JPH0738201A - 半導体レーザチップの実装方位調整方法 - Google Patents
半導体レーザチップの実装方位調整方法Info
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- JPH0738201A JPH0738201A JP17697793A JP17697793A JPH0738201A JP H0738201 A JPH0738201 A JP H0738201A JP 17697793 A JP17697793 A JP 17697793A JP 17697793 A JP17697793 A JP 17697793A JP H0738201 A JPH0738201 A JP H0738201A
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- Japan
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- laser chip
- semiconductor laser
- light
- emitted
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体レーザチップを実装するときに、その
発光点の位置を調整し、かつレーザ光の出射角度を調整
する。 【構成】 可動台１０に載置した半導体レーザチップ１
を発光させ、照射された光束上にフォトダイオード７
ａ，７ｂを設け、これらに照射された光量が最大となる
位置により、半導体レーザチップ１から出射される光束
の発光点の位置と出射角度を検出し、発光点の基準位置
からのずれ量と、出射角度の基準出射角度からのずれ量
だけ可動台１０を移動させる。
発光点の位置を調整し、かつレーザ光の出射角度を調整
する。 【構成】 可動台１０に載置した半導体レーザチップ１
を発光させ、照射された光束上にフォトダイオード７
ａ，７ｂを設け、これらに照射された光量が最大となる
位置により、半導体レーザチップ１から出射される光束
の発光点の位置と出射角度を検出し、発光点の基準位置
からのずれ量と、出射角度の基準出射角度からのずれ量
だけ可動台１０を移動させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザチップを
ステムに実装するとき、半導体レーザチップの位置姿勢
を調整する実装方位調整方法に関するものである。
ステムに実装するとき、半導体レーザチップの位置姿勢
を調整する実装方位調整方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図７は、半導体レーザの一例の一部切り
欠き斜視図である。半導体レーザチップ１をステム２に
実装するとき、実装後に半導体レーザチップを微細に回
動し照射角度のずれをなくするように補正できないか
ら、実装前にステムとは別に設置された実装方位調整機
構で上記半導体レーザチップの位置姿勢を調整し、その
後半導体レーザチップをステムに移載して貼付け加熱し
固着する。このステム２は、フォトダイオード５を備え
た基台１１に取り付けられ、ガラス窓４を有するキャッ
プ３によって覆われ、端子１２，１２，１２により配線
されている。
欠き斜視図である。半導体レーザチップ１をステム２に
実装するとき、実装後に半導体レーザチップを微細に回
動し照射角度のずれをなくするように補正できないか
ら、実装前にステムとは別に設置された実装方位調整機
構で上記半導体レーザチップの位置姿勢を調整し、その
後半導体レーザチップをステムに移載して貼付け加熱し
固着する。このステム２は、フォトダイオード５を備え
た基台１１に取り付けられ、ガラス窓４を有するキャッ
プ３によって覆われ、端子１２，１２，１２により配線
されている。
【０００３】従来の半導体レーザチップの位置姿勢を調
整する機構には、カメラで撮像した半導体レーザチップ
の外形全体の画像情報から調整する第１の方法と、特開
平２−１１４５９０号に開示されているような、光軸を
受光装置により測定しボンディング位置決め装置で調整
する第２の方法とがある。
整する機構には、カメラで撮像した半導体レーザチップ
の外形全体の画像情報から調整する第１の方法と、特開
平２−１１４５９０号に開示されているような、光軸を
受光装置により測定しボンディング位置決め装置で調整
する第２の方法とがある。
【０００４】第１の方法は、半導体レーザチップを移動
するテーブル上に載置し、半導体レーザチップの上方に
ＣＣＤカメラを設置し、上記ＣＣＤカメラで撮像した半
導体レーザチップの外形全体の画像情報から、半導体レ
ーザチップの位置と姿勢を検出し、この半導体レーザチ
ップの載置のずれを算出し、上記ずれがなくなるように
上記テーブルを移動することにより、半導体レーザチッ
プの位置姿勢を調整する。
するテーブル上に載置し、半導体レーザチップの上方に
ＣＣＤカメラを設置し、上記ＣＣＤカメラで撮像した半
導体レーザチップの外形全体の画像情報から、半導体レ
ーザチップの位置と姿勢を検出し、この半導体レーザチ
ップの載置のずれを算出し、上記ずれがなくなるように
上記テーブルを移動することにより、半導体レーザチッ
プの位置姿勢を調整する。
【０００５】第２の方法は、半導体レーザチップから出
射された光束を受光する受光素子を用いて、上記第１の
方法で調整した後に、半導体レーザチップから出射され
た光束を上記受光素子で画像情報に変換し、この画像情
報から光束の中心の位置を検出し、この半導体レーザチ
ップの光束の出射角度のずれを算出し、上記ずれがなく
なるように上記テーブルを移動することにより、半導体
レーザチップの位置姿勢を調整する。
射された光束を受光する受光素子を用いて、上記第１の
方法で調整した後に、半導体レーザチップから出射され
た光束を上記受光素子で画像情報に変換し、この画像情
報から光束の中心の位置を検出し、この半導体レーザチ
ップの光束の出射角度のずれを算出し、上記ずれがなく
なるように上記テーブルを移動することにより、半導体
レーザチップの位置姿勢を調整する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記第１の方
法は、半導体レーザチップの外形だけで位置姿勢を調整
しており、上記半導体レーザチップから出射される光束
の発光点の位置と出射角度を調整していなかった。
法は、半導体レーザチップの外形だけで位置姿勢を調整
しており、上記半導体レーザチップから出射される光束
の発光点の位置と出射角度を調整していなかった。
【０００７】また、前記第２の方法は、半導体レーザチ
ップが受光素子に向けて斜め方向からレーザ光を出射し
ても、上記出射された光束の画像情報から検出された光
束の中心の位置があるべき特定の位置すなわち基準位置
と一致すれば調整完了であり、半導体レーザチップから
出射する光束の発光点の位置は調整されておらず、上記
光束の出射角度の調整精度もあまりよくなかった。
ップが受光素子に向けて斜め方向からレーザ光を出射し
ても、上記出射された光束の画像情報から検出された光
束の中心の位置があるべき特定の位置すなわち基準位置
と一致すれば調整完了であり、半導体レーザチップから
出射する光束の発光点の位置は調整されておらず、上記
光束の出射角度の調整精度もあまりよくなかった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明においては、半導
体レーザチップを、レーザ光の基準線に直角な方向に移
動可能でかつ基準線に対して傾斜角を変更できる可動台
に載置し、半導体レーザチップを発光させ、レーザ光の
基準線に直角方向の複数の箇所におけるレーザ出力を測
定し、レーザ光の光軸が基準線と一致するように半導体
レーザチップと可動台との相対位置を変更するようにし
た。
体レーザチップを、レーザ光の基準線に直角な方向に移
動可能でかつ基準線に対して傾斜角を変更できる可動台
に載置し、半導体レーザチップを発光させ、レーザ光の
基準線に直角方向の複数の箇所におけるレーザ出力を測
定し、レーザ光の光軸が基準線と一致するように半導体
レーザチップと可動台との相対位置を変更するようにし
た。
【０００９】
【作用】可動台に載置された半導体レーザチップを発光
させると、半導体レーザチップから出射された光は、そ
の光軸上の付近に配置された受光素子に照射される。受
光素子は照射された光のパワーに比例した電気信号を出
力し、受光素子を光軸と垂直な方向に移動させると、そ
れから出力される電気信号は受光素子が半導体レーザチ
ップから出射された光軸上の位置へきたときに最大とな
る。複数の箇所における受光素子に関してその電気信号
が最大になる位置を求め、求められた位置から半導体レ
ーザチップの発光点の基準位置からのずれ量と光束の基
準出射角度からのずれ量を算出する。可動台をこのずれ
量だけ移動させ、または、光軸の前後に配置されたそれ
ぞれ複数の受光素子の出力が等しくなるように、可動台
を移動させて、半導体レーザチップの実装方位を調整す
る。
させると、半導体レーザチップから出射された光は、そ
の光軸上の付近に配置された受光素子に照射される。受
光素子は照射された光のパワーに比例した電気信号を出
力し、受光素子を光軸と垂直な方向に移動させると、そ
れから出力される電気信号は受光素子が半導体レーザチ
ップから出射された光軸上の位置へきたときに最大とな
る。複数の箇所における受光素子に関してその電気信号
が最大になる位置を求め、求められた位置から半導体レ
ーザチップの発光点の基準位置からのずれ量と光束の基
準出射角度からのずれ量を算出する。可動台をこのずれ
量だけ移動させ、または、光軸の前後に配置されたそれ
ぞれ複数の受光素子の出力が等しくなるように、可動台
を移動させて、半導体レーザチップの実装方位を調整す
る。
【００１０】
【実施例】図１は、本発明の一実施例のブロック図であ
る。
る。
【００１１】半導体レーザチップ１は可動台１０に載置
されている。この可動台１０はレーザ光の基準線に直角
な方向に移動可能で、かつ、基準線に対して傾斜角を変
更できる。半導体レーザチップ１は電源部６から電流が
供給されてレーザ光を出射する。そして、半導体レーザ
チップ１から出射されたレーザ光は、半導体レーザチッ
プ１の光軸の付近に設置された光のエネルギを電気的信
号に変える２個の受光素子たとえばフォトダイオード７
ａ，７ｂに照射される。フォトダイオード７ｂに照射さ
れるレーザ光をフォトダイオード７ａが遮らないよう
に、フォトダイオード７ａおよび７ｂを光軸方向にずら
して配置する。あるいは１個の受光素子を前後に移動す
る。２個のフォトダイオード７ａおよび７ｂは、それら
に照射された光のエネルギに対応した電気的信号を出力
する。計測部８は２個のフォトダイオード７ａおよび７
ｂから出力される電気的信号により、半導体レーザチッ
プ１から出射される光束の発光点の位置と、上記光束の
出射角度とを求め、制御部９に入力する。制御部９は可
動台１０水平方向に移動するためのコントロール信号
を、可動台１０に入力する。可動台１０は入力されたコ
ントロール信号に基づいて移動する。
されている。この可動台１０はレーザ光の基準線に直角
な方向に移動可能で、かつ、基準線に対して傾斜角を変
更できる。半導体レーザチップ１は電源部６から電流が
供給されてレーザ光を出射する。そして、半導体レーザ
チップ１から出射されたレーザ光は、半導体レーザチッ
プ１の光軸の付近に設置された光のエネルギを電気的信
号に変える２個の受光素子たとえばフォトダイオード７
ａ，７ｂに照射される。フォトダイオード７ｂに照射さ
れるレーザ光をフォトダイオード７ａが遮らないよう
に、フォトダイオード７ａおよび７ｂを光軸方向にずら
して配置する。あるいは１個の受光素子を前後に移動す
る。２個のフォトダイオード７ａおよび７ｂは、それら
に照射された光のエネルギに対応した電気的信号を出力
する。計測部８は２個のフォトダイオード７ａおよび７
ｂから出力される電気的信号により、半導体レーザチッ
プ１から出射される光束の発光点の位置と、上記光束の
出射角度とを求め、制御部９に入力する。制御部９は可
動台１０水平方向に移動するためのコントロール信号
を、可動台１０に入力する。可動台１０は入力されたコ
ントロール信号に基づいて移動する。
【００１２】図３は半導体レーザチップの出力の特性の
説明図である。半導体レーザチップ１から出射する光
は、一般に水平方向に約±２０°、垂直方向に約±４０
°広がっており、分布中心に近づくほど光量が多くな
る。フォトダイオードＰＤは受ける光のエネルギに比例
した電流出力が得られるので、フォトダイオードＰＤを
図のように半導体レーザチップと水平の方向に移動させ
ると、図のような最大値を持つ波形がみられる。この最
大値の位置Ｘmax は半導体レーザチップ１の光軸の位置
である。Ｘ方向およびＹ方向の最大値により発光点が計
測される。
説明図である。半導体レーザチップ１から出射する光
は、一般に水平方向に約±２０°、垂直方向に約±４０
°広がっており、分布中心に近づくほど光量が多くな
る。フォトダイオードＰＤは受ける光のエネルギに比例
した電流出力が得られるので、フォトダイオードＰＤを
図のように半導体レーザチップと水平の方向に移動させ
ると、図のような最大値を持つ波形がみられる。この最
大値の位置Ｘmax は半導体レーザチップ１の光軸の位置
である。Ｘ方向およびＹ方向の最大値により発光点が計
測される。
【００１３】図４はこの実施例における光束の発光点の
位置と光束の出射角度の計測方法の説明図である。
位置と光束の出射角度の計測方法の説明図である。
【００１４】半導体レーザチップ１の出射光軸Ｌを基準
線Ｌ0 に合わせる場合を考える。まず、図４のように、
半導体レーザチップ１の出射光軸Ｌを基準線Ｌ0 におお
むね平行に合わせる。しかし、実際に半導体レーザチッ
プ１から出射される光束の中心は、発光点の位置では基
準線Ｌ0 とＸ0 だけずれ、光束の出射角度もψだけずれ
たＬの方向である。そこで、半導体レーザチップ１から
それぞれ水平方向にＤ 1 ，Ｄ2 の距離だけ離れた位置２
箇所にフォトダイオード７ａおよび７ｂを設置し、半導
体レーザチップ１を発光させた状態でフォトダイオード
７ａおよび７ｂを図中矢印の方向に移動させると、図の
ような出力波形が得られる。この出力波形が最大値とな
るフォトダイオードの位置と基準線Ｌ0 上の位置とのず
れ量Ｘ1およびＸ2 を求める。これらの値を用いて半導
体レーザチップ１の出射光の水平方向の角のずれ量ψが
次の式より求められる。
線Ｌ0 に合わせる場合を考える。まず、図４のように、
半導体レーザチップ１の出射光軸Ｌを基準線Ｌ0 におお
むね平行に合わせる。しかし、実際に半導体レーザチッ
プ１から出射される光束の中心は、発光点の位置では基
準線Ｌ0 とＸ0 だけずれ、光束の出射角度もψだけずれ
たＬの方向である。そこで、半導体レーザチップ１から
それぞれ水平方向にＤ 1 ，Ｄ2 の距離だけ離れた位置２
箇所にフォトダイオード７ａおよび７ｂを設置し、半導
体レーザチップ１を発光させた状態でフォトダイオード
７ａおよび７ｂを図中矢印の方向に移動させると、図の
ような出力波形が得られる。この出力波形が最大値とな
るフォトダイオードの位置と基準線Ｌ0 上の位置とのず
れ量Ｘ1およびＸ2 を求める。これらの値を用いて半導
体レーザチップ１の出射光の水平方向の角のずれ量ψが
次の式より求められる。
【００１５】
【数１】
【００１６】また、この角度ψを用いて、半導体レーザ
チップ１の出射光の発光点のずれ量Ｘ0 が次の式より求
められる。
チップ１の出射光の発光点のずれ量Ｘ0 が次の式より求
められる。
【００１７】
【数２】
【００１８】上記の式より求められた半導体レーザチッ
プ１の出射光の水平方向の角度ずれ量ψと発光点のずれ
量Ｘ0 の値だけ移動する指令を可動台１０に送り半導体
レーザチップ１を移動させることにより、その出射光軸
Ｌを基準軸Ｌ0 に合わせることができる。また、上記実
施例では受光素子としてフォトダイオード７ａおよび７
ｂを用いたが、他の受光素子たとえばＣＣＤラインセン
サを用いてもよい。この場合の光束の発光点の位置と光
束の出射角度の計測方法を図５について説明する。
プ１の出射光の水平方向の角度ずれ量ψと発光点のずれ
量Ｘ0 の値だけ移動する指令を可動台１０に送り半導体
レーザチップ１を移動させることにより、その出射光軸
Ｌを基準軸Ｌ0 に合わせることができる。また、上記実
施例では受光素子としてフォトダイオード７ａおよび７
ｂを用いたが、他の受光素子たとえばＣＣＤラインセン
サを用いてもよい。この場合の光束の発光点の位置と光
束の出射角度の計測方法を図５について説明する。
【００１９】図５において、半導体レーザチップ１の出
射光軸を基準線Ｌ0 に合わせる場合を考える。まず上記
実施例と同様に、半導体レーザチップ１の出射光軸Ｌを
基準線Ｌ0 とおおむね平行に合わせる。しかし、実際に
半導体レーザチップ１から出射される光束の中心は発光
点の位置では基準線Ｌ0 とＸ0 だけずれ、光束の出射角
度もψだけずれたＬの方向である。そこで、半導体レー
ザチップ１からそれぞれ水平方向にＤ1 およびＤ2 の距
離だけ離れた位置２箇所にＣＣＤラインセンサ７−１
ａ，７−１ｂを設置し、半導体レーザチップ１を発光さ
せると、図のような出力波形が得られる。この出力波形
が最大値となるＣＣＤラインセンサ７−１ａおよび７−
１ｂ上の位置と、基準線Ｌ0 上の位置とのずれ量Ｘ1 お
よびＸ2 を求める。これらの値を用いて半導体レーザチ
ップ１の出射光の水平方向の角度ずれ量ψが前記式
（１）により求められる。
射光軸を基準線Ｌ0 に合わせる場合を考える。まず上記
実施例と同様に、半導体レーザチップ１の出射光軸Ｌを
基準線Ｌ0 とおおむね平行に合わせる。しかし、実際に
半導体レーザチップ１から出射される光束の中心は発光
点の位置では基準線Ｌ0 とＸ0 だけずれ、光束の出射角
度もψだけずれたＬの方向である。そこで、半導体レー
ザチップ１からそれぞれ水平方向にＤ1 およびＤ2 の距
離だけ離れた位置２箇所にＣＣＤラインセンサ７−１
ａ，７−１ｂを設置し、半導体レーザチップ１を発光さ
せると、図のような出力波形が得られる。この出力波形
が最大値となるＣＣＤラインセンサ７−１ａおよび７−
１ｂ上の位置と、基準線Ｌ0 上の位置とのずれ量Ｘ1 お
よびＸ2 を求める。これらの値を用いて半導体レーザチ
ップ１の出射光の水平方向の角度ずれ量ψが前記式
（１）により求められる。
【００２０】またこの角度ψを用いて半導体レーザチッ
プ１の出射光の発光点のずれ量Ｘ0が前記の式（２）に
より求められる。
プ１の出射光の発光点のずれ量Ｘ0が前記の式（２）に
より求められる。
【００２１】上記の式より求められた半導体レーザチッ
プの出射光の水平方向の角度ずれ量ψと発光点のずれ量
Ｘ0 の値だけ移動する指令を可動台１０におくり、半導
体レーザチップ１を移動させることによりその出射光軸
Ｌを基準軸Ｌ0 に合わせることができる。上記実施例で
は受光素子を２個使用したが、受光素子１個をＤ1 の位
置からＤ2 の位置へ移動させてもよいし、また反対に半
導体レーザチップ１を移動させてもよい。
プの出射光の水平方向の角度ずれ量ψと発光点のずれ量
Ｘ0 の値だけ移動する指令を可動台１０におくり、半導
体レーザチップ１を移動させることによりその出射光軸
Ｌを基準軸Ｌ0 に合わせることができる。上記実施例で
は受光素子を２個使用したが、受光素子１個をＤ1 の位
置からＤ2 の位置へ移動させてもよいし、また反対に半
導体レーザチップ１を移動させてもよい。
【００２２】図２は、他の実施例のブロック図である。
半導体レーザチップ１は可動台１０に載置されている。
半導体レーザチップ１は電源部６から電流が供給されレ
ーザ光を出射する。そして、半導体レーザチップ１から
出射されたレーザ光は、半導体レーザチップ１の出射方
向前後にそれぞれ２個ずつ設置させた光のエネルギを電
気的信号に変える合計４個の受光素子たとえばフォトダ
イオード７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄに照射される。これら
４個の受光素子は照射された光のエネルギに対応した電
気的信号を出力する。計測部８により所要の数値を計測
し、制御部９は４個の受光素子から出力される電気的信
号の大きさを比較し、その大小関係に基づいて水平方向
に移動するためのコントロール信号を可動台１０に出力
する。可動台１０は入力されたコントロール信号に基づ
いて移動する。
半導体レーザチップ１は可動台１０に載置されている。
半導体レーザチップ１は電源部６から電流が供給されレ
ーザ光を出射する。そして、半導体レーザチップ１から
出射されたレーザ光は、半導体レーザチップ１の出射方
向前後にそれぞれ２個ずつ設置させた光のエネルギを電
気的信号に変える合計４個の受光素子たとえばフォトダ
イオード７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄに照射される。これら
４個の受光素子は照射された光のエネルギに対応した電
気的信号を出力する。計測部８により所要の数値を計測
し、制御部９は４個の受光素子から出力される電気的信
号の大きさを比較し、その大小関係に基づいて水平方向
に移動するためのコントロール信号を可動台１０に出力
する。可動台１０は入力されたコントロール信号に基づ
いて移動する。
【００２３】図６（ａ〜ｄ）はこの実施例における光束
の発光点の位置と光束の出射角度の計測方法の説明図で
ある。
の発光点の位置と光束の出射角度の計測方法の説明図で
ある。
【００２４】図６において、半導体レーザチップ１の出
射光軸を基準線ｘ0 ，基準線ｘ0 に直角な基準線ｙ0 に
合わせる場合を考える。
射光軸を基準線ｘ0 ，基準線ｘ0 に直角な基準線ｙ0 に
合わせる場合を考える。
【００２５】図６（ａ）のように、半導体レーザチップ
１から出射される光束が基準線ｘ0およびｙ0 に一致し
ている場合には、４個のフォトダイオード７ａ〜７ｂの
出力をそれぞれＩａ，Ｉｂ，ＩｃおよびＩｄとすると次
の関係がなりたつ。
１から出射される光束が基準線ｘ0およびｙ0 に一致し
ている場合には、４個のフォトダイオード７ａ〜７ｂの
出力をそれぞれＩａ，Ｉｂ，ＩｃおよびＩｄとすると次
の関係がなりたつ。
【００２６】
【数３】
【００２７】したがって、この関係が成立するように半
導体レーザチップ１を移動させれば、半導体レーザチッ
プ１から出射される光束が基準線ｘ0 およびｙ0 に一致
することになる。
導体レーザチップ１を移動させれば、半導体レーザチッ
プ１から出射される光束が基準線ｘ0 およびｙ0 に一致
することになる。
【００２８】たとえば、図６（ｂ）のように、半導体レ
ーザチップ１から出射される出射光軸が基準線ｘ0 に対
してｘだけずれている場合には、次の関係がなりたつ。
ーザチップ１から出射される出射光軸が基準線ｘ0 に対
してｘだけずれている場合には、次の関係がなりたつ。
【００２９】
【数４】
【００３０】そこで、次の式で表されるＦx をｘ方向の
位置ずれの評価関数とすると、
位置ずれの評価関数とすると、
【００３１】
【数５】
【００３２】Ｆx ＜０となる。また、半導体レーザチッ
プ１から出射される出射光軸は基準線ｘ0 に対して反対
方向にずれている場合には、Ｆx ＞０となる。したがっ
て、Ｆx ＝０となるように半導体レーザチップ１を右に
移動させることにより、半導体レーザチップ１から出射
される出射光軸を基準線ｘ0 に合わせることができる。
プ１から出射される出射光軸は基準線ｘ0 に対して反対
方向にずれている場合には、Ｆx ＞０となる。したがっ
て、Ｆx ＝０となるように半導体レーザチップ１を右に
移動させることにより、半導体レーザチップ１から出射
される出射光軸を基準線ｘ0 に合わせることができる。
【００３３】図６（ｃ）のように、半導体レーザチップ
１から出射される出射光軸が基準線ｘ0 に対して回転方
向にψだけずれている場合には、次の関係がなりたつ。
１から出射される出射光軸が基準線ｘ0 に対して回転方
向にψだけずれている場合には、次の関係がなりたつ。
【００３４】
【数６】
【００３５】そこで、次の式で表されるＦψをψ方向の
位置ずれの評価関数とすると、
位置ずれの評価関数とすると、
【００３６】
【数７】
【００３７】Ｆψ＜０となる。また、半導体レーザチッ
プ１から出射される出射光軸が基準線ｘ0 に対して回転
方向反対にずれている場合には、Ｆψ＞０となる。した
がってＦψ＝０となるように半導体レーザチップ１を回
転させることにより、半導体レーザチップから出射され
る出射光軸を基準線ｘ0 に合わせることはできる。
プ１から出射される出射光軸が基準線ｘ0 に対して回転
方向反対にずれている場合には、Ｆψ＞０となる。した
がってＦψ＝０となるように半導体レーザチップ１を回
転させることにより、半導体レーザチップから出射され
る出射光軸を基準線ｘ0 に合わせることはできる。
【００３８】図６（ｄ）のように、半導体レーザチップ
１から出射される出射光軸に垂直な軸が所定の基準線ｙ
0 に対してｙだけずれている場合には、次の関係がなり
たつ。
１から出射される出射光軸に垂直な軸が所定の基準線ｙ
0 に対してｙだけずれている場合には、次の関係がなり
たつ。
【００３９】
【数８】
【００４０】そこで、次の式で表されるＦy をｙ方向の
位置ずれの評価関数とすると、
位置ずれの評価関数とすると、
【００４１】
【数９】
【００４２】Ｆy ＜０となる。また、半導体レーザチッ
プ１から出射される出射光軸に垂直な軸が所定の基準線
ｙ0 に対して反対方向にずれている場合には、Ｆy ＞０
となる。したがって、Ｆy ＝０となるように半導体レー
