CN1578120A - 高频放大电路及采用该电路的移动通信终端 - Google Patents

高频放大电路及采用该电路的移动通信终端 Download PDF

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Abstract

信号输入端子和信号输出端子之间串联插入第1FET，信号输入端子和接地端子之间及信号输出端子和接地端子之间分别并联插入第2及第3FET。设置第1及第2基准电压端子和控制端子，向第1FET施加第1基准电压和控制电压，分别向第2及第3FET施加第2基准电压和控制电压，从而使第1、第2及第3FET作为可变电阻动作。从而，构成增益控制电路。而且，第1FET设置成与第1电阻并联，第2及第3FET设置成分别与第2及第3电阻串联。

Description

高频放大电路及采用该电路的移动通信终端
技术领域
本发明涉及设置于移动通信终端的发送部的高频电路部的放大高频信号的高频放大电路。另外，本发明涉及采用高频放大电路的移动通信终端。具体地说，涉及通过控制电压进行高频放大电路的输出功率控制的高频放大电路。
背景技术
最近，移动通信领域中，作为移动通信终端，综合多个通信方式的复合便携电话终端成为主流。例如，考虑与PDC(Personal DigitalCellular：个人数字蜂窝)方式和W-CDMA(Wide band Code DivisionMultiple Access：宽带码分多址)方式的两方式对应的移动通信终端。这样的复合移动通信终端可发挥PDC方式中服务区域的宽度以及W-CDMA方式中数据通信速度的各自的优点，今后可期待急速得到普及。
这样的复合移动通信终端中，PDC方式和W-CDMA方式中，作为载波使用的频率不同。因而，高频电路模块必须作成PDC方式用和W-CDMA方式用2个模块。另外，为了实现移动通信终端的小型化，很重视减少移动通信终端基板的部件数和高频电路模块的小型化。
以下，说明与PDC方式和W-CDMA方式的多个通信方式对应的传统的代表便携电话终端。
图8是传统的代表的便携电话终端的无线部的构成方框图。图8中，移动通信终端的无线部由发送部200、接收部400、合成器部410、共用器部500构成。
发送部200由以下部件构成：将中间频率例如600MHz的频率的调制输入信号，即中间频率调制信号变换成发送频率的向上变换器201；将向上变换器201的1mW以下的输出信号放大到最大10mW程度的可变增益的高频放大电路202；用于根据发送频率切换带通滤波器，即切换信号经路的高频开关203；各自抽出2个发送波段的信号的带通滤波器204及带通滤波器207；将带通滤波器204输出的10mW以下的高频信号放大到最大1W程度的固定增益的高输出高频放大电路205；将高输出高频放大电路205的输出供给共用器部500的隔离器206；将带通滤波器207输出的10mW以下的高频信号放大到最大1W程度的固定增益的高输出高频放大电路208；将高输出高频放大电路208的输出供给共用器部500的隔离器209。上述的发送频率，在PDC的场合约900MHz，W-CDMA方式的场合约1.9GHz。
接收部400由放大由共用器部500接收的接收信号并将该接收信号与合成器部410供给的本机振荡信号混合的前端IC401和从前端IC401的输出信号抽出中间频率信号的带通滤波器402构成。
合成器部410由温度补偿水晶振荡器(TCXO)411、锁相环(PLL)电路412、电压控制振荡器(VCO)413构成。
共用器部500由天线501、天线502、双工器503构成。
为了实现与PDC方式和W-CDMA方式的多个通信方式对应且实现移动通信终端的高频电路模块的小型化，共用向上变换器201及高频放大电路202。但是，作为带通滤波器204、207、高输出高频放大电路205、208、隔离器206、209，必须有与各个通信频率对应的电路模块，而且为了选择与通信频率对应的电路模块，必须有高频开关203。
图9是图8所示传统的代表的便携电话终端中的无线部的方框图。即，图9是表示发送部200和共用器500的具体的构成的方框图。
图9中，声音等调制后的中间频率调制信号输入信号输入端子101。向上变换器103从信号输入端子101输入中间频率调制信号的同时，从振荡器102输入本机振荡信号，将中间频率变换成发送频率。具体地说，向上变换器103通过将中间频率的信号(中间频率调制信号)与来自振荡器102的本机振荡信号混合，将中间频率变换成发送频率。
这里，若令输入向上变换器103的中间频率调制信号的频率为fif，振荡器102的本机振荡频率为flo，发送信号的频率为fc，则发送信号的频率fc可用下式表示，通过向上变换器103输出频率fc。
fc＝flo±fif
另外，通过变更振荡器102的振荡频率，可合成与PDC方式和W-CDMA方式的多个发送频率对应的发送波。
高频放大电路104内置有增益控制机能，将发送频率的信号放大到最大10mW程度。高频开关105用于选择与通信频率对应的高频电路。
这里，PDC方式中，带通滤波器106、高输出高频放大电路107及隔离器108用作高频电路，W-CDMA方式中，带通滤波器109、高输出高频放大电路110及隔离器111用作高频电路。
在PDC方式的场合，高频放大电路104的输出信号从高频开关105的端子105a发送到端子105b，输入带通滤波器106。输入带通滤波器106的信号在带通滤波器106中仅抽出发送波段的信号，从带通滤波器106输出。高输出高频放大电路107将带通滤波器106的输出信号即发送频率的信号放大到最大1W程度。高输出高频放大电路107的输出从隔离器108输入双工器112的端子112a。
在W-CDMA方式的场合，高频放大电路104的输出信号从高频开关105的端子105a发送到端子105c，输入带通滤波器109。输入带通滤波器109的信号在带通滤波器109中仅抽出发送波段的信号，从带通滤波器109输出。高输出高频放大电路110将带通滤波器109的输出信号即发送频率的信号放大到最大1W程度。高输出高频放大电路110的输出从隔离器111输入双工器112的端子112b。
双工器112具有将隔离器108输出的发送信号发送到天线113、将天线113接收的接收信号发送到信号输出端子115、将隔离器111输出的发送信号发送到天线114、将天线114接收的接收信号发送到信号输出端子116的机能。
这里，图9所示高频电路模块中，根据通信方式分开使用天线。即，PDC方式中采用天线113，W-CDMA方式中采用天线114。
具体地，双工器112具有以下功能：使信号在端子112a→端子112c的方向上通过，阻止从端子112a到端子112b、112d、112e、112f的信号，在端子112b→端子112d的方向上通过，阻止从端子112b到端子112a、112c、112e、112f的信号，在端子112c→端子112e的方向上通过，阻止从端子112c到端子112a、112b、112d、112f的信号，在端子112d→端子112f的方向上通过，阻止从端子112d到端子112a、112b、112c、112e的信号，阻止从端子112e到端子112a、112b、112c、112d、112f的信号，阻止从端子112f端子112a、112b、112c、112d、112e的信号。
通过图9所示构成，可在便携电话终端中采用高频开关105进行高频电路的选择，在与多个通信方式对应的通信终端中，实现高频电路模块的小型化。
接着，说明与PDC方式和W-CDMA方式的多个通信方式对应的高频放大电路。图10是图9的高频放大电路104的具体的电路方框图。
该高频放大电路104中，如图10所示，由信号输入端子181输入的高频信号经由进行阻抗变换的阻抗匹配电路182向增益控制电路183输入。增益控制电路183的输出信号输入放大器184并放大。放大器184的输出信号经由进行阻抗变换的阻抗匹配电路185向放大器186输入并放大。放大器186的输出信号经由进行阻抗变换的阻抗匹配电路187发送到信号输出端子188。
接着，说明采用高频放大电路104的增益控制动作。高频放大电路104的增益控制电路的衰减量由控制端子189的电压值的设定控制。另外，控制端子189的电压的控制中采用D/A变换器。D/A变换器根据控制部的控制信号进行控制端子189的电压的设定。
图11表示上述图9的高频放大电路104中的控制电压和输出功率的关系。其中，令到高频放大电路104的输入功率为一定。从图11可明白图9的高频放大电路的输出功率随着控制电压的变化而变化。通过将高频放大电路104适用于图8所示移动通信终端的无线部的发送模块，可实现移动通信终端的发送功率的输出功率控制。
接着，说明移动通信终端的高频电路模块中使用的增益控制电路。作为高频电路模块中的增益控制电路，采用场效应晶体管(以下为FET)。即，用FET作为可变电阻来实现增益控制电路。
以前，例如，特开平9-135102号公报(第5页，第1图、第2图)记载了这样的增益控制电路。
图12表示上述特开平9-135102号公报记载的传统的增益控制电路。图12中，符号1表示第1FET，符号2表示第2FET，符号3表示第3FET，符号4a表示与第1FET1串联连接的第1电阻，符号4b表示与第2FET2串联连接的第2电阻，符号4c表示与第3FET3并联连接的第3电阻，符号5表示接地，符号6a表示输入端子，符号6b表示输出端子，符号7a表示第1串联电路，符号7b表示第2串联电路。
接着，用图12说明增益控制电路的动作。通过控制向FET的栅极端子施加的电压，可切换FET为导通状态和截止状态。在FET的导通状态中，FET成为低阻抗状态，信号通过FET，在FET的截止状态中，FET成为高阻抗状态，遮断信号分量。
从而，令第1FET1及第2FET2为截止状态、第3FET3为导通状态时，若第1FET1及第2FET2可相对于输入端6a、输出端6b看成开放端，第3FET为足够小的电阻分量，则增益控制电路的等价电路可看成图13A的等价电路，在该状态中作为通过电路起作用。
接着，令第1FET1及第2FET2为导通状态、第3FET3为截止状态时，若令第1FET1及第2FET2是电阻分量、第3FET3是高阻抗的开放状态，则增益控制电路的等价电路成为由图13B的第1电阻4a、第2电阻4b、第3电阻4c组成的π型衰减器。
通过这样的电路构成，可实现增益控制电路。
作为第1课题，在上述增益控制电路的传统技术中，为了控制增益控制电路，必须设置2种控制信号，有控制电路变得复杂的问题。
这是因为，构成增益控制电路的第1FET1及第2FET2的栅极端子和第3FET3的栅极端子必须分别设定控制电压。因而，各个栅极端子必须设置将控制增益的控制部的控制信号变换成模拟信号的D/A变换器。结果，高频电路模块的电路规模增大。
作为第2课题，在上述增益控制电路的传统技术中，有只能将增益控制电路的状态设定成低阻抗状态和高阻抗状态的2个状态的问题。
这是因为，通过分别控制构成增益控制电路的第1FET1及第2FET2的栅极端子和第3FET3的栅极端子的电压，可切换FET1-3的导通状态和截止状态，实现增益控制。即，低阻抗状态中，令第1FET1及第2FET2为截止状态，第3FET3为导通状态，高阻抗状态中，令第1FET1及第2FET2为导通状态，第3FET3为截止状态，可实现增益控制。
因而，增益控制电路的衰减量只能设定成低阻抗状态和高阻抗状态的2值。
作为第3课题，在构成与多个通信方式对应的高频放大电路的场合，由于增益控制电路的频率特性，有增益控制电压和增益控制电路的衰减量的关系因通信方式而异的问题。
这是因为，构成增益控制电路的FET具有频率特性，FET的源极端子和漏极端子间的通过特性不同。
作为第4课题，在构成与多个通信方式对应、通信方式的频率不同的高频放大电路中采用的增益控制电路的场合，若控制电压和增益控制特性随频率变换，则作为与控制端子连接的D/A变换器，有必须设置输出电压的分辨率高的D/A变换器的问题。
这是因为，构成与多个通信方式对应的高频放大电路的场合，增益控制电路的控制电压和衰减量的关系因通信方式而异，配合相对于控制电压的增益控制电路的衰减量变化率大的通信方式，必须选择分辨率高的D/A变换器。结果，控制电路的D/A变换器的电路规模以及控制增益控制电路时采用的增益控制电压和衰减量的控制参数增大，导致控制电路复杂化。
发明内容
本发明的目的是提供：扩大增益控制电路的增益控制的设定范围且与多个通信方式对应地实现控制电路的规模及控制方法的简化的高频放大电路及采用其的移动通信终端。
本发明的第1高频放大电路，具备：信号输入端子(231)及信号输出端子(232)；连接信号输入端子(231)和信号输出端子(232)的第1可变电阻电路(260)；与信号输入端子(231)和第1接地端子(236)并联的第2可变电阻电路(261)；与信号输出端子(232)和第2接地端子(237)并联的第3可变电阻电路(262)；与第1、第2及第3可变电阻电路(260，261，262)分别连接的控制端子(233)；与第1可变电阻电路(260)连接的第1基准电压端子(234)；与第2及第3可变电阻电路(261，262)连接的第2基准电压端子(235)。
信号输入端子(231)和信号输出端子(232)之间的直流电阻无限大，信号输入端子(231)和第1接地端子(236)之间的直流电阻无限大，信号输出端子(232)和第2接地端子(237)之间的直流电阻无限大。
另外，根据控制端子(233)的电压和第1基准电压端子(234)的电压和第2基准电压端子(235)的电压的关系，连续地改变第1、第2及第3可变电阻电路(260，261，262)的电阻值，并相对于输入信号输入端子(231)的信号电平，连续地改变信号输出端子(232)中的信号电平。
上述中的第2及第3可变电阻电路(261，262)，可仅设置其中任一个而省略另一个。
本发明的第1高频放大电路，根据控制端子(233)的电压和第1基准电压端子(234)的电压和第2基准电压端子(235)的电压的关系，连续地改变第1、第2及第3可变电阻电路(260，261，262)的电阻值，相对于输入信号输入端子(231)的信号电平，连续地改变信号输出端子(232)中的信号电平，通过使控制电压可变，可以连续地改变高频放大电路的增益。结果，通过使控制电压可变，可以连续地改变高频放大电路的增益。
而且，根据该构成，由于可按照求出的特性选择增益控制电路的第1、第2及第3可变电阻电路(260，261，262)的电路构成，因而可以柔性设计高频放大电路的增益控制电路。
