CN1461053A - 导线接合性增强的半导体器件组件 - Google Patents

导线接合性增强的半导体器件组件 Download PDF

Info

Publication number
CN1461053A
CN1461053A CN03131453A CN03131453A CN1461053A CN 1461053 A CN1461053 A CN 1461053A CN 03131453 A CN03131453 A CN 03131453A CN 03131453 A CN03131453 A CN 03131453A CN 1461053 A CN1461053 A CN 1461053A
Authority
CN
China
Prior art keywords
lead
wire
resin
case
apparatus assembly
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN03131453A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1235288C (zh
Inventor
德原实
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denso Corp
Original Assignee
Denso Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Denso Corp filed Critical Denso Corp
Publication of CN1461053A publication Critical patent/CN1461053A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1235288C publication Critical patent/CN1235288C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49861—Lead-frames fixed on or encapsulated in insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/13—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0555—Shape
    • H01L2224/05552—Shape in top view
    • H01L2224/05553—Shape in top view being rectangular
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0555—Shape
    • H01L2224/05552—Shape in top view
    • H01L2224/05554—Shape in top view being square
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49171—Fan-out arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01014—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01028—Nickel [Ni]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01068—Erbium [Er]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/1615—Shape
    • H01L2924/16151—Cap comprising an aperture, e.g. for pressure control, encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

一种半导体器件组件(S1)，它包括半导体器件(10，60)、树脂壳体(20)、多个引线(40)以及多个接合导线(50)。半导体器件(10，60)包括多个接合区(15，61)。树脂壳体(20)具有器件安装表面(21，22)。该器件安装表面(21，22)具有凹槽(23，24)。半导体器件(10，60)安装在该器件安装表面(21，22)上。每个引线具有接合表面(41)。每个引线(40)夹物模压在树脂壳体(20)中，从而接合表面(41)从树脂壳体(20)中暴露出来。每个接合导线与每个接合区(15，61)和每个接合表面(41)电连接，其中每个接合区(15，61)和凹槽(23，24)具有如下的位置关系：当接合区(15，61)利用接合导线(50)进行引线接合时，半导体器件(10，60)由正好处于接合区(15，61)下方的器件安装表面(21，22)所支撑。

