CN116239381B - 一种增强抑制离子转变能力的激光陶瓷材料及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种增强抑制离子转变能力的激光陶瓷材料及其制备方法。所述激光陶瓷材料包括以下原料制得：基材、碳纳米管粉末和PMMA微球，所述基材的化学式为Y3Al5‑xHfxO12：Ce3+，其中0<x<0.5。按重量份计，所述激光陶瓷材料包括以下重量份的原料制得：95～110份的Y3Al5‑ xHfxO12：Ce3+，其中0<x<0.5，碳纳米管粉末2～3份和PMMA微球0.5～1份。其制备方法包括以下步骤：将基材、碳纳米管粉末和PMMA微球混合，球磨，煅烧，制得目标激光陶瓷材料。本发明以Y3Al5‑xHfxO12：Ce3+为基材，加入碳纳米管粉末和PMMA微球，优选配比，有效增强其离子转变抑制能力，显著提高其激发波长为455nm条件下的耐激发密度。
Description
技术领域
本发明涉及激光陶瓷材料领域，特别涉及一种增强抑制离子转变能力的激光陶瓷材料及其制备方法。
背景技术
YAG：Ce3+陶瓷是激光照明的所需的核心发光材料，需要在高功率密度的蓝光轰击下使用，但是发光中心Ce3+在高功率激光轰击下会变成Ce4+，导致发光失效。因此，研究抑制离子转变的激光陶瓷材料至关重要。CN114149259A公开一种抑制离子转变的激光陶瓷材料，发明人进一步研究发现通过改进材料配方等，能够有效提高其耐激发密度，有效增强其离子转变抑制能力。
发明内容
鉴于此，本发明提出一种增强抑制离子转变能力的激光陶瓷材料及其制备方法，解决上述问题。
本发明的技术方案是这样实现的：
一种增强抑制离子转变能力的激光陶瓷材料，所述激光陶瓷材料包括以下原料制得：基材、碳纳米管粉末和PMMA微球，所述基材的化学式为Y3Al5-xHfxO12：Ce3+，其中0<x<0.5。PMMA：聚甲基丙烯酸甲酯。
进一步的，所述激光陶瓷材料包括以下重量份的原料：95～110份的Y3Al5-xHfxO12：Ce3+，其中0<x<0.5，碳纳米管粉末2～3份和PMMA微球0.5～1份。
进一步的，所述激光陶瓷材料包括以下重量份的原料：100份的Y3Al5-xHfxO12：Ce3+，其中0<x<0.5，碳纳米管粉末2.3份和PMMA微球0.7份。
进一步的，所述PMMA微球的规格为1.2g/cm3。
本发明提供增强抑制离子转变能力的激光陶瓷材料的制备方法，包括以下步骤：将基材、碳纳米管粉末和PMMA微球混合，球磨，煅烧，制得目标激光陶瓷材料。
进一步的，所述球磨的转速为700～900rpm，球磨时间为8～12h。
进一步的，所述球磨加入按照料液比kg/L为1：3～5加入乙醇溶液。
进一步的，所述乙醇溶液的体积浓度为80％～95％。
进一步的，所述煅烧的温度为950～1050℃，时间为3～5h。
进一步的，所述煅烧的升温程序为从室温以3～5℃/min升温至400～500℃，再以8～10℃/min升温至950～1050℃。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明以Y3Al5-xHfxO12：Ce3+为基材，加入碳纳米管粉末和PMMA微球，使得材料形成更加优异结构，而且结构稳定性强，显著提高其激发波长为455nm条件下的耐激发密度，有效增强其离子转变抑制能力，较大提高产品质量，具有更好的应用前景。
具体实施方式
为了更好理解本发明技术内容，下面提供具体实施例，对本发明做进一步的说明。
本发明实施例所用的实验方法如无特殊说明，均为常规方法。
本发明实施例所用的材料、试剂等，如无特殊说明，均可从商业途径得到。
本发明实施例所用PMMA微球规格为1.2g/cm3。
实施例1
一种增强抑制离子转变能力的激光陶瓷材料，所述激光陶瓷材料包括以下原料制得：基材、碳纳米管粉末和PMMA微球，所述基材的化学式为Y3Al4.8Hf0.2O12：Ce3+；按重量份计，100份的Y3Al5-xHfxO12：Ce3+，其中0<x<0.5，碳纳米管粉末2.3份和PMMA微球0.7份。
上述激光陶瓷材料的制备方法，包括以下步骤：
(1)按照上述原料配比分别称取基材、碳纳米管粉末和PMMA微球，将基材、碳纳米管粉末和PMMA微球混合均匀，得到混合料；
(2)将混合料投入球磨机，按照料液比kg/L为1：3加入95v/v％乙醇溶液，以700rpm转速球磨12h；
(3)煅烧，煅烧的升温程序为从室温以3℃/min升温至400℃，再以8℃/min升温至950℃，保持950℃煅烧5h，制得目标激光陶瓷材料。
实施例2
一种增强抑制离子转变能力的激光陶瓷材料，所述激光陶瓷材料包括以下原料制得：基材、碳纳米管粉末和PMMA微球，所述基材的化学式为Y3Al4.8Hf0.2O12：Ce3+；按重量份计，100份的Y3Al5-xHfxO12：Ce3+，其中0<x<0.5，碳纳米管粉末2.3份和PMMA微球0.7份。