上述第1可变电阻电路(260)，由第1场效应晶体管(240)构成，控制端子(233)经由至少一个以上的第1电阻(255)与第1场效应晶体管(240)的栅极端子连接，第1基准电压端子(234)经由至少一个以上的第2电阻(239)与第1场效应晶体管(240)的源极端子或漏极端子连接，第1场效应晶体管(240)的源极端子和漏极端子之间连接有第3电阻(241)。
该构成中，根据控制端子(233)的电压和第1基准电压端子(234)的电压的关系，可将第1FET(240)的源极端子和漏极端子间的电阻作为可变电阻使用。
上述第2可变电阻电路(261)，由第2场效应晶体管(245)构成，控制端子(233)经由至少一个以上的第4电阻(259)与第2场效应晶体管(245)的源极端子或漏极端子连接，第2基准电压端子(235)经由至少一个以上的第5电阻(257)与第2场效应晶体管(245)的栅极端子连接，第2场效应晶体管(245)的源极端子和漏极端子之间连接第6电阻(246)，信号输入端子(231)和第2场效应晶体管(245)的源极端子或漏极端子之间，以及第1接地端子(236)和第2场效应晶体管(245)的漏极端子或源极端子之间的至少一方连接第7电阻(244，247)。
该构成中，根据控制端子(233)的电压和第2基准电压端子(235)的电压的关系，通过控制端子(233)的电压可将第2FET(245)的源极端子和漏极端子间的电阻作为可变电阻使用。
上述第3可变电阻电路(262)，由第3场效应晶体管(251)构成，控制端子(233)经由至少一个以上的第8电阻(256)与第3场效应晶体管(251)的源极端子或漏极端子连接，第2基准电压端子(235)经由至少一个以上的第9电阻(258)与第3场效应晶体管(251)的栅极端子连接，第3场效应晶体管(251)的源极端子和漏极端子之间连接第10电阻(252)，信号输出端子(232)和第3场效应晶体管(251)的源极端子或漏极端子之间，以及第2接地端子(237)和第3场效应晶体管(251)的漏极端子或源极端子之间的至少一方连接第11电阻(250，253)。
该构成中，根据控制端子(233)的电压和第2基准电压端子(235)的电压的关系，可将第3FET(251)的源极端子和漏极端子间的电阻作为可变电阻使用。
上述第1场效应晶体管(240)具备源极电极和漏极电极，源极电极和漏极电极之间配置至少一个以上的栅极电极。第2及第3FET(245，251)也与上述同样。
根据该构成，不会增加第1、第2及第3FET(240，245，251)的栅极宽度，可改善输入第1、第2及第3FET(240，245，251)的信号电平的失真特性。
另外，与上述第1场效应晶体管(240)的源极端子和漏极端子之间的遮断时的电阻值相比，第1场效应晶体管(240)的源极端子和漏极端子之间连接的上述第3电阻(241)的电阻值较低。
根据该构成，可降低第1FET(240)的源极端子和漏极端子间的通过特性的频率依存性引起的偏差。
与上述第2场效应晶体管(245)的源极端子和漏极端子之间的导通时的电阻值相比，信号输入端子(231)和第2场效应晶体管(245)的源极端子或漏极端子之间，以及第1接地端子(236)和第2场效应晶体管(245)的漏极端子或源极端子之间的至少一方连接的第7电阻(244，247)的电阻值的和较高。
根据该构成，可降低第2FET(245)的源极端子和漏极端子间的通过特性的频率依存性引起的偏差。
另外，与上述第3场效应晶体管(251)的源极端子和漏极端子之间的导通时的电阻值相比，信号输出端子(232)和第3场效应晶体管(251)的源极端子或漏极端子之间，以及第2接地端子(237)和第3场效应晶体管(251)的漏极端子或源极端子之间的至少一方连接的第11电阻(250，253)的电阻值的和较高。
根据该构成，可降低第3FET(251)的源极端子和漏极端子间的通过特性的频率依存性引起的偏差。
本发明的第2高频放大电路，具备：信号输入端子(211)及信号输出端子(219)；输入端子与信号输入端子(211)连接的第1匹配电路(212)；输入端子与第1匹配电路(212)的输出端子连接的增益控制电路(213)；输入端子与增益控制电路(213)的输出端子连接的第1放大器(215)；输入端子与第1放大器215的输出端子连接的第2匹配电路(216)；输入端子与第2匹配电路(216)的输出端子连接的第2放大器(217)；输入端子与第2放大器(217)的输出端子连接、输出端子与信号输出端子(219)连接的第3匹配电路(218)；基准电压端子(221)；基准电压输入端子(214a)与基准电压端子(221)连接、多个基准电压输出端子(214b，214c)分别与增益控制电路(213)的多个基准电压输入端子(213b，213c)连接的基准电压电路(214)；与增益控制电路(213)的控制输入端子(213a)连接的控制端子(220)；与增益控制电路(213)的接地端子(213d，213e)连接的第1接地端子(224，225)；与第1放大器(215)的电源端子连接的第1电源端子(222)；与第1放大器(215)的接地端子连接的第2接地端子(226)；与第2放大器(217)的电源端子连接的第2电源端子(223)；与第2放大器(217)的接地端子连接的第3接地端子(227)。
根据基准电压输入端子(221)的电压和控制端子(220)的电压的关系，改变增益控制电路(213)的信号输入端子和信号输出端子之间的电阻值，从而，相对于输入信号输入端子(211)的信号电平，连续地改变信号输出端子(219)中的信号电平。
本发明的第2高频放大电路，根据基准电压端子(221)的电压和控制端子(220)的电压的关系，改变增益控制电路(213)的信号输入端子和信号输出端子间的电阻值，从而，相对于输入信号输入端子(211)的信号电平，可连续地改变信号输出端子(219)中的信号电平。结果，通过一个控制电压可以改变高频放大电路的增益，因而可简化高频电路模块的控制电路的构成。
增益控制电路(213)具有由场效应晶体管构成的可变电阻电路。
根据该构成，通过控制FET的源极端子或漏极端子的电压和栅极端子的电压的关系，可将FET的源极端子和漏极端子间电阻作为可变电阻使用。
基准电压端子(221)与第1电源端子(222)或第2电源端子(223)之一连接。
根据该构成，通过共用基准电压电路的基准电压端子和第1放大器(215)的电源端子或第2放大器(217)的电源端子，可减少高频放大器中的端子数。
而且，增益控制电路中，可在信号输入端子和信号输出端子间构成采用FET的第1可变电阻电路，在信号输入端子和接地端子间构成采用FET的第2可变电阻电路，在信号输出端子和接地端子间构成采用FET的第3可变电阻电路，并采用设置有向第1可变电阻电路施加的第1基准电压和向第2可变电阻电路和第3可变电阻电路施加的第2基准电压的电路构成。
该构成中，对于控制电压，在切换第1可变电阻电路的动作区域和第2可变电阻电路及第3可变电阻电路的动作区域的状态下可使第1到第3可变电阻电路动作。结果，可扩大控制电压的范围。另外，第2可变电阻电路和第3可变电阻电路不必都设置，仅设置一个就可获得上述的效果。
另外，通过在第1可变电阻电路的FET的源极端子和漏极端子间连接电阻，在第2可变电阻电路的FET的源极端子或漏极端子和信号输入端子间，或在第2可变电阻电路的FET的漏极端子或源极端子和接地端子间连接电阻，在第3可变电阻电路的FET的源极端子或漏极端子和信号输出端子间，或在第3可变电阻电路的FET的漏极端子或源极端子和接地端子间连接电阻，可显著降低控制端子的电压和增益控制电路的衰减量的频率引起的增益控制特性的偏差。
本发明的第3高频放大电路，具备：信号输入端子(291)及信号输出端子(292)；与信号输入端子(291)和信号输出端子(292)连接的第1可变电阻电路(325)；与信号输入端子(291)和第1接地端子(296)并联的第2可变电阻电路(326)；与信号输出端子(292)和第2接地端子(297)并联的第3可变电阻电路(327)；连接于控制端子(293)和第3接地端子(298)之间、其输出端子与第1可变电阻电路(325)连接的第1分压电路(328)；连接于控制端子(293)和第3接地端子(298)之间、其输出端子与第2及第3可变电阻电路(326，327)分别连接的第2分压电路(329)；与第1可变电阻电路(325)连接的第1基准电压端子(294)；与第2及第3可变电阻电路(326，327)连接的第2基准电压端子(295)。
信号输入端子(291)和上述信号输出端子(292)之间的直流电阻无限大，信号输入端子(291)和上述第1接地端子(296)之间的直流电阻无限大，信号输出端子(292)和上述第2接地端子(297)之间的直流电阻无限大。
另外，根据控制端子(293)的电压和上述第1基准电压端子(294)的电压和上述第2基准电压端子(295)的电压的关系，连续地改变上述第1、第2及第3可变电阻电路(325，326，327)的电阻值，相对于输入上述信号输入端子(291)的信号电平，连续地改变上述信号输出端子(292)中的信号电平。
上述中的第2及第3可变电阻电路(326，327)，可仅设置其中任一个而省略另一个。
第3发明的高频放大器，根据控制端子(293)的电压和第1基准电压端子(294)的电压和第2基准电压端子(295)的电压的关系，连续地改变第1、第2及第3可变电阻电路(325，326，327)的电阻值，相对于输入信号输入端子(291)的信号电平，可连续地改变信号输出端子(292)中的信号电平。
而且，根据该构成，由于可按照求出的特性选择增益控制电路的第1、第2及第3可变电阻电路(325，326，327)的电路构成，因而可以柔性设计高频放大电路的增益控制电路。
而且，根据该构成，通过第1分压电路(328)和第2分压电路(329)对控制端子(293)的电压分压，供给增益控制电路的第1、第2及第3可变电阻电路(325，326，327)，从而，可以在更宽的控制电压的范围内连续地改变高频放大电路的增益。
上述第1可变电阻电路(325)由第1场效应晶体管(301)构成，第1分压电路(328)由至少2个第1电阻(316，317)组成，控制端子(293)与第1分压电路(328)连接，第1分压电路(328)的输出端子经由至少一个以上的第2电阻(318)与第1场效应晶体管(301)的栅极端子连接，第1基准电压端子(294)经由至少一个以上的第3电阻(300)与第1场效应晶体管(301)的源极端子或漏极端子连接，在第1场效应晶体管(301)的源极端子和漏极端子之间连接第4电阻(302)。
根据该构成，通过第1分压电路(328)对控制端子(293)的电压分压，供给第1可变电阻电路(325)，从而，按照控制端子(293)的电压和第1基准电压端子(294)的电压的关系，可将第1FET(301)的源极端子和漏极端子间的电阻作为可变电阻使用，而且可扩大控制电压的设定范围。
另外，上述第2可变电阻电路(326)由第2场效应晶体管(306)构成，第2分压电路(329)由至少2个第5电阻(319，320)组成，控制端子(293)与第2分压电路(329)连接，第2分压电路(329)的输出端子经由至少一个以上的第6电阻(321)与第2场效应晶体管(306)的源极端子或漏极端子连接，第2基准电压端子(295)经由至少一个以上的第7电阻(323)与第2场效应晶体管(306)的栅极端子连接，在第2场效应晶体管(306)的源极端子和漏极端子之间连接第8电阻(307)，信号输入端子(291)和第2场效应晶体管(306)的源极端子或漏极端子之间，以及第1接地端子(296)和第2场效应晶体管(306)的漏极端子或源极端子之间的至少一方与第9电阻(305，308)连接。
根据该构成，通过第2分压电路(329)对控制端子(293)的电压分压，供给第2可变电阻电路(326)，从而，按照控制端子(293)的电压和第2基准电压端子(295)的电压的关系，可将第2FET(306)的源极端子和漏极端子间的电阻作为可变电阻使用，而且可扩大控制电压的设定范围。
另外，上述第3可变电阻电路(327)由第3场效应晶体管(312)构成，第2分压电路(329)由至少2个第5电阻(319，320)组成，控制端子(293)与第2分压电路(329)连接，第2分压电路(329)的输出端子经由至少一个以上的第10电阻(322)与第3场效应晶体管(312)的源极端子或漏极端子连接，第2基准电压端子(295)经由至少一个以上的第11电阻(324)与第3场效应晶体管(312)的栅极端子连接，在第3场效应晶体管(312)的源极端子和漏极端子之间连接第12电阻(313)，信号输出端子(292)和第3场效应晶体管(312)的源极端子或漏极端子之间，以及第2接地端子(297)和第3场效应晶体管(312)的漏极端子或源极端子之间的至少一方与第13电阻(311，314)连接。
根据该构成，通过第2分压电路(329)对控制端子(293)的电压分压，供给第3可变电阻电路(327)，从而，按照控制端子(293)的电压和第2基准电压端子(295)的电压的关系，可将第3FET(312)的源极端子和漏极端子间的电阻作为可变电阻使用，而且可扩大控制电压的设定范围。
第1场效应晶体管(301)具备源极电极和漏极电极，源极电极和上述漏极电极之间配置至少一个以上的栅极电极。第2及第3FET(306，312)也与上述同样。
根据该构成，不会增加第1、第2及第3FET(301，306，312)的栅极宽度，可改善输入FET的信号电平的失真特性。
另外，与上述第1场效应晶体管(301)的源极端子和漏极端子之间的遮断时的电阻值相比，第1场效应晶体管(301)的源极端子和漏极端子之间连接的第4电阻(302)的电阻值较低。
根据该构成，可降低第1FET(301)的源极端子和漏极端子间的通过特性的频率依存性引起的偏差。
另外，与上述第2场效应晶体管(306)的源极端子和漏极端子之间的导通时的电阻值相比，信号输入端子(291)和第2场效应晶体管(306)的源极端子或漏极端子之间以及第1接地端子(296)和第2场效应晶体管(306)的漏极端子或源极端子之间的至少一方连接的第9电阻(305，308)的电阻值的和较高。
根据该构成，可降低第2FET(306)的源极端子和漏极端子间的通过特性的频率依存性引起的偏差。
另外，与上述第3场效应晶体管(312)的源极端子和漏极端子之间的导通时的电阻值相比，信号输出端子(292)和第3场效应晶体管(312)的源极端子或漏极端子之间以及第2接地端子(297)和第3场效应晶体管(312)的漏极端子或源极端子之间的至少一方连接的第13电阻(311，314)的电阻值的和较高。
