CN1574264A - 半导体器件及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种半导体器件。在将有电极的多个半导体芯片之间介由低熔点金属构件连接的安装结构中，实现电极间的良好电气及机械连接。在第一半导体芯片(1)的表面上形成凸点电极(3)。在第二半导体芯片(10)中，形成通孔(11)，形成在该通孔(11)的中央有空隙(13)的贯通电极(12)。在凸点电极(3)和贯通电极(12)的接合面中，夹置低熔点金属构件(4)，同时使低熔点金属构件(4)的一部分在熔融时流入到贯通电极(12)的空隙(13)中。由此，可以防止因在相邻的凸点电极(3、3)之间供给过剩的低熔点金属构件(4)而导致凸点电极(3、3)间的短路。

Description

半导体器件及其制造方法
技术领域
本发明涉及半导体器件的制造方法，特别涉及具有贯通电极的半导体器件的安装技术。
背景技术
以往，已知将有凸点电极或贯通电极的多个半导体芯片介由焊料等低熔点金属构件进行电气及机械式地相互连接的安装结构。
图8是说明现有例的半导体器件的制造方法的剖面图。如图8(a)所示，在第一半导体芯片50的表面上形成有钝化膜51。然后，将多个凸点电极52形成在第一半导体芯片50的表面上，在其前端上附着低熔点金属构件53。
另一方面，在第二半导体芯片60中，形成多个通孔61，在各个通孔61中埋入铜等金属构成的贯通电极62。将贯通电极62从第二半导体芯片60的背面(图8(a)中上侧的面)突出形成。此外，除了形成了贯通电极62的区域以外，第二半导体芯片60的背面被钝化膜63覆盖。
配置第一半导体芯片50和第二半导体芯片60，使凸点电极52和贯通电极62具有规定间隔并相互面对。这里，将多个凸点电极52、多个贯通电极62具有大约20μm以下的微小间距来配置。
接着，如图8(b)所示，将低熔点金属构件53通过加热而熔融，介由该熔融的低熔点金属构件53，将凸点电极52和贯通电极62接合。由于熔融的低熔点金属构件53通过冷却而固化，所以凸点电极52和贯通电极62介由低熔点金属构件53被电气及机械式连接。
图9是说明另一现有例的半导体器件的制造方法的剖面图。在该现有例中，将具有凸点电极或贯通电极的多个半导体芯片之间介由低熔点金属构件进行电气及机械式连接，同时进行树脂密封。
如图9(a)所示，将具有金属活性的热固化性树脂64适量附着在第二半导体芯片60的背面(与第一半导体芯片50的对置面)上。然后，如图9(b)所示，将低熔点金属构件53通过加热而熔融，介由该熔融的低熔点金属构件53，将凸点电极52和贯通电极62接合，同时将热固化性树脂64填充到第一半导体芯片50和第二半导体芯片60背面之间的间隙中。
此时，通过进行加热温度的设定、低熔点金属构件53及热固化性树脂64的材料选择，使热固化性树脂64的热固化几乎与低熔点金属构件53熔融同时进行，从而可以同时实现凸点电极52和贯通电极62的电气及机械式连接和树脂密封。
再有，作为现有技术文献，有专利文献1。
【专利文献1】
(日本)特开平10-12688号公报
但是，在图8所示的现有例中，如果低熔点金属构件53的供给量过剩，则如图8(b)所示，有在相邻的电极间发生短路的危险。由于将多个凸点电极52和多个贯通电极62以大约20μm以下的微小间距来配置，所以难以合适地控制低熔点金属构件53的供给量。
而在图9所示的另一现有例中，由于在将凸点电极52和贯通电极62接合前，热固化性树脂64覆盖接合部，所以在该接合部、即凸点电极52和贯通电极62的接合面上，有可能残留热固化性树脂64。在图9(b)中图示了接合部中残留的热固化性树脂64A。于是，凸点电极52和贯通电极62的电接合面积下降，所以连接电阻升高或导致断线，有电气连接特性恶化的危险。
发明内容
本发明提供一种半导体芯片的安装结构，在第一半导体芯片的表面上形成有凸点电极，在第二半导体芯片中形成有通孔，形成在该通孔的中央有空隙的贯通电极。其特征在于，在凸点电极和贯通电极的接合面中，夹置有低熔点金属构件，同时使其一部分插入在贯通电极的空隙中。
根据这样的结构，由于可将低熔点金属构件的一部分插入在贯通电极的空隙中，所以可以防止因在相邻的电极间供给过剩的低熔点金属构件而导致电极间的短路，同时贯通电极与低熔点金属构件接触的面积随着低熔点金属构件深深地插入到贯通电极的空隙中而增加，可以使两者的电气、机械连接更好。
附图说明
图1是说明本发明第一实施方式的半导体器件及其制造方法的剖面图。
图2是说明半导体芯片的结构的形成方法的剖面图。
图3是说明半导体芯片的结构的形成方法的剖面图。
图4是说明半导体芯片的结构的形成方法的剖面图。
图5是说明半导体芯片的结构的形成方法的剖面图。
图6是说明半导体芯片的结构的形成方法的剖面图。
图7是说明本发明第二实施方式的半导体器件及其制造方法的剖面图。
图8是说明现有例的半导体器件及其制造方法的剖面图。
图9是说明另一现有例的半导体器件及其制造方法的剖面图。
具体实施方式
下面参照图1来说明本发明的第一实施方式。
如图1(a)所示，在第一半导体芯片1的表面上形成未图示的半导体集成电路，为了保护该半导体集成电路，形成由氮化硅膜(SiN膜)构成的钝化膜2。然后，将多个凸点电极3形成在第一半导体芯片1表面上作为半导体集成电路的外部连接用端子，在其前端上附着作为电极连接用构件的低熔点金属构件4。
多个凸点电极3由铜等金属构成，可以使用电解镀敷法来形成。其厚度为10μm左右，以大约20μm以下的微小间距来配置。低熔点金属构件4由与构成凸点电极3或后述的贯通电极12的金属不同的金属构成，由具有熔点比其低的不同种金属、例如焊料或无铅的SnAg等构成。此外，低熔点金属构件4同样可以使用电解镀敷法来形成。其厚度为1.5μm左右。
另一方面，在第二半导体芯片10中，形成多个通孔11，在各个通孔11中埋入铜等金属构成的贯通电极12。如果立体式观察这些贯通电极12，则呈圆筒或方筒的形状。即，贯通电极12在通孔11的中央有间隙13，从第二半导体芯片10的背面(图1(a)中上侧的面)突出数μm而形成。如果第二半导体芯片10的厚度为50μm，则贯通电极12大约比其长数μm。此外，这些贯通电极12按与第一半导体芯片1的凸点电极3相同的间距来配置。
此外，除了形成了贯通电极12的区域以外，第二半导体芯片10的背面被氮化硅膜(SiN膜)构成的钝化膜1覆盖。另外，在第二半导体芯片10的表面(图1(a)中下侧的面)中，形成未图示的半导体集成电路。贯通电极12用作该半导体集成电路的外部连接用端子。有关这样的第二半导体芯片10的结构的形成方法将后述。
然后，配置第一半导体芯片1和第二半导体芯片10，使凸点电极3和贯通电极12具有规定间隔并相互对置。
接着，如图1(b)所示，将低熔点金属构件4通过加热而熔融，介由该熔融的低熔点金属构件4，将凸点电极3和贯通电极12接合。这样的加热和接合工序可使用倒装片接合器来进行。此时，熔融的低熔点金属构件4的一部分因毛细管现象而流入到贯通电极12的空隙13中，所以可防止相邻的凸点电极3、3之间的短路。
然后，熔融的低熔点金属构件4因冷却而被固化，凸点电极3和贯通电极12介由低熔点金属构件4被电气和机械式连接。这里，低熔点金属构件4插入贯通电极12的空隙13中越深，越增加贯通电极12与低熔点金属构件4接触的面积，所以可以更良好地进行两者的电气、机械连接。然后，在第一半导体芯片1和第二半导体芯片10之间注入树脂，进行树脂密封。
下面，参照图2至图6来说明第二半导体芯片10的结构的形成方法的一例。
如图2所示，在第二半导体芯片10的表面(形成了半导体集成电路的面)上使用干法腐蚀来形成沟21。然后，将用于电解镀敷的籽晶(seed)层22形成在包含沟21内部的第二半导体芯片10的整个表面上，然后进行铜的电解镀敷，形成镀敷层23。此时，通过对镀敷时间等进行控制，在镀敷层23被完全埋入在沟21的内部前结束镀敷。此外，通过将籽晶层22的规定区域用未图示的光致抗蚀剂层覆盖，选择性地形成镀敷层23，可获得与半导体集成电路的必要的连接。
接着，如图3所示，通过对第二半导体芯片10的背面进行研磨或腐蚀，在第二半导体芯片10形成通孔11，形成在通孔11的中央具有空隙13的贯通电极12。
接着，如图4所示，通过对第二半导体芯片10的背面的半导体进行腐蚀，使贯通电极12突出。
接着，如图5所示，在第二半导体芯片10的背面上通过CVD法来形成由氮化硅膜(SiN膜)构成的钝化膜14。在该工序中，贯通电极12的突出的前端被钝化膜14覆盖。因此，如图6所示，通过CMP法对覆盖贯通电极12的突出的前端的钝化膜14进行研磨，使贯通电极12的突出的前端露出。这样，完成第二半导体芯片10的贯通电极构造。
再有，如果通孔11的孔径为10μm，则贯通电极12的厚度为1μm左右、贯通电极12的间隙13的宽度为8μm左右较合适，但不限于此。
下面，参照图7来说明本发明第二实施方式的半导体器件的制造方法。再有，对与图1相同的结构部分附以相同的标号并省略说明。
如图7(a)所示，将具有金属活性的热固化性树脂15使用配合器适量附着在第二半导体芯片10的背面(与第一半导体芯片1的对置面)上。热固化性树脂15也可以附着在第一半导体芯片1的表面(与第二半导体芯片10的对置面)上。作为热固化性树脂15，例如可使用非导电性膏(non-conductivepaste)。
然后，如图7(b)所示，将低熔点金属构件4通过加热而熔融，介由该熔融的低熔点金属构件4，将凸点电极3和贯通电极12接合，同时将热固化性树脂15填充在第一半导体芯片1和第二半导体芯片10的背面之间的间隙中。
此时，进行加热温度的设定、低熔点金属构件4及热固化性树脂15的材料选择，以使几乎在低熔点金属构件4熔融的同时使热固化性树脂15产生热固化。在低熔点金属构件4由SnAg构成、热固化性树脂15由非导电性膏构成的情况下，加热温度为240℃～300℃。
在该加热的过程中，具有金属活性的热固化性树脂15的一部分在使电极表面活化后，在进行热固化而失去流动性前因毛细管现象而流入到贯通电极12的空隙13中，接着，熔融的低熔点金属构件4的一部分流入到贯通电极12的空隙13中。然后，热固化性树脂15进行热固化，熔融的低熔点金属构件4因冷却而固化。热固化性树脂15当然在冷却后维持固化状态。
由此，在凸点电极3和贯通电极12的接合面上仅夹置低熔点金属构件4，可防止残留热固化性树脂4，可获得两者的良好的电连接。此外，通过使低熔点金属构件4的一部分插入到贯通电极12的空隙13中，可增大低熔点金属构件4和贯通电极12的接触面积，而且，在该间隙中，热固化性树脂15与低熔点金属构件4接触，可获得在其上形成盖的良好的安装结构。
再有，在第一及第二实施方式中，可获得将凸点电极3的前端和有空隙的贯通电极4的前端连接的连接结构，但本发明不限于此，也可以应用于将有空隙的贯通电极4的前端相互之间进行连接的连接结构。
根据本发明，在将有凸点电极或贯通电极的多个半导体芯片之间介由低熔点金属构件连接的安装结构中，可以实现电极间的良好的电气及机械的连接。

Claims (7)

1.一种半导体器件，包括：
第一半导体芯片；
形成在所述第一半导体芯片的表面上的第一电极；
与所述第一半导体芯片对置配置的第二半导体芯片；
形成在贯通所述第二半导体芯片的通孔中，在该通孔的中央有空隙的第二电极；以及
连接所述第一电极和所述第二电极的电极连接用构件；
其特征在于，所述电极连接用构件夹置在所述第一电极和所述第二电极的接合面之间，同时所述电极连接用构件的一部分被插入在所述第二电极的空隙中。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，有密封用树脂，所述密封用树脂填充在所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片之间的间隙中，插入在所述第二电极的空隙中，与部分插入在所述第二电极的空隙中的所述电极连接用构件接触。
3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述电极连接用构件的熔点低于所述第一及第二电极的熔点。
4.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述密封用树脂是热固化性树脂。
5.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
准备具有在前端附着了电极连接用构件的第一电极的第一半导体芯片、以及形成有通孔并具有在该通孔的中央形成了空隙的第二电极的第二半导体芯片；
配置所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片，使所述第一电极和所述第二电极相互面对；
将所述电极连接用构件通过加热而熔融；
介由熔融的所述电极连接用构件来连接所述第一电极和所述第二电极，同时使所述电极连接用构件流入到所述第二电极的空隙中。
6.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
准备具有在前端附着了电极连接用构件的第一电极的第一半导体芯片、以及形成有通孔并具有在该通孔的中央形成了空隙的第二电极的第二半导体芯片；
在所述第一或第二半导体芯片的主表面上附着热固化性树脂；
配置所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片，使所述第一电极和所述第二电极相互面对；
将所述电极连接用构件通过加热而熔融；
介由熔融的所述电极连接用构件来连接所述第一电极和所述第二电极，同时使所述热固化性树脂流入到所述第二电极的空隙中，接着使所述电极连接用构件的一部分流入到该空隙中。
7.如权利要求5或权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述电极连接用构件的熔点低于所述第一及第二电极的熔点。
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