CN1327242A - 电阻器及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明揭示一种电阻器,包括基板,设置在这种基板上的一对电极,和设置在这种一对电极间的电阻体,所述电阻体由与一对电极连接的矩形部分和位于矩形部分之间不进行微调的S状部分构成。此外,至少在一个矩形部分上进行基于微调的电阻值校正。采用本发明的结构,能得到小型并且电涌特性好的电阻器。

Description

电阻器及其制造方法
本发明涉及各种电子设备中使用的电涌(surge)特性优良的电阻器及其制造方法。
近来，随着电子设备的轻薄小型化，大多使用芯片电阻器作为电阻器。此外，随着电子器件的表面安装化，也盛行从带引导线的碳膜电阻器变换成芯片电阻器，并且对于芯片电阻器也增加了电涌特性等新的特性要求。一般地，芯片电阻器在施加因静电和电源噪音等影响而发生的电涌电压的场合，有其电阻值容易变化的缺点。并且知道电阻体的长度越长或者电阻体的宽度越宽，越能改善这种电阻值变化。
作为这种技术，已知有日本特开昭64—42102号公报所公开的技术。其中记载了以用加长电阻体的电流路径来减小电阻体的噪音为目的，从与矩形形状的电阻体相对的方向交互地设置任意个缝隙并锯齿状地连接电极间的芯片电阻器。
此外，在日本特开平9—205004号公报中公开的技术中记载了以电涌特性良好为目的，利用印刷法、微调(trimming)或者它们的结合，在一对电极之间形成3圈以上的蛇行状的电阻体的芯片电阻器。
但是，如图2所示，在日本特开昭64—42102号公报所公开的方法中，因为在没有缝隙4的场合电阻体3的长度减小，在多个设置缝隙4的场合电阻体3的宽度减小，由于激光加工(微调：trimming)时的热影响的电阻体的变质，所以有电涌特性差的课题。此外，有利用激光加工设置3根以上缝隙4时，工时增加、生产力降低的课题。
此外，如图3所示，在日本特开平9—205004号公报所公开的方法中，如果要使芯片电阻器小型化，则不能用印刷法实现。也就是说，考虑到必要的电阻体的宽度与电阻体间的间隔，则在例如2012尺寸(2.0mm×1.25mm)只有1到2圈的蛇行余量。此外，如图4所示，在利用印刷法和微调结合的场合，在设置在基板5的两端部的电极6间印刷2圈蛇行的电阻体8时，由于印刷的偏移和电阻体8的渗透或者延续的影响，使得电极6和电阻体8之间没有间隔，不能得到所要的电阻体长度。此外，因为微调单元9仅在1个地方，所以有电阻值校正倍率小、生产成品率低的课题。
本发明用于解决前述课题，其目的是提供小型并且电涌特性好的电阻器。
本发明的电阻器包括基板，设置在这种基板上的一对电极，和设置在这种一对电极间的电阻体，
电阻体由与一对电极连接的矩形部分和位于矩形部分之间没有微调(trimming)部分的S状部分构成。此外，至少在一个矩形部分上进行基于微调的电阻值校正。
采用本发明，则能得到小型并且电涌特性好的电阻器。
图1表示本发明一实施形态的芯片电阻器的平面图。
图2表示以往的芯片电阻器的平面图。
图3表示以往的芯片电阻器的平面图。
图4表示以往的芯片电阻器的平面图。
下面，参照附图对实施本发明的最佳实施形态进行说明。
图1表示本发明一实施形态的芯片电阻器的平面图。
在图1中，由铝组成的基板11的平面形状是长方形。其外形尺寸是2012尺寸(2.0mm×1.25mm)。在基板11的一方表面的两端上形成一对电极12。
此外，形成电阻体13，使其跨过一对电极12。电阻体13由与电极12连接的矩形部分14和位于这种矩形部分14之间并且不进行微调(trimming)的S状部分15构成。这时，矩形部分14的宽度c是S状部分15的宽度a的2倍以上。因此，由于电阻体13的长度增加，所以能改善电涌特性。
S状部分15的宽度a在150μm以上为佳，在本发明的一实施形态中，S状部分15的宽度a为150μm，矩形部分14的宽度c为350μm。此外，矩形部分14与S状部分15的间隔为150μm。
借助于使矩形部分14的厚度是S状部分15的厚度的大约2倍地形成电阻体13的厚度，如后所述，即使在矩形部分14上设置微调槽，也能确保满足电涌特性的电阻体13的断面积。因此，能得到良好的电涌特性。在本发明的一实施形态中，S状部分15的厚度为7μm，矩形部分14的厚度为14μm。
此外，在2个地方形成的矩形部分14的、至少一个矩形部分14的一部分上设置微调槽16。在设置了微调槽16的矩形部分14中，使矩形部分14与S状部分15连接的部分的宽度b比S状部分15的宽度a宽。其理由是因为，如果因为进行激光微调，则微调槽16的周围电阻体13变质，使与S状部分15连接的部分的宽度b比S状部分15的宽度a小，在施加电涌的场合，负荷集中在微调槽16的附近，电阻体13被破坏的缘故。
在本发明的一实施形态中，因为至少在矩形部分14的一方上设置微调槽16，所以即使电涌施加在芯片电阻器上，负荷也不会集中。此外，在本发明的一实施形态中，因为矩形部分14的厚度是S状部分15的厚度的大约2倍，所以即使在矩形部分14上设置微调槽16，也能确保满足电涌特性的电阻体13的断面积。因此，能得到良好的电涌特性。此外，考虑到由于激光加工时热引起电阻体变质的影响，矩形部分14与S状部分15连接的部分的宽度b在200μm以上为佳。
下面，对本发明一实施形态的芯片电阻器的制造方法进行说明。
首先，由铝组成的基板11的两端部上网印印刷电极糊，使其在850℃进行烧结，形成一对电极12。
接着，在电极12之间网印印刷电极糊，使其在850℃进行烧结，形成电阻体13。电阻体13由与电极12连接的矩形部分14和位于这种矩形部分14之间并且不进行微调的S状部分15构成。借助于这种结构，由于网印印刷时的位置偏移，即使在芯片电阻器的长轴方向上电阻体13偏移，电阻体13的长度也不会变化，并且也能得到设置微调槽的余量。
接着，为了利用激光微调进行电阻值的校正，至少在矩形部分14的一方上设置微调槽16。因此，因为电阻体13的长度增加，所以能具有更好的电涌特性。此外，因为微调槽16的形成兼顾到电阻值校正，所以能提供电阻值精度高的芯片电阻器。此外，因为对矩形部分14进行微调，所以能增加电阻值的校正倍率，因此，能提高生产成品率。
此外，在前述本发明的一实施形态中的芯片电阻器的制造方法中使用的材料，不限于前述实施形态中的限定。例如，用镍等的金属膜形成电阻体，当然也能得到同样的效果。
如前所述，本发明的电阻器包括基板，设置在这种基板上的一对电极，和设置在这种一对电极间的电阻体，
电阻体由与一对电极连接的矩形部分和位于矩形部分之间没有微调部分的S状部分构成。
采用这种结构，则利用在矩形部分上设置微调槽进行电阻值校正，能提高电阻器的电阻值精度。此外，因为能由利用微调增加电阻体的长度的矩形部分和利用不进行微调的S状部分构成，所以能得到电涌特性好的芯片电阻器。此外，因为能增加基于电阻值校正的校正倍率，所以有能提高生产成品率的效果。

Claims (8)

1.一种电阻器，其特征在于，包括
基板，
设置在所述基板上的一对电极，和
设置在所述一对电极间的电阻体，
所述电阻体由与所述一对电极连接的多个矩形部分和位于所述矩形部分之间没有微调部分的S状部分构成。
2.如权利要求1所述的电阻器，其特征在于，
至少一个所述矩形部分的电阻体的宽度是所述S状部分的宽度的2倍以上。
3.如权利要求1所述的电阻器，其特征在于，
至少一个所述矩形部分具有微调部分。
4.如权利要求1所述的电阻器，其特征在于，
所述矩形部分的电阻体的厚度是所述S状部分的电阻体的厚度的大约2倍。
5.如权利要求3所述的电阻器，其特征在于，
所述矩形部分与所述S状部分连接部分的电阻体的宽度比所述S状部分的电阻体的宽度大。
6.一种电阻器制造方法，其特征在于，所述制造方法包括下述工序
在基板上形成一对电极的工序，和
在所述一对电极间形成由与所述一对电极连接的多个矩形部分和位于所述矩形部分之间没有微调部分的S状部分构成的电阻体的工序。
7.如权利要求6所述的电阻器制造方法，其特征在于，
利用印刷手段形成所述电阻体。
8.如权利要求6所述的电阻器制造方法，其特征在于，
在所述矩形部分的一部分上施行微调，进行电阻值校正。
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Assignee: PANASONIC INDUSTRIAL DEVICES (TIANJIN) CO., LTD.

Assignor: Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.

Contract record no.: 2012990000472

Denomination of invention: Chip resistor and method for producing the same

Granted publication date: 20050629

License type: Common License

Open date: 20011219

Record date: 20120703

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CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20050629

Termination date: 20200530