CN1201449C - 发光元件的安装方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种发光元件的安装方法。在本方法中使用输送开口夹从托盘取出半导体激光元件输送并放置在合位台上。再用图像检测器观测半导体激光元件的隆起部的位置和方位，并测定相对于合位台上的基准线和基准点半导体激光元件的X、Y方向的位置偏差以和X-Y平面内的方位θ的偏差。根据测出的X、Y方向的位置偏差和在X-Y平面内的转动方向θ的偏差，向输送开口夹的驱动装置发出控制信号，驱动输送开口夹，修正在合位台上的半导体激光元件的位置。然后把修正了位置和方位的半导体激光元件保持在输送开口夹上并在规定方位只移动规定距离，输送并放置在散热部件的安装面上。

Description

发光元件的安装方法
技术领域
本发明涉及在透明基片上形成的半导体激光元件，发光二极管等的发光元件的安装方法。更具体地说，涉及为正确地把发光元件的发光点定位在规定位置而把发光元件在安装部件上定位安装的方法。
背景技术
半导体激光元件、发光二极管等发光元件，由于是芯片状的发光元件，本身体积小，而要防止外力的影响，而从安装方面和使用方面的理由出发，通常是将所述的元件安装在比发光元件本身大的保持部件或安装部件上以后，再安装到设备上。并且因发光元件本身是发热体，必须进行散热。
根据这些理由，发光元件大多在安装在辅助固定件或散热部件的状态下使用。
现有技术中所用的安装部件的安装面，例如在散热部件，辅助固定件和LOP(Laser on Photodiode激光二极管)等的安装面上安装发光元件时，以发光元件的外形轮廓或电极图形或在附加在发光元件上的记号为基准点或基准线，用目视的方式使发光元件与安装部件的基准位置相吻合，给发光元件定位并固定。例如在发光元件的隆起带的构造的旁边设置十字形的记号，并以此为基准点。
在此，列举把半导体元件安装在散热部件上的例子，说明现有技术的发光元件的安装方法。
首先，参照图5，说明安装半导体元件时使用的安装装置。安装装置10，如图5所示，包括：具有X-Y平面的合位台12、输送开口夹14、图像检测器16。
合位台12相对于安装半导体激光元件C的散热部件(图中未表示)设定在规定方位离开规定距离的位置。
输送开口夹14，从使多个芯片状的半导体激光元件C形成直线对中的托盘或薄板18上一个一个地吸附保持着半导体激光元件C，输送并放置到合位台12上。
另外，输送开口夹14在吸附，保持半导体激光元件C在合位台12上的同时，由驱动机构(图中未表示)驱动，在合位台12上的X、Y方向和θ方向自由移动，对半导体激光元件C的位置和方位进行调整。
图像检测器16，例如是CCD相机，识别设在半导体激光元件C上的记号或外形轮廓，检测在合位台上的X-Y平面上的基准点和基准线与半导体激光元件C的X-Y平面上的位置和方位θ之间的偏差。
然后，图像检测器16，向输送开口夹14的驱动装置传送位置和方位的偏差信息，驱动输送开口夹14，修正半导体激光元件C的位置和方向的偏差。
输送开口夹14吸附住修正了位置和方位偏差的半导体激光元件C，使其在规定方向只移动规定的距离后，放置在安装部件上。
以下，参照图5，说明使用上述的安装装置10把半导体激光元件C安装在散热部件上的安装方法。
首先，使用输送开口夹14一个一个地从形成直线对中的多个芯片状的半导体激光元件C的托盘或薄板18上取出半导体激光元件C，输送并放置在合位台12上。
然后，用图像检测器16观测设在半导体激光元件C上的记号或外部轮廓，并测定半导体激光元件C相对于合位台12上的基准线的位置偏差、也即X方向和Y方向的位置偏差和在X-Y平面内的转动方向，即方位(θ)的偏差。
根据测出的X方向和Y方向的位置偏差和在X-Y平面内的转动方向(θ)的偏差，向输送开口夹14的驱动装置(图中未表示)发出控制信号，驱动输送开口夹14，修正在合位台12上的半导体激光元件C的位置。
然后，把位置和方位修正好的半导体激光元件C保持在输送开口夹14上，输送到散热部件的安装面上。
由于安装半导体激光元件C的散热部件被预先定位在只离开从合位台12到规定方位的规定距离的位置，所以可以使半导体激光元件C在散热部件安装面上处于输送状态正确地定位。
接着，把半导体激光元件C固定在散热部件上。
但是，把半导体激光元件在散热部件等的安装部件上定位时，最重要的是正确确定半导体激光元件相对安装部件的发光点的位置。
然而，现有的安装上述发光元件的方法，在这方面存在以下问题。
第一个问题是，以设在半导体激光元件的合位用记号为基准对半导体激光元件进行合位时，在记号与半导体激光元件的发光点的合位精度不一致时，不能相对散热部件在半导体激光元件的发光点以高位置精度进行定位。
而且，把记号相对发光点进行较严格地定位这项工作，因目前还相当困难，因此很难提高半导体激光元件的安装精度。
另外，把记号设在半导体激光元件上时，如果可以用与隆起带构造的成形用记号同样的记号形成隆起带构造和记号，那么就可以形成相对于隆起带构造精度高的合位用的记号。但是目前这个不一定容易进行。
换言之，即使用同样记号形成了记号和隆起带构造，也有时会发生记号图形全部损坏。这样，把发光点相对安装部件在高位置精度进行合位，在安装部件上安装半导体激光元件就困难了。
另外，即使在半导体激光元件上设置了记号，当把半导体激光元件片安装在辅助固定件以后，以辅助固定件的记号为基准在散热部件上安装时，不能进行高精度的安装。
第二个问题是，由于半导体激光元件的外形轮廓和尺寸精度较差，所以即使以半导体激光元件的外形轮廓为基准在安装部件上进行合位，也很难提高相对安装部件的半导体激光元件的发光点的合位精度。
特别是在兰宝石基片上形成GaN系列半导体激光元件时，把在晶片上形成的多个半导体激光元件进行片状处理时，晶片由于缺乏劈开性，所以使劈开后芯片化的处理进行困难，而使用蚀刻和刻模方法进行芯片处理。其结果，芯片状的外形轮廓比规定的轮廓偏差大，使得以片状外形轮廓作基准与安装部件位置吻合时其合位精度差。
第三个问题是，在吻合半导体激光元件位置时需要花费时间。
以上的说明是以半导体激光元件为例进行的，由于这些问题也是与端面发光型发光二极管安装的相关问题，所以成为全部发光元件的安装问题。另外，在发光二极管的情况下，虽因发光区域比较广阔，而不象在半导体激光元件确定发光点的规定位置那样严密，但只有程度的差别，所以在定位时也存在同样的问题。
发明内容
在此，本发明的目的是提供一种把发光元件安装在安装部件上时，相对安装部件以高精度定位发光点的位置的发光元件的安装方法。
为此，本发明一方面提供一种发光元件的安装方法，是把在透明基片上形成的发光元件安装在安装部件上的方法，其特征在于，包括以下步骤：
将发光元件放置在相对安装部件以规定的位置关系配置的合位台上；
把至少一个电极的边缘作为基准线，测量相对合位台上的基准线的元件基准位置偏差和方位偏差；
根据测量出的元件基准线的位置偏差和方向偏差，修正合位台上发光元件位置和方位；
使安装部件和合位台的位置关系吻合，使修正了位置和方位的发光元件在安装部件上移动后，在安装部件上定位。
本发明另一方面提供一种半导体激光元件的安装方法，是把在透明基片上形成的半导体激光元件安装在安装部件上的方法，其特征在于，包括以下步骤：
将半导体激光元件放置在相对安装部件以规定的位置关系配置的合位台上；
把所述半导体激光元件的隆起部作为基准线，测量相对合位台上的基准线的元件基准位置偏差和方位偏差；
根据测量出的元件基准线的位置偏差和方向偏差，修正合位台上半导体激光元件位置和方位；
使安装部件和合位台的位置关系吻合，使修正了位置和方位的半导体激光元件在安装部件上移动后，在安装部件上定位。
本发明再一方面提供一种半导体激光元件的安装方法，是把在透明基片上形成的半导体激光元件安装在安装部件上的方法，其特征在于，包括以下步骤：
使半导体激光元件的一个电极相对安装部件以规定的位置关系配置的导电性合位台相接触后使半导体激光元件放置在合位台上；
接着，通过合位台给半导体激光元件的电极之间通电，使半导体激光元件的隆起部正下面的活性区域发出亮线状的光；
测量合位台相对基准线隆起部正下面的亮线的位置偏差和方位偏差；
根据测量出的隆起部正下面的亮线的位置偏差和方位偏差，修正合位台上半导体激光元件的位置和方位；
使安装部件和合位台的位置关系吻合，使修正了位置和方位的半导体激光元件在安装部件上移动后，在安装部件上定位。
本发明又一方面提供一种GaN系列发光元件的安装方法，是把在透明基片上形成的GaN系列发光元件安装在安装部件上的方法，其特征在于，包括以下步骤：
将GaN系列发光元件放置在相对安装部件以规定的位置关系配置的合位台上；
把所述透明基片内可识别区域的直线边缘部作为基准线，测量相对合位台上基准线的元件基准线的位置偏差和方位偏差；
根据测量出的元件基准线的位置偏差和方位偏差，修正合位台上GaN系列发光元件的位置和方位；
使安装部件和合位台的位置关系吻合，通过使修正了的位置和方位的GaN系列发光元件在安装部件上移动，确定在安装部件上的位置。
本发明又一方面提供一种GaN系列发光元件的安装方法，是把在透明基片上形成的GaN系列发光元件安装在安装部件上的方法，其特征在于，包括以下步骤：
将GaN系列发光元件放置在相对安装部件以规定的位置关系配置的合位台上；
把在所述透明基片上设置的化合物半导体层内可识别区域的直线边缘部作为元件基准线，测量相对合位台上基准线的元件基准线的位置偏差和方位偏差；
根据测量出的元件基准线的位置偏差和方位偏差，修正合位台上所述GaN系列发光元件的位置和方位；
使安装部件和合位台的位置关系吻合，通过使修正了的位置和方位的所述GaN系列发光元件在安装部件上移动，确定在安装部件上的位置。
本发明的构思是：如在兰宝石基片上形成的GaN系列半导体激光元件那样，在透明基片上形成半导体激光元件，由于从透明基片的里面可以识别隆起部(参照图12)，以此可以作为元件基准线进行定位。而且，在半导体激光元件上流过电流，使隆起部正下面的活性层如亮线那样发光，从透明基片侧识别，以此作为元件基准线确定位置。
另外，在透明基片上形成半导体激光元件，由于可以从透明基片的里面识别电极组的任一个电极的边缘，所以可以以此作为元件的基准线。
然后，通过实验确定其有效性，实现本发明。
本发明第一种方法
为达到上述目的，本发明基于上述观点的发光元件的安装方法(以下称第一方法)是把在透明基片上形成的发光元件安装在安装部件上的方法。包括以下步骤：
将发光元件放置在相对安装部件以规定的位置关系配置的合位台上；
当发光元件为半导体激光元件时，把隆起部作为元件基准线，当发光元件为发光二极管时，把电极组的任一个电极的边缘作为基准线，测量相对合位台上的基准线的元件基准位置偏差和方位偏差；
根据测量出的元件基准线的位置偏差和方向偏差，修正合位台上发光元件位置和方位；
使安装部件和合位台的位置关系吻合，使修正好位置和方位的发光元件在安装部件上移动后，在安装部件上定位。
本发明第二种方法
在发光元件是半导体激光元件时，更好的方法是通电使隆起部正下面的活性区域发出亮线状的光，把发光的隆起部正下面的亮线作为元件的基准线(以下，称第二方法)。
第二方法是把在透明基片上形成的发光元件安装在安装部件上，当发光元件为半导体激光元件时，包括以下步骤：
使半导体激光元件的一个电极相对安装部件以规定的位置关系配置的导电性合位台相接触后使半导体激光元件放置在合位台上；
接着，通过合位台给半导体激光元件的电极之间通电，使半导体激光元件的隆起部正下面的活性区域发出亮线状的光；
测量合位台相对基准线隆起部正下面的亮线的位置偏差和方位偏差；
根据测量出的隆起部正下面的亮线的位置偏差和方位偏差，修正合位台上半导体激光元件的位置和方位；
使安装部件和合位台的位置关系吻合，使修正好位置和方位的发光元件在安装部件上移动后，在安装部件上的定位。
所谓第一方法的透明基片，是指可以透过可见光和可见光的一部分波长的光的基片，如兰宝石基片，GaN基片等。
所谓第二方法的透明基片，是指可以透过可见光和可见光的一部分波长的光的基片和透过由半导体激光元件发出的激光的透明基片，如兰宝石基片、GaN基片等。
