CN117480613A - 显示装置及用于制造其的方法 - Google Patents

显示装置及用于制造其的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN117480613A
CN117480613A CN202280042510.8A CN202280042510A CN117480613A CN 117480613 A CN117480613 A CN 117480613A CN 202280042510 A CN202280042510 A CN 202280042510A CN 117480613 A CN117480613 A CN 117480613A
Authority
CN
China
Prior art keywords
emitting element
light emitting
liquid metal
electrode
display device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202280042510.8A
Other languages
English (en)
Inventor
柳济源
金民主
李星珍
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN117480613A publication Critical patent/CN117480613A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/382—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/0004—Devices characterised by their operation
    • H01L33/0008—Devices characterised by their operation having p-n or hi-lo junctions
    • H01L33/0012—Devices characterised by their operation having p-n or hi-lo junctions p-i-n devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0016—Processes relating to electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

一种显示装置包括：基底；发光元件，设置在基底上，并且包括第一端和第二端；第一接触电极，电连接到发光元件的第二端；第二接触电极，电连接到发光元件的第一端；以及液态金属部，将发光元件的第一端与第一接触电极彼此电连接。

Description

显示装置及用于制造其的方法
技术领域
公开的各种实施例涉及一种显示装置和制造显示装置的方法，更具体地，涉及一种能够防止发光元件的电接触故障并改善电信号传输的可靠性和光发射效率的显示装置和制造该显示装置的方法。
背景技术
由于信息技术的不断发展，显示装置作为通信介质的重要性已经被强调。
发明内容
技术问题
公开的各种实施例涉及一种能够防止发光元件的电接触故障并改善电信号传输的可靠性和发射效率的显示装置和制造该显示装置的方法。
公开不限于上述目的，并且本领域技术人员将通过以下描述清楚地理解未提及的其他目的。
技术方案
公开的实施例可以提供一种显示装置，该显示装置包括：发光元件，设置在基底上并且包括第一端和第二端；第一接触电极，电连接到发光元件的第二端；第二接触电极，电连接到发光元件的第一端；以及液态金属部，将发光元件的第一端电连接到第二接触电极。
在实施例中，液态金属部的一部分可以电接触发光元件，并且液态金属部的另一部分可以电接触第二接触电极。
在实施例中，氧化膜可以形成在液态金属部的表面上。
在实施例中，显示装置还可以包括设置在基底上并且在第一方向上彼此间隔开的第一电极和第二电极。发光元件可以设置在第一电极与第二电极之间。液态金属部可以在与第一方向相交的第二方向上延伸。
在实施例中，发光元件可以包括第一发光元件和在第二方向上与第一发光元件相邻的第二发光元件。液态金属部可以电接触第一发光元件和第二发光元件中的每个。
在实施例中，发光元件可以包括：第一半导体层，与发光元件的第一端相邻并且包括N型半导体层；以及第二半导体层，与第二端相邻并且包括P型半导体层。液态金属部与第一半导体层之间的距离可以小于液态金属部与第二半导体层之间的距离。
在实施例中，发光元件可以在发光元件的第一端上具有不平坦表面。
在实施例中，发光元件可以包括凹部和凸部，并且凹部和凸部可以设置在发光元件的第一端中并且可以电接触液态金属部。
在实施例中，发光元件可以包括与发光元件的第一端相邻的倾斜区域。发光元件可以在倾斜区域中具有与基底的厚度方向不平行的表面。
在实施例中，发光元件可以在倾斜区域中电接触液态金属部。
在实施例中，在平面图中，液态金属部可以在倾斜区域中与发光元件叠置。
在实施例中，液态金属部的至少一部分可以在倾斜区域中设置在发光元件下方。
在实施例中，液态金属部可以包括共晶镓-铟(EGaIn)合金或镓-铟-锡(Galinstan)合金。
在实施例中，发光元件可以通过第一接触电极被供应有阳极信号，并且通过第二接触电极和液态金属部被供应有阴极信号。
在实施例中，显示装置还可以包括第二绝缘层，第二绝缘层设置在发光元件上，并且在平面图中定位在第一接触电极与液态金属部之间。
公开的实施例可以提供一种制造显示装置的方法，该方法包括：在基底上形成第一电极和第二电极；在第一电极和第二电极上形成第一绝缘层；在第一绝缘层上布置包括第一端和第二端的发光元件；设置与发光元件的第一端相邻的液态金属部；以及形成将第一电极电连接到发光元件的第一接触电极和将第二电极电连接到发光元件的第二接触电极。液态金属部可以将发光元件电连接到第二接触电极。
在实施例中，可以通过使用排出液态金属部的打印装置的方法或静电纺丝方法来执行设置液态金属部的步骤。
在实施例中，该方法还可以包括：在设置液态金属部的步骤之后，形成在平面图中与发光元件的至少一部分叠置的基体绝缘层。形成基体绝缘层的步骤可以包括使发光元件的第一端暴露。
在实施例中，在平面图中，基体绝缘层可以与发光元件叠置，使得阻挡液态金属部的流动。
在实施例中，设置液态金属部的步骤可以包括使发光元件的第一端电接触液态金属部。
公开的技术方案可以不限于以上，并且本领域普通技术人员将通过下面提供的公开内容以及附图清楚地理解公开的其他技术方案。
有益效果
公开的各种实施例可以提供一种显示装置和制造该显示装置的方法，该显示装置可以防止发光元件的接触故障发生，使得可以增强电信号的可靠性，并且可以增强显示装置的发射效率。
公开的效果可以不限于以上，并且本领域普通技术人员将通过以上提供的公开内容以及附图清楚地理解公开的其他效果。
附图说明
通过参照附图详细地描述发明的实施例，根据发明的实施例的附加理解将变得更明显。
图1是示意性地示出根据实施例的发光元件的透视图。
图2是示出根据实施例的发光元件的剖视图。
图3是示意性地示出根据实施例的显示装置的平面图。
图4是示意性地示出根据实施例的像素的平面图。
图5是沿着图4的线I-I’截取的示意性剖视图。
图6是图5的区域EA1的示意性放大剖视图。
图7是图6的区域EA2的示意性放大剖视图。
图8是示出根据实施例的与图5的区域EA1对应的像素的结构的剖视图。
图9至图14是示出根据实施例的制造显示装置的方法的工艺的示意性剖视图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图描述发明的实施例。尽管实施例可以以各种方式修改并且具有附加实施例，但是实施例在附图中示出并且将在说明书中进行主要描述。然而，发明的范围不限于附图和说明书中的实施例，并且应当被解释为包括包含在公开的精神和范围内的所有改变、等同物和替换物。
为了描述发明的实施例，可以不提供与描述不相关的部分中的一些，并且在整个说明书中，同样的附图标记指同样的元件。
本说明书中使用的术语基于根据公开的实施例的组件的功能从当前广泛使用的通用术语中选择，并且可以具有根据本领域技术人员的意图、本领域的惯例或新技术的出现而变化的含义。如果使用具有特定含义的特定术语，则将具体描述该术语的含义。因此，本说明书中使用的术语不应被定义为组件的简单名称，而是基于术语的实际含义和贯穿说明书的整个上下文来定义。
在附图中，为了清楚和易于其描述，可以放大或夸大元件的尺寸和厚度。然而，公开不应限于所示的尺寸和厚度。在附图中，为了清楚起见，层、膜、面板、区域和其他元件的厚度可能被夸大。在附图中，为了更好地理解和易于描述，一些层和区域的厚度可能被夸大。
此外，在说明书中，短语“在平面图中”是指当从上方观看物体部分时，短语“在剖视图中”是指当从侧面观看通过竖直地切割物体部分而截取的剖面时。
当层、膜、区域、基底或区被称为“在”另一层、膜、区域、基底或区“上”时，它可以直接在所述另一层、膜、区域、基底或区上，或者其间可以存在居间层、膜、区域、基底或区。相反，当层、膜、区域、基底或区被称为“直接在”另一层、膜、区域、基底或区“上”时，其间可以不存在居间层、膜、区域、基底或区。此外，当层、膜、区域、基底或区被称为“在”另一层、膜、区域、基底或区“下方”时，它可以直接在所述另一层、膜、区域、基底或区下方，或者其间可以存在居间层、膜、区域、基底或区。相反，当层、膜、区域、基底或区被称为“直接在”另一层、膜、区域、基底或区“下方”时，其间可以不存在居间层、膜、区域、基底或区。此外，“在……之上”或“在……上”可以包括位于物体上或下方，并且不一定暗示基于重力的方向。
为了易于描述，这里可以使用空间相对术语“在……下方”、“在……之下”、“下(部)”、“在……上方”、“上(部)”等来描述如附图中所示的一个元件或组件与另一元件或组件之间的关系。将理解的是，除了附图中描绘的方位之外，空间相对术语旨在涵盖装置在使用或操作中的不同方位。例如，在翻转附图中所示的装置的情况下，定位“在”另一装置“下方”或“之下”的装置可以放置在另一装置“上方”。因此，说明性术语“在……下方”可以包括下部位置和上部位置两者。装置也可以在其他方向上定位，并且因此空间相对术语可以根据方位而被不同地解释。
在说明书和权利要求书中，出于其含义和解释的目的，术语“和/或”旨在包括术语“和”和“或”的任何组合。例如，“A和/或B”可以理解为是指“A、B或者A和B”。术语“和”和“或”可以以合取或析取的意义使用，并且可以被理解为等同于“和/或”。
在整个说明书中，当元件被称为“连接”到另一元件时，该元件可以“直接连接”到另一元件，或者“电连接”到另一元件且一个或更多个居间元件置于其间。还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”、“包括”和/或其变型时，它们或它可以指定存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但是不排除存在或添加其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其任何组合。
将理解的是，尽管这里可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开，或者为了便于其描述和解释。例如，在不脱离这里的教导的情况下，当在描述中讨论“第一元件”时，其可以被称为“第二元件”或“第三元件”，并且“第二元件”和“第三元件”可以以类似的方式被命名。例如，第一滤色器可以是红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器中的任何一者。第二滤色器可以是红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器中的任何一者。第三滤色器可以是红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器中的任何一者。在说明书中，关于光阻挡构件的第一和第二可以互换使用。
考虑到所讨论的测量和与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)，如这里所使用的“约(大约)”或“近似”包括所陈述的值，并且是指在如由本领域普通技术人员确定的特定值的可接受偏差范围内。例如，“约”可以是指在一个或更多个标准偏差内，或者在所陈述的值的±30％、±20％、±80％、±5％内。
在说明书和权利要求书中，出于其含义和解释的目的，短语“……中的至少一个(种/者)”旨在包括“从……的组中选择的至少一个(种/者)”的含义。例如，“A和B中的至少一个(种/者)”可以理解为是指“A、B或者A和B”。
除非另有定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属领域的技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，除非在说明书中清楚地定义，否则术语(诸如在常用词典中定义的术语)应被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且将不以理想或过于形式化的意义进行解释。
图1和图2示出了根据实施例的包括在显示装置中的发光元件LD。图1是示出根据实施例的发光元件LD的透视图。图2是示出图1的发光元件的剖视图。
参照图1和图2，发光元件LD可以包括第一半导体层SEC1、第二半导体层SEC2和活性层AL。活性层AL可以置于第一半导体层SEC1与第二半导体层SEC2之间。发光元件LD还可以包括电极层ELL。在实施例中，第一半导体层SEC1、活性层AL、第二半导体层SEC2和电极层ELL可以在发光元件LD的纵向方向(L)上顺序地堆叠。
发光元件LD可以包括第一端EP1和第二端EP2。第一半导体层SEC1可以与发光元件LD的第一端EP1相邻。第二半导体层SEC2和电极层ELL可以与发光元件LD的第二端EP2相邻。
在实施例中，发光元件LD可以具有在纵向方向上延伸的柱形状。柱形状可以包括圆柱形状、棱柱形状或其他合适的延伸形状。发光元件LD的长度L可以大于其直径D(或其剖面的宽度)。发光元件LD的剖面可以具有棒形状、条形状或其他合适的拉伸形状。然而，实施例不限于此，发光元件LD的剖面可以具有各种形状。
发光元件LD可以具有纳米级(等于或大于1nm且小于1μm)至微米级(等于或大于1μm且小于1mm)的尺寸。例如，发光元件LD的直径D(或宽度)和长度L均可以具有在纳米级至微米级的范围内的尺寸。然而，实施例不限于此，发光元件LD可以具有各种尺寸。
第一半导体层SEC1可以是第一导电半导体层。例如，第一半导体层SEC1可以包括N型半导体层。例如，第一半导体层SEC1的N型半导体层可以包括InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN、InN及其组合中的至少一种半导体材料，并且可以掺杂有诸如Si、Ge或Sn的第一导电掺杂剂。然而，实施例不限于此，第一半导体层SEC1可以由各种材料形成。
活性层AL可以设置在第一半导体层SEC1上。活性层AL可以设置在第一半导体层SEC1与第二半导体层SEC2之间。
活性层AL可以包括AlGaInP、AlGaP、AlInGaN、lnGaN和AlGaN中的至少一种。例如，活性层AL可以发射红光，并且活性层AL可以包括AlGaInP和/或InGaN。在活性层AL发射绿光或蓝光的情况下，活性层AL可以包括InGaN。然而，实施例不限于此，活性层AL可以包括各种材料。
活性层AL可以具有单量子阱结构或多量子阱结构。
第二半导体层SEC2可以设置在活性层AL上，并且包括具有与第一半导体层SEC1的类型不同的类型的半导体层。例如，第二半导体层SEC2可以包括P型半导体层。例如，第二半导体层SEC2的P型半导体层可以包括InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN、InN及其组合中的至少一种半导体材料，并且可以掺杂有诸如Mg的第二导电掺杂剂。然而，实施例不限于此，第二半导体层SEC2可以由各种材料形成。
电极层ELL可以形成在第二半导体层SEC2上。电极层ELL可以包括金属或金属氧化物。例如，电极层ELL可以包括Cr、Ti、Al、Au、Ni、ITO、IZO、ITZO、其氧化物及其合金中的至少一种。
在实施例中，发光元件LD可以在第一端EP1上具有不平坦表面。下面参照图6和图7提供第一端EP1的详细描述。
在等于或大于阈值电压的电压施加在发光元件LD的第一端EP1和第二端EP2之间的情况下，发光元件LD可以通过活性层AL中的电子-空穴对的结合来发射光。发光元件LD的光发射可以通过施加的电压来控制，并且发光元件LD可以用作各种发光装置的光源或显示装置DD(参照图3)的像素。
发光元件LD还可以包括设置在发光元件LD的表面上的绝缘膜INF。绝缘膜INF可以由单层或多层形成。
绝缘膜INF可以使发光元件LD的相对端(例如，第一端EP1和第二端EP2)暴露。相对的端部可以具有不同的极性以暴露于外部。例如，绝缘膜INF可以使第一半导体层SEC1的与第一端EP1相邻设置的一部分和电极层ELL的与第二端EP2相邻设置的一部分暴露，以暴露于外部。
绝缘膜INF可以包括从氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(AlOx)和氧化钛(TiOx)的组中选择的至少一种绝缘材料。实施例不限于特定示例。
绝缘膜INF可以确保发光元件LD的电稳定性。另外，在发光元件LD彼此相邻设置的情况下，可以防止在发光元件LD之间发生不期望的短路。
在实施例中，除了第一半导体层SEC1、活性层AL、第二半导体层SEC2、电极层ELL和绝缘膜INF之外，发光元件LD还可以包括其他组件。例如，发光元件LD还可以包括荧光层、活性层、半导体层和/或电极层。
图3是示意性地示出根据实施例的显示装置的平面图。
显示装置DD可以发射光。参照图3，显示装置DD可以包括基底SUB和设置在基底SUB上的像素PXL。尽管在附图中未示出，但是显示装置DD还可以包括被配置为驱动像素PXL的驱动电路层(例如，扫描驱动器和数据驱动器)、线和垫(pad，或称为“焊盘”)。
显示装置DD可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。例如，显示区域DA可以是显示装置DD的其中显示图像的部分，非显示区域NDA可以指除显示区域DA之外的区域。非显示区域NDA可以包围或围绕显示区域DA的至少一部分。例如，非显示区域NDA可以完全围绕显示区域DA。
基底SUB可以形成显示装置DD的基体。基底SUB可以是刚性或柔性基底或刚性或柔性膜。然而，实施例不限于此，基底SUB可以包括各种基底。
显示区域DA可以指其中设置有像素PXL的区域。非显示区域NDA可以指其中未设置像素PXL的区域。驱动电路层、线和垫可以设置在非显示区域NDA中，并且可以电连接到显示区域DA的像素PXL。
例如，像素PXL可以以条纹或PENTILETM布置结构等布置。然而，实施例不限于此。各种已知的实施例可以应用于像素PXL的布置结构。
在实施例中，像素PXL可以包括第一像素PXL1、第二像素PXL2和第三像素PXL3。在说明书和附图中，附图标记“PXL”可以指第一像素至第三像素PXL1、PXL2和PXL3中的任何一个，并且附图标记“PXU”可以指第一像素至第三像素PXL1、PXL2和PXL3的组合。例如，第一像素至第三像素PXL1、PXL2和PXL3中的每个可以是子像素。至少一个第一像素PXL1、至少一个第二像素PXL2和至少一个第三像素PXL3可以形成像素单元(或像素部)PXU。像素部PXU中的每个可以发射具有各种颜色的光。例如，从第一像素至第三像素PXL1、PLX2和PXL3发射的光可以混合以发射具有各种颜色的光。
例如，第一像素至第三像素PXL1、PXL2和PXL3中的每个可以发射预定颜色的光。例如，第一像素PXL1可以是被配置为发射红色(例如，第一颜色)光的红色像素，第二像素PXL2可以是被配置为发射绿色(例如，第二颜色)光的绿色像素，并且第三像素PXL3可以是被配置为发射蓝色(例如，第三颜色)光的蓝色像素。然而，实施例不限于此，可以改变形成每个像素部PXU的第一像素至第三像素PXL1、PXL2和PXL3的颜色、类型和/或数量。
在下文中，下面参照图4至图8更详细地提供根据实施例的像素PXL的结构。
图4是示出根据实施例的像素PXL的平面图。图4中所示的像素PXL可以是第一像素至第三像素PXL1、PXL2和PXL3中的任何一个。
参照图4，像素PXL可以包括第一电极ELT1、第二电极ELT2、第一连接线CNL1、第二连接线CNL2、第一接触孔CNT1、第二接触孔CNT2、发光元件LD、液态金属部100、第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2。
多个发光元件LD可以彼此平行地设置和布置。例如，发光元件LD可以在第二方向DR2上布置，并且发光元件LD中的每个的纵向方向可以在与第二方向DR2相交的第一方向DR1上布置。第三方向DR3可以是显示装置DD(参照图3)的厚度方向，并且可以与由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面垂直。然而，实施例不限于此，发光元件LD可以以各种布置来布置。
例如，发光元件LD可以包括第一发光元件和在第二方向DR2上与第一发光元件相邻设置的第二发光元件。在实施例中，第一发光元件和第二发光元件中的每个可以接触液态金属部100。第一发光元件和第二发光元件中的每个的第一端EP1可以电连接到液态金属部100。
发光元件LD可以设置在被配置为用作对准电极的电极之间。
在实施例中，发光元件LD可以设置在第一电极ELT1与第二电极ELT2之间。发光元件LD可以设置在第一电极ELT1和第二电极ELT2上。在平面图中，发光元件LD中的至少一些可以设置在第一电极ELT1与第二电极ELT2之间。例如，发光元件LD的侧部(例如，第一端EP1和第二端EP2)可以分别设置在第二电极ELT2和第一电极ELT1上，并且发光元件LD的中心部可以设置在第一电极ELT1与第二电极ELT2之间。
发光元件LD可以通过第一接触电极CNE1电连接到第一电极ELT1。
在实施例中，发光元件LD的第二端EP2可以电连接到第一接触电极CNE1。因此，发光元件LD中的每个的第二半导体层SEC2(例如，参照图2)可以电连接到第一电极ELT1和第一接触电极CNE1。
发光元件LD可以通过第二接触电极CNE2电连接到第二电极ELT2。
在实施例中，发光元件LD的第一端EP1可以电连接到第二接触电极CNE2。因此，发光元件LD的第一半导体层SEC1(例如，参照图2)可以电连接到第二电极ELT2和第二接触电极CNE2。
这里，发光元件LD可以通过液态金属部100电连接到第二电极ELT2和第二接触电极CNE2。例如，发光元件LD中的每个的第一端EP1可以接触液态金属部100的至少一部分。例如，发光元件LD的第一端EP1可以电连接到液态金属部100，并且可以电接触和物理接触液态金属部100。液态金属部100的另一部分可以电连接到第二接触电极CNE2。
第一电极ELT1可以在第二方向DR2上延伸。第一电极ELT1可以在第一方向DR1上与第二电极ELT2间隔开。第一电极ELT1可以电连接到第一连接线CNL1。这里，第一方向DR1可以与第二方向DR2相交(或不平行)。第一连接线CNL1可以通过第一接触孔CNT1连接到包括在像素电路部PCL(参照图5)中的桥接图案BRP(参照图5)。
然而，实施例不限于此，上述元件可以具有各种连接结构。例如，在实施例中，第一连接线CNL1可以电连接到第一晶体管电极TE1。在另一实施例中，第一连接线CNL1可以直接连接到第一晶体管电极TE1，而不是通过桥接图案BRP连接到第一晶体管电极TE1。
第二电极ELT2可以在第二方向DR2上延伸。第二电极ELT2可以在第一方向DR1上与第一电极ELT1间隔开。第二电极ELT2可以电连接到第二连接线CNL2。第二连接线CNL2可以通过第二接触孔CNT2连接到包括在像素电路部PCL(参照图5)中的电力线PL(参照图5)。
第一接触电极CNE1可以设置在第一电极ELT1上并且电连接到第一电极ELT1。
第二接触电极CNE2可以设置在第二电极ELT2上并且电连接到第二电极ELT2。
在实施例中，第二接触电极CNE2的至少一部分可以设置在液态金属部100上，使得第二接触电极CNE2可以电连接到液态金属部100。例如，第二接触电极CNE2可以与液态金属部100电接触和物理接触。
例如，第二接触电极CNE2的至少一部分可以接触(例如，直接接触)液态金属部100，使得第二接触电极CNE2和液态金属部100可以彼此电连接。
液态金属部100可以设置为与发光元件LD的第一端EP1相邻。例如，液态金属部100与发光元件LD的第一半导体层SEC1之间的距离可以小于液态金属部100与发光元件LD的第二半导体层SEC2之间的距离。
液态金属部100可以设置在第二接触电极CNE2下方。在平面图中，液态金属部100可以与第二接触电极CNE2叠置。
在实施例中，液态金属部100可以在第二方向DR2上延伸。因此，液态金属部100可以电连接到并联布置的发光元件LD的第一端EP1。
在实施例中，在显示装置DD中，氧化膜101(例如，参照图6)可以设置(或形成)在液态金属部100的表面上。这里，氧化膜101可以指通过在氧环境下将包括在液态金属部100中的材料改变(或氧化)成氧化物而形成的材料(或结构)。在实施例中，液态金属部100可以通过形成在其表面上的氧化膜101以预定形状设置。例如，液晶可以被排出(或滴落)在第一绝缘层INS1上，朝向第一端EP1传输，并且被氧化以形成液态金属部100和氧化膜101。
液态金属部100可以具有预定的电导率。液态金属部100可以电连接到发光元件LD的第一端EP1。液态金属部100可以电连接到第二接触电极CNE2。
在实施例中，液态金属部100可以包括液态金属。在实施例中，液态金属可以包括共晶镓-铟(EGaIn)合金或镓-铟-锡(Galinstan)合金。实施例不限于此，液态金属可以包括具有流动性的各种导电材料。
在下文中，将主要参照图5至图6描述根据实施例的像素PXL的剖面结构。
图5是沿着图4的线I-I’截取的剖视图。
参照图5，像素PXL可以包括基底SUB、像素电路部PCL和显示元件部DPL。
基底SUB可以设置为基体表面，并且像素电路部PCL和显示元件部DPL可以设置在基底SUB上。
像素电路部PCL可以设置在基底SUB上。像素电路部PCL可以包括缓冲层BFL、晶体管TR、栅极绝缘层GI、第一层间绝缘层ILD1、第二层间绝缘层ILD2、桥接图案BRP、电力线PL、钝化层PSV、第一接触孔CNT1和第二接触孔CNT2。
缓冲层BFL可以设置在基底SUB上。缓冲层BFL可以防止杂质从外部扩散。缓冲层BFL可以包括从氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiOxNy)和诸如氧化铝(AlOx)的金属氧化物的组中选择的至少一种。
晶体管TR可以是薄膜晶体管。在实施例中，晶体管TR可以是驱动晶体管。晶体管TR可以驱动发光元件LD。
晶体管TR可以电连接到发光元件LD。晶体管TR可以电连接到桥接图案BRP。但是，实施例不限于此，晶体管TR可以具有各种连接结构。例如，晶体管TR可以直接连接到第一连接线CNL1，而不是通过桥接图案BRP连接到第一连接线CNL1。
晶体管TR可以包括有源层ACT、第一晶体管电极TE1、第二晶体管电极TE2和栅电极GE。
有源层ACT可以包括半导体层。有源层ACT可以设置在缓冲层BFL上。有源层ACT可以包括从多晶硅、非晶硅和氧化物半导体的组中选择的至少一种。
有源层ACT可以包括接触第一晶体管电极TE1的第一接触区域和接触第二晶体管电极TE2的第二接触区域。第一接触区域和第二接触区域可以是掺杂有杂质的半导体图案。第一接触区域与第二接触区域之间的区域可以是沟道区。有源层ACT的沟道区可以是未用杂质掺杂的本征半导体图案。
栅电极GE可以设置在栅极绝缘层GI上。栅电极GE的位置可以与有源层ACT的沟道区的位置对应。例如，在平面图中，栅电极GE可以与有源层ACT的沟道区叠置。例如，栅电极GE可以设置在有源层ACT的沟道区上，且栅极绝缘层GI置于栅电极GE与有源层ACT之间。
栅极绝缘层GI可以设置在有源层ACT上。栅极绝缘层GI可以包括无机材料。例如，栅极绝缘层GI可以包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiOxNy)和氧化铝(AlOx)中的至少一种。
第一层间绝缘层ILD1可以设置在栅极绝缘层GI上并覆盖栅电极GE。第一层间绝缘层ILD1可以以与栅极绝缘层GI的方式相同的方式包括从氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiOxNy)和氧化铝(AlOx)的组中选择的至少一种。
第一晶体管电极TE1和第二晶体管电极TE2可以设置在第一层间绝缘层ILD1上。第一晶体管电极TE1可以通过穿过栅极绝缘层GI和第一层间绝缘层ILD1的接触孔接触有源层ACT的第一接触区域。第二晶体管电极TE2可以通过穿过栅极绝缘层GI和第一层间绝缘层ILD1的另一接触孔接触有源层ACT的第二接触区域。例如，第一晶体管电极TE1可以为漏电极，第二晶体管电极TE2可以为源电极。然而，实施例不限于此。
第二层间绝缘层ILD2可以设置在第一晶体管电极TE1和第二晶体管电极TE2上。第二层间绝缘层ILD2、第一层间绝缘层ILD1和栅极绝缘层GI可以包括相同的无机材料。无机材料可以包括诸如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiOxNy)和氧化铝(AlOx)的材料中的至少一种。
桥接图案BRP可以设置在第二层间绝缘层ILD2上。桥接图案BRP可以通过穿过第二层间绝缘层ILD2的接触孔电连接到第一晶体管电极TE1。桥接图案BRP可以通过穿过钝化层PSV的第一接触孔CNT1电连接到第一连接线CNL1。
然而，本公开不限于该实施例，可以实现各种实施例。例如，可以提供其中不包括桥接图案BRP的实施例。在这种情况下，第一晶体管电极TE1可以在不穿过桥接图案BRP的情况下连接到第一连接电极CNL1。
电力线PL可以设置在第二层间绝缘层ILD2上。电力线PL可以通过形成在钝化层PSV中的第二接触孔CNT2电连接到第二连接线CNL2。
钝化层PSV可以设置在第二层间绝缘层ILD2上。钝化层PSV可以覆盖桥接图案BRP和电力线PL。钝化层PSV可以以有机绝缘层、无机绝缘层或包括设置在无机绝缘层上的有机绝缘层的结构的形式设置，但是公开不限于此。
在实施例中，连接到桥接图案BRP的区域的第一接触孔CNT1和连接到电力线PL的区域的第二接触孔CNT2可以形成在钝化层PSV中。
显示元件部DPL可以设置在像素电路部PCL上。显示元件部DPL可以包括第一绝缘图案INP1、第二绝缘图案INP2、第一连接线CNL1、第二连接线CNL2、第一电极ELT1、第二电极ELT2、第一绝缘层INS1、发光元件LD、液态金属部100、第二绝缘层INS2、第一接触电极CNE1、第二接触电极CNE2和第三绝缘层INS3。
第一绝缘图案INP1和第二绝缘图案INP2可以设置在钝化层PSV上。第一绝缘图案INP1和第二绝缘图案INP2可以具有在显示装置DD的显示方向(例如，第三方向DR3)上突出的形状。在实施例中，第一绝缘图案INP1和第二绝缘图案INP2可以包括有机材料或无机材料，但是公开不限于此。
第一连接线CNL1和第二连接线CNL2可以设置在钝化层PSV上。第一连接线CNL1可以连接到第一电极ELT1。第一连接线CNL1可以通过第一接触孔CNT1电连接到桥接图案BRP。第一连接线CNL1可以将桥接图案BRP电连接到第一电极ELT1。第二连接线CNL2可以连接到第二电极ELT2。第二连接线CNL2可以通过第二接触孔CNT2电连接到电力线PL。第二连接线CNL2可以将电力线PL与第二电极ELT2电连接。
第一电极ELT1和第二电极ELT2可以设置在钝化层PSV上。在实施例中，第一电极ELT1的至少一部分可以设置在第一绝缘图案INP1上，并且第二电极ELT2的至少一部分可以设置在第二绝缘图案INP2上，使得每个电极可以用作反射分隔壁(或反射堤)。例如，第一电极ELT1的设置在第一绝缘图案INP1上的部分和第二电极ELT2的设置在第二绝缘图案INP2上的部分可以将从发光元件LD发射的光朝向第三方向DR3反射，因此，可以改善显示装置DD在第三方向DR3上的亮度。
第一电极ELT1可以通过第一接触电极CNE1电连接到发光元件LD。第一电极ELT1可以通过穿过第一绝缘层INS1的接触孔电连接到第一接触电极CNE1。第一电极ELT1可以将阳极信号施加到发光元件LD。
第二电极ELT2可以通过第二接触电极CNE2和液态金属部100电连接到发光元件LD。第二电极ELT2可以通过穿过第一绝缘层INS1的接触孔电连接到第二接触电极CNE2。第二电极ELT2可以将阴极信号(例如，接地信号)施加到发光元件LD。
第一电极ELT1和第二电极ELT2可以包括导电材料。例如，第一电极ELT1和第二电极ELT2均可以包括诸如银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钛(Ti)及其合金的金属。然而，实施例不限于此，第一电极ELT1和第二电极ELT2可以包括各种导电材料。
第一绝缘层INS1可以设置在钝化层PSV上。第一绝缘层INS1可以覆盖第一电极ELT1和第二电极ELT2。第一绝缘层INS1可以稳定电极组件ELT1、ELT2、CNL1和CNL2之间的电连接，并且保护电极组件免受外部冲击或杂质的影响。第一绝缘层INS1可以包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiOxNy)和氧化铝(AlOx)中的至少一种。
发光元件LD可以设置在第一绝缘层INS1上，并且基于从第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2提供的电信号发射光。
如参照图1和图2描述的，发光元件LD可以包括第一端EP1和第二端EP2。
在实施例中，发光元件LD的第一端EP1可以面对第二电极ELT2、第二接触电极CNE2和液态金属部100。发光元件LD的第二端EP2可以面对第一电极ELT1和第一接触电极CNE1。
因此，发光元件LD的第一半导体层SEC1可以与第二电极ELT2、第二接触电极CNE2和液态金属部100相邻。发光元件LD的第二半导体层SEC2可以与第一电极ELT1和第一接触电极CNE1相邻。
液态金属部100可以设置为与发光元件LD的第一端EP1相邻。例如，液态金属部100可以与发光元件LD的第一半导体层SEC1相邻。
液态金属部100可以设置在第二接触电极CNE2下方。液态金属部100可以设置在第一绝缘层INS1与第二接触电极CNE2之间。例如，液态金属部100可以设置在形成于第一绝缘层INS1、第二接触电极CNE2和发光元件LD的第一端EP1之间的空间中。
在实施例中，液态金属部100可以将发光元件LD电连接到第二接触电极CNE2。例如，发光元件LD可以通过液态金属部100被供应有阴极信号(例如，接地信号)。
在实施例中，液态金属部100可以具有反射性。液态金属部100可以将从发光元件LD发射的光朝向第二端EP2和/或在显示装置DD的显示方向(例如，第三方向DR3)上反射。因此，可以极大地改善发光元件LD的发射效率。
第二绝缘层INS2可以设置在发光元件LD上。第二绝缘层INS2可以覆盖发光元件LD的活性层AL。在实施例中，第二绝缘层INS2可以包括有机材料和无机材料中的至少一种。在实施例中，第二绝缘层INS2可以具有预定高度，使得发光元件LD的第二端EP2可以与液态金属部100分离。
在实施例中，在平面图中，第二绝缘层INS2可以设置在第一接触电极CNE1与液态金属部100之间。
第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可以设置在第一绝缘层INS1上。第一接触电极CNE1可以将第一电极ELT1电连接到发光元件LD。例如，第一接触电极CNE1可以将第一电极ELT1电连接到发光元件LD的第二端EP2。第二接触电极CNE2可以将第二电极ELT2电连接到发光元件LD。第二接触电极CNE2可以通过液态金属部100电连接到发光元件LD。例如，第二接触电极CNE2可以通过液态金属部100将第二电极ELT2电连接到发光元件LD的第一端EP1。
在实施例中，第一接触电极CNE1可以将阳极信号施加到发光元件LD，并且第二接触电极CNE2可以将阴极信号施加到发光元件LD。
第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2中的每个可以包括导电材料。例如，第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2中的每个可以包括包含氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)和氧化铟锡锌(ITZO)的至少一种透明导电材料。然而，实施例不限于此，第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可以包括各种导电材料。
第三绝缘层INS3可以设置在第一接触电极CNE1、第二接触电极CNE2和第二绝缘层INS2上。第三绝缘层INS3可以保护显示元件部DPL的元件免受冲击或杂质的影响。例如，第三绝缘层INS3可以包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiOxNy)和氧化铝(AlOx)中的至少一种。在实施例中，可以省略第三绝缘层INS3。
像素PXL的结构不限于参照图5描述的示例，并且可以实现在结构上可以改变的各种实施例。例如，像素PXL还可以包括用于减轻各个组件之间的台阶差异(或高度差异)的平坦化层(例如，有机层)。包括设置为改变光的波长的量子点的颜色转换层可以设置在显示元件部DPL上。
在下文中，下面参照图6和图7更详细地提供根据实施例的包括在像素PXL中的液态金属部100的结构。
图6和图7是主要示出液态金属部100的剖视图。图6是图5的区域EA1的放大剖视图。图7是图6的区域EA2的放大剖视图。
参照图6和图7，发光元件LD可以包括不平坦表面。液态金属部100可以在第一端EP1上具有不平坦表面。发光元件LD的接触液态金属部100的第一端EP1可以具有不平坦表面。
在实施例中，液态金属部100可以是可伸展的(或柔性的)，使得液态金属部100可以直接接触发光元件LD的不平坦表面。
发光元件LD可以在第一端EP1上包括凹部220和凸部240。例如，多个凹部220和多个凸部240可以交替地布置在发光元件的第一端EP1的不平坦表面上。凹部220和凸部240可以设置在第一端EP1上。与凸部240相比，凹部220可以指相对凹入的区域。与凹部220相比，凸部240可以指相对突出的区域。
在实施例中，发光元件LD的凹部220可以接触液态金属部100。发光元件LD的凸部240可以接触液态金属部100。
液态金属部100可以接触发光元件LD。例如，在发光元件LD的至少一部分具有不平坦表面的情况下，发光元件LD可以具有优异的电接触特性。
实验上，在形成用于电连接发光元件LD的电极的情况下，由于发光元件LD的不平坦表面，因此发光元件LD不会令人满意地(或有效地)接触形成的电极。
例如，可以通过在基底上堆叠半导体层，对堆叠的半导体层进行图案化，然后将图案化的半导体层与基底分离来提供发光元件LD。这里，在将发光元件LD与基底分离的工艺期间，发光元件LD的表面会被部分地损坏。因此，发光元件LD的表面可能具有不平坦表面。
具体地，当执行制造发光元件LD的工艺时，存在绝缘膜INF覆盖第一半导体层SEC1的与第一端EP1相邻的部分的风险。在这种情况下，会减小将被供应有电信号的第一半导体层SEC1的表面积，使得会减小发光元件LD与其他线之间的电接触特性。
然而，在实施例中，具有流体行为特性(或流动性)的液态金属部100可以接触发光元件LD的第一端EP1，使得发光元件LD与液态金属部100之间的接触表面积可以增大。因此，可以防止发光元件LD与其他线之间的电接触故障。结果，可以提供具有改善的电信号可靠性的显示装置DD。
在下文中，下面参照图8提供根据另一实施例的像素PXL的结构。将简化或省略重复描述。
图8是示出根据实施例的像素PXL的结构的剖视图，并且是示出与图5的区域EA1对应的区域的剖视图。
参照图8，根据该实施例的像素PXL与根据前一实施例的像素PXL(参照图6)的不同之处至少在于发光元件LD的第一端EP1的剖面具有倾斜形状。
在实施例中，发光元件LD可以具有倾斜表面。例如，发光元件LD可以在第一端EP1上包括倾斜表面。发光元件LD的与第二绝缘层INS2相邻的表面的表面积可以大于发光元件LD的与第一绝缘层INS1相邻的另一表面的表面积。例如，发光元件LD的与第二绝缘层INS2相邻的上部的宽度可以大于发光元件LD的与第一绝缘层INS1相邻的下部的宽度。
发光元件LD可以包括非倾斜区域320和倾斜区域340。发光元件LD可以在非倾斜区域320中接触(例如，直接接触)第一绝缘层INS1。发光元件LD的至少一部分可以在倾斜区域340中不接触第一绝缘层INS1。例如，发光元件LD的在非倾斜区域320中的下部可以接触第一绝缘层INS1，并且发光元件LD的在倾斜区域340中的部分可以与第一绝缘层INS1间隔开。
在实施例中，在平面图中，非倾斜区域320可以与第一半导体层SEC1的一部分、活性层AL和第二半导体层SEC2叠置。在平面图中，倾斜区域340可以与第一半导体层SEC1的一部分叠置。在实施例中，在平面图中，倾斜区域340可以不与第二半导体层SEC2和活性层AL叠置。
非倾斜区域320与第二端EP2之间的距离可以小于非倾斜区域320与第一端EP1之间的距离。倾斜区域340与第一端EP1之间的距离可以小于倾斜区域340与第二端EP2之间的距离。非倾斜区域320可以与第一接触电极CNE1相邻。倾斜区域340可以与第二接触电极CNE2相邻。
发光元件LD可以在非倾斜区域320中电连接到第一接触电极CNE1，并且可以不接触液态金属部100。发光元件LD可以在倾斜区域340中电连接到第二接触电极CNE2，并且接触液态金属部100。例如，发光元件LD的第二端EP2可以在非倾斜区域320的边缘处接触第一接触电极CNE1，并且发光元件LD的第一端EP1可以在整个倾斜区域340中接触液态金属部100。
发光元件LD的在倾斜区域340中的表面可以与显示装置DD的显示方向(例如，第三方向DR3)不平行。发光元件LD的在倾斜区域340中的表面可以与基底SUB的厚度方向不平行。
液态金属部100的至少一部分可以在倾斜区域340中设置在发光元件LD下方。在平面图中，液态金属部100的至少一部分可以在倾斜区域340中与发光元件LD叠置。液态金属部100的至少一部分可以在倾斜区域340中设置在基底SUB与发光元件LD之间。例如，液态金属部100的该部分可以在倾斜区域340中置于第一绝缘层INS1与发光元件LD的第一端EP1之间。
在实施例中，液态金属部100可以设置为与发光元件LD的第一端EP1的倾斜表面相邻。因此，即使在发光元件LD具有倾斜表面的情况下，也可以降低发生电接触故障的风险。应注意的是，第一端EP1与第一绝缘层INS1的上表面之间的角度不限于特定角度。例如，第一端EP1与第一绝缘层INS1的上表面可以形成钝角、倾斜形状、扭曲形状、弯曲形状等。
在下文中，下面参照图9至图14提供根据实施例的制造显示装置的方法。将简化或省略重复描述。
图9至图14是通过工艺步骤示出根据实施例的制造显示装置的方法的剖视图。图9至图14主要示出了沿着图4的线I-I’截取的剖面结构。为了解释起见，将省略像素电路部PCL的重复描述。
参照图9，可以提供(或准备)基底SUB，并且可以在基底SUB上提供(或设置)像素电路部PCL。此后，可以在像素电路部PCL上形成第一绝缘图案INP1和第二绝缘图案INP2，然后可以形成(或沉积)第一连接线CNL1、第二连接线CNL2、第一电极ELT1和第二电极ELT2。
在本步骤，可以通过使用掩模的工艺对导电层(或金属层)、无机材料、有机材料等进行图案化来形成设置在基底SUB上的像素电路部PCL的各个组件。
在本步骤，尽管未在附图中示出，但是可以通过在像素电路部PCL上沉积基体电极然后蚀刻基体电极的至少一部分来设置第一连接线CNL1、第二连接线CNL2、第一电极ELT1和第二电极ELT2。
在本步骤，可以将第一电极ELT1和第二电极ELT2形成为分别覆盖第一绝缘图案INP1和第二绝缘图案INP2(或与第一绝缘图案INP1和第二绝缘图案INP2叠置)。
参照图10，可以在像素电路部PCL上设置(或形成)第一绝缘层INS1，并且可以在第一绝缘层INS1上设置发光元件LD。
在本步骤，可以将第一绝缘层INS1在整个表面上沉积为覆盖第一连接线CNL1、第二连接线CNL2、第一电极ELT1和第二电极ELT2(或与第一连接线CNL1、第二连接线CNL2、第一电极ELT1和第二电极ELT2叠置)。
在本步骤，发光元件LD可以设置在第一绝缘层INS1上，并且在平面图中设置在第一电极ELT1和第二电极ELT2之间。
尽管在附图中未示出，但是可以在第一绝缘层INS1上设置发光元件LD，然后通过形成在第一电极ELT1与第二电极ELT2之间的电场来布置发光元件LD。
在实施例中，发光元件LD的第一端EP1可以面对第二电极ELT2。这里，发光元件LD可以在第一端EP1上具有不平坦表面。
参照图11，可以在第一绝缘层INS1上形成(或沉积)基体绝缘层400。形成基体绝缘层400的工艺可以在设置液态金属部100的工艺之前执行。
在本步骤，可以将基体绝缘层400在第一绝缘层INS1上设置为覆盖发光元件LD的至少一部分(或者与发光元件LD的至少一部分叠置)。在平面图中，基体绝缘层400可以与发光元件LD的活性层AL叠置。
在本步骤，可以不在后续工艺期间将设置液态金属部100的位置处设置基体绝缘层400。例如，基体绝缘层400可以在后续工艺期间设置有液态金属部100(参照图12)的位置处具有开口。例如，可以不在将设置液态金属部100的区域中形成基体绝缘层400。
在实施例中，在平面图中，基体绝缘层400可以不与发光元件LD的至少一部分叠置。在平面图中，基体绝缘层400可以与发光元件LD的第二端EP2叠置，并且可以不与发光元件LD的第一端EP1叠置。可以将基体绝缘层400形成为使得发光元件LD的第一端EP1暴露。
参照图12，可以将液态金属部100设置为与发光元件LD的第一端EP1相邻。
在本步骤，液态金属部100可以电连接到发光元件LD。液态金属部100可以接触发光元件LD的第一端EP1。
在实施例中，可以通过打印机设置液态金属部100，该打印机包括喷嘴并且被配置为通过喷嘴排出液态金属。本公开不限于此。例如，可以通过静电纺丝方法设置液态金属部100。
在实施例中，可以通过形成在第一电极ELT1与第二电极ELT2之间的电场来控制液态金属部100的位置。例如，可以通过调节形成在第一电极ELT1与第二电极ELT2之间的电场的大小来控制液态金属部100的润湿特性。借助于前述特性，在设置液态金属部100的情况下，可以适当地控制液态金属部100的位置和/或形状。
在本步骤，可以在其中未设置基体绝缘层400的区域中(或在基体绝缘层400的开口中)设置液态金属部100。可以在由基体绝缘层400包围的区域中设置液态金属部100，并且可以使液态金属部100移动到发光元件LD的第一端EP1。例如，打印机可以在具有开口的基体绝缘层400上排出(或滴落)液态金属，并且可以通过形成在第一电极ELT1与第二电极ELT2之间的电场来传输排出的液态金属。
例如，液态金属部100可以具有流体性质。因此，在将液态金属部100设置为与发光元件LD的第一端EP1相邻之后，液态金属部100可以移动以接触发光元件LD的第一端EP1。例如，可以在第一绝缘层INS1上与发光元件LD的第一端EP1相邻地设置液态金属部100的液态金属，并且液态金属部100可以朝向第一端EP1传输，因此，液态金属部100直接接触发光元件LD的第一端EP1。
根据公开，如上所述，即使在发光元件LD的第一端EP1具有不平坦表面的情况下，第一端EP1与具有流体性质的液态金属部100之间的接触表面积也可以足以增强发光元件LD的电接触特性。
实验上，在设置液态金属部100的情况下，由于液态金属部100的流体性质，存在发光元件LD的第一端EP1和发光元件LD的第二端EP2可能彼此电连接的风险。
在实施例中，在设置液态金属部100之前，可以将基体绝缘层400设置为与其中将设置液态金属部100的区域相邻。这里，基体绝缘层400可以与发光元件LD叠置以阻挡液态金属部100的流动。
具体地，基体绝缘层400可以通过其开口使发光元件LD的第一端EP1暴露并且与发光元件LD的第二端EP2叠置，使得可以防止液态金属部100甚至设置在第二端EP2上的风险。因此，可以防止液态金属部100与第二端EP2之间的短路。
因此，可以防止发光元件LD的短路缺陷，并且可以增加可以正常操作的发光元件LD的比率，使得可以增强发光元件LD的发射效率。
在实施例中，可以省略形成基体绝缘层400的步骤。例如，液态金属部100可以通过打印选择性地设置在期望设置的位置处，使得如上所述，可以防止发光元件LD的短路缺陷。
参照图13，可以通过去除(或蚀刻)基体绝缘层400的至少一部分来设置第二绝缘层INS2。
在本步骤，可以在设置液态金属部100之后执行去除基体绝缘层400的至少一部分的步骤。
在本步骤，可以将基体绝缘层400的与发光元件LD叠置的至少一部分设置为第二绝缘层INS2，而不去除基体绝缘层400的与发光元件LD叠置的至少一部分。
参照图14，可以穿过第一绝缘层INS1形成接触孔，并且可以通过接触孔使第一电极ELT1和第二电极ELT2部分地暴露。
可以将第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2在第一绝缘层INS1上形成(或设置)为与发光元件LD的第二端EP2和第一端EP1叠置。例如，第一接触电极CNE1可以与第二端EP2叠置，并且第二接触电极CNE2可以与第一端EP1和液态金属部100叠置。
在本步骤，可以通过沉积方法设置第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2。在实施例中，可以通过同一工艺通过图案化来设置第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2。然而，公开不限于此。在实施例中，在形成第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2中的任何一个之后，可以形成第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2中的另一个。
在实施例中，可以通过第一绝缘层INS1的接触孔将第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2电连接到第一电极ELT1和第二电极ELT2。
在本步骤，可以使第二接触电极CNE2接触液态金属部100。可以将第二接触电极CNE2电连接到液态金属部100。
此后，尽管未在附图中示出，但是可以在第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2上形成(或沉积)第三绝缘层INS3。因此，可以设置根据实施例的显示元件部DPL。
尽管已经出于说明性目的描述了公开的实施例，但是本领域技术人员将理解的是，在不脱离公开的范围和精神的情况下，各种修改、添加和替换是可能的。因此，公开的上述实施例可以单独地或组合地实现。
因此，这里公开的实施例不旨在限制而是描述本公开的技术精神，并且公开的范围不限于实施例。在公开的等同物的范围内的技术精神应当被解释为包括在公开的范围内。

Claims (20)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
发光元件，设置在基底上，并且包括第一端和第二端；
第一接触电极，电连接到所述发光元件的所述第二端；
第二接触电极，电连接到所述发光元件的所述第一端；以及
液态金属部，将所述发光元件的所述第一端电连接到所述第二接触电极。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述液态金属部的一部分电接触所述发光元件，并且
所述液态金属部的另一部分电接触所述第二接触电极。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，氧化膜形成在所述液态金属部的表面上。
4.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第一电极和第二电极，设置在所述基底上并且在第一方向上彼此间隔开，
其中，所述发光元件设置在所述第一电极与所述第二电极之间，并且
所述液态金属部在与所述第一方向相交的第二方向上延伸。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，
所述发光元件包括：
第一发光元件；以及
第二发光元件，在所述第二方向上与所述第一发光元件相邻，并且
所述液态金属部电接触所述第一发光元件和所述第二发光元件中的每个。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述发光元件包括：
第一半导体层，与所述发光元件的所述第一端相邻并且包括N型半导体层；以及
第二半导体层，与所述第二端相邻并且包括P型半导体层，并且
所述液态金属部与所述第一半导体层之间的距离小于所述液态金属部与所述第二半导体层之间的距离。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述发光元件在所述发光元件的所述第一端上具有不平坦表面。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述发光元件包括：
凹部；以及
凸部，并且
所述凹部和所述凸部设置在所述发光元件的所述第一端中并且电接触所述液态金属部。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述发光元件包括与所述发光元件的所述第一端相邻的倾斜区域，并且
所述发光元件在所述倾斜区域中具有与所述基底的厚度方向不平行的表面。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述发光元件在所述倾斜区域中电接触所述液态金属部。
11.根据权利要求9所述的显示装置，其中，在平面图中，所述液态金属部在所述倾斜区域中与所述发光元件叠置。
12.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述液态金属部的至少一部分在所述倾斜区域中设置在所述发光元件下方。
13.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述液态金属部包括共晶镓-铟合金或镓-铟-锡合金。
14.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述发光元件通过所述第一接触电极被供应有阳极信号，并且通过所述第二接触电极和所述液态金属部被供应有阴极信号。
15.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括第二绝缘层，所述第二绝缘层设置在所述发光元件上并且在平面图中定位在所述第一接触电极与所述液态金属部之间。
16.一种制造显示装置的方法，所述方法包括：
在基底上形成第一电极和第二电极；
在所述第一电极和所述第二电极上形成第一绝缘层；
在所述第一绝缘层上布置包括第一端和第二端的发光元件；
设置与所述发光元件的所述第一端相邻的液态金属部；以及
形成将所述第一电极电连接到所述发光元件的第一接触电极和将所述第二电极电连接到所述发光元件的第二接触电极，
其中，所述液态金属部将所述发光元件电连接到所述第二接触电极。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，通过使用排出所述液态金属部的打印装置的方法或静电纺丝方法来执行设置所述液态金属部的步骤。
18.根据权利要求16所述的方法，所述方法还包括：
在设置所述液态金属部的步骤之后，形成在平面图中与所述发光元件的至少一部分叠置的基体绝缘层，
其中，形成所述基体绝缘层的步骤包括使所述发光元件的所述第一端暴露。
19.根据权利要求18所述的方法，其中，在平面图中，所述基体绝缘层与所述发光元件叠置，使得阻挡所述液态金属部的流动。
20.根据权利要求16所述的方法，其中，设置所述液态金属部的步骤包括使所述发光元件的所述第一端电接触所述液态金属部。
CN202280042510.8A 2021-06-17 2022-05-24 显示装置及用于制造其的方法 Pending CN117480613A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2021-0079007 2021-06-17
KR1020210079007A KR20220169064A (ko) 2021-06-17 2021-06-17 표시 장치 및 그 제조 방법
PCT/KR2022/007331 WO2022265244A1 (ko) 2021-06-17 2022-05-24 표시 장치 및 그 제조 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN117480613A true CN117480613A (zh) 2024-01-30

Family

ID=84489651

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202280042510.8A Pending CN117480613A (zh) 2021-06-17 2022-05-24 显示装置及用于制造其的方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20220406970A1 (zh)
KR (1) KR20220169064A (zh)
CN (1) CN117480613A (zh)
WO (1) WO2022265244A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP4446807A1 (en) 2021-12-09 2024-10-16 LG Chem, Ltd. Substrate

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4404144B2 (ja) * 2008-01-15 2010-01-27 オムロン株式会社 光伝送モジュール、電子機器、及び光伝送モジュールの製造方法
KR101874993B1 (ko) * 2016-12-28 2018-07-05 피에스아이 주식회사 전기적 컨택이 향상된 초소형 led 전극 어셈블리 및 이의 제조방법
KR102048994B1 (ko) * 2018-01-16 2019-11-27 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
TWI690102B (zh) * 2019-01-04 2020-04-01 友達光電股份有限公司 發光裝置及其製造方法
KR20200088946A (ko) * 2019-01-15 2020-07-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20220169064A (ko) 2022-12-27
US20220406970A1 (en) 2022-12-22
WO2022265244A1 (ko) 2022-12-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN113169210A (zh) 显示装置
CN113169209A (zh) 显示设备
US20210367187A1 (en) Organic light-emitting display panel and manufacturing method thereof
CN117480613A (zh) 显示装置及用于制造其的方法
US12132035B2 (en) Display device and method of manufacturing the same
KR20230055466A (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN116075935A (zh) 像素和包括该像素的显示装置
EP4027385A1 (en) Display device and manufacturing method thereof
CN116349015A (zh) 显示设备
CN116034478A (zh) 发光元件、使用其的显示装置和制造该显示装置的方法
CN114122047A (zh) 显示装置
US20230061844A1 (en) Pad structure, display device, and manufacturing method thereof
CN117678075A (zh) 显示装置及其制造方法
US20230231078A1 (en) Display device and method of manufacturing the same
US20230352644A1 (en) Display device
CN220383494U (zh) 显示装置
US20230091726A1 (en) Display device
US20230246139A1 (en) Display device and method for fabricating the same
US20240105899A1 (en) Display device and method of manufacturing the same
KR20240053726A (ko) 발광 소자, 이를 포함한 표시 장치, 및 발광 소자의 제조 방법
CN115224170A (zh) 发光元件、包括该发光元件的显示装置及半导体结构物
CN117642867A (zh) 显示装置
KR20240031524A (ko) 표시 장치
CN116745919A (zh) 显示装置和用于显示装置的制造方法
CN116686090A (zh) 显示装置的制造方法及显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination