CN1287483C - 介质器件 - Google Patents

Abstract

本发明的目的是提供适于小型化以及薄型化、可以表贴实装的介质器件。共振部Q1中，第1孔(41)被设置在介质基片(1)从面(21)趋向其对面(22)，在面(21)上开口，在内部有第1内导体(61)。第2孔(51)被设置在介质基片(1)，在面(21)相邻的面(23)上开口，从面(23)趋向其对面(24)，在介质基片1的内部与第1孔(41)连接。第2孔(51)在内部有第2内导体(81)，第2内导体(81)在介质基片(1)的内部与第1内导体(61)连接。

Description

介质器件

技术领域

本发明涉及介质谐振器、及其构成的介质滤波器和双工器等介质器件。

背景技术

此种介质器件应用于准微波带、微波带、毫米波带、子毫米波带等高频领域。更具体地适用于例如卫星通信设备、移动通信设备、无线通信设备、高频通信设备以及上述通信设备的基地局。

以往，用于携带电话等的谐振器或介质滤波器，通常由多个在介质基片设置1个通孔的谐振器部分组合构成，谐振器的长度，通常为构成介质基片的材料的介电常数的平方根除以自由空间波长λ的1/4。

构成介质滤波器时，多个谐振器通过其它途径准备的耦合电路被耦合，或者，从呈类似长方体的介质基片的一面在外表面设置多个通孔，对除开放面以外的外表面和通孔内部实施金属喷镀，各个通孔作为谐振器部分。

使用介质基片的介质滤波器，在谐振器部分加装电容等附加素子，在开放面形成导体图形，构成附加要素。且通过在介质基片自身上设置沟或凹部，控制电磁耦合分布的平衡，采用通过电和磁发生耦合的构造。

但是，以往的谐振器以及介质滤波器，为了小型化而缩短谐振器的长度时，如上所述，必须通过其他途径构成负荷电容，且在谐振器加载附加部件，使部件增加、不能达成小型化。

而且，在谐振器的开放面通过导体图形形成电容等的结构，在介质基片的开放面必须形成复杂、精密的导电图形，随着小型化、薄型化的进展，也带来生产成本增加且成品率下降的不利影响。

发明内容

本发明的目的是提供适合小型化且薄型化的介质器件。

本发明的另外一个目的是提供可以表贴实装的介质器件。

为了达成上述目的，本发明相关的介质器件，其特征在于，包括介质基片、至少一个共振部和端子；上述介质基片，在一面及其他的外表面具有外导体膜；上述共振部包括第1孔和第2孔；上述第1孔，被设置在上述介质基片上，一端在上述一面开口，从上述一面朝向其对面，在内部具有第1内导体，上述第1内导体在上述一面通过间隙与上述外导体膜隔离；上述第2孔，被设置在上述介质基片上，在不与上述一面相对的外外表面开口，在上述介质基片的内部与上述第1孔连接，在内部具有第2内导体，上述第2内导体的一端在上述介质基片的内部与上述第1内导体连接，另一端与上述外导体膜连接，上述第1孔，其另一端部从与上述第2孔连接的区域朝内部的方向突出且封闭着；上述端子被设置在上述介质基片的上述外外表面，通过上述介质基片，与在上述第1孔的上述另一端部具有的上述第1内导体进行电耦合。

如上所述，本发明相关的介质器件，可以得到的共振部(谐振腔)包括第1孔和第2孔，在开放端相反侧的另一端，与第2孔交叉的新型孔结构。

该新型孔结构，在第1孔设置的第1内导体以及在第2孔设置的第2内导体相互连接。

第1孔的第1内导体，因为利用介质基片通过介质层与外导体膜相对，所以在第1内导体膜和外导体膜之间产生大的静电电容。为此，本发明相关的介质器件，相对在第2孔的轴方向看到的介质基片的长度，自该电气长度低频共振。换句话说，为了得到预期的共振频率缩短介质基片的长度，则可实现小型化和薄型化。

本发明相关的器件，可以扩展应用到谐振器、发振器、介质滤波器和双工器(Duplexer、又被称为天线共用器)等器件。其中，作为谐振器使用时，一个共振部即可。作为介质滤波器和双工器使用时，共振部为多个。

作为介质滤波器和双工器使用时，介质基片的长度尺寸，因为上述理由被缩短，另外在相邻2个共振部，利用第1孔间的间隔，可以在相邻共振部之间产生电容耦合。而且该电容耦合，在相邻的2个共振部，通过调整第1孔间的间距，可以调整到预期的耦合度。而且，相邻共振部之间的电耦合，可以通过削减第1内导体开口部近处的导体，或者增加开口部近处的导体进行调整。

而且，利用第1孔与设置在介质基片上的外导体膜之间的电容，在相邻的2个共振部之间，可以产生实质性的感应耦合。该感应耦合，通过调整第1孔与设置在介质基片的外导体膜之间的间距，也可以调整到预期的感应耦合度。

而且，作为介质滤波器使用时，具有第1端子和第2端子，这些端子用于输入输出端子。第1端子，隔着介质基片的层被设置在与共振部一方的第1孔相对的位置。第2端子，隔着介质层被设置在与另一共振部的第1孔相对的位置。任意这些第1以及第2端子都与外导体绝缘。

利用上述结构，第1以及第2端子可以被表贴在实装基片上。第1以及第2端子，即可设置在外表面，也可设置在上述一面，横跨相邻的2个面设置也可以。

用于双工器(天线共用器)时，至少具有3个共振部和第1至第3端子。第1至第3端子，分别设置在不同的共振部上，作为天线连接端子、接收侧端子以及发送侧端子使用。通过上述结构，第1至第3端子可以被贴装在实装基板上。

有关本发明的其它目的、结构以及优点，参照附图，更详细地说明。但是，本发明的技术范围不仅仅限于这些图示的实施例。

附图说明

图1是本发明相关的介质谐振器的斜视图。

图2是从背面观察图1所示介质谐振器的斜视图。

图3是图1沿3-3线的剖面图。

图4是图3沿4-4线的剖面图。

图5是本发明相关的介质谐振器其它实施例的斜视图。

图6是图5沿6-6线放大的剖面图。

图7是本发明相关的介质谐振器又一其它实施例的斜视图。

图8是从底面观察图7所示介质谐振器的斜视图。

图9是图7沿9-9线的剖面图。

图10是本发明相关的介质滤波器的斜视图。

图11是从背面观察图10所示介质滤波器的斜视图。

图12是图10沿12-12线的剖面图。

图13是图12沿13-13线的剖面图。

图14是本发明相关的介质滤波器其它实施例的斜视图。

图15是本发明相关的介质滤波器又一其它实施例的斜视图。

图16是图15沿16-16线的剖面图。

图17是具有3个共振部的介质滤波器的斜视图。

图18是从背面观察图17所示介质滤波器的斜视图。

图19是图17沿19-19线的剖面图。

图20是图19沿20-20线的剖面图。

图21是图17～图20的实施例相关的具体例的带通滤波器特性以及插入损耗特性的图。

图22是具有3个共振部的介质滤波器其它实施例的斜视图。

图23是图22所示实施例与图20对应的剖面图

图24是图22、图23的实施例相关的具体例的带通滤波器特性以及插入损耗特性的图。

图25是本发明相关的双工器的斜视图。

图26是从背面观察图25所示双工器的斜视图。

图27是图25沿27-27线的剖面图。

图28是图25～图27所示的具体例相关的双工器的频率特性。

附图符号的说明

1介质基片

21～26外表面

3外导体膜

41～46第1孔

51～56第2孔

具体实施的方式

图1是本发明相关的介质谐振器的斜视图，图2是从背面观察图1所示介质谐振器的斜视图，图3是图1沿3-3线的剖面图，图4是图3沿4-4线的剖面图。被图示的介质谐振器，包括介质基片1和1个共振部Q1。介质基片1，使用众所周知的陶瓷基片，形成具有面21～26的类似六面体的形状，外表面21～26的大部分被外导体膜3覆盖。外导体膜3，一般使用铜和银等作为主要成分，通过印刷、电镀等手段形成。

共振部Q1，包括第1孔41和第2孔51。第1孔41被设置在介质基片1上，一端在面21上开口，从面21朝向其对面的外表面22。第1孔41在内部具有第1内导体61。第1内导体61，通过使用与外导体膜3相同的材料以及手段形成，并作为电极膜。与此不同，也可以把第1内导体61填充埋入第1孔41的一部分或者全部。第1内导体61，在面21通过间隙g11，与外导体膜3隔离。

第2孔51也被设置在介质基片1上。第2孔51，一端在外表面23开口，第2孔51从外表面23朝向其对面的外表面24，在介质基片1的内部与第1孔41连接。

第2孔51，在内部具有第2内导体81。该第2内导体81，在外表面23开口的一端与外导体膜3连接，另一端与第1内导体61连接。第2内导体81，使用和第1内导体61相同的材料和手段形成。第2内导体81，也可被填充埋入第2孔51的一部分或全体。

图示的实施例中，第2孔51实际上是内径D2的圆形，第1孔41，从图1看，横方向的内径D11比纵方向的内径D12大，类似长方形形状的孔形。横方向的内径D11也比第2孔51的内径D2大。因此，第2孔51的另一端，在第1孔41的横向与第1孔51连接。第1孔41的角部为圆弧状较宜。

而且，实施例中，第1孔41，从与第2孔51连接的区域向内侧方向突出距离为X1(参照图3)。

而且，第2孔51开口的外表面23与第1孔41的距离d0，比第2孔51相对的面24与第1孔41的距离d1长(参照图3)。即，d0＞d1。

设置在第1孔41内侧的第1内导体61，和设置在外表面22、外表面24～26的外导体膜3之间，存在厚度为d1～d4的介质层71～74(参照图3、图4)。而且，在外表面22，与外导体膜3之间有间隙g21分隔，具有端子11。端子11通过介质层72，与第1内导体61通过静电电容C02耦合。

如上所述，共振部Q1包括第1孔41和第2孔51。第1孔41，一端在面21开口，从面21朝向相对的外表面22。第2孔51，一端在面21开口，从外表面23朝向对面的外表面24，另一端在介质基片1内部与第1孔41连接。即，可以得到一端位于面21的第1孔41，与第2孔51交叉的新型孔构造。

该新型孔结构，因为设置在第1孔41的第1内导体61和设置在第2孔51的第2内导体81相互连接，所以第1孔41和第2孔51构成一个电路。第1孔41的第1内导体61、通过介质基片1介于中间的介质层71～74，与外表面22、外表面24～26上的外导体膜3相对。因此，第1内导体61和外导体膜3之间发生电容耦合。

第1孔41也可以设置多个。此时，多个第1孔分别在不同的表面开口，分别设置的第1内导体，在介质基片1的内部与第2内导体81连接。例如，图1～图4所示的实施例中，从与第2孔51交叉的方向，设置1个或多个第1孔，与第2孔51的端部交叉，各个内导体，如图1～图4所示的状态，与第2内导体81连接。图1至图4的实施例，因为使用六面体状的介质基片1，利用外表面21、22、24、25、26，可以实现上述第1孔的追加结构。

如上所述，第1孔41的第1内导体61，因为通过介质基片1介于中间的介质层71～74，与外导体膜3相对，所以第1内导体61和外导体膜3之间产生大的静电电容C01、C03、C04(参照图3和图4)。因此，本发明相关的介质器件，从第2孔51的轴方向看介质基片1的长度L1，利用该电气长低频共振。换而言之，为得到预期的共振频率而缩短介质基片1的长度L1，可以达成小型化以及薄型化。

而且，第2孔51开口的外表面23与第1孔41的距离d0，比第2孔51相对的面24与第1孔41的距离(厚度)d1长，满足d0＞d1的实施例，相应距离(厚度)d1的尺寸可以得到静电电容C01。

接着，有关实施例所示的介质谐振器的小型化以及薄型化，举具体例进行说明。图1～图4所示的结构中，介质基片1使用介电常数εr＝92的介质材料，形状类似长方体。介质基片1的尺寸，面23的面积为(2mm×2mm)，长度L1为2.5mm。第2孔51的孔径D2为0.5mm，第1孔41的孔径D11为1mm。

该谐振器环路耦合(loop coupling)测定的共振频率为2.02GHz。关于长度L1，因为现有共振频率为2.02GHz的(1/4)波长谐振器，必须为3.5～4mm左右，所以本实施方案，可以缩短30％左右。

图5是本发明相关的介质谐振器其它实施例的斜视图，图6是图5沿6-6线放大的剖面图。图中与图1至图4所示结构相同的部分，附带相同参照符号，尽量省略重复的说明。图5以及图6所示的实施例，第1孔41，一端在面21开口，另一端在与面21相对的外表面22开口。设置在第1孔41内部的第1导体膜61，在面21上，通过间隙g11与外导体膜3分隔，在外表面22上，通过间隙g01与外导体膜3分隔。

该实施例的场合，因为第1内导体61和设置在外表面24～26的外导体膜3之间重叠(平行)面积增加，所以可以获得增大的静电电容C01、C03、C04(参照图4)。

而且，图5以及图6所示的实施例，端子11设置在介质基片1的外表面22，通过介质层，与第2内导体81发生电容耦合。端子11通过间隙g21与外导体膜3分隔。

图5以及图6所示实施例中的介质谐振器，也可以小型化和薄型化。

图7是本发明相关的介质谐振器又一其它实施例的斜视图，图8是从底面观察图7所示介质谐振器的斜视图，图9是图7沿9-9线的剖面图。该实施例中，端子11横跨外表面22和作为底面的外表面24形成。该实施例的场合，也可以实现介质谐振器的小型化和薄型化。

图10是本发明相关的介质滤波器的斜视图，图11是从背面观察图10所示介质滤波器的斜视图，图12是图10沿12-12线的剖面图，图13是图12沿13-13线的剖面图。这些图所示的是具有2个共振部Q1、Q2的介质滤波器。共振部Q1、Q2分别共用介质基片1，通过介质基片1实现一体化。共振部Q1包括第1孔41和第2孔51。第1孔41和第2孔51，也可以采用前面图示且说明的结构。采用图1～图4所示的构造时，第1孔41，一端在面21开口，从面21朝向其相对的外表面22。第1孔41在内部设置第1内导体61。第1内导体61，在面21，通过间隙g11，与外导体膜3分隔。

而且，第2孔51，一端在与面21不相对的外表面23开口，另一端在介质基片1的内部与第1孔41的另一端连接。第2孔51的第2内导体81，在外表面23开口的一端与外导体膜3连接，另一端在介质基片1内部与第1内导体61连接。

共振部Q2，实质上与共振部Q1结构相同，包括第1孔42和第2孔52。第1孔42和第2孔52，可以采用图1～图9所示且说明的任意结构。采用图1～图4所示的构造时，第1孔42，一端在面21开口，从面21朝向其相对的外表面22。第1孔42在内部设置第1内导体62。第1内导体62，在面21，通过间隙g12，与外导体膜3分隔。

而且，第2孔52，一端在面21相邻的外表面23开口，另一端在介质基片1的内部与第1孔42的另一端连接。第2孔52的第2内导体82，在外表面23开口的一端与外导体膜3连接，另一端与第1内导体62连接。共振部Q1、Q2更加详细的状态，可参照图1～图9的说明，在此省略重复说明。

而且，实施例中，如果参照图11～图13，则在介质基片1的外表面22，设置作为输入输出端子的第1端子11以及第2端子12。第1端子11，通过厚度d21的介质层72，设置在与第1孔41相对的位置，通过绝缘间隙g21与外导体膜3绝缘。

第2端子12，通过厚度d22的介质层75，设置在与第1孔42相对的位置，通过绝缘间隙g22与外导体膜3绝缘。

第1以及第2端子11、12和第1孔41、42的内导体61、62之间，产生由其间介质层的厚度、介电常数和面积决定的耦合电容。第1以及第2端子11、12，和第1孔41、42的内导体61、62不必完全重叠。即可部分相对，也可设置在并非相对的位置。而且，绝缘间隙g21、g22也可作为一个间隙连接。

共振部Q1和共振部Q2之间的耦合，是电容耦合还是感应耦合，与构成共振部Q1、Q2的第1孔41以及42的内导体61和62之间形成的电容C04，和第1孔41以及42的内导体61、62和外导体膜3之间形成的电容C01、C03、C06相互依存。前者强时，Q1、Q2以电容耦合为主，后者强时以感应耦合为主。

图10至图13所示的介质滤波器中，因为共振部Q2和共振部Q1结构相同，有关其作用和优点，共振部Q2也可以采用有关共振部Q1的说明。介质滤波器整体的作用，仅考虑共振部Q1和共振部Q2之间的耦合。

图14是本发明相关的介质滤波器其它实施例的斜视图。图14所示的实施例的特征是在介质基片1的外表面23有凹部101。在凹部101的内部包括构成共振部Q1的第2孔51、52。

根据图14的实施例，通过选定凹部101的尺寸，可以调整共振部Q1和共振部Q2之间的耦合特性及其共振频率。

图15是本发明相关的介质滤波器又一其它实施例的斜视图，图16是图15沿16-16线的剖面图。图示的实施例中，第1孔41包括大径部411和小径部412。大径部411在面21开口，小径部412与大径部411的下方连接。第1孔42也包括大径部421和小径部422。大径部421在面21开口，小径部422与大径部421的下方连接。

图15、图16的实施例，第2孔51、52也包括大径部511、521和小径部512、522。大径部511、521在外表面23开口，小径部512、522与大径部511、521的下方连接。

图15、图16所示实施例的场合，通过选定大径部(411、421)、(511、521)的孔径，可以调整共振部Q1和共振部Q2之间的耦合特性及其共振频率。

图17是具有3个共振部的介质滤波器的斜视图，图18是从背面观察图17所示介质滤波器的斜视图，图19是图17沿19-19线的剖面图，图20是图19沿20-20线的剖面图。

共振部Q1、Q2、Q3分别共用介质基片1，通过介质基片1实现一体化。介质基片1，除面21以外，表面大部分被外导体膜3覆盖。

共振部Q1包括第1孔41和第2孔51。共振部Q2包括第1孔42和第2孔52。共振部Q3包括第1孔43和第2孔53。第1孔41～43以及第2孔51～53的分体结构以及相对关系如之前的说明。

图示实施例的场合，分别设置在第1孔41～43内部的第1内导体61～63，与外导体膜3之间，通过介质层71、72、73、75、77和78有静电电容C01、C02、C03、C05、C07和C08，共振部Q1和共振部Q2之间，通过介质层74有静电电容C04，共振部Q2和共振部Q3之间，通过介质层76有静电电容C06(参照图19、图20)。静电电容C01～C08的值相应期望的特性适当设定。而且，也可使共振体Q1～Q3中各个介质层71的厚度d11～d13(参照图17)不同，而使共振部Q1～Q3中各个静电电容C01不同。

实施例中，位于共振部Q1、Q3之间的共振部Q2，第1孔42的深度比共振部Q1、Q3浅，而且，介质层71的厚度d12比共振部Q1、Q3中介质层71的厚度d11、d13大(参照图17)。因而，共振部Q2的静电电容C01比共振部Q1、Q3的静电电容C01小。

第1端子11，在外表面22与第1孔41相对的位置，通过绝缘间隙g21，配置成与外导体膜3绝缘的状态。

第2端子12，在外表面22与第1孔44相对的位置，通过绝缘间隙g22，配置成与外导体膜3绝缘的状态。

如果使用图17～图20所示的实施例，除了可以得到与前面实施例相同的小型化和薄型化，还因为有更多的共振部Q1～Q3，使频率选择特性向上。

接着，关于图17～图20所示介质滤波器的频率特性，举具体例进行说明。图17～图20所示的实施例中，介质基片1使用介电常数εr＝92的介质材料，形状类似长方体。介质基片1的形状，面23的面积为(4.2mm×2mm)，长度L1为2.5mm。第2孔51～53的孔径D2为0.7mm。因为与相邻的第1孔41～43相对的面的距离较近，在该部分易产生大的电容。因此，相邻共振部Q1～Q3显示出电容耦合。

图21所示是上述具体例的带通滤波器特性L11以及插入损耗特性L21。图中，横轴为频率(MHz)，左纵轴为带通滤波器特性L11的衰减(dB)，右纵轴为插入损耗特性L21的插入损耗(dB)。

图22是具有3个共振部Q1、Q2、Q3的介质滤波器其它实施例的斜视图，图23是对应图22的剖面图。图22以及图23所示实施例的基本构造，与图17～图20所示的实施例相同，共振部Q1～Q3的构造大致相同，不同点为，共振部Q1～Q3的第1孔41～43的相互间隔，比图17～图20的场合扩大，以及相当于共振部Q1～Q3的第1孔41～43与外导体膜3之间的距离的介质层71的厚度d11、d12、d13，比图17～图20的场合缩小。

接着，关于图22、图23所示的介质滤波器的频率特性，举具体例进行说明。图22、图23所示的实施例中，介质基片1使用介电常数εr＝92的介质材料，形状类似长方体。介质基片1的形状，面23的面积为(4.2mm×2mm)，长度L1为2.5mm。第2孔51～53的孔径D2为0.7mm。

图22、图23所示实施例的场合，因为共振部Q1～Q3的第1孔41～43相互间的间距，比图17～图20的场合扩大，所以共振部Q1～Q3相互间产生的电容小。另一方面，因为共振部Q1～Q3的第1孔41～43和外导体膜3之间的距离(d11、d12、d13)，比图17～图20的场合缩小，所以该部分产生的电容比较大。为此，相邻的共振部Q1～Q3相互显示为感应耦合。此点，与图17～图20的实施例显示为电容耦合不同。

图24所示是图22、图23的实施例相关的具体例的带通滤波器特性L11以及插入损耗特性L12。图中，横轴为频率(MHz)，左纵轴为带通滤波器特性L11的衰减(dB)，右纵轴为插入损耗特性L21的插入损耗(dB)。

本发明相关的介质器件，可以扩展应用于介质谐振器、介质滤波器和双工器。其中，有关介质谐振器以及介质滤波器的说明，到此为止，已经参照图1～图24详细说明。纸上关于上述的说明停留于此，但是明显存在由被图示且被说明的各实施例进行组合、具有更多共振部的多种情况。

接着，对本发明相关的介质器件的另一重要适用例的双工器进行说明。

图25是本发明相关的双工器的斜视图，图26是从背面观察图25所示双工器的斜视图，图27是图25沿27-27线的剖面图。图示的双工器有6个共振部Q1～Q6。各个共振部Q1～Q6分别共用介质基片1，通过介质基片1实现一体化。介质基片1，除作为开放面的面21以外，表面的大部分被外导体膜3覆盖。

共振部Q1～Q6中，共振部Q1包括第1孔41和第2孔51的组合，共振部Q2包括第1孔42和第2孔52的组合，共振部Q3包括第1孔43和第2孔53的组合。共振部Q4包括第1孔44和第2孔54的组合，共振部Q5包括第1孔45和第2孔55的组合，共振部Q6包括第1孔46和第2孔56的组合。

第1孔(41～46)和第2孔(51～56)的分体结构及其相对关系，详细参照图1～图20的说明。第1孔(41～46)具有第1内导体(61～66)，第2孔(51～56)具有第2内导体(81～86)。

因为双工器作为天线共用器使用，共振部Q1～Q3以及共振部Q4～Q6的任意一方作为发送、另一方作为接收使用。由于发送频率和接收频率相互不同，所以共振部Q1～Q3的共振特性和共振部Q4～Q6的共振特性相互不同。

发送侧的共振部Q1～Q3中，包含于共振部Q1的第1孔41，与设置在外表面24的第1端子11，利用介质基片1通过介质层被耦合。

接收侧的共振部Q4～Q6中，包含于共振部Q6的第1孔46，与设置在外表面24的第3端子13，利用介质基片1通过介质层被耦合。该场合的电容耦合祥见以上说明。

而且，对应中间的共振部Q3、Q4的第1孔43、44，在表面24一侧，天线连接用第2端子12被连接。

第1至第3端子11～13，在外表面22，配置为通过绝缘间隙g21～g23与外导体膜3绝缘的状态。第1至第3端子11～13可以用于表贴在实装基板上。

共振部Q1～Q3，第1孔41～43纵向较长(图25)，共振部Q4～Q6的第1孔44～46横向较长。共振部Q1～Q3的第1孔41～43，比共振部Q4～Q6的第1孔44～46相对外导体膜3的距离小。因此，共振部Q1～Q3表现出感应耦合，共振部Q4～Q6表现出电容耦合。

省略图示，关于双工器当然也可以适用介质谐振器和介质滤波器中例示的各种构造(参照图1至图23)。

接着，对图25～图27所示双工器的具体例进行说明。图25～图27所示实施例中，介质基片1使用介电常数εr＝92的介质材料，形状类似长方体。介质基片1的形状，面23的面积为(8.5mm×2mm)，长度L1为2.5mm。第2孔51～56的孔径D2为0.6mm。

图28是上述具体例有关的双工器的频率特性。图中，横轴为频率(MHz)，左纵轴为带通滤波器特性L11、L12的衰减(dB)，右纵轴为插入损耗特性L21、L22的插入损耗(dB)。带通滤波器特性L11与共振部Q1～Q3有关，带通滤波器特性L12与共振部Q4～Q6有关。插入损耗特性L21与共振部Q1～Q3的特性、插入损耗特性L22与共振部Q4～Q6的特性有关。

如上所述，因为共振部Q1～Q3表现出感应耦合、共振部Q4～Q6表现出电容耦合，所以可以得到一侧的3个谐振器构成高频带通滤波器、另一侧的3个谐振器构成低频带通滤波器、相互对应带域衰减特性良好的双工器。

本发明不仅仅限于上述实施例。形成多个共振部Q1～Q6的介质基片1，在面23以外的表面形成的第1孔41～46并非必须在同一侧面形成。也可相应输入输出端子等调整的情况适当设置在适合的侧面。第1孔41～46周围没有导体的部分，根据期望的电性能，即可利用导体分离，也可成为一体。第2孔51～56相邻形成的其他共振部，也可在与面23相对的面24形成。

发明的效果：

如上所述，通过使用本发明，可以得到如下所述的效果。

(a)提供适合小型化以及薄型化的介质器件。

(b)提供可以表面贴装的介质器件。

Claims (24)

1.一种介质器件，其特征在于，包括介质基片、至少一个共振部和端子；

上述介质基片，在一面及其他的外表面具有外导体膜；

上述共振部包括第1孔和第2孔；

上述第1孔，被设置在上述介质基片上，一端在上述一面开口，从上述一面朝向其对置的外表面方向，在内部具有第1内导体，上述第1内导体在上述一面通过间隙与上述外导体膜隔离；

上述第2孔，被设置在上述介质基片上，在不与上述一面相对的外外表面开口，在上述介质基片的内部与上述第1孔连接，在内部具有第2内导体，上述第2内导体的一端在上述介质基片的内部与上述第1内导体连接，另一端与上述外导体膜连接，

上述第1孔，其另一端部从与上述第2孔连接的区域朝内部的方向突出且封闭着；

上述端子被设置在上述介质基片的上述外表面，通过上述介质基片，与在上述第1孔的上述另一端部具有的上述第1内导体进行电耦合。

2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，包括端子；具有多个上述第1孔，上述第1孔分别在上述介质基片的不同外表面开口，分别设置的上述第1内导体，在上述介质基片的内部，与上述第2内导体连接；上述端子，被设置在上述介质基片的上述外表面，通过上述介质基片，与上述第1内导体进行电耦合。

3.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，上述第1孔有多个，上述第1孔分别在上述介质基片的不同外表面开口，在上述介质基片的内部与一个上述第2孔的端部交叉，分别设置的上述第1内导体，在上述介质基片的内部，与上述第2内导体连接。

4.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，包括端子；上述端子被设置在介质基片上，与上述共振部进行电耦合。

5.根据权利要求4所述的器件，上述端子，被设置在上述介质基片的上述外表面，并通过上述介质基片，与上述第2内导体进行电耦合。

6.根据权利要求4所述的器件，上述端子，被设置在上述介质基片的上述外表面，并通过上述介质基片，与上述第1内导体进行电耦合。

7.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，上述第1孔是多个，分别设置的上述第1内导体在上述交叉部与上述第2内导体连接。

8.根据权利要求1所述的器件，上述第2孔开口的外表面和第1孔的距离，比与上述第2孔开口的外表面相对的面和第1孔的距离长。

9.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，具有多个上述共振部，相邻的共振部进行电耦合。

10.根据权利要求9的器件，其特征在于，包括第1端子和第2端子；上述第1端子被设置在上述介质基片上，与至少一个上述共振部进行电耦合；上述第2端子被设置在上述介质基片上，与其它至少一个上述共振部进行电耦合。

11.根据权利要求10的器件，上述第1端子被设置在上述介质基片的上述外表面上，通过上述介质基片，与上述第1内导体进行电耦合。

12.根据权利要求10的器件，上述第1端子被设置在上述介质基片的上述外表面上，通过上述介质基片，与上述第2内导体进行电耦合。

13.根据权利要求10的器件，上述第2端子被设置在上述介质基片的上述外表面上，并通过上述介质基片，与上述第1内导体进行电耦合。

14.根据权利要求10的器件，上述第2端子被设置在上述介质基片的上述外表面上，并通过上述介质基片，与上述第2内导体进行电耦合。

15.根据权利要求9的器件，上述共振部中相邻的2个发生电容耦合。

16.根据权利要求9的器件，上述共振部中相邻的2个发生感应耦合。

17.根据权利要求9的器件，上述多个共振部包括阶梯状凹部，上述凹部在上述第2孔开口的外表面形成，在其内部共同包含多个上述第2孔。

18.根据权利要求1所述的器件，上述第1孔包括大径部和小径部；上述大径部在上述一面上开口，上述小径部与上述大径部的下方连接。

19.根据权利要求1所述的器件，上述第2孔包括大径部和小径部；上述大径部在上述第2孔开口的面上开口，上述小径部与上述大径部的下方连接。

20.根据权利要求1所述的器件，上述第1孔比第2孔直径大。

21.根据权利要求20的器件，上述第1孔的剖面图的形状为大致方形。

22.根据权利要求1所述的器件，该器件是介质滤波器。

23.根据权利要求1所述的器件，该器件是双工器。

24.根据权利要求23的器件，其特征在于，包括3个以上的共振部、以及第1至第3端子；上述第1端子，与至少一个上述共振部进行电耦合；上述第2端子，与其它至少一个上述共振部进行电耦合；上述第3的端子，与剩余的至少一个上述共振部进行电耦合。

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