根据该构成，可降低第3FET(312)的源极端子和漏极端子间的通过特性的频率依存性引起的偏差。
本发明的第4高频放大电路，具备：信号输入端子(271)及信号输出端子(279)；输入端子与信号输入端子(271)连接的第1匹配电路(272)；内置有对增益控制电压分压的分压电路，其输入端子与第1匹配电路(272)的输出端子连接的增益控制电路(273)；输入端子与增益控制电路(273)的输出端子连接的第1放大器(275)；输入端子与第1放大器(275)的输出端子连接的第2匹配电路(276)；输入端子与第2匹配电路(276)的输出端子连接的第2放大器(277)；输入端子与第2放大器(277)的输出端子连接、输出端子与信号输出端子(279)连接的第3匹配电路(278)；基准电压端子(281)；基准电压输入端子(274a)与基准电压端子(281)连接、多个基准电压输出端子(274b，274c)分别与增益控制电路(273)的多个基准电压输入端子(273b，273c)连接的基准电压电路(274)；与增益控制电路(273)的控制输入端子(273a)连接的控制端子(280)；与增益控制电路(273)的分压电路的接地端子(273d)连接的第1接地端子(284)；与增益控制电路(273)的接地端子(273e，273f)连接的第2接地端子(285，286)；与第1放大器(275)的电源端子连接的第1电源端子(282)；与第1放大器(275)的接地端子连接的第3接地端子(287)；与第2放大器(277)的电源端子连接的第2电源端子(283)；与第2放大器(277)的接地端子连接的第4接地端子(288)。
根据基准电压输入端子(281)的电压和控制端子(280)的电压的关系，改变增益控制电路(273)的信号输入端子和信号输出端子之间的电阻值，从而，相对于输入信号输入端子(271)的信号电平，连续地改变信号输出端子(279)中的信号电平。
本发明的第4高频放大电路，根据基准电压端子(281)的电压和控制端子(280)的电压的关系，改变增益控制电路(273)的信号输入端子和信号输出端子间的电阻值，从而，相对于输入信号输入端子(271)的信号电平，可连续地改变信号输出端子(279)中的信号电平。结果，通过一个控制电压可以改变高频放大电路的增益，因而可简化高频电路模块的控制电路的构成。
增益控制电路(273)具有由场效应晶体管构成的可变电阻电路。
根据该构成，通过控制FET的源极端子或漏极端子的电压和栅极端子的电压的关系，可将FET的源极端子和漏极端子间的电阻作为可变电阻使用。
基准电压端子(281)与第1电源端子(282)或第2电源端子(283)之一连接。
根据该构成，通过共用基准电压电路的基准电压端子和第1放大器的电源端子或第2放大器的电源端子，可减少高频放大电路中的端子数。
而且，增益控制电路中，可在信号输入端子和信号输出端子间构成采用FET的第1可变电阻电路，在信号输入端子和接地端子间构成采用FET的第2可变电阻电路，在信号输出端子和接地端子间构成采用FET的第3可变电阻电路，并采用设置有向第1可变电阻电路施加的第1基准电压和向第2可变电阻电路和第3可变电阻电路施加的第2基准电压的电路构成。
该构成中，对于控制电压，在切换第1可变电阻电路的动作区域和第2可变电阻电路及第3可变电阻电路的动作区域的状态下可使第1到第3可变电阻电路动作。结果，可扩大控制电压的范围。另外，第2可变电阻电路和第3可变电阻电路不必都设置，仅设置一个就可获得上述的效果。
另外，也可采用这样的构成，即，通过第1分压电路对控制端子的电压分压，将第1分压电路的输出提供给第1可变电阻电路的FET的栅极端子，通过第2分压电路对控制端子的电压分压，将第2分压电路的输出提供给第2可变电阻电路的FET的源极端子或漏极端子及第3可变电阻电路的FET的源极端子或漏极端子。
根据该构成，可通过第1分压电路和第2分压电路降低控制电压的变化，从而扩大增益控制电路的控制电压的设定范围，不必提高高频电路模块中控制增益控制电路的控制电路的D/A变换器的分辨率，可防止控制电路的复杂化。
另外，通过在第1可变电阻电路的FET的源极端子和漏极端子间连接电阻，在第2可变电阻电路的FET的源极端子或漏极端子和信号输入端子间，或在第2可变电阻电路的FET的漏极端子或源极端子和接地端子间连接电阻，在第3可变电阻电路的FET的源极端子或漏极端子和信号输出端子间，或在第3可变电阻电路的FET的漏极端子或源极端子和接地端子间连接电阻，可显著降低控制端子的电压和增益控制电路的衰减量的频率引起的增益控制特性的偏差。
本发明的第1移动通信终端，其中，高频电路模块由发送高频信号的发送部(200)、接收高频信号的接收部(400)、合成器部(410)、共用器部(500)构成。
发送部(200)由将中间频率的调制信号变换成发送频率的向上变换器(201)、内置有增益控制电路并放大向上变换器(201)的输出信号的可变增益的高频放大电路(202)、公共端子与可变增益的高频放大电路(202)的输出端子连接并根据发送频率切换高频信号经路的高频开关(203)、输入端子与高频开关(203)的一个切换端子连接以抽出第1发送波段的信号的第1带通滤波器(204)、将第1带通滤波器(204)输出的高频信号放大的固定增益的第1高输出高频放大电路(205)、将第1高输出高频放大电路(205)的输出供给共用器部(500)的第1隔离器(206)、输入端子与高频开关(203)的另一个切换端子连接以抽出第2发送波段的信号的第2带通滤波器(207)、将第2带通滤波器(207)输出的高频信号放大的固定增益的第2高输出高频放大电路(208)、将第2高输出高频放大电路(208)的输出供给共用器部(500)的第2隔离器(209)构成。
可变增益的高频放大电路(202)的增益控制电路具备：信号输入端子(231)及信号输出端子(232)；与信号输入端子(231)和信号输出端子(232)连接的第1可变电阻电路(260)；与信号输入端子(231)和第1接地端子(236)并联连接的第2可变电阻电路(261)；与信号输出端子(232)和第2接地端子(237)并联连接的第3可变电阻电路(262)；与第1、第2及第3可变电阻电路(260，261，262)分别连接的控制端子(233)；与第1可变电阻电路(260)连接的第1基准电压端子(234)；与第2及第3可变电阻电路(261，262)连接的第2基准电压端子(235)。
信号输入端子(231)和信号输出端子(232)之间的直流电阻无限大，信号输入端子(231)和第1接地端子(236)之间的直流电阻无限大，信号输出端子(232)和第2接地端子(237)之间的直流电阻无限大。
另外，根据控制端子(233)的电压和第1基准电压端子(234)的电压和第2基准电压端子(235)的电压的关系，连续地改变第1、第2及第3可变电阻电路(260，261，262)的电阻值，相对于输入信号输入端子(231)的信号电平，连续地改变信号输出端子(232)中的信号电平。
上述中的第2及第3可变电阻电路(261，262)，可仅设置其中任一个而省略另一个。
本发明的第1移动通信终端，根据控制端子(233)的电压和第1基准电压端子(234)的电压和第2基准电压端子(235)的电压的关系，连续地改变第1、第2及第3可变电阻电路(260，261，262)的电阻值，相对于输入信号输入端子(231)的信号电平，连续地改变信号输出端子(232)中的信号电平，通过使控制电压可变，可以连续地改变高频放大电路的增益，可简化移动通信终端的控制电路。
而且，根据该构成，由于可按照求出的特性选择增益控制电路的第1、第2及第3可变电阻电路(260，261，262)的电路构成，因而可以柔性设计高频放大电路的增益控制电路，提高移动通信终端的高频电路模块的设计的自由度。
上述第1可变电阻电路(260)由第1场效应晶体管(240)构成，控制端子(233)经由至少一个以上的第1电阻(255)与第1场效应晶体管(240)的栅极端子连接，第1基准电压端子(234)经由至少一个以上的第2电阻(239)与第1场效应晶体管(240)的源极端子或漏极端子连接，在第1场效应晶体管(240)的源极端子和漏极端子之间连接第3电阻(241)。
根据该构成，按照控制端子(233)的电压和第1基准电压端子(234)的电压的关系，通过控制端子(233)的电压可将第1FET(240)的源极端子和漏极端子间的电阻作为可变电阻使用。结果，通过控制电压可控制高频放大电路的增益控制电路，因而在移动通信终端的高频电路模块的控制电路中可采用D/A变换器，可简化控制电路的构成。
而且，根据该构成，可降低第1FET(240)的源极端子和漏极端子间的通过特性的频率依存性引起的偏差，因而可降低高频放大电路的增益控制电路的偏差。
上述第2可变电阻电路(261)由第2场效应晶体管(245)构成，控制端子(233)经由至少一个以上的第4电阻(259)与第2场效应晶体管(245)的源极端子或漏极端子连接，第2基准电压端子(235)经由至少一个以上的第5电阻(257)与第2场效应晶体管(245)的栅极端子连接，在第2场效应晶体管(245)的源极端子和漏极端子之间连接第6电阻(246)，信号输入端子(231)和第2场效应晶体管(245)的源极端子或漏极端子之间以及第1接地端子(236)和第2场效应晶体管(245)的漏极端子或源极端子之间的至少一方与第7电阻(244，247)连接。
根据该构成，按照控制端子(233)的电压和第2基准电压端子(235)的电压的关系，可将第2FET(245)的源极端子和漏极端子间的电阻作为可变电阻使用。结果，通过控制电压可控制高频放大电路的增益控制电路，因而在移动通信终端的高频电路模块的控制电路中可采用D/A变换器，可简化控制电路的构成。
而且，根据该构成，可降低第2FET(245)的源极端子和漏极端子间的通过特性的频率依存性引起的偏差，因而可降低高频放大电路的增益控制电路的偏差。
另外，上述第3可变电阻电路(262)由第3场效应晶体管(251)构成，控制端子(233)经由至少一个以上的第8电阻(256)与第3场效应晶体管(251)的源极端子或漏极端子连接，第2基准电压端子(235)经由至少一个以上的第9电阻(258)与第3场效应晶体管(251)的栅极端子连接，在第3场效应晶体管(251)的源极端子和漏极端子之间连接第10电阻(252)，信号输出端子(232)和第3场效应晶体管(251)的源极端子或漏极端子之间以及第2接地端子(237)和第3场效应晶体管(251)的漏极端子或源极端子之间的至少一方与第11电阻(250，253)连接。
根据该构成，按照控制端子(233)的电压和第2基准电压端子(235)的电压的关系，可将第3FET(251)的源极端子和漏极端子间的电阻作为可变电阻使用。结果，通过控制电压可控制高频放大电路的增益控制电路，因而在移动通信终端的高频电路模块的控制电路中可采用D/A变换器，可简化控制电路的构成。
而且，根据该构成，可降低第3FET(251)的源极端子和漏极端子间的通过特性的频率依存性引起的偏差，因而可降低高频放大电路的增益控制电路的偏差。
第1场效应晶体管(240)具备源极电极和漏极电极，源极电极和上述漏极电极之间配置至少一个以上的栅极电极。第2及第3FET(245，251)也与上述同样。
根据该构成，不会增加第1、第2及第3FET(240，245，251)的栅极宽度，可改善输入FET的信号电平的失真特性，因而可扩大高频放大电路的增益控制电路的电路规模，构成移动通信终端的高频电路模块。
本发明的第2移动通信终端，其中，高频电路模块由发送高频信号的发送部(200)、接收高频信号的接收部(400)、合成器部(410)、共用器部(500)构成。
发送部(200)由将中间频率的调制信号变换成发送频率的向上变换器(201)、内置有增益控制电路并放大向上变换器(201)的输出信号的可变增益的高频放大电路(202)、公共端子与可变增益的高频放大电路(202)的输出端子连接并根据发送频率切换高频信号经路的高频开关(203)、输入端子与高频开关(203)的一个切换端子连接以抽出第1发送波段的信号的第1带通滤波器(204)、将第1带通滤波器(204)输出的高频信号放大的固定增益的第1高输出高频放大电路(205)、将第1高输出高频放大电路(205)的输出供给共用器部(500)的第1隔离器(206)、输入端子与高频开关(203)的另一个切换端子连接以抽出第2发送波段的信号的第2带通滤波器(207)、将第2带通滤波器(207)输出的高频信号放大的固定增益的第2高输出高频放大电路(208)、将第2高输出高频放大电路(208)的输出供给共用器部(500)的第2隔离器(209)构成。
可变增益的高频放大电路(202)的增益控制电路具备：信号输入端子(291)及信号输出端子(292)；与信号输入端子(291)和信号输出端子(292)连接的第1可变电阻电路(325)；与信号输入端子(291)和第1接地端子(296)并联连接的第2可变电阻电路(326)；与信号输出端子(292)和第2接地端子(297)并联连接的第3可变电阻电路(327)；连接于控制端子(293)和第3接地端子(298)之间、其输出端子与第1可变电阻电路(325)连接的第1分压电路(328)；连接于控制端子(293)和第3接地端子(298)之间、其输出端子与第2及第3可变电阻电路(326，327)分别连接的第2分压电路(329)；与第1可变电阻电路(325)连接的第1基准电压端子(294)；与第2及第3可变电阻电路(326，327)连接的第2基准电压端子(295)。
信号输入端子(291)和信号输出端子(292)之间的直流电阻无限大，信号输入端子(291)和第1接地端子(296)之间的直流电阻无限大，信号输出端子(292)和第2接地端子(297)之间的直流电阻无限大。
根据控制端子(293)的电压和第1基准电压端子(294)的电压和第2基准电压端子(295)的电压的关系，连续地改变第1、第2及第3可变电阻电路(325，326，327)的电阻值，相对于输入信号输入端子(291)的信号电平，连续地改变信号输出端子(292)中的信号电平。
上述中的第2及第3可变电阻电路(326，327)，可仅设置其中任一个而省略另一个。
本发明的第2移动通信终端，根据控制端子(293)的电压和第1基准电压端子(294)的电压和第2基准电压端子(295)的电压的关系，连续地改变第1、第2及第3可变电阻电路(325，326，327)的电阻值，相对于输入信号输入端子(291)的信号电平，连续地改变信号输出端子(292)中的信号电平，通过使控制电压可变，可以连续地改变高频放大电路的增益，可简化移动通信终端的控制电路。
