CN101845614B - 一种氧化锌基溅射靶材的制备方法 - Google Patents
一种氧化锌基溅射靶材的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101845614B CN101845614B CN2010101664976A CN201010166497A CN101845614B CN 101845614 B CN101845614 B CN 101845614B CN 2010101664976 A CN2010101664976 A CN 2010101664976A CN 201010166497 A CN201010166497 A CN 201010166497A CN 101845614 B CN101845614 B CN 101845614B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- zinc oxide
- doped
- sputtering target
- target material
- preparation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
本发明公开了一种氧化锌基溅射靶材的制备方法，包括：将掺杂氧化锌纳米粉体经30MPa～150MPa的模压保压30s～300s，再经120MPa～300MPa冷等静压保压60s～600s，接着以0.5℃/min～10℃/min升温速率升到950℃～1300℃保温1min～30min，然后以10℃/min～100℃/min的降温速率降到650℃～1100℃保温2h～40h，最后以0.5℃/min～10℃/min的降温速率降至室温，经切割、打磨，制成氧化锌基溅射靶材。本发明采用特定的两步烧结参数，实现了低烧结温度下制得致密度高于98％、粒径细小均匀且尺寸为0.5μm～20μm、掺杂成分均匀的靶材。
Description
技术领域
本发明涉及光电材料技术领域，尤其涉及一种氧化锌基溅射靶材的制备方法。
背景技术
氧化锌(ZnO)是一种宽禁带半导体材料，因其具有宽禁带、可见光(400～800nm)范围内透明、高激子束缚能且廉价、无毒等特点，在透明电子学器件和太阳能电池电极材料领域中拥有巨大的应用潜力而受到广泛关注。在透明导电领域，通过在氧化锌体系中掺入少量的其他元素如铝、镓、铟、锡、硼等元素，可以获得电阻率为10-3～10-4Ω·cm、可见光区透过率高于85％的氧化锌基薄膜，用以替代目前较为常用的氧化铟锡(ITO)透明导电材料。
目前，沉积氧化锌基薄膜的技术多种多样，其中以磁控溅射成膜最为成熟，它因为具有薄膜致密度高、均匀性与重复性好且易于大面积高速沉积等优点而被工业界接受并广泛采用。在磁控溅射过程中，陶瓷靶材起到至关重要的作用，它的性能与溅射稳定性以及最终膜层的光电特性密切相关。对高性能陶瓷靶材的要求是：高致密度、细小均匀的晶粒以及成分的均匀一致。高致密度能够确保靶材具有良好导热性、导电性、高的机械强度以及溅射稳定性；细小均匀的晶粒有助于降低溅射功率、提高溅射速率，这对工业规模的薄膜生产而言显得尤为重要；靶材的成分也应均匀一致，既要保持掺杂成分的均匀分布又要尽量避免第二相杂相(主要为高温条件下掺杂元素与氧化锌反应产生的产物)的产生，如果产生第二杂相会导致靶材电导率的分布不均匀，影响溅射过程的稳定。
公开号为CN 101481790A的中国专利申请中公开了一种ZAO半导体纳米导电膜及其制备方法。其在ZAO系透明导电膜上再沉积一层透明保护膜，使之能保证该复合膜具有低电阻率、高可见光的透射率、高红外线的反射率、耐潮与不受环境因素的影响。为了连续生长大面积ZAO系透明导电膜，专门设计了多靶卷绕式高真空溅射台。在高真空室内需用冷却系统，使柔性基底的温度保持在60℃～150℃。电源使用不对称脉冲直流装置，可使靶材表面在工作时不“中毒”，而电源的有用功率比常规电源高2倍多。溅射气体是高纯Ar和O2，以保证膜的溅射沉积率较高以及有优良的薄膜光学和电学特性。
公开号为JP平6-293956A的日本专利申请中公开了一种氧化锌掺杂铝和硼的溅射靶，其掺杂比例为0.1～10at.％Al，0.1～10at.％B。
公开号为CN 1752269A的中国专利申请中公开了一种离子束增强沉积制备p型氧化锌薄膜的方法，其将高纯度ZnO粉体，或原子比为1-5％的Al、In等氧化物均匀掺入ZnO粉体，用等静压压制成型，再烧结成溅射靶，并用纯N2或Ar∶N2为1∶3～1∶10的混合高纯气体产生的混合离子束对沉积膜轰击，垂直注入到溅射沉积膜上，利用样品台的公转和样品片自转实现均匀注入，保证薄膜在后续的结晶热处理后得到均匀的、高取向ZnO多晶结构。
公开号为CN 101490766A的中国专利申请中公开了一种氧化锌系透明导体及该透明导体形成用溅射靶以及该溅射靶的制造方法，以氧化锌(ZNO)为主成分，含有相对于氧化锌成为N型掺杂剂的元素，并且含有相对于所有金属原子为0.05～2.0原子％的表示与氧化锌的润湿性的参数P为6以下、电阻率小于添加了N型掺杂剂的氧化锌的电阻率的金属，其中，P＝(G+HMIX)/RT，G：温度T下金属的吉布斯自由能，HMIX：温度T下氧化锌与金属的混合焓，R：气体常数，T：温度。
公开号为CN 1389404A的中国专利申请中公开了一种低温易烧结的纳米级氧化锌粉末的制备方法，采用锌的无机盐为原料，以碳酸盐或碳酸氢盐为沉淀剂，在剧烈的搅拌下，使锌的无机盐与碳酸盐或碳酸氢盐的高浓度溶液混合反应生成碱式锌盐沉淀。
氧化锌基陶瓷溅射靶材一般通过粉体压力成型、高温烧结的工艺获得，如日本专利JP7258836A中公开了一种采用氧化锌粉和氧化铝粉末(粒度＜5μm)混合、模压、1300～1500℃烧结获得氧化锌基溅射靶材的方法，靶材相对致密度可达到95％，靶材粒径为10～30μm；美国专利US2007098626A1中公开了一种制备纯氧化锌靶材的方法，靶材致密度可达95％，晶粒尺寸在100μm。从中可以看出，目前制备氧化锌基溅射靶材的主要方法是通过掺杂元素的氧化物与氧化锌粉末经机械混合，并采用热压或者冷等静压后置于1300℃以上的高温获得的，这种方法从制备工艺角度看较为简单，但是对制备高质量靶材而言显得尤为不足：(1)烧结温度过高，高的烧结温度虽然有利于获得高致密度的溅射靶材，但是也易诱发晶粒异常长大(粒径可超过100μm)以及较多不导电第二杂相形成(如，铝掺杂的氧化锌会产生铝酸锌相)；(2)成分难以均匀分布，原料采用掺杂元素的氧化物与氧化锌粉末经球磨等机械方式混合的粉体，由于掺杂氧化物的粉体量较少(通常为氧化锌质量的0.5～6％)，通过球磨方式很难保证两者之间能达到原子量级的均匀混合，导致靶材成分的不均匀，进而影响到溅射薄膜光电性能的均匀性；(3)在球磨过程中磨球之间以及磨球与罐体之间的接触和磨损会在体系中引入大量杂质，导致靶材纯度的降低；(4)所用粉体原料的粒径大多为微米量级，烧结活性较低。
因此，需要开发一种氧化锌基溅射靶材的新的制备方法，以克服现有制备方法中存在的不足。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是：从根本上解决采用现有氧化锌基溅射靶材的制备方法制得的氧化锌基溅射靶材存在较多不导电第二杂相、成分分布不均匀、杂质含量高、粒径较大等问题。
为了解决上述技术问题，本发明提供了一种氧化锌基溅射靶材的制备方法，能够在低烧结温度下制得高致密度且粒径细小均匀、纯度高且无不导电的第二杂相的氧化锌基溅射靶材。
一种氧化锌基溅射靶材的制备方法，包括步骤：
(1)将掺杂氧化锌纳米粉体经30MPa～150MPa的模压，保压30s～300s，得到模压坯料；
(2)将模压坯料经120MPa～300MPa冷等静压，保压60s～600s，得到冷等静压坯料；
(3)将冷等静压坯料先以0.5℃/min～10℃/min的升温速率升到第一步设定温度950℃～1300℃，并保温1min～30min，然后以10℃/min～100℃/min的降温速率降到第二步烧结温度650℃～1100℃，并保温2h～40h，最后以0.5℃/min～10℃/min的降温速率降至室温，经切割、打磨，制成氧化锌基溅射靶材。
作为优选：
所述的掺杂氧化锌纳米粉体的粒径为10nm～70nm。
所述的掺杂氧化锌纳米粉体选用掺杂有铝、镓、铟、锡、硼、铬、钒中的一种掺杂元素或多种掺杂元素的氧化锌纳米粉体。
所述的掺杂元素与氧化锌中锌离子的摩尔比可根据实际情况调整，进一步优选掺杂元素总摩尔与氧化锌中锌离子的摩尔比小于等于0.18∶1。
所述的两种掺杂元素的摩尔比最好为0.05～1∶1。
所述的掺杂氧化锌纳米粉体的制备方法，包括步骤：
(1)将掺杂金属盐和锌盐溶解到去离子水中形成盐总浓度为0.5mol/L～3mol/L的盐溶液，其中，掺杂金属盐中的金属离子与锌盐中的锌离子的摩尔比小于等于0.18∶1；
(2)将沉淀剂溶解到去离子水中形成1mol/L～6mol/L的沉淀剂溶液；
(3)在转速为400转/分钟～800转/分钟的强烈搅拌下，将步骤(1)中配制的盐溶液以5mL/min～50mL/min的速度均匀地滴加至步骤(2)配制的沉淀剂溶液中，滴加过程中保持混合体系的pH值为5～10，温度10℃～80℃，获得共沉淀产物；
(4)将上述共沉淀产物陈化10h～30h后，沉淀物依次用去离子水和无水乙醇洗涤后干燥，得到白色产物；
(5)将上述白色产物在400℃～800℃煅烧1h～5h，制得掺杂氧化锌纳米粉体；
所述的掺杂金属盐为铝盐、镓盐、铟盐、锡盐、硼盐、铬盐、钒盐中的一种或多种。
所述的掺杂金属盐选自硝酸铝、硝酸镓、硝酸铟、氯化锡、硼酸、硝酸铬、硝酸钒中的一种或两种。
所述的锌盐选自硫酸锌、硝酸锌、醋酸锌或氯化锌中的一种；
所述的沉淀剂选自氨水、碳酸铵、碳酸氢铵或尿素中的一种。
所述的两种掺杂金属盐中的两种掺杂金属离子的摩尔比值为0.05～1∶1。
步骤(4)中，所述的沉淀物用去离子水洗涤的次数为3次～5次，无水乙醇洗涤的次数为1次～3次。
步骤(4)中，所述的干燥温度为80℃～110℃，干燥时间为5h～15h。
所述的氧化锌基溅射靶材的晶粒尺寸为0.5μm～20μm；致密度高于98％。
本发明对掺杂氧化锌纳米粉体和氧化锌基溅射靶材使用场发射扫描电子显微镜(SEM)观察晶粒尺寸和微结构、利用电子能谱(EDS)分析掺杂元素的分布情况、采用X-射线衍射仪(XRD)进行相结构的表征判断有无第二杂相，利用阿基米德法测量密度并根据实测密度与理论密度之间的百分比(ρ/ρ0×100％，其中，ρ为实测密度，ρ0为理论密度即5.61g/cm3)计算靶材的致密度。
与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：
两步烧结法是首先将物料体系加热到一个较高的温度，使体系获得一个足以发生晶界扩散的热力学驱动力；然后快速降温至某一较低温度继续保温的方法，采用两步烧结法可以有效抑制晶界迁移，并利用晶界扩散作用使试样达到致密，能在较低的温度下获得致密度高且晶粒细小的陶瓷。利用该方法制备溅射靶材具有下述优点：(1)在靶材致密化的同时保持晶粒的细小与均匀；(2)烧结温度低，抑制靶材中第二杂相的生成，同时也能有效降低靶材制备过程中的热损耗；(3)设备简单，制备成本低，易于大规模工业化生产。
由于每种材料烧结的参数是不一致的，本发明采用特定的两步烧结参数，实现了低烧结温度下制得致密度高于98％、粒径细小均匀且尺寸为0.5μm～20μm、掺杂成分均匀的靶材。
共沉淀法是利用沉淀剂将两种及两种以上的金属离子同时沉淀下来的一种方法，能有效地制备出均匀掺杂的氧化锌纳米粉体，实现在保持氧化锌六方纤锌矿结构不变的情况下元素原子级的均匀掺杂。该方法与其他掺杂氧化锌纳米粉体的制备方法如溶胶-凝胶、物理法相比具有设备简单、易于大规模工业化生产以及成本低等优点。
本发明制备的掺杂氧化锌粉体颗粒均匀呈近球形，粒径为10～70nm，掺杂金属离子分布均匀，呈现ZnO的纤锌矿结构，且没有观察到不导电的第二杂相的衍射峰，纯度高，可以用于制备高质量的氧化锌基溅射靶材。
本发明方法制备的掺杂氧化锌粉体元素掺杂均匀性好且具有较高的烧结活性，可用于高性能ZnO基透明导电薄膜溅射靶材的制备。
附图说明
图1为实施例1制备的铝掺杂氧化锌纳米粉体的SEM图片；
图2为实施例1制备的铝掺杂氧化锌纳米粉体的EDS图谱的元素面分布图；
图3为掺杂氧化锌纳米粉体的XRD物相图谱；其中，(a)为实施例1制备的铝掺杂氧化锌纳米粉体的XRD物相图谱，(b)为实施例4制备的镓掺杂氧化锌纳米粉体的XRD物相图谱；其中，横坐标为2θ角，纵坐标为相对强度(intensity)；
图4为实施例4制备的镓掺杂氧化锌纳米粉体的SEM图片；
图5为实施例4制备的镓掺杂氧化锌纳米粉体的EDS图谱的元素面分布图；
图6为实施例23制备的氧化锌基溅射靶材的SEM图片；
图7为实施例23制备的氧化锌基溅射靶材的EDS图谱的元素面分布图；
图8为氧化锌基溅射靶材的XRD物相图谱；其中，(a)为实施例23制备的氧化锌基溅射靶材的XRD物相图谱，(b)为对比例1制备的氧化锌基溅射靶材的XRD物相图谱；其中，横坐标为2θ角，纵坐标为相对强度(intensity)；
图9为对比例1制备的氧化锌基溅射靶材的SEM图片；
图10为对比例1制备的氧化锌基溅射靶材的EDS图谱的元素面分布图。
具体实施方式
实施例1 掺杂氧化锌纳米粉体的制备
将硝酸铝和硝酸锌共同溶解到去离子水中形成盐总浓度为1mol/L的盐溶液，其中铝离子与锌离子之间摩尔比为0.032∶1，在转速为600转/分钟的强烈搅拌下以20mL/min的速度均匀地滴加到3mol/L的氨水溶液(溶剂为去离子水)中，滴加过程中保持体系的pH值为7.5±0.5，温度为30℃，获得共沉淀产物；将共沉淀产物陈化24h后，沉淀物用去离子水洗涤3次，再用无水乙醇洗涤1次，然后在100℃烘箱中干燥10h，得到干燥的白色产物；将白色产物在600℃温度下煅烧2h，得到铝掺杂氧化锌纳米粉体，其中，铝离子与锌离子之间摩尔比为0.032∶1。
经检测，上述掺杂氧化锌纳米粉体的SEM照片如图1，EDS图谱掺杂元素面分布如图2，XRD图谱如图3中(a)所示。
从得到的SEM照片、EDS图谱掺杂元素面分布、XRD图谱结果可知，掺杂氧化锌纳米粉体颗粒均匀呈近球形，粒径为30～40nm，掺杂铝元素分布均匀，呈现ZnO的纤锌矿结构，且没有观察到其它杂相的衍射峰。
实施例2 掺杂氧化锌纳米粉体的制备
将硝酸铝和硝酸锌共同溶解到去离子水中形成盐总浓度为0.5mol/L的盐溶液，其中铝离子与锌离子之间摩尔比为0.032∶1，在转速为400转/分钟的强烈搅拌下以5mL/min的速度均匀地滴加到2mol/L的氨水溶液(溶剂为去离子水)中，滴加过程中保持体系的pH值为8.3±0.3，温度为20℃，获得共沉淀产物；将共沉淀产物陈化24h后，沉淀物用去离子水洗涤4次，再用无水乙醇洗涤2次，然后在100℃烘箱中干燥10h，得到干燥的白色产物；将白色产物在500℃温度下煅烧2h，得到铝掺杂氧化锌纳米粉体，其中，铝离子与锌离子之间摩尔比为0.032∶1。
经检测，从上述掺杂氧化锌纳米粉体的SEM照片、EDS图谱掺杂元素面分布、XRD图谱可知，掺杂氧化锌纳米粉体颗粒均匀呈近球形，粒径为50～60nm，掺杂铝元素分布均匀，呈现ZnO的纤锌矿结构，且没有观察到其它杂相的衍射峰。
实施例3 掺杂氧化锌纳米粉体的制备
将硝酸铝和硝酸锌共同溶解到去离子水中形成盐总浓度为3mol/L的盐溶液，其中铝离子与锌离子之间摩尔比为0.02∶1，在转速为400转/分钟的强烈搅拌下以50mL/min的速度均匀地滴加到5mol/L的氨水溶液(溶剂为去离子水)中，滴加过程中保持体系的pH值为9.6±0.4，温度为50℃，获得共沉淀产物；将共沉淀产物陈化30h后，沉淀物用去离子水洗涤5次，再用无水乙醇洗涤2次，然后在100℃烘箱中干燥15h，得到干燥的白色产物；将白色产物在700℃温度下煅烧3h，得到铝掺杂氧化锌纳米粉体，其中，铝离子与锌离子之间摩尔比为0.02∶1。
经检测，从上述掺杂氧化锌纳米粉体的SEM照片、EDS图谱掺杂元素面分布、XRD图谱可知，掺杂氧化锌纳米粉体颗粒均匀呈近球形，粒径为40～50nm，掺杂铝元素分布均匀，呈现ZnO的纤锌矿结构，且没有观察到其它杂相的衍射峰。
实施例4 掺杂氧化锌纳米粉体的制备
将硝酸镓和硝酸锌共同溶解到去离子水中形成盐总浓度为1mol/L的盐溶液，其中镓离子与锌离子之间摩尔比为0.02∶1，在转速为600转/分钟的强烈搅拌下以30mL/min的速度均匀地滴加到3mol/L的氨水溶液(溶剂为去离子水)中，滴加过程中保持体系的pH值为7.3±0.3，温度为30℃，获得共沉淀产物；将共沉淀产物陈化24h后，沉淀物用去离子水洗涤3次，再用无水乙醇洗涤1次，然后在100℃烘箱中干燥10h，得到干燥的白色产物；将白色产物在600℃温度下煅烧2h，得到镓掺杂氧化锌纳米粉体，其中，镓离子与锌离子之间摩尔比为0.02∶1。
经检测，上述掺杂氧化锌纳米粉体的SEM照片如图4，EDS图谱掺杂元素面分布如图5，XRD图谱如图3中(b)所示。
从得到的SEM照片、EDS图谱掺杂元素面分布、XRD图谱结果可知，掺杂氧化锌纳米粉体颗粒均匀呈近球形，粒径为20～30nm，掺杂镓元素分布均匀，呈现ZnO的纤锌矿结构，且没有观察到其它杂相的衍射峰。
实施例5 掺杂氧化锌纳米粉体的制备
将硝酸镓和硝酸锌共同溶解到去离子水中形成盐总浓度为0.5mol/L的盐溶液，其中镓离子与锌离子之间摩尔比为0.02∶1，在转速为400转/分钟的强烈搅拌下以5mL/min的速度均匀地滴加到2mol/L的氨水溶液(溶剂为去离子水)中，滴加过程中保持体系的pH值为8.6±0.5，温度为20℃，获得共沉淀产物；将共沉淀产物陈化24h后，沉淀物用去离子水洗涤4次，再用无水乙醇洗涤2次，然后在100℃烘箱中干燥10h，得到干燥的白色产物；将白色产物在500℃温度下煅烧2h，，得到镓掺杂氧化锌纳米粉体，其中，镓离子与锌离子之间摩尔比为0.02∶1。
经检测，从上述掺杂氧化锌纳米粉体的SEM照片、EDS图谱掺杂元素面分布、XRD图谱可知，掺杂氧化锌纳米粉体颗粒均匀呈近球形，粒径为20～30nm，掺杂镓元素分布均匀，呈现ZnO的纤锌矿结构，且没有观察到其它杂相的衍射峰。
实施例6 掺杂氧化锌纳米粉体的制备
将硝酸镓和硝酸锌共同溶解到去离子水中形成盐总浓度为3mol/L的盐溶液，其中镓离子与锌离子之间摩尔比为0.04∶1，在转速为800转份钟的强烈搅拌下以50mL/min的速度均匀地滴加到5mol/L的氨水溶液(溶剂为去离子水)中，滴加过程中保持体系的pH值为9.6±0.4，温度为70℃，获得共沉淀产物；将共沉淀产物陈化30h后，沉淀物用去离子水洗涤5次，再用无水乙醇洗涤2次，然后在100℃烘箱中干燥15h，得到干燥的白色产物；将白色产物在700℃温度下煅烧3h，得到镓掺杂氧化锌纳米粉体，其中，镓离子与锌离子之间摩尔比为0.04∶1。
经检测，从上述掺杂氧化锌纳米粉体的SEM照片、EDS图谱掺杂元素面分布、XRD图谱可知，掺杂氧化锌纳米粉体颗粒均匀呈近球形，粒径为20～40nm，掺杂镓元素分布均匀，呈现ZnO的纤锌矿结构，且没有观察到其它杂相的衍射峰。
实施例7 掺杂氧化锌纳米粉体的制备
将硝酸镓、硝酸铝和硝酸锌共同溶解到去离子水中形成盐总浓度为2mol/L的盐溶液，其中镓离子与铝离子的摩尔数之和与锌离子的摩尔比为0.04∶1，镓离子与铝离子的摩尔比为1∶1，在转速为600转/分钟的强烈搅拌下以40mL/min的速度均匀地滴加到4mol/L的氨水溶液(溶剂为去离子水)中，滴加过程中保持体系的pH值为8.3±0.2，温度为50℃，获得共沉淀产物；将共沉淀产物陈化30h后，沉淀物用去离子水洗涤5次，再用无水乙醇洗涤2次，然后在100℃烘箱中干燥15h，得到干燥的白色产物；将白色产物在800℃温度下煅烧4h，得到镓和铝掺杂氧化锌纳米粉体，其中，镓离子、铝离子与锌离子之间摩尔比为0.02∶0.02∶1。
经检测，从上述掺杂氧化锌纳米粉体的SEM照片、EDS图谱掺杂元素面分布、XRD图谱可知，掺杂氧化锌纳米粉体颗粒均匀呈近球形，粒径为70nm，掺杂镓元素和铝元素分布均匀，呈现ZnO的纤锌矿结构，且没有观察到其它杂相的衍射峰。
实施例8 掺杂氧化锌纳米粉体的制备
将硝酸镓、硝酸铝和硝酸锌共同溶解到去离子水中形成盐总浓度为1mol/L的盐溶液，其中镓离子与铝离子的摩尔数之和与锌离子的摩尔比为0.03∶1，镓离子与铝离子的摩尔比为0.8∶1，在转速为800转/分钟的强烈搅拌下以30mL/min的速度均匀地滴加到3mol/L的氨水溶液(溶剂为去离子水)中，滴加过程中保持体系的pH值为8.5±0.2，温度为40℃，获得共沉淀产物；将共沉淀产物陈化30h后，沉淀物用去离子水洗涤5次，再用无水乙醇洗涤2次，然后在100℃烘箱中干燥15h，得到干燥的白色产物；将白色产物在600℃温度下煅烧2h，得到镓和铝掺杂氧化锌纳米粉体，其中，镓离子、铝离子与锌离子之间摩尔比为0.0133∶0.0167∶1。
经检测，从上述掺杂氧化锌纳米粉体的SEM照片、EDS图谱掺杂元素面分布、XRD图谱可知，掺杂氧化锌纳米粉体颗粒均匀呈近球形，粒径为20～30nm，掺杂镓元素和铝元素分布均匀，呈现ZnO的纤锌矿结构，且没有观察到其它杂相的衍射峰。
实施例9～11 掺杂氧化锌纳米粉体的制备
除了分别以硫酸锌、醋酸锌或氯化锌来替换硝酸锌之外，其余操作同实施例8，制得镓和铝掺杂氧化锌纳米粉体，其中，镓离子、铝离子与锌离子之间摩尔比为0.0133∶0.0167∶1。
经检测，从上述掺杂氧化锌纳米粉体的SEM照片、EDS图谱掺杂元素面分布、XRD图谱可知，掺杂氧化锌纳米粉体颗粒均匀呈近球形，粒径为20～30nm，掺杂镓元素和铝元素分布均匀，呈现ZnO的纤锌矿结构，且没有观察到其它杂相的衍射峰。
实施例12～14 掺杂氧化锌纳米粉体的制备
除了分别以碳酸铵、碳酸氢铵或尿素替代氨水之外，其余操作同实施例7，制得镓和铝掺杂氧化锌纳米粉体，其中，镓离子、铝离子与锌离子之间摩尔比为0.02∶0.02∶1。
经检测，从上述掺杂氧化锌纳米粉体的SEM照片、EDS图谱掺杂元素面分布、XRD图谱可知，掺杂氧化锌纳米粉体颗粒均匀呈近球形，粒径为10～20nm，掺杂镓元素和铝元素分布均匀，呈现ZnO的纤锌矿结构，且没有观察到其它杂相的衍射峰。
实施例15～16 掺杂氧化锌纳米粉体的制备
除了分别以硝酸铟或氯化锡替代硝酸镓之外，其余操作同实施例4，制得铟或锡掺杂氧化锌纳米粉体，其中，铟离子或锡离子与锌离子之间摩尔比为0.02∶1。
经检测，从上述掺杂氧化锌纳米粉体的SEM照片、EDS图谱掺杂元素面分布、XRD图谱可知，掺杂氧化锌纳米粉体颗粒均匀呈近球形，粒径为10～30nm，掺杂铟元素或锡元素分布均匀，呈现ZnO的纤锌矿结构，且没有观察到其它杂相的衍射峰。
实施例17～18 掺杂氧化锌纳米粉体的制备
除了分别以硝酸铟或氯化锡替代硝酸铝之外，其余操作同实施例1，制得铟或锡掺杂氧化锌纳米粉体，其中，铟离子或锡离子与锌离子之间摩尔比为0.032∶1。
经检测，从上述掺杂氧化锌纳米粉体的SEM照片、EDS图谱掺杂元素面分布、XRD图谱可知，掺杂氧化锌纳米粉体颗粒均匀呈近球形，粒径为20～40nm，掺杂铟元素或锡元素分布均匀，呈现ZnO的纤锌矿结构，且没有观察到其它杂相的衍射峰。
实施例19 掺杂氧化锌纳米粉体的制备
除了将硝酸铝和醋酸锌共同溶解到去离子水中形成盐总浓度为3mol/L的盐溶液，其中铝离子与锌离子之间摩尔比为0.04∶1，沉淀剂采用碳酸氢铵之外，其余操作同实施例1，制得铝掺杂氧化锌纳米粉体，其中，铝离子与锌离子之间摩尔比为0.04∶1。
经检测，从上述掺杂氧化锌纳米粉体的SEM照片、EDS图谱掺杂元素面分布、XRD图谱可知，掺杂氧化锌纳米粉体颗粒均匀呈近球形，粒径为40nm，掺杂铝元素分布均匀，呈现ZnO的纤锌矿结构，且没有观察到其它杂相的衍射峰。
实施例20 掺杂氧化锌纳米粉体的制备
除了将硝酸铟和硫酸锌共同溶解到去离子水中形成盐总浓度为1.5mol/L的盐溶液，其中铟离子与锌离子之间摩尔比为0.06∶1，沉淀剂采用碳酸铵之外，其余操作同实施例2，制得铟掺杂氧化锌纳米粉体，其中，铟离子与锌离子之间摩尔比为0.06∶1。
经检测，从上述掺杂氧化锌纳米粉体的SEM照片、EDS图谱掺杂元素面分布、XRD图谱可知，掺杂氧化锌纳米粉体颗粒均匀呈近球形，粒径为50nm，掺杂铟元素分布均匀，呈现ZnO的纤锌矿结构，且没有观察到其它杂相的衍射峰。
实施例21 掺杂氧化锌纳米粉体的制备
除了将硝酸锡和硝酸锌共同溶解到去离子水中形成盐总浓度为2mol/L的盐溶液，其中锡离子与锌离子之间摩尔比为0.12∶1之外，其余操作同实施例5，制得锡掺杂氧化锌纳米粉体，其中，锡离子与锌离子之间摩尔比为0.12∶1。
经检测，从上述掺杂氧化锌纳米粉体的SEM照片、EDS图谱掺杂元素面分布、XRD图谱可知，掺杂氧化锌纳米粉体颗粒均匀呈近球形，粒径为70nm，掺杂锡元素分布均匀，呈现ZnO的纤锌矿结构，且没有观察到其它杂相的衍射峰。
实施例22 掺杂氧化锌纳米粉体的制备
将硝酸铟、硝酸铝和硝酸锌共同溶解到去离子水中形成盐总浓度为2.5mol/L的盐溶液，其中铟离子与铝离子的摩尔数之和与锌离子的摩尔比为0.06∶1，铟离子与铝离子的摩尔比为0.8∶1之外，其余操作同实施例8，得到铟和铝掺杂氧化锌纳米粉体，其中，铟离子、铝离子与锌离子之间摩尔比为0.027∶0.033∶1。
经检测，从上述掺杂氧化锌纳米粉体的SEM照片、EDS图谱掺杂元素面分布、XRD图谱可知，掺杂氧化锌纳米粉体颗粒均匀呈近球形，粒径为70nm，掺杂镓元素和铝元素分布均匀，呈现ZnO的纤锌矿结构，且没有观察到其它杂相的衍射峰。
实施例23 氧化锌基溅射靶材的制备
将实施例1中制备的粒径为30～40nm的铝掺杂氧化锌纳米粉体(其中，铝离子与锌离子之间的摩尔比为0.032∶1)经35MPa的单轴模压成型，保压120s，得到模压坯料；将模压坯料经300MPa冷等静压，保压300s，得到冷等静压坯料；然后进行两步法烧结：将冷等静压坯料置于电阻炉中，先由室温以5℃/min的升温速率升到第一步烧结温度1050℃，保温1min，然后以10℃/min的降温速率降到第二步烧结温度1000℃，保温20小时，接着以0.5℃/min的降温速率降至室温，经过切割、打磨成规定尺寸后即得到氧化锌基溅射靶材，其中，铝离子与锌离子之间摩尔比为0.032∶1。
经检测，从上述氧化锌基溅射靶材的SEM照片(如图6)、EDS图谱掺杂元素面分布(如图7)、XRD图谱(如图8中(a))可知，氧化锌基溅射靶材的粒径为5μm，且分布均匀，靶材XRD图谱中铝酸锌相(ZnAl2O4)的两个高强度衍射峰(220)和(311)已消失，说明本方法能有效抑制铝酸锌相等第二相杂相的产生。经测量靶材的致密度为99.8％。
实施例24 氧化锌基溅射靶材的制备
将实施例19中制备的粒径为40nm的铝掺杂氧化锌纳米粉体(其中，铝离子与锌离子之间的摩尔比为0.04∶1)经35MPa的单轴模压成型，保压120s，得到模压坯料；将模压坯料经300MPa冷等静压，保压300s，得到冷等静压坯料；然后进行两步法烧结：将冷等静压坯料置于电阻炉中，先由室温以2℃/min的升温速率升到第一步烧结温度1300℃，保温时间5min，然后以80℃/min的降温速率降到第二步烧结温度750℃，保温20小时，接着以2℃/min的降温速率降至室温，经过切割、打磨成规定尺寸后即得到氧化锌基溅射靶材，其中，铝离子与锌离子之间摩尔比为0.04∶1。
经检测，从上述氧化锌基溅射靶材的SEM照片、EDS图谱掺杂元素面分布、XRD图谱可知，氧化锌基溅射靶材的粒径为3μm，且掺杂元素分布均匀，靶材XRD图谱中铝酸锌相的两个高强度衍射峰(220)和(311)已消失，说明本方法能有效抑制铝酸锌相等第二相杂相的产生。经测量靶材的致密度为99.6％。
实施例25 氧化锌基溅射靶材的制备
将实施例20中制备的粒径为50nm的铟掺杂氧化锌纳米粉体(其中，铟离子与锌离子之间的摩尔比为0.06∶1)经60MPa的单轴模压成型，保压200s，得到模压坯料；将模压坯料经200MPa冷等静压，保压100s，得到冷等静压坯料；然后进行两步法烧结：将冷等静压坯料置于电阻炉中，先由室温以8℃/min的升温速率升到第一步烧结温度1200℃，保温时间10min，然后以50℃/min的降温速率降到第二步烧结温度1000℃，保温30小时，接着以4℃/min的降温速率降至室温，经过切割、打磨成规定尺寸后即得到氧化锌基溅射靶材，其中，铟离子与锌离子之间摩尔比为0.04∶1。
经检测，从上述氧化锌基溅射靶材的SEM照片、EDS图谱掺杂元素面分布、XRD图谱可知，氧化锌基溅射靶材的粒径为1μm，且掺杂元素分布均匀，靶材XRD图谱中没有观察到其它第二杂相的衍射峰，说明本方法能有效抑制第二相杂相的产生。经测量靶材的致密度为99.1％。
实施例26 氧化锌基溅射靶材的制备
将实施例21中制备的粒径为70nm的锡掺杂氧化锌纳米粉体(其中，铟离子与锌离子之间的摩尔比为0.12∶1)经100MPa的单轴模压成型，保压250s，得到模压坯料；将模压坯料经150MPa冷等静压，保压400s，得到冷等静压坯料；然后进行两步法烧结：将冷等静压坯料置于电阻炉中，先由室温以4℃/min的升温速率升到第一步烧结温度1150℃，保温时间15min，然后以30℃/min的降温速率降到第二步烧结温度850℃，保温5小时，接着以3℃/min的降温速率降至室温，经过切割、打磨成规定尺寸后即得到氧化锌基溅射靶材，其中，锡离子与锌离子之间摩尔比为0.12∶1。
经检测，从上述氧化锌基溅射靶材的SEM照片、EDS图谱掺杂元素面分布、XRD图谱可知，氧化锌基溅射靶材的粒径为10μm，且掺杂元素分布均匀，靶材XRD图谱中没有观察到其它第二杂相的衍射峰，说明本方法能有效抑制第二相杂相的产生。经测量靶材的致密度为98.8％。
实施例27 氧化锌基溅射靶材的制备
将实施例7中制备的粒径为70nm的镓和铝共掺杂氧化锌纳米粉体(其中，镓离子与铝离子摩尔数之和与锌离子之间的摩尔比为0.04∶1，且镓离子与铝离子摩尔数之比为0.5∶1)经60MPa的单轴模压成型，保压50s，得到模压坯料；将模压坯料经120MPa冷等静压，保压100s，得到冷等静压坯料；然后进行两步法烧结：将冷等静压坯料置于电阻炉中，先由室温以7℃/min的升温速率升到第一步烧结温度1250℃，保温时间20min，然后以50℃/min的降温速率降到第二步烧结温度950℃，保温30小时，接着以1℃/min的降温速率降至室温，经过切割、打磨成规定尺寸后即得到氧化锌基溅射靶材，其中，镓离子、铝离子与锌离子之间摩尔比为0.013∶0.027∶1。
经检测，从上述氧化锌基溅射靶材的SEM照片、EDS图谱掺杂元素面分布、XRD图谱可知，氧化锌基溅射靶材的粒径为0.8μm，且掺杂元素分布均匀，靶材XRD图谱中没有观察到其它第二杂相的衍射峰，说明本方法能有效抑制第二相杂相的产生。经测量靶材的致密度为98.5％。
实施例28 氧化锌基溅射靶材的制备
将实施例23中制备的粒径为70nm的铟和铝共掺杂氧化锌纳米粉体(其中，铟离子与铝离子摩尔数之和与锌离子之间的摩尔比为0.06∶1，且镓离子与铝离子摩尔数之比为0.8∶1)经30MPa的单轴模压成型，保压30s，得到模压坯料；将模压坯料经150MPa冷等静压，保压400s，得到冷等静压坯料；然后进行两步法烧结：将冷等静压坯料置于电阻炉中，先由室温以1℃/min的升温速率升到第一步烧结温度1100℃，保温时间30min，然后以20℃/min的降温速率降到第二步烧结温度800℃，保温40小时，接着以1℃/min的降温速率降至室温，经过切割、打磨成规定尺寸后即得到氧化锌基溅射靶材，其中，铟离子、铝离子与锌离子之间摩尔比为0.027∶0.033∶1。
经检测，从上述氧化锌基溅射靶材的SEM照片、EDS图谱掺杂元素面分布、XRD图谱可知，氧化锌基溅射靶材的粒径为15μm，且掺杂元素分布均匀，靶材XRD图谱中没有观察到其它第二杂相的衍射峰，说明本方法能有效抑制第二相杂相的产生。经测量靶材的致密度为98.2％。
对比例1 氧化锌基溅射靶材的制备
将氧化锌与氧化铝粉体按铝离子与锌离子之间的摩尔比为0.032∶1的比例混合均匀后，在1400℃烧结20h，制备氧化锌基溅射靶材。
经检测，从上述氧化锌基溅射靶材的SEM照片(如图9)、EDS图谱掺杂元素面分布(如图10)、XRD图谱(如图8中(b))可知，氧化锌基溅射靶材的粒径较大(30～80μm)且分布不均匀，分布着孔径为3μm左右的孔洞，致密度为95.7％。靶材XRD图谱中铝酸锌相的两个高强度衍射峰(220)和(311)存在，说明本方法不能有效抑制铝酸锌相等第二相杂相的产生。
显然，本领域的技术人员可以对本发明的溅射靶材用掺杂氧化锌纳米粉体的制备方法进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本领域技术人员的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (10)
1.一种氧化锌基溅射靶材的制备方法，包括步骤：
(1)将掺杂氧化锌纳米粉体经30MPa～150MPa的模压，保压30s～300s，得到模压坯料；
(2)将模压坯料经120MPa～300MPa冷等静压，保压60s～600s，得到冷等静压坯料；
(3)将冷等静压坯料先以0.5℃/min～10℃/min的升温速率升到第一步设定温度950℃～1300℃，并保温1min～30min，然后以10℃/min～100℃/min的降温速率降到第二步烧结温度650℃～1100℃，并保温2h～40h，最后以0.5℃/min～10℃/min的降温速率降至室温，经切割、打磨，制成氧化锌基溅射靶材。
2.根据权利要求1所述的氧化锌基溅射靶材的制备方法，其特征在于，所述的掺杂氧化锌纳米粉体的粒径为10nm～70nm。
3.根据权利要求1所述的氧化锌基溅射靶材的制备方法，其特征在于，所述的掺杂氧化锌纳米粉体选用掺杂有铝、镓、铟、锡、硼、铬、钒中的一种掺杂元素或多种掺杂元素的氧化锌纳米粉体。
4.根据权利要求3所述的氧化锌基溅射靶材的制备方法，其特征在于，所述的掺杂元素总摩尔与氧化锌中锌离子的摩尔比小于等于0.18∶1。
5.根据权利要求3所述的氧化锌基溅射靶材的制备方法，其特征在于，所述的掺杂氧化锌纳米粉体选用掺杂有铝、镓、铟、锡、硼、铬、钒中的两种掺杂元素的氧化锌纳米粉体，其中，两种掺杂元素的摩尔比为0.05～1∶1。
6.根据权利要求1～5任一项所述的氧化锌基溅射靶材的制备方法，其特征在于，所述的掺杂氧化锌纳米粉体的制备方法，包括步骤：
(1)将掺杂金属盐和锌盐溶解到去离子水中形成盐总浓度为0.5mol/L～3mol/L的盐溶液，其中，掺杂金属盐中的金属离子与锌盐中的锌离子的摩尔比小于等于0.18∶1；
(2)将沉淀剂溶解到去离子水中形成1mol/L～6mol/L的沉淀剂溶液；
(3)在转速为400转/分钟～800转/分钟的强烈搅拌下，将步骤(1)中配制的盐溶液以5mL/min～50mL/min的速度均匀地滴加至步骤(2)配制的沉淀剂溶液中，滴加过程中保持混合体系的pH值为5～10，温度10℃～80℃，获得共沉淀产物；
(4)将上述共沉淀产物陈化10h～30h后，沉淀物依次用去离子水和无水乙醇洗涤后干燥，得到白色产物；
(5)将上述白色产物在400℃～800℃煅烧1h～5h，制得掺杂氧化锌纳米粉体；
所述的掺杂金属盐为铝盐、镓盐、铟盐、锡盐、硼盐、铬盐、钒盐中的一种或多种。
7.根据权利要求6所述的氧化锌基溅射靶材的制备方法，其特征在于，所述的掺杂金属盐选自硝酸铝、硝酸镓、硝酸铟、氯化锡、硝酸铬、硝酸钒中的一种或两种；
或者，所述的锌盐选自硫酸锌、硝酸锌、醋酸锌或氯化锌中的一种；
或者，所述的沉淀剂选自氨水、碳酸铵、碳酸氢铵或尿素中的一种。
8.根据权利要求6所述的氧化锌基溅射靶材的制备方法，其特征在于，所述的掺杂金属盐选自硝酸铝、硝酸镓、硝酸铟、氯化锡、硝酸铬、硝酸钒中的两种，其中，两种掺杂金属盐中的两种掺杂金属离子的摩尔比值为0.05～1∶1。
9.根据权利要求1所述的氧化锌基溅射靶材的制备方法，其特征在于，所述的氧化锌基溅射靶材的晶粒尺寸为0.5μm～20μm。
10.根据权利要求1所述的氧化锌基溅射靶材的制备方法，其特征在于，所述的氧化锌基溅射靶材的致密度高于98％。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2010101664976A CN101845614B (zh) | 2010-05-07 | 2010-05-07 | 一种氧化锌基溅射靶材的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2010101664976A CN101845614B (zh) | 2010-05-07 | 2010-05-07 | 一种氧化锌基溅射靶材的制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101845614A CN101845614A (zh) | 2010-09-29 |
| CN101845614B true CN101845614B (zh) | 2011-09-21 |
Family
ID=42770429
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2010101664976A Active CN101845614B (zh) | 2010-05-07 | 2010-05-07 | 一种氧化锌基溅射靶材的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101845614B (zh) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102220562B (zh) * | 2011-05-06 | 2013-06-19 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 一种绒面结构氧化锌透明导电薄膜的制备方法 |
| CN102586736B (zh) * | 2012-02-23 | 2013-10-16 | 西北稀有金属材料研究院 | 一种掺杂氧化锌基溅射靶材及其制备方法 |
| CN104060232A (zh) * | 2014-06-20 | 2014-09-24 | 江阴恩特莱特镀膜科技有限公司 | 铪掺杂氧化锌透明导电薄膜的制备方法 |
| US9927667B2 (en) * | 2014-08-11 | 2018-03-27 | Sci Engineered Materials, Inc. | Display having a transparent conductive oxide layer comprising metal doped zinc oxide applied by sputtering |
| CN106259447A (zh) * | 2016-08-03 | 2017-01-04 | 赵先芝 | 纳米水性民用杀菌剂 |
| CN107010654B (zh) * | 2017-05-05 | 2018-05-22 | 华中科技大学 | 一种单分散氧化镓粉体及其高密度陶瓷靶材的制备方法 |
| CN108101533B (zh) * | 2017-12-25 | 2020-10-30 | 北京有色金属研究总院 | 一种热障涂层用陶瓷靶材的制备方法 |
| CN109320291B (zh) * | 2018-09-12 | 2020-07-24 | 武汉大学 | 一种获得固体材料表面孔洞直径可控范围广的团簇离子轰击法 |
| JP2020143359A (ja) * | 2019-03-08 | 2020-09-10 | Ｊｘ金属株式会社 | スパッタリングターゲット部材の製造方法及びスパッタリングターゲット部材 |
| CN110002853A (zh) * | 2019-04-28 | 2019-07-12 | 郑州大学 | 两步烧结工艺制备igzo陶瓷靶材的方法 |
| CN110436915B (zh) * | 2019-08-05 | 2020-06-30 | 北京航大微纳科技有限公司 | 一种fbar压电层用氧化锌掺杂靶材材料及其制备方法 |
| CN113956022A (zh) * | 2021-11-30 | 2022-01-21 | 郑州大学 | 一种锌掺杂氧化铟粉体、溅射靶材及其制备方法 |
| CN115015305B (zh) * | 2022-08-09 | 2022-10-25 | 矿冶科技集团有限公司 | 掺杂氧化锌标准样品及其制备方法和测量未知掺杂氧化锌样品中掺杂元素含量的方法 |
| CN115849896B (zh) * | 2022-11-30 | 2024-02-23 | 长沙壹纳光电材料有限公司 | 一种氧化锌靶材及其制备方法与应用 |
| CN115925416A (zh) * | 2023-01-17 | 2023-04-07 | 丰联科光电(洛阳)股份有限公司 | 一种氧化钽靶材的制备方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1389404A (zh) * | 2002-07-12 | 2003-01-08 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 低温易烧结的纳米级氧化锌粉末的制备方法 |
| CN101481790A (zh) * | 2009-01-20 | 2009-07-15 | 李丹之 | 一种zao系半导体纳米导电膜及其制备方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10297966A (ja) * | 1997-04-28 | 1998-11-10 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | スパッタリングターゲット用ＺｎＯ−Ｇａ２Ｏ３系焼結体の製造方法 |
| KR101349675B1 (ko) * | 2008-02-26 | 2014-01-10 | 삼성코닝정밀소재 주식회사 | 산화아연계 스퍼터링 타겟 |
-
2010
- 2010-05-07 CN CN2010101664976A patent/CN101845614B/zh active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1389404A (zh) * | 2002-07-12 | 2003-01-08 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 低温易烧结的纳米级氧化锌粉末的制备方法 |
| CN101481790A (zh) * | 2009-01-20 | 2009-07-15 | 李丹之 | 一种zao系半导体纳米导电膜及其制备方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| JP平10-297966A 1998.11.10 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101845614A (zh) | 2010-09-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101845614B (zh) | 一种氧化锌基溅射靶材的制备方法 | |
| CN101844917A (zh) | 一种掺杂氧化锌纳米粉体的制备方法 | |
| Lee et al. | Structural, electrical and optical properties of ZnO: Al films deposited on flexible organic substrates for solar cell applications | |
| TWI583811B (zh) | A Cu-Ga sputtering target, a method for manufacturing the target, a light absorbing layer, and a solar cell using the light absorbing layer | |
| US9493869B2 (en) | Transparent conductive film | |
| TWI447073B (zh) | 銦鎵鋅氧化物（ｉｇｚｏ）奈米粉體及其製備方法與濺鍍用靶材 | |
| CN105565798B (zh) | 氧化锌靶材的制备方法及氧化锌薄膜的制备方法 | |
| Batista et al. | Reactive pulsed-DC sputtered Nb-doped VO2 coatings for smart thermochromic windows with active solar control | |
| CN104058728A (zh) | 氧化物烧结体和其制造方法、靶及透明导电膜 | |
| WO2023098706A1 (zh) | 一种锌掺杂氧化铟粉体、溅射靶材及其制备方法 | |
| Besleaga et al. | AZO thin films synthesized by RF–magnetron sputtering: The role of deposition power | |
| Liu et al. | Investigation of aluminum–gallium co-doped zinc oxide targets for sputtering thin film and photovoltaic application | |
| Wong et al. | Characterization of boron-doped ZnO thin films prepared by magnetron sputtering with (100− x) ZnO–xB2O3 ceramic targets | |
| Gao et al. | Preparation of ITO films using a spray pyrolysis solution containing an acetylacetone chelating agent | |
| Oommen et al. | Characteristics of electron beam evaporated and electrodeposited Cu2O thin films-comparative study | |
| Liu et al. | Preparation of indium tin oxide targets with a high density and single phase structure by normal pressure sintering process | |
| Farahmandjou | Synthesis of ITO Nanoparticles Prepared by the Degradation of Sulfide Method | |
| Liu et al. | Effect of surfactants on the structure and photoelectric properties of ITO films by sol-gel method | |
| JP2015096626A (ja) | Ｃｚｔｓ半導体薄膜の製造方法及び光電変換素子 | |
| CN111943650B (zh) | 一种用于活化等离子沉积技术的iwo靶材及其制备方法 | |
| Xu et al. | Structural evolution, electrical and optical properties of AZO films deposited by sputtering ultra-high density target | |
| Qian et al. | Effect of sputtering conditions on growth and properties of ZnO: Al films | |
| Kumar et al. | Influence of sputtering power on physical properties of nanostructured zinc aluminum oxide thin films for photovoltaic applications | |
| Im et al. | Structural and electrical properties of Al and B co-doped Zno thin films | |
| JP2009179515A (ja) | Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２多結晶粉末及びその焼結体、並びにそれらの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |