JP2003124508A - 発光ダイオード、デバイス、該デバイスを用いた表示または通信用光源装置 - Google Patents
発光ダイオード、デバイス、該デバイスを用いた表示または通信用光源装置Info
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- JP2003124508A JP2003124508A JP2001316295A JP2001316295A JP2003124508A JP 2003124508 A JP2003124508 A JP 2003124508A JP 2001316295 A JP2001316295 A JP 2001316295A JP 2001316295 A JP2001316295 A JP 2001316295A JP 2003124508 A JP2003124508 A JP 2003124508A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＡｌＧａＩｎＰ系の発光層を有する発光ダイ
オードにおいて、短波長に対して吸収がなく、屈折率の
小さい層が実現でき、高反射率が得られるとともに高出
力化が可能となる発光ダイオードを提供する。 【解決手段】 ＡｌＧａＩｎＰ系発光ダイオードは、ｎ
型ＧａＡｓ基板１上にＤＢＲ層２、ｎ型Ａｌ0.5Ｉｎ0.5
Ｐクラッド層３、Ａｌ0.2Ｇａ0.3Ｉｎ0.5Ｐ活性層４、
ｐ型Ａｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層５、ｐ型Ｇａ0.9Ｉｎ
0.1Ｐ電流拡散層６が成長され、さらにｐ側電極７、ｎ
側電極８が形成される。ここで、ｎ型ＧａＡｓ基板１上
に形成される反射層としてのＤＢＲ層２は、ｎ型Ａｌ
0.61Ｇａ0.39Ａｓ層とｎ型ＺｎＳｅ層をペアとして１０
ペア積層して形成される。
オードにおいて、短波長に対して吸収がなく、屈折率の
小さい層が実現でき、高反射率が得られるとともに高出
力化が可能となる発光ダイオードを提供する。 【解決手段】 ＡｌＧａＩｎＰ系発光ダイオードは、ｎ
型ＧａＡｓ基板１上にＤＢＲ層２、ｎ型Ａｌ0.5Ｉｎ0.5
Ｐクラッド層３、Ａｌ0.2Ｇａ0.3Ｉｎ0.5Ｐ活性層４、
ｐ型Ａｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層５、ｐ型Ｇａ0.9Ｉｎ
0.1Ｐ電流拡散層６が成長され、さらにｐ側電極７、ｎ
側電極８が形成される。ここで、ｎ型ＧａＡｓ基板１上
に形成される反射層としてのＤＢＲ層２は、ｎ型Ａｌ
0.61Ｇａ0.39Ａｓ層とｎ型ＺｎＳｅ層をペアとして１０
ペア積層して形成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光ダイオード、
デバイス、該デバイスを用いた表示または通信用光源装
置に関し、さらに詳しくは、ＡｌＧａＩｎＰ系の発光層
と反射層としてII−VI族の材料を用いたＤＢＲ層を有す
る高出力の発光ダイオード、デバイス、該デバイスを用
いた表示または通信用光源装置に関する。
デバイス、該デバイスを用いた表示または通信用光源装
置に関し、さらに詳しくは、ＡｌＧａＩｎＰ系の発光層
と反射層としてII−VI族の材料を用いたＤＢＲ層を有す
る高出力の発光ダイオード、デバイス、該デバイスを用
いた表示または通信用光源装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＡｌＧａＩｎＰ系半導体材料を用いた半
導体素子は、ＧａＡｓ基板と格子整合が可能であり、可
視領域の発光素子として用いられている。この半導体素
子は、発光ダイオード（ＬＥＤ）として、発光波長５５
０〜６９０ｎｍの範囲で直接遷移型の発光を行う。図６
は、従来のＡｌＧａＩｎＰ系発光ダイオードの例を示す
模式的断面図である。従来のＡｌＧａＩｎＰ系発光ダイ
オードはｎ型ＧａＡｓ基板１からなり、ｎ型ＧａＡｓ基
板１上に、ｎ型ＡｌＧａＡｓＤＢＲ層１１、ｎ型ＡｌＩ
ｎＰクラッド層３、ＡｌＧａＩｎＰ活性層４、ｐ型Ａｌ
ＩｎＰクラッド層５、ｐ型Ｇａ0.9Ｉｎ0.1Ｐ電流拡散層
６が成長され、さらにｐ側電極７、ｎ側電極８が形成さ
れた構成である。
導体素子は、ＧａＡｓ基板と格子整合が可能であり、可
視領域の発光素子として用いられている。この半導体素
子は、発光ダイオード（ＬＥＤ）として、発光波長５５
０〜６９０ｎｍの範囲で直接遷移型の発光を行う。図６
は、従来のＡｌＧａＩｎＰ系発光ダイオードの例を示す
模式的断面図である。従来のＡｌＧａＩｎＰ系発光ダイ
オードはｎ型ＧａＡｓ基板１からなり、ｎ型ＧａＡｓ基
板１上に、ｎ型ＡｌＧａＡｓＤＢＲ層１１、ｎ型ＡｌＩ
ｎＰクラッド層３、ＡｌＧａＩｎＰ活性層４、ｐ型Ａｌ
ＩｎＰクラッド層５、ｐ型Ｇａ0.9Ｉｎ0.1Ｐ電流拡散層
６が成長され、さらにｐ側電極７、ｎ側電極８が形成さ
れた構成である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】発光ダイオードの出力
向上のため、活性層の下に反射層を形成し基板側への発
光を反射して取り出す方法がある。このような発光ダイ
オードによれば、活性層の下の反射層により基板に吸収
されていた光を取り出すことができるため、反射率が高
いほど出力が向上する。反射層としてＡｌ0.45Ｇａ0.55
Ａｓ層とＡｌＡｓ層をぺアとして２０ペア積層してＡｌ
ＧａＡｓ系のＤＢＲ（distributed bragg reflector：
多層反射膜）構造を作成すると赤色の発光に対しては９
８％の反射率が得られる。また、ＡｌＧａＩｎＰ層とＡ
ｌＩｎＰ層を積層したＡｌＧａＩｎＰ系のＤＢＲ構造で
も同様の反射率が得られる。しかし、発光波長を短波長
化していくとＡｌ組成が小さい層（ＡｌＧａＡｓ層また
はＡｌＧａＩｎＰ層）は光を吸収するため反射率が低下
する。吸収を避けるようにＡｌ組成を上げると、Ａｌ組
成が大きい層（ＡｌＡｓ層またはＡｌＩｎＰ層）との屈
折率差が小さくなり、やはり反射率が下がる。５７０ｎ
ｍの発光に対してＡｌ0.61Ｇａ0.39Ａｓ層とＡｌＡｓ層
をペアとして２０ぺア積層したＤＢＲの反射率は８９％
となる。
向上のため、活性層の下に反射層を形成し基板側への発
光を反射して取り出す方法がある。このような発光ダイ
オードによれば、活性層の下の反射層により基板に吸収
されていた光を取り出すことができるため、反射率が高
いほど出力が向上する。反射層としてＡｌ0.45Ｇａ0.55
Ａｓ層とＡｌＡｓ層をぺアとして２０ペア積層してＡｌ
ＧａＡｓ系のＤＢＲ（distributed bragg reflector：
多層反射膜）構造を作成すると赤色の発光に対しては９
８％の反射率が得られる。また、ＡｌＧａＩｎＰ層とＡ
ｌＩｎＰ層を積層したＡｌＧａＩｎＰ系のＤＢＲ構造で
も同様の反射率が得られる。しかし、発光波長を短波長
化していくとＡｌ組成が小さい層（ＡｌＧａＡｓ層また
はＡｌＧａＩｎＰ層）は光を吸収するため反射率が低下
する。吸収を避けるようにＡｌ組成を上げると、Ａｌ組
成が大きい層（ＡｌＡｓ層またはＡｌＩｎＰ層）との屈
折率差が小さくなり、やはり反射率が下がる。５７０ｎ
ｍの発光に対してＡｌ0.61Ｇａ0.39Ａｓ層とＡｌＡｓ層
をペアとして２０ぺア積層したＤＢＲの反射率は８９％
となる。
【０００４】本発明の目的はＡｌＧａＩｎＰ系の発光層
を有する発光ダイオードにおいて、反射層としてＺｎＳ
ｅ系材料のＤＢＲ層を用いることにより、短波長に対し
て吸収がなく屈折率の小さい層を実現し、高反射率が得
られるとともに高出力化が可能となる発光ダイオードを
提供することである。また、このような発光ダイオード
を用いた応用範囲の広いデバイス、該デバイスを用いた
表示または通信用光源装置を提供することである。
を有する発光ダイオードにおいて、反射層としてＺｎＳ
ｅ系材料のＤＢＲ層を用いることにより、短波長に対し
て吸収がなく屈折率の小さい層を実現し、高反射率が得
られるとともに高出力化が可能となる発光ダイオードを
提供することである。また、このような発光ダイオード
を用いた応用範囲の広いデバイス、該デバイスを用いた
表示または通信用光源装置を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題を解
決するためになされたもので、ＡｌＧａＩｎＰ系の発光
層を有する発光ダイオードにおいて、反射層として５８
０ｎｍ以下の発光に対して吸収がなく屈折率の小さいII
−VI族の材料をＤＢＲ層に用いることにより、ＡｌＧａ
Ａｓ系またはＡｌＧａＩｎＰ系材料との屈折率差が稼げ
高反射率のＤＢＲ層ができ、素子の高出力化が可能とな
る。
決するためになされたもので、ＡｌＧａＩｎＰ系の発光
層を有する発光ダイオードにおいて、反射層として５８
０ｎｍ以下の発光に対して吸収がなく屈折率の小さいII
−VI族の材料をＤＢＲ層に用いることにより、ＡｌＧａ
Ａｓ系またはＡｌＧａＩｎＰ系材料との屈折率差が稼げ
高反射率のＤＢＲ層ができ、素子の高出力化が可能とな
る。
【０００６】本発明の第１の技術手段は、ＧａＡｓ基板
に格子整合するＡｌＧａＩｎＰ系の発光層を有する発光
ダイオードにおいて、反射層としてII−VI族の材料を用
いたＤＢＲ層を有することを特徴とし、短波長に対して
吸収がなく屈折率が小さいＤＢＲ層を実現することがで
きるものである。
に格子整合するＡｌＧａＩｎＰ系の発光層を有する発光
ダイオードにおいて、反射層としてII−VI族の材料を用
いたＤＢＲ層を有することを特徴とし、短波長に対して
吸収がなく屈折率が小さいＤＢＲ層を実現することがで
きるものである。
【０００７】本発明の第２の技術手段は、ＡｌＧａＩｎ
Ｐ系の発光層を有し、該発光層の下側にＤＢＲ層を有す
る発光ダイオードにおいて、前記ＤＢＲ層はII−VI族の
材料層とＡｌＧａＡｓまたはＡｌＧａＩｎＰ系の材料層
のぺアを積層した構造であることを特徴とし、II−VI族
のＤＢＲ層が低屈折率であることにより、ＡｌＧａＡｓ
またはＡｌＧａＩｎＰ系の材料との屈折率差が稼げ、短
波長に対して高反射率のＤＢＲ層を形成することがで
き、発光ダイオードの出力を向上することができる。
Ｐ系の発光層を有し、該発光層の下側にＤＢＲ層を有す
る発光ダイオードにおいて、前記ＤＢＲ層はII−VI族の
材料層とＡｌＧａＡｓまたはＡｌＧａＩｎＰ系の材料層
のぺアを積層した構造であることを特徴とし、II−VI族
のＤＢＲ層が低屈折率であることにより、ＡｌＧａＡｓ
またはＡｌＧａＩｎＰ系の材料との屈折率差が稼げ、短
波長に対して高反射率のＤＢＲ層を形成することがで
き、発光ダイオードの出力を向上することができる。
【０００８】本発明の第３の技術手段は、ＡｌＧａＩｎ
Ｐ系の発光層を有し、該発光層の上下両側にＤＢＲ層を
有する発光ダイオードにおいて、前記下側ＤＢＲ層はII
−VI族の材料層とＡｌＧａＡｓ系の材料層のぺアを積層
した構造であり、前記上側ＤＢＲ層はＡｌＧａＡｓ系、
ＡｌＧａＩｎＰ系、II−VI族の材料層とＡｌＧａＡｓ系
の材料層のぺアを積層した構造、II−VI族の材料層とＡ
ｌＧａＩｎＰ系の材料層のぺアを積層した構造のいずれ
かの材料であることを特徴とし、上側ＤＢＲ層と高反射
率の下側ＤＢＲ層とによってレゾナントキャビティ構造
が形成され、下側ＤＢＲ層の反射率が高いことにより発
光ダイオードを高出力化することができる。
Ｐ系の発光層を有し、該発光層の上下両側にＤＢＲ層を
有する発光ダイオードにおいて、前記下側ＤＢＲ層はII
−VI族の材料層とＡｌＧａＡｓ系の材料層のぺアを積層
した構造であり、前記上側ＤＢＲ層はＡｌＧａＡｓ系、
ＡｌＧａＩｎＰ系、II−VI族の材料層とＡｌＧａＡｓ系
の材料層のぺアを積層した構造、II−VI族の材料層とＡ
ｌＧａＩｎＰ系の材料層のぺアを積層した構造のいずれ
かの材料であることを特徴とし、上側ＤＢＲ層と高反射
率の下側ＤＢＲ層とによってレゾナントキャビティ構造
が形成され、下側ＤＢＲ層の反射率が高いことにより発
光ダイオードを高出力化することができる。
【０００９】本発明の第４の技術手段は、ＡｌＧａＩｎ
Ｐ系の発光層を有し、該発光層の上下両側にＤＢＲ層を
有する発光ダイオードにおいて、前記下側ＤＢＲ層はII
−VI族の材料層とＡｌＧａＩｎＰ系の材料層のぺアを積
層した構造であり、前記上側ＤＢＲ層はＡｌＧａＡｓ
系、ＡｌＧａＩｎＰ系、II−VI族の材料層とＡｌＧａＡ
ｓ系の材料層のぺアを積層した構造、II−VI族の材料層
とＡｌＧａＩｎＰ系の材料層のぺアを積層した構造のい
ずれかの材料であることを特徴とし、上側ＤＢＲ層と高
反射率の下側ＤＢＲ層とによってレゾナントキャビティ
構造が形成され、下側ＤＢＲ層の反射率が高いことによ
り発光ダイオードを高出力化することができる。
Ｐ系の発光層を有し、該発光層の上下両側にＤＢＲ層を
有する発光ダイオードにおいて、前記下側ＤＢＲ層はII
−VI族の材料層とＡｌＧａＩｎＰ系の材料層のぺアを積
層した構造であり、前記上側ＤＢＲ層はＡｌＧａＡｓ
系、ＡｌＧａＩｎＰ系、II−VI族の材料層とＡｌＧａＡ
ｓ系の材料層のぺアを積層した構造、II−VI族の材料層
とＡｌＧａＩｎＰ系の材料層のぺアを積層した構造のい
ずれかの材料であることを特徴とし、上側ＤＢＲ層と高
反射率の下側ＤＢＲ層とによってレゾナントキャビティ
構造が形成され、下側ＤＢＲ層の反射率が高いことによ
り発光ダイオードを高出力化することができる。
【００１０】本発明の第５の技術手段は、請求項１乃至
４に記載の発光ダイオードにおいて、前記発光層はダブ
ルへテロ構造であることを特徴とし、電子の閉じ込め効
果が大きく、高効率の発光を行うことができる。
４に記載の発光ダイオードにおいて、前記発光層はダブ
ルへテロ構造であることを特徴とし、電子の閉じ込め効
果が大きく、高効率の発光を行うことができる。
【００１１】本発明の第６の技術手段は、第１〜５の技
術手段の発光ダイオードにおいて、前記発光層は量子井
戸構造であることを特徴とし、量子井戸の深さと幅を変
えることにより、発光エネルギすなわち発光波長を変化
させることができ、高出力化することができる。
術手段の発光ダイオードにおいて、前記発光層は量子井
戸構造であることを特徴とし、量子井戸の深さと幅を変
えることにより、発光エネルギすなわち発光波長を変化
させることができ、高出力化することができる。
【００１２】本発明の第７の技術手段は、第１〜６の技
術手段の発光ダイオードを樹脂モールド成型したラン
プ、チップＬＥＤ等のデバイスであることを特徴とし、
高出力の短波長光を利用する広い応用範囲のデバイスを
提供することができる。
術手段の発光ダイオードを樹脂モールド成型したラン
プ、チップＬＥＤ等のデバイスであることを特徴とし、
高出力の短波長光を利用する広い応用範囲のデバイスを
提供することができる。
【００１３】本発明の第８の技術手段は、第７の技術手
段のデバイスを使用した表示装置または通信用装置であ
ることを特徴とし、高輝度で視感度が高い表示用ランプ
が提供でき、また高ＳＮ比の通信用光モジュール等を提
供することができる。
段のデバイスを使用した表示装置または通信用装置であ
ることを特徴とし、高輝度で視感度が高い表示用ランプ
が提供でき、また高ＳＮ比の通信用光モジュール等を提
供することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図１
〜５に基づいて説明する。本発明は、ＡｌＧａＩｎＰ系
の発光層を有する発光ダイオードにおいて、反射層とし
て５８０ｎｍ以下の発光に対して吸収がなく屈折率の小
さいＺｎＳｅ系材料のようなII−VI族の材料をＤＢＲ層
に用いることにより、ＡｌＧａＡｓ系またはＡｌＧａＩ
ｎＰ系との屈折率差が稼げ高反射率のＤＢＲ層が得られ
る発光ダイオードに関するものである。
〜５に基づいて説明する。本発明は、ＡｌＧａＩｎＰ系
の発光層を有する発光ダイオードにおいて、反射層とし
て５８０ｎｍ以下の発光に対して吸収がなく屈折率の小
さいＺｎＳｅ系材料のようなII−VI族の材料をＤＢＲ層
に用いることにより、ＡｌＧａＡｓ系またはＡｌＧａＩ
ｎＰ系との屈折率差が稼げ高反射率のＤＢＲ層が得られ
る発光ダイオードに関するものである。
【００１５】図４は、II−VI族半導体及びＧａＡｓの格
子定数とバンドギャップの関係を示す図である。ＺｎＳ
ｅはＧａＡｓに格子整合しており、バンドギャップが大
きくＡｌＧａＩｎＰ系半導体の発光に対して透明であ
る。また、ＺｎＭｇＳＳｅ等の混晶でＧａＡｓと格子整
合させることも可能である。したがって、ＺｎＳｅ系の
材料で反射層を形成すれば、高出力の発光ダイオードが
得ることができるので、視感度の高い表示用ランプ、高
ＳＮ比の通信用光モジュール等が実現できる。
子定数とバンドギャップの関係を示す図である。ＺｎＳ
ｅはＧａＡｓに格子整合しており、バンドギャップが大
きくＡｌＧａＩｎＰ系半導体の発光に対して透明であ
る。また、ＺｎＭｇＳＳｅ等の混晶でＧａＡｓと格子整
合させることも可能である。したがって、ＺｎＳｅ系の
材料で反射層を形成すれば、高出力の発光ダイオードが
得ることができるので、視感度の高い表示用ランプ、高
ＳＮ比の通信用光モジュール等が実現できる。
【００１６】ＡｌＧａＩｎＰ系の発光層を有する発光ダ
イオードにおいて、発光波長を赤色から黄色、緑色と短
波長化すると、従来のＡｌＧａＡｓ系ＤＢＲ層を有する
発光ダイオードでは、短波長化にしたがって吸収が大き
くなり反射率が低下する。吸収を小さくするためにはＡ
ｌ組成を大きくすれば良いが、波長５７０ｎｍの光を吸
収しないためにはＡｌ組成を０.６１以上とする必要が
有り、Ａｌ0.61Ｇａ0.3 9Ａｓ層とＡｌＡｓ層のペアを複
数ペア積層してＤＢＲ層を構成すると、両層の差が小さ
くなり屈折率差が小さいことでやはり反射率が低下し、
１０ぺア積層した場合の反射率は５３％となる。そこ
で、Ａｌ0.61Ｇａ0.39Ａｓ層とＺｎＳｅ層のぺアを複数
ペア積層してＤＢＲ層を構成すればＺｎＳｅはＡｌＡｓ
より低屈折率なので、屈折率差が稼げ短波長に対して高
反射率のＤＢＲ層を形成することができる。１０ぺア積
層した場合の反射率は９９％となる。
イオードにおいて、発光波長を赤色から黄色、緑色と短
波長化すると、従来のＡｌＧａＡｓ系ＤＢＲ層を有する
発光ダイオードでは、短波長化にしたがって吸収が大き
くなり反射率が低下する。吸収を小さくするためにはＡ
ｌ組成を大きくすれば良いが、波長５７０ｎｍの光を吸
収しないためにはＡｌ組成を０.６１以上とする必要が
有り、Ａｌ0.61Ｇａ0.3 9Ａｓ層とＡｌＡｓ層のペアを複
数ペア積層してＤＢＲ層を構成すると、両層の差が小さ
くなり屈折率差が小さいことでやはり反射率が低下し、
１０ぺア積層した場合の反射率は５３％となる。そこ
で、Ａｌ0.61Ｇａ0.39Ａｓ層とＺｎＳｅ層のぺアを複数
ペア積層してＤＢＲ層を構成すればＺｎＳｅはＡｌＡｓ
より低屈折率なので、屈折率差が稼げ短波長に対して高
反射率のＤＢＲ層を形成することができる。１０ぺア積
層した場合の反射率は９９％となる。
【００１７】図５は、ＤＢＲ層の反射スペクトルを示す
図で、図５（Ａ ）はＡｌ0.61Ｇａ 0.39Ａｓ層とＺｎＳ
ｅ層のぺアを積層したＤＢＲ層の反射率と発光波長の関
係を示し、図５（Ｂ）はＡｌ0.61Ｇａ0.39Ａｓ層とＡｌ
Ａｓ層のぺアを積層したＤＢＲ層の反射率と発光波長の
関係を示す図である。Ａｌ0.61Ｇａ0.39Ａｓ層とＺｎＳ
ｅ層のぺアを積層したＤＢＲ 層は、Ａｌ0. 61Ｇａ0.39
Ａｓ層とＡｌＡｓ層のぺアを積層したＤＢＲ層と比べる
と反射率が高くなり、反射波長幅も広がっていることが
分かる。ＡｌＧａＩｎＰに対しても同様に、Ａｌ0.25Ｇ
ａ0.25Ｉｎ0.5Ｐ層とＺｎＳｅ層のぺアを積層してＤＢ
Ｒ層を作成し反射率を高くすることができる。
図で、図５（Ａ ）はＡｌ0.61Ｇａ 0.39Ａｓ層とＺｎＳ
ｅ層のぺアを積層したＤＢＲ層の反射率と発光波長の関
係を示し、図５（Ｂ）はＡｌ0.61Ｇａ0.39Ａｓ層とＡｌ
Ａｓ層のぺアを積層したＤＢＲ層の反射率と発光波長の
関係を示す図である。Ａｌ0.61Ｇａ0.39Ａｓ層とＺｎＳ
ｅ層のぺアを積層したＤＢＲ 層は、Ａｌ0. 61Ｇａ0.39
Ａｓ層とＡｌＡｓ層のぺアを積層したＤＢＲ層と比べる
と反射率が高くなり、反射波長幅も広がっていることが
分かる。ＡｌＧａＩｎＰに対しても同様に、Ａｌ0.25Ｇ
ａ0.25Ｉｎ0.5Ｐ層とＺｎＳｅ層のぺアを積層してＤＢ
Ｒ層を作成し反射率を高くすることができる。
【００１８】また、出力向上のため発光層の上下にＤＢ
Ｒ層を有し、共振器を構成するレゾナントキャビティー
構造を採用することが考えられる。レゾナントキャビテ
ィー構造では下側のＤＢＲ層は高反射率が必要なので、
Ａｌ0.61Ｇａ0.39Ａｓ層とＡｌＡｓ層のペアを積層する
ことでは作成できず、本発明のＺｎＳｅ系のＤＢＲ層を
用いる必要がある。上側のＤＢＲ層の反射率は７０％程
度でも良いので、Ａｌ0.61Ｇａ0.39Ａｓ層とＡｌＡｓ層
のペアでも１３ぺア以上積層すればピークの反射率は達
成できる。しかし、ＺｎＳｅ系のＤＢＲ層を用いれば数
ぺアで済み、層数を低減することができる。
Ｒ層を有し、共振器を構成するレゾナントキャビティー
構造を採用することが考えられる。レゾナントキャビテ
ィー構造では下側のＤＢＲ層は高反射率が必要なので、
Ａｌ0.61Ｇａ0.39Ａｓ層とＡｌＡｓ層のペアを積層する
ことでは作成できず、本発明のＺｎＳｅ系のＤＢＲ層を
用いる必要がある。上側のＤＢＲ層の反射率は７０％程
度でも良いので、Ａｌ0.61Ｇａ0.39Ａｓ層とＡｌＡｓ層
のペアでも１３ぺア以上積層すればピークの反射率は達
成できる。しかし、ＺｎＳｅ系のＤＢＲ層を用いれば数
ぺアで済み、層数を低減することができる。
【００１９】本発明の実施例１〜３の発光ダイオードを
図１〜３に基づいて説明する。 （実施例１）図１は、実施例１のＡｌＧａＩｎＰ系発光
ダイオードを示す模式的断面図である。実施例１のＡｌ
ＧａＩｎＰ系発光ダイオードは、ｎ型ＧａＡｓ基板１上
にＤＢＲ層２、ｎ型Ａｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層３、Ａ
ｌ0.2Ｇａ0.3Ｉｎ0.5Ｐ活性層４、ｐ型Ａｌ0.5Ｉｎ0.5
Ｐクラッド層５、ｐ型Ｇａ0.9Ｉｎ0.1Ｐ電流拡散層６が
成長され、さらにｐ側電極７、ｎ側電極８が形成され
る。ここで、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に形成される反射層
としてのＤＢＲ層２は、ｎ型Ａｌ0.61Ｇａ0.39Ａｓの薄
層とｎ型ＺｎＳｅの薄層をペアとして１０ペア積層して
形成される。
図１〜３に基づいて説明する。 （実施例１）図１は、実施例１のＡｌＧａＩｎＰ系発光
ダイオードを示す模式的断面図である。実施例１のＡｌ
ＧａＩｎＰ系発光ダイオードは、ｎ型ＧａＡｓ基板１上
にＤＢＲ層２、ｎ型Ａｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層３、Ａ
ｌ0.2Ｇａ0.3Ｉｎ0.5Ｐ活性層４、ｐ型Ａｌ0.5Ｉｎ0.5
Ｐクラッド層５、ｐ型Ｇａ0.9Ｉｎ0.1Ｐ電流拡散層６が
成長され、さらにｐ側電極７、ｎ側電極８が形成され
る。ここで、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に形成される反射層
としてのＤＢＲ層２は、ｎ型Ａｌ0.61Ｇａ0.39Ａｓの薄
層とｎ型ＺｎＳｅの薄層をペアとして１０ペア積層して
形成される。
【００２０】実施例１のＡｌＧａＩｎＰ系発光ダイオー
ドによれば、発光波長５７０ｎｍに対して、ＤＢＲ層の
反射率は９９％となり高出力が得られる。従来の発光ダ
イオードにおける、Ａｌ0.61Ｇａ0.39Ａｓ層とＡｌＡｓ
層をペアとするＤＢＲ層ではチップ光度は４０ｍｃｄで
あったが、本実施例では５０ｍｃｄと出力が向上した。
また、従来例のチップと本実施例のチップを樹脂モール
ドし、ランプ形状にした場合には出力が７００μＷから
９００μＷに向上した。このように出力が向上したラン
プを用いた表示装置は、視認性が向上し、通信機器の送
信装置に使用した場合には伝送の長距離化が可能となつ
た。
ドによれば、発光波長５７０ｎｍに対して、ＤＢＲ層の
反射率は９９％となり高出力が得られる。従来の発光ダ
イオードにおける、Ａｌ0.61Ｇａ0.39Ａｓ層とＡｌＡｓ
層をペアとするＤＢＲ層ではチップ光度は４０ｍｃｄで
あったが、本実施例では５０ｍｃｄと出力が向上した。
また、従来例のチップと本実施例のチップを樹脂モール
ドし、ランプ形状にした場合には出力が７００μＷから
９００μＷに向上した。このように出力が向上したラン
プを用いた表示装置は、視認性が向上し、通信機器の送
信装置に使用した場合には伝送の長距離化が可能となつ
た。
【００２１】実施例１の構造に限らず、ＤＢＲ層をＡｌ
0.25Ｇａ0.25Ｉｎ0.5Ｐの層とＺｎＳｅの層のペアを積
層した構成とすることもできる。成長装置の制約等によ
り、ＤＢＲ層の構成要素をＡｌＧａＡｓ系とする場合
と、ＡｌＧａＩｎＰ系とする場合があるが、その場合、
ＤＢＲ層の屈折率は若干相違することとなるが、いずれ
の場合でも反射率はほぼ１００％となり、同様の効果が
得られる。また、ＧａＡｓに略格子整合し、発光波長に
対して透明なII−VI族材料であれば、ＺｎＳｅに限らず
様々な材料を用いることができる。ただし、II−VI族材
料として例えばＺｎＭｇＳＳｅを用いる場合、ＧａＡｓ
と格子整合するように、組成を調整する必要がある。本
実施例は結晶成長方法としてＭＯＣＶＤ法（metal orga
nic chemical vapordeposition:有機金属気相成長法）
を用いたが、ＭＢＥ法（molecular beam epitaxy:分子
線エピタキシャル成長法）によって作製しても同様に出
力向上の効果が得られる。
0.25Ｇａ0.25Ｉｎ0.5Ｐの層とＺｎＳｅの層のペアを積
層した構成とすることもできる。成長装置の制約等によ
り、ＤＢＲ層の構成要素をＡｌＧａＡｓ系とする場合
と、ＡｌＧａＩｎＰ系とする場合があるが、その場合、
ＤＢＲ層の屈折率は若干相違することとなるが、いずれ
の場合でも反射率はほぼ１００％となり、同様の効果が
得られる。また、ＧａＡｓに略格子整合し、発光波長に
対して透明なII−VI族材料であれば、ＺｎＳｅに限らず
様々な材料を用いることができる。ただし、II−VI族材
料として例えばＺｎＭｇＳＳｅを用いる場合、ＧａＡｓ
と格子整合するように、組成を調整する必要がある。本
実施例は結晶成長方法としてＭＯＣＶＤ法（metal orga
nic chemical vapordeposition:有機金属気相成長法）
を用いたが、ＭＢＥ法（molecular beam epitaxy:分子
線エピタキシャル成長法）によって作製しても同様に出
力向上の効果が得られる。
【００２２】（実施例２）図２は、実施例２のＡｌＧａ
ＩｎＰ系発光ダイオードを示す模式的断面図である。実
施例２のＡｌＧａＩｎＰ系発光ダイオードは、ｎ型Ｇａ
Ａｓ基板１上にＤＢＲ層２、ｎ型Ａｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐクラ
ッド層３、ＡｌＧａＩｎＰ多重量子井戸活性層９、ｐ型
Ａｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層５、ｐ型Ｇａ0.9Ｉｎ0.1Ｐ
電流拡散層６が成長され、さらにｐ側電極７、ｎ側電極
８が形成される。ここで、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に形成
される反射層としてのＤＢＲ層２は、ｎ型Ａｌ0.61Ｇａ
0.39Ａｓ層とｎ型ＺｎＳｅ層をペアとして１０ペア積層
して得られ、またＡｌＧａＩｎＰ多重量子井戸活性層９
は、Ａｌ0.15Ｇａ0.35Ｉｎ0.5Ｐ井戸層とＡｌ0.25Ｇａ
0.25Ｉｎ0.5Ｐ障壁層をペアとして４ペア積層して得ら
れる。
ＩｎＰ系発光ダイオードを示す模式的断面図である。実
施例２のＡｌＧａＩｎＰ系発光ダイオードは、ｎ型Ｇａ
Ａｓ基板１上にＤＢＲ層２、ｎ型Ａｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐクラ
ッド層３、ＡｌＧａＩｎＰ多重量子井戸活性層９、ｐ型
Ａｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層５、ｐ型Ｇａ0.9Ｉｎ0.1Ｐ
電流拡散層６が成長され、さらにｐ側電極７、ｎ側電極
８が形成される。ここで、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に形成
される反射層としてのＤＢＲ層２は、ｎ型Ａｌ0.61Ｇａ
0.39Ａｓ層とｎ型ＺｎＳｅ層をペアとして１０ペア積層
して得られ、またＡｌＧａＩｎＰ多重量子井戸活性層９
は、Ａｌ0.15Ｇａ0.35Ｉｎ0.5Ｐ井戸層とＡｌ0.25Ｇａ
0.25Ｉｎ0.5Ｐ障壁層をペアとして４ペア積層して得ら
れる。
【００２３】実施例２の発光ダイオードでは、量子井戸
活性層９の効果により高出力となり６０ｍｃｄとなっ
た。ＤＢＲ層２の組成は、ＧａＡｓに略格子整合し、発
光波長に対して透明なII−VI族材料であればＺｎＳｅに
限らず様々な材料を用いることができる。発光層は上記
のような量子井戸構造に限らずシングルへテロ構造やダ
ブルへテロ構造を用いても良い。また、発光波長を様々
に変えても良い。結晶成長方法としてはＭＯＣＶＤ法、
ＭＢＥ法が考えられる。
活性層９の効果により高出力となり６０ｍｃｄとなっ
た。ＤＢＲ層２の組成は、ＧａＡｓに略格子整合し、発
光波長に対して透明なII−VI族材料であればＺｎＳｅに
限らず様々な材料を用いることができる。発光層は上記
のような量子井戸構造に限らずシングルへテロ構造やダ
ブルへテロ構造を用いても良い。また、発光波長を様々
に変えても良い。結晶成長方法としてはＭＯＣＶＤ法、
ＭＢＥ法が考えられる。
【００２４】（実施例３）図３は、実施例３のＡｌＧａ
ＩｎＰ系発光ダイオードを示す模式的断面図である。実
施例３のＡｌＧａＩｎＰ系発光ダイオードは、ｎ型Ｇａ
Ａｓ基板１上にｎ型ＤＢＲ層２、ｎ型Ａｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐ
クラッド層３、ＡｌＧａＩｎＰ多重量子井戸活性層９、
ｐ型Ａｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層５、ｐ型ＤＢＲ層１
０、ｐ型Ｇａ0. 9Ｉｎ0.1Ｐ電流拡散層６が成長され、さ
らにｐ側電極７、ｎ側電極８が形成される。ここで、ｎ
型ＧａＡｓ基板１上に形成される下側のｎ型ＤＢＲ層２
は、ｎ型Ａｌ0.61Ｇａ0.39Ａｓ層とｎ型ＺｎＳｅ層をペ
