CN1304280A - 电路基片的制造方法及其制造装置 - Google Patents

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Abstract

一种电路基片的制造方法及其装置,除去形成孔时产生的变质物和异物,得到洁净的高品质的电路基片。电路基片的制造方法包括:(a)将作为掩模的薄膜材料贴附在基片材料表面并调制带薄膜基片材料的工序;(b)通过照射激光在所述带薄膜基片材料上形成孔的工序;(c)通过超声波洗净,在不自所述基片材料剥离所述薄膜材料的前提下,选择性地自所述带薄膜基片材料除去附着于所述带薄膜基片材料上的所述不需要品的工序。

Description

电路基片的制造方法及其制造装置
本发明涉及电路基片的制造方法及其制造装置。
近年来，随着电子设备的小型化、高密度化，搭载电子部件的电路基片正从以往的单面基片向两面基片及多层基片发展。因此，需要开发可将更多的电路集成在基片上的高密度电路基片。
在高密度电路基片中，正在研究采用可进行高速、微细加工的激光加工方法，取代迄今为止广泛采用的通过钻床加工对基片进行孔(通孔)加工的方法。特开平6-268345号公报提出了采用激光进行微细的孔加工及采用导电性糊剂(ペ-スト)连接部件进行层间连接的电路形成基片的方案。
在形成微细孔并用导电性糊剂将层间连接的技术中，微量的异物就会形成连接不良的原因。在该技术中，对粘附薄膜材料的基片材料进行开孔加工。该薄膜材料作为用于将导电性糊剂填充到微细孔中的掩模使用。因此，包括薄膜材料的整个基片必须保持洁净。
但是，钻床加工及激光加工两者均会产生大量的加工屑。因此，会发生加工屑附着在基片材料上由加工屑堵塞连接用孔(通孔)等不良。另一方面，空气中的微量的尘埃就有可能堵塞微细孔。在将导电性糊剂填充到孔中之前，要洗净基片材料。在薄膜材料作为导电性糊剂充填用掩模使用后，要将粘附在基片材料上的薄膜材料自基片上剥离。因此，薄膜材料要以非常弱的强度粘附在基片材料上，使得薄膜材料易于自基片材料上剥离。
图8A表示现有电路形成基片的制造方法中孔加工部平面图，图8B表示该孔加工部剖面图。如图8A、图8B所示，粘附的聚对苯二甲酸乙酯(PET)片4a、4b在洗净过程中粘接强度特别弱的部分有时会自基片材料1剥离。这种剥离发生在贯通孔(通孔)周围时，连接用导电性糊剂31会浸入剥离部33内，因此相邻的贯通孔间有可能发生短路32。
因此，洗净基片材料1时，要注意不能给基片材料1带来大的作用力，不能剥离薄膜材料4a、4b。但是，满足这两个条件是很困难的，不能充分地洗净基片材料。
如上所述，在基片材料1上进行孔加工目的是使基片表面、背面或内层形成的电路相互连接。进行孔加工后，要进行镀层加工及导电性糊剂的充填等连接部件的形成。
高密度电路基片中的孔及连接部件的尺寸非常微小。因此即使是微细的异物也会给连接部件的可靠性带来重大的影响。所以，需要确实地清除异物。但是，现有的方法中，当大的作用力作用于基片材料1时，作为掩模的薄膜材料4a、4b会被剥离。因此，会失去作为掩模的功能，或者使导电性糊剂浸入基片材料。其结果，会发生绝缘可靠性恶化等问题。
本发明提供一种电路基片的制造方法及其制造装置，可实现具有高品质微细孔的基片材料，成本低，且具有高的可靠性。
本发明电路基片的制造方法包括：
(a)将薄膜材料粘附在基片材料的表面并调制带薄膜基片材料的工序，
其中，所述薄膜材料贴附在所述基片材料的表面和背面中至少一个面上；
(b)在所述带薄膜基片材料上形成孔的工序，
其中，所述孔包括贯通孔及非贯通孔中的至少一个，
形成所述孔时，产生不需要品(unnecessary material)，所述不需要品附着在所述基片材料上，
所述不需要品包括自由所述基片材料产生的变质部、变质物质及异物构成的群中选择的至少一种；
(c)在不使所述薄膜材料自所述基片材料剥离的前提下、将附着在所述带薄膜基片材料上的所述不需要品选择性地自所述带薄膜基片材料除去的工序。
理想的是，所述电路基片的制造方法还包括：
(d)以所述薄膜材料为掩模，将导电性材料设置在形成于所述带薄膜基片材料的所述孔中的工序；
(e)自具有所述导电性材料的所述带薄膜基片材料剥离所述薄膜材料的工序。
更理想的是，形成所述孔的工序包括通过照射激光形成孔的工序，由于该激光的照射产生所述不需要品。
理想的是，选择性地自所述带薄膜基片材料除去附着在所述带薄膜基片材料上的所述不需要品的工序包括：
将所述带薄膜基片材料浸渍于具有洗净液和超声波振子的洗净槽中，利用所述超声波振子产生的振动能，将所述不需要品自所述带薄膜基片材料选择性除去的工序。
更理想的是，选择性地自所述带薄膜基片材料除去附着在所述带薄膜基片材料上的所述不需要品的工序包括：
在所述超声波振子和所述带薄膜基片材料之间产生所述洗净液的液流，一边使液流接触基片材料，一边超声波洗净所述带薄膜基片材料。
更理想的是，选择性地自所述带薄膜基片材料除去附着在所述带薄膜基片材料上的所述不需要品的工序包括：
在所述超声波振子和所述带薄膜基片材料之间设置板材的状态下，超声波洗净所述带薄膜基片材料，
利用所述板材控制到达所述带薄膜基片材料的超声波能的量。
更理想的是，选择性地自所述带薄膜基片材料除去附着在所述带薄膜基片材料上的所述不需要品的工序，在利用板材夹持所述带薄膜基片材料的状态下，超声波洗净所述带薄膜基片材料。
更理想的是，在不自所述基片材料剥离所述薄膜材料的前提下，选择性地自所述带薄膜基片材料除去附着在所述带薄膜基片材料上的所述不需要品的工序包括：
(ⅰ)将所述带薄膜基片材料浸渍于具有洗净液的洗净槽中并选择性地自所述带薄膜基片材料除去所述不需要品的洗净工序；
(ⅱ)将除去所述不需要品的所述带薄膜基片材料自所述洗净槽中取出的工序；
(ⅲ)除去自所述洗净槽取出的所述带薄膜基片材料上附着残存的不需要品和洗净液中的至少一种的工序，
在所述(ⅰ)工序和所述(ⅲ)工序中至少一个工序中，加热所述带薄膜基片材料。
本发明的洗净装置自附着不需要品的带薄膜基片材料除去所述不需要品。所述带薄膜基片材料具有基片材料和粘接在所述基片材料上的作为掩模的薄膜材料，所述薄膜材料粘接在所述基片材料上，可自所述带薄膜基片材料分离，所述不需要品在形成设在所述带薄膜基片材料上的孔时产生，所述不需要品附着在所述带薄膜基片材料上。
