CN116057681A - 结构体、结构体的制造方法、接合体的制造方法及器件的制造方法 - Google Patents

结构体、结构体的制造方法、接合体的制造方法及器件的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种能够抑制带电并进一步减小接合时所需的力的结构体、结构体的制造方法、接合体的制造方法及器件的制造方法。结构体具有绝缘膜及沿厚度方向贯穿绝缘膜且以彼此电绝缘的状态设置的多个导体，导体从绝缘膜的厚度方向上的至少一侧表面突出，并且所述结构体具有局部覆盖绝缘膜的导体突出的表面的树脂层。

Description

结构体、结构体的制造方法、接合体的制造方法及器件的制造方法
技术领域
本发明涉及一种结构体、结构体的制造方法、接合体的制造方法及器件的制造方法，在所述结构体中，沿阳极氧化膜的厚度方向贯穿且以彼此电绝缘的状态设置的多个导体从阳极氧化膜的厚度方向上的至少一侧表面突出，并且由树脂层局部覆盖阳极氧化膜的导体突出的表面。
背景技术
在设置于绝缘性基材上的多个贯穿孔中填充金属等导电性物质而成的结构体为近年来在纳米也技术中也受到注目的领域之一，例如作为各向异性导电性部件的用途备受期待。
各向异性导电性部件仅通过插入到半导体元件等电子组件与电路基板之间并进行加压而获得电子组件与电路基板之间的电连接，因此作为半导体元件等电子组件等的电连接部件及进行功能检查时的检查用连接器等被广泛使用。
尤其，半导体元件等电子组件的小型化明显。在如以往引线接合(wire bonding)那样的直接连接配线基板的方式、倒装焊接(flip chip bonding)及热压结合(thermocompression bonding)等中，有时无法充分保证电子组件的电连接的稳定性，因此作为电子连接部件，各向异性导电性部件受到注目。
作为各向异性导电性部件，例如，在专利文献1中，记载有一种各向异性导电性接合部件，其具备绝缘性基材、由导电性部件形成的多个导通路及设置于绝缘性基材表面的整个面上的树脂层。树脂层含有热固化性树脂。导通路以彼此绝缘的状态沿厚度方向贯穿绝缘性基材而设置。导通路具有从绝缘性基材的表面突出的突出部分，突出部分的端部埋设于树脂层中。
以往技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2018-37509号公报
发明内容
发明要解决的技术课题
如上述专利文献1，在将树脂层设置于绝缘性基材表面的整个面上的结构中，无法释放所产生的静电。因此，在通过带电输送各向异性导电性部件时，存在难以处理等问题点，如离不开输送臂等。
并且，在将树脂层设置于绝缘性基材表面的整个面上的结构中，在将各向异性导电性部件插入到半导体元件等电子组件与电路基板之间并进行加压接合时，需要从接合部排除设置于整个面上的树脂层的剩余部分，存在加压时需要很大的力等问题点。
本发明的目的在于提供一种能够抑制带电并进一步减小接合时所需的力的结构体、结构体的制造方法、接合体的制造方法及器件的制造方法。
用于解决技术课题的手段
为了实现上述目的，本发明的一方式提供一种结构体，其具有绝缘膜及沿厚度方向贯穿绝缘膜且以彼此电绝缘的状态设置的多个导体，导体从绝缘膜的厚度方向上的至少一侧表面突出，并且所述结构体具有局部地覆盖绝缘膜的导体突出的表面的树脂层。
优选导体分别从绝缘膜的厚度方向上的两面突出，树脂层分别局部地覆盖绝缘膜的厚度方向上的两面的各表面。
导体的平均突出长度优选小于树脂层的平均厚度。
在将由树脂层覆盖的绝缘膜的面积设为Sa、将没有设置树脂层的绝缘膜的面积设为Sb、将导体的平均突出高度设为Hd、将树脂层的平均厚度设为hm时，优选满足0.7≤(Sb×2/3×Hd)/(Sa×(hr-Hd))≤1.5。
树脂层优选以微细图案形成。
设置于绝缘膜的厚度方向上的两面的树脂层优选分别以相同的图案形成。
绝缘膜优选由阳极氧化膜构成。
本发明的另一方式提供一种结构体的制造方法，该方法具有：在具有沿厚度方向延伸的多个细孔的绝缘膜中填充导电性物质而形成导体的工序；突出工序，使导体从绝缘膜的厚度方向上的至少一侧表面突出；及形成工序，在绝缘膜的导体突出的表面局部地形成树脂层。
树脂层的形成工序优选使用喷墨法。
树脂层的形成工序优选在绝缘膜的导体突出的表面的整个面形成树脂层之后，将树脂层局部地去除。
树脂层的形成工序优选在绝缘膜的导体突出的表面的整个面形成树脂层之后，将形成于绝缘膜的端部的树脂层局部地去除。
导体的突出工序为使导体分别从绝缘膜的厚度方向上的两面突出的工序，树脂层的形成工序优选在绝缘膜的厚度方向上的两面的各表面分别局部地形成树脂层。
导体的平均突出长度优选小于树脂层的平均厚度。
在将由树脂层覆盖的绝缘膜的面积设为Sa、将没有设置树脂层的绝缘膜的面积设为Sb、将导体的平均突出高度设为Hd、将树脂层的平均厚度设为hm时，优选满足0.7≤(Sb×2/3×Hd)/(Sa×(hr-Hd))≤1.5。
形成工序优选在绝缘膜的厚度方向上的两面分别以相同的图案形成树脂层。
绝缘膜优选由阳极氧化膜构成。
本发明的另一方式提供一种接合体的制造方法，该方法具有接合工序，该接合工序通过使本发明的结构体的导体与具有导电性的导电部接触而接合具备导电部的导电部件和结构体。
本发明的另一方式提供一种器件的制造方法，该方法具有接合工序，该接合工序通过使本发明的结构体的导体与具有电极的半导体元件的电极接触而接合半导体元件和结构体。
发明效果
根据本发明，能够抑制带电并进一步减小接合时所需的力。
并且，根据本发明，能够获得能够抑制带电并进一步减小接合时所需的力的结构体。
并且，根据本发明，能够抑制带电并进一步减小接合时所需的力而制造接合体。
并且，根据本发明，能够抑制带电并进一步减小接合时所需的力而制造器件。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式的结构体的一例的示意性剖视图。
图2是表示本发明的实施方式的结构体的一例的示意性俯视图。
图3是表示本发明的实施方式的结构体的树脂层的图案的第1例的示意性俯视图。
图4是表示本发明的实施方式的结构体的树脂层的图案的第2例的示意性俯视图。
图5是表示本发明的实施方式的结构体的树脂层的图案的第3例的示意性俯视图。
图6是表示本发明的实施方式的结构体的树脂层的微细图案的一例的示意性俯视图。
图7是表示本发明的实施方式的结构体的制造方法的一例的一工序的示意性剖视图。
图8是表示本发明的实施方式的结构体的制造方法的一例的一工序的示意性剖视图。
图9是表示本发明的实施方式的结构体的制造方法的一例的一工序的示意性剖视图。
图10是表示本发明的实施方式的结构体的制造方法的一例的一工序的示意性剖视图。
图11是表示本发明的实施方式的结构体的制造方法的一例的一工序的示意性剖视图。
图12是表示本发明的实施方式的结构体的制造方法的一例的一工序的示意性剖视图。
图13是表示本发明的实施方式的结构体的制造方法的一例的一工序的示意性剖视图。
图14是表示本发明的实施方式的接合体的一例的示意图。
图15是表示本发明的实施方式的接合体的另一例的示意图。
图16是表示本发明的实施方式的接合体的制造方法的一例的一工序的示意性剖视图。
图17是表示本发明的实施方式的接合体的制造方法的一例的一工序的示意性剖视图。
图18是表示使用了本发明的实施方式的结构体的层叠器件的制造方法的一例的一工序的示意图。
图19是表示使用了本发明的实施方式的结构体的层叠器件的制造方法的一例的一工序的示意图。
图20是表示使用了本发明的实施方式的结构体的层叠器件的制造方法的一例的一工序的示意图。
具体实施方式
以下，根据附图所示的优选实施方式，对本发明的结构体、结构体的制造方法、接合体的制造方法及器件的制造方法进行详细说明。
另外，以下所说明的图为用于说明本发明的例示性的图，本发明并不限定于以下所示的图。
另外，在以下中，表示数值范围的“～”包含在两侧所记载的数值。例如，εa为数值αb～数值βc是指εa的范围为包含数值αb和数值βc的范围，若用数学记号表示，则αb≤εa≤βc。
关于温度及时间，除非另有记载，则包含在相应的技术领域中通常允许的误差范围。
[结构体的一例]
图1是表示本发明的实施方式的细结构体的一例的示意性剖视图，图2是表示本发明的实施方式的细结构体的一例的示意性俯视图。图2是从图1的阳极氧化膜的表面侧进行观察的俯视图，并且表示没有树脂层20的状态。
图1所示的结构体10具有：绝缘膜12，具有电绝缘性；及多个导体14，沿厚度方向Dt贯穿绝缘膜12且以彼此电绝缘的状态设置。导体14从绝缘膜12的厚度方向Dt上的至少一侧表面突出。在导体14从绝缘膜12的厚度方向Dt上的至少一侧表面突出的情况下，优选在从单侧的表面突出的结构中，从表面12a或背面12b突出。
结构体10具有树脂层20，该树脂层20局部覆盖绝缘膜12的导体14突出的表面。即，树脂层20没有设置于绝缘膜12的表面12a的整个面及背面12b的整个面上，而是局部设置于绝缘膜12的表面12a上，并且局部设置于绝缘膜12的背面12b上。绝缘膜12例如由阳极氧化膜15构成。
多个导体14以彼此电绝缘的状态配置于绝缘膜12上。此时，例如，绝缘膜12具有沿厚度方向Dt贯穿的多个细孔13。在多个细孔13中设置有导体14。导体14从绝缘膜12的厚度方向Dt上的表面12a突出。
并且，导体14从绝缘膜12的厚度方向Dt上的背面12b突出。结构体具有树脂层20，该树脂层20局部覆盖绝缘膜12的导体14突出的表面。
树脂层20具有树脂层部20a和空间20b。树脂层20在绝缘膜12的表面12a上隔开空间20b而局部配置有树脂层部20a，树脂层部20a覆盖导体14的突出部14a。突出部14a埋设于树脂层部20a中。