アとして１０ペア積層して得られ、ＡｌＧａＩｎＰ多重
量子井戸活性層９は、Ａｌ0.15Ｇａ0.35Ｉｎ0.5Ｐ井戸
層とＡｌ0.25Ｇａ0.25Ｉｎ0.5Ｐ障壁層をペアとして４
ペア積層して得られ、また上側のｐ型ＤＢＲ層１０は、
ｐ型Ａｌ0.61Ｇａ0.39Ａｓ層とｐ型ＡｌＡｓ層をペアと
して１３ペア積層して得られる。
ＩｎＰ系発光ダイオードを示す模式的断面図である。実
施例３のＡｌＧａＩｎＰ系発光ダイオードは、ｎ型Ｇａ
Ａｓ基板１上にｎ型ＤＢＲ層２、ｎ型Ａｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐ
クラッド層３、ＡｌＧａＩｎＰ多重量子井戸活性層９、
ｐ型Ａｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層５、ｐ型ＤＢＲ層１
０、ｐ型Ｇａ0. 9Ｉｎ0.1Ｐ電流拡散層６が成長され、さ
らにｐ側電極７、ｎ側電極８が形成される。ここで、ｎ
型ＧａＡｓ基板１上に形成される下側のｎ型ＤＢＲ層２
は、ｎ型Ａｌ0.61Ｇａ0.39Ａｓ層とｎ型ＺｎＳｅ層をペ
アとして１０ペア積層して得られ、ＡｌＧａＩｎＰ多重
量子井戸活性層９は、Ａｌ0.15Ｇａ0.35Ｉｎ0.5Ｐ井戸
層とＡｌ0.25Ｇａ0.25Ｉｎ0.5Ｐ障壁層をペアとして４
ペア積層して得られ、また上側のｐ型ＤＢＲ層１０は、
ｐ型Ａｌ0.61Ｇａ0.39Ａｓ層とｐ型ＡｌＡｓ層をペアと
して１３ペア積層して得られる。
【００２５】実施例３のＡｌＧａＩｎＰ系発光ダイオー
ドは、発光層の上下に反射層を有し、２λ共振器を構成
するレゾナントキャビティー構造を採用している。共振
波長は５７０ｎｍで活性層を定在波の腹の位置に置く。
実施例３の発光ダイオードではレゾナントキャビティー
構造により高出力となり１００ｍｃｄとなった。以上の
構造に限らず下側のｎ型ＤＢＲ層２は、Ａｌ0.25Ｇａ
0.25Ｉｎ0.5Ｐ層のようなＡｌＧａＩｎＰ系材料とＺｎ
Ｓｅ層をペアとしたり、ＡｌＧａＡｓ系材料とＺｎＳｅ
層をペアとする構造が考えられる。また、上側のｐ型Ｄ
ＢＲ層１０についても、ＺｎＭｇＳＳｅ、ＡｌＧａＡ
ｓ、ＡｌＧａＩｎＰ系材料を用いたり、ＡｌＧａＡｓま
たはＡｌＧａＩｎＰ系材料とＺｎＳｅ等II−VI族の材料
の層をペアとする等様々な構造が考えられる。さらに、
発光層９も上記のような量子井戸構造に限らずシングル
へテロ構造やダブルへテロ構造を用いても良い。結晶成
長方法としてはＭＯＣＶＤ法、ＭＢＥ法が考えられる。
ドは、発光層の上下に反射層を有し、２λ共振器を構成
するレゾナントキャビティー構造を採用している。共振
波長は５７０ｎｍで活性層を定在波の腹の位置に置く。
実施例３の発光ダイオードではレゾナントキャビティー
構造により高出力となり１００ｍｃｄとなった。以上の
構造に限らず下側のｎ型ＤＢＲ層２は、Ａｌ0.25Ｇａ
0.25Ｉｎ0.5Ｐ層のようなＡｌＧａＩｎＰ系材料とＺｎ
Ｓｅ層をペアとしたり、ＡｌＧａＡｓ系材料とＺｎＳｅ
層をペアとする構造が考えられる。また、上側のｐ型Ｄ
ＢＲ層１０についても、ＺｎＭｇＳＳｅ、ＡｌＧａＡ
ｓ、ＡｌＧａＩｎＰ系材料を用いたり、ＡｌＧａＡｓま
たはＡｌＧａＩｎＰ系材料とＺｎＳｅ等II−VI族の材料
の層をペアとする等様々な構造が考えられる。さらに、
発光層９も上記のような量子井戸構造に限らずシングル
へテロ構造やダブルへテロ構造を用いても良い。結晶成
長方法としてはＭＯＣＶＤ法、ＭＢＥ法が考えられる。
【００２６】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によればＡｌＧａＩｎＰ系の発光層を有する発光ダイオ
ードにおいて、反射層としてＺｎＳｅ系材料を含むII−
VI族の材料からなるＤＢＲ層を用いることにより短波長
に対して吸収がなく屈折率の小さい層が実現でき高反射
率とすることができ、発光ダイオードの高出力化が可能
となる。
によればＡｌＧａＩｎＰ系の発光層を有する発光ダイオ
ードにおいて、反射層としてＺｎＳｅ系材料を含むII−
VI族の材料からなるＤＢＲ層を用いることにより短波長
に対して吸収がなく屈折率の小さい層が実現でき高反射
率とすることができ、発光ダイオードの高出力化が可能
となる。
【００２７】以上の説明から明らかなように、請求項１
の発明によれば、ＧａＡｓ基板に格子整合するＡｌＧａ
ＩｎＰ系の発光層を有する発光ダイオードにおいて、反
射層がII−VI族の材料を用いたＤＢＲ層からなるので、
短波長に対して吸収がなく、高反射率の層を形成するこ
とができ、発光ダイオードの出力を向上することができ
る。
の発明によれば、ＧａＡｓ基板に格子整合するＡｌＧａ
ＩｎＰ系の発光層を有する発光ダイオードにおいて、反
射層がII−VI族の材料を用いたＤＢＲ層からなるので、
短波長に対して吸収がなく、高反射率の層を形成するこ
とができ、発光ダイオードの出力を向上することができ
る。
【００２８】請求項２の発明によれば、ＡｌＧａＩｎＰ
系の発光層を有し、該発光層の下側にＤＢＲ層を有する
発光ダイオードにおいて、前記ＤＢＲ層はII−VI族の材
料層とＡｌＧａＡｓまたはＡｌＧａＩｎＰ系の材料層の
ぺアを積層した構造であるので、II−VI族のＤＢＲ層が
低屈折率であることにより、ＡｌＧａＡｓまたはＡｌＧ
ａＩｎＰ系の材料との屈折率差が稼げ、短波長に対して
高反射率のＤＢＲ層を形成することができ、発光ダイオ
ードの出力を向上することができる。
系の発光層を有し、該発光層の下側にＤＢＲ層を有する
発光ダイオードにおいて、前記ＤＢＲ層はII−VI族の材
料層とＡｌＧａＡｓまたはＡｌＧａＩｎＰ系の材料層の
ぺアを積層した構造であるので、II−VI族のＤＢＲ層が
低屈折率であることにより、ＡｌＧａＡｓまたはＡｌＧ
ａＩｎＰ系の材料との屈折率差が稼げ、短波長に対して
高反射率のＤＢＲ層を形成することができ、発光ダイオ
ードの出力を向上することができる。
【００２９】請求項３の発明によれば、ＡｌＧａＩｎＰ
系の発光層を有し、該発光層の上下両側にＤＢＲ層を有
する発光ダイオードにおいて、前記下側ＤＢＲ層はII−
VI族の材料層とＡｌＧａＡｓ系の材料層のぺアを積層し
た構造であるので、上側ＤＢＲ層と高反射率の下側ＤＢ
Ｒ層とによってレゾナントキャビティ構造が形成され、
下側ＤＢＲ層の反射率が高いことにより発光ダイオード
の出力を向上することができる。
系の発光層を有し、該発光層の上下両側にＤＢＲ層を有
する発光ダイオードにおいて、前記下側ＤＢＲ層はII−
VI族の材料層とＡｌＧａＡｓ系の材料層のぺアを積層し
た構造であるので、上側ＤＢＲ層と高反射率の下側ＤＢ
Ｒ層とによってレゾナントキャビティ構造が形成され、
下側ＤＢＲ層の反射率が高いことにより発光ダイオード
の出力を向上することができる。
【００３０】請求項４の発明によれば、ＡｌＧａＩｎＰ
系の発光層を有し、該発光層の上下両側にＤＢＲ層を有
する発光ダイオードにおいて、前記下側ＤＢＲ層はII−
VI族の材料層とＡｌＧａＩｎＰ系の材料層のぺアを積層
した構造であるので、上側ＤＢＲ層と高反射率の下側Ｄ
ＢＲ層とによってレゾナントキャビティ構造が形成さ
れ、下側ＤＢＲ層の反射率が高いことにより発光ダイオ
ードの出力を向上することができる。
系の発光層を有し、該発光層の上下両側にＤＢＲ層を有
する発光ダイオードにおいて、前記下側ＤＢＲ層はII−
VI族の材料層とＡｌＧａＩｎＰ系の材料層のぺアを積層
した構造であるので、上側ＤＢＲ層と高反射率の下側Ｄ
ＢＲ層とによってレゾナントキャビティ構造が形成さ
れ、下側ＤＢＲ層の反射率が高いことにより発光ダイオ
ードの出力を向上することができる。
【００３１】請求項５の発明によれば、発光層はダブル
へテロ構造であるので、電子の閉じ込めの効果が大き
く、発光効率が向上する。
へテロ構造であるので、電子の閉じ込めの効果が大き
く、発光効率が向上する。
【００３２】請求項６の発明によれば、発光層は量子井
戸構造であるので、量子井戸の深さと幅を変えることに
より、発光エネルギすなわち発光波長を変化させること
ができる。
戸構造であるので、量子井戸の深さと幅を変えることに
より、発光エネルギすなわち発光波長を変化させること
ができる。
【００３３】請求項７の発明によれば、ランプ、チップ
ＬＥＤ等のデバイスが、請求項１〜６の発光ダイオード
を樹脂モールドすることによって成型されているので、
高出力の短波長光を利用する広い応用範囲のデバイスを
提供することができる。
ＬＥＤ等のデバイスが、請求項１〜６の発光ダイオード
を樹脂モールドすることによって成型されているので、
高出力の短波長光を利用する広い応用範囲のデバイスを
提供することができる。
【００３４】請求項８の発明によれば、表示装置または
通信用装置が、請求項７のデバイスを使用しているの
で、高輝度で視感度が高い表示用ランプが提供でき、ま
た高ＳＮ比の通信用光モジュール等を提供することがで
きる。
通信用装置が、請求項７のデバイスを使用しているの
で、高輝度で視感度が高い表示用ランプが提供でき、ま
た高ＳＮ比の通信用光モジュール等を提供することがで
きる。
【図１】本発明の実施例１による発光ダイオードの断面
図である。
図である。
【図２】本発明の実施例２による発光ダイオードの断面
図である。
図である。
【図３】本発明の実施例３による発光ダイオードの断面
図である。
図である。
【図４】II−VI族半導体及びＧａＡｓの格子定数とバン
ドギャップの関係を示す図である。
ドギャップの関係を示す図である。
【図５】本発明の実施例の発光ダイオードと従来例の発
光ダイオードのＤＢＲ層の反射スペクトルを示す図であ
る。
光ダイオードのＤＢＲ層の反射スペクトルを示す図であ
る。
【図６】従来例による発光ダイオードの断面図である。
１…ＧａＡｓ基板、２…（ｎ型Ａｌ0.61Ｇａ0.39Ａｓ層
とｎ型ＺｎＳｅ層をペアとして１０ペア積層して得られ
る）ＤＢＲ層、３…ＡｌＩｎＰクラッド層、４…ＡｌＧ
ａＩｎＰ活性層、５…ＡｌＩｎＰクラッド層、６…Ｇａ
ＩｎＰ電流拡散層、７…ｐ側電極、８…ｎ側電極、９…
ＡｌＧａＩｎＰ多重量子井戸活性層、１０…（ｐ型Ａｌ
0.61Ｇａ0.39Ａｓ層とｐ型ＡｌＡｓ層をペアとして１３
ペア積層して得られる）ＤＢＲ層、１１…ＡｌＧａＡｓ
系ＤＢＲ層。
とｎ型ＺｎＳｅ層をペアとして１０ペア積層して得られ
る）ＤＢＲ層、３…ＡｌＩｎＰクラッド層、４…ＡｌＧ
ａＩｎＰ活性層、５…ＡｌＩｎＰクラッド層、６…Ｇａ
ＩｎＰ電流拡散層、７…ｐ側電極、８…ｎ側電極、９…
ＡｌＧａＩｎＰ多重量子井戸活性層、１０…（ｐ型Ａｌ
0.61Ｇａ0.39Ａｓ層とｐ型ＡｌＡｓ層をペアとして１３
ペア積層して得られる）ＤＢＲ層、１１…ＡｌＧａＡｓ
系ＤＢＲ層。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 大山 尚一
大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ
ャープ株式会社内
(72)発明者 中津 弘志
大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ
ャープ株式会社内
Ｆターム(参考） 5F041 AA04 CA04 CA05 CA34 CA35
CA65 CB15
5F045 AA04 AB17 AB18 AB22 AF04
BB12 CA10 DA53 DA55 DA62
Claims (8)
- 【請求項１】 ＧａＡｓ基板に格子整合するＡｌＧａＩ
ｎＰ系の発光層を有する発光ダイオードにおいて、 反射層としてII−VI族の材料を用いたＤＢＲ層を有する
ことを特徴とする発光ダイオード。 - 【請求項２】 ＡｌＧａＩｎＰ系の発光層を有し、該発
光層の下側にＤＢＲ層を有する発光ダイオードにおい
て、 前記ＤＢＲ層はII−VI族の材料層とＡｌＧａＡｓまたは
ＡｌＧａＩｎＰ系の材料層のぺアを積層した構造である
ことを特徴とする発光ダイオード。 - 【請求項３】 ＡｌＧａＩｎＰ系の発光層を有し、該発
光層の上下両側にＤＢＲ層を有する発光ダイオードにお
いて、 前記下側ＤＢＲ層はII−VI族の材料層とＡｌＧａＡｓ系
の材料層のぺアを積層した構造であり、前記上側ＤＢＲ
層はＡｌＧａＡｓ系、ＡｌＧａＩｎＰ系、II−VI族の材
料層とＡｌＧａＡｓ系の材料層のぺアを積層した構造、
II−VI族の材料層とＡｌＧａＩｎＰ系の材料層のぺアを
積層した構造のいずれかの材料であることを特徴とする
発光ダイオード。 - 【請求項４】 ＡｌＧａＩｎＰ系の発光層を有し、該発
光層の上下両側にＤＢＲ層を有する発光ダイオードにお
いて、 前記下側ＤＢＲ層はII−VI族の材料層とＡｌＧａＩｎＰ
系の材料層のぺアを積層した構造であり、前記上側ＤＢ
Ｒ層はＡｌＧａＡｓ系、ＡｌＧａＩｎＰ系、II−VI族の
材料層とＡｌＧａＡｓ系の材料層のぺアを積層した構
造、II−VI族の材料層とＡｌＧａＩｎＰ系の材料層のぺ
アを積層した構造のいずれかの材料であることを特徴と
する発光ダイオード。 - 【請求項５】 請求項１乃至４のいずれかに記載の発光
ダイオードにおいて、 前記発光層はダブルへテロ構造であることを特徴とする
発光ダイオード。 - 【請求項６】 請求項１乃至５のいずれかに記載の発光
ダイオードにおいて、 前記発光層は量子井戸構造であることを特徴とする発光
ダイオード。 - 【請求項７】 請求項１乃至６のいずれかに記載の発光
ダイオードを樹脂モールド成型したことを特徴とするラ
ンプ、チップＬＥＤ等のデバイス。 - 【請求項８】 請求項７記載のデバイスを使用したこと
を特徴とする表示または通信用光源装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001316295A JP2003124508A (ja) | 2001-10-15 | 2001-10-15 | 発光ダイオード、デバイス、該デバイスを用いた表示または通信用光源装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001316295A JP2003124508A (ja) | 2001-10-15 | 2001-10-15 | 発光ダイオード、デバイス、該デバイスを用いた表示または通信用光源装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003124508A true JP2003124508A (ja) | 2003-04-25 |
Family
ID=19134331
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001316295A Pending JP2003124508A (ja) | 2001-10-15 | 2001-10-15 | 発光ダイオード、デバイス、該デバイスを用いた表示または通信用光源装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003124508A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6815727B2 (en) | 2002-06-24 | 2004-11-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor light emitting device |
| WO2006007032A1 (en) * | 2004-06-18 | 2006-01-19 | 3M Innovative Properties Company | Ii-vi/iii-v layered construction on inp substrate |
| US7119377B2 (en) | 2004-06-18 | 2006-10-10 | 3M Innovative Properties Company | II-VI/III-V layered construction on InP substrate |
-
2001
- 2001-10-15 JP JP2001316295A patent/JP2003124508A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6815727B2 (en) | 2002-06-24 | 2004-11-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor light emitting device |
| WO2006007032A1 (en) * | 2004-06-18 | 2006-01-19 | 3M Innovative Properties Company | Ii-vi/iii-v layered construction on inp substrate |
| US7119377B2 (en) | 2004-06-18 | 2006-10-10 | 3M Innovative Properties Company | II-VI/III-V layered construction on InP substrate |
| US7126160B2 (en) | 2004-06-18 | 2006-10-24 | 3M Innovative Properties Company | II-VI/III-V layered construction on InP substrate |
| GB2430552A (en) * | 2004-06-18 | 2007-03-28 | 3M Innovative Properties Co | II-VI/III-V layered construction on INP substrate |
| JP2008503090A (ja) * | 2004-06-18 | 2008-01-31 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | ＩｎＰ基板上のＩＩ−ＶＩ／ＩＩＩ−Ｖ層状構造 |
| GB2430552B (en) * | 2004-06-18 | 2009-05-20 | 3M Innovative Properties Co | II-VI/III-V layered construction on InP substrate |
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