JPH06232506A - 半導体レーザチップ実装装置 - Google Patents
半導体レーザチップ実装装置Info
- Publication number
- JPH06232506A JPH06232506A JP1598593A JP1598593A JPH06232506A JP H06232506 A JPH06232506 A JP H06232506A JP 1598593 A JP1598593 A JP 1598593A JP 1598593 A JP1598593 A JP 1598593A JP H06232506 A JPH06232506 A JP H06232506A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- semiconductor laser
- laser chip
- slit
- receiving element
- Prior art date
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- Pending
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- Semiconductor Lasers (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体レーザチップの調整精度が高い半導体
レーザチップ実装装置を提供する。 【構成】 ステージ１２に半導体レーザチップ１を載置
し、該半導体レーザチップ１から照射されるレーザ光の
光束上に開口部を有する遮光板７を配置し、そこでのス
リット光及び前記レーザ光の光束上に受光素子８を設
け、該受光素子８で光束の発光点の位置，出射角度を検
出し、前記発光点のあるべき特定の位置からのズレ量を
上記ステージ１２により上記半導体レーザチップ１の実
装方位を調整する。
レーザチップ実装装置を提供する。 【構成】 ステージ１２に半導体レーザチップ１を載置
し、該半導体レーザチップ１から照射されるレーザ光の
光束上に開口部を有する遮光板７を配置し、そこでのス
リット光及び前記レーザ光の光束上に受光素子８を設
け、該受光素子８で光束の発光点の位置，出射角度を検
出し、前記発光点のあるべき特定の位置からのズレ量を
上記ステージ１２により上記半導体レーザチップ１の実
装方位を調整する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体レーザチップをス
テムに実装する半導体レーザチップ実装装置における半
導体レーザチップの実装方位姿勢調整手段に関するもの
である。
テムに実装する半導体レーザチップ実装装置における半
導体レーザチップの実装方位姿勢調整手段に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体レーザチップの方位姿勢を
調整する手段には、カメラで撮像した半導体レーザチッ
プの外形全体の画像情報から調整する第１の方法と、特
開平２−１１４５９０号に開示された半導体レーザチッ
プのボンディング位置決め装置で調整する第２の方法と
がある。
調整する手段には、カメラで撮像した半導体レーザチッ
プの外形全体の画像情報から調整する第１の方法と、特
開平２−１１４５９０号に開示された半導体レーザチッ
プのボンディング位置決め装置で調整する第２の方法と
がある。
【０００３】第１の方法は半導体レーザを移動するテー
ブル上に載置し、半導体レーザチップの上方にＣＣＤカ
メラを設置し、上記ＣＣＤカメラで撮像した半導体レー
ザチップの外形全体の画像情報から半導体レーザチップ
の位置と姿勢を検出し、この半導体レーザチップの載置
のズレを算出し、上記ズレが無くなるように上記テーブ
ルを移動する事により、半導体レーザチップの方位姿勢
を調整する。
ブル上に載置し、半導体レーザチップの上方にＣＣＤカ
メラを設置し、上記ＣＣＤカメラで撮像した半導体レー
ザチップの外形全体の画像情報から半導体レーザチップ
の位置と姿勢を検出し、この半導体レーザチップの載置
のズレを算出し、上記ズレが無くなるように上記テーブ
ルを移動する事により、半導体レーザチップの方位姿勢
を調整する。
【０００４】第２の方法は、半導体レーザチップから出
射された光束を受光する受光素子を用いて、上記第１の
方法で調整した後に、半導体レーザチップから出射され
た光束を上記受光素子で画像情報に変換し、この画像情
報から光束の中心の位置を検出し、この半導体レーザチ
ップの光束の出射角度のズレを算出し、上記ズレが無く
なるように上記テーブルを移動する事により、半導体レ
ーザチップの方位姿勢を調整する。
射された光束を受光する受光素子を用いて、上記第１の
方法で調整した後に、半導体レーザチップから出射され
た光束を上記受光素子で画像情報に変換し、この画像情
報から光束の中心の位置を検出し、この半導体レーザチ
ップの光束の出射角度のズレを算出し、上記ズレが無く
なるように上記テーブルを移動する事により、半導体レ
ーザチップの方位姿勢を調整する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記第１の方
法は半導体レーザチップの外形だけで方位姿勢を調整し
ており、上記半導体レーザチップから出射される光束の
発光点の位置と出射角度を考慮していなかった。
法は半導体レーザチップの外形だけで方位姿勢を調整し
ており、上記半導体レーザチップから出射される光束の
発光点の位置と出射角度を考慮していなかった。
【０００６】また、前記第２の方法は半導体レーザチッ
プが受光素子に向けて斜め方向からレーザ光を出射して
も、上記出射された光束の画像情報から検出された光束
の中心の位置があるべき特定の位置と一致すれば調整終
了であり、半導体レーザチップから出射する光束の発光
点の位置を調整しておらず、上記光束の出射角度の調整
精度もあまり良くなかった。
プが受光素子に向けて斜め方向からレーザ光を出射して
も、上記出射された光束の画像情報から検出された光束
の中心の位置があるべき特定の位置と一致すれば調整終
了であり、半導体レーザチップから出射する光束の発光
点の位置を調整しておらず、上記光束の出射角度の調整
精度もあまり良くなかった。
【０００７】そこで本発明の目的は、半導体レーザチッ
プから出射される光束の発光点の位置を調整すること
と、上記光束の出射角度の調整精度を高くすることにあ
る。
プから出射される光束の発光点の位置を調整すること
と、上記光束の出射角度の調整精度を高くすることにあ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体レーザ
チップを所定の方位に調整するための半導体レーザチッ
プ実装装置において、前記半導体レーザチップを発光さ
せ、該半導体レーザチップから照射された光の光束上に
開口部を有する遮光板を設け、該遮光板の開口部を通過
した光の光束上に受光素子と遮光板を配置し、該受光素
子に当たった開口部の像の位置により、上記半導体レー
ザチップから出射される光束の発光点の位置と出射角度
を検出する検出手段と、前記発光点のあるべき特定の位
置からのズレ量と、上記光束のあるべき特定の出射角か
らのズレ量だけ上記半導体レーザチップを移動させ、上
記半導体レーザチップの実装方位を調整することを特徴
とする。
チップを所定の方位に調整するための半導体レーザチッ
プ実装装置において、前記半導体レーザチップを発光さ
せ、該半導体レーザチップから照射された光の光束上に
開口部を有する遮光板を設け、該遮光板の開口部を通過
した光の光束上に受光素子と遮光板を配置し、該受光素
子に当たった開口部の像の位置により、上記半導体レー
ザチップから出射される光束の発光点の位置と出射角度
を検出する検出手段と、前記発光点のあるべき特定の位
置からのズレ量と、上記光束のあるべき特定の出射角か
らのズレ量だけ上記半導体レーザチップを移動させ、上
記半導体レーザチップの実装方位を調整することを特徴
とする。
【０００９】
【作用】ステージに載置された半導体レーザチップから
照射されたレーザ光の一部をスリットのついた遮光板で
遮り、前記レーザ光とスリット光を受光素子に照射し、
該受光素子でのスリット光の像の位置により、上記半導
体レーザチップから出射される光束の発光点の位置と出
射角度を検出し、その情報に基づき上記半導体レーザチ
ップの実装方位を調整する。
照射されたレーザ光の一部をスリットのついた遮光板で
遮り、前記レーザ光とスリット光を受光素子に照射し、
該受光素子でのスリット光の像の位置により、上記半導
体レーザチップから出射される光束の発光点の位置と出
射角度を検出し、その情報に基づき上記半導体レーザチ
ップの実装方位を調整する。
【００１０】
【実施例】以下本発明の実施例を図１〜図３を用いて説
明する。
明する。
【００１１】図１に半導体レーザの全体概略図を示す。
半導体レーザチップ実装装置は、半導体レーザチップ１
をステム２に実装する装置であり、半導体レーザチップ
実装装置によりステム２に実装する半導体レーザチップ
は実装後に微細に回動し、照射角度のズレを無くするよ
うに補正できないから実装前に上記ステム２とは別に設
置された実装方位調整手段で上記半導体レーザチップ１
の方位姿勢を調整し、前記半導体レーザチップ１を移載
して上記ステム２に張り付け加熱し固着する。
半導体レーザチップ実装装置は、半導体レーザチップ１
をステム２に実装する装置であり、半導体レーザチップ
実装装置によりステム２に実装する半導体レーザチップ
は実装後に微細に回動し、照射角度のズレを無くするよ
うに補正できないから実装前に上記ステム２とは別に設
置された実装方位調整手段で上記半導体レーザチップ１
の方位姿勢を調整し、前記半導体レーザチップ１を移載
して上記ステム２に張り付け加熱し固着する。
【００１２】図２は、実装前に半導体レーザの方位姿勢
を調整する半導体レーザチップ実装装置の実装方位調整
装置の全体概略配置図である。本装置では半導体レーザ
チップ１が回動するステージ１２に載置されている。
を調整する半導体レーザチップ実装装置の実装方位調整
装置の全体概略配置図である。本装置では半導体レーザ
チップ１が回動するステージ１２に載置されている。
【００１３】上記半導体レーザチップ１は電源部６から
電圧が供給されてレーザ光を照射する。そして、上記半
導体レーザチップ１から照射されたレーザ光は２本のス
リット溝を有するマルチスリット板７で光束の一部分を
遮断されこの残光をＣＣＤカメラ９の受光部に取り付け
られ受光素子（ＣＣＤエリアセンサー）８に入力する。
ＣＣＤエリアセンサー８は入力されたレーザ光を画像
情報に変換し、この画像情報を画像処理部１０に入力す
る。画像処理部１０は入力された画像情報から上記半導
体レーザチップ１の発光点のズレ量と前記半導体レーザ
チップ１から照射された光束の照射方向の角度のズレ量
を示す数値データを作ってこの数値データを制御部１１
に入力する。制御部１１は水平方向に移動するためのコ
ントロール信号をステージ１２に入力する。ステージ１
２は入力されたコントロール信号に基づいて移動する。
電圧が供給されてレーザ光を照射する。そして、上記半
導体レーザチップ１から照射されたレーザ光は２本のス
リット溝を有するマルチスリット板７で光束の一部分を
遮断されこの残光をＣＣＤカメラ９の受光部に取り付け
られ受光素子（ＣＣＤエリアセンサー）８に入力する。
ＣＣＤエリアセンサー８は入力されたレーザ光を画像
情報に変換し、この画像情報を画像処理部１０に入力す
る。画像処理部１０は入力された画像情報から上記半導
体レーザチップ１の発光点のズレ量と前記半導体レーザ
チップ１から照射された光束の照射方向の角度のズレ量
を示す数値データを作ってこの数値データを制御部１１
に入力する。制御部１１は水平方向に移動するためのコ
ントロール信号をステージ１２に入力する。ステージ１
２は入力されたコントロール信号に基づいて移動する。
【００１４】図３は本発明の半導体レーザチップ実装装
置の実装方位調整装置の動作を示したものである。本装
置ではまず半導体レーザチップ１に接続された電源部６
から半導体レーザチップ１に電圧が供給された上記半導
体レーザチップ１はＣＣＤカメラ９の受光部に取り付け
られたＣＣＤエリアセンサー８にレーザ光を照射する。
上記照射されたレーザ光は半導体レーザチップ１の光束
上に取り付けられた２本のスリット溝を有するマルチス
リット板７で光束の一部分を遮断され、この残光がＣＣ
Ｄエリアセンサー８に入力される。そしてＣＣＤエリア
センサー８には上記スリット溝を通過した２本のスリッ
ト光とマルチスリット板７の上方を通過し残光が照射さ
れる。図３では上半分にレーザ光、下半分には遮光版に
よる２本のスリット光がＣＣＤエリアセンサー８に照射
されている様子を表している。上記レーザ光の光束は水
平方向に±２０°，垂直方向に±４０°の広がりを持
ち、分布中心に近づくほど光量が多くなる。ＣＣＤエリ
アセンサー８は照射された残光を画像情報に変換し、画
像処理部１０に入力する。画像処理部１０は入力された
画像情報（座標軸＝ｇｘ：５１２画素×ｇｙ：５１２画
素）からスリット光が発生した画素のＸ座標値ｇｘ
SL（左側スリット光）、ｇｘSR（右側スリット光）とレ
ーザ光の光束の中心の画素のＸ座標値ｇｘkとを算出す
る。本装置では予め基準となる光束の中心の画素のＸ座
標値ｘ0値と、発光点が（ｘ，ｙ）＝（Ｘ0,Ｙ0）に位置
決めされたとき右側のスリット光のあるべき位置のＸ座
標値Ｘ1値を決めて記憶しておく。
置の実装方位調整装置の動作を示したものである。本装
置ではまず半導体レーザチップ１に接続された電源部６
から半導体レーザチップ１に電圧が供給された上記半導
体レーザチップ１はＣＣＤカメラ９の受光部に取り付け
られたＣＣＤエリアセンサー８にレーザ光を照射する。
上記照射されたレーザ光は半導体レーザチップ１の光束
上に取り付けられた２本のスリット溝を有するマルチス
リット板７で光束の一部分を遮断され、この残光がＣＣ
Ｄエリアセンサー８に入力される。そしてＣＣＤエリア
センサー８には上記スリット溝を通過した２本のスリッ
ト光とマルチスリット板７の上方を通過し残光が照射さ
れる。図３では上半分にレーザ光、下半分には遮光版に
よる２本のスリット光がＣＣＤエリアセンサー８に照射
されている様子を表している。上記レーザ光の光束は水
平方向に±２０°，垂直方向に±４０°の広がりを持
ち、分布中心に近づくほど光量が多くなる。ＣＣＤエリ
アセンサー８は照射された残光を画像情報に変換し、画
像処理部１０に入力する。画像処理部１０は入力された
画像情報（座標軸＝ｇｘ：５１２画素×ｇｙ：５１２画
素）からスリット光が発生した画素のＸ座標値ｇｘ
SL（左側スリット光）、ｇｘSR（右側スリット光）とレ
ーザ光の光束の中心の画素のＸ座標値ｇｘkとを算出す
る。本装置では予め基準となる光束の中心の画素のＸ座
標値ｘ0値と、発光点が（ｘ，ｙ）＝（Ｘ0,Ｙ0）に位置
決めされたとき右側のスリット光のあるべき位置のＸ座
標値Ｘ1値を決めて記憶しておく。
【００１５】上記スリット光が発生した画素のＸ座標値
ｇｘSL，ｇｘSRと上記レーザ光の光束の中心のＸ座標値
ｇｘkとを算出するため、画像処理部１０に入力された
画像情報でレーザ光の光束の中心付近が存在する画像情
報上方の領域と左側のスリット光が照射される画像情報
左下方の領域と右側のスリット光が照射される画像情報
右下方の領域とを予め記憶しておき、それぞれの領域内
の画像情報を抽出する。 上記抽出された画像情報から
ヒストグラムを算出し、Ｐ−タイル法によりしきい値Ａ
を決定する。また、上記抽出された画像情報からＸ軸方
向に走査して濃度分布を求め、上記算出された濃度値を
上記しきい値Ａで減算し、減算処理後の濃度分布ｄ
（Ｘ）から次式でｇｘ値（ｇｘSL，ｇｘSR，ｇｘk）を
算出する。
ｇｘSL，ｇｘSRと上記レーザ光の光束の中心のＸ座標値
ｇｘkとを算出するため、画像処理部１０に入力された
画像情報でレーザ光の光束の中心付近が存在する画像情
報上方の領域と左側のスリット光が照射される画像情報
左下方の領域と右側のスリット光が照射される画像情報
右下方の領域とを予め記憶しておき、それぞれの領域内
の画像情報を抽出する。 上記抽出された画像情報から
ヒストグラムを算出し、Ｐ−タイル法によりしきい値Ａ
を決定する。また、上記抽出された画像情報からＸ軸方
向に走査して濃度分布を求め、上記算出された濃度値を
上記しきい値Ａで減算し、減算処理後の濃度分布ｄ
（Ｘ）から次式でｇｘ値（ｇｘSL，ｇｘSR，ｇｘk）を
算出する。
【００１６】
【数１】
【００１７】図３（ａ）において、半導体レーザチップ
１の発光点のＸ軸方向のズレ量Δｘを算出する。左側の
スリット光が発生した画素のＸ座標値ｇｘSL，上記基準
の光束中心の座標値ｘ0，ｙ＝ｙ0とマルチスリット板７
の距離をｍ1，マルチスリット板７とＣＣＤエリアセン
サー８の距離をｍ2とすると、 Δｘ：（ｘ0−ｇｘSL）＝ｍ１：ｍ２ の関係から Δｘ＝ｍ1・（ｘ0−ｇｘSL）／ｍ2 で求められる。
１の発光点のＸ軸方向のズレ量Δｘを算出する。左側の
スリット光が発生した画素のＸ座標値ｇｘSL，上記基準
の光束中心の座標値ｘ0，ｙ＝ｙ0とマルチスリット板７
の距離をｍ1，マルチスリット板７とＣＣＤエリアセン
サー８の距離をｍ2とすると、 Δｘ：（ｘ0−ｇｘSL）＝ｍ１：ｍ２ の関係から Δｘ＝ｍ1・（ｘ0−ｇｘSL）／ｍ2 で求められる。
【００１８】図３（ｂ）は、図３（ａ）においてＸ方向
のズレ量Δｘを補正したものである。ここで、半導体レ
ーザチップ１の発光点のＹ軸方向のズレ量Δｙを算出す
る。右側のスリット光が発生した画素のＸ座標値ｇ
ｘSR，上記基準の右側のスリット光の座標値ｘ1，ｙ＝
ｙ0とマルチスリット板７の距離をｍ1，マルチスリット
板７とＣＣＤエリアセンサー８の距離をｍ2，マルチス
リット板の２本のスリット溝間の距離をｍ3とすると ｍ1：ｍ2＝ｍ3：（ｘ1−ｘ0） （ｍ1＋Δｙ）：ｍ2＝ｍ3：（ｇｘSR−ｘ0） の関係から
のズレ量Δｘを補正したものである。ここで、半導体レ
ーザチップ１の発光点のＹ軸方向のズレ量Δｙを算出す
る。右側のスリット光が発生した画素のＸ座標値ｇ
ｘSR，上記基準の右側のスリット光の座標値ｘ1，ｙ＝
ｙ0とマルチスリット板７の距離をｍ1，マルチスリット
板７とＣＣＤエリアセンサー８の距離をｍ2，マルチス
リット板の２本のスリット溝間の距離をｍ3とすると ｍ1：ｍ2＝ｍ3：（ｘ1−ｘ0） （ｍ1＋Δｙ）：ｍ2＝ｍ3：（ｇｘSR−ｘ0） の関係から
【００１９】
【数２】
【００２０】で求められる。
【００２１】図３（ｃ）は、図３（ｂ）においてＹ方向
のズレ量Δｙを補正したものである。ここで、半導体レ
ーザチップ１の光束の出射角度のθ軸方向のズレ量Δθ
を算出する。レーザ光の光束の中心の画素のＸ座標値ｇ
ｘk，上記基準の光束中心の座標値ｘ0，ｙ＝ｙ0とマル
チスリット板７の距離をｍ1，マルチスリット板７とＣ
ＣＤエリアセンサー８の距離をｍ2とすると、 （ｍ1＋ｍ2）×Δθ＝ｇｘk の関係から Δθ＝（ｍ1＋ｍ2）／ｇｙk で求められる。
のズレ量Δｙを補正したものである。ここで、半導体レ
ーザチップ１の光束の出射角度のθ軸方向のズレ量Δθ
を算出する。レーザ光の光束の中心の画素のＸ座標値ｇ
ｘk，上記基準の光束中心の座標値ｘ0，ｙ＝ｙ0とマル
チスリット板７の距離をｍ1，マルチスリット板７とＣ
ＣＤエリアセンサー８の距離をｍ2とすると、 （ｍ1＋ｍ2）×Δθ＝ｇｘk の関係から Δθ＝（ｍ1＋ｍ2）／ｇｙk で求められる。
【００２２】図３（ｄ）は、図３（ｃ）においてθ方向
のズレ量Δθを補正したものである。
のズレ量Δθを補正したものである。
【００２３】以上の動作課程により、本実施例では予め
ＣＣＤエリアセンサー８上で基準としていたＸ座標値ｘ
＝ｘ0にレーザ光の光束の中心ｇｘk、及び左側スリット
光の光軸、また基準Ｘ座標値ｘ＝ｘ1にレーザ光投影像
の右側端部、及び右側スリット光の光軸を一致させるこ
とにより、半導体レーザチップ１の実装方位を高精度に
調整することができた。
ＣＣＤエリアセンサー８上で基準としていたＸ座標値ｘ
＝ｘ0にレーザ光の光束の中心ｇｘk、及び左側スリット
光の光軸、また基準Ｘ座標値ｘ＝ｘ1にレーザ光投影像
の右側端部、及び右側スリット光の光軸を一致させるこ
とにより、半導体レーザチップ１の実装方位を高精度に
調整することができた。
【００２４】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の半導体レーザチップ実装方位調整手段は、半導体レー
ザと受光素子とを結ぶ光束上にマルチスリット板を設置
することによって、半導体レーザチップの発光点の位置
を調整することと、上記半導体レーザチップから照射さ
れるレーザ光の照射角度を調整することができ、半導体
レーザチップの調整精度が高い半導体レーザチップ実装
装置が用意できるようになった。
の半導体レーザチップ実装方位調整手段は、半導体レー
ザと受光素子とを結ぶ光束上にマルチスリット板を設置
することによって、半導体レーザチップの発光点の位置
を調整することと、上記半導体レーザチップから照射さ
れるレーザ光の照射角度を調整することができ、半導体
レーザチップの調整精度が高い半導体レーザチップ実装
装置が用意できるようになった。
【図面の簡単な説明】
【図１】半導体レーザの全体概略図である。
【図２】本発明の実施例の半導体レーザチップ実装装置
の実装方位調整手段の全体概略図である。
の実装方位調整手段の全体概略図である。
【図３】本発明の実施例の動作を示す図である。
１ 半導体レーザチップ ２ ステム ３ キャップ ４ ガラス ５ フォトダイオード ６ 電源部 ７ 遮光板（マルチスリット板） ８ 受光素子（ＣＣＤエリアセンサー） ９ ＣＣＤカメラ １０ 画像処理部 １１ 制御部 １２ ＸＹθ軸ステージ
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体レーザチップを所定の方位に調整
する手段を有する半導体レーザチップ実装装置におい
て、 前記半導体レーザチップを発光させ、該半導体レーザチ
ップから照射された光の光軸上に開口部を有する遮光板
を設け、 該遮光板の開口部を通過した光の光軸上に受光素子と遮
光板を配置し、 該受光素子に当たった開口部の像の位置により、上記半
導体レーザチップから出射される光軸の発光点の位置と
出射角度を検出する検出手段と上記発光点のあるべき特
定の位置からのズレ量と上記光束のあるべき特定の出射
角度からのズレ量だけ上記半導体レーザチップを移動さ
せ、上記半導体レーザチップの実装方位を調整すること
を特徴とする半導体レーザチップ実装装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1598593A JPH06232506A (ja) | 1993-02-03 | 1993-02-03 | 半導体レーザチップ実装装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1598593A JPH06232506A (ja) | 1993-02-03 | 1993-02-03 | 半導体レーザチップ実装装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06232506A true JPH06232506A (ja) | 1994-08-19 |
Family
ID=11903966
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1598593A Pending JPH06232506A (ja) | 1993-02-03 | 1993-02-03 | 半導体レーザチップ実装装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06232506A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6998279B2 (en) * | 2001-08-23 | 2006-02-14 | Sony Corporation | Method of mounting light emitting element |
| CN112017990A (zh) * | 2019-05-31 | 2020-12-01 | 云谷（固安）科技有限公司 | 选择性移动led芯片的装置及方法、微发光二极管的转移装置及方法 |
-
1993
- 1993-02-03 JP JP1598593A patent/JPH06232506A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6998279B2 (en) * | 2001-08-23 | 2006-02-14 | Sony Corporation | Method of mounting light emitting element |
| US7264980B2 (en) | 2001-08-23 | 2007-09-04 | Sony Corporation | Method of mounting light emitting element |
| CN112017990A (zh) * | 2019-05-31 | 2020-12-01 | 云谷（固安）科技有限公司 | 选择性移动led芯片的装置及方法、微发光二极管的转移装置及方法 |
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