CN1390763A - 热剥离被粘合物的方法以及热剥离被粘物的装置 - Google Patents

热剥离被粘合物的方法以及热剥离被粘物的装置 Download PDF

Info

Publication number
CN1390763A
CN1390763A CN02127568A CN02127568A CN1390763A CN 1390763 A CN1390763 A CN 1390763A CN 02127568 A CN02127568 A CN 02127568A CN 02127568 A CN02127568 A CN 02127568A CN 1390763 A CN1390763 A CN 1390763A
Authority
CN
China
Prior art keywords
pressure sensitive
sensitive adhesion
adherend
adhesion sheet
sheet
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN02127568A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1230366C (zh
Inventor
泉谷诚治
川西道朗
有满幸生
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Denko Co Ltd
Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Denko Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nitto Denko Corp filed Critical Nitto Denko Corp
Publication of CN1390763A publication Critical patent/CN1390763A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1230366C publication Critical patent/CN1230366C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J5/00—Adhesive processes in general; Adhesive processes not provided for elsewhere, e.g. relating to primers
    • C09J5/08—Adhesive processes in general; Adhesive processes not provided for elsewhere, e.g. relating to primers using foamed adhesives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/38—Pressure-sensitive adhesives [PSA]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/20—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive itself
    • C09J2301/208—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive itself the adhesive layer being constituted by at least two or more adjacent or superposed adhesive layers, e.g. multilayer adhesive
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/40—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components
    • C09J2301/412—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components presence of microspheres
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68318—Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
    • H01L2221/68322—Auxiliary support including means facilitating the selective separation of some of a plurality of devices from the auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19041—Component type being a capacitor
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11—Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y10T156/1142—Changing dimension during delaminating [e.g., crushing, expanding, warping, etc.]
    • Y10T156/1147—Using shrinking or swelling agent during delaminating
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11—Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y10T156/1153—Temperature change for delamination [e.g., heating during delaminating, etc.]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11—Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y10T156/1168—Gripping and pulling work apart during delaminating
    • Y10T156/1179—Gripping and pulling work apart during delaminating with poking during delaminating [e.g., jabbing, etc.]
    • Y10T156/1184—Piercing layer during delaminating [e.g., cutting, etc.]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/19—Delaminating means
    • Y10T156/1911—Heating or cooling delaminating means [e.g., melting means, freezing means, etc.]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/19—Delaminating means
    • Y10T156/1961—Severing delaminating means [e.g., chisel, etc.]
    • Y10T156/1967—Cutting delaminating means

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

本发明提供了一种热剥离被粘物的方法，该方法包括通过利用能够部分加热压敏粘合片的加热元件部分加热压敏粘合片，而选择性剥离粘附在热剥离压敏粘合片上的多个物质中的一种或若干种，其中该压敏粘合片具有其内包含热胀微球的热胀层。该热剥离方法还包括切割粘附到压敏粘合片上的物质的步骤。在这种情况下，加热元件具有形状与待剥离的被粘物的形状相符的加热部分，并且加热元件配置在压敏粘合片的粘附有被粘物的那一侧及其相对侧中的至少一侧上。

Description

热剥离被粘合物的方法以及 热剥离被粘物的装置
发明背景
1、发明领域
本发明涉及一种通过加热热剥离压敏粘合片而有选择地剥离部分被粘物的方法，其中所述粘合片具有内部包含热胀微球的热胀层，本发明还涉及一种用于热剥离被粘物的装置，该装置将用于上述方法中。
2、相关技术的描述
目前，具有内部包含热胀微球(例如“Revalpha”和“Revaclean”(商品名)，由Nitto Denko Corporation制造)的热胀层的热剥离压敏粘合片，为了不同的应用目的而用于各个领域中。该压敏粘合片能够在所期望的加工过程期间粘附和固定一种物质，并且在加工过程之后，能够通过加热膨胀热胀层内的热胀微球以减小或消除粘合力，而容易地剥离被粘物。
利用上述的压敏粘合片，为了使被粘物从粘合片(物质被粘附在粘合片的所有表面上)中剥离出来，经常需要进行热处理，借此使所有被粘物一次剥离。然而，最近有这样一种需求日益增长：即在热剥离之后，仅仅使粘附到压敏粘合片上的多个物质中的一种或若干种剥离，而使其余被粘物保持与粘合片粘附的状态。
具体地说，例如，在加工由聚酰亚胺膜层压的铜箔构成的FPC(软性印制电路)部件的过程中，包括加热压敏粘合片的步骤，在粘附和固定到压敏粘合片上的状态下已被切割的物质片粘附在该粘合片上，从而使物质的切割片部分横越和分离。在该步骤中，由于切割片部分的横越和分离而导致的振动，使得其他剩余的切割片遭受变形或剥离。而且，在切割半导体片或叠层电容器的步骤中，业已涉及到这样两个问题：一个问题是，当切割步骤之后通过加热承载部件的压敏粘合片而剥离部件时，所有部件都不希望地剥离出来，包括那些需要粘附的部件；另一问题是，由于切割部件的横越和分离而产生的振动，导致部件的位置偏离(位移)或剥离。
发明概述
因此，本发明的一个目的是提供一种有选择地剥离被粘物的方法和一种用于热剥离被粘物的装置，该方法在通过加热而使被粘物从热剥离压敏粘合片上热剥离之后，能够容易地仅仅剥离所需的一种或多种被粘物，而将其他物质保持在与压敏粘合片粘附的状态下，其中所述粘合片具有内部包含热胀微球的热胀层。
本发明的另一目的是提供一种有选择地剥离被粘物的方法和一种用于热剥离被粘物的装置，该方法在加工被粘物的过程中能够使被粘物保持在热剥离压敏粘合片上，而在加工过程之后，能够容易地仅仅剥离多个被粘物中的所需一种或多种被粘物，而不会导致被粘物的损坏或者位置偏离。
为了达到上述目的，本发明的研究结果是，发明人业已发现，通过利用能够部分加热压敏粘合片的加热元件对压敏粘合片进行加热，可以有选择地剥离粘附到热剥离压敏粘合片上的多个物质中的一种或若干种，由此完成了本发明。
也就是说，本发明提供了一种热剥离一种或多种被粘物的方法，该方法包括通过利用能够部分加热压敏粘合片的加热元件对压敏粘合片进行加热，而有选择地剥离热剥离压敏粘合片上粘附的多个物质中的一种或若干种，其中所述粘合片具有内部包含热胀微球的热胀层。在上述方法中，通过利用具有形状与待剥离的被粘物相符的加热部分的加热元件对预计剥离的物质的粘合部分进行加热，有可能选择性剥离该被粘物。而且，在上述方法中，优选的是，从压敏粘合片粘附有物质的那一侧及其相反侧中的至少一侧来进行加热。
本发明还提供了一种热剥离被粘物切割片的方法，该方法包括：将热剥离压敏粘合片上所粘附的物质切成多个片的步骤，其中所述粘合片具有内部包含热胀微球的热胀层；以及利用适合于部分加热压敏粘合片的加热元件对多个切割片中的一个或多个进行加热的步骤，借此有选择地剥离这些片。
本发明还包括一种用于使一种或多种被粘物从热剥离压敏粘合片上剥离出来的装置，其中所述粘合片具有内部包含热胀微球的热胀层，该装置具有用于固定压敏粘合片的固定元件和一个加热元件，该加热元件用于部分加热压敏粘合片，以便从压敏粘合片上有选择地剥离多个被粘物中的一种或多种。在该装置中，加热元件具有形状与待剥离的被粘物相符的加热部分，并且具有这样的加热部分的加热元件优选地配备在压敏粘合片粘附有物质的那一侧及其相反侧中的至少一侧上。在该装置中，用于固定压敏粘合片的固定元件和/或用于部分加热压敏粘合片的加热元件可以在水平方向或者垂直方向移动。
本发明还提供了一种用于使被粘物切割片从热剥离压敏粘合片中剥离出来的装置，其中所述粘合片具有内部包含热胀微球的热胀层，该装置具有用于固定压敏粘合片的固定元件；用于切割压敏粘合片上粘附的被粘物的切割元件；以及一个加热元件，该加热元件用于部分加热压敏粘合片，以便从压敏粘合片中有选择地剥离多个被粘物中的一种或多种。
附图简述
图1是本发明方法中所用的热剥离压敏粘合片的一个例子的轮廓剖面图。
图2是用于剥离被粘物的本发明方法和用于剥离被粘物的本发明装置的一个例子的轮廓剖面图。
图3是用于剥离被粘物的本发明方法和用于剥离被粘物的本发明装置的另一个例子的轮廓剖面图。
图4是用于剥离被粘物的本发明方法和用于剥离被粘物的本发明装置的又一个例子的轮廓剖面图。
以下列出了附图中所用的参考数字或符号。
1基底材料(即衬垫)
2橡胶状有机弹性层
3热胀压敏粘合片
4隔离物
5热剥离压敏粘片
6热胀压敏粘合层
6a非膨胀部分
6b膨胀部分
7被粘物
7a待剥离的被粘物(切割片)
8加热元件
8a加热部分
9固定元件
10  基底材料(即衬垫)
11
12  吸嘴
13  固定到基座上的粘合层
14  基座
发明详述
正如所需要的，现在参照附图对完成本发明的一种方式进行详细描述。图1是本发明方法中所用的热剥离压敏粘合片的一个例子的轮廓剖面图。在图1所示的压敏粘合片上，热胀压敏粘合层3通过橡胶状有机弹性层2配置在支持基底材料(即衬垫)1的一个侧面上，而隔离物4又层叠在粘合层3上。
基底材料(即衬垫)1用作热胀压敏粘合层3以及类似物的支持体，并且通常是一个塑料膜或者片。然而，也可以采用合适的薄层材料例如纸、布、无纺布或金属箔或者这些物质的叠层以及塑料或塑料膜(或片)的叠层。基底材料1的厚度通常为500um或更小，优选的是大约5-大约250um(尽管对此没有限定)。已经对基底材料1的表面进行了一般表面处理(例如用铬酸处理、臭氧曝光处理、点火处理、高压电击暴露处理或离子化辐射处理)，以便增强对相邻层(在该情况下，是橡胶状有机弹性层2)的粘附，或者也已对基底材料1的表面进行剥离处理。
橡胶状有机弹性层2，在压敏粘合片与将要粘附到其上的物质粘附时，用于使压敏粘合片表面充分遵循将要粘合到其上的物质的表面形状且增大粘合面积，而在使压敏粘合片从被粘物中热剥离出来时，用于减小对热胀层在压敏粘合片表面方向上的发泡或膨胀的限制，从而由于热胀层的三维结构变化而有助于波形结构的形成。为了展示上述功能，橡胶状有机弹性层2优选地是由例如天然橡胶、合成橡胶或具有一些橡胶弹性的合成树脂形成的，它具有基于ASTM D-2240为50或更小(优选的为40或更小)的D型肖氏硬度。
对于合成橡胶或者具有一些橡胶弹性的合成树脂，所举的示例有：合成橡胶例如丁腈基橡胶、二烯基橡胶和丙烯酸基橡胶；以及具有一些橡胶弹性的合成树脂例如乙烯乙酸乙烯酯橡胶共聚物、聚氨基甲酸乙酯、聚丁二烯和软聚氯乙烯。另外，基本上硬的聚合物例如聚氯乙烯在与诸如增塑剂或软化剂这样的组分复合时可获得一些橡胶弹性。这样的复合树脂也可用作橡胶状有机弹性层的组分。
而且，可以利用基于橡胶材料或树脂的常规或公知的压敏粘合剂形成橡胶状有机粘合层2。对于这些压敏粘合剂，所举的示例有：橡胶基压敏粘合剂、丙烯酸基压敏粘合剂、苯乙烯共轭的二烯嵌段共聚物基压敏粘合剂。另外，还可以使用通过与具有大约200℃或更低熔点的热熔树脂复合而具有改进的蠕变特性的压敏粘合剂。压敏粘合剂除了粘性成分(原料聚合物)之外，还可含有适当的添加剂例如交联剂(聚氨基甲酸乙酯基交联剂或烷基醚化蜜胺基交联剂)、增粘剂(例如松香衍生树脂、多萜树脂、石油树脂或油溶性酚醛树脂)、增塑剂、填料、老化抑制剂等。
对于压敏粘合剂，更具体地说，可以使用的有：含有作为原料聚合物的天然橡胶或不同的合成橡胶的橡胶基压敏粘合剂；含有作为原料聚合物的、利用一个或多个烷基丙烯酸酯(例如含有C1-20烷基部分的酯类诸如甲酯、乙酯、丙酯、异丙酯、丁酯、2-乙基己酯、异辛酯、异壬酯、异癸酯、十二烷基酯、十三烷基酯、十五烷基酯、十六烷基酯、十七烷基酯、十八烷基酯、十九烷基酯和二十烷基酯)作为单体成分的丙烯酸酯基聚合物(均聚物或共聚物)的丙烯酸基压敏粘合剂。
另外，正如所需要的，丙烯酸基聚合物可含有为了改进粘结力、耐热性和交联性而与烷基丙烯酸酯共聚合的其他单体成分对应的单元。对于这些单体成分，所举的示例有：含有羰基的单体诸如丙烯酸、甲基丙烯酸和衣康酸；含有羟基的单体诸如羟乙基(甲基)丙烯酸酯和羟丙基(甲基)丙烯酸酯；(N-取代的)酰胺单体诸如N-羟甲基(甲基)丙烯酰胺；乙烯单体诸如乙酸乙烯酯、苯乙烯、α-甲基苯乙烯和乙烯醚；腈基丙烯酸酯单体诸如丙烯腈和甲基丙烯腈；含有环氧基的丙烯酸单体诸如缩水甘油(甲基)丙烯酸酯；以及烯烃单体诸如异丙烯、丁二烯和异丁烯。这些单体成分可以单独使用或者两种或更多种结合使用。
橡胶状有机弹性层2的厚度通常为大约5-大约300μm，优选的为大约20-大约150μm。在橡胶状有机弹性层2的厚度太薄的情况中，当热胀层热膨胀时不会导致三维结构的变化，于是剥离性质很可能恶化。
可利用适当的方法形成橡胶状有机弹性层2，这些方法例如有：在基底材料1上涂布含有弹性层形成材料(诸如天然橡胶、合成橡胶或具有橡胶弹性的合成树脂)、粘合剂等的涂布液的方法(涂布法)；将包括弹性层形成材料的薄膜或者通过在一个或多个热胀压敏粘合层3上形成包括弹性层形成材料的一个层而预先制备的层叠膜结合到基底材料1上的方法(干层叠法)；或者将含有基底材料的组分的树脂组合物与含有弹性层形成材料的树脂组合物复合挤压的方法(复合挤压法)。橡胶状有机弹性层2可以是单层或者由两层或更多层构成。另外，橡胶状有机弹性层2并不是必需配置的，但是由于它能够增强加工时固定被粘物的能力和加工后的剥离性质，因此最好配置弹性层2。
热胀压敏粘合层3含有赋予粘性的压敏粘合剂并含有赋予热胀性质的热胀微球。因此，待加工的物质在以被粘附和固定到压敏粘合片上的状态承受所希望的加工时被牢牢地固定住，于是加工可顺利地进行，并且在加工之后，通过以下方式被加工的物质可容易地从压敏粘合片中剥离出来：加热热胀压敏粘合层3，以便使热胀微球发泡和/或膨胀，由此使热胀压敏粘合层3与被粘物之间的接触面积减小，并且还使其间的粘性减小。
对于形成热胀压敏粘合层3的压敏粘合剂，所用的常规或公知压敏粘合剂含有作为基底的橡胶状材料或使热胀微球在加热时发泡和/或膨胀的树脂，优选的是那些几乎不限制热胀微球发泡和/或膨胀的物质。对于这样的压敏粘合剂，所举的示例有在关于橡胶状有机弹性层中已经例举的那些压敏粘合剂。另外，在加工之前强烈粘附物质(待加工的物质)的热胀压敏粘合层3中，鉴于粘合力在热处理前后减小的平衡，那些含有作为基底的聚合物的压敏粘合剂是更优选的，而作为基底的聚合物在常温至150℃具有5,000至1,000,000Pa的动态弹性模数。
对于热胀微球，微球形就足够了，其中每个微球在其弹性壳内封装有在加热时能够容易地气化膨胀的材料例如异丁烷、丙烷或戊烷。在多个情况下，利用热熔材料或者通过热膨胀能够破裂的材料来形成弹性壳。对于形成弹性壳的材料，所举的示例有：二氯乙烯-丙烯腈共聚物、聚乙二醇、聚乙烯醇缩丁醛、聚甲基甲基丙烯酸酯、聚丙烯腈、聚二氯乙烯和聚砜。可以常规方式通过例如凝聚法或者界面聚合法来生产热胀微球。另外，对于热胀微球，可从商业途径获得例如Microsphere(商品名；由Matsumoto YushiSeiyaku K.K.生产)。
为了通过热处理而有效减小热胀层的粘合力，那些热胀微球是优选的，其具有合适的强度，从而在微球的体积变成5倍或更大、尤其是10倍或更大(与原始微球一样)之前不会破裂。
根据热胀压敏粘合层3膨胀(发泡)的程度或者粘合力减小的程度，可以适当切割待复合的热胀微球的量，但是该量的范围通常为每100份用于形成热胀压敏粘合层3的原料聚合物中具有1-150份、优选的是25-100份(重量比)。优选的是对热胀微球进行分类，以便在使用之前使微球的粒径均一。
热胀压敏粘合层3的厚度例如是5-300μm，优选的是大约20-大约150μm。热胀压敏粘合层3的厚度优选的是比其中所含的热胀微球的最大粒径大。在热胀压敏粘合层3的厚度太小的情况中，由于由热胀微球导致的不均匀性，该层的表面光滑度被破坏了，并且粘合力在加热之前很可能被减小了。另一方面，在热胀压敏粘合层3的厚度太大的情况中，有可能在热胀压敏粘合层3膨胀或发泡之后导致粘结失败，从而使粘合剂残留在被剥离的物质上。
可以常规方式利用诸如以下方法来形成热胀压敏粘合层3：首先正如所需要的，利用一种溶剂制备含有压敏粘合剂和热胀微球的涂布溶液，其次将溶液涂布到橡胶状有机弹性层2上；或者首先将上述的涂布液涂布到适当的隔离物(剥离纸或类似物)上，从而形成热胀压敏粘合层，其次将该粘合层转移到橡胶状有机弹性层2上。热胀压敏粘合层3可以是单层或多层。
对于隔离物4，可以采用的有常规的剥离纸或类似物。隔离物4用作热胀压敏粘合层3的保护件，并且在压敏粘合层与被粘物粘附时被剥离下来。隔离物4并不是必需配置的。
另外，热胀压敏粘合层3不仅可以在基底材料的一侧形成，而且还可以在其两侧形成。再者，橡胶状有机弹性层2可以配置在基底材料1的一侧或两侧。而且，可以将热胀压敏粘合层3(或者是橡胶状有机弹性层)配置在基底材料的一侧，而将不含热胀微球的普通粘合层配置在另一侧。另外，一个界面层诸如下涂层或粘合层可以配置在基底材料1与橡胶状有机弹性层2之间或者配置在橡胶状有机弹性层2与热胀压敏粘合层3之间。
另外，热胀压敏粘合层3可以被分成含有热胀微球的热胀层和含有压敏粘合剂的压敏粘合层。
图2是用于热剥离被粘物的本发明方法和用于热剥离被粘物的本发明装置的一个例子的轮廓剖面图。在本发明的热剥离方法中，通过部分加热压敏粘合片而选择性剥离被粘附到热剥离压敏粘合片上的多个被粘物中的一种或若干种。
在图2中示出了这样一个步骤：其中多个物质被粘附到由固定元件固定的热剥离压敏粘合片5上，还配置了具有与待剥离的被粘物7a形状相符的加热部分的加热元件8，并且该压敏粘合片在待剥离的被粘物7a所粘附的部分被加热。对于热剥离压敏粘合片，可以使用以上所述的那些种类。
被粘物7不会受到特别限制并且可以是以被粘附和固定到压敏粘合片上的状态将要承受各种加工的任何物质。其典型例子包括具有硅片作为基底(板)的电子部件。
对于加热元件，可以无限制地使用能够充足加热热胀压敏粘合片的任何装置。例如，可以使用电热加热器；介电加热；磁加热；以及用电磁辐射诸如红外辐射(例如近红外辐射、中红外辐射和远红外辐射)加热。既可直接加热也可间接加热。
对于加热部分8a的材料，可以根据加热方式来选择适当的材料。在诸如利用电热加热器作为加热元件的情形中，可以用具有高导热性的材料诸如金属和隔热材料诸如石棉来构成加热部分8a。另外，为了改进加热部分在被粘物之间的粘合性，可以结合使用一种弹性材料诸如橡胶。当加热部分8a由弹性材料(导热弹性材料)诸如橡胶、金属材料和隔热材料一起构成时，该热剥离压敏粘合片能够更快速地剥离，而被粘物在更短的时间内被分离开。
根据待剥离的被粘物7a的形状来适当设计加热部分8a的形状和尺寸。当利用形状与待剥离的被粘物7a的形状相符的加热部分8a来加热粘合部分时，压敏粘合片在被加热的部分(膨胀部分6b)从加热前的状态(未膨胀部分6a)进行膨胀，并且只有多个被粘物中的一种或若干种丧失了粘合力，于是待剥离的被粘物7a能够有选择地进行剥离。
对于加热元件8，使用具有加热部分8a的加热元件。
由加热元件8加热的时间取决于被粘物7和该加热元件的性质，并且在通常方式中不是特定的。然而，太长时间的加热可导致不打算剥离的部分也被剥离了，这是由于加热是从被加热的压敏粘合片5和被粘物7开始进行的，因此需要注意。
利用固定元件来固定热剥离压敏粘合片。对于固定系统，没有限制，只要在加工过程中或者剥离时不会在被粘层与压敏粘合片之间产生位置偏离即可。例如，可以使用的系统有：采用环形架的固定系统、采用底座的固定系统和利用真空吸入的固定系统。
在上述例子中，利用形状与待剥离的被粘物7a的形状相符的加热部分来加热粘合片5，然后有选择地加热被粘物7a的粘合部分，从而导致热胀层中的热胀微球膨胀(膨胀部分6b)，由此减小或消除了粘合力，从而使粘附到片5的加热部分上的被粘物7a剥离出来。另一方面，该压敏粘合片不在与加热元件8相隔的区域加热，结果由于热胀微球(非膨胀部分6a)的膨胀而不会导致粘合力的减小，由此粘附到压敏粘合片5部分上的物质7仍然与片5保持粘附。于是，按照本发明，通过简单的操作可以有选择地仅仅剥离多个被粘物中位于所需部位的被粘物。
另外，加热元件8配置在压敏粘合片的粘附有被粘物的那一侧和其相对侧的至少一侧上。
图3是用于热剥离被粘物的本发明方法和用于热剥离被粘物的装置的另一个例子的轮廓剖面图。
在图3中示出了这样一个步骤：其中粘附到由基底材料10和热胀压敏粘合层6构成的热剥离压敏粘合片上的被粘物7被切割元件切割成多个片，加热元件8在多个切割片中的待剥离切割片7a所粘附的部分上部分加热该压敏粘合片，而切割片7a借助于吸嘴11剥离和回收。通过将固定元件9粘附到构成压敏粘合片的压敏粘合层上来固定该压敏粘合片。另外，加热元件8可移动地配置在水平方向和/或垂直方向上。
对于构成热剥离压敏粘合片的基底材料10和热胀压敏粘合层6，可以使用上述业已描述的那些种类。另外，橡胶状有机弹性层可配置在基底材料10与热胀压敏粘合层6之间。
对于切割元件，可以根据被粘物的种类来选择合适的装置。例如，在使用具有硅片基底的电子部件作为被粘物时，可对粘附和固定到热剥离压敏粘合片上的部件进行切割加工诸如切粒加工。
对于加热元件8，可以采用上述的加热元件。
对于固定元件9，可以根据固定系统来选择合适的装置。在上述例子中，采用使用环形架(固定环)的固定系统。
所制成的加热元件8的加热部分8a与待剥离的切割片7a的形状相符。加热元件8配置在压敏粘合片的粘附有被粘物的那一侧和其相对侧的至少一侧上。
在上述例子中，利用固定元件9来固定热剥离压敏粘合片，利用切割元件来切割粘附到压敏粘合片上的被粘物7，而利用形状与待剥离的切割片7a的形状相符的加热部分8a来加热压敏粘合片，结果有选择地加热切割片7a的粘合部分，从而导致热胀层中的热胀微球膨胀(膨胀部分6b)，由此减小或消除了粘合力，从而使粘附到压敏粘合片的加热部分上的被粘物7a剥离出来。另一方面，该压敏粘合片不在与加热元件8相隔的区域加热，结果由于热胀微球(非膨胀部分6a)的膨胀而不会导致粘合力的减小，由此粘附到压敏粘合片部分上的物质7仍然与片保持粘附。另外，加热部分8a可以配置在该物质粘附的那一侧或者其相对侧，而加热部分8a可以配置在两侧上，以便缩短加热时间。而且，可三维移动地配置加热部分8a，以便有选择地并有效地加热压敏粘合片。
图4是用于热剥离被粘物的本发明方法和用于热剥离被粘物的装置的另一个例子的轮廓剖面图。
在图4中示出了这样一个步骤：其中粘附到由基底材料10、热胀压敏粘合层6和用于将片固定到基座上的粘合层12构成的热剥离压敏粘合片上的被粘物7被切割元件切割成多个片，加热元件8在多个切割片中的待剥离切割片7a所粘附的部分上部分加热该压敏粘合片，而切割片7a借助于吸嘴11剥离和回收。通过将构成用于固定到基座上的压敏粘合片的粘合层12粘附到基座13上来固定该压敏粘合片。另外，加热元件8可移动地配置在水平方向和/或垂直方向上。
对于构成热剥离压敏粘合片的基底材料10和热胀压敏粘合层6，可以使用上述业已描述的那些种类。一个橡胶状有机弹性层可配置在基底材料10与热胀压敏粘合层6之间。可以利用常规的或已知的压敏粘合剂来形成用于将片固定到基座上的粘合层12，并且对于压敏粘合层，可以使用关于橡胶状有机弹性层业已例举的那些种类。
对于切割元件，可以根据被粘物的种类来选择合适的装置。例如，在使用具有硅片基底的电子部件作为被粘物时，可对粘附和固定到热剥离压敏粘合片上的部件进行切割加工诸如切粒加工。
对于加热元件8，可以采用上述的加热元件。
对于固定元件，可以在该例中采用使用基座的固定系统。对于固定到基座上的方法，可以采用这样一种方法：使用具有一粘合层的热剥离压敏粘合片，该粘合层用于粘附到热胀压敏粘合层相对于热剥离压敏粘合片的基底材料的相对侧的基座上并通过用于固定到基座上的压敏粘合层而固定到基座上。在这种情况下，用于粘附到基座上的压敏粘合层不是必需的。
所制成的加热元件8的加热部分8a与待剥离的切割片7a的形状相符。加热元件8仅仅配置在被粘物粘附的那一侧上。
在上述例子中，通过将热剥离压敏粘合片固定到基座上，能够在部件的加工过程中有效避免位置的偏离，并且在加工之后，通过以如上所述的相同方式有选择地加热，可以只剥离所需的物质。另外，在固定到基座上的情形中，加热部分8a可以只配置在该物质粘附的那一侧，并且可三维移动地配置加热部分8a，以便有选择地并有效地加热压敏粘合片。
因此，按照本发明，可以通过简单的操作而有选择地仅仅剥离多个被粘物中位于所需部位的一种被粘物。而且，按照本发明的方法，可以连续进行切割步骤和剥离步骤，其中在切割步骤中，粘附到压敏粘合片上的物质被切割成多个片，而在剥离步骤中，通过用形状与切割片的形状相符的加热部分进行加热而有选择地剥离多个切割片中的一种或若干种。
按照本发明的方法，在从具有其中包含热胀微球的热胀层的热剥离压敏粘合片中剥离被粘物时，可容易并准确地仅仅剥离多个被粘物中的一种或若干种，而其余的被粘物仍然粘附在压敏粘合片上。
按照本发明的热剥离装置，在加工过程中以及加工之后可保持具有较精细结构和较小厚度的被粘物，而不会剥离，可容易并准确地仅仅剥离多个被粘物中的一种或若干种，由此避免了诸如部件偏离以及产率或产量下降这些失败。
以下参照实施例对本发明进行更详细的描述，然而，这些实施例无论如何都不是对本发明的限定。
实施例1
以下是利用本发明的热剥离被粘物的方法和热剥离被粘物的装置的一个例子(如图3所示)。
一个150mm×150mm的Ni箔(100μm厚)被粘附在由聚酯基底材料(100μm厚)和热胀压敏粘合层构成的热剥离压敏粘合片(借助于固定环固定)的热胀压敏粘合层上，首先在120℃显示出粘合性被减小，其次将Ni箔切割成5平方毫米的片。对于加热部分，制备包括5mm×5mm×2mm(厚)金属板(SUS304)和配置在电热加热器尖端的导热橡胶片(5mm×5mm×1mm(厚))的加热元件，并且用电热加热器进行加热，从而使橡胶片部分(在其尖端)的温度达到150℃。然后，尖端被加热到150℃的加热元件被压在粘合片中待剥离的Ni箔片所粘附的部分上，而所述Ni箔片是通过切割形成的多个Ni箔片中的一员，借此使热胀压敏粘合层热膨胀。热胀压敏粘合层的粘合力减小到几乎为零之后，利用吸嘴剥离该Ni箔片。此后，强有力地撞击仍然粘附在未加热区域的压敏粘合带上的其余Ni箔片，但是没有发现Ni箔片剥离。
实施例2
以下是利用本发明的热剥离被粘物的方法和热剥离被粘物的装置的一个例子(如图4所示)。
直径为6英寸的硅片(150μm厚)被粘附在热剥离压敏粘合片(商品名为“Revalpha No.3195”；由Nitto Denko Corporation制造)的热胀压敏粘合层上，并且没有气泡，而与压敏粘合片的硅片所粘附的那一侧相对的粘合侧(用于固定到基座上的粘合侧)被粘附到光滑的用不锈钢制成的基座上，然后将硅片切割成多个3平方毫米的片。对于加热部分，制备包括3mm×3mm×2mm(厚)金属板(SUS304)和配置在电热加热器尖端的导热橡胶片(3mm×3mm×1mm(厚))的加热元件，并且用电热加热器进行加热，从而使橡胶片部分(在其尖端)的温度达到120℃。然后，尖端被加热到120℃的加热元件被压在粘合片中待剥离的箔片所粘附的部分上，而所述箔片是通过切割形成的多个箔片中的一员，借此使热胀压敏粘合层热膨胀。热胀压敏粘合层的粘合力减小到几乎为零之后，利用吸嘴剥离该箔片。此后，强有力地撞击仍然粘附在未加热区域的压敏粘合带上的其余箔片，但是没有发现箔片剥离。
比较例1
在实施例1中，加热是在多个Ni切割片所粘附的整个压敏粘合片上进行的，并且利用吸嘴来剥离切割片中待剥离的Ni箔片。此后，强有力地撞击仍然粘附在压敏粘合带上的其余Ni箔片，并且发现Ni箔切割片的剥离或位置偏离。
本申请是在2001年4月25日提出的日本专利申请JP 2001-128357的基础上作出的，因此该文献的全部内容作为参考并入本文。

Claims (12)

1、一种热剥离被粘物的方法，该方法包括通过部分加热压敏粘合片，而选择性剥离粘附在可热剥离压敏粘合片上的多个被粘物，所述压敏粘合片包括含有热胀微球的热胀层。
2、如权利要求1所述的方法，其中在于通过用具有加热部分的加热元件加热至少一种待剥离的被粘物的粘合部分，来进行选择性剥离，其中所述加热部分的形状与待剥离的至少一种被粘物的形状相符。
3、如权利要求1所述的方法，其中在于对压敏粘合片粘附有被粘物的那一侧及其相对侧中的至少一侧进行加热。
4、如权利要求1所述的方法，其中在于所述压敏粘合片还包括橡胶状有机弹性层。
5、一种热剥离被粘物的方法，包括以下步骤：
将粘附到热剥离压敏粘合片上的被粘物切割成多个切割片，所述压敏粘合片包括含有热胀微球的热胀层；以及
通过用部分加热压敏粘合片的加热元件部分加热多个切割片，可选择性剥离这些切割片。
6、如权利要求5所述的方法，其中在于所述压敏粘合片还包括一个橡胶状有机弹性层。
7、一种从热剥离压敏粘合片中热剥离多个被粘物中的一部分的装置，所述压敏粘合片包括含有热胀微球的热胀层，该装置包括：
用于固定压敏粘合片的固定元件；以及
用于部分加热压敏粘合片的加热元件，从而从压敏粘合片中有选择地剥离多个被粘物。
8、如权利要求7所述的装置，其中在于所述加热元件包括形状与待剥离的每种被粘物形状相符的加热部分。
9、如权利要求7所述的装置，其中在于包括所述加热部分的所述加热元件配置在压敏粘合片的粘附有被粘物的那一侧及其相对侧的至少一侧上。
10、如权利要求7所述的装置，其中在于用于固定压敏粘合片的所述固定元件在压敏粘合片的水平和垂直方向中的至少一个方向上移动。
11、如权利要求7所述的装置，其中在于用于部分加热压敏粘合片的所述加热元件在压敏粘合片的水平和垂直方向中的至少一个方向上移动。
12、一种热剥离被粘物切割片的装置，包括：
用于固定热剥离压敏粘合片的固定元件，所述压敏粘合片包括含有热胀微球的热胀层；
用于切割粘附在压敏粘合片上的被粘物的切割元件，从而形成多个切割片；以及
用于部分加热压敏粘合片的加热元件，从而从压敏粘合片中有选择地剥离多个切割片。
CNB021275688A 2001-04-25 2002-04-25 热剥离被粘合物的方法以及热剥离被粘物的装置 Expired - Fee Related CN1230366C (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP128357/2001 2001-04-25
JP2001128357A JP2002322436A (ja) 2001-04-25 2001-04-25 被着物の加熱剥離方法及び被着物加熱剥離装置
JP128357/01 2001-04-25

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1390763A true CN1390763A (zh) 2003-01-15
CN1230366C CN1230366C (zh) 2005-12-07

Family

ID=18977062

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB021275688A Expired - Fee Related CN1230366C (zh) 2001-04-25 2002-04-25 热剥离被粘合物的方法以及热剥离被粘物的装置

Country Status (7)

Country Link
US (2) US20020195199A1 (zh)
EP (1) EP1254938B1 (zh)
JP (1) JP2002322436A (zh)
KR (1) KR100687981B1 (zh)
CN (1) CN1230366C (zh)
DE (1) DE60201209T2 (zh)
TW (1) TW533180B (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1992162B (zh) * 2005-12-27 2010-08-11 莎姆克株式会社 等离子体处理方法以及等离子体装置
CN102019737A (zh) * 2010-09-30 2011-04-20 南亚塑胶工业股份有限公司 一种水性热发泡粘合胶板
CN104241092A (zh) * 2013-06-18 2014-12-24 英飞凌科技股份有限公司 用于从晶片分离半导体器件的方法和设备
CN107011820A (zh) * 2017-04-28 2017-08-04 新纶科技（常州）有限公司 一种热剥离压敏粘合片及其制备方法
CN107201186A (zh) * 2016-03-16 2017-09-26 利昌电气工业有限公司 加热可降低黏着力的黏着胶带

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10245398B3 (de) 2002-09-28 2004-06-03 Mühlbauer Ag Vorrichtung und Verfahren zur Aufbringung von Halbleiterchips auf Trägern
JP4107417B2 (ja) * 2002-10-15 2008-06-25 日東電工株式会社 チップ状ワークの固定方法
JP4716668B2 (ja) * 2004-04-21 2011-07-06 日東電工株式会社 被着物の加熱剥離方法及び被着物加熱剥離装置
JP2005322724A (ja) * 2004-05-07 2005-11-17 Nitto Denko Corp 被着物の加熱剥離方法及び被着物加熱剥離装置
DE102004036794A1 (de) * 2004-07-29 2006-03-23 Konarka Technologies, Inc., Lowell Aufbereitung eines Substrats
KR100650846B1 (ko) 2004-10-06 2006-11-27 에스티마이크로일렉트로닉스 엔.브이. 플래시 메모리 소자의 소자 분리막 형성방법
JP4704017B2 (ja) * 2004-12-09 2011-06-15 日東電工株式会社 被着物の加熱剥離方法及び被着物加熱剥離装置
US20080006922A1 (en) * 2006-07-08 2008-01-10 Charles Gutentag Thermal release adhesive-backed carrier tapes
JP4849993B2 (ja) * 2006-08-14 2012-01-11 日東電工株式会社 粘着シート、その製造方法および積層セラミックシートの切断方法
US20080200011A1 (en) * 2006-10-06 2008-08-21 Pillalamarri Sunil K High-temperature, spin-on, bonding compositions for temporary wafer bonding using sliding approach
EP2298843A1 (en) * 2007-10-19 2011-03-23 Nitto Europe N.V An adhesive tape
US20090191029A1 (en) * 2008-01-30 2009-07-30 Taeg Ki Lim System for handling semiconductor dies
DE102009017306B4 (de) 2009-04-11 2012-04-26 Karlsruher Institut für Technologie Vorrichtung zum selektiven Übertragen einer mikrostrukturierten Komponente
EP2273546A1 (en) * 2009-07-09 2011-01-12 Nxp B.V. Method for releasing a component from a thermal release tape
JP5472275B2 (ja) * 2011-12-14 2014-04-16 株式会社村田製作所 エキスパンド装置及び部品の製造方法
KR102087124B1 (ko) * 2013-05-31 2020-03-11 삼성디스플레이 주식회사 기판 분리 장치 및 기판 분리 방법
EP3040411B1 (en) * 2013-08-30 2019-07-03 JSR Corporation Adherend recovery method and adherend recovery device
JP2015076276A (ja) * 2013-10-09 2015-04-20 日東電工株式会社 電解質膜搬送用粘着シートおよび該粘着シートを用いた燃料電池用膜／電極複合体の製造方法
CN106479386A (zh) * 2016-10-25 2017-03-08 深圳市美信电子有限公司 一种导电热敏压敏胶带
CN110998799A (zh) * 2017-08-09 2020-04-10 琳得科株式会社 加工检查对象物的加热剥离方法
CN108231651B (zh) * 2017-12-26 2020-02-21 厦门市三安光电科技有限公司 微元件转移装置和转移方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4711014A (en) * 1985-08-29 1987-12-08 Vichem Corporation Method for handling semiconductor die and the like
US5187007A (en) * 1985-12-27 1993-02-16 Lintec Corporation Adhesive sheets
DE69001797T2 (de) * 1989-12-08 1994-01-27 Sumitomo Electric Industries Aufnahmeverfahren und -apparat für einen chipähnlichen Teil.
US5827394A (en) * 1996-07-15 1998-10-27 Vanguard International Semiconductor Corporation Step and repeat exposure method for loosening integrated circuit dice from a radiation sensitive adhesive tape backing
JP3955659B2 (ja) * 1997-06-12 2007-08-08 リンテック株式会社 電子部品のダイボンディング方法およびそれに使用されるダイボンディング装置
US6352073B1 (en) * 1998-11-12 2002-03-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor manufacturing equipment
JP2000248240A (ja) * 1999-03-01 2000-09-12 Nitto Denko Corp 加熱剥離型粘着シート

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1992162B (zh) * 2005-12-27 2010-08-11 莎姆克株式会社 等离子体处理方法以及等离子体装置
CN102019737A (zh) * 2010-09-30 2011-04-20 南亚塑胶工业股份有限公司 一种水性热发泡粘合胶板
CN102019737B (zh) * 2010-09-30 2014-02-19 南亚塑胶工业股份有限公司 一种水性热发泡粘合胶板
CN104241092A (zh) * 2013-06-18 2014-12-24 英飞凌科技股份有限公司 用于从晶片分离半导体器件的方法和设备
US9984927B2 (en) 2013-06-18 2018-05-29 Infineon Technologies Ag Method and apparatus for separating semiconductor devices from a wafer
CN107201186A (zh) * 2016-03-16 2017-09-26 利昌电气工业有限公司 加热可降低黏着力的黏着胶带
CN107011820A (zh) * 2017-04-28 2017-08-04 新纶科技（常州）有限公司 一种热剥离压敏粘合片及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR100687981B1 (ko) 2007-02-27
EP1254938B1 (en) 2004-09-15
DE60201209D1 (de) 2004-10-21
KR20020083145A (ko) 2002-11-01
TW533180B (en) 2003-05-21
EP1254938A1 (en) 2002-11-06
US20020195199A1 (en) 2002-12-26
CN1230366C (zh) 2005-12-07
US20080073034A1 (en) 2008-03-27
DE60201209T2 (de) 2005-01-27
JP2002322436A (ja) 2002-11-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1230366C (zh) 热剥离被粘合物的方法以及热剥离被粘物的装置
JP4704017B2 (ja) 被着物の加熱剥離方法及び被着物加熱剥離装置
JP4716668B2 (ja) 被着物の加熱剥離方法及び被着物加熱剥離装置
CN1219840C (zh) 可能量束固化的热剥离压敏粘结剂片材和使用该压敏粘结剂生产切割小片的方法
CN1219841C (zh) 可能量束固化的热剥离压敏粘结剂片材和使用该压敏粘结剂生产切割小片的方法
KR102022140B1 (ko) 전자 부품 절단용 가열 박리형 점착 시트 및 전자 부품 가공 방법
CN1280370C (zh) 热剥压敏粘合薄片
KR101333945B1 (ko) 열박리성 양면 점착 시트 및 피가공체의 가공 방법
WO2005087887A1 (ja) 加熱剥離型粘着シートおよび該加熱剥離型粘着シートを用いた被着体の加工方法
EP2078740A1 (en) Heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet and method of recovering adherend
JP5047724B2 (ja) 熱剥離型粘着シートを使用する被着体の加工方法。
JPWO2013042698A1 (ja) 電子部品切断用加熱剥離型粘着シート及び電子部品切断方法
JP2009040930A (ja) 被着体の剥離方法、及び、該被着体の剥離方法に使用される加熱剥離型粘着シート
JP2008297412A (ja) 熱剥離型粘着シート
JP4711783B2 (ja) 紫外線硬化型加熱剥離性粘着シート及び切断片の分別回収方法
JP2004253612A (ja) 半導体ウエハの仮固定方法及び電子部品、回路基板
JP2007238789A (ja) 加熱剥離型粘着シート及びチップ部品の製造方法
KR101913436B1 (ko) 열박리형 양면 점착 시트 및 이를 이용한 가공방법
JP2005322724A (ja) 被着物の加熱剥離方法及び被着物加熱剥離装置
KR101275290B1 (ko) 열박리형 양면 점착시트
JP2007189007A (ja) ダイ接着用接着層付きダイの製造方法および電子部品
JP2014037539A (ja) 熱剥離型粘着シート

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20051207

Termination date: 20210425