CN115118246A - 射频双工器及射频基板 - Google Patents

Abstract

本公开提供一种射频双工器电路及射频基板，属于通信技术领域。本公开的射频双工器电路，其包括第一端口、第二端口、第三端口、低通滤波器和高通滤波器；低通滤波器包括N个串接的第一滤波子电路、第一调谐子电路；在N个串接的第一滤波子电路中，第1个第一滤波子电路第一端连接第一端口，第N个第一滤波子电路的第二端连接第二端口；每高通滤波器包括M个串接的第二滤波子电路、第二调谐子电路；在M个串接的第二滤波子电路中，第1个第二滤波子电路的第一端连接第一端口，第M个第二滤波子电路的第二端连接第三端口。

Description

射频双工器及射频基板

技术领域

本发明属于通信技术领域，具体涉及一种射频双工器电路及射频基板。

背景技术

在当代，消费电子产业发展日新月异，以手机特别是5G手机为代表的移动 通信终端发展迅速，手机需要处理的信号频段越来越多，需要的射频芯片数量 也水涨船高，而获得消费者喜爱的手机形式向小型化、轻薄化、长续航不断发 展。在传统手机中，射频PCB板上存在大量的分立器件如电阻、电容、电感、 滤波器等，它们具有体积大、功耗高、焊点多、寄生参数变化大的缺点，难以 应对未来的需求。射频芯片相互间的互联、匹配等需要面积小、高性能、一致 性好的集成无源器件。目前市场上的集成无源器件主要是基于Si(硅)衬底和 GaAs(砷化镓)衬底。Si基集成无源器件具有价格便宜的优点，但Si本身有微 量杂质(绝缘性差)导致器件微波损耗较高，性能一般；GaAs基集成无源器件 具有性能优良的优点，但价格昂贵。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种射频双工 器电路及射频基板。

第一方面，本公开实施例提供一种射频双工器电路，其包括第一端口、第 二端口、第三端口，以及连接在所述第一端口和所述第二端口之间的低通滤波 器，连接在所述第一端口和所述第三端口之间的高通滤波器；其中，

所述低通滤波器包括N个串接的第一滤波子电路，以及至少部分所述第一 滤波子电路所连接的第一调谐子电路；所述第一滤波子电路包括第一端和第二 端，所述第一滤波子电路的第二端连接所述第一调谐子电路；

在所述N个串接的第一滤波子电路中，第1个所述第一滤波子电路第一端 连接所述第一端口，第N个所述第一滤波子电路的第二端连接所述第二端口； N≥1，且N为整数；每个所述第一滤波子电路被配置为阻止高频信号通过；所 述第一调谐子电路被配置为允许高频信号通过；

所述高通滤波器包括M个串接的第二滤波子电路，以及至少部分所述第二 滤波子电路所连接的第二调谐子电路；所述第二滤波子电路包括第一端和第二 端，所述第二滤波子电路的第二端连接所述第二调谐子电路；

在所述M个串接的第二滤波子电路中，第1个所述第二滤波子电路的第一 端连接所述第一端口，第M个所述第二滤波子电路的第二端连接所述第三端口； M≥1，且M为整数；每个所述第二滤波子电路被配置为阻止低频信号通过；所 述第二调谐子电路被配置为允许低频信号通过。

其中，所述N个串接的第一滤波子电路中的每个包括第一电感和第一电容； 各所述第一子滤波器中的第一电感和第一电容依次串接，且第1个所述第一滤 波子电路中的第一电感的第一端连接所述第一端口，第N个所述滤波子电路中 的第一电容连接所述第二端口。

其中，所述第一调谐子电路包括第二电感和第二电容；

所述第二电感和所述第二电容并联连接，且所述第二电感的第一端和第二 电容的第一端连接，并连接两个相邻设置的第一滤波子电路；所述第二电感的 第二端和第二电容的第二端连接，并连接接地端。

其中，所述M个串接的第二滤波子电路中的每个包括第三电感和第三电容； 各所述第二子滤波器中的第三电感和第三电容依次串接，且第1个所述第二滤 波子电路中的第三电感的第一端连接所述第一端口，第M个所述滤波子电路中 的第三电容连接所述第三端口。

其中，所述第二调谐子电路包括第四电感和第四电容；

所述第四电感和所述第四电容并联连接，且所述第四电感的第一端和第四 电容的第一端连接，并连接两个相邻设置的第二滤波子电路；所述第四电感的 第二端和第四电容的第二端连接，并连接接地端。

其中，任意相邻设置的第一滤波子电路之间均连接一个所述第一调谐子电 路；

任意相邻设置的第二滤波子电路之间均连接一个所述第二调谐子电路。

其中，所述第一端口、所述第二端口和所述第三端口均为50Ω的匹配端口。

其中，所述M和所述N相等。

其中，所述低通滤波器的频段为680-980MHz。

其中，所述高通滤波器的频段为1600-2750MHz。

第二方面，本公开实施例提供一种射频基板，其包括衬底基板，以及设置 在所述衬底基板上的射频双工器电路；其中，所述射频双工器电路为上述的任 意一种射频双工器电路。

其中，所述衬底基板包括玻璃衬底。

附图说明

图1为本公开实施例的一种射频双工器电路的示意图；

图2为本公开实施例的一种射频双工器电路的电路图；

图3为本公开实施例的一种射频基板的截面图；

图4为本公开实施例的一种电感的俯视图。

具体实施方式

为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体 实施方式对本发明作进一步详细描述。

除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领 域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二” 以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的 组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表 示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者 物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或 者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而 是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等 仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关 系也可能相应地改变。

在对本公开实施例中的射频双工器电路进行介绍之前，先对射频双工器电 电路的第一端口、第二端口和第三端口；其中，第一端口为天线端，当天线端 作为接收端，第二端口则作为低频信号的输出端，第三端口则作为高频信号的 输出端；当天线端作为发射端时，第二端口则作为低频信号的输入端，第三端 口则作为高频信号的输入端。在以下描述中，为了便于理解和描述方便，均以 第一端口作为接收端，第二端口作为低频输出端，第三端口作为高频输出端为 例进行描述。其中，低通滤波器的频段为680-980MHz；高通滤波器的频段为 1600-2750MHz。

第一方面，图1为本公开实施例的一种射频双工器电路的示意图；如图1 所示，本公开实施例提供一种射频双工器电路，其包括第一端口S1、第二端口 S2、第三端口S3、低通滤波器1和高通滤波器2。其中，低通滤波器1连接在 第一端口S1和第二端口S2之间，被配置为滤除第一端口S1所接收的微波信号 中的高频信号，并通过第二端口S2进行输出。高通滤波器2连接在第一端口S1 和第三端口S3之间，被配置为滤除低端口所接收的微波信号中的低频信号，并 通过第三端口S3进行输出。

继续参照图1，本公开实施例中的低通滤波器1包括N个串接的第一滤波 子电路1a(具有第一端和第二端)，以及至少部分第一滤波子电路1a的第二端 所连接的第一调谐子电路1b；在N个串接的第一滤波子电路1a中，第1个第一 滤波子电路1a第一端连接第一端口S1，第N个第一滤波子电路1a的第二端连 接第二端口S2；N≥1，且N为整数；每个第一滤波子电路1a被配置为阻止高 频信号通过；第一调谐子电路1b被配置为允许高频信号通过。图1中以N＝4， 且在两个相邻设置的第一滤波子电路1a之间连接1个第一调谐子电路1b为例；也即该低通滤波器1包括包括4个第一滤波子电路1a和3个第一调谐子电路1b。 但应当理解的是，在本公开实施例中，低通滤波器1的中的第一滤波子电路1a 和第一调谐子电路1b的数量也不局限于此，可以根据电路的性能要求，具体设 置第一滤波子电路1a和第一调谐子电路1b的数量。高通滤波器2包括M个串 接的第二滤波子电路2a(具有第一端和第二端)，以及至少部分第二滤波子电路2a的第二端所连接的第二调谐子电路2b；在M个串接的第二滤波子电路2a中， 第1个第二滤波子电路2a的第一端连接所述第一端口S1，第M个第二滤波子电路2a的第二端连接第三端口S3；M≥1，且M为整数；每个第二滤波子电路 2a被配置为阻止低频信号通过；第二调谐子电路2b被配置为允许低频信号通过。 图1中以M＝N＝4，且在两个相邻设置的第二滤波子电路2a之间连接1个第二 调谐子电路2b为例；也即该高通滤波器2包括包括4个第二滤波子电路2a和3 个第二调谐子电路2b。但应当理解的是，在本公开实施例中，高通滤波器2的 中的第二滤波子电路2a和第二调谐子电路2b的数量也不局限于此，可以根据 电路的性能要求，具体设置第二滤波子电路2a和第二调谐子电路2b的数量。

在此需要说明的是，在以下描述中，均以低通滤波器1包括4个第一滤波 子电路1a和3个第一调谐子电路1b；高通滤波器2包括4个第二滤波子电路 2a和3个第二调谐子电路2b为例。

在一些示例中，图2为本公开实施例的一种射频双工器电路的电路图；如 图2所示，每个第一滤波子电路均包括第一电感和第一电容；其中，每个第一 滤波子电路中的第一电感的第一端用作该第一滤波子电路的第一端，第一电容 的第二端用作第一滤波子电路的第二端；其中，每个第一滤波子电路中的第一 电感的第二端连接第一电容的第一端；第1个第一滤波子电路101中的第一电 感L11的第一端连接第一端口S1，第一电容C11的第二端连接第2个第一滤波 子电路102中的第一电感L12的第一端和1个第一调谐滤波子电路1b；第2个 第一滤波子电路102中的第一电容C12的第二端连接第3个第一滤波子电路103中的第一电感L13的第一端和1个第一调谐子电路1b；第3个第一滤波子电路 103中的第一电容C13的第二端连接第4个第一滤波子电路104中的第一电感 L14的第一端和1个第一调谐子电路1b；第4个第一滤波子电路104中的第一 电容C14的第二端连接第二端口S2。

也就是说，本公开实施例的第一滤波子电路1a中有串接的第一电感和第一 电容构成，在该种情况下，可以通过合理的设置第一电感和第一电容的参数值， 实现滤波作用，而由于第一滤波子电路1a被配为阻止高频信号通过，此时可以 设置一个较大的第一电感阻止高频信号通过，再配合一个较小的第一电容使得 低频信号通过，也即通过较大第一电感配合较小第一电容来选取低频信号通过。

在一些示例中，继续参照图2，第一调谐子电路1b可以包括第二电感和第 二电容；第二电感和第二电容并联连接，且第二电感的第一端和第二电容的第 一端连接，并连接两个相邻设置的第一滤波子电路；第二电感的第二端和第二 电容的第二端连接，并连接接地端GND。

例如：当第一滤波子电路包括串接的第一电感和第一电容时，第1个第一 调谐子电路201的第二电感L21的第一端和第二电容C21的第一端连接，且连 接第1个第一滤波子电路101的第一电容C11的第二端和第2个第一滤波子电 路102的第一电感L12的第一端。第2个第一调谐子电路202的第二电感L22 的第一端和第二电容C22的第一端连接，且连接第2个第一滤波子电路102的 第一电容C12的第二端和第3个第一滤波子电路103的第一电感L13的第一端。 第3个第一调谐子电路203的第二电感L23的第一端和第二电容C23的第一端连接，且连接第3个第一滤波子电路103的第一电容C13的第二端和第4个第 一滤波子电路104的第一电感L14的第一端。

在该种情况下，可以通过合理的设置第一调谐子电路1b中的第二电感和第 二电容的参数值，提供一个谐振频率作为抑制点，以避降低对高频信号的阻塞。 具体的，第一调谐子电路的谐振频率依据低通滤波器1的基波频率进行选取， 其中基波频率可以为低通滤波器1的频段的中间频率。例如：低通滤波器1的 频段为680-980MHz，选取680-980MHz的中心频段作为基波频率。根据基波频 率设置第一调谐子电路滤的谐振频率的，而根据谐振频率的大小取决于第二电 感和第二电容的值。在一些示例中，可以通过选用一个较大的电容和较小的电 感，允许高频信号通过。这样一来，如图2可以看出的是，低通滤波器1通过 七次滤波，通过第二端口S2输出稳定的低频信号。

在一些示例中，每个第二滤波子电路均包括第三电感和第三电容；其中， 每个第二滤波子电路中的第三电感的第一端用作该第二滤波子电路的第一端， 第三电容的第二端用作第二滤波子电路的第二端；其中，每个第二滤波子电路 中的第三电感的第二端连接第三电容的第一端；第1个第二滤波子电路301中 的第三电感L31的第一端连接第一端口S1，第三电容C31的第二端连接第2个 第二滤波子电路302中的第三电感L32的第一端和1个第二调谐滤波子电路 21b；第2个第二滤波子电路302中的第三电容C32的第二端连接第3个第二滤 波子电路303中的第三电感L33的第一端和1个第二调谐子电路2b；第3个第 二滤波子电路303中的第三电容C33的第二端连接第4个第二滤波子电路304 中的第三电感L34的第一端和1个第二调谐子电路2b；第4个第二滤波子电路 304中的第三电容C34的第二端连接第三端口S3。

也就是说，本公开实施例的第二滤波子电路2a中有串接的第三电感和第三 电容构成，在该种情况下，可以通过合理的设置第三电感和第三电容的参数值， 实现滤波作用，而由于第二滤波子电路2a被配为阻止低频信号通过，此时可以 设置一个较小的第一电感阻止高频信号通过，再配合一个较小的第一电容使得 高频信号通过，也即通过较小第一电感配合较小第一电容来选取高频信号通过。

在一些示例中，继续参照图2，第二调谐子电路2b可以包括第四电感和第 四电容；第四电感和第四电容并联连接，且第四电感的第一端和第四电容的第 一端连接，并连接两个相邻设置的第二滤波子电路2a；第四电感的第二端和第 四电容的第二端连接，并连接接地端GND。

例如：当第二滤波子电路包括串接的第三电感和第三电容时，第1个第二 调谐子电路401的第四电感L41的第一端和第四电容C41的第一端连接，且连 接第1个第二滤波子电路301的第三电容C31的第二端和第2个第二滤波子电 路302的第三电感L32的第一端。第2个第二调谐子电路402的第四电感L42 的第一端和第四电容C42的第一端连接，且连接第2个第二滤波子电路302的 第三电容C32的第二端和第3个第二滤波子电路303的第三电感L33的第一端。 第3个第二调谐子电路403的第四电感L43的第一端和第四电容C43的第一端连接，且连接第3个第二滤波子电路303的第三电容C33的第二端和第4个第 二滤波子电路304的第三电感L34的第一端。

在该种情况下，可以通过合理的设置第二调谐子电路2b中的第四电感和第 四电容的参数值，提供一个谐振频率作为抑制点，以避降低对低频信号的阻塞。 具体的，第二调谐子电路2b的谐振频率依据高通滤波器2的基波频率进行选取， 其中基波频率可以为高通滤波器2的频段的中间频率。例如：高通滤波器2的 频段为1600-2750MHz，选取1600-2750MHz的中心频段作为基波频率。根据基 波频率设置第二调谐子电路2b滤的谐振频率的，而根据谐振频率的大小取决于 第四电感和第四电容的值。在一些示例中，可以通过选用一个较大的电容和较 小的电感，允许低频信号通过。这样一来，如图2可以看出的是，高通滤波器2 通过七次滤波，通过第二端口S2输出稳定的低频信号。

在一些示例中，第一端口S1、第二端口S2和第三端口S3均为50Ω匹配端 口。当然，考虑到实际工艺中工艺偏差，各个端口的匹配阻抗也可能存在一定 的误差，均在本公开实施例的保护范围内。

为了更清楚本公开实施例中的射频双工器电路，以下结合具体示例进行说 明。其中，以该射频双工器电路包括的低频滤波器包括4个第一滤波子电路1a 和3个第一调谐子电路1b；高频滤波器包括4个第二滤波子电路2a和3个第二 调谐子电路2b。其中，每个第一滤波子电路1a包括串接第一电感和第一电容； 每个第一调谐子电路1b包括并联的第二电感和第二电容；每个第二滤波子电路 2a包括串接第三电感和第三电容；每个第二调谐子电路2b包括并联的第四电感 和第四电容。

继续参照图2；在低频滤波器中，每个第一滤波子电路1a中的第一电感的 第二端连接第一电容的第一端；第1个第一滤波子电路101中的第一电感L11 的第一端连接第一端口S1，第一电容C11的第二端连接第2个第一滤波子电路 102中的第一电感L12的第一端，和第1个第一调谐子电路201的第二电感L21 的第一端和第二电容C21的第一端；第2个第一滤波子电路102中的第一电容 C12的第二端连接第3个第一滤波子电路103中的第一电感L13的第一端和第2 个第一调谐子电路202的第二电感L22的第一端和第二电容C22的第一端；第 3个第一滤波子电路103中的第一电容C13的第二端连接第4个第一滤波子电路 104中的第一电感L14的第一端，和第3个第一调谐子电路203的第二电感L23 的第一端和第二电容C23的第一端；第4个第一滤波子电路104中的第一电容 C14的第二端连接第二端口S2。每个第一调谐子电路1b中的第二电感的第二端 和第二电容的第二端均连接接地端GND。

在高频滤波器中，每个第二滤波子电路2a中的第三电感的第二端连接第三 电容的第一端；第1个第二滤波子电路301中的第三电感L31的第一端连接第 一端口S1，第三电容C31的第二端连接第2个第二滤波子电路302中的第三电 感L32的第一端，和第1个第二调谐子电路401的第四电感L41的第一端和第 四电容C41的第一端；第2个第二滤波子电路302中的第三电容C32的第二端 连接第3个第二滤波子电路303中的第三电感L33的第一端，和第2个第二调 谐子电路402的第四电感L42的第一端和第四电容C42的第一端；第3个第二滤波子电路303中的第三电容C33的第二端连接第4个第二滤波子电路304中 的第三电感L34的第一端，和第3个第二调谐子电路403的第四电感L43的第 一端和第四电容C43的第一端；第4个第二滤波子电路304中的第三电容C34 的第二端连接第三端口S3。每个第二调谐子电路2b的第四电感的第二端和第四 电容的第二端均连接接地端GND。

第一端口S1、第二端口S2和第三端口S3均采用50Ω的匹配端口。其中， L11＝39.1Nh、C11＝0.97pF；L12＝47.7nH、C12＝0.80pF；L13＝43.1nH、C5＝0.88pF； L14＝15.7nH、C14＝2.43pF；L21＝2.1nH、C21＝18.46pF；L22＝2.1nH、C22＝18.15pF； L23＝2.8nH、C23＝13.70pF。L31＝10.2nH、C31＝0.56pF；L32＝12.4nH、 C32＝0.46pF；L33＝11.2nH、C33＝0.51pF；L34＝4.1nH、C34＝1.41pF； L41＝1.2nH、C41＝4.81pF；L42＝1.2nH、C42＝4.73pF；L43＝1.6nH，C43＝3.57pF。

第二方面，本公开实施例提供一种射频基板，其包括衬底基板，以及设置 在衬底基板上的射频双工器电路；其中，射频双工器电路为上述的任一射频双 工器电路。其中，衬底基板包括但不限于玻璃衬底。

由于在本公开实施例中，射频双工器电路是有电感、电容、电阻等无源器 件，且将这些器件集成在玻璃衬底基板上有助于该基板具有体积小、重量轻、 高性能、低功耗等优点。在此需要说明的是，在本公开实施例中，衬底基板还 可以采用柔性衬底、至少包括有机绝缘层的层间介质层中的任意一种。

为了更清楚本公开实施例中的射频基板的各层结构，以第一端口S1、第二 端口S2和第三端口S3均采用50Ω的匹配端口；第一滤波子电路包括第一电感 和第一电容；第一调谐子电路包括第二电感和第二电容；第二滤波子电路包括 第三电感和第三电容；第二调谐子电路包括第四电感和第四电容为例。在一些 实施例中，各第一电感、第二电感、第三电感和第四电感可以采用相同的结构， 第一电容、第二电容和第三电容均采用相同的结构。因此，为了便于描述一个 电感、一个电容、一个电阻为代表对射频基板的各层结构进行说明。

图3为本公开实施例的一种射频基板的截面图；图4为本公开实施例的一 种电感的俯视图；如图3和4所示，该射频基板包括衬底基板，该衬底基板可 以采用玻璃基板；在射频基板上设置有电感20、电容70、电阻60；其中，电感 通常包括电感线圈，以及分别与电感线圈的第一端和第二端连接第一引线端2 和第二引线端23。在本公开实施例中电感线圈至少包括第一子结构211和第二 子结构212，且第一子结构211和第二子结构212分设在第一层间介质层80的 两相对侧，且一个第二子结构212通过贯穿第一层间介质层的第一连接过孔11 将两相邻的第一子结构211短接，以形成电感的电感线圈。

如图4所示，电感20的各第一子结构211均沿第一方向延伸，且沿第二方 向并排设置；电感20的各第二子结构212均沿第三方向延伸，且沿第二方向并 排设置。其中，第一方向、第二方向、第三方向均为不同的方向，在本公开实 施例中，以第一方向和第二方向相互垂直，第一方向和第三方向相交且非垂直 设置为例。当然，第一子结构211和第二子结构212的延伸方向也可以互换， 均在本公开实施例的保护范围内。另外，在本公实施例中以电感20包括K个第 一子结构211和K-1个第二结构为例进行说明，其中，K≥2，且K为整数。第一子结构211的第一端和第二端分别与一个第一连接过孔11在玻璃衬底10上 正投影至少部分交叠。且一个第一子结构211的第一端和第二端对应不同的第 一连接过孔11，也即一个第一子结构211与两个第一连接过孔11在玻璃衬底10 上正投影至少部分交叠。此时，电感20的第i个第二子结构212第一端连接第 i个第一子结构211的第一端和第i+1个第一子结构211的第二端，形成电感线 圈21，其中，1≤i≤K-1，且i为整数。

如图3所示，沿背离衬底基板10方向依次设置的第一无机绝缘层81和第 一有机绝缘层82，第一连接过孔11贯穿第一无机绝缘层81和第一有机绝缘层 82。在一些示例中，第一无机绝缘层81的材料由氮化硅(SiNx)形成的无机绝 缘层，或者由氧化硅(SiO₂)形成的无机绝缘层，亦或者由SiNx无机绝缘层和SiO₂无机绝缘层的若干种叠层组合膜层。第一有机绝缘层82的材料包括光刻胶 或者聚酰亚胺等。例如：当第二层间介质层80采用第一无机绝缘层81和第一 有机绝缘层82的叠层结构时，第一连接过孔11可以由贯穿第一无机绝缘层81 的第一子过孔和贯穿第一有机绝缘层82的第二子过孔叠置形成。

在一些示例中，在第一连接过孔11内形成连接部213，该连接部213用于 将第一子结构211和与之对应的第二子结构212进行短接。其中，连接部213 可以形成在第一连接过孔11的内壁上，也可以是填充整个第一连接过孔11，只 要是能够保证第一子结构211和与之对应的第二子结构212能够电连接即可。

在电感20的第二子结构212背离玻璃衬底10一侧设置有第一层间介质层 30，在第一层间介质层30背离玻璃衬底10的一侧设置有第一焊盘51和第三焊 盘53。其中，在第一层间介层中设置有第二连接过孔12和第三连接过孔，第一 焊盘51通过第二连接过孔12与电感线圈21的第一信号端电连接，第三焊盘53 通过第三连接过孔与电感线圈21的第二信号端电连接。其中，第一焊盘51和 第三焊盘53被配置为使得电感20器件与射频电路电连接。例如：电感20通过 第一焊盘51和第三焊盘53与PCB(印刷电路板)绑定连接，或者是通过焊接 的方式与PCB实现电连接。

例如：当电感20具有第一引线端22和第二引线端23时，第一连接焊盘则 可以通过第一引线端22与第一个第一子结构211的第二端连接，以实现第一焊 盘51与电感线圈21的第一信号端的电连接，第三焊盘53则可以通过第二引线 端23与第K个第一子结构211的第一端连接，以实现第三焊盘53与电感线圈 21的第二信号端的电连接。

在一些示例中，该基板中不仅具有电感20器件，而且还设置电阻60、电容 70等器件。在一些示例中，当第一层间介质层80包括第一无机绝缘层81和第 一有机绝缘层82时，电阻60可以设置在玻璃衬底10和第一无机绝缘层81之 间，电阻60可以采用高阻材料，例如，例如氧化锡(ITO)、镍铬(NiCr)合金。 在一些示例中，电容70的第一极板71可以与电感20的第一子结构211同层设 置，也即设置在玻璃衬底10和第一无机绝缘层81之间，这样一来，便于制备， 且不会增加工艺步骤，电容70的第二极板72可以设置在第一有机绝缘层82和 第一无机绝缘层81之间。

另外，在本公开实施例中，与第一焊盘51和第三焊盘53同层设置的还可 以有第三焊盘、第四焊盘54、第五焊盘55和第六焊盘56，其中，第三焊盘通 过贯穿第二层间介质层30和第一层间介质层80(第一有机绝缘层82+第一无机 绝缘层81)的第四连接过孔与电阻60的第一端连接，第四焊盘54通过贯穿第 二层间介质层30和第一层间介质层80(第一有机绝缘层82+第一无机绝缘层81) 的第五连接过孔与电阻60的第二端连接，第五焊盘55通过贯穿第二层间介质 层30和第一层间介质层80(第一有机绝缘层82+第一无机绝缘层81)的第六连 接过孔与电容70的第一极板71连接，第六焊盘56通过贯穿第二层间介质层30 和第一有机绝缘层82的第六连接过孔与电容70的第二极板72连接。第三焊盘 和第四焊盘54被配置为将电阻60与射频电路连接，第五焊盘55和第六焊盘56 被配置将电容70与射频电路连接。应当理解是，若电容70、电阻60与基板上 的器件进行电连接，此时也可以无需通过焊盘进行连接。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例 性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言， 在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型 和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (12)

1.一种射频双工器电路，其包括第一端口、第二端口、第三端口，以及连接在所述第一端口和所述第二端口之间的低通滤波器，连接在所述第一端口和所述第三端口之间的高通滤波器；其中，

所述低通滤波器包括N个串接的第一滤波子电路，以及至少部分所述第一滤波子电路所连接的第一调谐子电路；所述第一滤波子电路包括第一端和第二端，所述第一滤波子电路的第二端连接所述第一调谐子电路；

在所述N个串接的第一滤波子电路中，第1个所述第一滤波子电路第一端连接所述第一端口，第N个所述第一滤波子电路的第二端连接所述第二端口；N≥1，且N为整数；每个所述第一滤波子电路被配置为阻止高频信号通过；所述第一调谐子电路被配置为允许高频信号通过；

所述高通滤波器包括M个串接的第二滤波子电路，以及至少部分所述第二滤波子电路所连接的第二调谐子电路；所述第二滤波子电路包括第一端和第二端，所述第二滤波子电路的第二端连接所述第二调谐子电路；

在所述M个串接的第二滤波子电路中，第1个所述第二滤波子电路的第一端连接所述第一端口，第M个所述第二滤波子电路的第二端连接所述第三端口；M≥1，且M为整数；每个所述第二滤波子电路被配置为阻止低频信号通过；所述第二调谐子电路被配置为允许低频信号通过。

2.根据权利要求1所述的射频双工器电路，其中，所述N个串接的第一滤波子电路中的每个包括第一电感和第一电容；各所述第一子滤波器中的第一电感和第一电容依次串接，且第1个所述第一滤波子电路中的第一电感的第一端连接所述第一端口，第N个所述滤波子电路中的第一电容连接所述第二端口。

3.根据权利要求1所述的射频双工器电路，其中，所述第一调谐子电路包括第二电感和第二电容；

所述第二电感和所述第二电容并联连接，且所述第二电感的第一端和第二电容的第一端连接，并连接两个相邻设置的第一滤波子电路；所述第二电感的第二端和第二电容的第二端连接，并连接接地端。

4.根据权利要求1所述的射频双工器电路，其中，所述M个串接的第二滤波子电路中的每个包括第三电感和第三电容；各所述第二子滤波器中的第三电感和第三电容依次串接，且第1个所述第二滤波子电路中的第三电感的第一端连接所述第一端口，第M个所述滤波子电路中的第三电容连接所述第三端口。

5.根据权利要求1所述的射频双工器电路，其中，所述第二调谐子电路包括第四电感和第四电容；

所述第四电感和所述第四电容并联连接，且所述第四电感的第一端和第四电容的第一端连接，并连接两个相邻设置的第二滤波子电路；所述第四电感的第二端和第四电容的第二端连接，并连接接地端。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的射频双工器电路，其中，任意相邻设置的第一滤波子电路之间均连接一个所述第一调谐子电路；

任意相邻设置的第二滤波子电路之间均连接一个所述第二调谐子电路。

7.根据权利要求1-5中任一项所述的射频双工器电路，其中，所述第一端口、所述第二端口和所述第三端口均为50Ω的匹配端口。

8.根据权利要求1-5中任一项所述的射频双工器电路，其中，所述M和所述N相等。

9.根据权利要求1-5中任一项所述的射频双工器电路，其中，所述低通滤波器的频段为680-980MHz。

10.根据权利要求1-5中任一项所述的射频双工器电路，其中，所述高通滤波器的频段为1600-2750MHz。

11.一种射频基板，其包括衬底基板，以及设置在所述衬底基板上的射频双工器电路；其中，所述射频双工器电路为权利要求1-10中任一项所述的射频双工器电路。

12.根据权利要求11所述射频基板，其中，所述衬底基板包括玻璃衬底。

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