上述激光陶瓷材料的制备方法，包括以下步骤：
(1)按照上述原料配比分别称取基材、碳纳米管粉末和PMMA微球，将基材、碳纳米管粉末和PMMA微球混合均匀，得到混合料；
(2)将混合料投入球磨机，按照料液比kg/L为1：4加入90v/v％乙醇溶液，以800rpm转速球磨10h；
(3)煅烧，煅烧的升温程序为从室温以4℃/min升温至500℃，再以10℃/min升温至1000℃，保持1000℃煅烧4h，制得目标激光陶瓷材料。
实施例3
一种增强抑制离子转变能力的激光陶瓷材料，所述激光陶瓷材料包括以下原料制得：基材、碳纳米管粉末和PMMA微球，所述基材的化学式为Y3Al4.8Hf0.2O12：Ce3+；按重量份计，100份的Y3Al5-xHfxO12：Ce3+，其中0<x<0.5，碳纳米管粉末2.3份和PMMA微球0.7份。
上述激光陶瓷材料的制备方法，包括以下步骤：
(1)按照上述原料配比分别称取基材、碳纳米管粉末和PMMA微球，将基材、碳纳米管粉末和PMMA微球混合均匀，得到混合料；
(2)将混合料投入球磨机，按照料液比kg/L为1：5加入80v/v％乙醇溶液，以900rpm转速球磨8h；
(3)煅烧，煅烧的升温程序为从室温以5℃/min升温至500℃，再以10℃/min升温至1050℃，保持1050℃煅烧3h，制得目标激光陶瓷材料。
实施例4
一种增强抑制离子转变能力的激光陶瓷材料，所述激光陶瓷材料包括以下原料制得：基材、碳纳米管粉末和PMMA微球，所述基材的化学式为Y3Al4.8Hf0.2O12：Ce3+；按重量份计，100份的Y3Al5-xHfxO12：Ce3+，其中0<x<0.5，碳纳米管粉末2份和PMMA微球1份。
上述激光陶瓷材料的制备方法，包括以下步骤：
(1)按照上述原料配比分别称取基材、碳纳米管粉末和PMMA微球，将基材、碳纳米管粉末和PMMA微球混合均匀，得到混合料；
(2)将混合料投入球磨机，按照料液比kg/L为1：4加入90v/v％乙醇溶液，以800rpm转速球磨10h；
(3)煅烧，煅烧的升温程序为从室温以4℃/min升温至500℃，再以10℃/min升温至1000℃，保持1000℃煅烧4h，制得目标激光陶瓷材料。
实施例5
一种增强抑制离子转变能力的激光陶瓷材料，所述激光陶瓷材料包括以下原料制得：基材、碳纳米管粉末和PMMA微球，所述基材的化学式为Y3Al4.8Hf0.2O12：Ce3+；按重量份计，100份的Y3Al5-xHfxO12：Ce3+，其中0<x<0.5，碳纳米管粉末2.5份和PMMA微球0.5份。
上述激光陶瓷材料的制备方法，包括以下步骤：
(1)按照上述原料配比分别称取基材、碳纳米管粉末和PMMA微球，将基材、碳纳米管粉末和PMMA微球混合均匀，得到混合料；
(2)将混合料投入球磨机，按照料液比kg/L为1：4加入90v/v％乙醇溶液，以800rpm转速球磨10h；
(3)煅烧，煅烧的升温程序为从室温以4℃/min升温至500℃，再以10℃/min升温至1000℃，保持1000℃煅烧4h，制得目标激光陶瓷材料。
对比例1
一种增强抑制离子转变能力的激光陶瓷材料，与实施例2区别在于，使用碳化硅替代碳纳米管粉末，具体如下：
所述激光陶瓷材料包括以下原料制得：基材、碳化硅和PMMA微球，所述基材的化学式为Y3Al4.8Hf0.2O12：Ce3+；按重量份计，100份的Y3Al5-xHfxO12：Ce3+，其中0<x<0.5，碳化硅2.3份和PMMA微球0.7份。
上述激光陶瓷材料的制备方法与实施例2基本一致。具体包括以下步骤：
(1)按照上述原料配比分别称取基材、碳化硅和PMMA微球，将基材、碳化硅和PMMA微球混合均匀，得到混合料；
(2)将混合料投入球磨机，按照料液比kg/L为1：4加入90v/v％乙醇溶液，以800rpm转速球磨10h；
(3)煅烧，煅烧的升温程序为从室温以4℃/min升温至500℃，再以10℃/min升温至1000℃，保持1000℃煅烧4h，制得目标激光陶瓷材料。
对比例2
一种增强抑制离子转变能力的激光陶瓷材料，与实施例2区别在于，原料配比不同，具体如下：
所述激光陶瓷材料包括以下原料制得：基材、碳纳米管粉末和PMMA微球，所述基材的化学式为Y3Al4.8Hf0.2O12：Ce3+；按重量份计，100份的Y3Al5-xHfxO12：Ce3+，其中0<x<0.5，碳纳米管粉末0.7份和PMMA微球2.3份。
上述激光陶瓷材料的制备方法与实施例2一致，具体包括以下步骤：
(1)按照上述原料配比分别称取基材、碳纳米管粉末和PMMA微球，将基材、碳纳米管粉末和PMMA微球混合均匀，得到混合料；
(2)将混合料投入球磨机，按照料液比kg/L为1：4加入90v/v％乙醇溶液，以800rpm转速球磨10h；
(3)煅烧，煅烧的升温程序为从室温以4℃/min升温至500℃，再以10℃/min升温至1000℃，保持1000℃煅烧4h，制得目标激光陶瓷材料。
将上述实施例1-5以及对比例1-2制得激光陶瓷材料，在激发波长为455nm条件下检测耐激发密度，并与进行检测，并与对照例进行对比，对照例：化学式为Y3Al4.8Hf0.2O12：Ce3+的基材。计算耐激发密度提高百分比。
耐激发密度提高百分比＝(实施例/对比例耐激发密度-对照例耐激发密度)/对照例耐激发密度*100％
结果如下：
上述结果表明，相比基材(Y3Al4.8Hf0.2O12：Ce3+)，实施例1-5制得激光陶瓷材料显著提高激发波长为455nm条件下耐激发密度，提高百分比为26％～38％。
而对比例1-2的制得激光陶瓷材料其耐激发密度的提高幅度不够理想。其中，相比实施例2，对比例1的配方中使用碳化硅替代碳纳米管粉末，所制备激光陶瓷材料的耐激发密度明显下降。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (3)
1.一种增强抑制离子转变能力的激光陶瓷材料，其特征在于，所述激光陶瓷材料包括以下重量份的原料制得：95~110份的Y3Al5-xHfxO12:Ce3+，其中0<x<0.5，碳纳米管粉末2~3份和PMMA微球0.5~1份；
所述的增强抑制离子转变能力的激光陶瓷材料的制备方法，包括以下步骤：将Y3Al5- xHfxO12:Ce3+、碳纳米管粉末和PMMA微球混合，球磨，煅烧，制得目标激光陶瓷材料；
所述球磨的转速为700~900rpm，球磨时间为8~12h；
所述球磨加入按照料液比kg/L为1:(3~5)加入乙醇溶液，所述乙醇溶液的体积浓度为80%~95%；
所述煅烧的温度为950~1050℃，时间为3~5h；所述煅烧的升温程序为从室温以3~5℃/min升温至400~500℃，再以8~10℃/min升温至950~1050℃。
2.根据权利要求1所述的增强抑制离子转变能力的激光陶瓷材料，其特征在于，所述激光陶瓷材料包括以下重量份的原料制得：100份的Y3Al5-xHfxO12:Ce3+，其中0<x<0.5，碳纳米管粉末2.3份和PMMA微球0.7份。
3.根据权利要求1所述的增强抑制离子转变能力的激光陶瓷材料，其特征在于，所述PMMA微球的规格为1.2g/cm3。
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| CN202310255880.6A Active CN116239381B (zh) | 2023-03-16 | 2023-03-16 | 一种增强抑制离子转变能力的激光陶瓷材料及其制备方法 |
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Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN101259988A (zh) * | 2008-02-25 | 2008-09-10 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种具有光限幅特性的固态材料及制备方法 |
| CN102782088A (zh) * | 2010-01-28 | 2012-11-14 | 奥斯兰姆施尔凡尼亚公司 | 发光陶瓷转换器及其制备方法 |
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| CN107353028A (zh) * | 2017-08-24 | 2017-11-17 | 佛山科学技术学院 | 一种缠绕型碳纳米管增强陶瓷基复合材料 |
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-
2023
- 2023-03-16 CN CN202310255880.6A patent/CN116239381B/zh active Active
Patent Citations (8)
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Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 袁哲俊.《纳米科学与技术》.哈尔滨工业大学出版社,2005,第229-230页. * |
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| CN116239381A (zh) | 2023-06-09 |
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