CN116479487A - 电镀磁体和电镀磁体的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了电镀磁体和电镀磁体的制备方法，电镀磁体的制备方法包括：S100、将磁体原料加工成黑片；S200、将黑片进行预处理后进行热处理得到热处理黑片；S300、将热处理黑片进行电镀得到电镀片；S400、将电镀片进行预处理后进行热处理得到电镀磁体。
Description
技术领域
本发明涉及磁性材料电镀领域，具体而言，涉及一种电镀磁体和电镀磁体的制备方法。
背景技术
稀土类永磁体由于具有较高的磁特性，因此在电动机、音圈马达、手机配件等各种各样的领域中被使用。但是由于稀土类永磁体的生产工艺特殊性，永磁体不可能直接加工成电动机、音圈马达、手机配件中的形状，而需对黑体毛坯进行加工。但在加工过程各个工序会对磁体表面进行破坏，损伤基体的性能同时也不利于电镀工序的顺利进行。若在加工后对磁体进行再处理，磁体的合格率也会降低。磁体包含反应性高的稀土类元素R，在大气中容易被氧化腐蚀，不经过任何表面处理进行使用的情况下，易腐蚀生锈导致磁性能下降。因此，目前常采用在稀土类永磁体表面形成防护性镀层的方法来提高永磁体的耐腐蚀性能，防护性镀层可以阻碍腐蚀相与基体之间相互接触从而减缓磁体的腐蚀。形成防护性镀层的方法主要有电镀、化学镀等。其中，电镀因其技术门槛低、工艺成熟、价格低廉而被广泛地应用于钕铁硼永磁体的防护，最终成品的小磁钢在组装各种器件时，受限于磁钢组件的条件，磁钢并不是饱和充磁使用，所以如何在适当的电压下使磁钢尽可能达到很高的磁场也是本领域技术人员一直面临的挑战。
在3C领域，黑体毛坯加工成各种形状的小黑片磁钢，对基体表面的破坏尤其严重，黑片磁体的抗衰减能力和充磁特性大幅度降低，其高温减磁率通常为2～15％，将已经电镀后的钕铁硼材料测完磁通后，在100℃放置2.5小时后降温到常温，再次测钕铁硼永磁材料的磁通值，两次磁通值变化的百分比就是高温减磁率。同样对黑片磁体进行电镀过程中，对磁体再一次损伤，其高温件减磁率通常为2％-20％。目前，业内提高电镀后磁体的高温减磁率的方法主要集中在对电镀液和镀层的改进。
专利CN104213164A公开了一种电镀方法，改善了电镀液成分，采用无氰的镀铜液形成无氰型铜层，从而达到降低材料高温减磁率的效果。专利CN101728042B公开了一种表面处理方法，先用钾盐镀锌液电镀锌层，再电镀中性镍层，使磁体的高温减磁率较低。而如何能在不改变加工条件、电镀液和电镀层的情况下，寻找出提高磁体抗磁衰减能力和充磁特性不良方法，是本领域技术人员一直面临的挑战。本发明人发现通过对黑片和电镀片进行行业内适用热处理方式能有效改善黑片、电镀片的高温减磁、黑片的表面粗糙度以及镀层的结合力，可由于进行一般的热处理，由于加工和电镀后的成品都很小，常规的热处理方式对小产品在整个过程中内应力产生和释放的速率很大，极易造成产品产生断裂，影响产品的合格率。因此，如何既能在热处理的条件下改善磁体的高温减磁数据，又能降低磁钢热处理过程中内应力的产生和释放速率而改善磁体的断裂一直是需要解决的问题。
发明内容
本发明旨在解决上述技术问题的至少之一。
为此，本发明的第一目的在于提供一种电镀磁体的制备方法。
本发明的第二目的在于提供一种电镀磁体。
为实现本发明的第一目的，本发明实施例提供一种电镀磁体的制备方法，包括：
S100、将磁体原料加工成黑片；
S200、将黑片进行预处理后进行热处理得到热处理黑片；
S300、将热处理黑片进行电镀得到电镀片；
S400、将电镀片进行预处理后进行热处理得到电镀磁体。
本发明通过在电镀前对黑片预处理后进行热处理以及在电镀后对电镀片预处理后进行热处理，加工成黑片热处理后可以修复主相的磁畴以及和晶界相的结合力，降低电镀对基体的损伤影响，而电镀后的热处理可以重新修复与镀层接触部分的基体的磁畴和缺陷，使基体与镀层接触部分的组织更加致密。且能恢复预处理时对基体内晶粒的损伤，降低技术磁化过程中的杂散场，达到修复基体性能的效果，提高电镀后磁体的高温减磁和充磁特性，最终达到使黑片磁体受热冷却均匀，改善热处理过程中因温度产生的内应力的变化速率、磁体的力学性能以及磁体的热减磁不良和充磁不良的问题，利于进一步加工和电镀，通过改善黑片表面的粗糙度，增强了磁体与镀层的结合力，该方法适用于生产小规格的电镀磁体，尤其是用于3C行业产品的电镀磁体，该方法不仅改善了小规格电镀磁体的稳定性，也提高了电镀后磁体利用的利用率。
另外，本发明上述实施例提供的技术方案还可以具有如下技术特征：
上述技术方案中，磁体原料的成分包括：29wt％至32wt％的R，0wt％至2wt％的Dy和/或Tb，1.2wt％至1.8wt％的M，0.2wt％至0.3wt％的Ga，0.93wt％至1.0wt％的B，其余为Fe及不可避免的杂质元素；其中，R为包括Pr和/或Nd，且不包含Dy和Tb的稀土元素，Pr和/或Nd在R中的占比为98wt％至100wt％；M为Al、Cu、Nb、Zr、Ti、Co、Sn中的至少一种。
采用的磁体原料的组成与镀层的结合力强，制成的电镀磁体的电镀层的表面致密均匀，具有优异的防腐性能。
上述任一技术方案中，S200中预处理为将黑片掩埋在埋料中。
对黑片采用掩埋的方式进行热处理，使黑片受热冷却均匀，改善热处理过程中因温度产生的内应力的变化速率和磁体的力学性能，利于进一步加工和电镀。
上述任一技术方案中，S200中热处理包括：第一段热处理，第一段热处理为真空热处理，温度为850℃至950℃，时间为2h至3h；第二段热处理，第二段热处理为真空热处理，温度为450℃至550℃，时间为5h至6h。
采用热处理可以修复黑片表面的缺陷，同时改善表面的粗糙度，以提高后续电镀时与镀层的结合力；采用上述温度和时间的两段热处理可以达到较好的处理效果。
上述任一技术方案中，S400中预处理为将电镀片掩埋在埋料中。
对电镀片采取掩埋的方式，使得电镀片在热处理过程中内应力的变化温和，杜绝断裂的风险。
上述任一技术方案中，S400中热处理为真空环境，温度450℃至550℃，时间5h至6h。
对电镀后的热处理可以重新修复与镀层接触部分的基体的磁畴和缺陷，使基体与镀层接触部分的组织更加致密。且能恢复预处理时对基体内晶粒的损伤，降低技术磁化过程中的杂散场，达到修复基体性能的效果，提高电镀后磁体的高温减磁和充磁特性。
上述任一技术方案中，埋料为导热材料。
导热材料可以将热处理时的热量较好地传递给掩埋在其中的黑片或电镀片，使其受热冷却均匀，降低磁体热处理过程中内应力改变的速率，改善制成的电镀磁体的稳定性。
上述任一技术方案中，导热材料为石墨、石英砂、氧化铝和氧化锆中的一种或几种。
石墨、石英砂、氧化铝和氧化锆均为导热性能良好的材料，将黑片或电镀片掩埋在上述材料中，可以达到使黑片或电镀片受热冷群均匀得到效果。
上述任一技术方案中，S300包括：
S310、将热处理黑片进行磨光和脱脂除油；
S320、第一层镍电镀，第一层镍电镀的电镀液pH为3.8至4.8，温度40℃至60℃，镀层厚度3um至5um；
S330、第二层铜镀层，第二层铜镀层的电镀液pH为7.5至9.0，温度30℃至50℃，镀层厚度为3um至5um；
S340、第三层镍镀层，第三层镍镀层的电镀液pH值范围为3.8至4.8，温度范围为45℃至55℃，镀层厚度为3um至5um得到电镀片。
对热处理黑片进行磨光和脱脂除油可以增加镀层与热处理黑片的结合力，采用三层电镀层可以使镀层保持一定的厚度，提升制成的电镀磁体的抗腐蚀性能。
为实现本发明的第二目的，本发明的实施例提供一种电镀磁体，这种电镀磁体上述任一技术方案的制备方法制备得到。
本发明实施例的电镀磁体能够从如本发明任一实施例的电镀磁体的制备方法中制备获得，本发明实施例的电镀磁体具有如本发明任一实施例的电镀磁体的制备方法的全部有益效果，在此不再赘述。
附图说明
图1为本发明一个实施例的电镀磁体的制备方法的步骤流程图；
图2为实施例1工件断面显微镜图；
图3为对比例1工件断面显微镜图；
图4为实施例1工件的磁性能曲线；
图5为对比例1工件的磁性能曲线。
具体实施方式
为了能够更清楚地理解本发明的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本发明进行进一步的详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是，本发明还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施，因此，本发明的保护范围并不受下面公开的具体实施例的限制。
下面参照图1至图5描述本发明一些实施例的电镀磁体和电镀磁体的制备方法。
本发明的实施例提供一种电镀磁体的制备方法，该方法包括：
S100、将磁体原料加工成黑片；
S200、将黑片进行预处理后进行热处理得到热处理黑片；
S300、将热处理黑片进行电镀得到电镀片；
S400、将电镀片进行预处理后进行热处理得到电镀磁体。
现有技术中，通常通过电镀的方法来提高稀土类磁体的抗腐蚀性能，而提高电镀后磁体的高温减磁率的方法主要集中在对电镀液和镀层的改进，如何能在不改变加工条件、电镀液和电镀层的情况下，寻找出提高磁体抗磁衰减能力和充磁特性不良方法，一直需要解决的问题。
有鉴于此，本发明实施例提供了上述电镀磁体的制备方法，修复黑片性能和改善黑片表面的粗糙度，以达到改善磁体的力学性能以及磁体的热减磁不良和充磁不良的问题以及提高镀层和黑片的结合强度的目的。
本发明实施例的目的是提供一种电镀磁体的制备方法，通过对电镀磁体预处理后再进行热处理，可以提高电镀磁体的性能。
本实施例中的黑片是磁体原料装入真空感应感应熔炼炉，采用速凝工艺制备合金速凝片，经过氢破后采用气流磨制备粉末，气流磨的研磨室中充入一定量的空气、含碳溶剂、润滑剂以及防氧化剂，保证粉末的碳氢氮氧含量在合适的范围内。然后将粉末在磁场中取向成型，之后进行等静压，最后经过烧结、时效制备出的。
具体而言，本发明通过对电镀前的黑片预处理后进行热处理以及电镀后的电镀片预处理后进行热处理，加工成黑片热处理后可以修复主相的磁畴以及和晶界相的结合力，降低电镀对基体的损伤影响，而电镀后的热处理可以重新修复与镀层接触部分的基体的磁畴和缺陷，使基体与镀层接触部分的组织更加致密。且能恢复预处理时对基体内晶粒的损伤，降低技术磁化过程中的杂散场，达到修复基体性能的效果，提高电镀后磁体的高温减磁和充磁特性，最终达到使黑片磁体受热冷却均匀，改善热处理过程中因温度产生的内应力的变化速率、磁体的力学性能以及磁体的热减磁不良和充磁不良的问题，利于进一步加工和电镀，通过改善黑片表面的粗糙度，增强了磁体与镀层的结合力。
本发明实施例的部分实施方式中，磁体原料的成分包括：29wt％至32wt％的R，0wt％至2wt％的Dy和/或Tb，1.2wt％至1.8wt％的M，0.2wt％至0.3wt％的Ga，0.93wt％至1.0wt％的B，其余为Fe及不可避免的杂质元素；其中，R为包括Pr和/或Nd，且不包含Dy和Tb的稀土元素，Pr和/或Nd在R中的占比为98wt％至100wt％；M为Al、Cu、Nb、Zr、Ti、Co、Sn中的至少一种。
优选的，采用的磁体原料的组成与镀层的结合力强，制成的电镀磁体的电镀层的表面致密均匀，具有优异的防腐性能。
本发明实施例的部分实施方式中，S200中预处理为将黑片掩埋在埋料中。
优选的，对黑片采用掩埋的方式进行热处理，使黑片受热冷却均匀，改善热处理过程中因温度产生的内应力的变化速率和磁体的力学性能，利于进一步加工和电镀。
本发明实施例的部分实施方式中，S200中热处理包括：第一段热处理，第一段热处理为真空热处理，温度为850℃至950℃，时间为2h至3h；第二段热处理，第二段热处理为真空热处理，温度为450℃至550℃，时间为5h至6h。
优选的，采用热处理可以修复黑片表面的缺陷，同时改善表面的粗糙度，以提高后续电镀时与镀层的结合力；采用上述温度和时间的两段热处理可以达到较好的处理效果。
本发明实施例的部分实施方式中，S400中预处理为将电镀片掩埋在埋料中。
优选的，采取掩埋的方式，使得电镀片在热处理过程中内应力的变化温和，杜绝断裂的风险。
本发明实施例的部分实施方式中，S400中热处理为真空环境，温度450℃至550℃，时间5h至6h。
优选的，对电镀后的热处理可以重新修复与镀层接触部分的基体的磁畴和缺陷，使基体与镀层接触部分的组织更加致密。且能恢复预处理时对基体内晶粒的损伤，降低技术磁化过程中的杂散场，达到修复基体性能的效果，提高电镀后磁体的高温减磁和充磁特性。
优选的，当热处理温度低于450℃时，由于温度较低使得基体内部结构重排和晶体生长缓慢，修复基体的磁畴和缺陷程度较低；当热处理温度高于550℃时，由于接近富钕相熔点富钕相附近会成为液相，镀层和基体中的富钕相发生反应，进而引发镀层发生破裂。
本发明实施例的部分实施方式中，埋料为导热材料。
优选的，导热材料可以将热处理时的热量较好地传递给掩埋在其中的黑片或电镀片，使其受热冷却均匀，降低磁体热处理过程中内应力改变的速率，改善磁钢的稳定性。
本发明实施例的部分实施方式中，导热材料为石墨、石英砂、氧化铝和氧化锆中的一种或几种。
优选的，石墨、石英砂、氧化铝和氧化锆均为导热性能良好的材料，将黑片或电镀片掩埋在上述材料中，可以达到使黑片或电镀片受热冷群均匀得到效果。
优选的，当选择石英砂作为埋料时，石英砂的颗粒为20目至80目，采用该颗粒范围的石英砂可以达到较好的处理效果。
本发明实施例的部分实施方式中，S300包括：
S310、将热处理黑片进行磨光和脱脂除油；
S320、第一层镍电镀，第一层镍电镀的电镀液pH为3.8至4.8，温度40℃至60℃，镀层厚度3um至5um；
S330、第二层铜镀层，第二层铜镀层的电镀液pH为7.5至9.0，温度30℃至50℃，镀层厚度为3um至5um；
S340、第三层镍镀层，第三层镍镀层的电镀液pH值范围为3.8至4.8，温度范围为45℃至55℃，镀层厚度为3um至5um得到电镀片。
优选的，对热处理黑片进行磨光和脱脂除油可以增加镀层与热处理黑片的结合力，采用三层电镀层可以使镀层保持一定的厚度，提升制成的电镀磁体的抗腐蚀性能。
优选的，磨光是将磨料和热处理黑片在振磨机中振磨或滚磨6h至12h，所用的磨料形状可以为球状、椭圆形、三角柱、圆柱、圆锥、三角锥或无规则形体，磨料的材质可以为合金钢或Al2O3、SiO2、SiC等陶瓷材料，磨料可以单独使用也可以混合使用。
优选的，脱脂除油是在磁体表面采用碱性除油剂在45℃至75℃下除油5min至30min，碱性除油剂中各成分含量为：磷酸钠20g/L，碳酸钠10g/L，氢氧化钠10g/L；酸洗是采用是pH值为1～5的稀硫酸或稀硝酸，酸洗1～120s后清洗干净。
优选的，镍镀层的电镀液采用硫酸镍溶液，主要由浓度为200～350g/L的硫酸镍、浓度为30g/L至60g/L的氯化镍、浓度为30g/L至60g/L的硼酸、浓度为0.08g/L的十二烷基硫酸钠和水组成；铜镀层的电镀液主要由250g/L至350g/L的焦磷酸钾，30g/L至70g/L焦磷酸铜和水组成。
需要说明的是，电镀的镀层也可仅为镍镀层，单一镀镍层的厚度为10um至15um，电镀液采用硫酸镍溶液，主要由浓度为200g/L至350g/L的硫酸镍、浓度为30g/L至60g/L的氯化镍、浓度为30g/L至60g/L的硼酸和水组成，pH值范围为3.8至4.8，温度范围为45℃至55℃。
【实施例1】
将(Pr0.25Nd0.75)28Tb2Co1.5Cu0.15Zr0.15Ga0.25B1.0Fe余(重量百分比)的合金原料装入真空感应感应熔炼炉，采用速凝工艺制备合金速凝片，合金速凝片厚度为0.3mm。经过氢破后采用气流磨制备平均粒径为4.0um的粉末，气流磨的研磨室中充入一定量的空气、含碳溶剂、润滑剂以及防氧化剂，保证粉末的碳氢氮氧含量在合适的范围内。然后将粉末在磁场强度为2T的磁场中取向成型，之后进行等静压，最后经过烧结、时效制备出黑片。
将黑片切割加工成尺寸为10*6*1.0mm的工件，将黑片处理后，掩埋进盛有石英砂的铁盒子里，再放入石墨盒中置于温度850℃、真空度450℃、真空度1Pa的烧结炉进行热处理，热处理时间为6h。热处理后在烧结炉中充入氩气，将工件缓慢冷却，最终冷却至室温。
测量10片工件的磁通值，然后将工件放入高温烘箱中，温度100℃处理2.5h，冷却至室温后再次测量工件的磁通值，计算两次磁通值变化的百分比得到高温减磁率；测量10片工件在1200V电压下不饱和充磁，用高斯计测量工件表磁场大小。
采用机械振磨将球形SiC磨料和工件在振磨机中常规磨光8h。
配置碱性除油剂，碱性除油剂中各成分含量为磷酸钠20g/L，碳酸钠10g/L，氢氧化钠10g/L，将工件置入碱性除油剂中，在45℃下除油5min；将脱脂出油后的工件置入pH值为3.0的稀硝酸中酸洗60s除锈。
将工件置于第一层电镀液中进行电镀，电镀液为硫酸镍溶液，各成分浓度为200g/L的硫酸镍、30g/L的氯化镍、30g/L的硼酸、0.08g/L的十二烷基硫酸钠，pH值为4.0，温度40℃，电镀时间60min。然后将工件置于第二层电镀液中进行电镀，电镀液各成分浓度为250g/L的焦磷酸钾，30g/L焦磷酸铜，pH值为7.5，温度范围为30℃，电镀时间40min。最后将工件置于第三层电镀液中进行电镀，电镀液为硫酸镍溶液，pH值为4.0，温度45℃，电镀时间60min。
将电镀后的工件表面风干，掩埋在盛有石英砂的铁皮盒子里，再放入石墨盒中，置于温度450℃、真空度1Pa的烧结炉进行热处理，热处理时间为6h。热处理后在烧结炉中充入氩气，将工件缓慢冷却，最终冷却至室温。
测量10片工件的磁通值，然后将工件放入高温烘箱中，温度100℃处理2.5h，冷却至室温后再次测量工件的磁通值，计算两次磁通值变化的百分比得到高温减磁率，同时测试工件的磁性能曲线，结果如图4。测量10片工件在1200V电压下不饱和充磁，用高斯计测量工件表磁场大小。将本实施例的最终磁体的横截面进行显微镜观察，结果如图2所示。
【实施例2】
与实施例1的不同之处在于，将黑片和电镀后的工件，掩埋在盛有石英砂的铁皮盒子里，再放入石墨盒中，置于温度500℃、真空度8Pa的烧结炉进行热处理，热处理时间为5.5h。
【实施例3】
与实施例1的不同之处在于，将黑片和电镀后的工件，掩埋在盛有石英砂的铁皮盒子里，再放入石墨盒中，置于温度550℃、真空度8Pa的烧结炉进行热处理，热处理时间为5.5h。
【实施例4】
与实施例1的不同之处在于，电镀时仅为镍镀层，单一镀镍层的厚度为10～15um，电镀液采用硫酸镍溶液，主要由浓度为200g/L的硫酸镍、30g/L的氯化镍、30g/L的硼酸组成，pH值范围为3.8～4.8，温度范围为45～55。
【实施例5】
与实施例1不同之处在于，磁体原料成型过程直接为辐射环。
【对比例1】
将(Pr0.25Nd0.75)28Tb2Co1.5Cu0.15Zr0.15Ga0.25B1.0Fe余(重量百分比)的合金原料装入真空感应感应熔炼炉，采用速凝工艺制备合金速凝片，合金速凝片厚度为0.3mm。经过氢破后采用气流磨制备平均粒径为4.0um的粉末，气流磨的研磨室中充入一定量的空气、含碳溶剂、润滑剂以及防氧化剂，保证粉末的碳氢氮氧含量在合适的范围内。然后将粉末在磁场强度为2T的磁场中取向成型，之后进行等静压，最后经过烧结、时效制备出毛坯。
将毛坯切割加工成尺寸为10*6*1.0mm的工件，采用机械振磨将球形SiO2磨料和工件在振磨机中常规磨光8h。
配置碱性除油剂，碱性除油剂中各成分含量为磷酸钠20g/L，碳酸钠10g/L，氢氧化钠10g/L，将工件置入碱性除油剂中，在45℃下除油5min；将脱脂出油后的工件置入pH值为3.0的稀硝酸中酸洗60s除锈。
将工件置于第一层电镀液中进行电镀，电镀液为硫酸镍溶液，各成分浓度为200g/L的硫酸镍、30g/L的氯化镍、30g/L的硼酸、0.08g/L的十二烷基硫酸钠，pH值为4.0，温度40℃，电镀时间60min。然后将工件置于第二层电镀液中进行电镀，电镀液各成分浓度为250g/L的焦磷酸钾，30g/L焦磷酸铜，pH值为7.5，温度范围为30℃，电镀时间40min。最后将工件置于第三层电镀液中进行电镀，电镀液为硫酸镍溶液，pH值为4.0，温度45℃，电镀时间60min。
将电镀后的工件表面风干，测量10片工件的磁通值，然后将工件放入高温烘箱中，温度100℃处理2.5h，冷却至室温后再次测量工件的磁通值，计算两次磁通值变化的百分比得到高温减磁率，磁性能曲线如图5，测量10片工件在1200V电压下不饱和充磁，用高斯计测量工件表磁场大小。将本对比例的最终磁体的横截面进行显微镜观察，结果如图3所示。
【对比例2】
与实施例1的不同之处在于，黑片不进行热处理。
【对比例3】
与实施例1的不同之处在于，掩埋在盛有石英砂的铁皮盒子里，再放入石墨盒中，置于温度650℃。
【对比例4】
与实施例1的不同之处在于，用锡箔纸包裹住磁体再放入石墨盒中，置于温度450℃。
【对比例5】
与实施例5不同之处在于，用锡箔纸包裹住磁体再放入石墨盒中，置于温度450℃。
表1
| 高温减磁率/％ | Hcj(kA/m) | Hk(kA/m) | Hk/Hcj(％) | |
| 实施例1 | 1.3 | 1755.4 | 1675.0 | 95.42 |
| 实施例2 | 2.4 | 1687.4 | 1560.3 | 92.47 |
| 实施例3 | 2.3 | 1699.5 | 1591.4 | 93.64 |
| 实施例4 | 1.9 | 1688.2 | 1573.1 | 93.18 |
| 对比例1 | 9.8 | 1649.8 | 1340.5 | 81.25 |
| 对比例2 | 12.2 | 1643.1 | 1383.3 | 84.19 |
| 对比例3 | 8.4 | 1652.9 | 1335.5 | 80.8 |
| 对比例4 | 2.5 | 1725.1 | 1611.2 | 93.4 |
表2
| 光泽度 | 样品1 | 样品2 | 样品3 | 样品4 | 样品5 | 样品6 | 样品7 | 样品8 | 样品9 | 样品10 |
| 实施例1 | 143 | 142 | 133 | 145 | 159 | 138 | 129 | 148 | 158 | 147 |
| 对比例1 | 132 | 144 | 137 | 154 | 162 | 152 | 135 | 134 | 154 | 148 |
| 对比例4 | 100 | 90 | 90 | 121 | 110 | 82 | 81 | 101 | 84 | 97 |
表1为实施例1至4和对比例1至4的磁性能测试结果，表2为实施例1、对比例1和对比例4分别取样1至10测试光泽度的结果。根据表1和表2可以看出对比例4包覆和实施例1掩埋方式热处理电镀磁体均可以修复加工和电镀带来的损伤，从图2和图3可以看出，采用实施例1方式制备后的磁体相较于对比例1。基体表面状态和镀层结合处明显改善，这大大改善了镀层和基体的结合力；从图4和图5也可以看出，由于磁钢太小，Br测试误差较大；但是实施例1方式可以有效修复常规手段对方形度的破坏，从而改善电镀磁体的热减磁和组装件的充磁特性；但是对比例4包覆方式会破坏镀层的光泽度和盐雾，同时热处理过程中磁体断裂，造成电镀磁体失去使用价值反而造成更大的稀土资源浪费。实施例1掩埋的方式通过介质给磁体进行热传导，有效改善了磁体冷却均匀性，增强磁体的机械强度一致性，增加了磁体的使用寿命
表3
| 样品1 | 样品2 | 样品3 | 样品4 | 样品5 | 样品6 | 样品7 | 样品8 | 样品9 | 样品10 | |
| 实施例1 | 881 | 904 | 900 | 899 | 902 | 910 | 893 | 887 | 904 | 893 |
| 对比例1 | 400 | 456 | 856 | 256 | 684 | 485 | 386 | 756 | 346 | 850 |
| 对比例2 | 840 | 825 | 900 | 902 | 853 | 810 | 835 | 894 | 834 | 846 |
表3为实施例1、对比例1和对比例2取样1至10测试表磁的结果。从表3可以看出电镀磁体不经过任何处理的表磁离散型很大，这是由于加工和电镀的损伤造成的各种缺陷，这可以从图5也可以看出磁体的方形度严重恶化，使得不饱和磁化过程中的杂散场变大，造成表磁一致性很大，对比例2和实施例1相比，黑片的热处理有助于会降低电镀带来的损伤。
在本说明书的描述中，术语“一个实施例”、“一些实施例”、“具体实施例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或实例。而且，描述的具体特征、结构、材料或特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
Claims (10)
1.一种电镀磁体的制备方法，其特征在于，包括：
S100、将磁体原料加工成黑片；
S200、将所述黑片进行预处理后进行热处理得到热处理黑片；
S300、将所述热处理黑片进行电镀得到电镀片；
S400、将所述电镀片进行预处理后进行热处理得到所述电镀磁体。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述磁体原料的成分包括：29wt％至32wt％的R，0wt％至2wt％的Dy和/或Tb，1.2wt％至1.8wt％的M，0.2wt％至0.3wt％的Ga，0.93wt％至1.0wt％的B，其余为Fe及不可避免的杂质元素；
其中，R为包括Pr和/或Nd，且不包含Dy和Tb的稀土元素，Pr和/或Nd在R中的占比为98wt％至100wt％；M为Al、Cu、Nb、Zr、Ti、Co、Sn中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述S200中所述预处理为将所述黑片掩埋在埋料中。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述S200中热处理包括：
第一段热处理，所述第一段热处理为真空热处理，温度为850℃至950℃，时间为2h至3h；
第二段热处理，所述第二段热处理为真空热处理，温度为450℃至550℃，时间为5h至6h。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述S400中所述预处理为将所述电镀片掩埋在埋料中。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述S400中热处理为真空环境，温度450℃至550℃，时间5h至6h。
7.根据权利要求3或5中任意一项所述的制备方法，其特征在于，所述埋料为导热材料。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述导热材料为石墨、石英砂、氧化铝和氧化锆中的一种或几种。
9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述S300包括：
S310、将所述热处理黑片进行磨光和脱脂除油；
S320、第一层镍电镀，所述第一层镍电镀的电镀液pH为3.8至4.8，温度40℃至60℃，镀层厚度3um至5um；
S330、第二层铜镀层，所述第二层铜镀层的电镀液pH为7.5至9.0，温度30℃至50℃，镀层厚度为3um至5um；
S340、第三层镍镀层，所述第三层镍镀层的电镀液pH值范围为3.8至4.8，温度范围为45℃至55℃，镀层厚度为3um至5um得到所述电镀片。
10.一种电镀磁体，其特征在于，所述电镀磁体通过如权利要求1至9中任一项所述的制备方法制备得到。
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- 2023-06-07 CN CN202310669207.7A patent/CN116479487A/zh active Pending
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