并且，在绝缘膜12的背面12b上隔开空间20b而局部配置有树脂层部20a，树脂层部20a覆盖导体14的突出部14b。突出部14b埋设于树脂层部20a中。结构体10具有各向异性导电性，在厚度方向Dt上具有导电性，但是在与绝缘膜12的表面12a平行的方向上的导电性充分低。
如图2所示，例如结构体10的外形为矩形。另外，结构体10的外形并不限定于矩形，例如可以为圆形。结构体10的外形能够设为与用途、制作容易度等对应的形状。
通过将结构体10设为如上所述具有局部覆盖绝缘膜12的导体14突出的表面的树脂层20的结构，在树脂层20中存在空间20b，因此能够释放所产生的静电，从而抑制带电。由此，在输送结构体10等时抑制带电，从而处理变得良好。
进而，树脂层20局部设置于绝缘膜12的表面上，在将结构体10插入到半导体元件等电子组件与电路基板之间并进行加压接合时，能够减少要排除的树脂层20，加压时不需要很大的力，从而能够减小接合时所需的力。因此，例如能够抑制接合装置的大型化。
以下，对结构体的结构进行更具体的说明。
〔绝缘膜〕
绝缘膜12为将由导电体构成的多个导体14以彼此电绝缘的状态设置，绝缘膜具有电绝缘性。并且，绝缘膜12具有形成导体14的多个细孔13。
绝缘膜例如由无机材料形成。关于绝缘膜，例如能够使用具有1014Q·cm左右的电阻率的绝缘膜。
另外，“由无机材料形成”为用于与高分子材料区别的规定，其是将无机材料作为主成分(50质量％以上)的规定，而不是限定于仅由无机材料构成的绝缘性基材的规定。如上所述，例如绝缘膜由阳极氧化膜构成。
并且，绝缘膜例如也能够由金属氧化物、金属氮化物、玻璃、碳化硅、氮化硅等陶瓷、类金刚石碳等碳基材、聚酰亚胺、这些的复合材料等构成。作为绝缘膜，除此以外，例如可以为在具有贯穿孔的有机材料上由包含50质量％以上的陶瓷材料或碳材料的无机材料成膜的绝缘膜。
绝缘膜12的厚度方向Dt上的长度即绝缘膜12的厚度优选在1～1000μm的范围内，更优选在5～500μm的范围内，进一步优选在10～300μm的范围内。若绝缘膜12的厚度在该范围内，则绝缘膜12的处理性变得良好。
从卷取容易度的观点考虑，绝缘膜12的厚度ht优选为30μm以下，更优选为5～20μm。
另外，阳极氧化膜的厚度为如下值：通过聚焦离子束(Focused Ion Beam：FIB)对阳极氧化膜在厚度方向Dt上进行切削加工，通过场发射扫描式电子显微镜(FE-SEM)对其截面拍摄表面照片(倍率5万倍)，并作为测定10个点而获得的平均值计算出的值。
绝缘膜12中的各导体14的间隔优选为5nm～800nm，更优选为10nm～200nm，进一步优选为20nm～60nm。若绝缘膜12中的各导体14的间隔在上述范围内，则绝缘膜12作为导体14的电绝缘性的隔壁而充分发挥功能。
其中，各导体的间隔是指相邻的导体之间的宽度，并且是指通过场发射扫描式电子显微镜以20万倍的倍率观察结构体10的截面，在10个点上测定相邻的导体之间的宽度而获得的平均值。
<细孔的平均直径>
细孔的平均直径优选为1μm以下，更优选为5～500nm，进一步优选为20～400nm，更进一步优选为40～200nm，最优选为50～100nm。细孔13的平均直径d为1μm以下，若在上述范围内，则能够获得具有上述平均直径的导体14。
关于细孔13的平均直径，使用扫描式电子显微镜从正上方以倍率100～10000倍拍摄绝缘膜12的表面而获得摄影图像。在摄影图像中，抽取至少20个周围连接成环状的细孔，测定其直径并设为开口直径，计算出这些开口直径的平均值作为细孔的平均直径。
另外，关于倍率，能够适当选择上述范围内的倍率，以获得能够抽取20个以上的细孔的摄影图像。并且，开口直径测定细孔部分的端部之间的距离的最大值。即，细孔的开口部的形状并不限定于大致圆形，因此在开口部的形状为非圆形的情况下，将细孔部分的端部之间的距离的最大值设为开口直径。因此，例如，即使在如使2个以上的细孔一体化的形状的细孔的情况下，也将其视为1个细孔，并将细孔部分的端部之间的距离的最大值设为开口直径。
〔导体〕
如上所述，多个导体14在阳极氧化膜上以彼此电绝缘的状态设置。
多个导体14具有导电性。导体由导电性物质构成。导电性物质并无特别限定，可以举出金属。作为金属的具体例，可以优选地例示出金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、镁(Mg)及镍(Ni)等。从导电性的观点考虑，优选铜、金、铝及镍，更优选铜及金，最优选铜。
除了金属以外，还可以举出氧化物导电物质。作为氧化物导电物质，例如可以例示出掺杂有铟的锡氧化物(ITO)等。然而，与氧化物导电体相比，金属的延展性等优异而容易变形，即使在接合时的压缩中也容易变形，因此优选由金属构成。
并且，例如，也能够由Cu或Ag等含有纳米粒子的导电性树脂构成导体。
厚度方向Dt上的导体14的高度H优选为10～300μm，更优选为20～30μm。
<导体的形状>
导体14的平均直径d优选为1μm以下，更优选为5～500nm，进一步优选为20～400nm，更进一步优选为40～200nm，最优选为50～100nm。
导体14的密度优选为2万个/mm2以上，更优选为200万个/mm2以上，进一步优选为1000万个/mm2以上，尤其优选为5000万个/mm2以上，最优选为1亿个/mm2以上。
进而，相邻的各导体14的中心间距离p优选为20nm～500nm，更优选为40nm～200nm，进一步优选为50nm～140nm。
关于导体的平均直径，使用扫描式电子显微镜从正上方以倍率100～10000倍拍摄阳极氧化膜的表面而获得摄影图像。在摄影图像中，抽取至少20个周围连接成环状的导体，测定其直径并设为开口直径，计算出这些开口直径的平均值作为导体的平均直径。
另外，关于倍率，能够适当选择上述范围内的倍率，以获得能够抽取20个以上的导体的摄影图像。并且，开口直径测定导体部分的端部之间的距离的最大值。即，导体的开口部的形状并不限定于大致圆形，因此在开口部的形状为非圆形的情况下，将导体部分的端部之间的距离的最大值设为开口直径。因此，例如，即使在如使2个以上的导体一体化的形状的导体的情况下，也将其视为1个导体，并将导体部分的端部之间的距离的最大值设为开口直径。
<突出部>
突出部为导体的一部分，并且为柱状。从能够增加与接合对象的接触面积的观点考虑，突出部优选为圆柱状。
突出部14a的平均突出长度ha及突出部14b的平均长度hb优选为30nm～500nm，作为上限值，更优选为100nm以下。
突出部14a的平均突出长度ha及突出部14b的平均长度hb为如下值：如上所述，使用场发射扫描式电子显微镜获取突出部的截面图像，根据截面图像，分别测定10个点的突出部的高度而测定出的平均值。
〔树脂层〕
如上所述，树脂层局部设置于阳极氧化膜的表面及背面中的至少一侧表面上，例如埋设导体的突出部。即，树脂层包覆从阳极氧化膜突出的导体的端部并保护突出部。
为了发挥上述功能，树脂层例如优选为在50℃～200℃的温度范围内显示出流动性且在200℃以上的温度下固化。对树脂层将在后面进行详细说明。
如上所述，树脂层为具有树脂层部20a和空间20b的结构，并且树脂层部20a以图案状设置。
其中，图3是表示本发明的实施方式的结构体的树脂层的图案的第1例的示意性俯视图，图4是表示本发明的实施方式的结构体的树脂层的图案的第2例的示意性俯视图。图5是表示本发明的实施方式的结构体的树脂层的图案的第3例的示意性俯视图，图6是表示本发明的实施方式的结构体的树脂层的微细图案的一例的示意性俯视图。
图3～图6表示从绝缘膜12的表面12a侧进行观察的树脂层20、21、22，并省略导体14的图示。另外，将从绝缘膜12的表面12a侧进行观察的情况也称为俯视。另外，图3～图6所示的X方向与Y方向正交。
关于树脂层20，例如，如图3所示，在俯视下，树脂层部20a为矩形，空间20b也为矩形。矩形的树脂层部20a在X方向上隔开空间20b而配置多个。在Y方向上相邻而配置的树脂层部20a与空间20b相邻而配置，树脂层部20a配置成在Y方向上不与空间20b直接接触。图3所示的树脂层20的树脂层部20a和空间20b的形状及大小相同。在树脂层20中，通过树脂层部20a和空间20b的数量来调整后述由树脂层覆盖的绝缘膜的面积Sa和没有设置树脂层的绝缘膜的面积Sb。另外，在将由树脂层包覆的绝缘膜的区域Rs的面积设为S时，Sa/S为树脂层的包覆率γc。即，Sa/S＝γc。
并且，例如，如图4所示，在俯视下，树脂层部20a为圆形，并且彼此隔开空间20b而配置。在图4所示的树脂层20中，通过由树脂层包覆的绝缘膜的区域Rs中的、圆形的树脂层部20a的大小和数量来调整后述由树脂层覆盖的绝缘膜的面积Sa，从而调整包覆率γc。
并不限定于上述图3及图4所示的树脂层20，作为树脂层的图案，也可以为如图5所示的树脂层21，在俯视下，在树脂层部20a内将空间20b以开口部的方式设置的结构。在图5所示的树脂层21的结构中，能够通过由树脂层包覆的绝缘膜的区域Rs中的空间20b的大小和空间20b的数量来调整俯视下的树脂层部20a的面积。由此，能够调整包覆率γc。
另外，树脂层部20a的形状并不限定于上述矩形及圆形。并且，树脂层20的图案可以为同心圆状的图案。
在树脂层20中，为了提高包覆率γc，不是单纯地减小没有设置树脂层的绝缘膜的面积即空间的总面积，而是优选如减小图案本身即树脂层部且缩小空间的图案。
树脂层20可以具有微细图案。通过将树脂层20设为微细图案，空间20b变小，在接合时，树脂层部的流动距离变短，因此优选。其中，微细图案是指上述树脂层部小且空间窄的图案。
作为微细图案，例如存在各空间的面积小于树脂层部的面积且在树脂层部的周围的至少一部分上配置有空间的图案。
以图6为例，对微细图案进行更具体的说明。关于图6所示的树脂层22，在矩形的树脂层部22a隔开空间22b而设置的、相邻的树脂层部22a之间存在空间22b，树脂层部22a在周围的至少一部分上存在空间22b。树脂层22的空间22b的大小小于树脂层部22a的大小。即，空间22b的面积小于树脂层部22a。
