JP7476310B2 - 基板液処理装置及び基板液処理方法 - Google Patents

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Description

本開示は、基板液処理装置及び基板液処理方法に関する。
特許文献1が開示する処理装置では、半導体ウエハ等の基板を鉛直軸まわりに回転させつつ基板表面に処理液が供給される。処理液は、遠心力によって基板表面上で周縁に向かって拡がり、基板から外方へ飛散する。基板から飛散した処理液は、基板を取り囲むカップの内壁面によって捕捉され、カップ底部に設けられた排液口から排液管を通って回収される。
特開2006-147672号公報
本開示は、基板に対するパーティクルの付着の抑制に有利な技術を提供する。
本開示の一態様は、基板を保持する基板保持部と、基板を、回転軸を中心に回転させる基板回転部と、基板の処理面に向けて処理液を吐出する液供給ノズルと、処理面のうちの周縁部に位置する第1吐出箇所に向けて処理液が液供給ノズルから吐出される第1移動位置と、処理面のうちの第1吐出箇所よりも回転軸に近い第2吐出箇所に向けて処理液が液供給ノズルから吐出される第2移動位置とを含むノズル移動経路に沿って、液供給ノズルを移動させるノズル移動機構と、基板から水平方向に離れた位置に設けられ、第2移動位置に配置されている液供給ノズルから吐出された処理液であって処理面から飛散した処理液の少なくとも一部を受ける第1液受け面を有する第1液受け部と、基板と第1液受け部との間に設けられ、第1移動位置に配置されている液供給ノズルから吐出された処理液であって処理面から飛散した処理液の少なくとも一部を受ける第2液受け面を有する第2液受け部と、を備える基板液処理装置に関する。
本開示によれば、基板に対するパーティクルの付着の抑制に有利である。
図1は、第1実施形態に係る基板液処理装置の構成例を示す平面図である。 図2は、第1実施形態に係る基板液処理装置の構成例を示す縦断面図である。 図3は、液供給ノズル、基板、第1液受けカップ及び第2液受け部の概略構成を例示する断面図である。 図4は、液供給ノズル、基板、第1液受けカップ及び第2液受け部の概略構成を例示する断面図である。 図5は、基板液処理装置による基板の洗浄処理の一例を示すフローチャートである。 図6は、第1変形例に係る第1液受けカップ及び第2液受け部の概略構成を例示する断面図である。 図7は、第1変形例に係る第1液受けカップ及び第2液受け部の概略構成を例示する断面図である。 図8は、第2変形例に係る第1液受けカップ及び第2液受け部の概略構成を例示する断面図である。 図9は、第2変形例に係る第1液受けカップ及び第2液受け部の概略構成を例示する断面図である。 図10は、第2液受け部の配置例を示す概略平面図である。
以下、図面を参照して、基板液処理装置及び基板液処理方法の実施形態について説明する。
図1は、第1実施形態に係る基板液処理装置の構成例を示す平面図である。図2は、第1実施形態に係る基板液処理装置の構成例を示す縦断面図である。図1及び図2に示すように、互いに直交するX軸、Y軸及びZ軸を定め、Z軸正方向を鉛直上向き方向とする。図1及び図2には同一の基板液処理装置1が図示されているが、基板液処理装置1の一部要素(例えばレール82)は、一方の図面にのみ図示され、他方の図面では図示が省略されている。
基板液処理装置1は、2つの吸着パッド10、スピンチャック11、筐体13、第1洗浄部17及び第2洗浄部18を備える。各吸着パッド10及びスピンチャック11は、基板Wを保持する基板保持部として働き、図示の例では基板Wの下面を水平に吸着保持する。基板Wは、典型的には半導体ウエハやガラス基板等によって構成されるが、特に限定されない。基板Wの上面及び下面のうちの少なくとも一方(本例では基板Wの上面)には、回路が形成されている。筐体13は、上方で開口している。第1洗浄部17は、基板Wの上面の洗浄処理を行う。第2洗浄部18は、基板Wの下面の洗浄処理を行う。
2つの吸着パッド10は、図1に示すように、細長の略矩形状の平面形状を有し、基板Wの下面の周縁部近傍を保持できるように、平面視においてスピンチャック11を挟んで略平行に設けられている。各吸着パッド10は、支持板14により支持されている。各支持板14は、対応の吸着パッド10より長い略矩形状の平面形状を有し、その両端部が枠体15により支持されている。枠体15は、駆動機構(図示せず)により、水平方向(図1のX軸方向)及び上下方向(図1のZ軸方向)に移動可能に設けられている。このように各吸着パッド10は基板Wに接触する基板接触部として働き、各支持板14は対応の吸着パッド10を支持する接触支持部として働く。
枠体15の上面には、第1液受けカップ(第1液受け部)16及び第2液受け部30が設けられている。第1液受けカップ16の上方部には、基板Wの直径より大きな径を有する開口が形成されており、当該開口を介して吸着パッド10に対する基板Wの受け渡しが行われる。
スピンチャック11は、図2に示すように、シャフト20を介して駆動機構21に接続され、駆動機構21により回転軸Arを中心とした回転及び回転軸Arに沿った上下動が可能となっている。このように駆動機構21は、スピンチャック11に保持されている基板Wを、回転軸Arを中心に回転させる基板回転部として働く。
スピンチャック11の周囲には複数(例えば3つ)の昇降ピン22が設けられている。これらの昇降ピン22は、昇降機構(図示せず)により昇降可能に設けられている。これにより、昇降ピン22と、基板液処理装置1の外部に設けられた搬送機構(図示せず)との間で基板Wの受け渡しを行うことができ、また昇降ピン22と2つの吸着パッド10との間で基板Wの受け渡しを行うことができる。
