CN105097590A - 一种组合式半导体热处理设备的硅片承载区扫描方法及装置 - Google Patents

Abstract

一种组合式半导体热处理设备的硅片承载区扫描的方法及装置，其在位于硅片承载器圆周侧边的机械手上U形端部的相对位置，设置有两个工作在自接收和/或互接收模式的光电传感器/超声波传感器，执行硅片凸片的异常状态预扫描和循环扫描指令，以及图像传感单元(包括多个图像传感器)固定位于承载器侧周，即布设多个扫描检测点，其将随所述承载器移动至其坐标位置的第一个放置硅片的位置作为起始采集位置，沿硅片放置的平行方向拍摄所有硅片的侧边平面图像，并判断相应硅片是否存在斜片、叠片和/或空片的异常状态；本发明可以快速准确检测硅片半导体设备承载区域内的硅片分布状态，很好地避免了机械手运动造成硅片及设备损伤。

Description

一种组合式半导体热处理设备的硅片承载区扫描方法及装置

技术领域

本发明涉及半导体加工设备技术领域，尤其涉及一种组合式半导体热处理设备的硅片承载区扫描方法，本发明还涉及一种组合式半导体热处理设备的硅片承载区扫描装置。

背景技术

硅片的安全存取和输运是集成电路大生产线一个非常重要的技术指标，在生产过程中，通常要求由于输运设备自身导致的硅片破片率应小于十万分之一。并且，作为批量式硅片热处理系统，相对于单片式工艺系统，每个生产工艺所需的硅片传输、硅片放置和取片次数更多，因而对硅片传输、硅片放置和取片的安全性和可靠性要求更高。

目前，机械手被广泛应用于半导体集成电路制造技术领域中，机械手是硅片传输系统中的重要设备，用于存取和输运工艺处理前和工艺处理后的硅片，其能够接受指令，精确地定位到三维或二维空间上的某一点进行取放硅片，既可对单枚硅片进行取放作业，也可对多枚硅片进行取放作业。

然而，当机械手在对硅片进行取放作业时，尤其是，当硅片在传输过程或热处理过程中导致的受热变形等情况会导致硅片在承载器上处于突出状态或者处于叠片、斜片或无片状态时，往往会产生碰撞导致硅片或设备受损，造成不可弥补的损失。

请参阅图1，图1为现有技术中机械手在硅片传输、硅片放置和取片时的位置结构示意图。如图所示，当硅片2在承载器3上处于凸出等异常状态时，机械手1在自动存取硅片2的运动处于非完全工作状态，非常容易造成硅片2及设备(包括机械手1)的损伤。

因此，在机械手1完成硅片放置后或准备取片前，需对承载器3上硅片组2中的硅片分布状态进行准确的识别，同时对识别出的各种异常状态提供准确应对措施，以实现安全取放片。

目前，批量式硅片热处理系统的硅片分布状态的识别一般是采用单纯的光电信号运动扫描方法对硅片在承载器3上的分布状态进行识别，这种扫描方法仅对硅片组2中的硅片处于叠片、斜片或无片等异常状态时，有一定的检测效果，但如果硅片在承载器3上处于突出状态时，就不能很好地检测出，也就是说，通过现有技术简单的得出异常或正常的结果，在运动扫描过程中还是易产生碰撞导致硅片或设备受损，同时经常产生漏报、误报的情况。

随着半导体集成电路制造技术的发展，对硅片的安全存取和输运提出了更高的要求，即对机械手的精准控制要求也越来越高。因此，如何快速准确检测硅片半导体设备承载区域内的硅片分布状态，避免机械手运动造成硅片及设备损伤，已成为本领域技术人员亟待解决的技术难题。

发明内容

本发明的第一个目的是提供一种组合式半导体热处理设备的硅片承载区扫描方法，能够快速准确检测硅片半导体设备承载区域内的硅片分布状态，避免机械手运动造成硅片及设备损伤。本发明的第二个目的是提供一种组合式半导体热处理设备的硅片承载区扫描装置。

为了实现上述第一个目的，本发明提供了一种组合式半导体热处理设备的硅片承载区扫描方法，一种组合式半导体热处理设备的硅片承载区扫描方法，其在位于硅片承载器圆周侧边的移动单元上，设置两个光电传感器/超声波传感器；所述光电传感器/超声波传感器分别位于所述移动单元上相距一预设距离的相对位置，并随移动单元垂直和水平运动；在载有硅片组的承载器的上方，图像传感单元固设于所述承载器侧周正对硅片支撑结构无遮挡的位置，其包括多个图像传感器，在一个水平面上布设形成多个扫描检测点；所述方法具体包括如下步骤：

步骤S1、设定移动单元运动扫描初始化参数并执行初始化；其中，所述运动扫描初始化参数包括移动单元水平和/或垂直扫描运动速度，硅片的间隔距离、每一次移动单元水平步进距离、水平起始点位置及终止点位置和上/下垂直起始点位置及终止点位置；

步骤S2、所述两个光电传感器/超声波传感器设置在互接收模式和/或自接收模式，执行硅片凸片的异常状态预扫描和循环扫描指令；其中，预扫描指令用于识别硅片组中是否有硅片凸出和凸出最多的硅片，循环扫描指令用于在预扫描结果显示有硅片凸出时，识别整个硅片组中硅片的凸出异常状态分布；

步骤S3：预设所述承载器的运动速度，以及所述图像传感单元的坐标位置，并计算所述图像传感单元的坐标位置与基准位置的坐标差值；

步骤S4：所述图像传感单元根据所述承载器的移动速度和坐标差值，将随所述承载器移动至其坐标位置的第一个放置硅片的位置作为起始采集位置；沿硅片放置的平行方向拍摄所述硅片的侧边平面图像，并按指定时间间隔对准每一个硅片的放置位置，获取整个承载区域内硅片的侧边平面图像；

步骤S5：用图像特征识别算法，在图像标定位置区间分布区域，从每个所述侧边平面图像中提取识别对象的放置状态特征，判断相应硅片是否存在斜片、叠片和/或空片的异常状态；如果没有异常状态，执行步骤S7；否则，执行步骤S6；

步骤S6：报警并等待人工处置或者按规定处置；

步骤S7：结束。

优选地，所述两个光电传感器/超声波传感器设置在互接收模式，所述步骤S2具体包括如下步骤：

步骤S21：所述移动单元定位对应于所述承载器第一个放置硅片的垂直起始点和水平起始点位置；

步骤S22：根据两个所述光电传感器/超声波传感器间相互发射和接收光信号的反馈值接收时间随遮挡范围产生强度上的变化，判断相应位置的硅片是否存在凸片的异常状态；如果是，执行步骤S25；否则，执行步骤S23；