而且，根据该构成，由于可按照求出的特性选择增益控制电路的第1、第2及第3可变电阻电路(325，326，327)的电路构成，因而可以柔性设计高频放大电路的增益控制电路，提高移动通信终端的高频电路模块的设计的自由度。
而且，根据该构成，通过第1分压电路(328)和第2分压电路(329)对控制端子(293)的电压分压，供给增益控制电路的第1、第2及第3可变电阻电路(325，326，327)，从而，可以在更宽的控制电压的范围内连续地改变高频放大电路的增益。
上述第1可变电阻电路(325)由第1场效应晶体管(301)构成，第1分压电路(328)由至少2个第1电阻(316，317)组成，控制端子(293)与第1分压电路(328)连接，第1分压电路(328)的输出端子经由至少一个以上的第2电阻(318)与第1场效应晶体管(301)的栅极端子连接，第1基准电压端子(294)经由至少一个以上的第3电阻(300)与第1场效应晶体管(301)的源极端子或漏极端子连接，在第1场效应晶体管(301)的源极端子和漏极端子之间连接第4电阻(302)。
根据该构成，按照控制端子(293)的电压和第1基准电压端子(294)的电压的关系，可将第1FET(301)的源极端子和漏极端子间的电阻作为可变电阻使用。结果，通过控制电压可在更宽范围控制高频放大电路的增益控制电路，在移动通信终端的高频电路模块的控制电路中可采用无须高分辨率的D/A变换器，可简化控制电路的构成。
另外，上述第2可变电阻电路(326)由第2场效应晶体管(306)构成，第2分压电路(329)由至少2个第5电阻(319，320)组成，控制端子(293)与第2分压电路(329)连接，第2分压电路(329)的输出端子经由至少一个以上的第6电阻(321)与第2场效应晶体管(306)的源极端子或漏极端子连接，第2基准电压端子(295)经由至少一个以上的第7电阻(323)与第2场效应晶体管(306)的栅极端子连接，在第2场效应晶体管(306)的源极端子和漏极端子之间连接第8电阻(307)，信号输入端子(291)和第2场效应晶体管(306)的源极端子或漏极端子之间以及第1接地端子(296)和第2场效应晶体管(306)的漏极端子或源极端子之间的至少一方与第9电阻(305，308)连接。
根据该构成，按照用第2分压电路(329)对控制端子(293)的电压分压后的电压和第2基准电压端子(295)的电压的关系，可将第2FET(306)的源极端子和漏极端子间的电阻作为可变电阻使用。结果，通过控制电压可在更宽范围控制高频放大电路的增益控制电路，在移动通信终端的高频电路模块的控制电路中可采用无须高分辨率的D/A变换器，可简化控制电路的构成。
而且，根据该构成，可降低FET(306)的源极端子和漏极端子间的通过特性的频率依存性引起的偏差，因而可降低高频放大电路的增益控制电路的偏差。
另外，上述第3可变电阻电路(327)由第3场效应晶体管(312)构成，第2分压电路(329)由至少2个第5电阻(319，320)组成，控制端子(293)与第2分压电路(329)连接，第2分压电路(329)的输出端子经由至少一个以上的第10电阻(322)与第3场效应晶体管(312)的源极端子或漏极端子连接，第2基准电压端子(295)经由至少一个以上的第11电阻(324)与第3场效应晶体管(312)的栅极端子连接，在第3场效应晶体管(312)的源极端子和漏极端子之间连接第12电阻(313)，信号输出端子(292)和第3场效应晶体管(312)的源极端子或漏极端子之间以及第2接地端子(297)和第3场效应晶体管(312)的漏极端子或源极端子之间的至少一方与第13电阻(311，314)连接。
根据该构成，按照用第2分压电路(329)对控制端子(293)的电压分压后的电压和第2基准电压端子(295)的电压的关系，可将第3FET(312)的源极端子和漏极端子间的电阻作为可变电阻使用。结果，通过控制电压可以在更宽范围控制高频放大电路的可变电阻电路，在移动通信终端的高频电路模块的控制电路中可采用无须高分辨率的D/A变换器，可简化控制电路的构成。
而且，根据该构成，由于可降低第3FET(312)的源极端子和漏极端子间的通过特性的频率依存性引起的偏差，因而可降低高频放大电路的可变电阻电路的偏差。
第1场效应晶体管(301)具备源极电极和漏极电极，源极电极和漏极电极之间配置至少一个以上的栅极电极。第2及第3FET(306，312)也与上述同样。
根据该构成，不会增加第1、第2及第3FET(301，306，312)的栅极宽度，可改善输入FET的信号电平的失真特性，因而不会扩大高频放大电路的电路规模，可构成移动通信终端的高频电路模块。
附图说明
图1是本发明的第1实施例的高频放大电路的构成方框图。
图2是表示本发明的第1实施例的高频放大电路中的增益控制电路的电路构成的电路图。
图3A、图3B、图3C是本发明的第1实施例的高频放大电路中的增益控制电路的状态图。
图4是本发明的第1实施例的高频放大电路中的增益控制电路的状态图。
图5是本发明的第2实施例的高频放大电路的构成方框图。
图6是表示本发明的第2实施例的高频放大电路中的增益控制电路的电路构成的电路图。
图7是本发明的第2实施例的高频放大电路中的增益控制电路的状态图。
图8是传统的便携电话终端的无线部的构成方框图。
图9是表示传统的便携电话终端的无线部的其他构成的方框图。
图10是传统的高频放大电路的构成方框图。
图11是传统的高频放大电路中的增益控制电路的状态图。
图12是表示传统的增益控制电路的构成的电路图。
图13A、图13B是传统的增益控制电路的等价电路图。
具体实施方式
以下，参照图面说明本发明的实施例的高频放大电路及采用其的移动通信终端。
〔第1实施例〕
图1是表示本发明的第1实施例中的高频放大电路的构成的方框图。图1的高频放大电路，与图8所示传统的便携电话终端的发送部的方框图中的高频放大电路202对应。即，本发明的实施例的便携电话终端，在图8所示传统的便携电话终端的发送部中，用图1的高频放大电路取代高频放大电路202。
以下，详细说明图1的高频放大电路。
图1中，由信号输入端子211输入的高频信号经由进行阻抗变换的匹配电路212输入增益控制电路213。增益控制电路213的输出信号输入放大器215并放大。放大器215的输出信号经由进行阻抗变换的匹配电路216输入放大器217并放大。放大器217的输出信号经由进行阻抗变换的匹配电路218发送到信号输出端子219。
被施加基准电压Vref的基准电压端子221与基准电压电路214的电源端子214a连接。基准电压电路214的基准电压端子214b与增益控制电路213的基准电压端子213b连接。基准电压电路214的基准电压端子214c与增益控制电路213的基准电压端子213c连接。
增益控制端子220与增益控制电路213的增益控制端子213a连接。GND端子224与增益控制电路213的接地端子213d连接。GND端子225与增益控制电路213的接地端子213e连接。
被施加电源电压Vdd1的电源端子222与放大器215的电源端子连接。GND端子226与放大器215的接地端子连接。
被施加电源电压Vdd2的电源端子223与放大器217的电源端子连接。GND端子227与放大器217的接地端子连接。
接着，说明图1的高频放大电路的动作。通过分别设定电源端子222及电源端子223和基准电压端子221和增益控制端子220的电压值为规定的状态，改变增益控制电路213的衰减量，从而，实现高频放大电路的增益控制。
图2是表示图1的增益控制电路的具体的电路图。图2中，与增益控制电路213的输入端子对应的信号输入端子(IN)231与电容器238的一端和电容器243的一端分别连接。电容器238的另一端与FET240的源极端子和电阻239的一端和电阻241的一端分别连接。
电阻239的另一端和与增益控制电路213的端子213b对应的基准电压端子(Vref1)234连接。电阻241的另一端与FET240的漏极端子和电容器242的一端分别连接。与增益控制电路213的输出端子对应的信号输出端子(OUT)232与电容器242的另一端和电容器249的一端分别连接。
电容器243的另一端与电阻244的一端连接。与增益控制电路213的端子213a对应的控制端子(Vc)233与电阻255的一端和电阻256的一端和电阻259的一端分别连接。电阻244的另一端与FET245的源极端子和电阻259的另一端和电阻246的一端分别连接。电阻255的另一端与FET240的栅极端子连接。
电阻247的一端与FET245的漏极端子和电阻246的另一端分别连接。电阻247的另一端与电容器248的一端连接。与增益控制电路213的端子213d对应的GND端子236与电容器248的另一端连接。
电容器249的另一端，与电阻250的一端连接。电阻250的另一端与FET251的源极端子和电阻256的另一端和电阻252的一端分别连接。FET251的漏极端子与电阻252的另一端和电阻253的一端分别连接。电阻253的另一端与电容器254的一端连接。与增益控制电路213的端子213e对应的GND端子237与电容器254的另一端连接。
与增益控制电路213的端子213c对应的基准电压端子(Vref2)235与电阻257的一端和电阻258的一端分别连接。电阻257的另一端与FET245的栅极端子连接，电阻258的另一端与FET251的栅极端子连接。
这里，将由信号输入端子231和信号输出端子232之间连接的电容器238、FET240、电阻241及电容器242构成的电路作为可变电阻电路260。另外，将由信号输入端子231和GND端子236之间连接的电容器243、电阻244、FET245、电阻246、电阻247及电容器248构成的电路作为可变电阻电路261。而且，将由信号输出端子232和GND端子237之间连接的电容器249、电阻250、FET251、电阻252、电阻253及电容器254构成的电路作为可变电阻电路262。
另外，FET240、FET245、FET251中，源极端子及漏极端子的位置相反也可以。
另外，电容器243和电阻244的连接顺序以及电阻247和电容器248的连接顺序分别相反也可以。另外，电容器249和电阻250的连接顺序以及电阻253和电容器254的连接顺序分别相反也可以。
另外，电阻239的另一端与FET240的源极端子和电阻241的一端连接，但是也可以与FET240的漏极端子和电阻241的另一端连接。另外，电阻259的另一端与FET245的源极端子和电阻246的一端连接，但是也可以与FET245的漏极端子和电阻246的另一端连接。另外，电阻256的另一端与FET251的源极端子和电阻252的一端连接，但是也可以与FET251的漏极端子和电阻252的另一端连接。
以下说明以上构成的该实施例的高频放大电路的动作。
简单说明图2的增益控制电路中FET作为可变电阻动作的情况。通过设定控制电压Vc和基准电压Vref1和基准电压Vref2的关系为规定的状态，分别改变FET240、FET245及FET251的源极端子·漏极端子间的电阻值。从而，改变信号输入端子231和信号输出端子232间的衰减量，实现高频放大电路的增益控制。
这里，令电阻239，241，246，252，255，256，257，258，259具有高电阻值，电阻端子间几乎没有电压降。
图2的电路中FET作为可变电阻动作的场合，令被施加控制电压即增益控制电压的控制端子233的电压为Vc，基准电压端子234的电压为Vref1，基准电压端子235的电压为Vref2。此时，FET240的栅极端子成为与控制端子233的电压Vc大致同电位，FET240的源极端子和漏极端子成为与基准电压端子234的电压Vref1大致同电位。另外，FET245的源极端子和漏极端子分别成为与控制端子233的电压Vc大致同电位，FET245的栅极端子成为与基准电压端子235的电压Vref2大致同电位。而且，FET251的源极端子和漏极端子分别成为与控制端子233的电压Vc大致同电位，FET251的栅极端子成为与基准电压端子235的电压Vref2大致同电位。
这里，FET240、245、251的源极端子分别输入信号时，输入FET240、FET245、FET251的源极端子的信号和从同漏极端子输出的信号的功率比，即源极端子及漏极端子间的衰减量和控制电压的关系如图3A、图3B及图3C所示。图3A表示控制端子233的电压Vc和FET240的源极端子及漏极端子间的衰减量的关系。图3B表示控制端子233的电压Vc和FET245的源极端子及漏极端子间的衰减量的关系。图3C表示控制端子233的电压Vc和FET251的源极端子及漏极端子间的衰减量的关系。
这里，图3A、图3B和图3C中，当插入损失为0dB左右时定义为低阻抗，插入损失为-20dB以下的状态定义为高阻抗时，FET240、FET245及FET251的源极端子及漏极端子间的阻抗的关系可汇总并分别如下定义。
<FET240的场合>
Vc＞Vref1时；
源极端子及漏极端子间：低阻抗区域
Vc＜Vref1-|Vth|时；
源极端子及漏极端子间：高阻抗区域
Vref1-|Vth|≤Vc≤Vref1时；
源极端子及漏极端子间：可变电阻区域
<FET245，FET251的场合>
Vc＜Vref2时；
源极端子及漏极端子间：低阻抗区域
Vc＞Vref2+|Vth|时；
源极端子及漏极端子间：高阻抗区域
Vref2≤Vc≤Vref2+|Vth|时；
源极端子及漏极端子间：可变电阻区域
式中，令FET240、245、251的阈值分别为Vth。
接着，说明将图2的电路的增益控制电路适用于与多波段对应的移动通信终端的高频电路模块时的动作。作为一例，考虑在以下的条件进行动作的情况。令输入信号输入端子231的信号的频率为940MHz、1.95GHz两种。令施加到基准电压端子234的电压(Vref1)为1.9V，施加到基准电压端子235的电压(Vref2)为1.2V，施加到控制端子233的电压范围为从0V到3V。令电阻244、247、250、253的电阻值分别为10Ω，电阻241的电阻值为500Ω，电容器238、242、243、248、249、254的电容值分别为100pF。FET240、245、251的阈值Vth为-0.6V。另外，上述表示值电阻以外的电阻分别设定为从数kΩ到数100kΩ程度的高电阻值。
图4表示图2的增益控制电路中的到信号输入端子231的输入功率和来自信号输出端子232的输出功率的比PG和控制电压Vc的关系。
