CN110998799A - 加工检查对象物的加热剥离方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供具有以下的工序(I)及(II)的加工检查对象物的加热剥离方法。工序(I)：将多个加工检查对象物粘贴于粘合片的粘合剂层(X1)的粘合表面的工序，所述粘合片具有包含树脂及热膨胀性粒子的非粘合性的热膨胀性基材、和粘合剂层(X1)；工序(II)：将所述热膨胀性基材的一部分加热至所述热膨胀性粒子发生膨胀的温度以上，将所述多个加工检查对象物中的一部分选择性剥离的工序。

Description

加工检查对象物的加热剥离方法

技术领域

本发明涉及加工检查对象物的加热剥离方法。更具体而言，本发明涉及将临时固定于粘合片的加工检查对象物的一部分选择性地进行加热剥离的方法。

背景技术

粘合片不仅用于半永久性地固定于构件的用途，有时也用于在对建材、内装材料及电子部件等进行加工时将它们临时固定的用途。

这样的临时固定用途的粘合片要求兼顾使用时(临时固定时)与被粘附物的粘接性、和使用后与被粘附物的剥离性。

例如，专利文献1中公开了一种在切断电子部件时使用的粘合片。该粘合片在基材的至少一面设有含有热膨胀性粒子的热膨胀性粘合层。另外，该粘合片相对于热膨胀性粘合层的厚度而调整了热膨胀性粒子的最大粒径，并将加热前的热膨胀性粘合层的表面的中心线平均粗糙度调整至了0.4μm以下。

专利文献1中记载了如下要点：该粘合片可以发挥在切断电子部件时(临时固定时)确保与被粘附物的接触面积、防止芯片飞散等粘接不良情况的粘接性。另外，还记载了如下要点：通过在使用后(切断电子部件后)通过加热使热膨胀性粒子膨胀来减少与被粘附物的接触面积，从而能够容易地进行剥离。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第3594853号公报

发明内容

发明要解决的课题

另一方面，对于专利文献1中公开的加热剥离型的粘合片而言，通常以如下方式来使用，即，在使被粘附物从粘合片剥离时，对粘贴有被粘附物的整个面实施加热处理而将被粘附物全部一次性剥离。但是，近年来，在进行加热剥离时，对于想要仅将粘贴于粘合片的多个被粘附物中的一部分被粘附物剥离、而将其余部分保持粘贴于粘合片的状态的要求不断增加。

具体而言，例如，将薄层的铜箔与聚酰亚胺膜层压而成的FPC(Flexible PrintedCircuit，柔性电路板)部件的加工工序包括如下工序：在将部件粘贴并固定于加热剥离型的粘合片并实施了切断加工后，对该粘合片的整个面进行加热处理以使部件全部剥离，然后，使部件的一部分切断片移动及分离。在该工序中，使一部分切断片移动及分离时所产生的振动有时会引起其它切断片的变形、脱落。

另外，在半导体晶片、层叠电容器的切割工序中，存在下述问题：在切割加工后对保持有被粘附物的加热剥离型粘合片进行加热而使被粘附物剥离时，会导致包括预先想要保持的被粘附物在内的被粘附物整体从该粘合片分离。此外，由于加工后的被粘附物在移动时及分离时产生的振动，存在发生该粘合片上残留的被粘附物的位置偏移、脱落等的问题。

另外，还有根据对多个被粘附物的检查结果而仅将一部分被粘附物剥离、并使其余部分保持粘贴于粘合片的状态的要求。因此可认为，对于需要实施加工及检查中至少任一者的被粘附物(以下，也称为“加工检查对象物”)，使用专利文献1中公开的加热剥离型粘合片进行临时固定，并实施了加工及检查中至少任一者之后，对该粘合片进行局部加热，由此将粘贴于该粘合片的多个加工检查对象物中的一部分选择性剥离，使其余的加工检查对象物保持粘贴于粘合片的状态。可以认为，由此能够防止因加工检查对象物的移动时及分离时产生的振动而使残留在该粘合片上的加工检查对象物发生变形、位置偏移及脱落。另外可以认为，也可以应对根据检查结果而仅将一部分加工检查对象物剥离、并使其余的加工检查对象物保持粘贴于粘合片的状态的要求。

但是，在如专利文献1中公开的粘合片那样在粘合剂层中包含热膨胀性粒子的情况下，由于源自热膨胀性粒子的残渣附着于加工检查对象物表面、因热膨胀性粒子的膨胀导致粘合剂层变形而引起的一部分粘合剂层附着于加工检查对象物表面(所谓的“残胶”)，存在加热剥离后的加工检查对象物表面被污染的隐患。

本发明的目的在于提供一种利用了粘合片的加工检查对象物的加热剥离方法，该方法能够抑制源自热膨胀性粒子的残渣附着于加工检查对象物表面、由加工检查对象物表面的残胶引起的加热剥离后的加工检查对象物表面的污染，并且可以对粘合片上粘贴着的多个加工检查对象物中希望的一部分选择性地进行加热剥离。

解决课题的方法

本发明人等发现，通过使用具有包含树脂及热膨胀性粒子的非粘合性热膨胀性基材和粘合剂层的粘合片，可以解决上述课题。

即，本发明涉及下述的[1]～[14]。

[1]一种加工检查对象物的加热剥离方法，其具有以下的工序(I)及(II)，

工序(I)：将多个加工检查对象物粘贴于粘合片的粘合剂层(X1)的粘合表面的工序，所述粘合片具有包含树脂及热膨胀性粒子的非粘合性热膨胀性基材、和粘合剂层(X1)；

工序(II)：将所述热膨胀性基材的一部分加热至所述热膨胀性粒子发生膨胀的温度以上，将所述多个加工检查对象物中的一部分选择性剥离的工序。

[2]根据[1]所述的方法，其中，所述工序(I)具有以下的工序(I-1)～(I-2)，

工序(I-1)：将单片化前的加工检查对象物粘贴于所述粘合片的粘合剂层(X1)的粘合表面的工序；

工序(I-2)：对粘贴于所述粘合表面的所述单片化前的加工检查对象物进行单片化的工序。

[3]根据[1]或[2]所述的方法，其中，

所述粘合片是在所述热膨胀性基材的与层叠有粘合剂层(X1)一侧的相反侧具有粘合剂层(X2)的双面粘合片，其在所述双面粘合片的粘合剂层(X2)的粘合表面粘贴硬质支撑体而使用。

[4]根据[3]所述的方法，其中，工序(I)具有以下的工序(I-A1)～(I-A3)，

工序(I-A1)：在粘合剂层(X1)的粘合表面载置多个半导体芯片、并且在相邻的所述半导体芯片间设置间隙的工序；

工序(I-A2)：用密封材料包覆所述多个半导体芯片及所述多个半导体芯片的周边部的粘合表面，使所述密封材料固化，得到所述多个半导体芯片被固化密封材料密封而成的密封体的工序；

工序(I-A3)：以所述半导体芯片单元对所述密封体进行单片化的工序。

[5]根据[1]或[2]所述的方法，其中，

将形成有开口部的框构件粘贴于粘合剂层(X1)的粘合表面来使用所述粘合片。

[6]根据[5]所述的方法，其中，工序(I)具有以下的工序(I-B1)～(I-B3)，

工序(I-B1)：在于所述框构件的所述开口部露出的粘合剂层(X1)的粘合表面载置多个半导体芯片、并且在相邻的所述半导体芯片间设置间隙的工序；

工序(I-B2)：用密封材料包覆所述多个半导体芯片及所述多个半导体芯片的周边部的粘合表面，使所述密封材料固化，得到所述多个半导体芯片被固化密封材料密封而成的密封体的工序；

工序(I-B3)：以所述半导体芯片单元对所述密封体进行单片化的工序。

[7]根据[1]～[6]中任一项所述的方法，其中，

从所述热膨胀性基材的与层叠有粘合剂层(X1)一侧的相反侧进行工序(II)中的加热。

[8]根据[1]～[7]中任一项所述的方法，其中，

所述热膨胀性基材满足下述要件(1)，

要件(1)：23℃下的储能模量E’(23)为1.0×10⁶Pa以上。

[9]根据[1]～[8]中任一项所述的方法，其中，

所述热膨胀性基材满足下述要件(2)，

要件(2)：100℃下的储能模量E’(100)为2.0×10⁵Pa以上。

[10]根据[1]～[9]中任一项所述的方法，其中，

所述热膨胀性粒子的膨胀起始温度(t)为120～250℃，所述热膨胀性基材满足下述要件(3)，

要件(3)：膨胀起始温度(t)下的储能模量E’(t)为1.0×10⁷Pa以下。

[11]根据[1]～[10]中任一项所述的方法，其中，

粘合剂层(X1)在23℃下的剪切模量G’(23)为1.0×10⁴～1.0×10⁸Pa。

[12]根据[1]～[11]中任一项所述的方法，其中，

在23℃下，所述热膨胀性基材的厚度与粘合剂层(X1)的厚度之比(热膨胀性基材/粘合剂层(X1))为0.2以上。

[13]根据[1]～[12]中任一项所述的方法，其中，

在23℃下，所述热膨胀性基材的厚度为10～1000μm，粘合剂层(X1)的厚度为1～60μm。

[14]根据[1]～[13]中任一项所述的方法，其中，

所述热膨胀性基材的表面的探针粘性值低于50mN/5mmφ。

[15]根据[1]～[14]中任一项所述的方法，其中，

所述热膨胀性粒子在23℃下的膨胀前的平均粒径为3～100μm。

发明的效果

根据本发明，可以抑制源自热膨胀性粒子的残渣在加工检查对象物表面的附着、由加工检查对象物表面的残胶引起的加热剥离后的加工检查对象物表面的污染，而且可以对粘合片上粘贴着的多个加工检查对象物中希望的一部分选择性地进行加热剥离。

附图说明

图1是示出本发明的加工检查对象物的加热剥离方法中使用的单面粘合片的结构的一例的粘合片的剖面示意图。

图2是示出本发明的加工检查对象物的加热剥离方法中使用的双面粘合片的结构的一例的粘合片的剖面示意图。

图3是针对本发明的加工检查对象物的加热剥离方法的工序(I)，示出了使用单面粘合片的实施方式的一例的示意图。

图4是针对本发明的加工检查对象物的加热剥离方法的工序(I)，示出了使用双面粘合片的实施方式的一例的示意图。

图5是针对本发明的加工检查对象物的加热剥离方法的工序(II)，示出了使用单面粘合片的实施方式的一例的示意图。

图6是针对本发明的加工检查对象物的加热剥离方法的工序(II)，示出了使用双面粘合片的实施方式的一例的示意图。

图7是剖面示意图，示出了作为本发明的加工检查对象物的加热剥离方法的一个实施方式的工序(I-A1)～(I-A3)的一例。

图8是剖面示意图，示出了作为本发明的加工检查对象物的加热剥离方法的一个实施方式的工序(I-B1)～(I-B3)的一例。

符号说明

1a、1b 单面粘合片

2a、2b 双面粘合片

7 加工检查对象物

7a 待剥离的被粘附物

11 热膨胀性基材

121 粘合剂层(X1)

121a 粘合剂层(X1)的粘合表面

122 粘合剂层(X2)

122a 粘合剂层(X2)的粘合表面

131、132 剥离材料

14 硬质支撑体

15 吸嘴

20 框构件

21 框构件的开口部

30 粘合剂层(X1)的粘合表面中半导体芯片的周边部及间隙

40 密封材料

41 固化密封材料

50 密封体

50a 单片化后的密封体

60 固定机构

80 加热机构

81 加热部

CP 半导体芯片

W1 电路面

具体实施方式

在本发明中，“有效成分”是指作为对象的组合物所包含的成分中除稀释溶剂以外的成分。

另外，重均分子量(Mw)是指用凝胶渗透色谱(GPC)法测定的换算成标准聚苯乙烯的值，具体而言是基于实施例中记载的方法测定的值。

在本发明中，例如，“(甲基)丙烯酸”表示“丙烯酸”和“甲基丙烯酸”两者，其它类似用语也同样处理。

另外，关于优选的数值范围(例如，含量等的范围)，分阶段记载的下限值及上限值可以分别独立地进行组合。例如，根据“优选为10～90，更优选为30～60”这样的记载，可以将“优选的下限值(10)”与“更优选的上限值(60)”进行组合，得到“10～60”。

＜加工检查对象物的加热剥离方法＞

本实施方式中的加工检查对象物的加热剥离方法具有以下的工序(I)及(II)。

工序(I)：将多个加工检查对象物粘贴于粘合片的粘合剂层(X1)的粘合表面的工序，所述粘合片具有包含树脂及热膨胀性粒子的非粘合性热膨胀性基材、和粘合剂层(X1)

工序(II)：将上述热膨胀性基材的一部分加热至上述热膨胀性粒子发生膨胀的温度以上，将上述多个加工检查对象物中的一部分选择性剥离的工序

以下，首先对本实施方式的加工检查对象物的加热剥离方法所用的粘合片的构成的概要进行说明，然后对包含工序(I)及(II)的各工序进行说明。需要说明的是，对于粘合片的构成材料等的详细情况，在后面进行说明。

[粘合片的结构]

本实施方式的粘合片只要具有粘合剂层和包含树脂及热膨胀性粒子的非粘合性热膨胀性基材即可，没有特别限定。

图1及2是示出本实施方式的粘合片的结构的粘合片的剖面示意图。

作为本实施方式的粘合片，可以举出如图1(a)所示的、在热膨胀性基材11上具有粘合剂层(X1)121的粘合片(单面粘合片)1a。

需要说明的是，本实施方式的粘合片也可以是如图1(b)所示的粘合片1b那样的在粘合剂层(X1)121的粘合表面上进一步具有剥离材料131的结构。

本实施方式的粘合片也可以是如图2(a)所示的双面粘合片2a，所述双面粘合片2a具有以粘合剂层(X1)121及粘合剂层(X2)122挟持热膨胀性基材11的结构。

另外，也可以是如图2(b)所示的双面粘合片2b那样的、在粘合剂层(X1)121的粘合表面上进一步具有剥离材料131、且在粘合剂层(X2)122的粘合表面上进一步具有剥离材料132的结构。

需要说明的是，在图2(b)所示的双面粘合片2b中，在将剥离材料131从粘合剂层(X1)121剥离时的剥离力与将剥离材料132从粘合剂层(X2)122剥离时的剥离力为同等程度的情况下，欲将两侧的剥离材料向外侧牵拉而剥离时，有时会发生粘合剂层随着2个剥离材料被分裂地剥离的现象。

从抑制这样的现象的观点考虑，2个剥离材料131、132优选使用被设计成从所粘贴的粘合剂层剥离的剥离力相互不同的2种剥离材料。

作为其它粘合片，也可以是具有如下构成的双面粘合片：在图2(a)所示的双面粘合片2a中，在粘合剂层(X1)121及粘合剂层(X2)122中的一者的粘合表面层叠有两面被实施了剥离处理的剥离材料，并将所得层叠体卷成了卷状的构成。

需要说明的是，在本实施方式的粘合片中，如图1所示的粘合片1a及1b、及图2所示的双面粘合片2a及2b那样，可以是热膨胀性基材与粘合剂层直接层叠而成的构成，也可以是在热膨胀性基材与粘合剂层之间具有其它层的构成。

[工序(I)]

在工序(I)中，将多个加工检查对象物粘贴于粘合片的粘合剂层(X1)的粘合表面，所述粘合片具有包含树脂及热膨胀性粒子的非粘合性热膨胀性基材、和粘合剂层(X1)。

粘合片是上述的粘合片，例如，可以使用图1所示的单面粘合片1a及图2所示的双面粘合片2a。

图3(a)是对使用了单面粘合片1a的本实施方式的加工检查对象物的加热剥离方法的工序(I)进行说明的剖面示意图，图3(b)是俯视示意图。

另外，图4(a)是对使用了双面粘合片2a的本实施方式的加工检查对象物的加热剥离方法的工序(I)进行说明的剖面示意图，图4(b)是俯视示意图。

如图3(a)及图3(b)、以及图4(a)及图4(b)所示，粘合片1a、2a优选通过固定机构60加以固定而使用。由此，在加工检查对象物的加工时、剥离时等，可以抑制因粘合片发生移动所导致的加工检查对象物的加工不良、位置偏移等。作为固定机构60，可以列举例如：利用环状框架进行的固定、利用底座进行的固定、以及利用真空吸附进行的固定等。

这里，在本实施方式的加工检查对象物的加热剥离方法中，例如，在使用图1所示的单面粘合片1a的情况下，优选如图3所示那样将框构件20粘贴于粘合剂层(X1)121的粘合表面121a而使用。由此，单面粘合片1a被框构件20所支撑，单面粘合片1a保持为平坦的状态。因此，工序(I)及工序(II)中的单面粘合片1a的操作性提高。另外，将加工检查对象物载置并粘贴于单面粘合片1a时的作业性也提高。需要说明的是，在单面粘合片1a具有剥离材料131的情况下，预先将剥离材料131剥离。

框构件20具备1个以上的开口部21，所述开口部21是贯穿框构件20的正反面的孔。开口部21的形状只要能够将加工检查对象物7、7a容纳在框内则没有特别限定。另外，开口部21的孔的深度也是只要能够将加工检查对象物7、7a容纳在框内则没有特别限定。需要说明的是，从进一步提高基于框构件20的单面粘合片1a的支撑功能的观点考虑，框构件20优选具备多个开口部21。另外，在框构件20具备多个开口部21的情况下，开口部21的形状例如优选形成为格子状。

需要说明的是，在本实施方式中，所述的“粘贴多个加工检查对象物”，在框构件20具备多个开口部21的情况下，是指在从该多个开口部21露出的粘合表面的各个上分别粘贴1个以上的加工检查对象物。或者，在框构件20具备1个开口部21的情况下，是指在从该1个开口部21露出的粘合表面粘贴多个加工检查对象物。需要说明的是，在框构件20具备多个开口部21的情况下，还具有以下优点：可以基于该多个开口部21的地址而把握粘贴在粘合片上的加工检查对象物的位置，易于基于该地址对后述的加热机构、拾取机构进行控制。

框构件20优选由具有耐热性的材质形成。作为框构件20的材质，可以列举：铜、不锈钢、42合金等金属；聚酰亚胺树脂、聚缩醛树脂、聚酰胺树脂、聚碳酸酯树脂、改性聚苯醚树脂及聚对苯二甲酸丁二醇酯树脂等被称为工程塑料的树脂；玻璃环氧树脂等复合材料等。

框构件20的厚度(相对于粘合剂层(X1)的粘合表面垂直的方向上的厚度)可以考虑机械强度及操作性等而适当确定，例如为100μm～3mm。

另外，在本实施方式的加工检查对象物的加热剥离方法中，例如，在使用图2所示的双面粘合片2a的情况下，优选如图4所示那样将硬质支撑体14粘贴于粘合剂层(X2)的粘合表面122a而使用。由此，双面粘合片2a被硬质支撑体14所支撑，双面粘合片2a保持为平坦的状态。因此，工序(I)及工序(II)中的双面粘合片2a的操作性提高。另外，将被粘附物载置并粘贴于双面粘合片2a时的作业性也提高。需要说明的是，在双面粘合片2a具有剥离材料132的情况下，预先将剥离材料132剥离。

从实现上述目的的观点考虑，优选将硬质支撑体14粘贴在粘合剂层(X2)122的粘合表面122a的整个面。因此，硬质支撑体14优选为板状。另外，硬质支撑体14的粘贴于粘合剂层(X2)122的粘合表面122a的面的面积优选为粘合剂层(X2)122的粘合表面122a的面积以上。

硬质支撑体14的材质可以考虑机械强度、耐热性等而适当确定，可以列举例如：SUS等金属材料；玻璃及硅晶片等非金属无机材料；聚酰亚胺及聚酰胺酰亚胺等树脂材料；玻璃环氧树脂等复合材料等，其中，优选为SUS、玻璃、及硅晶片等。

硬质支撑体14的厚度可以考虑机械强度及操作性等而适当确定，例如为100μm～50mm。

多个加工检查对象物7、7a只要是需要粘贴并临时固定于粘合片1a、2a、实施加工及检查中的至少任一者的对象物即可，没有特别限定。加工检查对象物例如为经过了单片化后的硅晶片等基板。需要说明的是，加工检查对象物也可以是两个以上构件层叠而成的层叠体。另外，该两个以上的构件可以相同，也可以不同。

另外，对加工检查对象物进行的加工没有特别限定，可以列举例如：布线形成、后述的树脂密封等。

对加工检查对象物进行的检查也没有特别限定，可以列举：利用光学显微镜、激光进行的缺陷检查(例如，垃圾检查、表面损伤检查、布线图案检查等)、通过肉眼观察进行的表面检查等。

[工序(II)]

在工序(II)中，将上述热膨胀性基材的一部分加热至上述热膨胀性粒子发生膨胀的温度以上，将上述多个加工检查对象物中的一部分选择性地剥离。上述多个加工检查对象物例如在实施了上述的加工及检查中的至少任一者之后，被选择性地剥离。

图5是对使用了单面粘合片1a的本实施方式的加工检查对象物的加热剥离方法的工序(II)进行说明的剖面示意图，图5(a)示出了将待剥离的加工检查对象物7a剥离之前的状态，图5(b)示出了将待剥离的加工检查对象物7a剥离并回收的状态。

另外，图6是对使用了双面粘合片2a的本实施方式的加工检查对象物的加热剥离方法的工序(II)进行说明的剖面示意图，图6(a)示出了将待剥离的加工检查对象物7a剥离之前的状态，图6(b)示出了将待剥离的加工检查对象物7a剥离并回收的状态。

这里，在本实施方式的加工检查对象物的加热剥离方法中，使用单面粘合片1a将框构件20粘贴于该单面粘合片1a的粘合剂层(X1)121的粘合表面121a而使用的情况下，也可以形成为用固定夹具等将热膨胀性基材11的与层叠有粘合剂层(X1)121一侧的相反侧的面(以下，也简称为“背面”)整体固定了的状态而实施工序(II)。通过用固定夹具等固定背面，可以抑制由于热膨胀性粒子的膨胀而形成背面侧的凹凸。由此，能够在粘合剂层(X1)121的粘合表面121a侧有效地形成凹凸。因此，能够容易地将希望的加工检查对象物从单面粘合片1a剥离。例如，通过使用具有多个抽吸孔和真空泵等减压机构的抽吸台作为固定夹具，并利用该减压装置从多个抽吸孔对粘合片进行抽吸，可以将粘合片固定于抽吸面。

需要说明的是，在本实施方式的加工检查对象物的加热剥离方法中，如图4(b)所示地使用双面粘合片2a将硬质支撑体14粘贴于该双面粘合片2a的粘合剂层(X2)122的粘合表面122a而使用的情况下，在使热膨胀性粒子膨胀时，可以抑制粘合剂层(X2)122侧的粘合表面122a上的凹凸的形成。由此，能够在粘合剂层(X1)121的粘合表面121a侧有效地形成凹凸。因此，能够容易地将希望的加工检查对象物从双面粘合片2a剥离。需要说明的是，在将硬质支撑体粘接于单面粘合片1a的背面侧等而使用的情况下，也可以发挥出这样的效果。

作为工序(II)中的加热的方式，只要可以加热至热膨胀性基材11中的热膨胀性粒子发生膨胀的温度以上即可，没有特别限定，例如，可以适当使用电热加热器；感应加热；磁加热；近红外线、中红外线、远红外线等红外线等利用电磁波进行的加热等。需要说明的是，加热方式可以是直接加热方式及间接加热方式中的任意加热方式。

在工序(II)中，进行粘合片的热膨胀性基材11的加热的加热机构80具有加热部81。加热部81的材料可以根据加热方式而适当选择。例如，在使用电热加热器作为加热方式的情况下，加热部81由金属材料等导热率高的材料和人造矿物纤维等隔热材料等构成。另外，从更有选择性且效率良好地对待加热的区域进行加热的观点考虑，可以在加热部的前端设置橡胶等弹性体(导热性弹性体)，将该弹性体按压在待加热区域进行加热。

加热机构80中的加热部81的形状、大小可以根据待剥离的加工检查对象物7a的形状而适当设计。使用具有与待剥离的加工检查对象物7a的形状相匹配的加热部81的加热机构80对粘贴部位进行加热时，在热膨胀性基材11中与该粘贴部位相对应的区域中，热膨胀性粒子发生膨胀。由此，在粘合剂层(X1)121的粘合表面121a中对应于该粘贴部位的区域中，与待剥离的加工检查对象物7a的接触面积减少而失去粘接力。因此，可以使待剥离的加工检查对象物7a选择性地剥离，并通过例如吸嘴15等拾取机构而容易地进行回收。

需要说明的是，从将粘贴于粘合片上的希望位置的加工检查对象物选择性剥离的观点考虑，加热机构80优选能够沿粘合片的XY平面的X轴方向及Y轴方向移动。另外，关于吸嘴15等拾取机构，也优选能够沿粘合片的XY平面的X轴方向及Y轴方向移动。另外，加热机构80和吸嘴15等拾取机构也可以能够沿Z轴方向移动。

在本说明书中，“XY平面”是指与粘合片的层叠方向(厚度方向)正交的平面。X轴及Y轴呈分别正交的关系，是XY平面内的轴。Z轴是处于与X轴及Y轴正交的关系、且与粘合片的层叠方向(厚度方向)平行的轴。需要说明的是，加热机构及拾取机构也可以具备多个。在该情况下，例如，能够将n个(n为3以上的整数)加工检查对象物中的m个(m为满足1＜m＜n的整数)的加工检查对象物同时加热、剥离并回收。

另外，加热机构及拾取机构可以具有能够将邻接的2个以上加工检查对象物同时加热、剥离的大小。在该情况下也能够将多个加工检查对象物同时进行加热、剥离并回收。另外，可以具备多个能够将邻接的2个以上加工检查对象物同时进行加热、剥离的大小的加热机构及拾取机构。

基于加热机构80的加热温度为“热膨胀性粒子发生膨胀的温度以上”的温度。“热膨胀性粒子发生膨胀的温度以上”的温度是“热膨胀粒子的膨胀起始温度(t)以上的温度”，优选为“膨胀起始温度(t)+10℃”以上且“膨胀起始温度(t)+60℃”以下，更优选为“膨胀起始温度(t)+15℃”以上且“膨胀起始温度(t)+40℃”以下。具体而言，根据该热膨胀性粒子的种类而加热至例如120～250℃的范围使其膨胀即可。

基于加热机构80的加热时间可以设定为：能够仅将待剥离的加工检查对象物7a剥离、且保持其它加工检查对象物7的粘贴区域不被加热至“热膨胀性粒子发生膨胀的温度以上”的温度。

这里，加热机构80可以设置在加工检查对象物侧，也可以设置在加工检查对象物侧的相反侧。换言之，加热机构80可以设置在热膨胀性基材11的层叠有粘合剂层(X1)121的一侧，也可以设置在热膨胀性基材11的与层叠有粘合剂层(X1)121一侧的相反侧。或者，也可以设置在两侧以缩短加热时间。

这里，在本发明的一个实施方式中，优选将加热机构80设置在加工检查对象物侧的相反侧。在如本发明中使用的粘合片那样在基材中包含热膨胀性粒子的情况下，与使粘合剂层(粘贴加工检查对象物的粘合剂层)包含热膨胀性粒子的情况相比，热膨胀性粒子存在于距加热机构80更近的距离。因此，可以易于对热膨胀性粒子进行加热，能够实现加热时间的缩短。

另外，对于来自加热机构80的热而言，距加热机构80的距离越远，越容易沿相对于热的行进方向为水平的方向扩散。因此，在加热机构80设置在加工检查对象物侧的相反侧的情况下，存在以下隐患：在粘合剂层(粘贴加工检查对象物的粘合剂层)中包含热膨胀性粒子时，该粘合剂层被加热至比希望的区域更广的范围，热膨胀性粒子发生膨胀，连被粘贴在不希望剥离的区域的加工检查对象物也被剥离。

与此相对，根据本发明中使用的粘合片，由于通过使与该粘合剂层相比距离加热机构80更近的热膨胀性基材中的热膨胀性粒子发生膨胀而使加工检查对象物剥离，因此，来自加热机构80的热以在热膨胀性基材中比在粘合剂层(X1)中扩散更加受到抑制的状态进行照射。因此，可以仅对希望的区域进行选择性加热，易于仅使希望的加工检查对象物选择性地剥离。

需要说明的是，在将加热机构80设置在加工检查对象物侧的情况下，在加工检查对象物为导热性低的物质时，热不会传递至加工检查对象物的下层，热膨胀性粒子不会发生膨胀，难以实现加工检查对象物的剥离。就这一点而言，如上所述，在将加热机构80设置在加工检查对象物侧的相反侧的情况下，对于任何加工检查对象物均可以容易地进行剥离、而不依赖于加工检查对象物的种类。

因此，通过将加热机构80设置在加工检查对象物侧，具有能够仅将希望的加工检查对象物选择性剥离而不依赖于加工检查对象物的种类的优点。

另外，在用固定夹具固定单面粘合片的背面而使用的情况下、将硬质支撑体粘贴于双面粘合片的粘合剂层(X2)而使用的情况下，优选将加热机构80设置在加工检查对象物的相反侧，并且以金属材料等导热性高的材料构成固定夹具及硬质支撑体中与加工检查对象物的粘贴区域相对应的区域，而以隔热材料等导热性低的材料构成其它区域。由此，可以利用加热机构80对希望的区域选择性加热，易于仅使希望的加工检查对象物选择性地剥离。

另外，从更迅速地剥离加工检查对象物的观点考虑，可以在将粘合片整体预先加热至热膨胀性粒子不会发生膨胀的温度之后实施工序(II)。由此，通过将粘合片整体预先加热至热膨胀性粒子不会发生膨胀的温度，能够在进行使加工检查对象物选择性剥离时的加热中，使希望的区域迅速到达热膨胀性粒子发生膨胀的温度以上的温度。因此，可以更迅速地进行加工检查对象物的选择性剥离。

本实施方式的加工检查对象物的加热剥离方法中使用的粘合片在热膨胀性基材中包含有热膨胀性粒子，而不是在粘贴加工检查对象物的粘合剂层中包含热膨胀性粒子。

在粘贴加工检查对象物的粘合剂中包含有热膨胀性粒子的情况下，存在源自热膨胀性粒子的残渣附着于加工检查对象物表面、无法确保加工检查对象物表面的清洁性的问题。另外，还可能存在下述隐患：在通过加热而使热膨胀性粒子发泡或膨胀时，粘合剂层大幅变形，因此存在在加热剥离后的加工检查对象物表面产生残胶的问题。

与此相对，在本实施方式的粘合片中，热膨胀性粒子包含于热膨胀性基材，因此，粘贴于粘合剂层的粘合表面的加工检查对象物与热膨胀性粒子不会直接接触。因此，可以抑制源自热膨胀性粒子的残渣及发生了大幅变形的粘合剂层的一部分附着于加工检查对象物表面，能够在实现确保加热剥离后的加工检查对象物表面的清洁性及抑制残胶的同时，将粘贴于粘合片的多个的加工检查对象物中希望的一部分选择性地加热剥离。

以下，对于本实施方式的加工检查对象物的加热剥离方法，对热膨胀性基材的储能模量及厚度、粘合剂层(X1)的剪切模量及厚度、以及热膨胀性基材的厚度与粘合剂层(X1)的厚度的关系的优选范围进行详细说明。

(热膨胀性基材的储能模量及厚度)

本实施方式的粘合片所具有的热膨胀性基材在23℃下的储能模量E’(23)优选为1.0×10⁶Pa以上，更优选为5.0×10⁶～5.0×10¹²Pa，进一步优选为1.0×10⁷～1.0×10¹²Pa，更进一步优选为5.0×10⁷～1.0×10¹¹Pa，更进一步优选为1.0×10⁸～1.0×10¹⁰Pa。以下，将23℃下的储能模量E’(23)的上述范围称为要件(1)。

通过使用满足上述要件(1)的热膨胀性基材，可以抑制将加工检查对象物载置并粘贴于粘合片时加工检查对象物的位置偏移。另外，能够抑制将加工检查对象物载置并粘贴于粘合片时加工检查对象物向粘合剂层(X1)陷入，可以确保良好的剥离性。

例如，在将加工检查对象物载置于粘合片的粘合剂层(X1)时，有时使用倒装芯片焊接机、芯片焊接机等公知的装置。在使用这样的装置将加工检查对象物载置于粘合片的粘合剂层(X1)时，会施加将加工检查对象物向粘合片的厚度方向压入的力。因此，存在加工检查对象物沿粘合剂层(X1)的厚度方向过度陷入的隐患。而且，在使用这样的装置将加工检查对象物载置在粘合片上时，也会施加使加工检查对象物沿粘合片的水平方向移动的力，因此，也存在导致加工检查对象物沿粘合剂层的水平方向发生位置偏移的隐患。需要说明的是，由于加工检查对象物的自重，存在导致加工检查对象物过度向粘合剂层(X1)的厚度方向侧陷入的隐患。

这些问题可以通过使用满足上述要件(1)的热膨胀性基材而得到解决。

需要说明的是，在本说明书中，给定温度下的热膨胀性基材的储能模量E’是通过实施例中记载的方法测得的值。

另外，本实施方式的粘合片所具有的热膨胀性基材在100℃下的储能模量E’(100)优选为2.0×10⁵Pa以上，更优选为4.0×10⁵Pa以上，进一步优选为6.0×10⁵Pa以上，更进一步优选为8.0×10⁵Pa以上，更进一步优选为1.0×10⁶Pa以上。而且，100℃下的储能模量E’(100)优选为1.0×10¹²Pa以下，更优选为1.0×10¹¹Pa以下，进一步优选为1.0×10¹⁰Pa以下，更进一步优选为1.0×10⁹Pa以下。以下，将100℃下的储能模量E’(100)的上述范围称为要件(2)。

通过使用满足上述要件(2)的热膨胀性基材，可以在将粘合片的一部分加热至热膨胀性粒子发生膨胀的温度以上时的升温过程中，抑制粘合片的位置偏移。另外，可以在将粘合片的一部分加热至热膨胀性粒子发生膨胀的温度以上时的升温过程中，抑制加工检查对象物向粘合剂层(X1)陷入，确保良好的剥离性。

通常，专利文献1中记载的粘合片所具有的热膨胀性粘合剂层包含粘合性树脂，因此，具有随温度的上升，储能模量E’的下降程度非常大的倾向。

这里，如果热膨胀性粘合剂层的储能模量E’的下降程度非常大，则热膨胀性粘合剂层中包含的热膨胀性粒子及粘合性树脂容易流动，与此相伴，热膨胀性粘合剂层的粘合表面容易发生变形。

其结果是，在将粘合片的一部分加热至热膨胀性粒子发生膨胀的温度以上时的升温过程中，会发生加工检查对象物的位置偏移。另外，会发生加工检查对象物向粘合片侧陷入而导致加工检查对象物变得难以剥离的问题。

这些问题可以通过使用满足上述要件(2)的热膨胀性基材而得到解决。

另外，本实施方式的粘合片所具有的热膨胀性基材在t℃下的储能模量E’(t)优选为1.0×10⁷Pa以下，更优选为9.0×10⁶Pa以下，进一步优选为8.0×10⁶Pa以下，更进一步优选为6.0×10⁶Pa以下，更进一步优选为4.0×10⁶Pa以下。需要说明的是，“t”是热膨胀粒子的膨胀起始温度，这里为120℃～250℃。以下，将t℃下的储能模量E’(t)的上述范围称为要件(3)。

通过具有满足要件(3)的热膨胀性基材，在使热膨胀性粒子膨胀的温度下，热膨胀性基材易于追随热膨胀性粒子的体积膨胀而发生变形，粘合剂层(X1)容易形成凹凸。由此，可以使加工检查对象物从粘合片剥离的剥离性更优异。

另外，从抑制膨胀后的热膨胀性粒子的流动、提高在粘合剂层(X1)的粘合表面形成的凹凸的形状保持性、进一步提高剥离性的观点考虑，热膨胀性基材的储能模量E’(t)优选为1.0×10³Pa以上，更优选为1.0×10⁴Pa以上，进一步优选为1.0×10⁵Pa以上。

本实施方式的粘合片所具有的热膨胀性基材的厚度优选为10～1000μm，更优选为20～500μm，进一步优选为25～400μm，更进一步优选为30～300μm。

需要说明的是，在本说明书中，热膨胀性基材的厚度是通过实施例中记载的方法测得的值。

(粘合剂层(X1)的剪切模量及厚度)

对于本实施方式的粘合片而言，23℃下粘合剂层(X1)的剪切模量G’(23)优选为1.0×10⁴～1.0×10⁸Pa，更优选为5.0×10⁴～5.0×10⁷Pa，进一步优选为1.0×10⁵～1.0×10⁷Pa。

粘合剂层(X1)的剪切模量G’(23)为1.0×10⁴Pa以上时，不仅能够防止加工检查对象物的位置偏移，而且可以防止加工检查对象物向粘合剂层(X1)陷入。

另一方面，粘合剂层(X1)的剪切模量G’(23)为1.0×10⁸Pa以下时，容易在粘合表面形成由膨胀后的热膨胀性粒子形成的凹凸，其结果是可以容易地剥离加工检查对象物。

需要说明的是，在本说明书中，粘合剂层(X1)的剪切模量G’(23)是通过实施例中记载的方法测得的值。

另外，从表现出优异的粘合力的观点、以及容易通过利用加热处理使热膨胀性基材中的热膨胀性粒子膨胀而在粘合剂层的表面形成凹凸的观点考虑，粘合剂层(X1)的厚度优选为1～60μm，更优选为2～50μm，进一步优选为3～40μm，更进一步优选为5～30μm。对于专利文献1中记载的粘合片所具有的热膨胀性粘合剂层而言，由于包含足够的热膨胀性粒子，因此需要具有一定程度的厚度。因此，会产生加工检查对象物发生位置偏移、加工检查对象物陷入粘合片侧这样的弊端。

与此相对，对于本实施方式的粘合片而言，由于热膨胀性粒子包含于弹性模量高的非粘合性基材，因此，载置半导体芯片的粘合剂层(X1)的厚度的调整、粘合力及粘弹性模量等的控制等的自由度提高。由此，不仅能够抑制半导体芯片发生位置偏移，而且可以抑制半导体芯片向粘合片陷入。

(热膨胀性基材的厚度与粘合剂层(X1)的厚度的关系)

对于本实施方式的粘合片而言，从表现出更良好的剥离性的观点考虑，23℃下热膨胀性基材的厚度与粘合剂层的厚度之比(热膨胀性基材/粘合剂层)优选为0.2以上，更优选为0.5以上，进一步优选为1.0以上，更进一步优选为5.0以上。而且，优选为1000以下，更优选为200以下，进一步优选为60以下，更进一步优选为30以下。

(工序(I-1)～(I-2))

在本实施方式的加工检查对象物的加热剥离方法中，多个加工检查对象物可以是将单片化前的加工检查对象物粘贴而临时固定于粘合片、并实施切断加工而进行了单片化的对象物。

即，工序(I)可以具有以下的工序(I-1)～(I-2)。

工序(I-1)：将单片化前的加工检查对象物粘贴于上述粘合片的粘合剂层(X1)的粘合表面的工序

工序(I-2)：对粘贴于上述粘合表面的上述单片化前的加工检查对象物进行单片化的工序

在工序(I-1)中，粘贴于粘合片的单片化前的加工检查对象物例如为硅晶片、FPC部件等。

另外，在工序(I-2)中，对单片化前的加工检查对象物进行单片化的方法没有特别限定，例如，可以通过切片机等切断机构等实施。或者，通过所谓的“先切割法”将加工检查对象物进行单片化，所述“先切割法”包括：将沿预定分割线在加工检查对象物的表面侧形成了槽的加工检查对象物进行粘贴、使得其表面侧与粘合片的粘合表面相接，并从加工检查对象物的背面侧到至少到达该槽为止进行加工检查对象物的磨削等减薄处理。另外，也可以在利用Stealth Dicing(注册商标)在加工检查对象物的内部形成了改性区域后，以使加工检查对象物的表面侧与粘合片的粘合表面相接的方式进行粘贴，从加工检查对象物的背面进行磨削，对加工检查对象物进行减薄处理，并对其施加加压等外力，由此将加工检查对象物进行单片化。

需要说明的是，也可以对粘贴有单片化后的加工检查对象物的粘合片进行扩片(expand)处理，使单片化后的加工检查对象物间的间隔任意扩张。另外，也可以同时进行加工检查对象物的单片化和扩片处理。

另外，对通过工序(I-1)～(I-2)而进行了单片化的加工检查对象物、及进一步进行了扩片处理的加工检查对象物，可以直接供于工序(II)，也可以在经过进一步的加工及检查中的至少任一者后供于工序(II)。

(工序(I-A1)～(I-A3)、工序(I-B1)～(I-B3))

在本实施方式的加工检查对象物的加热剥离方法中，多个加工检查对象物优选为在半导体封装体的制造工序中得到的、将利用密封材料密封多个半导体芯片而成的密封体以半导体芯片单元进行单片化而成的密封体。

即，在本实施方式的加工检查对象物的加热剥离方法中，优选在同一上述粘合片上连续进行如下操作而进行处理：利用密封材料进行的多个半导体芯片的密封、密封体的以半导体芯片单元的单片化、以及以半导体芯片单元进行了单片化而得到的密封体的选择性加热剥离。

近年来，电子设备的小型化、轻质化及高功能化不断发展，与此相伴，电子设备中搭载的半导体装置也要求小型化、薄型化及高密度化。作为能够应对这样的要求的半导体封装，FOWLP(Fan out Wafer Level Package，扇出型晶圆级封装)、FOPLP(Fan out PanelLevel Package，扇出型板级封装)备受关注。

在FOWLP及FOPLP的制造过程中，以形成比芯片尺寸更大的区域的方式用密封材料包覆半导体芯片而形成半导体芯片的密封体(以下，也简称为“密封体”)，不仅在半导体芯片的电路面，而且在密封体的表面区域也形成再布线层及外部电极。

另外，在以FOWLP及FOPLP为代表的半导体封装体的制造工序中可以包括以下工序：载置工序，将多个半导体芯片载置在临时固定用的粘合片(以下，也称为“临时固定用片”)上；包覆工序，用通过加热而赋予了流动性的密封材料进行包覆；以及，固化工序，使该密封材料发生热固化。经过这些工序，形成密封体。

对于半导体封装的制造中使用的临时固定用片，要求在上述包覆工序及固化工序(以下，也将它们称为“密封工序”)之间不会发生半导体芯片的位置偏移、且密封材料不会进入半导体芯片与临时固定用片的粘接界面的程度的粘接性。而且，要求在密封工序后能够没有残胶地容易去除的剥离性。即，对于半导体封装的制造中使用的临时固定用片，要求兼顾使用时(临时固定时)的粘接性和使用后的剥离性。

这里，例如在FOWLP及FOPLP的制造工序中，通常在密封工序后经过如下工序制造FOWLP及FOPLP：分离工序，将密封体从临时固定用片剥离而分离；再布线层形成工序，在密封体的半导体芯片侧的表面形成再布线层；以及，切断工序，以半导体芯片单元将形成有再布线层的密封体切断而进行单片化。

然而，在FOWLP及FOPLP的制造工序中，也可以考虑来自上述通常工序的变形例。例如，也可以考虑在密封工序后不将密封体从临时固定用片剥离而分离，以半导体芯片单元切断而进行单片化(以下，也称为“密封体单片化工序”)，并将单片化后的密封体中仅一部分从临时固定用片选择性地剥离而分离(变形例1)。在变形例1中，再布线层形成工序例如可以在密封工序之后且密封体单片化工序之前进行(变形例1a)。另外，再布线层形成工序例如可以在密封体单片化工序之后且将单片化后的密封体从临时固定用片选择性剥离之前进行(变形例1b)。或者，再布线层形成工序例如可以在将单片化后的密封体从临时固定用片选择性剥离之后进行(变形例1c)。通过这些变形例1a～1c，可以仅将单片化后的密封体中包含必要的半导体芯片的密封体从临时固定用片选择性剥离并回收。另外，也可以仅使包含必要的半导体芯片的密封体以粘贴于临时固定片的状态残留，而将其它密封体剥离并回收。例如，在包含布线图案不同的多个半导体芯片的密封体混合存在的情况下，可以仅将包含某个特定布线图案的半导体芯片的密封体从粘合片选择性去除、或残留于粘合片。另外，在变形例1a及1b的情况下，在再布线层形成工序中，可以将布线发生了不良情况的密封体选择性地从粘合片去除、或残留于粘合片。

此外，这些不仅适于FOWLP及FOPLP的制造工序，也适于其它半导体封装体的制造工序。

基于此，可以考虑在半导体封装体的制造工序中的密封工序及密封体单片化工序中使用专利文献1中记载的粘合片作为临时固定用片。

但是，根据本发明人等的研究可知，在使用了专利文献1中记载的粘合片作为临时固定用片的情况下，由于密封工序中的加热，会导致热膨胀性粘合层的弹性模量降低，载置的半导体芯片陷入粘合片侧。另外可知，在上述载置工序及密封工序中，半导体芯片发生了位置偏移。由此，在密封体的半导体芯片侧的表面，在半导体芯片的表面与密封材料表面之间产生了高低差，因此得到了平坦性变差、半导体芯片的位置精度降低的结果。这样的密封体的半导体芯片侧的表面的平坦性降低及半导体芯片的位置精度降低会导致后续工序中的不良情况。例如，在密封体的半导体芯片侧的表面形成再布线层的情况下，可能会发生再布线精度的降低等。因此，优选抑制密封体的半导体芯片侧的表面的平坦性降低及半导体芯片的位置精度降低。

另外还可以认为，在从粘合片剥离密封体时，即使进行加热而使热膨胀性粘合层膨胀，半导体芯片也会向粘合片侧陷入，因此，在没有一定程度大小的外力的情况下，难以将单片化后的密封体剥离。

此外，如上所述，在使用了专利文献1中记载的粘合片作为临时固定用片的情况下，由于粘合剂层中包含热膨胀性粒子，因此存在加热剥离后的加工检查对象物表面被来自热膨胀性粒子和/或粘合剂层的残渣污染的隐患。另外，也存在由热膨胀性粒子形成的粘合剂层表面的凹凸形状被转印至密封体的半导体芯片侧的表面而导致平滑性降低的隐患。

对于这些问题，可以通过使用具有包含热膨胀性粒子的热膨胀性基材的同一粘合片连续地进行如下处理而起到极其优异的效果，所述处理为：利用密封材料进行的半导体芯片的密封、密封体的单片化、以及单片化后的密封体的选择性加热剥离；所述极其优异的效果包括：抑制半导体芯片发生位置偏移，并且确保密封体的半导体芯片侧的表面的平坦性，从而使再布线精度及密封体从粘合片剥离的剥离性良好，而且能够将单片化后的密封体选择性地加热剥离。

以下，对于作为将单片化后的密封体粘贴于粘合片的实施方式的工序(I-A1)～(I-A3)及工序(I-B1)～(I-B3)进行详细说明。

(工序(I-A1)～(I-A3))

在将单片化后的密封体粘贴于双面粘合片的情况下，工序(I)例如具有以下的工序(I-A1)～(I-A3)。

工序(I-A1)：将多个半导体芯片载置于粘合剂层(X1)的粘合表面、并在邻接的上述半导体芯片间设置间隙的工序

工序(I-A2)：用密封材料包覆上述多个半导体芯片及上述多个半导体芯片的周边部的粘合表面，使上述密封材料固化，得到上述多个半导体芯片被固化密封材料密封而成的密封体的工序

工序(I-A3)：以上述半导体芯片单元对上述密封体进行单片化的工序

以下，参照附图对各工序进行说明。

在工序(I-A1)～(I-A3)中，如图7(a)所示，可使用在粘合剂层(X2)的粘合表面粘贴有硬质支撑体14的双面粘合片2a。由此，双面粘合片被硬质支撑体支撑，保持平坦的状态。因此，可以得到平坦性优异的密封体。另外，双面粘合片的操作性也优异，且可以使半导体芯片易于载置在双面粘合片上。需要说明的是，关于硬质支撑体的结构、材质及厚度，如上所述。

图7(b)示出了对于将多个半导体芯片CP载置在粘合剂层(X1)121的粘合表面121a、并在邻接的半导体芯片CP间设置间隙的工序(I-A1)进行说明的剖面图。

需要说明的是，在双面粘合片2a具有剥离材料131的情况下，预先将剥离材料131剥离。

半导体芯片CP可以使用现有公知的半导体芯片CP。半导体芯片CP在其电路面W1形成有由晶体管、电阻、电容器等电路元件构成的集成电路。需要说明的是，半导体芯片CP并不限定于单层结构，可以以层叠有两层以上半导体芯片的层叠体的形式制造芯片多级层叠封装体。

半导体芯片CP例如可以以其电路面W1被粘合表面121a包覆的方式被载置。半导体芯片CP的载置中可以使用倒装芯片焊接机、芯片焊接机等公知的装置。

这里，多个半导体芯片CP优选以空开一定间隔而排列的状态载置在粘合剂层(X1)121的粘合表面121a，多个半导体芯片CP更优选以空开一定间隔而排列成多行且多列的阵列状的状态载置在粘合表面121a。半导体芯片CP彼此的间隔可以根据目标的封装形态等而适当确定。

图7(c)及(d)示出了对于用密封材料40包覆多个半导体芯片CP及多个半导体芯片CP的周边部的粘合表面30、并使该密封材料40固化从而得到多个半导体芯片CP被固化密封材料41密封而成的密封体50的工序(I-A2)进行说明的剖面图。

需要说明的是，以下，也将用密封材料40包覆多个半导体芯片CP及多个半导体芯片CP的周边部的粘合表面30的工序称为“包覆工序”，也将使该密封材料40固化而得到半导体芯片CP被固化密封材料41密封而成的密封体50的工序称为“固化工序”。

如图7(c)所示，在包覆工序中，首先用密封材料40包覆多个半导体芯片CP和多个半导体芯片CP的周边部的粘合表面30。密封材料40包覆多个半导体芯片CP露出的表面整体，同时还填充于半导体芯片CP彼此的间隙。

密封材料40具有保护多个半导体芯片CP及其附带的元件免受外部环境影响的功能。

作为密封材料40，没有特别限制，可以从现有的作为半导体密封材料而使用的材料中适当选择使用任意的材料。

从机械强度、耐热性、绝缘性等的观点考虑，密封材料40具有固化性，可以列举例如：热固性树脂组合物、能量线固化性树脂组合物等。

以下，在本实施方式中，对密封材料40为热固性树脂组合物的情况进行说明。

作为密封材料40的热固性树脂组合物所含有的热固性树脂可以列举例如：环氧树脂、酚醛树脂、氰酸酯树脂等，从机械强度、耐热性、绝缘性及成型性等的观点考虑，优选为环氧树脂。

上述热固性树脂组合物除了上述热固性树脂以外，还可以根据需要含有酚醛树脂类固化剂、胺类固化剂等固化剂、固化促进剂、二氧化硅等无机填充材料、弹性体等添加剂。

密封材料40在室温下可以为固态，也可以为液态。另外，室温下为固态的密封材料40的形态没有特别限定，例如可以为颗粒状、片状等。

作为利用密封材料40包覆多个半导体芯片CP和多个半导体芯片CP的周边部及上述间隙的粘合表面30的方法，可以从目前在半导体密封工序中所采用的方法中适当选择任意的方法来使用，例如，可以应用辊层压法、真空压制法、真空层压法、旋涂法、模涂法、传递模塑法、压缩模塑法等。

在这些方法中，通常为了提高密封材料40的填充性而在包覆时对密封材料40进行加热来赋予流动性。

需要说明的是，密封工序在低于热膨胀性粒子的膨胀起始温度(t)的温度条件下进行。

如图7(d)所示，在进行了包覆工序之后，使密封材料40固化，得到多个半导体芯片CP被固化密封材料41密封而成的密封体50。需要说明的是，利用密封材料40进行的包覆处理和热固化处理也可以分别实施，但在包覆处理中对密封材料40进行加热的情况下，可以通过该加热直接使密封材料40固化，同时实施包覆处理和热固化处理。

这里，如上所述，本实施方式中使用的双面粘合片2a具有包含热膨胀性粒子的热膨胀性基材11，在工序(II)中，通过使热膨胀性粒子发生膨胀，使粘合剂层(X1)121的粘合表面121a与密封体50的接触面积降低，使粘合力降低，将密封体50从双面粘合片2a剥离而使其分离。因此，在包覆工序及固化工序中，优选适当选择不会导致热膨胀性粒子发生膨胀的条件，包覆密封材料40并使其固化。例如，包覆工序及固化工序中的加热条件(加热温度及加热时间)优选为由热膨胀性粒子的膨胀引起的双面粘合片2a的厚度的增加率为10％以下的加热条件，更优选为上述增加率为5％以下的加热条件，进一步优选为上述增加率为0％的加热条件(即，热膨胀性粒子不发生膨胀的加热条件)。需要说明的是，双面粘合片2a的厚度的增加率例如可以按照JIS K6783、Z1702、Z1709标准，使用恒压测厚仪(Teclock公司制造、产品名“PG-02”)来测定给定条件下加热前后的双面粘合片2a的厚度，并基于下式进行计算。

厚度的增加率(％)＝(加热后的厚度-加热前的厚度)×100/加热前的厚度

需要说明的是，也可以分别实施包覆工序和固化工序，但在包覆工序中对密封材料40进行加热的情况下，也可以利用该加热直接使密封材料40固化。即，在该情况下，可以同时实施包覆工序和固化工序。

上述包覆工序中对热固性树脂组合物进行加热的温度的具体例子根据使用的密封材料40的种类、热膨胀性粒子的种类等而不同，例如为30～180℃，优选为50～170℃，更优选为70～150℃。另外，加热时间例如为5秒钟～60分钟，优选为10秒钟～45分钟，更优选为15秒钟～30分钟。

上述固化工序中使密封材料40固化的温度的具体例子根据使用的密封材料40的种类、热膨胀性粒子的种类等而不同，例如为80～240℃，优选为90～200℃，更优选为100～170℃。另外，加热时间例如为10～180分钟，优选为20～150分钟，更优选为30～120分钟。

这里，在本实施方式中，优选使用片状的密封材料(以下，也称为“片状密封材料”)实施包覆工序及固化工序。

在使用片状密封材料的方法中，通过以用片状密封材料包覆多个半导体芯片CP和多个半导体芯片CP的周边部的粘合表面30的方式进行载置，从而利用密封材料40进行包覆。此时，优选通过真空层压法等一边适当减压一边进行加热及压合，以使得不会在半导体芯片CP彼此的间隙产生未填充密封材料40的部分。然后，对层压后的密封材料40进行加热而使其固化。固化温度的优选实施方式如上所述。

片状密封材料也可以是被聚对苯二甲酸乙二醇酯等树脂片支撑的层叠片。该情况下，可以通过以用片状密封材料包覆多个半导体芯片CP和多个半导体芯片CP的周边部的粘合表面30的方式进行载置，从而利用密封材料40进行包覆，然后将树脂片从密封材料40剥离。

通过工序(I-A2)，可以得到各间隔给定距离的多个半导体芯片CP嵌入固化密封材料41而成的密封体50。

图7(e)示出了对于以半导体芯片CP单元将密封体50单片化的工序进行说明的剖面图。

在工序(I-A3)中，以半导体芯片CP单元对密封体50进行单片化。使密封体50单片化的方法没有特别限定，可以通过切片机等切断机构等来实施。

通过将密封体50进行单片化，可以得到半导体芯片CP单元的密封体50a。由此，双面粘合片2a处于粘贴有多个密封体50a作为加工检查对象物的状态。

这里，在工序(I-A1)～(I-A3)涉及的上述实施方式中，省略了再布线层形成工序的说明，在形成再布线层的情况下，再布线层形成工序例如可以在工序(I-A2)与(I-A3)之间、或者在工序(I-A3)之后实施。

在不将密封体从粘合片剥离的情况下形成再布线时，再布线层形成在半导体芯片的与粘合片的粘贴面的相反侧(以下，也称为“密封体表面侧”)。在密封体表面侧形成再布线层的情况下，在使半导体芯片的电路面W1上的金属端子电极从电路面W1经由半导体芯片的周围朝向密封体表面侧绕行的状态下制作密封体。然后，在密封体形成后从密封体表面侧磨削密封体，使该金属端子电极露出后，以与该露出的金属端子电极接触的方式形成再布线层。但并不限定于这样的方法。例如，在工序(I-A1)中以使半导体芯片的与电路面W1相反一侧的面和粘合片的粘合表面相接的方式载置半导体芯片，且使半导体芯片的电路面W1上的金属端子电极具有一定程度的厚度(相对于半导体芯片表面垂直的方向的厚度)。然后，可以与上述同样地，在密封体形成后从密封体表面侧磨削密封体而使该金属端子电极露出，然后，以与该露出的金属端子电极接触的方式形成再布线层。

(工序(I-B1)～(I-B3))

在将单片化后的密封体粘贴于单面粘合片时，工序(I)例如具有以下的工序(I-B1)～(I-B3)。需要说明的是，工序(I-B1)中使用的框构件与上述的[工序(I)]中说明的“框构件20”同样地是具备1个以上开口部21的框构件，所述开口部21是贯穿正反面的孔。

工序(I-B1)：将多个半导体芯片载置于在上述框构件的上述开口部露出的粘合剂层(X1)的粘合表面、并在邻接的上述半导体芯片间设置间隙的工序

工序(I-B2)：用密封材料包覆上述多个半导体芯片、以及上述多个半导体芯片的周边部的粘合表面及上述间隙的粘合表面，使上述密封材料固化，得到上述多个半导体芯片被固化密封材料密封而成的密封体的工序

工序(I-B3)：以上述半导体芯片单元对上述密封体进行单片化的工序

以下，参照附图对各工序进行说明。

在工序(I-B1)～(I-B3)中，如图8(a)所示，使用在粘合剂层(X1)121的粘合表面121a粘贴有形成了开口部21的框构件20的单面粘合片1a。由此，单面粘合片被框构件支撑，保持平坦的状态。因此，可以得到平坦性优异的密封体。而且，可以使单面粘合片的操作性也优异、且容易将半导体芯片载置于单面粘合片。需要说明的是，关于框构件的结构及材质，如上述所述。

需要说明的是，工序(I-B1)～(I-B3)中使用的框构件的厚度如上所述，例如为100μm～3mm，优选为100μm～1mm，更优选为100～500μm。框构件的厚度为100μm以上时，即使在对较大面积进行密封时也可以抑制密封体的翘曲。框构件的厚度为3mm以下时，可以防止密封体的生产性降低。

将工序(I-B1)示于图8(b)，将工序(I-B2)示于图8(c)及图8(d)，将工序(I-B3)示于图8(e)。

工序(I-B1)～(I-B3)与工序(I-A1)～(I-A3)的区别点在于：在工序(I-B1)中，将多个半导体芯片载置于在框构件的开口部露出的粘合剂层(X1)的粘合表面、并且在邻接的上述半导体芯片间设置间隙，其它是共通的。因此，对于该共通部分，可以通过与工序(I-A1)～(I-A3)中说明的方式相同的方式来实施。

另外，与工序(I-A1)～(I-A3)的上述实施方式同样地，在形成再布线层的情况下，再布线层形成工序例如可在工序(I-B2)与(I-B3)之间实施、或者在工序(I-B3)之后实施。或者，对通过工序(II)而选择性剥离的密封体实施。

通过如工序(I-A1)～(I-A3)、工序(I-B1)～(I-B3)这样在半导体封装体的制造工序中使用本实施方式的粘合片，可以解决半导体芯片的载置工序与密封工序之间发生半导体芯片的位置偏移、或半导体芯片陷入粘合片侧、无法使密封体的半导体芯片侧的表面平坦的问题。

即，由于本实施方式的粘合片中热膨胀性粒子包含于弹性模量高的非粘合性的基材，因此，载置半导体芯片的粘合剂层(X1)的厚度的调整、粘合力及粘弹性模量等的控制等的自由度提高。由此，可以形成能够抑制半导体芯片发生位置偏移、而且可抑制半导体芯片向粘合片陷入因而半导体芯片侧的表面的平坦性优异的密封体。

此外，在本实施方式的粘合片中，半导体芯片载置在粘合剂层(X1)的粘合表面，因此热膨胀性基材与密封体的半导体芯片侧的表面不会直接接触。由此，可抑制源自热膨胀性粒子的残渣及发生了大幅变形的粘合剂层的一部分附着于密封体的半导体芯片侧的表面、或形成于热膨胀性粘合层的凹凸形状转印至密封体的半导体芯片侧的表面而使平滑性降低的情况，可以使密封体的半导体芯片侧的表面的清洁性及平滑性优异。

另外，在如工序(I-A1)～(I-A3)、工序(I-B1)～(I-B3)这样在半导体封装体的制造工序中使用本实施方式的粘合片的情况下，通过使用满足上述要件(1)的热膨胀性基材，可以更切实地防止半导体芯片等加工检查对象物的位置偏移，而且能够更切实地防止半导体芯片等加工检查对象物向粘合剂层(X1)陷入。

另外，通过使用满足上述要件(2)的热膨胀性基材，在半导体封装的制造过程、例如FOWLP及FOPLP等扇出(Fan-Out)型封装体的制造过程中的密封工序的温度环境下，也可以适度抑制热膨胀性粒子的流动，因此，设置在热膨胀性基材上的粘合剂层(X1)的粘合表面不易发生变形。其结果是，可以更切实地防止密封工序中的半导体芯片的位置偏移，而且能够更切实地防止半导体芯片向粘合剂层(X1)陷入。

另外，通过使23℃下的热膨胀性基材的厚度与粘合剂层(X1)的厚度之比(热膨胀性基材/粘合剂层(X1))为上述范围，可以使密封体的半导体芯片侧的表面更平坦，而且能够更切实地防止半导体芯片的位置偏移。

需要说明的是，在工序(I)中，在如上述那样在粘合片上对加工检查对象物(密封体)进行单片化时，可以在加工检查对象物(密封体)整体的单片化完全完成后实施工序(II)，也可以一边进行加工检查对象物(密封体)的单片化一边依次进行工序(II)，对单片化后的加工检查对象物(密封体)进行回收。

这里，在本实施方式中，可以在密封工序后对上述粘合片整体进行加热，将密封体剥离，接着，将密封体粘贴于新的上述粘合片，对密封体实施再布线层形成工序，然后以半导体芯片单元进行切断而进行单片化，实施工序(II)，仅将单片化后的密封体中的一部分从上述粘合片选择性剥离而进行分离。

在该情况下，通过在密封工序中使用上述粘合片，可以在抑制半导体芯片发生位置偏移的同时，抑制半导体芯片向粘合片陷入，形成半导体芯片侧表面的平坦性优异的密封体，并同时进行密封体的选择性剥离。

接下来，以下对本发明所用的粘合剂的各构成材料等进行详细说明。

[热膨胀性基材]

热膨胀性基材是包含树脂及热膨胀性粒子的非粘合性的基材。

在本发明中，对于热膨胀性基材是否是非粘合性的基材的判断而言，如果按照JISZ0237:1991对作为对象的基材的表面测得的探针粘性值低于50mN/5mmφ，则判断该基材为“非粘合性的基材”。

这里，热膨胀性基材的表面的探针粘性值通常低于50mN/5mmφ，优选为低于30mN/5mmφ，更优选为低于10mN/5mmφ，进一步优选为低于5mN/5mmφ。

需要说明的是，在本说明书中，热膨胀性基材的表面的探针粘性值的具体测定方法按照实施例中记载的方法进行。

热膨胀性基材包含树脂及热膨胀性粒子，在不损害本发明效果的范围内，也可以根据需要而含有基材用添加剂。

另外，热膨胀性基材可以由包含树脂及热膨胀性粒子的树脂组合物(y)形成。

以下，对于作为热膨胀性基材的形成材料的树脂组合物(y)中包含的各成分进行说明。

[树脂]

作为树脂组合物(y)中包含的树脂，只要是使热膨胀性基材为非粘合性的树脂即可，没有特别限定，可以是非粘合性树脂，也可以是粘合性树脂。

即，即使树脂组合物(y)中包含的树脂是粘合性树脂，只要在由树脂组合物(y)形成热膨胀性基材的过程中，该粘合性树脂与聚合性化合物发生聚合反应而得到的树脂为非粘合性树脂，且包含该树脂的热膨胀性基材为非粘合性即可。

作为树脂组合物(y)中包含的上述树脂的重均分子量(Mw)，优选为1000～100万，更优选为1000～70万，进一步优选为1000～50万。

另外，在该树脂为具有2种以上结构单元的共聚物的情况下，该共聚物的形态没有特别限定，可以是嵌段共聚物、无规共聚物及接枝共聚物中的任一种。

相对于树脂组合物(y)的有效成分的总量(100质量％)，上述树脂的含量优选为50～99质量％，更优选为60～95质量％，进一步优选为65～90质量％，更进一步优选为70～85质量％。

作为树脂组合物(y)中包含的上述树脂，优选包含选自丙烯酸氨基甲酸酯类树脂及烯烃类树脂中的1种以上。

另外，作为上述丙烯酸氨基甲酸酯类树脂，优选为以下的树脂(U1)。

·氨基甲酸酯预聚物(UP)与包含(甲基)丙烯酸酯的乙烯基化合物聚合而成的丙烯酸氨基甲酸酯类树脂(U1)。

(丙烯酸氨基甲酸酯类树脂(U1))

作为形成丙烯酸氨基甲酸酯类树脂(U1)的主链的氨基甲酸酯预聚物(UP)，可以举出多元醇与多异氰酸酯的反应产物。

需要说明的是，氨基甲酸酯预聚物(UP)优选实施进一步使用了扩链剂的扩链反应而得到。

作为成为氨基甲酸酯预聚物(UP)的原料的多元醇，可以列举例如：亚烷基型多元醇、醚型多元醇、酯型多元醇、酯酰胺型多元醇、酯/醚型多元醇、以及碳酸酯型多元醇等。

这些多元醇可以单独使用，也可以组合使用2种以上。

作为本实施方式所用的多元醇，优选为二醇，更优选为酯型二醇、亚烷基型二醇、以及碳酸酯型二醇，进一步优选为酯型二醇及碳酸酯型二醇。

作为酯型二醇，可以列举例如从以下的二醇类中选择的1种或2种以上与从以下的二羧酸及它们的酸酐中选择的1种或2种以上形成的缩聚物，所述二醇类选自1,3-丙二醇、1,4-丁二醇、1,5-戊二醇、新戊二醇、1,6-己二醇等烷二醇；乙二醇、丙二醇、二乙二醇及二丙二醇等亚烷基二醇；等等，所述二羧酸选自邻苯二甲酸、间苯二甲酸、对苯二甲酸、萘二甲酸、4,4-联苯二甲酸、二苯基甲烷-4,4’-二甲酸、丁二酸、己二酸、壬二酸、癸二酸、氯桥酸、马来酸、富马酸、衣康酸、环己烷-1,3-二甲酸、环己烷-1,4-二甲酸、六氢邻苯二甲酸、六氢间苯二甲酸、六氢对苯二甲酸、甲基六氢邻苯二甲酸等。

具体而言，可以列举：聚己二酸乙二醇酯二醇、聚己二酸丁二醇酯二醇、聚己二酸己二醇酯二醇、聚间苯二甲酸六亚甲基二醇酯二醇、聚己二酸新戊二醇酯二醇、聚己二酸乙二醇丙二醇酯二醇、聚己二酸乙二醇丁二醇酯二醇、聚己二酸丁二醇六亚甲基二醇酯二醇、聚己二酸二乙二醇酯二醇、聚己二酸(聚四亚甲基醚)二醇酯二醇、聚(己二酸3-甲基戊二醇酯)二醇、聚壬二酸乙二醇酯二醇、聚癸二酸乙二醇酯二醇、聚壬二酸丁二醇酯二醇、聚癸二酸丁二醇酯二醇、以及聚对苯二甲酸新戊二醇酯二醇等。

作为亚烷基型二醇，可以列举例如：1,3-丙二醇、1,4-丁二醇、1,5-戊二醇、新戊二醇、1,6-己二醇等烷二醇；乙二醇、丙二醇、二乙二醇、以及二丙二醇等亚烷基二醇；聚乙二醇、聚丙二醇、以及聚丁二醇等聚亚烷基二醇；聚四亚甲基二醇等聚氧亚烷基二醇；等。

作为碳酸酯型二醇，可以列举例如：碳酸1,4-丁二醇酯二醇、碳酸1,5-戊二醇酯二醇、碳酸1,6-己二醇酯二醇、碳酸1,2-丙二醇酯二醇、碳酸1,3-丙二醇酯二醇、碳酸2,2-二甲基丙二醇酯二醇、碳酸1,7-庚二醇酯二醇、碳酸1,8-辛二醇酯二醇、以及碳酸1,4-环己烷二醇酯二醇等。

作为氨基甲酸酯预聚物(UP)的原料的多异氰酸酯，可以举出芳香族多异氰酸酯、脂肪族多异氰酸酯、以及脂环族多异氰酸酯等。

这些多异氰酸酯可以单独使用，也可以组合2种以上使用。

另外，这些多异氰酸酯也可以是三羟甲基丙烷加合型改性物、与水反应而得到的双缩脲型改性物、以及含有三聚异氰酸酯环的三聚异氰酸酯型改性物。

其中，作为本发明的一个实施方式中使用的多异氰酸酯，优选为二异氰酸酯，更优选为选自4,4’-二苯甲烷二异氰酸酯(MDI)、2,4-甲苯二异氰酸酯(2,4-TDI)、2,6-甲苯二异氰酸酯(2,6-TDI)、六亚甲基二异氰酸酯(HMDI)、以及脂环族二异氰酸酯中的一种以上。

作为脂环族二异氰酸酯，可以列举例如：3-异氰酸酯基甲基-3,5,5-三甲基环己基异氰酸酯(异佛尔酮二异氰酸酯、IPDI)、1,3-环戊烷二异氰酸酯、1,3-环己烷二异氰酸酯、1,4-环己烷二异氰酸酯、甲基-2,4-环己烷二异氰酸酯、以及甲基-2,6-环己烷二异氰酸酯等，优选异佛尔酮二异氰酸酯(IPDI)。

在本实施方式中，作为形成丙烯酸氨基甲酸酯类树脂(U1)主链的氨基甲酸酯预聚物(UP)，为二醇与二异氰酸酯的反应物，优选为两末端具有烯属不饱和基团的直链氨基甲酸酯预聚物。

作为在该直链氨基甲酸酯预聚物的两末端导入烯属不饱和基团的方法，可以举出：使直链氨基甲酸酯预聚物的末端的NCO基与(甲基)丙烯酸羟基烷基酯反应的方法，所述直链氨基甲酸酯预聚物是二醇与二异氰酸酯化合物反应而形成的。

作为(甲基)丙烯酸羟基烷基酯，可以列举例如：(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丁酯、以及(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯等。

作为形成丙烯酸氨基甲酸酯类树脂(U1)的侧链的乙烯基化合物，至少包含(甲基)丙烯酸酯。

作为(甲基)丙烯酸酯，优选为选自(甲基)丙烯酸烷基酯及(甲基)丙烯酸羟基烷基酯中的1种以上，更优选将(甲基)丙烯酸烷基酯及(甲基)丙烯酸羟基烷基酯组合使用。

在将(甲基)丙烯酸烷基酯及(甲基)丙烯酸羟基烷基酯组合使用的情况下，相对于(甲基)丙烯酸烷基酯100质量份，作为(甲基)丙烯酸羟基烷基酯的配合比例，优选为0.1～100质量份，更优选为0.5～30质量份，进一步优选为1.0～20质量份，更进一步优选为1.5～10质量份。

作为(甲基)丙烯酸烷基酯所具有的烷基的碳原子数，优选为1～24，更优选为1～12，进一步优选为1～8，更进一步优选为1～3。

另外，作为(甲基)丙烯酸羟基烷基酯，可以举出与为了在上述的直链氨基甲酸酯预聚物的两末端导入烯属不饱和基团而使用的(甲基)丙烯酸羟基烷基酯相同的化合物。

作为除(甲基)丙烯酸酯以外的乙烯基化合物，可以列举例如：苯乙烯、α-甲基苯乙烯、以及乙烯基甲苯等芳香烃类乙烯基化合物；甲基乙烯基醚、及乙基乙烯基醚等乙烯基醚类；乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、(甲基)丙烯腈、N-乙烯基吡咯烷酮、(甲基)丙烯酸、马来酸、富马酸、衣康酸、以及(甲基)丙烯酰胺等含有极性基团的单体；等等。

这些乙烯基化合物可以单独使用，也可以组合使用2种以上。

作为乙烯基化合物中的(甲基)丙烯酸酯的含量，相对于该乙烯基化合物的总量(100质量％)，优选为40～100质量％，更优选为65～100质量％，进一步优选为80～100质量％，更进一步优选为90～100质量％。

作为乙烯基化合物中的(甲基)丙烯酸烷基酯及(甲基)丙烯酸羟基烷基酯的总含量，相对于该乙烯基化合物的总量(100质量％)优选为40～100质量％，更优选为65～100质量％，进一步优选为80～100质量％，更进一步优选为90～100质量％。

本实施方式中使用的丙烯酸氨基甲酸酯类树脂(U1)可以通过将氨基甲酸酯预聚物(UP)与包含(甲基)丙烯酸酯的乙烯基化合物混合、并使两者聚合而得到。

该聚合优选进一步加入自由基引发剂而进行。

在本实施方式所使用的丙烯酸氨基甲酸酯类树脂(U1)中，作为来自氨基甲酸酯预聚物(UP)的结构单元(u11)与来自乙烯基化合物的结构单元(u12)的含量比[(u11)/(u12)]，以质量比计优选为10/90～80/20，更优选为20/80～70/30，进一步优选为30/70～60/40，更进一步优选为35/65～55/45。

(烯烃类树脂)

作为树脂组合物(y)中包含的树脂，适宜的烯烃类树脂是至少具有来自烯烃单体的结构单元的聚合物。

作为上述烯烃单体，优选为碳原子数2～8的α-烯烃，具体可以举出：乙烯、丙烯、丁烯、异丁烯、以及1-己烯等。

其中，优选为乙烯及丙烯。

作为具体的烯烃类树脂，可以列举例如：超低密度聚乙烯(VLDPE、密度：880kg/m³以上且低于910kg/m³)、低密度聚乙烯(LDPE、密度：910kg/m³以上且低于915kg/m³)、中密度聚乙烯(MDPE、密度：915kg/m³以上且低于942kg/m³)、高密度聚乙烯(HDPE、密度：942kg/m³以上)、以及直链状低密度聚乙烯等聚乙烯树脂；聚丙烯树脂(PP)；聚丁烯树脂(PB)；乙烯-丙烯共聚物；烯烃类弹性体(TPO)；聚(4-甲基-1-戊烯)(PMP)；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)；乙烯-乙烯醇共聚物(EVOH)；乙烯-丙烯-(5-亚乙基-2-降冰片烯)等烯烃类三元共聚物；等等。

在本实施方式中，烯烃类树脂可以是进一步实施了选自酸改性、羟基改性及丙烯酰基改性中的一种以上改性而得到的改性烯烃类树脂。

例如，作为对烯烃类树脂实施酸改性而得到的酸改性烯烃类树脂，可以举出在上述的未改性烯烃类树脂上接枝聚合不饱和羧酸或其酸酐而成的改性聚合物。

作为上述的不饱和羧酸或其酸酐，可以列举例如：马来酸、富马酸、衣康酸、柠康酸、戊烯二酸、四氢邻苯二甲酸、乌头酸、(甲基)丙烯酸、马来酸酐、衣康酸酐、戊烯二酸酐、柠康酸酐、乌头酸酐、降冰片烯二酸酐、以及四氢邻苯二甲酸酐等。

需要说明的是，不饱和羧酸或其酸酐可以单独使用，也可以组合使用2种以上。

作为对烯烃类树脂实施丙烯酰基改性而得到的丙烯酰基改性烯烃类树脂，可以举出在作为主链的上述的未改性烯烃类树脂上接枝聚合(甲基)丙烯酸烷基酯作为侧链而成的改性聚合物。

作为上述(甲基)丙烯酸烷基酯所具有的烷基的碳原子数，优选为1～20，更优选为1～16，进一步优选为1～12。

作为上述(甲基)丙烯酸烷基酯，例如可以举出与后述的能够选择作为单体(a1’)的化合物相同的化合物。

作为对烯烃类树脂实施羟基改性而成的羟基改性烯烃类树脂，可以举出在作为主链的上述的未改性烯烃类树脂上接枝聚合含羟基化合物而成的改性聚合物。

作为上述的含羟基化合物，可以举出例如：(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丁酯、以及(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯等(甲基)丙烯酸羟基烷基酯类；乙烯醇及烯丙醇等不饱和醇类等。

(除丙烯酸氨基甲酸酯类树脂及烯烃类树脂以外的树脂)

在本实施方式中，在不损害本发明效果的范围内，树脂组合物(y)可以含有除丙烯酸氨基甲酸酯类树脂及烯烃类树脂以外的树脂。

作为这样的树脂，可以列举例如：聚氯乙烯、聚偏氯乙烯、以及聚乙烯醇等乙烯基类树脂；聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、以及聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯类树脂；聚苯乙烯；丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物；三乙酸纤维素；聚碳酸酯；不属于丙烯酸氨基甲酸酯类树脂的聚氨酯；聚砜；聚醚醚酮；聚醚砜；聚苯硫醚；聚醚酰亚胺、聚酰亚胺等聚酰亚胺类树脂；聚酰胺类树脂；丙烯酸树脂；氟树脂等。

作为丙烯酸氨基甲酸酯类树脂及烯烃类树脂以外的树脂的含有比例，相对于树脂组合物(y)中包含的树脂的总量100质量份，优选小于30质量份，更优选小于20质量份，进一步优选小于10质量份，更进一步优选小于5质量份，再进一步优选小于1质量份。

[热膨胀性粒子]

热膨胀性粒子只要是通过加热而膨胀的粒子即可，优选使用膨胀起始温度(t)调整为120～250℃的粒子。膨胀起始温度(t)可以根据用途而适当选择。

需要说明的是，在本说明书中，热膨胀性粒子的膨胀起始温度(t)是指基于以下方法测得的值。

(热膨胀性粒子的膨胀起始温度(t)的测定方法)

向直径6.0mm(内径5.65mm)、深度4.8mm的铝杯中加入作为测定对象的热膨胀性粒子0.5mg，从其上方盖上铝盖(直径5.6mm、厚度0.1mm)，从而制作试料。

使用动态粘弹性测定装置，利用压头从铝盖上部对其试料施加0.01N的力，在该状态下测定试料的高度，然后，利用压头施加0.01N的力，在该状态下以10℃/分的升温速度从20℃加热至300℃，测定压头在垂直方向的位移量，将向正向的位移起始温度作为膨胀起始温度(t)。

作为热膨胀性粒子，优选为由外壳和内包成分构成的微胶囊发泡剂，所述外壳由热塑性树脂形成，所述内包成分内包于该外壳中，并且在加热至给定的温度时发生气化。

作为形成微胶囊发泡剂的外壳的热塑性树脂，可以列举例如：偏氯乙烯-丙烯腈共聚物、聚乙烯醇、聚乙烯醇缩丁醛、聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯腈、聚偏氯乙烯、以及聚砜等。

作为内包于外壳中的内包成分，可以列举例如：丙烷、丁烷、戊烷、己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、异丁烷、异戊烷、异己烷、异庚烷、异辛烷、异壬烷、异癸烷、环丙烷、环丁烷、环戊烷、环己烷、环庚烷、环辛烷、新戊烷、十二碳烷、异十二碳烷、环十三碳烷、己基环己烷、十三碳烷、十四碳烷、十五碳烷、十六碳烷、十七碳烷、十八碳烷、十九碳烷、异十三碳烷、4-甲基十二碳烷、异十四碳烷、异十五碳烷、异十六碳烷、2,2,4,4,6,8,8-七甲基壬烷、异十七碳烷、异十八碳烷、异十九碳烷、2,6,10,14-四甲基十五碳烷、环十三碳烷、庚基环己烷、正辛基环己烷、环十五碳烷、壬基环己烷、癸基环己烷、十五烷基环己烷、十六烷基环己烷、十七烷基环己烷、以及十八烷基环己烷等。

这些内包成分可以单独使用，也可以组合使用2种以上。

热膨胀性粒子的膨胀起始温度(t)可以通过适当选择内包成分的种类来进行调整。

在本实施方式中，热膨胀性粒子在23℃下的膨胀前的平均粒径优选为3～100μm，更优选为4～70μm，进一步优选为6～60μm，更进一步优选为10～50μm。

需要说明的是，热膨胀性粒子的膨胀前的平均粒径是指体积中值粒径(D₅₀)，是使用激光衍射式粒度分布测定装置(例如，Malvern公司制造、产品名“Mastersizer 3000”)测定的、在膨胀前的热膨胀性粒子的粒子分布中从膨胀前的热膨胀性粒子的粒径小者开始计算的累积体积频率相当于50％的粒径。

在本实施方式中，作为热膨胀性粒子在23℃下的膨胀前的90％粒径(D₉₀)，优选为10～150μm，更优选为20～100μm，进一步优选为25～90μm，更进一步优选为30～80μm。

需要说明的是，热膨胀性粒子在膨胀前的90％粒径(D₉₀)是使用激光衍射式粒度分布测定装置(例如，Malvern公司制造、产品名“Mastersizer 3000”)测定的、在膨胀前的热膨胀性粒子的粒子分布中从热膨胀性粒子的粒径小者开始计算的累积体积频率相当于90％的粒径。

本实施方式中使用的热膨胀性粒子在加热至膨胀起始温度(t)以上的温度时的体积最大膨胀率优选为1.5～100倍，更优选为2～80倍，进一步优选为2.5～60倍，更进一步优选为3～40倍。

相对于树脂组合物(y)的有效成分的总量(100质量％)，热膨胀性粒子的含量优选为1～40质量％，更优选为5～35质量％，进一步优选为10～30质量％，更进一步优选为15～25质量％。

[基材用添加剂]

在不损害本发明效果的范围内，本实施方式中使用的树脂组合物(y)还可以含有通常的粘合片所具有的基材中包含的基材用添加剂。

作为这样的基材用添加剂，可以列举例如：紫外线吸收剂、光稳定剂、抗氧剂、抗静电剂、爽滑剂、防粘连剂、以及着色剂等。

需要说明的是，这些基材用添加剂可以分别单独使用，也可以组合使用2种以上。

在含有这些基材用添加剂的情况下，相对于树脂组合物(y)中的上述树脂100质量份，各基材用添加剂的含量优选为0.0001～20质量份，更优选为0.001～10质量份。

(无溶剂型树脂组合物(y1))

作为本实施方式中使用的树脂组合物(y)，可以举出无溶剂型树脂组合物(y1)，所述无溶剂型树脂组合物(y1)是配合重均分子量(Mw)为50000以下的具有烯属不饱和基团的低聚物、能量线聚合性单体、以及上述的膨胀性粒子而成的、而未配合溶剂的树脂组合物。

在无溶剂型树脂组合物(y1)中，虽然未配合溶剂，但能量线聚合性单体有助于提高上述低聚物的塑性。

通过对由无溶剂型树脂组合物(y1)形成的涂膜照射能量线，可以得到热膨胀性基材。

对于无溶剂型树脂组合物(y1)中配合的膨胀性粒子的种类、形状、配合量(含量)，如上所述。

无溶剂型树脂组合物(y1)中包含的上述低聚物的重均分子量(Mw)为50000以下，优选为1000～50000，更优选为2000～40000，进一步优选为3000～35000，更进一步优选为4000～30000。

另外，作为上述低聚物，只要是上述的树脂组合物(y)中包含的树脂中重均分子量(Mw)为50000以下的具有烯属不饱和基团的低聚物即可，优选为上述的氨基甲酸酯预聚物(UP)。

需要说明的是，作为该低聚物，也可以使用具有烯属不饱和基团的改性烯烃类树脂等。

相对于无溶剂型树脂组合物(y1)的总量(100质量％)，无溶剂型树脂组合物(y1)中的上述低聚物及上述能量线聚合性单体的总含量优选为50～99质量％，更优选为60～95质量％，进一步优选为65～90质量％，更进一步优选为70～85质量％。

作为能量线聚合性单体，可以列举例如：(甲基)丙烯酸异冰片酯、(甲基)丙烯酸二环戊烯酯、(甲基)丙烯酸二环戊酯、双环戊烯氧基(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸金刚烷酯、以及丙烯酸三环癸烷酯等脂环式聚合性化合物；丙烯酸苯基羟丙酯、丙烯酸苄酯、以及苯酚环氧乙烷改性丙烯酸酯等芳香族聚合性化合物；(甲基)丙烯酸四氢糠酯、吗啉丙烯酸酯、N-乙烯基吡咯烷酮、以及N-乙烯基己内酰胺等杂环式聚合性化合物等。

这些能量线聚合性单体可以单独使用，也可以组合使用2种以上。

无溶剂型树脂组合物(y1)中，上述低聚物与上述能量线聚合性单体的含量比[低聚物/能量线聚合性单体]以质量比计优选为20/80～90/10，更优选为30/70～85/15，进一步优选为35/65～80/20。

在本实施方式中，优选无溶剂型树脂组合物(y1)进一步配合光聚合引发剂而成。

通过含有光聚合引发剂，也可以通过照射较低能量的能量线而充分进行固化反应。

作为光聚合引发剂，可以列举例如：1-羟基环己基苯基酮、苯偶姻、苯偶姻甲基醚、苯偶姻乙基醚、苯偶姻丙基醚、苄基苯基硫醚、一硫化四甲基秋兰姆、偶氮二异丁腈、联苄、双乙酰、以及8-氯蒽醌等。

这些光聚合引发剂可以单独使用，也可以组合使用2种以上。

相对于上述低聚物及能量线聚合性单体的总量(100质量份)，光聚合引发剂的配合量优选为0.01～5质量份，更优选为0.01～4质量份，进一步优选为0.02～3质量份。

[粘合剂层(X1)]

本实施方式的粘合片所具有的粘合剂层(X1)只要包含粘合性树脂即可，可以根据需要含有交联剂、增粘剂、聚合性化合物、聚合引发剂等粘合剂用添加剂。

在本实施方式的粘合片中，热膨胀性粒子在膨胀前于23℃下的粘合剂层(X1)的粘合表面的粘合力优选为0.1～10.0N/25mm，更优选为0.2～8.0N/25mm，进一步优选为0.4～6.0N/25mm，更进一步优选为0.5～4.0N/25mm。

该粘合力为0.1N/25mm以上时，可以充分固定至达到能够防止被粘附物的位置偏移的程度。而且，也可以充分固定至达到能够防止上述密封工序中半导体芯片的位置偏移的程度。

另一方面，该粘合力为10.0N/25mm以下时，在剥离被粘附物而进行分离时，可以容易地分离。

需要说明的是，上述的粘合力是指通过实施例中记载的方法测得的值。

粘合剂层(X1)可以由包含粘合性树脂的粘合剂组合物形成。

以下，对作为粘合剂层(X1)的形成材料的粘合剂组合物中包含的各成分进行说明。

[粘合性树脂]

作为本实施方式中使用的粘合性树脂，优选为该树脂单独具有粘合性、且重均分子量(Mw)为1万以上的聚合物。

作为本实施方式中使用的粘合性树脂的重均分子量(Mw)，从提高粘合力的观点考虑，更优选为1万～200万，进一步优选为2万～150万，更进一步优选为3万～100万。

作为粘合性树脂，可以列举例如：丙烯酸类树脂、氨基甲酸酯类树脂、聚异丁烯类树脂等橡胶类树脂、聚酯类树脂、烯烃类树脂、有机硅类树脂、聚乙烯基醚类树脂等。

这些粘合性树脂可以单独使用，也可以组合使用2种以上。

另外，在这些粘合性树脂为具有2种以上结构单元的共聚物的情况下，该共聚物形态没有特别限定，可以是嵌段共聚物、无规共聚物及接枝共聚物中的任一种。

本实施方式中使用的粘合性树脂可以是在上述的粘合性树脂的侧链导入有聚合性官能团的能量线固化型粘合性树脂。

作为该聚合性官能团，可以举出(甲基)丙烯酰基及乙烯基等。

另外，作为能量线，可以列举紫外线及电子束等，优选为紫外线。

相对于粘合剂组合物的有效成分总量(100质量％)，粘合性树脂的含量优选为30～99.99质量％，更优选为40～99.95质量％，进一步优选为50～99.90质量％，更进一步优选为55～99.80质量％，再进一步优选为60～99.50质量％。

需要说明的是，在本说明书的以下记载中，“各成分相对于粘合剂组合物的有效成分总量的含量”与“由该粘合剂组合物形成的粘合剂层中各成分的含量”含义相同。

在本实施方式中，从表现出优异的粘合力、并且容易通过由加热处理引起的热膨胀性基材中的热膨胀性粒子的膨胀而在粘合剂层(X1)的粘合表面形成凹凸的观点考虑，粘合性树脂优选包含丙烯酸类树脂。

作为粘合性树脂中的丙烯酸类树脂的含有比例，相对于粘合剂组合物中包含的粘合性树脂总量(100质量％)，优选为30～100质量％，更优选为50～100质量％，进一步优选为70～100质量％，更进一步优选为85～100质量％。

(丙烯酸类树脂)

在本实施方式中，作为可以用作粘合性树脂的丙烯酸类树脂，可以举出例如：包含来源于具有直链或支链烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元的聚合物、包含来源于具有环状结构的(甲基)丙烯酸酯的结构单元的聚合物等。

丙烯酸类树脂的重均分子量(Mw)优选为10万～150万，更优选为20万～130万，进一步优选为35万～120万，更进一步优选为50万～110万。

作为丙烯酸类树脂，更优选为丙烯酸类共聚物(A1)，所述丙烯酸类共聚物(A1)具有来源于(甲基)丙烯酸烷基酯(a1’)(以下，也称为“单体(a1’)”)的结构单元(a1)及来源于含官能团单体(a2’)(以下，也称为“单体(a2’)”)的结构单元(a2)。

作为单体(a1’)所具有的烷基的碳原子数，从提高粘合特性的观点考虑，优选为1～24，更优选为1～12，进一步优选为2～10，更进一步优选为4～8。

需要说明的是，单体(a1’)所具有的烷基可以是直链烷基，也可以是支链烷基。

作为单体(a1’)，可以列举例如：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、以及(甲基)丙烯酸硬脂酯等。

这些单体(a1’)可以单独使用，也可以组合使用2种以上。

作为单体(a1’)，优选为(甲基)丙烯酸丁酯及(甲基)丙烯酸2-乙基己酯。

相对于丙烯酸类共聚物(A1)的全部结构单元(100质量％)，结构单元(a1)的含量优选为50～99.9质量％，更优选为60～99.0质量％，进一步优选为70～97.0质量％，更进一步优选为80～95.0质量％。

作为单体(a2’)所具有的官能团，可以列举例如：羟基、羧基、氨基、以及环氧基等。

即，作为单体(a2’)，可以列举例如：含羟基单体、含羧基单体、含氨基单体、以及含环氧基单体等。

这些单体(a2’)可以单独使用，也可以组合使用2种以上。

其中，作为单体(a2’)，优选为含羟基单体及含羧基单体。

作为含羟基单体，可举出例如与上述含有羟基的化合物相同的单体。

作为含羧基单体，可以列举例如：(甲基)丙烯酸、巴豆酸等烯属不饱和单羧酸；富马酸、衣康酸、马来酸、以及柠康酸等烯属不饱和二羧酸及其酸酐、琥珀酸2-(丙烯酰氧基)乙酯、以及(甲基)丙烯酸2-羧基乙酯等。

相对于丙烯酸类共聚物(A1)的全部结构单元(100质量％)，结构单元(a2)的含量优选为0.1～40质量％，更优选为0.5～35质量％，进一步优选为1.0～30质量％，更进一步优选为3.0～25质量％。

丙烯酸类共聚物(A1)可以进一步具有来源于除单体(a1’)及(a2’)以外的其它单体(a3’)的结构单元(a3)。

需要说明的是，在丙烯酸类共聚物(A1)中，相对于丙烯酸类共聚物(A1)的全部结构单元(100质量％)，结构单元(a1)及(a2)的含量优选为70～100质量％，更优选为80～100质量％，进一步优选为90～100质量％，更进一步优选为95～100质量％。

作为单体(a3’)，可以列举例如：乙烯、丙烯、以及异丁烯等烯烃类；氯乙烯及偏氯乙烯等卤代烯烃类；丁二烯、异戊二烯、以及氯丁二烯等二烯类单体类；(甲基)丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸异冰片酯、(甲基)丙烯酸二环戊酯、(甲基)丙烯酸二环戊烯酯、(甲基)丙烯酸二环戊烯氧基乙酯、以及酰亚胺(甲基)丙烯酸酯等具有环状结构的(甲基)丙烯酸酯；苯乙烯、α-甲基苯乙烯、乙烯基甲苯、甲酸乙烯酯、乙酸乙烯酯、丙烯腈、(甲基)丙烯酰胺、(甲基)丙烯腈、(甲基)丙烯酰基吗啉、以及N-乙烯基吡咯烷酮等。

另外，丙烯酸类共聚物(A1)也可以是在侧链导入了聚合性官能团的能量线固化型丙烯酸类共聚物。

作为该聚合性官能团及该能量线，如上所述。

需要说明的是，聚合性官能团可以通过使具有上述的结构单元(a1)及(a2)的丙烯酸类共聚物与如下化合物进行反应而导入，所述化合物具有能够与该丙烯酸类共聚物的结构单元(a2)所具有的官能团键合的取代基和聚合性官能团。

作为上述化合物，可以列举例如：(甲基)丙烯酰氧基乙基异氰酸酯、(甲基)丙烯酰基异氰酸酯、以及(甲基)丙烯酸缩水甘油酯等。

(交联剂)

在本实施方式中，在粘合剂组合物包含上述丙烯酸类共聚物(A1)那样的含有官能团的粘合性树脂的情况下，优选进一步含有交联剂。

该交联剂是与具有官能团的粘合性树脂反应、并以该官能团作为交联起点使粘合性树脂彼此交联的物质。

作为交联剂，可以列举例如：异氰酸酯类交联剂、环氧类交联剂、氮丙啶类交联剂、以及金属螯合物类交联剂等。

这些交联剂可以单独使用，也可以组合使用2种以上。

在这些交联剂当中，从提高凝聚力使粘合力增强的观点、以及容易获得等的观点考虑，优选为异氰酸酯类交联剂。

交联剂的含量可以通过粘合性树脂所具有的官能团的数量而适当调整，相对于具有官能团的粘合性树脂100质量份，优选为0.01～10质量份，更优选为0.03～7质量份，进一步优选为0.05～5质量份。

(增粘剂)

在本实施方式中，从进一步提高粘合力的观点考虑，粘合剂组合物优选还含有增粘剂。

在本说明书中，“增粘剂”是指辅助性提高上述粘合性树脂的粘合力的成分，是重均分子量(Mw)低于1万的低聚物，与上述的粘合性树脂相区别。

增粘剂的重均分子量(Mw)优选为400～低于10000，更优选为500～8000，进一步优选为800～5000。

作为增粘剂，可以列举例如：松香类树脂、萜烯类树脂、苯乙烯类树脂、将石脑油热裂解所产生的戊烯、异戊二烯、胡椒碱、以及1,3-戊二烯等C5馏分共聚而得到的C5系石油树脂、将石脑油热裂解所产生的茚及乙烯基甲苯等C9馏分共聚而得到的C9系石油树脂、以及将它们氢化而成的氢化树脂等。

增粘剂的软化点优选为60～170℃，更优选为65～160℃，进一步优选为70～150℃。

需要说明的是，在本说明书中，增粘剂的“软化点”是指按照JIS K 2531测得的值。

增粘剂可以单独使用，也可以组合使用软化点、结构等不同的2种以上。

另外，在使用2种以上的多种增粘剂的情况下，优选这些多种增粘剂的软化点的加权平均在上述范围。

相对于粘合剂组合物的有效成分总量(100质量％)，增粘剂的含量优选为0.01～65质量％，更优选为0.05～55质量％，进一步优选为0.1～50质量％，更进一步优选为0.5～45质量％，更进一步优选为1.0～40质量％。

(光聚合引发剂)

在本实施方式中，在粘合剂组合物包含能量线固化型粘合性树脂作为粘合性树脂的情况下，优选进一步含有光聚合引发剂。

通过制成含有能量线固化型粘合性树脂及光聚合引发剂的粘合剂组合物，由该粘合剂组合物形成的粘合剂层(X1)即使通过照射较低能量的能量线，也能够充分进行固化反应，可以将粘合力调整至希望的范围。

需要说明的是，作为本实施方式所使用的光聚合引发剂，可以举出与上述无溶剂型树脂组合物(y1)中配合的引发剂相同的引发剂。

相对于能量线固化型的粘合性树脂100质量份，光聚合引发剂的含量优选为0.01～10质量份，更优选为0.03～5质量份，进一步优选为0.05～2质量份。

(粘合剂用添加剂)

在本实施方式中，在不损害本发明效果的范围内，作为粘合剂层(X1)的形成材料的粘合剂组合物除了上述的添加剂以外，还可以含有通常的粘合剂中使用的粘合剂用添加剂。

作为这样的粘合剂用添加剂，可以列举例如：抗氧剂、软化剂(增塑剂)、防锈剂、颜料、染料、反应抑制剂、反应促进剂(催化剂)、以及紫外线吸收剂等。

需要说明的是，这些粘合剂用添加剂可以分别单独使用，也可以组合使用2种以上。

在含有这些粘合剂用添加剂的情况下，相对于粘合性树脂100质量份，各粘合剂用添加剂的含量优选为0.0001～20质量份，更优选为0.001～10质量份。

需要说明的是，从抑制源自热膨胀性粒子的残渣附着于加工检查对象物表面、由加工检查对象物表面的残胶导致加热剥离后加工检查对象物表面的污染的观点考虑，本实施方式的粘合片所具有的粘合剂层(X1)优选为非膨胀性粘合剂层。作为粘合剂层(X1)中的热膨胀性粒子的含量，相对于粘合剂组合物的有效成分的总量(100质量％)、或粘合剂层(X1)的总质量(100质量％)，优选为低于1质量％，更优选为低于0.1质量％，进一步优选为低于0.01质量％，更进一步优选为低于0.001质量％。

[粘合剂层(X2)]

在本实施方式的粘合片为双面粘合片的情况下，该双面粘合片所具有的粘合剂层(X2)只要包含粘合性树脂即可，可以根据需要含有交联剂、增粘剂、聚合性化合物、聚合引发剂等粘合剂用添加剂。

粘合剂层(X2)的组成及形态的优选方式与粘合剂层(X1)相同。其中，粘合剂层(X1)与粘合剂层(X2)的组成可以相同，也可以不同。而且，粘合剂层(X1)与粘合剂层(X2)的形态可以相同，也可以不同。

需要说明的是，从加热时保持与硬质支撑体的粘接力而不使其降低的观点考虑，本实施方式的粘合片所具有的粘合剂层(X2)与粘合剂层(X1)同样地优选为非膨胀性粘合剂层。作为粘合剂层(X2)中的热膨胀性粒子的含量，相对于粘合剂组合物的有效成分的总量(100质量％)、或粘合剂层(X2)的总质量(100质量％)，优选为低于1质量％，更优选为低于0.1质量％，进一步优选为低于0.01质量％，更进一步优选为低于0.001质量％。

需要说明的是，从使与硬质支撑体的密合性良好的观点考虑，粘合剂层(X2)在23℃下的剪切模量G’(23)优选为1.0×10⁴～1.0×10⁸Pa，更优选为3.0×10⁴～5.0×10⁷Pa，进一步优选为5.0×10⁴～1.0×10⁷Pa。

[剥离材料]

本实施方式的双面粘合片可以如图1(b)所示的粘合片1b及图2(b)所示的粘合片2b那样在粘合剂层(X1)和/或粘合剂层(X2)的粘合表面进一步具有剥离材料。

需要说明的是，在如图2(b)所示的粘合片2b那样具有粘合剂层(X1)及粘合剂层(X2)的双面粘合片中，粘合剂层(X1)及粘合剂层(X2)的各自的粘合表面上设置的2片剥离材料优选调整为剥离力之差不同。

作为剥离材料，可以使用经两面剥离处理的剥离片、经单面剥离处理的剥离片等，可以举出在剥离材料用的基材上涂布有剥离剂的剥离材料等。

作为剥离材料用基材，可以列举例如：全化浆纸、玻璃纸、以及牛皮纸等纸类；聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂、聚对苯二甲酸丁二醇酯树脂、以及聚萘二甲酸乙二醇酯树脂等聚酯树脂膜、聚丙烯树脂及聚乙烯树脂等烯烃树脂膜等塑料膜；等。

作为剥离剂，可以列举例如：有机硅类树脂、烯烃类树脂、异戊二烯类树脂、以及丁二烯类树脂等橡胶类弹性体、长链烷基类树脂、醇酸类树脂、以及氟树脂等。

剥离材料的厚度没有特别限制，优选为10～200μm，更优选为25～170μm，进一步优选为35～80μm。

实施例

对于本发明，通过以下的实施例具体地进行说明，但本发明并不限定于以下的实施例。需要说明的是，以下的制造例及实施例中的物性值是通过以下的方法测得的值。

＜重均分子量(Mw)＞

使用凝胶渗透色谱装置(东曹株式会社制造，产品名“HLC-8020”)在下述条件下进行测定，使用了换算为标准聚苯乙烯的测定值。

(测定条件)

·色谱柱：将“TSK guard column HXL-L”“TSK gel G2500HXL”“TSK gelG2000HXL”“TSK gel G1000HXL”(均为东曹株式会社制造)依次连接而成的色谱柱

·柱温：40℃

·洗脱溶剂：四氢呋喃

·流速：1.0mL/分

＜各层的厚度的测定＞

使用Teclock公司制造的恒压测厚仪(型号：“PG-02J”，按照标准：JIS K6783、Z1702、Z1709)进行了测定。

＜热膨胀性粒子的平均粒径(D₅₀)、90％粒径(D₉₀)＞

使用激光衍射式粒度分布测定装置(例如，Malvern公司制造，产品名“Mastersizer 3000”)测定了23℃下测定了膨胀前的热膨胀性粒子的粒子分布。

然后，将从粒子分布中粒径小者起计算的累积体积频率相当于50％及90％的粒径分别作为“热膨胀性微粒的平均粒径(D₅₀)”及“热膨胀性粒子的90％粒径(D₉₀)”。

＜热膨胀性基材的储能模量E’＞

在测定对象为非粘合性的热膨胀性基材的情况下，将该热膨胀性基材制成纵5mm×横30mm×厚度200μm的大小，将去除了剥离材料后的基材作为试验样品。

使用动态粘弹性测定装置(TA Instruments公司制造，产品名“DMAQ800”)在试验起始温度0℃、试验结束温度300℃、升温速度3℃/分、振动频率1Hz、振幅20μm的条件下，测定了给定温度下该试验样品的储能模量E’。

＜粘合剂层(X1)及粘合剂层(X2)的剪切模量G’＞

将粘合剂层(X1)及粘合剂层(X2)切成直径8mm的圆形，去除剥离材料，使其叠合，制成厚度3mm的材料，将其作为试验样品。

使用粘弹性测定装置(Anton Paar公司制造，装置名“MCR300”)在试验起始温度0℃、试验结束温度300℃、升温速度3℃/分、振动频率1Hz的条件下，通过扭转剪切法测定了给定温度下试验样品的剪切模量G’。

＜探针粘性值＞

将成为测定对象的热膨胀性基材或膨胀性粘合剂层切成边长10mm的正方形，然后在23℃、50％RH(相对湿度)的环境中静置24小时，去除了轻剥离膜后作为试验样品。

在23℃、50％RH(相对湿度)的环境中使用粘性试验仪(日本特殊测器株式会社制造，产品名“NTS-4800”)，按照JIS Z0237:1991测定了去除轻剥离膜后露出的上述试验样品表面的探针粘性值。

具体而言，在1秒钟、接触负荷0.98N/cm²的条件下使直径5mm的不锈钢制探针接触试验样品的表面后，测定了使该探针以10mm/秒的速度离开试验样品的表面所需要的力。然后，将该测得的值作为该试验样品的探针粘性值。

以下的制造例中使用的粘合性树脂、添加剂、热膨胀性粒子、以及剥离材料的详细情况如下所述。

＜粘合性树脂＞

·丙烯酸类共聚物(i)：包含重均分子量(Mw)60万的丙烯酸类共聚物的溶液，所述丙烯酸类共聚物具有源自由丙烯酸2-乙基己酯(2EHA)/丙烯酸2-羟基乙酯(HEA)＝80.0/20.0(质量比)构成的原料单体的结构单元。稀释溶剂：乙酸乙酯，固体成分浓度：40质量％。

·丙烯酸类共聚物(ii)：包含重均分子量(Mw)60万的丙烯酸类共聚物的溶液，所述丙烯酸类共聚物具有源自由丙烯酸正丁酯(BA)/甲基丙烯酸甲酯(MMA)/丙烯酸2-羟基乙酯(HEA)/丙烯酸＝86.0/8.0/5.0/1.0(质量比)构成的原料单体的结构单元。稀释溶剂：乙酸乙酯，固体成分浓度：40质量％。

＜添加剂＞

·异氰酸酯交联剂(i)：东曹株式会社制造，产品名“Coronate L”，固体成分浓度：75质量％。

·光聚合引发剂(i)：BASF公司制造，产品名“Irgacure 184”，1-羟基环己基苯基酮。

＜热膨胀性粒子＞

·热膨胀性粒子(i)：株式会社吴羽制造，产品名“S2640”，膨胀起始温度(t)＝208℃，平均粒径(D₅₀)＝24μm，90％粒径(D₉₀)＝49μm。

＜剥离材料＞

·重剥离膜：琳得科株式会社制造，产品名“SP-PET382150”，在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜的单面设置有由有机硅类剥离剂形成的剥离剂层的材料，厚度：38μm。

·轻剥离膜：琳得科株式会社制造，产品名“SP-PET381031”，在PET膜的单面设置有由有机硅类剥离剂形成的剥离剂层的材料，厚度：38μm。

制造例1(粘合剂层(X1)的形成)

在作为粘合性树脂的上述丙烯酸类共聚物(i)的固体成分100质量份中配合上述异氰酸酯类交联剂(i)5.0质量份(固体成分比)，用甲苯稀释，搅拌均匀，制备了固体成分浓度(有效成分浓度)25质量％的组合物(x-1)。

然后，将制备的组合物(x-1)涂布在上述重剥离膜的剥离剂层的表面上，形成涂膜，在100℃下将该涂膜干燥60秒钟，形成了厚度10μm的粘合剂层(X1)。

需要说明的是，粘合剂层(X1)在23℃下的剪切模量G’(23)为2.5×10⁵Pa。

制造例2(粘合剂层(X2)的形成)

在作为粘合性树脂的上述丙烯酸类共聚物(ii)的固体成分100质量份中配合上述异氰酸酯类交联剂(i)0.8质量份(固体成分比)，用甲苯稀释，搅拌均匀，制备了固体成分浓度(有效成分浓度)25质量％的组合物(x-2)。

然后，将制备的组合物(x-2)涂布在上述轻剥离膜的剥离剂层的表面上，形成涂膜，在100℃下将该涂膜干燥60秒钟，形成了厚度10μm的粘合剂层(X2)。

需要说明的是，粘合剂层(X2)在23℃下的剪切模量G’(23)为9.0×10⁴Pa。

制造例3(热膨胀性基材(Y-1)的形成)

(1)组合物(y-1)的制备

使酯型二醇与异佛尔酮二异氰酸酯(IPDI)反应而得到的末端异氰酸酯氨基甲酸酯预聚物与丙烯酸2-羟基乙酯反应，得到了重均分子量(Mw)5000的双官能的丙烯酸氨基甲酸酯类低聚物。

然后，在上述合成的丙烯酸氨基甲酸酯类低聚物40质量％(固体成分比)中配合作为能量线聚合性单体的丙烯酸异冰片酯(IBXA)40质量％(固体成分比)及丙烯酸苯基羟丙酯(HPPA)20质量％(固体成分比)，相对于丙烯酸氨基甲酸酯类低聚物及能量线聚合性单体的总量(100质量份)，进一步配合作为光聚合引发剂的1-羟基环己基苯基酮(BASF公司制造，产品名“Irgacure 184”)2.0质量份(固体成分比)、以及作为添加剂的酞菁类颜料0.2质量份(固体成分比)，制备了能量线固化性组合物。

然后，在该能量线固化性组合物中配合上述热膨胀性粒子(i)，制备了不含溶剂的无溶剂型组合物(y-1)。

需要说明的是，相对于组合物(y-1)的总量(100质量％)，热膨胀性粒子(i)的含量为20质量％。

(2)热膨胀性基材(Y-1)的形成

将制备的组合物(y-1)涂布在上述轻剥离膜的剥离剂层的表面上而形成了涂膜。

然后，使用紫外线照射装置(Eye Graphics公司制造，产品名“ECS-401GX”)及高压水银灯(Eye Graphics公司制造，产品名“H04-L41”)在照度160mW/cm²、光量500mJ/cm²的条件下照射紫外线，使该涂膜固化，形成了厚度50μm的热膨胀性基材(Y-1)。需要说明的是，紫外线照射时的上述照度及光量是使用照度/光量计(EIT公司制造，产品名“UV Power PuckII”)测得的值。

制造例4(热膨胀性基材(Y-2)的形成)

(1)氨基甲酸酯预聚物的合成

在氮气氛围下的反应容器内，相对于重均分子量(Mw)1,000的碳酸酯型二醇100质量份(固体成分比)配合异佛尔酮二异氰酸酯(IPDI)，使得碳酸酯型二醇的羟基与异佛尔酮二异氰酸酯的异氰酸酯基的当量比为1/1，进一步加入甲苯160质量份，在氮气氛围中一边搅拌一边在80℃下反应6小时以上、直至异氰酸酯基浓度达到理论量。

接着，添加将甲基丙烯酸2-羟基乙酯(2-HEMA)1.44质量份(固体成分比)在甲苯30质量份中稀释而成的溶液，进一步在80℃下反应6小时、直至两末端的异氰酸酯基消失，得到了重均分子量(Mw)2.9万的氨基甲酸酯预聚物。

(2)丙烯酸氨基甲酸酯类树脂的合成

在氮气氛围下的反应容器内加入上述(1)中得到的氨基甲酸酯预聚物100质量份(固体成分比)、甲基丙烯酸甲酯(MMA)117质量份(固体成分比)、甲基丙烯酸2-羟基乙酯(2-HEMA)5.1质量份(固体成分比)、1-硫代甘油1.1质量份(固体成分比)、以及甲苯50质量份，一边进行搅拌一边升温至105℃。

然后，进一步在保持105℃的状态下花费4小时将用甲苯210质量份稀释自由基引发剂(Japan Finechem公司制造、产品名“ABN-E”)2.2质量份(固体成分比)而成的溶液滴加至反应容器内。

滴加结束后，在105℃下反应6小时，得到了重均分子量(Mw)10.5万的丙烯酸氨基甲酸酯类树脂的溶液。

(3)热膨胀性基材(Y-2)的形成

相对于上述(2)中得到的丙烯酸氨基甲酸酯类树脂的溶液的固体成分100质量份，配合上述异氰酸酯类交联剂(i)6.3质量份(固体成分比)、作为催化剂的二辛基双(2-乙基己酸)锡1.4质量份(固体成分比)、以及上述热膨胀性粒子(i)，用甲苯稀释，搅拌均匀，制备了固体成分浓度(有效成分浓度)30质量％的组合物(y-2)。

需要说明的是，相对于得到的组合物(y-2)中的有效成分的总量(100质量％)，热膨胀性粒子(i)的含量为20质量％。

然后，将制备的组合物(y-2)涂布在上述轻剥离膜的剥离剂层的表面上，形成涂膜，在100℃下将该涂膜干燥120秒钟，形成了厚度50μm的热膨胀性基材(Y-2)。

对于在制造例3～4中形成的热膨胀性基材(Y-1)～(Y-2)，基于上述方法分别测定了23℃、100℃及208℃下的储能模量E’及探针粘性值，其中208℃是所使用的热膨胀性粒子的膨胀起始温度。将这些结果示于表1。

[表1]

实施例1

将制造例1中形成的粘合剂层(X1)和制造例3中形成的热膨胀性基材(Y-1)的表面彼此贴合，去除热膨胀性基材(Y-1)侧的轻剥离膜，在露出的热膨胀性基材(Y-1)的表面上贴合了在制造例2中形成的粘合剂层(X2)。

由此，制作了依次层叠有轻剥离膜/粘合剂层(X2)/热膨胀性基材(Y-1)/粘合剂层(X1)/重剥离膜的粘合片(1)。

实施例2

将热膨胀性基材(Y-1)替换为制造例4中形成的热膨胀性基材(Y-2)，除此以外，与实施例1同样地制作了依次层叠有轻剥离膜/粘合剂层(X2)/热膨胀性基材(Y-2)/粘合剂层(X1)/重剥离膜的粘合片(2)。

另外，对于制作的粘合片(1)～(2)进行了以下的测定。将它们的结果示于表2。

＜密封工序时的半导体芯片的位置偏移评价＞

去除制作的粘合片(1)～(2)所具有的轻剥离膜，在露出的粘合剂层(X2)的粘合表面粘贴作为硬质支撑体的SUS板(厚度1mm、尺寸：200mmφ)。

然后，去除粘合片(1)～(2)的重剥离膜，在露出的粘合剂层(X1)的粘合表面上隔开必要的间隔载置9个半导体芯片(芯片尺寸6.4mm×6.4mm、芯片厚度200μm(#2000))，并使得该粘合表面与半导体芯片的电路面相接。

然后，将密封用树脂膜(密封材料)层叠在粘合表面及半导体芯片上，使用真空加热加压层压机(ROHM and HAAS公司制造的“7024HP5”)用密封材料包覆粘合剂层(X1)的粘合表面及半导体芯片，并且使密封材料固化，制作了固化密封体。需要说明的是，密封条件如下所述。

·预热温度：工作台及膜片均为100℃

·真空抽吸：60秒钟

·动态加压模式：30秒钟

·静态加压模式：10秒钟

·密封温度：180℃(比热膨胀性粒子的膨胀起始温度即208℃低的温度)

·密封时间：60分钟

密封后，在为热膨胀性粒子的膨胀起始温度(208℃)以上的240℃下将粘合片(1)～(2)加热3分钟，从粘合片(1)～(2)剥离该固化密封体而进行分离，通过肉眼及显微镜对分离后的固化密封体的半导体芯片侧表面的半导体芯片进行观察，确认半导体芯片有无位置偏移，并按照以下的基准进行了评价。

·A：未确认到相对于密封前发生了25μm以上位置偏移的半导体芯片。

·F：确认到了相对于密封前发生了25μm以上位置偏移的半导体芯片。

＜密封工序后的半导体芯片侧的表面的平坦性的评价＞

使用粘合片(1)～(2)，按照与上述的“密封工序时的半导体芯片的位置偏移评价”相同的步骤制作固化密封体，并从粘合片剥离并分离。

使用接触式表面粗糙度测量仪(Mitutoyo公司制造的“SV3000”)对制作的固化密封体的各半导体芯片侧的表面测定了高低差，并按照以下的基准进行了评价。

·A：未确认到产生了2μm以上高低差的部位。

·F：确认到了产生了2μm以上高低差的部位。

＜加热前后的粘合片的粘合力的测定＞

去除制作的粘合片(1)～(2)所具有的粘合剂层(X2)侧的轻剥离膜，在露出的粘合剂层(X2)的粘合表面上层叠厚度50μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜(东洋纺株式会社制造、产品名“Cosmo Shine A4100”)，得到了带有基材的粘合片。

然后，也去除粘合片(1)～(2)所具有的粘合剂层(X1)侧的重剥离膜，将露出的粘合剂层(X1)的粘合表面粘贴于作为被粘附物的不锈钢钢板(SUS304 360号抛光)，在23℃、50％RH(相对湿度)的环境中静置24小时后，将其作为试验样品。

然后，使用上述的试验样品，在23℃、50％RH(相对湿度)的环境中，基于JISZ0237:2000通过180°剥离法以拉伸速度300mm/分测定了23℃下的粘合力。

另外，在加热板上将上述试验样品在为热膨胀性粒子的膨胀起始温度(208℃)以上的240℃下加热3分钟，在标准环境(23℃、50％RH(相对湿度))中静置了60分钟，然后，基于JIS Z0237:2000通过180°剥离法以拉伸速度300mm/分测定了膨胀起始温度以上的加热后的粘合力。

需要说明的是，在难以测定粘合力、达到了无法粘贴于作为被粘附物的不锈钢板的程度的情况下，评价为“无法测定”，将其粘合力视为0(N/25mm)。

＜单片化晶片的选择性剥离性的评价＞

去除制作的粘合片(1)～(2)所具有的粘合剂层(X2)侧的轻剥离膜，在露出的粘合剂层(X2)的粘合表面上层叠厚度60μm的氯乙烯(PVC)膜，得到了带有基材的粘合片。

然后，也去除粘合片(1)～(2)所具有的粘合剂层(X1)侧的重剥离膜，在露出的粘合剂层(X1)的粘合表面粘贴硅晶片(6英寸直径、厚度350μm)后，将该粘合片(1)～(2)装配于环状框架(SUS制)，安装在切割装置(DISCO株式会社制造、产品名“DFD651”)中，按照以下条件进行切割，以多个加工检查对象物的形式得到了单片化晶片。

·切刀：DISCO公司制造的27HEEE

·刀转速：50,000rpm

·切割速度：10mm/秒

·切入深度：将基材膜从粘合剂层的界面切入至20μm的深度

·切割尺寸：2.5mm×2.5mm

接着，使用扩片夹具(NEC Machinery公司制造、产品名“CSP-100VX”)，以速度300mm/分将单片化晶片粘贴于粘合剂层(X1)的粘合表面的状态的粘合片拉下5mm。

然后，作为加热部，准备在电热加热器的前端设有2.5mm见方且厚度1mm的金属板(SUS制)、和导热性橡胶片(2.5mm见方、厚度1mm)的加热机构，用电热加热器进行加热、使得上述橡胶片部(最前端部)的温度达到240℃。在多个单片化晶片中，任意选择待剥离的单片化晶片，对粘贴有选择的单片化晶片的粘合片的部分进行加热而使粘合力降低，确认了能否用吸嘴将所选择的单片化晶片从粘合片剥离。另外地，随后对粘贴在粘合片的非加热部分的单片化晶片强制地施加冲击，确认了有无单片化晶片的脱落。评价基准如下所述。

·A：可以用吸嘴将所选择的单片化晶片从粘合片剥离，且粘贴于粘合片的非加热部分的单片化晶片没有脱落。

·F：未能用吸嘴将所选择的单片化晶片从粘合片剥离。或者，虽然可以剥离，但确认到了粘贴于粘合片的非加热部分的单片化晶片的脱落。

[表2]

(*)由于无法将试验样品粘贴于被粘附物(SUS板)，因此无法测定粘合力。

由表2可知，根据使用了实施例1及2的粘合片(1)及(2)的制造方法，既未观察到密封工序时的半导体芯片的位置偏移，密封工序后的半导体芯片侧的表面也是平坦的。

另外，粘合片(1)及(2)尽管在加热前具有良好的粘合力，但在于膨胀起始温度以上加热后粘合力降低到了无法测定的程度，因此，结果是证实了在剥离时能够以微小的力容易地进行剥离。

另外，由表2可知，通过使用实施例1及2的粘合片(1)及(2)，可以保持非选择单片化晶片对粘合片的粘贴状态，并且可以通过加热而仅将所选择的单片化晶片剥离。

Claims (15)

1.一种加工检查对象物的加热剥离方法，其具有以下的工序(I)及(II)，

工序(I)：将多个加工检查对象物粘贴于粘合片的粘合剂层(X1)的粘合表面的工序，所述粘合片具有：包含树脂及热膨胀性粒子的非粘合性的热膨胀性基材、和粘合剂层(X1)；

工序(II)：将所述热膨胀性基材的一部分加热至所述热膨胀性粒子发生膨胀的温度以上，将所述多个加工检查对象物中的一部分选择性剥离的工序。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述工序(I)具有以下的工序(I-1)～(I-2)，

工序(I-1)：将单片化前的加工检查对象物粘贴于所述粘合片的粘合剂层(X1)的粘合表面的工序；

工序(I-2)：对粘贴于所述粘合表面的所述单片化前的加工检查对象物进行单片化的工序。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，

所述粘合片是在所述热膨胀性基材的与层叠有粘合剂层(X1)一侧的相反侧具有粘合剂层(X2)的双面粘合片，其在所述双面粘合片的粘合剂层(X2)的粘合表面粘贴硬质支撑体而使用。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，工序(I)具有以下的工序(I-A1)～(I-A3)，

工序(I-A1)：在粘合剂层(X1)的粘合表面载置多个半导体芯片，并且在相邻的所述半导体芯片间设置间隙的工序；

工序(I-A2)：用密封材料包覆所述多个半导体芯片及所述多个半导体芯片的周边部的粘合表面，使所述密封材料固化，得到所述多个半导体芯片被固化密封材料密封而成的密封体的工序；

工序(I-A3)：以所述半导体芯片单元对所述密封体进行单片化的工序。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其中，

将形成有开口部的框构件粘贴于粘合剂层(X1)的粘合表面来使用所述粘合片。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，工序(I)具有以下的工序(I-B1)～(I-B3)，

工序(I-B1)：在于所述框构件的所述开口部露出的粘合剂层(X1)的粘合表面载置多个半导体芯片，并且在相邻的所述半导体芯片间设置间隙的工序；

工序(I-B2)：用密封材料包覆所述多个半导体芯片及所述多个半导体芯片的周边部的粘合表面，使所述密封材料固化，得到所述多个半导体芯片被固化密封材料密封而成的密封体的工序；

工序(I-B3)：以所述半导体芯片单元对所述密封体进行单片化的工序。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的方法，其中，

从所述热膨胀性基材的与层叠有粘合剂层(X1)一侧的相反侧进行工序(II)中的加热。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的方法，其中，

所述热膨胀性基材满足下述要件(1)，

要件(1)：23℃下的储能模量E’(23)为1.0×10⁶Pa以上。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的方法，其中，

所述热膨胀性基材满足下述要件(2)，

要件(2)：100℃下的储能模量E’(100)为2.0×10⁵Pa以上。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的方法，其中，

所述热膨胀性粒子的膨胀起始温度(t)为120～250℃，所述热膨胀性基材满足下述要件(3)，

要件(3)：膨胀起始温度(t)下的储能模量E’(t)为1.0×10⁷Pa以下。

11.根据权利要求1～10中任一项所述的方法，其中，

粘合剂层(X1)在23℃下的剪切模量G’(23)为1.0×10⁴～1.0×10⁸Pa。

12.根据权利要求1～11中任一项所述的方法，其中，

在23℃下，所述热膨胀性基材的厚度与粘合剂层(X1)的厚度之比(热膨胀性基材/粘合剂层(X1))为0.2以上。

13.根据权利要求1～12中任一项所述的方法，其中，

在23℃下，所述热膨胀性基材的厚度为10～1000μm，粘合剂层(X1)的厚度为1～60μm。

14.根据权利要求1～13中任一项所述的方法，其中，

所述热膨胀性基材的表面的探针粘性值低于50mN/5mmφ。

15.根据权利要求1～14中任一项所述的方法，其中，

在23℃下，所述热膨胀性粒子的膨胀前的平均粒径为3～100μm。

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