筐体13の底部には、洗浄液を排出するドレン管40と、基板液処理装置1内において下方向の気流を形成し且つ当該気流を排気する排気管41とが設けられている。
次に、第1洗浄部17及び第2洗浄部18の構成について説明する。
第1洗浄部17は液供給ノズル50を有する。液供給ノズル50は、下方(すなわち鉛直下向き方向)に向けられた吐出口を有する。液供給ノズル50は、基板保持部(本例では特にスピンチャック11)により保持されている基板W(特に上面)の上方に位置している状態で、吐出口から基板Wの処理面(本例では上面)に向けて処理液を吐出する。これにより、基板Wの上面には処理液が付与される。
本実施形態の液供給ノズル50は、基板W(特に上面)を洗浄するための洗浄ノズルとして働き、液供給ノズル50から吐出される処理液は純水等の洗浄液(洗浄用流体)である。ただし、液供給ノズル50は洗浄処理以外の用途で用いられてもよく、液供給ノズル50から吐出される処理液も洗浄液には限定されない。例えば、塗布液、現像液、他の薬液、或いは他の液体が、液供給ノズル50から基板Wの処理面に付与されてもよい。
液供給ノズル50は、処理液のみを吐出する一流体ノズルとして構成されてもよいし、処理液を含む2種類以上の流体を同時に吐出する多流体ノズルとして構成されてもよい。本実施形態の液供給ノズル50は、二流体ノズルとして構成されており、処理液と一緒に気体(例えば圧縮エア)を吐出する。液供給ノズル50から処理液と一緒に気体が吐出される場合、第1液受け面16aに沿った上昇気流が生じやすく、後述の「本来的に意図していない第1液受け面16aからの処理液の飛翔及び基板Wに対する処理液の再付着」の懸念が高まる。したがって液供給ノズル50が処理液と一緒に気体を吐出する場合に、「第1液受け面16aからの処理液の飛翔及び基板Wに対する処理液の再付着」の防止という後述の効果を、より有益に享受しうる。
液供給ノズル50は、アーム70に取り付けられている。アーム70には、処理液供給配管(図示せず)の一部が設けられている。処理液供給配管は、処理液供給源(図示せず)及び液供給ノズル50に接続され、処理液供給源からの洗浄液を液供給ノズル50に供給する。処理液供給配管には、制御部200の制御下で駆動する開閉弁(図示せず)が設けられている。開閉弁によって処理液供給配管の流路が開かれることで、洗浄液が液供給ノズル50に供給されて吐出口から吐出される。一方、開閉弁によって処理液供給配管の流路が閉じられることで、液供給ノズル50に対する洗浄液の供給が停止され、洗浄液の吐出も停止される。
アーム70は、移動部71に接続されている。移動部71は、水平方向(ここではX軸方向)に延びるレール72に沿ってアーム70とともに移動し、アーム70を水平に移動させる。また、移動部71は、アーム70を鉛直方向(Z軸方向)に昇降させる。このような移動部71及びレール72の組み合わせは、液供給ノズル50をノズル移動経路に沿って移動させるノズル移動機構として働く。
本実施形態のノズル移動経路は第1移動位置及び第2移動位置を含む。第1移動位置に配置された液供給ノズル50は、基板Wの上面のうちの周縁部に位置する第1吐出箇所に向けて、洗浄液を吐出する。一方、第2移動位置に配置された液供給ノズル50は、基板Wの上面のうちの第1吐出箇所よりも回転軸Arに近い第2吐出箇所(すなわち非周縁部)に向けて、洗浄液を吐出する。液供給ノズル50は、第1移動位置及び第2移動位置を含むノズル移動経路に沿って移動しつつ洗浄液を吐出することで、基板Wの上面上の半径方向に異なる箇所に洗浄液を付与することができる。
図1及び図2に示す液供給ノズル50は、アーム70とともに、水平方向のうちX軸方向には移動可能であるが、Y軸方向には移動しない。したがって第1移動位置及び第2移動位置を含むノズル移動経路は、X軸方向に延びる同一平面(すなわちY軸方向に延びる法線を持つ同一平面)に含まれる。また図1及び図2に示す液供給ノズル50は、Z軸に沿った鉛直下向き方向に洗浄液を吐出する。したがって基板W上の上述の第1吐出箇所及び第2吐出箇所は、液供給ノズル50が配置される上述の第1移動位置及び第2移動位置の直下にそれぞれ位置し、第1移動位置及び第2移動位置とともにX軸方向に延びる同一平面に含まれる。
第2洗浄部18は、第2洗浄体181、第2支柱部材182及び第2駆動部183を有する。
第2洗浄体181は、基板Wの下面に押し当てられる部材である。第2洗浄体181は限定されず、例えば多数の毛束で構成されるブラシであってもよいし、スポンジであってもよい。第2洗浄体181の上面は、基板Wとの接触面として働き、例えば基板Wの上面よりも小さい円形状を有する。
第2洗浄体181の下面には、第2支柱部材182が設けられている。第2支柱部材182は、鉛直方向(Z軸方向)に延び、一端部において第2洗浄体181を支持する。
第2支柱部材182の他端部には、第2駆動部183が設けられている。第2駆動部183は、第2支柱部材182を鉛直軸まわりに回転させることができ、ひいては第2支柱部材182に支持された第2洗浄体181を鉛直軸まわりに回転させることができる。
第2洗浄部18は、アーム80によって水平に支持される。アーム80には、洗浄ノズル80aが、第2洗浄体181に隣り合うように設けられている。洗浄ノズル80aは、吸着パッド10又はスピンチャック11に保持された基板Wの下面に対し、純水等の洗浄液(洗浄用流体)を付与する。
アーム80は、移動部81に接続される。移動部81は、水平方向(ここではY軸方向)に延びるレール82に沿ってアーム80とともに移動し、アーム80を水平に移動させる。また移動部81は、アーム80を鉛直方向(Z軸方向)に昇降させる。
アーム80は、例えば図示しない駆動部によって水平方向(X軸方向)に伸縮する。これにより、アーム80は、第2洗浄部18及び洗浄ノズル80aをX軸方向(すなわち第1洗浄部17の移動方向と同じ方向)に移動させることができる。
アーム80には、第2洗浄体181が基板Wに及ぼす押し当て力を検知する荷重検知部85が設けられている。荷重検知部85は、例えばロードセルである。
上述の基板液処理装置1には、図1に示すように制御部200が設けられている。制御部200は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部(図示せず)を有する。プログラム格納部には、基板液処理装置1における基板Wの処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、上述の各種駆動装置や移動装置などの駆動系の動作や各種ノズルを制御して、基板液処理装置1における洗浄処理を実現させるためのプログラムが格納されている。上記プログラムは、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体Hに記録されていたものであって、その記憶媒体Hから制御部200にインストールされたものであってもよい。例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク(HD)、フレキシブルディスク(FD)、コンパクトディスク(CD)、マグネットオプティカルデスク(MO)、及びメモリーカードを、記憶媒体Hとして使用しうる。
次に、第1液受けカップ16及び第2液受け部30の構成について説明する。
第1液受けカップ16は、上方部及び下方部が開口した筒状の形状を有する。第1液受けカップ16の内側には、スピンチャック11及び各吸着パッド10が位置づけられている。そのためスピンチャック11又は各吸着パッド10に吸着保持されている基板Wも、第1液受けカップ16の内側に位置づけられる。このように第1液受けカップ16は、スピンチャック11、各吸着パッド10、及びスピンチャック11又は各吸着パッド10に吸着保持されている基板Wから、水平方向に離れた位置に設けられる。
第2液受け部30は、壁状の形状を有し、第1液受けカップ16の内側に位置づけられ、スピンチャック11又は各吸着パッド10に吸着保持されている基板Wと第1液受けカップ16との間に設置されている。このように本例の第2液受け部30(特に内側壁面により構成される第2液受け面30a)は、基板保持部(各吸着パッド10又はスピンチャック11)により保持されている基板Wの周縁部の一部の周囲にのみ設けられている。ただし、第2液受け部30(特に第2液受け面30a)は、基板Wの周縁部の全体の周囲にわたって設けられていてもよい。
第1液受けカップ16の内側壁面により構成される第1液受け面16a及び第2液受け部30の内側壁面により構成される第2液受け面30aは、液供給ノズル50から吐出された洗浄液であって、基板Wの上面から飛散した洗浄液の少なくとも一部を受ける。
図3及び図4は、液供給ノズル50、基板W、第1液受けカップ16及び第2液受け部30の概略構成を例示する断面図である。図3及び図4において、液供給ノズル50、基板W、第1液受けカップ16及び第2液受け部30以外の要素は図示が省略されている。また理解を容易にするため、図3及び図4では、第1液受けカップ16及び第2液受け部30が誇張されており、基板Wは一部のみが示されている。したがって第1液受けカップ16及び第2液受け部30の形状及びサイズは、「図1及び図2」と「図3及び図4」との間で一致しない。ただし、このような第1液受けカップ16及び第2液受け部30の形状及びサイズの相違は表現上の差異に過ぎず、同一の第1液受けカップ16及び同一の第2液受け部30が図1~図4に示されている。
第1液受けカップ16の上端部は、内側に傾斜する第1液受け傾斜部16bによって構成され、第1液受け垂直部16cが第1液受け傾斜部16bの下端から鉛直下向き方向に延びる。同様に、第2液受け部30の上端部は、内側に傾斜する第2液受け傾斜部30bによって構成され、第2液受け垂直部30cが第2液受け傾斜部30bの下端から鉛直下向き方向に延びる。
第1液受けカップ16の第1液受け面16aは、上述の第2移動位置(図3参照)に配置されている液供給ノズル50から吐出された処理液Lであって、基板Wの上面から飛散した処理液Lの少なくとも一部を受けるように設けられている。すなわち第1液受け面16aは「基板Wの上面のうち周縁部よりも回転軸Arに近い部分(すなわち第2吐出箇所)に着地し、その後、基板Wから振り切られた処理液L」の少なくとも一部を受ける。ここでいう「第2移動位置」は、特定の一箇所のみを意味するのではなく、基板Wの上面のうち周縁部よりも回転軸Arに近い側の箇所に向けて液供給ノズル50から処理液Lが吐出される範囲を意味しうる。
一方、第2液受け部30の第2液受け面30aは、上述の第1移動位置(図4参照)に配置されている液供給ノズル50から吐出された処理液Lであって、基板Wの上面から飛散した処理液Lの少なくとも一部を受けるように設けられている。すなわち第2液受け面30aは「基板Wの上面のうち周縁部(すなわち第1吐出箇所)に着地し、その後、基板Wから振り切られた処理液L」の少なくとも一部を受ける。ここでいう「第1移動位置」は、特定の一箇所のみを意味するとは限らない。
このように第1液受けカップ16だけではなく第2液受け部30も設けることによって、基板Wから振り切られた処理液Lを適切に受け止めて回収することができ、基板Wから飛翔した処理液Lが基板Wに再付着することを有効に防ぐことができる。基板Wに再付着した処理液Lは、パーティクル(例えば塊状のパーティクル)を基板Wにもたらしうる。そのため、第1液受けカップ16に加えて第2液受け部30を設けることにより、基板Wに対するパーティクルの付着を抑制することができる。
例えば、第1液受けカップ16は設けられているが、第2液受け部30が設けられていない場合について考察する。この場合、基板Wから振り切られた処理液Lは、基本的に第1液受け面16aによって受け止められ、その後、第1液受け面16aに沿って流れる。第1液受け面16aは、処理液Lの下方への流動を促す構造を有するが、第1液受け面16aの具体的な形状等に起因し、一部の処理液Lが第1液受け面16aに沿って上方に流れることがある。例えば、第1液受け面16aに沿って上方に流れる気流が小さい間は、第1液受け面16aに沿って上方に流れた処理液Lが第1液受け面16aから離れて基板Wに再付着する懸念は非常に小さい。一方、第1液受け面16aに沿って上方に流れる気流が大きい場合、第1液受け面16aに付着した処理液Lが、第1液受け面16aに沿って上方に流動しつつ徐々に成長し、第1液受け面16aから飛翔して基板Wに再付着する懸念が高まる。
特に、処理液Lが液供給ノズル50から基板Wの上面の周縁部に向けて吐出される場合(図4参照)、処理液Lは水平方向以外の方向に飛翔する傾向が強くなり、基板Wに着地後の処理液Lの飛翔方向も不安定になりやすい。例えば、処理液Lが、第1液受けカップ16の突起部(図3及び図4に示す「第1液受け突起部16d」参照)に向かって飛翔する場合、当該突起部から第1液受け面16aに沿って上方に向かって流れる大きな強さの気流が生じうる。この場合、第1液受け面16aに沿って上方に流れた処理液Lが、上昇気流に乗って第1液受け面16aから飛翔し、基板Wに付着する懸念がある。
一方、本実施形態によれば、液供給ノズル50から基板Wの上面の周縁部に向けて吐出された処理液Lは、図4に示すように、第1液受けカップ16とは別個に設けられる第2液受け部30の第2液受け面30aによって適切に受け止められる。そのため、基板Wから振り切られた処理液Lが、意図しない上昇気流に乗って基板W(特に上面)に再び付着することを、防ぐことができる。
したがって第2液受け部30は、液供給ノズル50から基板Wの上面の周縁部に向けて吐出された処理液Lを受け止めるのに適した性状を有することが好ましい。また第2液受け部30は、大きな上昇気流を発生させない或いは発生させにくい性状を有することが好ましい。
そのため第1液受けカップ16の第1液受け面16aの上方端は、各吸着パッド10又はスピンチャック11に保持されている基板Wよりも上方に位置し、第2液受け部30の第2液受け面30aの上方端は当該基板W(特に上面)よりも下方に位置する。したがって第2液受け部30の第2液受け面30aの上方端は、第1液受けカップ16の第1液受け面16aの上方端よりも下方に位置する。これにより第2移動位置の液供給ノズル50(図3参照)から吐出された処理液Lを第1液受け面16aを介して効率良く回収しつつ、第1移動位置の液供給ノズル50(図4参照)から吐出された処理液Lを第2液受け面30aを介して効率良く回収できる。
また第2液受け部30の上端部は第2液受け傾斜部30bによって構成され、第2液受け面30aのうち上方端を含む部分(すなわち第2液受け傾斜部30bの第2液受け面30a)は、下方に向かうに従って、回転軸Arからの水平方向距離が大きくなる。これにより、第2液受け面30aにより受け止められた処理液Lは下方への流動が促され、基板Wに対する処理液Lの再付着を防ぐことができる。第2液受け傾斜部30bの傾斜角度などの傾斜態様は限定されないが、液供給ノズル50から基板Wの周縁部に向けて吐出され基板Wの外方に飛翔する処理液Lを下方へ導くのに有利な傾斜態様を、第2液受け傾斜部30bは有することが好ましい。
また第2液受け部30の第2液受け面30aの少なくとも一部(好ましくは全体)は親水性を有する。例えば、親水性に優れた材料によって第2液受け部30を構成することによって、第2液受け面30aに親水性を持たせてもよい。或いは、第2液受け面30aに親水化処理を施すことによって、第2液受け面30aに親水性を持たせてもよい。
また第2液受け部30の第2液受け面30aの水平方向切断形状は円弧状である。これにより、第2液受け部30の全体サイズを抑えつつ、十分な大きさの第2液受け面30aを確保し、第1移動位置の液供給ノズル50(図4参照)から吐出された処理液Lを第2液受け面30aによって効率的に受け止めることができる。
上述のように第2液受け部30の第2液受け面30aは、液供給ノズル50から基板Wの周縁部に向かって吐出された処理液Lを受け止めるように設けられる。したがって第2液受け面30aは、少なくとも「液供給ノズル50から基板Wの周縁部に向かって吐出された処理液Lが、その後、基板Wから飛翔しうる範囲」に設けられることが好ましい。図1~図4に示す第2液受け部30(第2液受け面30aを含む)は、水平方向に関し、基板Wの周縁部に向けて処理液Lを吐出するための液供給ノズル50の第1移動位置(図4参照)と、第1液受けカップ16との間に位置づけられている。
次に、基板液処理装置1により行われる基板Wの洗浄方法(すなわち基板液処理方法)について説明する。下記の基板Wの洗浄方法は、基板液処理装置1を構成する各要素が制御部200の制御下で駆動されることで行われる。
図5は、基板液処理装置1による基板Wの洗浄処理の一例を示すフローチャートである。
基板液処理装置1では、まず、搬入処理が行われる(図5のステップS1)。搬入処理では、搬送機構(図示せず)により搬送された基板Wが第1液受けカップ16の上方部開口及び各昇降ピン22の上方に配置された状態で、各昇降ピン22が上昇し、各昇降ピン22の先端が第1液受けカップ16の上方部開口を通過する。これにより第1液受けカップ16の上方において、基板Wが搬送機構から昇降ピン22に受け渡される。この際、吸着パッド10はその上面が第2洗浄体181の上面よりも高く位置づけられ、スピンチャック11はその上面が第2洗浄体181の上面よりも低く位置づけられている。その後、昇降ピン22が下降し、基板Wは、第1液受けカップ16の内側で昇降ピン22から吸着パッド10に受け渡され、吸着パッド10によって吸着保持される。
つづいて、下面洗浄処理が行われる(ステップS2)。下面洗浄処理では、まず、基板Wを保持した吸着パッド10を、支持板14、第1液受けカップ16及び第2液受け部30とともに水平方向(ここでは、X軸方向)に移動させる。これにより、スピンチャック11が基板Wの外周部に近い場所に配置され、第2洗浄部18が基板Wの中央部に近い場所に配置される。
つづいて、例えば、移動部81によって第2洗浄部18を上昇させて、第2洗浄体181を基板Wの下面に押し当てる。この際、移動部81は、第2洗浄体181の基板Wへの押し当て力が所望の値となるように、第2洗浄部18を上昇させる。第2洗浄部18を上昇させる距離は、例えば荷重検知部85の検知結果に基づいて決定することができる。ここでは、第2洗浄部18が上昇されるが、吸着パッド10を下降させることによって基板Wの下面を第2洗浄体181に押し当ててもよい。また、第2洗浄部18を上昇させつつ、吸着パッド10を下降させてもよい。
その後、洗浄ノズル80aから基板Wの下面への洗浄液の供給を開始する。また、第2洗浄体181の回転を開始する。
第2洗浄部18による基板W下面の洗浄は、吸着パッド10による基板Wの移動と移動部81による第2洗浄部18の移動との組み合わせにより進行する。これにより、スピンチャック11によって吸着保持されることになるエリアを含む基板Wの下面の中央領域が、第2洗浄体181によって洗浄される。その後、第2洗浄体181の回転を停止し、洗浄ノズル80aからの洗浄液の供給を停止する。
つづいて、両面洗浄処理が行われる(ステップS3)。両面洗浄処理では、まず、基板Wとともに吸着パッド10を移動させて、基板Wの中央部をスピンチャック11の上方に位置づける。そして、吸着パッド10による基板Wの吸着を解除し、スピンチャック11を上昇させることにより、吸着パッド10からスピンチャック11へ基板Wが受け渡される。
また、移動部71によって、第1洗浄部17の液供給ノズル50を、基板Wの中央の上方に位置づける。
つづいて、駆動機構21によってスピンチャック11を回転させることで、回転軸Arを中心に基板Wを回転させる。また、液供給ノズル50から基板Wの上面に向けて洗浄液を吐出する工程を開始する。そして、移動部71によって液供給ノズル50を水平方向(X軸正方向)に移動させる。これにより、基板Wの上面の中央領域が洗浄される。
そして、液供給ノズル50及び第2洗浄部18は基板Wの周縁部に向かって移動させられ、基板Wの上面及び下面の各々における中央領域以外の領域の洗浄が行われる。具体的には、基板Wの上面の上方において液供給ノズル50を移動させつつ、液供給ノズル50から処理液Lを吐出させる。また洗浄ノズル80aから基板Wの下面に洗浄液を供給しつつ第2洗浄体181の回転を開始する。
液供給ノズル50及び第2洗浄体181の各々が基板Wの外周の周縁部に到達して基板Wの上面及び下面の全体の洗浄が完了した後、第2洗浄体181の回転が停止され、液供給ノズル50及び洗浄ノズル80aからの洗浄液の吐出が停止される。そして、液供給ノズル50及び第2洗浄体181を基板Wから退避させる。
上述のように、液供給ノズル50が基板Wの周縁部の直上に到達する前は、基板Wから振り切られた洗浄液は、主として第1液受けカップ16の第1液受け面16aにより受け止められる。一方、液供給ノズル50が基板Wの周縁部の直上に位置している状態で吐出した洗浄液は、主として第2液受け部30の第2液受け面30aにより受け止められる。これにより、基板Wから振り切られた処理液Lが基板Wに再付着することを効果的に回避することができる。処理液Lは、第1液受け面16a及び第2液受け面30aに受け止められた後、第1液受け面16a及び第2液受け面30aに沿って下方に流れ、最終的にはドレン管40を介して排出される。
なお、基板Wの下面から上面への洗浄液の回り込みを抑制する観点からは、洗浄ノズル80aからの洗浄液の吐出を停止した後に、液供給ノズル50からの洗浄液の吐出を停止することが好ましい。ただしこれには限定されず、液供給ノズル50からの洗浄液の吐出及び洗浄ノズル80aからの洗浄液の吐出を同時に停止してもよいし、洗浄ノズル80aからの洗浄液の吐出を停止する前に液供給ノズル50からの洗浄液の吐出を停止してもよい。
つづいて、乾燥処理が行われる(ステップS4)。乾燥処理では、スピンチャック11を介して基板Wが高速で回転させられる。これにより基板Wに付着している液体が基板Wから振り切られ、基板Wの乾燥が促進される。
その後、搬出処理が行われる(ステップS5)。搬出処理では、上述の搬入処理(ステップS1)とは逆の順序で、基板Wが搬送機構に受け渡される。上述の一連の処理(ステップS1~S5)を経ることにより、1枚の基板Wの洗浄処理が完了する。他の基板Wの洗浄処理を行う場合には、上述の一連の処理(ステップS1~S5)が繰り返される。
以上説明したように本実施形態の基板液処理装置1及び基板液処理方法によれば、基板Wから外方に飛翔した処理液Lを、第1液受けカップ16及び第2液受け部30により適切に受け止めて下方に導き、基板Wに対する処理液Lの再付着を防ぐことができる。したがって、そのような処理液Lに起因する「基板Wに対するパーティクルの付着」を抑制することができる。
本件発明者は、上述の基板液処理装置1及び基板液処理方法に基づいて実際に検証を行った。その結果、第1液受けカップ16に加えて第2液受け部30を設けることにより、基板Wから振り切られた処理液Lの基板Wに対する再付着が抑制され、基板W上のパーティクルの数が有意に低減したことを、本件発明者は確認した。
[第1変形例]
図6及び図7は、第1変形例に係る第1液受けカップ16及び第2液受け部30の概略構成を例示する断面図である。図3及び図4と同様に、図6及び図7では一部要素の図示が省略されており、第1液受けカップ16及び第2液受け部30が誇張されて示され、基板Wは一部のみが示されている。
本変形例に係る基板液処理装置1は、第2液受け部30を移動させる液受け移動機構35を備える。図6及び図7において液受け移動機構35は簡略化して示されているが、液受け移動機構35は、モーター等の任意の駆動装置によって実現可能であり、任意の形態で基板液処理装置1において設置可能である。液受け移動機構35は、第2液受け部30の全体を移動させてもよいし、第2液受け部30の一部(例えば上下方向に延びる第2液受け垂直部30c)を上下方向に伸縮させることで第2液受け部30(特に上方端部)を移動させてもよい。
第2液受け部30は、液受け移動機構35によって、第1液受け位置(図7参照)と、第1液受け位置とは異なる第2液受け位置(図6参照)とに配置される。第1液受け位置に配置される第2液受け部30の第2液受け面30aは、図7に示すように、上述の第1移動位置において液供給ノズル50から吐出された処理液Lであって基板Wの上面(特に周縁部)から飛散した処理液Lの少なくとも一部を受ける。一方、第2液受け位置に配置されている第2液受け部30の第2液受け面30aは、図6に示すように、上述の第2移動位置に配置されている液供給ノズル50から吐出され基板Wの上面から飛散した処理液Lの少なくとも一部を受ける。
このように本変形例の第2液受け部30は、液供給ノズル50の位置に応じて鉛直方向へ昇降する。これにより第2液受け部30は、液供給ノズル50の位置にかかわらず、基板Wから飛翔する処理液Lの少なくとも一部を受け続ける。液供給ノズル50からの処理液Lが基板Wの上面の非周縁部(第2吐出箇所)に着地する間、第2液受け部30は上昇位置に配置され、第2液受け部30の上方端部が基板Wよりも上方に位置づけられる(図6参照)。一方、液供給ノズル50からの処理液Lが基板Wの上面の周縁部(第1吐出箇所)に着地する間、第2液受け部30は下降位置に配置され、第2液受け部30の上方端部が基板W(特に上面)よりも下方に位置づけられる(図7参照)。このように第2液受け部30は、基板Wからの飛翔方向に応じた最適な位置に第2液受け面30aが配置されるように昇降され、基板Wから振り切られた処理液Lの基板Wに対する再付着を防ぐ。
また本変形例によれば、基板Wから飛翔した処理液Lが第2液受け部30の上端面に衝突して飛び散ることを防ぐことができる。すなわち、基板Wから振り切られた処理液Lが第2液受け部30を乗り越えないように、第2液受け部30の鉛直方向位置を調整することによって、処理液Lが第2液受け部30の上端面に衝突することを防ぐことができる。第2液受け部30の上端面に対する処理液Lの衝突は、意図しない方向への処理液Lの飛び散りを招き、処理液Lの飛沫の基板Wに対する付着をもたらしうる。一方、第2液受け部30の鉛直方向位置を調整して第2液受け部30の上端面に対する処理液Lの衝突を回避することにより、そのような処理液Lの飛沫の基板Wに対する付着を防ぐことができる。
なお液受け移動機構35は、制御部200の制御下で、例えば液供給ノズル50の配置位置情報に基づいて、第2液受け部30の位置を変えることができる。処理液Lの基板Wからの主たる飛翔方向及び飛翔範囲は、厳密には、基板Wに対する液供給ノズル50の相対位置に応じて変化しうる。しかしながら実際は、液供給ノズル50から吐出される処理液Lが基板Wの非周縁部に向けられている間は、処理液Lの基板Wからの主たる飛翔方向及び飛翔範囲は大きくは変化しない。したがって液受け移動機構35は、液供給ノズル50の第1移動位置への到達と同時或いは当該到達の直前又は直後に、第2液受け部30を上昇位置(図6参照)から下降位置(図7参照)に移動させてもよい。液受け移動機構35は、基本的に、第1移動位置以外の位置に液供給ノズル50が配置されている間は第2液受け部30を共通の上昇位置に配置し続け、第1移動位置に液供給ノズル50が位置している間は第2液受け部30を下降位置に配置してもよい。
また本変形例に係る基板液処理装置1は、基板Wの上面からの処理液Lの飛散の状態を示す液飛散情報を取得する液飛散情報取得部36を備えてもよい。液飛散情報は、基板Wの上面からの処理液Lの飛散の状態を直接的又は間接的に示す情報であれば、限定されない。この場合、第2液受け部30は、液飛散情報取得部36が取得する液飛散情報に基づいて制御部200の制御下で駆動される液受け移動機構35により、移動させられる。
例えば、カメラによって液飛散情報取得部36を構成してもよい。この場合、液飛散情報取得部36によって取得される液供給ノズル50、液供給ノズル50から基板Wに向かう処理液L、及び/又は基板W以外に向かって飛翔する処理液Lの画像データを、液飛散情報として使用可能である。制御部200は、液飛散情報取得部(カメラ)36から当該画像データを受信し、画像解析を行って処理液Lの飛翔の状態を直接的又は間接的に示す解析データを取得し、当該解析データに基づいて液受け移動機構35を制御してもよい。
[第2変形例]
図8及び図9は、第2変形例に係る第1液受けカップ16及び第2液受け部30の概略構成を例示する断面図である。図3及び図4と同様に、図8及び図9では一部要素の図示が省略されており、第1液受けカップ16及び第2液受け部30が誇張され、基板Wは一部のみが示されている。
上述の第1変形例(図6及び図7参照)では第2液受け部30が鉛直方向にのみ移動するが、第2液受け部30の移動方向は限定されない。本変形例の第2液受け部30は、回転軸部38を中心に回転移動する。
図8及び図9に示す第2液受け部30は、回転軸部38を中心に移動可能に設けられている。回転軸部38は、制御部200の制御下で、液受け移動機構35によって駆動される。回転軸部38を中心とした第2液受け部30の回転により、第2液受け部30の上端部の鉛直方向位置は変動する。特に、本変形例の第2液受け部30(特に第2液受け面30a)は、液供給ノズル50の位置及び基板Wの上面上における処理液Lの着地位置に応じて、鉛直方向位置だけではなく、基板W(特に周縁部)からの距離及び傾き(姿勢)も調整される。
本変形例の第2液受け部30も、上述の第1変形例(図6及び図7参照)と同様に、液受け移動機構35によって、第1液受け位置(図9参照)と、第1液受け位置とは異なる第2液受け位置(図8参照)とに配置される。したがって第2液受け部30が液供給ノズル50の位置に応じて移動させられることで、第2液受け面30aは、液供給ノズル50の位置にかかわらず、基板Wから飛翔する処理液Lの少なくとも一部を受け続けるが可能である。
[他の変形例]
第1液受けカップ16及び第2液受け部30は、上述の実施形態及び変形例では枠体15(図1参照)の上面に設けられているが、任意の形態で設置可能である。例えば図10に示すように、第2液受け部30は、吸着パッド10を支持する支持板(接触支持部)14に取り付けられていてもよい。同様に、第1液受けカップ16も、支持板14に取り付けられていてもよい。上述の実施形態及び変形例では支持板14が吸着パッド10と同じ方向に延びているが、吸着パッド10とは異なる方向に延びている支持板14に第2液受け部30が取り付けられてもよい。
上述の実施形態及び変形例では、基板Wの処理面(上面)の全体に液供給ノズル50から処理液が付与される。基板Wの処理面の「周縁部のみ」或いは「周縁部及び周縁部近傍のみ」に液供給ノズル50から処理液が付与される場合にも、上述の基板液処理装置1及び基板液処理方法を応用することが可能である。
本明細書で開示されている実施形態及び変形例はすべての点で例示に過ぎず限定的には解釈されないことに留意されるべきである。上述の実施形態及び変形例は、添付の特許請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態での省略、置換及び変更が可能である。例えば上述の実施形態及び変形例が組み合わされてもよく、また上述以外の実施形態が上述の実施形態又は変形例と組み合わされてもよい。
また上述の技術的思想を具現化する技術的カテゴリーは限定されない。例えば上述の基板液処理装置が他の装置に応用されてもよい。また上述の基板液処理方法(基板Wの洗浄方法を含む)に含まれる1又は複数の手順(ステップ)をコンピュータに実行させるためのコンピュータプログラムによって、上述の技術的思想が具現化されてもよい。またそのようなコンピュータプログラムが記録されたコンピュータが読み取り可能な非一時的(non-transitory)な記録媒体によって、上述の技術的思想が具現化されてもよい。

Claims (10)

  1. 基板を保持する基板保持部と、
    前記基板を、回転軸を中心に回転させる基板回転部と、
    前記基板の処理面に向けて処理液を吐出する液供給ノズルと、
    前記処理面のうちの周縁部に位置する第1吐出箇所に向けて前記処理液が前記液供給ノズルから吐出される第1移動位置と、前記処理面のうちの前記第1吐出箇所よりも前記回転軸に近い第2吐出箇所に向けて前記処理液が前記液供給ノズルから吐出される第2移動位置とを含むノズル移動経路に沿って、前記液供給ノズルを移動させるノズル移動機構と、
    前記基板から水平方向に離れた位置に設けられ、前記第2移動位置に配置されている前記液供給ノズルから吐出された前記処理液であって前記処理面から飛散した前記処理液の少なくとも一部を受ける第1液受け面を有する第1液受け部と、
    前記基板と前記第1液受け部との間に設けられ、前記第1移動位置に配置されている前記液供給ノズルから吐出された前記処理液であって前記処理面から飛散した前記処理液の少なくとも一部を受ける第2液受け面を有する第2液受け部と、を備え
    前記第2液受け面の水平方向切断形状は円弧状である、基板液処理装置。
  2. 前記第2液受け面の上方端は、前記第1液受け面の上方端よりも下方に位置する請求項1に記載の基板液処理装置。
  3. 前記第2液受け面のうち上方端を含む部分は、下方に向かうに従って、前記回転軸からの水平方向距離が大きくなる請求項1又は2に記載の基板液処理装置。
  4. 前記第2液受け面の少なくとも一部は親水性を有する請求項1~3のいずれか一項に記載の基板液処理装置。
  5. 前記基板保持部は、前記基板に接触する基板接触部と、前記基板接触部を支持する接触支持部と、を有し、
    前記第2液受け部は、前記接触支持部に取り付けられている請求項1~のいずれか一項に記載の基板液処理装置。
  6. 前記第1移動位置において前記液供給ノズルから吐出された前記処理液であって前記処理面から飛散した前記処理液の少なくとも一部を受ける第1液受け位置と、前記第1液受け位置とは異なる第2液受け位置とに前記第2液受け部を配置するように、前記第2液受け部を移動させる液受け移動機構を備える請求項1~のいずれか一項に記載の基板液処理装置。
  7. 前記処理面からの前記処理液の飛散の状態を示す液飛散情報を取得する液飛散情報取得部を備え、
    前記第2液受け部は、前記液飛散情報に基づいて、前記液受け移動機構により移動される請求項に記載の基板液処理装置。
  8. 基板を保持する基板保持部と、
    前記基板を、回転軸を中心に回転させる基板回転部と、
    前記基板の処理面に向けて処理液を吐出する液供給ノズルと、
    前記処理面のうちの周縁部に位置する第1吐出箇所に向けて前記処理液が前記液供給ノズルから吐出される第1移動位置と、前記処理面のうちの前記第1吐出箇所よりも前記回転軸に近い第2吐出箇所に向けて前記処理液が前記液供給ノズルから吐出される第2移動位置とを含むノズル移動経路に沿って、前記液供給ノズルを移動させるノズル移動機構と、
    前記基板から水平方向に離れた位置に設けられ、前記第2移動位置に配置されている前記液供給ノズルから吐出された前記処理液であって前記処理面から飛散した前記処理液の少なくとも一部を受ける第1液受け面を有する第1液受け部と、
    前記基板と前記第1液受け部との間に設けられ、前記第1移動位置に配置されている前記液供給ノズルから吐出された前記処理液であって前記処理面から飛散した前記処理液の少なくとも一部を受ける第2液受け面を有する第2液受け部と、
    前記第1移動位置において前記液供給ノズルから吐出された前記処理液であって前記処理面から飛散した前記処理液の少なくとも一部を受ける第1液受け位置と、前記第1液受け位置とは異なる第2液受け位置とに前記第2液受け部を配置するように、前記第2液受け部を移動させる液受け移動機構と、を備え、
    前記第2液受け位置に配置されている前記第2液受け部の前記第2液受け面は、前記第2移動位置に配置されている前記液供給ノズルから吐出された前記処理液であって前記処理面から飛散した前記処理液の少なくとも一部を受ける基板液処理装置。
  9. 前記液供給ノズルは、前記処理液と一緒に気体を吐出する請求項1~のいずれか一項に記載の基板液処理装置。
  10. 基板を、回転軸を中心に回転させる工程と、
    液供給ノズルから前記基板の処理面に向けて処理液を吐出する工程と、
    前記液供給ノズルを移動させる工程と、を含み、
    第1移動位置に配置されている前記液供給ノズルから、前記処理面のうちの周縁部に位置する第1吐出箇所に向けて吐出された前記処理液であって前記処理面から飛散した前記処理液の少なくとも一部は、第2液受け部の第2液受け面により受けられ、
    第2移動位置に配置されている前記液供給ノズルから、前記処理面のうちの前記第1吐出箇所よりも前記回転軸に近い第2吐出箇所に向けて吐出された前記処理液であって前記処理面から飛散した前記処理液の少なくとも一部は、第1液受け部の第1液受け面により受けられ
    前記第2液受け面の水平方向切断形状は円弧状である、基板液処理方法。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2023117668A (ja) * 2022-02-14 2023-08-24 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置及び基板処理システム並びに基板処理方法
JP2023135897A (ja) * 2022-03-16 2023-09-29 株式会社Screenホールディングス 基板処理方法および基板処理装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008098425A (ja) 2006-10-12 2008-04-24 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2010226043A (ja) 2009-03-25 2010-10-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2018018855A (ja) 2016-07-25 2018-02-01 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
JP2018129476A (ja) 2017-02-10 2018-08-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3375831B2 (ja) * 1996-09-02 2003-02-10 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JP2006147672A (ja) 2004-11-17 2006-06-08 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板回転式処理装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008098425A (ja) 2006-10-12 2008-04-24 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2010226043A (ja) 2009-03-25 2010-10-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
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