JPH1174704A - 誘電体フィルタ - Google Patents
誘電体フィルタInfo
- Publication number
- JPH1174704A JPH1174704A JP24943697A JP24943697A JPH1174704A JP H1174704 A JPH1174704 A JP H1174704A JP 24943697 A JP24943697 A JP 24943697A JP 24943697 A JP24943697 A JP 24943697A JP H1174704 A JPH1174704 A JP H1174704A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating substrate
- conductor
- circuit
- conductors
- dielectric filter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 共振周波数のシフト量を低減し、浮遊容量、
結合容量のＱによる挿入損失の劣化を低減する誘電体フ
ィルタの提供。 【解決手段】 絶縁基板２１の一方の面にのみに形成し
た回路用導体２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄに電気結
合素子（キャパシタ）６ａ，６ｂ，６ｃが電気的に接続
され、回路用導体２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄと同
軸型共振器１ａ，１ｂの内導体１３及び入出力端子７を
互いに電気的接続するための接続端子２３によって、絶
縁基板２１が中空に接続されている誘電体フィルタ。
結合容量のＱによる挿入損失の劣化を低減する誘電体フ
ィルタの提供。 【解決手段】 絶縁基板２１の一方の面にのみに形成し
た回路用導体２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄに電気結
合素子（キャパシタ）６ａ，６ｂ，６ｃが電気的に接続
され、回路用導体２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄと同
軸型共振器１ａ，１ｂの内導体１３及び入出力端子７を
互いに電気的接続するための接続端子２３によって、絶
縁基板２１が中空に接続されている誘電体フィルタ。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、主に中心周波数が
数百ＭＨｚ〜数ＧＨｚで使用される移動体通信機器に用
いられる誘電体フィルタに関する。
数百ＭＨｚ〜数ＧＨｚで使用される移動体通信機器に用
いられる誘電体フィルタに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の誘電体フィルタの一例を、図４に
示した２個の同軸型共振器１ａ，１ｂを用いたバンドパ
スフィルタにより説明する。
示した２個の同軸型共振器１ａ，１ｂを用いたバンドパ
スフィルタにより説明する。
【０００３】まず、同軸型共振器１ａについて、説明す
る。同軸型共振器１ａは、図５に示すように、四角柱状
をした誘電体セラミックブロック１０に貫通孔１１が形
成され、誘電体セラミックブロック１０の外周を覆うよ
うに外導体１２が、また貫通孔１１の内部には内導体１
３が形成され、誘電体セラミックブロック１０の両端の
一方の端面には短絡端導体１４が形成された短絡端１６
と導体膜が形成されていない開放端１５から成る。
る。同軸型共振器１ａは、図５に示すように、四角柱状
をした誘電体セラミックブロック１０に貫通孔１１が形
成され、誘電体セラミックブロック１０の外周を覆うよ
うに外導体１２が、また貫通孔１１の内部には内導体１
３が形成され、誘電体セラミックブロック１０の両端の
一方の端面には短絡端導体１４が形成された短絡端１６
と導体膜が形成されていない開放端１５から成る。
【０００４】図４において、同軸型共振器１ａ，１ｂは
基板２上に形成された接地導体３に配列され接地されて
いる。基板２の裏面には入出力端子７の周辺を除いた全
体に接地導体３が形成されている。また、同軸型共振器
１ａ、１ｂは、内導体１３に接続された端子ピン４を介
して回路用導体５に接続され、キャパシタ６ａ，６ｂ，
６ｃと接続されている。更に、金属ケース９がバンドパ
スフィルタ全体を覆うように設置されている。尚、８は
接地用端子である。
基板２上に形成された接地導体３に配列され接地されて
いる。基板２の裏面には入出力端子７の周辺を除いた全
体に接地導体３が形成されている。また、同軸型共振器
１ａ、１ｂは、内導体１３に接続された端子ピン４を介
して回路用導体５に接続され、キャパシタ６ａ，６ｂ，
６ｃと接続されている。更に、金属ケース９がバンドパ
スフィルタ全体を覆うように設置されている。尚、８は
接地用端子である。
【０００５】次に、図４を参照して誘電体フィルタの具
体例について説明する。誘電率が４０の同軸型共振器１
ａ、１ｂの共振周波数は、１.９５〜２.０５ＧＨｚ、キ
ャパシタ６ａ，６ｂ，６ｃは、０.１ｐＦ〜０.５ｐＦで
ある。この誘電体フィルタの等価回路を図６に、また図
７の曲線（ａ）に減衰特性の設計値を示す。尚、この設
計値は、中心周波数が２.０ＧＨｚ、通過帯域幅が３５
ＭＨｚ、挿入損失が０.９９ｄＢである。また、これに
対し、試作した誘電体フィルタの試作結果を図７の曲線
（ｂ）の減衰特性で示す。この曲線（ｂ）からわかるよ
うに中心周波数は１.９６２ＧＨｚで、挿入損失は１.３
３ｄＢであり、設計値と比べ中心周波数で約３８ＭＨｚ
低周波側にシフトし、挿入損失も０.３４ｄＢの劣化が
見られた。
体例について説明する。誘電率が４０の同軸型共振器１
ａ、１ｂの共振周波数は、１.９５〜２.０５ＧＨｚ、キ
ャパシタ６ａ，６ｂ，６ｃは、０.１ｐＦ〜０.５ｐＦで
ある。この誘電体フィルタの等価回路を図６に、また図
７の曲線（ａ）に減衰特性の設計値を示す。尚、この設
計値は、中心周波数が２.０ＧＨｚ、通過帯域幅が３５
ＭＨｚ、挿入損失が０.９９ｄＢである。また、これに
対し、試作した誘電体フィルタの試作結果を図７の曲線
（ｂ）の減衰特性で示す。この曲線（ｂ）からわかるよ
うに中心周波数は１.９６２ＧＨｚで、挿入損失は１.３
３ｄＢであり、設計値と比べ中心周波数で約３８ＭＨｚ
低周波側にシフトし、挿入損失も０.３４ｄＢの劣化が
見られた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】図４に示したような従
来構成の場合、前記絶縁基板２上に形成された回路用導
体５と絶縁基板２の裏面の接地導体３と浮遊容量（図８
中に示すＣｓ３、Ｃｓ５）によって、共振周波数が低周
波側にシフトしたり、更に、浮遊容量のＱによって、誘
電体フィルタの挿入損失が劣化するという問題があっ
た。
来構成の場合、前記絶縁基板２上に形成された回路用導
体５と絶縁基板２の裏面の接地導体３と浮遊容量（図８
中に示すＣｓ３、Ｃｓ５）によって、共振周波数が低周
波側にシフトしたり、更に、浮遊容量のＱによって、誘
電体フィルタの挿入損失が劣化するという問題があっ
た。
【０００７】また、結合用キャパシタやインダクタを絶
縁基板２上に実装した場合も同様に、回路用導体５と接
地導体３の間にできる浮遊容量（図８中に示すＣｓ１、
Ｃｓ７）や、回路用導体５間の結合容量（図８中に示す
Ｃｓ２，Ｃｓ４，Ｃｓ６）のＱによる挿入損失の劣化が
生じるという問題があった。
縁基板２上に実装した場合も同様に、回路用導体５と接
地導体３の間にできる浮遊容量（図８中に示すＣｓ１、
Ｃｓ７）や、回路用導体５間の結合容量（図８中に示す
Ｃｓ２，Ｃｓ４，Ｃｓ６）のＱによる挿入損失の劣化が
生じるという問題があった。
【０００８】従って、本発明は、これらの問題点を鑑み
行われたものであり、共振周波数のシフト量を低減し、
浮遊容量、結合容量のＱによる挿入損失の劣化を低減す
る誘電体フィルタを提供することにある。
行われたものであり、共振周波数のシフト量を低減し、
浮遊容量、結合容量のＱによる挿入損失の劣化を低減す
る誘電体フィルタを提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、部品実装され
る面にのみ導体を形成し、それと対向する面には導体が
形成されないので、浮遊容量がなく、浮遊容量のＱによ
る挿入損失の劣化を低減することができ、かつ、回路用
導体のパターン間には凹部、孔部、空間部が形成されて
いるので、回路用導体のパターン間の結合容量は弱くな
り、結合容量のＱによる挿入損失劣化を低減する誘電体
フィルタである。
る面にのみ導体を形成し、それと対向する面には導体が
形成されないので、浮遊容量がなく、浮遊容量のＱによ
る挿入損失の劣化を低減することができ、かつ、回路用
導体のパターン間には凹部、孔部、空間部が形成されて
いるので、回路用導体のパターン間の結合容量は弱くな
り、結合容量のＱによる挿入損失劣化を低減する誘電体
フィルタである。
【００１０】すなわち、本発明は、複数の同軸型共振器
と、入出力端子を有し且つ前記同軸型共振器を結合する
ためのキャパシタまたはインダクタ等の電気的結合素子
を備えた誘電体フィルタであって、絶縁基板に形成され
た回路用導体に、前記電気結合素子が電気的に接続さ
れ、前記回路用導体と前記同軸型共振器の内導体及び前
記入出力端子を互いに電気的接続するための接続端子に
よって、前記絶縁基板が中空に接続されていることを特
徴とする誘電体フィルタが得られる。
と、入出力端子を有し且つ前記同軸型共振器を結合する
ためのキャパシタまたはインダクタ等の電気的結合素子
を備えた誘電体フィルタであって、絶縁基板に形成され
た回路用導体に、前記電気結合素子が電気的に接続さ
れ、前記回路用導体と前記同軸型共振器の内導体及び前
記入出力端子を互いに電気的接続するための接続端子に
よって、前記絶縁基板が中空に接続されていることを特
徴とする誘電体フィルタが得られる。
【００１１】また、本発明は、前記絶縁基板に、前記電
気結合素子を電気的に接続するための前記回路用導体に
挟まれた略中央に、凹部が設けられた前記誘電体フィル
タである。
気結合素子を電気的に接続するための前記回路用導体に
挟まれた略中央に、凹部が設けられた前記誘電体フィル
タである。
【００１２】また、本発明は、前記絶縁基板に、前記電
気結合素子を電気的に接続するための前記回路用導体に
挟まれた略中央に、孔部が設けられた前記誘電体フィル
タである。
気結合素子を電気的に接続するための前記回路用導体に
挟まれた略中央に、孔部が設けられた前記誘電体フィル
タである。
【００１３】また、本発明は、前記電気結合素子を実装
するための前記絶縁基板は、前記回路用導体を残して分
割されている前記誘電体フィルタである。
するための前記絶縁基板は、前記回路用導体を残して分
割されている前記誘電体フィルタである。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。尚、図１には、本発明のバンドパスフィル
タ（誘電体フィルタ）の斜視図を示し、図２に、本発明
のバンドパスフィルタに用いられる絶縁基板の実施の形
態例を示す。
て説明する。尚、図１には、本発明のバンドパスフィル
タ（誘電体フィルタ）の斜視図を示し、図２に、本発明
のバンドパスフィルタに用いられる絶縁基板の実施の形
態例を示す。
【００１５】まず、図１により本発明の第１の実施の形
態について説明する。
態について説明する。
【００１６】図１において、絶縁基板２１のキャパシタ
６ａ，６ｂ，６ｃを実装する側の面には、回路用導体２
２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄが形成されている。尚、
図２（ａ）に、この絶縁基板２１の拡大図を示す（説明
のためキャパシタの一部は図示せず）。また、同軸型共
振器１ａ、１ｂの内導体１３と回路用導体２２ａ，２２
ｂ，２２ｃ，２２ｄは、端子ピン４によって接続され、
キャパシタ６ａ，６ｂ，６ｃも回路用導体２２ａ，２２
ｂ，２２ｃ，２２ｄ上に実装され接続される。
６ａ，６ｂ，６ｃを実装する側の面には、回路用導体２
２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄが形成されている。尚、
図２（ａ）に、この絶縁基板２１の拡大図を示す（説明
のためキャパシタの一部は図示せず）。また、同軸型共
振器１ａ、１ｂの内導体１３と回路用導体２２ａ，２２
ｂ，２２ｃ，２２ｄは、端子ピン４によって接続され、
キャパシタ６ａ，６ｂ，６ｃも回路用導体２２ａ，２２
ｂ，２２ｃ，２２ｄ上に実装され接続される。
【００１７】また、一番外側にある回路用導体２２ａと
２２ｄは、絶縁基板２上に形成されている入出力端子７
に接続端子２３によって、電気的に接続されている。絶
縁基板２１の回路用導体２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２
ｄが形成されていない面には、導体は形成されておら
ず、且つ中空に配置されているので、回路用導体２２
ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄと絶縁基板２の接地導体３
との間には、浮遊容量は殆ど形成されることはない。
２２ｄは、絶縁基板２上に形成されている入出力端子７
に接続端子２３によって、電気的に接続されている。絶
縁基板２１の回路用導体２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２
ｄが形成されていない面には、導体は形成されておら
ず、且つ中空に配置されているので、回路用導体２２
ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄと絶縁基板２の接地導体３
との間には、浮遊容量は殆ど形成されることはない。
【００１８】このようにして製作されたバンドパスフィ
ルタ（誘電体フィルタ）の減衰特性を図３の曲線（ｂ）
に示し、図３の曲線（ａ）に、このバンドパスフィルタ
の設計時の減衰特性のシュミレーション値を示す。図３
からわかるように、曲線（ａ）のシュミレーションによ
る減衰特性に比べ、製作されたバンドパスフィルタの減
衰特性曲線（ｂ）の方が、中心周波数のシフト量が小さ
かった。また、挿入損失も１.００ｄＢとほぼ設計通り
の結果が得られた。
ルタ（誘電体フィルタ）の減衰特性を図３の曲線（ｂ）
に示し、図３の曲線（ａ）に、このバンドパスフィルタ
の設計時の減衰特性のシュミレーション値を示す。図３
からわかるように、曲線（ａ）のシュミレーションによ
る減衰特性に比べ、製作されたバンドパスフィルタの減
衰特性曲線（ｂ）の方が、中心周波数のシフト量が小さ
かった。また、挿入損失も１.００ｄＢとほぼ設計通り
の結果が得られた。
【００１９】次に、本発明の第２の実施の形態について
説明する。図２（ｂ）において、絶縁基板２１の電気結
合素子が実装される回路用導体２２ａと２２ｂ間、２２
ｂと２２ｃ間、及び２２ｃと２２ｄ間に凹部２４を設け
ることによって、回路用導体間に生じる結合容量（図８
中に示すＣｓ２，Ｃｓ４，Ｃｓ６）を低減している。
尚、その他の構造は、第１の実施の形態で述べたと同様
である。
説明する。図２（ｂ）において、絶縁基板２１の電気結
合素子が実装される回路用導体２２ａと２２ｂ間、２２
ｂと２２ｃ間、及び２２ｃと２２ｄ間に凹部２４を設け
ることによって、回路用導体間に生じる結合容量（図８
中に示すＣｓ２，Ｃｓ４，Ｃｓ６）を低減している。
尚、その他の構造は、第１の実施の形態で述べたと同様
である。
【００２０】また、本発明の第３の実施の形態について
説明する。図２（ｃ）において、絶縁基板２１の電気結
合素子が実装される回路用導体間（例えば、２２ａと２
２ｂ）に孔部２５を設けることによって、さらに回路用
導体間に生じる結合容量（図８中に示すＣｓ２，Ｃｓ
４，Ｃｓ６）を低減している。尚、その他の構造、は第
１の実施の形態で述べたと同様である。
説明する。図２（ｃ）において、絶縁基板２１の電気結
合素子が実装される回路用導体間（例えば、２２ａと２
２ｂ）に孔部２５を設けることによって、さらに回路用
導体間に生じる結合容量（図８中に示すＣｓ２，Ｃｓ
４，Ｃｓ６）を低減している。尚、その他の構造、は第
１の実施の形態で述べたと同様である。
【００２１】また、本発明の第４の実施の形態について
説明する。図２（ｄ）において、電気結合素子が実装さ
れる回路用導体間で絶縁基板２１を分割することによっ
て、さらに回路用導体間に生じる結合容量（図８中に示
すＣｓ２，Ｃｓ４，Ｃｓ６）を低減している。尚、その
他の構造は、第１の実施の形態で述べたと同様である。
説明する。図２（ｄ）において、電気結合素子が実装さ
れる回路用導体間で絶縁基板２１を分割することによっ
て、さらに回路用導体間に生じる結合容量（図８中に示
すＣｓ２，Ｃｓ４，Ｃｓ６）を低減している。尚、その
他の構造は、第１の実施の形態で述べたと同様である。
【００２２】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、電気結合素子を接続する絶縁基板には、回路
用導体と対向する面に導体がないので、浮遊容量がな
く、浮遊容量のＱによる挿入損失の劣化を低減し、共振
周波数のシフト量も低減する誘電体フィルタを提供する
ことができる。また、電気結合素子を接続する回路用導
体の間に、凹部、孔部を設けることによって、あるいは
分割することによって、さらに回路用導体間の結合容量
を低減することになり、結合容量のＱによる挿入損失の
劣化を低減する誘電体フィルタを提供することができ
る。
によれば、電気結合素子を接続する絶縁基板には、回路
用導体と対向する面に導体がないので、浮遊容量がな
く、浮遊容量のＱによる挿入損失の劣化を低減し、共振
周波数のシフト量も低減する誘電体フィルタを提供する
ことができる。また、電気結合素子を接続する回路用導
体の間に、凹部、孔部を設けることによって、あるいは
分割することによって、さらに回路用導体間の結合容量
を低減することになり、結合容量のＱによる挿入損失の
劣化を低減する誘電体フィルタを提供することができ
る。
【図１】本発明の第１の実施の形態を示す図。
【図２】本発明に用いられる絶縁基板の実施の形態を示
す図。
す図。
【図３】バンドパスフィルタの減衰特性を示す特性線
図。
図。
【図４】従来技術によるバンドパスフィルタの構成を示
す図。
す図。
【図５】同軸型共振器の構成を示す図。
【図６】バンドパスフィルタの等価回路を示す図。
【図７】従来技術によるバンドパスフィルタの減衰特性
を示す特性図。
を示す特性図。
【図８】絶縁基板による浮遊容量、結合容量を含んだ等
価回路を示す図。
価回路を示す図。
１ａ，１ｂ 同軸型共振器 ２ （絶縁）基板 ３ 接地導体 ４ 端子ピン ５ 回路用導体 ６ａ，６ｂ，６ｃ キャパシタ ７ 入出力端子 ８ 接地用端子 ９ 金属ケース １０ 誘電体セラミックブロック １１ 貫通孔 １２ 外導体 １３ 内導体 １４ 短絡端導体 １５ 開放端 １６ 短絡端 ２１ 絶縁基板 ２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄ 回路用導体 ２３ 接続端子 ２４ 凹部 ２５ 孔部 Ｃｓ１，Ｃｓ３，Ｃｓ５，Ｃｓ７ 浮遊容量 Ｃｓ２，Ｃｓ４，Ｃｓ６ 結合容量
Claims (4)
- 【請求項１】 複数の同軸型共振器と、入出力端子を有
し、且つ、前記同軸型共振器を結合するための電気結合
素子を備えた誘電体フィルタであって、絶縁基板に形成
された回路用導体に、前記電気結合素子が電気的に接続
され、前記回路用導体と前記同軸型共振器の内導体及び
前記入出力端子を互いに電気的接続するための接続端子
によって、前記絶縁基板が中空に接続されていることを
特徴とする誘電体フィルタ。 - 【請求項２】 前記絶縁基板は、前記電気結合素子を電
気的に接続するための前記回路用導体に挟まれた略中央
に、凹部が設けられたことを特徴とする請求項１記載の
誘電体フィルタ。 - 【請求項３】 前記絶縁基板は、前記電気結合素子を電
気的に接続するための前記回路用導体に挟まれた略中央
に、孔部が設けられたことを特徴とする請求項１記載の
誘電体フィルタ。 - 【請求項４】 前記電気結合素子を実装するための前記
絶縁基板は、前記回路用導体を残して分割されているこ
とを特徴とする請求項１記載の誘電体フィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24943697A JPH1174704A (ja) | 1997-08-28 | 1997-08-28 | 誘電体フィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24943697A JPH1174704A (ja) | 1997-08-28 | 1997-08-28 | 誘電体フィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1174704A true JPH1174704A (ja) | 1999-03-16 |
Family
ID=17192950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24943697A Pending JPH1174704A (ja) | 1997-08-28 | 1997-08-28 | 誘電体フィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1174704A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN118281516A (zh) * | 2020-11-30 | 2024-07-02 | 江苏灿勤科技股份有限公司 | 一种能够适应小型化需求的低频介质滤波器 |
-
1997
- 1997-08-28 JP JP24943697A patent/JPH1174704A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN118281516A (zh) * | 2020-11-30 | 2024-07-02 | 江苏灿勤科技股份有限公司 | 一种能够适应小型化需求的低频介质滤波器 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5926079A (en) | Ceramic waveguide filter with extracted pole | |
| KR0147726B1 (ko) | 유전체 필터 | |
| US5812036A (en) | Dielectric filter having intrinsic inter-resonator coupling | |
| US5684439A (en) | Half wave ceramic filter with open circuit at both ends | |
| JPH10163708A (ja) | 有極型誘電体フィルタ及びこれを用いた誘電体デュプレクサ | |
| JPH1174704A (ja) | 誘電体フィルタ | |
| JP3176859B2 (ja) | 誘電体フィルタ | |
| JP2004328118A (ja) | 誘電体フィルタ | |
| JPH0846403A (ja) | 誘電体フィルタ用基板及び誘電体フィルタ | |
| US6034579A (en) | Dielectric filter of the band elimination type | |
| KR100199330B1 (ko) | 유전체 필터 | |
| JP2661006B2 (ja) | 誘電体フィルタ | |
| JPH0389602A (ja) | 誘電体フィルタの通過帯域調整方法 | |
| JP3282405B2 (ja) | 誘電体フィルタ | |
| JPH048645Y2 (ja) | ||
| JP2661005B2 (ja) | 誘電体フィルタ | |
| JP2001085907A (ja) | 誘電体フィルタ | |
| KR100323544B1 (ko) | 유전체 필터 및 그 제조방법 | |
| JPH06169203A (ja) | 誘電体共振器装置 | |
| JPH03181204A (ja) | バンドパスフィルタ | |
| JPH0897608A (ja) | 誘電体フィルタ | |
| JPH11340708A (ja) | 誘電体フィルタ | |
| JPH03181205A (ja) | 誘電体フィルタ | |
| JPH07183705A (ja) | 誘電体フィルタ | |
| JPH0832308A (ja) | 誘電体フィルタとその特性調整方法 |