CN116456759A - 包括柔性基底的显示装置 - Google Patents

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CN116456759A CN202310495984.4A CN202310495984A CN116456759A CN 116456759 A CN116456759 A CN 116456759A CN 202310495984 A CN202310495984 A CN 202310495984A CN 116456759 A CN116456759 A CN 116456759A
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金炳善
金阳完
李受珍
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Abstract

提供了一种显示装置，其包括：显示面板，包括用于显示图像的显示区和与显示区相邻的非显示区，非显示区包括弯曲区和在显示区与弯曲区之间的第一接触区；第一布线，传输数据信号并且包括设置在第一接触区中的第一导电部、与第一导电部叠置并至少设置在第一接触区和弯曲区中的第二导电部以及与第二导电部叠置并至少设置在第一接触区中的第三导电部；第一绝缘层，设置在第一导电部与第二导电部之间；以及第二绝缘层，设置在第二导电部与第三导电部之间，其中，第一布线的第二导电部通过至少形成在第一绝缘层中的第一接触孔连接到第一布线的第一导电部，第一布线的第三导电部通过至少形成在第二绝缘层中的第二接触孔连接到第一布线的第二导电部。

Description

包括柔性基底的显示装置
本申请是申请日为2017年6月8日、申请号为201710426197.9的发明专利申请“包括柔性基底的显示装置”的分案申请。
技术领域
本公开涉及一种显示装置，更具体地，涉及一种包括柔性基底的显示装置。
背景技术
通常使用诸如有机发光二极管(OLED)显示装置或液晶显示器(LCD)的显示装置。显示装置包括显示面板。显示面板包括用于显示图像的多个像素。显示面板包括用于向每个像素传输信号的各种信号线。
通过在基底上形成多个层和多个元件来制造显示面板。通常，玻璃被用作基底，然而，存在玻璃基底重且易碎的缺点。此外，玻璃基底是刚性的，使得难于使显示面板弯曲或者以其他方式变形。近来，已经开发了使用柔性基底的显示面板。柔性基底对冲击更有回弹性并且可以被有效地弯曲或者以其他方式变形。
大多数显示面板将具有位于不显示图像的外围周围的非显示区。非显示区通常包括用于接收要传输到像素的信号的接触焊盘。使用柔性基底的显示装置可以设计为例如靠近焊盘部在外围处弯曲，以减小非显示区的可感知的尺寸，并且使显示的图像看起来更靠近显示装置的边缘。
然而，因为设置在非显示区上的信号线被弯曲，所以它们会变成拉伸的。从而会增加这些线的长度，减小它们的剖面面积。这会使得通过弯曲的线来增大电阻，增大电流密度，并且降低线的电压，从而劣化显示品质和/或增大显示装置的功耗。
发明内容
一种显示装置包括基底，所述基底包括显示区和设置在显示区周围的外围区。外围区包括弯曲区和与弯曲区相邻的接触区。第一连接线包括：第一部分，设置在接触区中；第二部分，设置在弯曲区和接触区两者中，并且包括第一层和第二层。第二部分的第二层的至少部分与第二部分的第一层叠置。在接触区中，第二部分的第一层电连接到第一部分，第二部分的第二层电连接到第二部分的第一层。
一种显示装置包括基底，所述基底包括显示区和非显示区。非显示区包括弯曲区。用于驱动显示装置的连接线连接到显示区并且延伸跨过非显示区的弯曲区。至少位于非显示区的弯曲区内的连接线包括在多个接触点处彼此接触并且另外通过绝缘层彼此分离的第一层和第二层。
附图说明
因为当结合附图考虑时，通过参照下面的详细描述，本公开变得更容易理解，所以本公开的更完全的理解和本公开的许多附加方面将容易获得，在附图中：
图1是示出根据本发明的示例性实施例的显示装置的布局图；
图2是示出图1的区域A1的放大图；
图3是示出图2的第一接触区的放大图；
图4是沿图3中的线IV-IV'截取的剖视图；
图5是沿图3中的线V-V'截取的剖视图；
图6是示出根据本发明的示例性实施例的显示装置的一个像素的等效电路图；
图7是示出根据本发明的示例性实施例的显示装置的多个像素的布局图；
图8是沿图7中的线VIII-VIII'截取的剖视图；
图9是示出根据本发明的示例性实施例的显示装置在使包括在显示装置中的显示面板弯曲之前的布局图；
图10是示出根据本发明的示例性实施例的显示装置在使包括在显示装置中的显示面板弯曲之后的侧视图。
具体实施方式
在下文中，将参照示出发明的示例性实施例的附图更充分地描述本发明。如本领域技术人员认识到的，在都不脱离本发明的精神或范围的情况下，可以以各种不同的方式修改描述的实施例。
贯穿说明书和公开，可以用相同的附图标记表示与相应的元件相似或相同的元件。
在附图中，为了清楚，可以夸大层、膜、面板、区域等的尺寸和/或厚度。
将理解的是，当诸如层、膜、区域或基底的元件被称作“在”另一元件“上”时，该元件可以直接在所述另一元件上，或者也可以存在中间元件。此外，在说明书中，词语“在……上”或“在……上方”意为设置在目标部分上或下，并不必意为基于重力方向而设置在目标部分的上侧上。
现在将参照附图描述根据本发明的示例性实施例的显示装置。虽然有机发光二极管(OLED)装置被描述为显示装置，但是本发明不限于OLED装置，并且可以应用于具有弯曲区的所有显示装置。
图1是示出根据本发明的示例性实施例的显示装置的布局图。
参照图1，根据本发明的示例性实施例的显示装置包括显示面板100。显示面板100包括在其内显示图像的显示区DA和在其中不显示图像的外围区PA。外围区PA可以围绕显示区DA。外围区PA可以包括用于产生和/或传输施加到显示区DA的各种信号的各种元件和/或信号线。
在显示面板100的显示区DA中，像素PX可以以矩阵设置。在显示区DA中，也设置有诸如栅极线151、发光控制线153、数据线171和驱动电压线172的信号线。栅极线151和发光控制线153可以主要在第一方向D1(例如，行方向)上延伸，数据线171和驱动电压线172均可以主要在与第一方向D1交叉的第二方向D2(例如，列方向)上延伸。每个像素PX连接到栅极线151、发光控制线153、数据线171和驱动电压线172，使得每个像素PX可以施加有来自这些信号线的栅极信号、发光控制信号、数据电压和驱动电压。
在显示面板100的外围区PA中，设置有从外部源接收信号的焊盘部PP。印刷电路膜可以附着到焊盘部PP，印刷电路膜的凸起可以电连接到焊盘部PP的焊盘P。
在显示面板100的外围区PA中，形成有驱动元件。驱动元件可以用于产生和/或处理用于驱动显示面板100的各种信号。驱动元件包括栅极驱动器400a和400b。栅极驱动器400a和400b向栅极线151施加栅极信号。驱动元件还包括：发光控制线153，用于提供发光控制信号；数据驱动器，用于向数据线171施加数据信号；信号控制器，用于控制栅极驱动器400a和400b以及数据驱动器。
栅极驱动器400a和400b可以与显示面板100成为一体。栅极驱动器400a和400b可以包括分别设置在显示区DA的左侧和右侧处的第一栅极驱动器400a和第二栅极驱动器400b。可选择地，栅极驱动器可以设置在显示区DA的右侧或左侧处，或者可以作为带载封装件(TCP)电连接到显示面板100。
数据驱动器和信号控制器可以设置为驱动电路芯片。驱动电路芯片可以作为集成电路(IC)芯片安装到显示面板100，或者可以作为带载封装件(TCP)电连接到显示面板100。数据驱动器和信号控制器可以形成为一个芯片或形成为分开的芯片。
在显示面板100的外围区PA中还可以设置有照明电路部300和数据输入电路部600。照明电路部300可以设置在例如显示区DA的上侧处。照明电路部300可以包括晶体管，并且可以检测显示面板100内的裂纹的存在。数据输入电路部600可以设置在例如显示区DA的下侧处。数据输入电路部600可以包括连接到显示区DA的数据线171的解复用器电路。
显示面板100包括弯曲区BA。例如，弯曲区BA可以设置在显示区DA与焊盘部PP之间的外围区PA处。弯曲区BA在第一方向D1上延伸跨过显示面板100。显示面板100在弯曲区BA中弯曲，使得焊盘部PP通过弯曲区BA与显示区DA分开。
信号线可以延伸到外围区PA中。信号线的延伸到弯曲区BA中的部分包括数据信号线组560、第一组510a、第二组520a、第三组530a、第四组540a和第五组550a。信号线的延伸到弯曲区BA中的部分主要在第一方向D1上彼此分开并且主要在第二方向D2上延伸。
数据信号线组560包括向数据线171传输数据信号的数据信号线60。数据信号线组560可以设置在弯曲区BA的近似中心处。
第一组510a、第二组520a、第三组530a、第四组540a和第五组550a在弯曲区BA中彼此相邻。第一组510a、第二组520a、第三组530a、第四组540a和第五组550a可以设置在数据信号线组560的左侧处，第五组550a可以最靠近数据信号线组560。第一组510a、第二组520a、第三组530a、第四组540a和第五组550a的布置顺序可以与示出的不同。
第一组510a包括至少一条第一信号线10，第二组520a包括至少一条第二信号线20，第三组530a包括至少一条第三信号线30。在弯曲区BA中，第一附加组510b、第二附加组520b、第三附加组530b、第四附加组540b和第五附加组550b可以设置在数据信号线组560的右侧处。第一附加组510b、第二附加组520b、第三附加组530b、第四附加组540b和第五附加组550b可以相对于数据信号线组560与第一组510a、第二组520a、第三组530a、第四组540a和第五组550a对称地设置。第一附加组510b、第二附加组520b、第三附加组530b、第四附加组540b和第五附加组550b的特性可以与第一组510a、第二组520a、第三组530a、第四组540a和第五组550a的特性基本相同，因此，第一附加组510b、第二附加组520b、第三附加组530b、第四附加组540b和第五附加组550b的详细描述可以与第一组510a、第二组520a、第三组530a、第四组540a和第五组550a的描述相同。
第一组510a的第一信号线10可以传输第一极性的信号，第二组520a的第二信号线20可以传输第二极性的信号，第三组530a的第三信号线30可以传输第三极性的信号。信号的极性可以包括正极性(+)和负极性(-)。正极性(+)是使得信号的电压电平比诸如接地电压的参考电压大的极性。负极性(-)是使得信号的电压电平比参考电压小的极性。
第一极性、第二极性和第三极性彼此不同。例如，第一极性的信号可以是随时间恒定的正极性(+)。第二极性的信号可以是随时间恒定的负极性(-)。第三极性的信号可以周期性地或非周期性地在正极性(+)与负极性(-)之间摆动。第一极性的信号和第二极性的信号可以是恒定电压的信号，第三极性的信号可以是例如时钟信号的具有周期性脉冲的信号。
根据本发明的示例性实施例，如果如上所述地布置传输同一极性的信号的信号线10、20和30，则可以使由在一个组510a、520a和530a中的相邻的信号线10、20和30传输的信号的电压差最小化。这可以减小彼此相邻的信号线10、20和30传输不同极性的信号的可能性。这可以有效地防止信号线的设置在弯曲区BA中的部分的腐蚀。如果相邻的信号线10、20和30携带不同极性的信号，那么会在相邻的信号线10、20和30之间产生强电场，并且电荷会在相邻的信号线10、20和30之间移动，从而引起腐蚀。这些强电场会导致电荷在相邻的信号线10、20和30之间移动，从而腐蚀信号线10、20和30。
第一组510a的第一信号线10可以包括例如传输共电压ELVSS的信号线、传输栅极低电压VGL的信号线以及传输初始化电压Vint的信号线。
传输共电压ELVSS的信号线可以延伸为围绕显示区DA的左侧、上侧和右侧。传输共电压ELVSS的信号线可以用作保护环。传输栅极低电压VGL的信号线连接到栅极驱动器400a和400b并且可以用于在栅极驱动器400a和400b中产生栅极信号的低电压电平。传输初始化电压Vint的信号线连接到设置在显示区DA中的初始化电压线以传输初始化电压Vint。初始化电压Vint可以用于驱动像素PX。
例如，第二组520a的第二信号线20可以包括传输RGB恒定电压DC_R、DC_G和DC_B的信号线、传输栅极恒定电压DC_GATE的信号线、传输栅极高电压VGH的信号线以及传输感测电压MCD的信号线。
传输RGB恒定电压DC_R、DC_G和DC_B的信号线连接到照明电路部300，并且可以向包括在照明电路部300中的晶体管的输入端传输RGB恒定电压DC_R、DC_G和DC_B。传输栅极恒定电压DC_GATE的信号线连接到照明电路部300，并且可以向包括在照明电路部300中的晶体管的控制端传输栅极恒定电压DC_GATE。传输栅极高电压VGH的信号线可以连接到栅极驱动器400a和400b。栅极高电压VGH可以用于产生栅极信号的高电压。
第三组530a的第三信号线30可以包括例如传输发光时钟信号EMCLK1和EMCLK2的信号线、传输发光帧信号ACLFLM的信号线、传输时钟信号CLK1和CLK2的信号线、传输帧信号FLM2的信号线以及传输数据控制信号CLA、CLB和CLC的信号线。
传输发光时钟信号EMCLK1和EMCLK2的信号线可以连接到栅极驱动器400a和400b，以向用于产生栅极驱动器400a和400b的发光控制信号的电路提供发光时钟信号EMCLK1和EMCLK2。传输发光帧信号ACLFLM的信号线连接到栅极驱动器400a和400b，以引导用于向显示区DA输入发光控制信号的一帧开始。传输时钟信号CLK1和CLK2的信号线可以连接到栅极驱动器400a和400b，以向用于产生栅极信号的电路提供时钟信号CLK1和CLK2。传输帧信号FLM2的信号线可以连接到栅极驱动器400a和400b，以引导用于向显示区DA输入栅极信号的一帧开始。传输数据控制信号CLA、CLB和CLC的信号线可以连接到数据输入电路部600，以向包括在数据输入电路部600中的晶体管的栅极端传输数据控制信号CLA、CLB和CLC。
第四组540a包括第四信号线40，第五组550a包括第五信号线50。第四信号线40可以传输诸如共电压ELVSS的恒定极性的电压。共电压ELVSS可以是负极性(-)的恒定电压。第五信号线50可以传输与第四信号线40的信号不同的信号，例如以驱动电压ELVDD为例的恒定极性的电压。驱动电压ELVDD可以是正极性(+)的恒定电压。第五信号线50可以连接到与显示区DA的驱动电压线172连接的驱动电压传输线72。
如上所述，包括设置在弯曲区BA处的部分的信号线可以分组成第一组510a、第二组520a、第三组530a、第四组540a和第五组550a以及第一附加组510b、第二附加组520b、第三附加组530b、第四附加组540b和第五附加组550b。然而，本发明不限于该具体布置，信号线可以另外分组。此外，根据显示装置的设计，可以省略上述信号线之中的部分，并且还可以包括传输不同极性的信号或电压的信号线。
到目前为止，已经描述了显示装置的总体结构。接下来，将详细地描述显示装置的弯曲区周围的区域。
图2是示出图1的区域A1的放大图，图3是图2的第一接触区CA1的放大图，图4是沿图3中的线IV-IV'截取的剖视图，图5是沿图3中的线V-V'截取的剖视图。
图2示出了信号线的设置在弯曲区BA的上侧的第一接触区CA1中和设置在弯曲区BA的下侧的第二接触区CA2中以及设置在弯曲区BA中的部分。这些信号线可以是图1中示出的数据信号线60并且可以是第一信号线10、第二信号线20、第三信号线30、第四信号线40和第五信号线50。信号线的设置在弯曲区BA以及接触区CA1和CA2处的部分被称作连接线。
连接线包括第一连接线60a和第二连接线60b。第一连接线60a和第二连接线60b可以在第一方向上交替地布置。
第一连接线60a包括第一部分61a、第二部分62a和第三部分63a。第一部分61a(在方向D2上)从第一接触区CA1延伸到第一接触区CA1的上侧。第三部分63a(在与D2相反的方向上)从第二接触区CA2延伸到第二接触区CA2的下侧。第一部分61a可以从显示面板100的外围区PA延伸并且可以与传输上述信号的元件连接。第三部分63a可以连接到焊盘部PP的焊盘P。第二部分62a设置为贯穿第一接触区CA1、弯曲区BA和第二接触区CA2。在第一接触区CA1中，第二部分62a的一端连接到第一部分61a，在第二接触区CA2中，第二部分62a的另一端连接到第三部分63a。
设置在弯曲区BA中的第二部分62a可以具有包括如这里描述的开口的网格形状。然而，本发明不限于该具体布置。例如，第二部分62a可以在弯曲区BA内具有其它各种平面形状，以在弯曲期间增加柔性。一种这样的形状可以是蜿蜒形状(serpentine shape)。第二部分62a的设置在第一接触区CA1和第二接触区CA2中的形状可以是没有开口的诸如矩形的平板。第二部分62a可以由具有小的杨氏模量的诸如铝或铝合金的铝基金属形成。因此，第二部分62a对应变具有小的应力，从而可以减小在弯曲区BA的弯曲期间断开或劣化的风险。
第二部分62a具有双层结构。例如，第二部分62a包括第一层621a和第二层622a两者。第一层621a和第二层622a可以彼此叠置并且可以通过绝缘层彼此分开。第一层621a和第二层622a可以如所示彼此完全叠置，或者可以彼此仅部分叠置。第一层621a和第二层622a可以具有相同的平面形状，或者它们可以不同地成形。第二部分62a的第二层622a在第一接触区CA1和第二接触区CA2中连接到第二部分62a的第一层621a。第二部分62a的第一层621a在第一接触区CA1中连接到第一部分61a并且在第二接触区CA2中连接到第三部分63a。在弯曲区BA中，第二部分62a的第一层621a和第二层622a可以不彼此连接，而是相反可以彼此平行地延伸。
可以增大设置在弯曲区BA中的第二部分62a的电阻，以增大柔性并且增加其上发生弯曲的长度。因为第二部分62a可以由两层621a和622a形成，所以可以减小第二部分62a的电阻。此外，即使第一连接线60a的第二部分62a的两层621a和622a中的一层断开，另一层也可以继续传输信号。因此，可以提高通过第一连接线60a传输的信号的可靠性，并且可以减少显示面板100的故障。此外，该布置可以避免不同的发光区域的亮度可能显著不同的现象。
第二连接线60b包括第一部分61b、第二部分62b和第三部分63b，因此第二连接线60b与第一连接线60a相似。第一部分61b在第一接触区CA1中(在方向D2上)延伸到第一接触区CA1的上侧，第三部分63b在第二接触区CA2中(在与D2相对的方向上)延伸到第二接触区CA2的下侧。第二部分62b设置为贯穿第一接触区CA1、弯曲区BA和第二接触区CA2。在第一接触区CA1中，第二部分62b的一端连接到第一部分61b，而在第二接触区CA2中，第二部分62b的另一端连接到第三部分63b。第二部分62b具有包括彼此叠置并且绝缘层设置在其间的第一层621b和第二层622b的双层结构。第二部分62b的第二层622b在第一接触区CA1和第二接触区CA2中连接到第二部分62b的第一层621b。第二部分62b的第一层621b在第一接触区CA1中连接到第一部分61b并且在第二接触区CA2中连接到第三部分63b。
在显示面板100的剖视图中，除了与第一连接线60a的第一部分61a和第三部分63a的层叠布置不同的第一部分61b和第三部分63b的层叠布置之外，第二连接线60b具有与第一连接线60a基本相同的构造。将在聚焦于第一接触区CA1的同时参照图3至图5来详细地描述第一连接线60a和第二连接线60b的沉积结构以及连接。第二接触区CA2可以具有与第一接触区CA1基本相同的结构，因此，省略了第二接触区CA2的描述。
图3是图2的第一接触区CA1的放大图，图4是沿图3中的线IV-IV'截取的剖视图，图5是沿图3中的线V-V'截取的剖视图。
作为第一连接线60a和第二连接线60b在第一方向上交替地布置的布局图，图3将图2的第一接触区CA1放大以被清楚地示出。图4是与第一连接线60a有关的剖视图，图5是与第二连接线60b有关的剖视图。
参照图3至图5，缓冲层120和绝缘层141设置在基底110上。可以主要由无机材料形成的缓冲层120和绝缘层141可以不设置在弯曲区BA中。缓冲层120和绝缘层141也可以在第一接触区CA1中设置在与弯曲区BA相邻的区域中。
在第一接触区CA1中，第一连接线60a的第一部分61a设置在绝缘层141上。绝缘层142设置在第一连接线60a的第一部分61a上，第二连接线60b的第一部分61b设置在绝缘层142上。因此，第一连接线60a的第一部分61a和第二连接线60b的第一部分61b设置在不同的层上并且绝缘层142置于第一连接线60a的第一部分61a与第二连接线60b的第一部分61b之间。如上所述，第一连接线60a的第一部分61a和第二连接线60b的第一部分61b用不同的层形成，它们可以在除了第一接触区CA1之外的区域(例如，扇出区域)中设置为彼此交叉，从而在保持线宽的同时增大线密度。绝缘层160设置在第二连接线60b的第一部分61b上。
绝缘层165在弯曲区BA中设置在基底110上。绝缘层165可以形成为覆盖设置在第一接触区CA1中的绝缘层160的一部分。绝缘层165可以包括有机材料，以有助于弯曲区BA的弯曲。
第一连接线60a的第二部分62a的第一层621a和第二连接线60b的第二部分62b的第一层621b设置在弯曲区BA的绝缘层165以及第一接触区CA1的绝缘层160上。第一连接线60a的第二部分62a的第一层621a通过在第一接触区CA1处的绝缘层142和160中形成的接触孔69a连接到第一连接线60a的第一部分61a。第二连接线60b的第二部分62b的第一层621b通过在第一接触区CA1处的绝缘层160中形成的接触孔69b连接到第二连接线60b的第一部分61b。
绝缘层180a形成在第一连接线60a的第二部分62a的第一层621a和第二连接线60b的第二部分62b的第一层621b上。第一连接线60a的第二部分62a的第二层622a和第二连接线60b的第二部分62b的第二层622b设置在绝缘层180a上。在第一接触区CA1中，第二层622a和622b通过形成在绝缘层180a中的接触孔89连接到第一层621a和621b。绝缘层180b可以设置在第二层622a和622b上。绝缘层180a和180b可以包括有机材料，以有助于弯曲区BA的弯曲。虽然未示出，但是在绝缘层180b上还可以设置有包括有机材料的至少一个绝缘层。
如上所述，第一连接线60a的第一部分61a、第二连接线60b的第一部分61b、第一连接线60a的第二部分62a的第一层621a和第二连接线60b的第二部分62b的第二层621b以及第一连接线60a的第二部分62a的第二层622a和第二连接线60b的第二部分62b的第二层622b设置在不同的层处。连接线的设置在不同的层处的部分可以在第一接触区CA1中连接。此外，与在第一接触区CA1中相似，在第二接触区CA2中，连接线的部分可以连接。
如所示，接触孔69a和69b以及接触孔89完全不叠置，然而，可选择地，它们可以设置为至少部分叠置。在第二方向D2(长度方向)上，第二层622a和622b可以比第一层621a和621b短。然而，可选择地，第二层622a和622b可以具有与第一层621a和621b基本相同的长度。在附图中，虽然示出了三个接触孔69a、69b和89，但是可以形成更少或更多的接触孔。通过使接触孔69a、69b和89形成为叠置或者减少接触孔69a、69b和89的数量，可以减小第一接触区CA1的尺寸。
将参照图6至图8描述根据本发明的示例性实施例的显示装置。
图6是示出根据本发明的示例性实施例的显示装置的一个像素的等效电路图，图7是示出根据本发明的示例性实施例的显示装置的像素的布局图，图8是沿图7中的线VIII-VIII'截取的剖视图。
参照图6，显示区DA的每个像素PX可以包括连接到显示信号线151、152、153、158、171、172和192的存储电容器Cst、有机发光二极管(OLED)以及晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7。
晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7可以包括驱动晶体管T1、开关晶体管T2、补偿晶体管T3、初始化晶体管T4、操作控制晶体管T5、发光控制晶体管T6和旁路晶体管T7。
显示信号线151、152、153、158、171、172和192可以包括栅极线151、前栅极线152、发光控制线153、旁路控制线158、数据线171、驱动电压线172和初始化电压线192。栅极线151和前栅极线152可以连接到前述的栅极驱动器400a和400b的栅极信号发生电路，以分别接收栅极信号Sn和前栅极信号Sn-1，发光控制线153可以连接到栅极驱动器400a和400b的发光控制信号发生电路，以接收发光控制信号EM。
前栅极线152向初始化晶体管T4传输前栅极信号Sn-1，发光控制线153向操作控制晶体管T5和发光控制晶体管T6传输发光控制信号EM，旁路控制线158向旁路晶体管T7传输旁路信号BP。
数据线171可以通过上面描述的数据信号线组560和数据输入电路部600接收数据信号Dm，驱动电压线172可以通过上述的第五组550a的第五信号线50和驱动电压传输线72接收驱动电压ELVDD。初始化电压线192可以通过上述的第一组510a的传输初始化电压Vint的信号线接收初始化驱动晶体管T1的初始化电压Vint。
驱动晶体管T1的栅电极G1连接到存储电容器Cst的一端Cst1。驱动晶体管T1的源电极S1经由操作控制晶体管T5连接到驱动电压线172。驱动晶体管T1的漏电极D1经由发光控制晶体管T6连接到有机发光二极管(OLED)的阳极。
开关晶体管T2的栅电极G2与栅极线151连接。开关晶体管T2的源电极S2连接到数据线171。开关晶体管T2的漏电极D2连接到驱动晶体管T1的源电极S1并且经由操作控制晶体管T5连接到驱动电压线172。
补偿晶体管T3的栅电极G3连接到栅极线151。补偿晶体管T3的源电极S3连接到驱动晶体管T1的漏电极D1并且经由发光控制晶体管T6连接到有机发光二极管(OLED)的阳极。补偿晶体管T3的漏电极D3与初始化晶体管T4的漏电极D4、存储电容器Cst的一端Cst1以及驱动晶体管T1的栅电极G1连接到一起。
初始化晶体管T4的栅电极G4连接到前栅极线152。初始化晶体管T4的源电极S4连接到初始化电压线192。初始化晶体管T4的漏电极D4通过补偿晶体管T3的漏电极D3与存储电容器Cst的一端Cst1以及驱动晶体管T1的栅电极G1连接到一起。
操作控制晶体管T5的栅电极G5连接到发光控制线153。操作控制晶体管T5的源电极S5连接到驱动电压线172。操作控制晶体管T5的漏电极D5连接到驱动晶体管T1的源电极S1和开关晶体管T2的漏电极D2。
发光控制晶体管T6的栅电极G6连接到发光控制线153。发光控制晶体管T6的源电极S6连接到驱动晶体管T1的漏电极D1和补偿晶体管T3的源电极S3。发光控制晶体管T6的漏电极D6连接到有机发光二极管(OLED)的阳极。
旁路晶体管T7的栅电极G7连接到旁路控制线158。旁路晶体管T7的源电极S7与发光控制晶体管T6的漏电极D6和有机发光二极管(OLED)的阳极连接到一起。旁路晶体管T7的漏电极D7与初始化电压线192以及初始化晶体管T4的源电极S4连接到一起。
存储电容器Cst的另一端Cst2连接到驱动电压线172。有机发光二极管(OLED)的阴极连接到传输共电压ELVSS的共电压线741。共电压线741或阴极可以从上述的第四组540a的多条信号线40接收共电压ELVSS。
像素PX的电路结构不限于图6中示出的特定结构，可以改变晶体管的数量、电容器的数量以及其间的连接。
例如，参照图7，示出了包括红色像素(R)、绿色像素(G)和蓝色像素(B)的像素区。
分别传输栅极信号Sn、前栅极信号Sn-1、发光控制信号EM以及旁路信号BP的栅极线151、前栅极线152、发光控制线153和旁路控制线158可以基本在第一方向D1上延伸。旁路控制线158可以与前栅极线152相同。分别传输数据信号Dm和驱动电压ELVDD的数据线171和驱动电压线172可以基本在第二方向D2上延伸。传输初始化电压Vint的初始化电压线192包括基本平行于第一方向D1延伸的横向部分192a和相对于横向部分192a倾斜的倾斜部分192b。
驱动晶体管T1、开关晶体管T2、补偿晶体管T3、初始化晶体管T4、操作控制晶体管T5、发光控制晶体管T6、旁路晶体管T7、存储电容器Cst和有机发光二极管(OLED)形成在图7中示出的位置处。
有机发光二极管(OLED)包括像素电极191、有机发射层370和共电极270。补偿晶体管T3和初始化晶体管T4可以具有双栅电极结构，以防止漏电流。
驱动晶体管T1、开关晶体管T2、补偿晶体管T3、初始化晶体管T4、操作控制晶体管T5、发光控制晶体管T6和旁路晶体管T7的每个沟道设置在一个半导体130中。半导体130可以弯曲成各种形状。
将在聚焦于各种晶体管和存储电容器的同时参照图7和图8描述显示装置的剖面结构。因此，可以假设，未相对于这些附图描述的任何元件与前述的相应元件相似或相同。也参照图4和图5来与显示装置的弯曲区中的剖面结构比较。
显示装置包括基底110和形成在基底110上的层。基底110可以是例如由聚合物膜制成的柔性基底。例如，基底110可以由诸如聚酰亚胺、聚酰胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚醚醚酮、聚碳酸酯、聚乙烯磺酸酯、聚芳酯等的塑料制成。
缓冲层120可以设置在基底110上，以防止会损害半导体的杂质的扩散和湿气的渗透。缓冲层120可以包括诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氧化铝(Al2O3)、氧化铪(HfO3)、氧化钇(Y2O3)等的无机材料。虽然缓冲层120可以形成为跨过基底110的整个表面，但是它可以不形成在弯曲区BA内。可选择地，缓冲层120可以设置在基底110中，例如，基底110可以具有交替地堆叠有聚合物膜和缓冲层的结构。
包括驱动沟道131a、开关沟道131b和发光控制沟道131f的半导体130设置在缓冲层120上。半导体130可以包括多晶硅、氧化物半导体或非晶硅。
在半导体130中，驱动源电极136a和驱动漏电极137a形成在驱动沟道131a的各侧上。开关源电极136b和开关漏电极137b形成在开关沟道131b的各侧上。此外，发光控制源电极136f和发光控制漏电极137f形成在发光控制沟道131f的各侧上。
可以被称作第一栅极绝缘层的绝缘层141设置在半导体130上。包括栅极线151、前栅极线152、发光控制线153、旁路控制线158和驱动栅电极(第一存储电极)155a的第一栅极导体设置在绝缘层141上。栅极线151可以与开关栅电极155b接触。发光控制线153可以与发光控制栅电极155f接触。第一栅极导体也可以包括第一连接线60a的设置在第一接触区CA1中的第一部分61a。
可以被称作第二栅极绝缘层的绝缘层142设置在第一栅极导体和绝缘层141上。包括存储线157和作为从存储线157延伸的一部分的第二存储电极156的第二栅极导体设置在绝缘层142上。第二栅极导体也包括第二连接线60b的设置在第一接触区CA1中的第一部分61b。第二存储电极156与第一存储电极155a一起形成存储电容器Cst。第一栅极导体和第二栅极导体可以包括诸如钼(Mo)、铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、铬(Cr)、钽(Ta)、钛(Ti)的金属或它们的金属合金。第一栅极导体和第二栅极导体可以由连续沉积的多层形成。
可以被称作层间绝缘层的绝缘层160设置在绝缘层142和第二栅极导体上。绝缘层141、142和160可以包括诸如氧化硅(SiOx)和/或氮化硅(SiNx)的无机材料。绝缘层141、142和160可以不设置在弯曲区BA中。这是因为由无机材料制成的层在弯曲期间会容易破裂并且其它层会被该破裂所损伤。
绝缘层160具有接触孔61、62、63、64、65、66和67。在第一接触区CA1中，接触孔69a和69b形成在绝缘层160中。包括数据线171、驱动电压线172的第一层172a、驱动连接构件174、初始化连接构件175和像素连接构件179的第一数据导体设置在绝缘层160上。第一数据导体也包括第一连接线60a的第二部分62a的设置在弯曲区BA和第一接触区CA1中的第一层621a和第二连接线60b的第二部分62b的设置在弯曲区BA和第一接触区CA1中的第一层621b。
数据线171通过形成在绝缘层141、142和160中的接触孔62连接到开关源电极136b。驱动连接构件174具有通过形成在绝缘层142和160中的接触孔61连接到第一存储电极155a的一端以及通过形成在绝缘层141、142和160中的接触孔63连接到补偿漏电极和初始化漏电极的另一端。初始化连接构件175通过形成在绝缘层141、142和160中的接触孔64连接到初始化源电极。像素连接构件179通过形成在绝缘层141、142和160中的接触孔66连接到发光控制漏电极137f。在第一接触区CA1中，第一连接线60a的第二部分62a的第一层621a通过形成在绝缘层142和160中的接触孔69a连接到第一连接线60a的第一部分61a。第二连接线60b的第二部分62b的第一层621b通过形成在绝缘层160中的接触孔69b连接到第二连接线60b的第一部分61b。
可以被称作第一保护层的绝缘层180a设置在第一数据导体和绝缘层160上。包括驱动电压线172的第二层172b的第二数据导体设置在绝缘层180a上。如果驱动电压线172由第一导体和第二导体形成为两层172a和172b，则驱动电压线172的电阻减小，从而可以减小负载效应，因此，可以防止显示面板的发光区域的亮度差。第二数据导体包括第一连接线60a的第二部分62a的设置在弯曲区BA和第一接触区CA1中的第二层622a以及第二连接线60b的第二部分62b的设置在弯曲区BA和第一接触区CA1中的第二层622b。
第一数据导体和第二数据导体可以包括例如以铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、钼(Mo)、铬(Cr)、金(Au)、铂(Pt)、钯(Pd)、钽(Ta)、钨(W)、钛(Ti)、镍(Ni)为例的金属或它们的合金。例如，第一数据导体和第二数据导体可以包括具有小的杨氏模量的诸如铝和铝合金的铝基金属。在这种情况下，第一连接线60a的设置在弯曲区BA中的第二部分62a和第二连接线60b的设置在弯曲区BA中的第二部分62b提供针对变形的一些应力，例如，虽然第二部分62a和62b以几百微米的量级的小曲率半径弯曲，但是可以减小断开或劣化的风险。第一数据导体和第二数据导体可以由连续堆叠的多层形成，例如，可以具有诸如钛/铝/钛、钼/铝/钼、或钼/铜/钼的三层结构。
可以被称作第二保护层的绝缘层180b设置在第二导体和绝缘层180a上。绝缘层180a和180b可以包括有机材料。可选择地，第二数据导体可以不设置在像素区中，在这种情况下，绝缘层180b也可以不设置在像素区中。
像素电极191和初始化电压线192设置在绝缘层180b上。像素连接构件179通过形成在绝缘层180a和180b中的接触孔81连接到像素电极191。初始化连接构件175通过形成在绝缘层180a和180b中的接触孔82连接到初始化电压线192。在第一接触区CA1中，第一连接线60a的第二部分62a的第二层622a和第二连接线60b的第二部分62b的第二层622b通过形成在绝缘层180a中的接触孔89分别连接到第二部分62a的第一层621a以及第二部分62b的第一层621b。
像素限定层350设置在绝缘层180b、初始化电压线192以及像素电极191的边缘上。像素限定层350具有与像素电极191叠置的开口351。像素限定层350可以包括诸如聚丙烯酸树脂和聚酰亚胺树脂的有机材料。虽然未示出，但是像素限定层350可以在弯曲区BA中设置在绝缘层180b上。
有机发射层370设置在像素电极191上，共电极270设置在有机发射层370上。共电极270也可以设置在像素限定层350上，因此，共电极270可以形成为遍及多个像素。像素电极191、有机发射层370和共电极270形成有机发光二极管(OLED)。
用于保护有机发光二极管(OLED)的包封层可以设置在共电极270上。用于减少外部光的反射的偏振层可以设置在包封层上。
图9是示出根据本发明的示例性实施例的显示装置在其显示面板弯曲之前的布局图。图10是示出弯曲之后的显示装置的侧视图。
参照图9，印刷电路膜700附着到参照图1描述的显示面板100的焊盘部PP。驱动电路芯片500安装在印刷电路膜700的一个表面上。通过印刷电路膜700输入到焊盘部PP的信号通过延伸跨过弯曲区BA的信号线传输到显示面板100的元件。可选择地，驱动电路芯片500可以在外围区PA中设置在弯曲区BA与焊盘部PP之间。
参照图10，显示面板100在弯曲区BA中以预定曲率弯曲。如上所述，通过弯曲显示面板100，当从前面(方向D3)观察时，外围区PA的宽度会看起来减小了。这可以使使用显示面板100的诸如智能电话的装置呈现减小的边框宽度的外观。然而，实际上，通过弯曲显示面板100，外围区PA的在弯曲区BA中的宽度实际上被拉伸，因此，增大了焊盘部PP与显示区DA之间的距离。因为增大了焊盘部PP与显示区DA之间的距离，所以增加了用来从焊盘部PP向显示区DA传输各种信号的信号线的长度，信号线长度的增加导致信号线的电阻增大。根据本发明的示例性实施例，因为信号线的设置在弯曲区BA中部分包括具有适合弯曲的材料和形状的双层，所以信号线内的电阻可以保持足够小，以保持合格的图像品质。
虽然已经参照附图描述了本发明的示例性实施例，但是将理解的是，发明不限于公开的实施例，而是相反，意图覆盖各种修改和等同布置。

Claims (10)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
显示面板，包括用于显示图像的显示区和与所述显示区相邻的非显示区，所述非显示区包括弯曲区和在所述显示区与所述弯曲区之间的第一接触区；
第一布线，传输数据信号，并且包括：第一导电部，设置在所述第一接触区中；第二导电部，与所述第一导电部叠置并且至少设置在所述第一接触区和所述弯曲区中；以及第三导电部，与所述第二导电部叠置并且至少设置在所述第一接触区中；
第一绝缘层，设置在所述第一导电部与所述第二导电部之间；以及
第二绝缘层，设置在所述第二导电部与所述第三导电部之间，
其中，所述第一布线的所述第二导电部通过至少形成在所述第一绝缘层中的第一接触孔连接到所述第一布线的所述第一导电部，并且所述第一布线的所述第三导电部通过至少形成在所述第二绝缘层中的第二接触孔连接到所述第一布线的所述第二导电部。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中：
所述第一接触孔和所述第二接触孔设置在所述第一接触区中并且在平面图中彼此间隔开。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中：
所述非显示区还包括焊盘区以及在所述弯曲区与所述焊盘区之间的第二接触区，
所述第一布线还包括设置在所述第二接触区中的第四导电部，并且
所述第一布线的所述第二导电部在所述第二接触区中连接到所述第一布线的所述第四导电部。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中：所述第一布线的所述第二导电部通过形成在所述第一绝缘层中的接触孔连接到所述第一布线的所述第四导电部。
5.根据权利要求3所述的显示装置，所述显示装置还包括：
数据线，设置在所述显示区中；以及
焊盘，设置在所述焊盘区中，
其中，所述第一布线的所述第一导电部连接到所述数据线中的一条，并且所述第一布线的所述第四导电部连接到所述焊盘中的一个。
6.根据权利要求3所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第二布线，传输数据信号，并且包括：第一导电部，设置在所述第一接触区中；第二导电部，与所述第二布线的所述第一导电部叠置并且至少设置在所述接触区和所述弯曲区中；以及第三导电部，与所述第二布线的所述第二导电部叠置并且至少设置在所述第一接触区中；以及
第三绝缘层，设置在所述第二布线的所述第一导电部与所述第一绝缘层之间，
其中，所述第二布线的所述第二导电部通过至少形成在所述第一绝缘层和第三绝缘层中的第三接触孔连接到所述第二布线的所述第一导电部，并且所述第二布线的所述第三导电部通过至少形成在所述第二绝缘层中的第四接触孔连接到所述第二布线的所述第二导电部。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中：
所述第三接触孔和所述第四接触孔设置在所述第一接触区中并且在平面图中彼此间隔开。
8.根据权利要求6所述的显示装置，所述显示装置还包括：
晶体管，设置在所述显示区中并且包括栅电极、源电极和漏电极以及半导体层；以及
第四绝缘层，设置在所述栅电极与所述半导体层之间，
其中，所述第一布线的所述第二导电部以及所述源电极和所述漏电极设置在所述第一绝缘层与所述第二绝缘层之间，并且
其中，所述第一布线的所述第一导电部和所述栅电极设置在所述第三绝缘层与所述第四绝缘层之间。
9.根据权利要求8所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第五绝缘层，设置在所述第一布线的所述第三导电部之上；以及
像素电极，设置在所述第五绝缘层之上并且连接到所述源电极和所述漏电极中的一者。
10.根据权利要求9所述的显示装置，所述显示装置还包括：
驱动电压线，传输驱动电压并且设置在所述显示区中，
其中，所述第一布线的所述第三导电部和所述驱动电压线设置在所述第二绝缘层与所述第五绝缘层之间。
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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102615740B1 (ko) 2016-06-08 2023-12-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102452529B1 (ko) * 2017-12-12 2022-10-11 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 기판 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102550732B1 (ko) 2017-12-13 2023-07-03 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
CN111433834A (zh) 2017-12-29 2020-07-17 深圳市柔宇科技有限公司 柔性显示屏及柔性设备
CN108417607A (zh) * 2018-03-26 2018-08-17 京东方科技集团股份有限公司 一种走线结构、柔性显示面板及显示装置
KR102514242B1 (ko) * 2018-06-20 2023-03-28 삼성전자주식회사 픽셀 및 이를 포함하는 유기전계발광 표시장치
KR102649144B1 (ko) * 2018-06-25 2024-03-21 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102557445B1 (ko) * 2018-06-28 2023-07-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20200017012A (ko) * 2018-08-07 2020-02-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102566278B1 (ko) * 2018-08-23 2023-08-16 삼성디스플레이 주식회사 화소 회로
KR102628360B1 (ko) * 2018-09-28 2024-01-22 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
CN109523949A (zh) * 2018-11-15 2019-03-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板
KR102617275B1 (ko) * 2018-11-30 2023-12-27 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR20200081870A (ko) * 2018-12-28 2020-07-08 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR20200116582A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치, 포토 마스크 및 표시 장치의 제조 방법
CN110504294B (zh) * 2019-08-30 2021-10-22 京东方科技集团股份有限公司 显示装置、可拉伸显示面板及其制造方法
KR20210044356A (ko) * 2019-10-14 2021-04-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN111128080B (zh) * 2020-03-30 2020-08-04 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置
CN111799280A (zh) 2020-07-20 2020-10-20 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080040505A (ko) * 2006-11-03 2008-05-08 삼성전자주식회사 표시 장치
KR101604492B1 (ko) * 2009-11-04 2016-03-28 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치
KR20120072793A (ko) * 2010-12-24 2012-07-04 삼성전기주식회사 터치스크린
KR20130037275A (ko) 2011-10-06 2013-04-16 주식회사 엔씰텍 플렉서블 소자를 구비하는 전자 장치의 제조 방법
KR20130116182A (ko) 2012-04-12 2013-10-23 (주)아모레퍼시픽 개선된 사용감을 가지는 발포 폼
US9195108B2 (en) * 2012-08-21 2015-11-24 Apple Inc. Displays with bent signal lines
JP2014132299A (ja) * 2013-01-07 2014-07-17 Japan Display Inc 表示装置
KR102222680B1 (ko) * 2013-02-01 2021-03-03 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 기판, 플렉서블 유기 발광 표시 장치 및 플렉서블 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR102097150B1 (ko) * 2013-02-01 2020-04-03 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 기판, 플렉서블 유기 발광 표시 장치 및 플렉서블 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR102060732B1 (ko) * 2013-04-23 2019-12-31 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102066087B1 (ko) 2013-05-28 2020-01-15 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치 및 그의 제조방법
KR102076838B1 (ko) * 2013-06-26 2020-02-12 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기 발광 다이오드 표시장치
KR101994278B1 (ko) * 2013-06-28 2019-09-30 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 타입 유기전계 발광소자
CN104733488B (zh) 2013-12-20 2017-11-03 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 有机图像传感器及其形成方法
KR102085961B1 (ko) 2013-12-24 2020-03-06 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기 발광 표시 장치 및 플렉서블 유기 발광 표시 장치 제조 방법
CN104881161B (zh) * 2014-02-27 2017-12-01 财团法人工业技术研究院 触控面板
US20170358841A1 (en) 2014-10-21 2017-12-14 Medella Health Inc. Multi-layer micro receiver for a wireless communication system
GB201418752D0 (en) 2014-10-22 2014-12-03 Rolls Royce Plc Lateral field effect transistor device
US10347702B2 (en) * 2014-10-22 2019-07-09 Lg Display Co., Ltd. Flexible thin film transistor substrate and flexible organic light emitting display device
KR102615740B1 (ko) 2016-06-08 2023-12-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

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