CN1512468A - 图像显示装置 - Google Patents

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佐川雅一
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Abstract

本发明提供用具有能够由简单的制造过程形成的结构的薄膜型电子源的图像显示装置。在阴极基板(10)上形成下部电极(11)、保护绝缘层(14)、层间膜(15)，在其上具有由下层金属膜(16)和上层金属膜(18)的层积膜构成的上部总线电极(20)。当用溅射法在该像素的上部总线电极(20)和邻接像素的上部总线电极(20)的2条带状电极的上层形成由在下部电极(11)上成为电子下层的绝缘层(12)和上部电极(13)构成的每个像素的薄膜型电子源的上部电极(13)时，上部电极(13)，被构成该上部总线电极(20)的下层金属膜(16)的后退部分(16A)和上层金属膜(18)的屋檐(18A)自匹配地分离，形成对于每个像素分离的薄膜型电子源。

Description

图像显示装置
技术领域
本发明涉及自发光型平面板型图像显示装置，特别适合于使用薄膜型电子源阵列的图像显示装置。
背景技术
作为使用薄膜型电子源阵列的自发光型平面板显示器的一种，利用可以微小集成的冷阴极的FED(Field Emission Display(场发射显示器))是众所周知的。这种FED冷阴极分成电场发射型电子源和热电子型电子源两类。属于前者的有自旋型电子源、表面传导型电子源、或碳毫微管型电子源等，属于后者的有层积金属-绝缘体-金属的MIM(Metal-Insulator-Metal(金属-绝缘体-金属))型、层积金属-绝缘体-半导体的MIS(Metal-Insulator-Semiconductor(金属-绝缘体-半导体))型、或金属-绝缘体-半导体-金属型等的薄膜型电子源等。
关于MIM型电子源，我们知道例如在专利文献1、专利文献2中揭示的那种。又，关于金属-绝缘体-半导体型电子源，我们知道在非专利文献1中报告的MOS型，关于金属-绝缘体-半导体-金属型电子源，我们知道在非专利文献2等中报告的HEED型电子源，在非专利文献3等中报告的EL型电子源，在非专利文献4等中报告的多孔硅型电子源等。此外，例如也揭示了MIM型电子源。
图1是MIM型电子源的结构和工作原理的说明图。在图1中，参照标号11表示下部电极、13表示上部电极、12表示绝缘层、23表示真空。在真空中，在上部电极13与下部电极11之间加上驱动电压Vd，在绝缘层12内产生约1～10MV/cm的电场。这时，下部电极11中的费米能级附近的电子e-由于隧道现象穿过势垒，注入作为电子加速层的绝缘层12的传导带，成为热电子，流入上部电极13的传导带。在这些热电子中，具有上部电极13的功函数φ以上的能量达到上部电极13表面的热电子被发射到真空23中。
本发明所引用的文献如下：
[专利文献1]日本平成7年公布的7-65710号专利公报
[专利文献2]日本平成10年公布的10-153979号专利公报
[非专利文献1]J.Vac.Sci.Techonol.B11(2)p.429-432(1993)
[非专利文献2]high-efficiency-electro-emission device，Jpn.J.Appl.Phys.，vol 36，p L939
[非专利文献3]Electroluminescence，应用物理第63卷，第6号，第592页
[非专利文献4]应用物理第66卷，第5号，第437页
发明内容
应用于图像显示装置等的薄膜型电子源阵列，为了实现低成本化，希望能够用简易的结构和工艺流程制造出来。至今，在薄膜型电子源的加工中使用光刻法(简单地也称为光蚀刻法)，但是在光刻工序(简单地也称为光工序)中使用的曝光装置很贵，又，抗蚀剂的涂敷、前烘、曝光、显影、后烘、剥离、洗净前后的附随工序既长，处理成本又高。
对此，如果用丝网印刷等印刷抗蚀剂，则制造装置便宜，又因为可以直接使抗蚀剂形成图案，所以能够省略涂敷、前烘、显影等的前后工序，能够降低处理成本。但是，用印刷法使抗蚀剂形成图案的精度与光刻法比较数量级地降低，应用于已有的薄膜型电子源的加工存在问题。
在抗蚀剂的图案中，与在纵方向和横方向的2个方向中要求图案对准精度的图案比较，如果用只在纵方向或横方向的任何1个方向中需要图案对准精度的图案，则能够缓和加工精度，也容易应用印刷法。在本发明中，可以将这样地只在1个方向中需要图案对准精度的形状，从只在1维方向需要精度的意义上说，称为“带状”。又，将带状的图案电极称为“带状电极”。带状电极是具有宽度的直线状的电极，是在该电极上没有有意形成的孔和凹部、凸部、曲部等结构。
特别是，当作为图案形成方法，用丝网印刷和涂布器、喷墨、复印等的印刷法时，带状电极，因为网的延伸和印刷的抗蚀剂的渗透等引起的图案精度恶化的影响很小，所以是令人满意的。
本发明的目的是为了降低图像显示装置的制造成本，在需要图案对准工序的图像显示区域中，实现用容易加工的带状电极的薄膜型电子源，从而实现低成本的图像显示装置。
为了达到上述目的，本发明具有用邻接的2条带状电极夹着薄膜型电子源的电子加速层，自匹配地分离上部电极，进行薄膜型电子源的像素分离的特征。
因为在每个子像素中能够用容易形成图案的带状电极作成薄膜型电子源，进一步能够自匹配地加工上部电极，所以能够实现低成本的图像显示装置。
附图说明
图1是MIM型电子源的结构和工作原理的说明图。
图2是构成根据本发明的图像显示装置的实施例1中的1个像素的MIM电子源的制造工序的说明图。
图3是构成根据本发明的图像显示装置的实施例1中的1个像素的MIM电子源的接着图2的制造工序的说明图。
图4是构成根据本发明的图像显示装置的实施例1中的1个像素的MIM电子源的接着图3的制造工序的说明图。
图5是构成根据本发明的图像显示装置的实施例1中的1个像素的MIM电子源的接着图4的制造工序的说明图。
