CN1409404A - 发光器件和采用该器件的电子设备 - Google Patents

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Abstract

提供一种发光器件，能够抑制与有机发光材料损坏有关的OLED亮度变化，并获得一致的亮度。对输入视频信号进行连续或周期性采样，以检测像素的每个发光元件的发光周期或所显示的灰度等级，然后从所检测值的累加中预测损坏最严重的像素和降低的亮度。校正提供给目标像素的电压，以获得所需的亮度。目标像素之外的其他像素被提供过量的电压，因此通过校正视频信号用于在按需的基础上驱动带有损坏发光元件的像素，而使得像素的各灰度等级降低，视频信号的校正是通过将每个其他像素的检测值累加与提前存储的发光元件随时间变化的亮度特性数据相比较而进行的。

Description

发光器件和采用该器件的电子设备
技术领域
本发明涉及一种发光面板，其中在基板上形成的发光元件被封装在基板和覆盖部件之间。本发明还涉及一种发光模块，其中在发光面板上安装IC等。需要指出，在本说明书中，发光面板和发光模块统称为发光器件。本发明还涉及采用该发光器件的电子设备。
背景技术
发光元件自身能够发光，因此具有高可见度。发光元件不需要液晶显示器(LCD)所必需的背光，这有利于减小发光器件的厚度。而且发光元件没有视角的限制。因此近年来，采用发光元件的发光器件受到关注，成为CRT或LCD的替代显示器。
顺便说明，本说明书中发光元件表示其亮度由电流或电压控制的元件发光元件，包括OLED(有机发光二极管)、用于FED(场致发射型显示器)的MM型电子源元件(电子发射元件)等。
OLED包括含有有机化合物(有机发光材料)的层(以下称为有机发光层)、阳极层和阴极层，在该化合物中获得因施加电场而产生的亮度(电致发光)。存在从单线激发态返回基态的发光(荧光)以及从三线激发态返回基态的发光(磷光)，形成有机化合物中的亮度。本发明的发光器件可以利用上述发光中的一种或两种。
要指出的是，在本说明书中，设置在OLED的阳极和阴极层之间的所有层被定义为有机发光层。有机发光层具体包括发光层、空穴注入层、电子注入层、空穴传输层、电子传输层等。这些层中可以有无机化合物。OLED基本结构为阳极层、发光层和阴极层顺次层叠。除了这种结构外，OLED的结构可以是阳极层、空穴注入层、发光层和阴极层顺次层叠，或者结构为阳极层、空穴注入层、发光层、电子传输层和阴极层顺次层叠。
另一方面，因为有机发光材料损坏而导致的OLED亮度降低给发光器件的实际使用带来了一系列问题。
图18A用曲线表示当在发光元件两个电极之间施加恒定电流时它随时间变化的亮度。如图18A所示，尽管施加了恒定电流，但是发光元件的亮度下降，因为有机发光材料随时间而损坏。
图18B用曲线表示当在发光元件两个电极之间施加恒定电压时它随时间变化的亮度。如图18B所示，尽管施加了恒定电流，但是发光元件的亮度随时间而下降。这部分因为，如图18A所示，有机发光材料的损坏必然伴随着亮度在恒定电流下的降低；还部分因为，恒定电压导致的流经发光元件的电流随时间而降低，如图18C所示。
通过提高供给发光元件的电流或提高施加给它的电压，可以补偿发光元件亮度随时间流逝的下降。但是在大多数情况下，要被显示的影像包括逐个像素变化的灰度等级，因此像素的每个发光元件不同程度的损害，导致了亮度的变化。由于给每个像素提供能源以向其提供电压或电流是不可能实现的，因此由公共的能源给所有的像素或某些像素组提供电压或电流。所以，如果简单的提高从公共能源提供的电压或电流以补偿某些发光元件因为损坏导致的亮度降低，则被提供有增大的电压或电流的所有像素会均匀的提高亮度。所以，没有消除各发光元件之间亮度的不同。
发明概述
有鉴于前述问题，本发明的一个目的是提供一种发光器件，它能够抑制因为有机发光材料损坏导致的OLED亮度变化，获得一致的亮度。
本发明的发光器件用于对所提供的视频信号进行持续或周期性的采样，用于检测像素的每个发光元件的发光周期或所显示的灰度等级，从而从所检测值的累加值或所检测值的总和预测损坏最严重的像素和亮度的降低。然后将目标像素检测值的累加值与提前存储的发光元件随时间变化的亮度特性数据进行比较，以校正提供给目标像素的电压，从而获得所需的亮度。此时，过量的电压被提供给与损坏最严重的像素分享公共电压源的其他像素。因此意味着该其他像素的亮度比损坏最严重的像素大，显示过高的灰度等级。通过对用于驱动具有损坏最严重发光元件的像素的视频信号进行校正，使得该其他像素分别降低了灰度等级，其中视频信号的校正是通过将每个像素的检测累加值与提前存储的发光元件随时间变化的亮度特性数据相比较而进行的。
要指出的是，此处视频信号被限定为表示含有影像信息的数字信号。
尽管像素的发光元件损坏程度不同，但是上述方法避免了亮度变化，确保屏幕的亮度一致，同时抑制因损坏导致的亮度降低。
要指出的是，从电压源提供的电压值不必根据损坏最严重的像素进行校正，而是可以根据损坏最轻的像素进行校正。在这种情况下，由每个像素检测值的累计预测由于损坏最轻而具有最大亮度的像素。然后将目标像素的检测值累计与提前存储的发光元件随时间变化的亮度特性数据进行比较，以校正提供给目标像素的电压，从而获得所需的亮度。此时，给与损坏最轻的像素分享公共电压源的其他像素提供了不充足的电压。因此意味着该其他像素的亮度比损坏最轻的像素小，显示过低的灰度等级。通过对用于驱动具有损坏最轻发光元件的像素的视频信号进行校正，使得该其他像素分别提高了灰度等级，其中视频信号的校正是通过将每个像素的检测值累计与提前存储的发光元件随时间变化的亮度特性数据相比较而进行的。
要指出的是，设计者可以任意选定参考像素。对于那些比参考像素损坏更严重的像素，可以调整视频信号从而提高像素的灰度等级。对于那些比参考像素损坏更少的像素，可以调整视频信号从而降低像素的灰度等级。
附图的简要说明
图1是表示本发明的发光器件的方框图；
图2是本发明的发光器件的像素电路图；
图3A和3B是表示本发明发光器件的通过发光元件的电压和其随时间变化的亮度之间的关系图；
图4表示通过本发明发光器件的发光元件的电压随时间变化的量；
图5A-5C是表示根据加法操作的校正方法图；
图6A和6B是表示本发明发光器件的信号线驱动电路的方框图；
图7是表示本发明发光器件的扫描线驱动电路的方框图；
图8是表示本发明发光器件的方框图；
图9是本发明发光器件的像素电路图；
图10A-10C是本发明发光器件的制造方法图；
图11A-11C是本发明发光器件的制造方法图；
图12A和12B是本发明发光器件的制造方法图；
图13是本发明发光器件的截面图；
图14是本发明发光器件的截面图；
图15是本发明发光器件的截面图；
图16A-16H表示采用本发明发光器件的电子设备图；
图17是表示灰度等级和发光周期之间的关系图；
图18A-18C是发光元件因为损坏导致的亮度变化图；
图19是损坏校正单元的方框图；
图20是操作电路的方框图。
优选实施方案的详细说明
以下描述本发明发光器件的配置。图1是表示本发明发光器件的方框图，该器件包括损坏校正单元100、信号线驱动电路101、扫描线驱动电路102、像素部分103以及电压源104。在该实施方案中，在与形成信号线驱动电路101、扫描线驱动电路102和像素部分103的基片不同的基片上形成损坏校正单元100和电压源104。但是如果可能，所有这些元件可以在一个基片上形成。尽管根据该实施方案，电压源104包括在损坏校正单元100内，但是本发明也不限于这种结构。电压源104的位置根据像素构成而变化，但是关键在于，要确保电压源其连接方式能够控制施加给发光元件的电压的幅度。
像素部分103包括多个像素，每个像素具有一个发光元件。损坏校正单元100对施加给发光器件的视频信号进行处理，以校正从电压源104施加给像素各发光元件的电压，并校正施加给信号线驱动电路的视频信号，以使像素的各发光元件呈现一致的亮度。扫描线驱动电路102顺次选择设置在像素部分103的像素，而信号线驱动电路101响应所输入的已校正视频信号，以向扫描驱动电路102选择的像素提供电压。
损坏校正单元100包括计数器部分105、存储器电路部分106和校正部分107。计数器部分105包括计数器113。存储器电路部分106包括易失存储器108和非易失存储器109，而校正部分107包括视频信号校正电路110、电压校正电路111和校正数据存储部分112。
以下对损坏校正单元100的操作进行描述。首先，在发光器件中采用的发光元件的随时间变化的亮度特性数据被提前保存在校正数据保存部分112。以下将会描述的该数据主要用于对由电压源104向各个像素提供的电压进行校正，以及对视频信号进行校正，该校正是根据像素各发光元件的损坏程度而进行的。
然后对提供给发光元件的视频信号进行连续或周期性(例如在1秒的时间间隔)采样，同时计数器113根据视频信号的信息计数像素的各发光元件的各发光周期或灰度等级。如此计算的各像素发光周期或灰度等级用作数据，该数据顺次存储在存储器电路部分106。要指出的是，由于发光周期或灰度等级需要以累积的方式存储，因此存储器电路部分106可以优选包括非易失性存储器。但是通常来说，非易失性存储器其写入次数方面存在限制，因此可以是这样一种配置：操作易失性存储器108以在发光器件操作过程中来存储数据，同时按照规则的时间间隔(1小时时间间隔或例如在电压源关闭的时候)将数据写在非易失性存储器109上。
可以使用的易失性存储器的示例包括但不限于：静态存储器(SRAM)、动态存储器(DRAM)、铁电体存储器(FRAM)等。即易失性存储器可以包括任何类型的存储器。类似的，非易失性存储器也可以包括该领域通常使用的任何类型的存储器，例如闪存。但是要指出的是，在采用DRAM作为易失性存储器的情况下，需要增加周期性刷新功能。
在易失性存储器108或非易失性存储器109中保存的发光周期或灰度等级的累积数据被输入到视频信号校正电路110和电压校正电路111中。
通过将周期性存储在校正数据保存部分112中的随时间变化的亮度特性数据与每个像素的发光周期或灰度等级的累积数据相比较，电压校正电路111获取每个像素的损坏程度。因此电压校正电路检测损坏最严重的具体像素，然后根据该具体像素的损坏程度校正从电压源104提供给像素部分103的电压值。具体的说，提高该电压值以使得该具体像素显示理想的灰度等级。
由于根据具体像素对提供给像素部分103的电压值进行了校正，其他没有象该具体像素这样损坏如此之多的像素的发光元件就被提供了过量的电压，因此不能形成理想的灰度等级。因此视频信号校正电路110校正用于确定其他像素灰度等级的视频信号。除了发光周期或灰度等级的累积数据之外，向视频信号校正电路110输入视频信号。通过将周期性存储在校正数据保存部分112中的随时间变化的亮度特性数据与每个像素的发光周期或灰度等级累积数据进行比较，视频信号校正电路110获取每个像素的损坏程度。因此校正电路检测了损坏最严重的具体像素，然后根据该具体像素的损坏程度校正输入的视频信号。具体的说，校正视频信号以获得理想的灰度等级。校正的视频信号输入至信号线驱动电路101。
要指出的是，该具体像素可以不是损坏最严重的像素，而可以是损坏最少的像素，或者由设计者指定的任意像素。无论如何选择像素，都按照以下方式校正视频信号。即根据所选择的像素来确定从电压源104向像素部分103提供的电压值。至于比所选择的像素损坏更多的像素，校正视频信号以提高灰度等级。而对比所选择像素损坏更少的像素，校正视频信号以降低灰度等级。
图2表示根据本发明包括在发光器件中的像素示例。图2的像素包括信号线121、扫描线122、输电线124、晶体管Tr1和Tr2、电容器129和发光元件130。
晶体管Tr1的栅极连接至扫描线122。Tr1其源极连接至信号线121，其漏极连接至晶体管Tr2的栅极。晶体管Tr2其源极连接至输电线124，其漏极连接至发光元件130的像素电极。电容器129连接在晶体管Tr2的栅极和源极之间，用于保持穿过晶体管Tr2的栅极和源极之间的电压。给输电线124和发光元件130的阴极提供预定的电势，从而输电线和该阴极之间具有电势差。
将来自电压源104的预定电压提供给输电线124。
利用从扫描线驱动电路102提供的电压选择扫描线122，由此Tr1变为ON。顺便提及，在像素部分103准备有多个像素，也准备有多个扫描线122。连续选择多个扫描线122，选择持续时间彼此不重叠。
当Trl变为ON时，通过信号驱动电路101施加的视频信号电压就被施加给Tr2的栅极。栅极电压VGS保留在电容器129中。
当选择扫描线122时，关于如何限定施加给输电线124的电压值可以有两种方法。一种是将大小保持在这样一种程度：当该电压施加给发光元件130的像素电极时，发光元件130不发光。另一种是将大小保持在如下程度：当该电压被施加给发光元件130的像素电极时，该电压高至足以使得发光元件130发光。在前者中，当选择扫描线122时，发光元件不发光。对于后者，当选择扫描线122时，发光元件发光。在本说明书中可以使用任一种施加电压的方法，在该实施方案中描述前一种方法作为示例。
完成扫描线的选择之后，输电线124的电压被保持在如下程度：当该电压被施加给发光元件130的像素电极时，该电压高至足以使得发光元件130发光。此时，根据输入的视频信号的电压以及输电线124的电压来确定Tr2的漏电流，发光元件130接收漏电流并发光。
另外，对于后者，将输电线124的电压保持在如下程度：如果该电压被施加给像素电极，则该电压高至足以使得该发光元件在任何时候都发光。
根据本发明的发光器件，电压校正电路111校正从电压源104施加给输电线124的电压幅度。在视频信号是数字的时候，作为视频信号输入像素的电压只有两个值，因此视频信号校正电路110校正视频信号从而改变发光元件130的发光周期长度，用于控制像素的灰度等级。当视频信号是模拟的时候，像素的灰度等级由视频信号校正电路110来控制，该视频信号校正电路校正视频信号从而改变Tr2漏电流的大小。
图3A表示包括在本发明的发光器件中的发光元件的随时间变化的亮度。由于上述校正，发光元件的亮度被保持在一个恒定的水平。图3B表示施加给在本发明发光器件中包括的发光元件的随时间变化的电压。增大施加给发光元件的电压，用于补偿关于损坏导致的亮度降低。
在图3A和3B中，进行校正以将发光元件的亮度在任何时候都保持恒定。但是当例如按照给定的时间间隔进行校正时，亮度并不始终保持在一致的水平上，因为校正是在发光元件的亮度降低至某种程度时进行的。
随着发光元件损坏的增大，施加给发光元件的电压无限增大。施加给发光元件的过大电压加速了其损坏，促进不发光点(暗点)的产生。因此如图4所示，本发明可以设置成当施加给发光元件的电压从初始值增大了给定值(α％)时推迟校正导致的电压增大，然后从电压源提供给发光元件的电压可以保持在恒定值。
要指出的是，本发明的发光器件的像素不限于图2所示结构。本发明的像素可以具有允许施加给发光元件的电压由电压源来控制的任何构造。
根据本发明的发光器件，当切断电源时，表示发光周期或各像素灰度等级并保存在易失性存储器108中的累积数据可以加在非易失性存储器109中存储的发光周期或灰度等级的累积数据上，然后所得到的数据可以保存在非易失性存储器中。这样在随后能量启动之后，允许连续进行发光元件的发光周期或灰度等级的累积数据收集。
在前述方式中，发光元件的发光周期或灰度等级被连续或周期性检测，同时保存发光周期或灰度等级的累积数据，用于和以前存储的发光元件随时间变化的亮度特性数据进行比较，从而在按需基础上校正视频信号。这样可以校正视频信号，从而损坏的发光元件可以获得与未损坏发光元件同样的亮度。结果，可以防止亮度的变化，确保一致的屏幕显示。
尽管根据本发明的实施方案检测各发光元件的发光周期或灰度等级，但是可以作出这样一种安排，使得在某些时间点上，只确定各发光元件存在或不存在发光。循环重复检测各发光元件发光的存在，从而可以根据所发出的光数量与检测的总数之间的比例估算每个发光元件的损坏程度。
根据图1，校正的视频信号直接输入到信号线驱动电路中。在信号线驱动电路适用于模拟视频信号时，可以设置D/A转换器电路，从而在输入之前将数字视频信号转换为模拟信号。
尽管前面的描述是以OLED作为发光元件的示例来进行的，但是本发明的发光器件不限于采用OLED，可以采用其他任何发光元件例如PDP、FED等。
实施例
以下描述本发明的实施例。
实施例1
在该实施例中，描述本发明发光器件校正部分所采用的校正视频信号的方法。
在根据信号对损坏的发光元件的亮度降低进行补充的方法中，给输入视频信号加上给定的校正值，以将输入信号转换为具体表示提高了几个等级的灰度等级的信号，由此获得与损坏前一样的亮度。在电路设计中执行该方法的最简单的途径是提前设置一个电路，它能够处理额外灰度等级的数据。
具体的说，例如在用于6比特位数字灰度(64灰度等级)并包括本发明损坏校正功能的发光元件的情况中，对该器件进行设计并制造，而使其具有处理用于进行校正的附加1比特位数据的能力，并实际上能够处理7比特位数字灰度(128灰度等级)。然后，该器件在常规操作中在较低级6比特位数据上进行操作。当发光元件发生损坏时，将校正值加在常规的视频信号上，并且使用前述附加的1比特位来处理所加的数值的信号。在这种情况下，使用MSB(最高有效比特位)来单独进行信号校正，从而实际上所显示的灰度包括6比特位。
实施例2
在该实施例中，描述与以实施例1不同途径校正视频信号的方法。
图5A是图1像素部分103的放大视图。此处，讨论三个像素201-203。假设像素201具有最小的损坏，像素202损坏比像素201大，像素203损坏最大。
像素的损坏越大，像素亮度降低越多。在没有亮度校正的情况下，显示一定半色调的像素会面临如图5B所示的亮度变化问题。即像素202呈现比像素201低的亮度，而像素203呈现比像素201低许多的亮度。
以下描述实际的校正操作。精确进行测量以获得发光元件的发光周期或灰度等级的累积数据和因为损坏而导致的其亮度降低之间的关系。要指出的是，发光周期或灰度等级的累积数据与因为损坏导致的发光元件亮度降低之间并不始终存在着简单的关系。在校正数据保存部分112中提前存储发光元件的损坏程度与发光周期或灰度等级的累积数据的比例。
电压校正电路111根据保存在校正数据保存部分112中的数据确定用于从电压源104提供的电压的校正值。根据参考像素的发光周期或灰度等级的累积数据来确定电流的校正值。例如如果损坏最大的像素203作为参考像素，允许像素203保持理想的灰度等级，但是这就给像素201和202提供了过量的电压，从而其视频信号需要校正。因此视频信号校正电路110根据具有最大损坏的特定像素的损坏程度来校正输入视频信号从而获得理想的灰度等级。具体的说，在参考像素和另一个像素之间比较发光周期或灰度等级的累积数据；计算这些像素的灰度等级之间的差值；校正视频信号从而补偿灰度等级差值。
参考图1，视频信号输入至视频信号校正电路110，该电路读取每个像素的发光周期或灰度等级的累积数据，其中该累积数据保存在存储器电路部分106。视频信号校正电路通过将所读出的每个像素的发光周期或灰度等级的累积数据与发光元件的损坏程度进行比较，而决定每个视频信号的校正值，其中该损坏程度与其发光周期或灰度等级的累积数据相关，并且该损坏程度保存在校正数据保存部分112。
例如当采用像素203作为参考以进行校正时，像素201和202与像素203损坏程度不同，因此需要利用视频信号的方法来校正灰度等级。从这些像素的发光周期或灰度等级的累积数据，预计像素201与像素203的损坏程度差别比像素202与像素203的大。因此，与像素202的校正相比，通过较多的级来校正像素203的灰度等级。
图5C图示表示与参考像素在发光周期或灰度等级的累积数据方面的差值和视频信号方法校正的灰度等级数量之间的关系。要指出的是，由于发光周期或灰度等级的累积数据和发光元件因为损坏导致的亮度降低之间不是始终具有简单的关系，因此通过校正视频信号而要加上的灰度等级数量与发光周期或灰度等级的累积数据之间不是始终都呈现简单关系的。如上所述，根据加法操作的校正确保了屏幕的一致亮度。
现在参考图17，描述与各比特位视频信号相对应的发光元件的各发光周期(Ts)长度和本发明的发光器件的灰度等级之间的关系。图17以视频信号由3比特位组成的情况作为示例，表示在一个方框周期内表现为发光的持续时间，用于显示从0至7的8个灰度等级中的每一个。
3比特位视频信号的每个比特位分别对应于Ts1-Ts3的发光周期。发光周期的安排表示为Ts1∶Ts2∶Ts3＝22∶2∶1。尽管以3比特位的视频信号作为示例来进行说明，但是比特位的数量不限于此。当使用n比特位视频信号时，发光周期长度的比例表示为Ts1∶Ts2∶……Tsn-1∶Tsn＝2n-1∶2n-2∶……∶2∶1。
由在一个方框周期内表现为发光的持续时间的总和可以确定灰度等级。例如当发光元件在所有的发光周期内都是亮的时候，灰度等级为7。当发光元件在所有的发光周期都不亮的时候，灰度等级为0。
设想对电压进行校正以使得像素201、202和203显示灰度等级3，但是像素203达到灰度等级3，而像素201显示灰度等级5，像素202显示灰度等级4。在这种情况下，像素201的灰度等级高2级，而像素202的灰度等级高1级。
因此，视频信号校正电路对视频信号进行校正，以给像素201施加灰度等级为1的校正后的视频信号，它比所需的灰度等级3低2级，从而发光元件因此可以只在Ts3的周期发光。另一方面，视频信号校正电路对视频信号进行，以给像素202施加灰度等级为2的校正后的视频信号，它比所需的灰度等级3低1级，从而发光元件因此可以只在Ts2的周期发光。
尽管该实施例描述了以损坏最严重的像素作为参考来进行校正的情况，但是本发明不限于此。设计者可以任意设定参考像素，并可以安排成使得视频信号在按需的基础上进行校正，以实现灰度等级与参考像素的一致。
当以损坏最轻的像素作为参考时，基于加法来校正视频信号，因此对白色显示的校正不是有效的。(具体的说，当例如输入“111111”作为6比特位视频信号时，无法作任何进一步的加法)。另一方面，当以损坏最严重的像素作为参考时，基于减法来校正视频信号。与根据加法进行校正相反，校正的无效范围是对于黑色的显示，因此影响较小。(具体的说，当例如输入“000000”作为6比特位视频信号时，不需要作任何进一步的减法，黑色的确切显示可以通过常规的发光元件和损坏的发光元件来进行(简单的将发光元件置于不发光状态)。该方法其特征在于如果显示单元用于显示比特位略多的数据，则靠近黑色点的比0灰度等级高一些级的点被基本适当的显示)。这两种方法用于提高灰度等级的数量。
在另一种有效的方法中，基于加法的校正方法和基于减法的校正方法结合使用，在作为边界的给定灰度等级处切换，由此补偿其各自的缺点。
实施例3
在实施例3中，以下对本发明发光器件的信号线驱动电路和扫描线驱动电路的结构进行描述。
图6A和6B中显示了该实施例的发光器件中驱动电路的方框图。图6A表示信号线驱动电路601，它具有移位寄存器602、锁存器(A)603和锁存器(B)604。
图6B表示图6A中信号线驱动电路的进一步详细结构。
时钟信号CLK和起始脉冲SP输入至信号线驱动电路601中的移位寄存器602中。移位寄存器602根据时钟信号CLK和起始脉冲SP按次序产生定时信号，通过缓冲器(未显示)等向随后的分段电路(stagecircuit)逐一发出定时信号。
要指出的是，来自移位寄存器电路602的定时信号输出可以被缓冲器等缓冲放大。提供有定时信号的线路的负载电容(寄生电容)是大的，因为许多线路或元件连接至该线路。形成缓冲器以防止由于大负载电容而产生的定时信号升和降中的钝度。另外缓冲器也不是始终都是必要的。
由缓冲器缓冲放大的定时信号输入至锁存器(A)603。锁存器(A)603有多个锁存段(stage)，用于处理损坏校正单元610中的校正的视频信号。当输入定时信号时，锁存器(A)603逐渐写入并保持从损坏校正单元610中输入的校正的视频信号。
要指出的是，可以按序向锁存器(A)603的多个锁存段输入视频信号，以向锁存器(A)603写入视频信号。但是本发明不限于这种结构。锁存器(A)603的多个锁存段可以被分成一定的组，可以将视频信号同时并行的向各组输入，进行分区驱动。而且，包括在一个组内的段的数量是指划分的数量。例如当锁存器被分为每四个段一组时，它是指由4个区进行分区驱动。
视频信号被完全写入到锁存器(A)603的所有锁存段的周期被称为行周期。实际上，存在如下情况：行周期包括水平返回周期与上述行周期的加和。
一个行周期完成后，锁存信号输入锁存器(B)604。此刻，写入并保存在锁存器(A)603中的视频信号一起送出，以写入和保存在锁存器(B)604的所有段中。
在锁存器(A)603中，在完成向锁存器(B)604发出数字视频信号之后，根据来自移位寄存器602的定时信号写入数字视频信号。在第二级的一个行周期内，写入并保存在锁存器(B)604中的数字视频信号输入至源极信号线。
作为移位寄存器的替换，也可以采用不同的线路例如解码器电路，以连续向锁存器电路写入视频信号。
图7举例说明了包括移位寄存器606和缓冲电路607的扫描线驱动电路的方框图。如果确实需要，也可以设有电平移动器。在扫描线驱动电路605中，来自寄存器606的定时信号被输入缓冲器电路607，并传送至相应的扫描线。构成对应于单行的像素的作为切换元件的那些TFT的多个栅极连接至各扫描线。由于需要同时将包括在对应于单行的像素内的多个TFT开启为ON，因此缓冲器电路607能够承受大电流。
作为移位寄存器的替换，可以采用不同的电路例如解码器电路，以选择栅极信号并提供定时信号。
在本发明中采用的驱动电路的结构不仅仅限于实施例3中所示的。根据该实施例的结构可以与实施例1或2的自由组合。
实施例4
在本发明该实施方案的发光器件中，在与设有像素部分的基片不同的基片上形成损坏校正单元。提供给发光器件的视频信号在视频信号校正电路中进行校正，然后通过FPC(软性印刷线路板)输入至信号线驱动电路，该信号线驱动电路在包括像素部分的同一个基片上形成。这种方法的优点在于，损坏校正单元其特点是单元设计带来的兼容性，因此允许直接使用一般的发光面板。该实施例描述一种方法，其中校正损坏单元在包括像素部分、信号线驱动电路和扫描线驱动电路的同一个基片上形成，由此因为明显减少了元件数量而降低了成本，节省空间，并实现了高速操作。
图8表示本发明发光器件的布局，其中损坏校正单元以及像素部分、信号线驱动电路和扫描线驱动电路集成在同一个基片上。信号线驱动电路402、扫描线驱动电路403、像素部分404、输电线405、FPC406以及损坏校正单元407集成在基片401上。无需说明，基片上的布局不限于图中所示的实施例。但是理想的是，各块彼此邻近设置，并考虑信号线等的布局或线路长度。
来自外部影像源的视频信号通过FPC406输入至损坏校正单元407的视频信号校正电路。然后，校正的视频信号输入信号线驱动电路402。
另一方面，在损坏校正单元的电压校正电路中，校正从电压源输出的电压量。根据该实施例，从损坏校正单元中的电压源输出的电压量由电压校正电路校正，但是该实施例不仅限于这种布局。用于控制施加给发光元件的电压量的电压源不是始终都必须设置在损坏校正单元内。
在图8所示的实施例中，损坏校正单元407设置在FPC406和信号线驱动电路402之间，从而便于控制信号的路径选择。
该实施例可以与实施例1-3中任何一个结合使用。
实施例5
在实施例5中，参考图9所示的线路图来描述包括在本发明发光器件内的像素构造。
如图9所示实施例的像素800包括信号线Si(S1-Sx中的一个)、连接至电压源的输电线Vi(V1-Vx中的一个)、第一扫描线Gaj(Gal-Gay中的一个)以及第二扫描线Gej(Gel-Gey中的一个)。
像素800还包括晶体管Tr1、Tr2和Tr3、电容器801和发光元件802。Tr1的栅极连接至第一扫描线Gaj。对于Tr1的源极和漏极，它们中的一个连接至信号线Si，而另一个连接至Tr2的栅极。
晶体管Tr3的栅极连接至第二扫描线Gej。对于Tr3的源极和漏极，它们中的一个连接至输电线Vi，而另一个连接至Tr2的栅极。
电容器801包括2个电极，其中的一个连接至输电线Vi，而另一个连接至Tr2的栅极。当Tr1处于未选择状态时(换句话说处于OFF状态)，设置电容器801来保存Tr2的栅极电压。要指出的是，设置电容器801的结构如实施例5所示，但是本发明不限于上述的结构，换句话说，可以不设置电容器801。
对于Tr2的源极和漏极，它们其中的一个连接至输电线Vi，而另一个连接至发光元件802的像素电极。
发光元件802包括阳极、阴极、设置在阳极和阴极之间的有机发光层。当阳极连接至Tr2的源极或漏极时，像素电极作为阳极，反电极作为阴极。相反，当阴极连接至Tr2的源极或漏极时，像素电极作为阴极，反电极作为阳极。
施加给输电线Vi的电压由包括在损坏校正单元内的电压校正电路校正。输入信号线Si的视频信号由包括在损坏校正单元内的视频信号校正电路校正。
Tr1、Tr2和Tr3可以是n沟道TFT或p沟道TFT。另外，Tr1、Tr2和Tr3可以是双栅极结构，或者多栅极结构，例如三栅极结构来代替单栅极结构。
本发明的实施例5可以与实施例1-4中任何一个相结合。
实施例6
在实施例6中，描述本发明的发光器件的制造方法。要指出的是，在实施例6中，描述图2所示的像素元件的制造方法作为示例。另外要指出的是，该实施例的制造方法可以用于本发明具有其他结构的像素部分。另外，在实施例6中，描述了具有晶体管Tr1和Tr2的像素元件的截面图。在实施例6中，显示了设在具有TFT的像素部分周边上的驱动电路(信号线驱动电路和扫描线驱动电路)与像素部分的TFT基本在同一个基片上形成的示例。
首先，如图10A所示，由绝缘膜例如氧化硅膜、氮化硅膜或氧氮化膜构成的基底膜302在基片301上形成，该基片由玻璃例如ConingCorporation的#7059玻璃和#1737玻璃代表的硼硅酸钡玻璃或硼硅酸铝玻璃构成。例如，由SiH4、NH3和N2O通过等离子CVD方法形成的氧氮化硅膜302a，其厚度为10-200nm(优选为50-100nm)。类似的，在其上由SiH4和N2O形成水生的(hydrogenerated)氧氮化硅膜层302a，其厚度为50-200nm(优选为100-150nm)。在该实施例中，基底膜302具有两层的结构，但是可以由以上绝缘膜中的一种形成为单层膜，或者具有上述绝缘膜中两个以上的层的层叠膜。
岛状半导体层303-306由晶体半导体膜形成，该晶体半导体膜是通过对具有无定形结构的半导体膜进行激光结晶或已知的热结晶来获得的。这些岛状半导体层303-306中的每一个厚度为25-80mm(优选为30-60mm)。对于结晶半导体膜的材料没有限制，但是结晶半导体膜优选由硅或锗化硅(SiGe)合金等形成。
当采用激光结晶的方法制造结晶半导体膜的时候，采用准分子激光器、脉冲振荡型或连续发光型的YAG激光器和YVO4激光器。当使用这些激光器时，优选采用从激光振荡器辐射出来的激光光束被光学系统转换为直线形状并照射在半导体膜上的方法。结晶条件由操作者适当的选择。当使用准分子激光器时，脉冲振荡频率设定在300Hz，激光能量密度设定在100-400mJ/cm2(通常为200-300mJ/cm2)。当使用YAG激光器时，通过利用它的二次谐波而优选将脉冲振荡频率设定在30-300kHz，激光器能量密度设定在300-600mJ/cm2(一般为350-500mJ/cm2)。转换为直线形状并且宽度为100-1000μm例如400μm的激光束照射在整个基片表面。此时，线性激光的重叠比例设定在50-90％。
要指出的是，可以使用连续振荡型或脉冲振荡型的气体激光器或固态激光器。可以使用气体激光器例如准分子激光器、Ar激光器、Kr激光器，以及固态激光器例如YAG激光器、YVO4激光器、YLF激光器、YAlO3激光器、玻璃激光器、红宝石激光器、绿宝石激光器、Ti：蓝宝石激光器作为激光束。而且，可以使用晶体例如其中参杂着Cr、Nd、Er、Ho、Ce、Co、Ti或Tm的YAG激光器、YVO4激光器、YLF激光器、YAlO3激光器作为固态激光器。根据所参杂的材料，激光器的基波是不同的，因此获得基波大致为1μm的激光束。通过使用非线性光学元件可以获得与基波相对应的谐波。
另外，当从固态激光器中发出的红外激光由非线性光学元件改变为绿色激光后，可以使用由另一个非线性光学元件获得的紫外激光。
当进行无定形半导体膜的结晶时，优选的是，利用能够连续振荡的固态激光器来施加基波的二次谐波至四次谐波，以获得大的晶粒尺寸。一般来说，优选的是，施加Nd：YVO4激光器(基波为1064nm)的二次谐波(波长为532nm)至三次谐波(波长为355nm)。具体的说，利用非线性光学元件将从输出为10W的连续振荡型YVO4激光器发出的激光束转换为谐波。而且可以使用通过将YVO4晶体和非线性光学元件用于谐振器内而发出谐波的方法。然后更优选的是，利用光学元件形成激光束以使之具有矩形或椭圆形状，由此照射要被处理的基片。此时，需要大致0.01-100MW/cm2(优选为01.至10MW/cm2)的能量密度。以对应于激光束的相对10-2000cm/s的速度向激光束移动半导体膜，从而照射半导体膜。
然后，形成覆盖岛状半导体膜303-306的栅极绝缘膜307。利用等离子CVD方法或溅射方法形成由含有硅的绝缘膜构成的栅极绝缘膜307，厚度为40-150nm。在该实施例中，栅极绝缘膜307由氧氮化硅膜构成，厚度为120nm。但是，该栅极绝缘膜不限于这种氧氮化硅膜，可以是含有硅并具有单层或叠层结构的绝缘膜。例如，当通过等离子CVD方法形成氧化硅膜时，混合TEOS(四乙基原硅酸盐)和O2，将反应压力设定在40Pa，基片温度设定在300-400℃，高频(13.56MHz)能量密度设定在0.5-0.8W/cm2，用于放电。因此通过放电可以形成氧化硅膜。通过在400-500℃进行热退火，以这种方式形成的氧化硅膜可以获得优选的特性，作为栅极绝缘膜。
在栅极绝缘膜307上形成能够形成栅极电极的第一导电膜308和第二导电膜309。在该实施例中，由Ta形成第一导电膜308，厚度为50-100nm，由W形成第二导电膜309，厚度为100-300nm。
通过溅射方法形成Ta膜，利用Ar溅射Ta钯。在这种情况下，当适量的Xe和Kr被加入到Ar中时，释放了Ta膜的内部应力，可以防止该膜的剥离。α相的Ta膜的电阻约为20μΩcm，该Ta膜可以用作栅极电极。但是β相的Ta膜的电阻约为180μΩcm，不适于用作栅极电极。当提前形成其晶体结构接近α相Ta并且厚度约为10-50nm的氮化钽膜以作为Ta的基底膜来形成α相的Ta膜时，容易获得α相的Ta膜。
利用W作为钯通过溅射方法形成W膜。另外，也可以利用六氟化钨(WF6)通过热CVD方法形成W膜。在任何情况下，需要降低电阻以利用这种膜作为栅极电极。希望将W膜的电阻设定为等于或接近于20μΩcm。当W的晶粒尺寸增大时，可以降低W膜的电阻。但是当W膜内有许多杂质元素例如氧等时，就会防止结晶并提高电阻。因此在采用溅射方法的情况下，使用纯度为99.9999％或99.99％的W钯，并且当要形成膜时，要非常小心不将杂质从气相混入W膜内，从而制造W膜。
在该实施例中，由Ta形成第一导电膜308，由W形成第二导电膜309。但是本发明不限于此。每个这种导电膜可以由选自Ta、W、Ti、Mo、Al和Cu或以这些元素作为主要成分的合金材料或化合物材料的物质形成。另外，也可以使用由参杂了杂质元素例如磷的多晶硅膜为代表的半导体膜。在该实施例中，除了上述结合以外的其他结合的示例包括：由氮化钽(TaN)形成第一导电膜308并由W形成第二导电膜309的结合；由氮化钽(TaN)形成第一导电膜308并由Al形成第二导电膜309的结合；以及由氮化钽形成第一导电膜308并由Cu形成第二导电膜309的结合(图10)。
然后，由抗蚀剂形成掩膜310，进行第一蚀刻过程以形成电极和线路。在该实施例中，采用ICP(感应耦合等离子体)蚀刻方法，将CF4和Cl2与进行蚀刻的气体混合。在1Pa的压力下向线圈型电极施加500W功率的RF(13.56MHz)，从而产生等离子体。也向基片侧(样品台)施加100W功率的RF(13.56MHz)，并施加基本负性自偏压。当混合CF4和Cl2时，将W膜和Ta膜蚀刻至同等程度。
在上述蚀刻条件下，通过使抗蚀剂形成的掩膜形成为适当形状，利用施加给基片侧的偏压的效应，第一导电层和第二导电层的端部形成为锥形。锥形部分的角度设定为15°- 45°。优选提高约10-20％的蚀刻时间，从而进行蚀刻而不在栅极绝缘膜上留下残余。由于氧氮化硅膜对W膜的选择比例在2-4之间(一般是3)，因此通过上述蚀刻过程，氧氮化硅膜的暴露面被蚀刻了约20-50nm。因此通过第一蚀刻过程，由第一和第二导电层形成第一形状的导电层311-314(第一导电层311a至314a和第二导电层311b至314b)。在栅极绝缘膜307中，没有被第一形状的导电层311-314覆盖的区域蚀刻约20-50nm，从而形成变薄的区域。另外掩膜310的表面也被上述蚀刻过程所蚀刻。
然后通过第一参杂过程加入用于赋予n型导电性的杂质元素。参杂方法可以是离子参杂方法或离子注入方法。离子参杂方法实施的条件为：剂量设定在1×1013至5×1014原子/cm2，加速电压设定在60-100kev。属于15族的元素、一般为磷(P)或砷(As)用作赋予n型导电性的杂质元素。但是此处使用磷(P)。在这种情况下，导电层311-314相对于赋予n型导电性的杂质元素来说用作掩膜，第一杂质区317-320以自对准的方式形成。赋予n型导电性的杂质元素按照1×1020至1×1021原子/cm2的浓度范围加入到第一杂质区317-320中(图10B)。
然后不除去抗蚀剂掩膜310，进行第二蚀刻过程，如图10C所示。利用CF4、Cl2和O2作为蚀刻气体选择性的蚀刻W膜。通过第二蚀刻过程形成第二形状的导电层325-328(第一导电层325a至328a和第二导电层325b至328b)。没有被第二形状的导电层325-328覆盖的栅极绝缘膜307区域再蚀刻约20-50nm，从而形成变薄的区域。
从所产生的自由基或离子类以及反应产物的蒸汽压力，可以设想采用CF4和Cl2的混合气体蚀刻W膜或Ta膜中的蚀刻反应。当比较W和Ta的氟和氯的蒸汽压时，作为W的氟化物的WF6的蒸汽压力非常高，其他的WCl5、TaF5和TaCl5的蒸汽压力彼此大致相等。因此，采用CF4和Cl2的混合气体蚀刻W膜和Ta膜。但是当适量的O2加入到该混合气体中时，CF4和O2相反应形成CO和F，从而产生大量的F自由基和F离子。结果，提高了其氟化物具有高蒸汽压的W膜的蚀刻速度。与此相反，当F增加时，Ta的蚀刻速度提高较少。由于Ta比W容易氧化，Ta膜的表面被加入的O2所氧化。由于没有Ta的氧化物与氟或氯反应，因此Ta的蚀刻速度进一步降低。因此可以在W膜和Ta膜之间形成蚀刻速度差异，从而可以将W膜的蚀刻速度设定为比Ta膜的高。
然后如图11A所示，进行第二参杂过程。在这种情况下，按照比第一参杂过程小的剂量，参杂赋予n型导电性的杂质元素，但是加速电压比第一参杂过程中的高。例如加速电压设定为70-120kev，剂量设定为1×1013原子/cm2。因此在图10B的岛状半导体层中形成第一杂质区中形成新的杂质区。在参杂中，第二形状的导电层325-328相对于杂质元素来说用作掩膜，进行参杂从而将杂质元素也加入到第一导电层325a至328a之下的区域内。因此形成第三杂质区332-335。第三杂质区含有磷(P)，它具有和第一导电层325a至328a的锥形部分中厚度梯度相一致的平缓浓度梯度。在重叠第一导电层325a至328a的锥形部分的半导体层中，第一导电层325a至328a锥形部分的中心周围的杂质浓度略低于其边缘的浓度。但是这种差别非常小，在整个半导体层中基本保持着同样的杂质浓度。
然后如图11B所示进行第三蚀刻处理。采用CHF6作为蚀刻气体，并且采用活性离子蚀刻方法(RIE)。通过第三蚀刻处理，将第一导电层325a至328a的锥形部分进行部分蚀刻，以减少第一导电层与半导体层重叠的区域。如此形成的第三形状的导电层336-339(第一导电层336a至339a，以及第二导电层336b至339b)。此时，栅极绝缘膜307的没有被第三形状的导电层336-339所覆盖的区域被进一步蚀刻，并变薄约20-50nm。
通过在第三杂质区332-335进行第三蚀刻处理，分别形成与第一导电层336a至339a重叠的第三杂质区332a至335a，在第一杂质区和第三杂质区之间分别形成第二杂质区332b至335b。
如图11C所示，在岛状半导体层303和306中形成具有与第一导电类型相反的导电类型的第四杂质区343至348，用于形成p沟道类型TFT。第三形状的导电层336b至339b用作杂质元素的掩膜，以自对准方式形成杂质区。此时，用于形成n沟道TFT的岛状半导体层304和305完全被抗蚀剂掩膜350覆盖。杂质区343至348已经参杂有不同浓度的磷。通过离子参杂使杂质区343至348参杂有乙硼烷(B2H6)，在各杂质区内的杂质浓度设定为2×1020至2×1021原子/cm3。
通过上述步骤，在各岛状半导体层中形成杂质区。与岛状半导体层重叠的第三形状导电层336-339作为栅极电极。
在除去抗蚀剂掩模350之后，对加入到岛状半导体层中的杂质元素进行活化，以控制导电类型。利用炉子通过热退火方法进行炉退火，来执行该步骤。另外可以采用激光退火方法或快速热退火方法(RTA方法)。在热退火方法中，在400-700℃、一般是500-600℃下在氮气中进行该步骤，所述氮气中氧浓度等于或小于1ppm，优选等于或小于0.1ppm。在该实施例中，在500℃进行4个小时的热处理。当用于第三形状导电层336-339的线路材料耐热性不好时，优选在形成中间层绝缘膜(以硅作为主要成分)以保护线路等之后进行活化。
当采用激光退火方法时，可以使用在结晶中使用的激光。当进行活化时，移动速度设定为和结晶处理相同，需要约0.01-100MW/cm2的能量密度(优选为0.01-10MW/cm2)。
另外，在300-450℃在含有3-100％的氢的气氛中进行1-12小时的热处理，从而氢化岛状的半导体层。该步骤是通过热激发的氢来终止不饱和键。也可以进行等离子氢化(采用等离子激发的氢)作为另一种氢化方法。
然后如图12A所示，由氧氮化硅膜形成第一中间层绝缘膜355，厚度为100-200nm。在第一中间层绝缘膜上形成有机绝缘材料的第二中间层绝缘膜356。形成穿过第一中间层绝缘膜355、第二中间层绝缘膜356和栅极绝缘膜307的接触孔，构成连接线路357-362的图案并形成该线路。要指出的是，附图标记362是电源供应线路，附图标记360表示信号线路。
以有机树脂为材料的膜用作第二中间层绝缘膜356。聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸类、BCB(苯并环丁烯)等可以用作该有机树脂。实际上，由于第二中间层绝缘膜356主要用于平面化，因此优选具有优异膜平整性的丙烯酸类。在该实施例中，形成丙烯酸类的膜，其厚度足以使得TFT导致的水平差变平整。其膜厚优选为1-5μm(更优选是2-4μm)。
在接触孔的形成过程中，分别形成到达n型杂质区318和319或p型杂质区345和348的接触孔，以及到达电容线路(未显示)的接触孔(未显示)。
另外，将三层结构的层状体按照理想的形状形成图案，并作为连接线路357-362。在该三层结构中，通过溅射方法连续形成厚度为100nm的Ti膜、厚度为300nm的含Ti的Al膜以及厚度为150nm的Ti膜。当然可以使用其他的导电膜。
通过形成图案的方法，形成连接至连接线362的像素电极365。
在该实施例中，形成厚度为110nm的ITO膜作为像素电极365，并形成图案。通过设置像素电极365而使得该像素电极365与连接电极362相接触而形成接触点，并且该接触点与该连接线路362相重叠。另外，也可以使用通过将2-20％的氧化锌(ZnO)与氧化铟混合而提供的透明导电膜。该像素电极365变为OLED元件的阳极(图12A)。
如图12B所示，再形成含有硅并且厚度为500nm的绝缘膜(在该实施例中是氧化硅膜)。形成作为触排(bank)的第三中间层绝缘膜366，其中在与像素电极365相对应的位置形成开口。当形成开口时，采用湿法蚀刻容易使得开口的侧壁变为锥形。当开口的侧壁不够平缓时，因为水平差而导致的有机发光层的损坏成为一个值得关注的问题。
然后，采用不暴露在空气中的真空蒸发方法连续形成有机发光层367和阴极(MgAg电极)368。有机发光层367的厚度是80-200nm(一般为100-120nm)，阴极368的厚度是180-300nm(一般是200-250nm)。
在该过程中，顺次形成关于和红色对应的像素、和绿色对应的像素以及和蓝色对应的像素的有机发光层。在这种情况下，由于有机发光层对于溶液不具备足够的抵抗力，因此必须按各种颜色分开形成有机发光层，而不是采用光刻技术来形成。因此，优选利用金属掩膜覆盖所需像素之外的部分，从而只在所需的部分选择性的形成有机发光层。
即，首先设置用于覆盖和红色对应的像素之外的所有部分的掩模，利用该掩模选择性的形成发出红光的有机发光层。然后设置用于覆盖和绿色对应的像素之外的所有部分的掩模，利用该掩模选择性的形成发出绿光的有机发光层。再设置用于覆盖和蓝色对应的像素之外的所有部分的掩模，利用该掩模选择性的形成发出蓝光的有机发光层。此处使用不同的掩模，但是也可以重复使用同一个掩模。
此处，采用用于形成和RGB对应的三种OLED元件的系统。但是可以使用其中发出白光的OLED元件与滤色镜结合的系统、发出蓝光或兰绿光的OLED元件与荧光物质(荧光色转换介质：CCM)相结合的系统、用于通过透明电极而将分别和R、G、B相对应的OLED元件与阴极(相反电极)相重叠的系统等。
可以使用已知的材料作为有机发光层367。考虑到驱动电压，优选使用有机材料作为该已知的材料。例如，优选使用由空穴注入层、空穴传输层、发光层和电子注入层构成的四层结构作为有机发光层。
然后形成阴极368。该实施例使用MgAg用作电极368，但是不限于此。可以使用其他已知的材料作为阴极368。
尽管此处没有特别的指出，但是可以通过将阴极薄膜化而从上侧取光。
像素电极365、有机发光层367和阴极368构成的重叠部分相当于OLED375。
然后通过蒸发方法形成保护电极369。可以接着阴极368形成保护电极369，而不将该器件暴露在空气中。保护电极369具有保护有机发光层367避开湿气和氧的效果。
保护电极369也防止阴极368的退化。保护电极的一般材料是主要含有铝的金属膜。当然可以使用其他的材料。由于有机发光层367和阴极368耐潮湿性非常不好，因此希望连续形成有机发光层367、阴极368以及保护电极369，而不将它们暴露在空气中。优选保护有机发光层避开外界空气。
最后，由氮化硅膜形成钝化膜370，厚度为300nm。钝化膜370保护有机化合物层367避开湿气等，由此进一步增强OLED的可靠性。但是钝化膜370不是必须形成的。
如图12B构成的发光器件即这样完成了。附图标记371表示驱动电路的p沟道TFT，372表示驱动电路的n沟道TFT，373表示晶体管Tr4，374表示晶体管Tr2。
由于将优化结构的TFT不仅设置在像素部分，而且设置在驱动电路部分，因此该实施例的发光器件具有非常高的可靠性以及改善的操作性能。在结晶步骤，膜可以参杂有金属晶体例如Ni，以提高结晶性。通过提高结晶性，信号线驱动电路的驱动频率可以设定在10MHz或更高。
实际上，达到图12B所示状态的器件被保护膜包装(封装)，该保护膜是高度气密的并且基本不允许气体通过(例如层叠膜或紫外固化膜)，或者透光密封，从而进一步避免暴露在空气中。密封内的空气可以设置为惰性气氛或可放入吸湿物质(例如氧化钡)，以改善OLED的可靠性。
在通过包装或其他处理而确保气密性之后，设置接头，用于将外部信号终端和从基片上形成的元件或电路中引出的终端相连接。
通过按照该实施例中的过程进行，可以减少在发光器件制造中需要的光掩模数量。结果，缩短了过程，降低制造成本并提高了产率。
该实施例可以与实施例1-5自由结合。
实施例7
在该实施例中，通过使用将三线态激发产生的磷光用于发光的有机发光材料，可以明显的改善外部发光量子效率。结果，可以降低发光元件的能量损耗，延长发光元件的使用寿命，减轻发光元件的重量。
以下是通过采用三线态激发(T.Tsutsui，C.Adachi，S.Saito，Photochemical process in Organized Melecular Systems，ed.K.Honda，(Elsevier Sci.Pub.，Tokyo，1991)p.437)而改善外部发光量子效率的报告。
由上述文章所报告的有机发光材料(香豆素颜料)的分子式如下所示。
(化学分子式1)
(M.A.Baldo，D.F.O’Brien，Y.You，A.Shoustikov，S.Sibley，M.E.Thompson，S.R.Forrest(1998)p.151)
由上述文章所报告的有机发光材料(Pt络合物)的分子式如下所示。
(化学分子式2)
(M.A.Baldo，S.Lamansky，P.E.Burrows，M.E.Thompson，Appl.Phys.Lett.，75(1999)p.4.)
(T.Tsutsui，M.-J.Yang，M.Yahiro，K.Nakamura，T.Watanabe，T.Tsuji，Y.Fukuda，T.Wakimoto，S.Mayaguchi，Jpn.Appl.Phys.38(12B)(1999)L1502)
由上述文章所报告的有机发光材料(Ir络合物)的分子式如下所示。(化学分子式3)
Figure A0214377500401
如上所述，如果可以将来自三线激发的磷光应用在实际应用中，则与使用单线激发态产生的荧光相比，在理论上可以实现比后者高3至4倍的外部发光量子效率。
该实施例的结构可以和实施例1-6中任一种结构自由结合。
实施例8
在该实施例中，描述本发明发光器件的像素结构。图13表示装在该实施例的发光器件内的像素的截面图。为了简化相关说明，只显示了像素中的n沟道TFT和控制提供给像素电极的电流的p沟道TFT，也可以根据图13所示结构制造其他TFT。
参考图13，附图标记751表示n沟道型TFT，附图标记752表示p沟道型TFT。n沟道型TFT包括半导体膜753、第一绝缘膜770、一对第一电极754和755、第二绝缘膜771、以及一对第二电极756和757。半导体膜753包括具有第一杂质浓度的单导电型杂质区758、具有第二杂质浓度的单导电型杂质区759以及一对沟道形成区760和761。
在该实施例中，第一绝缘膜770由一对层叠的绝缘膜770a和770b构成。或者，该第一绝缘膜770可以由单层绝缘膜或者包括三层或多层叠置的层的绝缘膜构成。
沟道形成区760和761分别与一对第一电极754和755隔着设置在其间的第一绝缘膜770相对。其他的沟道形成区760和761也可以通过将第二绝缘膜771夹在其间而叠置在一对第二电极756和757上。
p沟道型TFT752包括半导体膜780、第一绝缘膜770、第一电极782、第二绝缘膜771和第二电极781。半导体膜780包括具有第三杂质浓度的单导电型杂质区783以及沟道形成区784。
沟道形成区784和第一电极782隔着第一绝缘膜770而彼此相对。另外，沟道形成区784和第二电极781也隔着设置在其间的第二绝缘膜771彼此相对。
在该实施例中，尽管在图13中没有显示，但是第一电极754和755分别电连接至第二电极756和757。要指出的是，本发明的范围不仅仅限于上述连接关系，但是也可用于实现这样一种结构，其中第一电极754和755与第二电极756和757电断开并且施加预定电压。另外，也已实现这样一种结构，其中第一电极782与第二电极781电断开，并施加预定电压。
与仅仅采用一个电极的情况相比，通过给第一电极施加预定电压，可以防止发生阈值的电势变化，并且可以抑制OFF电流。另外通过给第一电极和第二电极施加同样的电压，按照与极大降低半导体膜厚度的情况相同的方式，耗尽层快速扩散，因此可以降低亚阈值系数，还改善了场效应迁移率。相应的，与采用一个电极的情况相比较，可以提高ON电流。另外，通过采用基于上述结构的上述TFT，可以降低驱动电压。另有由于可以提高ON电流值，因此可以缩小TFT的实际尺寸，尤其是沟道宽度。因此可以提高集成密度。
实施例8可以与实施例1-7任意一种自由结合。
实施例9
在该实施例中，描述作为本发明半导体设备之一的发光器件的像素结构。图14表示装在该实施例的发光器件内的像素的截面图。为了简化相关说明，只显示了具有像素的n沟道TFT和控制提供给像素电极的电流的p沟道TFT，也可以根据图14所示结构制造其他TFT。
在图14中，附图标记911表示基片，附图标记912表示成为基底(以下称为基底膜)的绝缘膜。可以采用透光基片，一般为玻璃基片、石英基片或玻璃陶瓷基片作为基片911。但是，所使用的基片必须能够承受在制造过程中的最高处理温度。
附图标记8201表示n沟道类型TFT，8202表示p沟道类型TFT。n沟道类型TFT包括源区913、漏区914、LDD区915a-915d、分离区916和其中有沟道形成区917a和917b的活性层、栅极绝缘膜918、栅极电极919a和919b、第一中间层绝缘膜920和信号线路921、连接线路922。要指出的是，在基片上的所有TFT中，栅极绝缘膜918或第一中间层绝缘膜920可以是共同的，或者根据电路或元件而不同。
另外，图14所示的n沟道类型TFT8201电连接至栅极电极919a和919b，即成为双栅极结构。当然，不仅可以使用双栅极机构，也可以使用多栅极结构(含有带两个或多个串联连接的沟道形成区的活性层的结构)例如三栅极结构。
多栅极结构在减少OFF电路方面是非常有效的，并且只要Tr5的OFF电路被充分降低，则可以降低连接至p沟道型TFT的栅极的存储电容器的必须最小电容。即，存储电容器的表面积可以更小，因此使用多栅极结构也有效地扩展了有机发光元件的发光表面积。
另外，形成LDD区915a-915d，从而在n沟道型TFT8201中隔着栅极绝缘膜918而与栅极电极919a和919b相重叠。这种类型的结构能特别有效的降低OFF电流。另外，LDD区915a-915d的长度(宽度)可以设定为0.5-3.5μm，一般为2.0-2.5μm。另外当使用具有两个或多个栅极电极的多栅极结构时，分离区916(加入有与源区或漏区同样浓度的同样杂质元素的区)能有效的降低OFF电流。
然后形成p沟道型TFT，它具有含源区926、漏区927和沟道区929的活性层；栅极绝缘膜918；栅极电极930、第一中间层绝缘膜920；连接线路931；以及连接线路932。p沟道型TFT是实施例9中的p沟道TFT。
顺便提及，尽管栅极电极930是单栅极结构，但是该栅极电极930可以是多栅极结构。
上面解释了在像素内形成的TFT的结构。另一方面，也同时在这里形成驱动电路。图14中显示了成为形成驱动电路的基本单元的CMOS电路。
其结构中减少了热载流子注入但是没有过多的降低操作速度的TFT被用作图14的CMOS电路的n沟道TFT8204。要指出的是，驱动电路一词在这里表示源信号线驱动电路和栅极信号线驱动电路。也可以形成其他的逻辑电路(例如电平转移电路、A/D转换器和信号分割电路)。
CMOS电路的n沟道TFT的活性层含有源区935、漏区936、LDD区937、以及沟道区938。LDD区937与栅极电极939隔着栅极绝缘膜918相重叠。
只在漏区936侧形成LDD区937，从而不会降低操作速度。另外，不必如此关心n沟道TFT8204的OFF电路，更重要的是操作速度。因此理想的是，使得LDD区937完全覆盖栅极电极，以将电阻元件减少至最低。因此优选避免所谓的偏移。
另外，由于热载流子注入，几乎不需要关心CMOS电路的p沟道TFT8205退化，因此实际上不必形成LDD区。因此它的活性层含有源区940、漏区941以及沟道形成区942，并在活性层上形成栅极绝缘膜918以及栅极电极943。当然也可以通过形成与n沟道TFT8204的类似的LDD区来设法防止热载流子注入。
附图标记961-965是形成沟道区942、938、917a、917b和929的掩模。
另外，n沟道TFT8204和p沟道TFT8205分别在它们的源区上隔着第一中间层绝缘膜920具有连接线路944和945。除此之外，n沟道TFT8204和p沟道TFT8205的漏区由连接线路946相互连接。
要指出的是，该实施例的结构可以通过与实施例1-7自由结合来实施。
实施例10
该实施例的以下描述是针对采用阴极作为像素电极的像素结构。
图15举例显示了该实施例的像素的截面图。在图15中，在基片3501上制造的n沟道型TFT3502是采用传统方法制造的。在该实施例中，使用基于双栅极结构的n沟道型TFT3502。但是，也可以采用单栅极结构，或者三栅极结构，或者有三个以上栅极电极的多栅极结构。为了简化相关说明，只显示了具有像素的n沟道TFT和控制提供给像素电极的电流的p沟道TFT，也可以根据图15所示结构制造其他TFT。
可以采用已知的方法来制造p沟道型TFT3503。附图标记38表示的线路对应于扫描线，用于将上述n沟道TFT3502的栅极电极39a电连接至其另一个栅极电极39b。
在图15所示的实施例中，上述p沟道型TFT3503显示为具有单栅极结构。但是该p沟道型TFT3503可以具有多栅极结构，其中多个TFT彼此串联连接。另外，也可以采用这样一种结构，它将沟道形成区基本分成将多个TFT彼此并联连接的多个部分，由此使得它们高效的彼此辐射加热。这种结构非常有效的克服了TFT的热退化。
在n沟道型TFT3502和p沟道型TFT3503上形成第一中间层绝缘膜41。另外，在第一中间层绝缘膜41上形成含树脂的绝缘膜制成的第二中间层绝缘膜42。通过采用第二中间层绝缘膜42来充分平整因设置TFT而产生的台阶是非常重要的。这是因为，由于随后要形成的有机发光层是非常薄的，因为这种台阶的存在会导致不能产生发光。考虑到这一点，在形成像素电极之前，希望尽可能平整上述台阶，从而可以在充分平整的表面上形成有机发光元件。
图15中的附图标记43表示像素电极，即为发光元件而设置的阴极电极，它由高反射导电膜构成。该像素电极43电连接至p沟道型TFT3503的漏区。对于像素电极43，理想的是使用具有低电阻值的导电膜，例如铝合金膜、铜合金膜、或银合金膜或这些合金膜的层压体。当然可以采用这样一种结构，其中采用包括与分担导电性的其他金属膜相结合的上述合金膜的层压体。
图15举例说明了在含树脂绝缘膜形制成的一对触排44a和44b之间构成的沟槽(对应于像素)内形成的发光层45。尽管图15中没有显示，但是可以分开形成分别与红绿蓝三色对应的发光层。有机发光材料例如π-共轭聚合物材料用于构成该发光层。一般来说，可以使用的聚合物材料包括：例如聚对亚苯基乙烯撑(PPV)、聚乙烯咔唑(PVK)和聚芴。
存在着许多包括上述PPV的各种有机发光材料。例如可以使用在如下出版物中公开的这种材料：H.Shenk，H.Becker，O.Gelsen，E.Kluge，W.Spreitzer”Polymer for light Emitting Diodes”，EuroDisplay，Proceedings，1999，33-37页，以及在JP-10-92576A中提到的这种材料。
作为上述发光层的特定示例，可以使用氰基聚对亚苯基乙烯撑用于构成发出红光的层；使用聚对亚苯基乙烯撑用于构成发出绿光的层；使用聚对亚苯基乙烯撑或聚烷基苯撑用于构成发出蓝光的层。建议各发光层的厚度可以限定在30nm至150nm之间，优选在40nm至100nm之间。
但是上述描述仅指可用于构成有机发光层的有机发光材料的典型示例，因此可适用的有机发光材料不必限于上述那些类型的材料。因此，有机发光层(用来能够发光并且用于载体的运动的层)自由地将发光层、电荷传送层和电荷注入层彼此组合在一起。
例如，该实施例已经举例说明了这样一种情况，其中利用聚合物材料来构成发光层。但是，例如还可以利用由低分子量化合物构成的有机发光材料。为了构成电荷传送层和电荷注入层，例如还可以使用无机材料。可以使用公知的材料作为有机材料和无机材料。
在该实施例中，形成有具有层状结构的有机发光层，其中由聚噻吩(PEDOT)或聚苯胺(Pani)制成的空穴注入层46形成在发光层45上。由透明导电薄膜构成的阳极电极47形成在空穴注入层46上。在图15中所示的像素中，光沿着从TFT向上的方向从发光层45中产生出。因此，阳极电极47必须是可透光的。为了形成透明导电薄膜，可以采用由氧化铟和氧化锡组成的化合物或者由氧化铟和氧化锌组成的化合物。但是，由于透明导电薄膜是在具有弱耐热性能的发光层45和空穴注入层46形成结束之后形成的，所以要求阳极47在尽可能低的温度下形成。
一旦阳极电极47形成结束，则就完成了该发光元件3505。这里，该发光元件3505设有像素电极(阴极电极)43、发光层45、空穴注入层46和阳极电极47。由于像素电极43的面积基本上与像素的总面积一致，所以整个像素自身用作发光元件。因此，在实际使用中获得了非常高的发光效率，从而使得可以用高亮度显示图像。
该实施例还在阳极电极47上提供一种第二钝化膜48。最好利用氮化硅或氮氧化硅来构成该第二钝化膜48。该第二钝化膜48使发光元件3505与外界隔离，以便防止其由于有机发光材料的氧化而导致的有害的退化，并且还防止气体组分离开有机发光材料。利用上述布置，从而可以进一步提高该发光器件的可靠性。
如上所述，在图15中所示的本发明的发光器件包括有多个像素部分，每个像素部分具有在这里所述的结构。具体地说，该发光器件采用了其OFF电流值足够低的TFT3502和能够完全抵抗受热载流子注入的TFT3503。因为这些有利的特征，所以在图18所示的发光器件具有更高的可靠性并且可以显示清晰的图像。
顺便说一下，可以通过自由组合实施例1-7的结构来实现实施例10的结构。
实施例11
在OLEDs中所使用的有机发光材料大致分为低分子量材料和高分子量材料。本发明的发光器件既可以采用低分子量有机发光材料也可以采用高分子量有机发光材料。
通过蒸发将低分子量有机发光材料形成为薄膜。这使得容易形成层状结构，并且通过将不同功能的层例如空穴传输层和电子传输层层叠在一起来提高效率。
低分子量有机发光材料的示例包括具有喹啉醇作为配位体(Alq3)的铝络合物和三苯基胺衍生物(TPD)。
另一方面，高分子量有机发光材料在物理上比低分子量材料更坚固，并且提高了该元件的耐久性。另外，可以通过涂覆将高分子量材料形成为薄膜，因此使得该元件的制造相对容易。
采用高分子量有机发光材料的发光元件的结构基本上与采用低分子量有机发光材料的发光元件的结构相同，并且顺序具有阴极、有机发光层和阳极。当有机发光层由高分子量有机发光材料形成时，在其中最常见的是一种两层结构。这是因为和采用低分子量有机发光材料的情况不一样，难以采用高分子量有机发光材料来形成层状结构。具体地说，采用高分子量有机发光材料的元件具有阴极(Al合金)、发光层、空穴传输层和阳极(ITO)。在采用高分子量有机发光材料的发光元件中可以采用Ca作为阴极材料。
从元件中发出的光的颜色由其发光层的材料决定。因此，可以通过选择适当的材料来形成发出所要求颜色光的发光元件。可以用来形成发光层的高分子量有机发光材料有聚对亚苯基乙烯撑类材料，聚对苯撑类、聚噻吩类材料或者聚芴类材料。
聚对亚苯基乙烯撑基类材料是聚(对亚苯基乙烯撑基)(表示为PPV)的衍生物，例如聚(2，5-二烷氧基-1，4-亚苯基乙烯撑)(表示为RO-PPV)、聚(2，(2’-乙基-己氧基)-5-甲氧基-1，4-亚苯基乙烯撑)(表示为MEH-PPV)、以及聚(2-(二烷氧基苯基)-1，4-亚苯基乙烯撑)(表示为ROPh-PPV)。
聚对苯撑类材料是聚对苯撑(表示为PPP)衍生物，例如聚(2，5-二烷氧基-1，4-苯撑)(表示为RO-PPP)和聚(2，5-二烷氧基-1，4-苯撑)。
聚噻吩类材料是聚噻吩(表示为PT)的衍生物，例如聚(3-烷基噻吩)(表示为PAT)，聚(3-己基噻吩)(表示为PHT)，聚(3-环己基噻吩)(表示为PCHT)，聚(3-环己基-4-甲基噻吩)(表示为PCHMT)，聚(3，4-二环己基噻吩(表示为PDCHT))，聚[3-(4-辛基苯基)噻吩](表示为POPT)以及聚[3-(4-辛基苯基)-2，2-二噻吩](表示为PTOPT)。
聚芴类材料是聚芴(表示为PF)的衍生物，例如聚(9，9-二烷基芴)(表示为PDAF)和聚(9，9-二辛基芴)(表示为PDOF)。
如果由高分子量有机发光材料形成的能够传输空穴的层被夹在阳极和发光的高分子量有机发光材料之间，则可以改进空穴从阳极的注入。这种空穴传输材料通常与受体材料一起溶解进水中，并且通过旋涂等方法来涂覆该溶液。由于该空穴传输材料在有机溶剂中不可溶解，所以其薄膜可以与上述发光的有机发光材料层一起形成层压件。
通过将PEDOT与用作受体材料的樟脑磺酸(由CSA表示)混合来获得能够传输空穴的高分子量有机发光材料。还可以使用聚苯胺(由PANI表示)和用作受体材料的聚苯乙烯磺酸(由PSS表示)的混合物。
除了上述低分子量材料和高分子量材料之外，还可以使用其它不具有升华性并且其分子量等于或小于20或者其分力链长度等于或小于10μm即中等分子量材料的有机发光材料。
可以通过自由组合实施例1-10的结构来实现实施例11的结构。
实施例12
采用了该发光元件的发光器件是自发光类型的，因此与液晶显示器件相比在光位置中的所显示图像具有更优异的可辨认性。另外，该发光器件具有更宽的视角。因此，该发光器件可以应用在各种电子设备中的显示部分上。
采用了本发明的光器件的这些电子设备包括视频摄像机、数码摄像机、护目镜类型的显示器(安装在头部的显示器)、导航系统、声音复制系统(汽车音响设备和音响组合)、膝上型计算机、游戏机、便携式信息终端(移动计算机、移动电话、便携式游戏机、电子图书等)、包括记录介质的影像再现设备(更具体地说，可以复制记录介质例如数字化视频光盘(DVD)等等的装置，并且包括用于显示所复制的图像的显示器)等。具体地说，在便携式信息终端的情况中，优选使用该发光器件，因为容易从倾斜方向观看的该便携式信息终端常常需要具有宽视角。图16分别显示出这些电子设备的各个特定的实施例。
图16A显示出包括外壳2001、支承台2002、显示器部分2003、麦克风部分2004、视频输出终端2005等。本发明可以应用在显示器部分2003。该发光器件是自发光型，因此不需要背光。因此，其显示器部分其厚度可以比液晶显示装置更薄。该有机发光显示器件包括用于显示信息的所有显示装置，例如个人计算机、TV广播的接收器以及广告显示屏。
图16B显示出一种数码相机，该相机包括主体2101、显示器部分2102、图像接收部分2103、操作键2104、外部连接端口2105、快门2106等。根据本发明的发光器件被用作显示器部分2102，从而完成本发明的数码相机。
图16C显示出一种膝上型计算机，该计算机包括主体2201、外壳2202、显示器部分2203、键盘2204、外部连接端口2205、鼠标2206等。根据本发明的发光器件用作显示器部分2203，从而完成本发明的膝上型计算机。
图16D显示出一种移动式计算机，该计算机包括主体2301、显示器部分2302、开关2303、操作键2304、红外线端口2305等。根据本发明的发光器件用作显示器部分2302，从而完成本发明的移动式计算机。
图16E显示出一种包括有记录媒介的便携式图像再现装置(更具体地说，DVD再现装置)，该再现装置包括主体2401、外壳2402、显示器部分A2403、另一个显示器部分B2404、记录媒介(DVD等)读取部分2405、操作键2406、发声部分2407等。显示部分A2403主要用来显示图像信息，而显示部分B2404主要用来显示字符信息。包括记录媒介的图像再现装置还包括游戏机等。根据本发明的发光器件用作这些显示部分A2403和B2404，从而完成本发明的图像再现装置。
图16F显示出一种护目镜类型的显示器(安装在头部上的显示器)，该显示器包括主体2501、显示器部分2502、支腿部分2503等。根据本发明的发光器件用作显示器部分2502，从而完成本发明的护目镜类型的显示器。
图16G显示出一种视频摄像机，该摄像机包括主体2601、显示器部分2602、外壳2603、外部连接端口2604、遥控接收部分2605、图像接收部分2606、电池2607、声音输入部分2608、操作键2609、目镜2610等。根据本发明的发光器件用作显示器部分2602，从而完成本发明的视频摄像机。
图16H显示出一种移动电话，该电话包括主体2701、外壳2702、显示器部分2703、声音输入部分2704、声音输出部分2705、操作键2706、外部连接端口2707、天线2708等。要注意的是，显示器部分2703可以通过在黑色背景上显示白色字符来降低该移动电话的能耗。根据本发明的发光器件用作显示器部分2703，从而实现本发明的移动电话。
当从有机发光材料发出的光将来可以实现更亮的亮度时，根据本发明的发光器件将可以应用在正投影仪或背投影仪上，其中通过所要投影的透镜等来放大包括有输出图像信息的光。
上述电子设备更容易用来显示出通过远程通信路径例如互联网、CATV(有线电视系统)发布的信息，并且具体地说容易显示动画信息。由于有机发光材料可以具有高响应速度，所以该发光器件适用于显示动画。
发出光的一部分发光器件消耗了能量，因此最好以这样一种方式来显示信息，即其中的发光部分尽可能地小。因此，当将该发光器件应用在主要显示字符信息的显示器部分上并且更具体地说应用在便携式电话或声音再现装置上时，最好如此驱动发光器件，从而由发光部分形成字符信息同时非发光部分对应于背景。
如上所述，本发明可以以不同的方式在所有领域中应用在许多电子设备上。可以通过利用其中自由组合了在实施例1-11中的结合的这种结构的发光器件来获得在该实施例中的电子设备。
实施例13
在该实施例中，在具有176×RGB×220的像素的发光器件中，作为用来矫正其中在6比特位灰度等级显示相应的颜色的视频信号的退化矫正装置的实施例，下面将对其特定的结构进行说明。
图19为该实施例的损坏矫正装置的方框图。在该图中，在图1中已经显示出的部件由与图1相同的参考标号来表示。如图19中所示一样，计数器102包括采样电路501、寄存器502、加法器503以及行存储器504(176×32位)。另外，视频信号矫正电路110包括积分电路505、寄存器506、运算电路507以及RGB寄存器508(RGB×7位)。易失性存储器108包括两个SRAMs509和510(256×16位)并且具有在两个SRAM合并在一起时通过将像素的数量乘以32位(大约为4M位)而获得的容量。还有，在该实施例中，使用瞬时存储器作为非易失性存储器109，并且存储电路部分106除了易失性存储器108和非易失性存储器109之外还设有两个寄存器511和512。
在非易失性存储器109中，存储有在发光周期或灰度等级数量方面的累计数据以及在相应像素中的损坏程度方面的数据。在使用该发光器件的开始时，存储在该非易失性存储器中的发光周期的累加值或灰度等级数量为0。当打开电源时，存储在非易失性存储器109中的数据传送到易失性存储器108中。
当开始发光时，在积分电路505中，将存储在寄存器506中的矫正系数加入到6位视频信号中从而进行视频信号的矫正。最初的矫正系数为1。还有，在积分电路505中，将视频信号从6位改变为7位，以便提高矫正精确度。在矫正之后将添加有矫正系数的视频信号作为视频信号发送到随后阶段的电路例如信号线驱动电路101或处理视频信号以便与子帧周期对应的子帧周期发生电路(未示出)上。
另一方面，在矫正之后添加有矫正系数的7位视频信号在计数器102的采样电路501中经过采样并且被传送给寄存器502。要注意的是，当将所有视频信号都传送给寄存器502时，就不必使用采样电路501。但是，可以通过采样来降低易失性存储器108的容量。例如，假定在视频信号上每秒进行一次采样，则可以将由易失性存储器108在基片中所占据的面积减小到1/60。
这里每秒进行一次采样，但是本发明并不限于此。
从寄存器502将被采样的视频信号传送给加法器503。还有，在该加法器503中，通过寄存器511和512输入存储在易失性存储器108中的在发光周期上的累计数据或者灰度等级的数量。寄存器511和512用来确定在加法器503中从易失性存储器108中输入数据的定时。如果以足够高的速度进行对易失性存储器的访问，则还可以除去寄存器511和512。
在加法器503中，将被采样视频信号包括作为信息的发光周期或灰度等级的数量添加到在存储在易失性存储108中的发光周期上的累计数据和灰度等级的数量上，并且将所获得的数据存储在176级行存储器504中。要注意的是，在该实施例中，在行存储器504和易失性存储器108中所处理的数据其像素分别为32位。通过该存储器容量，从而可以获得与大约18000小时对应的存储量。
再次将已经存储在行存储器504中的在发光周期上的累计数据或者灰度等级的数量存储在易失性存储器108中，在存储之后再次一秒读取一次，并且加入包含在被采样视频信号中所包含的数据。这样，可以连续地进行添加。
在电源关闭时，易失性存储器108的数据存储在非易失性存储器109中，并且进行设定，从而即使将易失性存储器108的数据删除了也不会出现任何问题。
图20为运算电路507的方框图。在操作装置513中输入存储在易失性存储器108中的发光周期上的累计数据或者灰度等级的数量。在操作装置513中，通过使用存储在易失性存储器108中的发光周期上的累计数据或者灰度等级的数量以及与在矫正数据存储部分112中随着时间变化的亮度特征有关的数据，从而可以计算出矫正系数。所获得的矫正系数暂时存储在8位行存储器514中，然后存储在SRAM516中。该SRAM516设定成在8位像素的256级处存储矫正系数。该矫正系数暂时存储在寄存器506中，然后输入给积分电路505，并且被加入到视频信号上以进行矫正。
这里，与在实施方案模式中所述的情况类似，电压矫正电路11预先将与存储在矫正数据存储部分112中随着时间变化的亮度特征相关的数据与存储在易失性存储器108中的发光周期上的累计数据或相应像素的灰度等级的数量进行比较，并且判断相应像素损坏的程度。然后，电压矫正电路111探测出受到最明显损坏的特定像素并且根据在该特定像素中的损坏程度来矫正从电压电源1中提供给像素部分103上的电压值。具体地说，为了实现在特定像素中以所要求的灰度等级进行显示，要提高电压数值。
根据特定像素来矫正提供给像素部分103的电压数值，从而在与该特定像素相比损坏较小的其它像素中，将过量的电流提供给该发光元件，因此不能获得所要求的灰度等级。为了解决这个问题，使用视频信号矫正电路110来矫正视频信号，从而确定出其它像素的灰度等级。在该视频矫正电路110中，还输入了在发光周期上的累计数据或者灰度等级数量以及视频信号。该视频信号矫正电路110预先将与存储在矫正数据存储部分112中随着时间变化的亮度特征有关的数据与相应像素的发光周期上的累计数据或者灰度等级的数量进行比较，并且判断相应像素损坏的程度。然后，该视频信号矫正电路110探测出受到最明显损坏的特定像素，并且根据在该特定像素中的损坏程度来在所输入的视频信号上进行矫正。具体地说，进行视频信号的矫正，从而实现所要求数量的灰度等级。将被矫正的视频信号输入给信号线驱动电路101。
该实施例可与实施例3-12结合在一起实施。

Claims (62)

1.一种发光器件，包括：
多个发光元件；
电压源，用于向该多个发光元件提供电压；
根据控制该多个发光元件发光周期的视频信号对从该多个发光元件中每一个的发光周期和灰度等级中选择的至少一种进行累加计算的部件；
对从该多个发光元件中每一个的发光周期和灰度等级中选择的至少一种所计算的累加值进行存储的部件；
用于存储该发光元件随时间变化的亮度特性数据的部件；
根据发光元件的随时间变化的亮度特性数据以及对从发光周期和灰度等级中选择的至少一种所计算的累加值，确定多个像素中每一个的亮度变化量的部件；
校正从电压源提供给多个发光元件的电压以使得该多个发光元件之一的亮度返回至初始亮度的部件；以及
校正视频信号的部件，其校正方式能够补偿一个特定发光元件的亮度变化量和所述一个特定发光元件之外的其他发光元件中每个的亮度变化量之间的差值，由此校正所述一个特定发光元件之外的其他发光元件中每个的灰度等级。
2.一种发光器件，包括：
多个发光元件；
电压源，用于向该多个发光元件提供电压；
根据控制该多个发光元件发光周期的视频信号对从该多个发光元件中每一个的发光周期和灰度等级中选择的至少一种进行累加计算的部件；
对从该多个发光元件中每一个的发光周期和灰度等级中选择的至少一种所计算的累加值进行存储的部件；
用于存储该发光元件随时间变化的亮度特性数据的部件；
根据发光元件的随时间变化的亮度特性数据以及对从发光周期和灰度等级中选择的至少一种所计算的累加值，确定多个像素中每一个的亮度变化量的部件；
校正从电压源提供给多个发光元件的电压以使得该多个发光元件之一的亮度返回至初始亮度的部件；以及
校正视频信号的部件，其校正方式能够补偿一个特定发光元件的亮度变化量和所述一个特定发光元件之外的其他发光元件中每个的亮度变化量之间的差值，由此校正所述一个特定发光元件之外的其他发光元件中每个的灰度等级；
其中视频信号的校正使得视频信号增加了m比特位(m表示整数)，用于控制所述一个特定发光元件之外的其他发光元件中每个的灰度等级。
3.一种发光器件，包括：
多个发光元件；
电压源，用于向该多个发光元件提供电压；
对视频信号多次进行采样以控制该多个发光元件的发光周期和灰度等级的部件；
根据控制该多个发光元件发光周期的视频信号对从该多个发光元件中每一个的发光周期和灰度等级中选择的至少一种进行累加计算的部件；
对从该多个发光元件中每一个的发光周期和灰度等级中选择的至少一种所计算的累加值进行存储的部件；
用于存储该发光元件随时间变化的亮度特性数据的部件；
根据发光元件的随时间变化的亮度特性数据以及对从发光周期和灰度等级中选择的至少一种所计算的累加值，确定多个像素中每一个的亮度变化量的部件；
校正从电压源提供给多个发光元件的电压以使得该多个发光元件之一的亮度返回至初始亮度的部件；以及
校正视频信号的部件，其校正方式能够补偿一个特定发光元件的亮度变化量和所述一个特定发光元件之外的其他发光元件中每个的亮度变化量之间的差值，由此校正所述一个特定发光元件之外的其他发光元件中每个的灰度等级。
4.一种发光器件，包括：
多个发光元件；
电压源，用于向该多个发光元件提供电压；
对视频信号多次进行采样以控制该多个发光元件的发光周期和灰度等级的部件；
根据控制该多个发光元件发光周期的视频信号对从该多个发光元件中每一个的发光周期和灰度等级中选择的至少一种进行累加计算的部件；
对从该多个发光元件中每一个的发光周期和灰度等级中选择的至少一种所计算的累加值进行存储的部件；
用于存储该发光元件随时间变化的亮度特性数据的部件；
根据发光元件的随时间变化的亮度特性数据以及对从发光周期和灰度等级中选择的至少一种所计算的累加值，确定多个像素中每一个的亮度变化量的部件；
校正从电压源提供给多个发光元件的电压以使得该多个发光元件之一的亮度返回至初始亮度的部件；以及
校正视频信号的部件，其校正方式能够补偿一个特定发光元件的亮度变化量和所述一个特定发光元件之外的其他发光元件中每个的亮度变化量之间的差值，由此校正所述一个特定发光元件之外的其他发光元件中每个的灰度等级；
其中视频信号的校正使得视频信号增加了m比特位(m表示整数)，用于控制所述一个特定发光元件之外的其他发光元件中每个的灰度等级。
5.一种发光器件，包括：
多个第一发光元件；
电压源，用于向该多个第一发光元件提供电压；
根据控制该多个发光元件发光周期的视频信号对从该多个第一发光元件中每一个的发光周期和灰度等级中选择的一种进行求和运算的部件；
对从该多个发光元件中每一个的发光周期和灰度等级中选择的至少一种所计算的累加值进行存储的部件；
根据从其发光周期和灰度等级中选择的至少一种的总和存储第二发光元件亮度变化量的部件；
根据从多个第一发光元件中每个的发光周期和灰度等级中选择的至少一种的总和，并且根据所存储的第二发光元件相对于其发光周期总和的亮度变化量，确定该多个第一发光元件中每个的亮度变化量，并且根据从发光周期和灰度等级中选择的至少一种的总和从多个第一发光元件中确定一个特定第一发光元件的部件；
根据所述一个特定第一发光元件的亮度变化量，校正从电压源提供给该多个第一发光元件的电压的部件，以使得所述一个特定第一发光元件的亮度返回至初始亮度；以及
校正视频信号的部件，其校正方式能够补偿所述一个特定第一发光元件的亮度变化量和其他第一发光元件中每个的亮度变化量之间的差值，由此校正所述一个特定第一发光元件之外的其他第一发光元件中每个的灰度等级。
6.一种发光器件，包括：
多个第一发光元件；
电压源，用于向该多个第一发光元件提供电压；
根据控制该多个发光元件发光周期的视频信号对从该多个第一发光元件中每一个的发光周期和灰度等级中选择的一种进行求和运算的部件；
对从该多个发光元件中每一个的发光周期和灰度等级中选择的至少一种所计算的累加值进行存储的部件；
根据从其发光周期和灰度等级中选择的至少一种的总和存储第二发光元件亮度变化量的部件；
根据从多个第一发光元件中每个的发光周期和灰度等级中选择的至少一种的总和，并且根据所存储的第二发光元件相对于其发光周期总和的亮度变化量，确定该多个第一发光元件中每个的亮度变化量，并且根据从发光周期和灰度等级中选择的至少一种的总和从多个第一发光元件中确定一个特定第一发光元件的部件；
根据所述一个特定第一发光元件的亮度变化量，校正从电压源提供给该多个第一发光元件的电压的部件，以使得所述一个特定第一发光元件的亮度返回至初始亮度；以及
校正视频信号的部件，其校正方式能够补偿所述一个特定第一发光元件的亮度变化量和其他第一发光元件中每个的亮度变化量之间的差值，由此校正所述一个特定第一发光元件之外的其他第一发光元件中每个的灰度等级；
其中视频信号的校正使得视频信号增加了m比特位(m表示整数)，用于控制所述一个特定发光元件之外的其他发光元件中每个的灰度等级。
7.一种发光器件，包括：
多个发光元件；
电压源，用于向该多个发光元件提供电压；
计数器部分，根据控制该多个发光元件的发光周期的视频信号对从该多个发光元件中每一个的发光周期和灰度等级中选择的至少一种进行累加计算的部件；
存储器电路部分，对从该多个发光元件中每一个的发光周期和灰度等级中选择的至少一种所计算的累加值进行存储；
校正数据保存部分，用于存储该发光元件随时间变化的亮度特性数据；
运算电路，根据发光元件的随时间变化的亮度特性数据以及对从发光周期和灰度等级中选择的至少一种所计算的累加值，确定多个像素中每一个的亮度变化量；
电压校正电路，校正从电压源提供给多个发光元件的电压以使得该多个发光元件之一的亮度返回至初始亮度；以及
视频信号校正电路，校正视频信号，其校正方式能够补偿一个特定发光元件的亮度变化量和所述一个特定发光元件之外的其他发光元件中每个的亮度变化量之间的差值，由此校正所述一个特定发光元件之外的其他发光元件中每个的灰度等级。
8.一种发光器件，包括：
多个发光元件；
电压源，用于向该多个发光元件提供电压；
计数器部分，根据控制该多个发光元件的发光周期的视频信号对从该多个发光元件中每一个的发光周期和灰度等级中选择的至少一种进行累加计算的部件；
存储器电路部分，对从该多个发光元件中每一个的发光周期和灰度等级中选择的至少一种所计算的累加值进行存储；
校正数据保存部分，用于存储该发光元件随时间变化的亮度特性数据；
运算电路，根据发光元件的随时间变化的亮度特性数据以及对从发光周期和灰度等级中选择的至少一种所计算的累加值，确定多个像素中每一个的亮度变化量；
电压校正电路，校正从电压源提供给多个发光元件的电压以使得该多个发光元件之一的亮度返回至初始亮度；以及
视频信号校正电路，校正视频信号，其校正方式能够补偿一个特定发光元件的亮度变化量和所述一个特定发光元件之外的其他发光元件中每个的亮度变化量之间的差值，由此校正所述一个特定发光元件之外的其他发光元件中每个的灰度等级；
其中视频信号的校正使得视频信号增加了m比特位(m表示整数)，用于控制所述一个特定发光元件之外的其他发光元件中每个的灰度等级。
9.一种发光器件，包括：
多个发光元件；
电压源，用于向该多个发光元件提供电压；
采样电路，用于多次对视频信号进行采样以控制该多个发光元件的发光周期和灰度等级；
计数器部分，根据控制该多个发光元件的发光周期的视频信号对从该多个发光元件中每一个的发光周期和灰度等级中选择的至少一种进行累加计算的部件；
存储器电路部分，对从该多个发光元件中每一个的发光周期和灰度等级中选择的至少一种所计算的累加值进行存储；
校正数据保存部分，用于存储该发光元件随时间变化的亮度特性数据；
运算电路，根据发光元件的随时间变化的亮度特性数据以及对从发光周期和灰度等级中选择的至少一种所计算的累加值，确定多个像素中每一个的亮度变化量；
电压校正电路，校正从电压源提供给多个发光元件的电压以使得该多个发光元件之一的亮度返回至初始亮度；以及
视频信号校正电路，校正视频信号，其校正方式能够补偿一个特定发光元件的亮度变化量和所述一个特定发光元件之外的其他发光元件中每个的亮度变化量之间的差值，由此校正所述一个特定发光元件之外的其他发光元件中每个的灰度等级。
10.一种发光器件，包括：
多个发光元件；
电压源，用于向该多个发光元件提供电压；
计数器部分，根据控制该多个发光元件的发光周期的视频信号对从该多个发光元件中每一个的发光周期和灰度等级中选择的至少一种进行累加计算的部件；
存储器电路部分，对从该多个发光元件中每一个的发光周期和灰度等级中选择的至少一种所计算的累加值进行存储；
校正数据保存部分，用于存储该发光元件随时间变化的亮度特性数据；
运算电路，根据发光元件的随时间变化的亮度特性数据以及对从发光周期和灰度等级中选择的至少一种所计算的累加值，确定多个像素中每一个的亮度变化量；
电压校正电路，校正从电压源提供给多个发光元件的电压以使得该多个发光元件之一的亮度返回至初始亮度；以及
视频信号校正电路，校正视频信号，其校正方式能够补偿一个特定发光元件的亮度变化量和所述一个特定发光元件之外的其他发光元件中每个的亮度变化量之间的差值，由此校正所述一个特定发光元件之外的其他发光元件中每个的灰度等级；
其中视频信号的校正使得视频信号增加了m比特位(m表示整数)，用于控制所述一个特定发光元件之外的其他发光元件中每个的灰度等级。
11.如权利要求1的发光器件，其中用于保存所计算的累加值的部件包括至少一个易失性存储器和非易失性存储器。
12.如权利要求2的发光器件，其中用于保存所计算的累加值的部件包括至少一个易失性存储器和非易失性存储器。
13.如权利要求3的发光器件，其中用于保存所计算的累加值的部件包括至少一个易失性存储器和非易失性存储器。
14.如权利要求4的发光器件，其中用于保存所计算的累加值的部件包括至少一个易失性存储器和非易失性存储器。
15.如权利要求5的发光器件，其中用于保存所计算的累加值的部件包括至少一个易失性存储器和非易失性存储器。
16.如权利要求6的发光器件，其中用于保存所计算的累加值的部件包括至少一个易失性存储器和非易失性存储器。
17.如权利要求1的发光器件，其中用于保存发光元件随时间变化的亮度数据的部件包括静态存储电路(SRAM)。
18.如权利要求2的发光器件，其中用于保存发光元件随时间变化的亮度数据的部件包括静态存储电路(SRAM)。
19.如权利要求3的发光器件，其中用于保存发光元件随时间变化的亮度数据的部件包括静态存储电路(SRAM)。
20.如权利要求4的发光器件，其中用于保存发光元件随时间变化的亮度数据的部件包括静态存储电路(SRAM)。
21.如权利要求5的发光器件，其中用于保存发光元件随时间变化的亮度数据的部件包括静态存储电路(SRAM)。
22.如权利要求6的发光器件，其中用于保存发光元件随时间变化的亮度数据的部件包括静态存储电路(SRAM)。
23.如权利要求1的发光器件，其中用于保存发光元件随时间变化的亮度数据的部件包括动态存储电路(DRAM)。
24.如权利要求2的发光器件，其中用于保存发光元件随时间变化的亮度数据的部件包括动态存储电路(DRAM)。
25.如权利要求3的发光器件，其中用于保存发光元件随时间变化的亮度数据的部件包括动态存储电路(DRAM)。
26.如权利要求4的发光器件，其中用于保存发光元件随时间变化的亮度数据的部件包括动态存储电路(DRAM)。
27.如权利要求5的发光器件，其中用于保存发光元件随时间变化的亮度数据的部件包括动态存储电路(DRAM)。
28.如权利要求6的发光器件，其中用于保存发光元件随时间变化的亮度数据的部件包括动态存储电路(DRAM)。
29.如权利要求1的发光器件，其中用于保存发光元件随时间变化的亮度数据的部件包括铁电存储电路(FRAM)。
30.如权利要求2的发光器件，其中用于保存发光元件随时间变化的亮度数据的部件包括铁电存储电路(FRAM)。
31.如权利要求3的发光器件，其中用于保存发光元件随时间变化的亮度数据的部件包括铁电存储电路(FRAM)。
32.如权利要求4的发光器件，其中用于保存发光元件随时间变化的亮度数据的部件包括铁电存储电路(FRAM)。
33.如权利要求5的发光器件，其中用于保存发光元件随时间变化的亮度数据的部件包括铁电存储电路(FRAM)。
34.如权利要求6的发光器件，其中用于保存发光元件随时间变化的亮度数据的部件包括铁电存储电路(FRAM)。
35.如权利要求1的发光器件，其中当所述一个特定发光元件的亮度变化量与初始亮度的比例达到给定值时，延迟对从电压源向多个发光元件提供的电压进行校正。
36.如权利要求2的发光器件，其中当所述一个特定发光元件的亮度变化量与初始亮度的比例达到给定值时，延迟对从电压源向多个发光元件提供的电压进行校正。
37.如权利要求3的发光器件，其中当所述一个特定发光元件的亮度变化量与初始亮度的比例达到给定值时，延迟对从电压源向多个发光元件提供的电压进行校正。
38.如权利要求4的发光器件，其中当所述一个特定发光元件的亮度变化量与初始亮度的比例达到给定值时，延迟对从电压源向多个发光元件提供的电压进行校正。
39.如权利要求5的发光器件，其中当所述一个特定发光元件的亮度变化量与初始亮度的比例达到给定值时，延迟对从电压源向多个发光元件提供的电压进行校正。
40.如权利要求6的发光器件，其中当所述一个特定发光元件的亮度变化量与初始亮度的比例达到给定值时，延迟对从电压源向多个发光元件提供的电压进行校正。
41.一种电子设备，选自显示器、数码照相机、膝上型计算机、可移动式计算机、便携式影像再现设备、护目镜型显示器、视频摄像机和可移动式电话，包括如权利要求1的发光器件。
42.一种电子设备，选自显示器、数码照相机、膝上型计算机、可移动式计算机、便携式影像再现设备、护目镜型显示器、视频摄像机和可移动式电话，包括如权利要求2的发光器件。
43.一种电子设备，选自显示器、数码照相机、膝上型计算机、可移动式计算机、便携式影像再现设备、护目镜型显示器、视频摄像机和可移动式电话，包括如权利要求3的发光器件。
44.一种电子设备，选自显示器、数码照相机、膝上型计算机、可移动式计算机、便携式影像再现设备、护目镜型显示器、视频摄像机和可移动式电话，包括如权利要求4的发光器件。
45.一种电子设备，选自显示器、数码照相机、膝上型计算机、可移动式计算机、便携式影像再现设备、护目镜型显示器、视频摄像机和可移动式电话，包括如权利要求5的发光器件。
46.一种电子设备，选自显示器、数码照相机、膝上型计算机、可移动式计算机、便携式影像再现设备、护目镜型显示器、视频摄像机和可移动式电话，包括如权利要求6的发光器件。
47.如权利要求1的发光器件，其中选自所述多个发光元件之一的发光周期和灰度等级中至少一种的累加值是多个发光元件的那些值中的最大值。
48.如权利要求2的发光器件，其中选自所述多个发光元件之一的发光周期和灰度等级中至少一种的累加值是多个发光元件的那些值中的最大值。
49.如权利要求3的发光器件，其中选自所述多个发光元件之一的发光周期和灰度等级中至少一种的累加值是多个发光元件的那些值中的最大值。
50.如权利要求4的发光器件，其中选自所述多个发光元件之一的发光周期和灰度等级中至少一种的累加值是多个发光元件的那些值中的最大值。
51.如权利要求5的发光器件，其中选自所述多个发光元件之一的发光周期和灰度等级中至少一种的总和是多个发光元件的那些值中的最大值。
52.如权利要求6的发光器件，其中选自所述多个发光元件之一的发光周期和灰度等级中至少一种的总和是多个发光元件的那些值中的最大值。
53.如权利要求1的发光器件，其中选自所述多个发光元件之一的发光周期和灰度等级中至少一种的累加值是多个发光元件的那些值中的最小值。
54.如权利要求2的发光器件，其中选自所述多个发光元件之一的发光周期和灰度等级中至少一种的累加值是多个发光元件的那些值中的最小值。
55.如权利要求3的发光器件，其中选自所述多个发光元件之一的发光周期和灰度等级中至少一种的累加值是多个发光元件的那些值中的最小值。
56.如权利要求4的发光器件，其中选自所述多个发光元件之一的发光周期和灰度等级中至少一种的累加值是多个发光元件的那些值中的最小值。
57.如权利要求5的发光器件，其中选自所述多个发光元件之一的发光周期和灰度等级中至少一种的总和是多个发光元件的那些值中的最小值。
58.如权利要求6的发光器件，其中选自所述多个发光元件之一的发光周期和灰度等级中至少一种的总和是多个发光元件的那些值中的最小值。
59.一种发光器件，包括：
基片之上的基片；
该基片上的像素部分，包括多个发光元件；
该基片上的信号线驱动电路；
该基片上的扫描线驱动电路；
该基片上的柔性印刷电路；
基片上的电压源，用于向多个发光元件提供电压；
根据控制该多个发光元件发光周期的视频信号对从该多个发光元件中每一个的发光周期和灰度等级中选择的至少一种进行累加计算的部件；
对从该多个发光元件中每一个的发光周期和灰度等级中选择的至少一种所计算的累加值进行存储的部件；
用于存储该发光元件随时间变化的亮度特性数据的部件；
根据发光元件的随时间变化的亮度特性数据以及对从发光周期和灰度等级中选择的至少一种所计算的累加值，确定多个像素中每一个的亮度变化量的部件；
校正从电压源提供给多个发光元件的电压以使得该多个发光元件之一的亮度返回至初始亮度的部件；以及
校正视频信号的部件，其校正方式能够补偿一个特定发光元件的亮度变化量和所述一个特定发光元件之外的其他发光元件中每个的亮度变化量之间的差值，由此校正所述一个特定发光元件之外的其他发光元件中每个的灰度等级；
其中所有的部件都在基片上。
60.一种发光器件，包括：
基片之上的基片；
该基片上的像素部分，包括多个发光元件；
该基片上的信号线驱动电路；
该基片上的扫描线驱动电路；
该基片上的柔性印刷电路；
基片上的电压源，用于向多个发光元件提供电压；
根据控制该多个发光元件发光周期的视频信号对从该多个发光元件中每一个的发光周期和灰度等级中选择的至少一种进行累加计算的部件；
对从该多个发光元件中每一个的发光周期和灰度等级中选择的至少一种所计算的累加值进行存储的部件；
用于存储该发光元件随时间变化的亮度特性数据的部件；
根据发光元件随时间变化的亮度特性数据以及对从发光周期和灰度等级中选择的至少一种所计算的累加值，确定多个像素中每一个的亮度变化量的部件；
校正从电压源提供给多个发光元件的电压以使得该多个发光元件之一的亮度返回至初始亮度的部件；以及
校正视频信号的部件，其校正方式能够补偿一个特定发光元件的亮度变化量和所述一个特定发光元件之外的其他发光元件中每个的亮度变化量之间的差值，由此校正所述一个特定发光元件之外的其他发光元件中每个的灰度等级；
其中所有的部件都在基片上，以及
其中视频信号的校正使得视频信号增加了m比特位(m表示整数)，用于控制所述一个特定发光元件之外的其他发光元件中每个的灰度等级。
61.一种发光器件，包括：
基片之上的基片；
该基片上的像素部分，包括多个发光元件；
该基片上的信号线驱动电路；
该基片上的扫描线驱动电路；
该基片上的柔性印刷电路；
基片上的电压源，用于向多个发光元件提供电压；
对视频信号多次进行采样以控制该多个发光元件的发光周期和灰度等级的部件；
根据控制该多个发光元件发光周期的视频信号对从该多个发光元件中每一个的发光周期和灰度等级中选择的至少一种进行累加计算的部件；
对从该多个发光元件中每一个的发光周期和灰度等级中选择的至少一种所计算的累加值进行存储的部件；
用于存储该发光元件随时间变化的亮度特性数据的部件；
根据发光元件的随时间变化的亮度特性数据以及对从发光周期和灰度等级中选择的至少一种所计算的累加值，确定多个像素中每一个的亮度变化量的部件；
校正从电压源提供给多个发光元件的电压以使得该多个发光元件之一的亮度返回至初始亮度的部件；以及
校正视频信号的部件，其校正方式能够补偿一个特定发光元件的亮度变化量和所述一个特定发光元件之外的其他发光元件中每个的亮度变化量之间的差值，由此校正所述一个特定发光元件之外的其他发光元件中每个的灰度等级；
其中所有的部件都在基片上。
62.一种发光器件，包括：
基片之上的基片；
该基片上的像素部分，包括多个发光元件；
该基片上的信号线驱动电路；
该基片上的扫描线驱动电路；
该基片上的柔性印刷电路；
基片上的电压源，用于向多个发光元件提供电压；
对视频信号多次进行采样以控制该多个发光元件的发光周期和灰度等级的部件；
根据控制该多个发光元件发光周期的视频信号对从该多个发光元件中每一个的发光周期和灰度等级中选择的至少一种进行累加计算的部件；
对从该多个发光元件中每一个的发光周期和灰度等级中选择的至少一种所计算的累加值进行存储的部件；
用于存储该发光元件随时间变化的亮度特性数据的部件；
根据发光元件的随时间变化的亮度特性数据以及对从发光周期和灰度等级中选择的至少一种所计算的累加值，确定多个像素中每一个的亮度变化量的部件；
校正从电压源提供给多个发光元件的电压以使得该多个发光元件之一的亮度返回至初始亮度的部件；以及
校正视频信号的部件，其校正方式能够补偿一个特定发光元件的亮度变化量和所述一个特定发光元件之外的其他发光元件中每个的亮度变化量之间的差值，由此校正所述一个特定发光元件之外的其他发光元件中每个的灰度等级；
其中所有的部件都在基片上，以及
其中视频信号的校正使得视频信号增加了m比特位(m表示整数)，用于控制所述一个特定发光元件之外的其他发光元件中每个的灰度等级。
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