CN1326909A - 高密度铟锡氧化物靶材及其制造方法 - Google Patents

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本发明涉及一种用于制造透明导电薄膜的溅射用高密度氧化铟锡(ITO)靶材及其制造方法,其特征为:具有较高的密度,相对密度大于98%;成分均匀。其采用金属铟和金属锡为原料,用化学共沉淀法制造ITO粉,然后将ITO粉经热压成型,得到的压块经加工研磨后,制成ITO靶材。这种靶材可以用来制造透明导电薄膜。

Description

高密度铟锡氧化物靶材及其制造方法
本发明涉及一种用于制造透明导电薄膜的溅射用铟锡氧化物(ITO)靶材及其制造方法。
铟锡氧化物(ITO)薄膜由于具有透明和导电的双重优点,因此被广泛应用于太阳能电池、触摸屏、液晶显示器和等离子显示器等领域。目前,工业上广泛采用的镀膜方法是磁控溅射法,该方法需要使用ITO靶材作为镀膜材料。
对于靶材的质量来说,要求具有高密度和高的成分均匀性。高密度的靶材具有导电、导热性好、强度高等优点,使用这种靶材镀膜,需要的溅射功率较小、成膜速率高、不易开裂、靶材使用寿命长,而且所镀薄膜的电阻率较低、透光率较高。靶材的成分均匀是对所镀薄膜质量稳定的重要保证。
由于高密度对靶材的质量非常重要,所以各靶材的生产者一直在探索生产高密度靶材的方法。例如在申请号为97108322.3的发明专利中,提到一种方法,即采用热等静压法进行靶材的压制烧结,可以制造出相对密度为94-96%的ITO溅射靶材。但由于热等静压设备昂贵、运行成本较高,故该方法的生产成本较高。
本发明的目的在于:以较低的成本生产出高密度、高纯度、成分均匀的氧化铟锡靶材。
本发明的技术方案是:将金属铟和金属锡分别溶解于无机酸(可以是硫酸、硝酸和盐酸中的任意一种)中,按照一定的比例混合,配制成一定浓度的溶液,然后向溶液中加入氨水,反应生成白色氢氧化物沉淀,将沉淀物洗涤、过滤、烘干后,再进行焙烧脱水生成铟锡氧化物(ITO)复合粉末。然后将ITO粉末研磨后,热压成型,得到ITO靶材。下面就技术方案作详细说明:
金属铟和金属锡可采用硫酸、硝酸、盐酸中的任一种溶解,混合的比例一般是氧化铟与氧化锡之比为9∶1。然后配制成[In3+]为1-3M的溶液,向溶液中加入浓度为5%的氨水直至溶液的PH值达到7-7.5,将生成的白色沉淀经洗涤、过滤后,在80-120℃烘干,最后再在500-800℃焙烧,得到ITO粉,粉末的BET比表面积一般在25-40m2/g之间。这种ITO粉具有粒度小、分散性好、成分均匀等优点,非常适合制造高密度靶材。
将所制成的ITO粉进行研磨(可采用普通的研磨方法如球磨等)后,放入石墨模具中。为防止ITO粉与石墨模具发生反应,应在石墨模具内表面喷涂一层金属镍和一层氧化铝,每层厚300μm。该涂层可以有效地阻挡ITO粉与石墨模具的反应。在真空或惰性气体环境中,800-960℃条件下,加压烧结1-2小时,压力为15-30MPa。此方法得到的压块,经加工研磨后,便可以得到氧化铟锡靶材。靶材的相对密度一般大于98%(理论密度按7.15g/cm3计算)这种靶材具有密度高、成分均匀、不易开裂等优点。本发明的优点和积极效果:
1)所采用的工艺简单、过程容易控制、使用的设备投资较小、生产成本较低。
2)所制造的ITO粉末,粒度较细、成分均匀、分散性好,非常适合用作制造ITO靶材的原料。
3)所制造的ITO靶材,密度较高,在制造过程中未加如任何粘结剂和分散剂,从而保证了靶材的纯度。
实施例:
实施例1将纯度为99.99%的金属铟和金属锡分别溶于15%的稀硝酸中,将两种溶液按照氧化铟/氧化锡为9/1的比例混合。混合溶液加热至85℃,以15ml/min的速度加入5%的氨水,当溶液的PH值达到7.3时,停止加氨水。将生成的白色沉淀物洗涤、过滤后,在110℃条件下烘干5小时。最后,将白色沉淀物在650℃焙烧2小时,得到黄色ITO粉末。经测定,该粉末的BET比表面积为33m2/g。
实施例2将实施例1所得到的粉末放入聚氨脂球磨桶中,进行8小时的滚动球磨,研磨介质为表面覆盖聚氨脂的钢球。将研磨后的粉末600克装入石墨模具中,石墨模具内表面喷涂一层金属镍和一层氧化铝,每层厚300μm。然后在氩气环境下,进行900℃,18MPa的热压。冷却后将压块取出,经加工研磨后,得到一块直径100mm,厚10mm的靶材,靶材表面颜色均匀,无裂纹。采用阿基米德法测定靶材的密度为7.05g/cm3,相对密度为98.6%。
实施例3将实施例1所得到的粉末放入聚氨脂球磨桶中,进行8小时的滚动球磨,研磨介质为表面覆盖聚氨脂的钢球。将研磨后的粉末2000克装入石墨模具中,石墨模具内表面喷涂一层金属镍和一层氧化铝,每层厚300μm。然后在氩气环境下,进行950℃,17MPa的热压。冷却后将压块取出,经加工研磨后,得到一块200×200×6mm的靶材,靶材表面颜色均匀,无裂纹。采用阿基米德法测定靶材的密度为7.03g/cm3,相对密度为98.3%。

Claims (5)

1.一种用于磁控溅射镀膜的氧化铟锡靶材,其特征为:具有较高的密度,相对密度大于98%;成分均匀。
2.一种用于制造权利要求1所述氧化铟锡靶材的氧化铟锡粉末,其特征为:BET比表面积在25-40m2/g之间,且成分均匀、分散性较好。
3.一种权利2所涉及氧化铟锡粉末的制造工艺,主要步骤有:
1)将金属铟和金属锡用硫酸、硝酸、盐酸中的任一种溶解;
2)将溶液混合后,配制成[In3+]为1-3M的溶液:
3)向溶液中加入浓度为5%的氨水直至溶液的PH值达到7-7.5;
4)将生成的白色沉淀经洗涤、过滤后,在80-120℃烘干;
5)最后再在500-800℃焙烧,得到ITO粉。
4.一种权利1所涉及氧化铟锡靶材的制造工艺,主要步骤有:
1)将ITO粉进行研磨:
2)将研磨后的ITO粉放入石墨模具中;
3):在真空或惰性气体环境中,800-960℃条件下,加压烧结1-2小时,压力为15-30MPa;
4)经加工研磨后,得到氧化铟锡靶材。
5.用于制造权利要求1中所述氧化铟锡靶材所用的石墨模具(权利要求4中述及),其特征为:为防止ITO粉与石墨模具发生反应,应在石墨模具内表面喷涂一层金属镍和一层氧化铝,每层厚300μm。该涂层可以有效地阻挡ITO粉与石墨模具的反应。
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Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102102173A (zh) * 2009-11-30 2011-06-22 住友金属矿山株式会社 氧化物蒸镀材料、透明导电膜以及太阳能电池
CN101119842B (zh) * 2005-02-17 2011-07-06 旭硝子株式会社 导电性层叠体、等离子体显示器用电磁波屏蔽膜以及等离子体显示器用保护板
CN101457344B (zh) * 2007-12-14 2012-04-25 三星康宁精密素材株式会社 氧化铟锡靶及制造方法和氧化铟锡透明导电膜及制造方法
CN101575203B (zh) * 2009-06-19 2013-01-16 西北稀有金属材料研究院 Ito溅射靶材的制备方法
CN103693945A (zh) * 2012-09-28 2014-04-02 柳州华锡铟材料有限责任公司 一种触摸屏用ito靶材的生产方法
CN103771496A (zh) * 2012-10-23 2014-05-07 三菱综合材料株式会社 氧化铟锡粉末
CN103814152A (zh) * 2011-12-27 2014-05-21 吉坤日矿日石金属株式会社 溅射用烧结体氧化镁靶及其制造方法
CN107129277A (zh) * 2017-04-07 2017-09-05 中国船舶重工集团公司第七二五研究所 一种ito废靶回收粉末制备ito靶材的方法
CN107140949A (zh) * 2017-05-26 2017-09-08 安徽拓吉泰新型陶瓷科技有限公司 一种高纯、高烧结活性氧化铟锡混合粉体的制备方法
CN110921700A (zh) * 2019-12-19 2020-03-27 上海大学 一种共沉淀制备ito粉体的方法以及一种搅拌桨
CN113697848A (zh) * 2021-07-13 2021-11-26 芜湖映日科技股份有限公司 Ito靶材的氧化锡粉末的制造方法
CN115353369A (zh) * 2022-08-17 2022-11-18 先导薄膜材料有限公司 一种微波法制备镍铝掺杂的ito靶材

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101119842B (zh) * 2005-02-17 2011-07-06 旭硝子株式会社 导电性层叠体、等离子体显示器用电磁波屏蔽膜以及等离子体显示器用保护板
CN101457344B (zh) * 2007-12-14 2012-04-25 三星康宁精密素材株式会社 氧化铟锡靶及制造方法和氧化铟锡透明导电膜及制造方法
CN101575203B (zh) * 2009-06-19 2013-01-16 西北稀有金属材料研究院 Ito溅射靶材的制备方法
CN102102173A (zh) * 2009-11-30 2011-06-22 住友金属矿山株式会社 氧化物蒸镀材料、透明导电膜以及太阳能电池
CN102102173B (zh) * 2009-11-30 2014-11-05 住友金属矿山株式会社 氧化物蒸镀材料、透明导电膜以及太阳能电池
US9988709B2 (en) 2011-12-27 2018-06-05 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Sintered compact magnesium oxide target for sputtering, and method for producing same
US10066290B1 (en) 2011-12-27 2018-09-04 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Sintered compact magnesium oxide target for sputtering, and method for producing same
CN103814152A (zh) * 2011-12-27 2014-05-21 吉坤日矿日石金属株式会社 溅射用烧结体氧化镁靶及其制造方法
CN103693945A (zh) * 2012-09-28 2014-04-02 柳州华锡铟材料有限责任公司 一种触摸屏用ito靶材的生产方法
CN103693945B (zh) * 2012-09-28 2015-02-25 柳州华锡铟锡材料有限公司 一种触摸屏用ito靶材的生产方法
CN103771496A (zh) * 2012-10-23 2014-05-07 三菱综合材料株式会社 氧化铟锡粉末
CN107129277A (zh) * 2017-04-07 2017-09-05 中国船舶重工集团公司第七二五研究所 一种ito废靶回收粉末制备ito靶材的方法
CN107129277B (zh) * 2017-04-07 2020-08-28 中国船舶重工集团公司第七二五研究所 一种ito废靶回收粉末制备ito靶材的方法
CN107140949A (zh) * 2017-05-26 2017-09-08 安徽拓吉泰新型陶瓷科技有限公司 一种高纯、高烧结活性氧化铟锡混合粉体的制备方法
CN107140949B (zh) * 2017-05-26 2020-08-28 安徽拓吉泰新型陶瓷科技有限公司 一种高纯、高烧结活性氧化铟锡混合粉体的制备方法
CN110921700A (zh) * 2019-12-19 2020-03-27 上海大学 一种共沉淀制备ito粉体的方法以及一种搅拌桨
CN113697848A (zh) * 2021-07-13 2021-11-26 芜湖映日科技股份有限公司 Ito靶材的氧化锡粉末的制造方法
CN115353369A (zh) * 2022-08-17 2022-11-18 先导薄膜材料有限公司 一种微波法制备镍铝掺杂的ito靶材
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