Description

导线接合性增强的半导体器件组件
技术领域
本发明涉及一种半导体器件组件，其中利用接合线/焊线使安装在树脂壳体上的器件与夹物模压在该树脂壳体中的引线电连接。
背景技术
图8所示的一种半导体器件组件/封装插件的制造方法如下：通过将树脂注入到已经放置有引线框的模具中而形成树脂壳体20；安装传感器器件10；采用引线接合法并通过接合导线50在引线框的接合表面41上将传感器器件10与每个引线40电连接。例如，传感器器件10包括作为一个单元的隔膜型半导体压力传感器芯片11以及基座或台座12。传感器芯片11接合在基座12上，传感器器件10利用例如粘合剂固定在树脂壳体20的器件安装表面21上。
如图9A所示，在利用模具K1形成了树脂壳体20之后，在圆圈区域AA中沿着箭头所示方向利用模具K1的可移动起模杆P1推动树脂壳体20而将树脂壳体20从模具K1中脱出来。在这种情况下，如图9B所示，在树脂壳体20的器件安装表面21上形成了毛刺B1，树脂壳体20在毛刺处由可移动起模杆P1推出。毛刺B1是不可避免的，因为该毛刺B1是由于树脂渗入到起模杆P1和模具K1之间的间隙而形成的，而这是使得起模杆P1平滑移动所需要的。
需要树脂壳体20尽可能的小。因此，不可能提供一个用于利用起模杆将树脂壳体20从器件安装表面21上推出来的专门区域。为此，当树脂壳体20从模具K1中脱出来时，树脂壳体20由起模杆P1在靠近引线框的区域或者在树脂壳体20的器件安装表面21上推出来。
但是，如果由起模杆P1推动靠近引线框附近的区域以将树脂壳体20脱出来，该引线框容易倾斜而损坏平整性或离开树脂壳体20。结果，随后的导线接合过程将受到不利的影响。另一方面，如果由起模杆P1推动器件安装表面21而脱出树脂壳体20，则在器件安装表面21上产生毛刺B1，如图10所示，随后传感器器件10将安装在毛刺B1上。结果，传感器器件10在安装时变得倾斜，不除去毛刺B1就不可能进行导线接合。为此，在模制树脂壳体20之后，需要额外的步骤来除去毛刺B1，并且还增加了工作量。
本发明人研究了这一问题，并提出了如图11A和11B所示的半导体器件组件。在图11A和11B的器件组件中，树脂壳体20在器件安装表面21中具有凹槽21a。当树脂壳体20在其制造过程中从模具中脱出来时，树脂壳体20由起模杆在凹槽21a的底部来推动。结果，如图11B所示，毛刺B1限制在凹槽21a中，图11A和11B的器件组件的传感器器件10不会与毛刺B1接触。因此传感器器件10不会再因为毛刺B1而倾斜。
但是，如果接合区15位于凹槽21a上，就会有如下所述的另一个问题。当接合区15被导线接合时，接合工具利用超声波振动将导线50压在接合区15上。由于传感器器件10在树脂壳体20上中正好位于凹槽21a上方的部分处升高，该传感器器件10会在导线接合过程中倾斜或推移。结果，用于导线接合的超声波能量会消散，导线50不会被正确接合。也就是说，在接合区15上可能不会确保优选的导线接合能力。
引线40的每个接合表面41需要暴露在树脂壳体20外，因为该引线40被导线接合在接合表面41上。但是，如果当夹物模压引线框时模制树脂渗透到并连接在接合表面41上，则在接合表面41上也可能不会确保优选的导线结合能力。
因此，一种利用接合导线将安装在树脂壳体上的器件与夹物模压在树脂壳体中的引线(其中接合表面暴露出来)电连接的半导体器件组件，如果其如图11A和11B中所提到的半导体器件组件那样接合区正好位于凹槽上或者当用于形成引线的引线框被夹物模压时模制树脂渗透到并连接在引线的接合表面上时，则存在着上述导线接合的问题。
发明内容
本发明是考虑到上述问题做出的，其目的在于提高半导体器件组件中的导线接合能力，其中，安装在树脂壳体的器件通过接合导线与夹物模压在该树脂壳体中的引线电连接。
为了达到上述目的，本发明的第一种半导体器件组件包括：半导体器件、树脂壳体、多个引线以及多个接合导线。该半导体器件包括多个接合区。该树脂壳体具有一器件安装表面。该器件安装表面具有一凹槽。该半导体器件已经被安装在器件安装表面上。每个引线具有一接合表面。每个引线已经被夹物模压在树脂壳体中，从而接合表面从树脂壳体中暴露出来。每个接合导线与每个接合区和每个接合表面电连接。当接合区用接合导线进行导线接合时，每个接合区和凹槽的位置关系使得该半导体器件由正好处于接合区之下的器件安装表面所支撑。因此，可以防止在接合区利用接合导线进行导线接合时半导体器件倾斜或者移位。
为了达到该目的，本发明的第二种半导体器件组件包括：一半导体器件、一树脂壳体、一引线和一接合导线。该半导体器件包括一接合区。该树脂壳体具有一器件安装表面。该半导体器件已经安装在器件安装表面上。该引线具有一接合表面和一凸出毛边(burr)。接合导线将接合区与接合表面电连接。该毛边位于接合表面的一边缘处。该毛边能够作为一个阻挡件，以在引线框已经被夹物模压在树脂壳体中时防止熔融的树脂渗入到接合表面上。
附图说明
从以下结合附图的详细描述中，可以更清楚地了解本发明的上述和其他目的、特征和优点。其中：
图1是本发明的一实施例的压力传感器组件的示意性平面图；
图2是图1的压力传感器组件沿着II-II线的示意性剖面图；
图3是图1的压力传感器的示意性平面图，表示在加工引线框之前的状态；
图4是表示一推荐的引线框的示意性平面图；
图5是图1的压力传感器组件的示意性部分剖面图，表示在将引线夹物模压在树脂壳体中从而使得在冲压出引线框时已经面对冲压工具的不可移动金属模具的引线表面从树脂壳体中暴露出来之后的状态；
图6A是用于形成图5所示结构的夹物模压件的示意性剖视图；
图6B是图6A中圆圈区域D的示意性放大视图；
图7是一组件的示意性部分剖面图，其中已经将引线框夹物模压在树脂壳体中，从而使得在冲压出引线框时已经面对着冲压工具的可移动金属模具的引线表面从树脂壳体中暴露出来；
图8是一推荐的半导体器件组件的示意性剖面图；
图9A为一示意性剖视图，显示出用于使树脂壳体与模具脱开的方法；
图9B是图9A中的圆圈区域AA的放大示意图；
图10是表示当传感器芯片安装在树脂壳体上时是如何因为毛刺而倾斜的示意图；
图11A是另一个推荐的半导体器件组件的示意平面图；
图11B是图11A的器件组件沿着XIB-XIB线的剖面图。
具体实施方式
以下参考不同实施例对本发明做详细描述。
如图1和2所示，根据本发明一个实施例的压力传感器组件S1包括一为半导体器件的传感器器件10。该传感器器件10包括由例如硅基片制成并具有凹槽的半导体芯片11，以及例如由玻璃制成的基座12。半导体芯片11和基座12连接起来，以在它们之间利用该凹槽形成压力基准室13。传感器器件10是一个绝对压力检测装置，它包括内部基准室13，以检测施加在图2中的半导体芯片11的上表面的压力绝对值。
如图2所示，该半导体芯片11包括一隔膜14，该隔膜位于凹槽的底部。尽管图中没有显示，但是在隔膜14的表面上设有计量电阻器，以形成桥式电路，该桥式电路响应施加在上表面上的压力而输出一电量。该半导体芯片11还包括图中没有显示的放大电路。放大电路电连接至桥式电路。当隔膜14因为施加在图2的隔膜14上表面上的压力而产生应变时，从桥式电路向放大电路输出响应于该应变(也就是响应于该压力)的电量，例如电势。该电量由放大电路放大，并从半导体芯片11输出。
如图1所示，压力传感器组件S1还包括树脂壳体20。尽管在图1中没有显示，但是树脂壳体20由盖子80所覆盖。树脂壳体20具有第一器件安装表面21。传感器器件10安装在该第一器件安装表面21上。传感器器件10的基座12已经用粘合剂30接合和固定在该第一器件安装表面21上，其中粘合剂30例如包括树脂。树脂壳体20采用注射成型方式形成，并基本上由树脂例如聚苯硫醚(PPS)制成。
压力传感器组件S1还包括多个引线40。如图2所示，每个引线40具有接合表面41以及与接合表面41相对的相对表面42。引线40是通过将引线框夹物模压在树脂壳体20中而形成的。引线框是通过对例如由铜合金制成的板冲压而成。将引线框夹物模压在树脂壳体20中，从而接合表面41是暴露的，而相对表面42与树脂壳体20正好在接合表面41的下方相接触。
如图1所示，半导体芯片11还包括接合区15，以用于进行导线接合。接合表面41和接合区15由例如金或者铝制成的接合导线50电连接。每个引线40在树脂壳体20之外延伸的部分中具有弯角43，如图2所示。每个引线40还具有带尖端表面44a的端部44。当压力传感器组件S1安装在图中没有显示的例如印刷电路板的外部线路板上时，该压力传感器组件S1在其端部44连接至该外部线路板。端部44以及该外部线路板利用焊料电连接和机械连接。如果不用焊料，可以用导电粘合剂。
如图1所示，每个端部44完全由镀金属层45例如闪熔镀金所覆盖，以在图1和图2的压力传感器组件S1焊接在外部线路板上时提高焊料的可润湿性。闪熔镀金满足了近来的无引线趋势，并为许多不同的焊料提供了优异的可润湿性。另外，如图1所示，压力传感器S1还包括电路芯片60，它是另一半导体器件。电路芯片60已经安装在树脂壳体20中位于传感器器件10附近的第二器件安装表面22上。电路芯片60利用例如粘合剂接合在该第二器件安装表面22上。
电路芯片60包括用于进行导线接合的接合区61。该接合区61利用接合导线50电连接至接合表面41和传感器器件10的接合区15。在图1的压力传感器组件S1中，对其上已经接合有传感器器件10的第一器件安装表面21的水平面和其上已经接合有电路芯片60的第二器件安装表面22的水平面进行调整，从而传感器器件10的接合区15和电路芯片60的接合区61基本位于和接合表面41相同的水平上，以便于在它们之间进行导线接合。
电路芯片60用于调整以例如电势形式传输的来自传感器芯片11输出信号。该输出信号通过导线50从传感器芯片11输送到电路芯片60，以待调整。然后，由电路芯片60所调整的输出信号输回到传感器芯片11，并通过导线50和引线40输出至外部电路。
以下描述图1和2的压力传感器组件S1的主要特征。如图1和2所示，第一器件安装表面21和第二器件安装表面22分别具有第一凹槽23和第二凹槽24。另外，传感器芯片11的接合区15中没有一个正好位于第一凹槽23的上方，电路芯片60的接合区61中没有一个正好位于第二凹槽24的上方。换句话说，基座12由至少正好位于传感器芯片11的每个接合区15下方的第一器件安装表面21所支撑，电路芯片60由至少正好位于电路芯片60的每个接合区61下方的第二器件安装表面22所支撑。
如图1所示，在压力传感器组件S1中，第一凹槽23基本上是矩形的，并与传感器器件10相交叠，从而第一凹槽23可以与外界相通。第二凹槽24基本上是矩形的，并与电路芯片60相交叠，从而第二凹槽24可以与外界相通。
当制造树脂壳体20时，在已经在模具中形成了树脂壳体20之后，利用起模杆按照与图9所示同样的方式将该树脂壳体20从模具中脱出。当树脂壳体20从模具中脱出之后，起模杆分别压在凹槽23和24的底部上。凹槽23和24的深度分别大于在起模杆和模具之间的间隙中产生的毛刺的高度。凹槽23和24的深度应当分别优选为例如0.3mm或更大。
如图2所示，传感器器件10的半导体芯片11的上表面和引线40的每个接合表面41由凝胶体70所覆盖，以保护接合导线50和半导体芯片11的接合区15之间的接触以及接合导线50和接合表面41之间的接触。尽管图中没有显示，电路芯片60的上表面也由凝胶体70所覆盖，以保护接合导线50和电路芯片60的接合区61之间的接触。
如图2所示，由例如PPS的树脂所制造的盖子80已经利用例如粘合剂接合在树脂壳体20上。传感器器件10、电路芯片60和接合导线50容纳在树脂壳体20和盖子80所形成的空间中。盖子80具有压力引入孔81，该孔允许所述空间与外界相通，从而要测量的压力通过该压力引入孔81传送到该空间内。
因此，传感器器件10的隔膜14由于基准室13中的压力以及所传输的要测量的压力之间不同的压力而产生应变。当隔膜14应变时，响应于该应变(也就是响应于该压力)的电量(例如电势)从半导体芯片11通过接合导线50输出到电路芯片60。该电量由电路芯片60所调整，并通过接合导线50输回到半导体芯片11。然后所调整的电量通过接合导线50和引线40输出到外界电路。
图1和图2的压力传感器组件S1可以按照如下方法制造。首先，描述制造引线框的方法，由该引线框形成图1和图2的引线40。利用该方法，引线40的每个端部44可以完全由镀金属层45所覆盖。
在图3中，引线40与梁40a和系杆40b集成在一起，以在引线框140被加工完成图1和图2的压力传感器组件S1之前形成引线框140。图3的引线框140是通过将例如合金制成的板冲压而形成的，并用镍镀覆其整个表面，从而保证适当的导线接合性。当冲压该板时，形成引线40的端部44，每个端部具有尖端表面44a。然后，如图3所示，在端部44处，在镍镀层上采用条纹镀覆方式(stripe plating)形成例如闪熔镀金的镀层45。因为在冲压之后尖端表面44a已经是暴露的，因此该尖端表面44a也被镍镀层和闪熔镀金层45所覆盖。
接着，将引线框140设置在具有腔室的模具中，该腔室的形状与树脂壳体20相对应。将树脂注入到模具中，以对引线框140进行夹物模压。经过模制，形成树脂壳体20，其中已经夹物模压有引线框140，并且具有器件安装表面21和22以及凹槽23和24。然后，如前所述，利用起模杆推动凹槽23和24的底部，以从模具中脱出树脂壳体20。
然后，将传感器器件10和电路芯片60分别接合在树脂壳体20中的器件安装表面21和22上，并对接合导线50进行导线接合。然后封装凝胶体70，并连接盖子80。最后，加工引线框140，将引线40弯曲成形，以完成图1和图2的压力传感器组件S1。
如图4所示，在所提出的引线框140a中，尖端的尖端表面没有被镀覆，该引线框140a包括模具接合区域100、引线40以及系杆40b，同时图3中的尖端表面44a由用于改善可润湿性的镀层45所覆盖。如图4所示，所述的引线框140a由金属板冲压而成，在所述的引线框140a的表面上形成闪熔镀金层。然后，切掉引线框140a的周边和系杆40b。此时，通过沿着虚线C切割该引线40而形成引线40的尖端。
为此，图4中的引线40的上下表面和前后表面被镀覆，在冲压之后显露出来的引线40的尖端表面没有被镀覆。结果，引线40的尖端表面与焊料之间具有较差的润湿性，因此难以检测确定引线40与外界电路板是否适当地焊接在一起。
另一方面，在图1和图2的压力传感器组件S1中，引线40的端部44完全由镀层45所覆盖。因此，尖端表面44a也具有优异的可润湿性。所以，可以容易地检测到在端部44处的焊缝，从而确定引线40与外界电路板是否适当地焊接在一起。
如图1所示，传感器芯片11没有一个接合区15正好位于第一凹槽23之上，电路芯片60没有一个接合区61正好位于第二凹槽24之上。换句话说，传感器芯片11的每个接合区15以及第一凹槽23所具有的位置关系使得在传感器芯片11的接合区15进行导线接合时，基座12由正好位于传感器芯片11的每个接合区15之下的第一器件安装表面21所支撑。另外，电路芯片60的每个接合区61和第二凹槽24所具有的位置关系使得在电路芯片60的接合区进行导线接合时，该电路芯片60由正好位于该电路芯片60的每个接合区61之下的第二器件安装表面22所支撑。
