JP3767824B1 - 誘電体装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】小型化及び低背化に適し、周波数応答特性を容易に調整し得る誘電体装置を提供すること。
【解決手段】共振部Q1の第1の孔41は、外面21に開口し、外面21からその対向する外面22の方向に向かう。第1の孔41は、内部に第1の内導体61を備え、第1の内導体61が外面21においてギャップによって外導体膜3から隔てられている。第2の孔51は、外面21と対向していない外面に開口し、誘電体基体1の内部で第1の孔41に連なり、内部に第2の内導体81を備える。切欠部31は、外面21において、外導体膜31を切り欠いて構成され、第2の孔51の投影位置と重なるように配置されている。
【選択図】 図1

Description

本発明は、誘電体共振器、これより構成される誘電体フィルタまたはデュプレクサ等の誘電体装置に関する。
この種の誘電体装置は、準マイクロ波帯、マイクロ波帯、ミリ波帯またはサブミリ波帯等の高周波領域において用いられる。より具体的な適用例としては、衛星通信機器、移動体通信機器、無線通信機器、高周波通信機器またはこれらの通信機器のための基地局等を挙げることができる。
従来、携帯電話等に使用されている共振器や誘電体フィルタは、誘電体基体に1つの貫通孔を設けた共振器部分を、複数組み合わせて構成されており、共振器の長さは、通常、自由空間の波長λの1/4を、誘電体基体を構成する材料の比誘電率の平方根で除した長さである。
誘電体フィルタを構成する場合、複数の共振器を、別途に準備した結合回路で結合させたり、或いは、略直方体に形成された誘電体基体の一面から対向する外面に複数の貫通孔を設け、一面を除く外面と貫通孔内部にメタライズを施し、それぞれの貫通孔を共振器部分とする。
誘電体基体を用いた誘電体フィルタの場合は、共振器部分にキャパシタ等の付加素子を装加したり、メタライズのない一面に導体パターンを形成して、付加要素を構成する。更には誘電体基体そのものに溝や凹部等を設置することにより、電磁界結合分布のバランスを意図的に崩し、電界または磁界により結合させる等の構造が採られている。
しかし、従来の共振器及び誘電体フィルタでは、小型化のために、共振器の長さを短くしたい場合、上述のように、別途、負荷容量を構成することが必要であり、また共振器に付加素子を装加する構造では、部品点数が多く、小型化に不向きである。
更に、共振器の一面に導体パターンによりキャパシタ等を形成する構造では、誘電体基体の一面に、複雑で精密な導体パターンを形成する必要があり、小型化及び低背化が進展するにつれて、生産のコストが嵩むとともに、歩留にも悪影響を与える。
上述した問題点を解決する手段として、特許文献1は、共振部において、第1の孔と、第2の孔とを含む孔構造とし、第1の孔の端部に、第2の孔を交差させた新規な誘電体装置を開示している。第1の孔に備えられた第1の内導体及び第2の孔に備えられた第2の内導体を互いに連続させる。
この孔構造によれば、所望の共振周波数を得るのに誘電体基体の長さを短縮し、小型化及び低背化を達成することができる。
しかし、特許文献1は、周波数応答特性の調整、例えば、帯域幅の調整や段間結合の調整については、開示がない。
特許第3329450号公報
本発明の課題は、小型化及び低背化に適した誘電体装置を提供することである。
本発明のもう一つの課題は、周波数応答特性を容易に調整し得る誘電体装置を提供することである。
上述した課題を解決するため、本発明に係る誘電体装置は、誘電体基体と、少なくとも一つの共振部と、端子と、切欠部とを含む。前記誘電体基体は、外面に外導体膜を備える。前記共振部は、第1の孔と、第2の孔とを含んでいる。前記第1の孔は、前記誘電体基体に設けられ、一端が前記外面の一面に開口し、前記一面からその対向する外面の方向に向かう。前記第1の孔は、内部に第1の内導体を備える。前記第1の内導体は前記一面においてギャップによって前記外導体膜から隔てられている。
前記第2の孔は、前記誘電体基体に設けられ、前記一面と対向していない外面に開口し、前記誘電体基体の内部で前記第1の孔に連なる。前記第2の孔は、内部に第2の内導体を備える。前記第2の内導体は一端が前記誘電体基体の内部で前記第1の内導体に連なり、他端が前記外導体膜に連なる。前記第1の孔は、他端部が、前記第2の孔との連接領域から、奥行き方向に突出している。
前記端子は、前記誘電体基体の前記外面に備えられ、前記誘電体基体を介して、前記第1の孔の前記他端部に備えられた前記第1の内導体と電気的に結合されている。
前記切欠部は、前記一面において、前記導体膜を切り欠いて構成され、前記第2の孔の投影位置と重なるように配置されている。
上述したように、本発明に係る誘電体装置では、共振部は、第1の孔と、第2の孔とを含み、第1の孔の開口面とは反対側の他端に、第2の孔を交差させた孔構造が得られる。
この孔構造において、第1の孔に備えられた第1の内導体及び第2の孔に備えられた第2の内導体を互いに連続させる。第1の孔の第1の内導体は、誘電体基体を介して、外導体膜と向かい合うから、第1の内導体膜と、外導体膜との間には大きな静電容量が発生する。このため、本発明に係る誘電体装置は、第2の孔の軸方向で見た誘電体基体の長さに対して、その電気長より低い周波数で共振する。換言すれば、所望の共振周波数を得るのに誘電体基体の長さを短縮し、小型化及び低背化を達成することができる。
更に、本発明に係る誘電体装置は、切欠部を含んでおり、この切欠部は、第1の孔の開口する一面において、導体膜を切り欠いて構成され、第2の孔の投影位置と重なるように配置されている。このような構造によれば、第2の孔の開口する面に、通常形成される電極のギャップ(パターン)を狭くすることなく、周波数応答特性を調整ができる。
共振部が複数存在する場合は、切欠部は、第2の孔の少なくとも2つの投影位置と重なるように配置することが好ましい。この構成によれば、切欠部の態様によって、帯域幅を広げもしくは縮小し、または、低域側もしくは高域側における周波数特性を改善し、あるいは、段間結合のバランスを改善するなどの作用効果を得ることができる。
切欠部は、その態様により、容量結合のみならず、誘導性結合をもたせることも可能であり、それを調整することにより、周波数特性改善効果を得ることができる。
本発明に係る装置は、共振器、発振器、誘電体フィルタまたはDuplexer(デュプレクサ、アンテナ共用器とも称される)を広くカバーする装置として用いることができる。この内、共振器として用いる場合は、一つの共振部で済むことがある。誘電体フィルタまたはデュプレクサに用いる場合は、共振部は複数である。
以上述べたように、本発明によれば、次のような効果を得ることができる。
(a)小型化及び低背化に適した誘電体装置を提供することができる。
(b)周波数応答特性を容易に調整し得る誘電体装置を提供することができる。
本発明の他の目的、構成及び利点については、添付図面を参照して、更に詳しく説明する。但し、本発明の技術的範囲がこれらの図示実施例に限定されないことは言うまでもない。
図1は本発明に係る誘電体共振器の斜視図、図2は図1に示した誘電体共振器を背面側から見た斜視図、図3は図1の3−3線に沿った断面図、図4は図3の4−4線に沿った断面図である。図示された誘電共振器は、誘電体基体1と、1つの共振部Q1と、切欠部31とを含む。誘電体基体1は、周知の誘電体セラミックスを用いて、外面21〜26を有する略6外面体状に形成され、一面となる外面の大部分が外導体膜3によって覆われている。外導体膜3は、一般に、銅または銀等を主成分とし、焼き付け、メッキ等の手段によって形成される。
共振部Q1は、第1の孔41と、第2の孔51とを含む。第1の孔41は、誘電体基体1に設けられ、一端が外面21に開口し、外面21からその対向面となる外面22の方向に向かう。第1の孔41は内部に第1の内導体61を備える。第1の内導体61は、外導体膜3と同様の材料及び手段によって、電極膜として形成される。これとは異なって、第1の内導体61は第1の孔41の一部または全体を埋めるように充填されていてもよい。第1の内部導体61は、外面21において、ギャップg11により、外導体膜3から隔てられている。
第2の孔51も、誘電体基体1に設けられる。第2の孔51は、一端が外面23に開口し、第2の孔51は外面23からその対向面である外面24の方向に向かい、誘電体基体1の内部で第1の孔41に連なる。
第2の孔51は、内部に第2の内導体81を備える。この第2の内導体81は、外面23に開口する一端が外導体膜3に連続し、他端が第1の内導体61に連続する。第2の内導体81は、第1の内導体61と同様の材料及び手段によって形成される。第2の内導体81は、第2の孔51の一部または全体を埋めるように、充填されていてもよい。
図示実施例において、第2の孔51は、内径D2の実質的な円形状であり、第1の孔41は、図1で見て、横方向の内径D11が、縦方向の内径D12よりも大きい略長方形状の孔形を有する。この形状には限定されない。横方向の内径D11は第2の孔51の内径D2よりも大きい。従って、第2の孔51の他端は、第1の孔41の横幅内で、第1の孔51に連なることになる。第1の孔41は、隅部が円弧状であることが好ましい。
実施例では、更に、第1の孔41は、第2の孔51との連接領域から、更に、距離X1だけ奥行き方向に突出している(図3参照)。
また、第2の孔51が開口している外面23と、第1の孔41との距離d0が、第2の孔51に対向している外面24と第1の孔41との距離d1より長い(図3参照)。即ち、d0>d1である。
第1の孔41の内面に備えられた第1の内導体61と、外面22、外面24〜26に設けられた外導体膜3との間には、厚みd1〜d4の誘電体層71〜74が存在する(図3、図4参照)。更に、外面22には、外導体膜3との間にギャップg21を隔てて、端子11が備えられている。端子11は誘電体層72を介して、第1の内導体61と静電容量C02によって結合している。
切欠部31は、本発明における構造的特徴の1つであり、第1の孔41の開口する一面において、外導体膜3を切り欠いて構成され、第2の孔51を第1の孔41の開口する一面に投影した際の投影位置と重なるように配置されている。
上述したように、共振部Q1は、第1の孔41と、第2の孔51とを含む。第1の孔41は、一端が外面21に開口し、外面21からその対向する外面22に向かう。第2の孔51は、一端が、外面23に開口し、外面23からその対向する外面24の方向に向かい、他端が誘電体基体1の内部で第1の孔41に連なる。
この孔構造において、第1の内導体61及び第2の内導体81を互いに連続させてあるから、第1の孔41及び第2の孔51は、1つの電気回路を構成する。第1の内導体61は、誘電体層71〜74を介して、外面22、外面24〜26上の外導体膜3と向かい合う。従って、第1の内導体61と外導体膜3との間には、容量性結合が発生する。
第1の孔41は、複数備えることもできる。この場合、複数の第1の孔のそれぞれは、異なる外面に開口し、それぞれに備えられた第1の内導体を、誘電体基体1の内部で第2の内導体81に連続させる。例えば、図1〜図4に示した実施例において、第2の孔51と交差する方向から、1つまたは複数の第1の孔を設けて、第2の孔51の端部と交差させ、それぞれの内導体を、図1〜図4に示した態様で、第2の内導体81に連続させる。図1乃至図4の実施例では、六面体状の誘電体基体1を用いているので、外面21、22、24、25、26を利用して、上述した第1の孔の追加構造を実現できる。
上述したように、第1の孔41の第1の内導体61は、誘電体基体1による誘電体層71、73、74を介して、外導体膜3と向かい合うから、第1の内導体膜61と、外導体膜3との間には大きな静電容量C01、C03、C04が発生する(図3及び図4参照)。このため、本発明に係る誘電体装置は、第2の孔51の軸方向で見た誘電体基体1の長さL1に対して、その電気長より低い周波数で共振する。換言すれば、所望の共振周波数を得るのに誘電体基体1の長さL1を短縮し、小型化及び低背化を達成することができる。
また、第2の孔51が開口している外面23と、第1の孔41との距離d0が、第2の孔51に対向している外面24と第1の孔41との距離(厚み)d1より長くなっていて、d0>d1を満たす実施例の場合、距離(厚み)d1の寸法に応じた静電容量C01を取得できる。
次に、実施例に示した誘電体共振器の小型化及び低背化について、具体例を挙げて説明する。図1〜図4に示した構造において、誘電体基体1は、比誘電率εr=92の誘電体材料を用い、略直方体の形状とした。誘電体基体1の寸法は、外面23で見た平面積が(2mm×2mm)、長さL1は2.5mmとした。第2の孔51の孔径D2は0.5mmとし、第1の孔41の孔径D11は1mmとした。
この共振器をルーズカップリングさせて測定した共振周波数は2.02GHzであった。長さL1について、従来、共振周波数2.02GHzの(1/4)波長共振器では、3.5〜4mm程度必要であったので、本実施例の場合、30%程度短縮することができたことになる。
本発明に係る誘電体装置は、構造的特徴として、さらに、切欠部31を含んでいる。切欠部31は、第1の孔41の開口する一面において、外導体膜3を切り欠いて、窓状に形成され、第2の孔51を第1の孔41の開口する一面に投影した際の投影位置と重なるように配置されているから、外導体膜3と第2の孔51との間の容量結合を調整し、第1の孔41の開口する外面上に電極のギャップ(パターン)を狭くすることなく、周波数応答特性を調整ができる。
図5は誘電体共振器の別の実施例を示す斜視図、図6は図5の6−6線に沿った拡大断面図である。図において、図1乃至図4に現れた構成部分と同一の構成部分については、同一の参照符号を付し、重複説明はできるだけ省略する。図5及び図6に示した実施例では、第1の孔41は、一端が外面21に開口し、他端が外面21と対向する外面22に開口している。第1の孔41の内部に備えられた第1の導体膜61は、外面21の面上では、ギャップg11により外導体膜3から隔てられ、外面22の面上では、ギャップg01により外導体膜3から隔てられている。
第1の孔41の一端を外面21に開口させ、他端を外面21と対向する外面22に開口させたことに合わせて、2つの切欠部31、32が備えられている。切欠部31、32は、第1の孔41の開口する両外面21,22において、外導体膜3を切り欠いて、窓状に形成され、第2の孔51を第1の孔41の開口する一面に投影した際の投影位置と重なるように配置されている。この実施例の場合は、2つの切欠部31、32によって、外導体膜3と第2の孔51との間の容量結合を調整し、周波数応答特性を調整ができる。
また、第1の内導体61と、外導体膜3との間の重なり面積が増えるので、増大した静電容量C01、C03、C04(図4参照)を取得できることになる。
更に、図5及び図6に示した実施例では、端子11は、外面22に備えられ、誘電体層を介して、第2の内導体81と容量結合されている。端子11は、ギャップg21により、外導体膜3から隔てられている。
図5及び図6に示した実施例に示した誘電体共振器の場合も、小型化及び低背化が可能である。
図7は本発明に係る誘電体共振器の更に別の実施例を示す斜視図、図8は図7に示した誘電体フィルタを外面24側から見た斜視図、図9は図7の9−9線に沿った断面図である。この実施例では、端子11は、外面22と、外面24とに跨がって形成されている。切欠部31は、第1の孔41の開口する外面21において、外導体膜3を切り欠いて構成され、第2の孔を第1の孔41の開口する一面に投影した際の投影位置と重なるように配置されている。この実施例の場合も、切欠部31による周波数調整が可能である。
図10は本発明に係る誘電体フィルタの実施例を示す斜視図、図11は図10に示した誘電体フィルタを背面側から見た斜視図、図12は図10の12−12線に沿った断面図、図13は図12の13−13線に沿った断面図である。これらの図は、2つの共振部Q1、Q2を有する誘電体フィルタの例を示している。共振部Q1、Q2のそれぞれは、誘電体基体1を共用し、誘電体基体1を介して一体化されている。共振部Q1は第1の孔41と、第2の孔51とを含んでいる。第1の孔41及び第2の孔51は、先に図示され、かつ、説明された何れの構造も、採用することができる。図1〜図4に示した構造を採用した場合、第1の孔41は、一端が外面21に開口し、外面21から、対向する外面22の方向に向かう。第1の孔41は内部に第1の内導体61を備える。第1の内部導体61は、外面21において、ギャップg11により、外導体膜3から隔てられている。
また、第2の孔51は、一端が外面21と対向しない外面23に開口し、他端が誘電体基体1の内部で第1の孔41の他端に連なる。第2の孔51に備えられた第2の内導体81は、外面23に開口する一端が外導体膜3に連続し、他端が誘電体基体1の内部で第1の内導体61に連続する。
共振部Q2は、共振部Q1と実質的に同一の構造であり、第1の孔42と、第2の孔52とを含んでいる。第1の孔42及び第2の孔52は、図1〜図9に図示され、かつ、説明された何れかの構造を採用することができる。
図1〜図4に示した構造を採用した場合、第1の孔42は、一端が外面21に開口し、外面21から、外面22の方向に向かう。第1の孔42は内部に第1の内導体62を備える。第1の内部導体62は、外面21において、ギャップg12により、外導体膜3から隔てられている。
また、第2の孔52は、一端が外面21と隣り合う外面23に開口し、他端が誘電体基体1の内部で第1の孔42の他端に連なる。第2の孔52に備えられた第2の内導体82は、外面23に開口する一端が外導体膜3に連続し、他端が第1の内導体62に連続する。共振部Q1、Q2の更に詳しい態様は、図1〜図9を参照して説明したとおりであるので、重複説明は省略する。
切欠部31は、第2の孔51,52を第1の孔41の開口する一面に投影した際の投影位置と重なるように配置される。この構成によれば、第2の孔51,52と、外導体膜3との間の容量結合を、切欠部31によって調整し、容量性の段間結合を有するフィルタにおいては、帯域幅を高域側から狭め、あるいは、段間結合のバランスを改善することができる。
更に、図11〜図13を参照すると、誘電体基体1の外面22には、入出力端子となる第1の端子11及び第2の端子12が備えられている。第1の端子11は、第1の孔41と、厚さd21の誘電体層72を介して対向する位置に設けられ、外導体膜3から絶縁ギャップg21によって電気的に絶縁されている。
第2の端子12は、第1の孔42と、厚さd22の誘電体層75を介して対向する位置に設けられ、外導体膜3から絶縁ギャップg22によって電気的に絶縁されている。
第1及び第2の端子11、12と、第1の孔41、42の内導体61、62との間には、その間の誘電体層の厚さ、その誘電率及び面積によって定まる結合容量が発生する。第1及び第2の端子11、12は、第1の孔41、42の内導体61、62と重なることは必須ではない。部分的に対向し、または、対向しない位置に設けてあってもよい。また、絶縁ギャップg21、g22は一つのギャップとして連続させてもよい。
共振部Q1と共振部Q2との間の結合は、容量性結合になるか、誘導性結合になるかは、共振部Q1、Q2を構成する第1の孔41及び42の内導体61と62の間に形成される容量C04と、第1の孔41及び42の内導体61、62と外導体膜3の間に形成される容量C01、C03、C06の相対関係に依る。前者が強い場合、Q1、Q2は容量性結合が支配的に、後者が強い場合は誘導性結合が支配的になる。
図10乃至図13に示した誘電体フィルタにおいて、共振部Q2は、共振部Q1と同じ構造であるから、その作用、利点については、共振部Q1に関する説明を、共振部Q2についても採用できる。誘電体フィルタ全体としての作用は、更に、共振部Q1と共振部Q2との間の結合を考慮すればよい。
図14は本発明に係る誘電体フィルタの別の実施例を示す斜視図である。図14に示した実施例の特徴は、誘電体基体1の外面23に凹部101を有すること、及び、切欠部31が、第2の孔51,52を第1の孔41の開口する一面に投影した際の投影位置と重なるように配置されていることである。凹部101の内部には、共振部Q1を構成する第2の孔51、52が含まれている。
図14の実施例によれば、凹部101のディメンション選定及び切欠部31により、共振部Q1と共振部Q2との間の結合特性及び各共振周波数を調整することができる。
図15は本発明に係る誘電体フィルタの別の実施例を示す斜視図、図16は図15の16−16線に沿った断面図である。図示実施例において、第1の孔41は、大径部411と、小径部412とを含んでいる。大径部411は外面21に開口し、小径部412は大径部411の下方に連なる。第1の孔42も、大径部421と、小径部422とを含んでおり、大径部421は外面21に開口し、小径部422は大径部421の下方に連なる。切欠部31は、第2の孔51,52を第1の孔41の開口する一面に投影した際の投影位置と重なるように配置されている。
図15、図16の実施例では、第2の孔51、52も、大径部511、521と、小径部512、522とを含んでいる。大径部511、521は外面23に開口し、小径部512、522は大径部511、521の下方に連なる。
図15、図16に示した実施例の場合、大径部(411、421)、(511、521)の孔径選定により、共振部Q1と共振部Q2との間の結合特性及び各共振周波数を調整することができる。
図17は3つの共振部Q1、Q2、Q3を有する誘電体フィルタを示す斜視図、図18は図17に示した誘電体フィルタを底面側から見た斜視図、図19は図17の19−19線に沿った断面図、図20は図19の20−20線に沿った断面図である。
共振部Q1、Q2、Q3のそれぞれは、誘電体基体1を共用し、誘電体基体1を介して一体化されている。誘電体基体1は、外面の大部分が外導体膜3によって覆われている。
共振部Q1は第1の孔41と第2の孔51とを含む。共振部Q2は第1の孔42と第2の孔52とを含む。共振部Q3は第1の孔43と第2の孔53とを含む。第1の孔41〜43及び第2の孔51〜53の個別的構造、及び、相対関係は、既に説明した通りである。切欠部31は、3つの第2の孔51,52,53を第1の孔41の開口する一面に投影した際の投影位置と重なるように、長く延びている。
第1の孔41〜43の内部に設けられた第1の内導体61〜63のそれぞれと、外導体膜3との間には、誘電体層71、72、73、75、77及び78による静電容量C01、C02、C03、C05、C07、C08があり、共振部Q1と共振部Q2との間には、誘電体層74による静電容量C04があり、共振部Q2と共振部Q3との間には、誘電体層76による静電容量C06がある(図19、図20参照)。静電容量C01〜C08の値は、所望する特性に応じて適宜設定する。更に、共振部Q1〜Q3のそれぞれにおいて、誘電体層71の厚みd11〜d13(図17参照)を異ならせ、静電容量C01を共振部Q1〜Q3のそれぞれにおいて、互いに異ならせてもよい。
実施例において、共振部Q1、Q3の間に位置する共振部Q2は、第1の孔42の深さが共振部Q1、Q3よりも浅く、且、誘電体層71の厚みd12が共振部Q1、Q3における誘電体層71の厚みd11、d13よりも大きい(図17参照)。従って、共振部Q2の静電容量C01は、共振部Q1、Q3の静電容量C01よりも小さくなる。
第1の端子11は、外面22において、第1の孔41に対応する位置に、絶縁ギャップg21によって、外導体膜3から電気絶縁した状態で配置されている。
第2の端子12は、外面22において、第3の孔43と対応する位置に、絶縁ギャップg22によって、外導体膜3から電気絶縁した状態で配置されている。
切欠部31は、共振部Q1〜Q3の第2の孔を第1の孔41の開口する一面に投影した際の投影位置と重なるように、長くのびて配置されている。切欠部31は、これとは異なって、第2の孔のそれぞれについて、細切れに独立して設けてもよい。
図17〜図20に示した実施例によれば、先の実施例と同様の小型化及び低背化が得られる他、より多くの共振部Q1〜Q3を有するので、周波数選択特性が向上する。また、切欠孔31により、第2の孔51〜53と、外導体膜3との間の容量結合を調整し、容量性の段間結合を有するフィルタにおいては、帯域幅を、高域側から狭め、又は、段間結合のバランスを改善することができる。
次に、図17〜図20に示した誘電体フィルタの周波数特性について、具体例を挙げて説明する。図17〜図20に示した構成において、誘電体基体1は、比誘電率εr=92の誘電体材料を用い、略直方体の形状とした。誘電体基体1の形状は、外面23で見た平面積が(4.2mm×2mm)、長さL1は2.5mmとした。第2の孔51〜53の孔径D2は0.7mmとした。これをサンプルS11とする。
次に、図17〜図20の基本構成は持つが、切欠部31を、第2の孔51,52,53のそれぞれ毎に、細切れに独立に設けたサンプルS12を準備した。さらに、図17〜図20の基本構成は持つが、切欠部31を持たないサンプルS13を準備した。
図21は、サンプルS11〜S13の周波数減衰特性を示している。図において、横軸に周波数(MHz)をとり、左縦軸に減衰量(dB)をとってある。
図21を参照すると、切欠部31を、第2の孔51,52,53のそれぞれ毎に、細切れに独立に設けたサンプルS12は、切欠部を持たないサンプルS13よりも、帯域幅が狭くなっている。切欠部31が、共振部Q1〜Q3を構成する第2の孔51,52,53を第1の孔41の開口する一面に投影した際の投影位置と重なるように、長くのびて配置されているサンプルS11では、さらに、帯域幅が狭くなっている。しかも、帯域幅は、周波数の高い側から狭くなることが分かる。
即ち、切欠部31を設けることにより、帯域幅を、高域側から縮小できる。特に、切欠部31を、3つの第2の孔51,52,53を第1の孔41の開口する一面に投影した際の投影位置と重なるように配置した場合に、その効果が一層顕著に現れる。
図22は3つの共振部Q1、Q2、Q3を有する誘電体フィルタの別の実施例を示す斜視図、図23は図22に対応する断面図である。図22及び図23に示した実施例の基本的構造は、図17〜図20に示した実施例と同様であるが、共振部Q1〜Q3の構成がほぼ同じである点、共振部Q1〜Q3の第1の孔41〜43の相互間隔が、図17〜図20の場合よりも拡大されている点、及び、共振部Q1〜Q3の第1の孔41〜43と、外導体膜3との間の距離に相当する誘電体層71の厚みd11、d12、d13が、図17〜図20の場合よりも縮小されている点で、異なる。切欠部31は、共振部Q1〜Q3を構成する第2の孔51,52,53を第1の孔41の開口する一面に投影した際の投影位置と重なるように設けられている。
図22、図23に示した実施例の場合、共振部Q1〜Q3を構成する第1の孔41〜43の相互間隔が、図17〜図20の場合よりも拡大されているため、共振部Q1〜Q3の相互間に発生する容量は小さい。他方、共振部Q1〜Q3の第1の孔41〜43と、外導体膜3との間の距離(d11、d12、d13)が、図17〜図20の場合よりも縮小されているため、この部分に発生する容量(C01)は比較的大きい。このため、隣り合う共振器Q1〜Q3の相互は誘導性結合を示す。この点、容量性結合を示す図17〜図20の実施例と異なる。
切欠部31は、共振部Q1〜Q3を構成する第2の孔51,52,53を第1の孔41の開口する一面に投影した際の投影位置と重なるように設けられているから、誘導性の段間結合を有するフィルタにおいては、帯域幅を、低域側から広げることができる。
本発明に係る誘電体装置は、誘電体共振器、誘電体フィルタまたはデュプレクサを広くカバーする装置として用いることができる。この内、誘電体共振器及び誘電体フィルタについては、これまで、図1〜図23を参照して詳細に説明した。紙面の都合上、これらについての説明は、以上に留めるが、より多くの共振部を備え得ること、及び、図示され、かつ、説明された各実施例の組み合わせが多数存在し得ること等は自明である。
次に、本発明に係る誘電体装置のもう一つの重要な適用例であるデュプレクサについて説明する。
図24は本発明に係るデュプレクサの斜視図、図25は図24に示したデュプレクサを背面側からみた斜視図、図26は図24の26−26線に沿った断面図である。図示されたデュプレクサは6つの共振部Q1〜Q6を有する。共振部Q1〜Q6のそれぞれは、誘電体基体1を共用し、誘電体基体1を介して一体化されている。誘電体基体1は、外面の大部分が外導体膜3によって覆われている。
共振部Q1〜Q6の内、共振部Q1は、第1の孔41と第2の孔51との組み合わせ、共振部Q2は第1の孔42と第2の孔52との組み合わせ、共振部Q3は第1の孔43と第2の孔53との組み合わせを、それぞれ含む。共振部Q4は第1の孔44と第2の孔54との組み合わせ、共振部Q5は第1の孔45と第2の孔55との組み合わせ、共振部Q6は第1の孔46と第2の孔56との組み合わせを、それぞれ含む。
第1の孔(41〜46)と第2の孔(51〜56)の個別的構造、及び、相対関係の詳細は、図1〜図20を参照して説明した通りである。第1の孔(41〜46)は、第1の内導体(61〜66)を有し、第2の孔(51〜56)は第2の内導体81〜86を有する。
デュプレクサは、アンテナ共用器として用いられるので、共振部Q1〜Q3、及び、共振部Q4〜Q6の何れか一方が送信用、他方が受信用となる。送信周波数と受信周波数は互いに異なるので、共振部Q1〜Q3の共振特性と、共振部Q4〜Q6の共振特性とは、互いに異ならせる。
切欠部31,32は、送信用及び受信用に2つ備えられている。切欠部31は、共振部Q1〜Q3に備えられた第2の孔51〜53を第1の孔41の開口する一面に投影した際の投影位置と重なるように設けられている。切欠部32は、共振部Q4〜Q5に備えられた第2の孔54〜56を第1の孔41の開口する一面に投影した際の投影位置と重なるように設けられている。
送信側の共振部Q1〜Q3のうち、共振部Q1に含まれる第1の孔41には、外面22に設けられた第1の端子11が、誘電体基体1による誘電体層を介して、結合されている。
共振部Q4〜Q6のうち、共振部Q6に含まれる第1の孔46には、誘電体基体1の外面22の側に設けられた第3の端子13が、誘電体基体1による誘電体層を介して、結合されている。この場合の容量結合の詳細も、既に説明した通りである。
更に、中間の共振部Q3、Q4の第1の孔43、44に対しては、外面22の側において、アンテナ接続用の第2の端子12が接続される。
第1乃至第3の端子11〜13は、外面22において、絶縁ギャップg21〜g23によって外導体膜3から電気絶縁した状態で、配置されている。第1乃至第3の端子11〜13は実装基板上に面付けするために用いることができる。
共振部Q1〜Q3は、第1の孔41〜43が縦長(図24において)であり、共振部Q4〜Q6の第1の孔44〜46は横長である。共振部Q1〜Q3の第1の孔41〜43は、共振部Q4〜Q6の第1の孔44〜46よりも、外導体膜3に対する距離が小さい。従って、共振部Q1〜Q3は、誘導性結合を示し、共振部Q4〜Q6は、容量性結合を示す。
切欠部31は、共振部Q1〜Q3を構成する第2の孔51,52,53を第1の孔44〜46の開口する一面に投影した際の投影位置と重なるように設けられており、切欠部32は、共振部Q4〜Q6を構成する第2の孔54,55,56を第1の孔41〜43の開口する一面に投影した際の投影位置と重なるように設けられているから、送信側及び受信側のいずれにおいても、誘導性の段間結合を有するフィルタにおいては、帯域幅を、低域側から広げることができる。
図示は省略するが、デュプレクサについても、誘電体共振器または誘電体フィルタで例示した各種の構造(図1乃至図23参照)を適用することができることは勿論である。
ところで、既に述べたように、切欠部の態様によっては、誘導結合を生じさせ得る。次に、図27〜図29を参照し、その具体例について説明する。
まず、図27は、図17〜図20に示した誘電体装置を基本として、2つの切欠部31,32による誘導結合を付与した例を示す斜視図である。
切欠部31は、共振部Q1、Q2を構成する第2の孔51,52を第1の孔41〜43の開口する一面に投影した際の投影位置と重なるように配置されており、切欠部32は、共振部Q2、Q3を構成する第2の孔52,53を第1の孔41〜43の開口する一面に投影した際の投影位置と重なるように配置されている。切欠部31,32の間には、外導体膜3の一部が存在しており、これによって、切欠部31,32が互いに分離されている。
図27に示した実施例によれば、共振部Q1〜Q3の間の誘導結合を、切欠部31,32によって調整し、低域側において、帯域幅を広げ、あるいは、段間結合のバランスを改善することができる。
次に、図27に示した誘電体フィルタの周波数特性について、具体例を挙げて説明する。図27に示した構成において、誘電体基体1は、比誘電率εr=92の誘電体材料を用い、略直方体の形状とした。誘電体基体1の形状は、外面23で見た平面積が(4.2mm×2mm)、長さは2.5mmとした。第2の孔51〜53の孔径D2は0.7mmとした。これをサンプルS22とする。
次に、図27の基本構成は持つが、切欠部31と切欠部32とが、図22の様に接続したサンプルS21を準備した。さらに、図27の基本構成は持つが、切欠部31を持たないサンプルS23を準備した。
図28は、サンプルS21〜S23の周波数減衰特性を示している。図において、横軸に周波数(MHz)をとり、左縦軸に減衰量(dB)をとってある。
図28を参照すると、切欠部31を、第2の孔51〜53のそれぞれ毎に、細切れに独立に設けたサンプルS22は、切欠部を持たないサンプルS23よりも、低域側で、帯域幅が広くなっている。切欠部31が、第2の孔51〜53を第1の孔41〜43の開口する一面に投影した際の投影位置と重なるように、長くのびて配置されているサンプルS21では、さらに、帯域幅が広くなっている。しかも、帯域幅は、周波数の低い側で拡がっていることが分かる。
即ち、切欠部31,32を設けることにより、低域側で帯域幅を広げることができる。特に、切欠部31,32を、共振部Q1〜Q3の第2の孔51〜53を第1の孔41〜43の開口する一面に投影した際の投影位置と重なるように配置した場合に、その効果が一層顕著に現れる。
図29は、デュプレクサの斜視図である。基本構造は、図24〜図26に示したもの同様であるが、切欠部構造が異なる。切欠部は、送信用及び受信用に2組備えられている。即ち、切欠部31は、共振部Q1、Q2を構成する第2の孔51,52を第1の孔41〜43の開口する一面に投影した際の投影位置と重なるように配置されており、切欠部32は、共振部Q2、Q3を構成する第2の孔52,53の投影位置と重なるように配置されている。切欠部31,32は、外導体膜3の一部によって分離されている。
切欠部33は、共振部Q4、Q5を構成する第2の孔53,54を第1の孔44〜46の開口する一面に投影した際の投影位置と重なるように配置されており、切欠部34は、共振部Q5、Q6を構成する第2の孔55,56の投影位置と重なるように配置されている。切欠部33,34は、外導体膜3の一部によって分離されている。
上記実施例では、切欠部31,32を、共振部Q1〜Q3を構成する第2の孔51〜53の投影位置と重なるように配置し、切欠部33,34を、共振部Q4〜Q6を構成する第2の孔54〜56の投影位置と重なるように配置してあるので、送信側及び受信側のいずれにおいても、帯域幅を、任意に変えることができる。
本発明は以上の具体例に限定されるものではない。複数の共振部Q1〜Q6を形成する誘電体基体1では、外面23以外の面から形成する第1の孔41〜46は必ずしも同一の側面から形成されている必要はない。入出力端子や調整の都合に合わせて適当な側面に設置してもよい。第1の孔41〜46の周囲の導体が無い部分は、所望する電気的性能により、導体によって分離されていても、また一体になっていてもよい。第2の孔51〜56の隣に形成される他の共振部は、外面23と対向する外面24から形成されていてもよい。さらに、切欠部31〜34については、容量結合タイプと、誘導結合タイプとを併せ持つ構成であってもよい。
本発明に係る誘電体共振器の斜視図である。 図1に示した誘電体共振器を背面側から見た斜視図である。 図1の3−3線に沿った断面図である。 図3の4−4線に沿った断面図である。 誘電体共振器の実施例を示す斜視図である。 図5の6−6線に沿った拡大断面図である。 本発明に係る誘電体共振器の斜視図である。 図7に示した誘電体共振器を底面側から見た斜視図である。 図7の9−9線に沿った断面図である。 本発明に係る誘電体フィルタの斜視図である。 図10に示した誘電体フィルタを背面側から見た斜視図である。 図10の12−12線に沿った断面図である。 図12の13−13線に沿った断面図である。 本発明に係る誘電体フィルタの別の実施例を示す斜視図である。 本発明に係る誘電体フィルタの別の実施例を示す斜視図である。 図15の16−16線に沿った断面図である。 3つの共振部を有する誘電体フィルタを示す斜視図である。 図17に示した誘電体フィルタを背面側から見た斜視図である。 図17の19−19線に沿った断面図である。 図19の20−20線に沿った断面図である。 図17〜図20の実施例に係る具体例の周波数減衰特性を示す図である。 3つの共振部を有する誘電体フィルタの別の実施例を示す斜視図である。 図22に示した実施例の図20に対応する断面図である。 本発明に係るデュプレクサの斜視図である。 図24に示したデュプレクサを底面側からみた斜視図である。 図24の26−26線に沿った断面図である。 3つの共振部を有する誘電体フィルタの別の例を示す斜視図である。 誘電体フィルタの周波数減衰特性を示す図である。 本発明に係るデュプレクサの斜視図である。
符号の説明
1 誘電体基体
21〜26 外面
3 外導体膜
31〜34 切欠部
41〜46 第1の孔
51〜56 第2の孔

Claims (13)

  1. 誘電体基体と、複数の共振部と、端子と、切欠部とを含む誘電体装置であって、
    前記誘電体基体は、外面に外導体膜を備えており、
    前記共振部のそれぞれは、第1の孔と、第2の孔とを含み、前記誘電体基体を介して、互いに電気的に結合されており、
    前記第1の孔は、
    前記誘電体基体に設けられ、一端が前記外面の一面に開口し、前記一面からその対向する外面の方向に向かい、内部に第1の内導体を備え、前記第1の内導体が前記一面においてギャップによって前記外導体膜から隔てられており、
    前記第2の孔は、
    前記誘電体基体に設けられ、前記一面と対向していない外面に開口し、前記誘電体基体の内部で前記第1の孔に連なり、内部に第2の内導体を備え、
    前記第2の内導体は一端が前記誘電体基体の内部で前記第1の内導体に連なり、他端が前記外導体膜に連なり、
    前記端子は、前記誘電体基体の前記外面に備えられ、前記誘電体基体を介して、前記第1の内導体と電気的に結合されており、
    前記切欠部は、前記一面において、前記導体膜を切り欠いて構成され、近い共振部のそれぞれの第2の孔を、前記第1の孔の開口する一面に投影した際の、前記第2の孔のそれぞれの投影位置に連続して重なり、かつ、前記第1の孔の開口する位置に近い位置に配置されている、
    装置。
  2. 請求項1に記載された装置であって、前記第2の孔が開口している外面と、前記第1の孔との距離が、前記第2の孔に対向している外面と第1の孔との距離より長い、装置。
  3. 請求項1または2に記載された装置であって、
    前記端子は、第1の端子と、第2の端子とを含んでおり、
    前記第1の端子は、前記誘電体基体に備えられ、前記共振部の少なくとも一つと電気的に結合し、
    前記第2の端子は、前記誘電体基体に備えられ、前記共振部の他の少なくとも一つと電気的に結合している、
    装置。
  4. 請求項3に記載された装置であって、前記第1の端子は、前記誘電体基体の前記外面に備えられ、前記誘電体基体を介して、前記第1の内導体と電気的に結合している装置。
  5. 請求項3に記載された装置であって、前記第1の端子は、前記誘電体基体の前記外面に備えられ、前記誘電体基体を介して、前記第2の内導体と電気的に結合している装置。
  6. 請求項3に記載された装置であって、前記第2の端子は、前記誘電体基体の前記外面に備えられ、前記誘電体基体を介して、前記第1の内導体と電気的に結合している装置。
  7. 請求項3に記載された装置であって、前記第2の端子は、前記誘電体基体の前記外面に備えられ、前記誘電体基体を介して、前記第2の内導体と電気的に結合している装置。
  8. 請求項1乃至7の何れかに記載された装置であって、前記複数の共振部は、ステップ状の凹部を含んでおり、前記凹部は、前記第2の孔が開口する外面に形成され、その内部に複数の前記第2の孔を共通に含む装置。
  9. 請求項1乃至8の何れかに記載された装置であって、前記第1の孔は、大径部と、小径部とを含み、前記大径部は前記一面に開口し、前記小径部は前記大径部に連なる装置。
  10. 請求項1乃至9の何れかに記載された装置であって、前記第2の孔は、大径部と、小径部とを含み、前記大径部は、前記第2の孔が開口する面に開口し、前記小径部は前記大径部に連なる装置。
  11. 請求項1乃至10の何れかに記載された装置であって、誘電体フィルタである装置。
  12. 請求項1乃至10の何れかに記載された装置であって、デュプレクサである装置。
  13. 請求項12に記載された装置であって、3つ以上の共振部と、第1乃至第3の端子とを含み、前記第1の端子は、前記共振部の少なくとも一つに電気的に結合し、前記第2の端子は、前記共振部の他の少なくとも一つに電気的に結合し、前記第3の端子は、前記共振部の残りの少なくとも一つに電気的に結合されている装置。
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