CN117133679A - 基片清洗装置和基片清洗方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供能够抑制颗粒附着于清洗后的基片的下表面的基片清洗装置和基片清洗方法。基片清洗装置包括：保持基片的保持部；俯视下的圆环体，其是具有连续气泡的弹性体；槽，其以俯视下将所述圆环体的内外连接的方式呈辐射状地形成于该圆环体的上部，且该槽的底位于该圆环体；滑动面，其是所述圆环体中的各所述槽之间的上表面，能够相对于所述基片的下表面滑动；支承所述圆环体并且使该圆环体在周向上旋转的支承体；使所述圆环体吸收清洗液的清洗液供给部；以及相对移动机构，其使所述基片和所述支承体在横向上相对移动，以使得在旋转且已吸液的所述圆环体的所述滑动面按压到所述基片的下表面的状态下，使该滑动面与该下表面相对地滑动。

Description

基片清洗装置和基片清洗方法

技术领域

本发明涉及基片清洗装置和基片清洗方法。

背景技术

在半导体器件的制造工序中，有时要对作为基片的半导体晶片(以下，记载为晶片)的下表面进行清洗处理。专利文献1记载了进行该清洗处理的装置。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2019-106531号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明的目的在于，提供一种能够抑制颗粒附着于清洗后的基片的下表面的技术。

用于解决技术问题的技术方案

本发明的基片清洗装置包括：

保持基片的保持部；

俯视下的圆环体，其是具有连续气泡的弹性体；

槽，其以俯视下将上述圆环体的内外连接的方式呈辐射状地形成于该圆环体的上部，且上述槽的底位于该圆环体；

滑动面，其是上述圆环体中的各上述槽之间的上表面，且能够相对于上述基片的下表面滑动；

支承体，其以在俯视下被上述圆环体包围的区域中，不设置构成为在上述圆环体的周向上分离并且上表面比上述滑动面高的、能够相对于上述基片滑动的滑动部的方式，支承上述圆环体，并且使该圆环体在周向上旋转；

使上述圆环体吸收清洗液的清洗液供给部；以及

相对移动机构，其使上述基片和上述支承体在横向上相对移动，以使得在旋转且已吸液的上述圆环体的上述滑动面按压到上述基片的下表面的状态下，使该滑动面与该下表面相对地滑动。

发明效果

本发明能够提供一种能够抑制颗粒附着于清洗后的基片的下表面的技术。

附图说明

图1是本发明的基片清洗装置的俯视图。

图2是上述基片清洗装置的侧视图。

图3是设置于上述基片清洗装置的滑动体的立体图。

图4是上述滑动体的侧视图。

图5是将上述滑动体的一部分放大表示的侧视图。

图6是中央部清洗时的装置的俯视图。

图7是中央部清洗时的滑动体的侧视图。

图8是周缘侧清洗时的装置的俯视图。

图9是周缘侧清洗时的滑动体的侧视图。

图10是周缘侧清洗时的滑动体的侧视图。

图11是用于说明晶片与滑动体的相对速度的俯视图。

图12是用于说明晶片与滑动体的相对速度的俯视图。

图13是周缘侧清洗时的滑动体的侧视图。

图14是周缘侧清洗时的滑动体的侧视图。

图15是中央部清洗后、周缘侧清洗前的滑动体的侧视图。

附图标记说明

W 晶片

13 旋转卡盘

15 旋转机构

36 清洗液喷嘴

51 滑动体

53 槽

54 滑动面。

具体实施方式

对作为本发明的基片清洗装置的一实施方式的基片清洗装置1进行说明。首先，对基片清洗装置1的概要进行说明，该基片清洗装置1对直径例如为300mm的圆形基片即晶片W的下表面进行清洗处理。该清洗处理是通过使后述的滑动体51相对于被供给了清洗液的状态的晶片W的下表面滑动来进行的。清洗液例如为纯水，在本例中，滑动体51在晶片W的下表面上除了周端之外的整个部分滑动来进行清洗处理。

上述晶片W的下表面的清洗处理按照晶片W的中央部、中央部的外侧(周缘侧)的顺序进行，清洗中，在晶片W的下表面对与被清洗的区域不同的区域进行保持。以下，有时分别将晶片W的下表面的中央部的清洗处理、周缘侧的清洗处理分别简记为中央部清洗、周缘侧清洗。

不过，晶片W的下表面有时会由于形成疏水性的膜(疏水膜)而成为对纯水的接触角较高的状态。有时要求对这样的状态的晶片W的下表面，进行通过清洗液的供给和滑动体的滑动来执行的清洗处理。并且，在对该晶片W的下表面进行清洗处理时，取决于滑动体的结构、处理方式，可能会确认到在清洗后的晶片W残留较多的颗粒。

认为其原因是，即使向构成晶片W的下表面的疏水膜的表面上供给清洗液，清洗液也会飞溅，从而难以在滑动体与晶片W之间的界面形成液膜。更详细而言，认为其原因在于，滑动体与晶片W不经由液膜而是直接接触地相互滑动，从而比较大的摩擦力作用在滑动体上，其结果导致该滑动体撕裂而成为颗粒。另外，如后面详细说明的那样，认为其原因还在于，清洗液从晶片W的下表面的靠周端的位置飞散。基片清洗装置1构成为，能够抑制以上说明的清洗后的晶片W的下表面上的颗粒残留。

以下，参照图1的俯视图和图2的侧视图，对基片清洗装置1的结构进行说明。例如，形成有上述的疏水膜的晶片W被输送到基片清洗装置1中，基片清洗装置1对该晶片W的下表面进行清洗处理。清洗前的疏水膜对纯水的接触角例如为70°以上，更具体而言，例如为80°以上。

基片清洗装置1包括基座11、旋转卡盘13、支承销16、圆筒部21、杯状体31、清洗处理部4和清洗液喷嘴36。基座11俯视下形成为长方形形状，由设置于基片清洗装置1的外部的未图示的输送机构，从基座11的长度方向的一端侧将晶片W输送到基片清洗装置1。以下，将该一端侧作为前方侧进行说明。

基座11包括以前后方向为长度方向的俯视下为长方形的凹部12。在俯视下的凹部12左右的中心部，在比前后方向的中央靠前方的位置设置有旋转卡盘13。在周缘侧清洗时，旋转卡盘13吸附晶片W的背面的中央部，水平地保持晶片W。旋转卡盘13经由铅垂地延伸的轴14与旋转机构15连接，利用构成基片旋转机构的旋转机构15绕铅垂轴旋转。俯视下晶片W的中心被保持为与旋转卡盘13的旋转中心对齐，晶片W通过旋转卡盘13的旋转而在俯视下顺时针旋转。

以包围轴14的方式配置有铅垂地延伸的3根支承销16。支承销16的下端与升降机构17连接，该支承销16利用升降机构17而能够在铅垂方向上升降。利用该支承销16，能够在上述的输送机构、旋转卡盘13、后述的前后移动卡盘35之间交接晶片W。

以包围轴14和支承销16的方式设置有从基座11的底部朝向上方铅垂地延伸的圆筒部21。圆筒部21的上端面形成朝向内侧倾斜的倾斜面22，该倾斜面22的上端接近被旋转卡盘13保持的晶片W的下表面。在该倾斜面22，在圆筒部21的周向上隔开间隔地设置有气体的释放口23。在周缘侧清洗中，为了使清洗液附着于晶片W的下表面中央部而从释放口23进行气体释放。另外，在中央部清洗(第一清洗)后至进行周缘侧清洗(第二清洗)的期间，为了使晶片W的下表面中央部干燥而进行该气体释放。另外，圆筒部21的上端面也可以构成为平坦面(水平面)。

设置有从圆筒部21的外周面向该圆筒部21的外侧扩展、周端部朝向下方弯曲的圆形的罩24。在基座11所形成的凹部12的底部设置有在圆筒部21的外侧立起的排气管25，其上端在被罩24和圆筒部21包围的空间中开口，在晶片W的处理中对凹部12内进行排气。另外，在基座11的凹部12的底部开设有排液口26，从晶片W下落到凹部12内的废液从该排液口26被除去。图1中省略了罩24、排气管25和排液口26的图示。

接着，对杯状体31进行说明。杯状体31构成为无底形状、即圆筒形状。杯状体31的上端部形成向该杯状体31的内侧突出的环。在中央部清洗时、周缘侧清洗时之各清洗时，杯状体31包围晶片W的侧周，防止清洗液向周围飞散。从杯状体31的前端部和后端部朝向左侧、右侧分别延伸有支承臂32。该支承臂32的前端与移动机构33连接，杯状体31能够通过移动机构33在前后方向上移动且升降。

在杯状体31的内侧设置有隔着旋转卡盘13位于左右且在前后方向上延伸的2个桥部34，各桥部34的两端与杯状体31的内周面连接。在各桥部34的长度方向的中央部设置有前后移动卡盘35。因而，前后移动卡盘35能够与杯状体31一起前后移动且升降。在中央部清洗时，利用该前后移动卡盘35分别吸附晶片W的下表面的前后方向的中央处的左端附近、右端附近，将该晶片W水平地保持。

在利用前后移动卡盘35、旋转卡盘13分别保持晶片W时，在俯视下，晶片W的中心与杯状体31的中心对齐。即，杯状体31能够移动到在俯视下其中心与旋转卡盘13的中心对齐的位置，将该位置作为杯状体31的基准位置。图1、图2中均表示了配置于基准位置的状态的杯状体31。

在基座11的凹部12内的圆筒部21的后方侧设置有清洗液喷嘴36。该清洗液喷嘴36被配置成，例如能够通过朝向后斜上方释放清洗液，来在中央部清洗时向晶片W的下表面中央部供给清洗液。从清洗液的供给源37向清洗液喷嘴36供给清洗液。在连接清洗液喷嘴36和供给源37的配管插置有阀38。通过该阀38的开闭，切换向清洗液喷嘴36的清洗液的供给和中断，切换从清洗液喷嘴36释放和停止释放清洗液。清洗液喷嘴36和阀38构成清洗液供给部。

另外，在凹部12内的圆筒部21的后方侧设置有清洗处理部4。清洗处理部4由旋转台41、升降机构42、旋转机构43、轴44、底板45、滑动体51构成。旋转台41在俯视下为圆形，能够绕铅垂地延伸的中心轴旋转。在旋转台41上的前方侧的周缘部设置有升降机构42，并设置有能够通过该升降机构42升降的旋转机构43。在旋转机构43连接有铅垂地延伸的轴44的下端。在俯视下，轴44相对于旋转台41的旋转中心靠前方侧偏心地设置，轴44的上端与底板45连接。在该底板45上设置有滑动体51。

通过上述的旋转台41的旋转，滑动体51能够以该旋转台41的中心轴为转动轴转动，在进行中央部清洗时，如振子那样左右移动。另外，通过上述的升降机构42使滑动体51升降，能够切换后述的滑动体51中的滑动面54被按压于晶片W的下表面的状态和从晶片W的下表面离开的状态。

关于底板45和滑动体51，一并参照图3的立体图和图4的侧视图来进行说明。另外，这些图表示了与晶片W分离、未被按压的状态的滑动体51。底板45形成为水平的圆板状，是硬质的部件。上述的轴44与底板45的下表面的中心连接。而且，滑动体51在俯视下构成为沿着底板45的周缘的圆环体。因而，利用上述的旋转机构43，滑动体51在其周向上旋转。滑动体51的旋转方向在俯视下为逆时针。因而，滑动体51的旋转方向与晶片W的旋转方向为相反方向，依此进行设定以使得清洗效果得到提高。另外，滑动体51的外径L1例如为65mm，比晶片W的半径小。

图5表示滑动体51的任意一部分处的纵剖侧视图。滑动体51由弹性体构成，例如由一体成形的树脂构成。作为该树脂，具体而言例如可例举聚乙烯醇。滑动体51是具有连续气泡52的海绵状的部件。即，在滑动体51形成有大量气孔，该气孔彼此相连。因而，滑动体51能够吸收上述的清洗液而将其贮存在连续气泡52中。

在滑动体51的上表面，在该滑动体51的周向上等间隔地形成有大量的槽53。该槽53以使俯视下呈圆环的滑动体51的内外连通的方式形成为辐射状。该槽53的底位于比滑动体51的下端靠上方的位置。即，该槽53的底由滑动体51形成，各槽53的深度H2比滑动体51的高度H1小。因而，滑动体51不被各槽53分割，如上所述，滑动体51一体成形。

滑动体51的各槽53之间的上表面是水平的，该上表面构成被按压于晶片W的下表面并且在该晶片W的下表面滑动而进行清洗的滑动面54。因而，大量的滑动面54在滑动体51的周向上相互分离，在俯视下分别形成为圆弧状。另外，由于整个滑动体51由上述的弹性体构成，因此上述的连续气泡52也形成于滑动面54。因而，当含有清洗液的状态的滑动体51被按压到晶片W的下表面时，滑动体51被压扁，清洗液按照该压扁的量从滑动体51渗出，该清洗液被供给到滑动面54与晶片W的界面以及滑动面54的周围。

