供的一种实施例，所述△H的预设长度为：0.5-1um。
根据本申请提供的一种实施例，所述第一有机光阻层沿所述第二方向被多个过孔间隔成多段平行的所述第一有机光阻层，所述第一有机光阻层与所述第二有机光阻层背离第一衬底基板的一侧以及所述过孔内均设置有氧化铟锡。
根据本申请提供的一种实施例，所述第一有机光阻层背离所述第一衬底基板一侧的氧化铟锡为第一氧化铟锡，所述第二有机光阻层背离所述第一衬底基板一侧的氧化铟锡为第二氧化铟锡，所述第一氧化铟锡沿所述第一方向的正投影长度小于所述第一有机光阻层中锯齿沿所述第一方向的正投影长度。
根据本申请提供的一种实施例，所述非显示区内，第一基板与第二基板沿所述第一方向通过金属银浆电性连接，所述金属银浆沿所述第二方向的长度小于等于第一段所述第一有机光阻层沿所述第二方向的长度。
根据本申请提供的一种实施例，所述第一基板包括：第一衬底基板、第一金属层、第一绝缘层、第二金属层、钝化层、过孔、所述第一有机光阻层、所述第二有机光阻层、第一氧化铟锡以及第二氧化铟锡，所述第二基板包括：第二衬底基板、色阻层以及黑色矩阵。
本申请还提供一种显示面板的制作方法，所述显示面板采用上述所述的显示面板，该方法包括以下步骤：
S10，提供第一衬底基板，在所述第一衬底基板一侧依次沉积第一金属层、第一绝缘层、第二金属层；
S20，再对所述第一金属层、所述第一绝缘层以及所述第二金属层采用黄光、刻蚀工艺进行图案化处理；
S30，采用化学气相沉积法沉积钝化层，并涂布第二有机光阻层形成平面状，涂布第一有机光阻层形成锯齿状，使得所述第二有机光阻层沿第一方向的长度小于所述第一有机光阻层沿所述第一方向的长度；
S40，在所述第一有机光阻层与所述第二有机光阻层背离所述衬底基板一侧形成过孔，至少包含一个所述过孔且所述过孔覆盖所述钝化层与所述第一有机光阻层或是所述第二有机光阻层；
S50，采用物理气相沉积法在所述过孔内以及所述第一有机光阻层与所述第二有机光阻层背离所述第一衬底基板一侧沉积氧化铟锡，所述氧化铟锡贯穿所述钝化层与所述第一有机光阻层或是所述第二有机光阻层，非显示区内的所述氧化铟锡沿所述第一方向延伸至所述第一金属层，使得所述非显示区内的所述第一金属层与所述第二金属层通过所述氧化铟锡实现连通，并对显示区内的所述氧化铟锡采用光刻工艺形成像素电极图形。
根据本申请提供的一种实施例，所述第一有机光阻层采用干法刻蚀中等离子体处理或采用有机粘结剂固化形成。
与现有技术相比，本申请提供的一种显示面板及其制作方法的有益效果为：
1.本申请提供的显示面板，所述显示面板包括：显示区和非显示区，所述显示区沿第一方向设置有包括所述第二有机光阻层在内的多个膜层；所述非显示区沿所述第一方向设置有包括所述第一有机光阻层在内的多个膜层；所述第二有机光阻层沿所述第一方向的长度小于所述第二有机光阻层沿所述第一方向的长度，且所述第二有机光阻层沿所述第二方向的形状异于所述第一有机光阻层沿所述第二方向的形状，即所述第一有机光阻层沿所述第二方向的形状为锯齿状，增加了所述氧化铟锡与所述金属银浆的接触面积，一方面可以防止所述金属银浆沿所述第二方向的延伸线断线，另一方面，锯齿状的所述第一有机光阻层中凸起的结构增加了分子间的扩散阻力，进一步抑制了所述金属银浆沿所述第二方向向所述显示面板内扩散，减小了所述金属银浆沿所述第二方向断线的风险；
2.本申请提供的显示面板，通过锯齿状的所述第一有机光阻层与所述金属银浆的电性连接，既使得所述第一有机光阻层与所述金属银浆之间的连接稳定性更高，也减小了拼接显示面板中相邻的两个所述显示面板之间的拼接缝隙，提高了客户的体验感；
3.本申请提供的显示面板的制作方法，所述第一有机光阻层采用干法刻蚀等离子体处理或采用有机粘结剂固化形成锯齿状的结构，使得所述金属银浆与第一段所述第一有机光阻层之间的连接稳定性更强。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的显示面板的结构示意图。
图2为本申请实施例提供的显示面板的制作方法的流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
本申请提供一种显示面板及其制作方法，具体参阅图1-图2。
目前主流的侧向绑定技术，侧向绑定结构的LCD显示面板的驱动信号通过金属银线连通LCD显示面板内部的金属线灌输。在侧向绑定的金属银线印刷后会向显示面板内扩散，若上下基板之间的间隙过大，会导致金属银线往显示面板内扩散过多而导致阻抗过大或存在断线的风险，印刷金属银线与氧化铟锡本身的附着性较差，边框绑定区本身面积较小，导致金属银线与焊点之间易脱落而断线等风险。因此，本申请提供一种显示面板及其制作方法用以解决上述问题。
参阅图1，为本申请提供的显示面板的结构示意图。本申请提供的一种显示面板，所述显示面板包括：显示区和非显示区，所述显示区沿第一方向Y设置有包括所述第二有机光阻层162在内的多个膜层；所述非显示区沿所述第一方向Y设置有包括所述第一有机光阻层161在内的多个膜层；所述第二有机光阻层162沿所述第一方向Y的长度小于所述第二有机光阻层162沿所述第一方向Y的长度，且所述第二有机光阻层162沿所述第二方向X的形状异于所述第一有机光阻层161沿所述第二方向X的形状，即所述显示区内的所述第二有机光阻层162的厚度小于所述非显示区内的所述第一有机光阻层161的厚度，所述第二有机光阻层162的形状不同于所述第一有机光阻层161的形状，将所述第一有机光阻层161的形状与所述第二有机光阻层162的形状不同，既便于所述非显示区内金属银浆31与所述金属层之间的连接稳定性，又可以阻止设置在第一基板1与第二基板2之间的金属银浆31横向延伸，增加阻抗。
在本申请的一种实施例中，所述第二有机光阻层162背离第一衬底基板11一侧的表面形状为锯齿状，所述第一有机光阻层161背离所述第一衬底基板11一侧的表面形状为平面状。
在本申请的一种实施例中，所述第一有机光阻层161沿所述第一方向Y的长度与所述第二有机光阻层162沿所述第一方向Y的长度差为△H，△H具有一定的预设长度。进一步地，所述△H的预设长度为：0.5-1um。
在本申请的一种实施例中，所述第一有机光阻层161沿所述第二方向X被多个过孔间隔成多段平行的所述第一有机光阻层161，所述第一有机光阻层161与所述第二有机光阻层162背离第一衬底基板11的一侧以及所述过孔内均设置有氧化铟锡。
在本申请的一种实施例中，所述第一有机光阻层161背离所述第一衬底基板11一侧的氧化铟锡为第一氧化铟锡171，所述第二有机光阻层162背离所述第一衬底基板11一侧的氧化铟锡为第二氧化铟锡172，所述第一氧化铟锡171沿所述第一方向Y的正投影长度小于所述第一有机光阻层161中锯齿沿所述第一方向Y的正投影长度，即所述第一有机光阻层161包括锯齿部分与平面部分，所述平面部分设置在所述锯齿部分的下端，所述第一氧化铟锡171高于所述第一有机光阻层161的平面部分，低于所述锯齿部分的上端，所述金属银浆31与第一段所述第一有机光阻层161连接，可以阻止所述金属银浆31沿所述第二方向X向所述显示面板内延伸，增加阻抗，影响显示面板的显示质量；所述金属银浆31与所述第一氧化铟锡171电性接触，通过所述第一氧化铟锡171实现金属银浆31与所述第一金属层12以及所述第二金属层14之间的电性连通。
进一步地，所述第一有机光阻层161背离所述第一衬底基板11一侧的表面形状不限于锯齿状，还可以为波浪形，即每个所述第一有机光阻层161背离所述第一衬底基板11一侧的侧视图可以为“V”字型或是“U”字型，均可以使得所述金属银浆31与第一段所述第一有机光阻层161的连接稳定性更强。
在本申请的一种实施例中，所述非显示区内，第一基板1与第二基板2沿所述第一方向Y通过金属银浆31电性连接，由于所述过孔贯穿所述钝化，15与所述第一有机光阻层161，且所述氧化铟锡覆盖所述过孔，所述氧化铟锡延伸至所述非显示区侧边与所述第一金属层12电性连接，因此，所述金属银浆31、所述第二金属层14与所述第一金属层12之间电性连接，所述第二方向X的长度小于等于第一段所述第一有机光阻层161沿所述第二方向X的长度，即所述金属银浆31位于所述第一基板1与所述第二基板2之间的横向长度小于等于第一段所述第一有机光阻层161的横向长度，且锯齿状的所述第一有机光阻层161由于锯齿状的结构，可以与所述金属银浆31连接得更紧密，稳定性更好，有效地阻止所述金属银浆31向所述显示面板沿所述第二方向X延伸。
在本申请的一种实施例中，所述第一基板1包括：第一衬底基板11、第一金属层12、第一绝缘层13、第二金属层14、钝化层15、过孔、所述第一有机光阻层161、所述第二有机光阻层162、第一氧化铟锡171以及第二氧化铟锡172，所述第二基板2包括：第二衬底基板21、色阻层23以及黑色矩阵22。
进一步地，所述过孔贯穿所述钝化层15与所述第二有机光阻层162或是所述钝化层15与所述第一有机光阻层161，相邻的色阻层之间通过所述黑色矩阵22间隔开，所述非显示区的所述第一有机光阻层161的正上方也设置有所述黑色矩阵22，以防止显示面板的侧向漏光。
进一步地，所述色阻层23包括多种不同颜色的色阻：红色色阻层231、绿色色阻层232以及蓝色色阻层233。
进一步地，所述第二衬底基板21与所述第一衬底基板11采用相同的材料，玻璃基板或是树脂基板。
参阅图2，本申请还提供一种显示面板的制作方法，所述显示面板采用上述所述的显示面板，该方法包括以下步骤：
S10，提供第一衬底基板11，在所述第一衬底基板11一侧依次沉积第一金属层12、第一绝缘层13、第二金属层14，所述第一衬底基板11为玻璃基板或是树脂基板，优选树脂基板，柔性更佳，所述第一绝缘层13为氮化硅、氧化硅或是氮氧化硅中的一种或是多种的组合；
S20，再对所述第一金属层12、所述第一绝缘层13以及所述第二金属层14采用黄光、刻蚀工艺进行图案化处理；
S30，采用化学气相沉积法沉积钝化层，并涂布第二有机光阻层162形成平面状，涂布第一有机光阻层161形成锯齿状，使得所述第二有机光阻层162沿第一方向Y的长度小于所述第一有机光阻层161沿所述第一方向Y的长度；
S40，在所述第一有机光阻层161与所述第二有机光阻层162背离所述第一衬底基板11一侧形成过孔，至少包含一个所述过孔且所述过孔覆盖所述钝化层15与所述第一有机光阻层161或是所述第二有机光阻层162；
S50，采用物理气相沉积法在所述过孔内以及所述第一有机光阻层161与所述第二有机光阻层162背离所述第一衬底基板11一侧沉积氧化铟锡，所述氧化铟锡贯穿所述钝化层15与所述第一有机光阻层161或是所述第二有机光阻层162，非显示区内的所述氧化铟锡沿所述第一方向Y延伸至所述第一金属层12，使得所述非显示区内的所述第一金属层12与所述第二金属层14通过所述氧化铟锡实现连通，并对显示区内的所述氧化铟锡采用光刻工艺形成像素电极图形。
在本申请的一种实施例中，所述第一有机光阻层161采用干法刻蚀中等离子体处理或采用有机粘结剂固化形成。
在本申请的一种实施例中，所述第二有机光阻层162与所述第一有机光阻层161采用半色调掩膜板制作。
在本申请的一种实施例中，所述过孔采用曝光显影的方式制作，所述第二有机光阻层162、所述第一有机光阻层161与所述过孔采用同一掩膜板进行曝光。
因此，本申请提供的一种显示面板及其制作方法的有益效果为：首先，本申请提供的显示面板，所述显示面板包括：显示区和非显示区，所述显示区沿第一方向设置有包括所述第二有机光阻层在内的多个膜层；所述非显示区沿所述第一方向设置有包括所述第一有机光阻层在内的多个膜层；所述第二有机光阻层沿所述第一方向的长度小于所述第二有机光阻层沿所述第一方向的长度，且所述第二有机光阻层沿所述第二方向的形状异于所述第一有机光阻层沿所述第二方向的形状，即所述第一有机光阻层沿所述第二方向的形状为锯齿状，增加了所述氧化铟锡与所述金属银浆的接触面积，一方面可以防止所述金属银浆沿所述第二方向的延伸线断线，另一方面，锯齿状的所述第一有机光阻层中凸起的结构增加了分子间的扩散阻力，进一步抑制了所述金属银浆沿所述第二方向向所述显示面板内扩散，减小了所述金属银浆沿所述第二方向断线的风险；然后，本申请提供的显示面板，通过锯齿状的所述第一有机光阻层与所述金属银浆的电性连接，既使得所述第一有机光阻层与所述金属银浆之间的连接稳定性更高，也减小了拼接显示面板中相邻的两个所述显示面板之间的拼接缝隙，提高了客户的体验感；进一步地，本申请提供的显示面板的制作方法，所述第一有机光阻层采用干法刻蚀等离子体处理或采用有机粘结剂固化形成锯齿状的结构，使得所述金属银浆与第一段所述第一有机光阻层之间的连接稳定性更强。
以上对本申请实施例所提供的一种显示面板及其制作方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：显示区和非显示区，
所述显示区沿第一方向设置有包括所述第二有机光阻层在内的多个膜层；
所述非显示区沿所述第一方向设置有包括所述第一有机光阻层在内的多个膜层；
所述第二有机光阻层沿所述第一方向的长度小于所述第二有机光阻层沿所述第一方向的长度，且所述第二有机光阻层沿所述第二方向的形状异于所述第一有机光阻层沿所述第二方向的形状。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二有机光阻层背离第一衬底基板一侧的表面形状为锯齿状，所述第一有机光阻层背离所述第一衬底基板一侧的表面形状为平面状。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一有机光阻层沿所述第一方向的长度与所述第二有机光阻层沿所述第一方向的长度差为△H，△H具有一定的预设长度。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述△H的预设长度为：0.5-1um。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一有机光阻层沿所述第二方向被多个过孔间隔成多段平行的所述第一有机光阻层，所述第一有机光阻层与所述第二有机光阻层背离第一衬底基板的一侧以及所述过孔内均设置有氧化铟锡。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第一有机光阻层背离所述第一衬底基板一侧的氧化铟锡为第一氧化铟锡，所述第二有机光阻层背离所述第一衬底基板一侧的氧化铟锡为第二氧化铟锡，所述第一氧化铟锡沿所述第一方向的正投影长度小于所述第一有机光阻层中锯齿沿所述第一方向的正投影长度。
7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述非显示区内，第一基板与第二基板沿所述第一方向通过金属银浆电性连接，所述金属银浆沿所述第二方向的长度小于等于第一段所述第一有机光阻层沿所述第二方向的长度。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述第一基板包括：第一衬底基板、第一金属层、第一绝缘层、第二金属层、钝化层、过孔、所述第一有机光阻层、所述第二有机光阻层、第一氧化铟锡以及第二氧化铟锡，所述第二基板包括：第二衬底基板、色阻层以及黑色矩阵。
9.一种显示面板的制作方法，其特征在于，所述显示面板采用权利要求1所述的显示面板，该方法包括以下步骤：
S10，提供第一衬底基板，在所述第一衬底基板一侧依次沉积第一金属层、第一绝缘层、第二金属层；
S20，再对所述第一金属层、所述第一绝缘层以及所述第二金属层采用黄光、刻蚀工艺进行图案化处理；
S30，采用化学气相沉积法沉积钝化层，并涂布第二有机光阻层形成平面状，涂布第一有机光阻层形成锯齿状，使得所述第二有机光阻层沿第一方向的长度小于所述第一有机光阻层沿所述第一方向的长度；
S40，在所述第一有机光阻层与所述第二有机光阻层背离所述衬底基板一侧形成过孔，至少包含一个所述过孔且所述过孔覆盖所述钝化层与所述第一有机光阻层或是所述第二有机光阻层；
S50，采用物理气相沉积法在所述过孔内以及所述第一有机光阻层与所述第二有机光阻层背离所述第一衬底基板一侧沉积氧化铟锡，所述氧化铟锡贯穿所述钝化层与所述第一有机光阻层或是所述第二有机光阻层，非显示区内的所述氧化铟锡沿所述第一方向延伸至所述第一金属层，使得所述非显示区内的所述第一金属层与所述第二金属层通过所述氧化铟锡实现连通，并对显示区内的所述氧化铟锡采用光刻工艺形成像素电极图形。
10.根据权利要求9所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述第一有机光阻层采用干法刻蚀等离子体处理或采用有机粘结剂固化形成。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010648570.7A CN111781766B (zh) | 2020-07-07 | 2020-07-07 | 显示面板及其制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010648570.7A CN111781766B (zh) | 2020-07-07 | 2020-07-07 | 显示面板及其制作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111781766A true CN111781766A (zh) | 2020-10-16 |
| CN111781766B CN111781766B (zh) | 2023-03-17 |
Family
ID=72759200
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010648570.7A Active CN111781766B (zh) | 2020-07-07 | 2020-07-07 | 显示面板及其制作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111781766B (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112631003A (zh) * | 2020-12-30 | 2021-04-09 | 成都中电熊猫显示科技有限公司 | 阵列基板及阵列基板的断线修复方法 |
| CN113629107A (zh) * | 2021-07-19 | 2021-11-09 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板的制作方法、显示面板和显示装置 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108761932A (zh) * | 2018-05-18 | 2018-11-06 | 武汉华星光电技术有限公司 | 液晶显示面板 |
| CN110752230A (zh) * | 2018-07-24 | 2020-02-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性基板及其制作方法、显示装置 |
| CN110827667A (zh) * | 2019-10-30 | 2020-02-21 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
| CN110837194A (zh) * | 2019-10-30 | 2020-02-25 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种液晶显示装置、拼接屏 |
| US20200067026A1 (en) * | 2018-08-27 | 2020-02-27 | Ordos Yuansheng Optoelectronics Co., Ltd. | Display panel, method for manufacturing the same and display device |
| CN110850649A (zh) * | 2019-11-26 | 2020-02-28 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 液晶显示面板 |
-
2020
- 2020-07-07 CN CN202010648570.7A patent/CN111781766B/zh active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108761932A (zh) * | 2018-05-18 | 2018-11-06 | 武汉华星光电技术有限公司 | 液晶显示面板 |
| CN110752230A (zh) * | 2018-07-24 | 2020-02-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性基板及其制作方法、显示装置 |
| US20200067026A1 (en) * | 2018-08-27 | 2020-02-27 | Ordos Yuansheng Optoelectronics Co., Ltd. | Display panel, method for manufacturing the same and display device |
| CN110827667A (zh) * | 2019-10-30 | 2020-02-21 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
| CN110837194A (zh) * | 2019-10-30 | 2020-02-25 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种液晶显示装置、拼接屏 |
| CN110850649A (zh) * | 2019-11-26 | 2020-02-28 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 液晶显示面板 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112631003A (zh) * | 2020-12-30 | 2021-04-09 | 成都中电熊猫显示科技有限公司 | 阵列基板及阵列基板的断线修复方法 |
| CN113629107A (zh) * | 2021-07-19 | 2021-11-09 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板的制作方法、显示面板和显示装置 |
| CN113629107B (zh) * | 2021-07-19 | 2023-08-22 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板的制作方法、显示面板和显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN111781766B (zh) | 2023-03-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN111781766B (zh) | 显示面板及其制作方法 | |
| KR102081599B1 (ko) | 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법 | |
| CN106054438A (zh) | 显示装置 | |
| CN111970816B (zh) | 驱动电路背板、及其制备方法、背光模组 | |
| CN113193024B (zh) | 显示面板及其制备方法、显示装置 | |
| CN111370451B (zh) | 显示基板及其制备方法、显示装置 | |
| CN110967884A (zh) | 一种阵列基板及显示面板 | |
| CN112433288A (zh) | 偏光片及显示面板 | |
| CN110837194B (zh) | 一种液晶显示装置、拼接屏 | |
| CN102360145A (zh) | 一种液晶显示面板及其制作方法 | |
| CN111638616B (zh) | 显示基板及其制作方法、显示面板及其制作方法 | |
| CN111736393A (zh) | 一种显示基板及其制备方法和液晶显示组件 | |
| KR20070041877A (ko) | 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조 방법 | |
| CN112068370B (zh) | 阵列基板及其制造方法 | |
| CN202306075U (zh) | 一种液晶显示面板 | |
| US6333597B1 (en) | Plasma display panel with color filter layers | |
| CN100485476C (zh) | 液晶显示器的制造方法 | |
| CN104298020A (zh) | 应用于ads显示装置中的阵列基板 | |
| CN112363357A (zh) | 阵列基板及显示面板 | |
| KR101106556B1 (ko) | 횡전계 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법 | |
| CN213750594U (zh) | 显示面板及显示装置 | |
| JPH0682830A (ja) | アクティブマトリックス液晶表示装置およびその製造方法 | |
| CN106935599B (zh) | 一种显示基板的制作方法、显示基板及显示装置 | |
| JPH1031224A (ja) | 表示用基板及びそれを用いる液晶表示装置 | |
| JP3634925B2 (ja) | 液晶表示用カラーフィルタ及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |