CN115505390A - 一种高选择性锗蚀刻液 - Google Patents

一种高选择性锗蚀刻液 Download PDF

Info

Publication number
CN115505390A
CN115505390A CN202211145213.4A CN202211145213A CN115505390A CN 115505390 A CN115505390 A CN 115505390A CN 202211145213 A CN202211145213 A CN 202211145213A CN 115505390 A CN115505390 A CN 115505390A
Authority
CN
China
Prior art keywords
etching
germanium
etching solution
wafer
rate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202211145213.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN115505390B (zh
Inventor
彭浩
尹印
叶瑞
倪高国
余迪
万杨阳
贺兆波
张庭
王亮
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hubei Xingfu Electronic Materials Co ltd
Original Assignee
Hubei Xingfu Electronic Materials Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hubei Xingfu Electronic Materials Co ltd filed Critical Hubei Xingfu Electronic Materials Co ltd
Priority to CN202211145213.4A priority Critical patent/CN115505390B/zh
Publication of CN115505390A publication Critical patent/CN115505390A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN115505390B publication Critical patent/CN115505390B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30604—Chemical etching
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

本发明属于集成电路电子化学品领域，具体涉及一种高选择性锗蚀刻液。所述高选择性锗蚀刻液主要用于相对硅选择性蚀刻锗，组成包括氧化剂、氟离子源、添加剂和超纯水。该蚀刻液利用氧化剂将锗被氧化形成氧化物；锗的氧化物通过与氟离子源络合溶解而被去除；利用添加剂调节锗的蚀刻速率，使蚀刻液对锗相对于硅具有更快的蚀刻速率即对锗有更高的选择性。

Description

一种高选择性锗蚀刻液
技术领域
本发明属于电子化学品领域，具体涉及一种高选择性的锗蚀刻液。
背景技术
近年来，随着集成电路对芯片和晶体管的需求越来越微小型化和集成化，半导体硅的电子运动速率几乎达到了极限。研究表明，芯片的储存及运算速率与电子在晶体管中的移动速率呈正相关，且电子在硅半导体中的移动速率略有上升，芯片的存储及运算速率就能大幅度提高。总所周知，在半导体领域中，金属锗具有比硅更高的载流子和空穴迁移速率，因此，与锗有关的纳米/纳米微电子器件的开发及应用受到了研究者们的广泛关注。
锗衬底的蚀刻主要采用干法蚀刻和湿法蚀刻，虽然干法蚀刻具有较好的线宽控制能力，但其在蚀刻过程中易产生缺陷且成本过高、速率较慢；湿法蚀刻具有低成本且较高的选择性优势。
发明内容
本发明针对现有半导体集成电路工艺中锗的蚀刻选择性难以控制的问题，目的在于提供一种高选择性的锗蚀刻液及其制备方法。
为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案为：
一种高选择性锗蚀刻液，蚀刻液成分包括0.4~15wt%的氧化剂、0.1~15wt%的氟离子源和0.1~4wt%的添加剂，其余的水。
一种高选择性锗蚀刻液，所述的高选择性锗蚀刻液，所述的氧化剂为双氧水，优选双氧水。氧化剂将锗和硅氧化生成氧化物。
一种高选择性锗蚀刻液，所述的氟离子源为2-氟乙酰乙酸盐、三乙胺三(氟化氢)、吡啶氢氟酸盐、六氟硅酸铵、三氟甲磺酸、三氟乙酸酐和氟化铵中的至少一种。氟离子源用于在蚀刻过程中将锗和硅的氧化物通过络合去除。
一种高选择性锗蚀刻液，所述的添加剂为醋酸、氨基酸类（如甘氨酸和谷氨酰胺等）、马来酸（顺丁烯二酸）中的一种或多种。添加剂的作用是能调节蚀刻液的pH值，避免其他氧化剂如双氧水等的分解和挥发，从而保证蚀刻液配方的稳定性；与此同时还可以抑制硅的蚀刻和促进锗的蚀刻，提高了锗蚀刻的选择性。
一种高选择性锗蚀刻液，所述的制备方法在于：通过冰水降温法将容器内按比例配制混匀的锗蚀刻液冷却至室温，避免混合过程中放热使各组分挥发或分解，确保各组分含量稳定；将混合均匀的锗蚀刻液导入蚀刻机台，设置蚀刻液温度为20~30℃，待蚀刻的锗结构片投入蚀刻液中，与此同时，计时蚀刻时间3~5min，蚀刻液循环流量3~15L/min，保证蚀刻液的温度恒定，避免温度的变化对蚀刻效果造成影响。
一种高选择性锗蚀刻液，所述的所有参与配制锗蚀刻液的容器材质均为PTFE或PFA中的任意一种，金属析出量≤30w/10-9。
为实现上述发明目的，本发明采用的蚀刻方法包括以下步骤：
S1：配制权力要求1中任意一种蚀刻液，所述锗蚀刻液包含氧化剂、氟离子源、添加剂和超纯水，通过冰水降温法将容器内按比例配制混匀的锗蚀刻液冷却至室温，再导入旋转喷淋蚀刻机台的储罐内，设置蚀刻液温度为20~40℃。
S2：将一片待蚀刻的晶圆平放置于蚀刻区域的平台内，通过平台一面通气装置产生高压气流实现晶圆悬浮于平台表面，对晶圆进行非接触式且全方位的蚀刻和清洗。所述的高压气流是指N2，气流压力1~10bar，耗气量为110L/min~150 L/min。
S3：旋转喷淋装置设置蚀刻液的旋喷流量为800~1200mL/min，转速400~800r/min，蚀刻时间3~5min。待蚀刻完成后启动纯水喷淋系统，对蚀刻后的晶圆进行清洗处理，设置纯水的旋喷流量为600~800mL/min，转速为400~600r/min，清洗时间为40s。清洗完成后，取出晶圆，将晶圆置于热快速干燥装置中进行清洗干燥处理。
一种高选择性锗蚀刻液，其特征在于：步骤S3中热快速干燥装置为，先通过50℃超纯水清洗，再利用N2将晶圆吹干。
本发明的有益效果
（1）本发明配方简单，但能实现锗的高选择性蚀刻。
（2）湿法蚀刻中，锗或硅先由氧化剂将其氧化，再由氟离子源将其氧化物溶解实现蚀刻锗或硅的目的，但是在单纯的氧化剂-氟离子源体系中，氧化剂易分解，缩短了蚀刻液的蚀刻寿命。在高选择性锗蚀刻液中，当氧化剂浓度较低时加入添加剂，可以通过添加剂电离出的H+达到稳定氧化剂性能的效果，保证了蚀刻液配方中各组分含量配比的稳定性，并且延长蚀刻液的蚀刻寿命，调节蚀刻液的蚀刻速率。与此同时，在蚀刻液中加入添加剂，可以起到抑制硅的蚀刻速率和提高锗的蚀刻速率的作用，从而提高了锗的蚀刻选择性。
（3）针对半导体工艺中的需求，本发明可以有效地保护硅基底；通过调控蚀刻液中各组分含量，有利于实现锗纳米线的制备或图案化设计。
具体实施方式
为了更好地理解本发明，下面结合实施例进一步阐明本发明的内容，但本发明的内容不仅仅局限于下面的实施例。
实施例1
一种高选择性的锗蚀刻液，通过如下方法制备得到：
S1：将蚀刻液组分0.5%的双氧水，其余的水，在容器内按比例配制混匀的过程中采用冰水降温法控制容器内温度为5℃以内，并进行搅拌混匀，混匀后冷却至室温，并控制蚀刻液温度为20~40℃，再导入旋转喷淋蚀刻机台的储罐内；
S2：将一片待蚀刻的晶圆平放置于蚀刻区域的平台内，通过平台一面通气装置产生高压气流实现晶圆悬浮于平台表面，对晶圆进行非接触式且全方位的蚀刻和清洗。所述的高压气流是指N2，气流压力1~10bar，耗气量为110L/min~150 L/min。
S3：旋转喷淋装置，蚀刻液以旋转喷淋方式实现蚀刻，蚀刻液的旋喷流量为1000mL/min，转速600r/min，蚀刻时间5min，待蚀刻完成后启动高纯水喷淋系统，设置纯水的旋喷流量为700mL/min，转速为600r/min，清洗时间为40s，对蚀刻后的晶圆进行清洗处理；清洗完成后，取出晶圆，50℃超纯水清洗，避免蚀刻残留，再利用N2将晶圆吹干处理后得到蚀刻后的锗晶圆或硅晶圆。结果表明蚀刻液对锗的蚀刻速率为6.4nm/min，对硅的蚀刻速率为0.02nm/min。
实施例2
方法步骤同实施例1，仅蚀刻液组分为3%的双氧水和0.25%的2-氟乙酰乙酸盐，其余的水。蚀刻完成后将晶圆清洗干净进行测试，结果表明蚀刻液对锗的蚀刻速率为125nm/min，对硅的蚀刻速率为0.37nm/min。
实施例3
方法步骤同实施例1，蚀刻液组分为2.5%的双氧水和0.45%的2-氟乙酰乙酸盐、0.1%的马来酸，其余的水。蚀刻完成后将晶圆清洗干净进行测试，结果表明蚀刻液对锗的蚀刻速率为157nm/min，对硅的蚀刻速率为0.45nm/min。
实施例4
方法步骤同实施例1，蚀刻液组分为1.3%的双氧水和0.1%的2-氟乙酰乙酸盐、0.25%的醋酸，其余的水。蚀刻完成后将晶圆清洗干净进行测试，结果表明蚀刻液对锗的蚀刻速率为114nm/min，对硅的蚀刻速率为0.32nm/min。
实施例5
方法步骤同实施例1，蚀刻液组分为10%的双氧水和0.5%的三乙胺三(氟化氢)、0.1%的醋酸，其余的水。蚀刻完成后将晶圆清洗干净进行测试，结果表明蚀刻液对锗的蚀刻速率为374nm/min，对硅的蚀刻速率为1.25nm/min。
实施例6
方法步骤同实施例1，蚀刻液组分为8%的双氧水和0.23%的三乙胺三(氟化氢)、0.18%的甘氨酸，其余的水。蚀刻完成后将晶圆清洗干净进行测试，结果表明蚀刻液对锗的蚀刻速率为196nm/min，对硅的蚀刻速率为0.73nm/min。
实施例7
方法步骤同实施例1，蚀刻液组分为6%的双氧水和0.3%的六氟硅酸铵、2%的醋酸，其余的水。蚀刻完成后将晶圆清洗干净进行测试，结果表明蚀刻液对锗的蚀刻速率为253nm/min，对硅的蚀刻速率为0.86nm/min。
实施例8
方法步骤同实施例1，蚀刻液组分为7%的双氧水和0.15%的六氟硅酸铵、0.3%的甘氨酸，其余的水。蚀刻完成后将晶圆清洗干净进行测试，结果表明蚀刻液对锗的蚀刻速率为138nm/min，对硅的蚀刻速率为0.32nm/min。
实施例9
方法步骤同实施例1，蚀刻液组分为4%的双氧水和0.14%的三氟乙酸酐，其余的水。蚀刻完成后将晶圆清洗干净进行测试，结果表明蚀刻液对锗的蚀刻速率为102nm/min，对硅的蚀刻速率为0.33nm/min。
实施例10
方法步骤同实施例1，蚀刻液组分为12%的双氧水和1%的三氟乙酸酐、1.7%的马来酸，其余的水。蚀刻完成后将晶圆清洗干净进行测试，结果表明蚀刻液对锗的蚀刻速率为254nm/min，对硅的蚀刻速率为0.52nm/min。
实施例11
方法步骤同实施例1，蚀刻液组分为13%的双氧水和2.5%的三氟甲磺酸，2.3%的马来酸，其余的水。蚀刻完成后将晶圆清洗干净进行测试，结果表明蚀刻液对锗的蚀刻速率为376nm/min，对硅的蚀刻速率为1.26nm/min。
实施例12
方法步骤同实施例1，蚀刻液组分为6%的双氧水和3%的三氟乙酸酐，3%的醋酸，其余的水。蚀刻完成后将晶圆清洗干净进行测试，结果表明蚀刻液对锗的蚀刻速率为438nm/min，对硅的蚀刻速率为1.26nm/min。
实施例13
方法步骤同实施例1，蚀刻液组分为8%的双氧水和4%的三氟甲磺酸、0.8%的甘氨酸，其余的水。蚀刻完成后将晶圆清洗干净进行测试，结果表明蚀刻液对锗的蚀刻速率为374nm/min，对硅的蚀刻速率为1.18nm/min。
实施例14
方法步骤同实施例3，仅S3步骤中蚀刻液的转喷流量为800 mL/min，转速500r/min，蚀刻时间5min。蚀刻完成后将晶圆清洗干净进行测试，结果表明蚀刻液对锗的蚀刻速率为80nm/min，对硅的蚀刻速率为0.4nm/min。
实施例15
方法步骤同实施例4，仅S3步骤中蚀刻液的转喷流量为800 mL/min，转速1000r/min，蚀刻时间5min。蚀刻完成后将晶圆清洗干净进行测试，结果表明蚀刻液对锗的蚀刻速率为88nm/min，对硅的蚀刻速率为0.27nm/min。
实施例16
方法步骤同实施例5，仅S3步骤中蚀刻液的转喷流量为800 mL/min，转速300r/min，蚀刻时间5min。蚀刻完成后将晶圆清洗干净进行测试，结果表明蚀刻液对锗的蚀刻速率为469nm/min，对硅的蚀刻速率为1.45nm/min。
实施例17
方法步骤同实施例6，仅S3步骤中蚀刻液的转喷流量为800 mL/min，转速700r/min，蚀刻时间5min。蚀刻完成后将晶圆清洗干净进行测试，结果表明蚀刻液对锗的蚀刻速率为181nm/min，对硅的蚀刻速率为0.68nm/min。
实施例18
方法步骤同实施例7，仅S3步骤中蚀刻液的转喷流量为800 mL/min，转速800r/min，蚀刻时间5min。蚀刻完成后将晶圆清洗干净进行测试，结果表明蚀刻液对锗的蚀刻速率为226nm/min，对硅的蚀刻速率为0.73nm/min。
实施例19
方法步骤同实施例8，仅S3步骤中蚀刻液的转喷流量为800 mL/min，转速900r/min，蚀刻时间5min。蚀刻完成后将晶圆清洗干净进行测试，结果表明蚀刻液对锗的蚀刻速率为117nm/min，对硅的蚀刻速率为0.23nm/min。
实施例20
方法步骤同实施例9，仅S3步骤中蚀刻液的转喷流量为700 mL/min，转速600r/min，蚀刻时间5min。蚀刻完成后将晶圆清洗干净进行测试，结果表明蚀刻液对锗的蚀刻速率为73nm/min，对硅的蚀刻速率为0.26nm/min。
实施例21
方法步骤同实施例10，仅S3步骤中蚀刻液的转喷流量为800 mL/min，转速600r/min，蚀刻时间5min。蚀刻完成后将晶圆清洗干净进行测试，结果表明蚀刻液对锗的蚀刻速率为287nm/min，对硅的蚀刻速率为0.44nm/min。
实施例22
方法步骤同实施例11，仅S3步骤中蚀刻液的转喷流量为1300 mL/min，转速600r/min，蚀刻时间5min。蚀刻完成后将晶圆清洗干净进行测试，结果表明蚀刻液对锗的蚀刻速率为539nm/min，对硅的蚀刻速率为1.42nm/min。
实施例23
方法步骤同实施例12，仅S3步骤中进行蚀刻液的转喷蚀刻后未进行高纯水的旋转喷淋清洗。则蚀刻完成后将晶圆清洗干净进行测试，结果表明蚀刻液对锗的蚀刻速率为457nm/min，对硅的蚀刻速率为1.35nm/min。
实施例24
方法步骤同实施例13，仅S1步骤的原料配置过程中，并未进行冰水降温，则在配置过程中，物料温度高于100℃，再放置至室温或进行S2、S3步骤的蚀刻。蚀刻完成后将晶圆清洗干净进行测试，结果表明蚀刻液对锗的蚀刻速率为325nm/min，对硅的蚀刻速率为0.5nm/min。
显然，上述实施例仅是为清楚地说明所作的实例，而并非对实施方式的限制。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而因此所引申的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种高选择性锗蚀刻液，其特征在于，蚀刻液成分包括0.4~15wt%的氧化剂、0.1~15wt%的氟离子源和0. 1~4wt%的添加剂，其余的水。
2.根据权力要求1所述的高选择性锗蚀刻液，其特征在于：所述的氧化剂为双氧水。
3.根据权利要求1所述的高选择性锗蚀刻液，其特征在于，所述的氟离子源包括2-氟乙酰乙酸盐、三乙胺三(氟化氢)、吡啶氢氟酸盐、六氟硅酸铵、三氟甲磺酸、三氟乙酸酐和氟化铵中的至少一种。
4.根据氨基酸类要求1所述的高选择性锗蚀刻液，其特征在于，所述的添加剂为醋酸、氨基酸类或马来酸中的一种或多种；所述的氨基酸类包括甘氨酸或谷氨酰胺。
5.采用权利要求1~4任一项所述的高选择性锗蚀刻液的蚀刻方法，其特征在于，
所述方法包括以下步骤：
S1：将包含氧化剂、氟离子源、添加剂和超纯水在容器内按比例配制混匀后得到锗蚀刻液，再导入旋转喷淋蚀刻机台的储罐内；
S2：将待蚀刻的Ge晶圆或Si晶圆平放置于蚀刻区域的平台内，通高压气流实现晶圆悬浮于平台表面，对晶圆进行非接触式蚀刻和清洗；
S3：旋转喷淋装置，蚀刻液以旋转喷淋方式实现蚀刻，待蚀刻完成后启动高纯水喷淋系统，对蚀刻后的晶圆进行清洗处理；清洗完成后，取出晶圆，热快速干燥处理后得到蚀刻后的锗晶圆或Si晶圆。
6.根据权利要求5所述的蚀刻方法，其特征在于，步骤S1中氧化剂、氟离子源、添加剂和超纯水在容器内按比例配制混匀的过程中采用冰水降温法控制容器内温度为5℃以内，并进行搅拌混匀，混匀后冷却至室温，并控制蚀刻液温度为20~40℃。
7.根据权利要求5所述的蚀刻方法，其特征在于，所述的步骤S2的高压气流是指N2，气流压力1~10bar，耗气量为110L/min-150 L/min。
8.根据权利要求5所述的蚀刻方法，其特征在于，所述的步骤S3中蚀刻液的旋转喷淋的旋喷流量为800~1200mL/min，转速400~800r/min，蚀刻时间3~5min；
高纯水的旋转喷淋的旋喷流量为600~800mL/min，转速为400~600r/min，清洗时间为20~40s。
9.根据权利要求5所述的蚀刻方法，其特征在于，热快速干燥为先通过50~60℃超纯水清洗后再利用N2将晶圆吹干。
10.根据权利要求5所述的蚀刻方法，其特征在于，所述蚀刻液对锗的蚀刻速率为100~450nm/min，对硅的蚀刻速率为0.3~1.3nm/min，且对锗的蚀刻速率与硅的蚀刻速率的比值为20~600。
CN202211145213.4A 2022-09-20 2022-09-20 一种高选择性锗蚀刻液 Active CN115505390B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202211145213.4A CN115505390B (zh) 2022-09-20 2022-09-20 一种高选择性锗蚀刻液

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202211145213.4A CN115505390B (zh) 2022-09-20 2022-09-20 一种高选择性锗蚀刻液

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN115505390A true CN115505390A (zh) 2022-12-23
CN115505390B CN115505390B (zh) 2023-07-11

Family

ID=84503758

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202211145213.4A Active CN115505390B (zh) 2022-09-20 2022-09-20 一种高选择性锗蚀刻液

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN115505390B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115960609A (zh) * 2022-12-30 2023-04-14 浙江奥首材料科技有限公司 一种高选择性蚀刻晶圆表面氧化层的蚀刻液、其制备方法及用途

Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7338908B1 (en) * 2003-10-20 2008-03-04 Novellus Systems, Inc. Method for fabrication of semiconductor interconnect structure with reduced capacitance, leakage current, and improved breakdown voltage
CN101226872A (zh) * 2007-01-15 2008-07-23 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种多晶刻蚀腔室中硅材质零件表面的清洗方法
FR2912550A1 (fr) * 2007-02-14 2008-08-15 Soitec Silicon On Insulator Procede de fabrication d'une structure ssoi.
JP2013135081A (ja) * 2011-12-26 2013-07-08 Fujifilm Corp シリコンエッチング方法、これに用いられるシリコンエッチング液、及びそのキット
KR20170034036A (ko) * 2015-09-18 2017-03-28 주식회사 이엔에프테크놀로지 식각 조성물
CN109423291A (zh) * 2017-08-25 2019-03-05 弗萨姆材料美国有限责任公司 在制造半导体器件过程中从硅-锗/硅叠层中选择性地去除硅-锗合金的蚀刻溶液
US20190276739A1 (en) * 2018-03-09 2019-09-12 Versum Materials Us, Llc Etching Solution for Selectively Removing Silicon-Germanium Alloy From a Silicon-Germanium/ Germanium Stack During Manufacture of a Semiconductor Device
CN110494961A (zh) * 2017-04-11 2019-11-22 恩特格里斯公司 相对于硅选择性蚀刻硅-锗的调配物
CN111164183A (zh) * 2017-09-29 2020-05-15 弗萨姆材料美国有限责任公司 用于在半导体器件制造过程中从硅-锗/硅堆叠同时去除硅和硅-锗合金的蚀刻溶液
JP2021061391A (ja) * 2019-10-04 2021-04-15 東京応化工業株式会社 エッチング液、及び半導体素子の製造方法
CN113106453A (zh) * 2020-02-26 2021-07-13 江苏艾森半导体材料股份有限公司 一种蚀刻液组合物及其应用
CN114072482A (zh) * 2019-07-08 2022-02-18 巴斯夫欧洲公司 组合物及其用途和选择性蚀刻硅-锗材料的方法
CN114086180A (zh) * 2021-11-22 2022-02-25 Tcl华星光电技术有限公司 一种蚀刻液和使用了所述蚀刻液的阵列基板的制作方法
CN114316990A (zh) * 2021-12-09 2022-04-12 湖北兴福电子材料有限公司 一种高蚀刻锥角的锗蚀刻液
CN114351143A (zh) * 2021-12-09 2022-04-15 湖北兴福电子材料有限公司 一种侧蚀量可控的锗蚀刻液
CN114420557A (zh) * 2021-12-29 2022-04-29 上海至纯洁净系统科技股份有限公司 一种改良的选择性去除氮化硅的湿法蚀刻方法

