CN1319422C - 混合模块及其制造方法与其安装方法 - Google Patents

混合模块及其制造方法与其安装方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1319422C
CN1319422C CNB991018370A CN99101837A CN1319422C CN 1319422 C CN1319422 C CN 1319422C CN B991018370 A CNB991018370 A CN B991018370A CN 99101837 A CN99101837 A CN 99101837A CN 1319422 C CN1319422 C CN 1319422C
Authority
CN
China
Prior art keywords
circuit board
recess
circuit element
mixing module
circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CNB991018370A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1229330A (zh
Inventor
铃木一高
成田直人
渡边彻
上山义明
八木一树
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Taiyo Yuden Co Ltd
Original Assignee
Taiyo Yuden Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP1934298A external-priority patent/JPH11220226A/ja
Priority claimed from JP1933698A external-priority patent/JPH11220225A/ja
Priority claimed from JP1935398A external-priority patent/JPH11220228A/ja
Priority claimed from JP01934998A external-priority patent/JP3842887B2/ja
Application filed by Taiyo Yuden Co Ltd filed Critical Taiyo Yuden Co Ltd
Publication of CN1229330A publication Critical patent/CN1229330A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1319422C publication Critical patent/CN1319422C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/14Structural association of two or more printed circuits
    • H05K1/141One or more single auxiliary printed circuits mounted on a main printed circuit, e.g. modules, adapters
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K7/00Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/20Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49805Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers the leads being also applied on the sidewalls or the bottom of the substrate, e.g. leadless packages for surface mounting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/165Containers
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/18Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/182Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with components mounted in the printed circuit board, e.g. insert mounted components [IMC]
    • H05K1/183Components mounted in and supported by recessed areas of the printed circuit board
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73253Bump and layer connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01078Platinum [Pt]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/1515Shape
    • H01L2924/15153Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161Cap
    • H01L2924/1615Shape
    • H01L2924/16152Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191Disposition
    • H01L2924/19101Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19106Disposition of discrete passive components in a mirrored arrangement on two different side of a common die mounting substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/3025Electromagnetic shielding
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/0201Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
    • H05K1/0203Cooling of mounted components
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/06Thermal details
    • H05K2201/066Heatsink mounted on the surface of the PCB
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10227Other objects, e.g. metallic pieces
    • H05K2201/10371Shields or metal cases
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10431Details of mounted components
    • H05K2201/10439Position of a single component
    • H05K2201/10477Inverted
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10613Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
    • H05K2201/10621Components characterised by their electrical contacts
    • H05K2201/10674Flip chip
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/341Surface mounted components
    • H05K3/3431Leadless components
    • H05K3/3442Leadless components having edge contacts, e.g. leadless chip capacitors, chip carriers
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/36Assembling printed circuits with other printed circuits
    • H05K3/368Assembling printed circuits with other printed circuits parallel to each other

Abstract

在本发明的使电路板(11)的第1面(18)相对主电路板安装的混合模块(10)中,在第1面(18)形成凹部(19),在该凹部(19)内用面朝下接合法安装具有发热性的电路元件(13),电路元件(13)所产生的热量通过散热板(14)而向主电路板散热。本发明可使热传导率提高,且可使混合模块小型化。

Description

混合模块及其制造方法与其安装方法
技术领域
本发明涉及一种在形成电路图的电路板上搭载层叠电容之类的无源元件和半导体元件之类的有源元件从而构成电路的混合模块。
背景技术
我们知道,作为现有的、在电路板上搭载了场效应型晶体管和功率半导体等具有发热性的电路元件的混合模块,有一种如下所示的结构。
该混合模块,在电路板的上面安装了层叠容器等的片状电子元件和FET等具有发热性的半导体元件之类的电路元件。该电路板是传热性较好的氮化铝系的陶瓷基板。片状电子元件钎焊在形成于电路板上的焊接区上。另外,电路元件通过焊接凸起而接合在电路板上的焊接区。在电路板的侧面形成有混合模块的端子电极。
该混合模块,使未安装电路元件的下面相对于主电路板并安装在主电路板上。在安装时,焊接混合模块的端子电极和形成于主电路板上的电路图。并在电路板与主电路板之间夹装有形成于主电路板上的导体膜。为使混合模块产生的热量有效地传导到主电路板上,该导体膜由传热性良好的材料形成。在该混合模块中,由安装于电路板上的电路元件产生的热量,通过电路板及导体膜而被传导到主电路板,进行散热。
然而,在该混合模块中,由于电路元件所产生的热量通过电路元件的焊接凸起被传导到电路板,该热量再通过电路板及导体膜被传导到主电路板,因此,热传导不是有效的。另外,氮化铝系陶瓷与一般性的氧化铝系的基板材料相比是高价的,是缺乏经济性的。
发明内容
本发明的目的在于,提供一种散热性优异且适合小型化的混合模块及其制造方法与其安装方法。
为达到上述目的,本发明的混合模块包括电路板)和安装在该电路板上具有发热性的电路元件,在使电路板的第一面相对主电路板安装的混合模块中,其特征在于,在所述电路板的所述第一面上形成第一凹部,在第一凹部的底面形成第二凹部,所述电路元件面朝下接合在第二凹部内,在第一凹部中设有将所述电路元件所产生的热量向所述主电路板传导的散热板,热传导性树脂填充在电路元件与散热板之间、以及第一凹部的底面与散热板之间。
采用本发明,由于电路元件用面朝下接合法安装在形成于电路板的第1面上的凹部内,故电路元件所产生的热量不通过电路板而传导到主电路板,从而,热传导率提高,成为散热性优异的混合模块。另外,因将电路元件安装在凹部内,故可获得混合模块的小型化。
附图说明
本发明的除上述外的目的、结构及效果,可从如下的详细说明得知。
图1是混合模块的侧面剖视图。
图2是从第1面侧看到的混合模块的外观立体图。
图3是图1中一部分的放大图。
图4是说明电路板制造方法的图。
图5是说明电路板制造方法的图。
图6是安装在主电路板上的混合模块的侧面剖视图。
图7是从第1面侧看到的其它例子的混合模块的外观立体图。
图8是其它例子的混合模块的侧面剖视图。
图9是其它例子的混合模块的侧面剖视图。
图10是其它例子的混合模块的侧面剖视图。
具体实施方式
现就本发明的第1实施形态结合图1~图3进行说明。图1是混合模块的侧面剖视图,图2是从第1面侧看到的混合模块的外观立体图,图3是图1中一部分的放大图。
该混合模块10的主要结构要素包括:电路板11;安装在电路板11上的多个片状电子元件12;具有发热性的半导体元件等的电路元件13;使电路元件13所产生的热量传导到主电路板的散热板14。作为该混合模块10的外观尺寸,例如是大约7×7×2mm3
电路板11由以长方体状的氧化铝为主的陶瓷制的多层基板组成。具体地说,是将PbO-B2O3-SiO2(硼硅酸铅)与Al2O3(氧化铝)混合后的陶瓷制的多层基板。另外,该电路板11的线膨胀系数α1是5ppm/℃。该电路板11的吸水率是0.1%以下。
该电路板11,在表面及内层形成有电路图15及通路孔(ビアホ-ル)16。另外,在电路板11的侧面形成有与所述电路图15连接的端子电极17。该端子电极17是在安装时与主电路板连接用的。此外,电路板11的底面,即在安装于主电路板时与主电路板相对的第1面18形成有凹部19。该凹部19是容纳电路元件13及散热板14用的。该凹部19具有2层结构。即,凹部19包括形成于第1面18的第1凹部20和在第1凹部20的底面形成稍比其小的第2凹部21。在第2凹部21的底面形成有与电路元件13连接的电路图15。
片状电子元件12是构成混合模块的电子元件。例如,是层叠电容器或层叠电感。该片状电子元件12安装在与所述第1面18相反侧的面的第2面22所形成的电路图15上。
电路元件13是具有发热性的半导体元件。例如,是GaAsMES型FET。另外,电路元件13使用线膨胀系数α2与电路板11的线膨胀系数α1大致相等的电路元件(α1≈α2)。例如,线膨胀系数α2是6ppm/℃的电路元件。
该电路元件13通过面朝下接合法安装在第2凹部21的底面。在本实施形态中,用倒装片方式。即,电路元件13是在与第2凹部21的底面相对的一侧设有多个端子电极的倒装片。电路元件13的各端子电极与在第2凹部21所形成的电路图15连接。在电路元件13与第2凹部21的底面之间,即在未形成电路元件13端子电极的部分充填有密封树脂23。
密封树脂23的主要目的是,防止水分侵入电路元件13并将电路元件13固定在电路板11上。作为密封树脂23,线膨胀系数α3最好与电路板11及电路元件13的线膨胀系数α1、α2大致相等(α1≈α2≈α3)。在本实施形态中,用环氧类的树脂。这样,当使用线膨胀系数与电路板11及电路元件13大致相等的密封树脂23时,可缓和因热循环试验等的温度变化而在它们间所产生的应力,防止密封树脂23剥离,从而,可防止电路元件13与电路板11之间产生电气接触不良及耐湿性的下降。另外,可大幅度降低因所述剥离而造成电路元件13的损伤。因此,提高了混合模块10的可靠性。
这里,作为电路元件13的端子电极与电路图15的连接,可列举如下。例如:利用钎焊的连接,或使用导电性树脂的连接,或使用各向异性导电性树脂(ACF)的连接,或在电路图15上形成用了金(Au)的球形凸起、再作超声波并用热压接而进行的连接。
用上述导电性树脂的连接,从可以低廉的成本来进行这点看是有利的。另外,由于可由导电性树脂吸收应力,故有可获得高可靠性的效果。再有,在用了各向异性导电性树脂的连接中,不需要密封树脂,可降低成本。
另外,在所述电路图15上形成球形凸起再作超声波并用热压接的连接中,由于该连接是用干式法进行的,故可获得电镀液对电路元件13的损伤较小的效果。另外,可降低设备成本,并可缩短在电路板11上的安装作业时间。也就是说,可降低安装成本。此外,因是Au-Au接合,故接触电阻小,可获得高可靠性。
另外,在上述钎焊的连接中,由于通过自调节进行位置修正,故不要安装精度。另外,在安装时,因可按低负荷安装,故对电路元件13的损伤较小。此外,因可由焊接凸起吸收应力,故可获得高可靠性。
散热板14由热传导性树脂24而粘接在电路元件13及第1凹部20底面。该散热板14是盖住第2凹部21的开口部、并具有容纳于第1凹部20的宽度与长度的板状构件。散热板14的表面配置在与第1面18大致相同的面上。
散热板14由热传导性高的材料做成。更具体地说,使用线膨胀系数α4与电路元件13的线膨胀系数α2大致相等的材料(α2≈α4)。例如,是线膨胀系数α4为7ppm/℃的42合金(镍42,铁58的合金)。另外,散热板14的表面通过研磨而具有一定的表面光洁度。例如,平均算术光洁度约是1.0μm。此外,该散热板14的表面,为提高焊接润湿性而进行电镀处理。作为该电镀处理,例如是镀Au。
热传导性树脂24,是使散热板14固定在电路元件13上、并使电路元件13所产生的热量有效地传导到散热板14用的。该热传导性树脂24如前所述,是将电路元件13与散热板14粘接,并充填在散热板14侧方与第1凹部20侧壁之间、电路元件13侧方与第2凹部21之间。
热传导性树脂24最好是热传导率良好的材料。另外,作为热传导性树脂24,线膨胀系数α5最好是与电路元件13及散热板14的线膨胀系数α2、α4大致相等(α2≈α4≈α5)。当如此使用线膨胀系数与电路元件13及散热板14大致相等的热传导性树脂24时,可缓和因热循环试验之类的温度变化所产生的应力,可防止热传导性树脂24从电路板11、电路元件13及散热板14上剥离,从而可防止电路元件13与散热板14之间的热阻上升及耐湿性下降。另外,可大幅度降低因所述剥离而造成电路元件13的损伤。因此,可提高混合模块10的可靠性。
在混合模块10上,为遮住上面而附设有箱状的金属罩壳30。该金属罩壳30是用来保护各元件和电路板11及防止各种噪音侵入与放射。
该混合模块10,对第1凹部20、第2凹部21及散热板14的尺寸规定如下。
首先,就第2凹部21进行说明。如图3所示,第2凹部21被规定成第2凹部21的侧壁与电路元件13有一定间隔Δ1的宽度与长度。这里,一定间隔Δ1设定成:当在第2凹部21上搭载电路元件13时,容纳于该凹部是容易的,且容易进行搭载定位。更具体地说,所述一定间隔Δ1最好为0.1mm~1.0mm。另外,第2凹部21的深度规定成:当将电路元件13安装在该凹部底面时,一定距离Δ2尽量比从该凹部底面到电路元件13的背面的高度小。这里,一定距离Δ2被设定成散热板14与电路元件13之间的热传导性树脂24的厚度为一定的厚度。更具体地说,所述一定距离Δ2最好为0mm~0.2mm。这也与在第2凹部21上安装多个电路元件13的情况是相同的。另外,在本实施形态中,因Δ2=0,故图示省略。
其次,就第1凹部20进行说明。第1凹部20被规定成其侧壁与第2凹部21的边缘具有一定距离Δ3的宽度与长度。即,开口部的宽度与长度规定得一定距离Δ3尽量比第2凹部21大。更具体地说,所述一定距离Δ3最好为0.1mm~0.5mm。另外,第1凹部20被规定成相对散热板14的厚度为一定范围的深度。该一定范围被规定成散热板14的表面与第1面18大致成为同一平面。更具体地说,所述一定范围最好为-0.1mm~+0.1mm。
下面就该混合模块的制造方法进行说明。
首先,如图4所示,将以氧化铝为主体的陶瓷印刷电路基板101~104层叠,并对该层叠体进行压接。再通过将其烧制来制造电路板11。
这里,在各印刷电路基板101~104上,在规定位置根据需要预先形成通路孔及电路图。这里,作为电路图,当使用铜(Cu)和银(Ag)时,可提高散热性与高频特性。
另外,在最下层的印刷电路基板104上,形成有形状与第1凹部20对应的开口部104a。再在层叠于印刷电路基板104上的印刷电路基板103上,形成有形状与第2凹部21对应的开口部103a。该开口部的形成,是用冲头冲入印刷电路基板而形成的。
此外,在压接印刷电路基板101~104时,如图5所示,使用形状嵌入于凹部的冲床40。由此,可在电路板11的整个区域使密度做成均匀。此外,因可将电路板11的凹部内面的表面光洁度提高到小于10μm,故容易在凹部的内侧形成凸起。
其次,在形成于电路板11的第2凹部21底面的电路图上形成球形凸起。接着,利用超声波并用热压接等方法将电路元件13连接,以便与该球形凸起连接。然后,在第2凹部21,通过从电路元件13的旁边注入密封树脂23,则在电路元件13与第2凹部21底面之间就充填了密封树脂23。
第3步,在电路元件13的表面注入热传导性树脂24。然后,在第1凹部20上载放散热板14并向电路元件13方向进行按压、粘接,由此,在散热板14侧方和电路元件13的侧方也充填热传导性树脂24。另外,在粘接时,由于散热板14的端部由第1凹部20的底面端部、即凹部19的阶梯部分来限制,故可将散热板14与电路元件13间的热传导性树脂24形成稳定的厚度。
第4步,在电路板11的第2面22上焊接片状电子元件12。最后,通过附设金属罩壳30以遮住电路板11,就可获得混合模块10。
如此,若把电路板11做成将层叠多个印刷电路基板101~104而形成的多层基板、并通过层叠具有开口部103a、104a的印刷电路基板103~104来形成凹部19,则可在电路板11的整个区域使密度做得均匀。另一方面,当层叠未形成有开口部的印刷电路基板、并用冲压加工等方法形成凹部时,则在电路板的内部局部密度就不同。由此,由于因周围的温度和湿度变化而使电路板产生翘曲,故产生了切断电路图的情况,电路元件的安装性能就极其低下。但是,如前所述制成的电路板11在整个区域密度是均匀的,因此,可防止这种不良情况的产生。
下面,就该混合模块10安装在主电路板50上的方法进行说明。如图6所示,在主电路板50的规定部位,形成有用来与混合模块10的端子电极17连接的电路图51。另外,在搭载混合模块10时,在与散热板14相对的部位,形成有热传导膜52。这里,热传导膜52就是在主电路板50上与电路图15同样形成的导体膜,例如,是以铜为主要成分的膜。将混合模块10安装在主电路板50上,只要将端子电极17与电路图51、散热板14与热传导膜52分别进行焊接即可。
如此,在主电路板50上不仅焊接混合模块10的端子电极,而且还通过焊接散热板14,可将电路元件13所产生的热量有效地传导到主电路板50。另外,由于散热板14焊接在热传导膜52上故可提高混合模块10与主电路板50间的连接强度。另外,当热传导膜52在主电路板50中与地面连接时,尤其在高频区域,电气特性稳定,散热性也提高。此外,即使不焊接散热板14与热传导膜52,仅使其抵接,或通过热传导性树脂来使其抵接也可以。还有,也可不通过热传导膜52而将散热板14直接与主电路板50的表面抵接。
如上详细陈述,在该混合模块10中,电路元件13所产生的热量,从其表面通过热传导性树脂24、散热板14而向主电路板50散热。因此,不必通过电路板11就可散热,故散热性能优异。这里,由于散热板14通过热传导性树脂24而与电路元件13的表面接合,故电路元件13所产生的热量可有效地传导到主电路板50。尤其,因散热板14的表面具有一定的表面光洁度,故其热传导是高效率的。另外,在散热板14上因进行了电镀处理,故与主电路板50的热传导膜52的接合性能也优异。因此,热传导更高效,并且接合强度优异。此外,热传导性树脂24由于还充填在0第2凹部21中与电路元件13的间隙,故散热性能更优异。
如此,混合模块10,由于不必通过电路板11而可有效地将电路元件13所产生的热量予以散热,故作为电路板11不必受到热传导率限制而使用各种材料。因此,可以低成本来制造混合模块10。
另外,由于散热板14及电路元件13被容纳于在第1面18所设置的第1凹部20及第2凹部21,故混合模块10可获得小型化。
这里,第1凹部20及第2凹部21,分别如前述那样设定得较大。即,第2凹部21的大小是以电路元件13为基准设定,不必超过必要地将该凹部做大,可有效利用电路板11,从而可将混合模块10小型化。此外,由于在将电路元件13搭载在第2凹部21上时,定位等变得容易,故安装性能也优异。
另外,由于第2凹部21的深度也是以电路元件13为基准设定的,故可将夹装在电路元件13与散热板14之间的热传导性树脂24的厚度稳定化,从而可稳定热阻。
此外,由于第1凹部20的大小是以电路元件13为基准设定的,故不必超过必要地将该凹部做大,从而可有效利用电路板11。因此,可将混合模块10小型化。
此外,由于第1凹部20的深度是以散热板14的厚度为基准设定的,故可将电路板11的第1面18与散热板14做成大致同一平面。即,混合模块10的底面是平滑的,由此,在主电路板50上的安装性能是优异的。尤其,散热板14与主电路板50的热传导膜52的接合性能是优异的。另外,散热板14由于埋入电路板11中,故散热板14与电路板11的连接强度得到提高。
此外,由于电路板11由具有与电路元件13同等的线膨胀系数的陶瓷构成,故可缓和因周围温度和湿度的变化而在电路板11与电路元件13之间所产生的应力,由此,可防止电路板11与电路元件13间的剥离,获得高可靠性。
此外,由于热传导性树脂24的线膨胀系数与电路元件13和散热板14及电路板11的线膨胀系数大致相等,故可缓和电路元件13与散热板14及第1凹部20内面之间所产生的应力。因此,在受到热循环试验等那样的温度变化的场合,也可防止散热板14与电路元件13及电路板11之间的剥离,由此,可防止因该剥离导致热阻上升及连接强度下降,获得稳定的散热性能。
此外,由于密封树脂23的线膨胀系数与电路元件13及电路板11的线膨胀系数大致相等,故在受到热循环试验等那样的温度变化的场合,可缓和作用于电路元件13上的应力,由此,可防止因密封树脂23的剥离导致电路板11与电路元件13之间产生不良的接合及电路元件13的破坏。
另外,在本实施形态中,作为密封树脂23,使用了线膨胀系数α3与电路板11及电路元件13的线膨胀系数α1、α2大致相等的密封树脂,但即使使用线膨胀系数α3小于20ppm/℃的密封树脂,也可获得大致同样的效果。
此外,作为密封树脂23,也可使用小于2000cps的低粘度、且含有直径小于10μm的填充物的树脂。在该场合,在通过将模块小型化而使得第2凹部21的底面与电路元件13之间的间隙变小的情况下,也可在制造时容易地将密封树脂23充填在该间隙中。
此外,若将耐湿性高的硅类树脂用作为密封树脂23,则可加强防止水分渗透第2凹部21底面与电路元件13之间,由此,能可靠地防止因水分渗透导致电路元件13端子电极间的短路。即,可进一步提高耐湿性及可靠性。
另外,在本实施形态中,作为热传导性树脂24,使用了线膨胀系数α5与电路元件13及散热板14的线膨胀系数α2、α4大致相等的热传导性树脂,但也可使用线膨胀系数α5小于30ppm/℃的热传导性树脂。此外,还可使用纵弹性模量(弹性率)低的树脂,较合适的是具有小于1000kg f/mm2的纵弹性模量的树脂。热传导性树脂24的纵弹性模量(弹性率),例如可通过将Al2O3、AlN、BN等的绝缘填充物或Ag、Cu等导电填充物混入树脂中而使其下降。另外,通过将填充物混入热传导性树脂24,可进一步提高热传导率,可使热阻下降。
此外,作为热传导性树脂24,也可使用小于5000cps的低粘度、且含有直径小于10μm的填充物的树脂,由此,因可将热传导性树脂24的厚度做薄,故可获得混合模块10的小型化,由此,还可进一步降低热阻,可使散热效率提高。
另外,在本实施形态中,作为高频功率放大用的电路元件13,使用了GaAsMES型FET。在用了该FET的情况下,因在元件内部的电子移动快速,故元件的发热就少。另外,由于GaAs的线膨胀系数比硅(Si)大,为6ppm/℃,接近于电路板11、散热板14及热传导性树脂24的线膨胀系数,故因温度变化所产生的应力就小。因此,作为构成混合模块10的电路元件13的元件是合适的。
另一方面,也可用其它元件来代替这种GaAsMES型FET。例如,GaAsPHEMT型FET或InP类FET等。在使用GaAsPHEMT型FET的情况下,由于在元件内部的电子移动速度比MES型FET快,故可进一步减少元件的发热。另外,在使用InP类FET的情况下,由于在元件内部的电子移动速度比GaAs快,故可进一步减少元件的发热。此外,由于线膨胀系数比硅(Si)大,为5ppm/℃,故因温度变化所产生的应力就小。因此,作为构成混合模块10的电路元件13的元件是合适的。
另外,对于电路元件13的端子电极间的绝缘(钝化),最好使用SiN或SiO2或它们的复合膜。若用这些,即使密封树脂的防湿性不充分,也不会使元件的特性恶化。另外,即使密封树脂23产生空隙而进入水分,也不使元件的可靠性下降。此外,即使密封树脂23的残留离子较多,然而由于元件的可靠性未下降,故可使用价廉的密封树脂23。
另外,在本实施形态中,作为电路元件13的安装方法,应用了倒装片方式,但本发明不限于此,例如,也可用梁式引线方式等来安装电路元件。
另外,在本实施形态中,例示了安装1个发热性电路元件13的混合模块10,但也可是安装了多个电路元件13的混合模块。在该场合,也可获得与本实施形态相同的效果。这里,在使用多个发热性FET的情况下,最好使用将这些多个FET形成在1个GaAS上的电路元件,从而,可比个别安装多个FET缩小安装面积,同时,因以一次性的安装作业来完成,故可降低安装成本。此外,与个别安装多个FET的情况相比,可容易使其与散热板14或主电路板50接触,可使散热性能稳定化。
另外,也可用图7所示的散热板61来代替在本实施形态中所用的散热板14。这里,图7是从第1面侧看到的其它例子的混合模块的外观立体图。该散热板61,在中央部具有调整孔62。该调整孔62是对夹装在散热板61与电路元件13间的热传导性树脂24的厚度进行调整用的。在该调整孔62中充填有热传导性树脂24。在制造该混合模块60时,在注入热传导性树脂24的工序中,其注入量设定得稍多,由此,当将散热板61嵌入第1凹部20、向电路元件13方向按压时,多余的热传导性树脂24就被充填在该调整孔62中。尤其在热传导性树脂24的量较多的场合,可从调整孔62排出多余的热传导性树脂24。也就是说,可将夹装在散热板61与电路元件13之间的热传导性树脂24的厚度稳定化。此外,被排出的热传导性树脂24仅用适当的方法来去除即可。
又,在本实施形态中,是通过散热板14将电路元件13的发热传导到主电路板50的,但象图8所示的混合模块70那样不设置散热板14,也可将电路元件13的背面直接抵接或焊接等与导体膜52连接。
下面,就本发明的第2实施形态结合图9进行说明。图9是混合模块的侧面剖视图。图中,与第1实施形态相同的构件标上相同的符号。
本实施形态的混合模块80与第1实施形态的混合模块10的不同点是形成在电路板上的电路图。下面说明其不同点。
混合模块80的电路板81是与所述电路板11相同的多层基板,且在表层及内层上形成电路图82。该电路板81具有三片型带状线83作为电路图82。该三片型带状线83包括信号线83a、夹持该信号线83a的2个接地线83b、83c。一个接地线83c形成在电路板81的内层。而信号线83a成为信号输送到电路元件13的信号供给线路以及信号从电路元件13输出的信号输出线路。
在如此的混合模块80中,带状线83,由于夹持信号线83a的2个接地线83b、83c中的至少一个由形成在电路板81内层的三片型构成,故可有效利用电路板11的体积,并可获得模块的小型化。其它作用及效果与第1实施形态相同。
下面,就本发明第3实施形态结合图10进行说明。图10是混合模块的侧面剖视图。图中,与第1实施形态相同的构件标上相同的符号。
本实施形态的混合模块90与第1实施形态的混合模块10的不同点是形成在电路板上的电路图。下面说明其不同点。
混合模块90的电路板91是与所述电路板11相同的多层基板,且在表层及内层上形成电路图92。该电路图92也在第2凹部21的底面上形成,电路元件13被安装在该电路图92上。另外,在电路板91的安装有电路元件13的层上,在所述电路图92以外的部分形成有与该电路图绝缘的接地导体图93。该接地导体图93与用作接地的端子电极94连接。
在如此的混合模块90中,提高了安装在电路板90上的片状电子元件12或电路图92与主电路板50之间的绝缘。因此,可获得具有良好特性的无偏差的混合模块。此外,在安装该混合模块时,若对与散热板14接合的主电路板的热传导膜进行接地连接,则可进一步提高对于电路元件13的保护效果。其它作用及效果与第1实施形态相同。
另外,本发明所述的实施例不限于所举的示例。

Claims (8)

1.一种混合模块,包括电路板(81)和安装在该电路板(81)上具有发热性的电路元件(13),在使电路板(81)的第一面(18)相对主电路板(50)安装的混合模块中,其特征在于,
在所述电路板(81)的所述第一面(18)上形成第一凹部(20),
在第一凹部(20)的底面形成第二凹部(21),
所述电路元件(13)面朝下接合在第二凹部(21)内,
在第一凹部(20)中设有将所述电路元件(13)所产生的热量向所述主电路板(50)传导的散热板(14,61),
热传导性树脂(24)填充在电路元件(13)与散热板(14,61)之间、以及第一凹部(20)的底面与散热板(14,61)之间,
所述电路板(81)由多层基板构成,在所述电路板(81)上形成有带状线(83),所述带状线(83)中的至少一个由至少一个接地线(83c)形成在电路板(11)内层的三片型带状线(83)构成。
2.如权利要求1所述的混合模块,其特征在于,所述热传导性树脂(24)填充在第一凹部(20)的侧壁与散热板(14,61)之间。
3.如权利要求1所述的混合模块,其特征在于,所述热传导性树脂(24)填充在第二凹部(21)的侧壁与电路元件(13)之间。
4.如权利要求1所述的混合模块,其特征在于,树脂(23)填充在第二凹部(21)的底面与电路元件(13)之间,以防止水分侵入电路元件(13)。
5.如权利要求1所述的混合模块,其特征在于,所述电路元件(13)通过凸起安装在第二凹部(21)的底面上形成的电路图(15,82,92)上。
6.如权利要求5所述的混合模块,其特征在于,第二凹部(21)的深度与从第二凹部(21)的底面至电路元件(13)的顶面为止的高度相等或比其小。
7.如权利要求4所述的混合模块,其特征在于,所述电路板(81)由具有与所述电路元件(13)相同的线膨胀系数的陶瓷基板构成,所述树脂(23)具有20ppm/℃以下的线膨胀系数。
8.如权利要求4所述的混合模块,其特征在于,所述电路板(81)由具有与所述电路元件(13)相同的线膨胀系数的陶瓷基板构成,所述树脂(23)由具有耐湿性的硅类树脂构成。
CNB991018370A 1998-01-30 1999-01-29 混合模块及其制造方法与其安装方法 Expired - Fee Related CN1319422C (zh)

Applications Claiming Priority (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1934298A JPH11220226A (ja) 1998-01-30 1998-01-30 ハイブリッドモジュール
JP019342/98 1998-01-30
JP1933698A JPH11220225A (ja) 1998-01-30 1998-01-30 ハイブリッドモジュール
JP1935398A JPH11220228A (ja) 1998-01-30 1998-01-30 ハイブリッドモジュール
JP019336/98 1998-01-30
JP019353/98 1998-01-30
JP019349/98 1998-01-30
JP01934998A JP3842887B2 (ja) 1998-01-30 1998-01-30 ハイブリッドモジュール

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1229330A CN1229330A (zh) 1999-09-22
CN1319422C true CN1319422C (zh) 2007-05-30

Family

ID=27457168

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB991018370A Expired - Fee Related CN1319422C (zh) 1998-01-30 1999-01-29 混合模块及其制造方法与其安装方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6163456A (zh)
EP (1) EP0933816B1 (zh)
KR (1) KR100563122B1 (zh)
CN (1) CN1319422C (zh)
DE (1) DE69935628T2 (zh)
HK (1) HK1021608A1 (zh)

Families Citing this family (58)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9054094B2 (en) 1997-04-08 2015-06-09 X2Y Attenuators, Llc Energy conditioning circuit arrangement for integrated circuit
US7321485B2 (en) 1997-04-08 2008-01-22 X2Y Attenuators, Llc Arrangement for energy conditioning
US7301748B2 (en) 1997-04-08 2007-11-27 Anthony Anthony A Universal energy conditioning interposer with circuit architecture
US7336468B2 (en) 1997-04-08 2008-02-26 X2Y Attenuators, Llc Arrangement for energy conditioning
JP2000200977A (ja) * 1998-10-26 2000-07-18 Taiyo Yuden Co Ltd ハイブリッドモジュ―ル
TW484344B (en) * 1998-10-26 2002-04-21 Taiyo Yuden Kk Hybrid module
JP3465617B2 (ja) 1999-02-15 2003-11-10 カシオ計算機株式会社 半導体装置
WO2001008221A1 (fr) * 1999-07-26 2001-02-01 Tdk Corporation Module haute frequence
US6631555B1 (en) * 2000-02-08 2003-10-14 Cardiac Pacemakers, Inc. Method of thin film deposition as an active conductor
TW511409B (en) * 2000-05-16 2002-11-21 Hitachi Aic Inc Printed wiring board having cavity for mounting electronic parts therein and method for manufacturing thereof
JP3680713B2 (ja) * 2000-07-21 2005-08-10 株式会社村田製作所 絶縁体磁器、セラミック多層基板、セラミック電子部品及び積層セラミック電子部品
SG99939A1 (en) 2000-08-11 2003-11-27 Casio Computer Co Ltd Semiconductor device
US7506438B1 (en) * 2000-11-14 2009-03-24 Freescale Semiconductor, Inc. Low profile integrated module interconnects and method of fabrication
JP2002217338A (ja) * 2001-01-19 2002-08-02 Nec Corp 半導体装置の放熱装置、及び、その製造方法
KR100488412B1 (ko) * 2001-06-13 2005-05-11 가부시키가이샤 덴소 내장된 전기소자를 갖는 인쇄 배선 기판 및 그 제조 방법
CN101370360B (zh) * 2001-06-13 2011-04-27 株式会社电装 埋有电子器件的印刷线路板及其制造方法
US6740959B2 (en) * 2001-08-01 2004-05-25 International Business Machines Corporation EMI shielding for semiconductor chip carriers
US6787916B2 (en) 2001-09-13 2004-09-07 Tru-Si Technologies, Inc. Structures having a substrate with a cavity and having an integrated circuit bonded to a contact pad located in the cavity
JP3890947B2 (ja) * 2001-10-17 2007-03-07 松下電器産業株式会社 高周波半導体装置
TW544882B (en) 2001-12-31 2003-08-01 Megic Corp Chip package structure and process thereof
TW584950B (en) 2001-12-31 2004-04-21 Megic Corp Chip packaging structure and process thereof
US6673698B1 (en) 2002-01-19 2004-01-06 Megic Corporation Thin film semiconductor package utilizing a glass substrate with composite polymer/metal interconnect layers
TW503496B (en) 2001-12-31 2002-09-21 Megic Corp Chip packaging structure and manufacturing process of the same
JP2003258192A (ja) * 2002-03-01 2003-09-12 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法
US20030178719A1 (en) * 2002-03-22 2003-09-25 Combs Edward G. Enhanced thermal dissipation integrated circuit package and method of manufacturing enhanced thermal dissipation integrated circuit package
JP2004063664A (ja) * 2002-07-26 2004-02-26 Murata Mfg Co Ltd キャビティ付き多層セラミック基板
EP1394857A3 (en) * 2002-08-28 2004-04-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor device
JP3835381B2 (ja) * 2002-09-04 2006-10-18 株式会社村田製作所 積層型電子部品
US20040197284A1 (en) * 2003-04-04 2004-10-07 Frederic Auguste Cosmetic composition comprising a volatile fatty phase
US7049170B2 (en) 2003-12-17 2006-05-23 Tru-Si Technologies, Inc. Integrated circuits and packaging substrates with cavities, and attachment methods including insertion of protruding contact pads into cavities
US7060601B2 (en) * 2003-12-17 2006-06-13 Tru-Si Technologies, Inc. Packaging substrates for integrated circuits and soldering methods
US7675729B2 (en) 2003-12-22 2010-03-09 X2Y Attenuators, Llc Internally shielded energy conditioner
US7489032B2 (en) * 2003-12-25 2009-02-10 Casio Computer Co., Ltd. Semiconductor device including a hard sheet to reduce warping of a base plate and method of fabricating the same
WO2005078796A1 (ja) * 2004-02-13 2005-08-25 Murata Manufacturing Co., Ltd. 電子部品及びその製造方法
US7208342B2 (en) * 2004-05-27 2007-04-24 Intel Corporation Package warpage control
US20110169162A1 (en) * 2004-09-23 2011-07-14 Torben Baras Integrated Circuit Module and Multichip Circuit Module Comprising an Integrated Circuit Module of This Type
US7365273B2 (en) * 2004-12-03 2008-04-29 Delphi Technologies, Inc. Thermal management of surface-mount circuit devices
WO2006093831A2 (en) 2005-03-01 2006-09-08 X2Y Attenuators, Llc Energy conditioner with tied through electrodes
GB2439862A (en) 2005-03-01 2008-01-09 X2Y Attenuators Llc Conditioner with coplanar conductors
US8389867B2 (en) * 2005-09-30 2013-03-05 Ibiden Co., Ltd. Multilayered circuit substrate with semiconductor device incorporated therein
US20070158811A1 (en) * 2006-01-11 2007-07-12 James Douglas Wehrly Low profile managed memory component
EP1991996A1 (en) 2006-03-07 2008-11-19 X2Y Attenuators, L.L.C. Energy conditioner structures
JP5135697B2 (ja) * 2006-03-27 2013-02-06 栗田工業株式会社 界面活性剤含有排水の処理方法
US7569422B2 (en) 2006-08-11 2009-08-04 Megica Corporation Chip package and method for fabricating the same
WO2009078767A1 (en) * 2007-12-17 2009-06-25 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) A device for reducing thermal stress on connection points
KR101089840B1 (ko) * 2009-04-01 2011-12-05 삼성전기주식회사 회로 기판 모듈 및 그의 제조 방법
KR101077410B1 (ko) * 2009-05-15 2011-10-26 삼성전기주식회사 방열부재를 구비한 전자부품 내장형 인쇄회로기판 및 그 제조방법
JP5110049B2 (ja) * 2009-07-16 2012-12-26 株式会社デンソー 電子制御装置
US20120314390A1 (en) * 2010-03-03 2012-12-13 Mutual-Tek Industries Co., Ltd. Multilayer circuit board
DE102011088256A1 (de) * 2011-12-12 2013-06-13 Zf Friedrichshafen Ag Multilayer-Leiterplatte sowie Anordnung mit einer solchen
TWI459521B (zh) * 2012-03-08 2014-11-01 矽品精密工業股份有限公司 半導體封裝件及其製法
WO2014017228A1 (ja) * 2012-07-26 2014-01-30 株式会社村田製作所 モジュール
JP2014093414A (ja) * 2012-11-02 2014-05-19 Hitachi Automotive Systems Ltd 電子制御装置
JP5716972B2 (ja) 2013-02-05 2015-05-13 株式会社デンソー 電子部品の放熱構造およびその製造方法
US10104806B2 (en) * 2015-09-04 2018-10-16 Toshiba Memory Corporation Semiconductor storage device
WO2018168653A1 (ja) * 2017-03-14 2018-09-20 株式会社村田製作所 高周波モジュール
CN111684785B (zh) * 2018-01-29 2021-06-04 富士胶片株式会社 摄像单元及摄像装置
US11646253B2 (en) * 2018-04-02 2023-05-09 Intel Corporation Ball interconnect structures for surface mount components

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2554275A1 (fr) * 1983-10-26 1985-05-03 Radiotechnique Compelec Dispositif de connexion pour un semi-conducteur de puissance
US4561006A (en) * 1982-07-06 1985-12-24 Sperry Corporation Integrated circuit package with integral heating circuit
WO1992006496A1 (de) * 1990-10-06 1992-04-16 Robert Bosch Gmbh Mehrlagenhybride mit leistungsbauelementen
EP0558984A2 (en) * 1992-03-06 1993-09-08 International Business Machines Corporation Hybrid ceramic thin-film module structure
US5367434A (en) * 1993-05-06 1994-11-22 Motorola, Inc. Electrical module assembly

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0812887B2 (ja) * 1985-04-13 1996-02-07 富士通株式会社 高速集積回路パツケ−ジ
JP2813682B2 (ja) * 1989-11-09 1998-10-22 イビデン株式会社 電子部品搭載用基板
DE4418426B4 (de) * 1993-09-08 2007-08-02 Mitsubishi Denki K.K. Halbleiterleistungsmodul und Verfahren zur Herstellung des Halbleiterleistungsmoduls
JP2901835B2 (ja) * 1993-04-05 1999-06-07 株式会社東芝 半導体装置
EP0723293B1 (en) * 1994-12-16 2001-08-01 Seiko Epson Corporation Semiconductor device with a heat sink and method of producing the heat sink
US5572405A (en) * 1995-06-07 1996-11-05 International Business Machines Corporation (Ibm) Thermally enhanced ball grid array package
FR2735648B1 (fr) * 1995-06-13 1997-07-11 Bull Sa Procede de refroidissement d'un circuit integre monte dans un boitier
KR19990028818A (ko) * 1995-07-14 1999-04-15 와인스타인 폴 금속 볼 그리드 전자 패키지
JPH1050926A (ja) * 1996-07-31 1998-02-20 Taiyo Yuden Co Ltd ハイブリッドモジュール

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4561006A (en) * 1982-07-06 1985-12-24 Sperry Corporation Integrated circuit package with integral heating circuit
FR2554275A1 (fr) * 1983-10-26 1985-05-03 Radiotechnique Compelec Dispositif de connexion pour un semi-conducteur de puissance
WO1992006496A1 (de) * 1990-10-06 1992-04-16 Robert Bosch Gmbh Mehrlagenhybride mit leistungsbauelementen
EP0558984A2 (en) * 1992-03-06 1993-09-08 International Business Machines Corporation Hybrid ceramic thin-film module structure
US5367434A (en) * 1993-05-06 1994-11-22 Motorola, Inc. Electrical module assembly

Also Published As

Publication number Publication date
EP0933816A3 (en) 2000-04-05
US6163456A (en) 2000-12-19
KR100563122B1 (ko) 2006-03-21
CN1229330A (zh) 1999-09-22
EP0933816B1 (en) 2007-03-28
HK1021608A1 (en) 2000-06-16
DE69935628D1 (de) 2007-05-10
KR19990068180A (ko) 1999-08-25
DE69935628T2 (de) 2008-01-31
EP0933816A2 (en) 1999-08-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1319422C (zh) 混合模块及其制造方法与其安装方法
RU2185042C2 (ru) Термоэлектрический модуль с улучшенным теплообменом и способ его изготовления
JP3084230B2 (ja) ボール・グリッド・アレイ・パッケージ
US6881071B2 (en) Power semiconductor module with pressure contact means
US9035453B2 (en) Semiconductor device
US6777814B2 (en) Semiconductor device
US20050093131A1 (en) Semiconductor device having metal plates and semiconductor chip
KR20190018812A (ko) 반도체 패키지와 이를 구비하는 전자 기기
US11903120B2 (en) Radio frequency module
JPH11163501A (ja) 電子部品の実装方法、およびその方法によって製造された電子回路装置
US7049171B2 (en) Electrical package employing segmented connector and solder joint
US10174914B2 (en) Light-emitting-element mounting substrate, light emitting device, and light emitting module
CN112714539A (zh) 电子组件及制造电子组件的方法
JPH08335650A (ja) 半導体素子収納用パッケージ
JPH11150214A (ja) 半導体集積回路装置及びその半導体ベアチップ実装方法
US10388628B2 (en) Electronic component package
JP3065288B2 (ja) 半導体ベアチップの封止方法、半導体集積回路装置、および半導体集積回路装置の製造方法
US20240057255A1 (en) Method of manufacturing a printed circuit board assembly
JP3359521B2 (ja) 半導体装置の製造方法
CN209747497U (zh) 一种芯片基板和封装芯片
CN110168709B (zh) 具有用于连接半导体芯片的第一和第二连接元件的半导体模块及制造方法
JP3305574B2 (ja) 配線基板
JPH11220226A (ja) ハイブリッドモジュール
JP3292646B2 (ja) 配線基板及びその製造方法
JP2002217327A (ja) 半導体素子収納用パッケージおよびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20070530

Termination date: 20140129