图6是构成根据本发明的图像显示装置的实施例1中的1个像素的MIM电子源的接着图5的制造工序的说明图。
图7是构成根据本发明的图像显示装置的实施例1中的1个像素的MIM电子源的接着图6的制造工序的说明图。
图8是构成根据本发明的图像显示装置的实施例1中的1个像素的MIM电子源的接着图7的制造工序的说明图。
图9是构成根据本发明的图像显示装置的实施例1中的1个像素的MIM电子源的接着图8的制造工序的说明图。
图10是构成根据本发明的图像显示装置的实施例1中的1个像素的MIM电子源的接着图9的制造工序的说明图。
图11是为了说明根据本发明的图像显示装置的实施例1的结构将一部分放大表示的模式平面图。
图12是构成根据本发明的图像显示装置的实施例2中的1个像素的MIM电子源的制造工序的说明图。
图13是构成根据本发明的图像显示装置的实施例2中的1个像素的MIM电子源的接着图12的制造工序的说明图。
图14是构成根据本发明的图像显示装置的实施例2中的1个像素的MIM电子源的接着图13的制造工序的说明图。
图15是构成根据本发明的图像显示装置的实施例2中的1个像素的MIM电子源的接着图14的制造工序的说明图。
图16是为了说明根据本发明的图像显示装置的实施例2的结构将一部分放大表示的模式平面图。
图17是构成根据本发明的图像显示装置的实施例3的1个像素的MIM电子源的制造工序的说明图。
图18是构成根据本发明的图像显示装置的实施例3的1个像素的MIM电子源的制造工序的接着图17的说明图。
图19是构成根据本发明的图像显示装置的实施例3的1个像素的MIM电子源的制造工序的接着图18的说明图。
图20是构成根据本发明的图像显示装置的实施例3的1个像素的MIM电子源的制造工序的接着图19的说明图。
图21是为了说明根据本发明的图像显示装置的实施例3的结构将一部分放大表示的模式平面图。
图22是构成根据本发明的图像显示装置的实施例4的1个像素的MIM电子源的制造工序的说明图。
图23是构成根据本发明的图像显示装置的实施例4的1个像素的MIM电子源的制造工序的接着图22的说明图。
图24是构成根据本发明的图像显示装置的实施例4的1个像素的MIM电子源的制造工序的接着图23的说明图。
图25是构成根据本发明的图像显示装置的实施例4的1个像素的MIM电子源的制造工序的接着图24的说明图。
图26是构成根据本发明的图像显示装置的实施例4的1个像素的MIM电子源的制造工序的接着图25的说明图。
图27是构成根据本发明的图像显示装置的实施例4的1个像素的MIM电子源的接着图26的制造工序的说明图。
图28是为了说明根据本发明的图像显示装置的实施例4的结构将一部分放大表示的模式平面图。
图29是构成根据本发明的图像显示装置的实施例5的1个像素的MIM电子源的制造工序的说明图。
图30是为了说明根据本发明的图像显示装置的实施例5的结构将一部分放大表示的模式平面图。
标号说明
10--基板(阴极基板)，11--下部电极，12--绝缘层，13--上部电极，14--保护绝缘层，15--层间膜，16--下层金属膜，17--金属膜中间层，18--上层金属膜，20--上部总线电极，21--垫片电极，22--厚膜电极，23--真空，25--抗蚀剂膜，26--抗蚀剂膜，30--垫片，50--信号线电路，60--扫描线电路，111--红色荧光体，112--绿色荧光体，113--蓝色荧光体，120黑色矩阵
具体实施方式
下面，我们参照实施例的附图详细说明本发明。
[实施例1]
我们用图2～图11说明以MIM电子源为例的本发明的实施例1。图2～图11是构成根据本发明的图像显示装置的实施例1中的1个像素的MIM电子源的制造工序的说明图，按照图2～图10顺序地表示工序。在各图中(a)是1个像素的平面图、(b)是(a)的A-A′截面图，(c)是(a)的B-B′截面图。此外，这里所说的1个像素(也称为像素)是彩色显示的单位像素，每个像素都由表示不同原色的多个子像素(以下也称为子像素)构成。在本实施例中，形成红、绿、蓝3原色的子像素。
开始时，如图2所示，在玻璃等的绝缘性基板(阴极基板)10上形成成为下部电极11的金属膜。作为下部电极11的材料可以用铝(Al)和铝合金(Al合金)。用Al和Al合金是因为这些材料经过阳极氧化能够形成品质优良的绝缘膜。这里，用掺杂了原子量2％的铌(Nd)的Al-Nd合金。为了形成该下部电极11的膜，例如用溅射法。它的膜厚为300nm。成膜后，用图案形成工序、刻蚀工序形成带状的下部电极11(请参照图3)。
该下部电极11的电极宽度根据图像显示装置的画面尺寸和图像分辨率而不同，但是具有它的子像素的配列间距左右的宽度(大略为100～200μm)。刻蚀是例如用磷酸、醋酸、硝酸的混合水溶液的湿刻蚀。因为该下部电极11具有宽度大的简易的带状，所以能够用便宜的印刷法形成电极加工用的抗蚀剂的图案，这里用丝网印刷法。当然，也能够用贴近曝光等的比较便宜的光刻工序，与用分档器和投影对准仪等的曝光比较能够实现低成本化。
其次，形成限制电子发射单元，防止电场集中到下部电极11的边缘的保护绝缘层14和绝缘层12。首先，在成为下部电极11上的电子发射单元的部分上涂敷抗蚀剂膜25，用该抗蚀剂膜25进行掩蔽。对不被抗蚀剂膜25掩蔽的部分选择地进行厚的阳极氧化，形成保护绝缘层14(图4)。因为在本工序中使用的抗蚀剂膜25成为电子加速层的形状，所以与电极比较希望加工精度高。因此，在本实施例中，不用印刷法，而由用投影曝光的光刻工序形成图案。如果令阳极氧化电压为100V，则阳极氧化形成厚度约136nm的保护绝缘层14。
其次，除去抗蚀剂膜25，对余留的下部电极11的表面进行阳极氧化。例如，如果令阳极氧化化成电压为6V，则在下部电极11上形成厚度约10nm的绝缘层12(图5)。