Patent Citations (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7338908B1 (en) * 2003-10-20 2008-03-04 Novellus Systems, Inc. Method for fabrication of semiconductor interconnect structure with reduced capacitance, leakage current, and improved breakdown voltage
CN101226872A (zh) * 2007-01-15 2008-07-23 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种多晶刻蚀腔室中硅材质零件表面的清洗方法
FR2912550A1 (fr) * 2007-02-14 2008-08-15 Soitec Silicon On Insulator Procede de fabrication d'une structure ssoi.
JP2013135081A (ja) * 2011-12-26 2013-07-08 Fujifilm Corp シリコンエッチング方法、これに用いられるシリコンエッチング液、及びそのキット
KR20170034036A (ko) * 2015-09-18 2017-03-28 주식회사 이엔에프테크놀로지 식각 조성물
CN110494961A (zh) * 2017-04-11 2019-11-22 恩特格里斯公司 相对于硅选择性蚀刻硅-锗的调配物
CN109423291A (zh) * 2017-08-25 2019-03-05 弗萨姆材料美国有限责任公司 在制造半导体器件过程中从硅-锗/硅叠层中选择性地去除硅-锗合金的蚀刻溶液
CN111164183A (zh) * 2017-09-29 2020-05-15 弗萨姆材料美国有限责任公司 用于在半导体器件制造过程中从硅-锗/硅堆叠同时去除硅和硅-锗合金的蚀刻溶液
US20190276739A1 (en) * 2018-03-09 2019-09-12 Versum Materials Us, Llc Etching Solution for Selectively Removing Silicon-Germanium Alloy From a Silicon-Germanium/ Germanium Stack During Manufacture of a Semiconductor Device
CN110240907A (zh) * 2018-03-09 2019-09-17 弗萨姆材料美国有限责任公司 用于在半导体器件制造期间从硅-锗/锗叠层选择性除去硅-锗合金的蚀刻溶液
CN114072482A (zh) * 2019-07-08 2022-02-18 巴斯夫欧洲公司 组合物及其用途和选择性蚀刻硅-锗材料的方法
JP2021061391A (ja) * 2019-10-04 2021-04-15 東京応化工業株式会社 エッチング液、及び半導体素子の製造方法
CN113106453A (zh) * 2020-02-26 2021-07-13 江苏艾森半导体材料股份有限公司 一种蚀刻液组合物及其应用
CN114086180A (zh) * 2021-11-22 2022-02-25 Tcl华星光电技术有限公司 一种蚀刻液和使用了所述蚀刻液的阵列基板的制作方法
CN114316990A (zh) * 2021-12-09 2022-04-12 湖北兴福电子材料有限公司 一种高蚀刻锥角的锗蚀刻液
CN114351143A (zh) * 2021-12-09 2022-04-15 湖北兴福电子材料有限公司 一种侧蚀量可控的锗蚀刻液
CN114420557A (zh) * 2021-12-29 2022-04-29 上海至纯洁净系统科技股份有限公司 一种改良的选择性去除氮化硅的湿法蚀刻方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115960609A (zh) * 2022-12-30 2023-04-14 浙江奥首材料科技有限公司 一种高选择性蚀刻晶圆表面氧化层的蚀刻液、其制备方法及用途
CN115960609B (zh) * 2022-12-30 2023-10-24 浙江奥首材料科技有限公司 一种高选择性蚀刻晶圆表面氧化层的蚀刻液、其制备方法及用途

Also Published As

Publication number Publication date
CN115505390B (zh) 2023-07-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100366623B1 (ko) 반도체 기판 또는 ｌｃｄ 기판의 세정방법
CN103605266B (zh) 光刻胶残渣及聚合物残渣去除液组合物
CN109609129B (zh) 一种硅片打毛液
US20060272677A1 (en) Cleaning process for semiconductor substrates
CN109321253A (zh) 一种硅晶圆的蚀刻液
WO2009026324A2 (en) Composition and method for removing ion-implanted photoresist
KR20000077428A (ko) 반도체 웨이퍼의 메가소닉 클리닝을 위한 탈이온수의 온도제어된 탈기화
CN115505390A (zh) 一种高选择性锗蚀刻液
JP2009144180A (ja) エッチング用組成物及びエッチング方法
TWI545188B (zh) 半導體基板用洗淨劑、使用其的洗淨方法及半導體元件的製造方法
JP2001156053A (ja) 半導体素子製造用蝕刻組成物及びこれを用いた蝕刻方法
JP2013004871A (ja) 金属エッチング用組成物、および金属エッチング用組成物を用いた半導体装置の製造方法
JP3039483B2 (ja) 半導体基板の処理薬液及び半導体基板の薬液処理方法
CN111320982A (zh) 一种晶圆硅片表面微蚀刻粗糙处理剂及其处理方法
US20210384037A1 (en) NEED FOR Si3N4 SELECTIVE REMOVAL BY WET CHEMISTRY
JP3396030B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP3459141B2 (ja) 熱燐酸によるエッチング方法
WO2010134185A1 (ja) 洗浄液及び洗浄方法
JP2569574B2 (ja) 半導体処理剤
US10985026B2 (en) Substrate processing method, substrate processing apparatus, and substrate processing system
JP2004235326A (ja) 金属用研磨液及び研磨方法
TWI532834B (zh) 半導體基板的洗淨方法以及兩劑型半導體基板用洗淨劑
CN1868615A (zh) 一种针对低介电常数材料的去胶工艺方法
KR100448868B1 (ko) 비결정질 ｉｔｏ 식각액 조성물
JP2007251127A (ja) 純水供給システム、純水を用いた洗浄システムおよび洗浄方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant