KR19990028818A - 금속 볼 그리드 전자 패키지 - Google Patents

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KR19990028818A
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피터 더블유. 로빈슨
디팩 마훌리카
폴 알. 호프만
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와인스타인 폴
오린 코포레이션
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Abstract

금속 베이스(12)를 갖는 볼 그리드 어레이 전자 패키지(40)의 벤딩은 패키지 베이스(12)가 주기적으로 가열 및 냉각될 때 솔더 볼(36)의 최내각 열에 부가되는 응력을 최소로 감소시킨다. 솔더 볼(36)에 부가되는 응력의 감소는 솔더 볼(36) 파손이 디바이스(20) 파손을 일으키기 전의 열 사이클의 수를 증가시킨다. 벤딩 모멘트를 감소시키기 위해 개시된 수단들 중에, 바이메탈(44, 46) 복합 베이스, 일체 스티프너(72), 외부 구조체(30)에 접합된 중심에 배치된 커버(52) 및 함몰부(64)를 수용하는 응력을 갖는 패키지 베이스(12)가 있다.

Description

금속 볼 그리드 전자 패키지
볼 그리드 어레이 전자 패키지는 반도체 칩에 기초한 실리콘과 같은 1개 이상의 집적회로에 내장하기 위해 사용되었다. 패키지는 복수의 금속 회로 트레이스를 구비한 기본 성분을 갖는다. 반도체 디바이스는 기본 성분의 중심부에 결합되고 회로 트레이스의 내부 단부에 전기적으로 상호접속된다. 회로 트레이스의 대향하는 외부 단부는 어레이를 형성한다. 솔더 볼은 어레이의 포인트에 결합된다. 또한 이들 솔더 볼은 인쇄 배선 회로 기판(printed circuit board)등의 외부 구조체에 패키지를 접합시킨다. 커버는 기본 성분의 중심부, 반도체 디바이스 및 회로 트레이스의 내부 단부를 캡슐화한다.
통상, 기본 성분은 뮬렌 3세 등에 의한 미국특허번호 제 5,241,133 호에 개시된 플라스틱이나 또는 1996년 2월 1일자로 공개된 PCT 국제특허공개번호 제 WO96/02942 호에 개시된 세라믹, 금속 등에 의해 형성된다.
만약 전자 패키지 베이스 및 외부 구조체의 열팽창계수가 다르다면, 솔더 볼의 피로와 관련된 파손이 발생할 수도 있다. 작동시 반도체 디바이스가 열을 발생하는 결과로서 여러 성분의 가열은 솔더 볼상에 응력의 원인이 되는 여러 성분의 팽창 편차를 일으킨다. 이 응력의 주기적 반복은 솔더 볼을 통해 전파된다. 균열이 솔더 볼의 직경을 가로질러 확장될 때 패키지는 떨어진다.
솔더 볼 피로는 볼 그리드 어레이 패키지를 위한 플라스틱 및 세라믹 베이스 성분에 대해 연구되어 왔다. 세라믹 패키지에서, 솔더 볼에 부가되는 응력은 베이스 성분의 결합 평면 및 첫 번째로 파손하는 베이스의 외주에 가장 가까운 열의 솔더 볼에 평행하다. 패키지의 중심으로 부터 이 외부 열까지 증가된 거리는 패키지 베이스의 열 유도 이동에 의해 솔더 볼에 부가되는 응력을 증가시킨다.
세라믹 베이스 성분내에 솔더 볼 피로를 감소시키기 위한 한 기구는 가너에 의한 미국특허 제 4,581,680 호에 개시되었다. 가너 특허는 외부 열에 솔더 볼의 높이를 증가시키는 것에 의해 솔더 조인트의 탄성 한계가 증가된다.
가너 해결책은 볼 그리드 어레이 패키지의 금속 베이스 성분에 응용할 수 없다. 금속 베이스에서 솔더 볼 파손은 최내각 열에 솔더 볼에서 나타날 것으로 추측된다.
플라스틱 패키지에서, 통상 반도체 디바이스의 외주 밑에 있는 솔더 볼의 열이 첫 번째로 떨어진다.
그러므로, 금속의 열전도율의 장점을 유지하면서 솔더 볼 내피로성을 갖는 금속 볼 그리드 어레이 패키지가 요구되고 있다.
본 발명은 볼 그리드 어레이 전자 패키지를 위한 금속 성분에 관한 것이다. 특히, 벤딩이 피로(fatigue)로 인한 솔더 볼(solder ball) 파손을 최소화한 금속 성분에 관한 것이다.
도 1은 종래 기술로부터 공지된 볼 그리드 어레이 전자 패키지를 나타내는 단면도.
도 2는 금속 볼 그리드 어레이 전자 패키지 베이스의 벤딩을 나타내는 단면도.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 패키지 베이스의 벤딩 모멘트를 감소하기 위한 구조체를 나타내는 단면도.
도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 패키지 베이스의 벤딩 모멘트를 감소하기 위한 구조체를 나타내는 단면도.
도 5는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 패키지 베이스의 벤딩 모멘트를 감소하기 위한 구조체를 나타내는 단면도.
도 6은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 패키지 베이스의 벤딩 모멘트를 감소하기 위한 구조체를 나타내는 단면도.
따라서, 본 발명의 목적은 솔더 볼에 인가되는 응력을 감소시키고 솔더 볼 피로 및 파손을 감소시키는 금속 볼 그리드 어레이 전자 패키지를 제공하기 위한 것이다.
본 발명에 따른 볼 그리드 어레이 패키지 베이스의 벤딩이 다음중 1가지 이상에 의해 감소된다.
(1) 일체의 스티프너(stiffener)를 구비한 베이스의 형성
(2) 외부 구조체에 커버 성분의 접합
(3) 베이스에 함몰부를 줄이는 응력의 형성
본 발명의 장점은 솔더 볼에 인가되는 응력을 줄이면서 벤딩 모멘트가 감소되는 것이다. 이것은 솔더 볼 피로 및 솔더 볼 파손을 감소시키고 그리하여 디바이스 파손을 감소시킨다.
본 발명은 전자 패키지를 위한 성분에 제공된다. 성분은 제 1 수평부분 및 그 제 1 수평부분과 일체인 제 2 수평부분을 갖는다. 제 1 수평부분은 복수의 금속 회로 트레이스를 포함한다. 제 2 수평부분은 제 1 수평부분보다 작은 열팽창계수를 갖는다.
본 발명의 일실시예에서, 베이스 성분은 중심부에 접합된 반도체 디바이스를 갖고 금속 회로 트레이스의 내부 단부에 전기적으로 연결된다. 솔더 볼은 금속 회로 트레이스의 외부 단부에 접합되고 커버 성분은 반도체 디바이스 및 회로 트레이스의 내부를 캡슐화한다. 커버는 외부 구조체에 결합된다.
본 발명의 다른 실시예에서, 볼 그리드 어레이 패키지 베이스는 그 사이에 함몰부가 배치되는 주변부 및 중심부를 갖는다.
상술한 목적, 특징 및 장점은 발명의 상세한 설명 및 도면으로 부터 보다 명확해질 것이다.
도 1은 종래 기술로부터 공지된 볼 그리드 전자 패키지(10)를 나타내는 단면도이다. 패키지(10)는 통상 구리, 알루미늄 또는 이들 합금으로 부터 제조된다. 금속 베이스(12) 둘레에 유전층(14)이 있다. 금속 베이스(12)가 알루미늄 합금일 때, 바람직한 유전층은 약 5㎛ 내지 약 50㎛ 두께인 양극 필름이다.
금속 베이스(12)는 바람직하게는 도 1에 도시된 바와 같은 함몰부가 주변부(18)에 의해 둘러싸여 있다. 반도체 디바이스(20)는 고분자 접착제와 같은 적당한 금형 부착제(22)에 의해 중심부(16)에 접합된다.
금속 회로 트레이스(24)는 중심부(16)로부터 주변부(18)까지 연장된다. 반도체 디바이스(20)는 중심부(16)에 인접한 금속 회로 트레이스의 내부 단부에 전기적으로 상호접속된다. 전기적 상호접속은 플립 칩 접합과 같은 반도체 디바이스상에 입/출력 패드에 직접 부착에 의해 또는 테입 자동 접합에 사용된 것같이 구리 포일의 얇은 스트립, 와이어 본드와 같은 통상적인 수단에 의해 이루어진다.
그 후, 고분자 수지 또는 접착적으로 결합되는 불연속 성분이 될 수 있는 커버(26)는 반도체 디바이스(20) 및 금속 회로 트레이스(24)의 내부 단부를 캡슐화한다.
패키지(10)는 인쇄 배선 회로 기판(30) 등의 외부 구조체에 접합된다. 인쇄 배선 회로 기판(30)은 유리-충전 에폭시 수지 또는 세라믹으로 형성된 유전 기판(32)을 갖는다. 금속 회로 트레이스(34)는 금속 회로 트레이스(24)의 외부 단부에 의해 형성된 어레이 패턴과 일치되는 어레이 패턴을 형성한다. 통상, 납/주석 합금인 솔더 볼(36)은 2개의 어레이를 접합하고 전기적으로 상호 접속한다.
전기 신호가 반도체 디바이스(20)를 통과할 때, 전기 에너지의 일부는 열로 전환된다. 이 열은 금속 베이스(12)로 통과하고 그곳으로 부터 다른 패키지 성분내로 다른 양으로 모든 성분에 확장을 일으킨다.
도 2는 금속 베이스(12)의 또 다른 위치설정을 나타내는 단면도이다. 파선은 실온(20℃)에서 금속 베이스(12)를 나타낸다. 실선은 금속 베이스(12)가 가열될 때 어떻게 변형되는 지를 확대된 형태로 나타낸다. 인쇄 배선 회로 기판(30)의 열팽창계수와 동일한 열팽창계수를 갖는 플라스틱 베이스와는 다르게, 알루미늄은 구부러진다. 이 비틀림의 결과는 솔더 볼의 최내각 열(38)이 Z방향(금속 회로 트레이스(24)의 평면에 수직한)으로 신장되는 것이다. 최내각 열(38)로 부터 밖으로 향할수록 솔더 볼(36)의 각 열은 Z방향으로 점진적으로 덜 신장된다.
최내각 열(38)의 스트레싱의 결과는 알루미늄 합금 베이스를 갖는 볼 그리드 어레이 전자 패키지내에 최내각 열은 약 2,600 회의 열순환후에 떨어진다. 최외각 열은 떨어지기 전에 약 56,000 회의 열 순환을 견딘다. 벤딩을 감소하는 것에 의해, 도 2의 2개의 다른 구조의 중심부(16) 위치간에 거리 "D" 와 솔더 볼(36)의 최내각 열(38)상에 Z방향 응력은 모두 감소된다. 도 3 내지 도 6은 이 결과를 성취하는 전자 패키지 구조를 나타낸 것이다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 금속 볼 그리드 어레이 전자 패키지(40)를 나타낸 것이다. 금속 볼 그리드 어레이 패키지(40)의 여러 구조체는 도 1의 패키지의 구조체와 유사하고 동일한 도면 부호로 표시하였다. 패키지(40)의 베이스 성분(42)은 제 1 수평부(44) 및 제 2 수평부(46)를 갖는 복합 재료이다. 제 1 수평부(44) 및 제 2 수평부(46)간에 부착은 접합 또는 화학적 상호작용(즉, 화학증기증착 또는 화학 변환 코팅등)에 의해 될 수 있다.
금속 회로 트레이스(24)는 유전층(14)을 갖는 제 1 수평부(44) 위에 형성된다. 벤딩을 감소시키기 위해, 제 2 수평부(46)는 베이스(42)가 동작시 반도체 디바이스(20)를 가열하는 것에 의해 얻어지는 온도에서 낮은 열팽창계수를 갖는다. 가열할 때 2가지 금속으로 된 베이스 구조체는 도 2에 도시된 바와 같이 베이스의 벤딩 방향에 반대 방향으로 굽어진다.
바람직하게는, 보다 높은 탄성률을 갖는 제 2 부분은 제 1 부분보다 강하다.
제 1 실시예에서, 제 2 수평부(46)는 구리 또는 구리 합금이고 제 1 수평부(44)는 알루미늄 또는 알루미늄 합금이다. 제 1 수평부(44)는 제 2 수평부의 두께에 비해 비교적 얇다. 제 1 수평부(44)와 제 2 수평부(46)의 최대 두께의 비는 약 1:5 내지 약 1:10 이고, 바람직하게는 1:6 내지 1:8 이다. 두 부분은 클래딩과 같은 방법에 의해 접합된다.
다른 방법으로는, 제 1 수평부는 플라즈마 증착 또는 제트 증착 등의 증착법에 의해 인가된다. 통상, 제 2 수평부는 구리 또는 구리 합금이고, 본 실시예에서 제 1 수평부는 산화알루미늄, 탄화알루미늄, 질화알루미늄, 탄화규소, 질화규소 또는 다이아몬드형 필름과 같은 세라믹이나 알루미늄이다. 본 실시예에서, 제 1 수평부의 두께는 제 2 수평부(46)의 두께보다 적다. 제 1 수평부(44)와 제 2 수평부(46)의 두께의 비는 약 1:100 내지 1:;1000 이고, 바람직하게는 약 1:200 내지 약 1:400 이다.
제 1 수평부(44)가 세라믹, 유리 또는 다른 절연층일 때, 유전층(14)을 구비할 필요가 없다. 또한, 세라믹과 유리는 대부분의 금속보다 강하기 때문에, 제 1 수평부(44)의 탄성률보다 제 2 수평부의 탄성률이 클 필요는 없다. 도 4에 도시된 제 2 실시예에서, 금속 볼 그리드 어레이 전자 패키지(50)는 반도체 디바이스(20) 및 금속 회로 트레이스(24)의 내부 단부를 캡슐화하는 커버 성분(52)을 갖는다. 벤딩 모멘트를 줄이기 위해, 커버 성분(52)은 인쇄 회로 기판(30)과 같은 외부 구조체에 접합된다. 커버 성분(52)은 고분자 접착제(54) 또는 솔더 또는 브레이즈와 같은 통상 수단에 의해 외부 구조체(30)에 접합된다.
고분자 접착제(54) 또는 다른 접합 수단은 커버(52)의 전체 표면적에 걸쳐 확장되는 것이 아니라, 중앙부, 주변부에서만 또는 양쪽에서 커버를 부착할 수 있다.
도 5는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 단면적을 나타낸 것이다. 금속 볼 그리드 어레이 전자 패키지(60)의 금속 베이스(62)는 중심부(16)과 주변부(18) 사이에 배치된 함몰부(64)를 포함한다. 이 함몰부(64)는 패키지의 중심으로부터 솔더 볼(36)까지 전파되는 힘의 양을 줄이기 위한 응력 완화 모우트(moat)로서 작용한다. 바람직하게는, 함몰부(64)는 성형 수지로 충전되고 통상 그 충전제는 커버 성분(66)의 일부이다.
다른 방법으로는, 연속적 모우트보다는 오히려 중심부의 외주 둘레에 베이스로 연장되는 일련의 호울 또는 슬롯이 응력 완화를 제공한다.
유리 밀봉 전자 패키지를 위한 응력 완화 모우트는 오'도넬리 등에 의한 미국특허 제 5,315,155 호에 개시되었고 금형 부착 접착제가 리드프레임의 내부 리드에 접촉하는 것을 방지하게 위한 모우트는 호프만 등에 의한 미국특허 제 5,239,131 호에 개시되었다.
도 6에 도시된 단면적에 나타낸 실시예에서, 금속 볼 그리드 어레이 전자 패키지(70)는 열 스프레더(heat spreader, 72)를 포함한다. 금속 베이스(12)는 제 1 측면(74)과 일체인 복수의 회로 트레이스(24)를 갖는다. 또한, 1개 이상의 반도체 디바이스(20)는 제 1 측면(74)와 접합된다. 열 스프레더(72)는 금속 베이스(12)의
대향하는 제 2 측면(76)에 접합된다. 열 스프레더(72)는 최소한 반도체 디바이스(20)가 접합되는 중심부(16)에 대향하는 제 2 측면(76) 부분을 커버한다. 그러나, 열 스프레더(72)는 제 2 측면(76)과 대향하는 전체에 걸쳐 확장될 수 있고, 바람직한 실시예에서는 금속 베이스(12)의 측벽(78) 아래까지 확장되어 접착제(80) 등에 의해 인쇄 배선 회로 기판(30)과 같은 외부 구조체에 접합된다.
선행 실시예가 커버 성분으로서 플라스틱 성형 수지를 개시한 반면, 어떤 실시예의 경우에는 적당한 플라스틱, 금속, 세라믹 또는 복합 화합물의 어느 것이나 본 발명의 범위내에 포함할 수 있고, 반도체 디바이스(20) 및 금속 회로 트레이스(24)의 내부 단부를 캡슐화하기 위해 금속 베이스(12)에 접합된다.
본 발명이 볼 그리드 전자 패키지의 견지에서 기술된 반면, 패드 그리드 어레이 패키지 및 핀 그리드 어레이 패키지와 같은 리드레스 전자 패키지에도 동일하게 응용가능하다.
본 발명의 장점은 다음 실시예로부터 보다 명확해 질 것이다. 실시예는 예시이 뿐이고 본 발명의 범위를 제한하는 것은 아니다.
솔더 볼 파손을 일으키는 데 필요한 열 순환 수는 패키지 성분 및 외부 구조체, 유리충전 에폭시 인쇄 배선 회로 기판의 열팽창율과 기타 물성을 고려한 유한 요소 모델링(Finite Element Modelling)을 사용하여 계산하였다. 또한, 납/주석 합금 솔더의 항복 강도 및 스트레인 강화 특성도 고려되었다. 솔더 볼이 볼 그리드 어레이 전자 패키지에서 떨어지는 것을 계산하기 위한 보다 상세한 유한 요소 모델링 기술은 1995년 출간된 죤 에이치. 라우 저술의 "볼 그리드 어레이 기술" 의 13장에 나와 있다. 평가된 4개의 패키지는 다음과 같다.
패키지 A- 이 패키지는 도 1에 도시된 금속 볼 그리드 어레이 패키지(10)와 유사하고 알루미늄 합금 5086(이론 성분이 마그네슘 4.0중량%, 크롬 0.15중량% 및 나머지가 알루미늄)으로 형성된 1.02mm(0.040 인치) 두께의 베이스를 갖는다. 금속 베이스의 중심부는 깊이 0.71mm(0.028 인치)의 깊이를 갖는 공동의 형태이다. 금속 베이스는 정사각형이고 13.5mm(0.5315인치)의 길이 및 폭을 갖는다. 또한, 중심부를 형성하는 공동은 정사각형이고 5.74mm(0.2259인치)의 길이 및 폭을 갖는다.
중심부에 가장 가깝고 열 1로 표시된 최내각 열로 부터 금속 베이스의 측벽에 가장 가깝고 열 4로 표시된 최외각 열까지 연장되는 4열의 솔더 볼은 주변부에 배치된다.
패키지 B- 이 패키지는 금속 베이스(12)가 알루미늄 합금이 아닌 구리로 형성되는 것을 제외하고는 패키지 A와 유사하다.
패키지 C- 이 패키지는 도 3에 도시된 금속 볼 그리드 어레이 패키지(40)와 유사하다. 제 1 수평부(44)는 0.13mm(0.005 인치) 두께의 알루미늄이고 제 2 수평부(46)는 0.89mm(0.035 인치) 두께의 구리이다. 다른 패키지 크기는 패키지 A와 유사하다.
패키지 D - 이 패키지는 성형된 플라스틱 커버가 도 4에 도시된 바와 같이 유리충전 에폭시 수지 인쇄 배선 회로 기판에 접합되는 것을 제외하고는 패키지 A와 유사하다.
각 모델에 대해, 패키지는 다음과 같이 구성되는 각 사이클에 의해 열순환된다.
- 패키지를 5분내에 100℃까지 가열
- 패키지를 5분동안 100℃에서 유지
- 패키지를 5분내에 0℃까지 냉각
- 패키지를 5분동안 0℃까지 유지
사이클은 반복되고 예측되는 파손 사이클의 수는 유한 요소 모델 결과로 부터 계산된다. 각 패키기에 대해, 다음이 계산된다.
특성 수명- 균열을 형성하는 데 필요한 사이클 수는 솔더 볼의 직경과 동일하다.
파손없는 수명- 특성 수명의 1/2
열 신뢰성- 솔더 볼이 주어진 열에서 떨어지기 전에 사이클수의 평가
성분 신뢰성 - 4개 열 신뢰성 값중 최소값
표 1에 도시된 바와 같이, 패키지 C 및 패키지 D 모두 열 1의 솔더 볼의 특성 수명이 증가된다. 가장 극적인 개선은 패키지 D의 경우이다.
패키지 내역 파손되는 예측 사이클
1열 2열 3열 4열
패키지 A 특성 수명파손없는 수명열 신뢰성성분 신뢰성 2611130615911591 219971099813275 1355736778681161 558812794133223
패키지 B 특성 수명파손없는 수명열 신뢰성성분 신뢰성 3372168520552055 535026753229 643232163851 669533473980
패키지 C 특성 수명파손없는 수명열 신뢰성성분 신뢰성 4361218026572657 212151060712803 487732438629198 417572087924826
패키지 D 특성 수명파손없는 수명열 신뢰성성분 신뢰성 456812284027837 622413112037563 602563013336078 30738153691827418274
상술한 목적, 특성 및 장점을 모두 만족시키는 본 발명에 따른 향상된 솔더 조인트 신뢰성을 갖는 금속 베이스를 구비한 볼 그리드 어레이 전자 패키지가 제공된다. 본 발명이 특정한 예시 및 실시예를 기술하였지만, 당업자에 의해 변형 및 변경이 이루어질 것이 명백하다. 따라서, 본 발명의 기본 개념 및 청구범위의 넓은 범위를 벗어나지 않고 다른 방법, 변형 및 변경이 이루어질 수 있다.

Claims (20)

  1. 전자 패키지용 성분에 있어서,
    제 1 수평부(44)를 갖는 바이메탈 기판(42)과,
    상기 제 1 수평부(44)와 일체인 제 2 수평부(46)로 이루어지며,
    상기 제 1 수평부(44)는 복수의 금속 회로 트레이스(24)를 포함하고 상기 제 2 수평부(46)는 제 1 수평부(44)의 열팽창계수 보다 작은 열팽창계수를 갖는 것을 특징으로 하는 전자 패키지용 성분.
  2. 제 1 항에 있어서, 제 1 수평부(44)의 최대 두께와 제 2 수평부(46)의 최대 두께의 비는 약 1:5 내지 1:10 인 것을 특징으로 하는 전자 패키지용 성분.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 수평부(44)는 알루미늄 또는 알루미늄 합금이고, 상기 제 2 수평부(46)는 구리 또는 구리 합금인 것을 특징으로 하는 전자 패키지용 성분.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항중의 어느 한 항에 있어서, 상기 제 1 수평부는 상기 제 2 수평부(46)에 클래드되는 것을 특징으로 하는 전자 패키지용 성분.
  5. 전자 패키지용 성분에 있어서,
    질화알루미늄, 탄화알루미늄, 질화규소, 탄화규소 및 다이아몬드형 필름으로 이루어진 군으로 부터 선택된 세라믹 제 1 수평부(44)와,
    상기 제 1 수평부(44)와 일체인 금속 제 2 수평부(46)로 이루어지며,
    상기 제 1 수평부(44)는 복수의 금속 회로 트레이스(24)를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 패키지용 성분.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 제 2 수평부(46)는 알루미늄 또는 알루미늄 합금인 것을 특징으로 하는 전자 패키지용 성분.
  7. 전자 패키지용 성분에 있어서,
    산화알루미늄, 질화알루미늄, 탄화알루미늄, 질화규소 및 다이아몬드형 필름으로 이루어진 군으로 부터 선택된 세라믹 제 1 수평부(44)와,
    상기 제 1 수평부(44)와 일체인 구리 또는 구리 합금의 제 2 수평부(46)로 이루어지며,
    상기 제 1 수평부(44)는 복수의 금속 회로 트레이스(24)를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 패키지용 성분.
  8. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서, 상기 제 1 수평부(44)의 두께와 상기 제 2 수평부(46)의 두께의 비는 약 1:100 내지 1:1000 인 것을 특징으로 하는 전자 패키지용 성분.
  9. 볼 그리드 어레이 전자 패키지(40)에 있어서,
    제 2 수평부(46)와 일체인 제 1 수평부를 갖는 베이스 성분(42)과,
    상기 베이스(42)의 주변부(18)에서 금속 회로 트레이스(24)에 접합된 복수의 솔더 볼(36)과,
    상기 금속 회로 트레이스에 전기적으로 상호 접속되고 상기 베이스(44)의 중심부(16)에 접합된 반도체 디바이스(20)와,
    상기 반도체 디바이스(20)와 상기 회로 트레이스(24)의 일부를 캡슐화하고, 외부 구조체(30)에 접합되는 커버 성분(26)으로 이루어지며,
    상기 제 1 수평부(44)는 상기 베이스(44)의 주변부(18)로 부터 중심부(16)까지 연장되는 복수의 금속 회로 트레이스(24)를 포함하고, 제 2 수평부(46)는 제 1 수평부(44)의 열팽창 계수보다 작은 열팽창 계수를 갖는 것을 특징으로 하는 볼 그리드 어레이 전자 패키지.
  10. 제 9 항에 있어서, 제 1 수평부(44)의 최대 두께와 제 2 수평부의 최대 두께의 비는 약 1:5 내지 1:10 인 것을 특징으로 하는 볼 그리드 어레이 전자 패키지.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 제 1 수평부(44)는 알루미늄 또는 알루미늄 합금이고, 상기 제 2 수평부(46)는 구리 또는 구리 합금인 것을 특징으로 하는 볼 그리드 어레이 전자 패키지.
  12. 제 9 항에 있어서, 상기 제 1 수평부(44)는 세라믹이고, 상기 제 2 수평부(46)는 금속 또는 금속 합금인 것을 특징으로 하는 볼 그리드 어레이 전자 패키지.
  13. 볼 그리드 어레이 전자 패키지(60)에 있어서,
    주변부(18) 및 중심부(16)와 그 사이에 함몰부(64)를 갖는 베이스 성분(62)과,
    주변 단부 및 상기 함몰부(64)에 인접한 내부 단부를 갖는 복수의 회로 트레이스(24)와,
    상기 베이스 성분(62)의 상기 중심부(16)에 접합되며, 상기 회로 트레이스(24)의 내부 단부에 전기적으로 상호접속되는 반도체 디바이스(20)와,
    상기 회로 트레이스(24)의 주변 단부에 접합되는 복수의 솔더 볼(36)과,
    상기 회로 트레이스(24)의 내부 단부 및 상기 베이스(62)의 함몰부(64) 및 상기 중심부(16)를 캡슐화하는 커버 성분(26)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 볼 그리드 어레이 전자 패키지(60).
  14. 제 13 항에 있어서, 상기 커버(26)는 고분자 수지인 것을 특징으로 하는 볼 그리드 어레이 전자 패키지(60).
  15. 제 14 항에 있어서, 상기 고분자 수지는 상기 함몰부(64)로 확장되는 것을 특징으로 하는 볼 그리드 어레이 전자 패키지(60).
  16. 볼 그리드 어레이 전자 패키지(70)에 있어서,
    주변부(18) 및 중심부(16)를 갖는 베이스 성분(12)과,
    상기 베이스 성분(12)의 제 1 측면(74)과 일체이며, 내부 단부 및 주변 단부를 갖는 회로 트레이스(24)와,
    상기 베이스 성분(12)의 중심부에 접합되며, 상기 회로 트레이스(24)의 내부 단부에 전기적으로 상호접속되는 반도체 디바이스(20)와,
    상기 회로 트레이스(24)의 주변 단부에 접합되는 복수의 솔더 볼(36)과,
    상기 베이스 성분(12)의 중심부, 반도체 디바이스(20) 및 상기 회로 트레이스(24)의 내부 단부를 캡슐화하는 커버(26)와,
    상기 베이스 성분(12)의 대향하는 제 2 측면(76)과 일체인 스티프너(72)로 이루어진 것을 특징으로 하는 볼 그리드 어레이 전자 패키지.
  17. 제 16 항에 있어서, 상기 스티프너(72)는 상기 베이스 성분(12)의 전체 제 2 측면(76)에 걸쳐 연장되는 것을 특징으로 하는 볼 그리드 어레이 전자 패키지.
  18. 제 17 항에 있어서, 상기 스티프너(72)는 상기 베이스 성분(12)의 측벽을 따라 연장되고 외부 구조체(30)에 접합되는 것을 특징으로 하는 볼 그리드 어레이 전자 패키지.
  19. 제 16 항 내지 제 18 항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 스티프너(72)는 열 스프레더인 것을 특징으로 하는 볼 그리드 어레이 전자 패키지.
  20. 제 16 항 내지 제 18 항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 커버(26)는 외부 구조체(30)에 접합된 것을 특징으로 하는 볼 그리드 어레이 전자 패키지.
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Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100563122B1 (ko) * 1998-01-30 2006-03-21 다이요 유덴 가부시키가이샤 하이브리드 모듈 및 그 제조방법 및 그 설치방법
US6137174A (en) * 1999-05-26 2000-10-24 Chipmos Technologies Inc. Hybrid ASIC/memory module package
JP3758066B2 (ja) * 1999-06-08 2006-03-22 三菱電機株式会社 半導体装置とその製造方法
US6426686B1 (en) * 1999-06-16 2002-07-30 Microsubstrates Corporation Microwave circuit packages having a reduced number of vias in the substrate
CN1207785C (zh) * 2000-03-21 2005-06-22 三菱电机株式会社 半导体器件、电子装置的制造方法、电子装置和携带式信息终端
US6292367B1 (en) * 2000-06-22 2001-09-18 International Business Machines Corporation Thermally efficient semiconductor chip
TW457663B (en) * 2000-11-08 2001-10-01 Advanced Semiconductor Eng Substrate structure of heat spreader and its package
US6502926B2 (en) 2001-01-30 2003-01-07 Lexmark International, Inc. Ink jet semiconductor chip structure
DE10118384A1 (de) * 2001-04-12 2002-10-24 Siemens Ag Anordnung zur Kühlung eines Leistungs-Halbleiterelementes
US20030178719A1 (en) * 2002-03-22 2003-09-25 Combs Edward G. Enhanced thermal dissipation integrated circuit package and method of manufacturing enhanced thermal dissipation integrated circuit package
JP2004104074A (ja) * 2002-07-17 2004-04-02 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体装置用部材
DE102004005030A1 (de) * 2004-01-30 2005-08-18 Robert Bosch Gmbh Elektronisches Bauelement auf einem Trägerelement
US7235880B2 (en) * 2004-09-01 2007-06-26 Intel Corporation IC package with power and signal lines on opposing sides
US7529095B2 (en) * 2007-09-28 2009-05-05 Visteon Global Technologies, Inc. Integrated electrical shield in a heat sink
US8338943B2 (en) * 2010-08-31 2012-12-25 Stmicroelectronics Asia Pacific Pte Ltd. Semiconductor package with thermal heat spreader
US8411444B2 (en) * 2010-09-15 2013-04-02 International Business Machines Corporation Thermal interface material application for integrated circuit cooling
FR2984679B1 (fr) * 2011-12-15 2015-03-06 Valeo Sys Controle Moteur Sas Liaison thermiquement conductrice et electriquement isolante entre au moins un composant electronique et un radiateur en tout ou partie metallique
EP3253753A4 (en) 2015-01-20 2018-06-27 Xoc Pharmaceuticals, Inc Ergoline compounds and uses thereof
US9676776B2 (en) 2015-01-20 2017-06-13 Xoc Pharmaceuticals, Inc. Isoergoline compounds and uses thereof
JP7147517B2 (ja) * 2018-11-30 2022-10-05 富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社 光部品、及びこれを用いた光モジュール

Family Cites Families (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3248681A (en) * 1962-03-30 1966-04-26 Westinghouse Electric Corp Contacts for semiconductor devices
US3351700A (en) * 1963-08-19 1967-11-07 Texas Instruments Inc Header for a capsule for a semiconductor element or the like
US3399332A (en) * 1965-12-29 1968-08-27 Texas Instruments Inc Heat-dissipating support for semiconductor device
US4283464A (en) * 1979-05-08 1981-08-11 Norman Hascoe Prefabricated composite metallic heat-transmitting plate unit
US4491622A (en) * 1982-04-19 1985-01-01 Olin Corporation Composites of glass-ceramic to metal seals and method of making the same
US4784974A (en) * 1982-08-05 1988-11-15 Olin Corporation Method of making a hermetically sealed semiconductor casing
IT8224533A0 (it) * 1982-12-01 1982-12-01 Ora Sgs Microelettronica Spa S Contenitore in metallo e resina ad elevata affidabilita' per dispositivo a semiconduttore.
US4500605A (en) * 1983-02-17 1985-02-19 Olin Corporation Electrical component forming process
US5001546A (en) * 1983-07-27 1991-03-19 Olin Corporation Clad metal lead frame substrates
US4577056A (en) * 1984-04-09 1986-03-18 Olin Corporation Hermetically sealed metal package
US4603374A (en) * 1984-07-03 1986-07-29 Motorola, Inc. Packaging module for a semiconductor wafer
US4581680A (en) * 1984-12-31 1986-04-08 Gte Communication Systems Corporation Chip carrier mounting arrangement
JP2502511B2 (ja) * 1986-02-06 1996-05-29 日立マクセル株式会社 半導体装置の製造方法
US4811166A (en) * 1986-07-02 1989-03-07 Texas Instruments Incorporated Heat dissipating member for mounting a semiconductor device and electrical circuit unit incorporating the member
JPS63102326A (ja) * 1986-10-20 1988-05-07 Hitachi Cable Ltd クラツド材
US4872047A (en) * 1986-11-07 1989-10-03 Olin Corporation Semiconductor die attach system
JPH0795575B2 (ja) * 1987-04-09 1995-10-11 株式会社東芝 半導体整流素子
US4953173A (en) * 1987-08-08 1990-08-28 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device
US4888449A (en) * 1988-01-04 1989-12-19 Olin Corporation Semiconductor package
US4924590A (en) * 1988-01-08 1990-05-15 Siemens Aktiengesellschaft Method for making metal core printed circuit board
US4939316A (en) * 1988-10-05 1990-07-03 Olin Corporation Aluminum alloy semiconductor packages
US5073840A (en) * 1988-10-06 1991-12-17 Microlithics Corporation Circuit board with coated metal support structure and method for making same
US5015803A (en) * 1989-05-31 1991-05-14 Olin Corporation Thermal performance package for integrated circuit chip
US5103292A (en) * 1989-11-29 1992-04-07 Olin Corporation Metal pin grid array package
US5213638A (en) * 1990-07-27 1993-05-25 Olin Corporation Surface modified copper alloys
JPH06503207A (ja) * 1990-09-27 1994-04-07 イー・アイ・デュポン・ドゥ・ヌムール・アンド・カンパニー 熱的歪み緩和複合超小形電子デバイス
US5241133A (en) * 1990-12-21 1993-08-31 Motorola, Inc. Leadless pad array chip carrier
US5315155A (en) * 1992-07-13 1994-05-24 Olin Corporation Electronic package with stress relief channel
US5239131A (en) * 1992-07-13 1993-08-24 Olin Corporation Electronic package having controlled epoxy flow
US6262477B1 (en) * 1993-03-19 2001-07-17 Advanced Interconnect Technologies Ball grid array electronic package
JPH06275677A (ja) * 1993-03-23 1994-09-30 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体装置用パッケージおよび半導体装置
US5420460A (en) * 1993-08-05 1995-05-30 Vlsi Technology, Inc. Thin cavity down ball grid array package based on wirebond technology
US5397921A (en) * 1993-09-03 1995-03-14 Advanced Semiconductor Assembly Technology Tab grid array
US5578869A (en) * 1994-03-29 1996-11-26 Olin Corporation Components for housing an integrated circuit device
AU2231795A (en) * 1994-04-14 1995-11-10 Olin Corporation Electronic package having improved wire bonding capability
US5629835A (en) * 1994-07-19 1997-05-13 Olin Corporation Metal ball grid array package with improved thermal conductivity
WO1997001866A1 (en) * 1995-06-29 1997-01-16 Minnesota Mining And Manufacturing Company Ball grid array package utilizing solder coated spheres

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