CN115702479A - 基片液处理装置和基片液处理方法 - Google Patents

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CN115702479A CN202180041643.9A CN202180041643A CN115702479A CN 115702479 A CN115702479 A CN 115702479A CN 202180041643 A CN202180041643 A CN 202180041643A CN 115702479 A CN115702479 A CN 115702479A
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Abstract

本发明提供有利于抑制颗粒对基片的附着的基片液处理装置和基片液处理方法。使液供给喷嘴沿着包含第一移动位置和第二移动位置的喷嘴移动路径移动，第一移动位置是从液供给喷嘴向基片的处理面中的位于周缘部的第一释放部位释放处理液的位置，第二移动位置是从液供给喷嘴向处理面中的比第一释放部位靠近旋转轴的第二释放部位释放处理液的位置。第一液接收部的第一液接收面接收从配置于第二移动位置的液供给喷嘴释放且从处理面飞散的处理液的至少一部分。第二液接收部的第二液接收面接收从配置于第一移动位置的液供给喷嘴释放且从处理面飞散的处理液的至少一部分。

Description

基片液处理装置和基片液处理方法
技术领域
本发明涉及基片液处理装置和基片液处理方法。
背景技术
在专利文献1公开的处理装置中，一边使半导体晶片等基片绕垂直轴旋转，一边向基片表面供给处理液。处理液通过离心力而在基片表面上向周缘扩展，从基片向外飞散。从基片飞散的处理液被包围基片的杯状体的内壁面捕获，从设置于杯状体底部的排液口通过排液管被回收。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2006-147672号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明提供了有利于抑制颗粒对基片的附着的技术。
用于解决技术问题的技术方案
依照本发明的一方式涉及一种基片液处理装置，其包括：保持基片的基片保持部；使基片以旋转轴为中心旋转的基片旋转部；向基片的处理面释放处理液的液供给喷嘴；喷嘴移动机构，其使液供给喷嘴沿着包含第一移动位置和第二移动位置的喷嘴移动路径移动，其中，第一移动位置是从液供给喷嘴向处理面中的位于周缘部的第一释放部位释放处理液的位置，第二移动位置是从液供给喷嘴向处理面中的比第一释放部位靠近旋转轴的第二释放部位释放处理液的位置；第一液接收部，其设置在与基片在水平方向上隔开的位置，具有第一液接收面，第一液接收面接收从配置于第二移动位置的液供给喷嘴释放且从处理面飞散的处理液的至少一部分；以及第二液接收部，其设置在基片与第一液接收部之间，具有第二液接收面，第二液接收面接收从配置于第一移动位置的液供给喷嘴释放且从处理面飞散的处理液的至少一部分。
发明效果
依照本发明，有利于抑制颗粒对基片的附着。
附图说明
图1是表示第一实施方式的基片液处理装置的结构例的俯视图。
图2是表示第一实施方式的基片液处理装置的结构例的纵剖视图。
图3是例示液供给喷嘴、基片、第一液接收杯状体和第二液接收部的概要结构的剖视图。
图4是例示液供给喷嘴、基片、第一液接收杯状体和第二液接收部的概要结构的剖视图。
图5是表示利用基片液处理装置进行的基片的清洗处理的一个例子的流程图。
图6是例示第一变形例的第一液接收杯状体和第二液接收部的概要结构的剖视图。
图7是例示第一变形例的第一液接收杯状体和第二液接收部的概要结构的剖视图。
图8是例示第二变形例的第一液接收杯状体和第二液接收部的概要结构的剖视图。
图9是例示第二变形例的第一液接收杯状体和第二液接收部的概要结构的剖视图。
图10是表示第二液接收部的配置例的概要俯视图。
具体实施方式
以下，参照附图，对基片液处理装置和基片液处理方法的实施方式进行说明。
图1是表示第一实施方式的基片液处理装置的结构例的俯视图。图2是表示第一实施方式的基片液处理装置的结构例的纵剖视图。如图1和图2所示，规定彼此正交的X轴、Y轴和Z轴，设Z轴的正方向为铅垂向上方向。在图1和图2中图示出同一基片液处理装置1，但是基片液处理装置1的一部分要素(例如，导轨82)仅在一张图中图示，在另一张图中省略了图示。
基片液处理装置1包括两个吸附垫10、旋转卡盘11、壳体13、第一清洗部17和第二清洗部18。各吸附垫10和旋转卡盘11作为保持基片W的基片保持部而工作，在图示的例子中，水平地吸附保持基片W的下表面。基片W典型地由半导体晶片、玻璃基片等构成，但没有特别限制。在基片W的上表面和下表面中的至少一者(在本例中为基片W的上表面)形成有电路。壳体13在上方开口。第一清洗部17进行基片W的上表面的清洗处理。第二清洗部18进行基片W的下表面的清洗处理。
如图1所示，两个吸附垫10具有细长的大致矩形的平面形状，以能够保持基片W的下表面的周缘部附近的方式，在俯视时隔着旋转卡盘11大致平行地设置。各吸盘10由支承板14支承。各支承板14具有比对应的吸附垫10长的大致矩形的平面形状，其两端部由框架15支承。框架15被设置成可通过驱动机构(未图示)在水平方向(图1的X轴方向)和上下方向(图1的Z轴方向)上移动。这样，各吸附垫10作为与基片W接触的基片接触部而工作，支承板14作为支承对应的吸附垫10的接触支承部而工作。
在框架15的上表面设置有第一液接收杯状体(第一液接收部)16和第二液接收部30。在第一液接收杯状体16的上方部形成有具有比基片W的直径大的口径的开口，经由该开口进行对吸附垫10的基片W的交接。
如图2所示，旋转卡盘11经由轴20与驱动机构21连接，可通过驱动机构21以旋转轴Ar为中心旋转并且沿旋转轴Ar上下移动。这样，驱动机构21作为使由旋转卡盘11保持的基片W以旋转轴Ar为中心旋转的基片旋转部而工作。
在旋转卡盘11的周围设置有多个(例如，三个)升降销22。这些升降销22被设置成可通过升降机构(未图示)来升降。由此，能够在升降销22与设置于基片液处理装置1的外部的输送机构(未图示)之间进行基片W的交接，还能够在升降销22与两个吸附垫10之间进行基片W的交接。
在壳体13的底部设置有排出清洗液的排液管40和在基片液处理装置1内形成向下的气流并排出该气流的排气管41。
接下来，对第一清洗部17和第二清洗部18的结构进行说明。
第一清洗部17具有液供给喷嘴50。液供给喷嘴50具有朝向下方(即，铅垂向下方向)的释放口。液供给喷嘴50在位于由基片保持部(在本例中特别是旋转卡盘11)保持的基片W(特别是上表面)的上方的状态下，从释放口向基片W的处理面(在本例中为上表面)释放处理液。由此，对基片W的上表面供给处理液。
本实施方式的液供给喷嘴50作为用于清洗基片W(特别是上表面)的清洗喷嘴而工作，从液供给喷嘴50释放的处理液是纯水等清洗液(清洗用流体)。不过，液供给喷嘴50也可以用于清洗处理以外的用途，从液供给喷嘴50释放的处理液也不限于清洗液。例如，可以从液供给喷嘴50对基片W的处理面供给涂敷液、显影液、其他药液或其他液体。
液供给喷嘴50可以构成为仅释放处理液的单流体喷嘴，也可以构成为同时释放包含处理液的两种以上的流体的多流体喷嘴。本实施方式的液供给喷嘴50构成为二流体喷嘴，与处理液一起释放气体(例如，压缩空气)。在气体与处理液一起从液供给喷嘴50释放的情况下，容易产生沿着第一液接收面16a上升的气流，后述的“非原本预期的处理液从第一液接收面16a的飞翔和处理液对基片W的再次附着”的担忧加剧。因此，在液供给喷嘴50将气体与处理液一起释放的情况下，能够更有益地享受后述的防止“处理液从第一液接收面16a的飞翔和处理液对基片W的再次附着”的效果。
液供给喷嘴50安装于臂70。在臂70设置有处理液供给配管(未图示)的一部分。处理液供给配管与处理液供给源(未图示)和液供给喷嘴50连接，将来自处理液供给源的清洗液供给到液供给喷嘴50。在处理液供给配管设置有在控制部200的控制下驱动的开闭阀(未图示)。利用开闭阀打开处理液供给配管的流路，由此清洗液被供给到液供给喷嘴50而从释放口释放。另一方面，利用开闭阀关闭处理液供给配管的流路，由此对液供给喷嘴50的清洗液的供给停止，清洗液的释放也停止。
臂70与移动部71连接。移动部71与臂70一起沿着在水平方向(这里为X轴方向)上延伸的导轨72移动，使臂70水平地移动。此外，移动部71使臂70在铅垂方向(Z轴方向)上升降。这样的移动部71和导轨72的组合作为使液供给喷嘴50沿着喷嘴移动路径移动的喷嘴移动机构而工作。
本实施方式的喷嘴移动路径包括第一移动位置和第二移动位置。配置于第一移动位置的液供给喷嘴50向位于基片W的上表面中的周缘部的第一释放部位释放清洗液。另一方面，配置于第二移动位置的液供给喷嘴50向基片W的上表面中的比第一释放部位靠近旋转轴Ar的第二释放部位(即，非周缘部)释放清洗液。液供给喷嘴50一边沿着包含第一移动位置和第二移动位置的喷嘴移动路径移动，一边释放清洗液，由此能够对基片W的上表面上的在半径方向上不同的部位供给清洗液。
图1和图2所示的液供给喷嘴50能够与臂70一起在水平方向中的X轴方向上移动，但不在Y轴方向上移动。因此，包含第一移动位置和第二移动位置的喷嘴移动路径，被包含于在X轴方向上延伸的同一平面(即，具有在Y轴方向上延伸的法线的同一平面)。此外，图1和图2所示的液供给喷嘴50在沿着Z轴的铅垂向下方向上释放清洗液。因此，基片W上的上述第一释放部位和第二释放部位分别位于配置液供给喷嘴50的上述第一移动位置和第二移动位置的正下方，与第一移动位置和第二移动位置一起包含于在X轴方向上延伸的同一平面内。
第二清洗部18具有第二清洗体181、第二支柱部件182和第二驱动部183。
第二清洗体181是能够被按压到基片W的下表面的部件。第二清洗体181没有限制，例如可以是由大量毛束构成的刷子，也可以是海绵。第二清洗体181的上表面作为与基片W的接触面而工作，具有例如比基片W的上表面小的圆形形状。
在第二清洗体181的下表面设置有第二支柱部件182。第二支柱部件182在铅垂方向(Z轴方向)上延伸，在一端部支承第二清洗体181。
在第二支柱部件182的另一端部设置有第二驱动部183。第二驱动部183能够使第二支柱部件182绕垂直轴旋转，进而能够使由第二支柱部件182支承的第二清洗体181绕垂直轴旋转。
第二清洗部18由臂80水平地支承。清洗喷嘴80a以与第二清洗体181相邻的方式设置于臂80。清洗喷嘴80a对由吸附垫10或旋转卡盘11保持的基片W的下表面供给纯水等清洗液(清洗用流体)。
臂80与移动部81连接。移动部81与臂80一起沿着在水平方向(这里为Y轴方向)上延伸的导轨82移动，使臂80水平地移动。此外，移动部81使臂80在铅垂方向(Z轴方向)上升降。
臂80例如通过未图示的驱动部而在水平方向(X轴方向)上伸缩。由此，臂80能够使第二清洗部18和清洗喷嘴80a在X轴方向(即，与第一清洗部17的移动方向相同的方向)上移动。
在臂80设置有检测第二清洗体181对基片W施加的按压力的负荷检测部85。负荷检测部85例如是测力传感器(load cell)。
在上述基片液处理装置1中设置有图1所示的控制部200。控制部200例如是计算机，具有程序存储部(未图示)。在程序存储部存储有控制基片液处理装置1中的基片W的处理的程序。此外，在程序存储部存储有用于控制上述各种驱动装置、移动装置等驱动系统的动作、各种喷嘴，以实现基片液处理装置1中的清洗处理的程序。上述程序可以记录在计算机可读取的存储介质H中，并从该存储介质H安装到控制部200。作为存储介质H，可以使用例如计算机可读取的硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)和存储卡。
接下来，对第一液接收杯状体16和第二液接收部30的结构进行说明。
第一液接收杯状体16具有上方部和下方部开口的圆筒形状。旋转卡盘11和吸附垫10被置于第一液接收杯状体16的内侧。因此，由旋转卡盘11或各吸附垫10吸附保持的基片W也被置于第一液接收杯状体16的内侧。这样，第一液接收杯状体16设置在与由旋转卡盘11、各吸附垫10、以及旋转卡盘11或各吸附垫10吸附保持的基片W在水平方向上隔开的位置。
第二液接收部30具有壁状的形状，被置于第一液接收杯状体16的内侧，设置在由旋转卡盘11或各吸附垫10吸附保持的基片W与第一液接收杯状体16之间。这样，本例的第二液接收部30(特别是由内侧壁面构成的第二液接收面30a)仅设置在由基片保持部(各吸附垫10或旋转卡盘11)保持的基片W的周缘部的一部分的周围。不过，第二液接收部30(特别是第二液接收面30a)也可以设置于基片W的整个周缘部的周围。
由第一液接收杯状体16的内侧壁面构成的第一液接收面16a和由第二液接收部30的内侧壁面构成的第二液接收面30a，接收从液供给喷嘴50释放且从基片W的上表面飞散的清洗液的至少一部分。
图3和图4是表示液供给喷嘴50、基片W、第一液接收杯状体16和第二液接收部30的概要结构的剖视图。在图3和图4中，对于液供给喷嘴50、基片W、第一液接收杯状体16和第二液接收部30以外的要素，省略了图示。此外，为了容易理解，在图3和图4中，第一液接收杯状体16和第二液接收部30被夸张地表示，基片W仅示出一部分。因此，第一液接收杯状体16和第二液接收部30的形状和尺寸在“图1和图2”与“图3和图4”之间不一致。然而，这样的第一液接收杯状体16和第二液接收部30的形状和尺寸的不同只不过是表示上的不同，图1～图4中表示同一第一液接收杯状体16和同一第二液接收部30。
第一液接收杯状体16的上端部由向内侧倾斜的第一液接收倾斜部16b构成，第一液接收垂直部16c从第一液接收倾斜部16b的下端在铅垂向下方向上延伸。同样地，第二液接收部30的上端部由向内侧倾斜的第二液接收倾斜部30b构成，第二液接收垂直部30c从第二液接收倾斜部30b的下端在铅垂向下方向上延伸。
第一液接收杯状体16的第一液接收面16a被设置成接收从配置于上述第二移动位置(参照图3)的液供给喷嘴50释放且从基片W的上表面飞散的处理液L的至少一部分。即，第一液接收面16a接收“着落在基片W的上表面中的比周缘部靠近旋转轴Ar的部分(即，第二释放部位)，之后从基片W被甩出的处理液L”的至少一部分。这里所说的“第二移动位置”并非仅指特定的一个部位，而是意味着从液供给喷嘴50向基片W的上表面中的比周缘部靠近旋转轴Ar的一侧的部位释放处理液L的范围。
另一方面，第二液接收部30的第二液接收面30a被设置成接收从配置于上述第一移动位置(参照图4)的液供给喷嘴50释放且从基片W的上表面飞散的处理液L的至少一部分。即，第二液接收面30a接收“着落在基片W的上表面中的周缘部(即，第一释放部位)，之后从基片W被甩出的处理液L”的至少一部分。这里所说的“第一移动位置”不限于仅指特定的一个部位。
这样，不仅设置第一液接收杯状体16，还设置第二液接收部30，由此能够恰当地承接并回收从基片W被甩出的处理液L，能够有效地防止从基片W飞翔的处理液L再次附着到基片W。再次附着于基片W的处理液L可能给基片W带来颗粒(例如，块状颗粒)。因此，通过设置第一液接收杯状体16以及第二液接收部30，能够抑制颗粒对基片W的附着。
例如，考虑设置有第一液接收杯状体16但没有设置第二液接收部30的情况。在该情况下，从基片W被甩出的处理液L基本上被第一液接收面16a承接，之后沿着第一液接收面16a流动。第一液接收面16a具有促进处理液L向下方流动的构造，但是由于第一液接收面16a的具体形状等，一部分处理液L有时沿着第一液接收面16a向上方流动。例如，当沿着第一液接收面16a向上方流动的气流较小时，沿着第一液接收面16a向上方流动的处理液L从第一液接收面16a离开后再次附着到基片W的担忧非常小。另一方面，在沿着第一液接收面16a向上方流动的气流较大的情况下，附着于第一液接收面16a的处理液L一边沿着第一液接收面16a向上方流动一边逐渐生长(增多)，从第一液接收面16a飞翔而再次附着到基片W的担忧加剧。
特别是，在从液供给喷嘴50向基片W的上表面的周缘部释放处理液L的情况下(参照图4)，处理液L在水平方向以外的方向上飞翔的倾向变强，着落到基片W后的处理液L的飞翔方向也容易变得不稳定。例如，在处理液L向第一液接收杯状体16的突起部(参照图3和图4所示的“第一液接收突起部16d”)飞翔的情况下，可能会产生从该突起部沿着第一液接收面16a向上方流动的强大气流。在该情况下，沿着第一液接收面16a向上方流动的处理液L有可能乘着上升气流从第一液接收面16a飞翔，附着到基片W。
另一方面，依照本实施方式，如图4所示，从液供给喷嘴50向基片W的上表面的周缘部释放的处理液L由与第一液接收杯状体16分体地设置的第二液接收部30的第二液接收面30a恰当地承接。因此，能够防止从基片W被甩出的处理液L乘着不希望的上升气流而再次附着到基片W(特别是上表面)。
因此，第二液接收部30优选具有适于承接从液供给喷嘴50向基片W的上表面的周缘部释放的处理液L的性状。此外，第二液接收部30优选具有不产生或难以产生大的上升气流的性状。
因此，第一液接收杯状体16的第一液接收面16a的上方端位于比由各吸附垫10或旋转卡盘11保持的基片W靠上方的位置，第二液接收部30的第二液接收面30a的上方端位于比基片W(特别是上表面)靠下方的位置。因此，第二液接收部30的第二液接收面30a的上方端位于比第一液接收杯状体16的第一液接收面16a的上方端靠下方的位置。由此，能够经由第一液接收面16a高效地回收从第二移动位置的液供给喷嘴50(参照图3)释放的处理液L，并且经由第二液体接收面30a高效地回收从第一移动位置的液供给喷嘴50(参照图4)释放的处理液L。
另外，第二液接收部30的上端部由第二液接收倾斜部30b构成，第二液接收面30a中的包含上方端的部分(即，第二液接收倾斜部30b的第二液接收面30a)越去往下方而与旋转轴Ar的水平距离变得越大。由此，促进由第二液接收面30a承接的处理液L向下方流动，能够防止处理液L对基片W的再次附着。第二液接收倾斜部30b的倾斜角度等倾斜方式没有限定，但是优选第二液接收倾斜部30b具有有利于将从液供给喷嘴50向基片W的周缘部释放且向基片W的外部飞翔的处理液L向下方引导的倾斜方式。
另外，第二液接收部30的第二液接收面30a的至少一部分(优选全部)具有亲水性。例如，可以通过用亲水性优异的材料构成第二液接收部30，使第二液接收面30a具有亲水性。或者，也可以通过对第二液接收面30a实施亲水化处理，使第二液接收面30a具有亲水性。
另外，第二液接收部30的第二液接收面30a的水平方向截断形状为圆弧状。由此，能够控制第二液接收部30的整体尺寸，并且确保足够大的第二液接收面30a，利用第二液接收面30a有效地承接从第一移动位置的液供给喷嘴50(参照图4)释放的处理液L。
如上所述，第二液接收部30的第二液接收面30a被设置成承接从液供给喷嘴50向基片W的周缘部释放的处理液L。因此，第二液接收面30a优选至少设置在“从液供给喷嘴50向基片W的周缘部释放的处理液L之后可能会从基片W飞翔的范围”。图1～图4所示的第二液接收部30(包括第二液接收面30a)在水平方向上被置于在用于向基片W的周缘部释放处理液L的液供给喷嘴50的第一移动位置(参照图4)与第一液接收杯状体16之间。
接下来，对利用基片液处理装置1进行的基片W的清洗方法(即，基片液处理方法)进行说明。下述的基片W的清洗方法通过在控制部200的控制下驱动构成基片液处理装置1的各要素来进行。
图5是表示利用基片液处理装置1进行的基片W的清洗处理的一个例子的流程图。
在基片液处理装置1中，首先进行送入处理(图5的步骤S1)。在送入处理中，在由输送机构(未图示)输送的基片W被配置于第一液接收杯状体16的上方部开口和各升降销22的上方的状态下，各升降销22上升，各升降销22的前端通过第一液接收杯状体16的上方部开口。由此，在第一液接收杯状体16的上方，基片W从输送机构被交接到升降销22。此时，吸附垫10的上表面被置于比第二清洗体181的上表面高的位置，旋转卡盘11的上表面被置于比第二清洗体181的上表面低的位置。之后，升降销22下降，基片W在第一液接收杯状体16的内侧从升降销22被交接到吸附垫10，由吸附垫10吸附保持。
接着，进行下表面清洗处理(步骤S2)。在下表面清洗处理中，首先，使保持着基片W的吸附垫10与支承板14、第一液接收杯状体16和第二液接收部30一起在水平方向(这里为X轴方向)上移动。由此，旋转卡盘11被配置在靠近基片W的外周部的地方，第二清洗部18被配置在靠近基片W的中央部的地方。
接着，例如，利用移动部81使第二清洗部18上升，将第二清洗体181按压到基片W的下表面。此时，移动部81以第二清洗体181向基片W的按压力成为期望值的方式，使第二清洗部18上升。使第二清洗部18上升的距离例如可以基于负荷检测部85的检测结果来决定。这里，虽然使第二清洗部18上升，但也可以通过使吸附垫10下降而将基片W的下表面按压到第二清洗体181。此外，也可以一边使第二清洗部18上升，一边使吸附垫10下降。
之后，开始从清洗喷嘴80a向基片W的下表面供给清洗液。此外，开始第二清洗体181的旋转。
利用第二清洗部18进行的基片W下表面的清洗是通过利用吸附垫10进行的基片W的移动和利用移动部81进行的第二清洗部18的移动之组合来进行的。由此，包含成为由旋转卡盘11吸附保持的区域的基片W的下表面的中央区域被第二清洗体181清洗。之后，停止第二清洗体181的旋转，停止从清洗喷嘴80a供给清洗液。
接着，进行两面清洗处理(步骤S3)。在两面清洗处理中，首先，使吸附垫10与基片W一起移动，将基片W的中央部置于旋转卡盘11的上方。然后，通过解除吸附垫10对基片W的吸附，使旋转卡盘11上升，由此从吸附垫10向旋转卡盘11交接基片W。
另外，利用移动部71，将第一清洗部17的液供给喷嘴50置于基片W的中央的上方。
接着，利用驱动机构21使旋转卡盘11旋转，由此使基片W以旋转轴Ar为中心旋转。此外，开始从液供给喷嘴50向基片W的上表面释放清洗液的步骤。然后，利用移动部71使液供给喷嘴50在水平方向(X轴正方向)上移动。由此，基片W的上表面的中央区域被清洗。
然后，使液供给喷嘴50和第二清洗部18向基片W的周缘部移动，对基片W的上表面和下表面各自的中央区域以外的区域进行清洗。具体而言，一边使液供给喷嘴50在基片W的上表面的上方移动，一边从液供给喷嘴50释放处理液L。此外，一边从清洗喷嘴80a向基片W的下表面供给清洗液，一边开始第二清洗体181的旋转。
在液供给喷嘴50和第二清洗体181各自到达基片W的外周的周缘部，基片W的整个上表面和下表面的清洗完成之后，停止第二清洗体181的旋转，停止从液供给喷嘴50和清洗喷嘴80a释放清洗液。然后，使液供给喷嘴50和第二清洗体181从基片W避让。
如上所述，在液供给喷嘴50到达基片W的周缘部的正上方之前，从基片W被甩出的清洗液主要被第一液接收杯状体16的第一液接收面16a承接。另一方面，在液供给喷嘴50位于基片W的周缘部的正上方的状态下释放的清洗液主要被第二液接收部30的第二液接收面30a承接。由此，能够有效地避免从基片W被甩出的处理液L再次附着到基片W。处理液L被第一液接收面16a和第二液接收面30a承接之后，沿着第一液接收面16a和第二液接收面30a向下方流动，最终经由排液管40被排出。
另外，从抑制清洗液从基片W的下表面向上表面漫延的观点出发，优选在停止从清洗喷嘴80a释放清洗液之后，停止从液供给喷嘴50释放清洗液。然而，不限于此，可以同时停止从液供给喷嘴50释放清洗液和从清洗喷嘴80a释放清洗液，也可以在停止从清洗喷嘴80a释放清洗液之前，停止从液供给喷嘴50释放清洗液。
接着，进行干燥处理(步骤S4)。在干燥处理中，经由旋转卡盘11使基片W高速旋转。由此，附着于基片W的液体从基片W被甩出，基片W的干燥被促进。
之后，进行送出处理(步骤S5)。在送出处理中，以与上述的送入处理(步骤S1)相反的顺序，将基片W交接到输送机构。通过经历上述一连串处理(步骤S1～S5)，一个基片W的清洗处理完成。在进行其他基片W的清洗处理的情况下，重复上述的一连串处理(步骤S1～S5)。
如以上说明的那样，依照本实施方式的基片液处理装置1和基片液处理方法，能够利用第一液接收杯状体16和第二液接收部30恰当地承接从基片W飞翔到外侧的处理液L并下方引导，防止处理液L对基片W的再次附着。因此，能够抑制由这样的处理液L引起的“颗粒对基片W的附着”。
本发明的发明人基于上述基片液处理装置1和基片液处理方法实际进行了验证。其结果是，本发明的发明人确认，通过设置第一液接收杯状体16以及第二液接收部30，从基片W被甩出的处理液L对基片W的再次附着得到抑制，基片W上的颗粒的数量必然降低。
[第一变形例]
图6和图7是例示第一变形例的第一液接收杯状体16和第二液接收部30的概要结构的剖视图。与图3和图4同样地，在图6和图7中省略了一部分要素的图示，第一液接收杯状体16和第二液接收部30被夸张地表示，基片W仅示出一部分。
本变形例的基片液处理装置1包括使第二液接收部30移动的液接收移动机构35。虽然在图6和图7中，简化地表示了液接收移动机构35，但液接收移动机构35可以有马达等任意的驱动装置实现，可以以任意形态设置在基片液处理装置1中。液接收移动机构35可以使第二液接收部30的整体移动，也可以通过使第二液接收部30的一部分(例如，在上下方向上延伸的第二液接收垂直部30c)在上下方向上伸缩，使第二液接收部30(特别是上方端部)移动。
第二液接收部30由液接收移动机构35配置在第一液接收位置(参照图7)和不同于第一液接收位置的第二液接收位置(参照图6)。如图7所示，配置在第一液接收位置的第二液接收部30的第二液接收面30a承接在上述第一移动位置从液供给喷嘴50释放且从基片W的上表面(特别是周缘部)飞散的处理液L的至少一部分。另一方面，如图6所示，配置在第二液接收位置的第二液接收部30的第二液接收面30a承接从配置在上述第二移动位置的液供给喷嘴50释放且从基片W的上表面飞散的处理液L的至少一部分。
这样，本变形例的第二液接收部30根据液供给喷嘴50的位置在铅垂方向上升降。由此，无论液供给喷嘴50的位置如何，第二液接收部30都能够持续接收从基片W飞翔的处理液L的至少一部分。在来自液供给喷嘴50的处理液L着落于基片W的上表面的非周缘部(第二释放部位)的期间，第二液接收部30被配置在上升位置，第二液接收部30的上方端部被置于比基片W靠上方的位置(参照图6)。另一方面，在来自液供给喷嘴50的处理液L着落于基片W的上表面的周缘部(第一释放部位)的期间，第二液接收部30被配置在下降位置，第二液接收部30的上方端部被置于比基片W(特别是上表面)靠下方的位置(参照图7)。这样，第二液接收部30以第二液接收面30a被配置在与自基片W的飞翔方向相应的最佳位置的方式升降，防止从基片W被甩出的处理液L对基片W的再次附着。
另外，依照本变形例，能够防止从基片W飞翔的处理液L碰撞到第二液接收部30的上端面而飞溅。即，调整第二液接收部30的铅垂方向位置以使得从基片W被甩出的处理液L不会越过第二液接收部30，由此能够防止处理液L碰撞到第二液接收面30的上端面。处理液L对第二液接收部30的上端面的碰撞会导致处理液L向非预期的方向飞溅，可能会导致处理液L的飞沫对基片W的附着。另一方面，通过调整第二液接收部30的铅垂方向位置以避免处理液L对第二液接收部30的上端面的碰撞，能够防止这样的处理液L的飞沫对基片W的附着。
另外，液接收移动机构35能够在控制部200的控制下，例如基于液供给喷嘴50的配置位置信息，改变第二液接收部30的位置。严格来说，处理液L自基片W的主要飞翔方向和飞翔范围可能会根据液供给喷嘴50相对于基片W的相对位置而变化。但是，实际上，在从液供给喷嘴50释放的处理液L朝向基片W的非周缘部的期间，处理液L自基片W的主要飞翔方向和飞翔范围变化不大。因此，液接收移动机构35可以在液供给喷嘴50到达第一移动位置的同时，或者即将到达第一移动位置或刚刚到达第一移动位置之后，使第二液接收部30从上升位置(参照图6)移动到下降位置(参照图7)。液接收移动机构35基本上可以在液供给喷嘴50配置于第一移动位置以外的位置的期间，一直将第二液接收部30配置在共同的上升位置，在液供给喷嘴50位于第一移动位置的期间，将第二液接收部30配置在下降位置。
另外，本变形例的基片液处理装置1可以包括液飞散信息获取部36，液飞散信息获取部36获取表示处理液L从基片W的上表面飞散的状态的液飞散信息。液飞散信息没有限定，只要是直接或间接地表示处理液L从基片W的上表面飞散的状态的信息即可。在该情况下，利用基于液飞散信息获取部36获取的液飞散信息在控制部200的控制下被驱动的液接收移动机构35，来移动第二液接收部30。
例如，可以由摄像机构成液飞散信息获取部36。在该情况下，由液飞散信息获取部36获取的液供给喷嘴50、从液供给喷嘴50去往基片W的处理液L、和/或向基片W以外飞翔的处理液L的图像数据可以作为液飞散信息使用。控制部200可以从液飞散信息获取部(摄像机)36接收该图像数据，进行图像分析来获取直接或间接地表示处理液L的飞翔状态的分析数据，基于该分析数据来控制液接收移动机构35。
[第二变形例]
图8和图9是例示第二变形例的第一液接收杯状体16和第二液接收部30的概要结构的剖视图。与图3和图4同样地，在图8和图9中省略了一部分要素的图示，第一液接收杯状体16和第二液接收部分30被夸张地表示，基片W仅示出一部分。
在上述第一变形例(参照图6和图7)中第二液接收部30仅在铅垂方向上移动，但第二液接收部30的移动方向没有限定。本变形例的第二液接收部30以旋转轴部38为中心旋转移动。
图8和图9所示的第二液接收部30被设置成能够以旋转轴部38为中心移动。旋转轴部38在控制部200的控制下被液接收移动机构35驱动。通过第二液接收部30以旋转轴部38为中心的旋转，第二液接收部30的上端部的铅垂方向位置变动。特别是，本变形例的第二液接收部30(特别是第二液接收面30a)根据液供给喷嘴50的位置和处理液L在基片W的上表面上的着落位置，不仅铅垂方向位置被调整，与基片W(特别是周缘部)的距离和倾斜度(姿态)也被调整。
与上述第一变形例(参照图6和图7)同样地，本变形例的第二液接收部30也被液接收移动机构35配置在第一液接收位置(参照图9)和不同于第一液接收位置的第二液接收位置(参照图8)。因此，通过根据液供给喷嘴50的位置使第二液接收部30移动，不论液供给喷嘴50的位置如何，第二液接收面30a都能够一直接收从基片W飞翔的处理液L的至少一部分。
[其他变形例]
虽然第一液接收杯状体16和第二液接收部30在上述实施方式和变形例中设置于壳体15(参照图1)的上表面，但可以以任意方式设置。例如，如图10所示，第二液接收部30也可以安装于支承吸附垫10的支承板(接触支承部)14。同样地，第一液接收杯状体16也可以安装于支承板14。在上述实施方式和变形例中，支承板14在与吸附垫10相同的方向上延伸，但第二液接收部30可以安装于在与吸附垫10不同的方向上延伸的支承板14。
在上述实施方式和变形例中，从液供给喷嘴50向基片W的整个处理面(上表面)供给处理液。在从液供给喷嘴50向基片W的处理面的“仅周缘部”或“仅周缘部和周缘部附近”供给处理液的情况下，也能够应用上述基片液处理装置1和基片液处理方法。
应当注意，本说明书中公开的实施方式和变形例在所有方面仅是例示性的，而不被解释为限制性的。上述实施方式和变形例在不脱离所附的权利要求书(发明范围)及其主旨的情况下，可以以各种方式进行省略、替换和变更。例如，可以组合上述实施方式和变形例，或者可以将上述以外的实施方式与上述实施方式或变形例组合。
另外，实现上述技术思想的技术类别没有限定。例如，上述基片液处理装置也可以应用于其他装置。此外，可以利用用于使计算机执行上述基片液处理方法(包含基片W的清洗方法)所包含的一个或多个步骤(step)的计算机程序，来实现上述技术思想。此外，也可以利用记录有这样的计算机程序的计算机可读取的非暂时性(non-transitory)记录介质，来实现上述技术思想。

Claims (11)

1.一种基片液处理装置，其特征在于，包括：
保持基片的基片保持部；
使所述基片以旋转轴为中心旋转的基片旋转部；
向所述基片的处理面释放处理液的液供给喷嘴；
喷嘴移动机构，其使所述液供给喷嘴沿着包含第一移动位置和第二移动位置的喷嘴移动路径移动，其中，所述第一移动位置是从所述液供给喷嘴向所述处理面中的位于周缘部的第一释放部位释放所述处理液的位置，所述第二移动位置是从所述液供给喷嘴向所述处理面中的比所述第一释放部位靠近所述旋转轴的第二释放部位释放所述处理液的位置；
第一液接收部，其设置在与所述基片在水平方向上隔开的位置，具有第一液接收面，所述第一液接收面接收从配置于所述第二移动位置的所述液供给喷嘴释放且从所述处理面飞散的所述处理液的至少一部分；以及
第二液接收部，其设置于所述基片与所述第一液接收部之间，具有第二液接收面，所述第二液接收面接收从配置于所述第一移动位置的所述液供给喷嘴释放且从所述处理面飞散的所述处理液的至少一部分。
2.根据权利要求1所述的基片液处理装置，其特征在于：
所述第二液接收面的上方端位于比所述第一液接收面的上方端靠下方的位置。
3.根据权利要求1或2所述的基片液处理装置，其特征在于：
所述第二液接收面中的包含上方端的部分越去往下方而与所述旋转轴的水平方向距离变得越大。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的基片液处理装置，其特征在于：
所述第二液接收面的至少一部分具有亲水性。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的基片液处理装置，其特征在于：
所述第二液接收面的水平方向截断形状为圆弧状。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的基片液处理装置，其特征在于：
所述基片保持部具有与所述基片接触的基片接触部和支承所述基片接触部的接触支承部，
所述第二液接收部安装于所述接触支承部。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的基片液处理装置，其特征在于：
包括液接收移动机构，所述液接收移动机构使所述第二液接收部移动，以使得将所述第二液接收部配置在第一液接收位置和不同于所述第一液接收位置的第二液接收位置，其中，所述第一液接收位置是接收在所述第一移动位置从所述液供给喷嘴释放且从所述处理面飞散的所述处理液的至少一部分的位置。
8.根据权利要求7所述的基片液处理装置，其特征在于：
包括液飞散信息获取部，所述液飞散信息获取部获取表示所述处理液从所述处理面飞散的状态的液飞散信息，
所述第二液接收部是基于所述液飞散信息，由所述液接收移动机构来移动的。
9.根据权利要求7或8所述的基片液处理装置，其特征在于：
配置于所述第二液接收位置的所述第二液接收部的所述第二液接收面，接收从配置于所述第二移动位置的所述液供给喷嘴释放且从所述处理面飞散的所述处理液的至少一部分。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的基片液处理装置，其特征在于：
所述液供给喷嘴将气体与所述处理液一起释放。
11.一种基片液处理方法，其特征在于，包括：
使基片以旋转轴为中心旋转的步骤；
从液供给喷嘴向所述基片的处理面释放处理液的步骤；和
使所述液供给喷嘴移动的步骤，
从配置于第一移动位置的所述液供给喷嘴向位于所述处理面中的位于周缘部的第一释放部位释放且从所述处理面飞散的所述处理液的至少一部分，被第二液接收部的第二液接收面接收，
从配置于第二移动位置的所述液供给喷嘴向所述处理面中的比所述第一释放部位靠近所述旋转轴的第二释放部位释放且从所述处理面飞散的所述处理液的至少一部分，被第一液接收部的第一液接收面接收。
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