所述洗净装置包括：
洗净槽；
设置在所述洗净槽中的洗净液；
设置在所述洗净液中的超声波振子；
保持带薄膜基片材料并将所述带薄膜基片材料搬送到所述洗净液中的投入装置；
不剥离所述薄膜材料自所述带薄膜基片材料选择性除去所述不需要品的选择性除去机构。
所述选择性除去机构包括自下述群中选择的至少一个，该群中包括：
(ⅰ)在所述超声波振子和位于所述超声波振子的上位置的所述带薄膜基片材料之间产生水流的水流发生装置；
(ⅱ)设置在所述超声波振子和位于所述超声波振子的上位置的所述带薄膜基片材料之间的扩散板；
(ⅲ)夹持所述带薄膜基片材料的共振抑制板。
根据该结构，可得到洁净并具有高品质微细孔的基片材料，可低成本地得到具有高的可靠性的电路基片。
附图的简要说明如下：
图1A～图1G是本发明实施例1的电路基片的制造方法的工序剖面图；
图2是表示实施例1的粘接强度与水温的关系的特性图；
图3是取代图1C的电路基片的制造方法的概略工序剖面图；
图4是取代图1C的电路基片的制造方法的概略工序剖面图；
图5是本发明实施例2的电路基片的制造装置的概略剖面图；
图6是本发明实施例3的电路基片的制造装置的概略剖面图；
图7是本发明实施例4的电路基片的制造工序的流程图；
图8A是现有电路基片的制造方法的孔加工部的平面图，图8B是孔加工部的剖面图。
本发明电路基片的制造方法包括：
(a)将薄膜材料粘附在基片材料的表面并调制带薄膜基片材料的工序，
其中，所述薄膜材料贴附在所述基片材料的表面和背面中至少一个面上；
(b)在所述带薄膜基片材料上形成孔的工序，
其中，所述孔包括贯通孔及非贯通孔中的至少一个，
形成所述孔时，产生不需要品(unnecessary material)，所述不需要品附着在所述基片材料上，
所述不需要品包括自由所述基片材料产生的变质部、变质物质及异物构成的群中选择的至少一种；
(c)在不使所述薄膜材料自所述基片材料剥离的前提下、将附着在所述带薄膜基片材料上的所述不需要品选择性地自所述带薄膜基片材料除去的工序。
理想的是，所述电路基片的制造方法还包括：
(d)以所述薄膜材料为掩模，将导电性材料设置在形成于所述带薄膜基片材料的所述孔中的工序；
(e)自具有所述导电性材料的所述带薄膜基片材料剥离所述薄膜材料的工序。
更理想的是，形成所述孔的工序包括通过照射激光形成孔的工序，由于该激光的照射产生所述不需要品。
所述不需要品包括由变质部、变质物质及异物构成的群中选择的至少一种。
所述变质部由所述孔形成工序形成于所述基片材料的表面和所述孔的内壁。
所述变质物质包括在所述工序中或工序后，自所述基片材料游离后再次附着在所述基片材料上的粉状物质或块状物质。
这样，可形成所需贯通孔或非贯通孔，并得到洁净的基片材料。
根据该制造方法，可实现洁净的高品质的孔形成加工。并且可低成本地得到具有高可靠性的电路基片。
即使在由激光加工形成孔时，也可不失激光加工的高速性，得到具有优良的精度和洁净性的电路基片。
理想的是，自所述带薄膜基片材料除去所述不需要品的工序包括：通过超声波洗净具有所述不需要品的带薄膜基片材料而选择性除去所述不需要品的工序。所述超声波洗净在具有洗净液和超声波振子的水槽中进行洗净。
更理想的是，自所述带薄膜基片材料除去所述不需要品的工序包括：通过向所述带薄膜基片材料喷吹气体除去所述不需要品或水滴的吹风工序。
更理想的是，自所述带薄膜基片材料除去所述不需要品的工序包括：使位于所述超声波振子和所述带薄膜基片材料之间的所述洗净液产生液流，一边使液流接触基片材料，一边驱动所述超声波振子的工序。
这样，使振动的声场扩散。进而由超声波振子产生的空穴作用(キヤビテ-シヨン)扩散。  因此，振动能被抑制，进而可抑制空穴作用给予带薄膜基片用基材的损伤。从而，不用将薄膜材料自基片材料剥离即可选择性地将不需要品自所述带薄膜基片材料除去。其结果，得到洁净的所需的孔形状，进而可清洁带薄膜基片材料。
理想的是，自所述带薄膜基片材料除去所述不需要品的工序包括：在所述超声波振子和所述带薄膜基片材料之间设置板材，利用所述超声波振子进行洗净的工序。由此，控制带给所述带薄膜基片材料的振动能。通过控制振动能，抑制振动的声场，可在不自带薄膜基片材料剥离薄膜材料的情况下，将所述粉状或块状的变质物质自所述基片材料选择性地除去。其结果，可得到贯通孔或非贯通孔等的孔形状。进而得到洁净的带薄膜基片材料。
理想的是，自所述基片材料除去所述不需要品的工序包括：利用板材夹持所述带薄膜基片材料，并利用超声波振子进行洗净的工序。或者自所述基片材料除去所述不需要品的工序包括：在将板材贴附在所述基片材料的单侧的状态下，利用超声波振子将所述带薄膜基片材料洗净的工序。由此抑制所述带薄膜基片材料的共振，防止自所述基片材料和薄膜材料粘接强度弱的部分剥离薄膜材料，同时，可选择性地自所述带薄膜基片材料除去变质物质。其结果，可得到所需贯通孔或非贯通孔等的孔形状。进而使所述基片材料表面洁净。
理想的是，使洗净液产生流动的工序包括：使用泵，并将水流的流速、量、方向控制在所需值的工序。
理想的是，使洗净液产生流动的排出装置包括缝隙状排出口。由此，可不对作为被洗净物的带薄膜基片材料带来冲击，而在超声波振子的整个有效区域产生水流。
理想的是，排出装置具有喷头状排出口。由此，可容易地提高水压。因此，即使在设置多联振动子的情况下，也可产生到达所有振动子的全长的水流。
理想的是，排出装置设置在多个部位。由此，可在需要的部分有效地产生水流。
理想的是，将平板设置在超声波振子和带薄膜基片材料之间。更理想的是，设置多张平板，平板的数量可控制。由此，可将超声波振子的能量控制在所需水平。
理想的是，将波纹板设置在超声波振子和带薄膜基片材料之间。由此，超声波振子的能量可大范围扩散。
理想的是，具有驻波的1/4波长以下的直径的至少一个孔设置在超声波振子和带薄膜基片材料之间。由此，可抑制空穴作用(cavitation)的影响，有效地得到超声波振子的冲击波。
理想的是，将金属制的板设置在超声波振子和带薄膜基片材料之间。由此，可减少超声波的冲刷(erosion)的影响，其结果，可延长装置的寿命。
理想的是，将多张薄板设置在超声波振子和带薄膜基片材料之间。由此，可容易地控制声压。
理想的是，使用内部具有空气层或气泡的板作为夹持基片材料的板。由此，可抑制所述基片材料的共振。
理想的是，除去所述不需要品的工序包括：在由板夹持带薄膜基片材料之前用洗净液浸湿所述带薄膜基片材料的工序。由此，所述带薄膜基片材料和板通过咬口(linking)牢固地紧密粘接。因此，显著地抑制共振。并且，进入孔中的洗净液具有清洗孔内的作用。
理想的是，超声波振子具有9.55×1010μPa以上的声压，板设置在带薄膜基片材料和超声波振子之间。由此，可抑制声压，得到良好的孔形状的条件的适应性变得容易。
理想的是，超声波振子具有4.78×1010μPa至9.55×1010μPa范围的声压，板设置在带薄膜基片材料和超声波振子之间。由此，可在不自带薄膜基片材料剥离薄膜材料的情况下，得到良好的孔形状。
理想的是，自所述带薄膜基片材料除去所述不需要品的工序包括：在放入水槽的液体中洗净所述带薄膜基片材料的工序，和通过喷吹气体除去附着在所述带薄膜基片材料上的不需要品或水滴的吹风工序。或者，自所述带薄膜基片材料除去所述不需要品的工序包括：在放入水槽的液体中洗净所述带薄膜基片材料的工序，和利用旋转刷等除去附着在所述带薄膜基片材料上的不需要品的机械清洗工序。所述洗净工序、吹风工序和机械清洗工序中至少一个工序包括用加热部件加热所述带薄膜基片材料的工序。通过添加加热所述带薄膜基片材料的工序，可防止薄膜材料在工序过程中自所述带薄膜基片材料剥离。
理想的是，自所述带薄膜基片材料除去所述不需要品的工序包括：在所述洗净工序或吹风工序或机械清洗工序之前加热所述带薄膜基片材料的、采用预加热部件进行预加热的工序。由此，在各工序施加作用力之前，强化了薄膜材料和基片材料的粘接强度。其结果，可防止薄膜材料自带薄膜基片材料剥离。
理想的是，用于所述带薄膜基片材料的薄膜具有设置在贴附于基片材料的面上的热硬性树脂层。
理想的是，所述洗净工序使用的液体被加热。由此，可防止薄膜材料在洗净中自带薄膜基片材料剥离。
理想的是，所述吹风工序使用的气体被加热。由此，可强化带薄膜基片材料的粘接强度。其结果，可防止风压引起的薄膜材料的剥离。
理想的是，贴附工序后的基片材料和薄膜材料的紧密粘接强度具有与温度成比例的物性。由加热部件加热的带薄膜基片材料的加热温度是所述薄膜材料自第一温度至第二温度的范围。第一温度是在包括搬送的洗净工序或吹风工序中、薄膜材料不会因施加在带薄膜基片材料上的机械作用力或物理作用而自基片材料剥离的温度，是可得到相当于剥离界限的紧密粘接强度的温度。第二温度是基片材料的耐热温度或薄膜材料的耐热温度或导致所需物性变化的临界温度。由此，可不损坏基片材料和薄膜材料的物性而得到具有优良性能的电路形成基片。
理想的是，基片材料将热硬性树脂含浸在补强材料中，具有B级的半固化浸胶物。由此，即使对于热硬性树脂含有未硬化成分的基片材料，也可使水分的影响达到最小限度。
理想的是，所述补强材料包括玻璃纤维织布或不织布。由此，可减轻热硬性树脂和补强材料的加工速度之差引起的孔内壁的凹凸。
理想的是，所述补强材料包括芳香族聚酰胺纤维制造的织布或不织布。芳香族聚酰胺纤维制造的织布或不织布具有优良的激光加工性，容易进行孔加工。即使在由激光加工时的热熔融的热硬性环氧树脂作为具有粘接性的加工屑残存于贯通孔内的情况下，也可进行有效的清洗。
理想的是，所述液体是水或精制的纯水。由此，由于水的成本低，故制造工序的运转成本低。并且，由于蒸发的水对人体无害，故不需要液体的回收装置，制造装置的成本低。
理想的是，所述液体为有机溶剂。通过使用具有所需沸点的有机溶剂，使不需要品除去工序后的基片材料的干燥工序变得容易。
理想的是，所述电路基片的制造方法还包括：在所述贯通孔或非贯通孔设置将电路形成基片的表面上形成的表面电路或内部形成的内部电路相互连接的连接部件的工序。由此，可得到多层电路基片。
更理想的是，形成所述连接部件的工序包括将含有导电性粒子的糊剂填充到形成于基片材料上的所述孔中的工序。由此，由于孔的内壁具有少的凹凸形状，加工粉也不会附着在孔内，故糊剂可良好地填充在孔中。
理想的是，形成所述连接部件的工序包括在所述孔进行镀层加工的工序，由于孔的内壁凹凸形状少，加工粉也不附着，故可提高镀层的附着性。
理想的是，所述电路基片的制造方法还包括：将所述带薄膜基片材料保持在板材上并搬送到超声波振子之上的工序。理想的是，该板材具有大于超声波振子和基片材料各自面积的面积。由此，可抑制带薄膜基片材料的共振，可连续地洗净带薄膜基片材料。
在由所述板材夹持所述带薄膜基片材料的工序中，所述板材具有大于所述基片材料的面积的面积的面。由此，可确实地抑制基片材料的共振。
本发明的一个实施例的电路基片的制造装置包括上述制造方法的说明中使用的装置。
本发明的洗净装置自附着不需要品的带薄膜基片材料除去所述不需要品。所述带薄膜基片材料具有基片材料和粘接在所述基片材料上的作为掩模的薄膜材料，所述薄膜材料粘接在所述基片材料上，可自所述带薄膜基片材料分离，所述不需要品在形成设在所述带薄膜基片材料上的孔时产生，所述不需要品附着在所述带薄膜基片材料上。
所述洗净装置包括：
洗净槽；
设置在所述洗净槽中的洗净液；
设置在所述洗净液中的超声波振子；
保持带薄膜基片材料并将所述带薄膜基片材料搬送到所述洗净液中的投入装置；
不剥离所述薄膜材料自所述带薄膜基片材料选择性除去所述不需要品的选择性除去机构。
所述选择性除去机构包括自下述群中选择的至少一个，该群中包括：
(ⅰ)产生与所述超声波振子和位于所述超声波振子之上位置的所述带薄膜基片材料接触的水流的水流发生装置；
(ⅱ)设置在所述超声波振子和位于所述超声波振子之上位置的所述带薄膜基片材料之间的扩散板；
(ⅲ)夹持所述带薄膜基片材料的共振抑制板。
根据该结构，可得到洁净并具有高品质微细孔的基片材料，可低成本地得到具有高的可靠性的电路基片。
理想的是，保持在所述投入装置的所述带薄膜基片材料自距所述超声波振子规定距离的上方通过，
所述选择性除去机构具有夹持所述带薄膜基片材料的所述共振抑制板，
所述搬送机构兼作所述共振抑制板，
所述共振抑制板具有控制超声波振子产生的超声波能的功能。
更理想的是，所述共振抑制板具有与所述基片材料同等以上的面积。
更理想的是，
所述投入装置具有上传送带和下传送带，
所述上传送带具有多个第一共振抑制板，
所述下传送带具有多个第二共振抑制板，
所述各个多个第一共振抑制板和所述各个多个第二共振抑制板夹持所述带薄膜基片材料并通过所述超声波元件的上方。
更理想的是，
所述选择性除去机构具有在所述超声波振子和位于所述超声波振子之上位置的所述带薄膜基片材料之间产生水流的所述水流发生装置，
所述水流发生装置包括水中泵。
所述水流具有可将滞留于带薄膜基片材料附近的声场确实地扩散的作用。并且，具有将所述超声波振子产生的空穴作用以不到达所述带薄膜基片材料的方式扩散的功能。
下面，根据附图说明本发明的典型实施例。
典型实施例1
图1A～图1G是本发明的一个实施例的电路基片的制造方法的工序剖面图，表示多层电路基片的制造工序。图1A中，基片材料1呈具有250nm角、厚度约150μm的形状，具有作为绝缘材料的功能。基片材料1包括例如将热硬性环氧树脂3(以下称作环氧树脂)含浸于作为补强材料的由芳香族聚酰胺纤维2(以下称作聚酰胺纤维)制成的不织布的树脂含浸材料。环氧树脂3未完全硬化，包括未硬化成分。也就是说，该树脂含浸材料具有B级(ステ-ジ)状态。因此基片材料1通常称作半固化浸胶物(プリプ レゲ)。
薄膜材料4a、4b厚度具有约10μm。热硬性环氧树脂或具有硅化合物的分模剂的分模层涂敷在该薄膜材料的单侧面上，该薄膜材料4a、4b可自基片材料剥离。更理想的是分模剂采用热硬性环氧树脂。薄膜材料4a、4b例如使用树脂材料，使用聚对苯二甲酸乙酯(以下称作PET)。该薄膜材料4a、4b用作掩模薄膜，使用后，在后工序剥离、废弃。因此，，薄膜材料4a、4b以较弱的强度粘接在基片材料1上。薄膜材料4a、4b和基片材料1的粘接强度例如为剥皮(ピ-ル)强度的约1g/cm宽度。由此制作粘接有薄膜材料4a、4b的带薄膜基片材料51。
接着，如图1B所示，用激光9照射粘接有薄膜材料4a、4b的基片材料1，在薄膜材料和基片上形成贯通孔10。此时，包含于基片材料1的热硬性环氧树脂和聚酰胺纤维的大部分受热升华而向周围飞散。但是，热硬性环氧树脂和聚酰胺纤维的一部分未完全升华，而作为变质部11残存在孔10的壁面上。该变质部11具有硬而脆的性质。另外，聚酰胺纤维与热硬性环氧树脂比具有较高的耐热性。聚酰胺纤维激光加工的速度较低。因此，聚酰胺纤维未完全升华，而残存在孔中。孔10的内壁形成如图所示的凹凸形状。另一方面，飞散在孔的周围的热硬性环氧树脂和聚酰胺纤维的一部分形成作为变质物质的加工粉12，该加工粉12附着在基片材料1的表面或贯通孔10的内部。这样的变质部11和变质物质12是基片材料不需要的不需要品。
如图1C所示，将洗净液19和超声波振子13置于水槽中，在该水槽中浸泡带孔10的带薄膜基片材料51。洗净液19的温度保持在60℃。洗净液的液流由泵18产生。同时，超声波振子13被驱动。在该状态下，将带薄膜基片材料51接近超声波振子13。泵18的排出口最好位于带薄膜基片材料51和超声波振子13之间。洗净液的液流最好位于带薄膜基片材料51和超声波振子13之间。由此，利用超声波振子13放射的声波能量使带薄膜基片材料51振动。然后，使变质部11及加工粉12自基片材料1脱落、剥离。从而，将变质部11及加工粉12等不需要品自带薄膜基片材料51除去。
这样，如图1D所示，得到具有良好的孔形状的带薄膜基片材料51。
另外，本实施例中薄膜材料4a、4b和基片材料1的粘接强度和温度的关系示于图2。由于在不需要品的除去工序中，使用了B级状态的热硬性环氧树脂，故最好施加不使所含有的环氧硬化的范围的热量。由此，薄膜材料4a、4b和基片材料1的粘接力显著提高，使带薄膜基片材料51整体的剥皮强度提高。
通过使洗净液的液流发生在带薄膜基片材料51和超声波振子13之间，可防止形成薄膜材料和基片材料的剥离的原因的空穴的滞留。空穴为由超声波振子的驱动发生在超声波振子的附近的微细气泡。并且，通过洗净液的液流，使声压扩散，控制振动能。因此，可防止由空穴及声压使薄膜材料自基片材料剥离，同时，选择性地自带薄膜基片材料51除去硬而脆的变质部11及加工粉12等不需要品。
另外，也可采用多联使用多个超声波振子的结构。这种情况下，洗净液液流的排出口最好采用与多个超声波振子相同的数量。由此，使液流的强度变弱，可提高防止薄膜材料和基片材料的剥离的效果。
另一方面，作为图1C的不需要品的除去工序，如下的除去工序也有效。
理想的是，超声波振子13产生的振荡的声压为9.55×1010μPa。
图3表示本实施例的其他不需要品除去工序。图3中，扩散板17设置在超声波振子13和带薄膜基片材料51之间。这种情况下，超声波振子13产生的振荡的声压控制在4.78×1010μPa至9.55×1010μPa的范围。由此，可防止薄膜材料4a、4b自基片材料1剥离，并且，可选择性地除去硬而脆的变质部11及加工粉12等不需要品。
图4表示本实施例的另外的不需要品除去工序。图4中，带薄膜基片材料51预先由洗净液浸湿。其后，该浸湿的带薄膜基片材料51由共振抑制板20夹持。由该共振抑制板20夹持的带薄膜基片材料51靠近洗净液中的超声波振子。在该状态下，进行超声波洗净。
带薄膜基片材料51例如通过喷头由洗净液浸湿。
通过由共振抑制板20夹持带薄膜基片材料51，使基片材料1和薄膜材料4a、4b形成刚体，抑制了基片材料1和薄膜材料4a、4b的粘接强度弱的部分的共振。因此可防止薄膜材料4a、4b自基片材料1上浮起。此时，预先浸湿时，洗净液充满贯通孔10内。因此，使超声波到达孔的内部，可选择性地以良好的效率除去硬而脆的变质部11及加工粉12等不需要品。
然后，如图1E所示，采用印刷等方法，将作为导电性材料的导电性糊剂14充填到贯通孔10内。这种情况下，薄膜材料发挥作为掩模的功能。由于贯通孔10具有良好的形状，故导电性糊剂14可顺畅地、不受阻碍地完全充填到贯通孔10的内部。在导电性糊剂14充填到贯通孔10的内部后，作为掩模的薄膜材料4a、4b自基片材料1剥离。
之后，如图1F所示，由上金属箔15a和下金属箔15b构成的金属箔15将具有导电性糊剂14的基片材料1夹住。然后，该基片材料51和金属箔15通过热压装置(未图示)加热加压。由此，形成具有导电性糊剂14的基片材料1，同时，利用导电性糊剂14将上金属箔15a和下金属箔15b电连接。然后，将上金属箔15a和下金属箔15b中的至少一个金属箔制图成所需的形状。从而形成如图1G所示的电路图形16。图1G表示在基片材料1的两面上具有电路图形的两面电路基片。