在底板45的被滑动体51包围的区域设置有排液口46。排液口46在厚度方向上贯通底板45而形成，以不与轴44发生干扰的方式配置在偏离滑动体51的中心部的位置。供给至底板45上的清洗液作为废液经由该排液口46流向基座11的底部而被除去。在本例中，排液口46设置有4个，形成从滑动体51的中心侧分别向周缘侧延伸的隙缝，在底板45的周向上等间隔地配置。

图6、图7是进行中央部清洗时的滑动体51的俯视图、侧视图。对中央部清洗时的基片清洗装置1的动作进行说明，其中，利用前后移动卡盘35吸附保持晶片W。在旋转的滑动体51被按压于晶片W的下表面中央部的状态下，通过该滑动体51的转动动作来进行左右移动。另外，与该滑动体51的旋转和左右移动并行地，利用移动机构33进行杯状体31以及前后移动卡盘35的从后方侧向前方侧的移动。与这样的旋转的滑动体51相对于晶片W的下表面中央部的相对移动并行地，从清洗液喷嘴36向该晶片W的下表面中央部进行清洗液的释放，由此进行清洗处理。另外，图中的A1是从清洗液喷嘴36释放的清洗液的液流。

图8、图9是进行周缘侧清洗时的滑动体51的俯视图、侧视图。对周缘侧清洗时的基片清洗装置1的动作进行说明，其中，利用旋转卡盘13吸附保持已清洗完成的晶片W的中央部下表面。在旋转的滑动体51被按压于晶片W的周缘侧区域R1的状态下使旋转卡盘13旋转，由此进行清洗处理。在进行该周缘侧清洗时，不从清洗液喷嘴36向晶片W进行清洗液的释放。通过进行上述的中央部清洗，滑动体51已经吸收了清洗液，通过使用因按压已像这样进行了吸液的滑动体51而从滑动体51渗出到晶片W的下表面的清洗液，来进行周缘侧清洗。

在周缘侧清洗时，按压滑动体51而进行清洗的晶片W的下表面的周缘侧区域R1(即，中央部的外侧区域)为圆环状。该周缘侧区域R1的内周缘与进行过中央部清洗的区域的边缘相比靠近晶片W的中心，或者与该进行过中央部清洗的区域的边缘对齐。通过如以上那样进行中央部清洗和周缘侧清洗，从晶片W的中心到上述晶片W的周端附近的位置的整个圆形区域被清洗。如上所述，如此进行清洗的圆形区域是晶片W的下表面的大致整体。

在图7中，将中央部清洗时的被压扁了的状态的滑动体51的高度表示为H3。另外，在图9中，将周缘侧清洗时的被压扁了的状态的滑动体51的高度表示为H4。设定利用升降机构42进行清洗时的滑动体51的高度和槽53的深度H2，使得图4所示的各槽53的深度H2大于中央部清洗时的滑动体51的被压扁的高度(H1-H3)以及周缘侧清洗时的滑动体51的被压扁的高度(H1-H4)。因而，在进行中央部清洗和周缘侧清洗时，虽然槽53的高度因从晶片W向滑动体51施加的按压力而变小，但如图7、图9所示，该槽53成为不完全消失而是残留的状态。

另外，在周缘侧清洗时，有时晶片W的周缘会由于滑动体51的按压而向上方翘曲，但滑动体51构成为能够利用连续气泡52及其弹性而追随该翘曲地变形，并且基于此设定按压时的滑动体51的高度。具体而言，设定形成连续气泡52的气孔直径、由连续气泡52形成的滑动体51的空隙率，以使得滑动体51如图10所示，能够以保持各滑动面54紧贴于晶片W的下表面的状态的方式发生变形。另外，图9中说明的周缘侧清洗时的被压扁了的状态的滑动体51的高度H4，是不产生该晶片W的翘曲、将晶片W视为水平的基片的情况下的高度。

关于滑动体51的结构以及清洗处理的形态，对采用上述结构、形态的理由进行说明。另外，通过实验已经确认，采用该结构、形态能够降低晶片W的下表面的颗粒的附着状态。因此，以下叙述的关于采用该滑动体51的结构、清洗处理的形态的理由的说明，也是关于在该实验中能够得到良好结果的理由的推断。

首先，如上所述，滑动体51构成为俯视下的圆环体，关于采用该结构的理由，与在俯视下与滑动体51具有相同大小且为相同材质，并且具有圆形的接触面的比较例1的滑动体相比较来进行说明。

与比较例1的滑动体相比，滑动体51与晶片W的下表面的接触面积较小，从而在以规定的力按压于晶片W时，对与晶片W的接触面能够施加较大的按压力，并且对晶片W的下表面的摩擦力变小。因此，能够提高清洗效率，减少因滑动体51撕裂而产生颗粒。另外，通过像这样以使接触面积变小的方式构成，滑动体51与比较例1的滑动体相比体积也小。即，由于可能撕裂而产生颗粒的部位变小，因此出于该理由也能够减少从滑动体51产生颗粒。

另外，由于滑动体51为圆环体，因而即使产生了颗粒，移动到圆环体的内部的颗粒也会被该圆环体束缚，抑制向圆环体的外部飞散，并能够经由底板45的排液口46而被除去。由此，可以认为滑动体51能够抑制颗粒附着于晶片W的下表面。

不过，在使用滑动体清洗晶片W时，关于该滑动体，若考虑减小体积以及与晶片W的下表面的接触面积，则并不限定于如滑动体51那样采用圆环体，例如可以考虑采用沿着底板45的直径的俯视下呈直线状的滑动体。用该直线状的滑动体作为比较例2的滑动体。

然而，在进行清洗处理时要使滑动体旋转，但比较例2的滑动体在该旋转方向上观察时，滑动体的厚度较小。因而，在由于与晶片W的下表面之间的摩擦力导致施加于该旋转方向的应力较大的情况下，比较例2的滑动体的抵抗该应力的强度较小，因而有可能在该旋转方向上歪倒。这样，关于该比较例2的滑动体，可以认为其相对于晶片W的下表面无法得到足够的接触面积，清洗力将会降低、或发生撕裂而成为颗粒。

另一方面，由于滑动体51是沿着旋转方向的圆环体，因此在该旋转方向上观察时厚度较大，对施加于旋转方向的应力具有较高的强度。因而，滑动体51能够防止歪倒，所以抑制了清洗力的降低、或因撕裂而产生颗粒。另外，关于俯视下的滑动体51的粗细，为了能够得到充分的清洗效果，并且更可靠地防止上述歪倒，例如设定为3mm～5mm。

