CN1248302C - 具有晶片映射功能的晶片处理设备 - Google Patents

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CN1248302C CNB2003101209552A CN200310120955A CN1248302C CN 1248302 C CN1248302 C CN 1248302C CN B2003101209552 A CNB2003101209552 A CN B2003101209552A CN 200310120955 A CN200310120955 A CN 200310120955A CN 1248302 C CN1248302 C CN 1248302C
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Abstract

本发明涉及具有晶片映射功能的晶片处理设备。如果在容器中支架的每一个搁板上放置多个晶片，在处理工艺中将出现一些问题。另外，在某些检测晶片的设备中，速度不是高度稳定的驱动装置，例如气动气缸用来移动传感器，以便简化结构。在用这种驱动装置移动传感器进行检测的情况下，误差变大，并且难以精确地检测晶片。本发明提供了具有透射晶片检测传感器、具有分度装置的挡块和用于挡块的透射传感器的晶片处理设备。晶片处理设备计算来自透射晶片检测传感器的信号的持续时间与来自用于挡块的透射传感器的对应于分度装置的信号的持续时间的比值，并将比值与预先设定的阈值进行比较，以确定晶片的数量。

Description

具有晶片映射功能的晶片处理设备
技术领域
本发明涉及用于在半导体器件、电子部件和相关的产品以及光盘等的制造工艺中检则在用于储存半导体晶片等的清洁盒内部的架子上有/无晶片的晶片映射设备。
背景技术
最近，在要求高度清洁的半导体器件等的制造工艺中的晶片处理(加工)工艺中，采用不在与处理有关的整个室内(房间)空间建立高度清洁的环境的方法。在该方法中，在晶片制造工艺中所用的每个晶片处理设备中提供保持高度清洁条件的小环境空间。该方法只更保持小的空间，即，晶片处理设备内的空间以及在晶片处理设备之间转移晶片期间用于储存晶片的晶片储存容器(在下文中称为容器(pod))，而不是保持例如与处理有关的室内的大空间的清洁。对于该方法，能够节省在与晶片处理有关的整个室内空间保持高度清洁条件的情况所需的最初的投资和维护成本，同时实现与通过在与晶片处理有关的整个室内空间保持高度清洁的环境以实现有效的制造工艺所获得的相同的效果。
在容器的内部，提供具有放置晶片的搁板的支架。晶片存储在支架中，使得一个搁板上放一个晶片。放在支架中的晶片用转移(传送)容器在晶片处理设备之间转移。但是，在由晶片处理设备执行处理工艺的过程中，有时会产生在预定标准范围之外的晶片。这种晶片被从容器中的搁板上剔除。因此，即使在制造工艺的最初阶段支架的所有搁板上都放有晶片，随着由晶片处理设备进行的处理工艺的进行，由于晶片的剔除，没有放置晶片的搁板的数量将增加。
因为晶片处理设备自动地在晶片上进行处理，所以每个晶片处理设备通常都具有晶片转移自动装置(机械人，在下文中将简称为转移自动装置)。转移自动装置进入容器的搁板，以便为晶片处理工艺转移或带来晶片。如果为了转移晶片的目的，转移自动装置进入没有晶片的搁板而不管要处理的晶片不在那个搁板上，则出现了无用的运动过程，即，自动装置无用地进入搁板并返回原始位置。随着无用运动过程次数的增加，晶片处理的总数将下降。鉴于此，需要检测在每个晶片处理设备中的容器中的支架的每个搁板上有/无晶片，以确定在容器的支架中的哪个搁板上储存有晶片，哪个搁板上没有储存晶片(这种测定可被称作晶片映射)。
例如，在日本专利申请No.2001-158458中，提出了一种具有晶片映射功能的半导体晶片处理设备。在日本专利申请No.2001-158458中公开的设备使用包括一对发射器和检则器的用于晶片检测的透射传感器和具有有规律的形成的槽口或缺口的挡块(dog)进行晶片映射，挡块的透射传感器以环绕形成有槽口的挡块的一部分的方式安置。该日本专利申请说明透射晶片检测传感器的发射器和检测器彼此间隔一定的距离相对放置，并且在与放置晶片的搁板垂直的方向移动发射器和检测器，以检测晶片的有/无。
具体的，当晶片挡住来自发射器的光并且检测器没有检测到来自发射器的光时，不产生透射信号，从而确定在搁板上有晶片。另一方面，当搁板上没有晶片并且检测器接收到来自发射器的光时，产生透射信号，从而确定在搁板上没有晶片。按以下方式安排上述结构，沿挡块的槽口移动的挡块的透射传感器对每个槽口的检测产生信号的时间与透射晶片检测传感器的发射器和检测器通过每个放置晶片的搁板的时间同步。由此，当晶片在发射器和检测器之间时，透射晶片检测传感器的检测器可以无误地检测晶片的有/无(存在/不存在)。
迄今为止，没有发现任何构成现有技术的相关文件。
(1)但是，上述技术是只检测晶片有/无的映射技术。因此，采用该技术可以在晶片是一个接一个地放在容器中的支架的搁板上的情况下(即，一个晶片在一个搁板上)进行晶片映射，但是在多个晶片放在容器中的支架的一个搁板上的情况下，不能正确地检测晶片的数量。然而，如果多个晶片放在容器中的支架的一个(或几个)搁板上，则会在后续的处理工艺中出现问题。因此，要求在晶片处理设备中进行晶片映射处理中也能检测这种搁板。
(2)此外，在某些晶片检测设备中，使用速度的稳定性不很高的驱动装置，例如气动气缸，移动传感器，以便简化结构。特别是，在气动气缸的情况下，在气缸刚开始工作之后的早期阶段(或时期)或者在气缸停止工作的阶段(或时期)，速度随时间的变化大。另外，即使在上述阶段之外的速度基本恒定的阶段中，速度的变化仍然较大。因此，当用这种驱动装置在检测时移动传感器时，存在误差变大扰乱精确的晶片检测的问题。
发明内容
根据解决上述问题的本发明，提供适于检测在容器中提供的具有放置晶片的搁板的支架的每个搁板上的晶片的晶片处理设备，它包括：
能够被驱动装置沿支架的搁板移动的移动装置；
能够被移动装置沿支架的搁板移动的第一透射传感器，它包括被此相对放置的第一发射器和第一检测器，第一发射器和第一检测器以如下方式安置：当第一透射传感器沿支架的搁板移动时，在支架的搁板上有晶片的情况下，从第一发射器向第一检测器发出的光被晶片挡住，而在在支架的搁板上没有晶片的情况下，从第一发射器发出的光能够传到第一检测器；
第二透射传感器，它包括第二发射器和与第二发射器相对的第二检测器，第二透射传感器能够由移动装置沿支架的搁板移动；
设置在第二发射器和第二检测器之间的挡块，它具有当第二透射传感器沿支架的搁板移动时能够通过或挡住从第二发射器向第二检测器发射的光的分度(index)装置(标定装置)；以及
计算装置，它将通过计算来自对应于晶片的第一透射传感器的第一信号的持续时间和来自对应于分度装置的第二传感器的第二信号的持续时间的比得到的晶片厚度与预先根据晶片厚度和晶片数量设置的阈值进行比较来确定放在支架的一个搁板上的晶片的数量。
利用该设备，即使在透射传感器的扫描速度变化的情况下，也能够进行精确的晶片检测，而不需要复杂的系统。此外，该设备可以检测多个晶片。
附图说明
图1示出了典型的晶片处理设备的整个结构。
图2A示出了包括晶片处理设备的开启器(开启装置)部分的放大侧视图。
图2B示出了从小环境内部看过去包括晶片处理设备的开启器部分的放大图。
图3A示出了用于检测晶片的透射晶片检测传感器的发射器和检测器相对于晶片的布置，其中从垂直于晶片平面的方向看透射晶片检测传感器和晶片的位置关系。
图3B示出了用于检测晶片的透射晶片检测传感器的发射器和检测器相对于晶片的布置，其中从平行于晶片平面的方向看透射晶片检测传感器和晶片的位置关系。
图4示出了在开始晶片映射之前设备的状态。
图5示出了在完成晶片映射之后设备的状态。
图6示出了晶片处理设备的可移动部分。
图7A示出了挡块的一个例子。
图7B示出了挡块的另一个例子。
图8示出了根据本发明的透射晶片检测传感器和透射挡块传感器的电路配置图。
图9示出了透射晶片检测传感器的信号和透射挡块传感器的信号之间的关系图。
图10是在本发明的第一实施例中的教导(teaching)过程中信号处理的流程图。
图11是在本发明的第一实施例中的映射过程中信号处理的流程图。
图12是在本发明的第二实施例中信号处理的流程图。
具体实施方式
(第一实施例)
在下面，参考附图介绍本发明的实施例。根据本发明的实施例的晶片处理设备包括用于进行晶片检测扫描的部分以及根据扫描得到的数据确定晶片的有/无和晶片的数量的部分。首先，介绍进行晶片检测扫描的部分。
图1示出了半导体晶片处理设备50的整个结构。半导体晶片处理设备50主要由装载口部分51和小环境52组成。装载口部分51和小环境52由隔离物和盖58分隔。小环境52的内部保持高清洁条件，以便处理晶片1。另外，在小环境52的内部提供机械手54，在容器2的盖子4打开后从容器2中取出容纳的晶片1，使晶片1经受预定的处理。
放置容器2的工作台53安装在装载口51的顶部。工作台适于在装载口51上向着或者远离小环境52的方向移动。容器2由具有在开口处开口并用盖4封闭开口的内部空间的主体2a构成。主体2a的内部，提供具有沿一个方向排列的多个搁板的支架。晶片1容纳在搁板中。通常每个搁板容纳一个晶片1，虽然有时一个搁板上放置两个晶片。在小环境52的装载口51侧具有比容器2的盖4稍大一些的小环境开口部分10。
在小环境开口部分10的附近和小环境52的内部，提供用于打开和关闭容器2的盖4的开启器3。这里，参考图2A和2B介绍开启器3。图2A示出了包括装载口部分51、容器2、开启器3和盖4部分的放大图。图2B是从小环境52的内部看图2A所示的部分的图。
开启器3具有足够大的板状的门6——其足以关闭小环境开口部分10，以及具有沿门6的外周边延伸的框架结构的映射框架5。
门6通过固定部件46支撑在门臂42的一端。门臂42的另一端连接到以气动气缸(未示出)的形式打开和关闭门的门开/关驱动装置。门臂42由位于门臂42的两端之间的某一点的枢轴41可旋转的支撑。在门6的表面上以真空吸气孔的形式提供保持部分11a和11b。在当门6关闭小环境开口部分10时，在盖4与门6紧密接触的情况下，保持部分11a和11b吸住盖4以保持住盖4。利用上述结构，门臂42使门6在保持住盖4的同时一起摆动，以打开和关闭小环境开口部分10。
映射框架5是具有沿小环境开口部分10延伸并围绕门臂设置在门6周围的框架结构的部件。映射框架5连接在从映射框架5的下部向下延伸的映射框架臂12a和映射框架臂12b上。映射框架臂12a和映射框架臂12b的另一端连接到用于驱动映射框架的作动缸(未示出)。映射框架臂12a和映射框架臂12b由位于一对映射框架臂12a和12b的两端之间的某一位置的枢轴41可旋转的支撑。映射框架5由未示出的映射框架驱动缸驱动，以枢轴41为中心点摆动，未示出。因为映射框架5以环绕门6周边的形式设置，所以门6的摆动操作和映射框架5的摆动操作可以彼此独立地进行，而不会相互干扰。
在映射框架5的上部，提供从小环境向容器2伸出的细长的传感器支撑杆13a和细长的传感器支撑杆13b。作为第一透射传感器的透射晶片检测传感器9的第一发射器的发射器9a连在传感器支撑杆13a的顶端。另一方面，在传感器支撑杆13b的顶端提供作为透射传感器9的第一检测器的检测器9b。发射器9a和检测器9b彼此相对放置。另外，发射器9a和检测器9b相对于经过调整的从发射器9a发出的光束的轴设置成从发射器9a发出的光能够被检测器9b接收。如图3A所示，发射器9a和检测器9b以晶片1放在发射器9a和检测器9b之间的从发射器9a发出的光束的轴线上的方式安置。随着发射器9a和检测器9b同时沿着与晶片1的平面垂直的方向(即，垂直于图3A的图纸平面的方向)移动，当晶片1在容器中的支架的搁板上时，从发射器9a发出的光被在晶片1的边缘的晶片光线遮挡区16挡住，从而光线不能到达检测器9b。另一方面，当晶片1不在支架的搁板上时，从发射器9a发出的光能到达检测器9b，没有被晶片1挡住。由此，利用上述透射晶片检测传感器9的安排，通过透射晶片检则传感器9可以检测晶片的有/无。
从理论上讲，发射器9a和检测器9b可以以从发射器9a到检测器9b的光轴(即，光束路径的中心轴线)与晶片1的平面平行的形式设置。但是，在实际中，最好发射器9a和检测器9b以从发射器9a到检测器9b的光轴不与晶片1的平面平行而是倾斜某个角度的形式设置。该角度最好为0到1度。具体的，发射器9a和检测器9b以例如相对于水平轴线大约1度倾斜角的倾斜方式安装。利用这种布置，能够防止从发射器9a向检测器9b发出的光被晶片1的表面上的漫反射散射。
具体的，在实际中，从发射器9a向检测器9b发出的光束以大约2度的角度发散，并且在水平设置从发射器9a到检测器9b的光轴的情况下，光在晶片1的表面被漫反射。在出现这种漫反射的情况下，虽然光应当被晶片遮挡区16挡住从而防止在正常情况下进入检测器9b，但是存在漫射的弱光能够间接进入检测器9b的危险。在这种情况下，尽管在正常情况下来自发射器9a的光应当被晶片遮挡区16挡住从而判定存在晶片1，但是此时会错误地判定没有晶片1。通过以相对于水平轴线成一定倾斜角度的倾斜方式安排发射器9a和检测器9b可以防止这种错误判定的出现。
将例如以如下方式实际确定上述大约1度的角度。根据SemiconductorEquipment Materials International(SEMI)的标准设置，在容器2中的支架的搁板上的晶片的倾斜必须在±0.5mm的范围内。在直径为300mm的晶片的情况下，上述条件转换为晶片倾斜角度在±0.1度的范围内。因此，对于上述大约1度的倾斜角，从发射器9a向检测器9b发出的光总是被在某个角度的晶片1挡住，从而避免漫射。另外，在传感器以上述角度倾斜安置的情况下，从发射器9a到检测器9b穿过晶片的光遮挡区16的光通路的时间长度比传感器水平安置的情况更增加。特别是，在本发明中，由于利用由透射晶片检测传感器9产生的信号的持续时间，如后面要介绍的，所以当使得由透射晶片检测传感器9产生的信号的持续时间尽可能长时，可以有利地增加检测精度。具体的，随着发射器9a和检测器9b一起沿着与晶片的平面垂直的方向(即，图3B中向下的方向)移动，在晶片1存在于容器2中的支架的搁板上的情况下，从发射器9a发出的光扫过在晶片1的边缘的晶片光线遮挡区16并被晶片光线遮挡区16挡住，从而光线不能到达检测器9b。另一方面，在晶片1不存在于支架的搁板上的情况下，从发射器9a发出的光能到达检测器9b，没有被晶片1挡住。
另一方面，在倾斜角度太大的情况下，由于在容器2中的支架的搁板上的晶片1的倾斜的变化引起的从发射器9a发出的光被晶片光线遮挡区16挡住的时间长度的变化变大。如果以从发射器9a向检测器9b发出的光从距离晶片1的边缘4mm的位置穿过的方式布置，则晶片光线遮挡区的长度为大约68.5mm。如果假设晶片1从正常的晶片位置向前偏移0.5mm，则晶片光线遮挡区16的长度从大约68.5mm变为大约72.5mm。随着晶片光线遮挡区16长度的增加，从发射器9a向检测器9b发出的光被晶片光线遮挡区16挡住的时间长度比起假设晶片1处于正常位置的情况要变长，从而所确定的晶片1的厚度比实际厚度要大。但是，即使在这种情况下，所确定的晶片1的厚度只比实际厚度大大约0.07mm。因此，这对于做出正确的判定是无关紧要的，只要在最终确定时考虑到厚度的这种变化就可以了。例如，在为确定晶片的数量是一个或者两个而确定阈值的步骤中(将在后面介绍)，可以设置大于上述值的容限。另外，对于上述倾斜角度，可以实现用于确定发射器9a和检测器9b位置的实际排列，而没有任何问题。根据以上所述，上述大约1度的倾斜角是防止晶片1的漫射同时考虑在容器2中放置的晶片的状态变化的实际值。
顺便提及，在以倾斜方式安装发射器9a和检测器9b时，不要求指定发射器9a和检测器9b中的哪一个安装在上面的位置。
为了以上述方式移动透射晶片检测传感器9，半导体晶片处理设备50可以具有作为上下移动包括门6和映射框架5的开启器3的移动装置的可移动部分56。上述用于驱动映射框架5的气缸35、用于打开和关闭门6的气缸31以及枢轴41安装在可移动部分56上。因此，门6和具有透射晶片检测传感器9的映射框架5可以随着可移动部分56的移动而上下移动。可移动部分56可在上下方向移动，同时沿轨道57滑动，并且可移动部分56由气动无杆气缸55的回缩和伸出而上下移动。借助上述结构，开动气动气缸55使可移动部分56从图4中所示的透射晶片检则传感器9的发射器9a和检测器9b处于在容器2的支架中最上部的晶片1上方的待机状态的状态进入图5所示的发射器9a和检测器9b位于支架中最下部的晶片1下面的位置同时发射器9a和检测器9b之间的光线穿过晶片1的平面以扫描晶片1的状态。
接下来，将介绍根据由晶片扫描得到的数据确定晶片的有/无和数量的部分。图6示出了从装载口51侧看去的开启器3的可移动部分56。
在可移动部分56的侧面，提供沿可移动部分56的移动方向延伸的挡块7。挡块7是细长的板状部件，具有按固定间距沿长度方向规则排列的分度装置。在本实施例中，分度装置12由多个具有相同宽度按相同间距排列的槽口(或缺口)构成。分度装置12的数量与放置晶片的容器中的支架的搁板的数量相同。另外，最好分度装置12的每个槽口以对应于从透射晶片检测传感器9的发射器9a发出的射线穿过每个晶片1的晶片光线遮挡区的时间的方式设置。
另一方面，作为第二透射传感器的挡块透射传感器8固定在可移动部分56上。透射挡块传感器8由作为第二发射器的发射器8a和作为第二检测器的检测器8b构成。以挡块7的分度装置12位于发射器8a和检测器8b之间的方式布置透射挡块传感器8的发射器8a和检测器8b。
以彼此相对的方式安装发射器8a和检测器8b，并且调整发射器8a的光轴，以使从发射器8a发出的光能够被检测器8b接收到。对于分度装置12位于从发射器8a向检测器8b发出的光束的轴线上的排列，随着发射器8a和检测器8b一起沿挡块7移动，在没有槽口形的分度装置12的挡块7的片形部分中，从发射器8a发出的光被片形部分挡住，从而防止到达检测器8b，而在存在槽口或缺口形的分度装置12的部分中，从发射器8a发出的光将穿过分度装置12到达检测器8b。因此，只要所设计的分度装置12具有如图7A所示的相同的已知宽度和固定间距的排列，则由透射挡块传感器8产生的信号的持续时间可以用作为基准。
虽然，在本实施例的介绍中，分度装置12为槽口，但是不同形式的分度装置也可以实现相同的效果，只要它们被设计为具有相同的已知宽度和固定间距的排列。例如，如图7B所示，可以采用在挡块7上具有相同的宽度和固定间距的排列的凸起形式的分度装置13。分度装置的形式并不限于上述这些，它们可以采用具有相同的已知宽度和相同(或固定)间距排列的各种形式。
接下来，将参考图8介绍透射晶片检测传感器9和透射挡块传感器8的电路方案(布置)。图8示出了根据本实施例的具有晶片映射功能的晶片处理设备50的电路方案。
晶片处理设备50具有作为计算装置的中央处理单元15(下文中将称作CPU)。透射晶片检测传感器9的发射器9a和检测器9b连接到放大来自透射晶片检测传感器9的信号的放大器9c。放大器9c通过输入-输出口15a(下文中将称作I/O口15a)连接到CPU 15。来自透射晶片检测传感器9的放大的信号通过I/O口15a发送到CPU 15。信号临时存储在CPU 15中，然后在CPU 15中处理。另一方面，透射挡块传感器8的发射器8a和检测器8b连接到安装在透射挡块传感器8内部的内部放大器8c。内部放大器8c放大来自透射挡块传感器8的信号。内部放大器8c通过输入/输出口15b(下文中将称作I/O口15b)连接到CPU。来自透射挡块传感器8的放大的信号通过I/O口15b送到CPU 15。信号临时存储在CPU 15中，然后在CPU 15中处理。
在下面，将介绍对于来自透射晶片检测传感器9和透射挡块传感器8的信号的信号处理原理和在CPU 15中的信号处理流程。
在本实施例中，透射挡块传感器8和透射晶片检测传感器9的可移动部分56由气动无杆气缸55移动。气动气缸的操作速度是不稳定的，并且在气缸刚刚开始操作后的阶段和气缸操作停止阶段速度随时间的变化特别大。因此，由透射晶片检测传感器9进行晶片检测的时间段或范围以及由透射挡块传感器8进行检测的时间段或范围设置为在除速度变化较大的早期阶段和操作停止阶段之外的时间段进行检测。
图9示出了从透射晶片检测传感器9输出的信号20和从透射挡块传感器8输出的信号21。在图9中，示出了在对应于来自透射晶片检测传感器9的信号20的信号段20a的时间所产生的来自透射挡块传感器8的信号21的信号段21a和在对应于来自透射晶片检测传感器9的信号20的信号段20b的时间所产生的来自透射挡块传感器8的信号21的信号段21b。通常，在可移动部分56的速度为具有高精度的恒定情况下，来自透射晶片检测传感器9的信号20的信号段20a的持续时间x1和来自透射晶片检测传感器9的信号20的信号段20b的持续时间x2应当相同，并且来自透射挡块传感器8的信号21的信号段21a的持续时间y1和来自透射挡块传感器8的信号21的信号段21b的持续时间y2应当相同。但是，在速度发生变化的情况下，信号段20a的持续时间x1和信号段20b的持续时间x2可能不同，并且信号段21a的持续时间y1和信号段21b的持续时间y2可能不同，如图9中的情况。但是，即使在这种情况下，由于透射晶片检则传感器9和透射挡块传感器8由同一个可移动部分56以相同的速度移动，并且在对应于支架的一个搁板的长度上该速度基本是恒定的，所以信号持续时间的比值x1/y1和x2/y2是相同的。换句话说，假设x为来自透射晶片检测传感器9的信号20的信号持续时间，y为来自透射挡块传感器8的信号21的信号持续时间，则它们的比值x/y是恒定的。
由此，假设t(m)为晶片的厚度，d(m)为挡块的槽口形式的分度装置12的宽度，则下面的公式(1)总是成立。
    d(m)∶y(sec)＝t(m)∶x(sec)    ...(1)
因此，可以通过如下等式得到晶片的厚度t(m)。
t＝dx/y(m)             ...(2)
这样，在所得到的作为测量结果的值基本接近单个晶片的厚度的情况下，可以确定有一个晶片，而在所得到的值基本接近两个晶片的厚度的情况下，可以确定有两个晶片。但是，在实际中，存在小的变化，并且所得到的值并不总是对应于晶片1的厚度。因此，对于一个晶片的情况和使用两个晶片的厚度的情况计算该值，从而为晶片1的厚度设置作为基准值tR的值。然后，一预定的容限C加到基准值tR上，从而以如下方式确定阈值tS。预定的容限C可以设为例如3.5×104(m)，这近乎等于晶片1的厚度的一半。
tS＝tR+C              ...(3)
这样，在测得的晶片1的厚度t大于阈值tS的情况下，确定有两个晶片，而在测得的晶片1的厚度t等于或小于阈值tS的情况下，确定有一个晶片。
在实际测量中，来自透射晶片检测传感器9的信号20的信号持续时间x(sec)和来自透射挡块传感器8的信号21的信号持续时间y(sec)的比值(x/y)存在变化。因此，希望通过计算多个测量数据的简单平均值或使用测量数据的变化范围的中间值来确定基准值tR。在这些情况下，可以考虑实施在实际测量之前的设备的测试运行期间进行教导(教练)的过程1得到基准值tR，然后确定阈值tS，或者实施根据在实际测量中得到的值获得基准值tR的过程2，并由此得到阈值tS。此外，根据基准值tR确定阈值tS的计算过程可以在设于晶片处理设备50中的CUP15中进行，或者由CUP 15使用预先计算并存储在存储装置中的值确定。
不用说，正如通过图9可以认识到的，缺少来自透射晶片检测传感器9的信号20的对应于晶片的信号部分意味着在支架的搁板上没有晶片。
下面，参考图10和11介绍在CUP 15中进行的对来自透射晶片检测传感器9的信号和来自透射挡块传感器8的信号的信号处理过程。
通常，在作为检测实际晶片厚度的映射过程之前进行教导过程(如图10所示)。在教导过程中，容器在容器中的支架的搁板上至少放置一个晶片的状态下经受该过程。不必要在支架的所有搁板上都放上晶片。只要在搁板上放置至少一个晶片就可以达到教导的目的。
图10是本实施例的教导过程的流程图。首先，在教导过程中，当移动可移动部分56时，得到来自透射晶片检测传感器9的信号的信号持续时间x并对所有的搁板进行计算，并且得到和计算来自透射挡块传感器8的信号的信号持续时间y，从而将得到的持续时间存储在预定的存储装置中(步骤S101)。然后，根据挡块的分度装置的宽度d、来自透射晶片检测传感器9的信号的信号持续时间x和来自透射挡块传感器8的信号的信号持续时间y计算值d×(x/y)，得到所有搁板上的晶片的晶片厚度(步骤S102)。计算多个晶片的厚度的简单平均值，并且将所得到的值设为基准厚度值tR(步骤S103)。通过在基准厚度值tR上加上预定容限C确定阈值tS(步骤S104)。将阈值tS存储在存储装置中(步骤S105)。由此，完成教导过程。根据上述原理最好将值C设为0.35。
在教导过程完成之后，进行用于测量和确定实际晶片厚度的映射过程。图11是在本实施例中的映射过程的流程图。在该过程中，当移动可移动部分56时，得到并计算来自透射晶片检测传感器9的信号的信号持续时间x，并且得到和计算来自透射挡块传感器8的信号的信号持续时间y，从而将得到的持续时间存储在预定的存储装置中(步骤S201)。然后，根据挡块的分度装置的宽度d、来自透射晶片检测传感器9的信号的信号持续时间x和来自透射挡块传感器8的信号的信号持续时间y计算值d×(x/y)得到晶片厚度，并且将得到的值设置为晶片厚度的测量值(步骤S202)。读出在教导过程中存储的阈值(步骤S203)。可以在得到信号持续时间x和y(步骤S201)的过程之前或者在计算晶片的厚度作为测量值(步骤S202)的过程之前进行阈值的读出。然后，进行比较晶片厚度的测量值和阈值的比较过程(步骤S204)。这样，在晶片厚度的测量值等于或小于该阈值的情况下，确定在被检查的搁板上有一个晶片(步骤S205)。在晶片厚度的测量值大于该阈值的情况下，确定在被检查的搁板上有两个晶片(步骤S206)。在确定搁板上有两个晶片的情况下，显示出有两个叠置的晶片的信息，作为错误消息，表示有两个晶片的事实(步骤S207)。当对于支架的所有搁板完成测量和确定时，完成映射过程(步骤S208)。
(第二实施例)
可以不进行教导过程而进行映射过程。在第一实施例中，通过教导过程计算用于阈值的计算的基准厚度。但是，第二实施例与第一实施例的不同之处在于在晶片厚度的实际测量阶段同时得到基准厚度。在晶片放在支架的至少两个支架的搁板上并且在支架的搁板上放置有多个晶片的搁板的数量不超过检测到晶片的搁板数量的一半的情况下可以实现该第二实施例的过程。在实际中，放置有晶片的搁板的数量少于两个的情况是非常罕见的，并且在超过半数的搁板上放置多于一个晶片的情况也是罕见的。因此，本实施例的方案也是有效的。
图12是第二实旋例中的映射过程的流程图。首先在该过程中，当移动可移动部分56时，对所有搁板得到并计算来自透射晶片检测传感器9的信号的信号持续时间x，并且得到和计算来自透射挡块传感器8的信号的信号持续时间y，从而将得到的持续时间存储在预定的存储装置中(步骤S301)。然后，对所有搁板上的晶片根据挡块的分度装置的宽度d、来自透射晶片检测传感器9的信号的信号持续时间x和来自透射挡块传感器8的信号的信号持续时间y通过计算值d×(x/y)得到晶片厚度(步骤S302)。确定所得到的晶片厚度的分布的中间值作为基准厚度。在确定的中间值时，在晶片厚度的数据数量是偶数的情况下，不能唯一确定中间值。因此，确定晶片厚度数据的中间值中较小的一个作为基准厚度(步骤S303)。通过在基准厚度值tR上加上预定容限C确定阈值tS，并且将阈值tS存储在存储装置中(步骤S304)。最好根据上述原理将值C设为0.35。然后，进行比较晶片厚度的测量值和阈值的比较过程(步骤S305)。这样，在晶片厚度的测量值等于或小于该阈值的情况下，确定在被检查的搁板上有一个晶片(步骤S306)。在晶片厚度的测量值大于该阈值的情况下，确定在被检查的搁板上有两个晶片(步骤S307)。在确定搁板上有两个晶片的情况下，显示出有两个叠置的晶片的信息，作为错误消息，表示有两个晶片的事实(步骤S308)。当对于支架的所有搁板完成测量和确定时，完成映射过程(步骤S309)。
虽然在第一和第二实施例中，检测只关注达到两个叠置晶片的厚度，但是仅仅通过改变教导过程中放置的晶片数量就可以检测多于两个晶片的厚度。
根据本发明，不仅能够有效地检测在容器中的搁板上晶片的有/无，而且采用简单的结构就可以检测搁板上晶片的数量，即使使用具有大速度变化的驱动装置。

Claims (20)

1.一种适于检测在容器中提供的具有放置晶片的搁板的支架的每个搁板上的晶片的晶片处理设备，该晶片处理设备包括：
能够被驱动装置沿所述支架的搁板移动的移动装置；
能够被所述移动装置沿所述支架的搁板移动的第一透射传感器，它包括被此相对设置的第一发射器和第一检测器，所述第一发射器和所述第一检测器以如下方式安置：当所述第一透射传感器沿支架的搁板移动时，在支架的搁板上有晶片的情况下，从所述第一发射器向所述第一检测器发出的光被晶片挡住，而在搁板上没有晶片的情况下，从所述第一发射器发出的光能够传到所述第一检测器；
第二透射传感器，它包括第二发射器和与所述第二发射器相对的第二检测器，所述第二透射传感器能够由所述移动装置沿所述支架的搁板移动；
设置在所述第二发射器和所述第二检测器之间的挡块，它具有当所述第二透射传感器沿所述支架的搁板移动时能够通过或挡住从所述第二发射器向所述第二检测器发射的光的分度装置；以及
计算装置，它将通过计算来自对应于晶片的所述第一透射传感器的第一信号的持续时间和来自对应于所述分度装置的所述第二传感器的第二信号的持续时间的比得到的晶片厚度与预先根据晶片厚度和晶片数量设置的阈值进行比较，以确定放在支架的搁板上的晶片的数量。
2.根据权利要求1的晶片处理设备，其特征是，通过根据与放在所述支架上的晶片的数量和所述移动装置的速度相关而得到的所述第一信号的持续时间与所述第二信号的持续时间的比值计算一个晶片的基准厚度，并在所述一个晶片的基准厚度上加上一预定的容限值，来设定所述预先设置的阈值。
3.根据权利要求2的晶片处理设备，其特征是，与放在所述支架上的晶片的数量和所述移动装置的速度相关而得到的所述第一信号的持续时间的数据和所述第二信号的持续时间的数据分别包括多个数据，并且根据对多个所述第一信号的持续时间的数据和所述第二信号的持续时间的数据通过计算所述第一信号的持续时间与所述第二信号的持续时间的比值得到的多个比值数据计算所述一个晶片的基准厚度。
4.根据权利要求2的晶片处理设备，其特征是，根据预先在所述支架的搁板上放置一个晶片的状态下得到的所述第一信号的持续时间和所述第二信号的持续时间的比值计算所述一个晶片的基准厚度。
5.根据权利要求2的晶片处理设备，其特征是，所述容限值是晶片厚度的一半。
6.根据权利要求1的晶片处理设备，其特征是，在确定晶片的数量时，
在所述第一透射传感器没有产生信号的情况下，确定在支架的搁板上没有晶片；
在由来自对应于晶片的所述第一透射传感器的第一信号的持续时间与来自对应于所述分度装置的所述第二传感器的第二信号的持续时间的比值所得到的晶片厚度等于或小于所述阈值的情况下，确定有一个晶片；以及
在由来自对应于晶片的所述第一透射传感器的第一信号的持续时间与来自对应于所述分度装置的所述第二传感器的第二信号的持续时间的比值所得到的晶片厚度大于所述阈值的情况下，确定有多于一个晶片。
7.根据权利要求2的晶片处理设备，其特征是，用于确定所述预先设置的基准值的所述比值的计算由所述计算装置进行。
8.根据权利要求1的晶片处理设备，其特征是，来自于对应于所述分度装置的所述第二透射传感器的第二信号是当曾被所述分度装置挡住的来自所述第二发射器的光通过该分度装置位置传递到所述第二检测器时产生的信号。
9.根据权利要求1的晶片处理设备，其特征是，来自对应于所述分度装置的所述第二传感器的第二信号是当来自所述第二发射器的光被所述分度装置挡住并且不能到达所述第二检测器时产生的信号。
10.根据权利要求1的晶片处理设备，其特征是，所述第一发射器和所述第一检测器以从所述第一发射器向所述第一检测器发出的光的路径相对于水平面倾斜的形式设置。
11.一种晶片检测方法，它用于当在其中设有可以放置晶片的搁板的支架的容器放在晶片处理设备上时检测每个搁板上的晶片，所述晶片处理设备包括：
能够被驱动装置沿所述支架的搁板移动的移动装置；
能够被所述移动装置沿所述支架的搁板移动的第一透射传感器，它包括彼此相对设置的第一发射器和第一检测器，所述第一发射器和所述第一检测器以如下方式安置：当所述第一透射传感器沿支架的搁板移动时，在支架的搁板上有晶片的情况下，从所述第一发射器向所述第一检测器发出的光被晶片挡住，而在搁板上没有晶片的情况下，从所述第一发射器发出的光能够传到所述第一检测器；
第二透射传感器，它包括第二发射器和与所述第二发射器相对的第二检测器，所述第二透射传感器能够由所述移动装置沿所述支架的搁板移动；
设置在所述第二发射器和所述第二检测器之间的挡块，它具有当所述第二透射传感器沿所述支架的搁板移动时能够通过或挡住从所述第二发射器向所述第二检测器发射的光的分度装置；
所述晶片检测方法包括：
得到来自对应于晶片的所述第一透射传感器的第一信号的持续时间和来自对应于所述分度装置的所述第二传感器的第二信号的持续时间的得到步骤；
计算已经得到的所述第一信号的持续时间和所述第二信号的持续时间的比值的比值计算步骤；
根据所述比值计算晶片的厚度的步骤；以及
通过比较计算出的晶片的厚度和根据晶片的数量预先设定的阈值确定放在所述支架的搁板上的晶片的数量的确定步骤。
12.根据权利要求11的晶片检测方法，其特征是，所述确定步骤包括通过根据与放在所述支架上的晶片的数量和所述移动装置的速度相关而得到的所述第一信号的持续时间与所述第二信号的持续时间的比值计算一个晶片的基准厚度，并在所述一个晶片的基准厚度上加上一预定的容限值，来确定预先设定的所述阈值的步骤。
13.根据权利要求12的晶片检测方法，其特征是，在所述得到步骤中，与放在所述支架上的晶片的数量和所述移动装置的速度相关而得到的所述第一信号的持续时间的数据和所述第二信号的持续时间的数据分别包括多个数据，并且所述得到步骤包括根据对多个所述第一信号的持续时间的数据和所述第二信号的持续时间的数据通过计算所述第一信号的持续时间与所述第二信号的持续时间的比值得到的多个比值数据得到所述一个晶片的基准厚度的步骤。
14.根据权利要求12的晶片检测方法，其特征是，还包括根据预先在所述支架的搁板上放置一个晶片的状态下得到的所述第一信号的持续时间和所述第二信号的持续时间的比值计算所述一个晶片的基准厚度的步骤。
15.根据权利要求12的晶片检测方法，其特征是，所述容限值大约是晶片厚度的一半。
16.根据权利要求11的晶片检测方法，其特征是，在所述确定步骤中，
在所述第一透射传感器没有产生信号的情况下，确定在支架的搁板上没有晶片；
在由来自对应于晶片的所述第一透射传感器的第一信号的持续时间和来自对应于所述分度装置的所述第二传感器的第二信号的持续时间的比值得到的晶片厚度等于或小于所述阈值的情况下，确定有一个晶片；以及
在由来自对应于晶片的所述第一透射传感器的第一信号的持续时间和来自对应于所述分度装置的所述第二传感器的第二信号的持续时间的比值得到的晶片厚度大于所述阈值的情况下，确定有多于一个晶片。
17.根据权利要求11的晶片检测方法，其特片是，来自对应于所述分度装口置的所述第二透射传感器的第二信号是当曾被所述分度装置挡住的来自所述第二发射器的光通过分度装置传送到所述第二检测器时产生的信号。
18.根据权利要求11的晶片检测方法，其特征是，来自对应于所述分度装置的所述第二传感器的第二信号是当来自所述第二发射器的光被所述分度装置挡住并且不能到达所述第二检测器时产生的信号。
19.根据权利要求11的晶片检测方法，其特征是，来自所述第二透射传感器的对应于根据所述分度装置的来自所述第二发射器的信号的第二信号是当来自所述第二发射器的光被所述分度装置挡住并且不能到达所述第二检测器时产生的信号。
20.根据权利要求11的晶片检测方法，其特征是，所述第一发射器和所述第一检测器以从所述第一发射器向所述第一检测器发出的光的路径相对于水平面倾斜的形式设置。
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Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU2001273666A1 (en) * 2000-07-07 2002-01-21 Applied Materials, Inc. Automatic door opener
DE10250353B4 (de) * 2002-10-25 2008-04-30 Brooks Automation (Germany) Gmbh Einrichtung zur Detektion von übereinander mit einem bestimmten Abstand angeordneten Substraten
US7720558B2 (en) * 2004-09-04 2010-05-18 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for mapping carrier contents
CN101253614B (zh) 2005-07-08 2011-02-02 埃塞斯特科技有限公司 工件支撑结构及其使用设备
JP4904995B2 (ja) * 2006-08-28 2012-03-28 シンフォニアテクノロジー株式会社 ロードポート装置
KR100779845B1 (ko) * 2006-11-01 2007-11-29 지멘스 오토모티브 주식회사 엘피아이 차량의 연료 소비량 연산 방법
JP4264115B2 (ja) * 2007-07-31 2009-05-13 Ｔｄｋ株式会社 被収容物の処理方法及び当該方法に用いられる蓋開閉システム
KR100933031B1 (ko) * 2007-11-20 2009-12-21 세메스 주식회사 웨이퍼 매핑 방법
JP4863985B2 (ja) * 2007-12-20 2012-01-25 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US20100034621A1 (en) * 2008-04-30 2010-02-11 Martin Raymond S End effector to substrate offset detection and correction
TWI330707B (en) * 2008-08-27 2010-09-21 Gudeng Prec Industral Co Ltd A system for measuring the vertical distance between the thin substrates
CN101769848B (zh) * 2008-12-30 2011-06-15 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 检测刻蚀液过滤器的方法
CN101526744B (zh) * 2009-01-07 2011-06-29 上海微电子装备有限公司 掩模版定位存取机构
CN102592931B (zh) * 2011-01-07 2016-02-10 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 扫描装置及等离子体加工设备
KR101462602B1 (ko) * 2013-10-01 2014-11-20 주식회사 에스에프에이 웨이퍼 맵핑 장치와 이의 동작 방법
CN104637839B (zh) * 2013-11-13 2017-06-09 沈阳新松机器人自动化股份有限公司 一种Loadport内晶圆状态的距离检测系统
JP6554872B2 (ja) * 2015-03-31 2019-08-07 Tdk株式会社 ガスパージ装置、ロードポート装置、パージ対象容器の設置台およびガスパージ方法
US9786536B2 (en) * 2015-12-07 2017-10-10 Microchip Technology Incorporated Reticle rack system
JP6568828B2 (ja) * 2016-08-01 2019-08-28 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ ティーチング治具、基板処理装置及びティーチング方法
CN107799430B (zh) * 2016-08-29 2021-10-15 北京北方华创微电子装备有限公司 晶片位置检测方法
JP7186355B2 (ja) 2019-01-15 2022-12-09 株式会社東京精密 ウェーハ検出装置、ウェーハ検出方法、及びプローバ
CN110364461B (zh) * 2019-07-18 2021-10-15 北京北方华创微电子装备有限公司 晶圆状态检测设备、方法及晶圆装卸载腔室
TWI748524B (zh) * 2019-09-17 2021-12-01 日商國際電氣股份有限公司 基板冷卻單元，基板處理裝置，半導體裝置的製造方法及程式
JP7404009B2 (ja) * 2019-09-19 2023-12-25 キオクシア株式会社 加工情報管理システム及び加工情報管理方法
CN110767563B (zh) * 2019-10-25 2022-05-27 上海华力集成电路制造有限公司 检测晶圆完整性的方法、rtp机台
CN113571442B (zh) * 2020-04-29 2023-09-29 长鑫存储技术有限公司 晶圆处理装置及晶圆传送方法
CN112038252B (zh) * 2020-09-10 2021-03-16 无锡卓海科技有限公司 一种晶圆检测装置用信号模糊控制滤波器

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5102291A (en) * 1987-05-21 1992-04-07 Hine Design Inc. Method for transporting silicon wafers
JPH08213447A (ja) 1995-02-06 1996-08-20 Tokyo Electron Ltd 被移載体の検出装置
US5950643A (en) * 1995-09-06 1999-09-14 Miyazaki; Takeshiro Wafer processing system
JP3364390B2 (ja) 1995-12-30 2003-01-08 東京エレクトロン株式会社 検査装置
US6082949A (en) * 1996-10-11 2000-07-04 Asyst Technologies, Inc. Load port opener
JPH10308438A (ja) 1997-05-08 1998-11-17 Tokyo Electron Ltd キャリア及びキャリア内のウエハ検出方法
JPH1131738A (ja) 1997-07-14 1999-02-02 Tokyo Electron Ltd クロ−ズ型基板カセット内の基板の検出装置
JP3625617B2 (ja) 1997-06-10 2005-03-02 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、カセット内の基板検出装置
US6138721A (en) * 1997-09-03 2000-10-31 Asyst Technologies, Inc. Tilt and go load port interface alignment system
US6213853B1 (en) 1997-09-10 2001-04-10 Speedfam-Ipec Corporation Integral machine for polishing, cleaning, rinsing and drying workpieces
US6013920A (en) * 1997-11-28 2000-01-11 Fortrend Engineering Coirporation Wafer-mapping load post interface having an effector position sensing device
JP3590517B2 (ja) 1998-01-21 2004-11-17 株式会社 日立インダストリイズ カセット内ウエフア検出装置
JPH11233595A (ja) 1998-02-13 1999-08-27 Canon Inc 基板傾き検出方法および基板検知装置
DE19910478C2 (de) * 1998-03-12 2002-02-28 Tokyo Electron Ltd Substrattransportverfahren und Substratbearbeitungssystem
US6281516B1 (en) * 1998-07-13 2001-08-28 Newport Corporation FIMS transport box load interface
US6220808B1 (en) * 1998-07-13 2001-04-24 Asyst Technologies, Inc. Ergonomic, variable size, bottom opening system compatible with a vertical interface
US6298280B1 (en) * 1998-09-28 2001-10-02 Asyst Technologies, Inc. Method for in-cassette wafer center determination
US6188323B1 (en) * 1998-10-15 2001-02-13 Asyst Technologies, Inc. Wafer mapping system
JP4310556B2 (ja) 1998-10-23 2009-08-12 ローツェ株式会社 ウエハ搬送装置に於けるウエハ認識装置
JP4305988B2 (ja) 1999-01-27 2009-07-29 シンフォニアテクノロジー株式会社 ウエーハキャリア
US6396072B1 (en) * 1999-06-21 2002-05-28 Fortrend Engineering Corporation Load port door assembly with integrated wafer mapper
US6610993B2 (en) * 1999-06-21 2003-08-26 Fortrend Engineering Corporation Load port door assembly with integrated wafer mapper
JP2001284439A (ja) 2000-03-30 2001-10-12 Tdk Corp ウェーハマッピング装置
JP2002009133A (ja) 2000-06-26 2002-01-11 Canon Inc 基板搬送装置
JP4246420B2 (ja) 2000-09-14 2009-04-02 平田機工株式会社 Ｆｏｕｐオープナ及びｆｏｕｐオープナのマッピング方法
EP1271605A4 (en) * 2000-11-02 2009-09-02 Ebara Corp ELECTRON BEAM APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING SAID APPARATUS
JP2002246358A (ja) 2001-02-05 2002-08-30 Applied Materials Inc ウェハ検出装置、洗浄乾燥装置およびメッキ装置
US6558750B2 (en) * 2001-07-16 2003-05-06 Technic Inc. Method of processing and plating planar articles

Also Published As

Publication number Publication date
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