JPH0998004A - 誘電体フィルタ - Google Patents
誘電体フィルタInfo
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- JPH0998004A JPH0998004A JP27676695A JP27676695A JPH0998004A JP H0998004 A JPH0998004 A JP H0998004A JP 27676695 A JP27676695 A JP 27676695A JP 27676695 A JP27676695 A JP 27676695A JP H0998004 A JPH0998004 A JP H0998004A
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- Japan
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- coupling element
- inductor
- dielectric filter
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 誘電率を持った基板上に回路構成用導体を形
成してインダクタを接続しても、高周波域でのインピー
ダンスの低下がみられず、減衰量の大きい誘電体フィル
タを提供すること。 【解決手段】 同軸型誘電体共振器を結合するための電
気結合素子及び該電気結合素子を電気的に接続するため
の回路構成用導体である電気結合素子接続用導体と接地
導体が形成された基板からなり、前記電気結合素子がイ
ンダクタである誘電体フィルタにおいて、前記インダク
タの二つの接続端子が電気的に接続される互いに電気的
に独立な電気結合素子接続用導体６７ｃの間に、接地導
体に電気的に接続されている導体１１が形成されてい
る。
成してインダクタを接続しても、高周波域でのインピー
ダンスの低下がみられず、減衰量の大きい誘電体フィル
タを提供すること。 【解決手段】 同軸型誘電体共振器を結合するための電
気結合素子及び該電気結合素子を電気的に接続するため
の回路構成用導体である電気結合素子接続用導体と接地
導体が形成された基板からなり、前記電気結合素子がイ
ンダクタである誘電体フィルタにおいて、前記インダク
タの二つの接続端子が電気的に接続される互いに電気的
に独立な電気結合素子接続用導体６７ｃの間に、接地導
体に電気的に接続されている導体１１が形成されてい
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、主として、移動体
通信機器等に用いられるマイクロ波等、数１００ＭＨｚ
〜数ＧＨｚの高周波帯域の誘電体フィルタに関するもの
である。
通信機器等に用いられるマイクロ波等、数１００ＭＨｚ
〜数ＧＨｚの高周波帯域の誘電体フィルタに関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】図６（ａ），図６（ｂ）に、従来の誘電
体フィルタの回路構成用導体が形成された基板６１の構
造を示す。基板６１の部品面は、図６（ａ）に示すよう
に、入出力端子用導体６２ａ、接地端子用導体６３ａ、
接地導体６４ａ、スルーホール６５、共振器接続用導体
６６、電気結合素子接続用導体６７ａ，６７ｂ，及び６
７ｃから構成されている。
体フィルタの回路構成用導体が形成された基板６１の構
造を示す。基板６１の部品面は、図６（ａ）に示すよう
に、入出力端子用導体６２ａ、接地端子用導体６３ａ、
接地導体６４ａ、スルーホール６５、共振器接続用導体
６６、電気結合素子接続用導体６７ａ，６７ｂ，及び６
７ｃから構成されている。
【０００３】基板６１の半田面は、図６（ｂ）に示すよ
うに、入出力端子用導体６２ｂ、接地端子用導体６３
ｂ、及び接地導体６４ｂから構成されている。
うに、入出力端子用導体６２ｂ、接地端子用導体６３
ｂ、及び接地導体６４ｂから構成されている。
【０００４】入出力端子用導体６２ａと６２ｂは、基板
側面に形成された導体６２ｃによって電気的に短絡さ
れ、入出力端子を形成している。
側面に形成された導体６２ｃによって電気的に短絡さ
れ、入出力端子を形成している。
【０００５】接地用端子も同様に、図６（ｃ）に示すよ
うに、接地端子用導体６３ａと６３ｂが、基板側面に形
成された導体６３ｃによって短絡している。
うに、接地端子用導体６３ａと６３ｂが、基板側面に形
成された導体６３ｃによって短絡している。
【０００６】又、接地導体６４ａと６４ｂは、スルーホ
ール６５によって短絡している。
ール６５によって短絡している。
【０００７】同軸型誘電体共振器７１は、公知である
が、図７を用いて説明すると、四角柱状の誘電体ブロッ
クの長さ方向に、同軸状に中心孔７２が設けられ、誘電
体ブロックの外部には外部導体７３、中心孔７２の内部
には内部導体７４が形成されている。
が、図７を用いて説明すると、四角柱状の誘電体ブロッ
クの長さ方向に、同軸状に中心孔７２が設けられ、誘電
体ブロックの外部には外部導体７３、中心孔７２の内部
には内部導体７４が形成されている。
【０００８】又、誘電体ブロックの端面は、電極が形成
された短絡端７５と、電極の形成されていない開放端７
６からなる。共振器の長さＬは、この共振器によって構
成される誘電体フィルタの中心周波数の１／４波長に選
定される。
された短絡端７５と、電極の形成されていない開放端７
６からなる。共振器の長さＬは、この共振器によって構
成される誘電体フィルタの中心周波数の１／４波長に選
定される。
【０００９】図８に、従来の誘電体フィルタの構造を示
す。
す。
【００１０】ここでは、同軸型誘電体共振器を２個用い
た場合の例について述べる。同軸型誘電体共振器７１の
外部導体７３は、接地導体６４ａ上に電気的に接続され
ている。
た場合の例について述べる。同軸型誘電体共振器７１の
外部導体７３は、接地導体６４ａ上に電気的に接続され
ている。
【００１１】内部導体７４と共振器接続用導体６６は、
端子ピン８１によって電気的に接続されている。
端子ピン８１によって電気的に接続されている。
【００１２】又、電気結合素子接続用導体６７ａ，６７
ｂ，及び６７ｃには、コンデンサ８２，８３、及びイン
ダクタ８４が電気的に接続されている。
ｂ，及び６７ｃには、コンデンサ８２，８３、及びイン
ダクタ８４が電気的に接続されている。
【００１３】更に、フィルタ全体が、金属ケース８５に
よって覆われ、同軸型誘電体共振器上面の外部導体７３
と接地端子用導体６３ａの一部で接地される。
よって覆われ、同軸型誘電体共振器上面の外部導体７３
と接地端子用導体６３ａの一部で接地される。
【００１４】図９は、上記に示す誘電体フィルタの等価
回路である。
回路である。
【００１５】この誘電体フィルタの具体例として、ε＝
５の基板上に、回路構成用導体及び接地導体を形成し
て、ε＝９０、□３ｍｍ、Ｑ＝３００の同軸型誘電体共
振器（ｆ1＝１５５２ＭＨｚ，ｆ2＝１４７７ＭＨｚ）、
Ｃ1＝１.０２ｐＦ、Ｃ2＝０.４４ｐＦ、Ｌ1＝１３ｎＨ
として、パンドパスフィルタを構成した場合の周波数特
性を図１０に示す。
５の基板上に、回路構成用導体及び接地導体を形成し
て、ε＝９０、□３ｍｍ、Ｑ＝３００の同軸型誘電体共
振器（ｆ1＝１５５２ＭＨｚ，ｆ2＝１４７７ＭＨｚ）、
Ｃ1＝１.０２ｐＦ、Ｃ2＝０.４４ｐＦ、Ｌ1＝１３ｎＨ
として、パンドパスフィルタを構成した場合の周波数特
性を図１０に示す。
【００１６】この誘電体フィルタの主な特性として、中
心周波数ｆ0＝１５００ＭＨｚで、挿入損失は１.５ｄ
Ｂ、３×ｆ0において、約１６ｄＢの減衰特性が得られ
ている。
心周波数ｆ0＝１５００ＭＨｚで、挿入損失は１.５ｄ
Ｂ、３×ｆ0において、約１６ｄＢの減衰特性が得られ
ている。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】一般に、誘電体フィル
タの特性には、通過帯域内において、低挿入損失である
こと、通過帯域外、特に、中心周波数の２倍、３倍とい
う、より高周波域のスプリアスにおいて、高減衰量であ
ること等があげられる。
タの特性には、通過帯域内において、低挿入損失である
こと、通過帯域外、特に、中心周波数の２倍、３倍とい
う、より高周波域のスプリアスにおいて、高減衰量であ
ること等があげられる。
【００１８】図１１（ａ）は、最も一般的なパンドパス
フィルタの等価回路を示している。ｆの共振周波数を持
つ共振器は、コンデンサＣ1〜Ｃ3によって結合してい
る。
フィルタの等価回路を示している。ｆの共振周波数を持
つ共振器は、コンデンサＣ1〜Ｃ3によって結合してい
る。
【００１９】高周波域で高減衰量を得るには、コンデン
サＣ1〜Ｃ3のいずれかをインダクタによって結合してや
ればよい［例えば、図１１（ｂ）のように、Ｃ3をＬ1に
替える等である］。つまり、式１及び式２に示すよう
に、図１２（ａ）によれば、コンデンサのインピーダン
スは、周波数とともに低下するのに対して、インダクタ
のインピーダンスは、周波数とともに増加するからであ
る。
サＣ1〜Ｃ3のいずれかをインダクタによって結合してや
ればよい［例えば、図１１（ｂ）のように、Ｃ3をＬ1に
替える等である］。つまり、式１及び式２に示すよう
に、図１２（ａ）によれば、コンデンサのインピーダン
スは、周波数とともに低下するのに対して、インダクタ
のインピーダンスは、周波数とともに増加するからであ
る。
【００２０】 コンデンサのインピーダンス Ｚ＝１／ｊωＣ ・・・・・・・・・・ （式１） インダクタのインピーダンス Ｎ＝ｊωＬ ・・・・・・・・・・・・・ （式２） 但し、ｊは虚数単位、ωは角周波数、Ｃはコンデンサの
容量、Ｌはインダクタンスとする。
容量、Ｌはインダクタンスとする。
【００２１】しかしながら、従来の技術によれば、誘電
率を持った基板上に回路構成用導体を形成してインダク
タを接続するので、基板の誘電性によって回路構成用導
体の間にＣｓなる容量が発生するため、実際の等価回路
としては、図１１（ｃ）に示すように、インダクタとコ
ンデンサが並列に接続されたようになる。
率を持った基板上に回路構成用導体を形成してインダク
タを接続するので、基板の誘電性によって回路構成用導
体の間にＣｓなる容量が発生するため、実際の等価回路
としては、図１１（ｃ）に示すように、インダクタとコ
ンデンサが並列に接続されたようになる。
【００２２】従って、この部分のインピーダンスは、式
３のようになり、図１２（ｂ）に示すように、共振点を
越えた高周波域では、インピーダンスは低下するので、
減衰量も低下するという問題があった。
３のようになり、図１２（ｂ）に示すように、共振点を
越えた高周波域では、インピーダンスは低下するので、
減衰量も低下するという問題があった。
【００２３】インダクタとコンデンサの並列回路のイン
ピーダンス １／Ｚ＝１／（１／ｊωＣ＋ｊωＬ） ・・・・・・・・・・・・・・ （式３）
ピーダンス １／Ｚ＝１／（１／ｊωＣ＋ｊωＬ） ・・・・・・・・・・・・・・ （式３）
【００２４】本発明の課題は、誘電率を持った基板上に
回路構成用導体を形成してインダクタを接続しても、高
周波域でのインピーダンスの低下がみられず、減衰量の
大きい誘電体フィルタを提供することにある。
回路構成用導体を形成してインダクタを接続しても、高
周波域でのインピーダンスの低下がみられず、減衰量の
大きい誘電体フィルタを提供することにある。
【００２５】
【課題を解決するための手段】本発明によると、同軸型
誘電体共振器を結合するための電気結合素子及び該電気
結合素子を電気的に接続するための回路構成用導体であ
る電気結合素子接続用導体と接地導体が形成された基板
からなり、前記電気結合素子がインダクタである誘電体
フィルタにおいて、前記インダクタの二つの接続端子が
電気的に接続される互いに電気的に独立な電気結合素子
接続用導体の間に、接地導体に電気的に接続されている
導体が形成されていることを特徴とする誘電体フィルタ
が得られる。
誘電体共振器を結合するための電気結合素子及び該電気
結合素子を電気的に接続するための回路構成用導体であ
る電気結合素子接続用導体と接地導体が形成された基板
からなり、前記電気結合素子がインダクタである誘電体
フィルタにおいて、前記インダクタの二つの接続端子が
電気的に接続される互いに電気的に独立な電気結合素子
接続用導体の間に、接地導体に電気的に接続されている
導体が形成されていることを特徴とする誘電体フィルタ
が得られる。
【００２６】又、本発明によると、前記電気結合素子接
続用導体の間に形成された導体が、スルーホールによっ
て前記接地導体と電気的に接続されていることを特徴と
する上記誘電体フィルタが得られる。
続用導体の間に形成された導体が、スルーホールによっ
て前記接地導体と電気的に接続されていることを特徴と
する上記誘電体フィルタが得られる。
【００２７】又、本発明によると、前記基板に凹部が形
成され、該凹部に前記接地導体と電気的に接続されてい
る導体が形成されていることを特徴とする上記誘電体フ
ィルタが得られる。
成され、該凹部に前記接地導体と電気的に接続されてい
る導体が形成されていることを特徴とする上記誘電体フ
ィルタが得られる。
【００２８】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面を用い
て説明する。
て説明する。
【００２９】本発明の第１の実施例の誘電体フィルタに
用いられる基板を図１に示す。図１に示すように、基板
部品面には、インダクタ電気結合素子接続用導体６７ｃ
の間に、接地導体１１が形成されている。接地導体１１
は、スルーホール１２によって、半田面にある接地導体
６４ｂ（図６参照）に短絡しているため、インダクタ電
気結合素子接続用導体６７ｃ間の基板による容量結合
は、除去あるいは低減される。
用いられる基板を図１に示す。図１に示すように、基板
部品面には、インダクタ電気結合素子接続用導体６７ｃ
の間に、接地導体１１が形成されている。接地導体１１
は、スルーホール１２によって、半田面にある接地導体
６４ｂ（図６参照）に短絡しているため、インダクタ電
気結合素子接続用導体６７ｃ間の基板による容量結合
は、除去あるいは低減される。
【００３０】従来の技術で述べた誘電体フィルタのイン
ダクタ電気結合素子接続用導体の間に、この接地導体１
１のパターン及びスルーホール１２を形成した時の周波
数特性を図２に示す。
ダクタ電気結合素子接続用導体の間に、この接地導体１
１のパターン及びスルーホール１２を形成した時の周波
数特性を図２に示す。
【００３１】コンデンサ、インダクタ、及び共振周波数
等の定数や、その他の構造については、従来の技術で述
べたのと同様である。
等の定数や、その他の構造については、従来の技術で述
べたのと同様である。
【００３２】この誘電体フィルタの主な特性は、通過帯
域内、あるいは通過帯域近傍での特性は、従来の技術で
述べたとほとんど同じであるが、図２に示すように、３
×ｆ0での減衰量は、約２５ｄＢと、従来の場合に比
べ、約９ｄＢの減衰量の改善が見られた。
域内、あるいは通過帯域近傍での特性は、従来の技術で
述べたとほとんど同じであるが、図２に示すように、３
×ｆ0での減衰量は、約２５ｄＢと、従来の場合に比
べ、約９ｄＢの減衰量の改善が見られた。
【００３３】図３は、本発明の第２の実施例の誘電体フ
ィルタ用の基板である。インダクタ電気結合素子接続用
導体６７ｃ間には、接地導体１１が形成され、インダク
タ電気結合素子接続用導体６７ｃ間の外側にスルーホー
ル１２が形成され、接地導体６４ｂに短絡している。
ィルタ用の基板である。インダクタ電気結合素子接続用
導体６７ｃ間には、接地導体１１が形成され、インダク
タ電気結合素子接続用導体６７ｃ間の外側にスルーホー
ル１２が形成され、接地導体６４ｂに短絡している。
【００３４】スルーホール１２の径の大きさには、最小
限度があるため、インダクタ電気結合素子接続用導体６
７ｃの間隔が、スルーホール１２の最小径よりも狭い場
合に、特に効果がある。
限度があるため、インダクタ電気結合素子接続用導体６
７ｃの間隔が、スルーホール１２の最小径よりも狭い場
合に、特に効果がある。
【００３５】図４は、本発明の第３の実施例の誘電体フ
ィルタ用の基板である。インダクタ電気結合素子接続用
導体６７ｃ間には、導体１１が形成され、接地端子用導
体６３ａ間に接続されている。
ィルタ用の基板である。インダクタ電気結合素子接続用
導体６７ｃ間には、導体１１が形成され、接地端子用導
体６３ａ間に接続されている。
【００３６】本実施例は、スルーホールが形成できな
い、あるいは形成が難しい場合に、特に有効である。
い、あるいは形成が難しい場合に、特に有効である。
【００３７】図５（ａ）は、本発明の第４の実施例の誘
電体フィルタ用の基板である。基板に形成された凹部５
１に導体１１が形成されている。
電体フィルタ用の基板である。基板に形成された凹部５
１に導体１１が形成されている。
【００３８】インダクタの下面と接地導体が接触する
と、インダクタの電磁界の漏れの影響により、Ｑの低下
やインダクタンスのずれが生じる。
と、インダクタの電磁界の漏れの影響により、Ｑの低下
やインダクタンスのずれが生じる。
【００３９】従って、導体１１が形成される部分を凹部
に形成し、インダクタの下面と導体１１が接触しないよ
うにすることで、上記問題が解決している。
に形成し、インダクタの下面と導体１１が接触しないよ
うにすることで、上記問題が解決している。
【００４０】なお、図５（ｂ）に示すように、第３の実
施例で示したようなスルーホール１２が形成できないよ
うな場合においても、凹部５１をインダクタ電気結合素
子接続用導体６７ｃの間のみに設け、インダクタの下面
と導体１１が接触しないようにすることが可能である。
施例で示したようなスルーホール１２が形成できないよ
うな場合においても、凹部５１をインダクタ電気結合素
子接続用導体６７ｃの間のみに設け、インダクタの下面
と導体１１が接触しないようにすることが可能である。
【００４１】
【発明の効果】以上に述べたとおり、本発明によれば、
インダクタが接続用導体の間に接地導体を形成すること
によって、基板による導体間の容量結合が除去あるいは
低減され、高周波域でのインピーダンスの低下を防ぐこ
とができるので、高周波域での誘電体フィルタの減衰特
性の改善が可能である。
インダクタが接続用導体の間に接地導体を形成すること
によって、基板による導体間の容量結合が除去あるいは
低減され、高周波域でのインピーダンスの低下を防ぐこ
とができるので、高周波域での誘電体フィルタの減衰特
性の改善が可能である。
【図１】本発明の第１の実施例の誘電体フィルタに用い
られる基板の基板部品面を示す平面図。
られる基板の基板部品面を示す平面図。
【図２】本発明の第１の実施例の誘電体フィルタによる
特性を示す図。
特性を示す図。
【図３】本発明の第２の実施例の誘電体フィルタに用い
られる基板の基板部品面を示す平面図。
られる基板の基板部品面を示す平面図。
【図４】本発明の第３の実施例の誘電体フィルタに用い
られる基板の基板部品面を示す平面図。
られる基板の基板部品面を示す平面図。
【図５】本発明の第４の実施例の誘電体フィルタに用い
られる基板の基板部品面を示す平面図。
られる基板の基板部品面を示す平面図。
【図６】従来の誘電体フィルタの回路構成用導体が形成
された基板の構造を示した説明図。図６（ａ）は、基板
部品面の平面図。図６（ｂ）は、基板半田面の平面図。
図６（ｃ）は、接地端子用導体と基板側面に形成された
導体によって電気的に接続されている状態を示す斜視
図。
された基板の構造を示した説明図。図６（ａ）は、基板
部品面の平面図。図６（ｂ）は、基板半田面の平面図。
図６（ｃ）は、接地端子用導体と基板側面に形成された
導体によって電気的に接続されている状態を示す斜視
図。
【図７】同軸型誘電体共振器の構造を示す図。図７
（ａ）は、四角柱状の誘電体共振器の斜視図。図７
（ｂ）は、四角柱状の誘電体共振器の部分破断図。
（ａ）は、四角柱状の誘電体共振器の斜視図。図７
（ｂ）は、四角柱状の誘電体共振器の部分破断図。
【図８】従来の誘電体フィルタの構造を示した斜視図。
【図９】図８に示す誘電体フィルタの等価回路を示す回
路図。
路図。
【図１０】図８に示す誘電体フィルタの特性を示す図。
【図１１】インダクタに基板容量が付加した時の誘電体
フィルタの等価回路を示す回路図。図１１（ａ）は、共
振器がＣ1〜Ｃ3に結合しているバンドパスフィルタの等
価回路を示す図。図１１（ｂ）は、Ｃ3をＬ1に替えたバ
ンドパスフィルタの等価回路を示す図。図１１（ｃ）
は、Ｃ3をインダクタとコンデンサが並列に接続された
バンドパスフィルタの等価回路を示す図。
フィルタの等価回路を示す回路図。図１１（ａ）は、共
振器がＣ1〜Ｃ3に結合しているバンドパスフィルタの等
価回路を示す図。図１１（ｂ）は、Ｃ3をＬ1に替えたバ
ンドパスフィルタの等価回路を示す図。図１１（ｃ）
は、Ｃ3をインダクタとコンデンサが並列に接続された
バンドパスフィルタの等価回路を示す図。
【図１２】高周波域でのＣ，Ｌ，Ｃ及びＬ並列の減衰特
性を示す図。図１２（ａ）は、インダクタ及びコンデン
サの減衰特性を示す図。図１２（ｂ）は、インダクタに
基板容量が付加した時の減衰特性を示す図。
性を示す図。図１２（ａ）は、インダクタ及びコンデン
サの減衰特性を示す図。図１２（ｂ）は、インダクタに
基板容量が付加した時の減衰特性を示す図。
１１，６２ｃ，６３ｃ，６４ａ，６４ｂ （接地）導
体 １２ スルーホール ５１ 凹部 ６１ 基板 ６２ａ，６２ｂ 入出力端子用導体 ６３ａ，６３ｂ 接地端子用導体 ６５ スルーホール ６６ 共振器接続用導体 ６７ａ，６７ｂ，６７ｃ （インダクタ）電気結合素
子接続用導体 ７１ 同軸型誘電体共振器 ７２ 中心孔 ７３ 外部導体 ７４ 内部導体 ７５ 短絡端 ７６ 開放端 ８１ 端子ピン ８２，８３ コンデンサ ８４ インダクタ ８５ 金属ケース Ｌ 長さ
体 １２ スルーホール ５１ 凹部 ６１ 基板 ６２ａ，６２ｂ 入出力端子用導体 ６３ａ，６３ｂ 接地端子用導体 ６５ スルーホール ６６ 共振器接続用導体 ６７ａ，６７ｂ，６７ｃ （インダクタ）電気結合素
子接続用導体 ７１ 同軸型誘電体共振器 ７２ 中心孔 ７３ 外部導体 ７４ 内部導体 ７５ 短絡端 ７６ 開放端 ８１ 端子ピン ８２，８３ コンデンサ ８４ インダクタ ８５ 金属ケース Ｌ 長さ
Claims (3)
- 【請求項１】 同軸型誘電体共振器を結合するための電
気結合素子及び該電気結合素子を電気的に接続するため
の回路構成用導体である電気結合素子接続用導体と接地
導体が形成された基板からなり、前記電気結合素子がイ
ンダクタである誘電体フィルタにおいて、前記インダク
タの二つの接続端子が電気的に接続される互いに電気的
に独立な電気結合素子接続用導体の間に、接地導体に電
気的に接続されている導体が形成されていることを特徴
とする誘電体フィルタ。 - 【請求項２】 前記電気結合素子接続用導体の間に形成
された導体が、スルーホールによって前記接地導体と電
気的に接続されていることを特徴とする請求項１記載の
誘電体フィルタ。 - 【請求項３】 前記基板に凹部が形成され、該凹部に前
記接地導体と電気的に接続されている導体が形成されて
いることを特徴とする請求項１又は２記載の誘電体フィ
ルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27676695A JPH0998004A (ja) | 1995-09-28 | 1995-09-28 | 誘電体フィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27676695A JPH0998004A (ja) | 1995-09-28 | 1995-09-28 | 誘電体フィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0998004A true JPH0998004A (ja) | 1997-04-08 |
Family
ID=17574064
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27676695A Withdrawn JPH0998004A (ja) | 1995-09-28 | 1995-09-28 | 誘電体フィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0998004A (ja) |
-
1995
- 1995-09-28 JP JP27676695A patent/JPH0998004A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20040420 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20040716 |