CN1248322C - 半导体发光器件 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种谐振腔型发光二极管，包括：由n型AlAs或Al0.5Ga0.5As制成的第一DBR；量子阱有源层；由p型(Al0.2Ga0.8)0.5In0.5P或Al0.5In0.5P制成的第二DBR；以及，位于n型GaAs衬底上的n型电流限制层。第一DBR和第二DBR形成谐振腔。量子阱有源层形成在谐振腔内驻波的波腹位置处。在第二DBR与电流限制层之间，提供有p型GaP蚀刻保护层，其具有通过用厚度除以电阻率而获得的1×103Ω或更高的值。由于电流限制层中形成的电流流动通道的电流几乎不会扩散到电流流动通道的外侧，所以几乎不会生成低电流密度区域而造成量子阱层响应速度的下降。因此，该发光二极管有很好的高速响应。
Description
技术领域
本发明涉及半导体发光器件。
背景技术
近年来，半导体发光器件已经广泛地应用于信息指示面板，光通信等领域。这些半导体发光器件不仅需要具有高的光发射效率，而且需要具有高速的响应，尤其当其应用于光通信领域时。因此，具有较高效率和较快响应的快速半导体发光器件得到了有力的发展。
允许低工作电流的面发射型LED(发光二极管)作为一种高效半导体发光器件，引起了人们的注意。然而，面发射型LED在高速响应方面相对的不能满足需要。面发射型LED的数据传输速度最好的大约在100Mbps至200Mbps。其结果是，谐振腔型LED得到了发展。在谐振腔型LED中，由两面镜子组成的谐振腔形成了驻波，光发射层即位于驻波的波腹位置处。因此，很自然的，对发射的光加以控制以实现光发射单元的高速响应和高效率(参见日本专利公开文本平No.3-229480和美国专利No.5226053)。近期，兼容IEEE1394和USB2等的高速通信系统中已经采用了POF(塑料光纤)。作为一种优选的POF光源，已经开发了一种谐振腔型LED，其光发射层使用基于AlGaInP的半导体材料。这种LED能够实现在650nm波长处的高效率的光发射，而该波长位于POF的低损耗波长区域内(高亮度可视谐振腔型发光二极管：IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS VOL.10NO.12DECEMBER 1998)。
然而，具有基于AlGaInP的光发射层的谐振腔型LED在防潮性上存在问题。这个问题的原因在于，使用基于AlGaAs材料制成的多层反射膜作为镜子来形成谐振腔，导致了AlAs和AlGaAs层中AL的混晶的组分比在LED表面的临近处接近1而造成的。并且，上述谐振腔型LED还存在另一个问题，即当施加的电流为几十毫安(mA)或更大时光输出饱和。这是由于电流没有充分扩散而造成的，因为从LED表面施加的电流只在厚度大约1μm的DBR(分布式布拉格反射器)内进行扩散。为了解决这些问题，提出了一种方法，即形成宽度为几个微米的蜂窝状或网格状表面电极。然而，这种电极有一个缺点是电极容易破裂，从而造成LED可靠性降低。
在这种情况下，提出了一种半导体发光器件，其多层反射膜由基于AlGaInP的材料组成，并形成在半导体发光器件的表面侧以构成一个谐振腔(参见日本专利公开文本No.2001-68732)。不仅由于这种器件的多层反射膜由基于AlGaInP的材料制成而使得这种半导体光发射器件防潮性增加了，并且，由于电流限制层的存在而使得施加在光发射层上的电流密度增加了。另外，提供了一种电流扩散层以解决光输出饱和的问题。
然而，在上述传统半导体光发射器件中，电流朝着由电流限制层形成的电流流动通道的外侧扩散。因此，扩散电流在光发射层中形成了一个低电流密度区域。该低电流密度区域具有低的响应速度，从而导致了整个器件的响应速度降低的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种具有良好高速响应的半导体发光器件。
为达到这个目的，本发明提供了一种半导体发光器件，包括：
半导体衬底；
位于半导体衬底上的第一多层反射膜；
位于第一多层反射膜上的光发射层；
位于光发射层上的由AlyGazIn1-y-zP(0≤y≤1，0≤z≤1)制成的第二多层反射膜；
位于第二多层反射膜上的半导体层；以及
位于该半导体层上的电流限制层，
其中，第一多层反射膜和第二多层反射膜彼此隔开从而形成谐振腔，并且光发射层形成在该谐振腔内驻波的波腹位置处，以及
其中，该半导体层具有通过电阻率除以厚度而获得的值为1×103Ω或更大。
由于半导体层有相对大的电阻率和相对小的载流子密度，在电流限制层中形成的电流流动通道中的电流将不容易扩散到电流流动通道的外侧。因此，在光发射层中几乎不会生成低电流密度的区域，这将有效提高半导体发光器件的响应特性。
这里，当位于第二多层反射膜与电流限制层之间的半导体层具有通过用厚度除电阻而获得的小于1×103Ω的值时，扩散到由电流限制层形成的电流流动通道外侧的电流变大，以至于对半导体发光器件的响应特性造成了坏的影响。
通常，在不带谐振腔结构的表面发射型半导体发光器件中，为减小串联电阻，位于光发射层和电流限制层之间的层的载流子密度大约设置为3×1018cm-3。在这类半导体发光器件中，位于光发射层与电流限制层之间的层的载流子密度阻碍了响应速度的增加。本发明的发明人已经发现，电流从电流限制层中形成的电流流动通道中扩散的原因同位于光发射层上形成的多层反射膜与电流限制层之间的层的电阻率相关。
注意，在整个说明书中，半导体化合物中的y和z在每一种半导体化合物中是独立的。
本发明也提供了一种半导体发光器件，该器件包括：
半导体衬底；
位于该半导体衬底上的第一多层反射膜；
位于该第一多层反射膜上的光发射层；
位于该光发射层上的由AlyGazIn1-y-zP(0≤y≤1，0≤z≤1)制成的第二多层反射膜；以及
位于该第二多层反射膜上的电流限制层，
其中，第一多层反射膜和第二多层反射膜彼此隔开从而形成谐振腔，并且光发射层形成在该谐振腔内驻波的波腹位置处，以及
其中，扩散到在电流限制层内形成的电流流动通道的外侧的电流占施加在电流通道的总电流的25％或更低。
由于扩散到电流流动通道外侧的电流占施加在电流流动通道中的总电流的25％或更低，从而可将光发射层中的低电流密度区域减少至不会对整个半导体发光器件的响应特性造成坏的影响的程度。相反地，如果扩散到在电流限制层中形成的电流流动通道的外侧的电流占总施加电流的百分比超过25％，由于电流扩散到电流流动通道外侧而产生的低电流密度区域就过大了，这将降低整个半导体发光器件的响应特性。
在本发明的一种实施例中，该半导体发光器件还包括位于电流限制层上的电流扩散层。
根据上述实施例，从半导体发光器件的表面施加的电流均匀地由电流扩散层进入电流限制层中形成的电流流动通道内。因此，这使得有效的降低半导体发光器件的工作电压成为可能。
在本发明的一个实施例中，光发射层由AlyGazIn1-y-zP(0≤y≤1，0≤z≤1)制成。根据上述实施例，有可能获得波长在550nm至680nm范围内的发射光。
在本发明的一个实施例中，由AlyGazIn1-y-zP(0≤y≤1，0≤Z≤1)制成的半导体层位于第二多层反射膜与电流限制层之间。
因此，该半导体层对波长在550nm或以上的光透明，这使得对波长为550nm或以上的发射光的高度有效引出成为可能。
在本发明的一个实施例中，提供位于第二多层反射膜与电流限制层之间的由GaP制成的半导体层。该半导体层的表面几乎不被氧化，这使得在该层的顶部生长一个具有好的结晶度的半导体层成为可能。其结果是，可获得具有较少晶格失配和晶体缺陷以及好的特性的半导体发光器件。