其次，形成层间膜15，在它上面用例如溅射法等形成作为到上部电极13的馈电线的上部总线电极20的金属膜(图6)。作为层间膜15，例如能够用硅氧化物和硅氮化膜、硅等。这里，用硅氮化膜，膜厚为100nm。当由阳极氧化形成的保护绝缘层14中存在针孔时，该层间膜15能够起到掩埋这种缺陷，保持下部电极11与上部总线电极之间绝缘的作用。
成为上部总线电极20的金属膜具有下层金属膜16和上层金属膜18的层积结构，作为下层金属膜16例如能够用Al-Nd合金，作为上层金属膜18例如能够用铜(Cu)和铬(Cr)等的各种金属材料。这里，对于下层金属膜16用Al-Nd合金，作为上层金属膜18用铜(Cu)。
接着，通过由丝网印刷产生的抗蚀剂的形成图案和刻蚀工序将上层金属膜18加工成与下部电极11交叉的带状。在1个像素中形成1条该上层金属膜18的带状电极(图7)。此外，图中没有画出与上层金属膜18所示的带状电极邻接的其它带状电极(在以下各实施例中也同样)。
接着，通过由丝网印刷产生的抗蚀剂的形成图案和刻蚀工序将下层金属膜16加工成与下部电极11交叉的带状。在1个像素中也形成1条该下层金属膜16的带状电极(图8)。这时，与在图7中形成印刷的抗蚀剂膜26的上层金属膜18的带状电极平行，偏离它的位置，在下层金属膜16的带状电极的单侧(图8(c)的左侧)形成从上层金属膜18伸出的伸出部分26A。由该伸出部分26A覆盖该下层金属膜16，抑制刻蚀，形成确保与在后面的工序中图10中说明的上部电极13的接触部分16A。又，在相反侧(图8(c)的右侧)，在上层金属膜18上形成屋檐18A，通过对在后面的工序中用于分离上部电极13的下层金属膜16进行过刻蚀，作成用于形成后退部分16B的掩模。因此，能够形成向上部电极13馈电的上部总线电极20(下层金属膜16和上层金属膜18的层积膜)。
接着，如图9所示，对层间膜15进行加工，在电子发射单元中形成开口。电子发射单元形成在像素内由1条下部电极11和与该下部电极11交叉的2条带状的上部总线电极20(上部总线电极20和图中未画出的邻接的上部总线电极20)夹持的空间的一部分中。因为这时的抗蚀剂的形成图案是孔图案，所以用贴近曝光进行。又，刻蚀加工例如能够通过用以CF4和SF6为主要成分的刻蚀气体的干刻蚀进行(图9)。
而且最后，如图10所示形成上部电极13的膜。作为这种成膜法能够采用各种不同的方法，但是这里用从层间膜15的上方进行溅射的方法。例如用铱(Ir)、铂(Pt)、金(Au)的层积膜作为上部电极13，它的膜厚为6nm。此外，膜厚不限于此。这时，上部电极13，在邻接的带状的上部总线电极20的一侧(图10的右侧)，由该上层金属膜18的屋檐切断而成膜，为每个像素分离。另一方面，在带状的上部总线电极20的另一侧(图10的左侧)，由于下层金属膜16的接触部分上部电极13不会发生断线，覆盖层间膜15和绝缘层12地连续成膜，构成到电子源的馈电结构。这种上部电极13的成膜在后述的各实施例中也都是相同的。
图11是为了说明根据本发明的图像显示装置的实施例1的结构将一部分放大表示的模式平面图。此外，图1～图10中相同的参照标号与相同的功能部分对应。该图像显示装置由将阴极侧基板10(以下也称为阴极基板10)和显示侧基板100(以下也称为荧光面基板100)粘合起来的显示面板构成(在以下的实施例的说明中也同样)。此外，在图11中，为了避免烦杂，荧光面基板100只表示出一部分，在阴极基板10上图示出在内面上形成的荧光面的构成部件的一部分。荧光面由用为了提高对比度的黑色矩阵120区划的红色荧光体111、绿色荧光体112、和蓝色荧光体113构成。又，在该荧光侧基板100的内面，形成加上数KV高电压的阳极膜。此外，在图示中省略了阳极(在以下的各实施例中也同样)。
作为构成荧光面的荧光体，例如能够对于红色用Y2O2S:Eu(P22-R)，对于绿色用ZnS:Cu，Al(p22-G)，对于蓝色用ZnS:Ag，Cl(P22-B)。为了包围上述各色的荧光体周围，区划邻接的荧光体而在荧光侧基板100的内面上形成黑色矩阵120。
通过用于使面板能够支持大气压的高强度垫片30将阴极基板10和荧光面基板100粘合起来。垫片30是在板状的玻璃或陶瓷上赋予用于防止带电的传导性的垫片。将该垫片30配置在构成阴极基板10的上部总线电极20的上层金属层18上，隐藏在荧光面基板100的黑色矩阵120的下面地进行配置。下部电极11与将显示信号(显示数据)供给像素的信号线电路50连接，由下层金属膜16和上层金属膜18的层积膜构成的上部总线电极20与将选择信号供给像素的扫描线电路60连接。在该薄膜型电子源中，加在由上部总线电极20构成的扫描线上的电压为数V～数10V，相对于加上数KV的荧光面的电位非常低，能够将大致接近接地电位的电位给予垫片30的阴极侧。因此，由下层金属膜16和上层金属膜18的层积膜构成的上部总线电极20可以兼用作垫片电极。在本实施例中将上部总线电极20兼用作垫片电极。
如从图11可以看到的那样，在与上部电极13的形成区域对应的图像显示区域的外侧中的下部电极11与信号线电路50连接、上部总线电极20与扫描线电路60连接的电路连接单元中，各电极的端子间隔一般与图像显示区域不同。因为在该电路连接单元中没有电子源所以不需要图案对准，在连接单元中的各电极也可以不是带状，可以用图案精度低的印刷法进行加工，通常可以不形成带状。
又，如从图11可以看到的那样，因为图像显示区域端部的薄膜电子源，即本实施例中图1的上端行的薄膜电子源在上方一侧没有邻接的像素，所以不需要用2条带状电极进行像素分离。
这样，在本实施例的图像显示装置的阴极结构中，成为信号线(数据线)的下部电极11、成为扫描线兼垫片电极的上部总线电极20(下层金属膜16和上层金属膜18的层积膜)在图像显示区域内的1个子像素内只用1条简单的带状电极形成，进一步备有能够自匹配地分离上部电极13的功能，即便用便宜的精度低的印刷法等的图像形成方法也能够形成电极。
[实施例2]
其次，我们用图2～图6和图12～图16说明以MIM电子源为例的本发明的实施例2。图12～图15是构成根据本发明的图像显示装置的实施例2中的1个像素的MIM电子源的制造工序的说明图，按照图2～图10、图12～图15顺序地表示工序。在图12～图15各图中(a)是1个像素的平面图、(b)是(a)的A-A′截面图，(c)是(a)的B-B′截面图。又，图16是为了说明根据本发明图像显示装置实施例2的结构将一部分放大表示的模式平面图。此外，与上述实施例的各图相同的参照标号与相同的功能部分对应。
首先，用与在实施例1的说明中的图2～图6所示的工序相同的方法，形成下部电极11、保护绝缘膜14、绝缘膜12，直到形成层间膜15、下层金属膜16、上层金属膜18(18′)的膜。接着，通过由丝网印刷产生的抗蚀剂的形成图案和刻蚀工序将上部总线电极20的上层金属膜18(18′)加工成与下部电极11交叉的带状电极。在1个像素中形成2条该带状电极(图12)。
接着，通过由丝网印刷产生的抗蚀剂的形成图案和刻蚀工序将上部总线电极20的下层金属膜16加工成与下部电极11交叉的带状电极(下层金属膜16、16′)(图13)。这时，1条带状电极(下层金属膜16)，如图13(c)所示，通过与在图12中形成印刷的抗蚀剂膜26的上层金属膜18的带状电极平行的方向中偏离它的位置，在绝缘层12一侧(图13(c)的左侧)形成从上层金属膜18伸出的伸出部分26A。由该伸出部分26A在下层金属膜16上形成确保在图15中后述的后面的工序中上部电极13和下层金属膜16连接的接触部分16A。
又，在绝缘层12和相反侧(图13(c)的右侧)，在上层金属膜18上形成屋檐18A，通过对该屋檐18A作为掩模对下层金属膜16进行过刻蚀使其后退。用该下层金属膜16的后退部分16B，分离在后面的工序中溅射形成的上部电极13。因此，能够在每个像素中形成向上部电极13馈电的上部总线电极20(下层金属膜16和上层金属膜18的层积膜)。另一方面，在位于图13(c)的左侧的另一个带状电极的上层金属膜18′上，为了通过对下层金属膜16′进行过刻蚀使上层金属膜18′成为屋檐而使绝缘层12一侧及其相反侧后退。该屋檐成为使在图15中后述的后面的工序中溅射形成的上部电极13分离的掩模。此外，该电极(由下层金属膜16′和上层金属膜18′构成的上部总线电极20)成为最终配置垫片30的垫片电极21(图16)。
接着，对层间膜15进行加工，在电子发射单元中形成开口。电子发射单元形成在像素内由1条下部电极11和与该下部电极11交叉的2条带状电极(由下层金属膜16和上层金属膜18构成的上部总线电极20、由下层金属膜16′和上层金属膜18′构成的垫片电极21)夹持的空间的交叉部分的一部分中。电子发射单元中的开口加工例如能够通过用以CF4和SF6为主要成分的刻蚀气体的干刻蚀进行(图14)。
最后，如图15所示形成上部电极13的膜。作为这种成膜法能够采用例如溅射法。例如用Ir、Pt、Au的层积膜作为上部电极13，它的膜厚例如为6nm。这时上部电极13，被2条带状电极(上部总线电极20和垫片电极21)的上层金属膜18、18′的屋檐切断，分离每个像素。另一方面，在上部总线电极20的绝缘层12一侧，由于下层金属膜16的接触部分16A不会发生断线地进行连接，经过层间膜15，覆盖绝缘层12形成馈电的结构。
图16是为了说明根据本发明的图像显示装置的实施例2的结构将一部分放大表示的模式平面图。在荧光面基板100的内面形成为了提高对比度的黑色矩阵120、红色荧光体111、绿色荧光体112、和蓝色荧光体113构成的荧光面。作为构成荧光面的荧光体，例如能够对于红色用Y2O2S:Eu(P22-R)，对于绿色用ZnS:Cu，Al(p22-G)，对于蓝色用ZnS:Ag，Cl(P22-B)。为了包围上述各色的荧光体周围，区划邻接的荧光体而在显示侧基板100的内面上形成黑色矩阵120。又，在该荧光面基板100的内面，成模加上数KV的高电压的阳极。
将垫片30配置在阴极基板10的垫片电极21上，为了隐藏在荧光面基板100的黑色矩阵120的下面地进行配置。下部电极11与信号线电路50连接，上部总线电极20(下层金属膜16和上层金属膜18的层积膜)与扫描线电路60连接。下层金属膜16′和上层金属膜18′的层积膜成为垫片电极21，该垫片电极21通常是接地的。
如从图16可以看到的那样，在连接与上部电极13的形成区域对应的图像显示区域的外侧中的下部电极11与信号线电路50、上部总线电极20与扫描线电路60的电路连接单元中，各电极的端子间隔一般与图像显示区域不同。因为在该电路连接单元中没有电子源所以不需要图案对准，在连接单元中的各电极也可以不是带状，可以用图案精度低的印刷法进行加工，通常可以不形成带状。
又，如从图16可以看到的那样，因为图像显示区域端部的薄膜电子源，即本实施例中图16的上端行的薄膜电子源在上方一侧没有邻接的像素，所以不需要用2条带状电极进行像素分离。
这样，在本实施例的图像显示装置的阴极结构中，成为信号线(数据线)的下部电极11、成为扫描线的上部总线电极20(下层金属膜16和上层金属膜18的层积膜)、垫片电极21(下层金属膜16′和上层金属膜18′的层积膜)形成简单的带状电极，进一步备有能够自匹配地分离上部电极13的功能，即便用便宜的精度低的印刷法等的图像形成方法也能够形成电极。
[实施例3]
其次，我们用图2～图6和图17～图21说明以MIM电子源为例的本发明的实施例3。图17～图20是构成根据本发明的图像显示装置的实施例3中的1个像素的MIM电子源的制造工序的说明图，在图17～图20各图中(a)是1个像素的平面图、(b)是(a)的A-A′截面图，(c)是(a)的B-B′截面图。又，图21是为了说明根据本发明的图像显示装置的实施例3的结构将一部分放大表示的模式平面图。此外，与上述实施例的各图相同的参照标号与相同的功能部分对应。
首先，用与实施例1的图2～图6相同的方法，形成下部电极11、保护绝缘层14、绝缘层12，直到形成层间膜15、下层金属膜16、上层金属膜18的膜。
接着，通过由丝网印刷产生的抗蚀剂的形成图案和刻蚀工序将上层金属膜18加工成与下部电极11交叉的带状电极。在1个像素中形成3条带状电极(上层金属膜18、18′、18″)(图17)。
接着，通过由丝网印刷产生的抗蚀剂的形成图案和刻蚀工序将下层金属膜16加工成与下部电极11交叉的带状电极(下层金属膜16、16′、16″)(图18)。这时，与上述实施例相同，通过夹着绝缘层12的2条(16′、16″)带状电极使印刷的抗蚀剂膜26、26′与图17中形成的上层金属膜18′、18″的带状电极平行而偏离它们的位置，在绝缘层12一侧形成从上层金属膜18′、18″伸出的伸出部分，形成在后面的工序中确保与上部电极13连接的接触部分。
在夹着绝缘层12的下层金属膜16′和16″的该绝缘层12的相反侧，将上层金属膜18′、18″作为掩模形成屋檐，为了成为在后面的工序中对用于分离上部电极13的下层金属膜16′和16″进行过刻蚀的掩模而形成。因此，能够形成向上部电极13馈电的2条上部总线电极(下层金属膜16′和上层金属膜18′的层积膜与下层金属膜16″和上层金属膜18″的层积膜)。另一方面，另一个带状电极(上层金属膜18和下层金属膜16的层积膜)将它的两侧和上层金属膜18作为掩模形成屋檐，为了成为分离上部电极13的掩模而形成。该电极成为最终配置垫片的垫片电极21。
接着，对层间膜15进行加工，在电子发射单元中形成开口(图19)。电子发射单元形成在像素内由1条下部电极11、和与该下部电极11交叉，形成接触部分16′A、16″A的2条带状电极(1条是下层金属膜16′和上层金属膜18′的层积膜，另1条是下层金属膜16″和上层金属膜18″的层积膜)夹持的空间的交叉部分的一部分中。为了在该电子发射单元中进行开口的层间膜15的刻蚀例如能够通过用以CF4和SF6为主要成分的刻蚀气体的干刻蚀进行。
最后，如图20所示，形成上部电极13的膜。作为这种成膜法能够采用例如溅射法。例如用Ir、Pt、Au的层积膜作为上部电极13，它的膜厚例如为6nm。这时，上部电极13，被图19所示的形成接触部分16′A、16″A的2条上部总线电极(下层金属膜16′和上层金属膜18′的层积膜、下层金属膜16″和上层金属膜18″的层积膜)的外侧的屋檐和垫片电极21(下层金属膜16和上层金属膜18的层积膜)的两侧的屋檐切断，分离每个像素。另一方面，在绝缘层12一侧，由于下层金属膜16′、16″的接触部分16′A、16″A不会发生断线地进行连接并成膜，经过层间膜15上，覆盖绝缘层12形成馈电的结构。
图21是为了说明根据本发明的图像显示装置的实施例3的结构将一部分放大表示的模式平面图。在荧光面基板100的内面形成由为了提高对比度的黑色矩阵120、红色荧光体111、绿色荧光体112、和蓝色荧光体113构成的荧光面。作为构成荧光面的荧光体，例如能够对于红色用Y2O2S:Eu(P22-R)，对于绿色用ZnS:Cu，Al(p22-G)，对于蓝色用ZnS:Ag，Cl(P22-B)。为了包围上述各色的荧光体周围，区划邻接的荧光体而在显示侧基板100的内面上形成黑色矩阵120。又，在该荧光面基板100的内面，成膜加上数KV的高电压的阳极。
在本实施例中，与实施例1不同，因为电子发射单元不接近由下层金属膜16和上层金属膜18的层积膜够构成的垫片电极21，所以容易实现垫片30的位置对准，又容易增大荧光体的孔径率。进一步，因为能够使垫片30与薄膜电子源之间的距离足够大，所以存在着减少流入垫片30的电子数量，从而垫片30不易带电这样的优点。
下部电极11与信号线电路50连接，上部总线电极(下层金属膜16′和上层金属膜18′的层积膜与下层金属膜16″和上层金属膜18″的层积膜)与扫描线电路60连接。由下层金属膜16和上层金属膜18的层积膜构成的垫片电极21通常是接地的。
如从图21可以看到的那样，在与上部电极13的形成区域对应的图像显示区域的外侧的电路连接单元中电极的端子间隔一般与图像显示区域不同。因为在该区域中没有电子源所以不需要图案对准，可以用图案精度低的印刷法进行加工，从而通常可以不形成带状。
这样，在本实施例的阴极结构中，下部电极11、上部总线电极20和垫片电极21由简单的带状电极形成，进一步备有能够自匹配地分离上部电极13的功能，即便用便宜的精度低的印刷法等的图像形成方法也能够形成电极。进一步对于垫片30的位置对准和增大荧光面的开口率也是有利的。
[实施例4]
其次，我们用图2～图5和图22～图28说明以MIM电子源为例的本发明的实施例4。图22～图27是构成根据本发明的实施例4的1个像素的MIM电子源的制造工序的说明图，在图22～图27各图中(a)是1个像素的平面图、(b)是(a)的A-A′截面图，(c)是(a)的B-B′截面图。又，图28是为了说明根据本发明的图像显示装置的实施例4的结构将一部分放大表示的模式平面图。此外，与上述实施例的各图相同的参照标号与相同的功能部分对应。
开始时，用与第1实施例中的图2～图5相同的方法，形成下部电极11、保护绝缘层14、绝缘层12。其次，如图22所示，例如用溅射法等形成层间膜15、成为到上部电极13的馈电线的上部总线电极和成为用于配置垫片的垫片电极的金属膜。作为层间膜15，例如能够用硅氧化物和硅氮化膜、硅等。这里，用硅氮化膜，膜厚为100nm。当由阳极氧化形成的保护绝缘层14中存在针孔时，该层间膜15能够起到掩埋这种缺陷，保持下部电极11与上部总线电极之间绝缘的作用。
本实施例中的上部总线电极是作为在下层金属膜16和上层金属膜18之间的金属膜中间层17夹着Cu的3层层积膜。该层积膜不限于3层，也可以3层以上。例如，作为下层金属膜16、上层金属膜18能够用Al和铬(Cr)、钨(W)、钼(Mo)等的耐氧化性高的金属材料，或包含它们的合金以及它们的层积膜。此外这里，用Al-Nd合金作为下层金属膜16、上层金属膜18。其它，用Al合金和Cr、W、Mo等的层积膜作为下层金属膜16，用Cr、W、Mo等和Al合金的层积膜作为上层金属膜18，用5层的高熔点金属膜作为与金属膜中间层17的Cu连接的膜，因为当在图像显示装置的制造过程中的加热工序时，高熔点金属成为阻挡层膜，能够抑制Al和Cu的合金化，所以对于低电阻化是特别有效的。
当只用Al-Nd合金时，因为使上层金属膜18比下层金属膜16厚，金属膜中间层17的Cu降低配线电阻，所以要尽可能地使该Al-Nd合金的膜厚厚。这里使下层金属膜16的膜厚为300nm，金属膜中间层17的膜厚为4μm，上层金属膜18的膜厚为450nm。此外，除了溅射以外也可以通过电镀等形成金属膜中间层17的Cu。
在用高熔点金属的上述5层膜的情形中，与Cu一样，用特别可以用磷酸、醋酸、硝酸的混合水溶液进行湿刻蚀的Mo夹着Cu的层积膜作为金属膜中间层17是特别有效的。这时，使夹着Cu的Mo的膜厚为50nm，夹着该金属膜中间层17的下层金属膜16的Al合金的膜厚为300nm，上层金属膜18的Al合金的膜厚为50nm。
接着，如图23所示，通过由丝网印刷产生的抗蚀剂的形成图案和刻蚀工序将上层金属膜18加工成与下部电极11交叉的带状。在该刻蚀加工中，例如用磷酸、醋酸的混合水溶液进行湿刻蚀。由于在刻蚀液中不加入硝酸不能对Cu进行刻蚀，可以选择地只对Al-Nd合金进行刻蚀。
在用Mo的5层膜的情形中，由于在刻蚀液中不加入硝酸不能对Mo和Cu进行刻蚀，可以选择地只对Al-Nd合金进行刻蚀加工。这里，与实施例1相同对每一个像素形成1条上层金属膜18，但是也可以与实施例2相同形成2条。
接着，原封不动地使用同一个抗蚀膜，或者将上层金属膜18的Al-Nd合金作为掩模，例如用磷酸、醋酸、硝酸的混合水溶液对金属膜中间层17的Cu进行湿刻蚀(图24)。因为在磷酸、醋酸、硝酸的混合水溶液的刻蚀液中Cu的刻蚀速度比A1-Nd合金快得多，所以可以选择地只对金属膜中间层17的Cu进行刻蚀。在用Mo的5层膜情形中，由于Mo和Cu的刻蚀速度比Al-Nd合金快得多，也可以选择地只对Mo和Cu的3层层积膜进行刻蚀。其它的过硫酸铵水溶液和过硫酸铵钠水溶液对于Cu的刻蚀也是有效的。
接着，通过由丝网印刷产生的抗蚀剂的形成图案和刻蚀加工将下层金属膜16加工成与下部电极11交叉的带状(图25)。该刻蚀加工是用磷酸、醋酸的混合水溶液中的湿刻蚀进行的。这时，通过使印刷的抗蚀剂膜26在与图23中形成的上层金属膜18的带状电极平行的方向中偏离位置，使下层金属膜16的单侧(图25(c)的左侧)从上层金属膜18伸出，作为在后面的工序中确保与上部电极13连接的接触单元16A，在下层金属膜16的相反侧(图25(c)的右侧)，将上层金属膜18和金属膜中间层17作为掩模进行过刻蚀，为了在金属膜中间层17中形成屋檐而后退，形成后退部分16B。
由金属膜中间层17的屋檐分离在后面的工序中成膜的上部电极13。这时，因为使上层金属膜18的膜厚比下层金属膜16的膜厚厚，所以即便结束下层金属膜16的刻蚀，上层金属膜18也能够余留在金属膜中间层17的Cu上。因为因此可以保护Cu的表面，所以即便用Cu也具有耐氧化性，并且能够自匹配地分离上部电极13，形成进行馈电的上部总线电极20。又，在将用Mo夹着Cu的5层膜作为金属膜中间层17的情形中，因为上层金属膜18的Al合金即便很薄，Mo也能够抑制Cu的氧化，所以不一定需要使上层金属膜18的膜厚比下层金属膜16的膜厚厚。
接着，对层间膜15进行加工，在电子发射单元中形成开口。电子发射单元形成在像素内由1条下部电极11和与该下部电极11交叉的2条上部总线电极(下层金属膜16、金属膜中间层17、上层金属膜18的层积膜和图中未画出的邻接像素的下层金属膜16、金属膜中间层17、上层金属膜18的层积膜)夹持的空间的交叉部分的一部分中。该刻蚀加工例如能够通过用以CF4和SF6为主要成分的刻蚀气体的干刻蚀进行(图26)。
最后，形成上部电极13的膜。作为这种成膜法这里采用溅射法。例如用Ir、Pt、Au的层积膜作为上部电极13，它的膜厚为6nm。这时，上部电极13，在夹着电子发射单元的2条上部总线电极(下层金属膜16、金属膜中间层17、上层金属膜18的层积膜)的一方(图27(c)的右侧)，被由金属膜中间层17和上层金属膜18的屋檐结构形成的下层金属膜16的后退部分16B切断。而且，在另一方(图27(c)的左侧)，由于下层金属膜16的接触部分16A与上部总线电极(下层金属膜16、金属膜中间层17、上层金属膜18的层积膜)不会发生断线地进行成膜连接，构成向电子发射单元馈电的结构(图27)。
图28是为了说明根据本发明的图像显示装置的实施例4的结构将一部分放大表示的模式平面图。与上述实施例同样，在荧光面基板100上形成为了提高对比度的黑色矩阵120、红色荧光体111、绿色荧光体112、和蓝色荧光体113。作为这些荧光体，例如能够对于红色用Y2O2S:Eu(P22-R)，对于绿色用ZnS:Cu，Al(p22-G)，对于蓝色用ZnS:Ag，Cl(P22-B)。为了包围上述各色的荧光体周围，区划邻接的荧光体而在显示侧基板100的内面上形成黑色矩阵120。为了避免图面的烦杂只在图像显示区域的一部分中表示出黑色矩阵和各色的荧光体。又，在该荧光面基板100的内面，形成加上数KV的高电压的阳极膜。
又，将该垫片30配置在构成阴极基板10的上部总线电极20上，隐藏在荧光面基板100的黑色矩阵120的下面地进行配置。下部电极11与信号线电路50连接，上部总线电极20与扫描线电路60连接。在该薄膜型电子源中，加在作为扫描线的上部总线电极20上的电压为数V～数10V，相对于加在荧光面基板100的阳极上的数KV非常低，能够将大致接近接地电位的电位给予垫片30的阳极侧。
如从图28可以看到的那样，在与形成上部电极13的膜的区域对应的图像显示区域的外侧的电路连接单元中，下部电极11和上部总线电极20的电极端子间隔一般与图像显示区域不同。因为在该电路连接单元中没有电子源所以不需要图案对准，电极端子也可以不是带状，可以用图案精度低的印刷法进行加工。从而，通常可以不形成带状。
又，如从图28可以看到的那样，因为图像显示区域端部的薄膜电子源(在本实施例中图28的上端行的薄膜电子源)没有邻接的像素，所以如图像显示区域那样不需要用2条带状电极进行像素分离。
这样，在构成本实施例的图像显示装置的阴极结构中，通过形成用具有耐氧化性的Al合金和Cr等夹着低电阻的Cu配线的层积膜结构，能够自匹配地加工上部电极13，能够作成即便通过密封工序也不会恶化的上部总线电极(下层金属膜16、金属膜中间层17、上层金属膜18的层积膜)，能够抑制由显示装置的配线电阻引起的电压下降。特别是，在用在Al合金与Cu之间插入Mo等的高熔点金属的5层的层积膜结构的情形中，能够防止Al和Cu的合金反应，特别可以将配线电阻保持在很低的值上。
又，能够防止来自用厚的上部总线电极(下层金属膜16、金属膜中间层17、上层金属膜18的层积膜)支持大气压的垫片的对薄膜型电子源的机械损伤。
[实施例5]
我们用图2～图5、图22～图27和图29～图30说明以MIM电子源为例的本发明的实施例5。图29表示构成根据本发明的图像显示装置的实施例5的1个像素的MIM电子源的制造工序，各图29(a)是1个像素的平面图、(b)是(a)的A-A′截面图，(c)是(a)的B-B′截面图。又图30是为了说明根据本发明的图像显示装置的实施例5的结构将一部分放大表示的模式平面图。此外，与上述实施例的各图相同的参照标号与相同的功能部分对应。
开始时，用与在实施例4的图2～图5、图22～图27中的说明相同的方法结束直到形成上部电极13的膜的工序。接着，在上部总线电极(下层金属膜16、金属膜中间层17、上层金属膜18的层积膜)上用丝网印刷法和涂布器法、喷墨法等印刷包含银(Ag)等的金属材料和玻璃材料的涂胶，形成厚膜电极22。因为能够使该厚膜电极22的膜厚厚膜化到约10μm～20μm，所以能够降低配线电阻和吸收来自垫片的压力。进一步，由于导电性能够防止垫片带电，并且通过包含玻璃进行烧结，能够牢固地固定垫片。厚膜电极22，干燥后，用与荧光面基板100密封时的高温处理进行烧结，能够进行低电阻化和垫片的粘合(图29)。关于形成上部电极13的膜，与上述实施例相同。
图30是为了说明根据本发明的图像显示装置的实施例5的结构将一部分放大表示的模式平面图。与上述实施例相同，在荧光面基板100上形成为了提高对比度的黑色矩阵120、红色荧光体111、绿色荧光体112、和蓝色荧光体113。作为这些荧光体，例如能够对于红色用Y2O2S:Eu(P22-R)，对于绿色用ZnS:Cu，Al(p22-G)，对于蓝色用ZnS:Ag，Cl(P22-B)。为了包围上述各色的荧光体周围，区划邻接的荧光体而在显示侧基板100的内面上形成黑色矩阵120。为了避免图面的烦杂只在图像显示区域的一部分中表示出黑色矩阵和各色的荧光体。又，在该荧光面基板100的内面，形成加上数KV的高电压的阳极膜。
又，将该垫片30配置在阴极基板10上形成的厚膜电极22上，隐藏在荧光面基板100上形成的黑色矩阵120的下面地进行配置。下部电极11与信号线电路50连接，厚膜电极22与扫描线电路60连接。在该薄膜型电子源中，加在作为扫描线的厚膜电极22上的电压为数V～数10V，相对于加上数KV的荧光面的阳极电压非常低，能够将大致接近接地电位的电位给予垫片的阴极侧。
如从图30可以看到的那样，在与上部电极13的形成区域对应的图像显示区域的外侧的电路连接单元中，下部电极11和上部总线电极20的电极端子间隔一般与图像显示区域不同。因为该区域没有电子源所以不需要图案对准，可以不是带状，并且可以用图案精度低的印刷法进行加工。从而，通常可以不形成带状。
又，如从图30可以看到的那样，因为图像显示区域端部的薄膜电子源(在本实施例中图30的上端行的薄膜电子源)没有邻接的像素，所以如图像显示区域的内侧那样不需要用2条带状电极进行像素分离。
这样，在构成本实施例的图像显示装置的阴极结构中，通过在上部总线电极上印刷Ag等的厚膜垫片，能够抑制由显示装置的配线电阻引起的电压下降。又，因为厚膜电极22的膜厚厚，能够吸收垫片30的压力，所以能够防止来自垫片30的对薄膜型电子源的机械损伤。

Claims (18)

1.一种图像显示装置，其特征是：
备有包括阴极基板和荧光面基板的显示面板，和驱动下部电极与上部电极的驱动电路，其中该阴极基板具有上述下部电极与上述上部电极、和夹在上述下部电极与上部电极之间的电子加速层，以及具有将电压加在上述下部电极和上述上部电极之间、从该上部电极一侧发射电子的薄膜型电子源阵列，该荧光面板具有形成由上述电子激励发光的荧光体的荧光面，和
向在将上述显示面板的上述薄膜型电子源阵列配置成矩阵状的图像显示区域中的上述下部电极和上部电极馈电的上部总线电极的某一方是带状的电极。
2.一种图像显示装置，其特征是：
备有包括阴极基板和荧光面基板的显示面板，和驱动下部电极与上部电极的驱动电路，其中该阴极基板具有上述下部电极与上述上部电极、和夹在上述下部电极与上部电极之间的电子加速层，以及具有将电压加在上述下部电极和上述上部电极之间、从该上部电极一侧发射电子的薄膜型电子源阵列，该荧光面板具有形成由上述电子激励发光的荧光体的荧光面，和
向在将上述显示面板的上述薄膜型电子源阵列配置成矩阵状的图像显示区域中的上述下部电极和上部电极馈电的上部总线电极的双方都是带状的电极。
3.一种图像显示装置，其特征是：
备有包括阴极基板和荧光面基板的显示面板，和驱动下部电极与上部电极的驱动电路，其中该阴极基板具有上述下部电极与上述上部电极、和夹在上述下部电极与上部电极之间的电子加速层，以及具有将电压加在上述下部电极和上述上部电极之间、从该上部电极一侧发射电子的薄膜型电子源阵列，该荧光面板具有形成由上述电子激励发光的荧光体的荧光面，和
将上述薄膜型电子源设置在至少邻接的图像显示区域中带状的上部总线电极之间，
通过将在上述图像显示区域中成膜的上述上部电极与该像素的上部总线电极进行连接，并且与邻接的像素的上部总线电极分离，进行像素分离。
4.一种图像显示装置，其特征是：
备有包括阴极基板和荧光面基板的显示面板，和驱动下部电极与上部电极的驱动电路，其中该阴极基板具有上述下部电极与上述上部电极、和夹在上述下部电极与上部电极之间的电子加速层，以及具有将电压加在上述下部电极和上述上部电极之间、从该上部电极一侧发射电子的薄膜型电子源阵列，该荧光面板具有形成由上述电子激励发光的荧光体的荧光面，和
将上述薄膜型电子源设置在至少图像显示区域中带状的邻接的上部总线电极之间，
通过将在图像显示区域中成膜的上部电极膜与上述第1上部总线电极进行连接，并且与上述邻接像素的上部总线电极以在该像素的上部总线电极的单侧侧面上形成的屋檐结构的台阶状变形进行分离，从而进行像素分离。
5.权利要求3到4中的任何一项记载的图像显示装置，其特征是在每个像素间隔形成1条上述带状的上部总线电极，兼有作为向上部电极馈电的上部总线电极的功能和给予插在上述第1基板与上述第2基板之间支持两基板的垫片的电位的电极的功能。
6.一种图像显示装置，其特征是：
备有包括阴极基板和荧光面基板的显示面板，和驱动下部电极与上部电极的驱动电路，其中该阴极基板具有上述下部电极与上述上部电极、和夹在上述下部电极与上部电极之间的电子加速层，以及具有将电压加在上述下部电极和上述上部电极之间、从该上部电极一侧发射电子的薄膜型电子源阵列，该荧光面板具有形成由上述电子激励发光的荧光体的荧光面，和
将上述薄膜型电子源设置在至少图像显示区域中具有带状的上部总线电极与垫片电极之间，
在图像显示区域中成膜的上述上部电极与上述上部总线电极连接，并且与上述垫片电极分离，
与上述垫片电极和邻接的行或列的上述薄膜型电子源的上述上部总线电极绝缘，
在上述垫片电极上配置支持上述阴极基板与上述荧光面基板之间的垫片。
7.一种图像显示装置，其特征是：
备有包括阴极基板和荧光面基板的显示面板，和驱动下部电极与上部电极的驱动电路，其中该阴极基板具有上述下部电极与上述上部电极、和夹在上述下部电极与上部电极之间的电子加速层，以及具有将电压加在上述下部电极和上述上部电极之间、从该上部电极一侧发射电子的薄膜型电子源阵列，该荧光面板具有形成由上述电子激励发光的荧光体的荧光面，和
将上述薄膜型电子源设置在至少图像显示区域中具有带状的上部总线电极与垫片电极之间，
在上述图像显示区域中成膜的上述上部电极与上述上部总线电极连接，并且与上述垫片电极以在该垫片电极的侧面上形成的屋檐结构的台阶状变形进行分离，
与上述垫片电极和邻接的行或列的薄膜型电子源的上述上部总线电极绝缘，
在上述垫片电极上配置支持薄膜型电子源阵列基板与荧光面基板之间的垫片。
8.一种图像显示装置，其特征是：
备有包括阴极基板和荧光面基板的显示面板，和驱动下部电极与上部电极的驱动电路，其中该阴极基板具有上述下部电极与上述上部电极、和夹在上述下部电极与上部电极之间的电子加速层，以及具有将电压加在上述下部电极和上述上部电极之间、从该上部电极一侧发射电子的薄膜型电子源阵列，该荧光面板具有形成由上述电子激励发光的荧光体的荧光面，和
将上述薄膜型电子源设置在至少图像显示区域中具有带状的第1和第2上部总线电极与垫片电极之间，
在上述图像显示区域中成膜的上述上部电极与上述第1和第2上部总线电极连接，
进一步，在与上述第1和第2上部总线电极平行地形成的至少上述图像显示区域中具有带状的第3电极，
将上述上部电极以在上述第3电极的侧面上形成的屋檐结构的台阶状变形进行分离，与邻接的行或列的上述薄膜型电子源的上部总线电极绝缘，
在上述第3电极上配置支持上述阴极基板与上述荧光面基板之间的垫片。
9.权利要求1到4中的任何一项或权利要求6到8中的任何一项记载的图像显示装置，其特征是：上述上部总线电极包含在上述图像显示区域之外不是带状的部分。
10.权利要求1到4中的任何一项或权利要求6到8中的任何一项记载的图像显示装置，其特征是：上述带状的上述上部总线电极和上述垫片电极为2层以上的金属薄膜的层积膜结构。
11.权利要求1到4中的任何一项或权利要求6到8中的任何一项记载的图像显示装置，其特征是：上述带状的上部总线电极和垫片电极是由用其它金属夹着Cu的3层以上的金属膜形成的。
12.权利要求1到4中的任何一项或权利要求6到8中的任何一项记载的图像显示装置，其特征是：上述带状的上部总线电极和垫片电极是由用其它金属夹着Cu的3层以上的金属膜形成的，上述3层膜的下层膜和上层膜是Al、Cr、W、Mo或包含它们的合金。
13.权利要求1到4中的任何一项或权利要求6到8中的任何一项记载的图像显示装置，其特征是：上述带状的上部总线电极和垫片电极是由用其它金属夹着Cu的3层以上的金属膜形成的，上述3层膜的下层膜和上层膜是Al、Cr、W、Mo或包含它们的合金，上述3层膜的上层膜的厚度比下层膜的厚度厚。
14.权利要求1到4中的任何一项或权利要求6到8中的任何一项记载的图像显示装置，其特征是：将上述带状的上部总线电极和垫片电极用作当矩阵驱动上述显示面板时的扫描线。
15.权利要求1到4中的任何一项或权利要求6到8中的任何一项记载的图像显示装置，其特征是：上述带状的上述上部总线电极是由用溅射形成的薄膜和用印刷形成的导电性厚膜的层积膜形成的。
16.权利要求1到4中的任何一项或权利要求6到8中的任何一项记载的图像显示装置，其特征是：上述上部总线电极的薄膜部分由2层以上的膜构成，在该配线的侧面的单侧上具有与上述上部电极连接的分段结构，在它的相反侧的侧面上具有分离上述上部电极的屋檐结构。
17.权利要求1到4中的任何一项或权利要求6到8中的任何一项记载的图像显示装置，其特征是：上述带状的上述上部总线电极是由用溅射形成的薄膜和用印刷形成的导电性厚膜的层积膜形成的，上述导电性厚膜的厚膜是包含Ag的电极。
18.权利要求1到4中的任何一项或权利要求6到8中的任何一项记载的图像显示装置，其特征是：上述带状的上部总线电极是由用溅射形成的薄膜和用印刷形成的导电性厚膜的层积膜形成的，上述导电性厚膜的厚膜是包含Ag的电极，将上述上部总线电极用作进行矩阵驱动时的扫描线。
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