如上所述，本发明的洗净装置自附着不需要品的带薄膜基片材料除去所述不需要品。所述带薄膜基片材料具有基片材料和粘接在所述基片材料上的作为掩模的薄膜材料，所述薄膜材料粘接在所述基片材料上，可自所述带薄膜基片材料分离，所述不需要品在形成设在所述带薄膜基片材料上的孔时产生，所述不需要品附着在所述带薄膜基片材料上。
所述洗净装置包括：
洗净槽；
设置在所述洗净槽中的洗净液；
设置在所述洗净液中的超声波振子；
保持带薄膜基片材料并将所述带薄膜基片材料搬送到所述洗净液中的投入装置；
不剥离所述薄膜材料自所述带薄膜基片材料选择性除去所述不需要品的选择性除去机构。
所述选择性除去机构包括自下述群中选择的至少一个，该群中包括：
(ⅰ)产生与所述超声波振子和位于所述超声波振子之上位置的所述带薄膜基片材料接触的水流的水流发生装置；
(ⅱ)设置在所述超声波振子和位于所述超声波振子之上位置的所述带薄膜基片材料之间的扩散板；
(ⅲ)夹持所述带薄膜基片材料的共振抑制板。
理想的是，保持在所述投入装置的所述带薄膜基片材料自距所述超声波振子规定距离的上方通过，
所述选择性除去机构具有夹持所述带薄膜基片材料的所述共振抑制板，
所述搬送机构兼作所述共振抑制板，
所述共振抑制板具有控制超声波振子产生的超声波能的功能。
理想的是，所述共振抑制板具有与所述基片材料同等以上的面积。
理想的是，所述共振抑制板包括内部具有空气层和气泡中的至少一者的板。
理想的是，
所述选择性除去机构具有在所述超声波振子和位于所述超声波振子之上位置的所述带薄膜基片材料之间设置的扩散板，
所述扩散板具有控制所述超声波振子产生的声压的功能。
理想的是，所述扩散板包括自平板、波纹板及金属板构成的群中选择的至少一种。
理想的是，所述扩散板具有多张薄板。
理想的是，所述制造装置还包括：除去附着在自所述洗净槽中取出的所述带薄膜基片材料上的、残存的不需要品和洗净液中至少一种的另外的除去装置。
所述另外的除去装置包括下列装置中的至少一种：
(a)通过向残存于所述带薄膜基片材料上的所述不需要品和所述洗净液喷吹气体而将其除去的吹风装置，
(b)利用旋转刷进行除去的机械清洗装置。
理想的是，洗净液使用水或纯水。
另外，在本实施例中说明了两面电路基片，但通过多次重复上述工序，可得到多层电路基片。也就是说，通过层积多个具有金属箔电路图形的基片材料可得到多层配线基片。
如上所述，可容易地在贴附作为掩模的薄膜材料的基片材料上形成高精度的孔。并且，可不自带薄膜基片材料剥离薄膜材料而选择性地、可靠地除去异物等不需要品。因此，可将薄膜材料作为掩模，高精度地将导电性材料设置在孔中。其结果，可得到低成本高可靠性的电路基片。尤其是，通过照射激光可高速形成高精度的孔。并且，可容易地除去该激光照射产生的变质物和异物。因此可得到具有高速加工性及高品质两种性能的电路基片。
典型实施例2
图5表示本发明的一个实施例的电路基片的制造装置的说明图。图5中，兼作搬送板的共振抑制板21兼有传送带32、34的功能。连续移动多个共振抑制板21。具有多个共振抑制板21的传送带包括上传送带32和下传送带34。洗净液19和超声波振子13设置在洗净槽30中。在下传送带34上由投入装置22依次载置带薄膜基片材料51。载置该带薄膜基片材料51的下传送带34依次向超声波洗净槽内移动。此时，上传送带32的共振抑制板21移动并将载置于下传送带34上的带薄膜基片材料51夹住。在该状态下，驱动超声波振子13。由此，利用超声波将残存于带薄膜基片材料51上的不需要品除去。这样，使夹住带薄膜基片材料51的共振抑制板21在洗净槽中移动。将不需要品自基片材料除去后，利用取出装置23取出带薄膜基片材料51。
这样，自带薄膜基片材料51自动、连续地除去不需要品。从而，得到具有优良效率的电路基片的制造装置。
典型实施例3
图6表示另一个实施例的电路基片的制造装置。图6中，将洗净液19、超声波振子13及水流发生装置18设置在洗净槽30中。作为水流发生装置的水中泵18设置在洗净液19中。水中泵18产生洗净液的液流。载置带薄膜基片材料51的搬送装置25向洗净液19中运送，并在洗净液19中移动。带薄膜基片材料51具有基片材料1、薄膜材料4a、4b和变质部11及加工粉12。变质部11及加工粉12等不需要品在形成贯通孔10时生成，具有硬而脆的性质。水中泵18的排出口设置于使液流在超声波振子13和带薄膜基片材料51之间流动的位置。该结构中，利用超声波振子在超声波振子的附近产生空穴。空穴沿洗净液的液流扩散。或者，超声波振子产生的振动能扩散。因此，可防止空穴作用于带薄膜基片材料51。或者控制振动能。因此，可防止薄膜材料4a、4b因空穴或振动能而自基片材料1剥离。另一方面，超声波振子产生的振动能选择性地除去带薄膜基片的变质部11及加工粉12。因此，可防止薄膜材料4a、4b自基片材料1剥离，同时除去不需要品。其结果，可得到高品质的电路基片。
理想的是，所述水中泵具有缝隙状排出口和喷头形状的排出口中至少一种排出口，所述排出口向所述超声波振子和所述带薄膜基片材料之间的方向产生水流。
理想的是，所述水流发生装置具有设在所述洗净槽中多个部位的排出口，各排出口向规定方向产生所述水流。
典型实施例4
图7表示还一个实施例的电路基片的制造装置。图7中，将洗净液19设置在洗净槽30中。将带薄膜基片材料51向洗净液19中运送，并使之在洗净液19中移动。带薄膜基片材料51具有基片材料1、薄膜材料4a、4b和变质部11及加工粉12。变质部11及加工粉12等不需要品在形成贯通孔10时生成，具有硬而脆的性质。在带薄膜基片材料51在洗净液中移动期间除去不需要品。然后，由取出装置自洗净液中取出带薄膜基片材料。然后，向取出的带薄膜基片材料喷吹气体。气体可使用空气或氮气等。利用喷吹该气体的吹风工序，将残存于带薄膜基片材料上的变质物及异物等不需要品吹掉，除去。然后，将附着于带薄膜基片材料上的洗净液也除去。或者，由旋转刷等机械洗净装置将残存于带薄膜基片材料上的不需要品及洗净液除去。从而，将形成孔时产生的变质物及异物自带薄膜基片材料上除去。另外，洗净液最好是有机溶剂。另外，理想的是，在吹风工序或机械清洗工序之前预先将带薄膜基片材料加热至常温以上的温度。尤其理想的是，该加热温度在其作用不会使薄膜材料剥离的温度至基片材料和薄膜材料的耐热温度及所需温度的范围内。由此，可显著提高不需要品的除去效果。
典型实施例5
所述典型实施例1、2、3的电路基片的制造方法及制造装置也可还包括所述实施例4中所述的吹风工序或机械清洗工序。通过在典型实施例1、2、3所述的超声波洗净基础上增加典型实施例的吹风工序或机械清洗工序，可显著提高不需要品的除去效果。
在上述各典型实施例中，形成有贯通孔，但并不限于此，也可形成非贯通孔。并且，虽然使用了导电性糊剂，但并不限于此，也可使用镀层等导电部件。这些情况下，也可得到与上述同样的效果。
如上所述，根据本发明的电路形成基片的制造方法及制造装置，可在贴附有作为掩模的薄膜材料的基片材料上形成高精度的孔。并且，可在不使薄膜材料自带薄膜基片材料剥离的情况下，选择性地可靠地除去异物等不需要品。因此，可将薄膜材料作为掩模，高精度地在孔中设置导电性材料。其结果，可低成本地得到可靠性高的电路基片。

Claims (66)

1、一种电路基片的制造方法，包括：
(a)将薄膜材料粘附在基片材料的表面并调制带薄膜基片材料的工序，
其中，所述薄膜材料贴附在所述基片材料的表面和背面中至少一个面上；
(b)在所述带薄膜基片材料上形成孔的工序，
其中，所述孔包括贯通孔及非贯通孔中的至少一个，
形成所述孔时，产生不需要品，所述不需要品附着在所述基片材料上，
所述不需要品包括自由所述基片材料产生的变质部、变质物质及异物构成的群中选择的至少一种；
(c)在不使所述薄膜材料自所述基片材料剥离的前提下、将附着在所述带薄膜基片材料上的所述不需要品选择性地自所述带薄膜基片材料除去的工序。
(d)以所述薄膜材料为掩模，将导电性材料设置在形成于所述带薄膜基片材料的所述孔中的工序；
(e)自具有所述导电性材料的所述带薄膜基片材料剥离所述薄膜材料的工序。
2、如权利要求1所述的电路基片的制造方法，其中，
形成所述孔的工序包括通过照射激光形成所述孔的工序，照射所述激光时产生所述不需要品。
3、如权利要求2所述的电路基片的制造方法，其中，还包括：
(f)在具有所述导电性材料的所述基片材料的表面和背面的至少一个面上设置金属箔图形配线的工序，
所述金属箔图形配线与所述导电性材料导通。
4、如权利要求2所述的电路基片的制造方法，其中，
所述薄膜材料设置在所述基片材料的所述表面和所述背面两个面上，
所述孔包括贯通所述带薄膜基片材料的表面和背面。
5、如权利要求4所述的电路基片的制造方法，其中，还包括：
(f)在具有所述导电性材料的所述基片材料的表面上设置第一金属箔图形配线的工序和在背面设置第二金属箔图形配线的工序，
所述第一金属箔图形配线和所述第二金属箔图形配线与所述导电性材料导通。
6、如权利要求2所述的电路基片的制造方法，其中，选择性地自所述带薄膜基片材料除去附着在所述带薄膜基片材料上的所述不需要品的工序包括：
将所述带薄膜基片材料浸渍于具有洗净液和超声波振子的洗净槽中，同时，利用所述超声波振子产生的振动能，将所述不需要品自所述带薄膜基片材料选择性除去的工序。
7、如权利要求2所述的电路基片的制造方法，其中，选择性地自所述带薄膜基片材料除去附着在所述带薄膜基片材料上的所述不需要品的工序包括：
将所述带薄膜基片材料浸渍于具有洗净液和超声波振子的洗净槽中，同时，利用所述超声波振子产生的振动能，将所述不需要品自所述带薄膜基片材料选择性除去的工序；
在所述超声波振子和所述带薄膜基片材料之间产生所述洗净液的液流，一边使液流接触基片材料，一边超声波洗净所述带薄膜基片材料。
8、如权利要求2所述的电路基片的制造方法，其中，选择性地自所述带薄膜基片材料除去附着在所述带薄膜基片材料上的所述不需要品的工序包括：
(ⅰ)将所述带薄膜基片材料浸渍于具有洗净液和超声波振子的洗净槽中，同时，利用所述超声波振子产生的振动能，将所述不需要品自所述带薄膜基片材料选择性除去的工序；
(ⅱ)将除去所述不需要品的所述带薄膜基片材料自所述洗净槽中取出的工序；
(ⅲ)向自所述洗净槽取出的所述带薄膜基片材料喷吹气体、从而将附着在所述带薄膜基片材料上的残存的不需要品和洗净液中的至少一种除去的工序；
在所述超声波振子和所述带薄膜基片材料之间产生所述洗净液的液流，一边使液流与所述基片材料接触，一边超声波洗净所述带薄膜基片材料。
9、如权利要求2所述的电路基片的制造方法，其中，选择性地自所述带薄膜基片材料除去附着在所述带薄膜基片材料上的所述不需要品的工序包括：
将所述带薄膜基片材料浸渍于具有洗净液和超声波振子的洗净槽中，同时，利用所述超声波振子产生的振动能，将所述不需要品自所述带薄膜基片材料选择性除去的工序；
在所述超声波振子和所述带薄膜基片材料之间设置板材的状态下，超声波洗净所述带薄膜基片材料，
利用所述板控制到达所述带薄膜基片材料的超声波能的量。
10、如权利要求2所述的电路基片的制造方法，其中，选择性地自所述带薄膜基片材料除去附着在所述带薄膜基片材料上的所述不需要品的工序包括：
(ⅰ)将所述带薄膜基片材料浸渍于具有洗净液和超声波振子的洗净槽中，同时，利用所述超声波振子产生的振动能，将所述不需要品自所述带薄膜基片材料选择性除去的工序；
(ⅱ)将除去所述不需要品的所述带薄膜基片材料自所述洗净槽中取出的工序；
(ⅲ)向自所述洗净槽取出的所述带薄膜基片材料喷吹气体、从而将附着在所述带薄膜基片材料上的残存的不需要品和洗净液中的至少一种除去的工序；
在所述超声波振子和所述带薄膜基片材料之间设置板材的状态下，超声波洗净所述带薄膜基片材料，
利用所述板控制到达所述带薄膜基片材料的超声波能的量。
11、如权利要求2所述的电路基片的制造方法，其中，选择性地自所述带薄膜基片材料除去附着在所述带薄膜基片材料上的所述不需要品的工序包括：
将所述带薄膜基片材料浸渍于具有洗净液和超声波振子的洗净槽中，同时，利用所述超声波振子产生的振动能，将所述不需要品自所述带薄膜基片材料选择性除去的工序；
在利用板夹持所述带薄膜基片材料的状态下，超声波洗净所述带薄膜基片材料。
12、如权利要求2所述的电路基片的制造方法，其中，选择性地自所述带薄膜基片材料除去附着在所述带薄膜基片材料上的所述不需要品的工序包括：
将所述带薄膜基片材料浸渍于具有洗净液和超声波振子的洗净槽中，同时，利用所述超声波振子产生的振动能，将所述不需要品自所述带薄膜基片材料选择性除去的工序；
在将板材贴附在所述带薄膜基片材料的单侧的状态下，超声波洗净所述带薄膜基片材料。
13、如权利要求2所述的电路基片的制造方法，其中，选择性地自所述带薄膜基片材料除去附着在所述带薄膜基片材料上的所述不需要品的工序包括：
(ⅰ)将所述带薄膜基片材料浸渍于具有洗净液和超声波振子的洗净槽中，同时，利用所述超声波振子产生的振动能，将所述不需要品自所述带薄膜基片材料选择性除去的工序；
(ⅱ)将除去所述不需要品的所述带薄膜基片材料自所述洗净槽中取出的工序；
(ⅲ)向自所述洗净槽取出的所述带薄膜基片材料喷吹气体、从而将附着在所述带薄膜基片材料上的残存的不需要品和洗净液中的至少一种除去的工序；
在利用板夹持所述带薄膜基片材料的状态及将板贴附在所述带薄膜基片材料的单侧的状态中的至少一种状态下，超声波洗净所述带薄膜基片材料。
14、如权利要求7所述的电路基片的制造方法，其中，
所述洗净液的所述液流由具有排出口和泵的排出装置产生。
15、如权利要求7所述的电路基片的制造方法，其中，
所述洗净液的所述液流利用自缝隙状排出口排出的洗净液进行循环。
16、如权利要求7所述的电路基片的制造方法，其中，
所述洗净液的所述液流利用自喷头状排出口排出的洗净液进行循环。
17、如权利要求7所述的电路基片的制造方法，其中，
所述洗净液的所述液流利用自多个排出口排出的洗净液进行循环。
18、如权利要求9所述的电路基片的制造方法，其中，
所述板包括平板。
19、如权利要求9所述的电路基片的制造方法，其中，
所述板包括波纹板。
20、如权利要求9所述的电路基片的制造方法，其中，
所述板包括平板和波纹板中的至少一种，
所述板具有至少一个驻波的1/4波长以下的直径的孔。
21、如权利要求9所述的电路基片的制造方洗其中，
所述板材包括金属。
22、如权利要求9所述的电路基片的制造方法，其中，
所述板包括多个金属薄板。
23、如权利要求13所述的电路基片的制造方法，其中，
所述板内部具有空气层和气泡中的至少一种。
24、如权利要求13所述的电路基片的制造方法，其中，选择性地自所述带薄膜基片材料除去附着在所述带薄膜基片材料上的所述不需要品的工序还包括：
在用所述板材夹持所述带薄膜基片材料之前，用所述洗净液浸湿所述带薄膜基片材料的工序。
25、如权利要求6所述的电路基片的制造方法，其中，所述超声波振子产生9.55×1010μPa以上的声压。
26、如权利要求6所述的电路基片的制造方法，其中，在选择性地自所述带薄膜基片材料除去附着在所述带薄膜基片材料上的所述不需要品的工序中：
在所述带薄膜基片材料和所述超声波振子之间设置板材，同时，
超声波洗净所述带薄膜基片材料，
利用所述板材，使到达所述带薄膜基片材料的声压在4.78×1010μPa至9.55×1010μPa的范围内。
27、如权利要求2所述的电路基片的制造方法，其中，在不自所述基片材料剥离所述薄膜材料的前提下选择性地自所述带薄膜基片材料除去附着在所述带薄膜基片材料上的所述不需要品的工序包括：
(ⅰ)将所述带薄膜基片材料浸渍于具有洗净液的洗净槽中并选择性地自所述带薄膜基片材料除去所述不需要品的洗净工序；
(ⅱ)将除去所述不需要品的所述带薄膜基片材料自所述洗净槽中取出的工序；
(ⅲ)除去自所述洗净槽取出的所述带薄膜基片材料上附着的残存不需要品和洗净液中的至少一种的工序，
在所述(ⅰ)工序和所述(ⅲ)工序中的至少一个工序中，加热所述带薄膜基片材料。
28、如权利要求27所述的电路基片的制造方法，其中，除去自所述洗净槽取出的所述带薄膜基片材料上附着的残存不需要品和洗净液中的至少一种的工序包括下列工序中的至少一种：
(a)向残存于所述带薄膜基片材料上的所述不需要品和所述洗净液喷吹气体从而将其除去的工序，和(b)利用旋转刷除去残存于所述带薄膜基片材料上的所述不需要品和所述洗净液的机械清洗工序。
29、如权利要求2所述的电路基片的制造方法，其中，还包括：在不自所述基片材料剥离所述薄膜材料的前提下、选择性地自所述带薄膜基片材料除去附着在所述带薄膜基片材料上的所述不需要品的工序之前、对所述带薄膜基片材料进行预加热的工序。
30、如权利要求6所述的电路基片的制造方法，其中，还包括：在不自所述基片材料剥离所述薄膜材料的前提下、选择性地自所述带薄膜基片材料除去附着在所述带薄膜基片材料上的所述不需要品的工序之前、对所述带薄膜基片材料进行预加热的工序。
31、如权利要求27所述的电路基片的制造方法，其中，在不自所述基片材料剥离所述薄膜材料的前提下、选择性地自所述带薄膜基片材料除去附着在所述带薄膜基片材料上的所述不需要品的工序还包括：在由所述洗净工序、所述吹风工序和所述机械清洗工序构成的群中选择的至少一个工序之前，对所述带薄膜基片材料进行预加热的工序。
32、如权利要求2所述的电路基片的制造方法，其中，所述洗净液加温至常温以上的温度。
33、如权利要求6所述的电路基片的制造方法，其中，所述洗净液加温至常温以上的温度。
34、如权利要求27所述的电路基片的制造方法，其中，所述洗净液加温至常温以上的温度。
35、如权利要求8所述的电路基片的制造方法，其中，所述气体被加温。
36、如权利要求10所述的电路基片的制造方法，其中，所述气体被加温。
37、如权利要求13所述的电路基片的制造方法，其中，所述气体被加温。
38、如权利要求27所述的电路基片的制造方法，其中，所述带薄膜基片材料的加热温度为：自其作用不会使所述薄膜材料自所述带薄膜基片材料剥离的温度、至所述基片材料和所述薄膜材料的耐热温度及达到所需物性变化的温度的温度范围。
39、如权利要求2所述的电路基片的制造方法，其中，
所述基片材料具有补强材料和含浸于所述补强材料中的热硬性树脂，
所述基片材料包括B级化的半固化浸胶物。
40、如权利要求39所述的电路基片的制造方法，其中，
所述补强材料包括玻璃纤维制成的织布及不织布中的至少一种。
41、如权利要求39所述的电路基片的制造方法，其中，
所述补强材料包括芳香族聚酰胺纤维制成的织布及不织布中的至少一种。
42、如权利要求2所述的电路基片的制造方法，其中，
所述洗净液包括水及精制的纯水中的至少一种。
43、如权利要求27所述的电路基片的制造方法，其中，
所述洗净液包括有机溶剂。
44、如权利要求2所述的电路基片的制造方法，其中，
在所述孔设置所述导电性材料的工序包括向所述孔充填导电性糊剂的工序。
45、如权利要求2所述的电路基片的制造方法，其中，
在所述孔设置所述导电性材料的工序包括在所述孔形成具有导电性的镀层的工序。
46、如权利要求6所述的电路基片的制造方法，其中，
在不自所述基片材料剥离所述薄膜材料的前提下、选择性地自所述带薄膜基片材料除去附着在所述带薄膜基片材料上的所述不需要品的工序包括：
使由具有与所述基片材料同等以上面积的搬送机构保持的所述带薄膜基片材料、通过距所述超声波振子规定距离的位置，同时，利用所述超声波振子产生的振动能，自所述带薄膜基片材料除去所述不需要品的工序。
47、如权利要求6所述的电路基片的制造方法，其中，
在不自所述基片材料剥离所述薄膜材料的前提下、选择性地自所述带薄膜基片材料除去附着在所述带薄膜基片材料上的所述不需要品的工序包括：
使所述孔位于所述超声波振子的上方，同时，利用由所述超声波振子产生的振动能，将所述不需要品自所述带薄膜基片材料除去的工序。
48、如权利要求3所述的电路基片的制造方法，其中，
层积多个具有所述金属箔配线图形的所述基片材料，调制多层配线基片。
49、如权利要求2所述的电路基片的制造方法，其中，
所述薄膜材料包括设置在该薄膜材料的单面和两面中至少一个面上的热硬性树脂层。
50、一种洗净装置，自附着不需要品的带薄膜基片材料除去所述不需要品，
所述带薄膜基片材料具有基片材料和粘接在所述基片材料上的作为掩模的薄膜材料，
所述薄膜材料粘接在所述基片材料上，可自所述带薄膜基片材料剥离，
所述不需要品在形成设在所述带薄膜基片材料上的孔时产生，
所述不需要品附着在所述带薄膜基片材料上，
所述洗净装置包括：
洗净槽；
设置在所述洗净槽中的洗净液；
设置在所述洗净液中的超声波振子；
保持带薄膜基片材料并将所述带薄膜基片材料搬送到所述洗净液中的投入装置；
不剥离所述薄膜材料自所述带薄膜基片材料选择性除去所述不需要品的选择性除去机构，
所述选择性除去机构包括自下述群中选择的至少一个，该群中包括：
(ⅰ)产生接触所述超声波振子和位于所述超声波振子之上位置的所述带薄膜基片材料的洗净液的液流的水流发生装置；
(ⅱ)设置在所述超声波振子和位于所述超声波振子之上位置的所述带薄膜基片材料之间的扩散板；
(ⅲ)夹持所述带薄膜基片材料的共振抑制板。
51、如权利要求50所述的洗净装置，其中，
保持在所述投入装置的所述带薄膜基片材料自距所述超声波振子规定距离的上方通过，
所述选择性除去机构具有夹持所述带薄膜基片材料的所述共振抑制板，
所述搬送机构兼作所述共振抑制板，
所述共振抑制板具有控制超声波振子产生的超声波能的功能。
52、如权利要求5l所述的洗净装置，其中，
所述共振抑制板具有与所述基片材料同等以上的面积。
53、如权利要求51所述的洗净装置，其中，
所述共振抑制板包括内部具有空气层和气泡中至少一者的板。
54、如权利要求5l所述的洗净装置，其中，
所述投入装置具有上传送带和下传送带，
所述上传送带具有多个第一共振抑制板，
所述下传送带具有多个第二共振抑制板，
所述各个多个第一共振抑制板和所述各个多个第二共振抑制板夹持所述带薄膜基片材料并通过所述超声波元件的上方。
55、如权利要求50所述的洗净装置，其中，
所述选择性除去机构具有在所述超声波振子和位于所述超声波振子之上位置的所述带薄膜基片材料之间产生洗净液液流的所述水流发生装置。
56、如权利要求55所述的洗净装置，其中，
所述水流发生装置包括水中泵，
所述水中泵具有缝隙状排出口和喷头状排出口中的至少一种排出口，
所述排出口向所述超声波振子和所述带薄膜基片材料之间的方向产生所述洗净液的液流。
57、如权利要求55所述的洗净装置，其中，
所述水流发生装置具有设置在所述洗净槽中的多个部位的排出口，
各个排出口向规定的方向产生所述洗净液的液流。
58、如权利要求50所述的洗净装置，其中，
所述选择性除去机构包括：
水流发生装置，在所述超声波振子和位于所述超声波振子之上位置的所述带薄膜基片材料之间产生洗净液的液流；
共振抑制板，夹持所述带薄膜基片材料，
所述洗净液的液流具有扩散所述超声波振子产生的空穴和声场中的至少一者的功能，
所述共振抑制板具有控制超声波振子产生的超声波能的功能。
59、如权利要求50所述的洗净装置，其中，
所述选择性除去机构具有设置在所述超声波振子和位于所述超声波振子之上位置的所述带薄膜基片材料之间的扩散板；
所述扩散板具有控制所述超声波振子产生的声压的功能。
60、如权利要求59所述的洗净装置，其中，
所述扩散板包括自由平板、波纹板及金属板构成的群中选择的至少一种。
61、如权利要求59所述的洗净装置，其中，
所述扩散板包括多张薄板。
62、如权利要求50所述的洗净装置，其中，
所述声压具有4.78×1010μPa至9.55×1010μPa的范围。
63、如权利要求50所述的洗净装置，其中，还包括：将除去所述不需要品的所述带薄膜基片材料自所述洗净槽中取出的取出装置；
除去附着在自所述洗净槽取出的所述带薄膜基片材料上的残存不需要品和洗净液中的至少一种的洗净装置。
64、如权利要求50所述的洗净装置，其中，还包括：除去附着在自所述洗净槽取出的所述带薄膜基片材料上的残存不需要品和洗净液中的至少一种的另外的除去装置，
所述另外的除去装置具有：
(a)通过向残存于所述带薄膜基片材料上的所述不需要品和所述洗净液喷吹气体从而将其除去的吹风装置和
(b)利用旋转刷将残存于所述带薄膜基片材料上的所述不需要品和所述洗净液除去的机械洗净装置中的至少一种。
65、如权利要求50所述的洗净装置，其中，还包括：
用于加热所述带薄膜基片材料的预加热装置，
所述预加热装置对投入所述洗净液中之前的所述带薄膜基片材料进行加热。
66、如权利要求64所述的洗净装置，其中，还包括：
用于加热所述带薄膜基片材料的预加热装置，
所述加热装置对投入所述吹风装置和所述机械洗净装置中的至少一种之前的所述带薄膜基片材料进行加热。
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