为此，防止了在导线接合过程中传感器器件10和电路芯片60的倾斜或者位移。结果，用于导线接合的超声波能量不会在图1和图2的压力传感器组件的制造过程中被消散，与图11A和11B的半导体器件组件相比，能够更容易地进行导线接合。换句话说，即使在器件安装表面21和22内形成凹槽23和24，也能够确保图1和图2中的压力传感器组件S1的适当的导线可接合性。
另外，在图1和2的压力传感器组件S1的制造过程中，当从模具中脱出树脂壳体20时，起模杆分别压在凹槽23和24的底部上，每个凹槽23和24的深度大于在起模杆和模具之间的间隙中所产生的毛刺的高度。结果，可以将毛刺限制在凹槽23和24中。为此，当传感器器件10和电路芯片60分别接合至第一和第二器件安装表面21和22上时，该毛刺不会使得该传感器器件10和电路芯片60倾斜。
另外，如图1所示，在压力传感器组件S1中，第一凹槽23与传感器10交叠，从而该第一凹槽23可以与外界相通，第二凹槽24与电路芯片60交叠，从而该第二凹槽24可以与外界相通。如果该传感器器件10和电路芯片60能够完全封闭凹槽23和24，则在凹槽23和24中所限制的空气会在加热的情况下膨胀，并会使得传感器器件10和电路芯片60从相应的器件安装表面21和22上脱离。但是在图1和图2的压力传感器组件S1中，凹槽23和24可以与外界相通，所以空气不会限制在凹槽23和24内部。
在图1和图2的压力传感器组件S1的制造过程中，利用装有不可移动的金属模具和可移动金属冲头的冲压工具从金属板中冲出引线框140。然后，将引线框140在树脂壳体20中进行夹物模压，从而当冲出引线框140时，引线框140的面对不可移动冲模的表面从树脂壳体20中暴露出来，以作为接合表面41，如图5所示。
当冲出引线框140时，在引线框140中面对不可移动的金属冲模的表面的边缘处形成毛边41a。面对该不可移动的金属冲模的表面成为接合表面41，如图5所示。另一方面，面对可移动金属冲头的表面的边缘被弄圆，如图5所示。面对可移动金属冲头的表面成为相对表面42，该表面与接合表面41相对。
如图6A所示，树脂壳体20通过如下步骤形成：将引线框140放在下模具K12中；将上模具K11装配在下模具K12中；用熔融树脂填充模具K11和K12所形成的腔室。同时，如图6B所示，毛边41a受上模具K11挤压，该受挤压的毛边41a紧密接触上模具K11。结果，该受挤压的毛边41a作为引线框140的接合表面41边缘处的阻挡件，以防止熔融的树脂渗入到接合表面41上。相反，如果引线框140面对可移动金属冲头的表面作为接合表面41，则熔融的树脂会粘在接合表面41上，如图7所示，因为该熔融的树脂会沿着接合表面的圆边缘而渗透。因此，利用图5所示的优选结构，可以提高在图1和图2的压力传感器组件S1中的导线接合的质量。
除此之外，图1和图2的压力传感器组件S1在将焊接引线40并位于引线40和外部电路板之间的触点方面具有另一个优点。如果引线框中面对可移动金属冲头的表面作为接合表面，由引线框形成的引线的毛刺会与外部电路板相接触，并且在将压力传感器组件安装在外部电路板上以将引线焊接在外部电路板上时，使得包括那些引线的压力传感器组件发生倾斜。相反，在图1和图2的压力传感器组件S1中不会产生这种问题，从而可以进行稳定的安装。
除此之外，图1和图2的压力传感器S1在其引线40方面具有另一个优点。如图1所示，每个引线40在埋在树脂壳体20中的部分处具有一个颈部。利用该颈部，每个引线40牢固地连接至该树脂壳体20，以承受在加工引线框140时沿着与引线框140平行的方向施加给引线40的力。
此外，图1和图2的压力传感器组件S1在其引线40方面具有更多的优点。如图1所示，在压力传感器组件中，从图中没有显示的外部电路板的表面到弯角43的距离L是2mm或者更大。如果该距离L大致为1mm，焊料会沿着与接合表面41相对的相对表面42蔓延上去，粘在弯角43上。该弯角43被设计用于释放引线40中的应力。如果弯角43被焊料覆盖和硬化，就不能适当地释放应力。
本发明的发明人所做的研究显示，如果该距离大于2mm或者更大，焊料就不会蔓延到弯角43上。因此，弯角43能够适当地释放图1和图2中的压力传感器组件中的应力。
其他实施例
在图1和图2的压力传感器组件中，第一器件安装表面21和第二器件安装表面22分别具有第一凹槽23和第二凹槽24，以将毛刺限制在凹槽23和24中。或者，可以在模制树脂壳体20之后除去毛刺，而不用形成凹槽23和24。即使在这种情况下，也可以确保适当的导线接合性，因为树脂不会粘结到具有图5所示结构的接合表面41上。
另外，本发明不限于图1和图2的压力传感器组件S1，其可以适用于其中采用接合导线将安装在树脂壳体上的器件与夹物模压在树脂壳体中的导线电连接的任何半导体器件。例如，本发明可以用于红外传感器组件、气体传感器组件、流量传感器组件或者湿度传感器组件。