在滑动体51形成有槽53，并且如图7、图9所述，在中央部清洗时、周缘侧清洗时之各清洗时，在滑动体51被按压到晶片W时，该槽53被设定为不消失而是残留的状态。接着，对采用该设定的理由进行说明。通过这样形成槽53不消失的状态，由槽53和滑动面54的端部形成角部。在中央部清洗时、周缘侧清洗时之各清洗时，该角部以削除附着于晶片W的背面的异物的方式进行动作。即，除了来自滑动面54的下方的按压力以外，由角部产生的来自侧方的压力施加于该异物，因此与未形成槽53的情况相比，清洗效果得到提高。另外，该槽53的底位于滑动体51。即，该槽53的底未到达滑动体51的下表面，由此，滑动体51不是在旋转方向上分离的结构。因此，滑动体51对于在旋转方向上施加的应力具有足够的强度，能够防止上述的歪倒。

另外，通过像这样在中央部清洗时、周缘侧清洗时之各自的按压时构成槽53残留的状态，在旋转的滑动体51与晶片W的下表面相对移动时，能够将滑动体51的外部的清洗液经由槽53取入到滑动体51的内部。作为该被取入的清洗液，分别包括其是从清洗液喷嘴36释放的清洗液的情况、其是附着于晶片W的下表面的清洗液的液滴的情况。

通过像这样取入清洗液，清洗液容易遍及整个滑动体51，因此在晶片W的下表面与各滑动面54之间能够更可靠地形成液膜，抑制晶片W的下表面与各滑动面54的直接接触。因而，能够更可靠地抑制由摩擦引起的滑动体51的撕裂而导致产生颗粒。另外，槽53的数量不限于图示的例子，可以是任意的数量，可以考虑上述的旋转方向上的滑动体51的强度、滑动体51的清洗性、从滑动体51的外部向内部取入清洗液的效果，在图示的例子的基础上作出适当变更。

另外，在底板45上，在被滑动体51包围的区域没有设置其他滑动体，不过，假定在该被滑动体51包围的区域设置有其他滑动体，该其他滑动体的滑动面(上表面)比滑动面54高，且该滑动体在该滑动体的旋转方向上分离。在旋转方向上分离是指，形成于滑动体的槽以从滑动体的上端到达下端的方式形成。在这样的情况下，与滑动体51相比，该其他滑动体容易与晶片W接触，如针对槽53的说明中所述那样，由于容易歪倒而有可能产生颗粒。即，若设置了该其他滑动体，则无法充分发挥上述的滑动体51的关于颗粒的抑制的效果，因此，不采用设置该其他滑动体(滑动部)的结构。

接着，进行与清洗处理的形态相关的说明。如上所述，在中央部清洗时和周缘侧清洗时之中，仅在中央部清洗时从清洗液喷嘴36释放清洗液。对其理由进行说明。在使任意形状的滑动体相对于晶片W的下表面相对移动而进行清洗时，如前文说明，为了抑制从该滑动体产生颗粒，最好在滑动体与晶片W的下表面的界面处存在液膜。在要可靠地形成存在该液膜的状态时，可以考虑使来自清洗液喷嘴36的清洗液的释放量比较大。但是，在如本实施方式的晶片W那样下表面的疏水性比较高的情况下，从清洗液喷嘴36释放的清洗液会由于着落时的冲击和该疏水性而从晶片W的下表面飞溅。

假设在周缘侧清洗时从清洗液喷嘴36以比较大的释放量向晶片W的下表面的周缘侧区域R1释放清洗液，则在晶片W的较靠近周端的位置，较多的清洗液溅出而飞散。像这样从靠近周端的位置飞散的清洗液的液滴碰到杯状体31的内周面而弹回，由此可能附着于晶片W的上表面和下表面而成为颗粒。因而，存在无法充分降低晶片W的下表面的颗粒的情况。为了防止该情况，如上所述，在周缘侧清洗时不从清洗液喷嘴36释放清洗液，关于滑动体51与周缘侧区域R1之间的液膜，则是利用在中心部清洗结束时包含于滑动体51的清洗液来形成。

另外，以下，参照图11、图12的平面示意图，对周缘侧清洗时的滑动体51的转速和晶片W的转速的例子进行说明。在这些图11、图12中，将进行清洗的周缘侧区域R1中的配置了滑动体51的区域之中的最靠近晶片W的中心的位置、最远离晶片W的中心的位置分别表示为内周位置P1、外周位置P2。而且，在图中利用以内周位置P1和外周位置P2为基点的矢量成分，表示该内周位置P1、P2处的由旋转引起的滑动体51的速度的大小、晶片W的速度的大小。该矢量成分沿着下述切线(未图示)，该切线是在通过内周位置P1和外周位置P2的直线与晶片W的周端相交得到的交点处作出的。

将滑动体51的旋转速度的矢量成分、晶片W的旋转速度的矢量成分分别表示为箭头V1、V2。并且，将内周位置P1、外周位置P2处的滑动体51与晶片W的相对速度，表示为长度相当于箭头V1、V2的顶端彼此的间隔的双箭头V3。因而，相对速度越大，双箭头V3越长。另外，在图中，将滑动体51的旋转方向、晶片W的旋转方向也分别表示为箭头V4、V5。

图11表示将滑动体51的转速设定为300rpm、将晶片W的转速设定为50rpm来进行周缘侧清洗的例子，令该设定为旋转设定1。图12表示将滑动体51的转速设定为500rpm、将晶片W的转速设定为30rpm来进行周缘侧清洗的例子，令该设定为旋转设定2。对采用旋转设定1、2分别处理后的晶片W的状态进行比较可知，在采用旋转设定2进行处理后，周缘侧区域R1的内周缘及其附近的颗粒少。可以认为其原因是，如图所示，旋转设定2在内周位置P1处的相对速度(双箭头V3)较大。另外，在旋转设定1、2之间，对于周缘侧区域的外周缘均充分地抑制了颗粒的残留，其残留状态没有观察到较大的差异。

在旋转设定1中，内周位置P1处的滑动体51的旋转速度、晶片W的旋转速度分别为1021mm/秒、434.6mm/秒，外周位置P2处的滑动体51的旋转速度、晶片W的旋转速度分别为1021mm/秒、775.6mm/秒。因而，内周位置P1处的相对速度为1021-434.6＝586.4mm/秒，外周位置P2处的相对速度为1021+775＝1796mm/秒。在旋转设定2中，内周位置P1处的滑动体51的旋转速度、晶片W的旋转速度分别为1701mm/秒、260mm/秒，外周位置P2处的滑动体51的旋转速度、晶片W的旋转速度分别为1701mm/秒、465mm/秒。因而，内周位置P1处的相对速度为1701-260＝1441mm/秒，外周位置P2处的相对速度为1701+465＝2166mm/秒。

在相对速度比较大的情况下，能够防止在滑动体51与晶片W的下表面的界面处构成液膜的清洗液由于滑动体51与晶片W的下表面的相对移动而从该间隙被刮出而成为消失的状态。详细而言，由于相对移动速度大，清洗液在该间隙中大幅地流动，但滑动体51会迅速地从这样产生流动的部位移动到其他部位。因此，能够一边在滑动体51与晶片W的下表面之间维持液膜，一边滑动体51继续移动。通过维持该液膜，能够在保持滑动体51与晶片W的下表面之间的摩擦力比较低的状态下进行清洗，因此难以发生上述的滑动体51的撕裂。

因此可以认为，在采用旋转设定2进行处理的情况下得到这样的结果，即，周缘侧区域R1的外周缘附近的颗粒的残留与采用旋转设定1进行处理的情况同样地得到抑制，并且在周缘侧区域R1的内周缘附近也抑制了颗粒的残留。另外，在旋转设定2中，在周缘侧区域R1的内周缘附近，清洗液如上述那样大幅流动，因此能够在该内周缘附近得到较高的清洗效果。

如上所述，与旋转设定1(滑动体51：300rpm、晶片W的转速：50rpm)相比，旋转设定2(滑动体51：500rpm、晶片W的转速：30rpm)得到较好的结果。因此，滑动体51的转速/晶片W的转速例如优选为大于300rpm/50rpm＝6，更优选为500rpm/30rpm＝16.66以上。另外，若晶片W的转速过小，则清洗处理所需的时间变长，从而有可能导致装置的生产率降低，因此，晶片W的转速优选设定为30rpm以上。

另外，在要使内周位置P1和外周位置P2处的相对速度比较高时，也可以考虑使晶片W的转速大于滑动体51的转速。但是，假设滑动体51的转速为0rpm的情况。在该情况下，在观察周缘侧区域R1的径向上的各点时，由于滑动体51为圆环体，由此在晶片W旋转1圈的期间，各点通过滑动体51所在的区域的次数不同。具体而言，在周缘侧区域R1的内周缘上的点、外周缘上的点通过1次滑动体51的期间，除此以外的点通过2次。因而，若反复进行晶片W的旋转，则在周缘侧区域R1的各部分，与滑动体51接触而被清洗的次数产生较大的偏差(不均)。

为了容易理解，假设滑动体51的转速为0rpm进行了说明，但即使在比0rpm稍大的情况下，同样清洗次数的偏差也不能充分消除，在清洗处理为比较短的时间的情况下，有可能产生清洗性不充分的部位。由于提高直径比晶片W小的滑动体51的转速能够抑制该清洗次数的偏差，因此，出于抑制该偏差、且使上述相对速度比较大来抑制颗粒的产生之目的，优选使滑动体51的转速大于晶片W的转速。

回到图1，对基片清洗装置1的结构进行说明。基片清洗装置1包括控制部10。控制部10由计算机构成，具有程序。在程序中编入有步骤组，以使得能够实施基片清洗装置1中的一连串动作。并且，利用该程序，控制部10向基片清洗装置1的各部输出控制信号，控制该各部的动作。具体而言，控制利用旋转台41进行的滑动体51的转动、由升降机构42决定的滑动体51的高度、由旋转机构43决定的滑动体51的转速、由旋转卡盘13决定的晶片W的转速、由升降机构17进行的支承销16的升降、通过阀38的开闭进行的清洗液向清洗液喷嘴36的供给和切断等动作。上述程序存储在例如光盘、硬盘、存储卡、DVD等存储介质中，并安装在控制部10中。

另外，在进行中央部清洗时，由旋转台41和移动机构33构成使滑动体51相对于晶片W在水平方向(即，横向)上移动的相对移动机构，在进行周缘侧清洗时，由上述旋转机构15构成该相对移动机构。另外，在进行中央部清洗时，由前后移动卡盘35构成晶片W的保持部，在进行周缘侧清洗时，由旋转卡盘13构成晶片W的保持部。

接着，按顺序对基片清洗装置1中的处理动作进行说明。在杯状体31位于基准位置的状态下，利用输送机构将晶片W输送到杯状体31的开口上。然后，经由支承销16将晶片W的周缘侧区域R1中的一部分保持在移动到比旋转卡盘13高的位置的前后移动卡盘35。接着，杯状体31向后方移动，晶片W的中央部位于比圆筒部21靠后方的位置。

从清洗液喷嘴36向晶片W的下表面中央部释放清洗液，并且滑动体51上升，被按压到比晶片W的下表面的中心靠前方侧的位置。然后，滑动体51旋转并且向左右转动移动，另一方面杯状体31向前方移动，如图6、图7中说明的那样，晶片W的下表面中央部被清洗。

当滑动体51到达比晶片W的中心靠后方的规定的位置时，滑动体51的转动、旋转停止，该滑动体51下降而从晶片W离开。并且，停止从清洗液喷嘴36释放清洗液。通过与被供给了清洗液的晶片W的下表面接触，在像这样从晶片W离开时，滑动体51成为吸收了清洗液的状态。

接着，杯状体31朝向基准位置向前方移动，另一方面，从圆筒部21释放气体，并向与杯状体31一起移动中的晶片W的下表面供给，使进行了清洗的晶片W的下表面的中央部干燥。到达基准位置的杯状体31下降，前后移动卡盘35位于比旋转卡盘13靠下方处，晶片W的下表面中央部被旋转卡盘13吸附保持，另一方面前后移动卡盘35对晶片W的保持被解除。

接着，位于晶片W的周缘侧区域R1的下方的滑动体51上升，被按压于周缘侧区域R1，清洗液从滑动体51渗出到该周缘侧区域R1。接着，通过旋转卡盘13的旋转而使晶片W旋转，并且滑动体51旋转，晶片W、滑动体51分别成为图12中说明的旋转设定2的转速，由此如图8、图9中说明的那样，周缘侧区域R1被清洗。

之后，滑动体51的旋转停止，滑动体51下降而从晶片W离开。晶片W继续旋转而从周缘侧区域R1将清洗液甩掉，之后晶片W停止旋转。然后，晶片W经由支承销16被交接到输送机构，并从基片清洗装置1送出。通过进行这样的一连串处理，在从基片清洗装置1送出的清洗处理结束的晶片W的下表面，颗粒的残留得到抑制。

