JP3329450B1 - 誘電体装置 - Google Patents
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Abstract
誘電体装置を提供する。 【解決手段】共振部Q1において、第1の孔41は、誘
電体基体1に設けられ、面21からその対向面22に向
かい、面21に開口し、内部に第1の内導体61を備え
ている。第2の孔51は誘電体基体1に設けられ、面2
1と隣り合う面23に開口し、面23からその対向面2
4の方向に向かい、誘電体基体1の内部で第1の孔41
に連なる。第2の孔51は内部に第2の内導体81を備
え、第2の内導体81は、誘電体基体1の内部で第1の
内導体61に連続する。
Description
れより構成される誘電体フィルタまたはデュプレクサ等
の誘電体装置に関する。
帯、マイクロ波帯、ミリ波帯またはサブミリ波帯等の高
周波領域において用いられる。より具体的な適用例とし
ては、衛星通信機器、移動体通信機器、無線通信機器、
高周波通信機器またはこれらの通信機器のための基地局
等を挙げることができる。
や誘電体フィルタは、通常、誘電体基体に1つの貫通孔
を設けた共振器部分を、複数組み合わせて構成されてお
り、共振器の長さは、通常、自由空間の波長λの1/4
を、誘電体基体を構成する材料の比誘電率の平方根で除
した長さである。
振器を、別途に準備した結合回路で結合させたり、或い
は、略直方体に形成された誘電体基体1の一面から外面
に複数の貫通孔を設け、開放面を除く外面と貫通孔内部
にメタライズを施し、それぞれの貫通孔を共振器部分と
する。
合は、共振器部分にキャパシタ等の付加素子を装加した
り、開放面に導体パターンを形成して、付加要素を構成
する。更には誘電体基体1そのものに溝や凹部等を設置
することにより、電磁界結合分布のバランスを意図的に
崩し、電界または磁界により結合させる等の構造が採ら
れている。
では、小型化のために、共振器の長さを短くしたい場
合、上述のように、別途、負荷容量を構成することが必
要であり、また共振器に付加素子を装加する構造では、
部品点数が多く、小型化に不向きである。
りキャパシタ等を形成する構造では、誘電体基体1の開
放面に、複雑で精密な導電パターンを形成する必要があ
り、小型化及び低背化が進展するにつれて、生産のコス
トが嵩むとともに、歩留にも悪影響を与える。
化及び低背化に適した誘電体装置を提供することであ
る。
能な誘電体装置を提供することである。
ため、本発明に係る誘電体装置は、誘電体基体と、少な
くとも一つの共振部とを含む前記誘電体基体は、少なく
とも一つの開放面を含み、前記開放面を除く外面に外導
体膜を備えている。
含む。前記第1の孔は、前記誘電体基体に設けられ、一
端が前記開放面に開口し、前記開放面からその対向する
外面の方向に向かう。第1の孔は内部に第1の内導体を
備える。
れ、一端が、前記開放面と対向していない外面に開口
し、前記誘電体基体の内部で前記第1の孔の他端に連な
る。第2の孔も、内部に第2の内導体を備える。この第
2の内導体は一端が前記誘電体基体の内部で前記第1の
内導体に連続し、他端が前記外導体膜に連続する。
では、共振部は、第1の孔と、第2の孔とを含み、開放
端とは反対側の他端に、第2の孔を交差させた新規な孔
構造が得られる。
えられた第1の内導体及び第2の孔に備えられた第2の
内導体を互いに連続させる。
よる誘電体層を介して、外導体膜と向かい合うから、第
1の内導体膜と、外導体膜との間には大きな静電容量が
発生する。このため、本発明に係る誘電体装置は、第2
の孔の軸方向で見た誘電体基体の長さに対して、その電
気長より低い周波数で共振する。換言すれば、所望の共
振周波数を得るのに誘電体基体の長さを短縮し、小型化
及び低背化を達成することができる。
電体フィルタまたはDuplexer(デュプレクサ、アンテナ
共用器とも称される)を広くカバーする装置として用い
ることができる。この内、共振器として用いる場合は、
一つの共振部で済むことがある。誘電体フィルタまたは
デュプレクサに用いる場合は、共振部は複数である。
用いられる場合は、誘電体基体の長さ寸法が、上述した
理由から短縮される他、隣接する2つの共振部におい
て、第1の孔間の間隔を利用して、隣接する共振部間に
容量牲結合を生じさせることができる。しかもこの容量
性結合は、隣接する2つの共振部において、第1の孔間
の間隔を調整することにより、所望の結合度となるよう
に調整することができる。また、隣接する共振部間の電
気的結合は、第1の内導体の開口部近傍の導体を削除
し、もしくは、開口部近傍に導体を追加することによっ
ても調整することができる。
外導体膜との間の容量を利用して、隣接する2つの共振
部の間に、実質的に、誘導性結合を生じさせることがで
きる。この誘導性結合も、第1の孔と誘電体基体に設け
られた外導体膜との間の間隔を調整することにより、所
望の誘導性結合度を有するように調整することができ
る。
第1の端子と、第2の端子とが備えられ、これらは、入
出力端子として用いられる。第1の端子は、共振部の一
方に備えられた第1の孔と、誘電体基体の層を介して対
向する位置に設けることができる。第2の端子は、もう
一つの共振部に備えられた第1の孔と誘電体層を介して
対向する位置に設けられる。これらの第1及び第2の端
子の何れも、外導体から絶縁される。
実装基板上に面付けすることが可能になる。第1及び第
2の端子は、外面に設けてもよいし、開放面に設けても
よく、隣接する2面に跨がって設けてもよい。更に、第
1及び第2の端子は、第2の内導体と容量結合するよう
に設けてもよい。
場合は、少なくとも3つの共振部、及び、第1乃至第3
の端子が備えられる。第1乃至第3の端子は、異なる共
振部のそれぞれに付設され、アンテナ接続端子、受信側
端子、及び、送信側端子として用いられる。上記構成に
よれば、第1乃至第3の端子を実装基板上に面付けする
ことが可能になる。
は、添付図面を参照して、更に詳しく説明する。但し、
本発明の技術的範囲がこれらの図示実施例に限定されな
いことは言うまでもない。
の斜視図、図2は図1に示した誘電体共振器を背面側か
ら見た斜視図、図3は図1の3ー3線に沿った断面図、
図4は図3の4ー4線に沿った断面図である。図示され
た誘電共振器は、誘電体基体1と、1つの共振部Q1と
を含む。誘電体基体1は、周知の誘電体セラミックスを
用いて、面21〜26を有する略6外面体状に形成さ
れ、開放面となる面21を除いて、外面22〜26の大
部分が外導体膜3によって覆われている。外導体膜3
は、一般に、銅または銀等を主成分とし、焼き付け、メ
ッキ等の手段によって形成される。
51とを含む。第1の孔41は、誘電体基体1に設けら
れ、一端が開放面21に開口し、開放面21からその対
向面となる外面22の方向に向かう。第1の孔41は内
部に第1の内導体61を備える。第1の内導体61は、
外導体膜3と同様の材料及び手段によって、電極膜とし
て形成される。これとは異なって、第1の内導体61は
第1の孔41の一部または全体を埋めるように充填され
ていてもよい。第1の内部導体61は、開放面21にお
いて、ギャップg11により、外導体膜3から隔てられ
ている。
る。第2の孔51は、一端が外面23に開口し、第2の
孔51は外面23からその対向面である外面24の方向
に向かい、誘電体基体1の内部で第1の孔41に連な
る。
を備える。この第2の内導体81は、外面23に開口す
る一端が外導体膜3に連続し、他端が第1の内導体61
に連続する。第2の内導体81は、第1の内導体61と
同様の材料及び手段によって形成される。第2の内導体
81は、第2の孔51の一部または全体を埋めるよう
に、充填されていてもよい。
径D2の実質的な円形状であり、第1の孔41は、図1
で見て、横方向の内径D11が、縦方向の内径D12よ
りも大きい略長方形状の孔形を有する。横方向の内径D
11は第2の孔51の内径D2よりも大きい。従って、
第2の孔51の他端は、第1の孔41の横幅内で、第1
の孔51に連なることになる。第1の孔41は、隅部が
円弧状であることが好ましい。
の孔51との連接領域から、更に、距離X1だけ奥行き
方向に突出している(図3参照)。
3と、第1の孔41との距離d0が、第2の孔51に対
向している面24と第1の孔41との距離d1より長い
(図3参照)。即ち、d0>d1である。
導体61と、外面22、外面24〜26に設けられた外
導体膜3との間には、厚みd1〜d4の誘電体層71〜
74が存在する(図3、図4参照)。更に、外面22に
は、外導体膜3との間にギャップg21を隔てて、端子
11が備えられている。端子11は誘電体層72を介し
て、第1の内導体61と静電容量C02によって結合し
ている。
41と、第2の孔51とを含む。第1の孔41は、一端
が開放面21に開口し、開放面21からその対向する外
面22に向かう。第2の孔51は、一端が、外面23に
開口し、外面23からその対向する外面24の方向に向
かい、他端が誘電体基体1の内部で第1の孔41に連な
る。即ち、一端が開放面21に位置する第1の孔41に
対して、第2の孔51を交差させた新規な孔構造が得ら
れる。
に備えられた第1の内導体61及び第2の孔51に備え
られた第2の内導体81を互いに連続させてあるから、
第1の孔41及び第2の孔51は、1つの電気回路を構
成する。第1の孔41の第1の内導体61は、誘電体基
体1による誘電体層71〜74を介して、外面22、外
面24〜26上の外導体膜3と向き合う。従って、第1
の内導体61と外導体膜3との間には、容量性結合が発
生する。
この場合、複数の第1の孔のそれぞれは、異なる外面に
開口し、それぞれに備えられた第1の内導体を、誘電体
基体1の内部で第2の内導体81に連続させる。例え
ば、図1〜図4に示した実施例において、第2の孔51
と交差する方向から、1つまたは複数の第1の孔を設け
て、第2の孔51の端部と交差させ、それぞれの内導体
を、図1〜図4に示した態様で、第2の内導体81に連
続させる。図1乃至図4の実施例では、六面体状の誘電
体基体1を用いているので、外面21、22、24、2
5、26を利用して、上述した第1の孔の追加構造を実
現できる。
導体61は、誘電体基体1による誘電体層71、73、
74を介して、外導体膜3と向かい合うから、第1の内
導体膜61と、外導体膜3との間には大きな静電容量C
01、C03、C04が発生する(図3及び図4参
照)。このため、本発明に係る誘電体装置は、第2の孔
51の軸方向で見た誘電体基体1の長さL1に対して、
その電気長より低い周波数で共振する。換言すれば、所
望の共振周波数を得るのに誘電体基体1の長さL1を短
縮し、小型化及び低背化を達成することができる。
3と、第1の孔41との距離d0が、第2の孔51に対
向している面24と第1の孔41との距離(厚み)d1
より長くなっていて、d0>d1を満たす実施例の場
合、距離(厚み)d1の寸法に応じた静電容量C01を
取得できる。
化及び低背化について、具体例を挙げて説明する。図1
〜図4に示した構造において、誘電体基体1は、比誘電
率εr=92の誘電体材料を用い、略直方体の形状とし
た。誘電体基体1の寸法は、面23で見た平面積が(2
mm×2mm)、長さL1は2.5mmとした。第2の
孔51の孔径D2は0.5mmとし、第1の孔41の孔
径D11は1mmとした。
定した共振周波数は2.02GHzであった。長さL1
について、従来、共振周波数2.02GHzの(1/
4)波長共振器では、3.5〜4mm程度必要であった
ので、本実施例の場合、30%程度短縮することができ
たことになる。
視図、図6は図5の6ー6線に沿った拡大断面図であ
る。図において、図1乃至図4に現れた構成部分と同一
の構成部分については、同一の参照符号を付し、重複説
明はできるだけ省略する。図5及び図6に示した実施例
では、第1の孔41は、一端が開放面21に開口し、他
端が開放面21と対向する外面22に開口している。第
1の孔41の内部に備えられた第1の導体膜61は、開
放面21の面上では、ギャップg11により外導体膜3
から隔てられ、外面22の面上では、ギャップg01に
より外導体膜3から隔てられている。
外面24〜26に設けられた外導体膜3との間の重なり
面積が増えるので、増大した静電容量C01、C03、
C04(図4参照)を取得できることにある。
端子11は、誘電体基体1の外面22に備えられ、誘電
体層を介して、第2の内導体81と容量結合されてい
る。端子11は、ギャップg21により、外導体膜3か
ら隔てられている。
体共振器の場合も、小型化及び低背化が可能である。
の実施例を示す斜視図、図8は図7に示した誘電体フィ
ルタを底面側から見た斜視図、図9は図7の9ー9線に
沿った断面図である。この実施例では、端子11は、外
面22と、底面となる外面24とに跨がって形成されて
いる。この実施例の場合も、誘電体共振器の小型化及び
低背化が可能である。
施例を示す斜視図、図11は図10に示した誘電体フィ
ルタを背面側から見た斜視図、図12は図10の12ー
12線に沿った断面図、図13は図12の13ー13線
に沿った断面図である。これらの図は、2つの共振部Q
1、Q2を有する誘電体フィルタの例を示している。共
振部Q1、Q2のそれぞれは、誘電体基体1を共用し、
誘電体基体1を介して一体化されている。共振部Q1は
第1の孔41と、第2の孔51とを含んでいる。第1の
孔41及び第2の孔51は、先に図示され、かつ、説明
された何れの構造も、採用することができる。図1〜図
4に示した構造を採用した場合、第1の孔41は、一端
が開放面21に開口し、開放面21から対向する外面2
2の方向に向かう。第1の孔41は内部に第1の内導体
61を備える。第1の内部導体61は、開放面21にお
いて、ギャップg11により、外導体膜3から隔てられ
ている。
と対向しない外面23に開口し、他端が誘電体基体1の
内部で第1の孔41の他端に連なる。第2の孔51の第
2の内導体81は、外面23に開口する一端が外導体膜
3に連続し、他端が誘電体基体1の内部で第1の内導体
61に連続する。
の構造であり、第1の孔42と、第2の孔52とを含ん
でいる。第1の孔42及び第2の孔52は、図1〜図9
に図示され、かつ、説明された何れかの構造を採用する
ことができる。図1〜図4に示した構造を採用した場
合、第1の孔42は、一端が開放面21に開口し、開放
面21からその外面22の方向に向かう。第1の孔42
は内部に第1の内導体62を備える。第1の内部導体6
2は、開放面21において、ギャップg12により、外
導体膜3から隔てられている。
と隣り合う外面23に開口し、他端が誘電体基体1の内
部で第1の孔42の他端に連なる。第2の孔52の第2
の内導体82は、外面23に開口する一端が外導体膜3
に連続し、他端が第1の内導体62に連続する。共振部
Q1、Q2の更に詳しい態様は、図1〜図9を参照して
説明したとおりであるので、ここでは、重複説明は省略
する。
参照すると、誘電体基体1の外面22には、入出力端子
となる第1の端子11及び第2の端子12が備えられて
いる。第1の端子11は、第1の孔41と、厚さd21
の誘電体層72を介して対向する位置に設けられ、外導
体膜3から絶縁ギャップg21によって電気的に絶縁さ
れている。
d22の誘電体層75を介して対向する位置に設けら
れ、外導体膜3から絶縁ギャップg22によって電気的
に絶縁されている。
孔41、42の内導体61、62との間には、その間の
誘電体層の厚さ、その誘電率及び面積によって定まる結
合容量が発生する。第1及び第2の端子11、12は、
第1の孔41、42の内導体61、62と重なることは
必須ではない。部分的に対向し、または、対向しない位
置に設けてあってもよい。また、絶縁ギャップg21、
g22は一つのギャップとして連続させてもよい。
容量性結合になるか、誘導性結合になるかは、共振部Q
1、Q2を構成する第1の孔41及び42の内導体61
と62の間に形成される容量C04と、第1の孔41及
び42の内導体61、62と外導体膜3の間に形成され
る容量C01、C03、C06の相対関係に依る。前者
が強い場合、Q1、Q2は容量性結合が支配的に、後者
が強い場合は誘導性結合が支配的になる。
において、共振部Q2は、共振部Q1と同じ構造である
から、その作用、利点については、共振部Q1に関する
説明を、共振部Q2についても採用できる。誘電体フィ
ルタ全体としての作用は、更に、共振部Q1と共振部Q
2との間の結合を考慮すればよい。
の実施例を示す斜視図である。図14に示した実施例の
特徴は、誘電体基体1の外面23に凹部101を有する
ことである。凹部101の内部には、共振部Q1を構成
する第2の孔51、52が含まれている。
ィメンション選定により、共振部Q1と共振部Q2との
間の結合特性及び各共振周波数を調整することができ
る。
の実施例を示す斜視図、図16は図15の16ー16線
に沿った断面図である。図示実施例において、第1の孔
41は、大径部411と、小径部412とを含んでい
る。大径部411は開放面21に開口し、小径部412
は大径部411の下方に連なる。第1の孔42も、大径
部421と、小径部422とを含んでおり、大径部42
1は開放面21に開口し、小径部422は大径部421
の下方に連なる。
1、52も、大径部511、521と、小径部512、
522とを含んでいる。大径部511、521は外面2
3に開口し、小径部512、522は大径部511、5
21の下方に連なる。
径部(411、421)、(511、521)の孔径選
定により、共振部Q1と共振部Q2との間の結合特性及
び各共振周波数を調整することができる。
有する誘電体フィルタを示す斜視図、図18は図17に
示した誘電体フィルタを底面側から見た斜視図、図19
は図17の19ー19線に沿った断面図、図20は図1
9の20ー20線に沿った断面図である。
電体基体1を共用し、誘電体基体1を介して一体化され
ている。誘電体基体1は、開放面21を除いて、外面の
大部分が外導体膜3によって覆われている。
とを含む。共振部Q2は第1の孔42と第2の孔52と
を含む。共振部Q3は第1の孔43と第2の孔53とを
含む。第1の孔41〜43及び第2の孔51〜53の個
別的構造、及び、相対関係は、既に説明した通りであ
る。
内部に設けられた第1の内導体61〜63のそれぞれ
と、外導体膜3との間には、誘電体層71、72、7
3、75、77及び78による静電容量C01、C0
2、C03、C05、C07、C08があり、共振部Q
1と共振部Q2との間には、誘電体層74による静電容
量C04があり、共振部Q2と共振部Q3との間には、
誘電体層76による静電容量C06がある(図19、図
20参照)。静電容量C01〜C08の値は、所望する
特性に応じて適宜設定する。更に、共振部Q1〜Q3の
それぞれにおいて、誘電体層71の厚みd11〜d13
(図17参照)を異ならせ、静電容量C01を共振部Q
1〜Q3のそれぞれにおいて、互いに異ならせてもよ
い。
位置する共振部Q2は、第1の孔42の深さが共振部Q
1、Q3よりも浅く、且、誘電体層71の厚みd12が
共振部Q1、Q3における誘電体層71の厚みd11、
d13よりも大きい(図17参照)。従って、共振部Q
2の静電容量C01は、共振部Q1、Q3の静電容量C
01よりも小さくなる。
1の孔41に対応する位置に、絶縁ギャップg21によ
って、外導体膜3から電気絶縁した状態で配置されてい
る。
3の孔43と対応する位置に、絶縁ギャップg22によ
って、外導体膜3から電気絶縁した状態で配置されてい
る。
先の実施例と同様の小型化及び低背化が得られる他、よ
り多くの共振部Q1〜Q3を有するので、周波数選択特
性が向上する。
ルタの周波数特性について、具体例を挙げて説明する。
図17〜図20に示した実施例において、誘電体基体1
は、比誘電率εr=92の誘電体材料を用い、略直方体
の形状とした。誘電体基体1の形状は、面23で見た平
面積が(4.2mm×2mm)、長さL1は2.5mm
とした。第2の孔51〜53の孔径D2は0.7mmと
した。隣り合う第1の孔41〜43の対向する面の距離
が近いためこの部分に大きな容量が発生する。このた
め、隣り合う共振部Q1〜Q3は容量性結合を示す。
性L11及び挿入損失特性L21を示している。図にお
いて、横軸に周波数(MHz)をとり、左縦軸に帯域通
過フィルタ特性L11のための減衰量(dB)をとり、
右縦軸に挿入損失特性L21のための挿入損失(dB)
をとってある。
有する誘電体フィルタの別の実施例を示す斜視図、図2
3は図22に対応する断面図である。図22及び図23
に示した実施例の基本的構造は、図17〜図20に示し
た実施例と同様であるが、共振部Q1〜Q3の構成がほ
ぼ同じである点、共振部Q1〜Q3の第1の孔41〜4
3の相互間隔が、図17〜図20の場合よりも拡大され
ている点、及び、共振部Q1〜Q3の第1の孔41〜4
3と、外導体膜3との間の距離に相当する誘電体層71
の厚みd11、d12、d13が、図17〜図20の場
合よりも縮小されている点で、異なる。
ルタの周波数特性について、具体例を挙げて説明する。
図21、図22に示した実施例において、誘電体基体1
は、比誘電率εr=92の誘電体材料を用い、略直方体
の形状とした。誘電体基体1の形状は、面23で見た平
面積が(4.2mm×2mm)、長さL1は2.5mm
とした。第2の孔51〜53の孔径D2は0.7mmと
した。
振部Q1〜Q3の第1の孔41〜43の相互間隔が、図
17〜図20の場合よりも拡大されているため、共振部
Q1〜Q3の相互間に発生する容量は小さい。他方、共
振部Q1〜Q3の第1の孔41〜43と、外導体膜3と
の間の距離(d11、d12、d13)が、図17〜図
20の場合よりも縮小されているため、この部分に発生
する容量(C01)は比較的大きい。このため、隣り合
う共振器Q1〜Q3の相互は誘導性結合を示す。この
点、容量性結合を示す図17〜図20の実施例と異な
る。
記具体例の帯域通過フィルタ特性L11及び挿入損失特
性L21を示している。図において、横軸に周波数(M
Hz)をとり、左縦軸に帯域通過フィルタ特性L11の
ための減衰量(dB)をとり、右縦軸に挿入損失特性L
21のための挿入損失(dB)をとってある。
器、誘電体フィルタまたはデュプレクサを広くカバーす
る装置として用いることができる。この内、誘電体共振
器及び誘電体フィルタについては、これまで、図1〜図
24を参照して詳細に説明した。紙面の都合上、これら
についての説明は、以上に留めるが、より多くの共振部
を備え得ること、図示され、かつ、説明された各実施例
の組み合わせが多数存在し得ること等は自明である。
の重要な適用例であるデュプレクサについて説明する。
図、図26は図25に示したデュプレクサを背面側から
みた斜視図、図27は図25の27ー27線に沿った断
面図である。図示されたデュプレクサは6つの共振部Q
1〜Q6を有する。共振部Q1〜Q6のそれぞれは、誘
電体基体1を共用し、誘電体基体1を介して一体化され
ている。誘電体基体1は、開放面21となる一面を除い
て、外面の大部分が外導体膜3によって覆われている。
の孔41と第2の孔51との組み合わせ、共振部Q2は
第1の孔42と第2の孔52との組み合わせ、共振部Q
3は第1の孔43と第2の孔53との組み合わせを、そ
れぞれ含む。共振部Q4は第1の孔44と第2の孔54
との組み合わせ、共振部Q5は第1の孔45と第2の孔
55との組み合わせ、共振部Q6は第1の孔46と第2
の孔56との組み合わせを、それぞれ含む。
〜56)の個別的構造、及び、相対関係の詳細は、図1
〜図20を参照して説明した通りである。第1の孔(4
1〜46)は、第1の内導体(61〜66)を有し、第
2の孔(51〜56)は第2の内導体81〜86を有す
る。
いられるので、共振部Q1〜Q3、及び、共振部Q4〜
Q6の何れか一方が送信用、他方が受信用となる。送信
周波数と受信周波数は互いに異なるので、共振部Q1〜
Q3の共振特性と、共振部Q4〜Q6の共振特性とは、
互いに異ならせる。
Q1に含まれる第1の孔41には、外面24に設けられ
た第1の端子11が、誘電体基体1による誘電体層を介
して、結合されている。
まれる第1の孔46には、誘電体基体1の外面24の側
に設けられた第3の端子13が、誘電体基体1による誘
電体層を介して、結合されている。この場合の容量結合
の詳細も、既に説明した通りである。
43、44に対しては、外面24の側において、アンテ
ナ接続用の第2の端子12が接続される。
2において、絶縁ギャップg21〜g23によって外導
体膜3から電気絶縁した状態で、配置されている。第1
乃至第3の端子11〜13は実装基板上に面付けするた
めに用いることができる。
が縦長(図25において)であり、共振部Q4〜Q6の
第1の孔44〜46は横長である。共振部Q1〜Q3の
第1の孔41〜43は、共振部Q4〜Q6の第1の孔4
4〜46よりも、外導体膜3に対する距離が小さい。従
って、共振部Q1〜Q3は、誘導性結合を示し、共振部
Q4〜Q6は、容量性結合を示す。
も、誘電体共振器または誘電体フィルタで例示した各種
の構造(図1乃至図23参照)を適用することができる
ことは勿論である。
サの具体例について説明する。図25〜図27に示した
実施例において、誘電体基体1は、比誘電率εr=92
の誘電体材料を用い、略直方体の形状とした。誘電体基
体1の形状は、面23で見た平面積が(8.5mm×2
mm)、長さL1は2.5mmとした。第2の孔51〜
56の孔径D2は0.6mmとした。
サの周波数特性である。図において、横軸に周波数(M
Hz)をとり、左縦軸に帯域通過フィルタ特性L11、
L12のための減衰量(dB)をとり、右縦軸に挿入損
失特性L21、L22のための挿入損失(dB)をとっ
てある。帯域通過フィルタ特性L11は共振部Q1〜Q
3による特性、帯域通過フィルタ特性L12は共振部Q
4〜Q6による特性である。挿入損失特性L21は共振
部Q1〜Q3のの特性、挿入損失特性L22は共振部Q
4〜Q6による特性である。
導性結合を示し、共振部Q4〜Q6は、容量性結合を示
すから、片側の3つの共振器を高い周波数の帯域通過フ
ィルタに、反対側の3つの共振器を低い周波数の帯域通
過フィルタにすると互いに相手帯域の減衰特性の良好な
デュプレクサを得ることができる。
はない。複数の共振部Q1〜Q6を形成する誘電体基体
1では、面23以外の面から形成する第1の孔41〜4
6は必ずしも同一の側面から形成されている必要はな
い。入出力端子や調整の都合に合わせて適当な側面に設
置してもよい。第1の孔41〜46の周囲の導体が無い
部分は、所望する電気的性能により、導体によって分離
されていても、また一体になっていてもよい。第2の孔
51〜56の隣に形成される他の共振部は、面23と対
向する面24から形成されていてもよい。
のような効果を得ることができる。 (a)小型化及び低背化に適した誘電体装置を提供する
ことができる。 (b)面付け実装の可能な誘電体装置を提供することが
できる。
視図である。
斜視図である。
る。
見た斜視図である。
る。
る。
示す斜視図である。
示す斜視図である。
る。
斜視図である。
見た斜視図である。
る。
る。
通過フィルタ特性及び挿入損失特性を示す図である。
実施例を示す斜視図である。
面図である。
通過フィルタ特性及び挿入損失特性を示す図である。
た斜視図である。
る。
レクサの周波数特性である。
Claims (17)
- 【請求項1】 誘電体基体と、少なくとも一つの共振部
と、端子とを含む誘電体装置であって、 前記誘電体基体は、一面とその他の外面に外導体膜を備
えており、 前記共振部は、第1の孔と、第2の孔とを含んでおり、 前記第1の孔は、 前記誘電体基体に設けられ、一端が前記一面に開口し、
前記一面からその対向する外面の方向に向かい、内部に
第1の内導体を備え、前記第1の内導体が前記一面にお
いてギャップによって前記外導体膜から隔てられてお
り、 前記第2の孔は、 前記誘電体基体に設けられ、前記一面と対向していない
外面に開口し、前記誘電体基体の内部で前記第1の孔に
連なり、内部に第2の内導体を備え、前記第2の内導体
は一端が前記誘電体基体の内部で前記第1の内導体に連
なり、他端が前記外導体膜に連なり、 前記第1の孔は、他端部が、前記第2の孔との連接領域
から、奥行き方向に突出しており、 前記端子は、前記誘電体基体の前記外面に備えられ、前
記誘電体基体を介して、前記第1の孔の前記他端部に備
えられた前記第1の内導体と電気的に結合されている装
置。 - 【請求項2】 誘電体基体と、少なくとも一つの共振部
とを含む誘電体装置であって、 前記誘電体基体は、一面とその他の外面に外導体膜を備
えており、 前記共振部は、第1の孔と、第2の孔とを含んでおり、 前記第1の孔は、 前記誘電体基体に設けられ、一端が前記一面に開口し、
前記一面からその対向する外面の方向に向かい、内部に
第1の内導体を備え、前記第1の内導体が前記一面にお
いてギャップによって前記外導体膜から隔てられてお
り、 前記第2の孔は、 前記誘電体基体に設けられ、前記一面と対向していない
外面に開口し、前記誘電体基体の内部で前記第1の孔に
連なり、内部に第2の内導体を備え、前記第2の内導体
は一端が前記誘電体基体の内部で前記第1の内導体に連
なり、他端が前記外導体膜に連なり、 前記第1の孔は複数であり、前記第1の孔のそれぞれ
は、前記誘電体基体の異なる外面に開口し、それぞれに
備えられた前記第1の内導体が、前記誘電体基体の内部
で、前記第2の内導体に連続しており、 更に、端子を含み、前記端子は前記誘電体基体の前記外
面に備えられ、前記誘電体基体を介して、前記第1の内
導体と電気的に結合されている 装置。 - 【請求項3】 誘電体基体と、少なくとも一つの共振部
とを含む誘電体装置であって、 前記誘電体基体は、一面とその他の外面に外導体膜を備
えており、 前記共振部は、第1の孔と、第2の孔とを含んでおり、 前記第1の孔は、 前記誘電体基体に設けられ、一端が前記一面に開口し、
前記一面からその対向する外面の方向に向かい、内部に
第1の内導体を備え、前記第1の内導体が前記一面にお
いてギャップによって前記外導体膜から隔てられてお
り、 前記第2の孔は、 前記誘電体基体に設けられ、前記一面と対向していない
外面に開口し、前記誘電体基体の内部で前記第1の孔に
連なり、内部に第2の内導体を備え、前記第2の内導体
は一端が前記誘電体基体の内部で前記第1の内導体に連
なり、他端が前記外導体膜に連なり、 前記第1の孔は複数であり、前記第1の孔のそれぞれ
は、前記誘電体基体の異なる外面に開口し、前記誘電体
基体の内部で1つの前記第2の孔の端部と交差し、それ
ぞれに備えられた前記第1の内導体が、前記誘電体基体
の内部で、前記第2の内導体に連続している装置。 - 【請求項4】 請求項3に記載された装置であって、端
子を含んでおり、前記端子は前記誘電体基体の前記外面
に備えられ、前記誘電体基体を介して、前記第1の内導
体と電気的に結合されている装置。 - 【請求項5】 請求項1乃至4の何れかに記載された装
置であって、前記第2の孔が開口している外面と、前記
第1の孔との距離が、前記第2の孔に対向している面と
第1の孔との距離より長い装置。 - 【請求項6】 請求項1乃至5の何れかに記載された装
置であって、前記共振部は複数であり、隣接する共振部
は、前記第1の内導体により、前記誘電体基体を介し
て、電気的に結合されている装置。 - 【請求項7】 請求項1、2または4に記載された装置
であって、前記端子は、第1の端子と、第2の端子とを
含んでおり、 前記第1の端子は、前記誘電体基体に備えられ、前記共
振部の少なくとも一つと電気的に結合し、 前記第2の端子は、前記誘電体基体に備えられ、前記共
振部の他の少なくとも一つと電気的に結合している装
置。 - 【請求項8】 請求項7に記載された装置であって、 前記第1の端子は、前記誘電体基体の前記外面に備えら
れ、前記誘電体基体を介して、前記第1の内導体と電気
的に結合している装置。 - 【請求項9】 請求項7に記載された装置であって、 前記第1の端子は、前記誘電体基体の前記外面に備えら
れ、前記誘電体基体を介して、前記第2の内導体と電気
的に結合している装置。 - 【請求項10】 請求項7に記載された装置であって、 前記第2の端子は、前記誘電体基体の前記外面に備えら
れ、前記誘電体基体を介して、前記第1の内導体と電気
的に結合している装置。 - 【請求項11】 請求項7に記載された装置であって、 前記第2の端子は、前記誘電体基体の前記外面に備えら
れ、前記誘電体基体を介して、前記第2の内導体と電気
的に結合している装置。 - 【請求項12】 請求項8に記載された装置であって、
前記複数の共振部は、ステップ状の凹部を含んでおり、
前記凹部は、前記第2の孔が開口する外面に形成され、
その内部に複数の前記第2の孔を共通に含む装置。 - 【請求項13】 請求項1乃至3の何れかに記載された
装置であって、 前記第1の孔は、大径部と、小径部とを含み、 前記大径部は前記一面に開口し、前記小径部は前記大径
部に連なる装置。 - 【請求項14】 請求項1乃至3の何れかに記載された
装置であって、 前記第2の孔は、大径部と、小径部とを含み、 前記大径部は、前記第2の孔が開口する面に開口し、前
記小径部は前記大径部に連なる装置。 - 【請求項15】 請求項1乃至3の何れかに記載された
装置であって、誘電体フィルタである装置。 - 【請求項16】 請求項1乃至3の何れかに記載された
装置であって、デュプレクサである装置。 - 【請求項17】 請求項16に記載された装置であっ
て、 3つ以上の共振部と、第1乃至第3の端子とを含み、 前記第1の端子は、前記共振部の少なくとも一つに電気
的に結合し、 前記第2の端子は、前記共振部の他の少なくとも一つに
電気的に結合し、 前記第3の端子は、前記共振部の残りの少なくとも一つ
に電気的に結合されている装置。
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