并且，树脂层22的树脂层部22a的大小小于上述图3所示的树脂层20的树脂层部20a的大小，并且空间22b的大小也小于空间20b的大小。
能够通过由树脂层包覆的绝缘膜的区域Rs中的树脂层部22a的大小和数量、空间22b的大小和数量来调整俯视下的树脂层部22a的面积，由此能够调整包覆率γc。
微细图案的树脂层部22a的大小小且空间22b的大小也小，因此优选使用喷墨法等直接制作树脂层22的制作方法。通过直接形成树脂层22而不需要例如光刻法的曝光工序等，能够容易形成树脂层。
树脂层部22a并不限定于矩形，如上所述，可以为圆形。
树脂层部20a、22a及空间20b、22b的大小优选为20～200μm。若树脂层部20a、22a及空间20b、22b的大小为20～200μm，则能够效率良好地制作树脂层部20a、22a及空间20b、22b。
另外，关于树脂层部20a、22a及空间20b、22b的大小，若在俯视下为三角形及正方形等多边形，则为外接圆的直径，若在俯视下为圆形，则为直径。
导体14的平均突出长度ha、hb优选小于树脂层20的平均厚度hm。若导体14的突出部14a的平均突出长度ha及突出部14b的平均长度hb均小于树脂层20的平均厚度hm，则突出部14a、14b均埋设于树脂层20的树脂层部20a中，导体14被树脂层20保护。
树脂层20的平均厚度hm为距绝缘膜12的表面12a的平均距离或距绝缘膜12的背面12b的平均距离。上述树脂层20的平均厚度hm为如下值：将树脂层沿结构体10的厚度方向Dt进行切割，使用场发射扫描式电子显微镜(FE-SEM)进行切割截面的截面观察，在对应于树脂层的10处测定距绝缘膜12的表面12a的距离而获得的10个点的测定值的平均值。并且，在对应于树脂层的10处测定距绝缘膜12的背面12b的距离而获得的10个点的测定值的平均值。
树脂层的平均厚度优选为200～1000nm，更优选为400～600nm。若树脂层的平均厚度为上述200～1000nm，则能够充分发挥保护导体14的突出部的效果。
并且，在将由树脂层20(参考图1)覆盖的绝缘膜12(参考图1)的面积设为Sa、将没有设置树脂层20(参考图1)的绝缘膜12(参考图1)的面积设为Sb、将导体14的平均突出高度设为Hd(nm)、将树脂层20的平均厚度设为hm(nm)时，优选满足0.7≤(Sb×2/3×Hd)/(Sa×(hr-Hd))≤1.5。树脂层部的总面积为由树脂层覆盖的绝缘膜的面积Sa，空间的总面积为没有设置树脂层的绝缘膜的面积Sb。
如上所述，若(Sb×2/3×Hd)/(Sa×(hr-Hd))在0.7～1.5的范围内，则绝缘膜12的总面积的一半被树脂层20覆盖。树脂层部20a(参考图1)在接合结构体10时以能够抑制带电并进一步减小接合时所需的力的状态移动至树脂层20没有覆盖的部分即空间20b(参考图1)，从而绝缘膜12的表面12a(参考图1)、背面12b(参考图1)的整个区域被树脂层20包覆。
Sb×2/3×Hd对应于在绝缘膜12上没有设置树脂层部的非包覆部的体积。并且，Sb×2/3是基于合计在绝缘膜12的表面12a上形成的所有细孔13的面积而获得的总面积相对于绝缘膜12的表面12a的比例约为66％。
Sa×(hr-Hd)对应于在绝缘膜12上设置有树脂层部的树脂层部的体积。
由树脂层20(参考图1)覆盖的绝缘膜12(参考图1)的面积Sa为在俯视绝缘膜12时设置有树脂层部20a(参考图1)的面积。
没有设置树脂层20(参考图1)的绝缘膜12(参考图1)的面积Sb为在俯视绝缘膜12时没有设置树脂层部20a(参考图1)的面积即空间20b(参考图1)的面积。
面积Sa及面积Sb均从绝缘膜12的表面12a侧拍摄，在拍摄图像中，通过图像解析来识别树脂层部20a和空间20b。关于面积Sa及面积Sb，通过分别求出所识别的树脂层部20a和空间20b的面积而获得。
导体14的平均突出高度Hd为上述平均突出长度ha或平均突出长度hb。
另外，0.7≤(Sb×2/3×Hd)/(Sa×(hr-Hd))≤1.5优选适用于绝缘膜的单侧表面即适用于表面12a或背面12b的各表面。
并且，上述(Sb×2/3×Hd)/(Sa×(hr-Hd))也能够使用上述包覆率γc如下表示。
[数式1]
Figure BDA0004113350420000131
并且，设置于绝缘膜12的厚度方向Dt上的两面上的树脂层20可以分别以相同的图案形成。即，在俯视下，设置于两面上的树脂层20可以为相同的图案。若绝缘膜12的表面12a和背面12b中的树脂层20的图案相同，则在接合时，难以施加偏负载，因此优选。并且，若绝缘膜12的表面12a和背面12b中的树脂层20的图案相同，则导体的至少一侧端部没有被包覆，因此容易充分释放静电，从而抑制带电。
另外，设置于绝缘膜12的厚度方向Dt上的两面上的树脂层20的图案相同是指树脂层20的树脂层部20a和空间20b的形状及大小一致。
并且，优选为设置于绝缘膜12的厚度方向Dt上的两面上的树脂层20的图案的配置位置相同。配置位置相同是指，俯视下的位置相同且在没有绝缘膜12的状态下绝缘膜12的表面12a的树脂层20的图案与绝缘膜12的背面12b的树脂层20的图案重叠。
另外，关于结构体10的各部位的大小，除非另有说明，则为将结构体10沿厚度方向Dt进行切割，使用场发射扫描式电子显微镜(FE-SEM)进行切割截面的截面观察，并测定10个点的对应于各尺寸的部位而获得的平均值。
[结构体的制造方法的一例]
图7～图13是按工序顺序表示本发明的实施方式的结构体的制造方法的一例的示意性剖视图。另外，在图7～图13中，对与图1及图2所示的结构相同的构成物标注相同符号，并省略其详细说明。
在结构体的制造方法的一例中，在图1所示的结构体10中，以绝缘膜12由铝的阳极氧化膜构成为例进行说明。为了形成铝的阳极氧化膜，使用铝基板。因此，在结构体的制造方法的一例中，首先，如图7所示，准备铝基板30。
铝基板30根据最终获得的结构体10(参考图1)的绝缘膜12的厚度、加工装置等适当决定大小及厚度。铝基板30例如为矩形板材。另外，并不限定于铝基板，能够使用能够形成电绝缘的绝缘膜12的金属基板。
接着，对铝基板30的单侧的表面30a(参考图7)进行阳极氧化处理。由此，铝基板30的单侧的表面30a(参考图7)被阳极氧化，从而如图8所示形成具有沿铝基板30的厚度方向Dt延伸的多个细孔13的绝缘膜12即阳极氧化膜15。在各细孔13的底部存在阻挡层(barrierlayer)31。将上述阳极氧化的工序称为阳极氧化处理工序。
在具有多个细孔13的绝缘膜12中，如上所述，在细孔13的底部分别存在阻挡层31，但是去除图8所示的阻挡层31。由此，获得具有没有阻挡层31的多个细孔13的绝缘膜12(参考图9)。另外，将去除上述阻挡层31的工序称为阻挡层去除工序。
在阻挡层去除工序中，通过使用包含氢过电压(hydrogen overvoltage)高于铝的金属M1的离子的碱水溶液，在去除绝缘膜12的阻挡层31的同时，在细孔13的底部32c(参考图9)的表面32d(参考图9)上形成由金属(金属M1)形成的金属层35a(参考图9)。由此，在细孔13中暴露的铝基板30由金属层35a包覆。由此，在通过电镀向细孔13填充金属时，容易进行电镀，抑制金属没有充分填充到细孔中，抑制金属向细孔的未填充等，从而抑制导体14的形成不良。
另外，包含上述金属M1的离子的碱水溶液还可以包含含铝离子化合物(铝酸钠、氢氧化铝、氧化铝等)。含铝离子化合物的含量换算成铝离子的量优选0.1～20g/L，更优选0.3～12g/L，进一步优选0.5～6g/L。
接着，从具有沿厚度方向Dt延伸的多个细孔13的绝缘膜12的表面12a进行电镀。此时，能够使用金属层35a作为电解电镀的电极。在电镀时使用金属35b，以形成于细孔13的底部32c(参考图9)的表面32d(参考图9)上的金属层35a为起点进行电镀。由此，如图10所示，在绝缘膜12的细孔13的内部填充有构成导体14的金属35b。通过在细孔13的内部填充金属35b而形成具有导电性的导体14。另外，称为将金属层35a和金属35b一起填充的金属35。
将在绝缘膜12的细孔13中填充金属35b的工序称为金属填充工序。如上所述，导体14并不限定于由金属构成，能够使用导电性物质。在金属填充工序中，可以使用电解电镀，对金属填充工序将在后面进行详细说明。另外，绝缘膜12的表面12a相当于绝缘膜12的一侧表面。
在金属填充工序之后，如图11所示，在金属填充工序之后，将绝缘膜12的没有设置铝基板30的一侧的表面12a沿厚度方向Dt去除一部分，以使在金属填充工序中所填充的金属35比绝缘膜12的表面12a更突出。即，使导体14比绝缘膜12的表面12a更突出。由此，可以获得突出部14a。将使导体14比绝缘膜12的表面12a更突出的工序称为表面金属突出工序。
在表面金属突出工序之后，如图12所示，去除铝基板30。将去除铝基板30的工序称为基板去除工序。
接着，如图13所示，在基板去除工序之后，将绝缘膜12的设置有铝基板30的一侧的表面即背面12b沿厚度方向Dt去除一部分，以使在金属填充工序中所填充的金属35即导体14比绝缘膜12的背面12b更突出。由此，可以获得突出部14b。
上述表面金属突出工序及背面金属突出工序可以为具有这两个工序的方式，但是也可以为具有表面金属突出工序及背面金属突出工序中的一个工序的方式。表面金属突出工序及背面金属突出工序对应于“突出工序”，表面金属突出工序及背面金属突出工序均为突出工序。
如图13所示，导体14分别从绝缘膜12的表面12a及背面12b突出，并且具有突出部14a和突出部14b。
接着，在绝缘膜12的导体14突出的表面12a及背面12b上局部形成树脂层20(参考图1)。由此，能够获得图1所示的结构体10。另外，作为树脂层20，例如能够设为上述图3或图4所示的图案。对上述树脂层20的形成工序将在后面进行说明。
另外，在为使导体14不从绝缘膜12的背面12b突出的结构的情况下，将树脂层20以图12所示的状态形成于绝缘膜12的表面12a上，从而获得结构体10。
在上述阻挡层去除工序中，通过使用包含氢过电压高于铝的金属M1的离子的碱水溶液来去除阻挡层，不仅去除阻挡层31，而且在细孔13的底部暴露的铝基板30上形成比铝更难产生氢气的金属M1的金属层35a。其结果，金属填充的面内均匀性变得良好。认为这是因为，抑制由电镀液引起的氢气的产生，从而容易进行通过电解电镀进行的金属填充。
并且，在阻挡层去除工序中，设置保持工序，该保持工序以从小于阳极氧化处理工序中的电压的30％的范围中选择的电压(保持电压)的95％以上且105％以下的电压保持合计5分钟以上，并且发现通过组合适用包含金属M1的离子的碱水溶液，大幅度改善电镀处理时的金属填充的均匀性。因此，优选具有保持工序。
详细的机制虽尚不明确，但是认为这是因为，在阻挡层去除工序中，通过使用包含金属M1的离子的碱水溶液而在阻挡层下方形成金属M1的层，由此能够抑制铝基板与阳极氧化膜的界面受到损伤，从而提高阻挡层的溶解的均匀性。
另外，在阻挡层去除工序中，在细孔13的底部形成了由金属(金属M1)形成的金属层35a，但是并不限定于此，仅去除阻挡层31而使铝基板30在细孔13的底部暴露。在使铝基板30暴露的状态下，可以将铝基板30用作电解电镀的电极。
〔阳极氧化膜〕
如上所述，从形成具有所期望的平均直径的细孔且容易形成导体等理由考虑，阳极氧化膜例如可以使用铝的阳极氧化膜。然而，并不限定于铝的阳极氧化膜，能够使用阀金属的阳极氧化膜。因此，金属基板可以使用阀金属。
其中，作为阀金属，具体而言，例如可以举出上述铝，除此以外，可以举出钽、铌、钛、铪、锆、锌、钨、铋、锑等。在这些之中，从尺寸稳定性良好且比较廉价的观点考虑，优选铝的阳极氧化膜。因此，优选使用铝基板来制造结构体。
阳极氧化膜的厚度与上述绝缘膜12的厚度ht相同。
〔金属基板〕
金属基板为用于结构体的制造中，并且为用于形成阳极氧化膜的基板。例如，如上所述，金属基板可以使用能够形成阳极氧化膜的金属基板，并且能够使用由上述阀金属构成的基板。例如，如上所述，从容易形成阳极氧化膜作为阳极氧化膜等理由考虑，金属基板可以使用铝基板。
〔铝基板〕
用于形成绝缘膜12的铝基板并无特别限定，作为其具体例，可以举出纯铝板；以铝为主成分且包含微量的杂元素的合金板；在低纯度的铝(例如再利用材料)上蒸镀了高纯度铝的基板；通过蒸镀、溅射等方法在硅晶片、石英、玻璃等的表面上包覆了高纯度铝的基板；将铝层压而获得的树脂基板；等。
在铝基板中，通过阳极氧化处理而形成阳极氧化膜的单侧的表面的铝纯度优选为99.5质量％以上，更优选为99.9质量％以上，进一步优选为99.99质量％以上。若铝纯度在上述范围内，则微孔排列的规则性变得充分。
关于铝基板，只要能够形成阳极氧化膜，则并无特别限定，例如可以使用JIS(JapaneseIndustrial Standards：日本工业标准)1050材。
对在铝基板中进行阳极氧化处理的单侧的表面优选预先实施热处理、脱脂处理及镜面精加工处理。
其中，关于热处理、脱脂处理及镜面精加工处理，能够实施与日本特开2008-270158号公报的[0044]～[0054]段中所记载的各处理相同的处理。
阳极氧化处理之前的镜面精加工处理例如为电解研磨，电解研磨例如可以使用含有磷酸的电解研磨液。
〔阳极氧化处理工序〕
阳极氧化处理能够使用以往公知的方法，但是从提高微孔排列的规则性且担保结构体的各向异性导电性的观点考虑，优选使用自有序化法或恒压处理。
其中，关于阳极氧化处理的自有序化法及恒压处理，能够实施与日本特开2008-270158号公报的[0056]～[0108]段及[图3]中所记载的各处理相同的处理。
〔保持工序〕
结构体的制造方法可以具有保持工序。保持工序为如下工序：在上述阳极氧化处理工序之后，以从1V以上且小于上述阳极氧化处理工序中的电压的30％的范围中选择的保持电压的95％以上且105％以下的电压保持合计5分钟以上的工序。换言之，保持工序为如下工序：在上述阳极氧化处理工序之后，以从1V以上且小于上述阳极氧化处理工序中的电压的30％的范围中选择的保持电压的95％以上且105％以下的电压实施合计5分钟以上的电解处理的工序。
其中，“阳极氧化处理中的电压”为在铝与对电极之间施加的电压，例如若基于阳极氧化处理的电解时间为30分钟，则是指保持在30分钟之间的电压的平均值。
从相对于阳极氧化膜的侧壁厚度即细孔的深度将阻挡层的厚度控制为适当的厚度的观点考虑，优选为保持工序中的电压为阳极氧化处理中的电压的5％以上且25％以下，更优选为5％以上且20％以下。
并且，从进一步提高面内均匀性的理由考虑，优选为保持工序中的保持时间的合计为5分钟以上且20分钟以下，更优选为5分钟以上且15分钟以下，进一步优选为5分钟以上且10分钟以下。
并且，保持工序中的保持时间只要为合计5分钟以上即可，但是优选连续5分钟以上。
进而，保持工序中的电压可以设定为从阳极氧化处理工序中的电压连续地或阶段性地降低至保持工序中的电压，但是从进一步提高面内均匀性的理由考虑，优选在阳极氧化处理工序结束之后的1秒以内设定为上述保持电压的95％以上且105％以下的电压。
例如，通过在上述阳极氧化处理工序结束时降低电解电位，上述保持工序也能够与上述阳极氧化处理工序连续进行。
对于除了电解电位以外的条件，上述保持工序能够采用与上述以往公知的阳极氧化处理相同的电解液及处理条件。
尤其，在连续实施保持工序和阳极氧化处理工序的情况下，优选使用相同的电解液进行处理。
在具有多个微孔的阳极氧化膜中，如上所述，在微孔的底部存在阻挡层(未图示)。具有去除该阻挡层的阻挡层去除工序。
〔阻挡层去除工序〕
阻挡层去除工序例如为使用包含氢过电压高于铝的金属M1的离子的碱水溶液来去除阳极氧化膜的阻挡层的工序。
通过上述阻挡层去除工序去除阻挡层，并且在微孔的底部形成由金属M1形成的导电体层。
其中，氢过电压是指产生氢时所需的电压，例如铝(Al)的氢过电压为-1.66V(日本化学会志，1982、(8)，p1305-1313)。另外，将高于铝的氢过电压的金属M1的例及其氢过电压的值示于以下。
<金属M1及氢(1N H2SO4)过电压>
·铂(Pt)：0.00V
·金(Au)：0.02V
·银(Ag)：0.08V
·镍(Ni)：0.21V
·铜(Cu)：0.23V
·锡(Sn)：0.53V
·锌(Zn)：0.70V
细孔13也能够使微孔扩径并去除阻挡层而形成。此时，可以使用扩孔(pore wide)处理进行微孔的扩径。扩孔处理为通过使阳极氧化膜浸渍于酸水溶液或碱水溶液中以使阳极氧化膜溶解而扩大微孔的孔径的处理，在扩孔处理中，能够使用硫酸、磷酸、硝酸、盐酸等无机酸或这些的混合物的水溶液或氢氧化钠、氢氧化钾及氢氧化锂等水溶液。
另外，在扩孔处理中，也能够去除微孔的底部的阻挡层，通过在扩孔处理中使用氢氧化钠水溶液，使微孔扩径并去除阻挡层。
〔金属填充工序〕
<在金属填充工序中所使用的金属>
在金属填充工序中，为了形成导体而在上述细孔13的内部作为导电体填充的金属及构成金属层的金属优选电阻率为103Ω·cm以下的材料。作为上述金属的具体例，可以优选地例示出金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、镁(Mg)、镍(Ni)及锌(Zn)。
另外，作为导电体，从导电性及基于电镀法的形成的观点考虑，优选铜(Cu)、金(Au)、铝(A])、镍(Ni)，进一步优选铜(Cu)、金(Au)，更优选，铜(Cu)。
<电镀法>
作为在细孔的内部填充金属的电镀法，例如能够使用电解电镀法或无电解电镀法。
其中，在着色等中所使用的以往公知的电解电镀法中，难以在孔中以高纵横比选择性地析出(生长)金属。认为这是因为，析出金属在孔内被消耗，即使进行一定时间以上的电解，电镀也不会生长。
因此，在通过电解电镀法填充金属的情况下，在脉冲电解或恒电位电解时需要设置停止时间。停止时间需要为10秒以上，优选30～60秒。
并且，为了促进电解液的搅拌，也优选施加超声波。
进而，电解电压通常为20V以下，优选为10V以下，但是预先测定所使用的电解液中的目标金属的析出电位，优选在该电位+1V以内进行恒电位电解。另外，在进行恒电位电解时，优选能够同时使用循环伏安法，能够使用Solartron公司、BAS Co.，Ltd.、HOKUTO DENKOCORPORATION、IVIUM公司等的恒电位装置。
(电镀液)
电镀液能够使用以往公知的电镀液。
具体而言，在使铜析出的情况下，通常使用硫酸铜水溶液，但是硫酸铜的浓度优选为1～300g/L，更优选为100～200g/L。并且，若在电解液中添加盐酸，则能够促进析出。此时，盐酸浓度优选为10～20g/L。
并且，在使金析出的情况下，优选使用四氯化金的硫酸溶液，通过交流电解进行电镀。
电镀液优选包含表面活性剂。
作为表面活性剂，能够使用公知的物质。也能够直接使用以往作为添加到电镀液中的表面活性剂已知的月桂基硫酸钠。亲水性部分能够利用离子性(阳离子性/阴离子性/双性)的物质、非离子性(非离子性)的物质中的任一种，但是在避免在电镀对象物表面产生气泡等观点而言，优选阳离子线活性剂。电镀液组成中的表面活性剂的浓度优选为1质量％以下。
另外，在无电解电镀法中，在由纵横比高的细孔形成的孔中完全填充金属时需要长时间，因此优选使用电解电镀法在细孔中填充金属。
〔基板去除工序〕
基板去除工序为在金属填充工序之后去除上述铝基板的工序。去除铝基板的方法并无特别限定，例如可以优选地举出通过溶解去除的方法等。
<铝基板的溶解>
上述铝基板的溶解优选使用难以溶解阳极氧化膜且容易溶解铝的处理液。
这种处理液对铝的溶解速度优选为1μm/分钟以上，更优选为3μm/分钟以上，进一步优选为5μm/分钟以上。相同地，对阳极氧化膜的溶解速度优选成为0.1nm/分钟以下，更优选成为0.05nm/分钟以下，进一步优选成为0.01nm/分钟以下。
具体而言，优选包含至少1种离子化倾向低于铝的金属化合物且pH(氢离子指数)成为4以下或8以上的处理液，更优选该pH为3以下或9以上，进一步优选2以下或10以上。
作为溶解铝的处理液，以酸水溶液或碱水溶液为基础且例如优选为调配锰、锌、铬、铁、镉、钴、镍、锡、铅、锑、铋、铜、汞、银、钯、铂、金的化合物(例如，氯化铂酸)、这些的氟化物、这些的氯化物等。
其中，优选酸水溶液基础，并且优选掺混氯化物。
尤其，从处理宽容度的观点考虑，优选在盐酸水溶液中掺混有氯化汞的处理液(盐酸/氯化汞)、在盐酸水溶液中掺混有氯化铜的处理液(盐酸/氯化铜)。
另外，溶解铝的处理液的组成并无特别限定，例如能够使用溴/甲醇混合物、溴/乙醇混合物及王水等。
并且，溶解铝的处理液的酸或碱浓度优选为0.01～10mol/L，更优选为0.05～5mol/L。
进而，使用了溶解铝的处理液的处理温度优选为-10℃～80℃，优选为0℃～60℃。
并且，关于上述铝基板的溶解，通过使上述电镀工序后的铝基板与上述处理液接触来进行。接触方法并无特别限定，例如可以举出浸渍法、喷涂法。其中，优选浸渍法。作为此时的接触时间，优选10秒～5小时，更优选1分钟～3小时。
另外，在绝缘膜12上例如可以设置支撑体。支撑体优选为与绝缘膜12相同的外形。通过安装支撑体来提高处理性。
〔突出工序〕
为了去除上述绝缘膜12的一部分，例如可以使用溶解绝缘膜12即氧化铝(Al2O3)而不溶解构成导体14的金属的酸水溶液或碱水溶液。通过使上述酸水溶液或碱水溶液与具有填充有金属的细孔13的绝缘膜12接触，去除绝缘膜12的一部分。使上述酸水溶液或碱水溶液与绝缘膜12接触的方法并无特别限定，例如可以举出浸渍法及喷涂法。其中，优选浸渍法。
在使用酸水溶液的情况下，优选使用硫酸、磷酸、硝酸及盐酸等无机酸或这些的混合物的水溶液。其中，在安全性优异的观点而言，优选不含有铬酸的水溶液。酸水溶液的浓度优选为1～10质量％。酸水溶液的温度优选为25～60℃。
并且，在使用碱水溶液的情况下，优选使用选自包括氢氧化钠、氢氧化钾及氢氧化锂的组中的至少一个碱的水溶液。碱水溶液的浓度优选为0.1～5质量％。碱水溶液的温度优选为20～35℃。
具体而言，例如可以优选地使用50g/L、40℃的磷酸水溶液、0.5g/L、30℃的氢氧化钠水溶液或0.5g/L、30℃的氢氧化钾水溶液。
在酸水溶液或碱水溶液中的浸渍时间优选为8～120分钟，更优选为10～90分钟，进一步优选为15～60分钟。在此，在反复进行短时间的浸渍处理的情况下，浸渍时间是指各浸渍时间的合计。另外，在各浸渍处理之间可以实施清洗处理。
并且，为使金属35即导体14比绝缘膜12的表面12a或背面12b更突出的程度，但是优选为使导体14比绝缘膜12的表面12a或背面12b更突出10hm～1000nm，更优选为更突出50nm～500nm。即，从突出部14a的表面12a的突出量、从突出部14b的背面12b的导体14的突出量分别优选为10nm～1000nm，更优选为50nm～500nm。
导体14的突出部14a、14b的高度是指通过场发射扫描式电子显微镜以2万倍的倍率观察结构体10的截面，在10个点上测定导体的突出部的高度而获得的平均值。
在严格控制导体14的突出部的高度的情况下，优选在细孔13的内部填充金属等导电性物质之后，将绝缘膜12与金属等导电性物质的端部加工成同一平面状之后，选择性地去除阳极氧化膜。
并且，在上述金属的填充后或突出工序之后，为了减少随着金属的填充而产生的导体14内的应变，能够实施加热处理。
从抑制金属的氧化的观点考虑，优选加热处理在还元性气氛中实施，具体而言，优选在氧浓度为20Pa以下的气氛中进行，更优选在真空下进行。其中，真空是指气体密度及气压中的至少一个低于大气的空间的状态。
并且，为了矫正，优选一边对绝缘膜12施加应力一边进行加热处理。
〔树脂层的形成工序〕
在树脂层20的形成工序中，例如可以使用喷墨法、转印法、喷涂法或网板印刷法等。喷墨法将树脂层20直接形成于绝缘膜12上，因此能够简化树脂层20的形成工序，因此优选。
并且，树脂层的形成工序可以在绝缘膜的导体突出的表面的整个面上形成树脂层之后，局部去除。此时，例如，在形成于整个面上的树脂层上以图案状形成抗蚀剂，并通过湿蚀刻去除，从而以图案状形成树脂层。
树脂层的形成工序可以在绝缘膜的导体突出的表面的整个面上形成树脂层之后，局部去除形成于绝缘膜的端部的树脂层。此时，例如，在形成于整个面上的树脂层上以图案状形成抗蚀剂，并通过湿蚀刻去除绝缘膜的端部，从而以图案状形成树脂层。
树脂层也能够使用以下所示的组成。以下，对树脂层的组成进行说明。例如，树脂层含有高分子材料，也可以包含抗氧化材料。
<高分子材料>
作为树脂层中所包含的高分子材料，并无特别限定，从能够效率良好地填补半导体芯片或半导体晶片等接合对象与结构体的间隙且进一步提高结构体与半导体芯片或半导体晶片的密合性的理由考虑，优选热固化性树脂。
作为热固化性树脂，具体而言，例如可以举出环氧树脂、酚树脂、聚酰亚胺树脂、聚酯树脂、聚氨酯树脂、双马来酰亚胺树脂、三聚氰胺树脂、异氰酸酯系树脂等。
其中，从进一步提高绝缘可靠性且耐化学性优异的理由考虑，优选使用聚酰亚胺树脂和/或环氧树脂。
<抗氧化材料>
作为树脂层中所包含的抗氧化材料，具体而言，例如可以举出1，2，3，4-四唑、5-氨基-1，2，3，4-四唑、5-甲基-1，2，3，4-四唑、1H-四唑-5-乙酸、1H-四唑-5-琥珀酸、1，2，3-三唑、4-氨基-1，2，3-三唑、4，5-二氨基-1，2，3-三唑、4-羧基-1H-1，2，3-三唑、4，5-二羧基-1H-1，2，3-三唑、1H-1，2，3-三唑-4-乙酸、4-羧基-5-羧甲基-1H-1，2，3-三唑、1，2，4-三唑、3-氨基-1，2，4-三唑、3，5-二氨基-1，2，4-三唑、3-羧基-1，2，4-三唑、3，5-二羧基-1，2，4-三唑、1，2，4-三唑-3-乙酸、1H-苯并三唑、1H-苯并三唑-5-羧酸、苯并呋咱、2，1，3-苯并噻唑、邻苯二胺、间苯二胺、儿茶酚、邻氨基苯酚、2-巯基苯并噻唑、2-巯基苯并咪唑、2-巯基苯并噁唑、三聚氰胺及这些的衍生物。
在这些之中，优选苯并三唑及其衍生物。
作为苯并三唑衍生物，可以举出在苯并三唑的苯环上具有羟基、烷氧基(例如，甲氧基、乙氧基等)、氨基、硝基、烷基(例如，甲基、乙基、丁基等)、卤原子(例如，氟、氯、溴、碘等)等的取代苯并三唑。并且，也可以举出与萘三唑、萘双三唑相同地经取代的取代萘三唑、取代萘双三唑等。
并且，作为树脂层中所包含的抗氧化材料的另一例，可以举出作为通常的抗氧化剂的高级脂肪酸、高级脂肪酸铜、酚化合物、烷醇胺、对苯二酚类、铜螯合剂、有机胺、有机铵盐等。
树脂层中所包含的抗氧化材料的含量并无特别限定，但是从防腐蚀效果的观点考虑，优选相对于树脂层的总质量为0.0001质量％以上，更优选0.001质量％以上。并且，从在正式接合工序中获得适当的电阻的理由考虑，优选5.0质量％以下，更优选2.5质量％以下。
<防迁移材料>
从通过捕捉树脂层中能够含有的金属离子、卤素离子及来自于半导体芯片及半导体晶片的金属离子来进一步提高绝缘可靠性的理由考虑，树脂层优选含有防迁移材料。
作为防迁移材料，例如能够使用离子交换体，具体而言，能够使用阳离子交换体与阴离子交换体的混合物或者仅使用阳离子交换体。
其中，阳离子交换体及阴离子交换体例如能够分别从后述无机离子交换体及有机离子交换体中适当选择。
(无机离子交换体)
作为无机离子交换体，例如可以举出以含水氧化锆为代表的金属的含水氧化物。
作为金属的种类，例如除了锆以外，已知有铁、铝、锡、钛、锑、镁、铍、铟、铬、铋等。
在这些之中，锆系物质对阳离子的Cu2+、Al3+具有交换能力。并且，关于铁系物质，也对Ag+、Cu2+具有交换能力。相同地，锡系、钛系、锑系物质为阳离子交换体。
另一方面，铋系物质对阴离子的Cl-具有交换能力。
并且，锆系物质根据制造条件显示出阴离子的交换能力。关于铝系、锡系物质也相同。
作为除了这些以外的无机离子交换体，已知有以磷酸锆为代表的多价金属的酸性盐、以磷钼酸铵为代表的杂多酸盐、不溶性亚铁氰化物等合成物。
这些的无机离子交换体的一部分已有市售，例如已知有TOAGOSEI CO.，LTD.的商品名称“IXE”中的各种等级。
另外，除了合成品以外，也能够使用如天然物的沸石或蒙脱石的无机离子交换体的粉末。
(有机离子交换体)
在有机离子交换体中，作为阳离子交换体，可以举出具有磺酸基的交联聚苯乙烯，除此以外，也可以举出具有羧酸基、膦酸基或次膦酸基。
并且，作为阴离子交换体，可以举出具有季铵基、季鏻基或叔锍基的交联聚苯乙烯。
这些的无机离子交换体及有机离子交换体只要考虑欲捕捉的阳离子、阴离子的种类、对该离子的交换容量而适当选择即可。当然，也能够混合使用无机离子交换体和有机离子交换体，这是毋庸置疑的。
在电子元件的制造工序中包括加热工序，因此优选无机离子交换体。
并且，关于离子交换体与上述高分子材料的混合比，例如，从机械强度的观点考虑，优选将离子交换体设为10质量％以下，更优选将离子交换体设为5质量％以下，进一步优选将离子交换体设为2.5质量％以下。并且，从抑制将半导体芯片或半导体晶片与结构体进行接合时的迁移的观点考虑，优选将离子交换体设为0.01质量％以上。
<无机填充剂>
树脂层优选含有无机填充剂。
作为无机填充剂，并无特别限制，能够从公知的物质中适当选择，例如可以举出高岭土、硫酸钡、钛酸钡、氧化硅粉、微粉状氧化硅、气相法二氧化硅、无定形二氧化硅、结晶性二氧化硅、熔融二氧化硅、球状二氧化硅、滑石、粘土、碳酸镁、碳酸钙、氧化铝、氢氧化铝、云母、氮化铝、氧化锆、氧化钇、碳化硅、氮化硅等。
从能够防止无机填充剂进入导通路之间而进一步提高导通可靠性的理由考虑，优选无机填充剂的平均粒径大于各导通路的间隔。
无机填充剂的平均粒径优选为30nm～10μm，更优选为80nm～1μm。
其中，关于平均粒径，将通过激光衍射散射式粒径测定装置(Nikkiso Co.，Ltd.制造的Microtrac MT3300)进行测定的一次粒径设为平均粒径。
<固化剂>
树脂层可以含有固化剂。
在含有固化剂的情况下，从抑制与连接对象的半导体芯片或半导体晶片的表面形状的接合不良的观点考虑，更优选为不使用在常温下为固体的固化剂而含有在常温下为液体的固化剂。
其中，“在常温下为固体”是指在25℃下为固体，例如是指融点为高于25℃的温度的物质。
作为固化剂，具体而言，例如可以举出二氨基二苯基甲烷、二氨基二苯基砜那样的芳香族胺、脂肪族胺、4-甲基咪唑等咪唑衍生物、双氰胺、四甲基胍、硫脲加成胺、甲基六氢邻苯二甲酸酐等羧酸酐、羧酸酰肼、羧酸酰胺、多酚化合物、酚醛清漆树脂、多硫醇等，能够从这些的固化剂中适当选择使用在25℃下为液体。另外，固化剂可以单独使用1种，也可以同时使用2种以上。
在树脂层中，可以在不损害其特性的范围内含有广泛地通常添加到半导体封装件的树脂绝缘膜中的分散剂、缓冲剂、粘度调整剂等各种添加剂。
作为树脂层，除了上述物质以外，例如还能够使用含有主要组合物，该主要组合物包含以下所示的丙烯酸聚合物、丙烯酸单体及马来酰亚胺化合物。
<丙烯酸聚合物>
丙烯酸聚合物为包含来自于(甲基)丙烯酸酯成分的结构单元的聚合物，优选树脂层的粘性不会过强且在半导体的安装工序中损害作业性的忧虑少。作为(甲基)丙烯酸酯成分，例如能够使用(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、丁氧基乙基(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸异戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛基庚酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸月桂酯等。
丙烯酸聚合物除了上述(甲基)丙烯酸酯成分以外，还可以包含对应于能够与上述(甲基)丙烯酸酯成分共聚的其他单体成分的结构单元。作为其他单体成分，例如能够使用含羧基单体(例如，(甲基)丙烯酸)、含环氧基单体(例如，(甲基)丙烯酸缩水甘油酯)、含腈基单体(例如，丙烯腈等)。
例如，作为丙烯酸聚合物，能够使用包含对应于丙烯酸丁酯、丙烯酸甲酯、丙烯酸、甲基丙烯酸缩水甘油酯及丙烯腈的结构单元。
关于丙烯酸聚合物，能够通过将上述(甲基)丙烯酸酯成分或其他单体成分进行聚合而获得。关于聚合方法，可以举出溶液聚合、乳化聚合、块状聚合、悬浮聚合等。作为丙烯酸聚合物的聚合反应的种类，例如可以举出自由基聚合、阳离子聚合、阴离子聚合、活性自由基聚合、活性阳离子聚合、活性阴离子聚合、配位聚合等。
丙烯酸聚合物的重均分子量(Mw)并无特别限制，但是例如能够设成包含在100000以上且1200000以下的范围内，也能够设成包含在500000以上且1000000以下的范围内。
若将树脂层中的丙烯酸聚合物、丙烯酸单体及马来酰亚胺化合物称为主要组合物，则丙烯酸聚合物在100质量份的主要组合物中包含在10质量份以上且60质量份以下的范围内，优选为包含在10质量份以上且45质量份以下的范围内，进一步优选为包含在15质量份以上且40质量份以下的范围内。若丙烯酸聚合物的含量小于10质量份，则存在难以排除空隙的倾向。并且，若丙烯酸聚合物的含量超过60质量份，则存在难以实现低压安装的倾向，从而存在连接性也变差的倾向。
关于丙烯酸聚合物，可以在主要组合物中单独含有1种类的丙烯酸聚合物，也可以同时含有2种类以上的丙烯酸聚合物。在同时使用2种类以上的丙烯酸聚合物的情况下，优选树脂层中的丙烯酸聚合物的含量的合计在上述范围内。
<丙烯酸单体>
作为丙烯酸单体，能够使用单官能的(甲基)丙烯酸酯、2官能以上的(甲基)丙烯酸酯。作为丙烯酸单体，例如可以举出异三聚氰酸EO改性二丙烯酸酯(TOAGOSEI CO.，LTD.制)、异三聚氰酸EO改性三丙烯酸酯(TOAGOSEICO.，LTD.制)、二季戊四醇及四丙烯酸酯(TOAGOSEI CO.，LTD.制)、丙烯酸2-羟基-3-苯氧基丙酯(TOAGOSEI CO.，LTD.制)、9，9-双[4-(2-丙烯酰氧基乙氧基)苯基]芴(SHIN-NAKAMURA CHEMICAL CO，LTD.制)、三环癸烷二甲醇二丙烯酸酯(SHIN-NAKAMURA CHEMICAL CO，LTD.制)、乙氧化双酚A二丙烯酸酯(SHIN-NAKAMURA CHEMICAL CO，LTD.制)、芴系丙烯酸酯(例如，产品名称：Ogsol EA0200、EA0300、Osaka Gas Chemicals Co.，Ltd.制)等。在这些的丙烯酸单体中，若考虑耐热性等，则也优选高耐热性的芴系丙烯酸酯。
树脂层中的丙烯酸单体能够设成如下：在100质量份的主要组合物中包含在10质量份以上且60质量份以下的范围内，优选为包含在10质量份以上且55质量份以下的范围内，更优选为包含在10质量份以上且50质量份以下的范围内。若丙烯酸单体的含量小于10质量份，则存在连接性变差的倾向。并且，若丙烯酸单体的含量超过60质量份，则存在难以排除空隙的倾向。
关于丙烯酸单体，可以单独含有1种类的丙烯酸单体，也可以同时含有2种类以上的丙烯酸单体。在同时使用2种类以上的丙烯酸单体的情况下，树脂层中的丙烯酸单体的含量的合计优选在上述范围内。
<马来酰亚胺化合物>
作为马来酰亚胺化合物，例如能够使用在1分子中具有2个以上的马来酰亚胺基的化合物，优选双马来酰亚胺。作为马来酰亚胺化合物，例如可以举出4-甲基-1，3-亚苯基双马来酰亚胺、4，4-双马来酰亚胺二苯基甲烷、间亚苯基双马来酰亚胺、双酚A二苯基醚双马来酰亚胺、3，3’-二甲基-5，5’-二乙基-4，4’-二苯基甲烷双马来酰亚胺等。在这些之中，也优选芳香族双马来酰亚胺，尤其，若考虑树脂层的制造工序中的作业性，则优选溶剂溶解性或流动性良好的3，3’-二甲基-5，5’-二乙基-4，4’-二苯基甲烷双马来酰亚胺。
树脂层中的马来酰亚胺化合物在100质量份的主要组合物中包含在20质量份以上且70质量份以下的范围内，优选为包含在20质量份以上且60质量份以下的范围内，更优选为包含在20质量份以上且55质量份以下的范围内。若马来酰亚胺化合物的含量小于20质量份，则存在难以实现低压安装的倾向，从而存在连接性也变差的倾向。并且，若马来酰亚胺化合物的含量超过70质量份，则存在难以低压安装及无空隙安装的倾向。
树脂层中所使用的组合物根据目的还可以含有除了构成上述主要组合物的成分以外的其他成分。作为其他成分，例如可以举出酚化合物、填料等。
<酚化合物>
酚化合物能够用作上述马来酰亚胺化合物用的固化剂，但是即使不含有酚，也能够开始热固化反应。作为酚化合物，例如能够使用烯丙基化双酚，具体而言，能够使用2，2’-二烯丙基双酚A(产品名称：DABPA)、4，4’-(二甲基亚甲基)双[2-(2-丙烯基)酚]、4，4’-亚甲基双[2-(2-丙烯基)酚]、4，4’-(二甲基亚甲基)双[2-(2-丙烯基)-6-甲基酚]等。在这些之中，也优选2，2’-二烯丙基双酚A。
含有酚化合物时的酚化合物的含量例如相对于丙烯酸聚合物、丙烯酸单体、马来酰亚胺化合物及酚化合物的合计100质量份能够设为15质量份以下。关于酚化合物，可以单独含有1种类的酚化合物，也可以同时含有2种类以上的酚化合物。在同时使用2种类以上的酚化合物的情况下，优选树脂层中的酚化合物的含量的合计在上述范围内。
<填料>
作为填料，能够使用无机填充剂、有机填充剂、导电性粒子等。尤其，从降低线膨胀系数或提高可靠性的观点考虑，优选使用无机填充剂(例如，二氧化硅填料)。
在使用填料的情况下，填料的含量例如相对于丙烯酸聚合物、丙烯酸单体、马来酰亚胺化合物及填料的合计100质量份能够设为30质量份以下。关于填料，可以单独含有1种类的填料，也可以同时含有2种类以上的填料。在同时使用2种类以上的填料的情况下，树脂层中的填料的含量的合计优选在上述范围内。
[接合体的一例]
图14是表示本发明的实施方式的接合体的一例的示意图，图15是表示本发明的实施方式的接合体的另一例的示意图。另外，图14所示的层叠器件40表示接合体的一例，图15所示的层叠器件40表示接合体的另一例。上述结构体10(参考图1)可以用作显示出各向异性导电性的各向异性导电性部件45。层叠器件具有导电部件和各向异性导电性部件，该导电部件具备具有导电性的导电部，并且层叠器件使导电部与各向异性导电性部件的突出部接触而接合。
图14所示的层叠器件40例如为半导体元件42、各向异性导电性部件45及半导体元件44沿层叠方向Ds依次接合并电连接。在各向异性导电性部件45中，导体14(参考图1)与层叠方向Ds平行地配置，并且在层叠方向Ds上具有导电性。
另外，由所层叠的半导体元件42、各向异性导电性部件45及半导体元件44构成接合体41。
层叠器件40为将1个半导体元件44接合到1个半导体元件42的方式，但是并不限定于此。如图15所示的层叠器件40，可以为将3个半导体元件42、44、46经由各向异性导电性部件45进行接合的方式。由3个半导体元件42、44、46和2个各向异性导电性部件45构成层叠器件40。由所层叠的半导体元件42、各向异性导电性部件45、半导体元件44、各向异性导电性部件45及半导体元件46构成接合体41。
半导体元件42、44、46为具备具有导电性的导电部的导电部件。具备具有导电性的导电部的导电部件并不限定于半导体元件，可以为具有电极的基板。具有电极的基板例如为配线基板及中介层等。
另外，层叠器件的方式并无特别限定，例如可以举出SoC(System on a chip：芯片系统)、SiP(System in Package：系统级封装)、PoP(Package on Package：堆叠式封装)、PiP(Package in Package：封装内封装)、CSP(Chip Scale Package：芯片尺寸封装)、TSV(Through Silicon Via：硅穿孔)等。
层叠器件40可以具有作为光学传感器而发挥功能的半导体元件。例如，半导体元件和传感器芯片(未图示)沿层叠方向Ds层叠。在传感器芯片上可以设置有透镜。
此时，半导体元件为形成有逻辑电路，只要能够处理由传感器芯片获得的信号，则其结构并无特别限定。
传感器芯片具有检测光的光传感器。关于光传感器，只要能够检测光，则并无特别限定，例如可以使用CCD(Charge Coupled Device：电荷耦合器件)图像传感器或CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor：互补式金属氧化物半导体)图像传感器。
关于透镜，只要能够将光聚焦到传感器芯片上，则其结构并无特别限定，例如可以使用称为微透镜的透镜。
另外，若将具备具有导电性的导电部的导电部件与结构体进行接合，则为接合体。然而，结构体的接合对象为具有电极的半导体元件，若将半导体元件与结构体进行接合，则接合的物质成为器件。
[接合体的制造方法]
接着，作为接合体的制造方法，对具有图14所示的各向异性导电性部件45的层叠器件40的制造方法进行说明。
图16及图17是按工序顺序表示本发明的实施方式的接合体的制造方法的一例的示意性剖视图。在图16及图17中，对与图14及图15所示的层叠器件40及半导体元件42、44相同的构成物标注相同符号，并省略其详细说明。
另外，图16及图17所示的层叠器件40的制造方法与芯片上芯片相关。
在制造具有各向异性导电性部件45的层叠器件40时，首先，准备图16所示的半导体元件42、半导体元件44及各向异性导电性部件45。半导体元件42例如在半导体元件部50上设置有多个电极52，该电极52用于进行与外部的信号的交换或者电压或电流的交换。各电极52通过绝缘层54电绝缘。电极52例如比绝缘层54的表面54a更突出。
半导体元件44为与半导体元件42相同的结构。半导体元件44例如在中介层基板51上设置有多个电极53，该电极53用于进行与外部的信号的交换或者电压或电流的交换。各电极53通过绝缘层55电绝缘。电极53例如比绝缘层55的表面55a更突出。中介层基板51例如具有引出配线层，并且层叠器件40通过电极53与外部电连接。
各向异性导电性部件45具备多个导体14，导体14具有从绝缘膜12的表面12a突出的突出部14a和从背面12b突出的突出部14b。进而，树脂层20分别局部设置于绝缘膜12的表面12a及背面12b上。另外，各向异性导电性部件45为与上述结构体10相同的结构，因此省略其详细说明。
如图16所示，半导体元件42和半导体元件44隔着各向异性导电性部件45与电极53和电极52对向配置。
此时，使用分别设置于半导体元件42、44和各向异性导电性部件45上的对准标记(未图示)进行对准。
另外，关于使用了对准标记的对准，例如只要能够获取对准标记的图像或反射像并求出对准标记的位置信息，则并无特别限定，能够适当利用公知的对准方法。
接着，使半导体元件42、各向异性导电性部件45及半导体元件44接近，如图17所示，层叠半导体元件42、各向异性导电性部件45及半导体元件44，在使半导体元件42、各向异性导电性部件45及半导体元件44对准的状态下，将半导体元件42、各向异性导电性部件45及半导体元件44进行接合。由此，半导体元件42、各向异性导电性部件45及半导体元件44彼此接合，从而能够获得层叠器件40。
如此，能够经过接合工序而获得接合体，该接合工序通过使结构体的导体与导电部接触而接合具备具有导电性的导电部的导电部件和结构体。
另外，在各向异性导电性部件45中，树脂层20分别局部设置于绝缘膜12的表面12a及背面12b上。因此，在输送各向异性导电性部件45时抑制带电，操作变得容易，从而能够容易地在半导体元件42与半导体元件44之间配置各向异性导电性部件45。
并且，在接合时，局部设置有树脂层20，因此能够减小接合时所需的力。
[层叠器件的制造方法的一例]
接着，关于使用了结构体的器件的制造方法的一例，以上述图14所示的层叠器件40为例进行说明。
使用了结构体的层叠器件的制造方法的一例与芯片上晶片相关。
图18～图20是按工序顺序表示使用了本发明的实施方式的结构体的层叠器件的制造方法的一例的示意图。
在使用了结构体的层叠器件的制造方法的一例中，在第1半导体晶片60的表面60a上有多个元件区域(未图示)，并且在各元件区域上设置有各向异性导电性部件45。
接着，朝向第1半导体晶片60的各向异性导电性部件45配置半导体元件44。半导体元件44具有电极(未图示)。
接着，使用半导体元件44的对准标记和第1半导体晶片60的对准标记，使半导体元件44相对于第1半导体晶片60进行对准。
另外，关于对准，只要能够获得针对第1半导体晶片60的对准标记的图像或反射像和半导体元件44的对准标记的图像或反射像的数字图像数据，则其结构并无特别限定，能够适当利用公知的摄像装置。
接着，将半导体元件44载置于设置在第1半导体晶片60的元件区域上的各向异性导电性部件45上，例如施加预先设定的压力，加热至预先设定的温度，并保持预先设定的时间，从而进行临时接合。将其针对所有半导体元件44进行，如图19所示，将所有半导体元件44临时接合到第1半导体晶片60的元件区域上。
临时接合例如利用局部设置的树脂层20(参考图1)。然而，并不限定于使用树脂层20(参考图1)。例如，可以通过点胶机等将密封树脂等供给至第1半导体晶片60的各向异性导电性部件45上，从而将半导体元件44临时接合到第1半导体晶片60的元件区域上，也可以在第1半导体晶片60上，使用事先供给的绝缘性树脂膜(NCF(Non-conductive Film：非导电膜))，将半导体元件44临时接合到元件区域上。
接着，在将所有半导体元件44临时接合到第1半导体晶片60的元件区域上的状态下，对半导体元件44施加预先设定的压力，加热至预先设定的温度，并保持预先设定的时间，从而将多个半导体元件44全部集中经由各向异性导电性部件45接合到第1半导体晶片60的元件区域上。该接合称为正式接合。由此，半导体元件44的端子(未图示)与第1半导体晶片60的各向异性导电性部件45接合。在正式接合时，局部设置有树脂层20(参考图1)，因此能够减小接合时所需的力。正式接合相当于接合工序，该接合工序通过使结构体的导体与半导体元件44的电极接触而接合半导体元件44的电极和各向异性导电性部件45即结构体10。
接着，如图20所示，通过切割或激光划线等将接合有半导体元件44的第1半导体晶片60按每个元件区域形成为单片。由此，能够获得半导体元件42和半导体元件44彼此接合而成的层叠器件40。
另外，在临时接合时，若临时接合强度弱，则在输送工序等及接合之前的工序中产生偏移，因此临时接合强度变得重要。
并且，临时接合工序中的温度条件及加压条件并无特别限定，可以例示出后述温度条件及加压条件。
正式接合中的温度条件及加压条件并无特别限定。通过在适当的条件下进行正式接合，树脂层在半导体元件44的电极之间流动而难以残留于接合部中。如上所述，在正式接合中，通过集中进行多个半导体元件44的接合，能够减少节拍时间，从而能够提高生产率。
另外，图15所示的结构的层叠器件40也能够以上述方式进行制造。并且，图14及图15所示的层叠器件40均能够通过使用了晶片上晶片的制造方法进行制造。
另外，上述半导体元件42、半导体元件44及半导体元件46具有元件区域(未图示)。关于元件区域，如上所述。如上所述，在元件区域上形成有元件构成电路等，在半导体元件上例如设置有再配线层(未图示)。
在层叠器件中，例如能够设为具有逻辑电路的半导体元件和具有存储器电路的半导体元件的组合。并且，半导体元件可以均具有存储器电路，并且也可以均具有逻辑电路。并且，作为层叠器件40中的半导体元件的组合，可以为传感器、致动器及天线等与存储器电路和逻辑电路的组合，并且根据层叠器件40的用途等适当决定。
〔结构体的接合对象物〕
如上所述，结构体的接合对象物例示出半导体元件，但是例如为具有电极或元件区域。作为具有电极的部件，例如可以例示出单独发挥特定功能的半导体元件等，但是也包含多个元件聚集而发挥特定功能的部件。进而，也包含仅传递配线部件等的电信号的部件，并且印刷电路板(printed wiring board)等也包含于具有电极的部件中。
元件区域为形成有用于作为电子元件而发挥功能的各种元件构成电路等的区域。元件区域例如为形成有如快闪存储器等的存储器电路、如微处理器及FPGA(field-programmable gate array：场可编程闸阵列)等的逻辑电路的区域、形成有无线标签等通讯模块以及配线的区域。除此以外，在元件区域上还可以形成有MEMS(Micro ElectroMechanical Systems：微机电系统)。作为MEMS，例如可以举出传感器、致动器及天线等。传感器例如包括加速度、声音及光等各种传感器。
如上所述，在元件区域上形成有元件构成电路等，并且设置电极(未图示)以将半导体芯片与外部电连接。元件区域具有形成有电极的电极区域。另外，元件区域的电极例如为Cu柱。电极区域基本上是指包含所形成的所有电极的区域。然而，若分开设置电极，则设置有各电极的区域也称为电极区域。
作为结构体的方式，可以为如半导体芯片那样形成为单片的方式，也可以为如半导体晶片的方式，也可以为配线层的方式。
并且，结构体与接合对象物接合，但是接合对象物并不特别限定于上述半导体元件等，例如晶片状态的半导体元件、芯片状态的半导体元件、印刷电路板及散热器等成为接合对象物。
〔半导体元件〕
关于上述半导体元件42、半导体元件44及半导体元件46，除了上述以外，例如可以举出逻辑LSI(Large Scale Integration：大规模集成电路)(例如，ASIC(ApplicationSpecific Integrated Circuit：专用集成电路)、FPGA(Field Programmable Gate Array：现场可编程门阵列)、ASSP(Application Specific Standard Product：应用特定标准产品)等)、微处理器(例如，CPU(Central Processing Unit：中央处理单元)、GPU(GraphicsProcessing Unit：图案处理单元)等)、存储器(例如，DRAM(Dynamic Random AccessMemory：动态随机存取存储器)、HMC(Hybrid Memory Cube：混合存储器立方体)、MRAM(MagneticRAM：磁存储器)和PCM(Phase-Change Memory：相变化存储器)、ReRAM(ResistiveRAM：可变电阻式存储器)、FeRAM(Ferroelectric RAM：铁电随机存取存储器)、快闪存储器(NAND(Not AND)快闪)等)、LED(Light Emitting Diode：发光二极管)、(例如，移动终端的微快闪、车载用、投影仪光源、LCD背光、普通照明等)、功率/器件、模拟IC(IntegratedCircuit：集成电路)、(例如，DC(Direct Current：直流电)-DC(Direct Current：直流电)转换器、绝缘闸双极电晶体(IGBT)等)、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems：微机电系统)、(例如，加速度传感器、压力传感器、振子、陀螺仪传感器等)、无线(例如，GPS(GlobalPositioning System：全球定位系统)、FM(Frequency Modulation：调频)、NFC(Nearfieldcommunication：近场通讯)、RFEM(RF Expansion Module：射频扩展模块)、MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit：单片微波集成电路)、WLAN(WirelessLocalAreaNetwork：无线局域网路)等)、离散元件、BSI(Back SideIllumination：背面照度)、CIS(Contact Image Sensor：接触式影像传感器)、相机模块、CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)、被动元件、SAW(Surface AcousticWave：表面声波)滤波器、RF(Radio Frequency：射频)滤波器、RFIPD(Radio FrequencyIntegrated Passive Devices：射频整合式被动元件)、BB(Broadband：宽带)等。
半导体元件例如为由1个完成，并且为由半导体元件单独发挥电路或传感器等的特定功能。半导体元件可以具有中介层功能。并且，例如，也能够在具有中介层功能的器件上层叠具有逻辑电路的逻辑芯片及存储器芯片等多个器件。并且，此时，即使每个器件的电极尺寸不同也能够进行接合。
另外，作为层叠器件，并不限定于将多个半导体元件接合到1个半导体元件上的方式即一对多个的方式，也可以为将多个半导体元件与多个半导体元件进行接合的方式即多个对多个的方式。
本发明基本上如上述构成。以上，对本发明的结构体、结构体的制造方法、接合体的制造方法及器件的制造方法进行了详细说明，但是本发明并不限定于上述实施方式，可以在不脱离本发明的主旨的范围内进行各种改良或变更，这是不言而喻的。
符号说明
10-结构体，12-绝缘膜，12a-表面，12b-背面，13-细孔，14-导体，14a-突出部，14b-突出部，15-阳极氧化膜，20、21、22-树脂层，20a、22a-树脂层部，20b、22b-空间，30-铝基板，30a-表面，31-阻挡层，32c-底部，32d-面，35-金属，35a-金属层，35b-金属，40-层叠器件，41-接合体，42、44、46-半导体元件，45-各向异性导电性部件，50-半导体元件，51-中介层基板，52、53-电极，54、55-绝缘层，54a、55a、60a-表面，60-第1半导体晶片，Ds-层叠方向，Dt-厚度方向，d-平均直径，H-高度，hm-平均厚度，ht-厚度，Rs-区域，p-中心间距离。

Claims (18)

1.一种结构体，其具有：
绝缘膜；及
多个导体，沿厚度方向贯穿所述绝缘膜且以彼此电绝缘的状态设置，
所述导体从所述绝缘膜的所述厚度方向上的至少一侧表面突出，
并且所述结构体具有局部地覆盖所述绝缘膜的所述导体突出的所述表面的树脂层。
2.根据权利要求1所述的结构体，其中，
所述导体分别从所述绝缘膜的所述厚度方向上的两面突出，
所述树脂层分别局部地覆盖所述绝缘膜的所述厚度方向上的所述两面的各表面。
3.根据权利要求1或2所述的结构体，其中，
所述导体的平均突出长度小于所述树脂层的平均厚度。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的结构体，其中，
在将由所述树脂层覆盖的所述绝缘膜的面积设为Sa、将没有设置所述树脂层的所述绝缘膜的面积设为Sb、将所述导体的平均突出高度设为Hd、将所述树脂层的平均厚度设为hm时，满足
0.7≤(Sb×2/3×Hd)/(Sa×(hr-Hd))≤1.5。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的结构体，其中，
所述树脂层以微细图案形成。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的结构体，其中，
设置于所述绝缘膜的所述厚度方向上的所述两面的所述树脂层分别以相同的图案形成。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的结构体，其中，
所述绝缘膜由阳极氧化膜构成。
8.一种结构体的制造方法，所述方法具有：
在具有沿厚度方向延伸的多个细孔的绝缘膜中填充导电性物质而形成导体的工序；
突出工序，使所述导体从所述绝缘膜的所述厚度方向上的至少一侧表面突出；及
形成工序，在所述绝缘膜的所述导体突出的所述表面局部地形成树脂层。
9.根据权利要求8所述的结构体的制造方法，其中，
所述树脂层的形成工序使用喷墨法。
10.根据权利要求8所述的结构体的制造方法，其中，
所述树脂层的形成工序中，在所述绝缘膜的所述导体突出的所述表面的整个面形成所述树脂层之后，将所述树脂层局部地去除。
11.根据权利要求8所述的结构体的制造方法，其中，
所述树脂层的形成工序中，在所述绝缘膜的所述导体突出的所述表面的整个面形成所述树脂层之后，将形成于所述绝缘膜的端部的所述树脂层局部地去除。
12.根据权利要求8至11中任一项所述的结构体的制造方法，其中，
所述导体的突出工序为使所述导体分别从所述绝缘膜的所述厚度方向上的两面突出的二工序，
所述树脂层的形成工序中，在所述绝缘膜的所述厚度方向上的所述两面的各表面分别局部地形成所述树脂层。
13.根据权利要求8至12中任一项所述的结构体的制造方法，其中，
所述导体的平均突出长度小于所述树脂层的平均厚度。
14.根据权利要求8至13中任一项所述的结构体的制造方法，其中，
在将由所述树脂层覆盖的所述绝缘膜的面积设为Sa、将没有设置所述树脂层的所述绝缘膜的面积设为Sb、将所述导体的平均突出高度设为Hd、将所述树脂层的平均厚度设为hm时，满足
0.7≤(Sb×2/3×Hd)/(Sa×(hr-Hd))≤1.5。
15.根据权利要求12至14中任一项所述的结构体的制造方法，其中，
所述形成工序中，在所述绝缘膜的所述厚度方向上的所述两面分别以相同的图案形成所述树脂层。
16.根据权利要求8至15中任一项所述的结构体的制造方法，其中，
所述绝缘膜由阳极氧化膜构成。
17.一种接合体的制造方法，所述方法具有接合工序，所述接合工序通过使权利要求1至7中任一项所述的结构体的导体与具有导电性的导电部接触而接合具备所述导电部的导电部件和所述结构体。
18.一种器件的制造方法，所述方法具有接合工序，所述接合工序通过使权利要求1至6中任一项所述的结构体的导体与具有电极的半导体元件的所述电极接触而接合所述半导体元件和所述结构体。
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JP5363377B2 (ja) * 2010-02-19 2013-12-11 新光電気工業株式会社 配線基板及びその製造方法
JP6404623B2 (ja) * 2014-07-11 2018-10-10 株式会社三共 遊技機
JP6375249B2 (ja) 2015-03-02 2018-08-15 新光電気工業株式会社 配線基板及びその製造方法、半導体パッケージ
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JP6600285B2 (ja) * 2016-08-31 2019-10-30 富士フイルム株式会社 多層配線基板の製造方法

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