控制端子233的电压为2V以上(图4的区域a)时，FET240成为低阻抗状态，FET245、251成为高阻抗状态。从而，增益控制电路中的信号的衰减量变小，相对于控制电压的变化，衰减量为一定状态。
接着，控制端子233的电压为1.5V到2V(图4的区域b)时，FET240成为低阻抗状态。另外，FET245、251随着增益控制电压的增加，成为衰减量降低的状态。从而，增益控制电路的衰减量根据控制电压而变化。
这里，可变电阻电路261的FET245成为低阻抗状态、同时可变电阻电路262的FET251成为低阻抗状态时，增益控制电路的衰减量成为最大。但是，可变电阻电路261的阻抗不会成为电容器243和电阻240和电阻247和电容器248的串联电路的阻抗以下。同样，可变电阻电路262的阻抗不会成为电容器249和电阻250和电阻253和电容器254的串联电路的阻抗以下。
这里，增益控制电路的输入信号的频率中，将上述电容器243、248、249、254的电容设定为可忽视阻抗值的值，作为阻止直流量的耦合电容器起作用，从而，可变电阻电路261、262的衰减量变成可由电阻244、247、250、253定义。结果，可降低可变电阻电路261、262的频率依存性。
另外，控制端子233的电压为1V到1.5V(图4的区域c)时，FET240随着增益控制电压的增加，衰减量降低。此时，FET245、251成为低阻抗状态。从而，增益控制电路的衰减量根据增益控制电压而变化。
这里，可变电阻电路260的FET240成为高阻抗状态时，增益控制电路的衰减量成为最大。但是，可变电阻电路260的阻抗不会成为电容器238和电阻241和电容器242的串联电路的阻抗以上。
这里，增益控制电路的输入信号的频率中，将上述电容器238、242的电容设定成可忽视阻抗值的值，作为阻止直流量的耦合电容器起作用，从而，可变电阻电路260的衰减量可由电阻241确定。结果，可降低可变电阻电路260的频率依存性。
另外，控制端子233的电压为0V到1V(图4的区域d)时，FET240成为高阻抗状态，FET245、251成为低阻抗状态。从而，增益控制电路的衰减量变大，相对于增益控制电压，成为一定状态。
该例中，令可变电阻电路261的电阻244、247的电阻值和可变电阻电路262的电阻250、253的电阻值分别为10Ω，但是不限于该值。即，可变电阻电路261和可变电阻电路262中可分别插入电阻，也可根据电路布局，柔性设定可变电阻电路261、262的电路构成和电阻值。
而且，图4中表示了与输入增益控制电路的2个频率940MHz、1.95GHz相关的实验结果，若参看图4的增益控制电压和衰减量的关系，可明白能够显著降低由频率引起的增益控制特性的偏差。
这样，图2的增益控制电路中，在增益控制电路中设定2种基准电压，使相对于信号输入端子231和信号输出端子232之间形成的信号线串联插入的FET240和相对于信号输入端子231和信号输出端子232之间形成的信号线并联插入的FET245、251在切换这些动作范围的状态下动作，从而可在更宽的增益控制电压范围且更宽的频率范围内，由一个控制端子设定增益控制电路的衰减量。
而且，图1的高频放大电路中，基准电压端子221可与电源端子222或电源端子223共用。从而可实现高频放大电路中的端子数的减少，缩小高频放大电路的安装面积。
另外，图2的增益控制电路中，作为增益控制电路的FET，通过采用具有在源极电极和漏极电极间配置多个栅极电极的构造的多栅极FET，不会增加FET的栅极宽度，可改善输入FET的信号电平的失真特性。
而且，图2的增益控制电路中，可采用省略了相对于信号线并联插入的可变电阻电路261或可变电阻电路262之一的构成。这样，可简化可变电阻电路的构成。而且，增益控制电压和衰减量的关系中，可显著降低由频率引起的增益控制特性的偏差，可在更宽的增益控制电压范围且更宽的频率范围内，由一个控制端子设定增益控制电路的衰减量。
〔第2实施例〕
图5是表示本发明的第2实施例中的高频放大电路的构成的方框图。图5的高频放大电路，与图8所示传统的便携电话终端的发送部的方框图中的高频放大电路202对应。即，本发明的实施例的便携电话终端，在图8所示传统的便携电话终端的发送部中，用图5的高频放大电路取代高频放大电路202。
以下，详细说明图5的高频放大电路。
图5中，由信号输入端子271输入的高频信号经由进行阻抗变换的匹配电路272输入内置有分压电路的增益控制电路273。增益控制电路273的输出信号输入放大器275并放大。放大器275的输出信号经由进行阻抗变换的匹配电路276输入放大器277并放大。放大器277的输出信号经由进行阻抗变换的匹配电路278发送到信号输出端子279。
被施加基准电压Vref的基准电压端子281与基准电压电路274的电源端子274a连接。基准电压电路274的基准电压端子274b与增益控制电路273的基准电压端子273b连接。基准电压电路274的基准电压端子274c与增益控制电路273的基准电压端子273c连接。
增益控制端子280与增益控制电路273的增益控制端子273a连接，GND端子284与增益控制电路273的分压电路的接地端子273d连接，GND端子285与增益控制电路273的接地端子273e连接，GND端子286与增益控制电路273的接地端子273f连接。
被施加电源电压Vdd1的电源端子282与放大器275的电源端子连接，GND端子287与放大器275的接地端子连接。
被施加电源电压Vdd2的电源端子283与放大器277的电源端子连接，GND端子288与放大器277的接地端子连接。
接着，采用图5的高频放大电路说明增益控制动作。通过设定电源端子282和电源端子283和基准电压端子281和增益控制端子280的电压值分别为规定的状态，改变增益控制电路的衰减量，从而，实现高频放大电路的增益控制。
图6表示图5的增益控制电路的具体的电路图。图6中，与增益控制电路273的输入端子对应的信号输入端子(IN)291与电容器299的一端和电容器304的一端分别连接。电容器299的另一端与FET301的源极端子和电阻300的一端和电阻302的一端分别连接。
电阻300的另一端和与增益控制电路273的端子273b对应的基准电压端子(Vref1)294连接。电阻302的另一端与FET301的漏极端子和电容器303的一端分别连接。与增益控制电路273的输出端子对应的信号输出端子(OUT)292与电容器303的另一端和电容器310的一端分别连接。
电容器304的另一端与电阻305的一端连接。电阻305的另一端与FET306的源极端子和电阻307的一端和电阻321的一端分别连接。FET306的漏极端子与电阻307的另一端和电阻308的一端分别连接。电容器309的一端与电阻308的另一端连接。与增益控制电路273的端子273e对应的GND端子296与电容器309的另一端连接。
电容器310的另一端与电阻311的一端连接。电阻311的另一端与FET312的源极端子和电阻313的一端和电阻322的一端分别连接。FET312的漏极端子与电阻313的另一端和电阻314的一端分别连接。电容器315的一端与电阻314的另一端连接。与增益控制电路273的端子273f对应的GND端子297与电容器315的另一端连接。
与增益控制电路273的端子273c对应的基准电压端子(Vref2)295与电阻323的一端和电阻324的一端分别连接。电阻323的另一端与FET306的栅极端子连接。电阻324的另一端与FET312的栅极端子连接。
与增益控制电路273的端子273a对应的控制端子(Vc)293与电阻316的一端和电阻319的一端分别连接。电阻316的另一端与电阻317的一端和电阻318的一端分别连接。电阻318的另一端与FET301的栅极端子连接。电阻319的另一端与电阻320的一端和电阻321的另一端和电阻322的另一端分别连接。与增益控制电路273的端子273d对应的GND端子298与电阻317的另一端和电阻320的另一端分别连接。
这里，将由信号输入端子291和信号输出端子292之间连接的电容器299、FET301、电阻302、电容器303构成的电路作为可变电阻电路325。另外，将由信号输入端子291和GND端子296之间连接的电容器304、电阻305、FET306、电阻307、电阻308、电容器309构成的电路作为可变电阻电路326。而且，将由信号输出端子292和GND端子297之间连接的电容器310、电阻311、FET312、电阻313、电阻314、电容器315构成的电路作为可变电阻电路327。
另外，将由控制端子293和电阻316和电阻317和GND端子298构成的电路作为分压电路328。另外，将由控制端子293和电阻319和电阻320和GND端子298构成的电路作为分压电路329。
另外，FET301、FET306、FET312中，源极端子及漏极端子的位置相反也可以。
电容器304和电阻305的连接顺序以及电阻308和电容器309的连接顺序也可以分别相反。另外，电容器310和电阻311的连接顺序以及电阻314和电容器315的连接顺序也可以分别相反。
电阻300的一端与FET301的源极端子和电阻302的一端连接，但是也可以与FET301的漏极端子和电阻302的另一端连接。另外，电阻321的一端与FET306的源极端子和电阻307的一端连接，但是也可以与FET306的漏极端子和电阻307的另一端连接。电阻322的一端与FET312的源极端子和电阻313的一端连接，但是也可以与FET312的漏极端子和电阻313的另一端连接。
以下说明以上构成的该实施例的高频放大电路的动作。
简单说明图6的增益控制电路中FET作为可变电阻动作的情况。通过设定控制端子293的电压Vc和基准电压端子294的电压Vref1和基准电压端子295的电压Vref2的关系为规定的状态，分别改变FET301、306、312的源极端子·漏极端子间的电阻值。从而，改变信号输入端子291和信号输出端子292的间的衰减量，实现高频放大电路的增益控制。
这里，令电阻300，302，307，313，318，321，322，323，324具有高电阻值，各电阻端子间几乎没有电压降。
图6的电路中FET作为可变电阻动作时，令施加控制电压的控制端子293的电压为Vc，基准电压端子294的电压为Vref1，基准电压端子295的电压为Vref2。此时，FET301的栅极端子成为与由电阻316和电阻317对控制端子293的电压Vc分压后的电压Vc1大致同电位，FET301的源极端子和漏极端子成为与基准电压端子294的电压Vref1大致同电位。
另外，FET306的源极端子和漏极端子，分别成为与由电阻319和电阻320对控制端子293的电压Vc分压后的电压Vc2大致同电位，FET306的栅极端子成为与基准电压端子295的电压Vref2大致同电位。
而且，FET312的源极端子和漏极端子分别成为与由电阻319和电阻320对控制端子293的电压Vc分压后的电压Vc2大致同电位，FET312的栅极端子成为与基准电压端子295的电压Vref2大致同电位。
这里，信号分别输入FET301、306、312的源极端子时，输入FET301、306、312的源极端子的信号和来自同漏极端子输出的信号的功率比通过控制电压和基准电压的值如下定义。
<FET301的场合>
Vc1＞Vref1时；
源极端子及漏极端子间：低阻抗区域
Vc1＜Vref1-|Vth|时；
源极端子及漏极端子间：高阻抗区域
Vref1-|Vth|≤Vc1≤Vref1时；
源极端子及漏极端子间：可变电阻区域
<FET306、FET312的场合>
Vc2＜Vtef2时；
源极端子及漏极端子间：低阻抗区域
Vc2＞Vref2+|Vth|时；
源极端子及漏极端子间：高阻抗区域
Vref2≤Vc2≤Vref2+|Vth|时；
源极端子及漏极端子间：可变电阻区域
式中，令FET301、306、312的阈值分别为Vth。
接着，说明将图6的电路的增益控制电路适用于与多波段对应的移动通信终端的高频电路模块时的动作。作为一例，考虑在以下的条件进行动作的情况。令输入信号输入端子291的信号的频率为940MHz、1.95GHz两种。令施加到基准电压端子294的电压(Vref1)为0.9V，施加到基准电压端子295的电压(Vref2)为0.55V，施加到控制端子293的电压范围为从0V到3V。令电阻305、308、311、314的电阻值分别为10Ω，电阻302的电阻值为500Ω，电容器299、303、304、309、310、315的电容值分别为100pF。FET301、306、312的阈值Vth为-0.6V。令电阻316为35kΩ，电阻317为10kΩ，电阻319为10kΩ，电阻320为10kΩ。另外，上述表示值电阻以外的电阻分别设定为从数kΩ到数100kΩ程度的高电阻值。
图7表示图6的增益控制电路中的信号输入端子291的输入功率和来自信号输出端子292的输出功率PG的比和控制电压Vc的关系。
控制端子293的电压为2.6V以上(图7的区域a)时，FET301成为低阻抗状态，FET306、312成为高阻抗状态。从而，增益控制电路中的信号的衰减量变小，相对于控制电压的变化，衰减量为一定状态。
接着，控制端子293的电压为1.5到2.6V(图7的区域b)时，FET301成为低阻抗状态。另外，FET306、312随着增益控制电压的增加，衰减量成为降低的状态。从而，增益控制电路的衰减量根据控制电压而变化。
这里，可变电阻电路326的FET306成为低阻抗状态、同时可变电阻电路327的FET312成为低阻抗状态时，增益控制电路的衰减量成为最大。但是，可变电阻电路326的阻抗不会成为电容器304和电阻305和电阻308和电容器309的串联电路的阻抗以下。同样，可变电阻电路327的阻抗不会成为电容器310和电阻311和电阻314和电容器315的串联电路的阻抗以下。
这里，增益控制电路的输入信号的频率中，将上述电容器304，309，310，315的电容设定成可忽视阻抗值的值，作为阻止直流量的耦合电容器起作用，从而，可变电阻电路326，327的衰减量成为可由电阻305，308，311，314定义。结果，可降低可变电阻电路326、327的频率依存性。
另外，控制端子293的电压为0.4V到1.5V(图7的区域c)时，FET301随着增益控制电压的增加，衰减量降低。此时，FET306、312成为低阻抗状态。从而，增益控制电路的衰减量根据增益控制电压变化。
这里，可变电阻电路325的FET301成为高阻抗状态时，增益控制电路的衰减量成为最大。但是，可变电阻电路325的阻抗不会成为电容器299和电阻302和电容器303的串联电路的阻抗以上。