另外，将进行中央部清洗的期间设为T1，将进行周缘侧清洗的期间设为T2。期间T1、T2分别从旋转的滑动体51成为与晶片W接触的状态起，至该状态被解除为止(即至滑动体51的旋转停止，或者滑动体51离开晶片W为止)。关于该期间T1、T2中的被压扁了的滑动体51的高度，除了上述的图7、图9之外，还参照图13、图14进行说明。

在图7、图9中，表示了在中央部清洗时被压扁了的滑动体51的高度(第一高度)H3与在周缘侧清洗时被压扁了的滑动体51的高度(第二高度)H4相同的情况，但也可以彼此不同。例如，如图13所示，使周缘侧清洗时滑动体51被压扁的量较小，使得中央部清洗时的滑动体51的高度H3＜周缘侧清洗时的滑动体51的高度H4。

当像这样使H3＜H4时，由于在周缘侧清洗时滑动体51的气孔较大，因此在中央部清洗时向周缘侧区域R1飞散而残留的清洗液的液滴在接触到周缘侧清洗中的滑动体51时容易被该滑动体51吸收。通过像这样吸收清洗液，能够防止用于形成滑动体51与周缘侧区域R1的界面处的液膜所需的清洗液不足的情况。即，通过在清洗周缘侧区域R1时更可靠地抑制颗粒的产生，能够更可靠地抑制该颗粒残留于清洗处理后的晶片W。

另一方面，也可以如图14所示，使周缘侧清洗时的滑动体51被压扁的量较大，使得中央部清洗时的滑动体51的高度H3＞周缘侧清洗时的滑动体51的高度H4。在该情况下，在中央部清洗时由于压扁量比较小、滑动体51的气孔大，于是滑动体51对清洗液具有比较高的吸液性。另一方面，在周缘侧清洗时压扁量比较大，从而能够将中央部清洗时吸收的清洗液充分地供给到周缘侧区域R1，因此能够更可靠地抑制颗粒残留于处理后的晶片W。可以根据在中央部清洗时向周缘侧区域R1飞散而残留的清洗液的液滴的量等，在清洗处理前由作业人员适当决定是采用H3＞H4还是H3＜H4。

另外，说明了将滑动体51按压于晶片W后使其旋转的情况，但也可以使滑动体51旋转后再按压于晶片W。并且，在期间T1、T2开始时，在使支承滑动体51的底板45上升而将旋转的滑动体51向晶片W按压时，至底板45位于规定的高度之前，滑动体51的被压扁的量发生变化。同样地，在期间T1、T2结束时使旋转的滑动体51下降的情况下，该下降中的滑动体51的被压扁的量也发生变化。即，期间T1中的H3、期间T2中的H4各自是能够变化的值，例如能够在对H3、H4的最小值彼此进行比较的情况下，如上述那样设定为H3＞H4或H3＜H4。

另外，关于周缘侧清洗时的被压扁了的滑动体51的高度H4，也可以使其在进行周缘侧清洗的期间T2中变化。具体而言，将期间T2以任意的时间点(设为时间点t1)进行分割，将时间点t1以前作为前期期间，将时间点t1以后的期间作为后期期间。在前期期间中，如图13所示，使周缘侧清洗时的高度H4大于中央部清洗时的高度H3。由此，如上述那样提高滑动体51对附着于周缘侧区域R1的液滴的吸收性。

接着，在后期期间中，如图14所示，使滑动体51的高度H4小于中央部清洗时的高度H3。即，使被压扁的高度比中央部清洗时大。由此，清洗液从滑动体51向晶片W的下表面渗出而实现补充，防止在滑动体51与晶片W的界面处形成液膜的清洗液不足。

另外，在期间T2开始时底板45去往所设定的高度的中途，有时在期间T2刚开始后滑动体51的高度H4就随着时间的经过而变小。上述的前期期间和后期期间并不是表示这样的按压开始初期的滑动体51的高度变动的期间，例如，将上述的期间T2分割为前期期间、后期期间的时间点t1是从期间T2开始起1秒之后的时间点。

也可以是，通过在前期期间、后期期间的各期间中使底板45静止于彼此不同的高度，从而使被压扁了的滑动体51的高度H4如上述那样变化。或者也可以是，通过使底板45从前期期间开始至后期期间结束为止持续上升，而使被压扁了的滑动体51的高度H4如上述那样变化。另外，说明了在前期期间中使得中央部清洗时的滑动体51的高度H3＜周缘侧清洗时的滑动体51的高度H4的情况，但也可以是H3＝H4。即，也可以是，在周缘侧清洗时的初始，与中央部清洗时同样地按压滑动体51，在晶片W的下表面的清洗液存在不足趋势的接近处理结束时，增大压扁量来补充清洗液。

另外，也可以设置液滴移动机构，其用于在中央部清洗结束后使残留于晶片W的下表面的中央部的清洗液的液滴R2向周缘侧区域R1移动，从而在进行周缘侧清洗时由滑动体51吸收该液滴R2来可靠地形成滑动体51与周缘侧区域R1的界面处的液膜。利用该液滴移动机构实现的液滴的移动，在中央部清洗后的晶片W的下表面中央部被旋转卡盘13保持之前进行。

作为该液滴移动机构之一例，如图15所示可举出由气体喷嘴61构成的情况。该气体喷嘴61朝向中央部清洗结束的位置处的晶片W的下表面的中央部释放气体。更具体而言，以朝向斜上方释放气体使之从晶片W的中央部侧去往周缘部侧的方式设置气体喷嘴61。通过该气体的作用，在中央部清洗后残留于晶片W的下表面中央部的清洗液的液滴R2向周缘侧区域R1移动，在周缘侧清洗时滑动体51吸收该液滴R2。

另外，在将上述的晶片W的保持从前后移动卡盘35向旋转卡盘13切换时，例如能够代替从圆筒部21向晶片W的下表面中央部供给气体，而从该气体喷嘴61释放气体。即，也可以不进行该保持的切换中的来自圆筒部21的气体供给。

另外，作为液滴移动机构，也可以是保持晶片W的周端部并使其旋转的机构，通过杯状体31的移动，在前后移动卡盘35与该液滴移动机构之间进行晶片W的交接。于是，可以利用液滴移动机构带来的晶片W旋转的离心力，使晶片W的下表面中央部的液滴R2向周缘侧区域R1移动。

另外，对周缘侧清洗时不从清洗液喷嘴36释放清洗液(＝不向清洗液喷嘴36进行清洗液的供给)进行了说明，但在周缘侧清洗时也可以从清洗液喷嘴36向周缘侧区域R1释放清洗液。这样，清洗液喷嘴36成为能够向周缘侧区域R1释放清洗液的配置。但是，为了防止上述因液体从晶片W溅起而导致的颗粒的增加，优选设定为，周缘侧清洗时向清洗液喷嘴36供给的清洗液的第二流量(mL/秒)＜中央部清洗时向清洗液喷嘴36供给的清洗液的第一流量(mL/秒)。于是，如上所述，第二流量可以是0，也可以是0以外的流量。

也可以调节阀38的开度，以使得能够像这样在中央部清洗时和周缘侧清洗时变更向清洗液喷嘴36供给的清洗液的流量(即从清洗液喷嘴36释放的流量)。即，也可以使阀38为流量调节机构。另外，也可以在阀38之外另外设置流量调节机构。另外，在设置有多个清洗液喷嘴36的情况下，向该多个清洗液喷嘴36各自供给的合计清洗液的流量满足周缘侧清洗时＜中央部清洗时。

另外，说明了在周缘侧清洗时不进行由旋转台41带来的滑动体51的转动动作的情况，但也可以进行该转动动作，使滑动体51以在靠近晶片W的中心的位置和靠近周端的位置往复移动的方式在晶片W的下表面移动。而且，说明了在晶片W的周端不进行滑动体51的滑动的情况，但在该周端也可以进行滑动。

另外，例如在清洗处理部4中的轴44、底板45设置流路，使该流路的下游端在滑动体51开口。从该流路的上游侧供给清洗液，通过该清洗液的供给将滑动体51浸润。因而，清洗液不限于通过从清洗液喷嘴36释放而经由晶片W的下表面被供给到滑动体51并被该滑动体51吸收。进而，关于基片，对在下表面形成有具有上述接触角的疏水膜的基片进行清洗是特别有效的，但并不限定于对具有这样的接触角的基片进行处理。

而且，在中央部清洗时也可以代替使旋转的滑动体51相对于晶片W向左右移动，而是使旋转的滑动体51的左右的位置固定，通过晶片W向左右移动来进行清洗处理。只要使移动机构33构成为能够使杯状体31除了前后之外也能够向左右移动以能够进行这样的移动即可。而且，也可以代替在周缘侧清洗时使晶片W相对于旋转的滑动体51旋转，而是设置使清洗处理部4沿着晶片W的周向旋转的机构，使滑动体51沿着晶片W的周向移动。即，只要使得在中央部清洗时和周缘侧清洗时，晶片W和滑动体51中的一方相对于另一方进行相对移动即可。另外，也可以使装置构成为，在中央部清洗时能够由前后移动卡盘35在保持着晶片W的状态下旋转，使得与周缘侧清洗时同样地，通过晶片W的旋转来进行滑动体51与晶片W的相对移动。因而，中央部清洗时的清洗不限于通过滑动体51的转动动作来进行。

另外，也可以代替利用升降机构42使滑动体51相对于晶片W升降而被按压于晶片W，而是使晶片W升降而将其按压于滑动体51。在中央部清洗时利用移动机构33即可，设置使旋转卡盘13和旋转机构15升降的升降机构，在周缘侧清洗时利用该升降机构使晶片W升降即可。即，关于晶片W与滑动体51的按压，也可以使晶片W和滑动体51中的任一者升降。

说明书公开的实施方式在所有方面都只是例示而不应当认为是限制性的。上述的实施方式可以在不脱离所附的权利要求书及其主旨的情况下以各种方式进行省略、替换、变更及组合。

Claims (17)

1.一种基片清洗装置，其特征在于，包括：

保持基片的保持部；

俯视下的圆环体，其是具有连续气泡的弹性体；

槽，其以俯视下将所述圆环体的内外连接的方式呈辐射状地形成于该圆环体的上部，且所述槽的底位于该圆环体；

滑动面，其是所述圆环体中的各所述槽之间的上表面，能够相对于所述基片的下表面滑动；

支承体，其支承所述圆环体，并且使该圆环体在周向上旋转；

使所述圆环体吸收清洗液的清洗液供给部；以及

相对移动机构，其使所述基片和所述支承体在横向上相对移动，以使得在旋转且已吸液的所述圆环体的所述滑动面按压到所述基片的下表面的状态下，使该滑动面与该下表面相对地滑动。

2.根据权利要求1所述的基片清洗装置，其特征在于：

各所述槽的深度大于所述滑动面与所述基片的下表面相对滑动中的所述圆环体被压扁的高度。

3.根据权利要求1所述的基片清洗装置，其特征在于：

所述基片为圆形，所述圆环体的外径比所述基片的半径小。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的基片清洗装置，其特征在于：

所述保持部：

能够对该基片的下表面的所述中央部的外侧区域进行保持，以进行通过所述圆环体与所述基片的下表面的中央部的所述相对移动而实现的第一清洗，并且，

能够对所述基片的下表面的中央部进行保持，以进行所述第一清洗后的通过所述圆环体与所述外侧区域的所述相对移动而实现的第二清洗，

所述相对移动机构包括基片旋转机构，所述基片旋转机构以在所述第二清洗中所述圆环体的转速大于所述基片的转速的方式，与该圆环体的旋转一起使保持于所述保持部的所述基片旋转。

5.根据权利要求1～3中任一项所述的基片清洗装置，其特征在于：

所述保持部：

能够对该基片的下表面的所述中央部的外侧区域进行保持，以进行通过所述圆环体与所述基片的下表面的中央部的所述相对移动而实现的第一清洗，并且，

能够对所述基片的下表面的中央部进行保持，以进行所述第一清洗后的通过所述圆环体与所述外侧区域的所述相对移动而实现的第二清洗，

所述清洗液供给部包括：

向所述基片的下表面释放所述清洗液的清洗液喷嘴；和

流量调节机构，其使在进行所述第一清洗的期间向所述清洗液喷嘴供给的所述清洗液的流量为第一流量，使在进行所述第二清洗的期间向所述清洗液喷嘴供给的所述清洗液的流量为比所述第一流量小的第二流量。

6.根据权利要求1～3中任一项所述的基片清洗装置，其特征在于：

所述保持部：

能够对该基片的下表面的所述中央部的外侧区域进行保持，以进行通过所述圆环体与所述基片的下表面的中央部的所述相对移动而实现的第一清洗，并且，

能够对所述基片的下表面的中央部进行保持，以进行所述第一清洗后的通过所述圆环体与所述外侧区域的所述相对移动而实现的第二清洗，

所述基片清洗装置设置有液滴移动机构，其在所述保持部保持进行了所述第一清洗后的所述基片的下表面的中央部之前，使残留于该基片的下表面的中央部的所述清洗液的液滴移动到所述外侧区域。

7.根据权利要求1～3中任一项所述的基片清洗装置，其特征在于：

所述保持部：

能够对该基片的下表面的所述中央部的外侧区域进行保持，以进行通过所述圆环体与所述基片的下表面的中央部的所述相对移动而实现的第一清洗，并且，

能够对所述基片的下表面的中央部进行保持，以进行所述第一清洗后的通过所述圆环体与所述外侧区域的所述相对移动而实现的第二清洗，

所述基片清洗装置包括升降机构，所述升降机构能够使所述旋转体相对于所述基片升降，以使得在进行所述第二清洗的期间被压扁了的所述圆环体的第二高度，大于在进行所述第一清洗的期间被压扁了的所述圆环体的第一高度。

8.根据权利要求7所述的基片清洗装置，其特征在于：

在进行所述第二清洗的期间，

所述升降机构从所述第二高度比所述第一高度大的状态，变更为所述第二高度比所述第一高度小的状态。

9.根据权利要求1～3中任一项所述的基片清洗装置，其特征在于：

所述保持部：

对该基片的下表面的所述中央部的外侧区域进行保持，以进行通过所述圆环体与所述基片的下表面的中央部的所述相对移动而实现的第一清洗，并且，

对所述基片的下表面的中央部进行保持，以进行所述第一清洗后的通过所述圆环体与所述外侧区域的所述相对移动而实现的第二清洗，

所述基片清洗装置包括升降机构，所述升降机构能够使所述旋转体相对于所述基片升降，以使得在进行所述第一清洗的期间被压扁了的所述圆环体的第一高度，大于在进行所述第二清洗的期间被压扁了的所述圆环体的第二高度。

10.一种基片清洗方法，其使用俯视下的圆环体清洗基片的下表面，所述基片清洗方法的特征在于：

所述圆环体是具有连续气泡的弹性体，

在该圆环体设置有：槽，其以俯视下将所述圆环体的内外连接的方式呈辐射状地形成于该圆环体的上部，且所述槽的底位于该圆环体；和滑动面，其是所述圆环体中的各所述槽之间的上表面，且能够相对于所述基片的下表面滑动，

所述基片清洗方法包括：

使支承所述圆环体的支承体旋转，使该圆环体在周向上旋转的步骤；

利用保持部保持所述基片的保持步骤；

利用清洗液供给部使所述圆环体吸收清洗液的吸液步骤；

滑动步骤，其中，利用相对移动机构在旋转且已吸液的所述圆环体的所述滑动面按压到所述基片的下表面的状态下，使所述基片和所述旋转体在横向上相对移动，使得该滑动面与该下表面相对地滑动；以及

在所述滑动步骤中，使所述圆环体被压扁的高度小于各所述槽的深度的步骤。

11.根据权利要求10所述的基片清洗方法，其特征在于：

所述基片为圆形，所述圆环体的外径比所述基片的半径小。

12.根据权利要求10所述的基片清洗方法，其特征在于：

所述保持步骤包括：

对该基片的下表面的所述中央部的外侧区域进行保持，以进行通过所述圆环体与所述基片的下表面的中央部的所述相对移动而实现的第一清洗的步骤；和

对所述基片的下表面的中央部进行保持，以进行所述第一清洗后的通过所述圆环体与所述外侧区域的所述相对移动而实现的第二清洗的步骤，

所述滑动步骤包括：利用所述相对移动机构中包含的基片旋转机构，以在所述第二清洗中所述圆环体的转速大于所述基片的转速的方式，与该圆环体的旋转一起使保持于该第二保持部的所述基片旋转的步骤。

13.根据权利要求10所述的基片清洗方法，其特征在于：

所述保持步骤包括：

对该基片的下表面的所述中央部的外侧区域进行保持，以进行通过所述圆环体与所述基片的下表面的中央部的所述相对移动而实现的第一清洗的步骤；和

对所述基片的下表面的中央部进行保持，以进行所述第一清洗后的通过所述圆环体与所述外侧区域的所述相对移动而实现的第二清洗的步骤，

所述吸液步骤包括：

从构成所述清洗液供给部的清洗液喷嘴向所述基片的下表面释放所述清洗液的步骤；和

利用构成所述清洗液供给部的流量调节机构，使在进行所述第一清洗的期间向所述清洗液喷嘴供给的所述清洗液的流量为第一流量，使在进行所述第二清洗的期间向所述清洗液喷嘴供给的所述清洗液的流量为比所述第一流量小的第二流量的步骤。

14.根据权利要求10所述的基片清洗方法，其特征在于：

所述保持步骤包括：

对该基片的下表面的所述中央部的外侧区域进行保持，以进行通过所述圆环体与所述基片的下表面的中央部的所述相对移动而实现的第一清洗的步骤；和

对所述基片的下表面的中央部进行保持，以进行所述第一清洗后的通过所述圆环体与所述外侧区域的所述相对移动而实现的第二清洗的步骤，

所述基片清洗方法还包括：

利用液滴移动机构，在所述第二保持部保持进行了所述第一清洗后的所述基片的下表面的中央部之前，使残留于该基片的下表面的中央部的所述清洗液的液滴移动到所述外侧区域的步骤。

15.根据权利要求10所述的基片清洗方法，其特征在于：

所述保持步骤包括：

对该基片的下表面的所述中央部的外侧区域进行保持，以进行通过所述圆环体与所述基片的下表面的中央部的所述相对移动而实现的第一清洗的步骤；和

对所述基片的下表面的中央部进行保持，以进行所述第一清洗后的通过所述圆环体与所述外侧区域的所述相对移动而实现的第二清洗的步骤，

所述基片清洗方法还包括：

利用升降机构使所述旋转体相对于所述基片升降，以使得在进行所述第二清洗的期间被压扁了的所述圆环体的第二高度，大于在进行所述第一清洗的期间被压扁了的所述圆环体的第一高度的步骤。

16.根据权利要求15所述的基片清洗方法，其特征在于，还包括：

在进行所述第二清洗的期间，所述升降机构从所述第二高度比所述第一高度大的状态，变更为所述第二高度比所述第一高度小的状态的步骤。

17.根据权利要求10所述的基片清洗方法，其特征在于：

所述保持步骤包括：

对该基片的下表面的所述中央部的外侧区域进行保持，以进行通过所述圆环体与所述基片的下表面的中央部的所述相对移动而实现的第一清洗的步骤；和

对所述基片的下表面的中央部进行保持，以进行所述第一清洗后的通过所述圆环体与所述外侧区域的所述相对移动而实现的第二清洗的步骤，

所述基片清洗方法还包括：

利用升降机构使所述旋转体相对于所述基片升降，以使得在进行所述第一清洗的期间被压扁了的所述圆环体的第一高度，大于在进行所述第二清洗的期间被压扁了的所述圆环体的第二高度。