CN1457527A - 介电滤波器、天线收发转换装置和使用滤波器的通讯装置 - Google Patents

介电滤波器、天线收发转换装置和使用滤波器的通讯装置 Download PDF

Info

Publication number
CN1457527A
CN1457527A CN02800508.2A CN02800508A CN1457527A CN 1457527 A CN1457527 A CN 1457527A CN 02800508 A CN02800508 A CN 02800508A CN 1457527 A CN1457527 A CN 1457527A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
dielectric
dielectric substrate
resonator
filter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN02800508.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1319208C (zh
Inventor
前川智哉
菅谷康博
山田徹
石崎俊雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2001057751A external-priority patent/JP4501291B2/ja
Priority claimed from JP2001073727A external-priority patent/JP2002280805A/ja
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Publication of CN1457527A publication Critical patent/CN1457527A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1319208C publication Critical patent/CN1319208C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
    • H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
    • H01P1/203—Strip line filters
    • H01P1/20327—Electromagnetic interstage coupling
    • H01P1/20336—Comb or interdigital filters
    • H01P1/20345—Multilayer filters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
    • H01P1/213—Frequency-selective devices, e.g. filters combining or separating two or more different frequencies
    • H01P1/2135—Frequency-selective devices, e.g. filters combining or separating two or more different frequencies using strip line filters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P11/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing waveguides or resonators, lines, or other devices of the waveguide type
    • H01P11/007—Manufacturing frequency-selective devices

Abstract

一种介电滤波器分别包括谐振器电极，级间耦合电容器电极和输入/输出耦合电容器电极。谐振器电极彼此电磁耦合形成三片结构，它由嵌入在谐振器介电衬底中的金属箔制作。另一种介电滤波器包括上部屏蔽电极介电衬底，级间耦合电容器介电衬底，谐振器介电衬底和输入/输出耦合电容器介电衬底，它们由包括高介电常数的材料和低介电常数的材料的复合介电材料制作。上述排列提供了具有改善的谐振器Q因数，低损失和高衰减的介电滤波器。

Description

介电滤波器、天线收发转换装置和使用滤波器的通讯装置
技术领域
本发明涉及用于高频无线电装置例如移动电话的介电滤波器，且特别地涉及包括在介电衬底上具有相互电磁耦合的条状线谐振器电极的介电滤波器。
背景技术
近来介电滤波器已经用作移动电话的高频滤波器，它们特别需要减小外形尺寸和厚度。现在关注的是平面、多层介电滤波器而不是同轴滤波器。下面将参照相关附图来说明常规的平面、多层介电滤波器。
附图17示出了常规的平面、多层介电滤波器的分解透视图。示出了层结构的介电滤波器包括6个介电衬底1a到1f。屏蔽电极2a在介电衬底1b的上表面上形成。级间耦合电容器电极3在介电衬底1c的上表面上形成。谐振器电极4a和4b在介电衬底1d的上表面上形成。输入/输出耦合电容器电极5a和5b在介电衬底1e的上表面上形成。屏蔽电极2b在介电衬底1f的上表面上形成。
作为接地端口的端电极6a和6b分别在左右两侧形成。作为连接到各自屏蔽电极2a和2b和谐振器电极4a和4b的开口端的接地端口的端电极7在背面形成。在介电衬底层结构的前面设置的端电极8在其一端连接到各自谐振器电极4a和4b的短路端，在另一端连接到屏蔽电极2a和2b上。在多层介电衬底左右侧的端电极9a和9b分别连接到输入/输出耦合电容器电极5a和5b上，因此作为输入/输出口进行操作。
平面、多层介电滤波器的谐振器电极，级间耦合电容器电极和输入/输出耦合电容器电极使用导电性胶的印刷图案制作，因此几乎具有统一的厚度。
附图18示出了如图1所示的介电衬底1c和1d的横截面图。如图所示，谐振器电极4a和4b在中心厚且朝向边缘变薄。当层压介电衬底时，通过印刷设置的电极将在它们的边缘将被削尖。高频电流集中在边缘。这降低了谐振器电极衰减的Q因数，因此滤波器具有衰减的性能。主要包括金属粉的导电性胶一旦被丝网印刷，就会因丝网印刷网具有波形的表面而降低了滤波器的性能。
平面，多层介电滤波器的谐振器电极，级间耦合电容器电极和输入/输出耦合电容器电极分别设置在具有同一介电常数的同一材料的陶瓷衬底的表面上。因此，因为在谐振器中的电流，介电滤波器的必要元件集中在谐振器电极4a和4b的每个边缘，所以电流增加了导体的损失，从而降低了谐振器的Q因数和介电滤波器的性能。
发明内容
介电滤波器包括：一由金属箔制作的谐振器电极，它们彼此电磁耦合；一用于耦合谐振器电极的级间耦合电容器电极；一用于输入和输出信号到谐振器电极的输入/输出耦合电容器电极；和一在其上设置有谐振器电极、级间耦合电容器电极和输入/输出耦合电容器电极的介电衬底。在滤波器中，每个谐振器电极具有均匀的厚度，因此提供了谐振器的高Q因数，低损失和高衰减。
附图的简要描述
附图1示出了根据本发明实施例1的分解透视图。
附图2A示出了沿图1的线2A-2A处的介电衬底层结构的横截面图。
附图2B示出了谐振器电极放大的横截面视图。
附图2C示出了在其上包括有较宽部分的谐振器电极的谐振器介电衬底的透视图。
附图3A到3F示出了根据本发明实施例2制造介电滤波器的过程。
附图4A到4B示出了根据实施例2制造介电滤波器的过程。
附图5A到5F示出了根据本发明实施例3制造介电滤波器的过程。
附图6A到6D示出了根据本发明实施例4制造介电滤波器的过程。
附图7示出了包括天线收发转换装置并根据本发明实施例5的通讯装置的示意性框图。
附图8示出了根据本发明实施例6的介电滤波器的横截面图。
附图9A到9C示出了根据本发明实施例7制造介电滤波器的过程。
附图10A到10C示出了根据实施例7制造介电滤波器的过程。
附图11示出了根据本发明实施例8的介电滤波器的横截面图。
附图12示出了根据本发明实施例9的介电滤波器的横截面图。
附图13示出了根据本发明实施例10的介电滤波器的横截面图。
附图14A到14B示出了根据实施例在滤波器的电极中的电流剖面和在常规滤波器电极中的电流剖面的示意图。
附图15示出了根据本发明实施例11的谐振器电极形状的平面图。
附图16示出了根据本发明实施例12的包括天线转换器的通讯装置的框图。
附图17示出了常规介电滤波器的分解透视图。
附图18示出了常规介电滤波器中谐振器电极的横截面视图。
具体实施方式
(实施例1)
附图1示出了根据本发明实施例1的分解透视图。具有与图17所示相同的基本排列的介电滤波器包括六个介电衬底11a到11f。包括谐振器电极的谐振器介电衬底11d为具有高介电常数的陶瓷衬底，但也可以是包含树脂材料和无机填充物的树脂衬底或树脂复合衬底。
屏蔽电极介电衬底11b包括在上表面的屏蔽电极12a。级间耦合电容器介电衬底11c在上表面具有级间耦合电容器电极13。谐振器介电衬底11d包括在上表面的谐振器电极14a和14b，该谐振器电极由包括金、银或铜的箔做成，具有10微米到400微米的厚度。每个谐振器电极具有圆角的四边形横截面。输入/输出耦合电容器介电衬底11e包括在上表面上的输入/输出耦合电容器电极15a和15b。屏蔽电极介电衬底11f包括在上表面上的屏蔽电极12b。介电衬底11a到11f以层排列的形式层压在一起，从而组成介电滤波器。
与常规滤波器相似，端电极16a和16b设置在左右侧。端电极19a和19b作为输入/输出口设置在左右侧并分别连接到输入/输出耦合电容器电极15a和15b上。端电极17和18设置在层压介电衬底的前后侧。
根据本实施例滤波器的特征在于谐振器电极的排列。谐振器电极14a和14b由图1所示的在谐振器介电衬底11d的上表面的包括金、银或铜的金属箔做成。
图2A示出了在图1中线2A-2A处的介电衬底的横截面图。包含金，银或铜的金属箔制作的谐振器电极14a和14b位于谐振器介电衬底11d的上表面，其制作方法将在后面详细解释。同样，级间耦合电容器电极13和输入/输出耦合电容器电极15a和15b分别以导电性胶的印刷图案设置在级间耦合电容器衬底11c和输入/输出耦合电容器衬底11e上。级间耦合电容器电极13和输入/输出耦合电容器电极15a和15b可由与谐振器电极14a和14b相同的金属箔制成。
本实施例中的每个谐振器电极14a和14b可具有改进电性能的圆角和圆边的横截面。圆角和圆边的半径为1微米或者更大。谐振器电极14a和14b具有圆角的矩形横截面，其可通过化学蚀刻或者电解抛光用电极框架的条状形成所期望的电极尺寸。更优选的是，谐振器电极14a和14b可易于表面抛光或金属镀膜以具有0.5微米到0.01微米光洁度的光滑表面。
由具有光滑表面的金属箔制成的谐振器电极14a和14b，形成具有改善的Q因数的谐振器，因此对介电滤波器的低损失和更好的衰减特性有贡献。
谐振器电极14a和14b不限于如图1所示的统一宽度条带的形状，可根据所需要的特性设置为如图2C所示的具有宽部分14aw或14bw的T形。
根据本实施例，滤波器包括具有10微米到400微米厚的金属箔的条状电极。在高频率工作的介电滤波器中，高频电流在电极厚度中不是均匀流动，而是在靠近电极表面的区域加强。谐振器导体的厚度大于该区的厚度，表面厚度。沿着上下表面流动高频电流的条状电极具有导体两倍的厚度。因此更可取的是当在GHz的频率中表面深度基本上从1微米到3微米时，金属箔厚度为10微米或者更大，大于深度的两倍。谐振器具有提高的Q因数直到具有100微米的厚度，且根据实验具有保持不变或者从厚度200微米增加很少的因数。介电滤波器所获得的厚度包括条状获得厚度。综上所述，金属箔可优选具有400微米或更小的厚度。
包括100微米厚的铜和银的谐振器电极的金属箔提供280的Q因数。通过40微米厚的公知印刷方法形成的谐振器电极提供240的Q因数。因此，在本实施例中金属箔的谐振器电极提供具有提高Q因数的谐振器。
(实施例2)
附图3A到3F示出了根据本发明实施例2制造谐振器介电衬底27，介电滤波器的基本元件的方法。
附图3A示出了在附图3B的平面图中沿线3A-3A的衬底的横截面图。抗蚀刻层22的同一图案通过在包括金，银或铜的金属箔21的上下表面上都进行光刻蚀获得。当金属箔21通过化学或电解过程在两侧被蚀刻然后在表面抛光时，其作为如图3B所示的具有谐振器电极23的电极框架而完成。电极框架24包括在其内侧的定位导向装置25。电极框架24可通过对模成型来制作。
附图3C示出了电极框架24的横截面图。然后，电极框架24设置在介电层26上，且从如图3D所示的箭头指示的上下侧进行挤压。结果如图3E所示，电极框架24被嵌入介电层26中。然后，该层被分成如图3F所示的谐振器介电衬底27。
附图4A到4B示出了用具有金属箔的谐振器电极14a和14b的谐振器介电衬底27(与如图1所示的衬底11d一致)制造介电滤波器的过程。下面将详细描述该过程，同样的元件用与如图1所示的同样数字来表示。
在附图4A中，将作为保护层的保护陶瓷介电衬底11a，具有屏蔽电极12a的屏蔽电极陶瓷介电衬底11b，具有级间耦合电容器电极13的级间耦合电容陶瓷介电衬底11c，在图3A到3F中过程所制备的具有在其间嵌入金属箔的谐振器电极14a和14b的谐振陶瓷介电衬底11d，具有输入/输出耦合电容器电极15a和15b的输入/输出耦合电容陶瓷介电衬底11e和具有屏蔽电极12b的屏蔽电极陶瓷介电衬底11f一层一层的层压且按照箭头方向压在一起。这提供了如图4B所示的介电衬底组件28。将介电衬底组件28在900温度的还原空气中烧制，以具有分层的陶瓷介电滤波器。
根据本实施例，每个具有高介电常数的介电陶瓷衬底可由Bi-Ca-Nb-O基，Ba-Ti-O基，[Zr(Mg，Zn，Nb)]TiO4+MnO2基和Ba-Nd-Ti-O混合介电物质制成。形成无电容的部分可由镁橄榄石(forsterite)或硼硅酸铝玻璃(alumina borosilicate glass)制成。
(实施例3)
实施例3与实施例2的不同在于包括在其中嵌入金属箔的谐振器电极的介电衬底是由复合材料制成的，该复合材料包括诸如环氧树脂和Al2O3或MgO的无机填充物粉末的热固性树脂。
复合材料的热固性树脂不仅可由环氧树脂制成，而且可由酚醛树脂和氰酸盐树脂制成。
附图5A到5F基本上示出了根据本实施例方法的示意图。如图5A所示，作为生片(green sheet)形式的保护层的保护陶瓷介电衬底31a，具有屏蔽电极32a的生片形式的屏蔽电极陶瓷介电衬底31b和具有级间耦合电容器电极33的生片形式的级间耦合电容陶瓷介电衬底31c被层压并按照箭头所示的方向挤压在一起。然后将层压的衬底在大约900℃烧制且形成如图5B所示的第一介电块34。然后，如图5C所示，将具有输入/输出耦合电容器电极35a和35b的生片形式的输入/输出耦合电容陶瓷介电衬底36和具有屏蔽电极32b的生片形式的屏蔽电极陶瓷介电衬底37层压并挤压。然后将层压的衬底在大约900℃烧制且形成如图5D所示的第二介电块38。
然后，通过图3A到3F所描述的过程制作谐振器复合介电衬底40，该介电衬底具有嵌入的谐振器电极39a和39b，将其放置于如图5E所示的第一介电块34和第二介电块38之间，并通过箭头所示的方向压制在一起。衬底40包括嵌入下表面的输入/输出耦合电容器电极35a和35b。将衬底在150-200℃的温度下加热用于固化复合材料，从而导致第一介电块34，谐振器复合介电衬底40和第二介电块38连接在一起以形成如图5F所示的介电滤波器。
为了提高滤波器的性能，谐振器复合介电衬底40可包括作为无机填充物的具有高含量的有高介电常数的介电陶瓷粉，它们不仅可以从Al2O3或MgO中选择，而且可从Bi-Ca-Nb-O，Ba-Ti-O，[Zr(Mg，Zn，Nb)]TiO4+MnO2和Ba-Nd-Ti-O的混合物中来选择。
因为本实施例中的用金属箔制作的谐振器电极39a和39b被嵌入含树脂的复合衬底中，所以允许介电滤波器可通过如图5A到5F所示的简单过程来制作。
在本实施例的复合材料中的无机填充物可优选包括大约70％到90％的复合材料，以对陶瓷物质来说具有相同的热膨胀。
为了增加复合材料的介电常数，滤波器可包括更多物质。对粘合强度来说，滤波器可包含少于上述范围的物质。
谐振器通过具有高导体Q因数的金属箔的电极和具有高材料Q因数的介电衬底而具有显著提高的Q因数。
实施例3的介电滤波器的特征为在介电物质中嵌入的谐振器电极39a和39b具有低介电常数。每个电极在上下表面接触具有高介电常数的物质，且在侧面接触具有高介电常数的物质。
实施例3的介电滤波器在高介电常数的物质中具有电极，例如电容耦合电极或输入/输出电极，然而即使高介电常数的物质不包括电极，也具有同样的优点。为了包括电极，将介电物质与电极一起烧制。然而，介电物质，即可与电极一起烧制的低温共同烧制陶瓷(LTCC)，具有实质上低的Q因数(材料Q因数)。根据实施例4，将谐振器电极设置为直接与高温烧制陶瓷接触，该陶瓷具有高Q因数但不能与电极一起烧制，因此谐振器电极具有高Q因数。其上不包括电极的介电物质给介电滤波器提供HTCC的优点，也就是高材料Q因数。
(实施例4)
根据本发明实施例4的介电滤波器通过下面方法来制作。如图6A所示，将通过如图3A到3F所示的方式制作的电极框架24挤压粘合成具有与电极框架24相同厚度的复合材料41。结果如图6B所示，在电极框架24的开口42中填充复合材料41，因此形成电极复合衬底43。
然后，将具有高介电常数的生片形式的陶瓷物质的介电衬底44放置在生片形式的第二介电块38的上表面，该第二介电块通过如图6C所示的方式制作，且在与实施例3相同的条件下烧制以形成第三介电块45。如图6C所示，将从电极复合衬底43中分离的谐振器复合介电衬底46放置在第三介电块45和通过如图5B所示的方式制作的第一介电块34之间。然后将它们一起压制形成如图6D所示的介电滤波器。滤波器包括具有高介电常数的位于输入/输出耦合电容器电极35a和35b和谐振器电极39a和39b之间的介电衬底44，从而即使通过成本低的过程制作也具有改进的Q因数。谐振器通过具有高导体Q因数的金属箔电极和具有高材料Q因数的介电衬底具有显著提高的Q因数。
实施例4的介电滤波器的特征为在具有低介电常数的介电材料中嵌入的谐振器电极39a和39b。每个电极在上下表面与具有高介电常数的物质接触，且在侧面与具有高介电常数的物质接触。
除了复合衬底43外，本实施例的滤波器可通过如图6C所示的方法制作，在第三介电块45的上表面上直接设置谐振器电极39a和39b，用液体树脂诸如环氧树脂，苯酚，氰酸盐，多亚苯基邻苯二甲酸盐(poly-phenylene-phthalate)或多亚苯基醚树脂(poly-phenylene-etherresin)作为粘合剂填充电极框架24的开口，且然后在其上粘结介电块34。它们可用玻璃胶粘合而不是树脂粘合剂来填充电极框架24的开口42，并在大约900℃下烧制以玻璃密封。
在如图3A到3E，图6A和图6B所示的过程中，在电极框架中同时获得多个谐振器电极。在其他过程中，每个介电滤波器以简单的图解示出。
为了具有平均表面光洁度0.5到0.01微米，将上述实施例的金属箔的谐振器电极抛光或者通过在其表面电镀Au，Ag或Cu。因为谐振器电极比由提供平均表面光洁度为1到3微米的常规导电性胶印刷过程形成的电极具有更光滑的表面，因此谐振器电极具有提高的Q因数，从而提高了滤波器的性能。
实施例4中的介电滤波器在高介电常数的物质中具有电极，例如电容耦合电极或者输入/输出电极的电极，然而，即使高介电常数的物质不包括电极，也具有相同的优点。为了包括电极，将介电材料与电极一起烧制。然而，介电物质，即可与电极一起烧制的低温共同烧制陶瓷(LTCC)具有实质上低Q因数(材料Q因数)。根据实施例4，将谐振器电极设置为直接与高温烧制陶瓷接触，陶瓷具有高Q因数但不能与电极一起烧制，因此谐振器电极具有高Q因数。其上不包括电极的介电物质给介电滤波器提供HTCC的优点，也就是高材料Q因数。
实施例4的谐振器包括一对具有金属箔的谐振器电极，然而对包括三个或更多谐振器电极的滤波器提供同样效果。
用导电性胶的印刷图案制作的常规谐振器电极受厚度的限制。用金属箔制作的本实施例的谐振器电极，因为能通过热石板印刷(hotolithgraphic)过程和蚀刻过程来制作，所以根据期望的性能具有期望的厚度并降低导体损失。带有该电极的滤波器可使通讯装置小型化并具有高性能。
(实施例5)
本实施例涉及包括实施例1到4的介电滤波器的天线收发转换装置65，其作为发送滤波器62或者接收滤波器61用于在通讯装置67例如移动电话中将信号分离为接收信号和发送信号。如图7所示，将上述实施例的介电滤波器连接到匹配电路266的各个端，该匹配电路具有连接到天线64的天线口63。这减弱了同轴共振，其占据大量空间，通常用于常规天线收发转换装置中。本实施例的天线收发转换装置具有减小的总尺寸。
本实施例的天线收发转换装置，因为包括具有由金属箔制作的谐振器电极的介电滤波器，故能对通讯装置诸如移动电话的更小尺寸和改进的性能作出贡献。
在天线收发转换装置中的介电滤波器的谐振器电极，因为具有通过抛光或者金属电镀的光滑表面，故具有高Q因数。
在天线收发转换装置中的介电滤波器的谐振器电极用电极框架制作，该电极框架通过在包含金，银或铜的金属箔层的两面进行光掩膜和蚀刻处理，然后通过化学或电解抛光圆化其边和角而形成。因此，谐振器电极可具有圆边和圆角。
(实施例6)
附图8示出根据本发明实施例6的介电滤波器的横截面图。具有与图17所示的基本相似排列的介电滤波器包括6个介电衬底111a到111f。
在介电滤波器中的电极可用与常规滤波器中同样的导电材料制作。为了简单起见，在本实施例中的每个电极具有与图8中所示的矩形横截面。横截面可以为任何合适的形状，诸如图18中所示绕线轴形状(bobbinshape)，并可通过印刷导电性胶的图案来设置。
上部屏蔽电极介电衬底111b包括上表面的屏蔽电极112a。级间耦合电容器介电衬底111c包括上表面的级间耦合电容器电极113。谐振器介电衬底111d包括上表面的谐振器电极114a和114b。输入/输出耦合电容器介电衬底111e包括上表面的输入/输出耦合电容器电极115a和115b。下部屏蔽电极介电衬底111f包括上表面的屏蔽电极112b。衬底111b到111f在最上面同保护衬底111a层压在一起以形成本实施例中的介电滤波器。保护衬底111a可由除了介电材料的其它材料制作，例如能保护屏蔽电极不受周围环境影响的有机材料。
如图8所示的本实施例的介电滤波器具有如图17左侧和右侧所示的端电极，在此没有示出和进行描述。
本实施例的介电滤波器的特征在于衬底的排列。如图8所示，每个上部屏蔽电极介电衬底111b，级间耦合电容器介电衬底111c，谐振器介电衬底111d和输入/输出耦合电容器介电衬底111e由具有不同介电常数的材料制作，第一介电材料116具有相对高的介电常数(后面称为高介电常数材料)，第二介电材料117与第一介电材料相比具有相对较低的介电常数(因此，后面称为低介电常数材料)。特别地，将高介电常数材料和低介电常数材料沿着横向交替排列。
因此，高介电常数材料116在介电滤波器上位于每个谐振器电极114a和114b的中心。低介电常数材料117位于谐振器电极114a和114b的外侧。这使位于谐振器电极114a和114b的电通量线均匀。这些线在常规介电滤波器中电极的每个端附近分散。因为谐振器电极114a和114b的电流密度是均匀的，所以减弱了谐振器电极114a和114b的导体损失，从而减弱了在介电滤波器中的损失。
在本实施例的介电滤波器中，在谐振器电极114a和114b和级间耦合电容器电极113之间的每个重叠区域和在输入/输出耦合电容器电极115a和115b和级间耦合电容器电极113之间的每个重叠区域用低介电常数材料117来填充。这使滤波器的容量和特性更容易被设计。
(实施例7)
附图9A到9C示出了根据本发明实施例7的制作复合陶瓷介电衬底的过程。如图9A所示，由具有高介电常数的Bi-Ca-Nb-O陶瓷材料制成的生片121a和121b和由具有低介电常数的镁橄榄石陶瓷材料制成的生片122a，122b和122c交替层压。每个生片121a和121b包括陶瓷生片，每个陶瓷生片具有几微米到几百微米厚，通过对由含有介电材料和有机粘结剂粉末的生料(slurry)用印刷刮墨片方法制作而成。
生片121a和122b的复合陶瓷介电块123(下文称为生片块)沿着如图9B所示的线A-A，B-B，C-C和D-D切片。这提供了如图9C所示的四个复合陶瓷介电生片衬底124到127。每个衬底包括两个不同的介电材料，具有相对高的介电常数的陶瓷和具有相对低的介电常数的陶瓷。
图10A到10C示出了本实施例的介电滤波器随后的制作过程的透视图。如图10A所示，上部屏蔽电极131a设置在陶瓷介电生片衬底124的上表面。级间耦合电容器电极132设置在陶瓷介电生片衬底125的上表面。一端作为短路端且另一端作为开口端的谐振器电极133a和133b设置在陶瓷介电生片衬底126的上表面。输入/输出耦合电容器电极134a和134b设置在陶瓷介电生片衬底127的上表面。然后将它们层压在一起，并在各自的上下侧，用包括如图10B所示的在其上设置下屏蔽电极131b的保护陶瓷生片衬底136和陶瓷介电生片衬底137，覆盖它们。然后加压并将它们在预设的温度下烧制，因此提供如图10C所示的介电滤波器。
具有如图10A至10C所示的下部屏蔽电极131b的保护生片衬底136和陶瓷介电生片衬底137由与具有低介电常数的陶瓷材料122a相同的材料制作。它们也可由具有高介电常数的陶瓷材料制作。在本实施例的介电滤波器中的谐振器电极具有作为短路端的一端和作为开口端的另一端，然而也可都作为开口端。
如图9A到9C和图10A到10C所示的本实施例的陶瓷介电生片衬底124，125，126和127用生片块123的切片形成期望的厚度。该衬底也可由各自的生片块形成，每个生片块包括两种不同的介电材料。在每个陶瓷介电生片衬底中高介电常数部分可具有彼此不同的横截面宽度。这可使介电滤波器的设计更灵活。
在介电生衬底上设置的电极可与导电性胶或蚀刻金属箔的印刷模型一起制备。可将具有电极的陶瓷介电生片衬底在期望的条件下烧制。
将对实施例7的上述过程进行说明，其中将生片块123分为陶瓷介电生片衬底124，125，126和127，然后设置电极，层压并进行烧制。该过程可以改进，可以对从生片块123中获得的陶瓷介电生片衬底124，125，126和127先进行烧制，然后设置电极。这个改进的过程使得衬底在烧制期间避免发生裂纹。
在改进的过程中烧制的陶瓷介电衬底可与从如下物质中选择出的粘合剂粘合在一起：热固性树脂，含有热固性树脂和无机填充物的复合材料和具有低熔化温度的火石玻璃(glass flit)及其类似物。
如所描述的，本实施例的介电滤波器的特征在于层压的复合介电衬底由具有不同介电常数的复合材料制成。因此，根据期望形状和期望特性，介电滤波器包括从复合介电衬底和具有单个相对介电常数的介电衬底中选择出的衬底。
(实施例8)
附图11示出了根据本发明实施例8的介电滤波器的横截面图。通过改进在级间耦合电容器介电衬底111c上的级间耦合电容器电极143和在输入/输出耦合电容器介电衬底111e上的输入/输出耦合电容器电极145a和145b，实施例8的介电滤波器将与实施例6中介电滤波器区别开来。如图11所示，级间耦合电容器电极143的两端和每个输入/输出耦合电容器电极145a和145b的一端都位于高介电常数材料116上。这种排列使具有电容的电容器部分定位于高介电常数的材料上，因此使在介电滤波器中的电容器部分增加了电容。
(实施例9)
附图12示出了根据本发明实施例9的介电滤波器，其特征为介电衬底111a到111f为具有由复合材料制作的三片结构，该复合材料包括高介电常数材料116和低介电常数材料117。因为该介电衬底用切片的生片块形成，所以可通过简单的过程制作。
(实施例10)
附图13示出了本发明实施例10的介电滤波器。该滤波器包括级间耦合电容器介电衬底111c和由包括高介电常数材料116和低介电常数材料117的复合材料制作的谐振器介电衬底111d。该滤波器进一步包括保护介电衬底111a，上部屏蔽电极介电衬底111b，输入/输出耦合电容器介电衬底111e和由低介电常数材料117制成的下部屏蔽电极介电衬底111f。与前述实施例中所有的介电衬底都是从单个块中获得的相比，由于不同介电材料具有不同的收缩性，该实施例的这种排列消除了在烧制后引起的裂纹问题。
附图14A和14B示出了在常规介电滤波器中电流流动的剖面图和在谐振器电极的横截面中在该实施例的介电滤波器中电流流动的剖面图。通常都朝向在常规滤波器中嵌入在单个介电材料中的谐振器电极的两侧偏向的电通量线，通过本实施例的排列沿着宽度方向均匀排列。这使通过谐振器电极横截面的电流均匀流动。
(实施例11)
除了谐振器电极的排列外，根据本发明实施例11的介电滤波器基本上与前述实施例一致。将参照图15的平面图来对谐振器电极介电衬底进行说明，而没有对其它元件进行更详细的说明。
前述实施例的介电滤波器的谐振器电极具有统一宽度的矩形形状。本实施例的谐振器电极163a和163b在如图15所示的各自开口端具有宽度部分163aw和163bw。将宽度部分163aw和163bw在外形上进行设计以决定滤波器的特性。
如本实施例的附图所示，每个谐振器电极163a和163b具有位于高介电常数材料的中心，并具有包括位于低介电常数材料上的宽度部分163aw和163bw的两端。这种排列给滤波器提供了与前述实施例相同的优点。
在这个实施例中，滤波器包括两个谐振器电极，且也可包括三个或更多的谐振器电极，每个电极具有位于不同介电常数的介电材料上的中心和两边。
(实施例12)
本发明的实施例12涉及具有实施例6到11的介电滤波器的天线收发转换装置265，用于在诸如移动电话的通讯装置267中将信号分离为接收信号和传送信号的传送滤波器262或接收滤波器261。如图16所示，天线收发转换装置265包括前述实施例中连接到各自匹配电路266的各个端的介电滤波器，该匹配电路具有与天线264连接的天线口263。这种排列消除了同轴谐振，同轴谐振其占据了大量空间并一般在常规天线收发转换装置中使用。本实施例的天线收发转换装置减小了外形尺寸。
本实施例的天线收发转换装置，因为其包括具有由金属箔制作的谐振器电极的介电滤波器，所以能对通讯装置诸如移动电话的小型化和性能改善有所贡献。
本实施例的谐振器电极，级间耦合电容器电极和输入/输出耦合电容器电极可用含金，银或铜的导电性胶的印刷图案制成。
本实施例的谐振器电极，级间耦合电容器电极和输入/输出耦合电容器电极可由基本上含金，银或铜的金属箔制成。
第一介电材料不限于由Bi-Ca-Nb-O的混合物制作，而是也可以从包括Bi-Ti-O和Zr(Mg，Zn，Nb)Ti-Mn-O的陶瓷材料组中选择。第二介电材料在整个实施例中为镁橄榄石，然而也可以是硼硅酸铝玻璃基陶瓷材料。
本实施例的介电滤波器可以包括作为第一介电材料的Bi-Ca-Nb-O，Bi-Ti-O或Zr(Mg，Zn，Nb)Ti-Mn-O的陶瓷材料和作为第二介电材料的镁橄榄石或硼硅酸铝玻璃的陶瓷材料，因此，具有改善的工作可靠性和材料性质。
介电滤波器可通过以下步骤来制作：
(a)将以生片形式的第一介电材料和在横截面方向具有比第一介电材料低的介电常数的生片形式的第二介电材料连接在一起以提供生片形式的复合陶瓷介电块；
(b)在横向上切片生片形式的复合陶瓷介电块，以提供包括第一介电材料和第二介电材料的生片形式的复合介电衬底；和
(c)以生片形式在各自复合介电衬底的上表面提供上部屏蔽电极，级间耦合电容器电极，谐振器电极和输入/输出耦合电容器电极，然后在特定条件下层压和烧制复合介电衬底。
这些过程允许将介电衬底和电极简单同时烧制。
工业实用性
本发明的介电滤波器包括谐振器电极，该谐振器电极由具有统一厚度的金属箔制作，彼此电磁耦合，且具有光滑的表面。因此，滤波器制作费用低，具有提高的Q因数，且具有低损失和高衰减。
本发明的介电滤波器使包括滤波器的通讯装置诸如移动电话具有小型化和高性能。

Claims (55)

1.一种介电滤波器包括：
由金属箔制作的谐振器电极，相互之间电磁耦合；
一用于耦合谐振器电极的级间耦合电容器电极；
一用于将信号输入和输出到谐振器电极的输入/输出耦合电容器电极；和
具有在其上设置谐振器电极、级间耦合电容器电极和输入/输出耦合电容器电极的介电衬底。
2.根据权利要求1的介电滤波器，
其中具有在其上设置谐振器电极的介电衬底的第一介电衬底具有比介电衬底的第二介电衬底低的介电常数，和
其中谐振器电极至少一个表面与第二介电衬底接触。
3.根据权利要求2的介电滤波器，其中每个谐振器电极具有与第一介电衬底接触的侧面。
4.根据权利要求1的介电滤波器，其中每个谐振器电极在一端具有短路端，而另一端具有开口端。
5.根据权利要求4的介电滤波器，其中每个谐振器电极在开口端具有宽的部分。
6.根据权利要求1的介电滤波器，其中每个谐振器电极在两端都有开口端。
7.根据权利要求6的介电滤波器，其中每个谐振器电极在至少一个开口端提供宽的部分。
8.根据权利要求1的介电滤波器，其中金属箔至少含有金，银和铜之一。
9.根据权利要求1的介电滤波器，其中每个谐振器电极具有弓形圆形角的四边形横截面。
10.根据权利要求1的介电滤波器，其中谐振器电极分别具有从10微米到400微米的厚度。
11.根据权利要求1的介电滤波器，其中谐振器电极分别具有抛光或电镀金属表面。
12.根据权利要求1的介电滤波器，其中谐振器电极分别具有从0.5微米到0.01微米的平均表面光洁度。
13.一种制作介电滤波器的方法，包括步骤：
提供金属箔的谐振器电极；
将谐振器电极嵌入到到介电衬底中，以形成谐振器介电衬底；和
将谐振器介电衬底与其上具有导电层的另一介电衬底层压，以形成层压的介电衬底。
14.根据权利要求13的方法，其中金属箔至少含有金，银和铜之一。
15.根据权利要求13的方法，其中所述提供谐振器电极的所述步骤包括子步骤：
提供在两表面具有光掩模的金属箔；
通过光掩模蚀刻金属箔；和
通过处理蚀刻的金属箔形成电极框架，以通过化学或电解抛光具有圆形或弓形的边。
16.根据权利要求13的方法，其中所述提供谐振器电极的所述步骤包括子步骤：
在生片形式的谐振陶瓷介电衬底中嵌入谐振器电极。
17.根据权利要求13的方法，其中形成层压介电衬底的所述步骤包括子步骤：
在其上具有导电层的生片形式的陶瓷介电衬底和生片形式的屏蔽电极陶瓷介电衬底之间层压在其中嵌入谐振器电极的生片形式的谐振陶瓷介电衬底；
烧制生片形式的层压谐振陶瓷介电衬底，生片形式的层压陶瓷介电衬底和生片形式的层压屏蔽电极陶瓷介电衬底。
18.根据权利要求13的方法，其中形成介电衬底的所述步骤包括子步骤：
在烧制的陶瓷介电衬底之间层压在其中嵌入谐振器电极的生片形式的谐振陶瓷介电衬底；和
烧制生片形式的层压谐振陶瓷介电衬底。
19.根据权利要求13的方法，其中提供介电衬底的所述步骤包括子步骤：
将谐振器电极嵌入到含有热固树脂的树脂衬底中；和
通过加热固化树脂衬底。
20.根据权利要求19的方法，其中树脂衬底是包含无机物填充物的复合衬底。
21.根据权利要求19的方法，其中形成层压介电衬底的所述步骤包括子步骤：
层压树脂衬底和屏蔽电极陶瓷介电衬底。
22.一种天线收发转换装置，包括：
一天线口；
包括根据权利1到12的任一权利要求所述的介电滤波器的第一滤波器，该第一滤波器与天线口耦合；和
与天线口耦合的第二滤波器。
23.一种天线收发转换装置，包括：
一天线口；和
第一和第二滤波器，每个滤波器包括根据权利1到12的任一权利要求所述的介电滤波器，且与天线口耦合。
24.一种天线收发转换装置包括：
一天线口；
第一发送器滤波器，包括根据权利要求13到21任何一个的方法制作的介电滤波器，且与天线口连接；和
与天线口连接的第二滤波器。
25.一种天线收发转换装置包括：
一天线口；
第一和第二滤波器，每个滤波器包括根据权利要求13到21的任一权利要求所述的方法制作的介电滤波器，每个滤波器与天线口耦合。
26.一种通讯装置，包括根据权利要求22到25任意一个权利要求所述的天线收发转换装置。
27.一种介电滤波器，包括：
层压在一起的第一，第二和第三介电衬底，第一，第二和第三介电衬底的至少一个包括与其他部分具有不同的相对介电常数的部分；
在第一介电衬底上的谐振器电极，彼此相互电磁耦合；
在第二介电衬底上用于耦合谐振器电极的级间耦合电容器电极；和
在第三介电衬底上用于输入和输出信号到谐振器电极的输入/输出耦合电容器电极。
28.根据权利要求27的介电滤波器，其中每个谐振器电极在一端具有短路端，在另一端具有开口端。
29.根据权利要求28的介电滤波器，其中每个谐振器电极在开口断具有宽的部分。
30.根据权利要求27的介电滤波器，其中每个谐振器电极在两端都具有开口端。
31.根据权利要求30的介电滤波器，其中每个谐振器电极在至少一个开口端具有宽的部分。
32.根据权利要求27的介电滤波器，其中至少一个谐振器电极，级间耦合电容器电极和输入/输出耦合电容器电极以至少含有金，银和铜之一的导电性胶的印刷图案形成。
33.根据权利要求27的介电滤波器，其中至少一个谐振器电极，级间耦合电容器电极和输入/输出耦合电容器电极以至少含有金，银和铜之一的金属箔形成。
34.根据权利要求27的介电滤波器，其中每个第一和第二介电衬底包括：
位于每个谐振器电极中心的第一介电部分；和
位于每个谐振器电极两侧的第二介电部分，该第二介电部分具有比第一介电部分低的相对介电常数。
35.根据权利要求34的介电滤波器，
其中级间耦合电容器电极位于第二介电衬底的第二介电部分，
其中第三介电衬底包括第二介电区域，和
其中输入/输出耦合电容器电极位于第三介电衬底的第二介电部分。
36.根据权利要求34的介电滤波器，
其中第一介电部分由Bi-Ca-Nb-O基，Ba-Ti-O基和Zr(Mg，Zn，Nb)Ti-Mn-O基之一的陶瓷材料制作，和
其中第二介电部分由镁橄榄石和硼硅酸铝玻璃之一的陶瓷材料制作。
37.一种制作介电滤波器的方法，包括步骤：
通过层压第一介电材料和具有比第一介电材料更低的介电常数的第二介电材料来提供复合介电块；
与层压第一和第二介电材料的方向并行地通过对复合介电块进行切片提供复合介电衬底；
在复合介电衬底上分别提供级间耦合电容器电极、谐振器电极和输入/输出耦合电容器电极；和
层压具有级间耦合电容器电极、谐振器电极和输入/输出耦合电容器电极的复合介电衬底。
38.根据权利要求37的方法，其中提供级间耦合电容器电极、谐振器电极和输入/输出耦合电容器电极的所述步骤包括子步骤：
通过至少包含金，银和铜之一的导电性胶的印刷图案形成至少一个级间耦合电容器电极、谐振器电极和输入/输出耦合电容器电极。
39.根据权利要求37的方法，其中提供级间耦合电容器电极、谐振器电极和输入/输出耦合电容器电极的所述步骤包括子步骤：
通过至少包含金、银和铜之一的金属箔形成至少一个级间耦合电容器电极、谐振器电极和输入/输出耦合电容器电极。
40.根据权利要求37的方法，
其中第一介电材料由Bi-Ca-Nb-O基，Ba-Ti-O基，和Zr(Mg，Zn，Nb)Ti-Mn-O基之一的陶瓷材料制作，和
其中第二介电材料由镁橄榄石和硼硅酸铝玻璃之一的陶瓷材料制作。
41.一种制作介电滤波器的方法，包括步骤：
通过层压生片形式的第一介电材料和具有比第一介电材料更低的介电常数的生片形式的第二介电材料来提供生片形式的复合介电块；
与层压第一和第二介电材料的方向并行地通过对生片形式的复合介电块进行切片提供生片形式的复合介电衬底；
在生片形式的复合介电衬底上分别提供级间耦合电容器电极、谐振器电极和输入/输出耦合电容器电极；和
层压具有级间耦合电容器电极、谐振器电极和输入/输出耦合电容器电极的生片形式的复合介电衬底。
对层压的生片形式的复合介电衬底进行烧制。
42.根据权利要求41的方法，其中提供级间耦合电容器电极、谐振器电极和输入/输出耦合电容器电极的所述步骤包括子步骤：
通过至少包含金、银和铜之一的导电性胶的印刷图案形成至少级间耦合电容器电极、谐振器电极和输入/输出耦合电容器电极之一。
43.根据权利要求41的方法，其中提供级间耦合电容器电极、谐振器电极和输入/输出耦合电容器电极的所述步骤包括子步骤：
通过至少包含金、银和铜之一的金属箔形成至少一个级间耦合电容器电极、谐振器电极和输入/输出耦合电容器电极。
44.根据权利要求41的方法，其中第一介电材料由Bi-Ca-Nb-O基，Ba-Ti-O基和Zr(Mg，Zn，Nb)Ti-Mn-O基之一的陶瓷材料制作，和
其中第二介电材料由镁橄榄石和硼硅酸铝玻璃之一的陶瓷材料制作。
45.一种制作介电滤波器的方法，包括步骤：
通过层压生片形式的第一介电材料和具有比第一介电材料更低的介电常数的生片形式的第二介电材料来提供生片形式的陶瓷介电块；
与层压第一和第二介电材料方向并行地通过对生片形式的复合陶瓷介电块进行切片来提供多个生片形式的复合介电衬底；
对生片形式的复合介电衬底进行烧制；
在烧制的复合介电衬底上提供级间耦合电容器电极、谐振器电极和输入/输出耦合电容器电极；和
层压具有级间耦合电容器电极、谐振器电极和输入/输出耦合电容器电极的复合介电衬底。
46.根据权利要求45的方法，其中层压复合介电衬底的所述步骤包括子步骤：
用含热固性树脂的树脂材料相互粘结复合介电衬底。
47.根据权利要求46的方法，其中树脂材料是含有无机填充物的复合材料。
48.根据权利要求45的方法，其中层压复合介电衬底的所述步骤包括子步骤：
用低熔点的玻璃掠过(glass flit)的热量来粘结复合介电衬底。
49.根据权利要求45的方法，其中提供级间耦合电容器电极、谐振器电极和输入/输出耦合电容器电极的所述步骤包括子步骤：
通过至少包含金，银和铜之一的导电性胶的印刷图案来提供至少级间耦合电容器电极、谐振器电极和输入/输出耦合电容器电极之一。
50.根据权利要求45的方法，其中提供级间耦合电容器电极、谐振器电极和输入/输出耦合电容器电极的所述步骤包括子步骤：
通过至少包含金，银和铜之一的金属箔来提供至少级间耦合电容器电极、谐振器电极和输入/输出耦合电容器电极之一。
51.根据权利要求45的方法，其中第一介电材料由Bi-Ca-Nb-O基，Ba-Ti-O基和Zr(Mg，Zn，Nb)Ti-Mn-O基之一的陶瓷材料制作，和
其中第二介电材料由镁橄榄石和硼硅酸铝玻璃之一的陶瓷材料制作。
52.一种天线收发转换装置包括：
一天线口；
第一滤波器，包括根据权利要求27到36任意一个权利要求所述的介电滤波器，且与天线口耦合；和
与天线口耦合的第二滤波器。
53.一种天线收发转换装置包括：
一天线口；
第一滤波器，包括根据权利要求27到36任一权利要求所述的介电滤波器，且与天线口耦合；和
第二滤波器，包括根据权利要求27到36任一权利要求所述的介电滤波器，且与天线口连接。
54.一种通讯装置，包括根据权利要求52或53所述的天线收发转换装置。
55.一种通讯装置，包括根据权利要求27到36任一权利要求所述的介电滤波器。
CNB028005082A 2001-03-02 2002-02-26 介电滤波器、天线收发转换装置和使用滤波器的通讯装置 Expired - Fee Related CN1319208C (zh)

Applications Claiming Priority (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57751/01 2001-03-02
JP2001057751A JP4501291B2 (ja) 2001-03-02 2001-03-02 誘電体フィルタおよびそれを用いたアンテナ共用器と通信機器
JP57751/2001 2001-03-02
JP73727/2001 2001-03-15
JP73727/01 2001-03-15
JP2001073727A JP2002280805A (ja) 2001-03-15 2001-03-15 誘電体フィルタおよびそれを用いたアンテナ共用器と通信機器
PCT/JP2002/001737 WO2002071532A1 (en) 2001-03-02 2002-02-26 Dielectric filter, antenna duplexer

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1457527A true CN1457527A (zh) 2003-11-19
CN1319208C CN1319208C (zh) 2007-05-30

Family

ID=26610483

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB028005082A Expired - Fee Related CN1319208C (zh) 2001-03-02 2002-02-26 介电滤波器、天线收发转换装置和使用滤波器的通讯装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6965284B2 (zh)
EP (1) EP1307941B1 (zh)
CN (1) CN1319208C (zh)
DE (1) DE60226111T2 (zh)
WO (1) WO2002071532A1 (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107741795A (zh) * 2017-09-30 2018-02-27 北京集创北方科技股份有限公司 触摸屏及其控制方法和终端
CN108476016A (zh) * 2015-12-25 2018-08-31 株式会社村田制作所 高频模块
CN109818117A (zh) * 2019-03-29 2019-05-28 重庆思睿创瓷电科技有限公司 用于降低功耗的带状线结构、低通滤波器、通信装置及系统
CN111630776A (zh) * 2018-01-23 2020-09-04 Rf360欧洲有限责任公司 具有提高的品质因数的baw谐振器

Families Citing this family (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030034124A1 (en) * 2001-06-19 2003-02-20 Yasuhiro Sugaya Dielectric resonator, dielectric filter and method of producing the same, filter device combined to a transmit-receive antenna and communication apparatus using the same
JP3649183B2 (ja) * 2001-12-27 2005-05-18 ソニー株式会社 フィルタ回路装置及びその製造方法
US7791290B2 (en) 2005-09-30 2010-09-07 Virgin Islands Microsystems, Inc. Ultra-small resonating charged particle beam modulator
US7626179B2 (en) 2005-09-30 2009-12-01 Virgin Island Microsystems, Inc. Electron beam induced resonance
US7586097B2 (en) 2006-01-05 2009-09-08 Virgin Islands Microsystems, Inc. Switching micro-resonant structures using at least one director
US20090159459A1 (en) * 2005-08-24 2009-06-25 Everclear Solutions, Inc. Electrochemical Recovery of Arsenic
JP5060716B2 (ja) 2005-09-30 2012-10-31 双信電機株式会社 受動部品
US7443358B2 (en) * 2006-02-28 2008-10-28 Virgin Island Microsystems, Inc. Integrated filter in antenna-based detector
JP2007235435A (ja) * 2006-02-28 2007-09-13 Soshin Electric Co Ltd モジュール及び受動部品
US7646991B2 (en) 2006-04-26 2010-01-12 Virgin Island Microsystems, Inc. Selectable frequency EMR emitter
US7876793B2 (en) 2006-04-26 2011-01-25 Virgin Islands Microsystems, Inc. Micro free electron laser (FEL)
US7986113B2 (en) 2006-05-05 2011-07-26 Virgin Islands Microsystems, Inc. Selectable frequency light emitter
US7746532B2 (en) 2006-05-05 2010-06-29 Virgin Island Microsystems, Inc. Electro-optical switching system and method
US7728702B2 (en) 2006-05-05 2010-06-01 Virgin Islands Microsystems, Inc. Shielding of integrated circuit package with high-permeability magnetic material
US7732786B2 (en) 2006-05-05 2010-06-08 Virgin Islands Microsystems, Inc. Coupling energy in a plasmon wave to an electron beam
US7710040B2 (en) 2006-05-05 2010-05-04 Virgin Islands Microsystems, Inc. Single layer construction for ultra small devices
US8188431B2 (en) 2006-05-05 2012-05-29 Jonathan Gorrell Integration of vacuum microelectronic device with integrated circuit
US7718977B2 (en) 2006-05-05 2010-05-18 Virgin Island Microsystems, Inc. Stray charged particle removal device
US7656094B2 (en) 2006-05-05 2010-02-02 Virgin Islands Microsystems, Inc. Electron accelerator for ultra-small resonant structures
US7728397B2 (en) 2006-05-05 2010-06-01 Virgin Islands Microsystems, Inc. Coupled nano-resonating energy emitting structures
US7741934B2 (en) 2006-05-05 2010-06-22 Virgin Islands Microsystems, Inc. Coupling a signal through a window
US7723698B2 (en) 2006-05-05 2010-05-25 Virgin Islands Microsystems, Inc. Top metal layer shield for ultra-small resonant structures
US7679067B2 (en) 2006-05-26 2010-03-16 Virgin Island Microsystems, Inc. Receiver array using shared electron beam
US7655934B2 (en) 2006-06-28 2010-02-02 Virgin Island Microsystems, Inc. Data on light bulb
US7659513B2 (en) 2006-12-20 2010-02-09 Virgin Islands Microsystems, Inc. Low terahertz source and detector
US7990336B2 (en) 2007-06-19 2011-08-02 Virgin Islands Microsystems, Inc. Microwave coupled excitation of solid state resonant arrays
US7791053B2 (en) 2007-10-10 2010-09-07 Virgin Islands Microsystems, Inc. Depressed anode with plasmon-enabled devices such as ultra-small resonant structures
EP2068393A1 (en) 2007-12-07 2009-06-10 Panasonic Corporation Laminated RF device with vertical resonators
JP5315028B2 (ja) 2008-12-04 2013-10-16 ルネサスエレクトロニクス株式会社 電子装置および電子装置の製造方法
US8358182B2 (en) * 2009-02-05 2013-01-22 Ecole De Technologie Superieure Duplexer for integration in communication terminals
US20130049890A1 (en) 2011-08-23 2013-02-28 Mesaplexx Pty Ltd Multi-mode filter
US9406988B2 (en) 2011-08-23 2016-08-02 Mesaplexx Pty Ltd Multi-mode filter
JP5976678B2 (ja) * 2011-12-20 2016-08-24 株式会社東芝 セラミックス銅回路基板
CN102731103B (zh) * 2012-05-30 2014-06-04 深圳光启创新技术有限公司 一种超材料谐振子及其制备方法
US20140097913A1 (en) 2012-10-09 2014-04-10 Mesaplexx Pty Ltd Multi-mode filter
US9325046B2 (en) 2012-10-25 2016-04-26 Mesaplexx Pty Ltd Multi-mode filter
US9614264B2 (en) 2013-12-19 2017-04-04 Mesaplexxpty Ltd Filter
JP2014239203A (ja) * 2014-01-31 2014-12-18 株式会社村田製作所 電子部品及び電子部品の実装構造体
RU2577485C1 (ru) * 2014-11-28 2016-03-20 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук Полосковый резонатор
US10114039B1 (en) * 2015-04-24 2018-10-30 Johnstech International Corporation Selectively geometric shaped contact pin for electronic component testing and method of fabrication
FI127786B (fi) * 2015-07-20 2019-02-28 Prism Microwave Oy Menetelmä RF-suodattimen rakenneosan valmistamiseksi, rakenneosa ja RF-suodatin
US10454444B2 (en) * 2016-04-25 2019-10-22 Kumu Networks, Inc. Integrated delay modules
JP6787955B2 (ja) 2018-08-01 2020-11-18 双信電機株式会社 フィルタ

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05152803A (ja) 1991-12-02 1993-06-18 Tdk Corp 誘電体フイルタ
US5374909A (en) 1992-02-28 1994-12-20 Ngk Insulators, Ltd. Stripline filter having internal ground electrodes
JPH05299913A (ja) * 1992-04-24 1993-11-12 Tdk Corp 共振器及びフィルタ
EP0917235B1 (en) 1993-08-24 2003-01-22 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Laminated dielectric antenna duplexer
JP3628804B2 (ja) 1996-05-17 2005-03-16 松下電器産業株式会社 積層型電子部品およびその製造方法
KR19990036334A (ko) 1996-06-12 1999-05-25 엠. 제이. 엠. 반캄 세라믹 필터 및 그 제조방법
JP2000516060A (ja) * 1996-07-31 2000-11-28 松下電器産業株式会社 積層型２帯域フィルタ
JPH10209707A (ja) * 1997-01-21 1998-08-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 積層フィルタおよび積層モジュール
KR20000034924A (ko) 1998-11-17 2000-06-26 제닌 엠. 데이비스 저온 동시소성 다층세라믹내 수동 전자소자들
JP2000156621A (ja) * 1998-11-19 2000-06-06 Philips Japan Ltd 高周波誘電体装置
JP2000323901A (ja) * 1999-05-07 2000-11-24 Murata Mfg Co Ltd 積層型ｌｃフィルタ
JP3578673B2 (ja) * 1999-08-05 2004-10-20 松下電器産業株式会社 誘電体積層フィルタおよびその製造方法
JP3892655B2 (ja) * 1999-09-17 2007-03-14 株式会社東芝 半導体集積回路装置
US6529096B2 (en) * 2000-05-30 2003-03-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Dielectric filter, antenna duplexer, and communications appliance
JP4401586B2 (ja) * 2001-03-05 2010-01-20 日本碍子株式会社 積層型誘電体共振器及び積層型誘電体フィルタ

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108476016A (zh) * 2015-12-25 2018-08-31 株式会社村田制作所 高频模块
CN108476016B (zh) * 2015-12-25 2021-09-24 株式会社村田制作所 高频模块
CN107741795A (zh) * 2017-09-30 2018-02-27 北京集创北方科技股份有限公司 触摸屏及其控制方法和终端
CN111630776A (zh) * 2018-01-23 2020-09-04 Rf360欧洲有限责任公司 具有提高的品质因数的baw谐振器
CN111630776B (zh) * 2018-01-23 2024-04-05 Rf360新加坡私人有限公司 具有提高的品质因数的baw谐振器
CN109818117A (zh) * 2019-03-29 2019-05-28 重庆思睿创瓷电科技有限公司 用于降低功耗的带状线结构、低通滤波器、通信装置及系统

Also Published As

Publication number Publication date
EP1307941A1 (en) 2003-05-07
US6965284B2 (en) 2005-11-15
DE60226111T2 (de) 2009-05-28
WO2002071532A1 (en) 2002-09-12
CN1319208C (zh) 2007-05-30
DE60226111D1 (de) 2008-05-29
US20030141948A1 (en) 2003-07-31
EP1307941B1 (en) 2008-04-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1457527A (zh) 介电滤波器、天线收发转换装置和使用滤波器的通讯装置
CN1208783C (zh) 介电陶瓷组合物
CN1251350C (zh) 滤波电路装置及其制造方法
CN1268032C (zh) 多频带微波天线
CN1187865C (zh) 使用垂直连接带状线的多层微波耦合器
CN1145259C (zh) 叠层谐振器和使用这种谐振器的叠层带通滤波器
CN1258939C (zh) 分波器、通信装置
CN1968012A (zh) 双工器
CN1196658C (zh) 绝缘陶瓷、多层陶瓷基片和层叠的陶瓷电子部件
CN1482831A (zh) 多频带螺旋天线
CN1258373A (zh) 复合元件及其制造方法
CN1385959A (zh) 叠层滤波器、集成器件和通信设备
CN1691501A (zh) 天线双工器和电子设备
CN1505205A (zh) 表面安装型天线和天线装置
CN1548393A (zh) 绝缘陶瓷压块
CN1469672A (zh) 表面安装型天线及天线装置
CN1472841A (zh) 两端口型隔离器和通信装置
CN1469545A (zh) 宽带除噪特性好、构造小型简单的传送线路型噪声滤波器
CN1165209C (zh) 多层集成式基片和多层陶瓷元件的制造方法
CN1577972A (zh) 表面安装型天线、天线设备及无线电通信设备
CN1287483C (zh) 介质器件
CN1993858A (zh) 非可逆电路元件
CN1949588A (zh) 电介质装置
CN1233064C (zh) 三端口型非可逆电路元件和通信装置
CN1591966A (zh) 双端口隔离器及其特性调节法和通信设备

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20070530

Termination date: 20160226

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee