CN108476016A - 高频模块 - Google Patents

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Abstract

高频模块(300)具备具有内部布线图案的模块基板(30)和弹性表面波滤波器(300A)，弹性表面波滤波器(300A)具有压电基板(31)；形成在压电基板(31)上的电极图案(33)；形成为包围电极图案(33)的支承部件(34)；形成在支承部件(34)上与支承部件(34)及压电基板(31)一起构成中空空间并覆盖电极图案(33)的盖部件(351)，在模块基板(30)的垂直方向上依次配置模块基板(30)、盖部件(351)、压电基板(31)，在盖部件(351)的与模块基板(30)对置的面或者与压电基板(31)对置的面形成有接地的屏蔽电极(352)。

Description

高频模块
技术领域
本发明涉及具有弹性表面波滤波器的高频模块。
背景技术
以往，在配置于移动体通信机的前端部的带通滤波器等中广泛使用弹性表面波滤波器。另外，为了应对多模式/多频带等的复合化，具备多个弹性表面波滤波器的多路调制器正被实用化。在该弹性表面波滤波器中，使通带内的高频信号以低损耗通过并且以高衰减来遮挡通带外的高频信号的功能被要求。
在专利文献1中公开了具有分支滤波器的电路模块的结构。图6是专利文献1所记载的电路模块的剖面结构图。该图所记载的电路模块800具备层叠基板820、具有发送用弹性表面波滤波器以及接收用弹性表面波滤波器的分支滤波器801、芯片线圈802。分支滤波器801具有WLP型的滤波器结构，具备滤波器基板810、盖层813、连接电极812。在滤波器基板810的表面形成IDT(InterDigital Transducer:叉指换能器)电极，分支滤波器801经由凸块824与层叠基板820倒装芯片连接，以便该表面朝向层叠基板820的安装面。在层叠基板820的安装面设置有屏蔽电极821，并且与接地布线电连接。通过该屏蔽电极821，能够防止分支滤波器801的发送用弹性表面波滤波器以及接收用弹性表面波滤波器与芯片线圈802以及内置于层叠基板820的内部布线图案耦合而相互干扰。
专利文献1：日本专利第5510613号公报
然而，在专利文献1所记载的电路模块的情况下，在层叠基板820配置有屏蔽电极821。屏蔽电极821以外的电极图案必须配置在其它位置。因此，存在在层叠基板820上用于配置屏蔽电极821以外的电极图案的面积变大，从而不能使电路模块小型化的问题。
发明内容
因此，本发明是为了解决上述课题而完成的，其目的在于提供抑制弹性表面波滤波器与周边布线图案的相互干扰并且小型化的高频模块。
为了实现上述目的，本发明的一方式所涉及的高频模块具备：模块基板，具有内部布线图案；以及弹性表面波滤波器，被配置在上述模块基板上，上述弹性表面波滤波器具有：压电基板；电极图案，形成在上述压电基板上；支承部件，在上述压电基板的表面上形成为包围上述电极图案；以及盖部件，形成在上述支承部件上，与上述支承部件以及上述压电基板一起构成中空空间，并且覆盖上述电极图案，在上述模块基板的垂直方向上依次配置上述模块基板、上述盖部件、上述压电基板，在上述盖部件的与上述模块基板对置的面或者与上述压电基板对置的面形成有接地的屏蔽电极。
由此，在WLP(Wafer Level Package：晶圆级封装)型的弹性表面波滤波器的电极图案与形成在模块基板的内部布线图案之间配置有屏蔽电极，所以能够抑制弹性表面波滤波器与内部布线图案的不必要的相互干扰。并且，无需将用于抑制相互干扰的屏蔽电极形成于模块基板，所以能够使模块基板省空间化。因而，能够使高频模块小型化。
另外，也可以：在俯视上述模块基板的情况下，上述屏蔽电极形成为与上述电极图案的至少一部分重叠。
由此，能够更有效地抑制电极图案的一部分与形成于模块基板的内部布线图案的不必要的相互干扰。
另外，也可以：在俯视上述模块基板的情况下，上述屏蔽电极形成为同上述模块基板的第一内部布线图案与上述电极图案的重复区域重叠。
