JP2001176709A - 磁気特性に優れる高耐食性磁石およびその製造方法 - Google Patents
磁気特性に優れる高耐食性磁石およびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来に比べて、高温での磁気特性の劣化が小
さく且つ耐食性に優れるＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石およびそ
の製造方法を提供する。 【解決手段】 Ｒ２Ｔ１４Ｂ型金属間化合物を主相とす
るＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石体（ＲはＹを含む希土類元素の
うちの１種または２種以上でありＮｄ、ＤｙおよびＰｒ
の１種または２種以上を必ず含み、ＴはＦｅまたはＦｅ
とＣｏである）の表面に３層の表面被膜を形成してなる
磁気特性に優れる高耐食性磁石であって、表面被膜の第
１層が無電解または無電解／電解併用によるＮｉ−Ｐ膜
からなり、第２層が電解Ｃｕ膜からなり、第３層が電解
Ｎｉ膜からなることを特徴とする磁気特性に優れる高耐
食性磁石。
さく且つ耐食性に優れるＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石およびそ
の製造方法を提供する。 【解決手段】 Ｒ２Ｔ１４Ｂ型金属間化合物を主相とす
るＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石体（ＲはＹを含む希土類元素の
うちの１種または２種以上でありＮｄ、ＤｙおよびＰｒ
の１種または２種以上を必ず含み、ＴはＦｅまたはＦｅ
とＣｏである）の表面に３層の表面被膜を形成してなる
磁気特性に優れる高耐食性磁石であって、表面被膜の第
１層が無電解または無電解／電解併用によるＮｉ−Ｐ膜
からなり、第２層が電解Ｃｕ膜からなり、第３層が電解
Ｎｉ膜からなることを特徴とする磁気特性に優れる高耐
食性磁石。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばＣＤ、ＣＤ
−ＲＯＭあるいはＤＶＤ等に搭載される光ピックアッ
プ、携帯電話に搭載されるペジャー等に有用な磁気特性
に優れる高耐食性のＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石およびその製
造方法に関する。
−ＲＯＭあるいはＤＶＤ等に搭載される光ピックアッ
プ、携帯電話に搭載されるペジャー等に有用な磁気特性
に優れる高耐食性のＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石およびその製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系永久磁石は優れた磁気特
性を有し、且つ安価なため、現在希土類磁石の主流とな
っている。通常、このＲ−Ｆｅ−Ｂ系永久磁石は溶製し
た合金を粉砕・成形・焼結・熱処理・表面処理したもの
が実用に供されている。そして、過酷な耐食性が要求さ
れる、例えばハードディスクドライブあるいはＣＤ等の
用途にはＮｉめっきが施されたものが多用されている。
Ｎｉめっき膜は樹脂塗装膜あるいはＡｌ・クロメート膜
と比較して耐食性に優れるという利点を有する。
性を有し、且つ安価なため、現在希土類磁石の主流とな
っている。通常、このＲ−Ｆｅ−Ｂ系永久磁石は溶製し
た合金を粉砕・成形・焼結・熱処理・表面処理したもの
が実用に供されている。そして、過酷な耐食性が要求さ
れる、例えばハードディスクドライブあるいはＣＤ等の
用途にはＮｉめっきが施されたものが多用されている。
Ｎｉめっき膜は樹脂塗装膜あるいはＡｌ・クロメート膜
と比較して耐食性に優れるという利点を有する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系永久磁
石体は小さく且つ厚みが薄い寸法に加工されると、加工
劣化層（加工による衝撃でＲ−Ｆｅ−Ｂ系永久磁石体内
にクラックが多数導入された部分）の体積比率が増加し
て、体積あたりの磁気特性（最大エネルギー積：(BH)ma
x等）が顕著に低下する。これは、加工劣化層部分の個
々の結晶粒の保磁力が低下することによる。加工劣化層
を低減するために、通常、加工後に熱処理を行い、加工
劣化層を消滅または低減する処理が施される。しかし、
続いて、前記Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系永久磁石体にＮｉめっきを
施すと磁気特性の顕著な低下が避けられないという問題
がある。特に、Ｎｉめっきを施したＲ−Ｆｅ−Ｂ系永久
磁石は高温にさらされると磁気特性の顕著な劣化を示す
ことが問題である。Ｎｉめっきに係わる磁気特性劣化を
回避するために、Ｎｉめっきに替えて樹脂塗装（電着あ
るいは真空蒸着による）、Ａｌ・クロメート処理あるい
は無電解Ｃｕめっき等が行われる場合がある。しかし、
樹脂塗装では十分な耐食性が得られず、硬度不足のため
に取り扱い時にキズが付きやすいという問題がある。Ａ
ｌ・クロメート処理は製造コストが高いという問題があ
る。無電解Ｃｕめっきはホルマリンを使用するためめっ
き液中成分濃度が変動しやすく、且つ人体への悪影響が
懸念されるという問題がある。このように従来の被膜方
法は種々の問題を抱えている。Ｒ−Ｔ−Ｂ系永久磁石の
量産性および製品の取り扱い易さを考慮するとめっき法
が望ましく、磁気特性劣化の少ないめっき方法が必要と
されていた。したがって、本発明の課題は、従来に比べ
て、高温での磁気特性の劣化が小さく且つ耐食性に優れ
るＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石およびその製造方法を提供する
ことである。
石体は小さく且つ厚みが薄い寸法に加工されると、加工
劣化層（加工による衝撃でＲ−Ｆｅ−Ｂ系永久磁石体内
にクラックが多数導入された部分）の体積比率が増加し
て、体積あたりの磁気特性（最大エネルギー積：(BH)ma
x等）が顕著に低下する。これは、加工劣化層部分の個
々の結晶粒の保磁力が低下することによる。加工劣化層
を低減するために、通常、加工後に熱処理を行い、加工
劣化層を消滅または低減する処理が施される。しかし、
続いて、前記Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系永久磁石体にＮｉめっきを
施すと磁気特性の顕著な低下が避けられないという問題
がある。特に、Ｎｉめっきを施したＲ−Ｆｅ−Ｂ系永久
磁石は高温にさらされると磁気特性の顕著な劣化を示す
ことが問題である。Ｎｉめっきに係わる磁気特性劣化を
回避するために、Ｎｉめっきに替えて樹脂塗装（電着あ
るいは真空蒸着による）、Ａｌ・クロメート処理あるい
は無電解Ｃｕめっき等が行われる場合がある。しかし、
樹脂塗装では十分な耐食性が得られず、硬度不足のため
に取り扱い時にキズが付きやすいという問題がある。Ａ
ｌ・クロメート処理は製造コストが高いという問題があ
る。無電解Ｃｕめっきはホルマリンを使用するためめっ
き液中成分濃度が変動しやすく、且つ人体への悪影響が
懸念されるという問題がある。このように従来の被膜方
法は種々の問題を抱えている。Ｒ−Ｔ−Ｂ系永久磁石の
量産性および製品の取り扱い易さを考慮するとめっき法
が望ましく、磁気特性劣化の少ないめっき方法が必要と
されていた。したがって、本発明の課題は、従来に比べ
て、高温での磁気特性の劣化が小さく且つ耐食性に優れ
るＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石およびその製造方法を提供する
ことである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは種々の電解
または無電解めっき方法を検討した結果、第１層膜とし
て無電解または無電解／電解併用によるＮｉ−Ｐ膜もし
くはＮｉ−Ｂ膜をめっきし、第２層膜として電解Ｃｕ膜
をめっきし、第３層膜として電解Ｎｉ膜をめっきするこ
とにより、従来に比べて磁気特性劣化が少なく、且つ耐
食性および量産性に富んだＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石および
その製造方法を提供できることを知見した。
または無電解めっき方法を検討した結果、第１層膜とし
て無電解または無電解／電解併用によるＮｉ−Ｐ膜もし
くはＮｉ−Ｂ膜をめっきし、第２層膜として電解Ｃｕ膜
をめっきし、第３層膜として電解Ｎｉ膜をめっきするこ
とにより、従来に比べて磁気特性劣化が少なく、且つ耐
食性および量産性に富んだＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石および
その製造方法を提供できることを知見した。
【０００５】
【発明の実施の形態】以下に、Ｒ２Ｔ１４Ｂ型金属間化
合物を主相とするＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石体に上記３層被
膜を被覆した本発明の焼結磁石の製造条件を例示する。
所定主要成分の組成に調整したＲ−Ｔ−Ｂ系合金に水素
を吸蔵後、脱水素することにより該合金を解砕し、さら
に微粉砕を行う。微粉砕は非酸化性の有機溶媒を用いた
湿式ボールミルまたは不活性ガス雰囲気に保持した乾式
のジェットミルで行うことが好ましい。得られた微粉は
縦磁場または横磁場（必要に応じてパルス磁場を付加し
てもよい）を印加して配向しつつ、油圧成形もしくはメ
カプレスにより圧縮成形する。成形体は1050〜1100℃の
温度範囲で焼結後冷却し、その後400〜900℃の温度範囲
で熱処理を行い、室温まで冷却する。その後、所定寸法
に加工する。その後、必要に応じて400〜900℃の温度範
囲で熱処理を行い、加工劣化層を修復したものを得てめ
っきに供する。めっきは例えば六角バレルの槽内に所定
寸法に仕上げたＲ−Ｔ−Ｂ系磁石体とダミーボールとを
所定の比率で投入した後、1〜10回転／分程度の回転数
で回転させながら、前処理、めっき、後処理、洗浄およ
び乾燥を行う工程である。前処理はアルカリ脱脂洗浄、
酸洗浄工程などからなる。アルカリ脱脂洗浄は水酸化ナ
トリウム、炭酸ナトリウム、燐酸ナトリウムの１種また
は２種以上を含む水溶液を用いて行われる。また、酸洗
浄は塩酸、硝酸、酢酸、クエン酸、過酸化水素水の１種
または２種以上を含む水溶液を用いて行われる。前処理
時間は1〜10分の範囲で行う。前処理後は水洗を行い、
その後めっきを行う。第１層膜のめっきは無電解または
無電解／電解の併用によるＮｉ−Ｂ浴もしくはＮｉ−Ｐ
浴を用いて行う。前記Ｎｉ−Ｂ液またはＮｉ−Ｐ液とし
て通常純度の市販液を用いることができる。前記めっき
浴の基本組成に調整するために、Ｎｉ供給剤として硫酸
ニッケルまたは塩化ニッケル等を用いる。また、還元剤
として次亜りん酸ナトリウム、水素化ホウ素またはジメ
チルアミノボラン等を用いる。それら以外に前記めっき
浴の安定剤または錯化剤として乳酸、プロピオン酸、硫
酸アンモニウムまたはクエン酸ナトリウム等を用いる。
また、ｐＨ調整用に水酸化ナトリウムまたは水酸化アン
モニウム等を用いる。また、微量添加剤として酢酸鉛な
ども有用である。前記めっきの浴温は30〜95℃、ｐＨ＝
5.5〜10で行うのがよい。前記無電解または無電解／電
解併用による第１層膜のめっきにより発生する磁気特性
の劣化を従来よりも小さくするにはＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁
石体を極力腐食させないめっき液が必要であり、前記め
っき液のｐＨを5.5〜10にする必要がある。通常、前記
第１層膜のめっきに際して電流を印加しないが、(1)密
着力を改善する、(2)浴温を下げる目的で、電解を併用
することが好ましい。電解を併用する場合を本発明では
「無電解／電解併用」という。印加電流密度は0.01〜0.
3A/dm２とすることが(1)、(2)を実現するためによい。
第２層の電解Ｃｕめっき膜の被覆はピロりん酸銅浴また
は硫酸銅浴を用いて行う。ピロりん酸銅浴としては、例
えばピロりん酸カリウム350g/L、ピロりん酸銅85g/L、
光沢剤：必要量、浴温55℃の条件がよい。硫酸銅浴とし
ては、例えば硫酸銅200g/L、硫酸80ml/L、光沢剤：必要
量、浴温30℃の条件がよい。いずれも陰極電流密度は0.
2〜1.2 A/dm２の範囲で行われる。第３層の電解Ｎｉめ
っき膜の被覆にはワット浴が用いられる。ワット浴とし
ては、例えば硫酸ニッケル270g/L、塩化ニッケル45g/
L、ほう酸35g/L、光沢剤：必要量、浴温50℃の条件がよ
い。陰極電流密度は0.2〜1.2 A/dm２の範囲で行われ
る。電解Ｎｉめっき後は酸洗いを行い、その後必要に応
じてクロム酸処理等を行った後、水酸化ナトリウムまた
は燐酸ナトリウム等によるアルカリ洗浄を行う。その
後、純水で水洗し、次いで乾燥して本発明のＲ−Ｔ−Ｂ
系焼結磁石が得られる。
合物を主相とするＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石体に上記３層被
膜を被覆した本発明の焼結磁石の製造条件を例示する。
所定主要成分の組成に調整したＲ−Ｔ−Ｂ系合金に水素
を吸蔵後、脱水素することにより該合金を解砕し、さら
に微粉砕を行う。微粉砕は非酸化性の有機溶媒を用いた
湿式ボールミルまたは不活性ガス雰囲気に保持した乾式
のジェットミルで行うことが好ましい。得られた微粉は
縦磁場または横磁場（必要に応じてパルス磁場を付加し
てもよい）を印加して配向しつつ、油圧成形もしくはメ
カプレスにより圧縮成形する。成形体は1050〜1100℃の
温度範囲で焼結後冷却し、その後400〜900℃の温度範囲
で熱処理を行い、室温まで冷却する。その後、所定寸法
に加工する。その後、必要に応じて400〜900℃の温度範
囲で熱処理を行い、加工劣化層を修復したものを得てめ
っきに供する。めっきは例えば六角バレルの槽内に所定
寸法に仕上げたＲ−Ｔ−Ｂ系磁石体とダミーボールとを
所定の比率で投入した後、1〜10回転／分程度の回転数
で回転させながら、前処理、めっき、後処理、洗浄およ
び乾燥を行う工程である。前処理はアルカリ脱脂洗浄、
酸洗浄工程などからなる。アルカリ脱脂洗浄は水酸化ナ
トリウム、炭酸ナトリウム、燐酸ナトリウムの１種また
は２種以上を含む水溶液を用いて行われる。また、酸洗
浄は塩酸、硝酸、酢酸、クエン酸、過酸化水素水の１種
または２種以上を含む水溶液を用いて行われる。前処理
時間は1〜10分の範囲で行う。前処理後は水洗を行い、
その後めっきを行う。第１層膜のめっきは無電解または
無電解／電解の併用によるＮｉ−Ｂ浴もしくはＮｉ−Ｐ
浴を用いて行う。前記Ｎｉ−Ｂ液またはＮｉ−Ｐ液とし
て通常純度の市販液を用いることができる。前記めっき
浴の基本組成に調整するために、Ｎｉ供給剤として硫酸
ニッケルまたは塩化ニッケル等を用いる。また、還元剤
として次亜りん酸ナトリウム、水素化ホウ素またはジメ
チルアミノボラン等を用いる。それら以外に前記めっき
浴の安定剤または錯化剤として乳酸、プロピオン酸、硫
酸アンモニウムまたはクエン酸ナトリウム等を用いる。
また、ｐＨ調整用に水酸化ナトリウムまたは水酸化アン
モニウム等を用いる。また、微量添加剤として酢酸鉛な
ども有用である。前記めっきの浴温は30〜95℃、ｐＨ＝
5.5〜10で行うのがよい。前記無電解または無電解／電
解併用による第１層膜のめっきにより発生する磁気特性
の劣化を従来よりも小さくするにはＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁
石体を極力腐食させないめっき液が必要であり、前記め
っき液のｐＨを5.5〜10にする必要がある。通常、前記
第１層膜のめっきに際して電流を印加しないが、(1)密
着力を改善する、(2)浴温を下げる目的で、電解を併用
することが好ましい。電解を併用する場合を本発明では
「無電解／電解併用」という。印加電流密度は0.01〜0.
3A/dm２とすることが(1)、(2)を実現するためによい。
第２層の電解Ｃｕめっき膜の被覆はピロりん酸銅浴また
は硫酸銅浴を用いて行う。ピロりん酸銅浴としては、例
えばピロりん酸カリウム350g/L、ピロりん酸銅85g/L、
光沢剤：必要量、浴温55℃の条件がよい。硫酸銅浴とし
ては、例えば硫酸銅200g/L、硫酸80ml/L、光沢剤：必要
量、浴温30℃の条件がよい。いずれも陰極電流密度は0.
2〜1.2 A/dm２の範囲で行われる。第３層の電解Ｎｉめ
っき膜の被覆にはワット浴が用いられる。ワット浴とし
ては、例えば硫酸ニッケル270g/L、塩化ニッケル45g/
L、ほう酸35g/L、光沢剤：必要量、浴温50℃の条件がよ
い。陰極電流密度は0.2〜1.2 A/dm２の範囲で行われ
る。電解Ｎｉめっき後は酸洗いを行い、その後必要に応
じてクロム酸処理等を行った後、水酸化ナトリウムまた
は燐酸ナトリウム等によるアルカリ洗浄を行う。その
後、純水で水洗し、次いで乾燥して本発明のＲ−Ｔ−Ｂ
系焼結磁石が得られる。
【０００６】本発明のＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石を構成する
磁石体は、主要成分のＲとＢとＴとの総計を100ｗｔ％
として、Ｒ：24〜35ｗｔ％（ＲはＹを含む希土類元素の
１種または２種以上でありＮｄ、ＤｙおよびＰｒの１種
または２種以上を必ず含む）、Ｂ：0.6〜1.8ｗｔ％、残
部Ｔ（ＴはＦｅまたはＦｅとＣｏからなる）であり、Ｒ
２Ｔ１４Ｂ型金属間化合物を主相とする。さらには、前
記磁石体の主要成分のＲとＢとＴとＭとの総計を100ｗ
ｔ％としたときＲ：24〜35ｗｔ％、Ｂ：0.6〜1.8ｗｔ
％、Ｃｏ：0.0001〜20ｗｔ％、Ｍ：0.001〜3ｗｔ％（Ｍ
はＡｌ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗのうちの１
種または２種以上である）、残部Ｆｅのものである。Ｒ
として（Ｎｄ、Ｄｙ）またはＤｙまたはＰｒまたは（Ｄ
ｙ、Ｐｒ）または（Ｎｄ、Ｄｙ、Ｐｒ）が実用上選択さ
れる。Ｒ量は24〜35ｗｔ％が好ましく、27〜34ｗｔ％が
より好ましい。Ｒ量が24ｗｔ％未満では保磁力iHcが大
きく低下し、35ｗｔ％を超えると残留磁束密度Brが大き
く低下する。Ｂ量は0.6〜1.8ｗｔ％が好ましく、0.8〜
1.5ｗｔ％がより好ましい。Ｂ量が0.6ｗｔ％未満では実
用に耐えるiHcが得られず、1.8ｗｔ％超ではBrが大きく
低下する。磁気特性および耐食性を改善するために、Ａ
ｌ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｎｂ、Ｍ、Ｗのうちの１種また
は２種以上を0.001〜3ｗｔ％含有することが好ましい。
これらの含有量が0.001ｗｔ％未満では添加効果が認め
られず、３ｗｔ％超では逆に磁気特性が劣化する。Ｃｏ
含有量は0.0001〜20ｗｔ％が好ましく、0.3〜5ｗｔ％が
より好ましい。Ｃｏ含有量が0.0001ｗｔ％未満ではキュ
リー点、表面被膜と磁石体との密着性を向上する効果が
認められず、20ｗｔ％超ではBr、iHcが大きく低下す
る。
磁石体は、主要成分のＲとＢとＴとの総計を100ｗｔ％
として、Ｒ：24〜35ｗｔ％（ＲはＹを含む希土類元素の
１種または２種以上でありＮｄ、ＤｙおよびＰｒの１種
または２種以上を必ず含む）、Ｂ：0.6〜1.8ｗｔ％、残
部Ｔ（ＴはＦｅまたはＦｅとＣｏからなる）であり、Ｒ
２Ｔ１４Ｂ型金属間化合物を主相とする。さらには、前
記磁石体の主要成分のＲとＢとＴとＭとの総計を100ｗ
ｔ％としたときＲ：24〜35ｗｔ％、Ｂ：0.6〜1.8ｗｔ
％、Ｃｏ：0.0001〜20ｗｔ％、Ｍ：0.001〜3ｗｔ％（Ｍ
はＡｌ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗのうちの１
種または２種以上である）、残部Ｆｅのものである。Ｒ
として（Ｎｄ、Ｄｙ）またはＤｙまたはＰｒまたは（Ｄ
ｙ、Ｐｒ）または（Ｎｄ、Ｄｙ、Ｐｒ）が実用上選択さ
れる。Ｒ量は24〜35ｗｔ％が好ましく、27〜34ｗｔ％が
より好ましい。Ｒ量が24ｗｔ％未満では保磁力iHcが大
きく低下し、35ｗｔ％を超えると残留磁束密度Brが大き
く低下する。Ｂ量は0.6〜1.8ｗｔ％が好ましく、0.8〜
1.5ｗｔ％がより好ましい。Ｂ量が0.6ｗｔ％未満では実
用に耐えるiHcが得られず、1.8ｗｔ％超ではBrが大きく
低下する。磁気特性および耐食性を改善するために、Ａ
ｌ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｎｂ、Ｍ、Ｗのうちの１種また
は２種以上を0.001〜3ｗｔ％含有することが好ましい。
これらの含有量が0.001ｗｔ％未満では添加効果が認め
られず、３ｗｔ％超では逆に磁気特性が劣化する。Ｃｏ
含有量は0.0001〜20ｗｔ％が好ましく、0.3〜5ｗｔ％が
より好ましい。Ｃｏ含有量が0.0001ｗｔ％未満ではキュ
リー点、表面被膜と磁石体との密着性を向上する効果が
認められず、20ｗｔ％超ではBr、iHcが大きく低下す
る。
【０００７】以下、実施例により本発明を詳しく説明す
るが、それら実施例により本発明が限定されるものでは
ない。 （実施例１）（Ｎｄ、Ｐｒ、Ｄｙ）２（Ｆｅ、Ｃｏ）
１４Ｂ型金属間化合物を主相とするＮｄ−Ｐｒ−Ｄｙ−
Ｆｅ−Ｃｏ−Ａｌ−Ｇａ−Ｃｕ系の焼結磁石体を作製し
た。この磁石体の室温における磁気特性はBr＝1.3T（13
kG）、iHc＝1353kA/m(17kOe)、(BH)max＝326kJ/m３(41M
GOe)であった。次に、前記磁石体を5mm×4mm×1mmの長
方形板状に加工後、バレル加工を施した。その後、Ａｒ
雰囲気中で600℃で2時間加熱後室温まで冷却する熱処理
を行い、加工劣化層を消滅させたもの（ワーク）をめっ
きに供した。次に、六角バレルの槽内にダミーボールお
よびワークを所定量ずつ入れた後、前処理、３層めっ
き、後処理等を連続して行った。めっきの前処理は硝酸
３％水溶液に３分浸積後、水洗する条件で行った。次
に、無電解Ｎｉ−Ｐめっき液に奥野製薬製の（ＴＭＰ化
学ニッケル）を用い、浴温35℃、ｐＨ＝9.0、2dm２/L×
10分の条件で平均膜厚3μｍの第１層膜（無電解Ｎｉ−
Ｐ膜）をめっきした。次に、ピロりん酸銅浴（ピロりん
酸カリウム400g/L、ピロりん酸銅72g/L）の浴温55℃、
ｐＨ＝8.5、陰極電流密度0.3A/dm２の条件で平均膜厚8
μｍの第２層膜（電解Ｃｕ膜）をめっきした。次に、ワ
ット浴（浴組成は硫酸ニッケル：290g/L、塩化ニッケ
ル：40g/L、ほう酸：30g/L）を用いて、温度：50℃、陰
極電流密度：0.3A/dm２の条件で平均膜厚10μｍの第３
層膜（電解Ｎｉ膜）をめっきした。次に、めっき後のも
のを十分水洗後、続いて硫酸3％水溶液に1分浸積した
後、さらに水酸化ナトリウム水溶液でアルカリ脱脂する
後処理を施した。次いで、純水で十分水洗後、乾燥して
本発明のＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得た。
るが、それら実施例により本発明が限定されるものでは
ない。 （実施例１）（Ｎｄ、Ｐｒ、Ｄｙ）２（Ｆｅ、Ｃｏ）
１４Ｂ型金属間化合物を主相とするＮｄ−Ｐｒ−Ｄｙ−
Ｆｅ−Ｃｏ−Ａｌ−Ｇａ−Ｃｕ系の焼結磁石体を作製し
た。この磁石体の室温における磁気特性はBr＝1.3T（13
kG）、iHc＝1353kA/m(17kOe)、(BH)max＝326kJ/m３(41M
GOe)であった。次に、前記磁石体を5mm×4mm×1mmの長
方形板状に加工後、バレル加工を施した。その後、Ａｒ
雰囲気中で600℃で2時間加熱後室温まで冷却する熱処理
を行い、加工劣化層を消滅させたもの（ワーク）をめっ
きに供した。次に、六角バレルの槽内にダミーボールお
よびワークを所定量ずつ入れた後、前処理、３層めっ
き、後処理等を連続して行った。めっきの前処理は硝酸
３％水溶液に３分浸積後、水洗する条件で行った。次
に、無電解Ｎｉ−Ｐめっき液に奥野製薬製の（ＴＭＰ化
学ニッケル）を用い、浴温35℃、ｐＨ＝9.0、2dm２/L×
10分の条件で平均膜厚3μｍの第１層膜（無電解Ｎｉ−
Ｐ膜）をめっきした。次に、ピロりん酸銅浴（ピロりん
酸カリウム400g/L、ピロりん酸銅72g/L）の浴温55℃、
ｐＨ＝8.5、陰極電流密度0.3A/dm２の条件で平均膜厚8
μｍの第２層膜（電解Ｃｕ膜）をめっきした。次に、ワ
ット浴（浴組成は硫酸ニッケル：290g/L、塩化ニッケ
ル：40g/L、ほう酸：30g/L）を用いて、温度：50℃、陰
極電流密度：0.3A/dm２の条件で平均膜厚10μｍの第３
層膜（電解Ｎｉ膜）をめっきした。次に、めっき後のも
のを十分水洗後、続いて硫酸3％水溶液に1分浸積した
後、さらに水酸化ナトリウム水溶液でアルカリ脱脂する
後処理を施した。次いで、純水で十分水洗後、乾燥して
本発明のＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得た。
【０００８】（実施例２）実施例１で作製したワークを
用いて、第１層膜（無電解Ｎｉ−Ｂ膜）、第２層膜（電
解Ｃｕ膜）および第３層膜（電解Ｎｉ膜）をめっきした
実施例を以下に説明する。無電解Ｎｉ−Ｂめっき液には
奥野製薬製（ケミアロイ６６）を用いた。無電解Ｎｉ−
Ｂめっきの浴温：65℃、ｐＨ＝6.5、1dm２/L×10分の条
件で平均膜厚4μｍの第１層膜（無電解Ｎｉ−Ｂ膜）を
めっきした。以降は実施例１と同様にして、第２層膜
（電解Ｃｕ膜、平均膜厚9μｍ）および第３層膜（電解
Ｎｉ膜、平均膜厚10μｍ）をめっき後、後処理、水洗お
よび乾燥を行い、本発明のＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得
た。
用いて、第１層膜（無電解Ｎｉ−Ｂ膜）、第２層膜（電
解Ｃｕ膜）および第３層膜（電解Ｎｉ膜）をめっきした
実施例を以下に説明する。無電解Ｎｉ−Ｂめっき液には
奥野製薬製（ケミアロイ６６）を用いた。無電解Ｎｉ−
Ｂめっきの浴温：65℃、ｐＨ＝6.5、1dm２/L×10分の条
件で平均膜厚4μｍの第１層膜（無電解Ｎｉ−Ｂ膜）を
めっきした。以降は実施例１と同様にして、第２層膜
（電解Ｃｕ膜、平均膜厚9μｍ）および第３層膜（電解
Ｎｉ膜、平均膜厚10μｍ）をめっき後、後処理、水洗お
よび乾燥を行い、本発明のＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得
た。
【０００９】（実施例３）実施例１で作製したワークを
用いて、第１層膜（無電解／電解併用によるＮｉ−Ｐ
膜）、第２層膜（電解Ｃｕ膜）および第３層膜（電解Ｎ
ｉ膜）をめっきした実施例を以下に説明する。無電解Ｎ
ｉ−Ｐめっき液には奥野製薬製（ＴＭＰ化学ニッケル）
を用いた。陽極には不溶性陽極としてＳＵＳ板を用い、
陰極電流密度を0.05A/dm２、めっき浴温を35℃、ｐＨ＝
9.0および1dm２/L×5分とした条件で平均膜厚3μｍの第
１層膜（無電解／電解併用によるＮｉ−Ｐ膜）をめっき
した。次いで、ピロりん酸銅浴を用い、0.5A/dm２の陰
極電流密度で平均膜厚8μｍの第２層膜（電解Ｃｕ膜）
をめっきした。続いて、スルファミン酸浴（浴組成はス
ルファミン酸ニッケル：350g/L、ほう酸：40g/L、光沢
剤：必要量）を用い、ｐＨ4.0、浴温50℃、陰極電流密
度0.3A/dm２の条件で平均膜厚10μｍの第３層膜（電解
Ｎｉ膜）をめっきした。めっき後は実施例１と同様の後
処理、水洗および乾燥を行い、本発明のＲ−Ｔ−Ｂ系焼
結磁石を得た。
用いて、第１層膜（無電解／電解併用によるＮｉ−Ｐ
膜）、第２層膜（電解Ｃｕ膜）および第３層膜（電解Ｎ
ｉ膜）をめっきした実施例を以下に説明する。無電解Ｎ
ｉ−Ｐめっき液には奥野製薬製（ＴＭＰ化学ニッケル）
を用いた。陽極には不溶性陽極としてＳＵＳ板を用い、
陰極電流密度を0.05A/dm２、めっき浴温を35℃、ｐＨ＝
9.0および1dm２/L×5分とした条件で平均膜厚3μｍの第
１層膜（無電解／電解併用によるＮｉ−Ｐ膜）をめっき
した。次いで、ピロりん酸銅浴を用い、0.5A/dm２の陰
極電流密度で平均膜厚8μｍの第２層膜（電解Ｃｕ膜）
をめっきした。続いて、スルファミン酸浴（浴組成はス
ルファミン酸ニッケル：350g/L、ほう酸：40g/L、光沢
剤：必要量）を用い、ｐＨ4.0、浴温50℃、陰極電流密
度0.3A/dm２の条件で平均膜厚10μｍの第３層膜（電解
Ｎｉ膜）をめっきした。めっき後は実施例１と同様の後
処理、水洗および乾燥を行い、本発明のＲ−Ｔ−Ｂ系焼
結磁石を得た。
【００１０】（比較例１）実施例１で作製したワークと
ダミーボールとをそれぞれ所定量ずつ六角バレルの槽内
に投入後、前処理、単層の電解Ｎｉめっき、後処理、水
洗および乾燥を連続して行った。前処理は硝酸3％水溶
液に3分浸積後、水洗を行う条件とした。次いで、ワッ
ト浴（浴組成は硫酸ニッケル：300g/L、塩化ニッケル：
40g/L、ほう酸：40g/L、サッカリンナトリウム：0.5g/
L）を用い、陰極電流密度：0.3A/dm２の条件で平均膜厚
20μｍの電解Ｎｉ膜を被覆した。めっき後は水洗し、続
いて硫酸3％水溶液に１分浸漬した。次いで、水酸化ナ
トリウム水溶液でアルカリ脱脂した。続いて、純水で水
洗後、乾燥して比較例のＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得た。 （比較例２）実施例１で作製したワークを用いて、無電
解Ｎｉ−Ｐめっき、電解Ｃｕめっきおよび電解Ｎｉめっ
きを行った比較例を説明する。無電解Ｎｉ−Ｐめっき液
には奥野製薬製の（トップニコロンＴＯＭ）を用い、め
っき浴温95℃、ｐＨ＝4.5、2dm２/L×10分の条件で平均
膜厚3μｍの第１層膜（無電解Ｎｉ−Ｐ膜）をめっきし
た。次に、硫酸銅浴（硫酸銅浴の組成は硫酸銅：220g/
L、硫酸：70ml/L、光沢剤：必要量）を用い、浴温30
℃、0.3A/dm２の条件で平均膜厚8μｍの第２層膜（電解
Ｃｕ膜）をめっきした。次に、ワット浴（浴組成は硫酸
ニッケル：280g/L、塩化ニッケル：45g/L、ほう酸：40g
/L、サッカリンナトリウム：0.5g/L）を用い、陰極電流
密度：0.3A/dm２の条件で平均膜厚10μｍの第３層膜
（電解Ｎｉ膜）をめっきした。めっき後は比較例１と同
様の処理を施して比較例のＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得
た。
ダミーボールとをそれぞれ所定量ずつ六角バレルの槽内
に投入後、前処理、単層の電解Ｎｉめっき、後処理、水
洗および乾燥を連続して行った。前処理は硝酸3％水溶
液に3分浸積後、水洗を行う条件とした。次いで、ワッ
ト浴（浴組成は硫酸ニッケル：300g/L、塩化ニッケル：
40g/L、ほう酸：40g/L、サッカリンナトリウム：0.5g/
L）を用い、陰極電流密度：0.3A/dm２の条件で平均膜厚
20μｍの電解Ｎｉ膜を被覆した。めっき後は水洗し、続
いて硫酸3％水溶液に１分浸漬した。次いで、水酸化ナ
トリウム水溶液でアルカリ脱脂した。続いて、純水で水
洗後、乾燥して比較例のＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得た。 （比較例２）実施例１で作製したワークを用いて、無電
解Ｎｉ−Ｐめっき、電解Ｃｕめっきおよび電解Ｎｉめっ
きを行った比較例を説明する。無電解Ｎｉ−Ｐめっき液
には奥野製薬製の（トップニコロンＴＯＭ）を用い、め
っき浴温95℃、ｐＨ＝4.5、2dm２/L×10分の条件で平均
膜厚3μｍの第１層膜（無電解Ｎｉ−Ｐ膜）をめっきし
た。次に、硫酸銅浴（硫酸銅浴の組成は硫酸銅：220g/
L、硫酸：70ml/L、光沢剤：必要量）を用い、浴温30
℃、0.3A/dm２の条件で平均膜厚8μｍの第２層膜（電解
Ｃｕ膜）をめっきした。次に、ワット浴（浴組成は硫酸
ニッケル：280g/L、塩化ニッケル：45g/L、ほう酸：40g
/L、サッカリンナトリウム：0.5g/L）を用い、陰極電流
密度：0.3A/dm２の条件で平均膜厚10μｍの第３層膜
（電解Ｎｉ膜）をめっきした。めっき後は比較例１と同
様の処理を施して比較例のＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得
た。
【００１１】実施例１〜３および比較例１、２で作製し
たＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石からそれぞれ任意にサンプリン
グして減磁率の評価用試料とした。次に、各試料をそれ
ぞれ室温において磁気特性が飽和する条件で着磁後、サ
ーチコイルとデジタル磁束計とを用いて開放磁束量（Φ
１）を測定した。続いて大気中で85℃×2〜192時間加熱
後室温まで冷却する大気中加熱試験を行った。次に、大
気中加熱試験後の各試料の開放磁束量（Φ２）を測定し
て、下記式により減磁率を求めた。 減磁率＝［（Φ１−Φ２）／Φ１］×100（％） Φ１：大気中加熱試験前の室温における開放磁束量（kM
xT） Φ２：大気中加熱試験後の室温における開放磁束量（kM
xT） 測定結果を表１に示す。表１より、実施例１〜３のもの
の減磁率が1％未満であるのに対し、比較例１、２のも
のの減磁率が非常に大きいことがわかる。この原因は、
比較例１のものが単層Ｎｉめっき品であるためと判断さ
れる。また、比較例２のものは３層めっき品であるが、
ｐＨ＝4.5、浴温95℃という酸性で且つ高温浴で無電解
Ｎｉ−Ｐめっきを行ったために減磁率が大きくなってい
ると判断される。
たＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石からそれぞれ任意にサンプリン
グして減磁率の評価用試料とした。次に、各試料をそれ
ぞれ室温において磁気特性が飽和する条件で着磁後、サ
ーチコイルとデジタル磁束計とを用いて開放磁束量（Φ
１）を測定した。続いて大気中で85℃×2〜192時間加熱
後室温まで冷却する大気中加熱試験を行った。次に、大
気中加熱試験後の各試料の開放磁束量（Φ２）を測定し
て、下記式により減磁率を求めた。 減磁率＝［（Φ１−Φ２）／Φ１］×100（％） Φ１：大気中加熱試験前の室温における開放磁束量（kM
xT） Φ２：大気中加熱試験後の室温における開放磁束量（kM
xT） 測定結果を表１に示す。表１より、実施例１〜３のもの
の減磁率が1％未満であるのに対し、比較例１、２のも
のの減磁率が非常に大きいことがわかる。この原因は、
比較例１のものが単層Ｎｉめっき品であるためと判断さ
れる。また、比較例２のものは３層めっき品であるが、
ｐＨ＝4.5、浴温95℃という酸性で且つ高温浴で無電解
Ｎｉ−Ｐめっきを行ったために減磁率が大きくなってい
ると判断される。
【００１２】
【表１】
【００１３】実施例１〜３および比較例１、２で作製し
たＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石に対し、PCTによる耐食性試験
を行い、ふくれ、錆の発生率を調べた。PCTによる耐食
性試験は120℃、相対湿度100％ＲＨ、1kgf/cm２の条件
に保持する時間を24時間、72時間、120時間、168時間に
変化させて評価した。得られた結果を表２に示す。表２
は各実施例（各比較例）の20個の試料のうちでふくれま
たは錆びによる不良が発生した個数を示している。表２
から明らかなように、本実施例によるものは比較例１、
２に比べてPCTによる耐食性が向上していることが分か
った。
たＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石に対し、PCTによる耐食性試験
を行い、ふくれ、錆の発生率を調べた。PCTによる耐食
性試験は120℃、相対湿度100％ＲＨ、1kgf/cm２の条件
に保持する時間を24時間、72時間、120時間、168時間に
変化させて評価した。得られた結果を表２に示す。表２
は各実施例（各比較例）の20個の試料のうちでふくれま
たは錆びによる不良が発生した個数を示している。表２
から明らかなように、本実施例によるものは比較例１、
２に比べてPCTによる耐食性が向上していることが分か
った。
【００１４】
【表２】
【００１５】上記実施例では最小厚み部分が1mmである
Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の場合を記載したが、本発明によ
れば、最小厚み部分が10mm以下、より好ましくは最小厚
み部分が5mm以下、特に好ましくは最小厚み部分が2mm以
下である薄型形状のＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の場合に、従
来に比べて減磁率が小さく且つ耐食性の良好なものを提
供することができる。また、本発明によれば、外径が10
mm以下で且つ最小厚み部分が5mm以下、より好ましくは
外径が5mm以下で且つ最小厚み部分が2mm以下、特に好ま
しくは外径が3mm以下で且つ最小厚み部分が1mm以下であ
る薄肉リング形状のＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の場合に、従
来に比べて減磁率が小さく且つ耐食性の良好なものを提
供することができる。よって、本発明のものは、オーデ
ィオ機器、コンピュータ、自動車あるいはゲーム機に搭
載される薄型あるいは薄肉リング形状に形成したＲ−Ｔ
−Ｂ系永久磁石として有用なものである
Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の場合を記載したが、本発明によ
れば、最小厚み部分が10mm以下、より好ましくは最小厚
み部分が5mm以下、特に好ましくは最小厚み部分が2mm以
下である薄型形状のＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の場合に、従
来に比べて減磁率が小さく且つ耐食性の良好なものを提
供することができる。また、本発明によれば、外径が10
mm以下で且つ最小厚み部分が5mm以下、より好ましくは
外径が5mm以下で且つ最小厚み部分が2mm以下、特に好ま
しくは外径が3mm以下で且つ最小厚み部分が1mm以下であ
る薄肉リング形状のＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の場合に、従
来に比べて減磁率が小さく且つ耐食性の良好なものを提
供することができる。よって、本発明のものは、オーデ
ィオ機器、コンピュータ、自動車あるいはゲーム機に搭
載される薄型あるいは薄肉リング形状に形成したＲ−Ｔ
−Ｂ系永久磁石として有用なものである
【００１６】本発明における表面被膜の厚みは限定され
るものでがないが、第１層の平均厚みを0.1〜10μｍと
し、第２層の平均厚みを2〜20μｍとし、第３層の平均
厚みを2〜20μｍとすることが、良好な耐食性を具備す
るために好ましい。
るものでがないが、第１層の平均厚みを0.1〜10μｍと
し、第２層の平均厚みを2〜20μｍとし、第３層の平均
厚みを2〜20μｍとすることが、良好な耐食性を具備す
るために好ましい。
【００１７】本発明はＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石に限定され
ず、Ｒ２Ｔ１４Ｂ型金属間化合物を主相とし、且つ平均
結晶粒径が0.01〜0.5μｍであるＲ−Ｔ−Ｂ系温間加工
磁石体に上記３層めっきを施したものを包含する。ある
いは、Ｒ２Ｔ１４Ｂ型金属間化合物を主相とする組成に
調整した鋳造合金に熱間加工を施して異方性を付与した
Ｒ−Ｔ−Ｂ系永久磁石体に上記３層めっきを施したもの
を包含する。
ず、Ｒ２Ｔ１４Ｂ型金属間化合物を主相とし、且つ平均
結晶粒径が0.01〜0.5μｍであるＲ−Ｔ−Ｂ系温間加工
磁石体に上記３層めっきを施したものを包含する。ある
いは、Ｒ２Ｔ１４Ｂ型金属間化合物を主相とする組成に
調整した鋳造合金に熱間加工を施して異方性を付与した
Ｒ−Ｔ−Ｂ系永久磁石体に上記３層めっきを施したもの
を包含する。
【００１８】
【発明の効果】以上記述の通り、本発明によれば、従来
に比べて、高温での磁気特性の劣化が小さく且つ耐食性
に優れるＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石およびその製造方法を提
供することができる。
に比べて、高温での磁気特性の劣化が小さく且つ耐食性
に優れるＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石およびその製造方法を提
供することができる。
Claims (5)
- 【請求項１】 Ｒ２Ｔ１４Ｂ型金属間化合物を主相とす
るＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石体（ＲはＹを含む希土類元素の
うちの１種または２種以上でありＮｄ、ＤｙおよびＰｒ
の１種または２種以上を必ず含み、ＴはＦｅまたはＦｅ
とＣｏである）の表面に３層の表面被膜を形成してなる
磁気特性に優れる高耐食性磁石であって、 表面被膜の第１層が無電解または無電解／電解併用によ
るＮｉ−Ｐ膜からなり、第２層が電解Ｃｕ膜からなり、
第３層が電解Ｎｉ膜からなることを特徴とする磁気特性
に優れる高耐食性磁石。 - 【請求項２】 Ｒ２Ｔ１４Ｂ型金属間化合物を主相とす
るＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石体（ＲはＹを含む希土類元素の
うちの１種または２種以上でありＮｄ、ＤｙおよびＰｒ
の１種または２種以上を必ず含み、ＴはＦｅまたはＦｅ
とＣｏである）の表面に３層の表面被膜を形成してなる
磁気特性に優れる高耐食性磁石であって、 表面被膜の第１層が無電解または無電解／電解併用によ
るＮｉ−Ｂ膜からなり、第２層が電解Ｃｕ膜からなり、
第３層が電解Ｎｉ膜からなることを特徴とする磁気特性
に優れる高耐食性磁石。 - 【請求項３】 請求項１または２に記載のＲ−Ｔ−Ｂ系
永久磁石体の主要成分がＲ：24〜35ｗｔ％、Ｂ：0.6〜
1.8ｗｔ％、Ｃｏ：0.0001〜20ｗｔ％、Ｍ：0.001〜3ｗ
ｔ％（ＭはＡｌ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗの
うちの１種または２種以上である）、残部Ｆｅである磁
気特性に優れる高耐食性磁石。 - 【請求項４】 Ｒ２Ｔ１４Ｂ型金属間化合物を主相とす
るＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石体（ＲはＹを含む希土類元素の
うちの１種または２種以上でありＮｄ、ＤｙおよびＰｒ
の１種または２種以上を必ず含み、ＴはＦｅまたはＦｅ
とＣｏである）の表面に３層の表面被膜を形成してなる
磁気特性に優れる高耐食性磁石の製造方法であって、 第１層膜として無電解または無電解／電解併用によるＮ
ｉ−Ｐ膜を被膜後、第２層膜として電解Ｃｕ膜を被膜
し、さらに第３層膜として電解Ｎｉ膜を被覆し、且つ前
記無電解または無電解／電解併用によるＮｉ−Ｐめっき
液のｐＨを5.5〜10にしたことを特徴とする磁気特性に
優れる高耐食性磁石の製造方法。 - 【請求項５】 Ｒ２Ｔ１４Ｂ型金属間化合物を主相とす
るＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石体（ＲはＹを含む希土類元素の
うちの１種または２種以上でありＮｄ、ＤｙおよびＰｒ
の１種または２種以上を必ず含み、ＴはＦｅまたはＦｅ
とＣｏである）の表面に３層の表面被膜を形成してなる
磁気特性に優れる高耐食性磁石の製造方法であって、 第１層膜として無電解または無電解／電解併用によるＮ
ｉ−Ｂ膜を被膜後、第２層膜として電解Ｃｕ膜を被膜
し、さらに第３層膜として電解Ｎｉ膜を被覆し、且つ前
記無電解または無電解／電解併用によるＮｉ−Ｂめっき
液のｐＨを5.5〜10にしたことを特徴とする磁気特性に
優れる高耐食性磁石の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35767799A JP2001176709A (ja) | 1999-12-16 | 1999-12-16 | 磁気特性に優れる高耐食性磁石およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35767799A JP2001176709A (ja) | 1999-12-16 | 1999-12-16 | 磁気特性に優れる高耐食性磁石およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001176709A true JP2001176709A (ja) | 2001-06-29 |
Family
ID=18455350
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35767799A Pending JP2001176709A (ja) | 1999-12-16 | 1999-12-16 | 磁気特性に優れる高耐食性磁石およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001176709A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002373822A (ja) * | 2001-06-14 | 2002-12-26 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 希土類永久磁石の製造方法 |
| JP2003073888A (ja) * | 2001-09-05 | 2003-03-12 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | ニッケルめっき被膜の接着性劣化防止方法 |
| KR100831401B1 (ko) * | 2001-08-11 | 2008-05-21 | 재단법인 포항산업과학연구원 | 네오디뮴-철-보론계 자석 제조방법 |
| WO2018190628A1 (ko) * | 2017-04-11 | 2018-10-18 | 엘지이노텍(주) | 영구 자석, 이를 제조하는 방법 및 이를 포함하는 모터 |
-
1999
- 1999-12-16 JP JP35767799A patent/JP2001176709A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002373822A (ja) * | 2001-06-14 | 2002-12-26 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 希土類永久磁石の製造方法 |
| JP4600627B2 (ja) * | 2001-06-14 | 2010-12-15 | 信越化学工業株式会社 | 希土類永久磁石の製造方法 |
| KR100831401B1 (ko) * | 2001-08-11 | 2008-05-21 | 재단법인 포항산업과학연구원 | 네오디뮴-철-보론계 자석 제조방법 |
| JP2003073888A (ja) * | 2001-09-05 | 2003-03-12 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | ニッケルめっき被膜の接着性劣化防止方法 |
| WO2018190628A1 (ko) * | 2017-04-11 | 2018-10-18 | 엘지이노텍(주) | 영구 자석, 이를 제조하는 방법 및 이를 포함하는 모터 |
| US11462959B2 (en) | 2017-04-11 | 2022-10-04 | Lg Innotek Co., Ltd. | Permanent magnet, method for manufacturing same, and motor comprising same |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20040525 |