CN116334581A - 一种新材料薄膜及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明属于薄膜制备技术领域，更具体地，涉及一种新材料薄膜及其制备方法。所述新材料薄膜的制备方法具体包括以下步骤：(1)制备PI薄膜衬底层；(2)对PI薄膜衬底层热处理；(3)通过低压气相沉积法将氮化硼薄膜沉积在PI薄膜衬底层上；(4)在氮化硼薄膜上浇注聚酰胺酸溶液；所述聚酰胺酸溶液的原料包括4,4‑二氨基二苯基甲烷、4,4‑二氨基联苄、3,4,9,10‑苝四甲酸二酐、纳米二氧化硅、珍珠岩。本发明制备了一种稳定性高且具有高耐热性以及高疏水性能的新材料薄膜。

Description

一种新材料薄膜及其制备方法
技术领域
本发明属于薄膜制备技术领域，更具体地，涉及一种新材料薄膜及其制备方法。
背景技术
聚酰亚胺薄膜又称为PI薄膜，是一种具有耐高温特性的新型有机聚合物薄膜，由于聚酰亚胺薄膜(PI薄膜)中具有-CO-N-CO-和刚性大的苯环结构，因而使得PI薄膜具有优异的综合性能；如力学性能、电学性能、以及耐辐照、耐腐蚀、耐高低温性能等，是目前世界上最优异的新型有机高分子薄膜类材料，因而被称为“黄金薄膜”。
目前，对PI薄膜研究比较成熟的国家主要集中在美日韩等国外企业，加大对聚酰亚胺薄膜的研究已然成为我国研究人员的热门方向。
然后，如何通过PI薄膜与其他材料复合确保整体复合材料的稳定性从而进一步提升PI薄膜的耐热性和疏水性能将成为如今研究人员努力探索的方向之一。
发明内容
本发明要提供一种稳定性高且具有高耐热性以及高疏水性能的新材料薄膜。
本发明的目的是提供一种新材料薄膜。
本发明的另一个目的是提供一种新材料薄膜的制备方法。
本发明上述目的通过以下技术方案实现：
一种新材料薄膜的制备方法，具体包括以下步骤：
(1)将聚酰胺酸溶液浇注在基材上，然后升温加热得到PI薄膜；
(2)对PI薄膜进行热处理，所述热处理温度为600-800℃，时间为20-30min；
(3)以附着PI薄膜的基材作为衬底，以B(C2H5)3和NH3为气氛，采用低压气相沉积法将氮化硼薄膜沉积在PI薄膜表面；
(4)最后对氮化硼薄膜进行等离子处理，再往处理后的氮化硼薄膜表面浇注所述聚酰胺酸溶液，然后升温加热得到新材料薄膜；
其中，所述聚酰胺酸溶液的原料包括4,4-二氨基二苯基甲烷、4,4-二氨基联苄、3,4,9,10-苝四甲酸二酐、纳米二氧化硅、珍珠岩。
上述技术方案首先让PI薄膜附着在金属基材然后对PI薄膜进行热处理，使得PI薄膜表面形成一层六角形的类石墨结构薄膜，又因为氮化硼的结构与类石墨薄膜的结构相似，他们的晶格失配率较低，从而能够更好地通过低压气相沉积法将氮化硼薄膜沉积在PI薄膜上，提高氮化硼薄膜的结晶质量，从而提高新材料薄膜的耐热性能；其次，热处理可以让PI薄膜中的C-O、C-N键的断裂和新键生成，伴随着气体逸出，气体冲击PI薄膜表层使薄膜表面形成微孔结构，从而更好地让氮化硼薄膜沉积在PI薄膜表面；
同时，聚酰胺酸溶液中加入纳米二氧化硅和珍珠岩，使得PI薄膜具有良好的耐热性，又因为纳米二氧化硅和珍珠岩存在于PI薄膜内层从而在热处理时能够防止PI薄膜内部结构发生破坏；其次，纳米二氧化硅与珍珠岩形成微球结构，在热处理时珍珠岩中的结晶水释放出来导致微球表面破裂形成中空内腔，从而增强其隔热效果；
最后，再氮化硼薄膜表面浇注聚酰胺酸溶液形成PI薄膜，使得氮化硼薄膜两面具有相同应力的薄膜存在，从而保证了新材料薄膜的稳定性。
进一步的，所述基材选自金属基材，所述金属基材选自金属铜或金属镍中的任意一种。
进一步的，所述聚酰胺酸溶液的制备具体包括以下步骤：
将4,4-二氨基二苯基甲烷与4,4-二氨基联苄加入到N,N－二甲基乙酰胺溶液中，搅拌溶解，然后低温条件下加入分5次加入3,4,9,10-苝四甲酸二酐，继续搅拌，再加入纳米二氧化硅以及珍珠岩，搅拌后静置，即得到聚酰胺酸溶液。
上述技术通过以4,4-二氨基二苯基甲烷与4,4-二氨基联苄以及3,4,9,10-苝四甲酸二酐作为聚酰胺酸溶液的原料，引入大量的苯环以及较长的分子链，提升了分子主链的刚性，促进了分子链在平面内的紧密堆积，从而有利于改善PI的热性能以及疏水性。
进一步的，，所述聚酰胺酸溶液还包括所述聚酰胺酸溶液质量1-3％的凹凸棒石粘土。
上述技术方案通过添加凹凸棒石粘土作为粘黏剂，提高聚酰胺酸溶液的粘黏性使得PI薄膜具有更好地附着力，同时凹凸棒石粘土的孔洞结构能够吸附低压气相沉积中的B(C2H5)3和NH3气氛，帮助氮化硼薄膜更好地沉积在PI薄膜上；同时凹凸棒石粘土的耐热性能也可进一步增强PI薄膜衬底层的耐热性，防止高温热处理使PI薄膜卷缩而影响氮化硼薄膜的沉积。
进一步的，所述低压气相沉积法的温度为700-900℃，压力为1000-1500Pa。
进一步的，所述凹凸棒石粘土经过酸化后负载氧化镍催化剂。
上述技术方案通过让凹凸棒石粘土负载氧化镍催化剂，可以加速氮化硼薄膜的沉积速度，降低低压气相沉积的温度，防止高温导致PI薄膜衬底层卷缩，从而影响氮化硼的沉积效率以及平整度，进一步导致新材料薄膜的耐热性能降低；同时负载在凹凸棒石粘土的氧化镍物质能够减少PI薄膜与金属基材的应力，提升PI薄膜在金属基材的附着力。
进一步的，所述步骤(1)中控制PI薄膜厚度为200um-300um。
通过控制衬底层中的PI薄膜厚度，不仅能够防止过薄的PI薄膜经过热处理后完全碳化同时可以防止高温处理使得PI薄膜卷缩。
进一步的，所述对氮化硼薄膜进行等离子处理包括：
于输入电压为220V，输入气流气压为0.1-0.3MPa，工作距离为20-30mm，等离子体火焰扫描速率为80-100mm/s条件下，进行等离子处理。
一种新材料薄膜通过所述制备方法制备而成。
有益效果：
(1)技术方案首先让PI薄膜附着在金属基材然后对PI薄膜进行热处理，使得PI薄膜表面形成一层六角形的类石墨结构薄膜，又因为氮化硼的结构与类石墨薄膜的结构相似，他们的晶格失配率较低，从而能够更好地通过低压气相沉积法将氮化硼薄膜沉积在PI薄膜上，提高氮化硼薄膜的结晶质量，从而提高新材料薄膜的耐热性能；其次，热处理可以让PI薄膜中的C-O、C-N键的断裂和新键生成，伴随着气体逸出，气体冲击PI薄膜表层使薄膜表面形成微孔结构，从而更好地让氮化硼薄膜沉积在PI薄膜表面；
同时，聚酰胺酸溶液中加入纳米二氧化硅和珍珠岩，使得PI薄膜具有良好的耐热性，又因为纳米二氧化硅和珍珠岩存在于PI薄膜内层从而在热处理时能够防止PI薄膜内部结构发生破坏；其次，纳米二氧化硅与珍珠岩形成微球结构，在热处理时珍珠岩中的结晶水释放出来导致微球表面破裂形成中空内腔，从而增强其隔热效果；
最后，再氮化硼薄膜表面浇注聚酰胺酸溶液形成PI薄膜，使得氮化硼薄膜两面具有相同应力的薄膜存在，从而保证了新材料薄膜的稳定性。
(2)本技术通过以4,4-二氨基二苯基甲烷与4,4-二氨基联苄以及3,4,9,10-苝四甲酸二酐作为聚酰胺酸溶液的原料，引入大量的苯环以及较长的分子链，提升了分子主链的刚性，促进了分子链在平面内的紧密堆积，从而有利于改善PI的热性能。
(3)本技术方案通过添加凹凸棒石粘土作为粘黏剂，提高聚酰胺酸溶液的粘黏性使得PI薄膜具有更好地附着力，同时凹凸棒石粘土的孔洞结构能够吸附低压气相沉积中的B(C2H5)3和NH3气氛，帮助氮化硼薄膜更好地沉积在PI薄膜上；同时凹凸棒石粘土的耐热性能也可进一步增强PI薄膜衬底层的耐热性，防止高温热处理使PI薄膜卷缩而影响氮化硼薄膜的沉积。
(4)本技术方案通过让凹凸棒石粘土负载氧化镍催化剂，可以加速氮化硼薄膜的沉积速度，降低低压气相沉积的温度，防止高温导致PI薄膜衬底层卷缩，从而影响氮化硼的沉积效率以及平整度，进一步导致新材料薄膜的耐热性能降低；同时负载在凹凸棒石粘土的氧化镍物质能够减少PI薄膜与金属基材的应力，提升PI薄膜在金属基材的附着力。
(5)通过控制衬底层中的PI薄膜厚度，不仅能够防止过薄的PI薄膜经过热处理后完全碳化同时可以防止高温处理使得PI薄膜卷缩。
具体实施方式
以下结合具体实施例来进一步说明本发明，但实施例并不对本发明做任何形式的限定。除非特别说明，本发明采用的试剂、方法和设备为本技术领域常规试剂、方法和设备。
除非特别说明，以下实施例所用试剂和材料均为市购。
实施例1
本发明提供一种新材料薄膜的制备方法，具体包括以下步骤：
制备凹凸棒石粘土负载氧化镍：
将凹凸棒石粘土(产自甘肃省会宁县)粉碎过200目筛，然后再温度为105℃的条件下烘干；
按重量份数计依次称取：40份粉碎后的凹凸棒石粘土、30份质量分数为10％的硫酸溶液、40份质量分数为20％的NiNO3溶液；
将粉碎后的凹凸棒石粘土加入质量分数为10％的硫酸溶液，以400r/min转速搅拌30min，在室温下静置5h，再用去离子水洗涤至中性，然后放入电热鼓风干燥箱中在温度为105℃条件下烘干，随箱冷却至室温，得到酸处理后的凹凸棒石粘土；将酸处理后的凹凸棒石粉末浸渍于质量分数为20％的NiNO3溶液，以400r/min转速搅拌1h，然后放置于105℃烘箱中烘干，干燥后研磨破碎，筛分至大小为15目的粒径，最后在N2气氛保护下以温度为500℃的条件下煅烧2h，即得到Ni/PG；
聚酰胺酸溶液的制备：
按重量份数计依次称取：20份4,4-二氨基二苯基甲烷、25份4,4-二氨基联苄、50份N,N－二甲基乙酰胺溶液、0.1份纳米二氧化硅、0.5份珍珠岩；
首先将4,4-二氨基二苯基甲烷和4,4-二氨基联苄完全溶解在N,N－二甲基乙酰胺溶液中，随后在低温0℃条件下，以400r/min转速搅拌溶解，然后分5次将3,4,9,10-苝四甲酸二酐加入到混合溶液中，每次间隔时间为10min，将3,4,9,10-苝四甲酸二酐完全加入后，继续以400r/min的转速搅拌3小时后，然后加入纳米二氧化硅、珍珠岩以及所述聚酰胺酸溶液质量2％的凹凸棒石粘土，最后将其密封放置在常温环境下15小时，即得到聚酰胺酸溶液；
其中，3,4,9,10-苝四甲酸二酐与(4,4-二氨基二苯基甲烷和4,4-二氨基联苄)的质量比为1.3:1；为防止静置时无机填料发生沉积，可以加入2％纳米二氧化硅与珍珠岩质量之和的分散剂，所述分散剂选自十二烷基二甲基甜菜碱，所述分散剂的选择无限制，本实施例仅提供最优选；
新材料薄膜的制备：
(1)将聚酰胺酸溶液浇注在基材上，然后分段式升温加热，先在室温下以1℃/min升温至60℃后保温90min，然后继续以1℃/min升温至120℃后保温100min，最后再以2℃/min升温至300℃后保温120min后得到PI薄膜衬底；通过控制聚酰胺酸溶液的量使得PI薄膜的厚度为250um；其中，所述基材选自金属基材，所述金属基材选自金属铜；
(2)对PI薄膜衬底进行热处理，所述热处理温度为700℃，时间为25min；
(3)以附着PI薄膜的基材作为衬底，以B(C2H5)3和NH3为气氛，采用低压气相沉积法将氮化硼薄膜沉积在PI薄膜表面；所述低压气相沉积法的温度为800℃，压力为1300Pa；所述B(C2H5)3和NH3的体积比为4:3；
(4)最后对氮化硼薄膜于输入电压为220V，输入气流气压为0.2MPa，工作距离为25mm，等离子体火焰扫描速率为90mm/s条件下，进行等离子处理，再往处理后的氮化硼薄膜表面浇注所述聚酰胺酸溶液，然后分段式升温加热，先在室温下以1℃/min升温至60℃后保温90min，然后继续以1℃/min升温至120℃后保温100min，最后再以2℃/min升温至300℃后保温120min后得到新材料薄膜；通过控制聚酰胺酸溶液的量使得PI薄膜的厚度为50um。
实施例2