这里，增益控制电路的输入信号的频率中，将上述电容器299，303的电容设定成可忽视阻抗值的值，作为阻止直流量的耦合电容器起作用，从而，可变电阻电路325的衰减量由电阻302确定，可降低可变电阻电路325的频率依存性。
另外，控制端子293的电压为0V到0.4V(图7的区域d)时，FET301成为高阻抗状态，FET306、312成为低阻抗状态。从而，增益控制电路的衰减量变大，相对于增益控制电压，成为一定状态。
该例中，可变电阻电路326的电阻305、308的电阻值和可变电阻电路327的电阻311、314的电阻值分别设为10Ω，但是不限于该值。即，可变电阻电路326和可变电阻电路327中可分别插入电阻，也可根据电路布局，柔性设定可变电阻电路326、327的电路构成和电阻值。
图7中表示了与输入增益控制电路的2个频率940MHz、1.95GHz相关的实验结果，若参看图4的增益控制电压和衰减量的关系，可明白能够显著降低由频率引起的增益控制特性的偏差。
这样，图6的增益控制电路中，在增益控制电路中设定2种基准电压，使相对于信号输入端子291和信号输出端子292之间形成的信号线串联插入的FET301和相对于信号输入端子291和信号输出端子292之间形成的信号线并联插入的FET306、312在切换这些动作范围的状态下动作，从而可在更宽的增益控制电压范围且更宽的频率范围内，由一个控制端子设定增益控制电路的衰减量。
而且，该实施例中，设置由电阻316、317对控制端子293的电压Vc分压的分压电路328，采用将分压电路328分压的电压Vc1经由电阻318与FET301的栅极端子连接的电路构成，设置由电阻319、320对控制端子293的电压Vc分压的分压电路329，采用将分压电路329分压的电压Vc2经由电阻321与FET306的源极端子连接并经由电阻324与FET312的源极端子连接的电路构成。从而，可在更宽范围内设定增益控制电压，不必提高控制增益控制电路的控制电路的D/A转换器的分辨率，可防止控制电路的复杂化。
而且，图5的高频放大电路中，基准电压端子281可与电源端子282或电源端子283共用。从而可实现高频放大电路中的端子数的减少，缩小高频放大电路的安装面积。
另外，图6的增益控制电路中，作为增益控制电路的FET，通过采用具有在源极电极和漏极电极间配置多个栅极电极的构造的多栅极FET，不会增加FET的栅极宽度，可改善输入FET的信号电平的失真特性。
而且，图6的增益控制电路中，可采用省略了相对于信号线并联插入的可变电阻电路326或可变电阻电路327之一的构成。这样，可简化可变电阻电路的构成。而且，增益控制电压和衰减量的关系中，与可变电阻电路326和可变电阻电路327连接时同样，可显著降低由频率引起的增益控制特性的偏差，可在更宽的增益控制电压范围且更宽的频率范围内，由一个控制端子设定增益控制电路的衰减量。

Claims (48)

1.一种高频放大电路，
具备：
信号输入端子(231)及信号输出端子(232)；
连接上述信号输入端子(231)和上述信号输出端子(232)的第1可变电阻电路(260)；
与上述信号输入端子(231)和第1接地端子(236)并联的第2可变电阻电路(261)；
与上述信号输出端子(232)和第2接地端子(237)并联的第3可变电阻电路(262)；
与上述第1、第2及第3可变电阻电路(260，261，262)分别连接的控制端子(233)；
与上述第1可变电阻电路(260)连接的第1基准电压端子(234)；
与上述第2及第3可变电阻电路(261，262)连接的第2基准电压端子(235)，
上述信号输入端子(231)和上述信号输出端子(232)之间的直流电阻无限大，
上述信号输入端子(231)和上述第1接地端子(236)之间的直流电阻无限大，
上述信号输出端子(232)和上述第2接地端子(237)之间的直流电阻无限大，
根据上述控制端子(233)的电压和上述第1基准电压端子(234)的电压和上述第2基准电压端子(235)的电压的关系，连续地改变上述第1、第2及第3可变电阻电路(260，261，262)的电阻值，并相对于输入上述信号输入端子(231)的信号电平，连续地改变上述信号输出端子(232)中的信号电平。
2.一种高频放大电路，
具备：
信号输入端子(231)及信号输出端子(232)；
连接上述信号输入端子(231)和上述信号输出端子(232)的第1可变电阻电路(260)；
与上述信号输入端子(231)和第1接地端子(236)并联的第2可变电阻电路(261)；
与上述第1及第2可变电阻电路(260，261)分别连接的控制端子(233)；
与上述第1可变电阻电路(260)连接的第1基准电压端子(234)；
与上述第2可变电阻电路(261)连接的第2基准电压端子(235)，
上述信号输入端子(231)和上述信号输出端子(232)之间的直流电阻无限大，
上述信号输入端子(231)和上述第1接地端子(236)之间的直流电阻无限大，
根据上述控制端子(233)的电压和上述第1基准电压端子(234)的电压和上述第2基准电压端子(235)的电压的关系，连续地改变上述第1及第2可变电阻电路(260，261)的电阻值，并相对于输入上述信号输入端子(231)的信号电平，连续地改变上述信号输出端子(232)中的信号电平。
3.一种高频放大电路，
具备：
信号输入端子(231)及信号输出端子(232)；
连接上述信号输入端子(231)和上述信号输出端子(232)的第1可变电阻电路(260)；
与上述信号输出端子(232)和第2接地端子(237)并联的第3可变电阻电路(262)；
与上述第1及第3可变电阻电路(260，262)分别连接的控制端子(233)；
与上述第1可变电阻电路(260)连接的第1基准电压端子(234)；
与上述第3可变电阻电路(262)连接的第2基准电压端子(235)，
上述信号输入端子(231)和上述信号输出端子(232)之间的直流电阻无限大，
上述信号输出端子(232)和上述第2接地端子(237)之间的直流电阻无限大，
根据上述控制端子(233)的电压和上述第1基准电压端子(234)的电压和上述第2基准电压端子(235)的电压的关系，连续地改变上述第1及第3可变电阻电路(260，262)的电阻值，相对于输入上述信号输入端子(231)的信号电平，连续地改变上述信号输出端子(232)中的信号电平。
4.如权利要求1所述的高频放大电路，其特征在于，
上述第1可变电阻电路(260)，由第1场效应晶体管(240)构成，
上述控制端子(233)经由至少一个以上的第1电阻(255)与上述第1场效应晶体管(240)的栅极端子连接，
上述第1基准电压端子(234)经由至少一个以上的第2电阻(239)与上述第1场效应晶体管(240)的源极端子或漏极端子连接，
上述第1场效应晶体管(240)的源极端子和漏极端子之间连接有第3电阻(241)。
5.如权利要求1所述的高频放大电路，其特征在于，
上述第2可变电阻电路(261)，由第2场效应晶体管(245)构成，
上述控制端子(233)经由至少一个以上的第4电阻(259)与上述第2场效应晶体管(245)的源极端子或漏极端子连接，
上述第2基准电压端子(235)经由至少一个以上的第5电阻(257)与上述第2场效应晶体管(245)的栅极端子连接，
上述第2场效应晶体管(245)的源极端子和漏极端子之间连接第6电阻(246)，上述信号输入端子(231)和上述第2场效应晶体管(245)的源极端子或漏极端子之间，以及上述第1接地端子(236)和上述第2场效应晶体管(245)的漏极端子或源极端子之间的至少一方连接第7电阻(244，247)。
6.如权利要求1所述的高频放大电路，其特征在于，
上述第3可变电阻电路(262)，由第3场效应晶体管(251)构成，
上述控制端子(233)经由至少一个以上的第8电阻(256)与上述第3场效应晶体管(251)的源极端子或漏极端子连接，
上述第2基准电压端子(235)经由至少一个以上的第9电阻(258)与上述第3场效应晶体管(251)的栅极端子连接，
上述第3场效应晶体管(251)的源极端子和漏极端子之间连接第10电阻(252)，
上述信号输出端子(232)和上述第3场效应晶体管(251)的源极端子或漏极端子之间，以及上述第2接地端子(237)和上述第3场效应晶体管(251)的漏极端子或源极端子之间的至少一方连接第11电阻(250，253)。
7.如权利要求4所述的高频放大电路，其特征在于，
上述第1场效应晶体管(240)具备源极电极和漏极电极，上述源极电极和上述漏极电极之间配置至少一个以上的栅极电极。
8.如权利要求4所述的高频放大电路，其特征在于，
与上述第1场效应晶体管(240)的源极端子和漏极端子之间的遮断时的电阻值相比，上述第1场效应晶体管(240)的源极端子和漏极端子之间连接的上述第3电阻(241)的电阻值较低。
9.如权利要求5所述的高频放大电路，其特征在于，
与上述第2场效应晶体管(245)的源极端子和漏极端子之间的导通时的电阻值相比，上述信号输入端子(231)和上述第2场效应晶体管(245)的源极端子或漏极端子之间，以及上述第1接地端子(236)和上述第2场效应晶体管(245)的漏极端子或源极端子之间的至少一方连接的上述第7电阻(244，247)的电阻值的和较高。
10.如权利要求6所述的高频放大电路，其特征在于，
与上述第3场效应晶体管(251)的源极端子和漏极端子之间的导通时的电阻值相比，上述信号输出端子(232)和上述第3场效应晶体管(251)的源极端子或漏极端子之间，以及上述第2接地端子(237)和上述第3场效应晶体管(251)的漏极端子或源极端子之间的至少一方连接的第11电阻(250，253)的电阻值的和较高。
11.一种高频放大电路，
具备：
信号输入端子(211)及信号输出端子(219)；
输入端子与上述信号输入端子(211)连接的第1匹配电路(212)；
输入端子与上述第1匹配电路(212)的输出端子连接的增益控制电路(213)；
输入端子与上述增益控制电路(213)的输出端子连接的第1放大器(215)；
输入端子与上述第1放大器215的输出端子连接的第2匹配电路(216)；
输入端子与上述第2匹配电路(216)的输出端子连接的第2放大器(217)；
输入端子与上述第2放大器(217)的输出端子连接、输出端子与上述信号输出端子(219)连接的第3匹配电路(218)；
基准电压端子(221)；
基准电压输入端子(214a)与上述基准电压端子(221)连接、多个基准电压输出端子(214b，214c)分别与上述增益控制电路(213)的多个基准电压输入端子(213b，213c)连接的基准电压电路(214)；
与上述增益控制电路(213)的控制输入端子(213a)连接的控制端子(220)；
与上述增益控制电路(213)的接地端子(213d，213e)连接的第1接地端子(224，225)；
与上述第1放大器(215)的电源端子连接的第1电源端子(222)；
与上述第1放大器(215)的接地端子连接的第2接地端子(226)；
与上述第2放大器(217)的电源端子连接的第2电源端子(223)；
与上述第2放大器(217)的接地端子连接的第3接地端子(227)，
根据上述基准电压输入端子(221)的电压和上述控制端子(220)的电压的关系，改变上述增益控制电路(213)的信号输入端子和信号输出端子之间的电阻值，从而，相对于输入上述信号输入端子(211)的信号电平，连续地改变上述信号输出端子(219)中的信号电平。
12.权利要求11所述的高频放大电路，其特征在于，
上述增益控制电路(213)具有由场效应晶体管构成的可变电阻电路。
13.权利要求11所述的高频放大电路，其特征在于，
上述基准电压端子(221)，与上述第1电源端子(222)或上述第2电源端子(223)之一连接。
14.一种高频放大电路，
具备：
信号输入端子(291)及信号输出端子(292)；
与上述信号输入端子(291)和上述信号输出端子(292)连接的第1可变电阻电路(325)；
与上述信号输入端子(291)和第1接地端子(296)并联的第2可变电阻电路(326)；
与上述信号输出端子(292)和第2接地端子(297)并联的第3可变电阻电路(327)；
连接于控制端子(293)和第3接地端子(298)之间、其输出端子与上述第1可变电阻电路(325)连接的第1分压电路(328)；
连接于上述控制端子(293)和上述第3接地端子(298)之间、其输出端子与上述第2及第3可变电阻电路(326，327)分别连接的第2分压电路(329)；
与上述第1可变电阻电路(325)连接的第1基准电压端子(294)；
与上述第2及第3可变电阻电路(326，327)连接的第2基准电压端子(295)，
上述信号输入端子(291)和上述信号输出端子(292)之间的直流电阻无限大，
上述信号输入端子(291)和上述第1接地端子(296)之间的直流电阻无限大，
上述信号输出端子(292)和上述第2接地端子(297)之间的直流电阻无限大，
根据上述控制端子(293)的电压和上述第1基准电压端子(294)的电压和上述第2基准电压端子(295)的电压的关系，连续地改变上述第1、第2及第3可变电阻电路(325，326，327)的电阻值，相对于输入上述信号输入端子(291)的信号电平，连续地改变上述信号输出端子(292)中的信号电平。
15.一种高频放大电路，
具备：
信号输入端子(291)及信号输出端子(292)；
与上述信号输入端子(291)和上述信号输出端子(292)连接的第1可变电阻电路(325)；
与上述信号输入端子(291)和第1接地端子(296)并联的第2可变电阻电路(326)；
连接于控制端子(293)和第3接地端子(298)之间、其输出端子与上述第1可变电阻电路(325)连接的第1分压电路(328)；
连接于上述控制端子(293)和上述第3接地端子(298)之间、其输出端子与上述第2可变电阻电路(326)连接的第2分压电路(329)；
与上述第1可变电阻电路(325)连接的第1基准电压端子(294)；
与上述第2可变电阻电路(326)连接的第2基准电压端子(295)，
上述信号输入端子(291)和上述信号输出端子(292)之间的直流电阻无限大，
上述信号输入端子(291)和上述第1接地端子(296)之间的直流电阻无限大，
根据上述控制端子(293)的电压和上述第1基准电压端子(294)的电压和上述第2基准电压端子(295)的电压的关系，连续地改变上述第1及第2可变电阻电路(325，326)的电阻值，相对于输入上述信号输入端子(291)的信号电平，连续地改变上述信号输出端子(292)中的信号电平。
16.一种高频放大电路，
具备：
信号输入端子(291)及信号输出端子(292)；
与上述信号输入端子(291)和上述信号输出端子(292)连接的第1可变电阻电路(325)；
与上述信号输出端子(292)和第2接地端子(297)并联的第3可变电阻电路(327)；
连接于控制端子(293)和第3接地端子(298)之间、其输出端子与上述第1可变电阻电路(325)连接的第1分压电路(328)；
连接于上述控制端子(293)和上述第3接地端子(298)之间、其输出端子与上述第3可变电阻电路(327)分别连接的第2分压电路(329)；
与上述第1可变电阻电路(325)连接的第1基准电压端子(294)；
与上述第3可变电阻电路(327)连接的第2基准电压端子(295)，
上述信号输入端子(291)和上述信号输出端子(292)之间的直流电阻无限大，
上述信号输出端子(292)和上述第2接地端子(297)之间的直流电阻无限大，
根据上述控制端子(293)的电压和上述第1基准电压端子(294)的电压和上述第2基准电压端子(295)的电压的关系，连续地改变上述第1及第3可变电阻电路(325，327)的电阻值，相对于输入上述信号输入端子(291)的信号电平，连续地改变上述信号输出端子(292)中的信号电平。
17.权利要求14所述的高频放大电路，其特征在于，
上述第1可变电阻电路(325)由第1场效应晶体管(301)构成，上述第1分压电路(328)由至少2个第1电阻(316，317)组成，
上述控制端子(293)与上述第1分压电路(328)连接，上述第1分压电路(328)的输出端子经由至少一个以上的第2电阻(318)与上述第1场效应晶体管(301)的栅极端子连接，
上述第1基准电压端子(294)经由至少一个以上的第3电阻(300)与上述第1场效应晶体管(301)的源极端子或漏极端子连接，
在上述第1场效应晶体管(301)的源极端子和漏极端子之间连接第4电阻(302)。
18.权利要求14所述的高频放大电路，其特征在于，
上述第2可变电阻电路(326)由第2场效应晶体管(306)构成，上述第2分压电路(329)由至少2个第5电阻(319，320)组成，
上述控制端子(293)与上述第2分压电路(329)连接，上述第2分压电路(329)的输出端子经由至少一个以上的第6电阻(321)与上述第2场效应晶体管(306)的源极端子或漏极端子连接，
上述第2基准电压端子(295)经由至少一个以上的第7电阻(323)与上述第2场效应晶体管(306)的栅极端子连接，
在上述第2场效应晶体管(306)的源极端子和漏极端子之间连接第8电阻(307)，
上述信号输入端子(291)和上述第2场效应晶体管(306)的源极端子或漏极端子之间，以及上述第1接地端子(296)和上述第2场效应晶体管(306)的漏极端子或源极端子之间的至少一方与第9电阻(305，308)连接。
19.权利要求14所述的高频放大电路，其特征在于，
上述第3可变电阻电路(327)由第3场效应晶体管(312)构成，上述第2分压电路(329)由至少2个第5电阻(319，320)组成，
上述控制端子(293)与上述第2分压电路(329)连接，上述第2分压电路(329)的输出端子经由至少一个以上的第10电阻(322)与上述第3场效应晶体管(312)的源极端子或漏极端子连接，
上述第2基准电压端子(295)经由至少一个以上的第11电阻(324)与上述第3场效应晶体管(312)的栅极端子连接，
在上述第3场效应晶体管(312)的源极端子和漏极端子之间连接第12电阻(313)，
上述信号输出端子(292)和上述第3场效应晶体管(312)的源极端子或漏极端子之间，以及上述第2接地端子(297)和上述第3场效应晶体管(312)的漏极端子或源极端子之间的至少一方与第13电阻(311，314)连接。
20.权利要求17所述的高频放大电路，其特征在于，
上述第1场效应晶体管(301)具备源极电极和漏极电极，上述源极电极和上述漏极电极之间配置至少一个以上的栅极电极。
21.权利要求17所述的高频放大电路，其特征在于，
与上述第1场效应晶体管(301)的源极端子和漏极端子之间的遮断时的电阻值相比，上述第1场效应晶体管(301)的源极端子和漏极端子之间连接的上述第4电阻(302)的电阻值较低。
22.权利要求18所述的高频放大电路，其特征在于，
与上述第2场效应晶体管(306)的源极端子和漏极端子之间的导通时的电阻值相比，上述信号输入端子(291)和上述第2场效应晶体管(306)的源极端子或漏极端子之间以及上述第1接地端子(296)和上述第2场效应晶体管(306)的漏极端子或源极端子之间的至少一方连接的上述第9电阻(305，308)的电阻值的和较高。
23.权利要求19所述的高频放大电路，其特征在于，
与上述第3场效应晶体管(312)的源极端子和漏极端子之间的导通时的电阻值相比，上述信号输出端子(292)和上述第3场效应晶体管(312)的源极端子或漏极端子之间以及上述第2接地端子(297)和上述第3场效应晶体管(312)的漏极端子或源极端子之间的至少一方连接的上述第13电阻(311，314)的电阻值的和较高。
24.一种高频放大电路，
具备：
信号输入端子(271)及信号输出端子(279)；
输入端子与上述信号输入端子(271)连接的第1匹配电路(272)；
内置有对增益控制电压分压的分压电路，其输入端子与上述第1匹配电路(272)的输出端子连接的增益控制电路(273)；
输入端子与上述增益控制电路(273)的输出端子连接的第1放大器(275)；
输入端子与上述第1放大器(275)的输出端子连接的第2匹配电路(276)；
输入端子与上述第2匹配电路(276)的输出端子连接的第2放大器(277)；
输入端子与上述第2放大器(277)的输出端子连接、输出端子与上述信号输出端子(279)连接的第3匹配电路(278)；
基准电压端子(281)；
基准电压输入端子(274a)与上述基准电压端子(281)连接、多个基准电压输出端子(274b，274c)分别与上述增益控制电路(273)的多个基准电压输入端子(273b，273c)连接的基准电压电路(274)；
与上述增益控制电路(273)的控制输入端子(273a)连接的控制端子(280)；
与上述增益控制电路(273)的上述分压电路的接地端子(273d)连接的第1接地端子(284)；
与上述增益控制电路(273)的接地端子(273e，273f)连接的第2接地端子(285，286)；
与上述第1放大器(275)的电源端子连接的第1电源端子(282)；
与上述第1放大器(275)的接地端子连接的第3接地端子(287)；
与上述第2放大器(277)的电源端子连接的第2电源端子(283)；
与上述第2放大器(277)的接地端子连接的第4接地端子(288)，
根据上述基准电压输入端子(281)的电压和上述控制端子(280)的电压的关系，改变上述增益控制电路(273)的信号输入端子和信号输出端子之间的电阻值，从而，相对于输入上述信号输入端子(271)的信号电平，连续地改变上述信号输出端子(279)中的信号电平。
25.权利要求24所述的高频放大电路，其特征在于，
上述增益控制电路(273)具有由场效应晶体管构成的可变电阻电路。
26.权利要求24所述的高频放大电路，其特征在于，
上述基准电压端子(281)与上述第1电源端子(282)或上述第2电源端子(283)之一连接。
27.一种移动通信终端，其中，
高频电路模块由发送高频信号的发送部(200)、接收高频信号的接收部(400)、合成器部(410)、共用器部(500)构成，
上述发送部(200)由将中间频率的调制信号变换成发送频率的向上变换器(201)、内置有增益控制电路并放大上述向上变换器(201)的输出信号的可变增益的高频放大电路(202)、公共端子与上述可变增益的高频放大电路(202)的输出端子连接并根据发送频率切换高频信号经路的高频开关(203)、输入端子与上述高频开关(203)的一个切换端子连接以抽出第1发送波段的信号的第1带通滤波器(204)、将上述第1带通滤波器(204)输出的高频信号放大的固定增益的第1高输出高频放大电路(205)、将上述第1高输出高频放大电路(205)的输出供给上述共用器部(500)的第1隔离器(206)、输入端子与上述高频开关(203)的另一个切换端子连接以抽出第2发送波段的信号的第2带通滤波器(207)、将上述第2带通滤波器(207)输出的高频信号放大的固定增益的第2高输出高频放大电路(208)、将上述第2高输出高频放大电路(208)的输出供给上述共用器部(500)的第2隔离器(209)构成，
上述可变增益的高频放大电路(202)的上述增益控制电路具备：
信号输入端子(231)及信号输出端子(232)；
与上述信号输入端子(231)和上述信号输出端子(232)连接的第1可变电阻电路(260)；
与上述信号输入端子(231)和第1接地端子(236)并联连接的第2可变电阻电路(261)；
与上述信号输出端子(232)和第2接地端子(237)并联连接的第3可变电阻电路(262)；
与上述第1、第2及第3可变电阻电路(260，261，262)分别连接的控制端子(233)；
与上述第1可变电阻电路(260)连接的第1基准电压端子(234)；
与上述第2及第3可变电阻电路(261，262)连接的第2基准电压端子(235)，
上述信号输入端子(231)和上述信号输出端子(232)之间的直流电阻无限大，
上述信号输入端子(231)和上述第1接地端子(236)之间的直流电阻无限大，
上述信号输出端子(232)和上述第2接地端子(237)之间的直流电阻无限大，
根据上述控制端子(233)的电压和上述第1基准电压端子(234)的电压和上述第2基准电压端子(235)的电压的关系，连续地改变上述第1、第2及第3可变电阻电路(260，261，262)的电阻值，相对于输入上述信号输入端子(231)的信号电平，连续地改变上述信号输出端子(232)中的信号电平。
28.一种移动通信终端，其中，
高频电路模块由发送高频信号的发送部(200)、接收高频信号的接收部(400)、合成器部(410)、共用器部(500)构成，
上述发送部(200)由将中间频率的调制信号变换成发送频率的向上变换器(201)、内置有增益控制电路并放大上述向上变换器(201)的输出信号的可变增益的高频放大电路(202)、公共端子与上述可变增益的高频放大电路(202)的输出端子连接并根据发送频率切换高频信号经路的高频开关(203)、输入端子与上述高频开关(203)的一个切换端子连接以抽出第1发送波段的信号的第1带通滤波器(204)、将上述第1带通滤波器(204)输出的高频信号放大的固定增益的第1高输出高频放大电路(205)、将上述第1高输出高频放大电路(205)的输出供给上述共用器部(500)的第1隔离器(206)、输入端子与上述高频开关(203)的另一个切换端子连接以抽出第2发送波段的信号的第2带通滤波器(207)、将上述第2带通滤波器(207)输出的高频信号放大的固定增益的第2高输出高频放大电路(208)、将上述第2高输出高频放大电路(208)的输出供给上述共用器部(500)的第2隔离器(209)构成，
上述可变增益的高频放大电路(202)的上述增益控制电路具备：
信号输入端子(231)及信号输出端子(232)；
与上述信号输入端子(231)和上述信号输出端子(232)连接的第1可变电阻电路(260)；
与上述信号输入端子(231)和第1接地端子(236)并联连接的第2可变电阻电路(261)；
与上述第1及第2可变电阻电路(260，261)分别连接的控制端子(233)；
与上述第1可变电阻电路(260)连接的第1基准电压端子(234)；
与上述第2可变电阻电路(261)连接的第2基准电压端子(235)，
上述信号输入端子(231)和上述信号输出端子(232)之间的直流电阻无限大，
上述信号输入端子(231)和上述第1接地端子(236)之间的直流电阻无限大，
根据上述控制端子(233)的电压和上述第1基准电压端子(234)的电压和上述第2基准电压端子(235)的电压的关系，连续地改变上述第1及第2可变电阻电路(260，261)的电阻值，相对于输入上述信号输入端子(231)的信号电平，连续地改变上述信号输出端子(232)中的信号电平。
29.一种移动通信终端，其中，
高频电路模块由发送高频信号的发送部(200)、接收高频信号的接收部(400)、合成器部(410)、共用器部(500)构成，
上述发送部(200)由将中间频率的调制信号变换成发送频率的向上变换器(201)、内置有增益控制电路并放大上述向上变换器(201)的输出信号的可变增益的高频放大电路(202)、公共端子与上述可变增益的高频放大电路(202)的输出端子连接并根据发送频率切换高频信号经路的高频开关(203)、输入端子与上述高频开关(203)的一个切换端子连接以抽出第1发送波段的信号的第1带通滤波器(204)、将上述第1带通滤波器(204)输出的高频信号放大的固定增益的第1高输出高频放大电路(205)、将上述第1高输出高频放大电路(205)的输出供给上述共用器部(500)的第1隔离器(206)、输入端子与上述高频开关(203)的另一个切换端子连接以抽出第2发送波段的信号的第2带通滤波器(207)、将上述第2带通滤波器(207)输出的高频信号放大的固定增益的第2高输出高频放大电路(208)、将上述第2高输出高频放大电路(208)的输出供给上述共用器部(500)的第2隔离器(209)构成，
上述可变增益的高频放大电路(202)的上述增益控制电路具备：
信号输入端子(231)及信号输出端子(232)；
与上述信号输入端子(231)和上述信号输出端子(232)连接的第1可变电阻电路(260)；
与上述信号输出端子(232)和第2接地端子(237)并联连接的第3可变电阻电路(262)；
与上述第1及第3可变电阻电路(260，262)分别连接的控制端子(233)；
与上述第1可变电阻电路(260)连接的第1基准电压端子(234)；
与上述第3可变电阻电路(262)连接的第2基准电压端子(235)，
上述信号输入端子(231)和上述信号输出端子(232)之间的直流电阻无限大，
上述信号输出端子(232)和上述第2接地端子(237)之间的直流电阻无限大，
根据上述控制端子(233)的电压和上述第1基准电压端子(234)的电压和上述第2基准电压端子(235)的电压的关系，连续地改变上述第1及第3可变电阻电路(260，262)的电阻值，相对于输入上述信号输入端子(231)的信号电平，连续地改变上述信号输出端子(232)中的信号电平。
30.权利要求27所述的移动通信终端，其特征在于，
上述第1可变电阻电路(260)由第1场效应晶体管(240)构成，
上述控制端子(233)经由至少一个以上的第1电阻(255)与上述第1场效应晶体管(240)的栅极端子连接，
上述第1基准电压端子(234)经由至少一个以上的第2电阻(239)与上述第1场效应晶体管(240)的源极端子或漏极端子连接，
在上述第1场效应晶体管(240)的源极端子和漏极端子之间连接第3电阻(241)。
31.权利要求27所述的移动通信终端，其特征在于，
上述第2可变电阻电路(261)由第2场效应晶体管(245)构成，
上述控制端子(233)经由至少一个以上的第4电阻(259)与上述第2场效应晶体管(245)的源极端子或漏极端子连接，
上述第2基准电压端子(235)经由至少一个以上的第5电阻(257)与上述第2场效应晶体管(245)的栅极端子连接，
在上述第2场效应晶体管(245)的源极端子和漏极端子之间连接第6电阻(246)，
上述信号输入端子(231)和上述第2场效应晶体管(245)的源极端子或漏极端子之间以及上述第1接地端子(236)和上述第2场效应晶体管(245)的漏极端子或源极端子之间的至少一方与第7电阻(244，247)连接。
32.权利要求27所述的移动通信终端，其特征在于，
上述第3可变电阻电路(262)由第3场效应晶体管(251)构成，
上述控制端子(233)经由至少一个以上的第8电阻(256)与上述第3场效应晶体管(251)的源极端子或漏极端子连接，
上述第2基准电压端子(235)经由至少一个以上的第9电阻(258)与上述第3场效应晶体管(251)的栅极端子连接，
在上述第3场效应晶体管(251)的源极端子和漏极端子之间连接第10电阻(252)，
上述信号输出端子(232)和上述第3场效应晶体管(251)的源极端子或漏极端子之间以及上述第2接地端子(237)和上述第3场效应晶体管(251)的漏极端子或源极端子之间的至少一方与第11电阻(250，253)连接。
33.权利要求30所述的移动通信终端，其特征在于，
上述第1场效应晶体管(240)具备源极电极和漏极电极，上述源极电极和上述漏极电极之间配置至少一个以上的栅极电极。
34.一种移动通信终端，其中，
高频电路模块由发送高频信号的发送部(200)、接收高频信号的接收部(400)、合成器部(410)、共用器部(500)构成，
上述发送部(200)由将中间频率的调制信号变换成发送频率的向上变换器(201)、内置有增益控制电路并放大上述向上变换器(201)的输出信号的可变增益的高频放大电路(202)、公共端子与上述可变增益的高频放大电路(202)的输出端子连接并根据发送频率切换高频信号经路的高频开关(203)、输入端子与上述高频开关(203)的一个切换端子连接以抽出第1发送波段的信号的第1带通滤波器(204)、将上述第1带通滤波器(204)输出的高频信号放大的固定增益的第1高输出高频放大电路(205)、将上述第1高输出高频放大电路(205)的输出供给上述共用器部(500)的第1隔离器(206)、输入端子与上述高频开关(203)的另一个切换端子连接以抽出第2发送波段的信号的第2带通滤波器(207)、将上述第2带通滤波器(207)输出的高频信号放大的固定增益的第2高输出高频放大电路(208)、将上述第2高输出高频放大电路(208)的输出供给上述共用器部(500)的第2隔离器(209)构成，
上述可变增益的高频放大电路(202)的上述增益控制电路具备：
信号输入端子(291)及信号输出端子(292)；
与上述信号输入端子(291)和上述信号输出端子(292)连接的第1可变电阻电路(325)；
与上述信号输入端子(291)和第1接地端子(296)并联连接的第2可变电阻电路(326)；
与上述信号输出端子(292)和第2接地端子(297)并联连接的第3可变电阻电路(327)；
连接于控制端子(293)和第3接地端子(298)之间、其输出端子与上述第1可变电阻电路(325)连接的第1分压电路(328)；
连接于上述控制端子(293)和上述第3接地端子(298)之间、其输出端子与上述第2及第3可变电阻电路(326，327)分别连接的第2分压电路(329)；
与上述第1可变电阻电路(325)连接的第1基准电压端子(294)；
与上述第2及第3可变电阻电路(326，327)连接的第2基准电压端子(295)，
上述信号输入端子(291)和上述信号输出端子(292)之间的直流电阻无限大，
上述信号输入端子(291)和上述第1接地端子(296)之间的直流电阻无限大，
上述信号输出端子(292)和上述第2接地端子(297)之间的直流电阻无限大，
根据上述控制端子(293)的电压和上述第1基准电压端子(294)的电压和上述第2基准电压端子(295)的电压的关系，连续地改变上述第1、第2及第3可变电阻电路(325，326，327)的电阻值，相对于输入上述信号输入端子(291)的信号电平，连续地改变上述信号输出端子(292)中的信号电平。
35.一种移动通信终端，其中，
高频电路模块由发送高频信号的发送部(200)、接收高频信号的接收部(400)、合成器部(410)、共用器部(500)构成，
上述发送部(200)由将中间频率的调制信号变换成发送频率的向上变换器(201)、内置有增益控制电路并放大上述向上变换器(201)的输出信号的可变增益的高频放大电路(202)、公共端子与上述可变增益的高频放大电路(202)的输出端子连接并根据发送频率切换高频信号经路的高频开关(203)、输入端子与上述高频开关(203)的一个切换端子连接以抽出第1发送波段的信号的第1带通滤波器(204)、将上述第1带通滤波器(204)输出的高频信号放大的固定增益的第1高输出高频放大电路(205)、将上述第1高输出高频放大电路(205)的输出供给上述共用器部(500)的第1隔离器(206)、输入端子与上述高频开关(203)的另一个切换端子连接以抽出第2发送波段的信号的第2带通滤波器(207)、将上述第2带通滤波器(207)输出的高频信号放大的固定增益的第2高输出高频放大电路(208)、将上述第2高输出高频放大电路(208)的输出供给上述共用器部(500)的第2隔离器(209)构成，
上述可变增益的高频放大电路(202)的上述增益控制电路具备：
信号输入端子(291)及信号输出端子(292)；
与上述信号输入端子(291)和上述信号输出端子(292)连接的第1可变电阻电路(325)；
与上述信号输入端子(291)和第1接地端子(296)并联连接的第2可变电阻电路(326)；
连接于控制端子(293)和第3接地端子(298)之间、其输出端子与上述第1可变电阻电路(325)连接的第1分压电路(328)；
连接于上述控制端子(293)和上述第3接地端子(298)之间、其输出端子与上述第2可变电阻电路(326)连接的第2分压电路(329)；
与上述第1可变电阻电路(325)连接的第1基准电压端子(294)；
与上述第2可变电阻电路(326)连接的第2基准电压端子(295)，
上述信号输入端子(291)和上述信号输出端子(292)之间的直流电阻无限大，
上述信号输入端子(291)和上述第1接地端子(296)之间的直流电阻无限大，
根据上述控制端子(293)的电压和上述第1基准电压端子(294)的电压和上述第2基准电压端子(295)的电压的关系，连续地改变上述第1及第2可变电阻电路(325，326)的电阻值，相对于输入上述信号输入端子(291)的信号电平，连续地改变上述信号输出端子(292)中的信号电平。
36.一种移动通信终端，其中，
高频电路模块由发送高频信号的发送部(200)、接收高频信号的接收部(400)、合成器部(410)、共用器部(500)构成，
上述发送部(200)由将中间频率的调制信号变换成发送频率的向上变换器(201)、内置有增益控制电路并放大上述向上变换器(201)的输出信号的可变增益的高频放大电路(202)、公共端子与上述可变增益的高频放大电路(202)的输出端子连接并根据发送频率切换高频信号经路的高频开关(203)、输入端子与上述高频开关(203)的一个切换端子连接以抽出第1发送波段的信号的第1带通滤波器(204)、将上述第1带通滤波器(204)输出的高频信号放大的固定增益的第1高输出高频放大电路(205)、将上述第1高输出高频放大电路(205)的输出供给上述共用器部(500)的第1隔离器(206)、输入端子与上述高频开关(203)的另一个切换端子连接以抽出第2发送波段的信号的第2带通滤波器(207)、将上述第2带通滤波器(207)输出的高频信号放大的固定增益的第2高输出高频放大电路(208)、将上述第2高输出高频放大电路(208)的输出供给上述共用器部(500)的第2隔离器(209)构成，
上述可变增益的高频放大电路(202)的上述增益控制电路具备：
信号输入端子(291)及信号输出端子(292)；
与上述信号输入端子(291)和上述信号输出端子(292)连接的第1可变电阻电路(325)；
与上述信号输出端子(292)和第2接地端子(297)并联连接的第3可变电阻电路(327)；
连接于控制端子(293)和第3接地端子(298)之间、其输出端子与上述第1可变电阻电路(325)连接的第1分压电路(328)；
连接于上述控制端子(293)和上述第3接地端子(298)之间、其输出端子与上述第3可变电阻电路(327)分别连接的第2分压电路(329)；
与上述第1可变电阻电路(325)连接的第1基准电压端子(294)；
与上述第3可变电阻电路(327)连接的第2基准电压端子(295)，
上述信号输入端子(291)和上述信号输出端子(292)之间的直流电阻无限大，
上述信号输出端子(292)和上述第2接地端子(297)之间的直流电阻无限大，
根据上述控制端子(293)的电压和上述第1基准电压端子(294)的电压和上述第2基准电压端子(295)的电压的关系，连续地改变上述第1及第3可变电阻电路(325，327)的电阻值，相对于输入上述信号输入端子(291)的信号电平，连续地改变上述信号输出端子(292)中的信号电平。
37.权利要求34所述的移动通信终端，其特征在于，
上述第1可变电阻电路(325)由第1场效应晶体管(301)构成，上述第1分压电路(328)由至少2个第1电阻(316，317)组成，
上述控制端子(293)与上述第1分压电路(328)连接，上述第1分压电路(328)的输出端子经由至少一个以上的第2电阻(318)与上述第1场效应晶体管(301)的栅极端子连接，
上述第1基准电压端子(294)经由至少一个以上的第3电阻(300)与上述第1场效应晶体管(301)的源极端子或漏极端子连接，
在上述第1场效应晶体管(301)的源极端子和漏极端子之间连接第4电阻(302)。
38.权利要求34所述的移动通信终端，其特征在于，
上述第2可变电阻电路(326)由第2场效应晶体管(306)构成，上述第2分压电路(329)由至少2个第5电阻(319，320)组成，
上述控制端子(293)与上述第2分压电路(329)连接，上述第2分压电路(329)的输出端子经由至少一个以上的第6电阻(321)与上述第2场效应晶体管(306)的源极端子或漏极端子连接，
上述第2基准电压端子(295)经由至少一个以上的第7电阻(323)与上述第2场效应晶体管(306)的栅极端子连接，
在上述第2场效应晶体管(306)的源极端子和漏极端子之间连接第8电阻(307)，
上述信号输入端子(291)和上述第2场效应晶体管(306)的源极端子或漏极端子之间以及上述第1接地端子(296)和上述第2场效应晶体管(306)的漏极端子或源极端子之间的至少一方与第9电阻(305，308)连接。
39.权利要求34所述的移动通信终端，其特征在于，
上述第3可变电阻电路(327)由第3场效应晶体管(312)构成，上述第2分压电路(329)由至少2个第5电阻(319，320)组成，
上述控制端子(293)与上述第2分压电路(329)连接，上述第2分压电路(329)的输出端子经由至少一个以上的第10电阻(322)与上述第3场效应晶体管(312)的源极端子或漏极端子连接，
上述第2基准电压端子(295)经由至少一个以上的第11电阻(324)与上述第3场效应晶体管(312)的栅极端子连接，
在上述第3场效应晶体管(312)的源极端子和漏极端子之间连接第12电阻(313)，
上述信号输出端子(292)和上述第3场效应晶体管(312)的源极端子或漏极端子之间以及上述第2接地端子(297)和上述第3场效应晶体管(312)的漏极端子或源极端子之间的至少一方与第13电阻(311，314)连接。
40.权利要求37所述的移动通信终端，其特征在于，
上述第1场效应晶体管(301)具备源极电极和漏极电极，上述源极电极和上述漏极电极之间配置至少一个以上的栅极电极。
41.权利要求5所述的高频放大电路，其特征在于，
上述第2场效应晶体管(245)具备源极电极和漏极电极，上述源极电极和上述漏极电极之间配置至少一个以上的栅极电极。
42.权利要求6所述的高频放大电路，其特征在于，
上述第3场效应晶体管(251)具备源极电极和漏极电极，上述源极电极和上述漏极电极之间配置至少一个以上的栅极电极。
43.权利要求18所述的高频放大电路，其特征在于，
上述第2场效应晶体管(306)具备源极电极和漏极电极，上述源极电极和上述漏极电极之间配置至少一个以上的栅极电极。
44.权利要求19所述的高频放大电路，其特征在于，
上述第3场效应晶体管(312)具备源极电极和漏极电极，上述源极电极和上述漏极电极之间配置至少一个以上的栅极电极。
45.权利要求31所述的移动通信终端，其特征在于，
上述第2场效应晶体管(245)具备源极电极和漏极电极，上述源极电极和上述漏极电极之间配置至少一个以上的栅极电极。
46.权利要求32所述的移动通信终端，其特征在于，
上述第3场效应晶体管(251)具备源极电极和漏极电极，上述源极电极和上述漏极电极之间配置至少一个以上的栅极电极。
47.权利要求38所述的移动通信终端，其特征在于，
上述第2场效应晶体管(306)具备源极电极和漏极电极，上述源极电极和上述漏极电极之间配置至少一个以上的栅极电极。
48.权利要求39所述的移动通信终端，其特征在于，
上述第3场效应晶体管(312)具备源极电极和漏极电极，上述源极电极和上述漏极电极之间配置至少一个以上的栅极电极。
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