CN1311594C - Ic插座 - Google Patents

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CN1311594C CNB028077644A CN02807764A CN1311594C CN 1311594 C CN1311594 C CN 1311594C CN B028077644 A CNB028077644 A CN B028077644A CN 02807764 A CN02807764 A CN 02807764A CN 1311594 C CN1311594 C CN 1311594C
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Abstract

本发明提供将表面电阻率严格控制在所希望的水平，且电绝缘性、机械特性、耐热性、耐化学药品性、尺寸稳定性等优良的合成树脂制的IC插座。该IC插座将热塑性树脂组合物成形形成，所述组合物含有40～94质量%的热塑性树脂、5～30质量%体积电阻率102～1010Ω·cm的碳前体和1～30质量%体积电阻率低于102Ω·cm的导电性填充材料。

Description

IC插座
                      技术领域
本发明涉及在电气、电子设备领域中使用的安装用或者测定用的IC插座，更详细地说，涉及表面电阻率严格控制在所希望的水平，电绝缘性、机械特性、耐热性、耐化学药品性、尺寸稳定性等优良的IC插座。
在本发明中，所谓IC插座是指在电子安装技术领域，作为连接器的一种，为了将半导体器件安装到接线板上而使用的安装用插座，以及作为用于半导体器件初期屏蔽的电气测定用的夹具的测定用插座等。另外，本发明的IC插座是由热塑性树脂材料形成的，可以配备用于导通的插针等常用的附属部件。
                      背景技术
在一般电子设备内部，大多使用安装用IC插座。例如，为了将LSI组件安装在接线板上，使用插座作为连接器的一种。使用插座，将LSI安装在接线板上，进行作为接线板模件的检查，如果在LSI中存在问题，则可以换成另外的LSI。另外，在现存的模件中，从插座取下LSI，可以换成最新的LSI。
对于安装用IC插座，要求具有对应于LSI组件的形状和功能。插座必须具有对应于LSI组件端子的节距和形状的规格。由于针孔栅网阵列(PGA)端子是棒状的，球栅网阵列(BGA)端子是球状的，所以插座的接触部的形状和嵌合方式必须与各端子相吻合。
最近，LSI安装趋向于裸片安装或者倒装片安装而不带有LSI组件，插座也需要与它们相适应。对于安装用IC插座，和接线板等其它安装部件一样，要求具有小型化、高可靠性、高密度化(较窄的节距)、较高的传送速度、低噪音等功能。
另一方面，在半导体制造工序中，为了进行根据老化测试(burn-in)试验等的检查，使用测定用IC插座。老化测试试验是排除半导体器件初期故障的筛选方法之一，是施加比半导体器件操作条件高的温度和电压的加速应力，加速故障的发生，在短时间内除去不合格产品的试验。
在老化测试试验中，在高温槽中将裸片或者安装的器件配置在IC插座内，从外部施加一定时间的成为加速应力的电源电压、输入信号。之后，从插座取出器件，进行优质品或次品的判定。
图1是测定用IC插座的一个实例的剖面图。将装备有裸片主体11和凸起12的裸片1放在IC插座2的搭载台上。IC插座2由插座主体21、接触探针22、盖体23等构成。作为探针22，例如使用挠曲插针或者插入插针等，可以和凸起等的端子接触，从而导通。关闭盖体23，进行老化测试试验。老化测试试验结束后，将判定为优良品的裸片以多片方式安装到基板上。
图2表示细球栅网阵列(FBGA)安装用老化测试插座的一个实例的俯视图。图3是该插座的剖面图。插座3由以一定排列节距配置的接触插针31、盖体32、弹簧33、主体(底部)34等构成。
图3显示出向试验装置导通侧的插针31′。FBGA组件35放在搭载台上，使之与插针31接触。插针31可以设计形状、节距、个数等，以便能够和FBGA的多个球状端子接触。
对于IC插座，要求电绝缘性、耐电压、机械特性、耐热性、耐化学药品性、尺寸稳定性等优良。IC插座也有由陶瓷或对表面实施了绝缘处理的金属形成的，但多数场合，由合成树脂形成。
从上述电绝缘性和耐热性等观点来看，例如用聚醚酰亚胺、聚苯硫醚、聚砜、聚醚砜、聚对苯二甲酸丁二酯等高耐热性的热塑性树脂形成合成树脂制的IC插座(特开平7-179758号公报、特开平8-176441号公报、特开平8-176442号公报、特开2000-150094号公报)。
由于对于合成树脂制的IC插座，需要高度的绝缘电阻，所以一般其表面电阻率大。表面电阻率过大的IC插座，在其表面易于积蓄静电。特别是，在半导体器件的检查工序中，半导体器件和IC插座接触在一起时，由于摩擦带电，IC插座易于带电。
另一方面，随着半导体器件的高密度安装，芯片的输入输出插针数量增大，节距变得狭窄。将多插针的PGA或BGA、裸片等安装在IC插座上时，一旦与IC插座的表面接触，由于静电，这些半导体器件容易受到损伤。另外，由于静电，如果空中浮游的尘埃吸附到IC插座的表面上，这些尘埃就会污染半导体器件。
为了降低IC插座的表面电阻率，考虑使用添加了抗静电剂的合成树脂，形成IC插座的方法。但是，在IC插座的表面存在的抗静电剂由于洗涤或者摩擦容易被除去，所以难于得到长期的抗静电效果。为了使抗静电效果持续，大量添加抗静电剂时，抗静电剂在IC插座的表面渗出，引起尘埃的粘附。另外，渗出的抗静电剂恐怕会因洗脱或者挥发而污染周围的环境。
使用配合了导电性填充材料的合成树脂来形成IC插座的方法可以降低表面电阻率。但是，在合成树脂中配合了导电性碳黑、石墨、碳纤维、金属纤维、金属粉末等电阻率极其低的导电性填充材料的树脂组合物由于导电性填充材料的配合比例和分散状态的微秒变化，电阻率产生急剧的变化。
其理由认为是导电性填充材料和合成树脂之间的电阻率相差甚远，导电性的显现依据导电性填充材料的分散状态，在合成树脂中，各个导电性填充材料如果采取连接的分散状态，导电性就会急剧显现。
而且，合成树脂中的导电性填充材料的分散状态因位置而有偏差，所以易于得到表面电阻率非常小的部分和大的部分混杂的成形物。为此，采用这种使用导电性填充材料的方法，难于在维持电绝缘性的同时，稳定地制造表面电阻率降低到所希望的程度的IC插座。
                      发明公开
本发明的目的在于提供将表面电阻率严格控制在希望的水平，且电绝缘性、机械特性、耐热性、耐化学药品性、尺寸稳定性等优良的合成树脂制的IC插座。
本发明人为了达到前述目的，悉心研究，结果找到了由在热塑性树脂中配合具有特定体积电阻率的碳前体和导电性填充材料得到的树脂组合物形成的IC插座。
本发明提供一种IC插座，将热塑性树脂组合物成形形成，所述树脂组合物含有60～85质量％的热塑性树脂、10～25质量％的体积电阻率102～1010Ω·cm的碳前体和3～15质量％的体积电阻率低于102Ω·cm的导电性填充材料，其特征在于，
该热塑性树脂是选自熔点为220℃以上的结晶性树脂和玻璃化温度为170℃以上的非晶性树脂中的至少1种耐热性树脂，
IC插座的载荷挠曲温度为200℃以上，表面电阻率是107～1011Ω/□，且最大表面电阻率MAX和最小表面电阻率MIN的比MAX/MIN为10以下。
优选地，上述结晶性树脂是聚苯硫醚、聚醚醚酮、聚醚酮、聚酰胺、聚对苯二甲酸丁二酯、聚对苯二甲酸乙二酯、全芳香族聚酯或者氟树脂。
优选地，上述非晶性树脂是聚醚砜、聚醚酰亚胺、聚砜、多芳基化合物、聚苯醚或者聚酰胺酰亚胺。
优选地，上述碳前体是在惰性环境中煅烧有机物质得到的碳含量为80～97质量％的物质。
优选地，上述导电性填充材料是碳纤维。
优选地，上述碳纤维是选自聚丙烯腈类碳纤维和沥青类碳纤维中的至少1种碳纤维。
本发明的插座优选为安装用IC插座。
本发明的插座优选为测定用IC插座。
优选地，上述测定用IC插座为老化测试插座。
通过组合使用碳前体和导电性填充材料，可以稳定制造表面电阻率适当降低的IC插座。即，与单独使用导电性填充材料的场合相比，通过组合使用碳前体和导电性填充材料，可以制造表面电阻率由于位置而引起的偏差极其小的IC插座。
通过调整碳前体和导电性填充材料的配合比例，可以得到在维持电绝缘性的同时，具有降低到所希望程度的表面电阻率的IC插座。
更具体地说，根据本发明，发现可以将IC插座的表面电阻率严格控制在105～1013Ω/□的范围内的所希望的水平。通过将IC插座的表面电阻率控制在该范围内，可以克服静电造成的半导体器件的损伤和污染的问题。
从耐热性的观点来看，对于IC插座，载荷挠曲温度最好为170℃以上。为此，优选使用耐热性优良的结晶性或非晶性的各种热塑性树脂。基于这些发现完成了本发明。
根据本发明，可以提供将热塑性树脂组合物成形而成的IC插座，所述热塑性树脂组合物含有40～94质量％热塑性树脂(A)，5～30质量％的体积电阻率102～1010Ω·cm的碳前体(B)和1～30质量％的体积电阻率低于102Ω·cm的导电性填充材料(C)。
                       附图说明
图1是表示在老化测试试验中使用的IC插座的一个使用例的剖面图。
图2是表示开口型(open-top type)的老化测试试验用IC插座的一个实例的俯视图。
图3是图2所示IC插座的侧面的剖面图。
                     实施发明的最佳方式
1.热塑性树脂
作为在本发明中使用的热塑性树脂，可以举出聚对苯二甲酸丁二酯、聚对苯二甲酸乙二酯、聚酰胺、聚苯醚、改性聚苯醚、聚苯硫醚、聚醚醚酮、聚醚酮、聚苯硫醚酮、聚苯硫醚砜、聚醚腈、全芳香族聚酯、液晶聚酯、多芳基化合物、聚砜、聚醚砜、聚醚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、聚酰亚胺、聚氨基双马来酰亚胺、聚甲基戊烯、氟树脂等，但不限于这些。
这些热塑性树脂分别可以单独使用，或者2种以上混合使用。作为混合物，可以举出例如聚对苯二甲酸丁二酯和聚对苯二甲酸乙二酯的混合物、聚苯醚和聚酰胺的混合物、聚苯醚和聚对苯二甲酸丁二酯的混合物等。
在这些热塑性树脂中，优选选自熔点220℃以上的结晶性树脂(A1)和玻璃化温度为170℃以上的非晶性树脂(A2)中的至少1种耐热性树脂。
熔点220℃以上的结晶性树脂优选的具体实例和熔点(代表值)一起例示，可以举出聚对苯二甲酸丁二酯(224～228℃)、聚对苯二甲酸乙二酯(248～260℃)、尼龙6(220～228℃)、尼龙66(260～265℃)、尼龙46(290℃)、聚苯硫醚(280～295℃)、聚醚醚酮(334℃)、全芳香族聚酯(450℃以上)、聚甲基戊烯(235℃)、聚四氟乙烯(327℃)、四氟乙烯/六氟丙烯/全氟烷氧基乙烯醚共聚物(290～300℃)、四氟乙烯/乙烯共聚物(260～270℃)、聚氟乙烯(227℃)、四氟乙烯/六氟丙烯共聚物(253～282℃)、四氟乙烯/全氟烷基乙烯基醚共聚物(302～310℃)等，但不限于这些。
玻璃化温度为170℃以上的非晶性树脂优选的具体实例和玻璃化温度(代表值)一起例示，可以举出聚苯醚(220℃)、多芳基化合物(193℃)、聚砜(190℃)、聚醚砜(225～230℃)、聚醚酰亚胺(217℃)、聚酰胺酰亚胺(280～285℃)等，但不限于这些。
热塑性聚酰亚胺(Tg＝250℃)是结晶性树脂，但在通常的成形条件下是非晶性的，通过成形后的热处理，进行结晶化，但其也可以用作非晶性树脂。另外，也可以使用结晶性树脂和非晶性树脂的混合物。
在这些热塑性树脂中，特别优选聚醚砜、聚砜、聚醚酰亚胺等非晶性树脂、聚苯硫醚、聚醚醚酮等结晶性树脂。
热塑性树脂的配合比例以热塑性树脂组合物的总量为基准，为40～94质量％。热塑性树脂的配合比例过多的话，IC插座的表面电阻率增高，得到具有所希望的表面电阻率的IC插座变得困难。热塑性树脂组合物的配合比例过少的话，IC插座的表面电阻率就会过低，另外，电绝缘性也会过于降低。热塑性树脂的配合比例优选为50～90质量％，更优选60～85质量％。
2.碳前体
在本发明中使用的体积电阻率在102～1010Ω·cm范围内的碳前体可以通过例如在惰性环境中，在400～900℃的温度下煅烧有机物质得到。
更具体地说，碳前体可以通过以下方法制造，例如(1)加热石油焦油、石油沥青、煤焦油、煤沥青等焦油或沥青，进行芳构化和缩聚，根据需要，在氧化环境中，进行氧化·使之不熔化后，进一步在惰性环境中加热·煅烧的方法、(2)在氧化环境中使聚丙烯腈、聚氯乙烯等热塑性树脂不熔化，进一步在惰性环境中加热·煅烧的方法和(3)加热固化酚树脂、呋喃树脂等热固化性树脂后，在惰性环境中加热·煅烧的方法等。
所谓碳前体是指通过这种煅烧处理得到的碳含量为97质量％以下的没有完全碳化的物质。如果在惰性环境中煅烧有机物质，随着煅烧温度上升，所得煅烧体的含碳率呈现上升倾向。碳前体的碳含量可以通过适应性设定煅烧温度，容易地进行控制。
在本发明中使用的体积电阻率为102～1010Ω·cm的碳前体的碳含量优选是80～97质量％。碳前体的碳含量过少的话，则体积电阻率过于增加，使所得IC插座的表面电阻率为1013Ω/□以下变得困难。碳前体的碳含量过多的话，则体积电阻率变小，所得IC插座的表面电阻率过小，而且，即使碳前体的配合量稍微改变，IC插座的表面电阻率也会急剧变化。因而，如果使用体积电阻率在前述范围外的碳前体，则稳定并再现性良好地制造具有希望的表面电阻率的IC插座变得困难。碳前体的体积电阻率优选为102～1010Ω·cm，更优选为104～109Ω·cm。
碳前体通常以粒子或者纤维的形状使用。在本发明中使用的碳前体是粒子的场合，其平均粒径优选为1mm以下。碳前体粒子的平均粒径过大的话，难于形成良好外观的IC插座。碳前体粒子的平均粒径优选为0.1μm～1mm，更优选0.5～500μm，进一步优选1～100μm。在多数场合，通过使用5～50μm平均粒径的碳前体粒子，可以得到良好的结果。
在本发明中使用的碳前体是纤维的场合，其平均直径优选为0.1mm以下。碳前体纤维的平均直径超过0.1mm的话，难于形成具有良好外观的IC插座。碳前体纤维即使是长纤维，在和热塑性树脂捏合时，也会被切断，使之短纤维化并分散，但从分散性的观点来看，优选是短纤维。
碳前体的配合比例以热塑性树脂组合物的总量为基准，为5～30质量％。碳前体的配合比例过大的话，IC插座的表面电阻率过于降低，难于将表面电阻率控制在所希望的水平，优选105～1013Ω/□的范围内。另一方面，碳前体的配合比例过小的话，则充分降低IC插座的表面电阻率变得困难。
碳前体的配合比例优选为6～28质量％，更优选10～25质量％。通过将碳前体与导电性填充材料合并使用，可以将IC插座的表面电阻率降低到所希望的水平，同时可以有效地抑制由位置引起的表面电阻率的偏差。
3.导电性填充材料
作为在本发明中使用的体积电阻率低于102Ω·cm的导电性填充材料，对其没有特别的限制，可以举出例如碳纤维、石墨、导电性碳黑、金属粉末等。其中，从表面电阻率的控制性和再现性等观点来看，优选碳纤维、石墨、导电性碳黑以及它们的混合物等导电性碳材料。这种导电性碳材料是粒状(包括粉末状和鳞片状)或纤维状。
对在本发明中使用的碳纤维没有特别的限制，可以使用纤维素类碳纤维、聚丙烯腈(PAN)类碳纤维、木质素类碳纤维、沥青类(煤沥青类、石油沥青类)碳纤维等各种碳纤维。碳纤维优选平均直径为0.1mm以下的碳纤维。碳纤维的平均直径如果超过0.1mm，难于形成具有良好外观的IC插座。碳纤维优选平均纤维长为50μm以上的短纤维。如果使用平均纤维长为50μm以下的碳纤维，则蠕变特性、弹性率、强度等机械性质的改善效果小。
在本发明中使用的导电性碳黑只要具有导电性即可，对其没有特别的限制，可以举出例如乙炔黑、油炉碳黑、热碳黑、槽法碳黑等。它们分别可以单独使用，或者2种以上组合使用。
对在本发明中使用的石墨没有特别的限制，可以使用在高温下对焦炭、焦油、沥青等进行石墨化处理得到的人造石墨、鳞片状石墨、鳞状石墨和无定形石墨等天然石墨。
在本发明中使用的导电性填充材料的体积电阻率低于102Ω·cm，其下限通常是金属粉末或者金属纤维等金属材料的体积电阻率。
导电性填充材料的配合比例以热塑性树脂组合物的总量为基准，为1～30质量％。导电性填充材料的配合比例过大的话，则IC插座的表面电阻率过于降低，从而控制表面电阻率在希望的水平，优选在105～1013Ω/□的范围内变得困难。导电性填充材料的配合比例过小的话，则充分降低IC插座的表面电阻率变得困难。
导电性填充材料的配合比例优选为2～28质量％，更优选3～15质量％。仅有导电性填充材料时，难于将表面电阻率严格控制在所希望的水平，另外，由位置引起的表面电阻率的偏差增大。通过以前述配合比例将导电性填充材料与碳前体合并使用，可以稳定制造具有所希望的表面电阻率且偏差小的IC插座。
4.其它填充材料
为了进一步提高机械强度和耐热性，可以在本发明的IC插座中配合其它各种填充材料。作为纤维状填充材料，可以举出例如玻璃纤维、石棉纤维、硅石纤维、氧化铝纤维、氧化锆纤维、氮化硼纤维、氮化硅纤维、硼纤维、钛酸钾纤维等无机纤维状物；不锈钢、铝、钛、钢、黄铜等金属纤维状物；聚酰胺、氟树脂、聚酯树脂、丙烯酸树脂等高熔点有机纤维状物质等。从电绝缘性的观点来看，优选玻璃纤维等不具有导电性的纤维状填充材料。
作为粒状填充材料，可以举出例如云母、二氧化硅、滑石、氧化铝、高岭土、硫酸钙、碳酸钙、氧化钛、铁氧体、粘土、玻璃粉、氧化锌、碳酸镍、氧化铁、石英粉末、碳酸镁、硫酸钡等。
这些填充材料可以分别单独使用，或者2种以上组合使用。另外，作为填充材料，根据需要，可以用集束剂或者表面处理剂进行处理。作为集束剂或者表面处理剂，可以举出例如环氧类化合物、异氰酸酯类化合物、硅烷类化合物、钛酸盐类化合物等官能性化合物。预先使用这些化合物对填充材料实施表面处理或者集束处理，或者在调整组合物的同时添加这些化合物。
5.添加剂
在本发明的IC插座中可以含有各种添加剂。作为添加剂，可以举出例如冲击改性剂如含环氧基的α烯烃共聚物、树脂改性剂如乙烯缩水甘油基甲基丙烯酸酯、金属模抗腐蚀剂如碳酸锌、碳酸镍、润滑剂如四硬脂酸季戊四醇酯、热固化性树脂、抗氧化剂、紫外线吸收剂、成核剂如氮化硼、阻燃剂、着色剂如染料或颜料等。这些添加剂可以根据需要适量添加。
6.热塑性树脂组合物
本发明的热塑性树脂组合物可以采用一般用于热塑性树脂组合物的制备的设备和方法进行制备。例如用Henschel混合器、转鼓混合器等将各原料成分预混合，如果需要，加入玻璃纤维等填充材料，进一步混合后，使用单螺杆或双螺杆挤压机进行捏合，挤出，成为成形用颗粒状物。也可以是将必要成分的一部分作为主料混合后，与剩余的成分混合的方法，另外，为了提高各成分的分散性，也可以将使用的原料的一部分粉碎，使粒径一致，混合后，熔融挤出。
7.IC插座
一般可通过将热塑性树脂组合物注射成形来制造IC插座，但根据形状，也可以采用挤压成形等其它的成形方法。IC插座包括安装用IC插座和测定用IC插座。安装用IC插座的主流是在一般电子设备内部使用的一般规格的连接器型IC插座。测定用IC插座大多是半导体制造商作为半导体制造工序设备的一部分使用的特殊规格的IC插座。
这些IC插座都有广泛种类的市售产品，对其形状、大小等没有特别的限制。IC插座包括将主体(底部)和盖体组合的结构的插座。另外，本发明的IC插座包括装备有触针等常规部件的插座。这种IC插座的具体实例示于图1～3中，但不受它们的限定。
作为由本发明的热塑性树脂组合物构成的IC插座的实例，可以举出老化测试插座、针孔栅网阵列(PGA)插座、球栅网阵列(BGA)插座、双列直插封装式集成电路(DIP)插座、裸片安装用插座、倒装片安装用插座、四行排齐封装(QFP)插座、small outline package(SOP)插座、高密度封装用收缩节距插座等。
在老化测试插座中，已知有弹簧探针型、输出端子(fan-outterminal)型、claim shell型、开口型等各种形状的插座。
本发明的IC插座的表面电阻率优选为105～1013Ω/□，更优选106～1012Ω/□，进一步优选107～1011Ω/□。IC插座的表面电阻率过大的话，其表面上易于积蓄静电。特别是在半导体器件的检查工序中，当半导体器件和IC插座相互接触时，由于摩擦带电，IC插座易于带电。IC插座的表面电阻率过低的话，IC插座本身的电绝缘性恐怕会降低。
本发明的IC插座的最大表面电阻率(MAX)和最小表面电阻率(MIN)的比(MAX/MIN)优选为10以下。该比过大的话，由位置引起的表面电阻率的偏差过于增加，严格控制摩擦带电或者静电的积蓄变得困难。
对于本发明的IC插座，载荷挠曲温度优选为170℃以上。如果考虑半导体器件的使用环境、老化测试试验的条件等，IC插座需要高度的耐热性。作为表示IC插座耐热性的实用基准，可以采用载荷挠曲温度。载荷挠曲温度优选为190℃以上，更优选为200℃以上。载荷挠曲温度的上限虽然取决于构成热塑性树脂组合物的成分和组成比例，但约为350℃。
为了提高IC插座的载荷挠曲温度，作为热塑性树脂，优选使用选自熔点为220℃以上的结晶性树脂和玻璃化温度为170℃以上的非晶性树脂中的至少1种耐热性树脂。通过使用这种耐热性树脂，可以容易地得到电绝缘性、机械特性、耐热性、耐化学药品性、尺寸稳定性等优良的IC插座。
                        实施例
下面，列举参考例、实施例和比较例，更具体地说明本发明，但本发明不仅限于这些实施例。物性的测定方法如下所示。
(1)体积电阻率
体积电阻率为108Ω·cm以上的场合，按照JIS K-6911，在施加电压100V下进行测定。体积电阻率低于108Ω·cm的场合，按照JISK-7194(导电性塑料的采用4探针法进行的电阻率测定试验方法)进行测定。
(2)载荷挠曲温度
按照ASTM D-648(1.82MPa)，测定载荷挠曲温度。
(3)IC插座的表面电阻率
使用三菱化学社制的High Restor UP和微小样品用探针(保护电极直径10mm：UR-SS探针)，在施加电压100V下测定成形的IC插座的表面电阻率(Ω/□)。
测定在成形物上的任意5个点进行。对于测定用平板，显示平均值。另外，对于IC插座，进行5点的测定，测定其最大值(MAX)和最小值(MIN)，然后计算出最大值/最小值(MAX/MIN)的比。
[参考例1]碳前体的制造
将软化点为210℃、喹啉不溶物1质量％、H/C原子比为0.63的石油沥青68kg和萘32kg装入装有搅拌叶片的内容积为300L的耐压容器中，加热到190℃溶解混合后，冷却至80～90℃，挤出，得到直径约500μm的绳状成形体。
然后，将该绳状成形体粉碎，使直径和长度的比达到约1.5，将所得粉碎物投入到加热至93℃的0.53质量％的聚乙烯醇(皂化度为88％)水溶液中，搅拌分散，冷却，得到球状沥青成形体。进一步进行过滤，除去水分，用约6倍于球状沥青成形体的正己烷萃取除去沥青成形体中的萘。
一边通入加热空气，一边将如此得到的球状沥青成形体在260℃下保持1小时，进行氧化处理，得到氧化沥青。在氮气气流中，在580℃热处理该氧化沥青1小时后，粉碎，得到平均粒径约25μm的碳前体粒子。该碳前体粒子的碳含量为91.0质量％。
为了研究碳前体的体积电阻率，用以下方法制造测定用试样。粉碎氧化沥青，进一步用网眼约100μm的筛网筛选，除去100μm以上的粒子。将该粉碎的氧化沥青粉末13g填充到截面积80cm2的圆筒型模具中，在压力196MPa下成形，得到成形体。将该成形体在氮气气流中，在和上述碳前体粒子的制造方法中的热处理温度相同的温度即580℃下热处理1小时，得到碳前体的体积电阻率测定用试样。按照JIS K-7194，测定该试样的体积电阻率，为3×107Ω·cm。
[实施例1～5和比较例1～4]
用转鼓混合器将表1所示的各成分均匀干混后，供给45mm双螺杆捏合挤压机(池贝铁钢社制PCM-45)，进行熔融挤压，制备颗粒状物。将所得颗粒状物干燥后，用注射成形机(东芝机械社制IS-75)，制造表面电阻率测定用的平板和载荷挠曲温度测定用的试件，测定表面电阻率和载荷挠曲温度。
再使用该颗粒状物，注射成形，制造纵向33mm×横向33mm的FBGA封装用开口型老化测试插座(图2～3)。对于该插座，也测定5点的表面电阻率，测定最小值和最大值的表面电阻率，计算出最大值/最小值的比。
结果示于表1中。另外，在表1中，表面电阻率例如为1×109Ω/□的场合，用1E+09Ω/□表示。
                                      表1
                               实施例                          比较例
  1   2   3   4   5   1   2   3   4
  热塑性树脂(质量％)PESPE1PEEKPPS 70000 75000 072.500 00800 00067 82000 78000 80000 78000
  碳前体(质量％)   15   20   20   15   20   0   0   0   0
  导电性填充材料(质量％)碳纤维PAN类碳纤维沥青类碳纤维碳黑 0100 500 7.500 550 600 0180 0220 0017 0021
  表面电阻率Ω/□载荷挠曲温度℃   1E+09220   1E+09220   2E+09205   5E+09305   2E+08255   3E+15220   8E+04220   1E+15210   5E+03210
  最小表面电阻率Ω/□(MIN)最大表面电阻率Ω/□(MAX)   8E+093E+10   6E+091E+10   5E+099E+09   2E+107E+10   1E+094E+09   1E+08＞1E+13   ＜1E+07＞1E+13   ＜1E+07＞1E+13   ＜1E+073E+11
  MAX/MIN(比)   3.75   1.67   1.80   3.50   4.00   ＞105   ＞106   ＞106   ＞3×104
脚注：
(1)PES：聚醚砜；住友化学社制，商品名Sumica Excel PES3600G(Tg＝225℃)
(2)PEI：聚醚酰亚胺；GE Plastics社制，商品名Ultem1010(Tg＝217℃)
(3)PEEK：聚醚醚酮；Bictrex MC社制，商品名PEEK150P(熔点＝334℃)
(4)PPS：聚苯硫醚；吴羽化学工业社制，商品名Fortoron KPSW214(熔点＝288℃)
(5)PAN类碳纤维：东邦人造丝社制，商品名Bethfight HTA3000(体积电阻率低于102Ω·cm)
(6)沥青类碳纤维：三菱化学产业社制，商品名Diareed K223QY(体积电阻率低于102Ω·cm)
(7)导电性碳黑：三菱化学社制，商品名MA600B(体积电阻率低于102Ω·cm)
考察
(1)实施例1
由在PES中配合了碳前体和沥青类碳纤维的热塑性树脂组合物构成的平板的表面电阻率是1E+09(＝1×109)Ω/□，IC插座的表面电阻率显示出(8E+09)～(3E+10)Ω/□的范围的偏差小的稳定的半导电性区域的表面电阻率。另外，该IC插座的载荷挠曲温度是220℃，显示充分的耐热性。
(2)实施例2、3、5
由在PES、PEI、PPS中分别配合了碳前体和PAN类碳纤维的热塑性树脂组合物构成的平板的表面电阻率显示出在(2E+08)～(2E+09)Ω/□的稳定的半导电性区域的表面电阻率，IC插座的表面电阻率也显示出(1E+09)～(1E+10)Ω/□的范围的偏差小的稳定的半导电性区域的表面电阻率。树脂组合物的载荷挠曲温度都在200℃以上，显示充分的耐热性。
(3)实施例4
由在PEEK中配合了碳前体、PAN类碳纤维和沥青类碳纤维的热塑性树脂组合物构成的平板的表面电阻率是5E+09Ω/□，IC插座的表面电阻率显示出(2E+10)～(7E+10)Ω/□的范围没有偏差的稳定的半导电性区域的表面电阻率。载荷挠曲温度为305℃，显示充分的耐热性。
(4)比较例1～2
在PES中只混合了沥青类碳纤维的场合，沥青类碳纤维填充量的微小差别，就可以使表面电阻率产生很大的改变，因此难于稳定地将表面电阻率减低到所希望的范围内。另外，在IC插座的表面电阻率中发现大的偏差，在实用上存在问题。
(5)比较例3～4
在PES中只配合了导电性碳黑的场合，导电性碳黑填充量的微小差别，就可以使表面电阻率产生改变，因此难于稳定地将表面电阻率减低到所希望的范围内。另外，在IC插座的表面电阻率中发现大的偏差，在实用上存在问题。
工业实用性
根据本发明，可以提供表面电阻率严格控制在所希望的水平，且电绝缘性、机械特性、耐热性、耐化学药品性、尺寸稳定性等优良的合成树脂制的IC插座。

Claims (9)

1.一种IC插座，将热塑性树脂组合物成形形成，所述树脂组合物含有60～85质量％的热塑性树脂、10～25质量％的体积电阻率102～1010Ω·cm的碳前体和3～15质量％的体积电阻率低于102Ω·cm的导电性填充材料，其特征在于，
该热塑性树脂是选自熔点为220℃以上的结晶性树脂和玻璃化温度为170℃以上的非晶性树脂中的至少1种耐热性树脂，
IC插座的载荷挠曲温度为200℃以上，表面电阻率是107～1011Ω/□，且最大表面电阻率MAX和最小表面电阻率MIN的比MAX/MIN为10以下。
2.权利要求1所述的IC插座，上述结晶性树脂是聚苯硫醚、聚醚醚酮、聚醚酮、聚酰胺、聚对苯二甲酸丁二酯、聚对苯二甲酸乙二酯、全芳香族聚酯或者氟树脂。
3.权利要求1所述的IC插座，上述非晶性树脂是聚醚砜、聚醚酰亚胺、聚砜、多芳基化合物、聚苯醚或者聚酰胺酰亚胺。
4.权利要求1所述的IC插座，上述碳前体是在惰性环境中煅烧有机物质得到的碳含量为80～97质量％的物质。
5.权利要求1所述的IC插座，上述导电性填充材料是碳纤维。
6.权利要求5所述的IC插座，上述碳纤维是选自聚丙烯腈类碳纤维和沥青类碳纤维中的至少1种碳纤维。
7.权利要求1所述的IC插座，其为安装用IC插座。
8.权利要求1所述的IC插座，其为测定用IC插座。
9.权利要求8所述的IC插座，上述测定用IC插座为老化测试插座。
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