制备凹凸棒石粘土负载氧化镍：
将凹凸棒石粘土(产自甘肃省会宁县)粉碎过100目筛，然后再温度为105℃的条件下烘干；
按重量份数计依次称取：35份粉碎后的凹凸棒石粘土、25份质量分数为5％的硫酸溶液、35份质量分数为10％的NiNO3溶液
取35份粉碎后的凹凸棒石粘土加入25份质量分数为5％的硫酸溶液，以400r/min转速搅拌30min，在室温下静置5h，再用去离子水洗涤至中性，然后放入电热鼓风干燥箱中在温度为105℃条件下烘干，随箱冷却至室温，得到酸处理后的凹凸棒石粘土；将酸处理后的凹凸棒石粉末浸渍于质量分数为10％的NiNO3溶液，以400r/min转速搅拌1h，然后放置于105℃烘箱中烘干，干燥后研磨破碎，筛分至大小为10目的粒径，最后在N2气氛保护下以温度为400℃的条件下煅烧2h，即得到Ni/PG；
聚酰胺酸溶液的制备：
按重量份数计依次称取：15份4,4-二氨基二苯基甲烷、20份4,4-二氨基联苄、40份N,N－二甲基乙酰胺溶液、0.08份纳米二氧化硅、0.3份珍珠岩；
首先将4,4-二氨基二苯基甲烷和4,4-二氨基联苄完全溶解在N,N－二甲基乙酰胺溶液中，随后在低温-2℃条件下，以400r/min转速搅拌溶解，然后分3次将3,4,9,10-苝四甲酸二酐加入到混合溶液中，每次间隔时间为10min，将3,4,9,10-苝四甲酸二酐完全加入后，继续以400r/min的转速搅拌3小时后，然后加入纳米二氧化硅、珍珠岩以及所述聚酰胺酸溶液质量1％的凹凸棒石粘土，最后将其密封放置在常温环境下10小时，即得到聚酰胺酸溶液；
其中，3,4,9,10-苝四甲酸二酐与(4,4-二氨基二苯基甲烷和4,4-二氨基联苄)的质量比为1:1；为防止静置时无机填料发生沉积，可以加入1％纳米二氧化硅与珍珠岩质量之和的分散剂，所述分散剂选自十二烷基二甲基甜菜碱，所述分散剂的选择无限制，这里仅提供最优选；
新材料薄膜的制备：
(1)将聚酰胺酸溶液浇注在基材上，然后分段式升温加热，先在室温下以1℃/min升温至60℃后保温90min，然后继续以1℃/min升温至120℃后保温100min，最后再以2℃/min升温至300℃后保温120min后得到PI薄膜衬底；通过控制聚酰胺酸溶液的量使得PI薄膜的厚度为200um；其中，所述基材选自金属基材，所述金属基材选自金属铜；
(2)对PI薄膜衬底进行热处理，所述热处理温度为600℃，时间为20min；
(3)以附着PI薄膜的基材作为衬底，以B(C2H5)3和NH3为气氛，采用低压气相沉积法将氮化硼薄膜沉积在PI薄膜表面；所述低压气相沉积法的温度为700℃，压力为1000Pa；所述B(C2H5)3和NH3的体积比为1:1；
(4)最后对氮化硼薄膜于输入电压为220V，输入气流气压为0.1MPa，工作距离为20mm，等离子体火焰扫描速率为80mm/s条件下，进行等离子处理，再往处理后的氮化硼薄膜表面浇注所述聚酰胺酸溶液，然后分段式升温加热，先在室温下以1℃/min升温至60℃后保温90min，然后继续以1℃/min升温至120℃后保温100min，最后再以2℃/min升温至300℃后保温120min后得到新材料薄膜；通过控制聚酰胺酸溶液的量使得PI薄膜的厚度为50um。
实施例3
制备凹凸棒石粘土负载氧化镍：
将凹凸棒石粘土(产自甘肃省会宁县)粉碎过300目筛，然后再温度为105℃的条件下烘干；
按重量份数计依次称取：45份粉碎后的凹凸棒石粘土、35份质量分数为15％的硫酸溶液、45份质量分数为30％的NiNO3溶液
取粉碎后的凹凸棒石粘土加入质量分数为15％的硫酸溶液，以400r/min转速搅拌30min，在室温下静置5h，再用去离子水洗涤至中性，然后放入电热鼓风干燥箱中在温度为105℃条件下烘干，随箱冷却至室温，得到酸处理后的凹凸棒石粘土；将酸处理后的凹凸棒石粉末浸渍于质量分数为30％的NiNO3溶液，以400r/min转速搅拌1h，然后放置于105℃烘箱中烘干，干燥后研磨破碎，筛分至大小为20目的粒径，最后在N2气氛保护下以温度为600℃的条件下煅烧2h，即得到Ni/PG；
聚酰胺酸溶液的制备：
按重量份数计依次称取：25份4,4-二氨基二苯基甲烷、30份4,4-二氨基联苄、60份N,N－二甲基乙酰胺溶液、0.12份纳米二氧化硅、0.7份珍珠岩；
首先将25份4,4-二氨基二苯基甲烷和30份4,4-二氨基联苄完全溶解在60份N,N－二甲基乙酰胺溶液中，随后在低温2℃条件下，以400r/min转速搅拌溶解，然后分7次将3,4,9,10-苝四甲酸二酐加入到混合溶液中，每次间隔时间为10min，将3,4,9,10-苝四甲酸二酐完全加入后，继续以400r/min的转速搅拌3小时后，然后加入纳米二氧化硅、珍珠岩以及所述聚酰胺酸溶液质量3％的凹凸棒石粘土，最后将其密封放置在常温环境下20小时，即得到聚酰胺酸溶液；
其中，3,4,9,10-苝四甲酸二酐与(4,4-二氨基二苯基甲烷和4,4-二氨基联苄)的质量比为1.6:1；为防止静置时无机填料发生沉积，可以加入3％纳米二氧化硅与珍珠岩质量之和的分散剂，所述分散剂选自十二烷基二甲基甜菜碱，所述分散剂的选择无限制，这里仅提供最优选；
新材料薄膜的制备：
(1)将聚酰胺酸溶液浇注在基材上，然后分段式升温加热，先在室温下以1℃/min升温至60℃后保温90min，然后继续以1℃/min升温至120℃后保温100min，最后再以2℃/min升温至300℃后保温120min后得到PI薄膜衬底；通过控制聚酰胺酸溶液的量使得PI薄膜的厚度为300um；其中，所述基材选自金属基材，所述金属基材选自金属铜；
(2)对PI薄膜衬底进行热处理，所述热处理温度为800℃，时间为30min；
(3)以附着PI薄膜的基材作为衬底，以B(C2H5)3和NH3为气氛，采用低压气相沉积法将氮化硼薄膜沉积在PI薄膜表面；所述低压气相沉积法的温度为900℃，压力为1500Pa；所述B(C2H5)3和NH3的体积比为2:1；
(4)最后对氮化硼薄膜于输入电压为220V，输入气流气压为0.3MPa，工作距离为30mm，等离子体火焰扫描速率为100mm/s条件下，进行等离子处理，再往处理后的氮化硼薄膜表面浇注所述聚酰胺酸溶液，然后分段式升温加热，先在室温下以1℃/min升温至60℃后保温90min，然后继续以1℃/min升温至120℃后保温100min，最后再以2℃/min升温至300℃后保温120min后得到新材料薄膜；通过控制聚酰胺酸溶液的量使得PI薄膜的厚度为50um。
实施例4
制备凹凸棒石粘土负载氧化镍：
将凹凸棒石粘土(产自甘肃省会宁县)粉碎过200目筛，然后再温度为105℃的条件下烘干；
按重量份数计依次称取：40份粉碎后的凹凸棒石粘土、30份质量分数为10％的硫酸溶液、40份质量分数为20％的NiNO3溶液；
取粉碎后的凹凸棒石粘土加入质量分数为10％的硫酸溶液，以400r/min转速搅拌30min，在室温下静置5h，再用去离子水洗涤至中性，然后放入电热鼓风干燥箱中在温度为105℃条件下烘干，随箱冷却至室温，得到酸处理后的凹凸棒石粘土；将酸处理后的凹凸棒石粉末浸渍于质量分数为20％的NiNO3溶液，以400r/min转速搅拌1h，然后放置于105℃烘箱中烘干，干燥后研磨破碎，筛分至大小为15目的粒径，最后在N2气氛保护下以温度为500℃的条件下煅烧2h，即得到Ni/PG；
聚酰胺酸溶液的制备：
按重量份数计依次称取：20份4,4-二氨基二苯基甲烷、25份4,4-二氨基联苄、50份N,N－二甲基乙酰胺溶液、0.1份纳米二氧化硅、0.5份珍珠岩；
首先将4,4-二氨基二苯基甲烷和4,4-二氨基联苄完全溶解在N,N－二甲基乙酰胺溶液中，随后在低温0℃条件下，以400r/min转速搅拌溶解，然后分5次将3,4,9,10-苝四甲酸二酐加入到混合溶液中，每次间隔时间为10min，将3,4,9,10-苝四甲酸二酐完全加入后，继续以400r/min的转速搅拌3小时后，然后加入纳米二氧化硅、珍珠岩以及所述聚酰胺酸溶液质量2％的凹凸棒石粘土，最后将其密封放置在常温环境下15小时，即得到聚酰胺酸溶液；
其中，3,4,9,10-苝四甲酸二酐与(4,4-二氨基二苯基甲烷和4,4-二氨基联苄)的质量比为1.3:1；为防止静置时无机填料发生沉积，可以加入2％纳米二氧化硅与珍珠岩质量之和的分散剂，所述分散剂选自十二烷基二甲基甜菜碱，所述分散剂的选择无限制，本实施例仅提供最优选；
新材料薄膜的制备：
(1)将聚酰胺酸溶液浇注在基材上，然后分段式升温加热，先在室温下以1℃/min升温至60℃后保温90min，然后继续以1℃/min升温至120℃后保温100min，最后再以2℃/min升温至300℃后保温120min后得到PI薄膜衬底；通过控制聚酰胺酸溶液的量使得PI薄膜的厚度为250um；其中，所述基材选自金属基材，所述金属基材选自金属镍；
(2)对PI薄膜衬底进行热处理，所述热处理温度为700℃，时间为25min；
(3)以附着PI薄膜的基材作为衬底，以B(C2H5)3和NH3为气氛，采用低压气相沉积法将氮化硼薄膜沉积在PI薄膜表面；所述低压气相沉积法的温度为800℃，压力为1300Pa；所述B(C2H5)3和NH3的体积比为4:3；
(4)最后对氮化硼薄膜于输入电压为220V，输入气流气压为0.2MPa，工作距离为25mm，等离子体火焰扫描速率为90mm/s条件下，进行等离子处理，再往处理后的氮化硼薄膜表面浇注所述聚酰胺酸溶液，然后分段式升温加热，先在室温下以1℃/min升温至60℃后保温90min，然后继续以1℃/min升温至120℃后保温100min，最后再以2℃/min升温至300℃后保温120min后得到新材料薄膜；通过控制聚酰胺酸溶液的量使得PI薄膜的厚度为50um。
实施例5
本实施例与实施例1相比，区别在于：未添加凹凸棒石粘土。
实施例6
本实施例与实施例1相比，区别在于：添加的凹凸棒石粘土未负载氧化镍。
实施例7
本实施例与实施例1相比，区别在于：所述步骤(1)中控制PI薄膜厚度小于200um或大于300um。
对比例1
本对比例与实施例1相比，区别在于：所述PI薄膜衬底层未进行热处理。
对比例2
本对比例与实施例1相比，区别在于：未在聚酰胺酸溶液中加入纳米二氧化硅。
对比例3
本对比例与实施例1相比，区别在于：未在聚酰胺酸溶液中加入珍珠岩。
对比例4
本对比例与实施例1相比，区别在于：
新材料薄膜的制备：
(1)将聚酰胺酸溶液浇注在基材上，然后分段式升温加热，先在室温下以1℃/min升温至60℃后保温90min，然后继续以1℃/min升温至120℃后保温100min，最后再以2℃/min升温至300℃后保温120min后得到PI薄膜衬底；通过控制聚酰胺酸溶液的量使得PI薄膜的厚度为250um；其中，所述基材选自金属基材，所述金属基材选自金属镍；
(2)对PI薄膜衬底进行热处理，所述热处理温度为700℃，时间为25min；
(3)以附着PI薄膜的基材作为衬底，以B(C2H5)3和NH3为气氛，采用低压气相沉积法将氮化硼薄膜沉积在PI薄膜表面，即得新材料薄膜；所述低压气相沉积法的温度为800℃，压力为1300Pa；所述B(C2H5)3和NH3的体积比为4:3；
对实施例1-7及对比例1-4所得产品进行性能测试，具体测试方法和测试结果如下所述：
吸水率测试：吸水率的测量方法参考GB/T1034-2008，将新材料薄膜裁剪成长条然后进行称重记为m0，再将其放置于去离子水中24h，擦拭表面水分，然后进行称重记为m1；吸水率％＝(m1-m0)×100％/m0；
耐热性测试：按照GB1035-1970测试新材料薄膜的耐热性能，加热温度至700℃；
具体测试结果如表1所示；
表1：产品性能测试结果
Figure SMS_1
Figure SMS_2
由表1测试结果可知，本发明所得产品可以有效兼顾有高耐热性以及高疏水性能。
本发明还提供一种新材料薄膜，其有如上所述的制备方法制备而成。
上述实施例为本发明较佳的实施方式，但本发明的实施方式并不受上述实施例的限制，其他的任何未背离本发明的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化，均应为等效的置换方式，都包含在本发明的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种新材料薄膜的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：
(1)将聚酰胺酸溶液浇注在基材上，然后升温加热得到PI薄膜；
(2)对PI薄膜进行热处理，所述热处理温度为600-800℃，时间为20-30min；
(3)以附着PI薄膜的基材作为衬底，以B(C2H5)3和NH3为气氛，采用低压气相沉积法将氮化硼薄膜沉积在PI薄膜表面；
(4)最后对氮化硼薄膜进行等离子处理，再往处理后的氮化硼薄膜表面浇注所述聚酰胺酸溶液，然后升温加热得到新材料薄膜；
其中，所述聚酰胺酸溶液的原料包括4,4-二氨基二苯基甲烷、4,4-二氨基联苄、3,4,9,10-苝四甲酸二酐、纳米二氧化硅、珍珠岩。
2.根据权利要求1所述的一种新材料薄膜的制备方法，其特征在于，所述基材选自金属基材，所述金属基材选自金属铜或金属镍中的任意一种。
3.根据权利要求1所述的一种新材料薄膜的制备方法，其特征在于，所述聚酰胺酸溶液的制备具体包括以下步骤：
将4,4-二氨基二苯基甲烷与4,4-二氨基联苄加入到N,N－二甲基乙酰胺溶液中，搅拌溶解，然后低温条件下加入分5次加入3,4,9,10-苝四甲酸二酐，继续搅拌，再加入纳米二氧化硅以及珍珠岩，搅拌后静置，即得到聚酰胺酸溶液。
4.根据权利要求1所述的一种新材料薄膜的制备方法，其特征在于，所述聚酰胺酸溶液还包括所述聚酰胺酸溶液质量1-3％的凹凸棒石粘土。
5.根据权利要求1所述的一种新材料薄膜的制备方法，其特征在于，所述低压气相沉积法的温度为700-900℃，压力为1000-1500Pa。
6.根据权利要求4所述的一种新材料薄膜的制备方法，其特征在于，所述凹凸棒石粘土经过酸化后负载氧化镍催化剂。
7.根据权利要求1所述的一种新材料薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中控制PI薄膜厚度为200um-300um。
8.根据权利要求1所述的一种新材料薄膜的制备方法，其特征在于，所述对氮化硼薄膜进行等离子处理包括：
于输入电压为220V，输入气流气压为0.1-0.3MPa，工作距离为20-30mm，等离子体火焰扫描速率为80-100mm/s条件下，进行等离子处理。
9.一种新材料薄膜，由权利要求1～8所述的一种新材料薄膜的制备方法制备而成。
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Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007266615A (ja) * 2002-03-22 2007-10-11 Ube Ind Ltd 半導体パッケ−ジ内部絶縁用ポリイミドフィルムおよび積層基板
CN101232995A (zh) * 2005-08-04 2008-07-30 株式会社钟化 覆金属聚酰亚胺膜
US20100291365A1 (en) * 2009-05-13 2010-11-18 E.I. Du Pont De Nemours And Company film prepared from a casting composition comprising a polymer and surface modified hexagonal boron nitride particles
JP2012210780A (ja) * 2011-03-31 2012-11-01 Toyobo Co Ltd ポリイミドボード、孔あきポリイミドボード、および金属積層ポリイミドボード
CN107482064A (zh) * 2017-08-28 2017-12-15 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 薄膜晶体管及其制作方法以及阵列基板
CN110229333A (zh) * 2019-06-25 2019-09-13 湘潭大学 一种新型聚酰亚胺的合成方法
CN111499913A (zh) * 2020-05-19 2020-08-07 中山大学 一种仿贝壳状稠密结构的高阻隔聚酰亚胺复合薄膜、制备方法及应用
CN111986987A (zh) * 2020-09-02 2020-11-24 西安电子科技大学 基于p型掺杂的六方氮化硼外延薄膜制备方法
CN114807898A (zh) * 2021-01-27 2022-07-29 东京毅力科创株式会社 氮化硼膜的成膜方法和成膜装置

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007266615A (ja) * 2002-03-22 2007-10-11 Ube Ind Ltd 半導体パッケ−ジ内部絶縁用ポリイミドフィルムおよび積層基板
CN101232995A (zh) * 2005-08-04 2008-07-30 株式会社钟化 覆金属聚酰亚胺膜
US20100291365A1 (en) * 2009-05-13 2010-11-18 E.I. Du Pont De Nemours And Company film prepared from a casting composition comprising a polymer and surface modified hexagonal boron nitride particles
JP2012210780A (ja) * 2011-03-31 2012-11-01 Toyobo Co Ltd ポリイミドボード、孔あきポリイミドボード、および金属積層ポリイミドボード
CN107482064A (zh) * 2017-08-28 2017-12-15 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 薄膜晶体管及其制作方法以及阵列基板
CN110229333A (zh) * 2019-06-25 2019-09-13 湘潭大学 一种新型聚酰亚胺的合成方法
CN111499913A (zh) * 2020-05-19 2020-08-07 中山大学 一种仿贝壳状稠密结构的高阻隔聚酰亚胺复合薄膜、制备方法及应用
CN111986987A (zh) * 2020-09-02 2020-11-24 西安电子科技大学 基于p型掺杂的六方氮化硼外延薄膜制备方法
CN114807898A (zh) * 2021-01-27 2022-07-29 东京毅力科创株式会社 氮化硼膜的成膜方法和成膜装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
冯新德: "《中国塑料制品配方大全》", 中国石化出版社, pages: 380 - 381 *

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