由此，由于在俯视时的电极图案与第一内部布线图案的重复区域夹设有屏蔽电极，所以能够高精度地抑制电极图案与第一内部布线图案的不必要的相互干扰。
另外，也可以：上述第一内部布线图案是与上述电极图案连接并与上述弹性表面波滤波器的并联谐振子以及接地端子连接的电感器，通过上述屏蔽电极，上述第一内部布线图案与上述电极图案的电感耦合、电容耦合或者电感耦合及电容耦合被抑制。
与并联谐振子连接的第一内部布线图案具有通过与谐振子一起形成谐振电路而在通带外生成衰减极的功能。在具有该功能的状态下，若第一内部布线图案与电极图案耦合，则存在阻碍上述衰减极的生成功能的情况。与此相对，通过在电极图案与第一内部布线图案之间配置屏蔽电极，能够抑制通带外的衰减特性的恶化。
另外，也可以：具备：树脂部件，覆盖被配置在上述模块基板上的弹性表面波滤波器；以及布线图案，与上述电极图案连接，并且形成于上述树脂部件，上述电极图案与上述布线图案电感耦合或者电容耦合。
由此，能够以窄间隙使包括弹性表面波滤波器的IDT电极以及连接该IDT电极的布线电极图案的电极图案与形成在同弹性表面波滤波器接触的树脂部件的布线图案耦合。因而，与上述电极图案与模块基板的内部布线图案的耦合相比，省空间且能够确保较强的耦合。通过利用该较强的耦合而形成的通带外的信号传播路径，能够增大通带外的衰减量。因而，能够提高弹性表面波滤波器的通带外的衰减特性，并且能够实现小型化。
另外，也可以：在俯视上述模块基板的情况下，上述布线图案在上述树脂部件上形成为与上述电极图案的一部分重叠。
由此，能够以更窄间隙使弹性表面波滤波器的电极图案与形成于树脂部件的布线图案耦合。因而，能够进一步提高弹性表面波滤波器的通带外的衰减特性，并且能够促进小型化。
另外，也可以：上述布线图案与上述电极图案之间的距离比上述模块基板与上述电极图案之间的距离小。
由此，能够使上述电极图案与上述布线图案的耦合比该电极图案与形成于模块基板的布线图案的耦合强。因而，与使模块基板的布线图案与上述电极图案耦合的结构相比，省空间且能够确保较强的耦合。
另外，也可以：上述布线图案是与上述弹性表面波滤波器的输入输出端子以及接地端子连接的分流型的电感器，上述布线图案与上述电极图案电感耦合、电容耦合或者电感耦合及电容耦合。
通过上述电感耦合、电容耦合或者电感耦合及电容耦合所形成的、与分流型的电感器连接的信号传播路径对增大通带外的衰减量特别有效。因而，能够提高弹性表面波滤波器的通带外的衰减特性。
另外，也可以：上述电极图案和上述布线图案经由上述模块基板的第二内部布线图案以及贯通上述树脂部件的第一柱状导体而连接，上述布线图案和上述接地端子经由贯通上述树脂部件的第二柱状导体以及上述模块基板的第三内部布线图案而连接。
通过使用第二内部布线图案、第三内部布线图案、第一柱状导体以及第二柱状导体，能够将布线图案配置于树脂部件的任意位置。换句话说，能够使电极图案与布线图案的配置关系最优化。因而，能够提高弹性表面波滤波器的通带外的衰减特性，并且能够实现小型化。
根据本发明的高频模块，能够抑制弹性表面波滤波器与周边布线图案的相互干扰，并且能够实现小型化。
附图说明
图1是实施方式1所涉及的高频模块的电路结构图。
图2是实施方式1所涉及的高频模块的剖面结构图。
图3是实施方式1所涉及的高频模块的俯视透视图。
图4是实施方式2所涉及的高频模块的电路结构图。
图5是实施方式2所涉及的高频模块的剖面结构图。
图6是专利文献1所记载的高频模块的剖面结构图。
具体实施方式
以下，使用实施方式以及其附图详细地对本发明的实施方式进行说明。此外，以下说明的实施方式均是表示包括性的或具体性的例子的实施方式。在以下的实施方式所示的数值、形状、材料、构成要素、构成要素的配置以及连接方式等仅为一例，并非意在限定本发明。以下的实施方式中的构成要素中的没有记载于独立权利要求的构成要素，作为任意的构成要素进行说明。另外，附图所示的构成要素的大小或者大小之比不一定是严格的。
(实施方式1)
[1.1高频模块的电路结构]
图1是实施方式1所涉及的高频模块300的电路结构图。该图所示的高频模块300由弹性表面波(Surface Acoustic Wave，以下记载为SAW)滤波器300A、与SAW滤波器300A连接的电感器131L、132L、141L及142L、输入端子101和输出端子102构成。
SAW滤波器300A构成阶梯型带通滤波器，具备串联谐振子111s、112s及113s和并联谐振子121p及122p。串联谐振子111s～113s在滤波器输入端子101A与滤波器输出端子102A之间相互串联连接。另外，并联谐振子121p及122p在串联谐振子111s～113s的各连接点与滤波器基准端子103A及104A之间相互并联连接。
电感器131L连接在滤波器基准端子103A与接地端子之间，电感器132L连接在滤波器基准端子104A与接地端子之间。电感器131L及132L分别具有通过与SAW滤波器300A的电容成分构成LC谐振电路从而在SAW滤波器300A中的通带外生成衰减极的功能。
电感器141L连接在将输入端子101以及滤波器输入端子101A连接的布线与接地之间，电感器142L连接在将输出端子10以及滤波器输出端子102A连接的布线与接地之间。电感器141L具有取得与输入端子101连接的周边电路(例如天线电路)和SAW滤波器300A的阻抗匹配的功能，电感器142L具有取得与输出端子102连接的电路(例如放大电路)和SAW滤波器300A的阻抗匹配的功能。
此外，SAW滤波器300A的结构也可以不是阶梯型，是其它的纵向耦合型等具有谐振子的结构即可。另外，与SAW滤波器300A连接的电感器以及电容器的连接方式也不局限于上述方式。
[1.2高频模块的结构]
图2是实施方式1所涉及的高频模块300的剖面结构图。如图2所示，高频模块300具备模块基板30和SAW滤波器300A。
SAW滤波器300A包括压电基板31和形成在压电基板31上的电极图案33。电极图案33包括具有梳形形状的IDT电极32和连接IDT电极32的连接布线151。图1所示的各谐振子由IDT电极32以及压电基板31构成。
本实施方式所涉及的SAW滤波器300A具有WLP结构，由压电基板31、电极图案33、支承部件34和盖部件351构成，该支承部件34在压电基板31的表面上形成为包围电极图案33，该盖部件351形成在支承部件34上，并且覆盖电极图案33以与支承部件34以及压电基板31一起构成中空空间。在盖部件351的与压电基板31对置的面(背面)形成有接地的屏蔽电极352。盖部件351和屏蔽电极352构成盖35。盖部件351例如由厚度为45μm的聚酰亚胺薄膜或者包含环氧树脂、聚氨酯、苯酚、聚酯、BCB以及PBO中的至少一种的材料构成。屏蔽电极352由铜、铝、银或者金等导电性金属材料构成，在盖部件351的表面或者背面例如通过蒸镀或者印刷来形成。
根据上述结构，在高频模块300中，在模块基板30的垂直方向(z轴方向)上依次配置有模块基板30、盖部件351、压电基板31。
根据上述结构，在WLP型的SAW滤波器300A的电极图案33与形成于模块基板30的内部布线图案之间配置屏蔽电极352，所以能够抑制SAW滤波器300A与该内部布线图案的不必要的相互干扰。另外，无需将用于抑制相互干扰的屏蔽电极352形成于模块基板30，所以能够使模块基板30省面积化。因而，能够使高频模块300小型化。
模块基板30是层叠有多个层的多层基板，例如列举陶瓷多层基板以及PCB基板等。在模块基板30的表面形成有与作为SAW滤波器300A的滤波器基准端子104A发挥作用的凸块361连接的表面电极371、与作为SAW滤波器300A的滤波器输出端子102A发挥作用的凸块362连接的表面电极372、以及与作为SAW滤波器300A的其它滤波器基准端子(未图示)发挥作用的凸块363连接的表面电极373。
表面电极371经由形成在模块基板30内的导通孔导体301以及内部布线图案302与接地电极303连接。导通孔导体301以及内部布线图案302是作为层叠型的线圈发挥作用的第一内部布线图案，相当于图1中的电感器132L。换句话说，第一内部布线图案是从电极图案33引出并与SAW滤波器300A的并联谐振子122p以及接地端子连接的电感器132L。
在模块基板30的背面形成有输入端子101(未图示)以及输出端子102。输出端子102经由导通孔导体304以及内部布线图案305与表面电极372连接。导通孔导体304以及内部布线图案305形成层叠型的线圈，相当于图1中的电感器142L。
树脂部件39覆盖被配置在模块基板30上的SAW滤波器300A。作为树脂部件39的材料，例如列举热固化性的环氧树脂等树脂。此外，环氧树脂也可以含有SiO2等无机填料。
图3是实施方式1所涉及的高频模块300的俯视透视图。该图是从模块基板30的底面(从z轴负方向)观察高频模块300的透视图。具体而言，在该图中示出透视模块基板30所得的第一内部布线图案(电感器132L)和透视盖35所得的屏蔽电极352以及电极图案33。
在SAW滤波器300A中，在压电基板31的表面(z轴负方向侧的主面)布局有图3所示那样的电极图案33。电极图案33包括与串联谐振子111s、112s及113s以及并联谐振子121p及122p相当的IDT电极32、将串联谐振子111s以及112s连接的连接布线151和将串联谐振子112s以及113s连接的连接布线152。电极图案33的各构成要素有时因流动高频电流而具有电感成分或者电容成分。例如，IDT电极32主要具有电容成分，连接布线151以及152主要具有电感成分。
此处，在俯视模块基板30的情况下，屏蔽电极352形成为与作为电极图案33的一部分的连接布线151重叠。
电感器132L如上述那样通过与SAW滤波器300A的电容成分构成LC谐振电路从而在SAW滤波器300A的通带外生成衰减极。此外，若电感器132L与连接布线151电感耦合、电容耦合或者电感耦合及电容耦合，则有时带来在通带外的规定的频率区域所生成的衰减极的衰减量变小或者衰减极偏移等负面影响。
与此相对，在本实施方式所涉及的高频模块300中，在俯视模块基板30的情况下，屏蔽电极352和连接布线151形成为重叠，所以能够抑制连接布线151与形成在模块基板30的第一内部布线图案(电感器132L)的电感耦合(图1的C3)以及电容耦合中的至少一方。因而，能够更有效地抑制电极图案33与模块基板30的内部布线图案的不必要的相互干扰，能够抑制SAW滤波器300A的特性恶化。
另外，在本实施方式中，如图3所示，在俯视模块基板30的情况下，第一内部布线图案(电感器132L)与电极图案33的重复区域(电感器132L与连接布线151的重复区域)和屏蔽电极352形成为重叠。
由此，在上述俯视时的电极图案33与第一内部布线图案的重复区域夹设有屏蔽电极352，所以能够高精度地抑制电极图案33与第一内部布线图案的不必要的相互干扰。
此外，作为抑制电感耦合以及电容耦合中的至少一方的构成要素的组，除了电感器132L以及连接布线151的组以外，也可以是电感器131L以及连接布线152的组(图1的C4)。
另外，在第一内部布线图案与电极图案33之间被抑制的耦合并不局限于电感耦合，也可以是电容耦合。由此，抑制上述耦合的组例如也可以是第一内部布线图案以及IDT电极32的组。而且，抑制与第一内部布线图案的耦合的电极图案33的部分也可以是复合IDT电极32和连接布线而成的部分。
此外，屏蔽电极352可以形成在盖部件351的与压电基板31对置的面(背面)的一部分，或者也可以形成在该背面整体。另外，屏蔽电极352也可以形成在盖部件351的与模块基板30对置的面(表面)的一部分，或者也可以形成在该表面整体。
此外，在本实施方式中，例示出为了抑制与一个SAW滤波器300A连接的输入输出端子间的构成要素彼此的耦合而配置有屏蔽电极352的结构，但并不局限于此。本发明所涉及的高频模块也可以是如双工器以及双滤波器所代表的那样的具有多个SAW滤波器的结构。在该情况下，例如，通过配置屏蔽电极以便排除一个SAW滤波器的电极图案与连接于另一个SAW滤波器的第一内部布线图案(电感器)之间的耦合，从而能够提高多个滤波器间的隔离性。
(实施方式2)
实施方式1所涉及的高频模块具有排除SAW滤波器的电极图案与布线图案的耦合的结构，而实施方式2所涉及的高频模块具有实施方式1的结构以及使SAW滤波器的电极图案与布线图案积极地耦合的结构。以下，对于本实施方式所涉及的高频模块，与实施方式1所涉及的高频模块相同的点省略说明，以不同的点为中心进行说明。
[2.1高频模块的电路结构]
图4是实施方式2所涉及的高频模块500的电路结构图。该图所示的高频模块500由SAW滤波器500A、与SAW滤波器500A连接的电感器131L、132L、141L及142L、输入端子101和输出端子102构成。
[2.2高频模块的结构]
图5是实施方式2所涉及的高频模块500的剖面结构图。如图5所示，高频模块500具备模块基板50、SAW滤波器500A、树脂部件59和布线图案582。
SAW滤波器500A包括压电基板51和形成在压电基板51上的电极图案53。电极图案53包括具有梳形形状的IDT电极52和连接IDT电极52的连接布线151。图4所示的各谐振子由IDT电极52以及压电基板51构成。
本实施方式所涉及的SAW滤波器500A具有WLP结构，由压电基板51、电极图案53、支承部件54和盖部件551构成。在盖部件551的与压电基板51对置的面(背面)形成有接地的屏蔽电极552。盖部件551和屏蔽电极552构成盖55。根据该结构，在高频模块500中，在模块基板50的垂直方向(z轴方向)上依次配置有模块基板50、盖部件551、压电基板51、布线图案582。
根据上述结构，在WLP型的SAW滤波器500A的电极图案53与形成于模块基板50的内部布线图案之间配置屏蔽电极552，所以能够抑制SAW滤波器500A与该内部布线图案的不必要的相互干扰。另外，由于无需将用于抑制相互干扰的屏蔽电极552形成于模块基板50，所以能够使模块基板50省面积化。因而，可以使高频模块500小型化。
模块基板50是层叠有多个层的多层基板，例如，列举陶瓷多层基板以及PCB基板等。在模块基板50的表面形成有与作为SAW滤波器500A的滤波器基准端子104A发挥作用的凸块561连接的表面电极571、与作为SAW滤波器500A的滤波器输出端子102A发挥作用的凸块562连接的表面电极572、以及与作为SAW滤波器500A的其它滤波器基准端子(未图示)发挥作用的凸块563连接的表面电极573。
表面电极571经由形成在模块基板50内的导通孔导体501以及内部布线图案502与接地电极503连接。导通孔导体501以及内部布线图案502是作为层叠型的线圈发挥作用的第一内部布线图案，相当于图4中的电感器132L。换句话说，第一内部布线图案是与电极图案53连接并与SAW滤波器500A的并联谐振子122p以及接地端子连接的电感器132L。
在模块基板50的背面形成有输入端子101(未图示)以及输出端子102。输出端子102经由导通孔导体507以及内部布线图案506与表面电极572连接。
树脂部件59覆盖被配置在模块基板50上的SAW滤波器500A。
布线图案582与电极图案53连接，形成在树脂部件59的表面。更具体而言，布线图案582经由柱状导体581、内部布线图案506(第二内部布线图案)、表面电极572以及凸块562与电极图案53连接。并且，布线图案582经由柱状导体583以及模块基板50的导通孔导体504(第三内部布线图案)与接地电极505连接。柱状导体581以及583例如由Cu柱构成。
此处，布线图案582具有电感成分，例如，构成图4的电感器142L。换句话说，布线图案582是与SAW滤波器500A的输出端子102以及接地端子连接的分流型的电感器142L。
此外，布线图案582也可以不形成在树脂部件59的表面，也可以形成在树脂部件59的内部。
另外，如图5所示，布线图案582与电极图案53之间的距离D1小于模块基板50与电极图案53之间的距离D2。
另外，在俯视模块基板50的情况下，布线图案582被配置为与SAW滤波器500A重叠。更具体而言，布线图案582在树脂部件59上形成为与电极图案53的一部分重叠。此处，布线图案582也可以具有曲折形状部(折回形状部)。该曲折形状部通过在布线图案582流动高频电流而作为电感器发挥作用。该曲折形状部相当于图4中的电感器142L。
在本实施方式中，布线图案582的曲折形状部和电极图案53的连接布线151在从树脂部件59的顶面(从z轴正方向)观察的情况下重叠。
根据上述结构，能够以仅经由树脂部件59的窄间隙使布线图案582的曲折形状部与连接布线151电感耦合(图4的C2)(电容耦合，或者电感耦合及电容耦合)。
由此，与使电极图案53和模块基板50的内部布线图案耦合的情况相比，省空间且能够确保较强的耦合。通过由该较强的耦合形成的通带外的信号传播路径，能够提高SAW滤波器500A的通带外的衰减量。因而，能够提高弹性表面波滤波器的通带外的衰减特性，并且能够实现小型化。
并且，在俯视模块基板50的情况下，屏蔽电极552形成为与作为电极图案53的一部分的连接布线151重叠。
第一内部布线图案(电感器132L)通过与SAW滤波器500A的电容成分构成LC谐振电路，从而在SAW滤波器500A的通带外生成衰减极。此外，若电感器132L与连接布线151电感耦合、电容耦合或者电感耦合及电容耦合，则有时在通带外的规定的频率区域所生成的衰减极的衰减量变小，或者产生衰减极偏移等负面影响。
与此相对，在本实施方式所涉及的高频模块500中，在俯视模块基板50的情况下，屏蔽电极552和连接布线151形成为重叠，所以能够抑制连接布线151与第一内部布线图案(电感器132L)的电感耦合(图4的C3)以及电容耦合中的至少一方。因而，能够更有效地抑制电极图案53与模块基板50的内部布线图案的不必要的相互干扰，能够抑制SAW滤波器500A的特性恶化。
另外，在本实施方式中，在俯视模块基板50的情况下，屏蔽电极552形成为与第一内部布线图案(电感器132L)及电极图案53的重复区域(电感器132L与连接布线151的重复区域)重叠。
由此，在上述俯视时的电极图案53和第一内部布线图案的重复区域夹设屏蔽电极552，所以能够高精度地抑制电极图案53与第一内部布线图案的不必要的相互干扰。
此外，作为使电感耦合以及电容耦合中的至少一方产生的构成要素的组，除了布线图案582的曲折形状部及连接布线151的组以外，也可以是布线图案582的曲折形状部及连接布线152的组。
另外，作为抑制电感耦合以及电容耦合中的至少一方的构成要素的组，除了电感器132L及连接布线151的组以外，也可以是电感器131L及连接布线152的组。
另外，优选在布线图案582中流动的电流的方向和在与布线图案582重叠的电极图案53的部分中流动的电流的方向是相同的。由此，能够增强由布线图案582生成的磁场和由电极图案53的部分生成的磁场的耦合。因而，能够进一步提高SAW滤波器500A的通带外的衰减特性。
另外，布线图案582与电极图案53的耦合并不局限于电感耦合，也可以是电容耦合。由此，产生上述耦合的组例如也可以是布线图案582及IDT电极52的组。
另外，在第一内部布线图案与电极图案53之间被抑制的耦合并不局限于电感耦合，也可以是电容耦合。由此，抑制上述耦合的组例如也可以是第一内部布线图案及IDT电极52的组。
此外，屏蔽电极552也可以形成在盖部件551的与压电基板51对置的面(背面)整体，或者也可以形成在该背面的一部分。另外，屏蔽电极552也可以形成在盖部件551的与模块基板50对置的面(表面)整体，或者也可以形成在该表面的一部分。
(其它实施方式等)
以上，列举实施方式1及2对本发明的实施方式所涉及的高频模块进行了说明，但本发明的高频模块并不局限于上述实施方式。组合上述实施方式的任意的构成要素而实现的其它实施方式、对上述实施方式在不脱离本发明的主旨的范围内实施本领域的技术人员想到的各种变形而得到的变形方式、以及内置有本公开的高频模块的各种设备也包含在本发明中。
另外，在上述实施方式所涉及的高频模块中，也可以在附图所公开的将各电路元件以及信号路径连接的路径之间插入其它高频电路元件以及布线等。
产业上的可利用性
本发明能够作为应对多频带/多模式的配置于前端部的电力放大模块来广泛地利用于移动电话等通信设备。
附图标记说明：30、50…模块基板；31、51…压电基板；32、52…IDT电极；33、53…电极图案；34、54…支承部件；35、55…盖；39、59…树脂部件；101…输入端子；101A…滤波器输入端子；102…输出端子；102A…滤波器输出端子；103A、104A…滤波器基准端子；111s、112s、113s…串联谐振子；121p、122p…并联谐振子；131L、132L、141L、142L、814、822…电感器；151、152…连接布线；300、500…高频模块；300A、500A…弹性表面波(SAW)滤波器；301、304、501、504、507…导通孔导体；302、305、502、506…内部布线图案；303、503、505…接地电极；351、551…盖部件；352、552、821…屏蔽电极；361、362、363、561、562、563、824…凸块；371、372、373、571、572、573…表面电极；581、583…柱状导体；582…布线图案；800…电路模块；801…分支滤波器；810…滤波器基板；811…滤波器部；812…连接电极；813…盖层；820…层叠基板。

Claims (9)

1.一种高频模块，具备：
模块基板，具有内部布线图案；以及
弹性表面波滤波器，被配置在所述模块基板上，
所述弹性表面波滤波器具有：
压电基板；
电极图案，形成在所述压电基板上；
支承部件，在所述压电基板的表面上形成为包围所述电极图案；以及
盖部件，形成在所述支承部件上，与所述支承部件以及所述压电基板一起构成中空空间，并且覆盖所述电极图案，
在所述模块基板的垂直方向上依次配置所述模块基板、所述盖部件以及所述压电基板，
在所述盖部件的与所述模块基板对置的面或者与所述压电基板对置的面形成有接地的屏蔽电极。
2.根据权利要求1所述的高频模块，其中，
在俯视所述模块基板的情况下，所述屏蔽电极形成为与所述电极图案的至少一部分重叠。
3.根据权利要求1或者2所述的高频模块，其中，
在俯视所述模块基板的情况下，所述屏蔽电极形成为同所述模块基板的第一内部布线图案与所述电极图案的重复区域重叠。
4.根据权利要求3所述的高频模块，其中，
所述第一内部布线图案是与所述电极图案连接并与所述弹性表面波滤波器的并联谐振子以及接地端子连接的电感器，
通过所述屏蔽电极，所述第一内部布线图案与所述电极图案的电感耦合、电容耦合或者电感耦合及电容耦合被抑制。
5.根据权利要求1～4中的任意一项所述的高频模块，具备：
树脂部件，覆盖被配置在所述模块基板上的弹性表面波滤波器；以及
布线图案，与所述电极图案连接，并且形成于所述树脂部件，
所述电极图案与所述布线图案电感耦合或者电容耦合。
6.根据权利要求5所述的高频模块，其中，
在俯视所述模块基板的情况下，所述布线图案在所述树脂部件上形成为与所述电极图案的一部分重叠。
7.根据权利要求5或者6所述的高频模块，其中，
所述布线图案与所述电极图案之间的距离比所述模块基板与所述电极图案之间的距离小。
8.根据权利要求5～7中的任意一项所述的高频模块，其中，
所述布线图案是与所述弹性表面波滤波器的输入输出端子以及接地端子连接的分流型的电感器，
所述布线图案与所述电极图案电感耦合、电容耦合或者电感耦合及电容耦合。
9.根据权利要求8所述的高频模块，其中，
所述电极图案和所述布线图案经由所述模块基板的第二内部布线图案以及贯通所述树脂部件的第一柱状导体而连接，
所述布线图案和所述接地端子经由贯通所述树脂部件的第二柱状导体以及所述模块基板的第三内部布线图案而连接。
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