Claims (14)

1.一种半导体器件组件(S1)，包括：
半导体器件(10，60)，它包括多个接合区(15，61)；
树脂壳体(20)，它具有器件安装表面(21，22)，该器件安装表面(21，22)具有凹槽(23，24)，半导体器件(10，60)安装在该器件安装表面(21，22)上；
多个引线(40)，每个引线具有一接合表面(41)，每个引线(40)已经被夹物模压在树脂壳体(20)中，从而接合表面(41)从树脂壳体(20)中暴露出来；以及
多个接合导线(50)，每个接合导线与每个接合区(15，61)和每个接合表面(41)电连接，其中每个接合区(15，61)和凹槽(23，24)具有如下的位置关系：当接合区(15，61)利用接合导线(50)进行引线接合时，半导体器件(10，60)由正好位于接合区(15，61)下方的器件安装表面(21，22)所支撑。
2.如权利要求1所述的半导体器件组件(S1)，其特征在于，在树脂壳体(20)已经通过夹物模压形成之后，当利用起模杆(P1)推动该树脂壳体(20)以将该树脂壳体(20)从模具(K1)中脱出时所形成的毛刺(B1)位于凹槽(23，24)的底部上。
3.如权利要求2所述的半导体器件组件(S1)，其特征在于，凹槽(23，24)的深度为0.3mm或者更大。
4.如权利要求1-3中任一项所述的半导体器件组件(S1)，其特征在于，半导体器件(10，60)与凹槽(23，24)相交叠，从而凹槽(23，24)可以与外界相通。
5.如权利要求1-3中任一项所述的半导体器件组件(S1)，其特征在于，半导体器件(10，60)为一传感器器件(10)。
6.如权利要求1-3中任一项所述的半导体器件组件(S1)，其特征在于，每个引线(40)具有被金属镀覆的尖端表面(44a)，从而改善焊料的可润湿性。
7.如权利要求1-3中任一项所述的半导体器件组件(S1)，其特征在于，引线(40)在埋入到树脂壳体(20)中的部分处具有一颈部，从而足够牢固地将引线(40)连接到树脂壳体(20)上，以承受施加给引线(40)的作用力。
8.如权利要求1-3中任一项所述的半导体器件组件(S1)，其特征在于，引线(40)具有弯角(43)和端部(44)，当器件组件(S1)焊接至外部电路板上时，引线(40)在该端部(44)处与外部电路板相接触，其中弯角(43)和端部(44)之间的长度足够长，以允许从外部电路板的表面至该弯角(43)的距离(L)为2mm或者更大，从而在将器件组件(S1)焊接在外部电路板上时防止焊料蔓延到该表面上和粘结在弯角(43)上。
9.一种半导体器件组件(S1)，包括：
半导体器件(10，60)，它包括接合区(15，61)；
树脂壳体(20)，它具有器件安装表面(21，22)，其中半导体器件(10，60)安装在该器件安装表面(21，22)上；
引线(40)，它具有接合表面(41)和毛边(41a)；以及
接合导线(50)，它与接合区(15，61)和接合表面(41)电连接，其中毛边(41a)位于接合表面(41)的一边缘处，当引线框(140)被夹物模压在树脂壳体(20)中时，毛边(41a)作为一阻挡件来防止熔融的树脂渗入到接合表面(41)上。
10.如权利要求9所述的半导体器件组件(S1)，其特征在于，半导体器件(10，60)为一传感器器件(10)。
11.如权利要求9或者10所述的半导体器件组件(S1)，其特征在于，引线(40)具有被金属镀覆的尖端表面(44a)，从而改善焊料的可润湿性。
12.如权利要求9或10所述的半导体器件组件(S1)，其特征在于，引线(40)具有与接合表面(41)相对的相对表面(42)，该引线(40)与外部电路板在该相对表面(42)处相接触，以防止在将器件组件(S1)焊接到外部电路板上时器件组件(S1)由于该毛边(41a)而倾斜。
13.如权利要求9或10所述的半导体器件组件(S1)，其特征在于，引线(40)在埋入到树脂壳体(20)中的部分处具有一颈部，从而足够牢固地将引线(40)连接到树脂壳体(20)上，以承受施加给引线(40)的作用力。
14.如权利要求9或10所述的半导体器件组件(S1)，其特征在于，引线(40)具有弯角(43)和端部(44)，当器件组件(S1)焊接至外部电路板上时，引线(40)在该端部与外部电路板相接触，其中弯角(43)和端部(44)之间的长度足够长，以允许外部电路板的表面至该弯角(43)之间的距离(L)为2mm或者更大，从而在将器件组件(S1)焊接在外部电路板上时防止焊料蔓延到表面上和粘结在弯角(43)上。
CNB031314538A 2002-05-17 2003-05-16 导线接合性增强的半导体器件组件 Expired - Fee Related CN1235288C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP142745/2002 2002-05-17
JP2002142745A JP3888228B2 (ja) 2002-05-17 2002-05-17 センサ装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1461053A true CN1461053A (zh) 2003-12-10
CN1235288C CN1235288C (zh) 2006-01-04