步骤S23：所述移动单元依序下降或上升一个硅片的间隔距离，先判断所述位置是否是上/下垂直终止点位置；如果是，执行步骤S24；否则，执行步骤S22；

步骤S24：所述移动单元沿所述承载区中心方向前进一个预设的水平步进距离，判断所述位置是否是水平终止点位置；如果是，执行步骤S3；否则，执行步骤S22；

步骤S25：发出凸片异常报警信息，继续执行步骤S23。

优选地，所述步骤S2还可以具体包括如下步骤：

步骤S21′：所述移动单元定位对应于所述承载器第一个放置硅片的垂直起始点和水平起始点位置，并将两个所述光电传感器/超声波传感器的工作模式设置成自接收模式；

步骤S22′：根据光电传感器/超声波传感器各自沿硅片层叠的垂直方向发射和接收光信号的时间差和预定的判断规则，判断硅片是否存在突出规定位置的异常状态，如果是，执行步骤S24′；否则，执行步骤S23′；

步骤S23′：所述移动单元沿所述承载区中心方向前进一个预设的水平步进距离，判断所述位置是否是水平终止点位置；如果是，执行步骤S24′；否则，执行步骤S22′；

步骤S24′：测量阻挡光束传播路径上障碍物距离，得到存在突出状态硅片的位置参数，发出凸片异常报警信息，执行步骤S25′；

步骤S25′：所述移动单元定位下降至所述存在突出状态硅片的位置；将所述光电传感器/超声波传感器的工作模式转换成互接收模式，判断所述位置是否是上或下垂直终止点位置；如果是，所述移动单元沿所述承载区中心方向前进一个预设的水平步进距离，执行步骤S27′；如果不是，执行步骤S26′；

步骤S26′：所述移动单元依序下降或上升一个硅片的间隔距离；

步骤S27′：根据两个所述光电传感器/超声波传感器间相互水平发射和接收光信号的反馈值接收时间随遮挡范围产生强度上的变化，判断相应位置的硅片是否存在凸片的异常状态；如果是，执行步骤S29′；否则，判断所述位置是否是上/下垂直终止点位置；如果不是，执行步骤S26′；如果是，执行步骤S27′；

步骤S28′；所述移动单元沿所述承载区中心方向前进一个预设的水平步进距离，判断所述位置是否是超出水平终止点位置；如果是，执行步骤S3；否则，执行步骤S27′；

步骤S29′：发出凸片异常报警信息，继续执行步骤S26′。

优选地，所述承载器或所述移动单元包括转动单元，所述转动单元使所述移动单元围绕所述承载器作相对旋转运动，且在整个所述承载器侧周上具有N个旋转检测停止位置，在每一个检测位置执行一次所述步骤S2，得到一组相应的检测结果；最后将N组检测结果进行与运算，得到最终的硅片凸片的异常状态分布，其中，N为大于等于2的正整数。

优选地，所述N个位置中相邻两个位置的旋转角度相同，选择设定如下：

A.当(360°/设定旋转角度)的余数＝0时：

累计检测位置数目＝360°/设定旋转角度

实际旋转角度＝设定旋转角度

B.当(360°/设定旋转角度)的余数≠0时：

累计检测位置数目＝(360°/设定旋转角度)取整(舍去小数点后)+1

实际旋转角度＝360°/累计检测位置数目

如果由旋转起始点和设定旋转角度生成的检测位置坐标值与所述承载器支撑点的坐标位置冲突，则需重新设定起始点和旋转角度值。

优选地，所述步骤S1中，所述移动单元沿水平方向每次移动水平步进距离相等或逐渐减小；且所述水平起始位置与硅片处于跌落极限位置时的位置相关，所述水平终止点位置与承载器的支撑结构参数和相关。

优选地，所述步骤S4中的识别对象的放置状态特征为单个硅片侧面图像边缘的分布特征，在图像标定位置区间分布区域，通过计算硅片左右边缘在Y方向最高点和最低点坐标位置差值，求得识别对象的厚度，并根据识别对象的厚度，判断相应硅片是否存在斜片、叠片和/或空片的异常状态。

优选地，所述图像传感单元中的多个图像传感器均匀分布在整个所述承载器侧周的水平面上，选择设定如下：

A.当(360°/设定间隔角度)的余数＝0时：

累计检测位置数目＝360°/设定间隔角度

实际间隔角度＝设定间隔角度

B.当(360°/设定间隔角度)的余数≠0时：

累计检测位置数目＝(360°/设定间隔角度)取整(舍去小数点后)+1

实际间隔角度＝360°/累计检测位置数目

如果由起始点和设定间隔角度生成的检测位置坐标值与所述承载器支撑点的坐标位置冲突，则需重新设定起始点和间隔角度值。

优选地，所述多个图像传感器得到多组相应的检测结果；最后将多组检测结果进行与运算，得到最终的硅片分布状态异常情况结果。

为了实现上述第二个目的，本发明提供一种组合式半导体热处理设备的硅片承载区扫描方法的装置，其包括光电扫描单元/超声波传感单元、图像传感单元、控制单元和报警单元；光电扫描单元/超声波传感单元设置于在所述承载器的圆周侧边的移动单元上，并随所述移动单元移动，在水平和/或垂直预设方向进行移动并执行扫描检测，其包括两个光电传感器/超声波传感器，所述光电传感器/超声波传感器分别位于移动单元上一预设距离的相对位置；图像传感单元固设于所述承载器的侧周正对硅片支撑结构无遮挡的位置，用于根据所述承载器移动速度和坐标差值，将移动至其坐标位置的第一个放置硅片的位置作为起始采集位置，沿硅片放置的平行方向拍摄所述硅片的侧边平面图像，并按指定时间间隔对准每一个硅片的放置位置，获取整个承载区域内硅片的侧边平面图像；其中，所述坐标差值为所述图像传感单元的坐标位置与基准位置的差值；控制单元用于设置所述光电扫描单元/超声波传感单元的工作模式，启动检测并处理获得的光电/超声波强度和分布情况结果，得到所述硅片在承载器上的凸片异常状态分布情况；和用于启动检测并处理图像传感单元水平拍摄的所述硅片组中每片硅片放置状态的侧边平面图像；并根据提取的层叠位置区域和放置状态特征，得到所述硅片在承载器上的异常状态分布情况；其中，所述的异常状态包括硅片斜片、叠片和/或空片的状态；以及报警单元与所述控制单元连接，所述控制单元根据异常状态分布情况控制所述报警单元的启闭。

优选地，在进行检测时，所述图像传感单元中的多个图像传感器均匀分布在整个所述承载器侧周的水平面上，选择设定如下：

A.当(360°/设定间隔角度)的余数＝0时：

累计检测位置数目＝360°/设定间隔角度

实际间隔角度＝设定间隔角度

B.当(360°/设定间隔角度)的余数≠0时：

累计检测位置数目＝(360°/设定间隔角度)取整(舍去小数点后)+1

实际间隔角度＝360°/累计检测位置数目

如果由起始点和设定间隔角度生成的检测位置坐标值与所述承载器支撑点的坐标位置冲突，则需重新设定起始点和间隔角度值。

优选地，所述装置还包括转动单元，用于驱动所述承载器作相对于所述移动单元做旋转和/或定位的运动，或驱动所述移动单元相对所述承载器做旋转和/或定位的运动。

优选地，所述的移动单元为机械手，所述一预设距离为机械手U型端间的距离。

从上述技术方案可以看出，本发明提供的半导体设备承载区域的硅片分布状态扫描方法及装置，在两个阶段即硅片传送片完成后和取片前，快速准确检测硅片在承载器中区域是否有硅片凸出、斜片、叠片和/或空片的异常分布状态进行诊断，且在承载器的周围布设多个扫描检测点，进一步地提高了检测精度。实验证明，本发明的技术方案实现简单，效果良好。

附图说明

图1为现有技术中机械手在硅片传输、硅片放置和取片时的位置示意图

图2为现有技术中位于硅片组上方的承载器端盖(Shutter)结构示意图

图3为本发明实施例中组合式半导体热处理设备的硅片承载区扫描装置中的光电传感器/超声波传感器分别位于机械手的U型端口上，以及图像传感单元设置在端盖的支撑臂上的结构示意图

图4为本发明实施例中硅片存在突出异常分布状态的检测过程示意图

图5为本发明组合式半导体热处理设备的硅片承载区扫描方法一较佳实施例的流程示意图

图6为本发明实施例中硅片处于硅片跌落极限位置时的位置结构示意图

图7为本发明实施例中机械手距离硅片中心之间最小安全距离时的计算原理示意图

图8为本发明实施例组合式半导体热处理设备的硅片承载区扫描方法的整体控制流程图

图9为本发明实施例中机械手在检测硅片存在突出异常分布状态过程中的采用第一种技术方案的移动轨迹示意图

图10为本发明实施例中机械手在检测硅片存在突出异常分布状态过程中的采用第二种技术方案(预扫描指令)的移动轨迹示意图

图11为本发明实施例中突片异常状态扫描指令控制流程示意图

图12本发明实施例中判断是否存在斜片、叠片和/或空片的异常状态的一较佳实施例的具体控制流程示意图

图13为本发明实施例中硅片和承载器的位置关系参数示意图

[图中附图标记]：

机械手1、硅片组2、承载器3、光电扫描单元4、图像传感单元5、端盖6、端盖的支撑臂7

具体实施方式

为使本发明的内容更加清楚易懂，以下结合说明书附图，对本发明的内容作进一步说明。当然本发明并不局限于该具体实施例，本领域内的技术人员所熟知的一般替换也涵盖在本发明的保护范围内。其次，本发明利用示意图进行了详细的表述，在详述本发明实例时，为了便于说明，示意图不依照一般比例局部放大，不应以此作为对本发明的限定。

需要说明的是，本发明提供的组合式半导体热处理设备的硅片承载区扫描方法可以采用多种不同的装置实现，在本发明的一些实施例，该装置中的移动单元可以为机械手，一预设距离为机械手U型端间的距离，如图3和图4中的实施例所示。

在下面的实施例中，两个光电传感器/超声波传感器的工作原理基本相同。请参阅图3，图3为本发明实施例中组合式半导体热处理设备的硅片承载区扫描装置中的两个光电传感器4分别位于机械手的U型端口上的结构示意图。在本发明的一些实施例中，该装置可以包括光电扫描单元4、图像传感单元5、控制单元(图未示)和报警单元(图未示)。

在半导体领域中，机械手1一般具有单只机械爪或多只机械爪，以适应批量化生产的需要。在一些本发明的实施咧中，机械手1可以具有多只机械爪，在任意一个或多个机械爪的U形端部内侧的相对位置设置一个或多个光电扫描单元4，下面的实施例仅以一个光电扫描单元4位于机械手1上为例，并在该机械手1上也只有一个机械爪，其它的实施例原理基本相同，在此不再赘述。

光电扫描单元4设置于在承载器3(承载区域)的圆周侧边的机械手1上，并随机械手1在水平和/或垂直的预设方向上进行移动定位并实现扫描检测；也就是说，光电扫描单元4移动是通过机械手1的移动来实现的。

如果两个光电传感器4分别位于机械手1的U形端部相对位置点连成直线的话，该直线相对于地面是平行的。在执行硅片凸片的异常状态预扫描检测过程中，两个光电传感器4可以设置在自接收模式，也可以设置在互接收模式，在执行硅片凸片的异常状态循环扫描指令检测过程中，两个光电传感器4设置在互接收模式，通常光电扫描单元4中的一个光电传感器作为接收端，另一个则作为发射端；其中，预扫描指令用于识别硅片组2中是否有硅片凸出和凸出最多的硅片，循环扫描指令用于在预扫描结果显示有硅片凸出时，识别整个硅片组2中硅片的凸出异常状态分布。

如图3所示，图像传感单元5设置在端盖6的支撑臂7上的结构示意图。在本发明的实施例中，图像传感单元5(包括多个图像传感器)设置在端盖6的支撑臂7上，即多个图像传感器可固定安装在微环境内正对硅片支撑结构无遮挡的一个位置，该支撑臂6位于硅片支撑结构外围，且平行于硅片支撑结构(例如，承载器3)；固设在支撑臂6上的图像传感单元5是不动的，但承载器3在其本身具有的装卸单元的驱动下，可以相对于支撑臂6作相互平行移动；也就是说，承载器3的上下移动，可以使图像传感单元5中的多个图像传感器相对于层叠于承载器3中的硅片组2沿垂直方向定位对应每一片硅片所处的位置。

在这种情况下，图像传感单元5的采集方向为平行于硅片表面方向(水平方向)，并且根据图像传感单元5的运动速度，以及基准位置的坐标差值，按指定时间间隔采集每一个硅片放置位置的分布图像，获取整个承载区域内硅片分布的状态。即图像传感单元5沿硅片的平行方向，从上至下依次拍摄硅片组2中每片硅片的侧边平面图像，判断相应硅片是否存在凸片、斜片、叠片和/或空片的异常状态分布的情况。

在本实施例中，在进行检测时，图像传感单元5中的多个图像传感器均匀分布在整个承载器3侧周的同一个水平面上，选择设定如下：

A.当(360°/设定间隔角度)的余数＝0时：

累计检测位置数目＝360°/设定间隔角度

实际间隔角度＝设定间隔角度

B.当(360°/设定间隔角度)的余数≠0时：

累计检测位置数目＝(360°/设定间隔角度)取整(舍去小数点后)+1

实际间隔角度＝360°/累计检测位置数目

如果由设置起始点和设定间隔角度生成的检测位置坐标值与承载器3支撑点的坐标位置冲突，则需重新设定起始点和排布角度值。

控制单元(图未示)用于启动光电传感单元4检测并处理获得的光电强度和分布情况结果，得到硅片组2中的硅片在承载器3上的凸出异常状态分布情况；以及用于控制图像传感单元4启动检测并处理水平拍摄的硅片组2中每片硅片放置状态的侧边平面图像；并根据提取的层叠位置区域和放置状态特征，得到所有硅片在承载器3上的斜片、叠片和/或空片的状态；并且，控制单元还连接报警单元，该控制单元可以根据异常状态分布情况控制报警单元的启闭。

在本发明的实施例中，在用图像传感单元5检测硅片组2在承载器3中区域是否有硅片斜片、叠片和/或空片的异常分布状态前，先需采用光电传感器/超声波传感器4就硅片组2在承载器3中区域是否有凸出的异常分布状态进行正确评定。

从上述描述可以看出，两个光电传感器/超声波传感器4可以工作在自接收模式或互接收模式；如果以工作在互接收模式为例，即以两个光电传感器4在执行硅片凸片的异常状态预扫描检测过程中和在执行硅片凸片的异常状态循环扫描指令检测过程中均设置在互接收模式为例，对于硅片组2中的硅片在承载器3是否有异常分布状态进行诊断是通过计算两个互为发射端和接收端的光电传感器/超声波传感器间得到的光电信号反馈强度及其分布情况来实现的。设两个光电传感器/超声波传感器的距离为X，那么，X的取值需确保机械手1在运动过程中能够正常扫描指定大小尺寸硅片而不与硅片发生干涉现象。

请参阅图4，图4为本发明实施例中硅片存在突出异常分布状态的检测过程示意图。如图所示，光电扫描单元4包括的两个对射式光电传感器/超声波传感器的反馈值接收时间会随着遮挡的范围产生强度上的变化。在检测正常的情况下，为了获取硅片在承载结构上某一个位置有无障碍物的扫描数据，该有无障碍物的判断由光电传感器/超声波传感器强度变化判定，即以硅片扫描示教中心值为基准，如果光电传感器/超声波传感器接收端的光强度返回值小于指定阈值α，则认为相应区域内有物体遮挡，返回状态值为1，代表该承载器3相应位置上的硅片处于突出异常状态；如果光电传感器/超声波传感器接收端的光强度返回值大于等于指定阈值α，则认为相应区域内无物体，返回状态值为0，代表该承载器3相应位置上的硅片处于正常状态。

如图4所示，横坐标上出现的检测时间点t1，t2，t3，t4与机械手1的运动扫描速度有关，因此，可以根据时间检测结果变化的起始点和范围即可确定硅片的状态，同时可以计算出其超过正常范围的突出程度，得到每个硅片放置位置是否可以安全进行工艺或者卸载的诊断结果。

下面扫描方法的实施例是以光电扫描单元4安装在半导体热处理设备机械手1上，图像传感单元5安装在端盖6的(支撑结构)支撑柱7上为例，对本发明的构思进行介绍。

请参阅图5，图5为本发明组合式半导体热处理设备的硅片承载区扫描方法一较佳实施例的流程示意图。如图所示，组合式半导体热处理设备的硅片承载区扫描方法可以包括以下步骤：

步骤S1、在检测过程中，需首先设定两个光电传感器/超声波传感器4(也可以说是设定机械手1)的扫描检测轨迹，以及运动扫描初始化参数并执行初始化；其中，运动扫描初始化参数包括机械手1的水平和/或垂直扫描运动速度，硅片的间隔距离、每一次机械手水平步进距离、水平起始点位置及终止点位置和上/下垂直起始点位置。

具体地，在检测过程开始前，可以通过预先示教机械手1的控制参数，这些控制参数可以控制机械手1在预设的方向和位置，也就相应设定了两个光电传感器4的扫描检测轨迹。

机械手1扫描检测轨迹的每一次扫描检测的起始位置是由水平起始点位置和上/下垂直起始点位置决定，上/下垂直起始点位置是两个位置，上垂直起始点位置对应于硅片组2的顶层硅片放置的位置，下垂直起始点位置对应于硅片组2的底层硅片放置的位置。

在检测过程中，如果是从上垂直起始点位置开始，那么下一个检测位置就是依序下降一个相邻硅片的间隔距离，直到下垂直起始点位置；同理，如果是从下垂直起始点位置开始，那么下一个检测位置就是依序上升一个相邻硅片的间隔距离，直到上垂直起始点位置。

对于水平检测扫描方向的移动检测区域，是由承载器的结构参数和硅片的尺寸参数决定的，即水平起始位置与硅片处于跌落极限位置时的位置相关，水平终止点位置与承载器3的支撑结构参数相关。请参阅图6和图7，图6为本发明实施例中硅片处于跌落极限位置时的位置结构示意图；图7为本发明实施例中机械手距离硅片中心之间最小安全距离时的计算原理示意图。

如图6所示，假设硅片重心位于承载器3的支撑结构边沿时(向机械手1方向偏离正常位置Y)为硅片不会滑落支撑结构的最大位移位置，该扫描检测水平起始位置至承载器3中心的距离应该大于或等于硅片组2中硅片跌落极限位置至承载器3中心的距离。

如图所示，设定该扫描检测起始位置距离承载器3中心距离为Z，同时设定水平检测扫描的时变值为b(t)，b(t)表示机械手1上的两个光电传感器/超声波传感器4间中心线距离支撑结构中心的实时距离，那么，在水平扫描检测起始位置，b(0)＝Z；此外，为考虑安全余量，b(t)＝Y+δ为正式获取硅片分布状态的距离承载器3结构中心的距离；其中：

X为机械手1上两个光电传感器/超声波传感器的发送端和接收端之间的距离；

Y为承载器3半径，即承载器3的中心点到其边缘的长度；

r为硅片组2中硅片的半径，即硅片中心到其边缘的长度；

s为相邻两片硅片之间的间隔距离，即硅片组2水平放置在承载器3上时两相邻硅片中心在竖直方向的距离；

γ为设定相对于绝对水平位置的硅片倾斜角，本领域技术人员清楚，通用硅片的厚度通常为0.7mm，相对于直径为300mm或200mm硅片，即其半径为150mm或100mm时，硅片2厚度d/r的比值是小于1/100。因此，在计算硅片的倾斜角度时，硅片的厚度d可近似为0，这时，该倾斜角的关系可按如下公式计算为：

tan(γ)＝s/Y,

γ(0)＝arctan(s/Y)，即γ(0)的取值大小由结构设计确定

请参阅图6，当硅片重心位于支撑结构边沿，该极限位置倾斜的硅片在绝对水平平面上的投影则为：

$\sqrt{r^2-{\left(\frac{X}{2}\right)}^2}cos\left(\mathrm{\γ}\right)$

如果Z为极限的扫描起始位置，也就是机械手1中心在该位置距离承载器3中心距离，即在水平扫描检测起始位置，b(0)＝Z，那么考虑安全余量；

$Z\left(0\right)>\sqrt{r^2-{(X/2)}^2}cos\left(\mathrm{\γ}\right)+Y+\mathrm{\δ}$

δ>0，为安全余量设定值，即机械手1此时做竖直方向的运动不会与硅片发生干涉的安全距离，该值大小也与上述X、r以及硅片中心与机械手1的U型端口中心是否在同一水平线产生影响，因此，在检测时，需尽量将U型端口上的互为发射接收的光电传感器/超声波传感器4的中心线与硅片定位在一个平面上。并且，在同一平面内机械手1上的光电传感器/超声波传感器4与硅片2之间中心之间的距离需要大于：

$\sqrt{r^2-{\left(\frac{X}{2}\right)}^2}$

也就是说，当极限位扫描没有检测到硅片异常时，即相当于在硅片倾斜情况下，机械手1沿水平方向运动如下距离，在竖直方向上运动依然不会与倾斜的硅片产生干涉；

$r-\sqrt{r^2-{\left(\frac{X}{2}\right)}^2}*cos\left(\mathrm{\γ}\right)$

水平扫描起始点设定完成后，还需设定对于机械手1每次向承载器3中心方向移动距离为c(t)，其中，t＝0,1,2,3……；机械手1沿水平方向每次移动水平步进距离可以相同也可以不同，例如，可以逐渐减小。

如果a(t)为中间长度变量，用于机械手1每次可以安全移动的距离，a(0)＝0；b(t)为中间长度变量，即机械手1中心距硅片中心的实时距离，b(0)＝Z；h(t)为中间长度变量，用于计算硅片倾斜的倾角，h(0)＝Y；那么，

$a\left(t\right)=r-\sqrt{r^2-{\left(\frac{X}{2}\right)}^2}*\cos \left(\mathrm{\γ}\left(t-1\right)\right)$

b(t)＝b(t-1)–a(t)

请参阅图8，图8为本发明实施例组合式半导体热处理设备的硅片承载区扫描方法的整体控制流程图。如图所示，上述的初始化参数确定并后，就可以等待并接收硅片分布状态扫描指令，得到指令后就直接开始进行实际的检测流程了。如果初始化步骤失败，则报出异常位置和结果，等待人工处置或者按规定处置。

请参阅图9和图10，图9为本发明实施例中机械手1在检测硅片存在突出异常分布状态过程中的采用第一种技术方案的移动轨迹示意图。图10为本发明实施例中机械手在检测硅片存在突出异常分布状态过程中的采用第二种技术方案(预扫描指令)的移动轨迹示意图。第一种技术方案为：在执行硅片凸片的异常状态预扫描检测过程中和在执行硅片凸片的异常状态循环扫描指令检测过程中，两个光电传感器4均设置在互接收模式，通常光电扫描单元4中的一个光电传感器作为接收端，另一个则作为发射端；第二种技术方案为：在执行硅片凸片的异常状态预扫描检测过程中，两个光电传感器4设置在自接收模式，在执行硅片凸片的异常状态循环扫描指令检测过程中，两个光电传感器4均设置在互接收模式。

请结合图5和图6参阅图11，图11为本发明实施例中突出异常分布状态扫描指令控制流程示意图。

步骤S2、执行硅片凸片的异常状态循环扫描指令；

具体地，在本发明的实施中，步骤S2中包括图10中的凸出极限预扫描指令和异常状态循环扫描指令两步，其可以通过两种技术方案进行。第一种技术方案是通过两个光电传感器/超声波传感器4设置在互接收模式，同时执行凸出极限预扫描指令和凸出异常状态循环扫描指令。第二种技术方案是通过两个光电传感器/超声波传感器4设置在自接收模式执行凸出极限预扫描指令，然后，将两个光电传感器/超声波传感器4设置在互接收模式执行凸出异常状态循环扫描指令。

对于第一种技术方案，两个光电传感器/超声波传感器4执行第一轮从上到下，或从下到上的扫描运动，是对应于图8中的执行极限预扫描指令，用于检测有无硅片处于跌落极限的情况，即获取所有硅片放置位置的极限位扫描结果，同时将所有位置的结果求与运算，结果有以下两种：

A.正常，则进行正式的扫描动作，如无异常进入下一步动作，即接下来执行的其它轮扫描运动则是执行循环扫描，用于检测有无硅片处于相应突出程度的情况；

B.异常，报出异常位置和结果，等待人工处置或者按规定处置。

第二种技术方案与第一种技术方案相比，仅在执行凸出极限预扫描指令时不同，在执行凸出异常状态循环扫描指令是相同的；且光电扫描单元/超声波扫描单元4的凸片扫描过程，可以采用一组或两组光电传感器/超声波传感器的技术方案，对于一组的方案，两个光电传感器/超声波传感器需安装在移动单元上，对于上述两组的技术方案，一组可以固定于硅片组上方的承载器端盖6(Shutter)内表面的两条平行轨道上(如图2所示)，执行凸片的预扫描指令，另一组可以安装在移动单元上，执行凸片的循环扫描指令。以下仅以一组中的两个光电传感器均安装在移动单元为例进行说明，有不同之处再对超声波传感器进行说明。

也就是说，在该检测子阶段，工作模式为自接收模式的两个光电传感器/超声波传感器4的发射方向为垂直于硅片表面的角度，两个光电传感器/超声波传感器4所测得极限位光束发射/接收路径上障碍物的位置可获取所有硅片放置位置的极限位置突出检测结果，检测结果的判断标准可以分以下三种情况：

A.无障碍物，即两个光电传感器/超声波传感器4在极限位垂直于硅片方向的硅片放置区域皆没有检测到障碍物；

B.有障碍物，即两个光电传感器/超声波传感器4在极限位垂直于硅片方向的硅片放置区域皆检测到障碍物，同时根据两个光电传感器/超声波传感器4的测量距离结果可测定障碍物位置；

C.不确定状态，需再次检测或人工重复检测，两个光电传感器/超声波传感器4在极限位垂直于硅片方向的硅片放置区域有一个光电传感器/超声波传感器组检测到障碍物。

具体地，在本发明的一些实施例中，如果在上述定位检测节点(d(0)＝Y，b(0)＝Z)未检测到硅片极限突出状态，就可以进行如下位移检测操作，如图10所示：

a)、设定速度Smove和扫描检测节点间距a，机械手1按设定速度向支撑结构中心方向移动；

b)、如果b(t)–a>Y+δ，则机械手1移动至b(t)＝b(t)–a位置，在该节点位置，根据第一和第二光电传感器/超声波传感器4在的硅片放置区域检测到障碍物的状态进行运动状态的处置：

①、无障碍物：按设定速度Smove继续移动至下一检测节点；

②、有障碍物：停止运动，根据第一和第二光电传感器/超声波传感器4的测量距离反馈障碍物位置，报警并提醒用户进行操作选择；

③、不确定状态，需再次检测或人工重复检测，报警并提醒用户进行操作选择；

c)、如果b(t)–a<＝Y+δ，则机械手移动至b(t)＝Y+δ位置，在该节点位置，根据两个光电传感器/超声波传感器4在的硅片放置区域检测到障碍物的状态进行运动状态的处置：

①、无障碍物：结束步骤S2，跳至步骤S3；

②、有障碍物：停止运动，根据两个光电传感器/超声波传感器4的测量距离反馈障碍物位置，报警并提醒用户进行操作选择；

③、不确定状态，需再次检测或人工重复检测，报警并提醒用户进行操作选择。

需要说明的是，步骤S2中包括图6中的极限预扫描指令仅仅可以快速检测出硅片组2中突出最多的那片硅片的位置，其它突出程度小于那片硅片的异常状态是不能确定的，就需要执行步骤S3才能获得。

执行完上述第一轮极限预扫描指令后，步骤S2中其它轮扫描检测就是执行硅片凸片的异常状态循环扫描指令了。步骤S2中的两个分步骤可以按图6中的表述一起归纳如下：

对于第一种技术方案，步骤S2具体可以包括如下步骤：

步骤S21：机械手1定位对应于承载器3第一个放置硅片的垂直起始点和水平起始点位置；

步骤S22：根据两个光电传感器/超声波传感器间相互发射和接收光信号的反馈值接收时间随遮挡范围产生强度上的变化，判断相应位置的硅片是否存在凸片的异常状态；如果是，执行步骤S25；否则，执行步骤S23；

步骤S23：机械手1依序下降或上升一个硅片的间隔距离，先判断该位置是否是上/下垂直终止点位置；如果是，执行步骤S24；否则，执行步骤S22；

步骤S24：机械手1沿承载器3的承载区中心方向前进一个预设的水平步进距离，判断所述位置是否是水平终止点位置；如果是，执行步骤S3；否则，执行步骤S22；

步骤S25：发出凸片异常报警信息，继续执行步骤S23。

对于第二种技术方案，在本发明的其它实施例中，所述步骤S2还可以具体包括如下步骤：

步骤S21′：机械手1定位对应于承载器3第一个放置硅片的垂直起始点和水平起始点位置，并将两个光电传感器/超声波传感器的工作模式设置成自接收模式；

步骤S22′：根据光电传感器/超声波传感器各自沿硅片层叠的垂直方向发射和接收光信号的时间差和预定的判断规则，判断硅片是否存在突出规定位置的异常状态，如果是，执行步骤S24′；否则，执行步骤S23′；

步骤S23′：机械手1沿承载器3的承载区中心方向前进一个预设的水平步进距离，判断该位置是否是水平终止点位置；如果是，执行步骤S24′；否则，执行步骤S22′；

步骤S24′：测量阻挡光束传播路径上障碍物距离，得到存在突出状态硅片的位置参数，发出凸片异常报警信息，执行步骤S25′；

步骤S25′：机械手1定位下降至所述存在突出状态硅片的位置；将第一和第二光电传感器/超声波传感器组的工作模式转换成互接收模式，判断该位置是否是上或下垂直终止点位置；如果是，机械手1沿承载器3的承载区中心方向前进一个预设的水平步进距离，执行步骤S27′；如果不是，执行步骤S26′；

步骤S26′：机械手1依序下降或上升一个硅片的间隔距离；

步骤S27′：根据两个光电传感器/超声波传感器间相互水平发射和接收光信号的反馈值接收时间随遮挡范围产生强度上的变化，判断相应位置的硅片是否存在凸片的异常状态；如果是，执行步骤S29′；否则，判断该位置是否是上/下垂直终止点位置；如果不是，执行步骤S26′；如果是，执行步骤S27′；

步骤S28′；机械手1沿承载的器3承载区中心方向前进一个预设的水平步进距离，判断所述位置是否是超出水平终止点位置；如果是，执行步骤S3；否则，执行步骤S27′；

步骤S29′：发出凸片异常报警信息，继续执行步骤S26′

需要注意的是，在本发明的一些实施例中，当机械手1向硅片中心移动一步时，需先判断b(t)的情况：

I.如果b(t)>＝Y+δ

c(t)＝a(t)

h(t)＝h(t-1)+a*cos(γ-1)

γ(t)＝arctan(s/(h(t)))

即随着硅片中心位置的变化，硅片的倾角γ(t)会相应变化，机械手1向承载器3的结构中心方向移动距离c(t)；

II.如果b(t)<Y+δ

c(t)＝b(t-1)–(Y+δ)

b(t)＝Y+δ

即机械手1向承载器3中心方向移动距离c(t)，即停止于获取硅片分布状态的距离承载器3中心距离的位置。

获取完所有硅片放置位置扫描结果后，如发现有异常位置则给出指定位置异常的报警提示，等待人工处置或者按规定处置。

由于执行硅片突出异常的单侧扫描并不能完全诊断硅片在承载区突出异常的分布状态情况，因此，在本发明的一些实施例中，可以通过在承载器3或机械手1上设置一个转动单元，该转动单元使可以使机械手1围绕承载器3作相对旋转运动，且在整个承载器3的侧边周围设置多个个旋转检测停止位置，在每一个检测位置执行一次步骤S2的操作，得到一组相应的检测结果；最后将多组检测结果进行与运算，得到最终的硅片凸片的异常状态分布，即可以实现对硅片进行多角度的分布状态检测。

根据承载器3的支撑结构特点，多个位置点可以均匀分布，也可以不均匀分布；例如，为避开承载器3的支撑柱，可以在距该支撑柱的左右10°或20°的位置重新设点检测。

对于多个位置点中相邻两个位置的间隔角度相同的情况，选择设定如下：

A.当(360°/设定旋转角度)的余数＝0时：

累计检测位置数目＝360°/设定旋转角度

实际旋转角度＝设定旋转角度

B.当(360°/设定旋转角度)的余数≠0时：

累计检测位置数目＝(360°/设定旋转角度)取整(舍去小数点后)+1

实际旋转角度＝360°/累计检测位置数目

当然，如果由旋转起始点和设定旋转角度生成的检测位置坐标值与承载器3支撑点的坐标位置冲突，则需重新设定起始点和旋转角度值。

然后，就可以按无冲突的起始点和设定旋转角度生成的圆周上检测位置，获取整个承载区域内有无硅片突出情况分布的状态，每个检测位置获取一组分布状态值，然后对所有检测位置的分布位置的状态结果求与运算，结果有两种：

A.正常，则可以进行放置硅片后的操作或者扫描后的取片操作。

B.异常，报出异常位置和结果供用户处置，同时根据异常结果提供用户操作选项。

接下来，请结合图5参阅图12，图12为本发明实施例中硅片和承载器的位置关系参数示意图。本发明实施例中图像传感单元5判断是否存在斜片、叠片和/或空片的异常状态的检测是依序进行的。

步骤S3：预设承载器3的运动速度，以及图像传感单元4的坐标位置，并计算图像传感单元4的坐标位置与基准位置的坐标差值；

步骤S4：图像传感单元4根据承载器3的移动速度和坐标差值，将随承载器3移动至其坐标位置的第一个放置硅片的位置作为起始采集位置；沿硅片放置的平行方向拍摄所述硅片的侧边平面图像，并按指定时间间隔对准每一个硅片的放置位置，获取整个承载区域内硅片的侧边平面图像；

步骤S5：用图像特征识别算法，在图像标定位置区间分布区域，从每个侧边平面图像中提取识别对象的放置状态特征，判断相应硅片是否存在斜片、叠片和/或空片的异常状态；如果没有异常状态，执行步骤S7；否则，执行步骤S6；

步骤S6：报警并等待人工处置或者按规定处置；

步骤S7：结束。

具体地，请参阅图13，图13为本发明实施例中硅片和承载器的位置关系参数示意图。如果设定硅片厚度值d，示教基准位置为d/2，相邻硅片间间距为s，承载器3的支撑部件的厚度为t。

针对每一个识别位置，图像传感单元5根据其示教位置参数，自上而下进行运动拍照扫描，在每一个已标定位置用图像特征识别算法(如选择硅片边缘为特征提取点)，提取识别对象的分布特征，如果无硅片则特征提取返回空，计算识别对象的在Y方向最高点和最低点坐标位置差值，求得识别对象的厚度，比对理论设定数据，存在如下的状态分类如下表1所示：

表1

从上述表1中可以看出，如对于斜片情况，在运动扫描区域[2*(d+d*1/3),S-d*1/3]范围内，如果出现检测结果中深灰色区域的宽度>＝d，那么就可以断定该相应位置上出现了斜片现象，如果出现检测结果中深灰色区域的的宽度<0.1d，那么就可以断定该相应位置上没有出现斜片现象，如果出现检测结果中深灰色区域的宽度不在上述两个情况范围，那么控制单元可以向报警单元发出提醒信息或发出再次执行检测的信息，直到获取所有硅片放置位置扫描结果，如有异常位置则给出指定位置异常的报警提示，等待人工处置或者按规定处置。

此外，由于执行硅片斜片、叠片和/或空片异常的单侧扫描时，采用多个图像传感器同时诊断硅片在承载区突出异常的分布状态情况，因此，可以实现在承载器3的侧边周围设置多个检测位置，在每一个检测位置执行一次步骤S3、S4和S5的操作，得到一组相应的检测结果；最后将多组检测结果进行与运算，得到最终的硅片斜片、叠片和/或空片的异常状态分布，即可以对硅片在圆周上的分布状态进行更详细的检测。

此外，再请参阅图8，在最后得到是否存在斜片、叠片和/或空片的检测扫描结果后，可以进行工艺的判断步骤，该步骤的具体流程步骤已在图8中呈现，在此不再赘述。

虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本发明。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。

Claims (13)

1.一种组合式半导体热处理设备的硅片承载区扫描方法，其特征在于，在位于硅片承载器圆周侧边的移动单元上，设置两个光电传感器/超声波传感器；所述光电传感器/超声波传感器分别位于所述移动单元上相距一预设距离的位置，并随移动单元垂直和水平运动；图像传感单元固设于所述承载器侧周正对硅片支撑结构无遮挡的位置，其包括多个图像传感器，在一个水平面上布设形成多个扫描检测点；所述方法包括：

步骤S1、设定移动单元运动扫描初始化参数并执行初始化；其中，所述运动扫描初始化参数包括机械手水平和/或垂直扫描运动速度，硅片的间隔距离、每一次机械手水平步进距离、水平起始点位置及终止点位置和上/下垂直起始点位置及终止点位置；

步骤S2、所述两个光电传感器/超声波传感器设置在互接收模式和/或自接收模式，执行硅片凸片的异常状态预扫描和循环扫描指令；其中，预扫描指令用于识别硅片组中是否有硅片凸出和凸出最多的硅片，循环扫描指令用于在预扫描结果显示有硅片凸出时，识别整个硅片组中硅片的凸出异常状态分布；

步骤S3：预设所述承载器的运动速度，以及所述图像传感单元的坐标位置，并计算所述图像传感单元的坐标位置与基准位置的坐标差值；

步骤S4：所述图像传感单元根据所述承载器的移动速度和坐标差值，将随所述承载器移动至其坐标位置的第一个放置硅片的位置作为起始采集位置；沿硅片放置的平行方向拍摄所述硅片的侧边平面图像，并按指定时间间隔对准每一个硅片的放置位置，获取整个承载区域内硅片的侧边平面图像；

步骤S5：用图像特征识别算法，在图像标定位置区间分布区域，从每个所述侧边平面图像中提取识别对象的放置状态特征，判断相应硅片是否存在斜片、叠片和/或空片的异常状态；如果没有异常状态，执行步骤S7；否则，执行步骤S6；

步骤S6：报警并等待人工处置或者按规定处置；

步骤S7：结束。

2.根据权利要求1所述的扫描方法，其特征在于，所述两个光电传感器/超声波传感器设置在互接收模式，所述步骤S2具体包括如下步骤：

步骤S21：所述移动单元定位对应于所述承载器第一个放置硅片的垂直起始点和水平起始点位置；

步骤S22：根据两个所述光电传感器/超声波传感器间相互发射和接收光信号的反馈值接收时间随遮挡范围产生强度上的变化，判断相应位置的硅片是否存在凸片的异常状态；如果是，执行步骤S25；否则，执行步骤S23；

步骤S23：所述移动单元依序下降或上升一个硅片的间隔距离，先判断所述位置是否是上/下垂直终止点位置；如果是，执行步骤S24；否则，执行步骤S22；

步骤S24：所述移动单元沿所述承载区中心方向前进一个预设的水平步进距离，判断所述位置是否是水平终止点位置；如果是，执行步骤S3；否则，执行步骤S22；

步骤S25：发出凸片异常报警信息，继续执行步骤S23。

3.根据权利要求1所述的扫描方法，其特征在于，所述步骤S2具体包括如下步骤：

步骤S21′：所述移动单元定位对应于所述承载器第一个放置硅片的垂直起始点和水平起始点位置，并将两个所述光电传感器/超声波传感器的工作模式设置成自接收模式；

步骤S22′：根据光电传感器/超声波传感器各自沿硅片层叠的垂直方向发射和接收光信号的时间差和预定的判断规则，判断硅片是否存在突出规定位置的异常状态，如果是，执行步骤S24′；否则，执行步骤S23′；

步骤S23′：所述移动单元沿所述承载区中心方向前进一个预设的水平步进距离，判断所述位置是否是水平终止点位置；如果是，执行步骤S24′；否则，执行步骤S22′；

步骤S24′：测量阻挡光束传播路径上障碍物距离，得到存在突出状态硅片的位置参数，发出凸片异常报警信息，执行步骤S25′；

步骤S25′：所述移动单元定位下降至所述存在突出状态硅片的位置；将所述光电传感器/超声波传感器的工作模式转换成互接收模式，判断所述位置是否是上或下垂直终止点位置；如果是，所述移动单元沿所述承载区中心方向前进一个预设的水平步进距离，执行步骤S27′；如果不是，执行步骤S26′；

步骤S26′：所述移动单元依序下降或上升一个硅片的间隔距离；

步骤S27′：根据两个所述光电传感器/超声波传感器间相互水平发射和接收光信号的反馈值接收时间随遮挡范围产生强度上的变化，判断相应位置的硅片是否存在凸片的异常状态；如果是，执行步骤S29′；否则，判断所述位置是否是上/下垂直终止点位置；如果不是，执行步骤S26′；如果是，执行步骤S27′；

步骤S28′；所述移动单元沿所述承载区中心方向前进一个预设的水平步进距离，判断所述位置是否是超出水平终止点位置；如果是，执行步骤S3；否则，执行步骤S27′；

步骤S29′：发出凸片异常报警信息，继续执行步骤S26′。

4.根据权利要求1、2或3所述的扫描方法，其特征在于，所述承载器或所述移动单元包括转动单元，所述转动单元使所述移动单元围绕所述承载器作相对旋转运动，且在整个所述承载器侧周上具有N个旋转检测停止位置，在每一个检测位置执行一次所述步骤S2，得到一组相应的检测结果；最后将N组检测结果进行与运算，得到最终的硅片凸片的异常状态分布，其中，N为大于等于2的正整数。

5.根据权利要求4所述的扫描方法，其特征在于，所述N个位置中相邻两个位置的间隔角度相同，选择设定如下：

A.当(360°/设定旋转角度)的余数＝0时：

累计检测位置数目＝360°/设定旋转角度

实际旋转角度＝设定旋转角度

B.当(360°/设定旋转角度)的余数≠0时：

累计检测位置数目＝(360°/设定旋转角度)取整(舍去小数点后)+1

实际旋转角度＝360°/累计检测位置数目

如果由起始点和设定旋转角度生成的检测位置坐标值与所述承载器支撑点的坐标位置冲突，则需重新设定起始点和旋转角度值。

6.根据权利要求1所述的扫描方法，其特征在于，所述步骤S1中，所述移动单元沿水平方向每次移动水平步进距离相等或逐渐减小；且所述水平起始位置与硅片处于跌落极限位置时的位置相关，所述水平终止点位置与承载器的支撑结构参数和相关。

7.根据权利要求1所述的扫描方法，其特征在于，所述步骤S4中的识别对象的放置状态特征为单个硅片侧面图像边缘的分布特征，在图像标定位置区间分布区域，通过计算硅片左右边缘在Y方向最高点和最低点坐标位置差值，求得识别对象的厚度，并根据识别对象的厚度，判断相应硅片是否存在斜片、叠片和/或空片的异常状态。

8.根据权利要求1或7所述的检测方法，其特征在于，所述图像传感单元中的多个图像传感器均匀分布在整个所述承载器侧周的水平面上，选择设定如下：

A.当(360°/设定间隔角度)的余数＝0时：

累计检测位置数目＝360°/设定间隔角度

实际间隔角度＝设定间隔角度

B.当(360°/设定间隔角度)的余数≠0时：

累计检测位置数目＝(360°/设定间隔角度)取整(舍去小数点后)+1

实际间隔角度＝360°/累计检测位置数目

如果由旋转起始点和设定间隔角度生成的检测位置坐标值与所述承载器支撑点的坐标位置冲突，则需重新设定起始点和间隔角度值。

9.根据权利要求8所述的检测方法，其特征在于，所述，所述多个图像传感器得到多组相应的检测结果；最后将多组检测结果进行与运算，得到最终的硅片分布状态异常情况结果。

10.一种实现权利要求1～9任一所述的组合式半导体热处理设备的硅片承载区扫描方法的装置，其特征在于，包括：

光电扫描单元/超声波传感单元，设置于在所述承载器的圆周侧边的移动单元上，并随所述移动单元移动，在水平和/或垂直预设方向进行移动并执行扫描检测，其包括两个光电传感器/超声波传感器，所述光电传感器/超声波传感器分别位于移动单元上相距一预设距离的位置；

图像传感单元，包括多个图像传感器，在一个水平面上分布固设于所述承载器的侧周正对硅片支撑结构无遮挡的位置，用于根据所述承载器移动速度和坐标差值，将移动至其坐标位置的第一个放置硅片的位置作为起始采集位置，沿硅片放置的平行方向拍摄所述硅片的侧边平面图像，并按指定时间间隔对准每一个硅片的放置位置，获取整个承载区域内硅片的侧边平面图像；其中，所述坐标差值为所述图像传感单元的坐标位置与基准位置的差值；

控制单元，用于设置所述光电扫描单元/超声波传感单元的工作模式，启动检测并处理获得的光电/超声波强度分布情况结果，得到所述硅片在承载器上的凸片异常状态分布情况；和用于启动检测并处理图像传感单元水平拍摄的所述硅片组中每片硅片放置状态的侧边平面图像；并根据提取的层叠位置区域和放置状态特征，得到所述硅片在承载器上的异常状态分布情况；其中，所述的异常状态包括硅片斜片、叠片和/或空片的状态；以及

报警单元，与所述控制单元连接，所述控制单元根据异常状态分布情况控制所述报警单元的启闭。

11.根据权利要求10所述的装置，其特征在于，在进行检测时，所述图像传感单元中的多个图像传感器均匀分布在整个所述承载器侧周的水平面上，选择设定如下：

A.当(360°/设定间隔角度)的余数＝0时：

累计检测位置数目＝360°/设定间隔角度

实际间隔角度＝设定间隔角度

B.当(360°/设定间隔角度)的余数≠0时：

累计检测位置数目＝(360°/设定间隔角度)取整(舍去小数点后)+1

实际间隔角度＝360°/累计检测位置数目

如果由起始点和设定间隔角度生成的检测位置坐标值与所述承载器支撑点的坐标位置冲突，则需重新设定起始点和间隔角度值。

12.根据权利要求10所述的装置，其特征在于，还包括转动单元，用于驱动所述承载器作相对于所述移动单元做旋转和/或定位的运动，或驱动所述移动单元相对所述承载器做旋转和/或定位的运动。

13.根据权利要求10、11或12所述的装置，其特征在于，所述的移动单元为机械手，所述一预设距离为机械手U型端间的距离。