在本发明的一个实施例中，电流限制层由AlyGazIn1-y-zP(0≤y≤1，0≤Z≤1)制成。结果是，电流限制层对波长在550nm或以上的光透明，这使得对波长为550nm或以上的光的高度有效引出成为可能。
在本发明的一个实施例中，电流限制层由GaP制成。该半导体层的表面几乎不被氧化，这使得在该层的顶部生长一个具有好的结晶度的半导体层成为可能。其结果是，可获得具有较少晶格失配和晶体缺陷以及好的光发射特性的半导体发光器件。
在本发明的一个实施例中，电流扩散层由AlyGazIn1-y-zP(0≤y≤1，0≤z≤1)制成。结果是，电流扩散层对波长在550nm或以上的光透明，这使得对波长为550nm或以上的光的高度有效引出成为可能。
另外，考虑到在这里形成在衬底上的半导体层的结晶度，半导体衬底优选由GaAs制成。
附图说明
通过以下仅以说明方式给出而不对本发明构成限制的详细描述和附图，将使本发明得以更加深入的理解，附图中：
图1A为本发明第一实施例中的半导体发光器件的平面图，图1B为沿图1A的A-A线截取的剖面图；
图2为在制造过程中，示出图1A和1B所示的半导体发光器件状态的剖面图；
图3A为在制造过程中，示出半导体发光器件的不同于图2状态的平面图，图3B为沿图3A的B-B线截取的剖面图；
图4为当蚀刻保护层9的电阻率发生变化时，扩散到电流流动通道外侧的电流的变化的示意图；
图5为当蚀刻保护层9的电阻率发生变化时，半导体发光器件上升时间的变化的示图；
图6A为第二种实施例中半导体发光器件的平面图，图6B为沿图6A的C-C线截取的剖面图；
图7为在制造过程中，示出图6A和6B所示的半导体发光器件状态的剖面图；以及
图8A为在制造过程中，半导体发光器件的不同于图7状态的平面图，图8B为沿图8A的D-D线截取的剖面图。
具体实施方式
以下将结合实施例并参照附图对本发明加以详细描述。
图1A为本发明第一实施例中的半导体发光器件的平面图。图1B为沿图1A的A-A线截取的剖面图。图2为在制造过程中，示出图1A和1B所示的半导体发光器件状态的剖面图。图3A为在制造过程中，示出半导体发光器件的不同于图2状态的平面图。图3B为沿图3A的B-B线截取的剖面图。
本实施例的半导体发光器件是一种基于AlGaInP的半导体发光器件。首先，在作为从(100)平面在[011]方向上倾斜15°的半导体衬底的n型GaAs衬底1上，如图2所示，通过MOCVD(金属有机化学汽相沉积)法，按照顺序叠加n型GaAs缓冲层2(层厚为1μm，载流子密度为5×1017cm-3)、n型第一DBR(分布式布拉格反射器)3(载流子密度为5×1017cm-3)作为第一多层反射膜、n型(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5P第一金属盖层4(载流子密度为5×1017cm-3)、量子阱有源层5作为光发射层、p型(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5P第二金属盖层6(载流子密度为5×1017cm-3)、第二DBR7(载流子密度为5×1017cm-3)作为第二多层反射膜、p型AlGaInP中间层8(层厚为0.1μm，载流子密度为5×1018cm-3)、p型GaP蚀刻保护层9(层厚为1μm，载流子密度为1×1018cm-3)、n型GaP层10(层厚为0.3μm，载流子密度为3×1018cm-3)、和未掺杂GaAs帽层11(层厚为0.01μm)。
第一DBR3由30.5对n型AlAs和n型Al0.5Ga0.5As形成。量子阱有源层5由GaInP阱层和(Al0.5Ga0.5)0.5In0.5P垒层形成。第二DBR7由12对p型(Al0.2Ga0.8)0.5In0.5P和p型Al0.5In0.5P形成。
这里，n型第一DBR3和p型第二DBR7形成为使得反射谱的中心为650nm。对DBR3与DBR7之间的间隔，也就是谐振腔的长度加以调整，使得由这两个DBR3和7组成的谐振腔的共振波长为650nm。在本实施例中，谐振腔的长度设置为等于两个波长。另外，量子阱有源层5形成在由上述两个DBR3和7组成的谐振腔产生的驻波的波腹位置处，并且发射峰值波长为650nm。
接着，用硫酸/过氧化氢蚀刻剂去除n型GaAs帽层11。然后，部分n型GaP层10被蚀刻掉直至p型GaP蚀刻保护层9通过使用光刻技术和硫酸/过氧化氢蚀刻剂而暴露出来。如图3A和3B所示，这一蚀刻过程形成直径为70μm的圆形开口，它可作为电流流动通道以便形成n型GaP电流限制层10。
之后，如图1所示，p型AlGaInP电流扩散层12叠加在p型蚀刻保护层9和n型电流限制层10上。p型AlGaInP电流扩散层12形成为使得总层厚是7μm。层12下部1μm厚的部分的载流子密度为1×1018cm-3，而层12上部6μm厚的部分的载流子密度为1×1019cm-3。接着，在p型电流扩散层12上沉积AuBe/Au。沉积的AuBe/Au被用光刻技术和Au蚀刻剂蚀刻，接着加热处理以获得p型电极13。同时，对GaAs衬底1的背面进行抛光以使其厚度接近280μm。在GaAs衬底1的抛光面上沉积AuGe/Au并加热处理以形成n型电极14。
对由此制造的半导体发光器件的响应特性进行了检验，并且检验的结果显示上升时间为2.1ns。相反，在将AlGaInP蚀刻保护层29的载流子密度设置为通常的3×1018cm-3的情况下，上升时间为2.6ns。这一检验结果证实通过降低GaP蚀刻保护层9的载流子密度，可以提高半导体发光器件的响应特性。
当蚀刻保护层9的电阻率变化时，对扩散到GaP电流限制层10的电流流动通道外侧的电流进行了检验。检验结果见图4。图4中，水平轴代表蚀刻保护层9的电阻率(Ωcm)，而垂直轴代表扩散到电流流动通道外侧的电流相对于整个施加电流的百分比。在所有情况下，蚀刻保护层9的厚度为1μm。
如图4所示，由于蚀刻保护层9的电阻率变大，扩散到电流流动通道外侧的电流百分比变小了。
当蚀刻保护层9的电阻率变化时，测量半导体发光器件的上升时间的变化。图5显示了其测量结果。在图5中，水平轴代表蚀刻保护层9的电阻率(Ωcm)，而垂直轴代表上升时间(ns)，即从施加工作电压到有光发射所经过的时间。在所有情况下，蚀刻保护层9的厚度为1μm。
如图5所示，由于电阻率变的低于0.1Ωcm，上升时间迅速变大。在这种情况下，通过用层厚1μm除电阻率0.1Ωcm，而算得1×103Ω。更加具体地说，当通过用层厚除电阻率所获得的值变得小于1×103Ω时，半导体发光器件的上升时间迅速增加。这是因为，通过增加扩散到电流流动通道外侧的电流，光发射层内的低电流密度的区域增大了。更具体地说，在低电流密度区域中，施加电流相对于光发射的响应时间很长，这带来整个半导体发光器件的响应速度明显的延迟。如图4和5所示，当扩散到电流流动通道外侧的电流超过整个施加电流的25％时，整个半导体发光器件的上升时间的延迟变得明显。因此，通过抑制扩散到电流流动通道外侧的电流使其占整个施加电流的百分比为25％或更低，可有效的防止半导体发光器件上升时间的延迟。
p型中间层8的电阻率接近0.3Ωcm，其层厚小于蚀刻保护层9的层厚。因此，p型中间层8几乎不影响电流从电流流动通道向外扩散。
在温度为80℃、湿度为85％的气氛下，通过施加50mA的电流对本发明的半导体发光器件进行电流通过测试。测试结果为，经过1000小时后的光输出是初始光输出的95％，这充分证明了该半导体发光器件的湿度抵抗能力。当施加电流为20mA时，初始光输出为2.2mW。当施加电流为20mA时，工作电压为2.2V。这使得从p型电极13来的电流充分扩散至电流扩散层12并到达电流限制层10上的圆形开口的中心。因此，电流统一地施加到由此圆形开口形成的电流流动通道内。其结果是，电流可以以高电流密度均匀地施加到作为光发射层的量子阱有源层5，从而使得半导体发光器件工作在低电压下，并具有高速响应。
在本实施例中，p型GaP蚀刻保护层9形成在第二DBR7与电流限制层10之间，这样层厚除电阻率所获得的值大于1×103Ω。然而，除了蚀刻保护层外的任何半导体层都可使用，只要该层位于第二多层反射膜与电流限制层之间。这种半导体层的材料也可采用AlXGa1-XAs(0≤X≤1)。然而，由于该层需要对发射波长透明，因此当发射波长变短时，需要增加AlGaAS层中Al混晶的组分比。当Al混晶的组分比增加时，层表面很容易被氧化。因此，叠加在该层上的层的结晶度下降。所以，当半导体发光器件的发射波长短的时候，位于第二多层反射膜与电流限制层之间的层优选的由AlyGazIn1-y-zP(0≤y≤1，0≤z≤1)形成。虽然本实施例中使用GaP作为电流限制层，但是该层材料也可以采用AlXGa1-XAs(0≤X≤1)。然而，该层优选对任何发射波长是透明的。当位于第二多层反射膜与电流限制层之间的层为AlyGazIn1-y-zP(0≤y≤1，0≤z≤1)时，在使用AlGaAS作为电流限制层的情况下，确保叠加层的结晶度更加困难，因为在具有属于V族的不同的元素P、As的层上会叠加另一层。而且，虽然本实施例中采用Al0.01Ga0.98In0.01P作为电流扩散层，但是AlxGa1-xAs(0≤X≤1)也可作为该层的材料。然而，由于该层需要对发射波长透明，因此，当发射波长很短的时候，优选采用AlyGazIn1-y-zP(0≤y≤1，0≤z≤1)。AlyGazIn1-y-zP(0≤y≤1，0≤z≤1)具有小的Al混晶组分比和高的防潮性。也可以不采用AlGaInP中间层8。
图6A为第二种实施例中半导体发光器件的平面图。图6B为沿图6A的C-C线截取的剖面图。图7为在制造过程中，示出图6A和6B所示的半导体发光器件状态的剖面图。图8A为在制造过程中，半导体发光器件的不同于图7状态的平面图。图8B为沿图8A的D-D线截取的剖面图。
本发明的半导体发光器件是一种基于AlGaInP的半导体发光器件。在从(100)平面沿[011]方向倾斜15°的n型GaAs衬底21上，通过MOCVD法，如图7所示，顺序叠加n型GaAs缓冲层22(层厚为1μm，载流子密度为5×1017cm-3)、n型第一DBR23(载流子密度为5×1017cm-3)、n型Al0.5Ga0.5P第一金属盖层24(载流子密度为5×1017cm-3)、量子阱有源层25、p型Al0.5In0.5P第二金属盖层26(载流子密度为5×1017cm-3)、p型第二DBR27(载流子密度为5×1017cm-3)、p型AlGaInP中间层28(层厚为0.1μm，载流子密度为5×1018cm-3)、p型Al0.01Ga0.98In0.01P蚀刻保护层29(层厚为1μm，载流子密度为1×1018cm-3)、n型Al0.01Ga0.98In0.01P电流限制层30(层厚为0.3μm，载流子密度为3×1018cm-3)，和层厚为0.01μm的未掺杂GaAs帽层31。
n型第一DBR23由35.5对n型AlAs和n型Al0.6Ga0.4As形成。量子阱有源层25由(Al0.3Ga0.7)0.5In0.5P阱层和(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5P垒层形成。p型第二DBR由17对p型(Al0.4Ga0.6)0.5In0.5P和p型Al0.5In0.5P形成。
这里，n型第一DBR23和p型第二DBR27形成为使得反射谱的中心为570nm。对DBR23和DBR27之间的间隔，也就是谐振腔的长度加以调整，使得由这两个DBR23和27组成的谐振腔的共振波长为570nm。在本实施例中，谐振腔的长度设置为等于两个波长。另外，量子阱有源层25位于由上述两个DBR23和27组成的谐振腔产生的驻波的波腹位置处，并且发射峰值波长为570nm。
接着，在用硫酸/过氧化氢蚀刻剂去除n型GaAs帽层31后，部分n型Al0.01Ga0.98In0.01P电流限制层30被蚀刻掉直至p型Al0.01Ga0.98In0.01P蚀刻保护层29通过使用光刻技术和硫酸/过氧化氢蚀刻剂而暴露出来。如图8A和8B所示，这一蚀刻过程形成直径为70μm的圆形开口，它可作为电流流动通道以便形成n型Al0.01Ga0.98In0.01P电流限制层30。
之后，如图6所示，p型AlGaInP电流扩散层32叠加在n型电流限制层30和p型蚀刻保护层29上。p型电流扩散层32形成为使得整个层厚是7μm。下部1μm厚的部分载流子密度为1×1018cm-3，同时其上部6μm厚的部分载流子密度为1×1019cm-3。接着在p型电流扩散层32上沉积AuBe/Au。沉积的AuBe/Au在光刻后被Au蚀刻剂蚀刻，接着加热处理以获得p型电极33。同时，抛光GaAs衬底21的背面以使其厚度接近280μm。在GaAs衬底的抛光面上沉积AuGe/Au，并加热处理以形成n型电极34。
对这样制造的半导体发光器件的响应特性进行了检验，检验结果显示上升时间为1.8ns。相反，将AlGaInP蚀刻保护层29的载流子密度设置为通常的3×1018cm-3时，上升时间为2.5ns。这一检验结果证实通过降低AlGaInP蚀刻保护层29的载流子密度，可以提高半导体发光器件的响应特性。
本实施例的半导体发光器件与第一实施例不同于蚀刻保护层29由Al0.01Ga0.98In0.01P。与第一实施例的半导体发光器件采用的GaP蚀刻保护层9相比，在同样的载流子密度情况下，其电阻率增加了几个百分点，这是由于本实施例中包含的Al和In分别为1％。因此，电阻率的增加将扩散到电流流动通道外侧的电流的百分比限制在一个低的水平，即使在蚀刻保护层的层厚增加的情况下。
在温度为80℃、湿度为85％的气氛下，通过施加50mA的电流来对本发明的半导体发光器件进行电流通过测试。测试结果为，经过1000小时后的光输出是初始光输出的105％。这充分证明了该半导体发光器件的湿度抵抗能力。当施加电流为20mA时，初始光输出为0.4mW。另外，当施加电流为20mA时，工作电压为2.2V。如第一实施例，电流被均匀地施加在由该圆形开口形成的电流流动通道内。这可通过电流从p型电极33充分扩散至电流扩散层32内，并到达电流限制层30上的圆形开口的中心来实现。其结果是，高电流密度的电流可以均匀地施加到量子阱有源层25。因此，可获得高响应速度低工作电压的半导体发光器件。
在本实施例中，p型AlGaInP蚀刻保护层29形成在第二DBR27与电流限制层30之间，通过用层厚除电阻率而获得的值大于1×103Ω。然而，除了该蚀刻保护层外的任何半导体层都可使用，只要半导体层位于第二多层反射膜与电流限制层之间。并且，也可以不采用AlGaInP中间层28。
在第一和第二实施例的半导体发光器件中，p型和n型可颠倒使用。
如上所述，本实施例的半导体发光器件带有由位于半导体衬底一侧的第一多层反射膜和位于远离半导体衬底的该侧的第二多层反射膜所形成的谐振腔。第二多层反射膜由AlyGazIn1-y-zP(0≤y≤1，0≤z≤1)制成。并且，该半导体发光器件设置有一个位于第二多层反射膜与电流限制层之间的半导体层，通过用厚度除电阻率计算而获得的该层的值为1×103Ω或更高。这使得电流从在电流限制层中形成的电流流动通道向外扩散变得困难。因此，在光发射层中几乎不会生成低电流密度区域。其结果是，可有效提高半导体发光器件的响应特性。
根据本发明的半导体发光器件，扩散到在电流限制层中形成的电流流动通道的外侧的电流占施加到电流流动通道上的总电流的25％或更低。这将可以降低光发射层中的低电流密度区域的生成，对整个半导体发光器件的响应特性几乎不会有坏的影响。
虽然本发明已如上描述，但显然本发明在很多方面会有变化。这些变化皆不脱离本发明的精神和范围，并且对本领域技术人员来说，很显然，上述变化皆被包括在所附权利要求的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种半导体发光器件，包括：
半导体衬底；
位于半导体衬底上的第一多层反射膜；
位于第一多层反射膜上的光发射层；
位于光发射层上的由AlyGazIn1-y-zP制成的第二多层反射膜，其中0≤y≤1，0≤z≤1；
位于第二多层反射膜上的半导体层；以及
位于该半导体层上的电流限制层，
其中，第一多层反射膜和第二多层反射膜彼此隔开从而形成谐振腔，并且光发射层形成在该谐振腔内驻波的波腹位置处，以及
其中，该半导体层具有通过电阻率除以厚度而获得的值为1×103Ω或更大。
2.一种半导体发光器件，包括：
半导体衬底；
位于该半导体衬底上的第一多层反射膜；
位于该第一多层反射膜上的光发射层；
位于该光发射层上的由AlyGazIn1-y-zP制成的第二多层反射膜，其中0≤y≤1，0≤z≤1；以及
位于该第二多层反射膜上的电流限制层，
其中，第一多层反射膜和第二多层反射膜彼此隔开从而形成谐振腔，并且光发射层形成在该谐振腔内驻波的波腹位置处，以及
其中，扩散到在电流限制层内形成的电流流动通道的外侧的电流占施加在电流通道的总电流的25％或更低。
3.根据权利要求1所述的半导体发光器件，还包括电流限制层上的电流扩散层。
4.根据权利要求2所述的半导体发光器件，还包括电流限制层上的电流扩散层。
5.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中：
半导体衬底由GaAs制成，
光发射层由AlyGazIn1-y-zP制成，其中0≤y≤1，0≤z≤1，以及
该半导体层由AlyGazIn1-y-zP或GaP制成，其中0≤y≤1，0≤z≤1。
6.根据权利要求2所述的半导体发光器件，其中：
半导体衬底由GaAs制成，
光发射层由AlyGazIn1-y-zP制成，其中0≤y≤1，0≤z≤1，以及
在第二多层反射膜与电流限制层之间，提供由AlyGazIn1-y-zP或GaP制成的半导体层，其中0≤y≤1，0≤z≤1。
7.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中：
半导体衬底由GaAs制成，
该半导体层由AlyGazIn1-y-zP或GaP制成，其中0≤y≤1，0≤z≤1，以及
电流限制层由AlyGazIn1-y-zP或GaP制成，其中0≤y≤1，0≤z≤1。
8.根据权利要求2所述的半导体发光器件，其中：
半导体衬底由GaAs制成，
在第二多层反射膜与电流限制层之间，提供由AlyGazIn1-y-zP或GaP制成的半导体层，其中0≤y≤1，0≤z≤1，以及
电流限制层由AlyGazIn1-y-zP或GaP制成，其中0≤y≤1，0≤z≤1。
9.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中：
半导体衬底由GaAs制成，
该半导体层由AlyGazIn1-y-zP或GaP制成，其中0≤y≤1，0≤z≤1，
在电流限制层上提供电流扩散层，以及
电流扩散层由AlyGazIn1-y-zP制成，其中0≤y≤1，0≤z≤1。
10.根据权利要求2所述的半导体发光器件，其中：
半导体衬底由GaAs制成，
在第二多层反射膜与电流限制层之间，提供由AlyGazIn1-y-zP或GaP制成的半导体层，其中0≤y≤1，0≤z≤1，
在电流限制层上提供电流扩散层，以及
电流扩散层由AlyGazIn1-y-zP制成，其中0≤y≤1，0≤z≤1。
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