CN100442561C - 硅基短波长发光二极管及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种硅基短波长发光二极管，同时还涉及其制备方法，属于纳米电子和纳米光电子器件材料技术领域。本发明的发光二极管在P+的硅基底上沉积有由相邻层氮组分有明显差异a-SiNx:H薄膜构成的第一组光学微腔；在第一组光学微腔上构筑有所需层数a-Si:H/SiO2多层膜构成的发光有源层；在发光有源层上沉积由相邻层氮组分有明显差异a-SiNx:H薄膜构成的第二组光学微腔；在第二组光学微腔上淀积金薄膜电极，并留有窗口。采用本发明后，可以与当前微电子工艺技术相兼容，能够显现出由于尺寸变化而引起的量子效应，达到调控低维有序体系结构和性能的目的，使非晶硅量子点走出实验室，切实应用于未来的硅基纳米光电子学器件。
Description
技术领域
发明涉及一种硅基发光二极管，尤其是一种硅基短波长发光二极管，同时还涉及其制备方法，属于纳米电子和纳米光电子器件材料技术领域。
背景技术
以硅基材料为基础的微电子技术的发展是21世纪最引人注目的高技术成就之一，利用集成电路技术制作的半导体芯片，已经成为现代电子技术的基础，并且引起了社会生活的巨大变革。当Si微电子技术越来越接近其物理极限的时候，信息和通讯技术对进一步提高传输速率，开发研制超高速、超大容量的硅基光电子集成芯片提出了挑战，于是Si基信息光电子材料的研究开发便成为世界范围特别受关注的重大研究课题。能否找到合适的硅基光电子材料实现硅基的光电子集成，抛弃传统的电路板、金属引线，大幅度提高芯片的数据传送带宽，将对飞速发展的信息产业和以计算机以及互联网为核心的新经济产生举足轻重的影响。
近年来，纳米硅的发光取得了突破性的进展，2000年意大利Trento大学L.Pavesi研究组在二氧化硅中用离子注入和热退火相结合的方法获得纳米硅，并从实验上验证了纳米硅在短波激光泵浦下的光增益，为纳米硅激光器的实现提出了可能性(1)，2001年英国Survey大学的Wai Lek Ng研究组采用在Si衬底上用硼注入Si的工艺和热处理相结合，形成纳米量级的错位环阵列，并由该方法成功制备出室温下的硅基发光二级管(2)。
据申请人了解，到目前为止，国际上研究小组制备的激光器和硅基发光二级管发光波长主要集中在长波波段(700-800nm)。全硅基的短波长发光二极管至今尚未见报道。
检索发现，申请号为03160266的中国专利申请公开了一种谐振腔型发光二极管，包括：由n型AlAs或Al0.5Ga0.5As制成的第一DBR；量子阱有源层；由p型(Al0.2Ga0.8)0.5In0.5P或Al0.5In0.5P制成的第二DBR；以及，位于n型GaAs衬底上的n型电流限制层。第一DBR和第二DBR形成谐振腔。量子阱有源层形成在谐振腔内驻波的波腹位置处。在第二DBR与电流限制层之间，提供有p型GaP蚀刻保护层，其具有通过用厚度除以电阻率而获得的1×103Ω或更高的值。由于电流限制层中形成的电流流动通道的电流几乎不会扩散到电流流动通道的外侧，所以几乎不会生成低电流密度区域而造成量子阱层响应速度的下降。据介绍，该发光二极管有很好的高速响应。但并未成为短波长的发光二极管。
发明内容
本发明的目的在于：提出一种在室温下能发出短波长的硅基发光二极管，从而满足科技发展对光电子器件的需求。同时给出其制备方法，该方法应当与当前微电子工艺相兼容，从而可以切实应用于未来的硅基纳米光电子学器件。
为了达到以下目的，本发明的技术方案为：硅基短波长发光二极管，包括P+硅基底材，在P+的硅基底上沉积有相邻层氮组分有差异的所需层数a-SiNx:H多层膜构成的第一组F-P光学微腔(Fabry-Perot法布里-帕罗光学微腔)；在第一组F-P光学微腔上淀积有所需层数a-Si:H/SiO2多层膜构成的发光有源层；发光有源层上沉积有相邻层氮组分有差异的所需层数a-SiNx:H多层膜构成的第二组F-P光学微腔；在第二组F-P光学微腔上淀积有电极，并留有窗口。
以上相邻层氮组分的差异越显著越好。实验证明，氮的含量可以在最小值0.33与最大值0.89之间调整变化。
在本发明样品的顶部和底部加上电场，检测样品的I-V特性，并用光电倍增管测试，从窗口发出的电致发光谱图证明，可以获得从413nm到470nm的发光波长，从而成为硅基短波长谐振腔发光二极管。
本发明的上述硅基短波长发光二极管制备基本过程包括以下步骤：
1)、构筑第一组F-P光学微腔
1-1)在P+硅基底上分解硅烷(SiH4)和氨气(NH3)的混合气体，淀积得到a-SiNx:H薄膜；
1-2)控制氨气/硅烷(NH3/SiH4)流量比，制作相邻层氮(N)组分有差异的a-SiNx:H薄膜，反复循环交替，形成所需层数第一组F-P光学微腔；
2)、构筑发光有源层
2-1)在第一组光学微腔上控制反应气体交替在硅烷(SiH4(+Ar))和氧气(O2)之间交换，分解硅烷淀积a-Si:H薄膜，再对a-Si:H层进行纯氧逐层等离子体氧化，获得二氧化硅层；
2-2)反复循环交替，生长制得所需层数的a-Si:H/SiO2多层膜；
3)、构筑第二组F-P光学微腔
3-1)在发光有源层上再分解硅烷(SiH4)和氨气(NH3)的混合气体，再次淀积得到a-SiNx:H薄膜；
3-2)控制氨气/硅烷(NH3/SiH4)流量比，制作相邻层氮(N)组分有差异的a-SiNx:H薄膜，反复循环交替，形成所需层数的第二组F-P光学微腔；
4)、构筑薄膜电极
在第二组光学微腔上淀积电极，并留出窗口。
经过以上步骤，实现发光有源层和光学微腔的有机结合，即可完成本发明硅基短波长谐振腔发光二极管的制备，其优点可以归纳如下：
1.原位氧化技术保证了样品表面的清洁度；
2.原位制备有源层和F-P光学微腔的技术使样品的界面态密度降低，有利于发光强度的增强；
3.低温制备，工艺简单，与半导体的硅工艺相兼容；
4.能够有效控制非晶硅纳米点形成的尺寸与均匀度；
5.非晶硅纳米点的表面能被氢钝化，氧化所得到SiO2层界面态密度降低，非常适用于构筑纳米器件。
采用本发明的方法后，可以与当前微电子工艺技术相兼容，避免使用高温退火技术，在获得非晶硅纳米点的同时，可对纳米点表面进行有效的氢钝化，以降低缺陷态密度，因而能够显现出由于尺寸变化而引起的量子效应，达到调控低维有序体系结构和性能的目的，使非晶硅量子点走出实验室，切实应用于未来的硅基纳米光电子学器件。
附图说明
下面结合附图对本发明作进一步的说明。
图1是本发明一个实施例的工艺流程图。
图2是本发明一个实施例样品的剖面结构示意图。
具体实施方式
实施例一
本实施例硅基短波长发光二极管采用图1所示工艺过程制备。其中(a)表示利用PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition等离子体增强化学气相沉积)系统，在P+的硅基底上分解硅烷(SiH4)和氨气(NH3)淀积制备a-SiNx:H薄膜得到第一组F-P光学微腔；(b)表示在F-P光学微腔上采用淀积a-Si:H和原位氧化a-Si:H的方法制备发光有源层a-Si:H/SiO2多层膜，(c)表示在有源层a-Si:H/SiO2多层膜上面再采用分解硅烷(SiH4)和氨气(NH3)淀积制备a-SiNx:H薄膜得到第二组F-P光学微腔；(d)表示在第二组F-P光学微腔上用电子束蒸发技术得到金薄膜电极1，并留出窗口2。
制成之后的样品剖面如图2所示，在硅片上沉积有非晶硅并结合原位等离子体氧化的技术获得的a-Si:H/SiO2多层膜作为有源层，且在有源层两端采用原位淀积SiNx/SiN1-x多层膜的方法作为光学微腔。检测表明，其a-Si:H/SiO2多层膜在室温下具有较强的蓝光光致发光效能。
本实施例的具体制备和设计思路如下：
(1)发光有源层的制备和设计：在等离子体增强化学汽相淀积系统中，由计算机控制质量流量计开关，使反应室内的反应气体交替在SiH4(+Ar)和O2之间交换，从而分解SiH4淀积a-Si:H薄膜，然后再对a-Si:H层进行纯氧逐层等离子体氧化获得二氧化硅，经过多次循环生长制得40个周期左右的a-Si:H/SiO2多层膜(相邻的两个子层a-Si:H/SiO2薄膜为一个周期，35-45个周期为宜好)。通过控制a-Si:H淀积的时间，时间范围控制在10秒到60秒为宜，在硅衬底上制备不同a-Si:H子层厚度，a-Si:H子层厚度的变化范围控制在1到6nm为宜。a-Si:H层的厚度的偏差可控制在0.5nm以内，等离子体氧化获得的二氧化硅薄膜厚度低于10nm。采用325nm的He-Cd激光激光光谱仪进行光致荧光谱的测量，确定a-Si:H/SiO2的光致发光波长入对应的膜厚参数，通过改变沉积时间来调节a-Si:H层的厚度，可实现对a-Si:H/SiO2的光致发光波长的调制，获得从413nm到470nm的发光波长。
(2)F-P光学微腔的设计及制备：选用a-SiNx:H薄膜作为光子晶体微腔的介质层，采用PECVD技术由硅烷(SiH4)和氨气(NH3)分解淀积制备a-SiNx:H薄膜。通过改变气相中NH3/SiH4的流量比R，从0.5增加到8，达到改变a-SiNx:H薄膜中N组分，从0.33增加到0.89的目的，从而可控制薄膜光学性质。相邻的两个子层a-SiNx:H薄膜为一个周期，35-45个周期为宜好。a-SiNx:H薄膜的光学带隙将随氮含量的增加而增加，而折射率则随氮含量的增加而减小。为了使F-P腔即介质层达到大的光学带隙，并具有高反射率，需要两种折射率由差异的a-SiNx:H薄膜组成F-P光学微腔，其折射率差异接近1最好，故选择NH3/SiH4流量比R为最大和最小的a-SiNx:H薄膜用来制作F-P光学微腔，折射率的值分别为2.8和1.9。相邻两层a-SiNx:H薄膜的光学厚度分别为有源层发光波长的1/4，根据相邻两层a-SiNx:H薄膜的折射率值，采用矩阵方法(4)，可计算包含发光有源层和两组相同结构的F-P光学微腔的透射率和反射率，反射器的反射率最大可通过调整膜的厚度，控制达到98.6％，透射率最低可达1.4％，从而使非谐振模式都被有效抑制。根据设计制备微腔样品，整个微腔包含了光学厚度为发光波长的1/2的有源层，以及发光有源层上下方对称的两组相同的F-P光学微腔。在带隙中，除了腔模式，其他的模式均被有效抑制。当光荧光谱和透射谱的模式匹配良好，在所制备的微腔样品中就实现了模式选择。为了使每层之间界面清晰，在生长每一层之间，系统均进行短暂息辉。
(3)根据步骤(1)和(2)利用PECVD系统，在P+硅基底上分解硅烷(SiH4)和氨气(NH3)淀积制备a-SiNx:H薄膜得到第一组F-P光学微腔，然后在F-P光学微腔上再采用淀积a-Si:H和原位氧化a-Si:H的方法制备发光有源层a-Si:H/SiO2多层膜，最后在发光有源层a-Si:H/SiO2多层膜上再淀积第二组F-P光学微腔，其结构参数和第一组F-P光学微腔相同，实现发光有源层和光学微腔结合。接下来在第二组F-P光学微腔上淀积金薄膜电极，并留出窗口，在样品的顶部和底部加上电场，检测样品的I-V特性，并用光电倍增管测试可从窗口发出的电致发光谱图。
简言之，本实施例采用在硅片上沉积非晶硅并结合原位等离子体氧化的技术获得a-Si:H/SiO2多层膜作为发光有源层，再采用在发光有源层两端原位淀积SiNx/SiN1-x多层膜的方法作为光学微腔，获得了室温下较强的蓝光光致发光a-Si:h/SiO2多层膜，制备出全硅基的短波长谐振腔发光二极管，既与当前微电子工艺相兼容，勿需热退火等后热处理技术，从而可以切实应用于未来的硅基纳米光电子学器件。
除上述实施例外，本发明还可以有其他实施方式。凡采用等同替换或等效变换形成的技术方案，均落在本发明要求的保护范围。
1.L.Pavesi，et al.Nature，408，440(2000)
2.L.N.Wai，et al.Nature，410，192(2001)
3.Z.Zhou，L.Brus et al.Nano Lett.，3，163(2003)
4.S.John，G.Pang，Phys[J].Rev.A.，54，3642(1996)
Claims (10)
1.一种硅基短波长发光二极管，包括P+硅基底材，其特征在于：
--在P+硅基底上沉积有相邻层氮组分有差异的所需层数a-SiNx:H多层膜构成的第一组F-P光学微腔；
--在第一组F-P光学微腔上淀积有所需层数a-Si:H/SiO2多层膜构成的发光有源层；
--发光有源层上沉积有相邻层氮组分有差异的所需层数a-SiNx:H多层膜构成的第二组F-P光学微腔；
--在第二组F-P光学微腔上淀积有电极，并留有窗口。
2.根据权利要求1所述硅基短波长发光二极管，其特征在于：相邻a-SiNx:H层氮组分的含量为0.33至0.89。
3.根据权利要求2所述硅基短波长发光二极管，其特征在于：所述a-Si:H层的厚度为1到6nm，所述SiO2层的厚度小于10nm。
4.根据权利要求3所述硅基短波长发光二极管，其特征在于：所述发光有源层的厚度为发光波长的1/2，所述a-SiNx:H薄膜的光学厚度为有源层发光波长的1/4。
5.根据权利要求4所述硅基短波长发光二极管，其特征在于：所述a-SiNx:H多层膜和所述a-Si:H/SiO2多层膜的层数均为35-45层。
6.根据权利要求5所述硅基短波长发光二极管，其特征在于：所述电极为金薄膜电极。
7.一种硅基短波长发光二极管的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
1)、构筑第一组F-P光学微腔
1-1)在P+硅基底上分解硅烷和氨气的混合气体，淀积得到a-SiNx:H薄膜；
1-2)控制氨气/硅烷流量比，制作相邻层氮组分有差异的a-SiNx:H薄膜，反复循环交替，形成所需层数第一组F-P光学微腔；
2)、构筑发光有源层
2-1)在第一组光学微腔上控制反应气体交替在硅烷和氧气之间交换，分解硅烷淀积a-Si:H薄膜，再对a-Si:H层进行纯氧逐层等离子体氧化，获得二氧化硅层；
2-2)反复循环交替，生长制得所需层数的a-Si:H/SiO2多层膜；
3)、构筑第二组F-P光学微腔
3-1)在发光有源层上再分解硅烷和氨气的混合气体，再次淀积得到a-SiNx:H薄膜；
3-2)控制氨气/硅烷流量比，制作相邻层氮组分有差异的a-SiNx:H薄膜，反复循环交替，形成所需层数的第二组F-P光学微腔；
4)、构筑薄膜电极
在第二组光学微腔上淀积电极，并留出窗口。
8.根据权利要求7所述硅基短波长发光二极管的制备方法，其特征在于：所述氨气/硅烷流量比在0.5到8变化。
9.根据权利要求8所述硅基短波长发光二极管的制备方法，其特征在于：所述a-Si:H的淀积时间控制在10秒到60秒。
10.根据权利要求9所述硅基短波长发光二极管的制备方法，其特征在于：所述a-SiNx:H薄膜每层淀积后经息辉再淀积下一层。
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Citations (3)
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|---|---|---|---|---|
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20060118821A1 (en) * | 1994-03-22 | 2006-06-08 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting semiconductor device using group III nitrogen compound |
| JP2001352098A (ja) * | 2000-06-07 | 2001-12-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体発光素子およびその製造方法 |
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| The effect of post-treatments on crystallization ina-Si:H/a-SiNx:H multilayers. Li Wang,Xiaowei Wang, Xinfan Huang, Zhongyuan Ma,YunBao,Jianjun Shi,Wei Li,Jun Xu,Kunji Chen.Journal of Non.Crystalline Solids,No.299-302. 2002 * |
| 含氢a-Si:H/SiO2多层膜的蓝光发射及其发光机理研究. 朱达，马忠元，梅嘉欣，韩培高，黄信凡，陈坤基.科学通报，第49卷第20期. 2004 |
| 含氢a-Si:H/SiO2多层膜的蓝光发射及其发光机理研究. 朱达，马忠元，梅嘉欣，韩培高，黄信凡，陈坤基. 科学通报，第49卷第20期. 2004 * |
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