第一方法适用于只要在透明基片上形成的发光元件的叠层构造是透明的，但不受叠层构造的化合物半导体层的组成和膜厚的限制的情况。第二方法适用于只要是在透明基片上形成的发光元件，但不受叠层构造的化合物半导体层的组成和膜厚的限制。
在第一和第二方法中，所谓隆起部是在构成共振器构造的叠层构造上作为电流狭窄构造的带状设置的隆起部。确切地说如图12所示，把电极作为最上层，特别是在电极的实效区域宽度S受到绝缘膜限制时，是指把受到限制的实效区域内的电极作为最上层而在叠层构造上设置的隆起部，不包括在电极上设置的引出电极(焊接电极)的形成区域。隆起部的宽度，也就是电极有效区域的宽度为1μm到3μm的程度，在检测位置偏差时可以从形状上以线进行识别。
隆起部正下面的亮线，如图12所示，产生设在半导体激光元件的叠层构造内的活性层的隆起部正下面区域，基本上产生把有效的区域投影在活性层的区域。
第三方法
本发明的第三方法，特别是涉及GaN系列的发光元件的安装方法。
在兰宝石基本上形成GaN系列的半导体激光元件时，为使在兰宝石基片上的GaN层很好地生长，多采用横向生长法(ELO Epitaxial LateralOvergrowth)。作为这种方法大致有以下两种，即例如在特开2001-196699号公报中描述的适用于先形成籽晶部，然后再横向生长的方法，和例如在特开平10-312971号公报中描述的适用于先形成掩模，然后再横向生长的方法。
(1)第三方法的第一背景
在兰宝石基片32上形成半导体激光元件28时，在形成籽晶的横向生长法中，首先，如图6所示，在兰宝石基片30上形成以18μm到20μm为间距(p)的，6μm宽(w)的多个籽晶部32。
然后，在籽晶部32上用横向生长法使GaN体层34生长，再形成在GaN体层34上由多层GaN系列化化物半导体层构成的台面构造的叠层构造36和电极38、40。在本例中，由于一个GaN系列半导体激光元件28的宽度W约为400μm，所以可以在兰宝石基片32上形成20到25根籽晶部。
GaN系列半导体激光元件的隆起部42，如图6所示，相对于籽晶部32在高位置精度定位，在籽晶部32之间形成。另外，隆起部42把发光点的位置规定在正下方的活性区域，而且相对籽晶部32正确地定位，换句话说，籽晶部32相对发光点有正确的位置关系。
另外，由于兰宝石基片30和叠层构造36是透明的，所以在GaN系列半导体激光元件28形成以后，很容易从外部用肉眼判定在兰宝石基片30上形成的籽晶部32。
在此，本发明考虑到与在第一方法和第二方法的隆起部或电极的边缘部同样，可以把该籽晶部32作为GaN系列半导体元件28的元件基准线。
在GaN体层生长时，首先，如图7(a)所示，在兰宝石基片上使GaN层44生长，再如图7(b)所示，通过把GaN层44和兰宝石基片30的上层用蚀刻方式周期性地形成槽的方式设置例如带状的籽晶部32。
接着，如图7(c)所示，采用横方向生长法使GaN体层34′生长，并把籽晶部32埋入的同时使之向上方生长，如图7(d)所示，形成GaN体层34。另外，GaN体层34′表示横向生长过程中的生长层。另外，46表示在GaN体层34和兰宝石基片30之间形成的空隙。
由于兰宝石基片是透明的，所以可以从基片里面识别籽晶部32。另外，籽晶部32可以形成任意形状，例如可以是带状，阵点散布的圆形或多角形的圆点，或者也可是把相同形状的图形有规律地间隔地排列的形状。
(2)第三方法的第二背景
参考上所公开的发明，参照图8，大致说明掩模形成的横向生长法在GaN层生长的适用例。
首先，如图8(a)所示，在兰宝石基片52上作为掩模形成层使GaN层54生长。然后，通过光刻处理和蚀刻加工在GaN层54的表面形成限制生长区域的掩模56。生长区域和掩模的带宽约为0.1μm到10μm左右，掩模的厚度约为10nm到2μm的程度。
掩模形成层是与兰宝石基片52不同物理性质的东西，而且在使与在兰宝石基片52上生长的III-V族化合物半导体层的阵点数和热胀系数相似的III-V族化合物半导体层，例如在兰宝石基片52上的GaN层生长时，形成与GaN层或GaN的阵点数和热胀系数相似的III-V族化合物半导体层。
然后，通过掩模56，在GaN缓冲层54上使GaN层58外延生长。在GaN层58的生长初期阶段，如图8(b)所示，使GaN层58不在掩模56上生长，仅在掩模图形间的生长区域发生结晶生长，在生长区域上的GaN层58上形成晶面构造。
进而，在接着进行GaN层58的外延生长时，为使GaN层58继续在晶面构造的面的垂直方向上生长，不仅覆盖生长区域，也覆盖掩模56生长。然后，如图8(c)所示，与邻接生长区域的GaN层58的晶面构造接触。
然后，在接着进行外延生长时，如图8(d)所示，GaN层54的晶面构造埋入，最终，如图8(e)所示，形成有良好结晶性的平坦表面的GaN层58。
用这种方法制作的半导体激光元件60，如图9所示，除了把掩模56埋入GaN层内之外，还具备与半导体元件28相同的结构。
即是，半导体激光元件60具备在掩模56上把GaN层58作为接触层的GaN系化合物半导体层的叠层构造36，在叠层构造36上具备电极38，在GaN层58的露出层上具备电极40。在本例中，一个GaN系列半导体激光元件60的宽度W约为400μm，所以在掩模宽度和掩模间隔分别为2μm和5μm时，在兰宝石基片52上形成大约50～60条掩模56。
与通过从籽晶部32的横向生长法使GaN层34生长的场合可以识别籽晶部32一样，如果掩模形成层是GaN层，就可以通过透明的兰宝石基片52，从叠层构造侧或基片里面对掩模56或确切地说对掩模56的边缘进行识别。另外，隆起部42相对掩模56可以进行高精度的定位。
另外，掩模可以形成任意形状，例如可以是带状，使阵点散布的圆形或多角形的圆点，或者也可以是把相同形状的图形有规律地间隔排列的形状。
在第三方法的第一和第二背景下，以由兰宝石基片上生长的GaN系列化合物半导体层构成的半导体激光元件为例进行了说明，基片不限于兰宝石基片，即使在GaN基片上使GaN层生长时通过形成籽晶部或掩模，再进行横向生长也往往使结晶性的GaN层良好地生长。
(3)第三方法的第三背景
在制作GaN基片时，往往在GaN基片上，可以不规则地形成由从基片表面或基片里面可以识别的裂纹和结晶缺陷的高密度区域等构成的带状或圆点状的区域(以下，称为基片内可识别区域)。
例如，如图10所示，圆点状的基片内可识别区域64不规则地在GaN基片66内散布时，把与两个基片内可识别区域64的边缘相接并延长的辅助线68作为记号，可以同样使用籽晶部和掩模。另外，在基片内可能识别区域为带状时，也可以把基片内可识别区域的直线边缘(图中未表示)作为记号(元件基准线)。
另外，隆起部42由于可以相对基片内可识别区域64正确定位，因此辅助线68相对发光点有正确的位置关系。
图10(a)和图10(b)分别是GaN基片的平面图和图10(a)中I-I线的剖面图。
本发明考虑到在基片内存在可能识别的区域(以下，称为基片内可识别区域)，把基片上设置的籽晶部或掩模作为记号使用这个结果，实验的结果也证明了这是有效的。达到了本发明的目的。
另外，本发明的发光元件另一个安装方法(以下，称第三方法)是把在透明基片上形成的GaN系列发光元件安装在安装部件上的方法，包括以下步骤：
将发光元件放置在相对安装部件以规定的位置关系配置的合位台上；
把基片内可识别区域的直线边缘部或在基片上设置的化合物半导体层内的可识别区域的直线边缘部作为基准线，测量相对合位台基准线的元件基准线的位置偏差和方位偏差；
根据测量出的元件基准线的位置偏差和方位偏差，修正合位台上发光元件的位置和方位；
使安装部件和合位台的位置关系吻合，使修正过的位置和方位的发光元件在安装部件上移动，使其定位在安装部件上。
第三方法的透明基片是指可以透过可见光和可见光的一部分波长的光的基片，例如是兰宝石基片、GaN基片等。
在第一到第三这三种方法中，不限于相对合位台的基准线测量元件基准线的位置偏差和方位偏差，例如可以使用图像检测器对由隆起部、电极的边缘、隆起部正下方的亮线、籽晶部、或掩模形成的元件进行摄像，对照由预先设定的隆起部、电极的边缘、隆起部正下方的亮线、籽晶部或掩模形成的元件基准线的图像识别图形与拍摄下的隆起部、电极的边缘、隆起部正下方的亮线、籽晶部、掩模的元件基准线的图像，也能求出相互的偏差。
在从第一到第三的本发明的三种方法中，在基于测量出的元件基准线的位置偏差和方位偏差修正合位台上的发光元件的位置和方位的步骤中，通过移动发光元件来修正位置和方位。
另外，也可以通过移动合位台来修正发光元件的位置和方位。其中，当移动合位台时，为了保持合位台和安装部件之间的相对位置关系，也同样需要移动安装部件的位置和方位。
在从第一到第三的本发明的三种方法中，所谓发光元件是指半导体激光元件，发光二极管等；所谓安装部件是指安装发光元件的部件，如辅助固定件，散热部件、LOP(激光二极管)等。
第一到第三的本发明的三种方法适用于例如把半导体激光元件安装在辅助固定件、散热部件的场合和把半导体激光元件安装在光电二极管上制作LOP(激光二极管)的场合。另外，也适用于把安装在辅助固定件上的半导体激光元件、发光二极管等发光元件安装在散热部件的场合。
由于隆起部和电极的边缘都是按照设计制作布线图形而形成的，所以其尺寸精度比发光元件外形轮廓要高得多。
在第一方法中，由于不用另外方式形成记号，而作为构成发光元件的要素制作在发光元件上，没有必要与发光点合位，并且因为本来就以相对发光点保持正确的位置关系的隆起部或边缘部为基准线合位，所以可以以发光点作为基准很正确地将发光元件定位在安装部件上。
在第二方法中，由于不用另外方式形成记号，使由本来作为构成半导体激光元件要素形成的隆起部正下方的活性区域组成的区域实际发光成亮线状，作为元件基准线使用，所以与第一方法相比，更容易识别元件基准线。
在第三方法，没有必要在发光元件作记号时与发光点位置吻合，并且，把相对发光点保持正确位置关系的籽晶部、掩模、基片内可识别区域等的特定部位作为元件基准线合位，因此可以以发光点为基准，非常正确地把发光元件定位在安装部件上。
附图说明
图1是说明按实施例1的方法把半导体激光元件安装在散热部件上的安装方法的立体图；
图2是实施实施例3的方法时使用的安装装置的一个标准结构例的立体图；
图3(a)和图3(b)分别是按实施例3把半导体激光元件安装在散热部件上的各工序的立体图；
图4(c)和图4(d)分别是接着图3(b)，按实施例3把半导体激光元件安装在散热部件上的各工序的立体图；
图5是使用现有技术的安装方法安装装置的一个标准结构例的立体图；
图6是表示GaN系列半导体激光元件构成的剖面图；
图7(a)～图7(d)分别是表示形成籽晶，接着把GaN层向横向生长时的各项工序的剖面图；
图8(a)～图8(e)分别是表示形成掩模，接着把GaN层向横向生长时的各项工序的剖面图；
图9是表示使用形成掩模，接着使用横向生长法使GaN层生长的叠层构造的半导体元件结构的剖面图；
图10(a)、图10(b)分别是GaN基片的平面图和图10(a)中I-I线的剖面图；
图11是表示GaN系列发光二极管的一个构成例的剖面图；
图12是表示隆起部和隆起部正下方的亮线区域的剖面图。
具体实施方式
以下，参照附图，列举实施例具体详细地说明本发明的具体实施方式。
实施例一
本实施例，适用于把半导体激光元件安装在散热部件上，是采用第一方法安装发光元件的实施方式的例。图1是说明按本实施例把半导体激光元件安装在散热部件上的安装方法的立体图。
在本实施例的方法中，使用如图5所示的安装装置把半导体激光元件C定位、安装在散热部件H上。
首先，如图1所示，使用输送开口夹14一个一个地从形成直线对中的多个芯片状的半导体激光元件C的托盘18上取出半导体激光元件C，输送并放置在合位台12上。
然后，把半导体激光元件C的隆起部(图6的42)作为吻合的元件基准线，用图像检测器16观测隆起部的位置和方位，并测定半导体激光元件C相对于合位台12上的基准线和基准点的位置偏差、也即X方向和Y方向的位置偏差和在X-Y平面内的转动方向或方位(θ)的偏差。
根据测出的X方向和Y方向的位置偏差和在X-Y平面内的转动方向(θ)的偏差，向输送开口夹14的驱动装置(图中未表示)发出控制信号，驱动输送开口夹14，修正在合位台12上的半导体激光元件C的位置。
然后，把修正了位置和方位的半导体激光元件C保持在输送开口夹14上，在规定的方位移动规定的距离，再输送并放置在散热部件H的安装面上。
由于安装半导体激光元件C的散热部件预先定位在从合位台12到规定方位只离开规定距离的位置，所以可以在使半导体激光元件C放置在散热部件H的安装面上的状态下使发光点相对散热部件正确定位。
接着，把半导体激光元件C固定在散热部件上。
在实施例一中，由于把发光点的正上面的隆起部作为半导体激光元件C的记号，即基准线，因此不会发生在现有技术中因半导体激光元件的发光点和记号的位置吻合精度差而造成的半导体激光元件定位精度低的问题。
实施例一的变形例
本实施例，是实施例一的变形例，适用于把GaN系列发光二极管安装在散热部件上，是采用第一方法安装发光元件的实施例。图11是表示GaN系列发光二极管的一个构成例的剖面图。
GaN系列发光二极管一个例70，如图11所示，在兰宝石基片72上，包括：缓冲层74、n-GaN层76、GaN层78、p-AlGaN层80和p-GaN层82的叠层结构；p-GaN层82、p-AlGaN层80、GaN层78和n-GaN层76的上部层形成台面构造，在台面侧露出n-GaN层76。
在p-GaN层82上设置p侧电极84；在n-GaN层76的露出面上设置n侧电极86。
在发光二极管70上，可以利用p侧电极84或n侧电极86的边缘作为代替半导体激光元件28的隆起部42的直线的元件基准线。
在此，在本变形例，把发光二极管70安装在散热部件时，把p侧电极84或n侧电极86的边缘作为元件基准线利用，与实施例1同样，可以把发光二极管70安装在散热部件H上。
实施例二
本实施例适用于把在兰宝石基片上形成的GaN系列半导体激光元件安装在散热部件上，是第三方法的发光元件安装方法的实施例。
在半导体激光元件C是在兰宝石基片上形成的GaN系列半导体激光元件时，也可以，把所述图6的籽晶部36中的一个作为元件基准线替代隆起部观测元件基准线的位置和方位，测量相对合位台12上的基准线和基准点半导体激光元件C的位置偏差，即X方向和Y方向的位置偏差、X-Y平面内的转动方向或方位(θ)的偏差。
在实施例二中，由于把相对发光点在高精度定位的籽晶部36作为半导体激光元件C的记号，即元件基准线，因此不会发生在现有技术中因半导体激光元件的发光点和记号的位置吻合精度差而造成的半导体激光元件定位精度低的问题。
在实施例一和实施例二中，在使用图像检测器16测量相对合位台12的基准线元件基准线的位置偏差和方位偏差时，也可以使用图像检测器16对元件基准线进行摄像，对照预先设定的元件基准线的图像识别图形与拍摄下的元件基准线的图像，求出其偏差。
实施例二的变形例一
本实施例适用于把在兰宝石基片上形成的GaN系列半导体激光元件安装在散热部件上，是第三方法的发光元件安装方法的实施例二的变形例。
在半导体激光元件C是在通过掩模在兰宝石基片上形成的GaN系列半导体激光元件时，也可以替代籽晶部，把所述图9的掩模56的边缘作为元件基准线，观测掩模56的边缘的位置和方位，测量相对合位台12上的基准线和基准点半导体激光元件C的位置偏差，即X方向和Y方向的位置偏差，X-Y平面内的转动方向或方位(θ)的偏差。
实施例二的变形例二
本实施例适用于把在GaN基片上形成的GaN系列半导体激光元件安装在散热部件上，是第三方法的发光元件安装方法的实施例二的另一个变形例。
在半导体激光元件C是在具有基片内可识别区域的GaN基片上形成的GaN系列半导体激光元件时，也可以，把连接所述图10的两个基片内可识别区域64的边缘的假设直线68作为元件基准线替代籽晶部，观测元件基准线的位置和方位，测量相对合位台12上的基准线和基准点半导体激光元件C的位置偏差，即X方向和Y方向的位置偏差、X-Y平面内的转动方向或方位(θ)的偏差。
在实施例2、实施例2的变形例1和例2中，以半导体激光元件为例对第三方法进行了说明，但不限于半导体激光元件，只要是具有籽晶部、掩模、或基片内可识别区域的发光二极管，就可以把第三方法适用在这样的发光二极管上。
另外，在实施例二和实施例二的变形例一中，基片是兰宝石基片，但不限于兰宝石基片，也可以是在GaN基片上形成的籽晶部或掩模。
实施例三
本实施例适用于把半导体激光元件安装在散热部件上，是第二方法安装发光元件的实施例。图2是使用本实施例的方法时安装装置的一个标准结构例的立体图。
在本实施例的方法中，使用的安装装置20是除了用具有带X-Y平面且在导电性部件上形成的导电性合位台22，并具有导电性开口夹24和直流电源26的构成代替实施例1和2中使用的安装装置10中的合位台12，，而其余的都与实施例1和2中使用的安装装置10基本相同。
另外，在图2中，为了便于说明画出了两个合位台22，实际上在图像检测器16的前面仅有一个。
合位台22相对于安装半导体激光元件的散热部件H在规定方位只离开规定的距离。
导电性开口夹24可以吸附，保持在合位台22上放置的半导体激光元件C，而且可以由驱动装置(图中示表示)驱动自由移动，使在合位台上的半导体激光元件C在X方向、Y方向和θ方位移动。另外，导电性开口夹24，从在合位台22和导电性开口夹24之间设置的直流电源26通过合位台22和导电性开口夹24在半导体激光元件C上流过电流，使半导体激光元件C的隆起部正下面的活性区域发出亮线状的光。
图像检测器16，例如可以是CCD相机，可以检测发出亮线状的光的半导体激光元件C的隆起部正下方的活性区域，测量隆起部正下面的亮线的位置和方向，检测相对合位台22的X-Y平面上的基准点和基准线的半导体激光元件C的X-Y平面上的位置和方位θ的偏差。
接着，图像检测器16把偏差信息送到导电性开口夹24的驱动装置并驱动导电性开口夹24，修正半导体激光元件C的位置和方位的偏差。
另外，输送开口夹14吸附、输送修正好位置和方位偏差的半导体激光元件C，使其在规定方位只移动规定的距离，并放置在散热部件H上。
以下，参照图3和图4，说明按本实施例把半导体激光元件C安装在散热部件H的安装方法。图3(a)和图3(b)和图4(c)和图4(d)分别是按本实施例把半导体激光元件安装在散热部件上的各工序的立体图。
首先，如图3(a)所示，使用输送开口夹14从形成直线对中的多个片状半导体激光元件C的托盘18上一个一个地取出半导体激光元件C，输送并放置在合位台22上。即放置半导体激光元件C以使基片位于半导体激光元件C的最上部。
接着，如图3(b)所示，利用半导体激光元件C的外形轮廓，移动输送开口夹14对合位台22上的半导体激光元件C的位置和方位进行粗修正。
接着，如图4(c)所示，由导电性开口夹24保持在合位台22上的半导体激光元件C的同时实现电接触，通过导电性合位台22使电流从直流电源26流向半导体激光元件C并使半导体激光元件C的隆起部正下面的活性区域发出亮线状的光。
然后，通过基片用图像检测器16检测发光并可以出现亮线的隆起部正下面的活性区域，测定合位台22上的半导体激光元件C的X方向和Y方向的位置偏差和X-Y平面内的转动方向或方位(θ)的偏差。
根据测定出的X方向和Y方向的位置偏差，和X-Y平面内的转动方向(θ)的偏差，向导电性开口夹24的驱动装置(图中未表示)发出控制信号并使导电性开口夹24移动，对合位台22上的半导体激光元件C的位置进行精细修正。
另外，在图2和图4中，图像检测器16把图像检测器16的向光面向着半导体激光元件C的射出端面，但向光面的方向不限于此，也可以使便于检测发出亮线的隆起部正下面的活性区域那样确定向光面的方向来配置图像检测器16。
接着，用输送开口夹14保持完成了精细修正的半导体激光元件C，并把输送开口夹14在规定方位只移动规定距离，如图4(d)所示，放置在散热部件H的安装面上。
由于应该安装半导体激光元件C的散热部件H预先定位在从合位台22到规定方位只离开规定距离的位置，所以使半导体激光元件C在处于散热部件H的安装面上的输送状态下正确定位。
接着，把半导体激光元件C装在散热部件H的安装面上。
在实施例3中，也可以在使用图像传感器16测量相对合位台22的基准线隆起部下面的亮线的位置偏差及方位偏差时，用图像传感器16对隆起部下面的亮线进行摄像，然后对照设定的隆起部下面的亮线的图像识别图形和拍摄的隆起部下面亮线的图像，求出其偏差。
在实施例3中，由于把作为发光点的隆起部正下面的亮线本身作为半导体激光元件C的记号，即元件的基准线，因此不会发生在现有技术中因半导体激光元件的发光点和记号的位置吻合精度差而造成的半导体激光元件定位精度低的问题。
实施例3的改变例
在上述实施例3中，虽然固定合位台22后，通过导电性开口夹24调整合位台22上的半导体激光元件C的位置和方位，但不限于此，也可以使合位台22在X方向、Y方向和θ方位移动。
在此时，通过基板用图像传感器16观测隆起部正下方的亮线，以使隆起部正下方的亮线与事先设定好的图像识别图形一致的方式移动合位台22，调整合位台22的X方向、Y方向及θ方位。
另外，在使合位台22移动方式的场合，必需根据符合合位台22的移动量的要求来使散热部件H移动。
在实施例3的改变例中，也可以用玻璃等透明材料制作透明的合位台代替导电性合位台22，在合位台上面朝上放置半导体激光元件C，且在合位台的下面配置图像传感器16，在半导体激光元件C上通电，通过半导体激光元件C的基极和合位台用图像传感器16观测隆起部下面的亮线。
另外，也可以在透明的合位台上预先设置与半导体激光元件C的电极图形一致的探头，并在合位台的上方配置图像传感器16，通过把半导体激光元件C面朝下放置给探头通电，通过基板可以观察隆起部正下方的活性区域的发光。
在实施例一到三的方法中，适用于把半导体激光元件C安装在准固定件和散部件等的场合，并使用于把半导体激光元件C安装在光电二极管上制造LOP(激光发光二极管)。
在实施例3及其改变例中，在把已经安装在准固定件和LOP(激光发光二极管)上的半导体激光元件安装在散热部件时，由于半导体激光元件倒装接合在准固定件上，所以也可以依靠探头给在合位台22上放置的准固定件和LOP(激光发光二极管)通电，通过基板用图像传感器16观测隆起部下面的发射谱线。
根据第一方法，在发光元件是半导体激光元件时，并且半导体激光元件的发光点上面的隆起部作为发光元件的元件基准线使用，或者把在发光元件是发光二极管时，由于把相对发光点有规定位置关系的电极的边缘作为发光元件的元件基准线使用，所以在把发光元件安装在安装部件上时，可以使发光点相对安装部以高定位精度定位。
根据第二方法，在发光元件是半导体激光元件时，由于在发光元件的电极之间通电，通过使发光元件的隆起部正下面的活性区域，也就是实际的发光点发出亮线状的光来识别元件基准线，所以在把发光元件安装在安装部件上时，可以使发光点相对安装部以高定位精度定位。
根据第三方法，由于把相对发光点以高定位精度的籽晶部、掩模、或基板内可识别区域作为发光元件的元件基准线使用，因此在把发光元件安装在安装部件时，可以使发光点相对安装部以高定位精度定位。
另外，在第一到第三方法中，由于没有必要通过另外方式设置记号，所以仅此就可以降低发光元件的制造成本。

Claims (19)

1、一种发光元件的安装方法，是把在透明基片上形成的发光元件安装在安装部件上的方法，其特征在于，包括以下步骤：
将发光元件放置在相对安装部件以规定的位置关系配置的合位台上；
把至少一个电极的边缘作为基准线，测量相对合位台上的基准线的元件基准位置偏差和方位偏差；
根据测量出的元件基准线的位置偏差和方向偏差，修正合位台上发光元件位置和方位；
使安装部件和合位台的位置关系吻合，使修正了位置和方位的发光元件在安装部件上移动后，在安装部件上定位。
2、如权利要求1所述的发光元件的安装方法，其特征在于：在测量相对合位台上的基准线的元件基准线的位置偏差和方位偏差步骤中，使用图像检测器对元件基准线进行摄像，通过对照预先设定的元件基准线的图像识别图形与拍摄下元件基准线的图像求出相互的偏差。
3、如权利要求1所述的GaN系列发光元件的安装方法，其特征在于，所述透明基片是蓝宝石基片或GaN基片。
4、一种半导体激光元件的安装方法，是把在透明基片上形成的半导体激光元件安装在安装部件上的方法，其特征在于，包括以下步骤：
将半导体激光元件放置在相对安装部件以规定的位置关系配置的合位台上；
把所述半导体激光元件的隆起部作为基准线，测量相对合位台上的基准线的元件基准位置偏差和方位偏差；
根据测量出的元件基准线的位置偏差和方向偏差，修正合位台上半导体激光元件位置和方位；
使安装部件和合位台的位置关系吻合，使修正了位置和方位的半导体激光元件在安装部件上移动后，在安装部件上定位。
5、如权利要求4所述的半导体激光元件的安装方法，其特征在于：在测量相对合位台上的基准线的元件基准线的位置偏差和方位偏差步骤中，使用图像检测器对元件基准线进行摄像，通过对照预先设定的元件基准线的图像识别图形与拍摄下元件基准线的图像求出相互的偏差。
6、如权利要求4所述的GaN系列发光元件的安装方法，其特征在于，所述透明基片是蓝宝石基片或GaN基片。
7、一种半导体激光元件的安装方法，是把在透明基片上形成的半导体激光元件安装在安装部件上的方法，其特征在于，包括以下步骤：
使半导体激光元件的一个电极相对安装部件以规定的位置关系配置的导电性合位台相接触后使半导体激光元件放置在合位台上；
接着，通过合位台给半导体激光元件的电极之间通电，使半导体激光元件的隆起部正下面的活性区域发出亮线状的光；
测量合位台相对基准线隆起部正下面的亮线的位置偏差和方位偏差；
根据测量出的隆起部正下面的亮线的位置偏差和方位偏差，修正合位台上半导体激光元件的位置和方位；
使安装部件和合位台的位置关系吻合，使修正了位置和方位的半导体激光元件在安装部件上移动后，在安装部件上定位。
8、如权利要求7所述的半导体激光元件的安装方法，其特征在于，在测量相对合位台上的基准线隆起部正下面的亮线的位置偏差和方位偏差的步骤中，使用图像检测器对隆起部正下面的亮线进行摄像，通过对照预先设定的隆起部正下面的亮线的图像识别图形与拍摄的隆起部正下面的亮线的图像，求出相互的偏差。
9、如权利要求7所述的GaN系列发光元件的安装方法，其特征在于，所述透明基片是蓝宝石基片或GaN基片。
10、一种GaN系列发光元件的安装方法，是把在透明基片上形成的GaN系列发光元件安装在安装部件上的方法，其特征在于，包括以下步骤：
将GaN系列发光元件放置在相对安装部件以规定的位置关系配置的合位台上；
把所述透明基片内可识别区域的直线边缘部作为基准线，测量相对合位台上基准线的元件基准线的位置偏差和方位偏差；
根据测量出的元件基准线的位置偏差和方位偏差，修正合位台上GaN系列发光元件的位置和方位；
使安装部件和合位台的位置关系吻合，通过使修正了的位置和方位的GaN系列发光元件在安装部件上移动，确定在安装部件上的位置。
11、如权利要求10所述的GaN系列发光元件的安装方法，其特征在于，所述透明基片是蓝宝石基片或GaN基片。
12、如权利要求10所述的GaN系列发光元件的安装方法，其特征在于，在测量相对合位台上的基准线的元件基准线的位置偏差和方位偏差的步骤中，使用图像检测器对元件基准线进行摄像，通过对照预先设定的元件基准线的图像识别图形与拍摄下的元件基准线的图像，求出相互的偏差。
13、如权利要求10所述的GaN系列发光元件的安装方法，其特征在于，所说透明基片内可识别区域是在基片内存在的结晶缺陷的高密区域掩模。
14、一种GaN系列发光元件的安装方法，是把在透明基片上形成的GaN系列发光元件安装在安装部件上的方法，其特征在于，包括以下步骤：
将GaN系列发光元件放置在相对安装部件以规定的位置关系配置的合位台上；
把在所述透明基片上设置的化合物半导体层内可识别区域的直线边缘部作为元件基准线，测量相对合位台上基准线的元件基准线的位置偏差和方位偏差；
根据测量出的元件基准线的位置偏差和方位偏差，修正合位台上所述GaN系列发光元件的位置和方位；
使安装部件和合位台的位置关系吻合，通过使修正了的位置和方位的所述GaN系列发光元件在安装部件上移动，确定在安装部件上的位置。
15、如权利要求14所述的GaN系列发光元件的安装方法，其特征在于，在测量相对合位台上的基准线的元件基准线的位置偏差和方位偏差的步骤中，使用图像检测器对元件基准线进行摄像，通过对照预先设定的元件基准线的图像识别图形与拍摄下的元件基准线的图像，求出相互的偏差。
16、如权利要求15所述的GaN系列发光元件的安装方法，其特征在于，所说透明基片内可识别区域是在基片内存在的结晶缺陷的高密区域。
17、如权利要求14或15所述的GaN系列发光元件的安装方法，其特征在于，设置在所述透明基片上的化合物半导体层内的可识别区域是埋入在所述透明基片上形成的GaN系列化合物半导体层中的籽晶部。
18、如权利要求14或15所述的GaN系列发光元件的安装方法，其特征在于，设置在所述透明基片上的化合物半导体层内的可识别区域是埋入在所述透明基片上形成的GaN系列化合物半导体层中的掩模。
19、如权利要求14所述的GaN系列发光元件的安装方法，其特征在于，所述透明基片是蓝宝石基片或GaN基片。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3812827B2 (ja) * 2001-08-23 2006-08-23 ソニー株式会社 発光素子の取り付け方法
JP2003152260A (ja) * 2001-11-09 2003-05-23 Sharp Corp 半導体レーザ装置およびそれを用いた光ピックアップ装置、ならびに半導体レーザ装置の製造装置および製造方法
US7725847B2 (en) * 2004-11-01 2010-05-25 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Wiring design support apparatus for bond wire of semiconductor devices
JP5219745B2 (ja) * 2007-11-14 2013-06-26 キヤノン株式会社 発光装置
CN101858503B (zh) * 2009-04-10 2012-06-27 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司 固态光源组装装置及其组装方法
JP2014086566A (ja) * 2012-10-24 2014-05-12 Stanley Electric Co Ltd 光波長変換装置
CN113692215A (zh) * 2021-07-30 2021-11-23 广州佳帆计算机有限公司 一种贴片元件位置可调整系统、方法及装置

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5980980A (ja) * 1982-11-01 1984-05-10 Sony Corp 発光素子の取付け方法
JPH05259579A (ja) * 1992-03-16 1993-10-08 Sharp Corp 半導体レーザーチップのボンディング方位調整装置
JP3142634B2 (ja) * 1992-05-27 2001-03-07 シャープ株式会社 半導体レーザ素子の製造方法
JPH07105575B2 (ja) * 1992-09-21 1995-11-13 日本電気株式会社 光素子のダイボンディング方法及びそのダイボンディング装置
JPH06232506A (ja) * 1993-02-03 1994-08-19 Sharp Corp 半導体レーザチップ実装装置
JP2966686B2 (ja) * 1993-04-20 1999-10-25 三洋電機株式会社 半導体レーザの製造方法
DE69433926T2 (de) * 1993-04-28 2005-07-21 Nichia Corp., Anan Halbleitervorrichtung aus einer galliumnitridartigen III-V-Halbleiterverbindung
JPH0738201A (ja) * 1993-07-16 1995-02-07 Sharp Corp 半導体レーザチップの実装方位調整方法
JP2983804B2 (ja) * 1993-08-02 1999-11-29 シャープ株式会社 発光素子の発光点検出方法および位置決め装置
JP3230725B2 (ja) * 1996-03-08 2001-11-19 日本電信電話株式会社 位置合せ用マークを用いた半導体装置の製法
JP3769872B2 (ja) * 1997-05-06 2006-04-26 ソニー株式会社 半導体発光素子
WO1999030373A1 (fr) * 1997-12-08 1999-06-17 Mitsubishi Cable Industries, Ltd. DISPOSITIF LUMINEUX SEMI-CONDUCTEUR A BASE DE GaN ET PROCEDE DE PRODUCTION D'UN CRISTAL A BASE DE GaN
JPH11346027A (ja) * 1998-06-01 1999-12-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法
TW451535B (en) * 1998-09-04 2001-08-21 Sony Corp Semiconductor device and package, and fabrication method thereof
JP3896704B2 (ja) * 1998-10-07 2007-03-22 松下電器産業株式会社 ＧａＮ系化合物半導体発光素子
JP2000208822A (ja) * 1999-01-11 2000-07-28 Matsushita Electronics Industry Corp 半導体発光装置
JP2001135885A (ja) * 1999-11-04 2001-05-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体レーザ装置及びその組立方法
JP2001168442A (ja) * 1999-12-07 2001-06-22 Sony Corp 半導体レーザ素子の製造方法、配設基板および支持基板
JP4897133B2 (ja) * 1999-12-09 2012-03-14 ソニー株式会社 半導体発光素子、その製造方法および配設基板
JP2001177145A (ja) * 1999-12-21 2001-06-29 Toshiba Electronic Engineering Corp 半導体発光素子およびその製造方法
JP3486900B2 (ja) * 2000-02-15 2004-01-13 ソニー株式会社 発光装置およびそれを用いた光装置
JP3538602B2 (ja) * 2000-06-28 2004-06-14 シャープ株式会社 半導体レーザー装置の製造方法および半導体レーザー装置の製造装置
US6420736B1 (en) * 2000-07-26 2002-07-16 Axt, Inc. Window for gallium nitride light emitting diode
US6255129B1 (en) * 2000-09-07 2001-07-03 Highlink Technology Corporation Light-emitting diode device and method of manufacturing the same
JP3812827B2 (ja) * 2001-08-23 2006-08-23 ソニー株式会社 発光素子の取り付け方法

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