ザチップ１をｙ方向に移動させることにより、半導体レ
ーザチップ１から出射される出射光軸に垂直な軸を所定
の基準線ｙ0 に合わせることができる。
プ１から出射される出射光軸に垂直な軸が所定の基準線
ｙ0 に対して反対方向にずれている場合には、Ｆy ＞０
となる。したがって、Ｆy ＝０となるように半導体レー
ザチップ１をｙ方向に移動させることにより、半導体レ
ーザチップ１から出射される出射光軸に垂直な軸を所定
の基準線ｙ0 に合わせることができる。
【００４３】したがって、４個のフォトダイオード７
ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄの出力Ｉａ，Ｉｂ，Ｉｃ，Ｉｄか
ら上記のＦx ，Ｆψ，Ｆy を計測部８によりもとめ、こ
の値の正負に応じた方向へ移動する指令を制御部９から
可動台１０に送る。Ｆx ，Ｆψ，Ｆy すべてが０になっ
た時点で可動台１０の移動は終了し、半導体レーザチッ
プ１の方位調整は完了する。
ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄの出力Ｉａ，Ｉｂ，Ｉｃ，Ｉｄか
ら上記のＦx ，Ｆψ，Ｆy を計測部８によりもとめ、こ
の値の正負に応じた方向へ移動する指令を制御部９から
可動台１０に送る。Ｆx ，Ｆψ，Ｆy すべてが０になっ
た時点で可動台１０の移動は終了し、半導体レーザチッ
プ１の方位調整は完了する。
【００４４】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、半導体
レーザチップを発光させ、その半導体レーザチップから
出射させた光の光束上に受光素子を配置し、各受光素子
に照射された光量を計測または比較して半導体レーザチ
ップを移動させることにより、半導体レーザチップの発
光点の位置と、半導体レーザチップから出射されるレー
ザ光の出射角度とを調整することができ、半導体レーザ
チップの調整精度が高い実装方位調整方法が得られる。
レーザチップを発光させ、その半導体レーザチップから
出射させた光の光束上に受光素子を配置し、各受光素子
に照射された光量を計測または比較して半導体レーザチ
ップを移動させることにより、半導体レーザチップの発
光点の位置と、半導体レーザチップから出射されるレー
ザ光の出射角度とを調整することができ、半導体レーザ
チップの調整精度が高い実装方位調整方法が得られる。
【図１】本発明の一実施例のブロック図である。
【図２】本発明の他の実施例のブロック図である。
【図３】半導体レーザチップの出力の特性の説明図であ
る。
る。
【図４】第１の実施例の計測方法の説明図である。
【図５】第１の実施例の他の計測方法の説明図である。
【図６】（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ第２の実施例の計
測方法の説明図である。
測方法の説明図である。
【図７】半導体レーザの一例の一部切り欠き斜視図であ
る。
る。
１ 半導体レーザチップ ２ ステム ３ キャップ ４ ガラス窓 ６ 電源部 ７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄ フォトダイオード ８ 計測部 ９ 制御部 １０ 可動台
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体レーザチップを、レーザ光の基準
線に直角な方向に移動可能でかつ基準線に対して傾斜角
を変更できる可動台に載置し、 半導体レーザチップを発光させ、 レーザ光の基準線に直角な方向の複数の箇所におけるレ
ーザ出力を測定し、 レーザ光の光軸が基準線と一致するように半導体レーザ
チップと可動台との相対位置を変更することを特徴とす
る半導体レーザチップの実装方位調整方法。 - 【請求項２】 半導体レーザチップを発光させ、その半
導体レーザチップから出射された光の光束上の一方向に
受光素子を配置し、該受光素子に照射された光量が最大
となる位置により、半導体レーザチップから出射される
光束の発光点の位置と出射角度を検出し、発光点の基準
位置からのずれ量と、光束の基準出射角度からのずれ量
だけ半導体レーザチップを移動させることを特徴とする
請求項１記載の半導体レーザチップの実装方位調整方
法。 - 【請求項３】 半導体レーザチップを発光させ、その半
導体レーザチップから出射された光の光束の前後にそれ
ぞれ複数の受光素子を配置し、該受光素子に照射された
光量がすべて等しくなるように半導体レーザチップを移
動させることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ
チップの実装方位調整方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17697793A JPH0738201A (ja) | 1993-07-16 | 1993-07-16 | 半導体レーザチップの実装方位調整方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17697793A JPH0738201A (ja) | 1993-07-16 | 1993-07-16 | 半導体レーザチップの実装方位調整方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0738201A true JPH0738201A (ja) | 1995-02-07 |
Family
ID=16023022
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17697793A Withdrawn JPH0738201A (ja) | 1993-07-16 | 1993-07-16 | 半導体レーザチップの実装方位調整方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0738201A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0762092A2 (en) * | 1995-08-22 | 1997-03-12 | Hamamatsu Photonics K.K. | Optical source position adjustment device |
| JP2002009380A (ja) * | 2000-06-21 | 2002-01-11 | Toshiba Corp | 発光素子のボンディング装置及びその方法 |
| US6998279B2 (en) * | 2001-08-23 | 2006-02-14 | Sony Corporation | Method of mounting light emitting element |
-
1993
- 1993-07-16 JP JP17697793A patent/JPH0738201A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0762092A2 (en) * | 1995-08-22 | 1997-03-12 | Hamamatsu Photonics K.K. | Optical source position adjustment device |
| EP0762092A3 (en) * | 1995-08-22 | 1997-09-10 | Hamamatsu Photonics Kk | Positioning device for an optical source |
| JP2002009380A (ja) * | 2000-06-21 | 2002-01-11 | Toshiba Corp | 発光素子のボンディング装置及びその方法 |
| JP4537540B2 (ja) * | 2000-06-21 | 2010-09-01 | 株式会社東芝 | 発光素子のボンディング装置及びその方法 |
| US6998279B2 (en) * | 2001-08-23 | 2006-02-14 | Sony Corporation | Method of mounting light emitting element |
| US7264980B2 (en) | 2001-08-23 | 2007-09-04 | Sony Corporation | Method of mounting light emitting element |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20001003 |