CN1300521A - 有机场致发光器件和它的制造方法 - Google Patents

有机场致发光器件和它的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1300521A
CN1300521A CN00800508A CN00800508A CN1300521A CN 1300521 A CN1300521 A CN 1300521A CN 00800508 A CN00800508 A CN 00800508A CN 00800508 A CN00800508 A CN 00800508A CN 1300521 A CN1300521 A CN 1300521A
Authority
CN
China
Prior art keywords
optical length
organic
chromaticity coordinate
organic layer
max
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN00800508A
Other languages
English (en)
Other versions
CN100355105C (zh
Inventor
福冈贤一
荣田畅
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Idemitsu Kosan Co Ltd
Original Assignee
Idemitsu Kosan Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Idemitsu Kosan Co Ltd filed Critical Idemitsu Kosan Co Ltd
Publication of CN1300521A publication Critical patent/CN1300521A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100355105C publication Critical patent/CN100355105C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/85Arrangements for extracting light from the devices
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301Details of OLEDs
    • H10K2102/351Thickness
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明提供,即便生成一定的光程长分布但是色纯度(CIE色度坐标)的变化小的有机EL器件和高效率地得到这种有机EL器件的有机EL器件制造方法。在包含尽管少但是夹持在一方为透明电极的电极之间的有机层的有机场致发光器件中,令透明电极和有机层的合计光程长为t(nm),令显示出按照JIS Z 8701标准测定的CIEx色度坐标或CIEy色度坐标的极小值的光程长为Min(nm)令显示出按照JIS Z 8701标准测定的CIEx色度坐标和CIEy色度坐标的极大值的光程长为Max(nm)时,使合计光程长t满足Min-20nm<t<Min+20nm(a)和Max-20nm<t<Max+20nm(b)的大小关系,或者满足其中无论那一个大小关系。

Description

有机场致发光器件和它的制造方法
技术领域
本发明涉及有机场致发光器件(以下称为“有机EL器件”)。进一步详细地涉及很好地适用于民用和工业用的显示装置(显示器)或打印机头的光源等的有机EL器件。
技术背景
已有的有机EL器件的一个例子是日本平成7年公开的7-78689号专利公报揭示的有机EL器件。这个揭示的有机EL器件是为了得到高的发光亮度,它的特征是,如图20所示,干涉峰(A2)的波长与有机发光层产生的光的发光峰(B2)的波长一致。即,虽然由于有机发光层产生的光通过层积的各层产生所谓的干涉效果,可是它使由这个干涉效果引起的干涉峰的波长与由发光层产生的光的发光峰的波长一致。
但是,使由干涉效果引起的干涉峰的波长与产生的光的发光峰的波长一致时,能够观察到色纯度(CIE色度坐标)的值相反地下降的倾向。例如,当发光峰的波长为400~490nm的蓝色发光时,因为一部分包含视觉感知度高的绿色成分,所以使干涉峰的波长与发光峰的波长一致时,绿色成分的光强度也增强了,结果,能够观察到色纯度(CIE色度坐标)的值下降的现象。
此外,在日本平成7年公开的7-240277号专利公报中,如图35所示,揭示了为增强中心波长的值那样地设定高折射性的透明电极和有机发光层的合计光学膜厚度的有机EL器件。
但是,即便在这种有机EL器件中,当增强中心波长的值时,同时也增强了中心波长附近的强度值,能够观察到色纯度下降的情况。
当然,在这些有机EL器件中,有机发光层的厚度是极其均一的,如果没有厚度的离散,则能够实现CIE色度坐标值的均一化。
因此,本发明的发明者们在对上述的问题进行刻意的讨论时,考虑到因为与透明电极和有机层的合计光程长的值对应有极大值和极小值的周期变化,所以按照JIS Z 8701标准测定的CIE色度坐标值具有这样的极大值和极小值,发现在决定有机层的厚度时,与其使干涉峰的波长与发光峰的波长偏离一定的范围,宁可使CIE色度坐标值的变化变小。
即,本发明的目的是即便在透明电极和有机层的合计光程长上发生所定的分布,也能够提供色纯度(CIE色度坐标)变化很小的有机EL器件和能够高效率地得到这种有机EL器件的制造方法。
本发明的揭示
[1]本发明的一个形态是尽管少但是包含夹持在一方为透明电极的电极之间的有机层的有机EL器件,它的特征是令透明电极和有机层的合计光程长为t(nm),并且令显示出按照JIS Z 8701标准测定的CIEx色度坐标或CIEy色度坐标的极小值的光程长为Min(nm),显示出按照JIS Z 8701标准测定的CIEx色度坐标或CIEy色度坐标的极大值的光程长为Max(nm)时,合计光程长(t)满足以下面的大小关系(a)和(b),或者满足其中无论那一个大小关系。
Min-20nm<t<Min+20nm    (a)
Max-20nm<t<Max+20nm    (b)
通过这样的构成,即便在有机层上发生所定的膜厚分布,因为采用了显示出色纯度(CIE色度坐标)的变化很小的极大值或极小值的光程长附近的值,所以能够得到卓越的色纯度。
另外,在本申请中,存在为了方便起见省略上述的透明电极和有机层的合计光程长(t),显示出CIEx色度坐标或CIEy色度坐标的极大值和极小值的光程长Max和Min的单位(nm)的记载的情形。
[2]此外,在构成本发明的有机EL器件时,可以使透明电极和有机层的合计光程长为(t)与显示出CIEx色度坐标或CIEy色度坐标的极小值的光程长(Min),或者显示出CIEx色度坐标或CIEy色度坐标的极大值的光程长(Max)一致。
通过这样的构成,即便在有机层上发生所定的膜厚分布,因为采用了显示出色纯度(CIE色度坐标)的变化很小的极大值或极小值的光程长,能够得到卓越的色纯度。
[3]此外,在构成本发明的有机EL器件时,可以使有机层的发光峰波长(S1)取在400~490nm范围内的值,同时使透明电极和有机层的合计光程长(t1)与显示出CIEy色度坐标的极小值的光程长(Min)一致。
通过这样的构成,能够制造出在蓝色的色调(纯度)方面卓越的有机EL器件。
即,在发蓝色光的情形中,关于色调的变化,与CIEx色度坐标比较,更多地受到CIEy色度坐标的影响。此外,使合计光程长(t1)与极小值一致是为了在发蓝色光的情形中,在与极小值一致时色调的变化变得更小。
[4]此外,在构成本发明的有机EL器件时,可以使有机层的发光峰波长(S2)取在580~700nm范围内的值,同时使透明电极和有机层的合计光程长(t2)与显示出CIEx色度坐标的极大值的光程长(Max)或显示出极小值的光程长(Min)一致。
通过这样的构成,能够制造出在红色的纯度方面卓越的有机EL器件。
即,在发红色光的情形中,关于色调的变化,与CIEy色度坐标比较,更多地受到CIEx色度坐标的影响。此外,使合计光程长(t2)与极大值或极小值一致是为了在发红色光时,在与极大值或极小值一致的任何一种情形中色调的变化都变得很小。
[5]此外,在构成本发明的有机EL器件时,可以在使有机层的发光峰波长(S3)取在500~570nm范围内的值,同时使透明电极和有机层的合计光程长(t3)与显示出CIEy色度坐标的极大值的光程长(Max)一致。
通过这样的构成,能够制成在绿色的色调(纯度)方面卓越的有机EL器件。即,在发绿色光的情形中,关于色调的变化,与CIEx色度坐标比较,更多地受到CIEy色度坐标的影响。此外,使合计光程长(t3)与极大值一致是为了在发绿色光的情形中,在与极大值一致时色调的变化变得更小。
[6]此外,在构成本发明的有机EL器件时,可以使透明电极和有机层的合计光程长(t)的面内分布取在±20nm范围内的值。
通过这样的构成,缓和了由于在透明电极和有机层上的膜厚分布引起的色纯度(CIE色度坐标)的变化,能够使这种变化变得更小。
另外,当面内分布有在±20nm范围内的值时,这意味着用椭圆仪测定的面内光程长的最大值和最小值之差在40nm以内。
[7]此外,在构成本发明的有机EL器件时,可以包含为了对透明电极和有机层的合计光程长(t)的值进行调整的光程长校正层。
通过这样的构成,使透明电极和有机层的合计光程长的调整变得更加容易,即便在有机层上发生所定的膜厚分布,也能够使色纯度(CIE色度坐标)的变化变得更小。
[8]此外,本发明的有机EL器件的另一个形态的特征是在尽管少但是有夹持在一方为透明电极的电极之间的,发光峰波长为400~490nm的蓝色发光有机层,发光峰波长为500~570nm的绿色发光有机层和发光峰波长为580~700nm的红色发光有机层的有机场致发光器件中,
令透明电极和蓝色发光有机层的合计光程长为t1,并且令显示出按照JIS Z 8701标准测定的CIEy色度坐标的极小值的光程长为Min时,满足Min-20nm<t1<Min+20nm的大小关系,或
令透明电极和绿色发光有机层的合计光程长为t3,并且令显示出按照JIS Z 8701标准测定的CIEy色度坐标的极大值的光程长为Max时,满足Max-20nm<t3<Max+20nm的大小关系,或
令透明电极和红色发光有机层的合计光程长为t2,并且令显示出按照JIS Z 8701标准测定的CIEx色度坐标的极大值的光程长为Max时,满足Max-20nm<t2<Max+20nm的大小关系。
通过这样的构成,即便在有机层上发生所定的膜厚分布,也能够使三种基色(红,蓝,绿)的色纯度(CIE色度坐标)中无论那一种的变化都变小。
因此,即便使有机EL器件中的有机层大面积化,也可以得到有卓越色调的彩色显示。
[9]此外,本发明的有机EL器件的另一个形态的特征是在尽管少但是有夹持在一方为透明电极的电极之间的,发光峰波长为400~490nm的蓝色发光有机层和发光峰波长为500~570nm的绿色发光有机层和发光峰波长为580~700nm的红色发光有机层的有机EL器件中,
令透明电极和蓝色发光有机层的合计光程长为t1,并且令显示出按照JIS Z 8701标准测定的CIEy色度坐标的极小值的光程长为Min时,满足Min-20nm<t1<Min+20nm的大小关系,
令透明电极和绿色发光有机层的合计光程长为t3,并且令显示出按照JIS Z 8701标准测定的CIEy色度坐标的极大值的光程长为Max时,满足Max-20nm<t3<Max+20nm的大小关系,并且,
令透明电极和红色发光有机层的合计光程长为t2,并且令显示出按照JIS Z 8701标准测定的CIEx色度坐标的极大值的光程长为Max时,满足Max-20nm<t2<Max+20nm的大小关系。
通过这样的构成,即便在有机层上发生所定的膜厚分布,也能够使三种基色(红,蓝,绿)的色纯度(CIE色度坐标)中的变化分别地都变小。
因此,即便使有机EL器件中的有机层大面积化时,也可以得到有卓越色调的彩色显示。
[10]此外,在构成本发明的有机EL器件时,可以在发光面一侧(取出EL发光的一侧)上设置色变换媒体。
通过这样的构成,即便在使用一种有机层时,通过将色变换媒体适当地组合起来,也能够实现全彩色显示。
因此,即便在实现全彩色显示时,也能够使有机EL器件的构成简略化,使制造变得容易。
[11]此外,本发明的又一个别的形态是尽管少但是包含夹持在一方为透明电极的电极之间的有机层的有机EL器件的制造方法,它的特征是
令透明电极和有机层的合计光程长为t(nm),并且令显示出按照JIS Z 8701标准测定的CIEx色度坐标或CIEy色度坐标的极小值的光程长为Min(nm),令显示出按照JIS Z 8701标准测定的CIEx色度坐标或CIEy色度坐标的极大值的光程长为Max(nm)时,形成合计光程长(t)满足下列的大小关系(a)和(b),或者满足其中无论那一个大小关系的透明电极和有机层。
Min-20nm<t<Min+20nm    (a)
Max-20nm<t<Max+20nm    (b)
通过实施这样的方法,即便在有机层上发生所定的膜厚分布,也能够高效率地提供色纯度(CIE色度坐标)变化很小的有机EL器件。
[12]此外,在实施本发明的有机EL器件的制造方法时,可以在预先形成的透明电极上形成有机层,对合计光程长(t)进行调整。
通过实施这样的方法,能够通过照旧使用所定的透明电极,例如市场上出售的透明电极,同时适当地变更有机层的厚度和折射率,对合计光程长(t)进行调整。
[13]此外,在实施本发明的有机EL器件的制造方法时,可以包含形成用于调整透明电极和有机层的合计光程长(t)的值的光程长校正层的工序。
通过实施这样的方法,能够更容易地调整透明电极和有机层的合计光程长,即便在有机层上发生所定的膜厚分布,也能够效率更高地提供色纯度(CIE色度坐标)变化很小的有机EL器件。
诸图的简单说明
图1是在第一个和第二个实施形态中的有机EL器件的截面图。
图2是表示透明电极和蓝色发光有机层的合计光程长(t1)与EL发光的CIEx色度坐标值之间关系的图。
图3是表示透明电极和蓝色发光有机层的合计光程长(t1)与EL发光的CIEy色度坐标值之间关系的图。
图4是表示蓝色发光的CIE色度坐标的图。
图5是表示蓝色发光的CIE色度坐标的放大图。
图6是表示在第一个实施形态的蓝色发光有机层中的干涉峰(A1)与发光峰(B1)之间关系的图。
图7是表示在已有例子的蓝色发光有机层中的干涉峰(A2)与发光峰(B2)之间关系的图。
图8是表示透明电极和绿色发光有机层的合计光程长(t3)与EL发光的CIEx色度坐标值之间关系的图。
图9是表示透明电极和绿色发光有机层的合计光程长(t3)与EL发光的CIEy色度坐标值之间关系的图。
图10是表示绿色发光的CIE色度坐标的图。
图11是表示绿色发光的CIE色度坐标的放大图。
图12是表示在第二个实施形态的绿色发光有机层中的干涉峰(A1)与发光峰(B1)之间关系的图。
图13是表示在已有例子的绿色发光有机层中干涉峰(A2)与发光峰(B2)之间关系的图。
图14是在第三个实施形态中的有机EL器件的截面图。
图15是表示透明电极和红色发光有机层的合计光程长(t2)与EL发光的CIEx色度坐标值之间关系的图。
图16是表示透明电极和红色发光有机层的合计光程长(t2)与EL发光的CIEy色度坐标值之间关系的图。
图17是表示红色发光的CIE色度坐标的图。
图18是表示红色发光的CIE色度坐标的放大图。
图19是表示在第三个实施形态的红色发光有机层中的干涉峰(A1)与发光峰(B1)之间关系的图。
图20是表示在已有例子的红色发光有机层中的干涉峰(A2)与发光峰(B2)之间关系的图。
图21是在第四个实施形态中的有机EL器件的截面图。
图22是表示实施例7的有机EL器件的图。
图23是表示实施例8的有机EL器件的图。
图24是用于比较在实施例2和比较例3中的合计光程长与EL发光的CIEy色度坐标值之间关系的图。
图25是用于比较在实施例3和比较例4中的合计光程长与EL发光的CIEx色度坐标值之间关系的图。
图26是用于比较在实施例1和比较例1和2中的合计光程长与EL发光的各个CIEy色度坐标值之间关系的图。
图27是用于比较在实施例7~9和比较例5中的合计光程长与EL发光的CIEy色度坐标值之间关系的图。
图28是表示在第一个实施形态中,组合GCCM时的合计光程长与EL发光的各个CIEx色度坐标值之间关系的图。
图29是显示出在第一个实施形态中,组合GCCM时的合计光程长与EL发光的各个CIEy色度坐标值之间关系的图。
图30是表示在第一个实施形态中,组合RCCM时的合计光程长与EL发光的各个CIEx色度坐标值之间关系的图。
图31是表示在第一个实施形态中,组合RCCM时的合计光程长与EL发光的各个CIEy色度坐标值之间关系的图。
图32是表示当透明电极和蓝色发光有机层的合计光程长(t1)长时,与EL发光的CIEx色度坐标值之间关系的图。
图33是表示当透明电极和蓝色发光有机层的合计光程长(t1)长时,与EL发光的CIEy色度坐标值之间关系的图。
图34是表示真空蒸镀装置的图。
图35是表示在已有例子中干涉峰波长(11)与发光峰波长(12)之间关系的图。
用于实施本发明的最佳实施形态
下面,参照诸图,对本发明的实施形态进行说明。另外,所参照的诸图只不过是在能够理解本发明的程度上,概略地显示出各构成成分的大小,形状和配置关系的图。因此,本发明并不只限于图示的诸例子上。此外,在图中,有省略表示断面的阴影线的情形。
[第一个实施形态]
在第一个实施形态中的有机EL器件100,如图1所示,是在玻璃基片22上,依次层积透明电极层(阳极层)10,发光峰波长(S1)为400~490nm的蓝色发光有机层12和阴极层16构成的。而且,在第一个实施形态的有机EL器件100中,令透明电极10和蓝色发光有机层12的合计光程长为t1,并令显示出按照JIS Z 8701标准测定的CIEy色度坐标的极小值的光程长为Min时,满足Min-20nm<t1<Min+20nm的大小关系。
另外,在除了蓝色发光有机层12以外,设置电子注入层,电子迁移层,空穴注入层,空穴迁移层,或除此之外的有机层时,可以认为这些层的光程长被包括在蓝色发光有机层中。
下面,一面参照图2~图7,一面对透明电极10和蓝色发光有机层12的合计光程长(下面,存在将它简单地称为光程长的情形。)与CIE色度坐标的极小值之间关系进行说明。此外,具体地说明图1所示的有机EL器件100的构成。
(1)透明电极和蓝色发光有机层的合计光程长与CIEy色度坐标的极值之间关系
图2是表示透明电极和蓝色发光有机层的合计光程长(t1)与EL发光的CIEx色度坐标值之间关系的图。用横轴表示合计光程长(t1)的值(nm),用纵轴表示CIEx色度坐标值。
此外,图3是表示透明电极和蓝色发光有机层的合计光程长(t1)与EL发光的CIEy色度坐标值之间关系的图。用横轴表示合计光程长(t1)的值(nm),用纵轴表示CIEy色度坐标值。
另外,为了参考起见,将关于来自蓝色发光有机层的发光的CIE色度坐标(计算值)表示在图4中,将它的放大图表示在图5中。分别地,横轴表示CIEx色度坐标的值,纵轴表示CIEy色度坐标的值。一般地,在发蓝色光时,CIEx色度坐标的值约为0.11~0.17,而CIEy色度坐标的值约为0.07~0.29。
如从图2和图3可以理解的那样,CIEx色度坐标值和CIEy色度坐标值分别随着透明电极和蓝色发光有机层的合计光程长的变化而周期地变化。
而且,关于CIEx色度坐标值,在合计光程长上有下列的极小值(Min)和极大值(Max)。
极小值(Min):约为200nm,470nm,750nm,790nm
极大值(Max):约为90nm,340nm,600nm,840nm
此外,关于CIEy色度坐标值,在合计光程长上有下列的极小值(Min)和极大值(Max)。
极小值(Min):约为190nm,430nm,670nm,930nm
极大值(Max):约为90nm,340nm,560nm,810nm
进一步,我们认识到CIEx色度坐标值和CIEy色度坐标值的离散越小,在发蓝色光时色变化就越小,但是,在发蓝色光时,根据人的眼睛的感知,CIEy色度坐标值的离散比CIEx色度坐标值的离散引起较大(较强)的蓝色变化那样的特性。
因此,即便在蓝色发光有机层的合计光程长上存在一定的离散,通过与CIEy色度坐标值的极小值(Min)或极大值(Max)发生关系,能够大大减小影响色调的CIEy色度坐标值的变化。
例如,合计光程长中存在±20nm的离散时,如图5中的标记B1所示,当合计光程长为与CIEy色度坐标值的极小值(Min)或极大值(Max)没有关系的468nm时,CIEy色度坐标值在0.2280~0.2384的范围内变化,它的最大值和最小值之差(b1)为0.0104。
与此相对地,即便合计光程长上存在±20nm的离散,如图5中的标记B2所示,当合计光程长(t1)为与CIEy色度坐标值的极小值(Min)有关的430nm时,CIEy色度坐标值在0.2219~0.2228的范围内变化,它的最大值和最小值之差(b2)成为0.0009。即,与不发生关系的情形比较,降低到9%以下的值(0.0104×9/100%,下面进行同相的计算)。
同样,如图5中的标记B3所示,当合计光程长(t1)为与CIEy色度坐标值的极大值(Max)有关的560nm时,CIEy色度坐标值在0.2834~0.2848的范围内变化,它的最大值和最小值之差(b3)成为0.0014。即,与不发生关系的情形比较,降低到14%以下的值。
另外,这样,为了与CIE色度坐标值的极小值(Min)或极大值(Max)发生关系那样地对透明电极和蓝色发光有机层的合计光程长进行调整的方法没有特别的限制,可以适当地变更透明电极的折射率,透明电极的厚度,蓝色发光有机层的折射率和蓝色发光有机层的厚度,或者也可以如图4和图5的实施形态那样地设置光程长校正层。
此外,图6是表示在第一个实施形态中蓝色发光时的干涉峰与发光光谱之间关系的图。在图6中,分别用标记A1表示干涉峰,用标记B1表示发光光谱。此外,在这个例子中,透明电极和蓝色发光有机层的合计光程长(nm)与CIEy色度坐标值的极小值(Min)发生关系的值为430nm。但是,为了明确干涉峰的位置,方便起见,就干涉因子而言,进行归一化的表示,取极大为100,极小为0。另一方面,就发光强度而言,不进行归一化,表示实际的发光强度。
从图6可以清楚地见到,在第一个实施形态中,干涉峰(波长431nm)(A1)和发光光谱的峰(波长468nm)(B1)在波长方面约有37nm的偏离。
与此相对地,图7是表示在已有的有机EL器件中蓝色发光时的干涉峰和发光光谱与波长之间关系的图。在图7中,同样分别用标记A2表示干涉峰,用标记B2表示发光光谱。此外,在这个已有的例子中,为了使干涉峰(A2)与发光光谱的峰(B2)位置重合,如图5中的标记B1所示,透明电极和蓝色发光有机层的合计光程长(nm)要取468nm的值。但是,在这个合计光程长时,就CIEy色度坐标值而言,没有极大值(Max)和极小值(Min)。
因此,如果考虑到图2和图3所示的关系,即便透明电极和蓝色发光有机层的合计光程长有一定的离散,干涉峰(A1)和发光峰(B1)存在偏离,但是由于这样的合计光程长与极大值(Max)和极小值(Min)发生关系,更好的是,由于与CIEy色度坐标值的极小值(Min)发生关系,在第一个实施形态中的有机EL器件中,CIE色度坐标值的变化变小,结果,能够在视觉上感到蓝色的变化变小。
另一方面,在已有的有机EL器件中,即便干涉峰(A2)与发光峰(B2)位置重合,因为透明电极和蓝色发光有机层的合计光程长不与极大值(Max)和极小值(Min)发生关系,所以由这样的合计光程长的离散引起的CIE色度坐标值的变化变大,结果,在视觉上感到蓝色的变化变大。
另外,在第一个实施形态的有机EL器件中,由于蓝色发光有机层的干涉峰(A1)与发光峰(B1)位置偏离,EL发光强度的值有一些降低,和干涉峰(A2)与发光峰(B2)位置重合的已有的有机EL器件的情形比较,约降低7%,实用上,完全没有问题。
另外,如图32和图33所示,我们确认由于蓝色发光有机层的厚度为2,000nm以上的值,较好的为3,000nm以上的值,更好的为5,000nm以上的值,由透明电极与蓝色发光有机层的合计光程长的离散引起的CIE色度坐标值的变化变小。因此,如果增加蓝色发光有机层的厚度可能有用的话,则通过不仅取显示出CIEy色度坐标值的极大值(Max)和极小值(Min)的合计光程长,而且蓝色发光有机层的厚度也取上述的值,我们能够看到色调更加卓越,并且蓝色变化很小的蓝色发光。
反过来说,蓝色发光有机层的厚度为2,000nm以下的值时,如上所述,可以说调整显示出CIEy色度坐标值的极大值(Max)和极小值(Min)的合计光程长,对于看到色调卓越并且蓝色变化很小的蓝色发光,是非常有效的方法。
(2)有机层
有机层是通过尽管少但包含有机层发光层构成的,但是也可以任意地包含空穴注入层,空穴迁移层,空穴抗蚀膜,电子注入层,电子迁移层,电子抗蚀膜等。下面,对代表性的有机层的构成层进行说明。
(有机发光层)
在第一个实施形态中,将蓝色有机发光材料包含在有机层(有机发光层)中。作为这样的蓝色有机发光材料并没有特别的限制,可是,例如最好是同时具有下面三种功能的材料。
(a)电荷注入功能:它是当加上电场时,能够从阳极或空穴注入层注入空穴,另一方面能够从阴极层或电子注入层注入电子的功能。
(b)迁移功能:它是通过电场力使注入的空穴和电子移动的功能。
(c)发光功能:它是为电子和空穴的复合提供场所,使它们与发光联结起来的功能。
因此,作为有这种功能的有机发光材料,可以举出有苯乙烯基的芳环化合物。即,通过使用有苯乙烯基的芳香族环化合物,能够得到有卓越的发光特性和耐久性的优点。
此外,对可以作为发光层材料使用的有机化合物,并无特别的限定,可是能够举出苯并噻唑系,苯并咪唑系,苯并噁唑系等的荧光增白剂,金属螯合化含氧化合物,和苯乙烯基苯系化合物等。
如果要具体地写出优选的化合物的名称,则能够举出日本昭和59年公开的59-194393号专利公报上揭示的化合物。作为它们的代表,能够举出
2,5-双(5,7-二叔戊基-2-苯并噁唑基)-1,3,4-噻二唑,
4,4′-双(5,7-叔戊基-2-苯并噁唑基)茋,
4,4′-双[5,7-二-(2-甲基-2-丁基)-2-苯并噁唑基]茋,
2,5-双(5,7-二叔戊-2-苯并噁唑基)噻吩,
2,5-双[5-α,α-二甲基苄基-2-苯并噁唑基]噻吩,
2,5-双(5,7-二-(2-甲基-2-丁基)-2-苯并噁唑基)-3,4-二苯基噻吩,
2,5-双(5-甲基-2-苯并噁唑基)噻吩,
4,4′-双(2-苯并噁唑基)联苯,
5-甲基-2-[2-[4-(5-甲基-2-苯并噁唑基)苯基]乙烯基]苯并噁唑基,
2-[2-(4-氯代苯基)乙烯基]萘并[1,2-d]噁唑等的苯并噁唑基系,
2-2′-(对-亚苯基-二亚乙烯基)-双苯并噻唑等的苯并噻唑系,
2-[2-[4-(2-苯并咪唑)苯基]乙烯基]苯并咪唑,
2-[2-(4-羧基苯基)乙烯基]苯并咪唑等的苯并咪唑系等的荧光增白剂。
进一步,其它有用的化合物列举在《合成染料的化学》(Chemistry of Synthetic)1971,628~637页和640页上。
此外,作为上述的螯合化含氧化合物,例如能够用在日本昭和63年公开的63-295695号专利公报上揭示的化合物。作为它们的代表例能够举出
三(8-羟基喹啉)铝,
双(8-羟基喹啉)镁,
双(苯并[f]-8-羟基喹啉)锌,
双(2-甲基-8-羟基喹啉)氧化铝,
三(8-羟基喹啉)铟,
三(5-甲基-8-羟基喹啉)铝,
8-羟基喹啉锂
三(5-氯代-8-羟基喹啉)镓,
双(5-氯代-8-羟基喹啉)钙,
聚[锌(Ⅱ)-双(8-羟基-5-羟基喹啉基)甲烷]等的8-羧基喹啉系金属配位化合物或dilithium cpintridione等。
此外,作为上述的苯乙烯基苯系化合物,例如能够用欧洲专利第0319881号说明书和欧洲专利第0373582号说明书中揭示的化合物。作为它们的代表例能够举出
1,4-双(2-甲基苯乙烯基)苯,
1,4-双(3-甲基苯乙烯基)苯,
1,4-双(4-甲基苯乙烯基)苯,
二苯乙烯基苯,
1,4-双(2-乙基苯乙烯基)苯,
1,4-双(3-乙基苯乙烯基)苯,
1,4-双(2-甲基苯乙烯基)-2-甲基苯,
1,4-双(2-甲基苯乙烯基)-2-乙基苯等。
此外,也能够用在日本平成2年公开的2-252793号专利公报中揭示的双苯乙烯基吡嗪衍生物作为发光层的材料。作为它们的代表,能够举出
2,5-双(4-甲基苯乙烯基)吡嗪,
2,5-双(4-乙基苯乙烯基)吡嗪,
2,5-双(2-(1-萘基)乙烯基)吡嗪,
2,5-双(4-甲氧基苯乙烯基)吡嗪,
2,5-双(2-(4-联苯基)乙烯基)吡嗪,
2,5-双(2-(1-芘基)乙烯基)吡嗪等。
作为其它的化合物,例如也能够用在欧洲专利第0387715号说明书中揭示的多苯基系化合物作为发光层的材料。
进一步,上述的荧光增白剂,除了金属螯合化的含氧化合物和苯乙烯基苯系化合物等以外,例如也能将下列化合物用作发光层的材料:
12-酞吡呤酮(J.Appl.Phys.,第27卷,L713(1988年)),
1,4-二苯基-1,3-丁二烯,
1,1,4,4-四苯基-1,3-丁二烯(以上Appl.Phys.Lett.,第56卷,L799(1990年)),
萘二甲酰亚胺衍生物(日本平成2年公开的2-305886号专利公报),
苝衍生物(日本平成2年公开的2-189890号专利公报),
噁二唑衍生物(日本平成2年公开的2-216791号专利公报,或日本第38届应用物理学关系联合演讲会上由滨田等揭示的噁二唑衍生物),
醛连氮衍生物(日本平成2年公开的2-220393号专利公报),
吡唑啉衍生物(日本平成2年公开的2-220394号专利公报),
环戊二烯衍生物(日本平成2年公开的2-289675号专利公报),
吡咯并吡咯衍生物(日本平成2年公开的2-296891号专利公报),
苯乙烯基胺衍生物(Appl.Phys.Lett.,第56卷,L799(1990年)),
香豆素系化合物(日本平成2年公开的2-191694号专利公报),
如在国际公开的专利公报WO90/13148和Appl.Phys.Lett.,vol58,18,P1982(1991)中记载的高分子化合物等。
在本发明中,特别地作为发光层的材料,可以用芳香族二次甲基系化合物(在欧洲专利第0388768号说明书和日本平成3年公开的3-231970号专利公报中揭示的化合物)。作为具体的例子,能够举出
1,4-亚苯基二次甲基,
4,4-亚苯基二次甲基,
2,5-二甲苯基二次甲基,
2,6-萘基二次甲基,
1,4-亚联苯基二次甲基,
1,4-p-对亚苯基二次甲基,
9,10-蒽二基二次甲基,
4,4′-双(2,2-二叔丁基苯基乙烯基)联苯,
4,4′-双(2,2-二苯基乙烯基)联苯等,和它们的衍生物。
此外,上述内容不限于在第一个实施形态中使用的蓝色有机发光材料,对于后面所述的在第二个实施形态中的绿色有机发光材料和在第三个实施形态中的红色有机发光材料也是适当的,也可以在有机发光层上,合并使用苯并噻唑系,苯并咪唑系,苯并噁唑系等的荧光增白剂,和将苯乙烯基苯系化合物,8-羟基喹啉衍生物作为配体的金属配合物。
进一步,此外,也可以合并使用将二苯乙烯基亚芳基为骨架的有机发光材料,例如将4,4′-双(2,2-二苯基乙烯基)联苯等作为主体,将从蓝色到红色的强荧光物质,例如香豆素系,或者与主体相同的荧光物质掺杂到该主体中的化合物。
此外,考虑到光程长,能够适当地选择这样构成的有机发光层的厚度,可是通常可以使该厚度取在5nm~5μm的范围内的值。
这个理由是因为有机发光层的膜厚不足5nm时,发光亮度和耐久性降低,另一方面,有机发光层的膜厚超过5μm时所加电压的值提高。
因此,有机发光层的膜厚最好是取在10nm~3μm的范围内的值,更好是取在20nm~1μm的范围内的值。
此外,有机发光层也可以是由上述材料组成的一种或两种以上的组合形成的单层构造,也可以是由同一个组成或不同的组成的多个层形成的多层构造。
(空穴注入层)
此外,作为根据需要设置的空穴注入层的材料,能够从以前惯用的作为光导材料的空穴注入材料的和用在有机EL器件的空穴注入层中的众所周知的材料中任意地选择。空穴注入层材料是有空穴注入和电子阻挡性的任何一种材料,可以是有机物也可以是无机物。
作为一个很好的具体的例子,能够举出,例如,
三唑衍生物(请参照美国专利3,112,197号说明书等),
噁二唑衍生物(请参照美国专利3,189,447号说明书等),
咪唑衍生物(请参照日本昭和37年公开的37-16096号专利公报等),
聚芳基链烷衍生物(请参照美国专利3,615,402号说明书,3,820,989号说明书,3,542,544号说明书,日本昭和年间公开的45-555号专利公报,51-10983号专利公报,51-93224号专利公报,55-17105号专利公报,56-4148号专利公报,55-108667号专利公报,55-156953号专利公报,56-36656号专利公报等),吡唑啉衍生物和吡唑啉酮衍生物(请参照美国专利3,180,729号说明书,4,278,746号说明书,日本昭和年间公开的55-88064号专利公报,55-88065号专利公报,49-105537号专利公报,55-51086号专利公报,56-80051号专利公报,56-88141号专利公报,57-45545号专利公报,54-112637号专利公报,5-74546号专利公报等),苯二胺衍生物(请参照美国专利3,615,404号说明书,日本昭和年间公开的51-10105号专利公报,46-3712号专利公报,47-25336号专利公报,日本昭和年间公开的54-53435号专利公报,54-110536号专利公报,54-119925号专利公报等),芳基胺衍生物(请参照美国专利3,567,450号说明书,3,180,703号说明书,3,240,597号说明书,3,658,520号说明书,4,232,103号说明书,4,175,961号说明书,4,012,376号说明书,日本昭和年间公开的49-35702号专利公报,39-27577号专利公报,日本昭和年间公开的55-144250号专利公报,56-119132号专利公报,56-22437号专利公报,西德专利第1,110,518号说明书等),
氨基取代查尔酮类衍生物(请参照美国专利第3,526,501号说明书等),噁唑衍生物(请参照美国专利第3,257,203号说明书等揭示的内容),苯乙烯基蒽衍生物(请参照日本昭和56年公开的56-46234号专利公报等),
芴酮衍生物(请参照日本昭和54年公开的54-110837号专利公报),
腙衍生物(请参照美国专利第3,717,462号说明书,日本昭和年间公开的54-59143号专利公报,55-52063号专利公报,55-52064号专利公报,55-46760号专利公报,55-85495号专利公报,57-11350号专利公报,57-148749号专利公报,日本平成2年公开的2-311591号专利公报等),
茋衍生物(请参照日本昭和年间公开的61-210363号专利公报,61-228451号专利公报,61-14624号专利公报,61-72255号专利公报,62-47646号专利公报,62-36674号专利公报,62-10652号专利公报,62-30255号专利公报,60-93445号专利公报,60-94462号专利公报,60-174749号专利公报,60-175052号专利公报等),
硅氨烷衍生物(美国专利第4,950,950号说明书),
聚硅烷系(日本平成2年公开的2-204996号专利公报),
苯胺系共聚物(日本平成2年公开的2-282263号专利公报),
日本平成1年公开的1-211399号专利公报揭示的电介性高分子低聚物(特别是噻吩低聚物)等。
能够使用上述的材料作为空穴注入层的材料,可是更好的是用聚叶绿素(polyphyllin)化合物(日本昭和63年公开的63-295695号专利公报等揭示的),芳香族叔胺化合物和苯乙烯基胺化合物(请参照美国专利第4,127,412号说明书,日本昭和年间公开的53-27033号专利公报,54-58445号专利公报,54-149634号专利公报,54-64299号专利公报,55-79450号专利公报,55-144250号专利公报,56-119132号专利公报,61-295558号专利公报,61-98353号专利公报,63-295695号专利公报等),特别是芳香族叔胺化合物。
作为这种化合物的代表例,能够举出
卟吩,
1,10,15,20-四苯基-21H,23H-卟吩铜(Ⅱ),
1,10,15,20-四苯基-21H,23H-卟吩锌(Ⅱ),
5,10,15,20-四(五氟苯基)-21H,23H-卟吩,
酞菁氧化硅,
酞菁氯化铝,
酞菁(无金属),
酮菁二锂,
四甲基酞铜菁,
酞铜菁,
酞铬菁,
酞锌菁,
酞铅菁,
酞菁氧化钛氧化,
酞菁镁,
八甲基酞菁铜等。
此外,作为优选芳香族叔胺化合物和苯乙烯基胺化合物的代表例,能够举出
N,N,N′,N′-四苯基-4,4′-二氨基苯基,
N′,N′-二苯基-N′,N′-双-(3-甲基苯基)-[1,1′-联苯]-4,4′-二胺,
2,2-双(4-二对甲苯基氨基苯基)丙烷,
N,N,N′,N′-四-对甲苯基-4,4′-二氨基苯基,
1,1-双(4-二对甲苯基氨基苯基)-4-苯基环己烷,
双(4-二甲氨基-2-甲基苯基)苯基甲烷,
双(4-二对甲苯基氨基苯基)苯基甲烷,
N,N′-二苯基-N,N′-二(4-甲氧基苯基)-4,4′-二氨基联苯,
N,N,N′,N′-四苯基-4,4′-二氨基苯基醚,
4,4′-双(二苯基氨基)联四苯,
N,N,N-三(对甲苯基)胺,
4-(二对甲苯基氨基)-4′-[4(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]茋,
4-N,N-(二苯基氨基)-(2-二苯基乙烯基)苯,
3-甲氧基-4′-N,N-二苯基氨基-茋,
N-苯基咔唑等。
此外,也能够使用作为发光层的材料表示的上述的芳香族二次甲基化合物作为空穴注入层的材料。
作为空穴注入层的厚度没有特别的限制,可是通常可以取在5nm~5μm的范围内的值。即便对于这种空穴注入层,也可以是由上述材料组成的一种或两种以上的组合形成的单层构造,也可以是由同一个组成或不同的组成的多个层形成的多层构造。
(电子注入层)
此外,可以说作为根据需要设置的电子注入层有将从阴极注入的电子传送到发光层的功能,能够从已有的众所周知的化合物中选择任何一个作为这种材料。
作为电子注入层的构成材料的具体例子,能够举出硝基取代芴酮衍生物,日本昭和年间公开的57-149259号专利公报,58-55450号专利公报,63-104061号专利公报等揭示的蒽醌二甲烷衍生物,在Polymer Preprints,Japan Vol.37,No.3(1988)p.681等中记载的二苯基醌衍生物,噻喃二氧化物衍生物,萘苝等的杂环四羧酸酐,碳化二亚胺,Japanese Journal of Applied Physics,27,L269(1988),日本昭和年间公开的60-69657号专利公报,61-14376号专利公报,61-148159号专利公报等揭示的亚芴基甲烷衍生物,日本昭和年间公开的61-225151号专利公报,61-233750号专利公报等揭示的蒽醌二甲烷衍生物和蒽酮衍生物,Appl.Phys.Lett.,55,15,1489和所述的日本第38届应用物理学关系联合演讲会上滨田等揭示的噁二唑衍生物,日本昭和59年公开的59-194393号专利公报揭示的一系列的电子传递性化合物等。另外,在日本昭和59年公开的59-194393号专利公报中揭示将所述的传递性化合物作为发光层的材料,可是如果按照本发明者的研究,显然也能够将该化合物用作电子注入层的材料。
此外,也能够将8-羟基喹啉衍生物金属配合物,具体地,三(8-羟基喹啉)铝、三(5,7-二氯-8-羟基喹啉)铝,三(5,7-二溴-8-羟基喹啉)铝,三(2-甲基-8-羟基喹啉)Al,等,和金属配合物的中心金属被置换成In,Mg,Cu,Ca,Sn,Zn,Ga或Pb后的金属配合物等用作电子注入层的材料。其它,无金属的,或金属酞菁或其末端被烷基,砜基等所取代的化合物也是希望的。此外,也能够将作为发光层的材料例示的二苯基吡嗪衍生物用作电子注入层的材料。
此外,作为电子注入层的厚度没有特别的限制,通常可以取在5nm~5μm的范围内的值。即便对于这种电子注入层,也可以是由上述材料组成的一种或两种以上的组合形成的单层构造,也可以是由同一个组成或不同的组成的多个层形成的多层构造。
此外,作为电子注入层的厚度没有特别的限制,能够根据状况适当地进行选择,但是,例如,可以取在5nm~5μm的范围内的值。这个理由是因为电子注入层的膜厚不足5nm时,发光亮度和耐久性降低,另一方面,电子注入层的膜厚超过5μm时所加电压的值提高。因此,电子注入层的膜厚最好是取在10nm~3μm范围内的值,更好是取在20nm~1μm范围内的值。
(3)电极
(阳极层)
作为阳极层,可以使用空穴注入性良好的,功函数大的(例如,40eV以上)的金属,合金,导电性化合物或它们的混合物。具体地,能够单独地使用铟锡氧化物(ITO),CuI(碘化亚铜),SnO2(氧化锡),氧化锌,金,铂,钯等的一种或将它们的两种以上组合起来使用。
此外,对阳极层的厚度没有特别的限制,但是,最好是取在10~1,000nm范围内的值,更好是取在10~200nm范围内的值。
(阴极层)
另一方面,作为阴极层,可以使用电子注入性良好的,功函数小的(例如,4.0eV以下)的金属,合金,导电性化合物或它们的混合物。具体地,能够单独地使用镁,铝,铟,锂,钠,银等的一种或将它们的两种以上组合起来使用。
此外,对阴极层的厚度没有特别的限制,可是最好是取在10~1,000nm范围内的值,更好是取在10~200nm范围内的值。
另外,为了将光取出到外部,阳极或阴极中至少一方必须是透明的。
(4)支持基片
下面对有机EL器件中的支持基片进行说明。如果这种支持基片有优良的机械强度,很小的水分和氧气的透过性,则能够照样使用在这种有机EL器件中常用的支持基片。具体地,能够举出例如玻璃和陶瓷等。
(5)构成例
第一个实施形态的有机EL器件是下述的构成例(1),但是也可以是将其它的构成要素,例如空穴注入层和电子注入层组合起来,如下所示的构成例(1)~(4)。另外,在构成(1)~(4)中,不仅可以将基片设置在的阳极层的下面,也可以设置在的阴极层的下面。
(1)基片/阳极层/有机发光层/阴极层
(2)基片/阳极层/空穴注入层/有机发光层/阴极层
(3)基片/阳极层/有机发光层/电子注入层/阴极层
(4)基片/阳极层/空穴注入层/有机发光层/电子注入层/阴极层
另外,第一个实施形态的有机EL器件中,也可以在发光面一侧上设置色变换层,以便实现全彩色显示。
例如,在发光面一侧上设置绿色变换层时,包含绿色变换层(有时称为GCCM(Green Color Changing Medium))的合计光路长与CIEx色度坐标之间的关系如图28所示,包含绿色变换层的合计光路长与CIEy色度坐标之间的关系如图29所示。
此外,在发光面一侧上设置红色变换层时,包含红色变换层(有时称为RCCM(Red Color Changing Medium))的合计光路长与CIEx色度坐标之间的关系如图30所示,包含红色变换层的合计光路长与CIEy色度坐标之间的关系如图31所示。
[第二个实施形态]
在第二个实施形态中的有机EL器件,基本上有与如图1所示的第一个实施形态相同的构成,但是作为有机发光层,在用发光峰波长(S3)为500~570nm的绿色发光有机层这点上是不同的。而且,令透明电极和绿色发光有机层的合计光程长为t3,并且令显示出按照JIS Z 8701标准测定的CIEy色度坐标的极大值的光程长为Max(nm)时,第二个实施形态的有机EL器件满足Max-20nm<t3<Max+20nm的大小关系。
下面,将绿色发光有机层作为中心进行说明,而适当地省略对其它的构成要素的说明。
图8是表示透明电极和绿色发光有机层的合计光程长(t3)与EL发光的CIEx色度坐标值之间关系的图。用横轴表示合计光程长(t3)的值(nm),用纵轴表示CIEx色度坐标值。
此外,图9是表示透明电极和绿色发光有机层的合计光程长(t3)与EL发光的CIEy色度坐标值之间关系的图。用横轴表示合计光程长(t3)的值(nm),用纵轴表示CIEy色度坐标值。
另外,为了参考起见,将关于来自绿色发光有机层的发光的CIE色度坐标(计算值)表示在图10中,将它的放大图表示在图11中。分别地,横轴表示CIEx色度坐标的值,纵轴表示CIEy色度坐标的值。一般地,在绿色发光时,CIEx色度坐标的值约为0.15~0.33,而CIEy色度坐标的值约为0.60~0.75。
如从这些图8和图9可以理解的那样,CIEx色度坐标值和CIEy色度坐标值分别随着透明电极和绿色发光有机层的合计光程长的变化而周期地变化。
而且,关于CIEx色度坐标值,在合计光程长上有下列的极小值(Min)和极大值(Max)。
极小值(Min):约为200nm,470nm,745nm
极大值(Max):约为100nm,360nm,630nm,910nm
此外,关于CIEy色度坐标值,在合计光程长上有下列的极小值(Min)和极大值(Max)。
极小值(Min):约为100nm,360nm,640nm,910nm
极大值(Max):约为220nm,500nm,770nm
进一步,我们认识到CIEx色度坐标值和CIEy色度坐标值的离散分别地越小,在绿色发光中的色变化就越小,但是,当绿色发光时,在人的眼睛的感知上,有CIEy色度坐标值的离散比CIEx色度坐标值的离散引起人的眼睛感知较大的绿色变化那样的特性。
因此,即便透明电极和绿色发光有机层的合计光程长上存在一定的离散,通过使这种合计光程长与CIEy色度坐标值的极小值(Min)或极大值(Max)发生关系,能够大大减小影响色调的CIEy色度坐标值的变化。
例如,透明电极和绿色发光有机层的合计光程长上存在±20nm的离散时,如图11中的标记G1所示,当这种合计光程长为与CIEy色度坐标值的极小值(Min)或极大值(Max)没有关系的517nm时,CIEy色度坐标值在0.6482~0.6502的范围内变化,它的最大值和最小值之差为0.0020。
与此相对地,即便透明电极和绿色发光有机层的合计光程长上存在±20nm的离散,如图11中的标记G2所示,当这种合计光程长(t3)为与CIEy色度坐标值的极大值(Max)有关的497nm时,CIEy色度坐标值在0.6502~0.6505的范围内变化,它的最大值和最小值之差成为0.0002。即,与和极大值(Max)不发生关系的情形比较,降低到10%以下的值。
同样地,即便透明电极和绿色发光有机层的合计光程长上存在±20nm的离散,如图11中的标记G3所示,当这种合计光程长(t3)为与CIEy色度坐标值的极小值(Min)有关的645nm时,CIEy色度坐标值在0.6239~0.6243的范围内变化,它的最大值和最小值之差成为0.0004。即,与和极小值(Min)不发生关系的情形比较,降低到20%以下的值。
此外,图12是表示在第二个实施形态的绿色发光时的干涉峰与发光峰之间关系的图。在图12中,分别用标记A1表示干涉峰和用标记B1表示发光峰。此外,在这个例子中,透明电极和绿色发光有机层的合计光程长(nm)的与CIEy色度坐标值的极大值(Max)发生关系的值为497nm。但是,为了明确干涉峰的位置,方便起见,对干涉因子进行归一化表示,取极大为100,极小为0。另一方面,就发光强度而言,不进行归一化,表示实际的发光强度。
从图12可以清楚地见到,在第二个实施形态中,干涉峰(波长500nm)(A1)和发光光谱的峰(波长520nm)(B1)在波长上约有20nm的偏离。
与此相对地,图13是表示在已有的有机EL器件中绿色发光时的干涉峰和发光光谱与波长之间关系的图。在图13中,同样分别用标记A2表示干涉峰,用标记B2表示发光光谱。此外,在这个已有的例子中,为了使干涉峰(A2)与发光光谱的峰(B2)位置重合,如图11中的标记G1所示,透明电极和绿色发光有机层的合计光程长(nm)为517nm。但是,在这个合计光程长时,就CIEy色度坐标值而言,没有极大值(Max)和极小值(Min)。
因此,如果考虑到图8和图9所示的关系,即便透明电极和绿色发光有机层的合计光程长有一定的离散,干涉峰(A1)和发光峰(B1)存在偏离,由于这种合计光程长与极大值(Max)和极小值(Min)发生关系,更好的是,由于与CIEy色度坐标值的极大值(Max)发生关系,在第二个实施形态中的有机EL器件中,CIEy色度坐标值的变化变小,即能够使色变化变小。
另一方面,在已有的有机EL器件中,即便干涉峰(A2)与发光峰(B2)位置重合,因为透明电极和绿色发光有机层的合计光程长与极大值(Max)和极小值(Min)不发生关系,由这种合计光程长的离散引起的CIEy色度坐标值的变化变大,结果,在视觉上感到绿色的变化变大。
另外,在第二个实施形态的有机EL器件中,由于绿色发光有机层的干涉峰(A1)与发光峰(B1)位置偏离,EL发光强度的值有一些降低,和干涉峰(A2)与发光峰(B2)位置重合的已有的有机EL器件的情形比较,约有2%的降低,实用上,完全没有问题。
[第三个实施形态]
在第三个实施形态中的有机EL器件116,如图14所示,是在透明电极层(阳极层)10和阴极层12之间,夹持发光峰波长为400~490nm的蓝色发光有机层30,发光峰波长为500~570nm的绿色发光有机层32,和发光峰波长为580~700nm的红色发光有机层34的玻璃基片22上构成的。
而且,在第三个实施形态中的有机EL器件116,令透明电极10和蓝色发光有机层30的合计光程长为t1,并且令显示出按照JIS Z8701标准测定的CIEy色度坐标的极小值的合计光程长为Min(nm)时,满足Min-20nm<t1<Min+20nm的大小关系。
此外,令透明电极10和绿色发光有机层32的合计光程长为t3,并且令显示出按照JIS Z 8701标准测定的CIEy色度坐标的极大值的合计光程长为Max(nm)时,满足Max-20nm<t3<Max+20nm的大小关系。
进一步,令透明电极10和红色发光有机层34的合计光程长为t2,并且令显示出按照JIS Z 8701标准测定的CIEx色度坐标的极大值的合计光程长为Max(nm)时,满足Max-20nm<t2<Max+20nm的大小关系。
因此,在第三个实施形态中,除了作为有机层,在电极之间不仅夹持发光峰波长为400~490nm的蓝色发光有机层30,而且夹持发光峰波长为500~570nm的绿色发光有机层32,和发光峰波长为580~700nm的红色发光有机层34以外,与第一个实施形态的有机EL器件有相同的构成。
此外,在第二个实施形态中,对由在电极之间夹持发光峰波长为500~570nm的绿色发光有机层构成的有机EL器件进行说明。
因此,在下面的第三个实施形态的说明中,将发光峰波长为580~700nm的红色发光有机层34作为中心进行说明,而适当地省略对其它的构成要素的说明。
图15是表示透明电极和红色发光有机层的合计光程长(t2)与EL发光的CIEx色度坐标值之间关系的图。用横轴表示合计光程长(t2)的值(nm),用纵轴表示CIEx色度坐标值。
图16是表示透明电极和红色发光有机层的合计光程长(t2)与EL发光的CIEy色度坐标值之间关系的图。用横轴表示合计光程长(t2)的值(nm),用纵轴表示CIEx色度坐标值。
另外,为了参考起见,将关于来自红色发光有机层的发光的CIE色度坐标(计算值)表示在图17中,将它的放大图表示在图18中。分别地,横轴表示CIEx色度坐标的值,纵轴表示CIEy色度坐标的值。一般地,在红色发光时,CIEx色度坐标的值约为0.60~0.70,而CIEy色度坐标的值约为0.30~0.38。
如从这些图15和图16可以理解的那样,CIEx色度坐标值和CIEy色度坐标值分别随着透明电极和红色发光有机层的合计光程长的变化而周期地变化。
而且,关于CIEx色度坐标值,在合计光程长上有下列的极小值(Min)和极大值(Max)。
极小值(Min):约为230nm,530nm,820nm
极大值(Max):约为100nm,390nm,680nm,980nm
此外,关于CIEy色度坐标值,在合计光程长上有下列的极小值(Min)和极大值(Max)。
极小值(Min):约为100nm,390nm,690nm,980nm
极大值(Max):约为230nm,520nm,820nm
进一步,有CIEx色度坐标值和CIEy色度坐标值的离散分别地越小,则在红色发光中的色变化就越小,但是,当红色发光时,在人的眼睛的感知上,CIEx色度坐标值的离散比CIEy色度坐标值的离散引起人的眼睛感知较大的红色变化那样的特性。
因此,即便透明电极和红色发光有机层的合计光程长上存在一定的离散,通过使这种合计光程长与CIEx色度坐标值的极小值(Min)或极大值(Max)发生关系,能够大大减小影响色调的CIEx色度坐标值的变化。
例如,透明电极和红色发光有机层的合计光程长上存在±20nm的离散时,如图18中的标记R1所示,当这种合计光程长(t2)为与CIEx色度坐标值的极小值(Min)或极大值(Max)没有关系的596nm时,CIEx色度坐标值在0.6231~0.6247的范围内变化,它的最大值和最小值之差为0.0016。
与此相对地,即便透明电极和红色发光有机层的合计光程长(t2)上存在±20nm的离散,如图18中的标记R2所示,当这种合计光程长(t2)为与CIEx色度坐标值的极小值(Min)有关的523nm时,CIEx色度坐标值在0.6202~0.6203的范围内变化,它的最大值和最小值之差成为0.0001。即,与和极小值(Min)不发生关系的情形比较,降低到7%以下的值。
同样地,如图18中的标记R3所示,当透明电极和红色发光有机层的合计光程长(t2)为与CIEy色度坐标值的极大值(Max)有关的688nm时,CIEx色度坐标值在0.6295~0.6296的范围内变化,它的最大值和最小值之差成为0.0001。即,与和极大值(Max)不发生关系的情形比较,降低到7%以下的值。
此外,图19是表示在第三个实施形态中红色发光时的干涉峰与发光峰之间关系的图。在图19中,分别用标记A1表示干涉峰和用标记B1表示发光峰。此外,在这个例子中,透明电极和红色发光有机层的合计光程长(nm)的与CIEx色度坐标值的极大值(Max)发生关系的值为680nm。但是,为了明确干涉峰的位置,方便起见,对干涉因子进行归一化表示,取极大为100,极小为0进行归一化。另一方面,就发光强度而言,不进行归一化,表示实际的发光强度。
从图19可以清楚地见到,在第三个实施形态的红色发光有机层中,干涉峰(波长500nm)(A1)和发光光谱的峰(波长520nm)(B1)在波长上约有97nm的偏离。
与此相对地,图20是表示在已有的有机EL器件中红色发光时的干涉峰和发光光谱与波长之间关系的图。在图20中,同样分别用标记A2表示干涉峰,用标记B2表示发光峰。此外,在这个已有的例子中,因为干涉峰(A2)与发光光谱的峰(B2)位置重合,如图18中的标记R1所示,透明电极和红色发光有机层的合计光程长(nm)为与极大值(Max)和极小值(Min)没有关系的596nm。
因此,如果考虑到图15和图16所示的关系,即便透明电极和红色发光有机层的合计光程长有一定的离散,干涉峰(A1)和发光峰(B1)存在偏离,由于这种合计光程长与极大值(Max)和极小值(Min)发生关系,更好的是,由于与CIEx色度坐标值的极小值(Min)或极大值(Max)发生关系,在第三个实施形态中的有机EL器件的红色发光有机层中,能够使色变化变小。
另一方面,在已有的有机EL器件中,即便干涉峰(A2)与发光峰(B2)位置重合,因为透明电极和红色发光有机层的合计光程长与极大值(Max)和极小值(Min)不发生关系,由这种合计光程长的离散引起的CIEx色度坐标值的变化变大,结果,在视觉上感到红色变化变大。
另外,在第三个实施形态的有机EL器件中,由于红色发光有机层的干涉峰(A1)与发光峰(B1)位置偏离,EL发光强度的值有一些降低,和干涉峰(A2)与发光峰(B2)位置重合的已有的有机EL器件的情形比较,约降低20%,实用上,完全没有问题。
[第四个实施形态]
在第四个实施形态中的有机EL器件120,如图21所示,是在玻璃基片22上依次层积光程长校正层20,透明电极层(阳极层)10,发光峰波长(S1)为400~490nm的蓝色发光有机层12,和阴极层16构成的。而且,第四个实施形态的有机EL器件120,令透明电极层10和蓝色发光有机层12和光程长校正层20的合计光程长为t4,并且令显示出按照JIS Z 8701标准测定的CIEy色度坐标的极小值的光程长为Min时,满足Min-20nm<t4<Min+20nm的大小关系。
即,在第四个实施形态中,除了在透明电极层(阳极层)10和蓝色发光有机层12之间设置光程长校正层20,合计光程长取在所定范围内的值以外,与第一个实施形态中的有机EL器件有相同的构成。
因此,将光程长校正层20作为中心进行说明,而适当地省略对其它的构成要素的说明。
透明电极不限于阳极层,阴极层也可以是透明电极,或者阳极层和阴极层两者都可以是透明电极。但是,当阳极层和阴极层两者都是透明电极时,进一步要将阳极层和阴极层两者的光程长合计起来作为合计光程长。
(1)用光程长校正层的光程长校正方法
我们一面参照图2~图7,一面对用光程长校正层的光程长校正方法进行说明。如已经说明的那样,图7是表示在已有的有机EL器件中来自蓝色发光有机层的干涉因子和与发光光谱与波长(nm)之间关系的图。在图7的例子中,透明电极和蓝色发光有机层的合计光程长(t3)为468nm,如从图2和图3可以理解的那样,这个合计光程长是与CIEx色度坐标值和CIEy色度坐标值的极大值(Max)和极小值(Min)没有关系的值。
所以,从图2和图3,例如,选择使CIEx色度坐标值和CIEy色度坐标值的极小值(Min)位置重合的透明电极和蓝色发光有机层的合计光程长(t1)。
另外,这时,在图2和图3中,为了分别显示3~4个极小值(Min),也可以选择显示任何一个极小值(Min)的合计光程长(t1)。但是,最好选择极小值(Min)附近的CIEx色度坐标值和CIEy色度坐标值变化较小的极小值(Min)。通过选择这样的极小值(Min),能够使因合计光程长的变化引起的CIEx色度坐标值和CIEy色度坐标值的变化变小。
因此,在已有的有机EL器件中透明电极层和蓝色发光有机层的合计光程长和与选择的CIEx色度坐标值和CIEy色度坐标值的极小值(Min)对应的透明电极层和蓝色发光有机层的合计光程长(t1)之间的差成为要用光程长校正层校正的光程长。
因此,为了能够附加上这种应该校正的光程长,可以选择光程长校正层的厚度和构成材料。这时,为了和与CIEy色度坐标值的极小值(Min)中的一个对应的光程长670nm一致,将在设置光程长校正层前的透明电极层和蓝色发光有机层的合计光程长(nm)468nm从670nm中减去,设置有202nm光程长的光程长校正层。此外,用光程长校正层的优点是能够避免用于光学校正的电极间的有机物的厚度增加和能够避免有机层厚度增加时的电压上升。
(2)构成材料
对光程长校正层的构成材料没有特别的限制,能够用无机物和有机物。作为无机物,能够用玻璃,石英,氧化锡,氧化铟,氧化铅,氧化铝,氧化锂等氧化物,氟化锂,氟化钙,氟化镁等氟化物,当金,银,铜,铝,钼等金属很薄变成透明时也可以用。能够举出它们中的一种单独地使用或两种以上组合起来使用。
此外,作为有机物,能够举出有机EL材料,聚丙烯系树脂,聚乙烯系树脂,氟系树脂,丙烯酸系树脂,聚醚砜系树脂,聚碳酸酯系树脂等的一种单独地使用或两种以上组合起来使用。当有机物放在电极之间时必须能够通过电流,但是当放在电极之间的外部时,也可以是完全的绝缘体。
此外,因为光程长是由膜厚和折射率确定的,所以构成材料的折射率最好是在1.0~3.0(在温度25℃,由阿贝折射率计测定)的范围内的值。这个理由是因为很难得到构成材料的折射率小于1.0的物质。另一方面,构成材料的折射率超过3.0时,可以使用的构成材料的选择范围受到极大的限制。
因此,为了更好地平衡这种构成材料的薄膜性和选择性,构成材料的折射率最好是取在1.3~2.5的范围内的值。更好是取在1.7~2.1的范围内的值。
(3)厚度
即便对光程长校正层的厚度也没有特别的限制,但是例如,最好是取在1~2,000nm的范围内的值。这个理由是因为当光程长校正层的厚度小于1nm时,不易形成均匀的厚度,或不能得到足够的光程长校正效果。另一方面,当光程长校正层的厚度超过2,000nm时,因为不再能够无视光程长校正层厚度的不均匀,相反地使透明电极层和发光有机层的合计光程长的调整变得困难了。
因此,光程长校正层的厚度最好是取在2~500nm的范围内的值,更好是取在5~100nm的范围内的值。
(4)形成方法
对光程长校正层的形成方法没有特别的限制,但是例如,最好是用真空蒸镀法,溅射法,电子束(EB,Electron Beam)法,MBE(分子束外延,Molecular Beam Epitaxy)法,LB(Langumuir-Blodgett)法,CDV(化学蒸气沉积,Chemical Vapor Deposition)法,旋涂法,铸造法等。
(5)构成例
第四个实施形态的有机EL器件120,如图21所示,是在基片和透明电极层(阳极层)10之间设置光程长校正层20的构成例(1),但是,也可以是用其它的构成要素,例如将空穴注入层和电子注入层组合起来,如下所示的构成例(2)~(7)。特别是在基片和阳极层之间设置光程长校正层的构成例(1)和(5)~(7),因为没有改变已有的有实际成绩的有机EL器件的构成(阳极层/有机发光层/阴极层),所以是很好的。
另外,基片不限于是阳极的基底,也可以是阴极的基底。进一步,构成例(4)那样的光程长校正层不仅可以是一层,也可以设置两层以上。
(1)基片/光程长校正层/阳极层/有机发光层/阴极层
(2)基片/阳极层/光程长校正层/有机发光层/阴极层
(3)基片/阳极层/有机发光层/光程长校正层/阴极层
(4)基片/光程长校正层/阳极层/光程长校正层/有机发光层/阴极层
(5)基片/光程长校正层/阳极层/空穴注入层/有机发光层/阴极层
(6)基片/光程长校正层/阳极层/有机发光层/电子注入层/阴极层
(7)基片/光程长校正层/阳极层/空穴注入层/有机发光层/电子注入层/阴极层
[第五个实施形态]
第五个实施形态是在第四个实施形态中的有机EL器件120的制造方法,它包括当令透明电极,有机层和光程长校正层的合计光程长为t(nm),并且令显示出按照JIS Z 8701标准测定的CIEx色度坐标或CIEy色度坐标的极小值的光程长为Min(nm),显示出按照JISZ 8701标准测定的CIEx色度坐标或CIEy色度坐标的极大值的光程长为Max(nm)时,为了使合计光程长(t)满足下列的大小关系(a)和(b),或者其中无论那一个大小关系,形成透明电极,有机层和光程长校正层的工序。
Min-20nm<t<Min+20nm    (a)
Max-20nm<t<Max+20nm    (b)
因此,在第五个实施形态的制造方法中,最好依次地包括准备好基片的工序,形成光程长校正层的工序,形成阳极层(透明电极)的工序,形成有机发光层的工序,和形成阴极层的工序。
另外,作为阳极层(透明电极)的形成工序,准备好形成由预先所定的材料组成的所定厚度的透明电极的基片,也可以照旧使用。
这里,也可以在如第四个实施形态中说明的那样决定了光程长校正层的厚度和构成材料后,实施作为第五个实施形态的特征的光程长校正层的形成工序。此后,在基片上形成光程长校正层。这时的形成方法,如在第四个实施形态中说明了的那样,同样可以用例如真空蒸镀法。其次,参照第四个实施形态在光程长校正层上形成已有的有机EL器件。
当这样制造附有光程长校正层的有机EL器件时,能够基本上照旧采用已有的有机EL器件的制造条件。
但是,在基片上形成第一个光程长校正层,在它上面形成阳极层,此后,也可以形成第二个光程长校正层。当这样形成时,能够制造出适当和确切地与光程长校正层的种类和厚度不同的三基色(红色,蓝色,绿色)的有机EL器件对应的器件。
[实施例]
[实施例1]
(1)制造有机EL器件的准备
实施例1的有机EL器件有图1所示的构成,在制造时,首先,在厚度1.1mm,纵向宽度200mm,横向宽度200mm的透明玻璃基片22上,形成由厚度130nm的ITO组成的透明电极膜作为阳极层10。以后,将这个玻璃基片22和阳极层10合并起来形成基片30。
然后,用异丙醇超声波清净这个基片30,进一步,在N2气(氮气)氛中使它干燥后,用UV(紫外线)和臭氧清洗10分钟。
然后,将基片30,如图34所示,装入真空蒸镀装置201中的真空槽210的基片座架211中,并且分别将构成有机发光层12的4,4′-双(2,2-二苯基乙烯基)联苯(以下写成DPVBi)放入蒸发源212A中,将4,4′-双[2-(4-(N,N-二对甲苯基)乙烯基]联苯(以下写成DTAVBi)放入蒸发源212AB中,将构成电子注入层14的(8-羟基喹啉)铝(以下写成Alq)放入蒸发源212C中,将构成电子注入层14的一部分的还原性掺杂剂(Li)放入蒸发源212D中,将构成阴极层16的金属(Al)放入蒸发源212E中。
(2)有机EL器件的制造
其次,在将如图34所示的真空槽210内的气压降低到6×10-6Pa以下的真空度后,将由DPVBi和DTAVBi组成的蓝色有机发光层12,同时蒸镀Alq和Li形成的电子注入层14,和由Al组成的阴极层16,以这个顺序依次地层积在基片30的透明电极(ITO膜)10上,得到有机EL器件100。
这时,为了使显示出CIEy色度坐标的极小值的光程长(Min)为430nm那样地,构成透明电极和蓝色有机发光层(包括电子注入层)的合计光程长(t1)。
透明电极(折射率1.7)的膜厚:  130nm
有机发光层(折射率1.7)的膜厚:80nm
电子注入层(折射率1.7)的膜厚:43nm
阴极层的膜厚:               200nm
(3)对有机EL器件的评价
在制得的有机EL器件100中,将阴极层16作为负(-)电极,透明电极10作为正(+)电极,在两电极之间加上7伏的直流电压。这时候的电流密度为1.3mA/cm2,用亮度计测定的(以下,对发光亮度进行相同的测定)发光亮度的值为39cd/m2。此外,关于发光色度,已经确认按照JIS Z 8701标准测定的CIE色度坐标的值为CIEx=0.150,CIEy=0.223,能够得到有卓越色调的蓝色发光。
进一步,在测定这种有机EL器件的半寿命时,确认有1,000小时以上的长寿命。另外,所谓的半衰期就是发光亮度一直降到最大亮度的半值时所需的时间。例如,在实施例1中,就是发光亮度从最大亮度100cd/m2降到它的一半50cd/m2时所需的时间。
[实施例2]
在实施例2中,除了用同时蒸镀Alq和香豆素6得到的涂层作为绿色有机发光层(膜厚120nm),合计光程长(t3)近似为497nm,显示出CIEy的极大的光程长(Max)近似为500nm外,按照实施例1制作有机EL器件。
然后,加上7伏直流电压,对器件性能进行评价时,电流密度为1.1mA/cm2,发光亮度为70cd/m2。此外,已经确认按照JIS Z 8701标准测定的CIE色度坐标的值为CIEx=0.256,CIEy=0.655,能够得到色调卓越的绿色发光。
[实施例3]
在实施例3中,除了同时蒸镀Alq和4-二氰基亚甲基-2-甲基-6-(对二甲基氨基苯乙烯基)-4H-吡喃形成红色有机发光层(膜厚57nm),合计光程长(t2)与显示出CIEx的极大的光程长(Max)390nm一致外,按照实施例1制作有机EL器件。
然后,在制得的有机EL器件的电极之间加上7伏直流电压,对器件性能进行评价时,电流密度为0.98mA/cm2,发光亮度为25cd/m2
此外,已经确认按照JIS Z 8701标准测定的CIE色度坐标的值为CIEx=0.655,CIEy=0.352,能够得到色调卓越的红色发光。
[实施例4]
在实施例4中,除了在玻璃基片和透明电极之间插入作为光程长校正层的氧化镁(膜厚20nm),使有机发光层达到58nm外,按照实施例1制作有机EL器件。这时,合计光程长的值为430nm,与显示出CIEy的极小值的光程长(Min)430nm一致。
然后,在制得的有机EL器件的电极之间加上7伏直流电压,对器件性能进行评价时,电流密度为1.1mA/cm2,发光亮度为33cd/m2
此外,按照JIS Z 8701标准测定的CIE色度坐标的值为CIEx=0.151,CIEy=0.224。即,已经确认通过插入光程长校正层,与没有插入光程长校正层的比较例1进行比较,CIEy的值可以小0.01,能够得到色调更优良的蓝色发光。
[实施例5]
在实施例5中,除了在电子注入层和阴极之间插入作为光程长校正层的由氧化镁组成的层(膜厚20nm),使有机发光层达到58nm外,按照实施例1制作有机EL器件。这时,合计光程长的值为430nm,与显示出CIEy的极小值的光程长(Min)430nm一致。
然后,在制得的有机EL器件的电极之间加上7伏直流电压,对器件性能进行评价时,电流密度为0.90mA/cm2,发光亮度为26cd/m2
此外,按照JIS Z 8701标准测定的CIE色度坐标的值为CIEx=0.151,CIEy=0.224,即,已经确认通过插入光程长校正层,与没有插入光程长校正层的比较例1进行比较,CIEy的值可以小0.01,能够得到色调更优良的蓝色发光。
[实施例6]
在实施例6中,除了在透明电极和有机发光层之间插入作为光程长校正层的酞花菁铜层(膜厚19nm),使有机发光层达到58nm外,按照实施例1制作有机EL器件。这时,合计光程长的值为430nm,与显示出CIEy的极小值的光程长(Min)430nm一致。
然后,在制得的有机EL器件的电极之间加上7伏直流电压,对器件性能进行评价时,电流密度为1.2mA/cm2,发光亮度为38cd/m2
此外,按照JIS Z 8701标准测定的CIE色度坐标的值为CIEx=0.151,CIEy=0.225,即,通过插入光程长校正层,与没有插入光程长校正层的比较例1进行比较,CIEy的值可以小0.01,能够得到色调更优良的蓝色发光。
[比较例1]
在比较例1中,除了使有机发光层的厚度达到58nm外,按照实施例1制作有机EL器件。这时,合计光程长的值为392nm,在显示出CIEx色度坐标或CIEy色度坐标的极小值的光程长Min,和显示出极大值的光程长Max之间的关系中,不满足下列的大小关系中的无论那一个。
Min-20nm<合计光程长<Min+20nm
Max-20nm<合计光程长<Max+20nm
然后,在制得的有机EL器件的电极之间加上7伏直流电压,对器件性能进行评价时,电流密度为1.5mA/cm2,发光亮度为35cd/m2
此外,已经确认按照JIS Z 8701标准测定的CIE色度坐标的值为CIEx=0.158,CIEy=0.235,与实施例1进行比较时,CIEy的值向绿色一方有很大的偏移成为蓝绿色发光。
另外,在图26中,分别地表示在比较例1中的合计光程长与CIEy的关系并与实施例1的情形进行比较。
[比较例2]
在比较例2中,除了使蓝色有机发光层的厚度达到102nm外,按照实施例1制作有机EL器件。这时,合计光程长的值为干涉峰与发光峰位置重合时的468nm,在显示出CIEx色度坐标或CIEy色度坐标的极小值的光程长Min和显示出极大值的光程长Max之间的关系中,不满足下列的大小关系中的无论那一个。
Min-20nm<合计光程长<Min+20nm
Max-20nm<合计光程长<Max+20nm
然后,在制得的有机EL器件的电极之间加上7伏直流电压,对器件性能进行评价时,电流密度为1.1mA/cm2,发光亮度为35cd/m2
此外,已经确认按照JIS Z 8701标准测定的CIE色度坐标的值为CIEx=0.148,CIEy=0.232,与实施例1进行比较时,CIEy的值向绿色一方有很大的偏移成为蓝绿色发光。
另外,在图26中,分别地表示在比较例2中的合计光程长与CIEy的关系并与实施例1的情形进行比较。
[比较例3]
在比较例3中,除了使绿色有机发光层的厚度达到81nm外,按照实施例2制作有机EL器件。这时,合计光程长的值为430nm,在显示出CIEx色度坐标或CIEy色度坐标的极小值的光程长Min和显示出极大值的光程长Max之间的关系中,不满足下列的大小关系中的无论那一个。
Min-20nm<合计光程长<Min+20nm
Max-20nm<合计光程长<Max+20nm
然后,在制得的有机EL器件的电极之间加上7伏直流电压,对器件性能进行评价时,电流密度为1.5mA/cm2,发光亮度为27cd/m2
此外,已经确认按照JIS Z 8701标准测定的CIE色度坐标的值为CIEx=0.288,CIEy=0.640,与实施例2进行比较时,CIEy的值相当小并向黄色一方偏移成为黄绿色发光。
另外,在图24中,分别地表示在比较例3中的合计光程长与CIEy的关系并与实施例2的情形进行比较。
[比较例4]
在比较例4中,除了使红色有机发光层的厚度达到92nm外,按照实施例3制作有机EL器件。这时,合计光程长的值为450nm,在显示出CIEx色度坐标或CIEy色度坐标的极小值的光程长Min和显示出极大值的光程长Max之间的关系中,不满足下列的大小关系中的无论那一个。
Min-20nm<合计光程长<Min+20nm
Max-20nm<合计光程长<Max+20nm
然后,在制得的有机EL器件的电极之间加上7伏直流电压,对器件性能进行评价时,电流密度为1.5mA/cm2,发光亮度为27cd/m2
此外,已经确认按照JIS Z 8701标准测定的CIE色度坐标的值为CIEx=0.625,CIEy=0.375,与实施例3进行比较时,CIEx的值相当小,成为带有黄色的红黄色发光。
另外,在图25中,分别地表示在比较例4中的合计光程长与CIEx的关系并与实施例3的情形进行比较。
表1
光程长校正层 合计光程长nm 极大/极小的关系 CIEx  CIEy 发光的颜色 电流密度mA/cm2 发光亮度cd/cm2
 实施例1     无     430 与CIEy的极小430nm一致 0.150  0.223 蓝色     1.5     27
 实施例2     无     497 与CIEy的极大500nm近似 0.256  0.655 绿色     1.1     70
 实施例3     无     390 与CIEx的极大390nm一致 0.656  0.352 红色     0.98     25
 实施例4     有     430 与CIEy的极小430nm一致 0.151  0.224 蓝色     1.1     33
 实施例5     有     430 与CIEy的极小430nm一致 0.151  0.224 蓝色     0.9     26
 实施例6     有     430 与CIEy的极小430nm一致 0.151  0.225 蓝色     1.2     38
 比较例1     无     392 与无论那个极值都不近似 0.158  0.235 蓝绿色     1.5     35
 比较例2     无     468 与无论那个极值都不近似 0.148  0.232 蓝绿色     1.1     35
 比较例3     无     430 与无论那个极值都不近似 0.288  0.640 黄绿色     1.5     27
 比较例4     无     450 与无论那个极值都不近似 0.625  0.375 红黄色     1.5     27
[实施例7]
(1)有机EL器件的制作
(1)阳极(下部电极)的形成
在纵向宽度112mm,横向宽度143mm,厚度1.1mm的玻璃基片(OA2玻璃,日本电气玻璃股份有限公司制造)上旋涂作为黑底(BM)的构成材料的V259BK(日本新日铁化学股份有限公司制造)。然后,通过格子状的光掩模曝露在紫外线的照射下,未曝光部分用重量2%的碳酸钠水溶液进行显影。此后,在200℃的温度中烘焙,形成黑底(膜厚1.5μm)。
然后,在黑底上旋涂作为平坦的膜的构成材料的丙烯酸系热固性树脂V259PH(日本新日铁化学股份有限公司制造)后,在160℃的温度中烘焙,形成平坦的膜(膜厚5μm)。
然后,在平坦的膜上用溅射法形成厚度为200nm的铟锌氧化物层(IZO)。
然后,在铟锌氧化物层上旋涂正型抗蚀膜HPR204(富士ハント电子学技术制造股份有限公司制造),在80℃的温度中,干燥10分钟。
然后,如图22所示,对阴极的取出部20进行掩模,同时通过有带状图案(行宽90μm,间隙宽20μm)的光掩模,用高压汞灯作为光源进行接触曝光后,用TMAH(氢氧化四甲基铵)对曝光部进行显影,此后,在130℃的温度中烘焙10分钟,形成阻挡膜。
然后,用重量5%的草酸水溶液作为刻蚀剂,将在阻挡膜中露出的铟锌氧化物层刻蚀掉后,用剥离液N303(长濑产业股份有限公司制造)除去正型抗蚀膜HPR204,如图22所示,在玻璃基片12上,得到作为阳极(下部电极)的带状IZO图案(行数960条)14。
(2)第一个层间绝缘膜的形成
其次,在IZO图案上,旋涂丙烯酸系负型抗蚀膜V259PA(日本新日铁化学股份有限公司制造),通过有与IZO图案正交的带状图案的光掩模(行宽90μm,间隙宽20μm),在80℃的温度中,干燥10分钟后,用高压汞灯作为光源进行接触曝光,曝光量达到100mJ/cm2
然后,用TMAH作为显影液,对未曝光部进行显影,进一步,用烘箱在160℃的温度中进行10分钟的烘焙处理,如图22所示,形成第一个层间绝缘膜(IZO的开口部分70μm×290μm)16。
(3)第二个层间绝缘膜的形成
其次,在第一个层间绝缘膜上,旋涂负型抗蚀膜ZPN1100(日本Zeon股份有限公司制造),通过有与是下部电极的IZO图案平行的带状图案(线宽20μm,间隙宽310μm)的光掩模,在80℃的温度中,干燥10分钟后,用高压汞灯作为光源进行接触曝光,曝光量达到100mJ/cm2
然后,用TMAH作为显影液,对未曝光部进行显影,进一步,用烘箱在160℃的温度中进行10分钟的烘焙处理,如图22所示,形成作为隔壁的第二个层间绝缘膜(行宽20μm,间隙宽310μm)18。
(4)清洗工序
其次,对于形成IZO图案等的玻璃基片(下面,有简单地称为玻璃基片的情形。),用异丙醇进行超声波清洗,用干燥空气吹干后,用UV臭氧清洗装置(Samco公司制造),实施30分钟的紫外线清洗。
(5)有机发光媒体的形成
其次,将形成IZO图案等的玻璃基片固定在如图34所示的真空蒸镀装置(日本真空技术股份有限公司制造)201内的基片座架211中。
然后,在如图34所示的真空蒸镀装置201内的钼制的加热盘212A~E中分别充填下列材料。
空穴注入材料:4,4′,4″-三[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]三苯胺基(MTDATA)
空穴迁移材料:4,4′-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]-联苯(NPD),
有机发光材料:4,4′-双[2,2-二苯基乙烯基)联苯(DPVBi)和4,4′-双[2-(4-N,N-二对甲苯基)苯基)乙烯基]联苯(DTAVBi)
电子注入材料:三(8-羟基喹啉)铝(Alq)
此外,将作为对置电极(阴极)材料的Al-Li合金(Li的原子浓度为10%)装入钨制灯丝BF-1(日本バックスメタル制)(在图34中用标号212表示的部件)中。
然后,使真空蒸镀装置的真空度下降到6×10-5Pa,以下列的蒸镀速度和膜厚,形成由空穴注入层组成的阴极,中途不破坏真空状态,通过一次真空内的牵引依次地进行层积,形成有机发光媒体等。此外,在下列的条件下同时蒸镀DPVBi和DTAVBi,它们的合计膜厚为40nm。
此外,各膜厚为有机发光媒体的中央部分的值,所以,在中央部分的合计光程长为680nm,透明电极和有机发光媒体(蓝色发光有机层)的合计光程长,如图27所示,与CIEy色度坐标的极小值670nm近似。
进一步,用椭圆振动频率计测定在各有机发光媒体面内的膜厚分布时,得到平均值的±1%的值。所以,因为实质上不存在透明电极的膜厚分布,所以合计光程长的分布也有平均值的±1%的值。
NTDATA:蒸镀速度0.1~0.3nm/sec,膜厚76nm
NPD   :蒸镀速度0.1~0.3nm/sec,膜厚20nm
DPVBi :蒸镀速度0.4nm/sec,     合计膜厚40nm
DTAVBi:蒸镀速度0.1nm/sec,
Alq   :蒸镀速度0.1~0.3nm/sec,膜厚20nm
Al-Li :蒸镀速度0.5~1.0nm/sec,膜厚150nm
(6)密封工序
其次,在密封装置内,将用于密封的玻璃基片(蓝玻璃)层积在阴极一侧,用阳离子固化型粘合剂TB3102(スリ-ボンド股份有限公司制造)密封它的周围,下部电极和上部电极构成形成XY矩阵的有机EL器件(像素数320×240个,孔径率56%)
(2)有机EL器件的评价
在制得的有机EL器件中的透明电极(阳极)和对置电极(阴极)之间,加上7V的直流电压时,各电极的交叉部分(像素)发光。然后,用发光分布测定装置CA-1000(Minolta股份有限公司制造),分别测定发光亮度和色度分布。
结果,我们确认它是CIEx的最大值和最小值之差为0.0046,并且CIEy的最大值和最小值之差为0.0010,有极其卓越的蓝色色调,同时蓝色色调的变化很小的有机EL器件。
此外,用亮度计测定发光亮度的面内分布时,我们确认它有平均值的5%以内的很小的值。
[比较例5]
在比较例5中,除了MTDATA的膜厚为120nm,合计光程长为760nm外,按照实施例7,制作有机EL器件(像素数320×240个,孔径率56%),并对它进行评价。
结果,中心部分的合计光程长约为760nm,CIEx的最大值和最小值之差为0.0039,并且CIEy的最大值和最小值之差为0.023。此外,我们确认发光亮度的面内分布有平均值的5%以内的很小的值。
所以,CIEy的最大值和最小值之差比实施例7的大20倍以上,与像素的发光地点有关,可以看到蓝绿色,蓝色的色纯度降低。
[实施例8]
(有机EL器件的制作)
在实施例8中,除了在黑底(BM)形成工序和平坦层形成工序之间,分别设置下述的蓝色滤色器形成工序,绿色变换膜的形成工序和红色变换膜的形成工序外,与实施例7相同地制作有机EL器件(像素数320×240个,孔径率56%)。
即,作为蓝色滤色器的材料,旋涂V259B(日本新日铁化学股份有限公司制造),通过有带状图案(行宽901μm,间隙宽240μm,带数320条)的光掩模,并在使该光掩模与黑底位置重合的状态中,用高压汞灯作为光源进行接触曝光,曝光量达到100mJ/cm2。此后,用重量2%的碳酸钠水溶液进行显影,进一步,在200℃的温度中烘焙10分钟,形成蓝色滤色器(厚度为1.5μm)。
然后,在蓝色滤色器上,作为绿色变换膜的材料,旋涂由0.04mol/Kg(对于固形部分)的香豆素6和丙烯酸系负型抗蚀膜V259PA(日本新日铁化学股份有限公司制造,固形部分浓度为重量50%)组成的混合材料。然后,用于形成蓝色滤色器的光掩模,只有110μm的间隔,相对于蓝色滤色器的带状图案,在平面纵方向移动,使位置重合,用高压汞灯作为光源进行接触曝光,曝光量达到100mJ/cm2。此后,用重量2%的碳酸钠水溶液进行显影,进一步,在200℃的温度中烘焙10分钟,形成绿色变换膜(厚度为10μm)。
然后,在绿色变换膜上,作为红色变换膜的材料,旋涂由0.53g的香豆素6,1.5g的Basic Violet 11,1.5g的若丹明6G和100g的丙烯酸系负型抗蚀膜V259PA(日本新日铁化学股份有限公司制造,固形部分浓度为重量50%)组成的混合材料。然后,用于形成蓝色滤色器的光掩模,只有220μm的间隔,相对于蓝色滤色器的带状图案,在平面纵方向移动,使位置重合,用高压汞灯作为光源进行接触曝光,曝光量达到100mJ/cm2。此后,用重量2%的碳酸钠水溶液进行显影,进一步,在160℃的温度中烘焙10分钟,形成红色变换膜(厚度为10μm)。
这样就制成了如图23所示的包含蓝色变换膜27,绿色变换膜26,红色变换膜25和黑底24的滤色器10。
另外,透明电极,蓝色滤色器,平坦的层,和有机发光媒体(蓝色发光有机层)的合计光程长为680nm,如图27所示,与CIEy色度坐标的极小值670nm近似。
(有机EL器件的评价)
在制得的有机EL器件中的透明电极(阳极)和对置电极(阴极)之间,加上7V的直流电压时,各电极的交叉部分(像素)发光。然后,用发光分布测定装置CA-1000(Minolta股份有限公司制造),分别测定发光亮度和色度分布。
结果,在与蓝色滤色器对应的位置上的像素上,能够得到色纯度优良的蓝色发光,CIEx的最大值和最小值之差为0.0017,CIEy的最大值和最小值之差为0.0029。此外,用亮度计测定发光亮度的分布时,我们确认面内分布有平均值的8%以内的很小的值。
另外,为了与比较例6等进行对比,在表2中,表示对蓝色发光得到的CIEx和CIEy的值,发光亮度分布和发光颜色的结果。
此外,在与绿色变换膜对应的位置上的像素上,能够得到绿色发光,CIEx的最大值和最小值之差为0.0057,CIEy的最大值和最小值之差为0.0008。此外,用亮度计测定发光亮度的分布时,我们确认面内分布有平均值的5%以内的很小的值。
此外,在与红色变换膜对应的位置上的像素上,能够得到红色发光,CIEx的最大值和最小值之差为0.0017,CIEy的最大值和最小值之差为0.00022。此外,用亮度计测定发光亮度的分布时,我们确认面内分布有平均值的5%以内的很小的值。
进一步,作为全色发光的灯,利用光干涉效果,能够得到白色的发光。这时的CIEx的最大值和最小值之差为0.0036,CIEy的最大值和最小值之差为0.00084。此外,我们确认发光亮度的面内分布有平均值的5%以内的很小的值。
进一步,这样作为全色发光的灯,当使发出白色的光时,有机EL器件的平均发光亮度为96.8cd/m2,CIEx的色度为0.2934和CIEy的色度为0.3471。
因此,如果用这样的有机EL器件,则能够得到CIEy的色度差特别小,色纯度优良的蓝色,绿色,红色和白色的发光,可以得到在所要的颜色上进行发光的全色显示。
[比较例6]
在比较例6中,除了在实施例8中MTDATA的膜厚为120nm外,按照实施例8,制作有机EL器件(像素数320×240个,孔径率56%),并对它进行评价。
另外,透明电极,蓝色滤色器,平坦的层,和有机发光媒体(蓝色发光有机层)的合计光程长为760nm,在CIEx色度坐标的极小值(Min)和极大值(Max),或CIEy色度坐标的极小值(Min)和极大值(Max)之间的关系中,不满足下列的各个大小关系。
Min-20nm<合计光程长<Min+20nm
Max-20nm<合计光程长<Max+20nm
结果,在与蓝色滤色器对应的位置上的像素上,能够得到蓝色发光,CIEx的最大值和最小值之差为0.00028,CIEy的最大值和最小值之差为0.013。此外,发光亮度的面内分布有平均值的5%以内的值。
另外,为了与实施例8等进行对比,在表2中,表示对蓝色发光得到的CIEx和CIEy的值,发光亮度分布和发光颜色的结果。
此外,在与绿色变换膜对应的位置上的像素上,能够得到绿色发光,CIEx的最大值和最小值之差为0.0019,CIEy的最大值和最小值之差为0.0090,发光亮度的面内分布有平均值的5%以内的值。
此外,在与红色变换膜对应的位置上的像素上,能够得到红色发光,CIEx的最大值和最小值之差为0.0025,CIEy的最大值和最小值之差为0.0032,发光亮度的面内分布有平均值的5%以内的值。
进一步,作为全色发光的灯,利用光干涉效果,能够得到白色的发光,CIEx的最大值和最小值之差为0.0021,CIEy的最大值和最小值之差为0.018,发光亮度的面内分布有平均值的5%以内的值。此外,当这样地使发出白色的光时,有机EL器件的平均亮度为120.3cd/m2,CIEx的色度为0.2909和CIEy的色度为0.4223。
因此,当这样地使发出白色光时,我们确认与实施例8比较,CIEy的色度差变大,成为带有绿色的白色发光。
关于有机EL器件的平均亮度,与实施例8比较,比较例6有高的值,可是比较例6因为受到由于白色发光向绿色一侧偏移的视觉度的影响,当进行图像显示时,白色性占优势时能得到所要的发光颜色,所以是很好的。因此,可以说即便比较例6有高的平均亮度,就色纯度而言,要比实施例8差。
[实施例9]
在实施例9中,除了代替在实施例8中的纵向宽度112mm,横向宽度143mm,厚度1.1mm的玻璃基片(OA2玻璃,日本电气玻璃股份有限公司制造),用纵向宽度260mm,横向宽度210mm,厚度1.1mm的玻璃基片外,与实施例8相同地,制作有机EL器件(像素数640×480个,孔径率56%),并对它进行评价。
另外,透明电极,蓝色滤色器,平坦的层,和有机发光媒体(蓝色发光有机层)的合计光程长约为680nm,如图27所示,与CIEy色度坐标的极小值670nm近似。
结果,在与蓝色滤色器对应的位置上的像素上,能够得到蓝色发光,CIEx的最大值和最小值之差为0.0049,CIEy的最大值和最小值之差为0.010,发光亮度的面内分布时有平均值的23%以内的值。
另外,为了与比较例7等进行对比,在表2中,表示对蓝色发光得到的CIEx和CIEy的值,发光亮度分布和发光颜色的结果。
此外,在与绿色变换膜对应的位置上的像素上,能够得到绿色发光,CIEx的最大值和最小值之差为0.0017,CIEy的最大值和最小值之差为0.0037,发光亮度的面内分布有平均值的12%以内的值。
此外,在与红色变换膜对应的位置上的像素上,能够得到红色发光,CIEx的最大值和最小值之差为0.0053,CIEy的最大值和最小值之差为0.0018,发光亮度的面内分布有平均值的约15%以内的值。
进一步,作为全色发光的灯,利用光干涉效果,能够得到白色的发光。CIEx的最大值和最小值之差为0.010,CIEy的最大值和最小值之差为0.0068,发光亮度的面内分布有平均值的14%以内的值。此外,当这样地使发出白色的光时,有机EL器件的平均亮度为96.8cd/m2,CIEx的色度为0.2934和CIEy的色度为0.3471。
因此,如果用这样的有机EL器件,则我们确认能够得到面板的面积增大,各种颜色的发光亮度的分布变大,CIEy的色度差特别小,色纯度优良的蓝色,绿色,红色和白色发光的全色。
[比较例7]
在比较例7中,除了在实施例9中,NTDATA的膜厚为120nm外,与实施例9相同地,制作有机EL器件(像素数640×480个,孔径率56%),并对它进行评价。
另外,透明电极,蓝色滤色器,平坦的层,和有机发光媒体(蓝色发光有机层)的合计光程长为760nm,在CIEx色度坐标的极小值(Min)和极大值(Max),或CIEy色度坐标的极小值(Min)和极大值(Max)之间的关系中,分别有不满足下列的大小关系的值。
Min-20nm<合计光程长<Min+20nm
Max-20nm<合计光程长<Max+20nm
结果,在与蓝色滤色器对应的位置上的像素上,能够得到蓝色发光,CIEx的最大值和最小值之差为0.0020,CIEy的最大值和最小值之差为0.036,发光亮度的面内分布有平均值的7%以内的值。
另外,为了与实施例9等进行对比,在表2中,表示对蓝色发光得到的CIEx和CIEy的值,发光亮度分布和发光颜色的结果。
此外,在与绿色变换膜对应的位置上的像素上,能够得到绿色发光,CIEx的最大值和最小值之差为0.0067,CIEy的最大值和最小值之差为0.025,发光亮度的面内分布有平均值的8%以内的值。
此外,在与红色变换膜对应的位置上的像素上,能够得到红色发光,CIEx的最大值和最小值之差为0.0071,CIEy的最大值和最小值之差为0.0091,发光亮度的面内分布有平均值的约8%以内的值。
进一步,作为全色发光的灯,利用光干涉效果,能够得到白色的发光。CIEx的最大值和最小值之差为0.0031,CIEy的最大值和最小值之差为0.037,发光亮度的面内分布有平均值的5%以内的值。此外,当这样地使发出白色的光时,有机EL器件的平均亮度为120.3cd/m2,CIEx的色度为0.2909和CIEy的色度为0.4223。因此,这样,当这样地使发出白色的光时,我们确认与实施例9比较,CIEy的色度差特别大,成为带有绿色的白色发光。
另外,关于有机EL器件的平均发光亮度,与实施例9比较,比较例7有高的值,如在实施例8中说明的那样,比较例7受到由于白色发光向绿色一侧偏移的视觉度的影响。
表2
色变换层 光程长nm  极大/极小的关系   CIEx的差  CIEy的差 发光亮度的分布 发光的颜色
 实施例8     蓝色   680 与CIEy色度坐标的极小值近似   0.0017   0.0029   7.9%   蓝色
 实施例9     蓝色   680 与CIEy色度坐标的极小值近似   0.0049   0.010   22.9%   蓝色
 比较例6     蓝色   760    没有关系   0.00028   0.013   1.9%   蓝绿色
 比较例7     蓝色   760    没有关系   0.0020   0.036   6.4%   蓝绿色
*测定结果只是对于透过蓝色滤色器得到的发光的数据。
产业上的利用领域
以上,如详细地说明了的那样,如果用本发明的有机EL器件,则通过考虑到按照JIS Z 8701标准测定的CIE色度坐标的极大值和极小值,决定透明电极和有机层的合计光程长,使有机层有大的面积时,即便透明电极和有机层的合计光程长上有一定的离散,也能够得到CIE色度坐标的变化小,色调卓越的发光。
因此,可以说本发明的技术,即便在有机EL器件上的有机层的面积大面积化,例如,作为10英寸以上的类型,有机层的厚度发生离散时,对于得到色调卓越的发光也是极其有效的。
此外,如果用本发明的有机EL器件的制造方法,则使有机层有大的面积时,即便透明电极和有机层的合计光程长有一定的离散,也能够高效率地得到CIE色度坐标的变化小,色调卓越的有机EL器件。

Claims (13)

1.有机场致发光器件的特征是
在包含尽管少但是夹持在一方为透明电极的电极之间的有机层的有机场致发光器件中,
令所述的透明电极和有机层的合计光程长为t(nm),
令显示出按照JIS Z 8701标准测定的CIEx色度坐标和CIEy色度坐标的极小值的光程长为Min(nm),
令显示出按照JIS Z 8701标准测定的CIEx色度坐标和CIEy色度坐标的极大值的光程长为Max(nm)时,
所述的合计光程长(t)满足下列的大小关系(a)和(b),或者满足其中无论那一个大小关系。
Min-20nm<t<Min+20nm    (a)
Max-20nm<t<Max+20nm    (b)
2.权利要求范围的第1项中记载的有机场致发光器件,它的特征是
使所述的透明电极和有机层的合计光程长(t),与显示出所述的CIEx色度坐标或CIEy色度坐标的极小值的光程长(Min),或显示出CIEx色度坐标或CIEy色度坐标的极大值的光程长(Max)一致。
3.权利要求范围的第2项中记载的有机场致发光器件,它的特征是
所述的有机层的发光峰波长(S1)取在400~490nm范围内的值,并且使所述的透明电极和有机层的合计光程长(t1),与显示出所述的CIEy色度坐标的极小值的光程长(Min)一致。
4.权利要求范围的第2项中记载的有机场致发光器件,它的特征是
所述的有机层发光峰波长(S2)取在580~700nm范围内的值,并且使所述的透明电极和有机层的合计光程长(t2),与显示出所述的CIEx色度坐标的极大值的光程长(Max)或显示出极小值的光程长(Min)一致。
5.权利要求范围的第2项中记载的有机场致发光器件,它的特征是
所述的有机层的发光峰波长(S3)取在500~570nm范围内的值,并且使所述的透明电极和有机层的合计光程长(t3),与显示出所述的CIEy色度坐标的极大值的光程长(Max)一致。
6.权利要求范围的第1项~第5项中的任何一项中记载的有机场致发光器件,它的特征是
所述的透明电极和有机层的合计光程长(t)的面内分布取±20nm的范围内的值。
7.权利要求范围的第1项~第6项中的任何一项中记载的有机场致发光器件,它的特征是
包含用于对所述的透明电极和有机层的合计光程长(t)的值进行调整的光程长校正层。
8.有机场致发光器件的特征是
在有尽管少但是夹持在一方为透明电极的电极之间的,发光峰波长为400~490nm的蓝色发光有机层,发光峰波长为500~570nm的绿色发光有机层,和发光峰波长为580~700nm的红色发光有机层的有机场致发光器件中,
令所述的透明电极和所述的蓝色发光有机层的合计光程长为t1,令显示出按照JIS Z 8701标准测定的CIEy色度坐标的极小值的光程长为Min时,满足Min-20nm<t1<Min+20nm的大小关系,
令所述的透明电极和所述的绿色发光有机层的合计光程长为t3,令显示出按照JIS Z 8701标准测定的CIEy色度坐标的极大值的光程长为Max时,满足Max-20nm<t3<Max+20nm的大小关系,
或者,令所述的透明电极和所述的红色发光有机层的合计光程长为t2,令显示出按照JIS Z 8701标准测定的CIEx色度坐标的极大值的光程长为Max时,满足Max-20nm<t2<Max+20nm的大小关系。
9.有机场致发光器件的特征是
在有尽管少但是夹持在一方为透明电极的电极之间的,发光峰波长为400~490nm的蓝色发光有机层,发光峰波长为500~570nm的绿色发光有机层,和发光峰波长为580~700nm的红色发光有机层的有机场致发光器件中,
令所述的透明电极和所述的蓝色发光有机层的合计光程长为t1,令显示出按照JIS Z 8701标准测定的CIEy色度坐标的极小值的光程长为Min时,满足Min-20nm<t1<Min+20nm的大小关系,
令所述的透明电极和所述的绿色发光有机层的合计光程长为t3,令显示出按照JIS Z 8701标准测定的CIEy色度坐标的极大值的光程长为Max时,满足Max-20nm<t3<Max+20nm的大小关系,
并且,令所述的透明电极和所述的红色发光有机层的合计光程长为t2,令显示出按照JIS Z 8701标准测定的CIEx色度坐标的极大值的光程长为Max时,满足Max-20nm<t2<Max+20nm的大小关系。
10.权利要求范围的第1项~第9项中的任何一项中记载的有机场致发光器件,它的特征是
在发光面一侧,设置色变换媒体。
11.有机场致发光器件的制造方法,它的特征是
在包含尽管少但是夹持在一方为透明电极的电极之间的有机层的有机场致发光器件的制造方法中,
令所述的透明电极和有机层的合计光程长为t(nm),令显示出按照JIS Z 8701标准测定的CIEx色度坐标或CIEy色度坐标的极小值的光程长为Min(nm),令显示出按照JIS Z 8701标准测定的CIEx色度坐标和CIEy色度坐标的极大值的光程长为Max(nm)时,
使所述的合计光程长(t)满足下列的大小关系(a)和(b),或者满足其中无论那一个大小关系那样地形成透明电极和有机层。
Min-20nm<t<Min+20nm    (a)
Max-20nm<t<Max+20nm    (b)
12.权利要求范围的第11项中记载的有机场致发光器件的制造方法,它的特征是
在预先形成的透明电极上形成所述的有机层,对合计光程长(t)进行调整。
13.权利要求范围的第11项或第12项中记载的有机场致发光器件的制造方法,它的特征是
包含形成用于对所述的透明电极和有机层的合计光程长(t)的值进行调整的光程长校正层的工序。
CNB008005087A 1999-04-05 2000-04-04 有机场致发光器件和它的制造方法 Expired - Lifetime CN100355105C (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP97727/1999 1999-04-05
JP9772799 1999-04-05
JP97727/99 1999-04-05

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1300521A true CN1300521A (zh) 2001-06-20
CN100355105C CN100355105C (zh) 2007-12-12

Family

ID=14199932

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB008005087A Expired - Lifetime CN100355105C (zh) 1999-04-05 2000-04-04 有机场致发光器件和它的制造方法

Country Status (7)

Country Link
US (2) US6469438B2 (zh)
EP (2) EP1093322A4 (zh)
JP (1) JP4493216B2 (zh)
KR (1) KR100676567B1 (zh)
CN (1) CN100355105C (zh)
TW (1) TW463528B (zh)
WO (1) WO2000060905A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101451227B (zh) * 2002-11-29 2011-10-12 三星移动显示器株式会社 蒸发掩模和采用此掩模来制造有机场致发光器件的方法
CN103026790A (zh) * 2010-07-22 2013-04-03 松下电器产业株式会社 发光元件以及使用该发光元件的显示装置

Families Citing this family (57)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100330748A1 (en) 1999-10-25 2010-12-30 Xi Chu Method of encapsulating an environmentally sensitive device
US7198832B2 (en) * 1999-10-25 2007-04-03 Vitex Systems, Inc. Method for edge sealing barrier films
JP2002359076A (ja) * 2001-03-27 2002-12-13 Konica Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、発光方法、表示方法および透明基板
JP4252741B2 (ja) * 2001-06-07 2009-04-08 富士フイルム株式会社 光源装置
JP4182467B2 (ja) 2001-12-27 2008-11-19 セイコーエプソン株式会社 回路基板、電気光学装置及び電子機器
US8808457B2 (en) 2002-04-15 2014-08-19 Samsung Display Co., Ltd. Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets
GB2388236A (en) 2002-05-01 2003-11-05 Cambridge Display Tech Ltd Display and driver circuits
US7453705B2 (en) * 2002-05-07 2008-11-18 Alien Technology Corporation Barrier, such as a hermetic barrier layer for O/PLED and other electronic devices on plastic
JP2004172090A (ja) * 2002-10-31 2004-06-17 Seiko Epson Corp エレクトロルミネッセンス装置の製造方法及びエレクトロルミネッセンス装置、並びに電子機器
CN100373654C (zh) * 2003-01-29 2008-03-05 友达光电股份有限公司 有机电致发光显示组件及其制造方法
WO2005011334A1 (de) * 2003-07-21 2005-02-03 Covion Organic Semiconductors Gmbh Organisches elektrolumineszenzelement
JP4723213B2 (ja) * 2003-08-29 2011-07-13 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子の作製方法
US7291967B2 (en) * 2003-08-29 2007-11-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element including a barrier layer and a manufacturing method thereof
US7902747B2 (en) * 2003-10-21 2011-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device having a thin insulating film made of nitrogen and silicon and an electrode made of conductive transparent oxide and silicon dioxide
US7250635B2 (en) * 2004-02-06 2007-07-31 Dicon Fiberoptics, Inc. Light emitting system with high extraction efficency
JP4476073B2 (ja) * 2004-04-08 2010-06-09 東北パイオニア株式会社 有機el素子の製造方法及び製造装置
TWI272037B (en) * 2005-03-31 2007-01-21 Au Optronics Corp Organic electroluminescent display panel
JP4378366B2 (ja) * 2005-08-04 2009-12-02 キヤノン株式会社 発光素子アレイ
JP2007220577A (ja) * 2006-02-20 2007-08-30 Nippon Seiki Co Ltd 有機el素子
US20070193624A1 (en) * 2006-02-23 2007-08-23 Guardian Industries Corp. Indium zinc oxide based front contact for photovoltaic device and method of making same
JP4775118B2 (ja) * 2006-06-01 2011-09-21 凸版印刷株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
US8012317B2 (en) * 2006-11-02 2011-09-06 Guardian Industries Corp. Front electrode including transparent conductive coating on patterned glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same
US20080105298A1 (en) * 2006-11-02 2008-05-08 Guardian Industries Corp. Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US20080105299A1 (en) * 2006-11-02 2008-05-08 Guardian Industries Corp. Front electrode with thin metal film layer and high work-function buffer layer for use in photovoltaic device and method of making same
US8076571B2 (en) * 2006-11-02 2011-12-13 Guardian Industries Corp. Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US8203073B2 (en) * 2006-11-02 2012-06-19 Guardian Industries Corp. Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US20080302414A1 (en) * 2006-11-02 2008-12-11 Den Boer Willem Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US7964788B2 (en) * 2006-11-02 2011-06-21 Guardian Industries Corp. Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US20080178932A1 (en) * 2006-11-02 2008-07-31 Guardian Industries Corp. Front electrode including transparent conductive coating on patterned glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same
US20080105293A1 (en) * 2006-11-02 2008-05-08 Guardian Industries Corp. Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US8334452B2 (en) * 2007-01-08 2012-12-18 Guardian Industries Corp. Zinc oxide based front electrode doped with yttrium for use in photovoltaic device or the like
US20080169021A1 (en) * 2007-01-16 2008-07-17 Guardian Industries Corp. Method of making TCO front electrode for use in photovoltaic device or the like
US7767253B2 (en) * 2007-03-09 2010-08-03 Guardian Industries Corp. Method of making a photovoltaic device with antireflective coating
US20080223430A1 (en) * 2007-03-14 2008-09-18 Guardian Industries Corp. Buffer layer for front electrode structure in photovoltaic device or the like
JP2007200904A (ja) * 2007-03-23 2007-08-09 Seiko Epson Corp 発光装置
US8237047B2 (en) * 2007-05-01 2012-08-07 Guardian Industries Corp. Method of making a photovoltaic device or front substrate for use in same with scratch-resistant coating and resulting product
US20080295884A1 (en) * 2007-05-29 2008-12-04 Sharma Pramod K Method of making a photovoltaic device or front substrate with barrier layer for use in same and resulting product
US20080308145A1 (en) * 2007-06-12 2008-12-18 Guardian Industries Corp Front electrode including transparent conductive coating on etched glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same
US20080308146A1 (en) * 2007-06-14 2008-12-18 Guardian Industries Corp. Front electrode including pyrolytic transparent conductive coating on textured glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same
JP2009076324A (ja) * 2007-09-20 2009-04-09 Casio Comput Co Ltd 発光素子アレイ及びそれを用いた露光装置並びに画像形成装置
US7888594B2 (en) * 2007-11-20 2011-02-15 Guardian Industries Corp. Photovoltaic device including front electrode having titanium oxide inclusive layer with high refractive index
US8114472B2 (en) * 2008-01-08 2012-02-14 Guardian Industries Corp. Method of making a temperable antiglare coating, and resulting products containing the same
US20090194155A1 (en) * 2008-02-01 2009-08-06 Guardian Industries Corp. Front electrode having etched surface for use in photovoltaic device and method of making same
US20090194157A1 (en) * 2008-02-01 2009-08-06 Guardian Industries Corp. Front electrode having etched surface for use in photovoltaic device and method of making same
US11241257B2 (en) 2008-10-13 2022-02-08 Nuvasive Specialized Orthopedics, Inc. Spinal distraction system
US8022291B2 (en) * 2008-10-15 2011-09-20 Guardian Industries Corp. Method of making front electrode of photovoltaic device having etched surface and corresponding photovoltaic device
JP5127814B2 (ja) * 2008-12-19 2013-01-23 キヤノン株式会社 有機発光素子及びそれを利用した発光装置、表示装置
US9184410B2 (en) * 2008-12-22 2015-11-10 Samsung Display Co., Ltd. Encapsulated white OLEDs having enhanced optical output
US9337446B2 (en) * 2008-12-22 2016-05-10 Samsung Display Co., Ltd. Encapsulated RGB OLEDs having enhanced optical output
JP2010232163A (ja) * 2009-03-03 2010-10-14 Fujifilm Corp 発光表示装置の製造方法、発光表示装置、及び発光ディスプレイ
US8590338B2 (en) 2009-12-31 2013-11-26 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Evaporator with internal restriction
JP2011204801A (ja) * 2010-03-24 2011-10-13 Toshiba Mobile Display Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス装置
JP5676949B2 (ja) * 2010-07-21 2015-02-25 キヤノン株式会社 有機el表示装置
JP5670178B2 (ja) 2010-12-28 2015-02-18 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 有機電界発光装置
JP5485966B2 (ja) * 2011-10-25 2014-05-07 パイオニア株式会社 発光素子
JP2014110143A (ja) 2012-11-30 2014-06-12 Samsung Display Co Ltd 有機el素子
KR102464901B1 (ko) * 2016-03-29 2022-11-09 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 표시 장치

Family Cites Families (127)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
LU35193A1 (zh) 1956-06-04
LU35237A1 (zh) 1956-06-27
US3180729A (en) 1956-12-22 1965-04-27 Azoplate Corp Material for electrophotographic reproduction
BE581861A (zh) 1958-08-20
NL250330A (zh) 1959-04-09
JPS3716096B1 (zh) 1960-04-09 1962-10-09
US3240597A (en) 1961-08-21 1966-03-15 Eastman Kodak Co Photoconducting polymers for preparing electrophotographic materials
JPS3927577B1 (zh) 1962-01-29 1964-12-01
US3180703A (en) 1963-01-15 1965-04-27 Kerr Mc Gee Oil Ind Inc Recovery process
JPS45555B1 (zh) 1966-03-24 1970-01-09
JPS463712B1 (zh) 1966-04-14 1971-01-29
US3526501A (en) 1967-02-03 1970-09-01 Eastman Kodak Co 4-diarylamino-substituted chalcone containing photoconductive compositions for use in electrophotography
US3542544A (en) 1967-04-03 1970-11-24 Eastman Kodak Co Photoconductive elements containing organic photoconductors of the triarylalkane and tetraarylmethane types
US3658520A (en) 1968-02-20 1972-04-25 Eastman Kodak Co Photoconductive elements containing as photoconductors triarylamines substituted by active hydrogen-containing groups
US3567450A (en) 1968-02-20 1971-03-02 Eastman Kodak Co Photoconductive elements containing substituted triarylamine photoconductors
US3615404A (en) 1968-04-25 1971-10-26 Scott Paper Co 1 3-phenylenediamine containing photoconductive materials
US3717462A (en) 1969-07-28 1973-02-20 Canon Kk Heat treatment of an electrophotographic photosensitive member
BE756375A (fr) 1969-09-30 1971-03-01 Eastman Kodak Co Nouvelle composition photoconductrice et produit la contenant utilisables en electrophotographie
BE756943A (fr) 1969-10-01 1971-03-16 Eastman Kodak Co Nouvelles compositions photoconductrices et produits les contenant, utilisables notamment en electrophotographie
JPS4725336B1 (zh) 1969-11-26 1972-07-11
JPS5110983B2 (zh) 1971-09-10 1976-04-08
JPS5148522B2 (zh) 1972-08-29 1976-12-21
US3837851A (en) 1973-01-15 1974-09-24 Ibm Photoconductor overcoated with triarylpyrazoline charge transport layer
SE395911B (sv) 1974-04-16 1977-08-29 Uddeholms Ab Behandling av metallsmelta i keramiskt infordrat reaktionskerl
GB1505409A (en) 1974-12-20 1978-03-30 Eastman Kodak Co Photoconductive compositions
US4127412A (en) 1975-12-09 1978-11-28 Eastman Kodak Company Photoconductive compositions and elements
US4012376A (en) 1975-12-29 1977-03-15 Eastman Kodak Company Photosensitive colorant materials
CA1104866A (en) 1976-08-23 1981-07-14 Milan Stolka Imaging member containing a substituted n,n,n',n',- tetraphenyl-[1,1'-biphenyl]-4,4'-diamine in the chargge transport layer
US4175961A (en) 1976-12-22 1979-11-27 Eastman Kodak Company Multi-active photoconductive elements
US4123269A (en) 1977-09-29 1978-10-31 Xerox Corporation Electrostatographic photosensitive device comprising hole injecting and hole transport layers
JPS5453435A (en) 1977-10-01 1979-04-26 Yoshikatsu Kume Portable bicycle equipped with foldable type triangle frame
US4150987A (en) 1977-10-17 1979-04-24 International Business Machines Corporation Hydrazone containing charge transport element and photoconductive process of using same
JPS5464299A (en) 1977-10-29 1979-05-23 Toshiba Corp Beam deflector for charged particles
JPS54112637A (en) 1978-02-06 1979-09-03 Ricoh Co Ltd Electrophotographic photoreceptor
JPS54110837A (en) 1978-02-17 1979-08-30 Ricoh Co Ltd Electrophotographic photoreceptor
JPS54110536A (en) 1978-02-20 1979-08-30 Ichikoh Ind Ltd Device for time-lag putting out room lamp for motorcar
JPS54119925A (en) 1978-03-10 1979-09-18 Ricoh Co Ltd Photosensitive material for electrophotography
US4251612A (en) 1978-05-12 1981-02-17 Xerox Corporation Dielectric overcoated photoresponsive imaging member
JPS6028342B2 (ja) 1978-06-21 1985-07-04 コニカ株式会社 電子写真感光体
JPS6060052B2 (ja) 1978-07-21 1985-12-27 コニカ株式会社 電子写真感光体
JPS5551086A (en) 1978-09-04 1980-04-14 Copyer Co Ltd Novel pyrazoline compound, its preparation, and electrophotographic photosensitive substance comprising it
JPS5546760A (en) 1978-09-29 1980-04-02 Ricoh Co Ltd Electrophotographic photoreceptor
JPS5552063A (en) 1978-10-13 1980-04-16 Ricoh Co Ltd Electrophotographic receptor
JPS5552064A (en) 1978-10-13 1980-04-16 Ricoh Co Ltd Electrophotographic receptor
JPS5574546A (en) 1978-11-30 1980-06-05 Ricoh Co Ltd Electrophotographic photoreceptor
US4306008A (en) 1978-12-04 1981-12-15 Xerox Corporation Imaging system with a diamine charge transport material in a polycarbonate resin
JPS5588064A (en) 1978-12-05 1980-07-03 Konishiroku Photo Ind Co Ltd Electrophotographic receptor
JPS5588065A (en) 1978-12-12 1980-07-03 Konishiroku Photo Ind Co Ltd Electrophotographic receptor
JPS5585495A (en) 1978-12-18 1980-06-27 Pacific Metals Co Ltd Method of composting organic waste
JPS55108667A (en) 1979-02-13 1980-08-21 Ricoh Co Ltd Electrophotographic receptor
US4233384A (en) 1979-04-30 1980-11-11 Xerox Corporation Imaging system using novel charge transport layer
JPS6035058B2 (ja) 1979-05-17 1985-08-12 三菱製紙株式会社 有機光半導体電子写真材料
JPS564148A (en) 1979-06-21 1981-01-17 Konishiroku Photo Ind Co Ltd Electrophotographic receptor
JPS5622437A (en) 1979-08-01 1981-03-03 Ricoh Co Ltd Electrophotographic receptor
US4232103A (en) 1979-08-27 1980-11-04 Xerox Corporation Phenyl benzotriazole stabilized photosensitive device
JPS5636656A (en) 1979-09-03 1981-04-09 Mitsubishi Paper Mills Ltd Electrophotographic material
JPS5646234A (en) 1979-09-21 1981-04-27 Ricoh Co Ltd Electrophotographic receptor
US4273846A (en) 1979-11-23 1981-06-16 Xerox Corporation Imaging member having a charge transport layer of a terphenyl diamine and a polycarbonate resin
JPS5680051A (en) 1979-12-04 1981-07-01 Ricoh Co Ltd Electrophotographic receptor
JPS5688141A (en) 1979-12-20 1981-07-17 Konishiroku Photo Ind Co Ltd Electrophotographic receptor
JPS6034099B2 (ja) 1980-06-24 1985-08-07 富士写真フイルム株式会社 電子写真感光体
JPS6059590B2 (ja) 1980-09-03 1985-12-25 三菱製紙株式会社 電子写真感光体
JPS57148749A (en) 1981-03-11 1982-09-14 Fuji Photo Film Co Ltd Electrophotographic receptor
JPS57149259A (en) 1981-03-13 1982-09-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd Tetracyanoquinodimethane derivative
JPS5855450A (ja) 1981-09-29 1983-04-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd テトラシアノアントラキノジメタン誘導体の製造方法
US4539507A (en) 1983-03-25 1985-09-03 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent devices having improved power conversion efficiencies
US4474865A (en) 1983-08-08 1984-10-02 Xerox Corporation Layered photoresponsive devices
JPS6093445A (ja) 1983-10-28 1985-05-25 Ricoh Co Ltd 電子写真用感光体
JPS6094462A (ja) 1983-10-28 1985-05-27 Ricoh Co Ltd スチルベン誘導体及びその製造法
JPS60175052A (ja) 1984-02-21 1985-09-09 Ricoh Co Ltd 電子写真用感光体
JPS60174749A (ja) 1984-02-21 1985-09-09 Ricoh Co Ltd スチリル化合物及びその製造法
JPS6114642A (ja) 1984-06-29 1986-01-22 Konishiroku Photo Ind Co Ltd 電子写真感光体
JPS6172255A (ja) 1984-09-14 1986-04-14 Konishiroku Photo Ind Co Ltd 電子写真感光体
US4665000A (en) 1984-10-19 1987-05-12 Xerox Corporation Photoresponsive devices containing aromatic ether hole transport layers
US4546059A (en) 1984-11-08 1985-10-08 Xerox Corporation Layered photoresponsive imaging members with sulfur incorporated dicyanomethylenefluorene carboxylate compositions
US4562132A (en) 1984-11-19 1985-12-31 Xerox Corporation Photoresponsive imaging members containing electron transport overcoatings
US4609602A (en) 1985-03-08 1986-09-02 Xerox Corporation Photoresponsive imaging members with electron transporting layers
US4606861A (en) 1985-03-08 1986-08-19 Xerox Corporation Process for obtaining anthraquinodimethane derivatives and anthrone derivatives
JPS61210363A (ja) 1985-03-15 1986-09-18 Canon Inc 電子写真感光体
JPS61228451A (ja) 1985-04-03 1986-10-11 Canon Inc 電子写真感光体
US4588666A (en) 1985-06-24 1986-05-13 Xerox Corporation Photoconductive imaging members with alkoxy amine charge transport molecules
JPS6210652A (ja) 1985-07-08 1987-01-19 Minolta Camera Co Ltd 感光体
JPS6230255A (ja) 1985-07-31 1987-02-09 Minolta Camera Co Ltd 電子写真感光体
JPS6236674A (ja) 1985-08-05 1987-02-17 Fuji Photo Film Co Ltd 電子写真感光体
JPS6247646A (ja) 1985-08-27 1987-03-02 Konishiroku Photo Ind Co Ltd 感光体
JPS63104061A (ja) 1986-10-22 1988-05-09 Fuji Xerox Co Ltd 有機電子材料
US4720432A (en) 1987-02-11 1988-01-19 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with organic luminescent medium
JPH01211399A (ja) 1988-02-19 1989-08-24 Toshiba Corp スキャン機能付きダイナミックシフトレジスタ
JPH02282263A (ja) 1988-12-09 1990-11-19 Nippon Oil Co Ltd ホール輸送材料
JPH02289675A (ja) 1989-01-13 1990-11-29 Ricoh Co Ltd 電界発光素子
JP2665788B2 (ja) 1989-01-17 1997-10-22 旭化成工業株式会社 有機エレクトロルミネセンス素子
JP2651233B2 (ja) 1989-01-20 1997-09-10 出光興産株式会社 薄膜有機el素子
JP2727620B2 (ja) 1989-02-01 1998-03-11 日本電気株式会社 有機薄膜el素子
JP2922212B2 (ja) 1989-02-17 1999-07-19 パイオニア株式会社 電界発光素子
JPH02220394A (ja) 1989-02-18 1990-09-03 Pioneer Electron Corp 電界発光素子
JPH02220393A (ja) 1989-02-18 1990-09-03 Pioneer Electron Corp 電界発光素子
US5126214A (en) 1989-03-15 1992-06-30 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Electroluminescent element
US5130603A (en) 1989-03-20 1992-07-14 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device
JPH07119408B2 (ja) 1989-03-28 1995-12-20 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
GB8909011D0 (en) 1989-04-20 1989-06-07 Friend Richard H Electroluminescent devices
JPH02296891A (ja) 1989-05-10 1990-12-07 Ricoh Co Ltd 電界発光素子
US4950950A (en) 1989-05-18 1990-08-21 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with silazane-containing luminescent zone
JPH02305886A (ja) 1989-05-19 1990-12-19 Nec Corp 有機薄膜el素子
JPH02311591A (ja) 1989-05-25 1990-12-27 Mitsubishi Kasei Corp 有機電界発光素子
JP2554771B2 (ja) 1989-12-28 1996-11-13 出光興産株式会社 芳香族ジメチリディン化合物
WO1991011765A1 (en) * 1990-01-29 1991-08-08 Teraplex, Inc. Architecture for minimal instruction set computing system
JP2843924B2 (ja) * 1991-06-24 1999-01-06 パイオニア株式会社 面発光装置
US5294870A (en) * 1991-12-30 1994-03-15 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent multicolor image display device
JP2797883B2 (ja) * 1993-03-18 1998-09-17 株式会社日立製作所 多色発光素子とその基板
JPH06275831A (ja) * 1993-03-18 1994-09-30 Hitachi Ltd 薄膜トランジスタ
US5339840A (en) * 1993-04-26 1994-08-23 Sunbelt Precision Products Inc. Adjustable comb
JPH0778689A (ja) 1993-09-08 1995-03-20 Fuji Electric Co Ltd 薄膜エレクトロルミネセンス素子
JP3276745B2 (ja) * 1993-11-15 2002-04-22 株式会社日立製作所 可変波長発光素子とその制御方法
JP2846571B2 (ja) * 1994-02-25 1999-01-13 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US5898602A (en) * 1996-01-25 1999-04-27 Xilinx, Inc. Carry chain circuit with flexible carry function for implementing arithmetic and logical functions
US5832288A (en) * 1996-10-18 1998-11-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Element-select mechanism for a vector processor
US6091195A (en) * 1997-02-03 2000-07-18 The Trustees Of Princeton University Displays having mesa pixel configuration
CA2275514A1 (en) * 1996-12-23 1998-07-02 Paul Burrows Light emitting articles with light reflecting structures
US5932895A (en) * 1997-05-20 1999-08-03 The Trustees Of Princeton University Saturated full color stacked organic light emitting devices
US6096091A (en) * 1998-02-24 2000-08-01 Advanced Micro Devices, Inc. Dynamically reconfigurable logic networks interconnected by fall-through FIFOs for flexible pipeline processing in a system-on-a-chip
US6298043B1 (en) * 1998-03-28 2001-10-02 Nortel Networks Limited Communication system architecture and a connection verification mechanism therefor
US6449283B1 (en) * 1998-05-15 2002-09-10 Polytechnic University Methods and apparatus for providing a fast ring reservation arbitration
JP3584748B2 (ja) * 1998-09-10 2004-11-04 富士電機ホールディングス株式会社 蛍光変換フィルタおよび該フィルタを有するカラー表示装置
JP3551353B2 (ja) * 1998-10-02 2004-08-04 株式会社日立製作所 データ再配置方法
EP1402382B1 (de) * 2001-06-20 2010-08-18 Richter, Thomas Verfahren zur bearbeitung von daten
US7036114B2 (en) * 2001-08-17 2006-04-25 Sun Microsystems, Inc. Method and apparatus for cycle-based computation
JP2010277303A (ja) * 2009-05-28 2010-12-09 Renesas Electronics Corp 半導体装置及び異常検出方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101451227B (zh) * 2002-11-29 2011-10-12 三星移动显示器株式会社 蒸发掩模和采用此掩模来制造有机场致发光器件的方法
US8334649B2 (en) 2002-11-29 2012-12-18 Samsung Display Co., Ltd. Evaporation mask, method of fabricating organic electroluminescent device using the same, and organic electroluminescent device
CN103026790A (zh) * 2010-07-22 2013-04-03 松下电器产业株式会社 发光元件以及使用该发光元件的显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP1093322A1 (en) 2001-04-18
JP4493216B2 (ja) 2010-06-30
US6469438B2 (en) 2002-10-22
EP1093322A4 (en) 2006-11-29
US20030075714A1 (en) 2003-04-24
US6844210B2 (en) 2005-01-18
CN100355105C (zh) 2007-12-12
KR100676567B1 (ko) 2007-01-30
US20010000943A1 (en) 2001-05-10
KR20010052605A (ko) 2001-06-25
TW463528B (en) 2001-11-11
WO2000060905A1 (fr) 2000-10-12
EP2262032A2 (en) 2010-12-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1300521A (zh) 有机场致发光器件和它的制造方法
CN1105481C (zh) 多色发光装置
CN1173603C (zh) 有机场致发光显示装置
CN1225150C (zh) 有机电致发光显示装置及其制造方法
CN1906976A (zh) 隔着电子阻挡层具有两个发光层的有机电致发光元件
CN1643992A (zh) 彩色发光装置
CN1926926A (zh) 电极基板及其制造方法
CN1303184C (zh) 高效电致发光器件
CN1910960A (zh) 有机电致发光元件
CN1947468A (zh) 有机电致发光显示装置
CN1893144A (zh) 复合材料及其发光元件、发光装置和电子装置
CN1957646A (zh) 白色系有机电致发光元件
CN1943057A (zh) 使用低驱动电压的oled装置
CN1934906A (zh) 有机电致发光元件
CN1505450A (zh) 有机电致发光器件
CN1438828A (zh) 具有层叠的场致发光单元的有机场致发光器件
CN1918261A (zh) 具有各种掺杂剂的蒽衍生物主体
CN1389085A (zh) 有机el显示装置
CN1674737A (zh) 有机电致发光元件
CN1910961A (zh) 有机电致发光元件以及显示装置
CN1929706A (zh) 有机电致发光装置及其制造方法、电子设备
CN1922928A (zh) 有机电致发光元件以及有机el显示装置
CN1631058A (zh) 有机el显示装置及其制造方法
CN1678712A (zh) 有机金属配位化合物、有机el元件及有机el显示器
CN101048364A (zh) 芳香胺化合物以及采用该芳香胺化合物的有机电致发光元件

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CX01 Expiry of patent term
CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20071212