Family

ID=29417015

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB031314538A Expired - Fee Related CN1235288C (zh) 2002-05-17 2003-05-16 导线接合性增强的半导体器件组件

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6696753B2 (zh)
JP (1) JP3888228B2 (zh)
CN (1) CN1235288C (zh)
DE (1) DE10321692B9 (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103378118A (zh) * 2012-04-27 2013-10-30 佳能株式会社 电子元器件、安装部件、电子装置和它们的制造方法
CN104246465A (zh) * 2012-04-25 2014-12-24 日本精机株式会社 压力检测装置及其生产方法
CN104396352A (zh) * 2012-06-20 2015-03-04 西门子医疗器械公司 具有集成印刷电路板的注模的线路载体
US9220172B2 (en) 2012-04-27 2015-12-22 Canon Kabushiki Kaisha Electronic component, electronic module, their manufacturing methods, mounting member, and electronic apparatus
US9253922B2 (en) 2012-04-27 2016-02-02 Canon Kabushiki Kaisha Electronic component and electronic apparatus
CN107110726A (zh) * 2014-12-24 2017-08-29 株式会社藤仓 压力传感器以及压力传感器模块
CN114166196A (zh) * 2020-09-11 2022-03-11 精工爱普生株式会社 电子器件的制造方法

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4177571B2 (ja) * 2001-09-20 2008-11-05 三菱電機株式会社 半導体装置
US6868731B1 (en) * 2003-11-20 2005-03-22 Honeywell International, Inc. Digital output MEMS pressure sensor and method
JP4473674B2 (ja) * 2004-08-06 2010-06-02 パナソニック株式会社 半導体パッケージ及びその製造方法
DE102004043663B4 (de) * 2004-09-07 2006-06-08 Infineon Technologies Ag Halbleitersensorbauteil mit Hohlraumgehäuse und Sensorchip und Verfahren zur Herstellung eines Halbleitersensorbauteils mit Hohlraumgehäuse und Sensorchip
TWI285415B (en) * 2005-08-01 2007-08-11 Advanced Semiconductor Eng Package structure having recession portion on the surface thereof and method of making the same
JP2007158217A (ja) * 2005-12-08 2007-06-21 Yamaha Corp 半導体装置
JP4779614B2 (ja) * 2005-12-08 2011-09-28 ヤマハ株式会社 半導体装置
JP4920984B2 (ja) * 2006-02-03 2012-04-18 株式会社リコー マグネットローラ、現像剤担持体、現像装置、プロセスカートリッジ、画像形成装置
JP4923937B2 (ja) * 2006-10-16 2012-04-25 株式会社デンソー センサ装置
JP2009186344A (ja) * 2008-02-07 2009-08-20 Denso Corp 半導体力学量センサ装置
US7868430B2 (en) * 2008-09-26 2011-01-11 Infineon Technologies Ag Semiconductor device
DE102009029040A1 (de) * 2009-08-31 2011-03-03 Robert Bosch Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
US8193597B2 (en) * 2009-11-17 2012-06-05 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic device with low acoustic loss packaging
US8232615B2 (en) * 2010-02-23 2012-07-31 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Packaged device with acoustic transducer and amplifier
CN102589753B (zh) * 2011-01-05 2016-05-04 飞思卡尔半导体公司 压力传感器及其封装方法
CN107063369B (zh) * 2012-06-15 2021-11-02 日立安斯泰莫株式会社 热式流量计
JP6115172B2 (ja) * 2013-02-15 2017-04-19 富士電機株式会社 半導体装置
DE102014105861B4 (de) * 2014-04-25 2015-11-05 Infineon Technologies Ag Sensorvorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Sensorvorrichtung
US10788388B2 (en) 2016-06-06 2020-09-29 Hitachi Automotive Systems, Ltd. Pressure sensor
JP6515944B2 (ja) * 2016-12-20 2019-05-22 株式会社デンソー 半導体装置およびその製造方法
DE102018106560A1 (de) * 2017-10-17 2019-04-18 Infineon Technologies Ag Drucksensorbauelemente und Verfahren zum Herstellen von Drucksensorbauelementen
KR102520038B1 (ko) 2018-01-10 2023-04-12 삼성전자주식회사 가스 센서 패키지 및 이를 포함하는 센싱 장치
US10830656B2 (en) 2018-06-01 2020-11-10 Sensata Technologies, Inc. Overmolded lead frame assembly for pressure sensing applications
JP7215271B2 (ja) * 2019-03-22 2023-01-31 三菱電機株式会社 電力半導体装置及びその製造方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5698849A (en) 1980-01-08 1981-08-08 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor device
DE3011730C2 (de) * 1980-03-26 1982-05-27 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Gehäuse für elektrische Bauelemente, Bauelementegruppen oder integrierte Schaltungen
JPS6065551A (ja) * 1983-09-21 1985-04-15 Toshiba Corp 樹脂封止型半導体装置とその製造方法
JPS6149450A (ja) 1984-08-17 1986-03-11 Hitachi Cable Ltd 半導体用リ−ドフレ−ム
JPH05267385A (ja) * 1992-03-17 1993-10-15 Rohm Co Ltd ワイヤーボンディング装置
JP3201014B2 (ja) * 1992-10-09 2001-08-20 ソニー株式会社 半導体装置
JP3323958B2 (ja) * 1993-06-14 2002-09-09 ポリプラスチックス株式会社 モールド形電気部品の製造方法
US5455386A (en) * 1994-01-14 1995-10-03 Olin Corporation Chamfered electronic package component
JP3473169B2 (ja) * 1995-04-25 2003-12-02 松下電工株式会社 圧力センサ
DE19626086A1 (de) 1996-06-28 1998-01-02 Siemens Ag Auf der Bestückungsoberfläche einer Leiterplatte montierbares Drucksensor-Bauelement
JP3261987B2 (ja) * 1996-07-24 2002-03-04 日立電線株式会社 Ｌｏｃ用リードフレームおよびそれを利用した半導体装置
JP2828055B2 (ja) * 1996-08-19 1998-11-25 日本電気株式会社 フリップチップの製造方法
US5943558A (en) * 1996-09-23 1999-08-24 Communications Technology, Inc. Method of making an assembly package having an air tight cavity and a product made by the method
KR100218319B1 (ko) * 1996-10-04 1999-09-01 구본준 반도체 패키지 및 그의 소켓
JP2933036B2 (ja) * 1996-11-29 1999-08-09 日本電気株式会社 中空パッケージ
US5948991A (en) * 1996-12-09 1999-09-07 Denso Corporation Semiconductor physical quantity sensor device having semiconductor sensor chip integrated with semiconductor circuit chip

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104246465A (zh) * 2012-04-25 2014-12-24 日本精机株式会社 压力检测装置及其生产方法
CN104246465B (zh) * 2012-04-25 2016-10-05 日本精机株式会社 压力检测装置及其生产方法
CN103378118A (zh) * 2012-04-27 2013-10-30 佳能株式会社 电子元器件、安装部件、电子装置和它们的制造方法
US9155212B2 (en) 2012-04-27 2015-10-06 Canon Kabushiki Kaisha Electronic component, mounting member, electronic apparatus, and their manufacturing methods
US9220172B2 (en) 2012-04-27 2015-12-22 Canon Kabushiki Kaisha Electronic component, electronic module, their manufacturing methods, mounting member, and electronic apparatus
US9253922B2 (en) 2012-04-27 2016-02-02 Canon Kabushiki Kaisha Electronic component and electronic apparatus
CN103378118B (zh) * 2012-04-27 2016-03-16 佳能株式会社 电子元器件、安装部件、电子装置和它们的制造方法
CN104396352A (zh) * 2012-06-20 2015-03-04 西门子医疗器械公司 具有集成印刷电路板的注模的线路载体
CN107110726A (zh) * 2014-12-24 2017-08-29 株式会社藤仓 压力传感器以及压力传感器模块
US10720534B2 (en) 2014-12-24 2020-07-21 Fujikura Ltd. Pressure sensor and pressure sensor module
CN114166196A (zh) * 2020-09-11 2022-03-11 精工爱普生株式会社 电子器件的制造方法
CN114166196B (zh) * 2020-09-11 2024-01-09 精工爱普生株式会社 电子器件的制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
DE10321692B4 (de) 2011-12-29
JP3888228B2 (ja) 2007-02-28
DE10321692B9 (de) 2012-04-12
CN1235288C (zh) 2006-01-04
US20030214026A1 (en) 2003-11-20
DE10321692A1 (de) 2003-12-04
JP2003337073A (ja) 2003-11-28
US6696753B2 (en) 2004-02-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1235288C (zh) 导线接合性增强的半导体器件组件
CN100336190C (zh) 半导体装置的制造方法及半导体装置
CN1499622A (zh) 引线框及制造方法以及树脂密封型半导体器件及制造方法
US7691678B2 (en) Solid-state imaging device and method for manufacturing the same
CN1047470C (zh) 半导体器件
CN1163478A (zh) 电子组件与其制造方法及其所用的引线架与金属模
CN1856219A (zh) 电子电路装置及其制造方法
CN101290920B (zh) 半导体装置
US8077248B2 (en) Optical device and production method thereof
CN103515261A (zh) 用于制造半导体器件的方法和半导体器件
CN1314171C (zh) 连接器
CN1658736A (zh) 电路装置
CN1751390A (zh) 包括无源器件的引线框架
JPH1145958A (ja) 表面実装部品及びその製造方法
CN1842915A (zh) 面装配型电子部件及其制造方法
EP2023658A2 (en) Semiconductor device, lead frame, and microphone package therefor
CN1530978A (zh) 芯片式电容及其制造方法以及模制模具
CN1457094A (zh) 半导体器件及其制造方法
CN1191629C (zh) 引线框、半导体装置及其制造方法、电路基板和电子装置
CN1961415A (zh) 灵活的引线框架结构以及形成集成电路封装件的方法
CN101359645A (zh) 半导体装置、预模制封装结构及其制造方法
CN1184678C (zh) 半导体器件及其制造方法、电路衬底及电子仪器
CN100336217C (zh) 树脂密封型半导体器件及其制造方法
CN100336209C (zh) 混合集成电路装置的制造方法
CN1149670C (zh) 密封光学元件的引线框架

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20060104

Termination date: 20190516

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee